JP2008306021A

JP2008306021A - Ｌｅｄチップの製造方法

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Publication number: JP2008306021A
Application number: JP2007152459A
Authority: JP
Inventors: Yuji Imai; 勇次今井
Original assignee: Ushio Denki KK; Ushio Inc
Current assignee: Ushio Denki KK; Ushio Inc
Priority date: 2007-06-08
Filing date: 2007-06-08
Publication date: 2008-12-18
Also published as: EP2001059A2; KR20090004450A; US20080305570A1; TW200849673A; CN101320777A

Abstract

【課題】その工程上、窒化物系半導体層の形成に用いられるサファイア基板を容易にかつ効率よく取り除くことのできるＬＥＤチップの製造方法を提供すること。
【解決手段】ＬＥＤチップの製造方法は、窒化物半導体層を有するＬＥＤチップを製造するための方法であって、サファイア基板上に窒化物系バッファ層が形成されており、当該窒化物系バッファ層上に窒化物系半導体層が形成されてなる構造を有するＬＥＤチップ構造体に対して、窒化物系バッファ層を化学エッチングにより除去する化学エッチング工程を有することを特徴とする。
【選択図】図２

Description

本発明は、ＬＥＤチップの製造方法に関する。

近年、窒化物系半導体層を有するＬＥＤチップが放熱部材上に接合されてなる構成のＬＥＤ素子が表示装置や照明装置の光源として用いられてきているが、このようなＬＥＤチップを光源の構成部材として用いた装置においては、ＬＥＤチップから発生する熱が十分に放熱されないことに起因して、例えば高輝度化を図ることが困難である、などの問題が生じている。
その一因として、窒化物系半導体層を有するＬＥＤチップの或る種のものについては、サファイア基板上に窒化物系半導体層が積層されてなる構造を有しており、基板の構成材料であるサファイアが熱伝導率の小さいものであることが挙げられる。

然るに、ＬＥＤチップの製造上において、窒化物系半導体層を形成するためには、形成すべき窒化物系半導体層との関係、具体的には例えば格子定数の観点から、基板としてサファイア基板を用いることが必要であり、しかも当該サファイア基板が取り外された形態のものが市販品として製品化されてはいない。

而して、サファイア基板上に窒化物系半導体層が形成されてなる構成の構造体におけるサファイア基板自体を、リン酸と硫酸との混合液よりなるサファイアを溶解するエッチング液を用い、化学エッチングによって除去する手法が提案されている（特許文献１参照）。

しかしながら、このような手法においては、エチングストップ層が設けられておらず、またサファイアが良好な溶解性を有するものでないことから、ゆっくりとしたエッチング速度で、かつエッチング速度に基づく時間管理をしながらエッチング処理を行う必要があるため、ＬＥＤチップを効率的に得ることができず、しかもその処理自体が容易ではない、という問題がある。
ここに、特許文献１によれば、例えば厚さ３００μｍのサファイア基板を除去するために、リン酸と硫酸とを１対２の割合で混合し、温度を３５０℃とした混合液をエチング液として用いた場合には、その処理に１２０分間もの時間を要することとなる。

特開２００１−２８４３１４号公報

本発明は、以上のような事情に基づいてなされたものであって、その目的は、その工程上、窒化物系半導体層の形成に用いられるサファイア基板を容易にかつ効率よく取り除くことのできるＬＥＤチップの製造方法を提供することにある。

本発明のＬＥＤチップの製造方法は、窒化物系半導体層を有するＬＥＤチップを製造するためのＬＥＤチップの製造方法であって、
サファイア基板上に窒化物系バッファ層が形成されており、当該窒化物系バッファ層上に窒化物系半導体層が形成されてなる構造を有するＬＥＤチップ構造体に対して、窒化物系バッファ層を化学エッチングにより除去する化学エッチング工程を有することを特徴とする。

