TWI314166B - Silver alloy sputtering targe for forming reflective layer of optical recording medium - Google Patents

Description

1314166 (1) 玖、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於使用半導體雷射等的雷射光束， 音、影像 '文字等的資訊信號或者執行記錄·再生 的光記錄磁碟（CD-RW、DVD-RAM )等的光記錄 全反射層及半透明反射層（以下兩者總稱爲反射層 時，用於濺鍍法的銀合金濺鏟靶。 【先前技術】 光記錄磁碟等的光記錄媒體係包含第1記錄層 雷射的入射側以及第2記錄層，位於從雷射源比第 層距離遠處，於該記錄層上使用相變化記錄材料， 行記錄·再生·消去動作。前述光記錄媒體爲達到 密度，使用短波長的藍紫雷射作爲雷射光束的硏究 盛。該光記錄媒體中，爲達到於第2記錄層可記 生·消去所記錄的信號，雷射穿透設置於雷射入射 2記錄層的半透明反射層必須效率高。另一方面， 於第1記錄層可記錄·再生消去所記錄的信號， 反射層必須具備充分的冷卻效率外，反射率更必須j 滿足如此的條件的光記錄磁碟（CD-RW、 RAM )等的光記錄媒體的全反射層與半透明反射層 射層，向來使用銀或銀合金層，該銀或銀合金j 400〜830 nm波長範圍寬的反射率高，特別是對使 社'度化記錄光sS錄媒體的短波長雷射光反射率高的 再生聲 •消去 媒體的 )形成 ，位於 1記錄 反覆執 高記錄 非常興 錄.再 側靠第 爲達到 半透明 足夠。 DVD- 等的反 罾係於 用於高 原因， 1314166 (2) 正好適合。形成前述銀或銀合金層一般習知係由銀、或 銀-鋅合金、銀-銅合金、銀-鎳合金等的銀合金組成的濺 鍍靶以濺鍍法形成。（參照日本專利特開昭5 7- 1 86244號 公報及特開2 0 0 1 - 3 5 0 1 4號公報） 然而，使用歷來的銀或銀合金層作爲全反射層時，隨 著記錄·再生·消去的重複次數增加，反射率降低，無法 得到可充分的長期持續不斷記錄再生的耐用性。其中原因 之一係光記錄媒體重複記錄·再生·消去時，因雷射光的 照射重複的加熱、冷卻全反射層，因此使銀或銀合金層再 結晶，結晶粒變粗大而使反射率降低。 再者，使用歷來的銀或銀合金層作爲半透明反射層 時，雷射光的透過、反射的效率不足，因半透明反射層而 有雷射能量消耗的問題。而且隨著記錄·再生·消去的重 複次數增加，反射率、透過率改變而無法得到可充分的記 錄再生的耐用性。其中原因之一係光記錄媒體重複記錄· 再生·消去時，因雷射光的照射重複的加熱、冷卻半透明 反射層，因此半透明反射層的結晶粒子間擴散伴隨凝集進 行再結晶，又因半透明反射層的膜厚薄，原子移動時，因 擴散，原子的供給源缺乏，產生膜缺陷，膜上有孔產生。 【發明內容】 本發明的第1實施態樣的光記錄媒體之反射層形成用 銀合金濺鍍靶，其組成係由以下（1 )至（4 )之任一的銀 合金組成。 -6 - 1314166(14) 表I 濺鍍靶 組成成分 (質量％) 於波長 的反身 ：:400nm 寸率(％) 於波長 的反1 t：650nm _(%) 註 Zn A1 Ag 剛成 膜後 經過200 小時後 剛成 膜後 經過200 小時後 實 施 例 1 1.2 0.51 其餘部 92 91 98 96 2 4.6 1.0 其餘部 91 90 96 95 3 6.5 1.5 其餘部 90 88 96 95 4 8.1 2.1 其餘部 89 88 95 93 5 9.9 2.5 其餘部 88 87 95 94 6 1L5 3.0 其餘部 88 86 94 92 7 13.3 0.50 其餘部 88 87 94 93 8 14.8 1.0 其餘部 87 85 93 91 9 17.4 2.0 其餘部 85 84 92 90 10 19.8 2.9 其餘部 84 82 91 90 比較 例 1 23* 1.5 其餘部 產生碎片 2 10 4* 其餘部 反射層剝離 習知 例 1 100 93 41 99 77 2 6.3 其餘部 90 75 97 85 • *表示數値落在實施例的範圍外

