JP2011160010A - 窒化物半導体素子の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本窒化物半導体素子の製造方法は、第1の基板10の表面に、けがき線を入れることにより第1の溝15を形成する工程と、第1の基板10の第1の溝15が形成された表面上に、第1の溝15上に形成される第2の溝25を有する窒化物半導体層20を形成する工程と、窒化物半導体層20上に電極を形成する工程と、を含み、第1の溝15を形成する工程において、第1の溝15を窒化物半導体素子チップの1個の1辺の長さの1以上の整数倍のピッチで形成し、窒化物半導体層20を形成する工程において、少なくとも、バッファ層11と、n型窒化物半導体層12と、発光層13と、p型窒化物半導体層14とをこの順に形成し、電極を形成する工程において、電極のパターンのピッチが第1の溝15の間に収まるように電極を形成することを特徴とする。
【選択図】図2
Description
、マスク54は第1のエピタキシャルGaN層52の表面の一部を覆うように設けられている。こうすると、第1のエピタキシャルGaN層52が種層として作用し、第2のエピタキシャルGaN層57がマスク54中のウィンドウ(開口部)を満たした後に、第1のエピタキシャルGaN層52およびマスク54上に連続的な第2のエピタキシャルGaN層57が形成される。
本発明にかかる窒化物半導体素子の製造方法の一例を以下に説明する。まず、図1を参照して、第1の基板10として厚さ430μmのサファイア基板を用いて、第1の基板10の表面に、ダイヤモンドスクライバーを用いて、けがき線を入れることにより、350μmのピッチで幅が50μmで深さが5μmの溝15を形成する。
本発明にかかる窒化物半導体素子の製造方法の他の一例を以下に説明する。図4を参照して、実施例1と同様に、第1の基板10の表面にけがき線を入れることにより溝15を形成した後、バッファ層11、n型窒化物半導体層12、発光層13およびp型窒化物半導体層14を順次形成する。次に、p型窒化物半導体層14上に透光性電極41としてPd膜を7nm形成し、その上にパッド電極42としてAu膜を300nm形成する。次に、透光性電極41上に開口部を有するレジストを形成し、開口部下の透光性電極41(Pd膜)をエッチングにより除去した後、さらにこの開口部下に位置するp型窒化物半導体層14、発光層13、n型窒化物半導体層12の一部をドライエッチングして、n型窒化物半導体層12の表面を露出させる。露出したn型窒化物半導体層12の表面にn側電極43としてHf膜とAl膜との積層膜またはそれらの合金層を形成する。このとき、それぞれの電極パターンのピッチは、第1の基板のけがき線(溝15)間に収まるように形成する。
Claims (13)
- 第1の基板の表面に、けがき線を入れることにより第1の溝を形成する工程と、前記第1の基板の前記第1の溝が形成された表面上に、前記第1の溝上に形成される第2の溝を有する窒化物半導体層を形成する工程と、前記窒化物半導体層上に電極を形成する工程と、を含み、
前記第1の溝を形成する工程において、前記第1の溝を窒化物半導体素子チップの1個の1辺の長さの1以上の整数倍のピッチで形成し、
前記窒化物半導体層を形成する工程において、少なくとも、バッファ層と、n型窒化物半導体層と、発光層と、p型窒化物半導体層とをこの順に形成し、
前記電極を形成する工程において、前記電極のパターンのピッチが前記第1の溝の間に収まるように前記電極を形成することを特徴とする窒化物半導体素子の製造方法。 - 前記第1の溝を形成する工程において、前記第1の基板の表面に、鋭利なものを接触させることにより、前記けがき線を入れることを特徴とする請求項1に記載の窒化物半導体素子の製造方法。
- 前記第1の溝を形成する工程において、前記第1の基板の表面に、レーザ光を照射することにより、前記けがき線を入れることを特徴とする請求項1に記載の窒化物半導体素子の製造方法。
- 前記第1の溝の幅が1μm以上350μm以下であることを特徴とする請求項1から請求項3のいずれかに記載の窒化物半導体素子の製造方法。
- 前記第1の基板として、サファイア基板、Si基板またはSiC基板を用いることを特徴とする請求項1から請求項4のいずれかに記載の窒化物半導体素子の製造方法。
- 前記発光層は、前記第1の基板の主面に平行な面内で繋がって形成されることを特徴とする請求項1に記載の窒化物半導体素子の製造方法。
- 前記窒化物半導体層と第2の基板とを結合する工程と、前記窒化物半導体層と前記第1の基板とを分離する工程をさらに含む請求項1から請求項6のいずれかに記載の窒化物半導体素子の製造方法。
- 前記窒化物半導体層と前記第1の基板とを分離する工程において、レーザ光を用いることを特徴とする請求項7に記載の窒化物半導体素子の製造方法。
- 前記窒化物半導体層と前記第2の基板とを結合する工程は、室温以上の加熱雰囲気下および大気圧以上の加圧雰囲気下のうち少なくともいずれかの雰囲気下で行なうことを特徴とする請求項7または請求項8に記載の窒化物半導体素子の製造方法。
- 前記窒化物半導体層と前記第2の基板とを結合する工程において、結合材料として共晶接合金属を用いることを特徴とする請求項7から請求項9のいずれかに記載の窒化物半導体素子の製造方法。
- 前記窒化物半導体層に形成された前記第2の溝とチップ分割の際の分割位置とが一致するように、前記窒化物半導体層上に電極を形成する工程をさらに含む請求項7から請求項10のいずれかに記載の窒化物半導体素子の製造方法。
- 前記第2の基板と前記窒化物半導体層とを含むウエハをチップに分割するチップ分割工程をさらに含み、
前記チップ分割工程において、前記窒化物半導体層に形成された前記第2の溝と分割位置とが一致するように、前記ウエハを前記チップに分割することを特徴とする請求項7から請求項11のいずれかに記載の窒化物半導体素子の製造方法。 - 前記第2の基板として、導電性基板を用いることを特徴とする請求項7から請求項12のいずれかに記載の窒化物半導体素子の製造方法。
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