本発明のＬＥＤチップの製造方法においては、ＬＥＤチップ構造体における窒化物系バッファ層の厚みが２０〜３００ｎｍであることが好ましい。

本発明のＬＥＤチップの製造方法においては、ＬＥＤチップ構造体における窒化物系半導体層がｎ−ＧａＮよりなるｎ型半導体層、ＩｎＧａＮよりなる発光層およびｐ−ＧａＮよりなるｐ型半導体層がこの順に積層されてなる構造を有し、窒化物系バッファ層上に積層されているｎ型半導体層の厚みが５０〜１００μｍであることが好ましい。

本発明のＬＥＤチップの製造方法においては、化学エッチング工程に供するＬＥＤチップ構造体の窒化物半導体層上に、耐酸化性および耐アルカリ性を有する接着剤によってハンドリング用板材を接着することが好ましい。

本発明のＬＥＤチップの製造方法によれば、サファイア基板上に窒化物系バッファ層および窒化物系半導体層がこの順に積層されてなる構造を有するＬＥＤチップ構造体において、溶剤に対する溶解性の小さいサファイアよりなるサファイア基板自体を化学エッチングによって除去するのではなく、サファイアに比して溶剤に対する溶解性の大きい材料よりなる窒化物系バッファ層を化学エッチングすることによって窒化物系半導体層からサファイア基板を取り除くことにより、容易にかつ短時間でサファイア基板を除去することができるため、窒化物系半導体層の形成に用いられるサファイア基板を容易にかつ効率よく取り除くことができる。

また、本発明のＬＥＤチップの製造方法においては、化学エッチング工程において、窒化物系半導体層からサファイア基板を除去することができるため、チップダイシングに、非常に硬く、その切断が容易ではないサファイア基板を切断するための特殊な加工が必要とされないため、サファイア基板を切断するための特殊な加工をすることに起因する歩留りの低下などの弊害の発生を防止することができる。

また、本発明のＬＥＤチップの製造方法によれば、窒化物系半導体層の形成にサファイア基板が用いられるにも関わらず、サファイア基板を有さない構造のＬＥＤチップを得ることができるため、当該ＬＥＤチップには、熱伝導率の小さいサファイア基板を有することに起因する弊害が生じることがなく、優れた耐熱性および熱伝導率が得られることとなり、従って、当該ＬＥＤチップは、例えば表示装置や照明装置の光源の構成材料として好適に用いることができる。

以下、本発明について詳細に説明する。

本発明のＬＥＤチップの製造方法は、サファイア基板上に窒化物系バッファ層が形成されており、当該窒化物系バッファ層上に窒化物系半導体層が形成されてなる構造を有するＬＥＤチップ構造体に対して、窒化物系バッファ層を化学エッチングにより除去する化学エッチング工程を有することを特徴とし、この製造方法によって得られるＬＥＤチップは、図１に示すように、サファイア基板を有さず、窒化物系半導体層よりなるものである。

図１に示されているＬＥＤチップ１０は、青色発光ＬＥＤチップであって、ｎ−ＧａＮ（窒化ガリウム）よりなるｎ型半導体層１１と、ＩｎＧａＮよりなる発光層１２と、ｐ−ＧａＮよりなるｐ型半導体層１３とがこの順に積層されてなる窒素物系半導体層を有し、当該ｎ型半導体層１１が、その上面（図１において上面）に段差を有し、その下段に係る上面に、例えばＡｕＧｅ合金（金ゲルマニウム合金）膜、Ｎｉ（ニッケル）膜およびＡｕ（金）膜よりなるｎ電極１６が形成されており、上段に係る上面に発光層１２およびｐ型半導体層１３が積層され、当該ｐ型半導体層１３の上面（図１において上面）に、例えばＴｉ（チタン）膜、Ｐｔ（白金）膜およびＡｕ膜よりなるｐ電極１５が形成されてなるものである。