-18- 1314166 (15) 由表1所示之結果，使用本發明的實施例1~10濺鍍 所得之全反射層，與使用習知例1 ~2濺鍍所得之全反射層 比較，於溫度80°C相對溼度85%的恆溫恆溼槽中保持200 小時後的反射率的降低程度較小。但是，Ζ η與A1含量在 實施例範圍以外的比較例1 ~2，產生碎片，得知記錄再生 耐性差因此不適宜作爲光記錄媒體的反射層。 〔實驗2〕 使用純度99.9質量％以上之Ca、Be、以及Si。Ca、 Be、以及Si係與Ag幾乎不固溶，分別以各元素的濃度 0.20質量％與Ag調配後，於高頻真空溶解爐中溶解這些 原料，溶解後充塡氬氣直至爐中壓力爲大氣壓後，於石墨 製模型中進行鑄造，預先製作含Ca、Be、以及Si的銀的 母合金。 將該母合金一起添加至用於實驗1的高純度Ag、 Zn、以及A1溶解鑄造製作成金屬鑄塊，將所得之金屬鑄 塊於600 °C加熱2小時後使其壓延，然後機械加工成直徑 125mm、厚度5mm的尺寸，表2〜3中表示製造實施例 1 1~28以及比較例3〜5的組成成分。 該等實施例1 1〜28以及比較例3〜5分別軟焊於無氧銅 製之塡裝薄板上，再將之安裝至直流磁控濺鍍裝置上，以 真空排氣裝置將直流磁控濺鍍裝置內排氣至壓力爲1x10· 4Pa後，導入氬氣使濺鍍壓力爲l.OPa，接著以直流電源 對濺鍍靶施加1 00W直流濺鍍電力，與該濺鍍靶相對抗之 -19- 1314166 (16) 直徑30mm厚度〇.5mm之玻璃基板設置於與濺鍍 70mm處且互相平行。玻璃基板與該濺鍍靶之間 漿，形成厚度lOOnm的銀及銀合金全反射膜。 以該方式形成之銀及銀合金全反射膜的剛成膜 射率，以分光光度計測量。之後，將形成之銀及銀 反射膜於溫度80°C相對溼度85%的恆溫恆溼槽中俱 小時後，再度以相同條件測量其反射率。由所得之 數據，求得於400nm以及65 Onm的各反射率，將 列於表2〜3中作爲光記錄媒體的反射層的記錄再生 評價。 靶間隔 產生電 後的反 合金全 :持 200 反射率 該結果 耐性的 -20- 1314166(17) 表2 濺鍍靶 組成成分 (質量％) 於波5 的反1 j:400nm 寸率(％) 於'肺 的反1 |；:650nm _(%) Zn A1 Ca Be Si Ag 剛成 經過200 剛成 經過200 膜後 小時後 膜後 小時後 11 10.0 1.0 0.005 其餘部 88 87 95 94 12 10.2 1.5 0.012 其餘部 87 85 94 93 13 10.2 2.0 0.030 其餘部 85 84 93 92 14 10.1 1.0 0.049 其餘部 84 83 93 91 實 15 10.1 1.6 0.005 其餘部 88 87 94 93 16 10.0 1.9 0.015 其餘部 87 85 94 92 施 17 10.2 1.0 0.048 其餘部 84 82 93 92 18 10.1 1.6 0.006 其餘部 88 87 94 93 例 19 10.1 2.0 0.021 其餘部 86 85 94 93 20 10.3 1.0 0.049 其餘部 84 83 93 92 21 10.3 1.5 0.003 0.002 其餘部 88 86 94 92 22 10.0 2.0 0.003 0.045 其餘部 84 82 93 91 23 10.1 0.9 0.001 0.004 其餘部 88 87 95 94 24 10.2 1.5 0.025 0.024 其餘部 84 83 93 92

-21 - 1314166 (19) 由表2〜3所示之結果’使用本發明的實施例1 1〜2 8濺 鍍所得之全反射層，與實驗1的表1所示之使用習知例 1~2濺鍍所得之全反射層比較，於溫度80 t相對溼度85% 的恆溫恆溼槽中保持2 0 0小時後的反射率的降低程度較 小。但是，Ca ' Be與Si含量較多在本發明的範圍以外的 比較例3〜5因變硬而無法成形。 〔實驗3〕 使用純度99_9質量％以上的Dy、La、Nd、Tb、以及 Gd，該等原料一起添加至用於實驗1的高純度Ag、Zn、 以及A1，於高頻真空溶解爐中溶解，所得的融溶的金屬 於氬氣環境石墨製模型中鑄造製作成金屬鑄塊，將所得之 金屬鑄塊於600°C加熱2小時後使其壓延，然後機械加工 成直徑125 mm、厚度5 mm的尺寸，表4〜6中表示製造實 施例29〜53以及比較例6〜11的組成成分。 該等實施例29〜53以及比較例6〜11分別軟焊於無氧 銅製之塡裝薄板上，再將之安裝至直流磁控濺鍍裝置上， 以真空排氣裝置將直流磁控濺鍍裝置內排氣至壓力爲 lxl(T4Pa後，導入氬氣使濺鍍壓力爲l.OPa，接著以直流 電源對濺鍍靶施加100W直流濺鏟電力，與該濺鏟靶相對 抗之直徑30mm厚度0.5mm之玻璃基板設置於與濺鍍靶間 隔70mm處且互相平行。玻璃基板與該濺鍍靶之間產生電 漿，形成厚度lOOnm的銀合金全反射膜。 以該方式形成之各銀合金全反射膜的剛成膜後的反射 -23- 1314166 (20) 率，以分光光度計測量。之後’將形成之各銀合金全反射 膜於溫度8 0。(：相對溼度8 5 %的恆溫恆溼槽中保持2 0 0小 時後，再度以相同條件測量其反射率。由所得之反射率數 據，求得於400nm以及650nm的各反射率’將該結果列 於表4〜6中作爲光記錄媒體的反射層的記錄再生耐性的評 價。

-24- 1314166 (21) 表4 濺鍍靶 組戶 m g成分 -量％) 於波長 的反1 ^:400nm ίί 率(％) 於波長:650nm 的反射率(％) Zn A1 Dy La Nd Tb Gd Ag 剛成 經過200 剛成 經過200 膜後 小時後 膜後 小時後 29 10.1 1.5 0.11 其餘部 88 87 95 94 30 10.0 1.5 1.02 其餘部 86 85 93 92 31 10.2 1.5 2.10 其餘部 83 82 91 90 實 32 10.0 1.6 2.99 其餘部 81 80 90 89 33 10.1 1.5 0.10 其餘部 88 86 95 93 施 34 10.2 1.6 L01 其餘部 86 85 93 92 35 10.0 1.6 2.00 其餘部 84 82 92 90 例 36 10.0 1.5 2.98 其餘部 82 81 90 88 37 10.3 1.5 0.11 其餘部 88 87 94 93 38 10.1 1.5 1.10 其餘部 86 85 93 92 39 10.2 1.5 2.09 其餘部 83 81 92 90 40 10.1 1.6 2.90 其餘部 81 80 90 89 41 10.0 1.6 0.12 其餘部 88 87 95 93 42 10.1 1.5 1.11 其餘部 85 84 93 92 -25- 1314166 (22) 表5 濺鏟靶 組成成分 (質量％) 於波長 的反1 ζ：400ηηι h寸率(％) 於波長:650nm 的反射率(％) Zn A1 Dy La Nd Tb Gd Ag 剛成 經過200 剛成 經過200 膜後 小時後 膜後 小時後 43 10.1 1.6 2.10 其餘部 82 80 92 91 44 10.0 1.5 2.97 其餘部 80 79 90 88 45 10.2 1.5 0.11 其餘部 88 86 94 93 實 46 10.0 1.6 0.99 其餘部 86 84 93 92 47 10.0 1.6 2.01 其餘部 83 82 92 90 施 48 10.1 1.5 2.89 其餘部 81 80 90 89 49 10.1 1.5 0.05 0.05 其餘部 88 87 95 93 例 50 10.1 1.5 1.02 1.20 其餘部 83 81 91 90 51 10.0 1.5 0.11 1.13 1.52 其餘部 81 80 91 89 52 10.2 1.6 0.91 0.57 1.01 LOO 其餘部 80 Ί9 89 88 53 10.1 1.5 0.58 0.57 0.61 0.62 0.61 其餘部 81 79 90 88 •26- 1314166 (23) 表6 濺鍍 靶 組成成分 (質量°/。） 於波ί 的反! r：400nm 寸率(％) 於波長:650nm 的反射率(％) 註 Zn A1 Dy La Nd Tb Gd Ag 剛成 膜後 經過200 小時後 剛成 膜後 經過200 小時後 比 較 例 6 10.2 1.5 3.3* 其餘部 無法成形 7 10.0 1.5 3.4* 其餘部 無法成形 8 10.0 1.5 3.3* 其餘部 無法成形 9 10.1 1.6 3.4* 其餘部 無法成形 10 10.0 1.5 3.5* 其餘部 無法成形 11 10.1 1.5 1.01 1.02 0.55 0.52 0.12 其餘部 無法成形 -27- 1314166 (24) 由表4〜6所示之結果，使用本發明的實施例29〜5 3濺 鏟所得之全反射層，與實驗1的表1所示之使用習知例 1〜2灘鍍所得之反射層比較，於溫度8 0 °C相對溼度8 5 %的 恆溫恆溼槽中保持200小時後的反射率的降低程度較小。 但是’由比較例6〜11可發現，Dy、La、Nd、Tb、以及 Gd總共含量在3質量％以上的話，壓延時會產生碎片而 無法成形。 〔實驗4〕 用於實驗1的高純度Ag、Zn、以及A1，與用於實驗 2的含Ca、Be以及Si的Ag的母合金，再加上用於實驗 3的Dy、La、Nd、Tb '以及Gd，於高頻真空溶解爐中溶 解這些原料，所得的融溶的金屬於氬氣環境石墨製模型中 鑄造製作成金屬鑄塊，將所得之金屬鑄塊於600°C加熱2 小時後使其壓延，然後機械加工成直徑125mm、厚度 5mm的尺寸，表 7中表示製造實施例 54〜65的組成成 分。 就這些濺鍍靶與實驗1相同的方法，於玻璃基板表面 形成厚度10 〇nm的銀合金全反射膜，各銀合金全反射膜 的剛成膜後的反射率，以分光光度計測量。之後，將形成 之各銀合金全反射膜於溫度80°C相對溼度85%的恆溫恆 溼槽中保持200小時後，再度以相同條件測量其反射率。 由所得之反射率數據，求得於400nm以及650nm的各反 射率，將該結果列於表7中作爲光記錄媒體的反射層的記 •28- 1314166 (25) 錄再生耐性的評價。