以下、本発明のＬＥＤチップの製造方法の具体的な一例として、図１に係るＬＥＤチップ１０を製造するための方法を、図を用いて詳細に説明する。

＜化学エッチング準備工程＞
先ず、図２に示すような、例えば厚さ３００μｍのサファイア基板２１の上面（図２において上面）全面に窒化物系バッファ層（以下、単に「バッファ層」ともいう。）２２が形成されており、このバッファ層２２の上面（図２において上面）に、ｎ−ＧａＮよりなるｎ型半導体層１１と、ＩｎＧａＮよりなる発光層１２と、ｐ−ＧａＮよりなるｐ型半導体層１３とがこの順に積層されてなる窒素物系半導体層が形成されてなる構造を有するＬＥＤチップ構造体２０を用意する。
この例におけるＬＥＤチップ構造体２０は、ｎ型半導体層１１の上面に複数（３つ）の凸部１１Ａおよび凹部１１Ｂが交互に形成されており、凸部１１Ａ上には、各々、発光層１２およびｐ型半導体層１３が積層され、これにより分離用溝２３が形成されている。また、分離用溝２３の底面、すなわちｎ型半導体層１１の上面における凹部１１Ｂ上には、各々、ｎ電極１６が形成されており、ｐ型半導体層１３の上面（図２において上面）には、各々、ｐ電極１５形成されている。

ＬＥＤチップ構造体２０において、バッファ層２２は、例えば窒化アルミニウムよりなるものである。
また、バッファ層２２は、その厚みが２０〜３００ｎｍであることが好ましく、特に、化学エッチング工程における溶解上の観点から、１００〜３００ｎｍであることが好ましい。
バッファ層２２の厚みが２０ｎｍ未満である場合には、エッチング液のしみ込みが不十分になり、エッチング不良となる。一方、３００ｎｍを超える場合には、厚みが大きいためにエッチングに面内分布が発生し、生産性が悪くなるおそれがある。

ｎ型半導体層１１は、その厚みが５０〜１００μｍであることが好ましく、特に７０〜９０μｍであることが好ましい。
ｎ型半導体層１１の厚みが５０μｍ未満である場合には、ＬＥＤ基板が薄いため、ハンドリング用板材を外した後の取り扱いが困難となる。一方、１００μｍを超える場合には、厚みが大きいために熱伝導性が悪くなり、ＬＥＤ素子の熱特性が悪くなるおそれがある。

また、ＬＥＤチップ構造体２０における窒化物系半導体層を構成する発光層１２およびｐ型半導体層１３の厚みの一例としては、発光層１２の厚みは、例えば２．５ｎｍであり、ｐ型半導体層１３の厚みは、例えば２１０ｎｍである。

このような構成を有するＬＥＤチップ構造体２０は、例えばサファイア基板２１の上面全面に適宜の手法によってバッファ層２２を形成し、このバッファ層２２の上面全面にエピタキシャル結晶成長法によってｎ型半導体層１１、発光層１２およびｐ型半導体層１３がこの順の積層されてなる構造の窒化物系半導体層を形成し、その後、適宜の手法により、当該窒化物系半導体層における、分離用溝２３を形成すべき領域のｐ型半導体層１３および発光層１２と、ｎ型半導体層１１の一部とを除去することによってｎ型半導体層１１の一部を露出させると共に分離用溝２３を形成した後、ｐ型半導体層１３上にｐ電極１５、およびｎ型半導体層１１上にｎ電極１６を、各々、適宜の手法によって形成することにより、得ることができる。

次いで、ＬＥＤチップ構造体２０を構成するサファイア基板２１よりも大径、すなわちＬＥＤチップ構造体２０の上面よりも大面積の表面を有する、例えば厚さ５００μｍの青板ガラス基板よりなるハンドリング用板材２５を用意し、図３に示すように、ＬＥＤチップ構造体２０の上面（図３において上面）、すなわち窒化物系半導体層の上面全面に、ｐ電極１５およびｎ電極１６を覆うようにして耐酸化性および耐アルカリ性を有する接着剤（以下、「耐酸化性・耐アルカリ性接着剤」ともいう。）を塗布することによって形成された接着剤層２６上に、ハンドリング用板材２５を接着して固着する。