-29- 1314166 (26) 表7 濺鍍靶 組成成分 (質量％) 於波1 的反1 |:400nm 脾(％) 於波長:650nm 的反射率(％) Zn A1 Ca，Be，Si Dy，La，Nd，Tb，Gd Ag 剛成 經過200 剛成 經過200 膜後 小時後 膜後 小時後 54 10.2 1.6 Ca:0.011 Dy:0.21 其餘部 87 85 94 93 55 10.1 1.5 Be:0.021 La:0_50 其餘部 85 84 93 92 56 10.1 1.5 Si:0.030 Nd:0.82 其餘部 83 82 92 90 57 10.3 1.5 Ca:0.011 Tb:1.00 其餘部 82 80 92 91 實 Si:0.020 58 10.0 1.5 Be:0.029 Gd:1.49 其餘部 82 81 91 90 施 59 10.0 1.6 Si:0.025 Dy:0.05 Gd:0.06 其餘部 86 85 93 91 60 10.1 1.6 Ca:0.014 La:0.06 Tb:0.12 其餘部 85 83 93 92 例 Be:0_015 61 10.2 1.6 Be:0.031 Nd:0.51 Dy:0.52 其餘部 83 82 92 91 62 10.0 1.5 Si:0.028 Tb:1.01 Nd:1.05 其餘部 80 78 90 89 63 10.0 1.5 Ca:0.025 Gd:1.45 La: 1.46 其餘部 79 78 89 87 64 10.3 1.5 Be:0.015 Dy:0.05 Gd:0.07 其餘部 85 83 93 92 Si:0.011 Nd:0.12 65 10.1 1.5 Si:0.025 La:0.61 Tb:0.57 其餘部 78 77 89 88 Dy:0.63 Nd:0.59 Gd:0.55 -30- 1314166 (27) 由表7所示之結果，使用本發明的實施例5 4〜65濺鍍 所得之全反射層，與表1所示之使用習知例1〜2濺鍍所得 之全反射層比較，在400nm以及650nm於溫度80°C相對 溼度85%的恆溫恆溼槽中保持200小時後的反射率的降低 程度較小。 〔實驗5〕 與實驗1及實驗2同樣方法，表8〜10中表示製造實 施例66~93以及比較例12〜14的組成成分。更進一步，使 用實驗1中製作之習知例1〜2。 將實施例66〜93、比較例12〜14、以及習知例1〜2分 別軟焊於無氧銅製之塡裝薄板上，再將之安裝至直流磁控 濺鍍裝置上，以真空排氣裝置將直流磁控濺鍍裝置內排氣 至壓力爲lxl(T4Pa後，導入氬氣使濺鍍壓力爲l.〇pa，接 著以直流電源對濺鏟靶施加100 W直流濺鍍電力，與該濺 鍍靶相對抗之直徑30mm厚度0.5 mm之玻璃基板設置於與 濺鍍靶間隔70mm處且互相平行。玻璃基板與該濺鍍靶之 間產生電漿，形成厚度1 Onm的銀及銀合金半透明反射 膜。 以該方法形成之銀及銀合金半透明反射膜，以分光光 度計於波長範圍300~800nm，測量剛成膜後的反射率與透 過率，由測得分光反射率曲線及分光透過率曲線，求得於 4〇5nm的反射率及透過率，將結果列於表8〜10中。 之後，形成之銀及銀合金半透明反射膜，於溫度80 •31 1314166 (28) °C相對溼度85%的恆溫恆溼槽中保持200小時後 相同條件求得其反射率與透過率，將結果列於 中。由所得之反射率與透過率的數據，求得剛成I 波長405nm的雷射的半透明反射膜的吸收率，] 度80°C相對溼度85%的恆溫恆溼槽中保持200 , 反射率與透過率’求得經過200小時後對於波ί 的雷射的半透明反射膜的吸收率’將這些結男 8~1 〇 中。 1再度以 表 8〜1 0 I後對於 ί從於溫 卜時後的 4 0 5 nm 列於表 -32- 1314166 (29) 表8 濺鏟靶 組成成分 (質量％) 剛成膜後 經過200小時後 Zn A1 Ca Be Si Ag 反射率 透過率 膜的吸 反射率 透過率 膜的吸 (%) (%) 收率(％) (%) (%) 收率(％) 66 0.10 0.11 其餘部 29 69 2 27 68 5 67 0.22 0.20 其餘部 28 69 3 27 69 4 68 0.31 0.30 其餘部 26 71 3 26 69 5 實 69 0.51 0.39 其餘部 28 70 2 27 68 5 70 0.72 0.10 其餘部 26 72 2 25 71 4 施 71 0.95 0.21 其餘部 25 72 3 24 71 5 72 0.55 0.31 其餘部 25 70 5 24 69 7 例 73 0.70 0.40 其餘部 24 70 6 24 68 8 74 0.90 0.10 其餘部 26 71 3 24 71 5 75 0.91 0.25 其餘部 24 72 4 24 70 6 76 0.10 0.11 0.005 其餘部 28 70 2 27 70 3 77 0.22 0.20 0.012 其餘部 27 71 2 26 71 3 78 0.31 0.30 0.030 其餘部 26 72 2 26 72 2 79 0.51 0.40 0.049 其餘部 27 71 2 27 70 3 -33- 1314166 (30) 表9 組成成分 剛成膜後 經過200小時後 濺鍍靶 (質量％) Zn A1 Ca Be Si Ag 反射率 透過率 膜的吸 反射率 透過率 膜的吸 (%) (%) 收率(％) (%) (%) 收率(％) 80 0.72 0.10 0.005 其餘部 26 73 25 73 2 81 0.95 0.20 0.015 其餘部 23 74 3 23 73 4 82 0.55 0.30 0.048 其餘部 24 72 4 23 72 5 實 83 0.70 0.40 0.006 其餘部 24 70 6 24 71 5 84 0.90 0.10 0.021 其餘部 24 73 3 24 73 3 施 85 0.90 0.25 0.049 其餘部 21 74 5 21 74 5 86 0.10 0.10 0.003 0.002 其餘部 28 69 3 29 69 2 例 87 0.22 0.20 0.003 0.045 其餘部 25 72 3 26 71 3 88 0.31 0.30 0.001 0.004 其餘部 26 70 4 26 71 3 89 0.51 0.40 0.025 0.024 其餘部 20 74 6 20 74 6 90 0.72 0.10 0.002 0.003 其餘部 26 72 2 26 72 2 91 0.95 0.21 0.024 0.024 其餘部 24 72 4 23 72 5 92 0.55 0.31 0.001 0.001 0.003 其餘部 23 74 3 24 73 3 93 0.70 0.39 0.013 0.013 0.020 其餘部 22 74 4 23 72 5 -34- 1314166 (31)

表10 濺鍍靶 組成成分 (質量％) 剛成膜後 經過200小時後 Zn A1 Ca Be Si Ag 反射率 透過率 膜的吸 反射率 透過率 膜的吸 (%) (%) 收率(％) (%) (%) 收率(％) 比 12 0.07* 0.10 其餘部 29 70 1 17 72 11 較 13 10 0.07* 其餘部 20 45 35 14 47 39 例 14 0.05* 0.06* 其餘部 29 70 1 18 71 11 習 1 100 32 40 28 20 42 38 知 2 6.3 - - - - 其餘部 22 47 31 15 48 37 例

• 35 · 1314166 (32) 由表8~10所示之結果，使用本發明的實施例66〜93 濺鍍所得之半透明反射層，與使用習知例1〜2濺鍍所得之 半透明反射層比較，於溫度8 0 °C相對溼度8 5 %的恆溫恆 溼槽中保持200小時後的反射率與透過率的降低程度較 小，而且根據求得之膜的反射率與透過率，對於雷射的吸 收率而言，於溫度80 °C相對溼度85%的恆溫恆溼槽中保 持200小時後的吸收率的增加程度也較小。但是，Zn與 A1的含量在本發明的範圍以外的比較例12〜14，因其記錄 再生耐性差不適宜作爲光記錄媒體的半透明反射膜，且於 溫度80°C相對溼度85%的恆溫恆溼槽中保持200小時後 的吸收率的顯著增加。 〔實驗6〕 使用作爲原料純度皆爲99.99質量％以上的高純度Ag 以及高純度Cu。至於Ni因與Ag幾乎不固溶，Ni與Cu 一起於高頻真空溶解爐中溶解，於石墨製模型中鑄造預先 製成含Ni的Cu母合金，將其作爲原料使用。使用Ag、 Cu、以及含Ni的 Cu母合金，於高頻真空溶解爐中溶 解，所得之融溶的金屬，氬氣環境於石墨製模型中鑄造製 成金屬鑄塊，將所得之金屬鑄塊於6 00 °C加熱2小時後使 其壓延，然後機械加工成直徑125mm、厚度5mm的尺 寸，表11中表示製造實施例94〜102、比較例15~17以及 習知例3-4的組成成分。 將實施例94〜102、比較例15〜17、以及習知例3~4分 -36- 1314166 (33) 別軟焊於無氧銅製之塡裝薄板上，再將之安裝至直流磁控 濺鍍裝置上，以真空排氣裝置將直流磁控濺鍍裝置內排氣 至壓力爲lxl(T4Pa後，導入氬氣使濺鍍壓力爲l.OPa，接 著以直流電源對濺鍍靶施加1 00W直流濺鍍電力，與該濺 鍍靶相對抗之直徑30mm厚度0.5 mm之玻璃基板設置於與 濺鍍靶間隔70mm處且互相平行。玻璃基板與該濺鍍靶之 間產生電漿，形成厚度l〇〇nm的銀合金反射膜。

以該方式形成之各銀合金反射膜的剛成膜後的反射 率，以分光光度計測量。之後，將形成之各銀合金反射膜 於溫度80°C相對溼度85%的恆溫恆溼槽中保持200小時 後，再度以相同條件測量其反射率。由所得之反射率數 據，求得於400nm以及650nm的各反射率，將該結果列 於表11中作爲光記錄媒體的反射層的記錄再生耐性的評 價。

-37- 1314166 (34) 表11 濺鍍靶 組成成分 (質量％) 於波長 的反1 ΐ：:400ηπι 甘率(％) 於波j 的反! ζ：650ηηι _(%) Cu Ni Ag 剛成 經過200 剛成 經過200 膜後 小時後 膜後 小時後 94 0.51 1.93 其餘部 86 84 96 95 95 1.03 1.11 其餘部 86 84 97 96 96 1.52 0.15 其餘部 87 86 97 96 實 97 2.00 0.64 其餘部 85 83 96 94 施 98 3.00 0.32 其餘部 84 83 96 95 例 99 4.05 0.11 其餘部 82 80 95 93 100 5.00 0.05 其餘部 80 78 94 92 101 2.01 0.89 其餘部 85 84 97 96 102 2.83 0.25 其餘部 84 83 96 85 比 15 0.35* 0.01* 其餘部 89 68 99 84 較 16 5.5* 0.15 其餘部 79 57 93 81 例 17 3.4 2.31* 其餘部 80 56 93 78 習 3 100 93 41 99 77 知 4 5.6* - 其餘部 79 57 93 79 例 *表示數値落在實施例的範圍外 -38- 1314166 (35) 由表1 1所示之結果，使用本發明的實施例94〜102濺 鏟所得之反射層，與使用比較例15〜17以及習知例3〜4濺 鍍所得之反射層比較，於溫度80°C相對溼度85%的恆溫 恆溼槽中保持200小時後的反射率的降低程度較小。 〔實驗7〕 使用作爲原料純度爲99.9質量％以上的Ca、Be、以 及Si。Ca、Be、以及Si因與Ag幾乎不固溶，將各元素 分別濃度0.20質量％與Ag調配後，於高頻真空溶解爐中 溶解，溶解後充塡氬氣直至爐內壓力爲大氣壓爲止後，於 石墨製模型中鑄造預先製成含Ca、Be、以及Si的Ag母 合金。 添加該Ag母合金與用於實驗6中的Cu以及含Ni的 Cu母合金一起於Ag中溶解鑄造製成金屬鑄塊，將所得之 金屬鑄塊於600°C加熱2小時後使其壓延，然後機械加工 成直徑125mm、厚度5mm的尺寸，表12〜13中表示製造 實施例103~ 120以及比較例18〜21的組成成分。 以如此方式所得之實施例103 ~ 120，與實驗6同樣方 法於玻璃基板上形成厚度l〇〇nm之銀合金反射膜，各銀 合金反射膜的剛成膜後的反射率，以分光光度計測量。之 後，將形成之各銀合金反射膜於溫度80°C相對溼度85% 的恆溫恆溼槽中保持200小時後，再度以相同條件測量其 反射率。由所得之反射率數據，求得於 40Onm以及 6 5 Onm的各反射率，將該結果列於表12〜13中作爲光記錄 -39- 1314166 (36) 媒體的反射層的記錄再生耐性的評價。

-40- 1314166(37) 表12 濺鍍靶 組成成分 (質量％) 於波長:400nm 的反射率(％) 於波長 的反躬 650nm .率(％) Cu Ni Ca Be Si Ag 剛成 經過200 剛成 經過200 膜後 小時後 膜後 小時後 103 1.50 0.52 0.005 其餘部 86 84 97 95 104 1.51 0.52 0.012 其餘部 85 84 96 94 105 1.50 0.50 0.030 其餘部 83 82 96 94 106 1.50 0.50 0.049 其餘部 81 80 95 94 實 107 1.50 0.53 0.005 其餘部 86 85 97 95 108 1.51 0.50 0.015 其餘部 85 83 96 95 施 109 1.50 0.55 0.048 其餘部 81 80 95 93 110 1.50 0.50 0.006 其餘部 86 84 97 95 例 111 1.51 0.52 0.021 其餘部 84 83 96 95 112 1.50 0.51 0.049 其餘部 81 80 95 94 113 1.50 0.53 0.003 0.002 其餘部 86 84 96 94 114 1.51 0.50 0.003 0.045 其餘部 81 80 94 92 115 1.50 0.51 0.001 0.004 其餘部 86 84 97 95 116 1.50 0.52 0.025 0.024 其餘部 81 79 95 93