接着剤層２６の構成材料である耐酸化性・耐アルカリ性接着剤としては、透明であって非感光性を有すると共に、高い平坦性、耐ガス性を有するものが好ましく、例えば「ＦＳＣ」（シプレイ社製）などを用いることができる。

接着剤層２６の厚みは、０．５〜２０μｍであることが好ましい。
接着剤層２６の厚みが０．５μｍ未満である場合には、接着性が悪く、剥がれやすくなるおそれがあり、一方、２０μｍを超える場合には、接着性が高すぎて剥がれにくくなるおそれがある。
ここに、「接着剤層２６の厚み」とは、図３に示したようにＬＥＤチップ構造体２０がその上面に凹凸を有するものである場合には、最小値（図３においては、ｐ電極１５上に形成された接着剤層の厚み）を示す。

＜化学エッチング工程＞
そして、ＬＥＤチップ構造体２０上に接着剤層２６によってハンドリング用板材２５が固着された構成の被化学エッチング処理体２８における当該ＬＥＤチップ構造体２０に対して化学エッチングを施すことにより、当該ＬＥＤチップ構造体２０におけるバッファ層２２が化学エッチングされ、このバッファ層２２が化学エッチングされることに伴ってサファイア基板２１が当該バッファ層２２と共にＬＥＤチップ構造体２０から除去され、その結果、図４に示すような、被化学エッチング処理体２８において、バッファ層２２およびサファイア基板２１が除去されてなる構成の化学エッチング処理済体２９が得られる。

エッチング液は、化学エッチングすべきバッファ層２２の構成材料に応じて適宜に選択されるが、例えばバッファ層２２が窒化アルミニウムよりなる場合には、水酸化カリウム（ＫＯＨ）溶液、水酸化ナトリウム（ＮａＯＨ）溶液などを用いることができる。
また、エッチング液として、水酸化カリウム（ＫＯＨ）溶液および水酸化ナトリウム（ＮａＯＨ）溶液を用いる場合には、純水で希釈されてなる、その濃度が５〜９９ｖｏｌ％のものであっても、また濃度が１００ｖｏｌ％のものであってもよい。

エッチング処理条件としては、エッチング処理温度は、常温（２５℃）〜５０℃であり、また、エチング処理時間は、バッファ層２２の構成材料および厚み、エッチング溶液の種類および濃度にもよるが、例えばバッファ層２２が窒化アルミニウムよりなり、その厚みが２０ｎｍであると共に、エッチング液として濃度１００％の水酸化カリウム溶液を用いた場合には、例えば５〜２０秒間である。

被化学エッチング処理体２８を構成するバッファ層２２は、露出されている側面（図３に示されている被化学エッチング処理体２８においてバッファ層２２の紙面に垂直な面および左右面）から、内方方向（図３における紙面に垂直な方向、および左右方向）に向かって次第に化学エッチングされることとなる。

＜化学エッチング後処理工程＞
このようにして得られた化学エッチング処理済体２９を加熱処理することにより、接着剤層２６を除去すると共にハンドリング用板材２５を剥離した後、さらに、例えばアセトンなどの有機溶剤によって洗浄することによって接着剤層２６の残渣を除去することにより、図５に示すような、ＬＥＤチップ構造体２０において、バッファ層２２およびサファイア基板２１が除去されてなる構成のＬＥＤチップ連結体３０が得られる。