•41 · 1314166 (38) 表13 濺鍍靶 組f m 交成分 -量0/〇) 於波長 的反1 t：400nm 寸率(％) 於波長:650nm 的反射率(％) 註 Cu Ni Ca Be Si Ag 剛成 膜後 經過200 小時後 剛成 膜後 經過200 小時後 實 施 例 117 1.51 0.52 0.002 0.003 其餘部 86 85 96 95 118 1.50 0.53 0.024 0.024 其餘部 86 84 97 95 119 1.50 0.50 0.001 0.001 0.003 其餘部 85 84 97 96 120 1.50 0.50 0.013 0.013 0.020 其餘部 86 85 97 95 比 較 例 18 2.01 0.59 0.004 0.011 0.051* 其餘部 無法成形 19 2.04 0.63 0.06* 其餘部 無法成形 20 2.03 0.61 0.06* 其餘部 無法成形 21 2.01 0.62 0.06* 其餘部 無法成形 *表示數値落在實施例的範圍外 -42- 1314166 (39) 由表12〜13所示之結果，使用本發明的實施例 1 0 3〜1 2 0濺鍍所得之反射層，與使用表1 1所示習知例3〜4 濺鍍所得之反射層比較，於溫度8 0 °C相對溼度8 5 %的恆 溫恒淫槽中保持200小時後波長400nm.與650nm時的反 射率的降低程度較小。但是，由比較例1 8〜2 1可見，Ca、 Be、以及Si含量共計比0.05質量％以上的情況，壓延中 會產生碎片等情形，造成無法成形。 〔實驗8〕 使用作爲原料純度爲99.9質量％以上的Dy、La、 Nd、Tb、以及Gd，添加該等原料與用於實驗6中的Cu 以及含Ni的Cu母合金，同時再與用於實驗7中含Ca、 Be、以及Si的Ag母合金一起於銀中，於高頻真空溶解爐 中溶解，所得之融溶的金屬，氩氣環境於石墨製模型中鑄 造製成金屬鑄塊，將所得之金屬鑄塊於600°C加熱2小時 後使其壓延，然後機械加工成直徑125mm、厚度5mm的 尺寸，表14〜16中表示製造實施例121〜145以及比較例 22~27的組成成分。 將實施例121〜145以及比較例22〜27分別軟焊於無氧 銅製之塡裝薄板上，再將之安裝至直流磁控濺鍍裝置上， 以真空排氣裝置將直流磁控濺鍍裝置內排氣至壓力爲 lxl(T4Pa後，導入氬氣使濺鍍壓力爲l.OPa，接著以直流 電源對濺鍍靶施加100W直流濺鍍電力，與該濺鍍靶相對 抗之直徑30mm厚度0.5mm之玻璃基板設置於與濺鍍靶間 -43- 1314166 (40) _ 70mm處且互相平行。玻璃基板與該濺鏡¥E之間產生電 黎，形成厚度l〇〇nm的銀合金反射膜。 &胃方式形成之各銀合金反射膜的剛成膜後的反射 $ ,以分光光度計 '測量°之後’將形成$ & @合# S身寸_ 度8〇°C相對溼度85%的恆溫恆溼槽中保持200小時 m，再度以相同條件測量其反射率。由所得之反射率數 據，求得於400nm以及65 0nm的各反射率，將該結果列 於表14~16中作爲光記錄媒體的反射層的記錄再生耐性的 評價。 -44- 1314166 (41) 表14 濺鍍靶 組成成分 (質量％) 於波長:400nm 的反射率(％) 於波長:650nm 的反射率(％) Cu Ni Dy La Nd Tb Gd Ag 剛成 經過200 剛成 經過200 膜後 小時後 膜後 小時後 121 2.01 0.96 0.11 其餘部 84 82 96 95 122 2.02 1.01 1.02 其餘部 81 80 94 93 123 2.02 1.02 2.10 其餘部 78 77 93 91 124 2.00 1.00 2.99 其餘部 76 75 92 91 實 125 2.01 1.01 0.10 其餘部 84 83 96 94 126 2.02 1.02 1.01 其餘部 81 79 94 93 施 127 2.02 1.00 2.00 其餘部 78 77 93 91 128 2.00 0.99 2.98 其餘部 76 75 92 91 例 129 2.01 1.03 0.11 其餘部 84 83 96 95 130 2.02 1.01 1.10 其餘部 81 80 94 93 131 2.00 1.01 2.09 其餘部 78 76 93 91 132 2.02 1.02 2.90 其餘部 76 75 92 91 133 2.00 1.01 0.12 其餘部 84 83 96 94 134 2.01 1.00 1.11 其餘部 81 80 93 92 -45 - 1314166 (42) 表15 濺鍍靶 組f (1 矣成分 r*%) 於波長:400nm 的反射率(％) 於波長:650nm 的反射率(％) Cu Ni Dy La Nd Tb Gd Ag 剛成 經過200 剛成 經過200 膜後 小時後 膜後 小時後 135 2.01 1.03 2.10 其餘部 77 76 92 91 136 2.02 1.01 2.97 其餘部 76 74 92 90 137 2.00 1.05 0.11 其餘部 84 83 95 94 138 2.01 1.02 0.99 其餘部 81 80 94 92 實 139 2.02 1.03 2.01 其餘部 78 77 94 93 140 2.02 1.01 2.89 其餘部 76 74 93 92 施 141 2.00 0.06 0.05 0.05 其餘部 86 85 97 96 142 2.01 0.12 1.02 1.20 其餘部 79 78 93 91 例 143 2.02 0.54 0.11 1.13 1.52 其餘部 77 75 93 92 144 2.00 1.03 0.91 0.57 1.01 1.00 其餘部 74 73 91 89 145 2.00 1.51 0.58 0.57 0.61 0.62 0.61 其餘部 75 73 91 90 -46- 1314166 (43) 表16 濺鍍 靶 組成成分 (質量％) 於波1 的反1 |:400nm f寸率(％) 於波1 的反! |:650nm 註 Cu Ni Dy La Nd Tb Gd Ag 剛成 膜後 經過200 小時後 剛成 膜後 經過200 小時後 實 施 例 22 2.01 1.00 3.3* - - - - 其餘部 - - - - 無法 成形 23 2.03 1.03 - 3.4* - - - 其餘部 - - - - 無法 成形 24 2.01 1.02 - - 3.3* - - 其餘部 - - - - 無法 成形 25 2.04 1.03 - - - 3.4* • 其餘部 - - - - 無法 成形 26 2.03 1.01 - - - - 3.5* 其餘部 - - - - 無法 成形 27 2.03 1.00 1.01 1.02 0.55 0.52 0.12 其餘部 - - - - 無法 成形 -47- 1314166 (44) 由表14〜16所示之結果’使用本發明的實施例 121〜145濺鍍所得之反射層，與使用表所示習知例3〜4 灘鍍所得之反射層比較’於溫度8 0 °C相對淫度8 5 %的恆 溫恆溼槽中保持.2 0 0小時後的反射率的降低程度較小。但 是，由比較例22〜27可見，Dy、La、Nd、Tb、以及Gd含 量共計比3質量％以上的情況，壓延中會發生碎片等情 形，造成無法成形。 〔實驗9〕 用於實驗6中的Cu以及含Ni的Cu母合金、用於實 驗7中含Ca、Be、以及Si的Ag母合金、用於實驗8中 的Dy、La、Nd、Tb、以及Gd —起如表1 7所示之組成成 分製作成實施例146〜157，將該等濺鍍靶，與實驗6同樣 方法於玻璃基板上形成厚度1 OOnm之銀合金反射膜，各 銀合金反射膜的剛成膜後的反射率，以分光光度計測量。 之後，將形成之各銀合金反射膜於溫度80 °C相對溼度 8 5 %的恆溫恆溼槽中保持2 0 0小時後，再度以相同條件測 量其反射率。由所得之反射率數據，求得於40〇nm以及 6 5 0nm的各反射率，將該結果列於表17中作爲光記錄媒 體的反射層的記錄再生耐性的評價。 -48 · 1314166 (45) 表17 濺鏟靶 組成成分 (質量％) 於波β 的反! b：400nm 卜寸率(％) 於波長:650nm 的反射率(％) Cu Ni Ca，Be，Si Dy，La，Nd，Tb，Gd Ag 剛成 經過2QP 剛成 經過200 膜後 小時後 膜後 小時後 146 3.03 0.11 Ca:0.012 Dy:1.47 其餘部 78 76 94 93 147 2.02 0.52 Be:0.019 La:0.98 其餘部 80 79 95 93 148 3.05 1.03 Si:0.028 Nd:0.75 其餘部 76 74 93 92 149 1.03 1.52 Ca:0.015 Tb:0.51 其餘部 81 80 95 94 實 Si:0.015 150 2.02 0.15 Be:0.030 Gd:0.22 其餘部 82 80 95 94 施 151 3.04 0.54 Si:0.031 Dy:0.04 Gd:0.08 其餘部 80 79 95 93 152 1.01 0.99 Ca:0.015 La:0.06 Tb:0.15 其餘部 83 82 95 94 例 Be:0.017 153 2.10 1.48 Be:0.028 Nd:0.05 Dy:0_13 其餘部 80 78 94 93 154 3.06 0.11 Si:0.030 Tb:1.01 Bd:1.02 其餘部 75 74 91 89 155 1.01 0.50 Ca:0.025 Gd:1.45 La:].43 其餘部 76 74 91 90 156 2.12 1.01 Be:0.015 Dy:0_05 Gd:0.12 其餘部 82 81 94 92 Si:0.005 Nd:0_06 157 3.10 1.49 Si:0.022 La:0.54 Tb:0.60 其餘部 72 70 89 88 Dy:0.59 Nd:0.60 Gd:0.61 -49- 1314166 (46) 由表17所示之結果，使用本發明的實施例146〜15 7 濺鍍所得之反射層，與使用表1 1所示習知例3〜4濺鍍所 得之反射層比較，波長400nm與650nm於溫度80°C相對 溼度85 %的恆溫恆溼槽中保持200小時後的反射率的降低 程度較小。 〔產業上的利用的可能性〕 根據本發明，使用於Ag中添加Zn: 0.1〜20質量％、 更添加A1: 0.1〜3質量％的Ag-Zn合金組成的銀合金濺鍍 靶，濺鍍所得之銀合金層，與使用習知銀或Ag-Zn合金組 成的濺鍍靶，濺鍍所得之銀合金層比較，雷射光束重複照 射伴隨之反覆加熱、冷卻，結晶粒不易變粗大，具有長時 間使用反射率亦極少因而降低的功效。 而且，使用於Ag中添加Cu以及Ni的銀合金組成的 濺鍍靶，濺鍍所得之銀合金反射層，與使用習知銀或Ag-Cu合金或Ag-Ni合金組成的濺鍍靶，濺鍍所得之銀合金 反射層比較，具有上述同樣之功效。 -50-