加熱処理条件としては、加熱温度は、例えば５０〜２００℃であり、また、加熱時間は、例えば加熱温度が２００℃である場合には、通常、１分間である。

有機溶剤による洗浄処理は、例えば常温で５分間の条件で行われる。

＜チップダイシング工程＞
このようにして得られたＬＥＤチップ連結体３０は、ニッケル系ブレードなどにより、分離用溝２３において、ｎ型半導体層１１の凸部１１Ａ上に積層されてなる発光層１２およびｐ型半導体層１３の一方の側面（図５においては左側面）に沿ってｎ型半導体層１１が切断されて分離されることにより、ＬＥＤチップ１０が製造される。

以上のような本発明のＬＥＤチップの製造方法によれば、サファイア基板２１上にバッファ層２２および窒化物系半導体層がこの順に積層されてなる構造を有するＬＥＤチップ構造体２０に対して、溶剤に対する溶解性の小さいサファイアよりなるサファイア基板２１自体を化学エッチングによって除去するのではなく、サファイアに比して溶剤に対する溶解性の大きい材料よりなるバッファ層２２をエッチングすることによって窒化物系半導体層からサファイア基板２１を取り除くことにより、サファイア基板２１自体を化学エッチングする場合に比して容易にかつ短時間でサファイア基板２１を除去することができるため、窒化物系半導体層の形成に用いられるサファイア基板２１を容易にかつ効率よく取り除くことができる。

また、このようなＬＥＤチップの製造方法においては、ＬＥＤチップ構造体２０を、バッファ層２２および窒化物系半導体層を構成するｎ型半導体層１１の厚みが大きいものとすることにより、化学エッチング工程において、バッファ層２２に隣接するｎ型半導体層１１に大きな影響を与えることなく、当該バッファ層２２のみをエッチングすることができる。
なお、サファイア基板上に窒化物系バッファ層および窒化物系半導体層がこの順に積層されてなる構成を有する、従来公知のＬＥＤチップにおいては、窒化物系半導体層を構成するｎ型半導体層の厚みは、通常、５μｍ程度とされ、また、窒化物系バッファ層の厚みは、通常、５０〜１００ｎｍとされている。

また、このようなＬＥＤチップの製造方法においては、チップダイシング工程に供されるＬＥＤチップ連結体３０がサファイア基板を有するものではないことから、非常に硬く、その切断が容易ではないサファイア基板２１を切断するための特殊な加工、具体的には、例えばダイアモンドカッターを用いる必要がなく、ニッケル系ブレードなどを好適に用いることができるため、ダイアモンドカッターを用いることに起因して生じる歩留りの低下等を防止することができると共に、チップダイシングに要する時間を短縮することができる。

さらに、このようなＬＥＤチップの製造方法によれば、窒化物系半導体層の形成にサファイア基板２１が用いられるにも関わらず、サファイア基板を有さない構造のＬＥＤチップ１０を得ることができるため、当該ＬＥＤチップ１０には、熱伝導率の小さいサファイア基板を有することに起因する弊害が生じることがなく、優れた耐熱性および熱伝導率が得られることとなるため、当該ＬＥＤチップ１０が放熱部材上に接合されてなる構成のＬＥＤ素子は、例えば表示装置や照明装置の光源として好適に用いることができる。

このような本発明のＬＥＤチップの製造方法によって得られる、サファイア基板を有さない構造のＬＥＤチップ１０は、図６（ａ）に示すように、例えば窒化物系半導体層を構成するｎ型半導体層１１の下面（図６（ａ）において下面）に接合部形成用材料金属膜４１を形成し、図６（ｂ）に示すように、例えば窒化アルミニウムよりなる放熱部材４５の上面（図６（ｂ）において上面）に、当該接合部形成用材料金属膜４１と、放熱部材４５の上面に形成された接合部形成用材料金属膜とによって形成された合金層４６によって接合されることにより、ＬＥＤ素子とされる。
図６において、４７は接合部形成用材料金属膜４１によって接合層４６と共に形成されたバリアメタル層である。