Claims (1)

1314166

第9 2 1 1 3 3 7 6號專利申請案 中文申請專利範圍修正本 民國98年3月1〇日修正 1、 一種光記錄媒體之全反射層及半透明反射層（以 下包含兩者總稱爲反射層）形成用銀合金濺鍍靶，其特徵 爲係由含有Zn : 0.1質量％以上20質量％以下、A1 : 0_1 質量％以上3質量％以下，以及其餘部分爲Ag的組成之銀 合金所成。 2、 一種光記錄媒體之反射層形成用銀合金溺鑛耙’ 其特徵爲係由含有Zn: 0.1質量％以上20質量％以下、A1 :0.1質量％以上3質量％以下，更包含1種或2種以上選 自Ca、Be、Si之共計：0.005質量％以上0.05質量％以下 ，以及其餘部分爲Ag的組成之銀合金所成。 3、 一種光記錄媒體之反射層形成用銀合金濺鍍靶’ 其特徵爲係由含有Zn: 0.1質量％以上20質量％以下、A1 :0· 1質量％以上3質量％以下，更包含1種或2種以上選 自Dy、La、Nd、Tb、Gd之共計：0.1質量％以上3質量％ 以下，以及其餘部分爲A g的組成之銀合金所成。 4、 一種光記錄媒體之反射層形成用銀合金濺鍍靶’ 其特徵爲係由含有Zn : 0.1質量％以上20質量°/。以下、A1 :0.1質量％以上3質量％以下，更包含1種或2種以上選 自Ca、Be、Si之共計：0.005質量％以上0.05質量％以下 ，更包含1種或2種以上選自Dy、La、Nd、Tb、Gd之共 1314166 計：Ο . 1質量％以上3質量％以下，以及其餘部分爲A g的 組成之銀合金所成。 5、 一種光記錄媒體之反射層’其特徵爲由使用如申 請專利範圍第1、2、3、或4項之銀合金耀鍍祀所製作的 蒸鍍膜所成。 6、 一種光記錄媒體之全反射層形成用銀合金濺鑛祀 ，其特徵爲係由含有Zn: 1質量％以上20質量％以下、A1 :0.5質量％以上3質量％以下’以及其餘部分爲Ag的組 成之銀合金所成。 7、 一種光記錄媒體之全反射層形成用銀合金擺鍍革巴 ，其特徵爲係由含有Z η : 1質量％以上2 0質量％以下、A1 :0.5質量％以上3質量％以下，更包含1種或2種以上選 自Ca、Be、Si之共計：〇·〇〇5質量％以上〇.〇5質量％以下 ，以及其餘部分爲A g的組成之銀合金所成。 8、 一種光記錄媒體之全反射層形成用銀合金濺鍍靶 ，其特徵爲係由含有Zn : 1質量％以上20質量％以下、A1 :0.5質量％以上3質量％以下，更包含1種或2種以上選 自Dy、La、Nd、Tb、Gd之共計：0.1質量％以上3質量％ 以下，以及其餘部分爲Ag的組成之銀合金所成。 9、 一種光記錄媒體之全反射層形成用銀合金濺鍍靶 ，其特徵爲係由含有Zn : 1質量％以上20質量％以下、A1 :0.5質量％以上3質量％以下，更包含1種或2種以上選 自C a、B e、S i之共計：0 · 0 0 5質量％以上0.0 5質量％以下 ，更包含1種或2種以上選自Dy、La、Nd、Tb、Gd之共 -2- 1314166 計：0.1質量％以上3質量％以下，以及其餘部分爲Ag的 組成之銀合金所成。 1 〇、一種光記錄媒體之全反射層，其特徵爲由使用如 申請專利範圍第6、7、8、或9項之銀合金濺鍍靶所製作 的蒸鍍膜所成。 1 1、一種光記錄媒體之半透明反射層形成用銀合金濺 鍍靶，其特徵爲係由含有Zn : 0.1質量％以上未達1質量 %、A1 : 0.1質量％以上未達〇 · 5質量％，以及其餘部分爲 Ag的組成之銀合金所成。 12、 一種光記錄媒體之半透明反射層形成用銀合金濺 鍍靶，其特徵爲係由含有Zn : 0.1質量％以上未達1質量 %、A1 : 0. 1質量％以上未達〇. 5質量％，更包含1種或2 種以上選自 Ca、Be、Si之共計：0.005質量％以上0.05 質量％以下，以及其餘部分爲A g的組成之銀合金所成。 13、 一種光記錄媒體之半透明反射層’其特徵爲由使 用如申請專利範圍第1 1項或第1 2項之銀合金濺鍍靶所製 作的蒸鍍膜所成。 1 4、一種光記錄媒體之反射層形成用銀合金濺鍍靶， 其特徵爲係由含有Cu: 〇·5質量％以上5質量％以下、Ni :0.05質量％以上2質量％以下’以及其餘部分爲Ag的 組成之銀合金所成。 15、一種光記錄媒體之反射層形成用銀合金濺鍍靶， 其特徵爲係由含有Cu : 0.5質量％以上5質量％以下、Ni :0.05質量％以上2質量％以下’更包含1種或2種以上 -3- 1314166 選自Ca、Be、Si之共計·· 〇 〇〇5質量％以上0.05質量％以 下，以及其餘部分爲A g的組成之銀合金所成。 1 6、一種光記錄媒體之反射層形成用銀合金濺鍍靶， 其特徵爲係由含有Cu: 〇.5質量°/〇以上5質量％以下、Nl :0.05質量％以上2質量％以下，更包含1種或2種以上 選自Dy、La、Nd、Tb、Gd之共計：0.1質量°〆。以上3質 量％以下’以及其餘部分爲Ag的組成之銀合金所成。

1 7、一種光記錄媒體之反射層形成用銀合金濺鍍靶， 其特徵爲係由含有Cu : 0.5質量％以上5質量％以下、Ni :0 · 0 5質量％以上2質量％以下，更包含1種或2種以上 選自C a、B e、S i之共計·· 0 · 0 0 5質量％以上〇 _ 〇 5質量％以 下，更包含1種或2種以上選自Dy、La、Nd、Tb、Gd之 共計：〇 . 1質量％以上3質量％以下，以及其餘部分爲Ag 的組成之銀合金所成。

18、一種光記錄媒體之反射層’其特徵爲由使用如申 請專利範圍第14、15、16、或17項之銀合金濺鍍靶所製 作的蒸鍍膜所成。 -4-