本発明のＬＥＤチップの製造方法においては、ＬＥＤチップ構造体として、形成すべきＬＥＤチップの構造に応じたものを用意することにより、種々の構造を有するＬＥＤチップを製造することができる。
例えば、図７（ａ）に示すように、ＬＥＤチップとして、ｎ電極およびｐ電極が共に設けられてなる構造を有するものではなく、ｐ電極１５のみが設けられており、ｎ電極１６は、図７（ｂ）に示すように、接合される放熱部材４５上に設けられる構造を有するものを製造することもできる。
図７（ａ）および（ｂ）において、ＬＥＤチップ５０は、ｎ型半導体層１１上にｎ電極１６を設ける必要がないものであることから、ｎ型半導体層１１の上面全面に発光層１２およびｐ型半導体層１３がこの順に積層されてなる構造を有している。また、ｐ電極１５は、ｐ型半導体層１３上に設けられている。

このような構成を有するＬＥＤチップ５０を構成部材とするＬＥＤ素子においては、例えば図７（ｃ）に示すように、ＬＥＤチップ５０が、当該ＬＥＤチップ５０が接合されている放熱部材４５の上面に形成された、例えばアルミニウムまたは金などよりなるメタルパターン４９によってｎ電極１６と電気的に接続される。

本発明においては、上記の実施の形態に限定されず種々の変更を加えることが可能である。

以下、本発明の具体的な実施例について説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。

〔実施例１〕
先ず、図２に示す構造を有し、厚み３００μｍのサファイア基板上に、厚み３００ｎｍの窒化アルミニウムよりなる窒化物系バッファ層が形成されており、この窒化物系バッファ層上に、厚み７０μｍのｎ−ＧａＮよりなるｎ型半導体層、厚み２．５ｎｍのＩｎＧａＮよりなる発光層および厚み２１０ｎｍのｐ−ＧａＮよりなるｐ型半導体層がこの順に積層されてなる窒化物系半導体層が形成され、また、ｐ型半導体層上に、Ｔｉ膜、Ｐｔ膜およびＡｕ膜よりなるｐ電極が形成され、分離用溝の底面を構成するｎ型半導体層上にＡｕＧｅ合金膜、Ｎｉ膜およびＡｕ膜よりなるｎ電極が形成されてなる構成のＬＥＤチップ構造体を用意した。
また、このＬＥＤチップ構造体と共に、当該ＬＥＤチップ構造体を構成するサファイア基板よりも大径でＬＥＤチップ構造体の上面よりも大面積の表面を有する、厚さ５００μｍの青板ガラス基板よりなるハンドリング用板材を用意した。

次いで、ＬＥＤチップ構造体における窒化物系半導体層の上面全面に、ｐ電極およびｎ電極を覆うようにして耐酸化性・耐アルカリ性接着剤「ＦＳＣ」（シプレイ社製）を塗布することにより、ｐ電極上における厚みが１０μｍとなるように接着剤層を形成し、この接着剤層上にハンドリング用板材を接着して固着することによって被化学エッチング処理体を作製した（図３参照）。

得られた被化学エッチング処理体を、濃度１００％の水酸化カリウム溶液よりなるエッチング液に浸し、エッチング処理温度２５℃の条件で窒化物系バッファ層の化学エッチングを行った。
窒化物系バッファ層は、エッチング処理時間２０分間で溶解し、これにより、当該窒化物系バッファ層が除去され、それに伴ってサファイア基板が取り除かれた（図４参照）。

その後、被化学エッチング処理体から窒化物系バッファ層およびサファイア基板が除去されてなる構成の化学エッチング処理済体を、加熱温度２００℃、加熱時間１分間の条件で加熱処理した後、さらに、アセトンによって常温、５分間の条件で洗浄処理することにより、接着剤層を除去すると共にハンドリング用板材を剥離することにより、ＬＥＤチップ構造体において、バッファ層およびサファイア基板が除去されてなる構成のＬＥＤチップ連結体を得た（図５参照）。

得られたＬＥＤチップ連結体を、ニッケル系ブレードを用い、分離用溝において、ｎ型半導体層の凸部上に積層されてなる発光層およびｐ型半導体層の一方の側面に沿ってｎ型半導体層を切断して分離することにより、図１に示すように、サファイア基板を有さない構成のＬＥＤチップを得た。このＬＥＤチップを確認したところ、チッピングは生じていなかった。

本発明のＬＥＤチップの製造方法によって得られるＬＥＤチップの構成の一例を示す説明図である。本発明のＬＥＤチップの製造方法に用いられるＬＥＤチップ構造体の構成の一例を示す説明図である。図２のＬＥＤチップ構造体上に接着剤層が形成されると共にハンドリング用板材が固着されてなる構成の被化学エッチング処理体を示す説明図である。図３の被化学エッチング処理体から窒化物系バッファ層およびサファイア基板が除去されてなる構成の化学エッチング処理済体を示す説明図である。図４の化学エッチング処理済体から接着剤層およびハンドリング用板材が除去されてなる構成のＬＥＤチップ連結体を示す説明図である。（ａ）は、本発明のＬＥＤチップの製造方法によって得られるＬＥＤチップの一例を、当該ＬＥＤチップの下面に接合部形成用材料金属膜が形成された状態で示す説明図であり、（ｂ）は、（ａ）に係るＬＥＤチップが放熱部材上に接合された状態を示す説明図である。（ａ）は、本発明のＬＥＤチップの製造方法によって得られるＬＥＤチップの他の例を、当該ＬＥＤチップの下面に接合部形成用材料金属膜が形成された状態で示す説明図であり、（ｂ）は、（ａ）に係るＬＥＤチップが放熱部材上に接合された状態を示す説明図であり、（ｃ）は、（ｂ）に係る放熱部材上に接合されたＬＥＤチップを上方から見た状態を示す説明図である。

符号の説明

１０ＬＥＤチップ
１１ｎ型半導体層
１１Ａ凸部
１１Ｂ凹部
１２発光層
１３ｐ型半導体層
１５ｐ電極
１６ｎ電極
２０ＬＥＤチップ構造体
２１サファイア基板
２２窒化物系バッファ層
２３分離用溝
２５ハンドリング用板材
２６接着剤層
２８被化学エッチング処理体
２９化学エッチング処理済体
３０ＬＥＤチップ連結体
４１接合部形成用材料金属膜
４５放熱部材
４６接合層
４７バリアメタル層
４９メタルパターン
５０ＬＥＤチップ

Claims

窒化物系半導体層を有するＬＥＤチップを製造するためのＬＥＤチップの製造方法であって、
サファイア基板上に窒化物系バッファ層が形成されており、当該窒化物系バッファ層上に窒化物系半導体層が形成されてなる構造を有するＬＥＤチップ構造体に対して、窒化物系バッファ層を化学エッチングにより除去する化学エッチング工程を有することを特徴とするＬＥＤチップの製造方法。
ＬＥＤチップ構造体における窒化物系バッファ層の厚みが２０〜３００ｎｍであることを特徴とする請求項１に記載のＬＥＤチップの製造方法。
ＬＥＤチップ構造体における窒化物系半導体層がｎ−ＧａＮよりなるｎ型半導体層、ＩｎＧａＮよりなる発光層およびｐ−ＧａＮよりなるｐ型半導体層がこの順に積層されてなる構造を有し、窒化物系バッファ層上に積層されているｎ型半導体層の厚みが５０〜１００μｍであることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のＬＥＤチップの製造方法。
化学エッチング工程に供するＬＥＤチップ構造体の窒化物半導体層上に、耐酸化性および耐アルカリ性を有する接着剤によってハンドリング用板材を接着することを特徴とする請求項１〜請求項３のいずれかに記載のＬＥＤチップの製造方法。