TWI313308B - Optical quality diamond material - Google Patents

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TWI313308B TW092132753A TW92132753A TWI313308B TW I313308 B TWI313308 B TW I313308B TW 092132753 A TW092132753 A TW 092132753A TW 92132753 A TW92132753 A TW 92132753A TW I313308 B TWI313308 B TW I313308B
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Houwman Evert Pieter P
M Nelissen Wilhelmus Gertruda Maria G
Whitehead Andrew John J
Martineau Philip Mauri M
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1313308 玖、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關化學氣相沉積(CVD)鑽石材料、其製造 及由此種材料獲得之光學裝置及光學元件。 〃 5 【先前技術】 發明背景 某個範圍之光學裝置由於獨特需求結果導致對該光學 裝置之使用材料有高度要求。例如包括雷射窗，此處要求 10 南強度光絲受顿地親雷㈣，要求窗提供某種形式 的隔離；以及其它裝置例如光學反射器、繞射光柵及標準 量具。 依據特定用途而定，對適當材料的選擇或製造上松演 要角的關鍵性質包括又低又均句之雙折射、均句之高折射 b '呈應變之函數、低錢雙折射或折射率變化、又低又 15均勻^光吸收、低且均句之光散射、高光學（雷射)損害臨限 巧導熱率（最小化光學元件内部之溫度變化）、tr經處理 來顯不商表面抛光連同高度平行度及平坦度、機械強度、 餘陵、化學惰性以及材料參數之重複性，因此用於各項 用途可靠。 20 種材料可滿足一種或一種以上之需求，但大部分應 用用地要求多於一項需求，但經常選用之材料只是各項要 求間的折衷，因而限制其最終表現。 t明内容^】 發明概要 1313308 根據本發明，CVD單晶鑽石材料當於室溫(通常為20。〇 測量时’顯不至少一種’較佳至少兩種更佳至少三種又更 佳至少四種下列特性： ^间光學均勻度，透射波前(例如藉ZYGOGPI相移633 5奈米費左(Flzeau)型雷射干擾儀測量)於透射通過鑽石（鑽石 規定厚度至少〇.5毫米，較佳至少0.8毫米且更佳至少1.2毫 米，經處理成適當平坦度，於規定面積至少13毫米χ13* 米’較佳至少2.5毫米Χ2.5毫米及更佳至少4.0毫米Χ4.0毫米 測量)之期望幾何波前差小於2邊帶，較佳小於丨邊帶及更佳 10小於0.5邊帶，且又更佳小於0.2邊帶，此處1邊帶係對應於 光徑長度等於633奈米測量波長之丨/2之差異。 2) 當於波長接近1.55微米測量時，於試驗件(鑽石規定 厚度至少0.5毫米，較佳至少〇8毫米且更佳至少12毫米， 於規定面積至少1.3毫米χ1.3亳米，較佳至少25毫米χ25毫 15米及更佳至少4.0毫米χ4.0毫米測量）之有效折射率為2.3964 於準確度±0.002之範圍，且較佳於準確度士〇〇〇1之範圍，更 佳於準確度±〇.〇〇〇5之範圍，測量方式係經由於197_192 ΤΗζ 頻率範圍，掃描雷射束頻率入射於呈標準量具形式之試驗 件，呈頻率之函數，而記錄試驗件標準量具之透射，以及 20應用自由光譜範圍方程式（方程式1 ,定義如後）。熟諳技藝 人士了解2.3964之值係基於碳同位素以其自然豐富比組成 之鑽石，且了解2.3964之值將隨著碳同位素組成之改變而 改變。 3) 低光學雙折射，指示低應變，因此於試驗件(鑽石規 1313308 定厚度至少0,5毫米，較佳至少〇·8毫米且更佳至少。毫 米，於規定面積至少1.3毫米xU毫米，較佳至少25毫米心 毫米及更佳至少4.0毫米Χ4.0亳米測量），相狀正弦模量 1_|不超過某個極限，相移正弦模量之測量方式係藉§掃 5描器（Deltascan)或類似儀器具有類似解析度，使用545 615 奈米且較佳589.6奈米範圍之輕射照射測定。特別極限為相 移正弦模量UinSl對98%，更佳至少99%及又更佳⑽％試 驗件分析面積維持於第-次_不超過π/2);以及此等極限 為UmS |不超過〇.9，較佳不超過〇 6，更佳不超過〇 4，更佳 10不超過0.3且最佳不超過0.2。 4) 光學性質之組合為呈標準量具形式之經過適當製備 的鑽石板(鑽石規定厚度至少〇.5毫米，較佳至少Μ毫米且 更佳至少1.2毫米，以及使用具有波長接近155微米及名目 直徑1.2毫米之雷射束，於規定面積至少13毫米χ13毫米， 15較佳至少2.5毫米χ2·5毫米及更佳至少4.0毫米χ4·0毫米測量) 具有自由光譜範圍(FSR)，FSR當於鑽石板的不同位置測量 時之變化小於5χ10—3厘米-1，較佳小於2χ1〇-3厘米-!，更佳小 於5χ10_4厘米-1 ’及又更佳小於2χ10-4厘米-1。 5) 光學性質組合，呈法博派瑞特(Fabry_Per〇t)i體標準 20量具形式之經適當製備的鑽石板(鑽石規定厚度至少〇·5毫 米，較佳至少0.8毫米且更佳至少〗.2毫米，以及使用具有波 長接近1.55微米及名目直徑1.2毫米之雷射束，於規定面積 至少1.3毫米xl.3毫米，較佳至少2.5毫米χ2·5毫米及更佳至 少4.0宅米χ4·0毫米測置)’且無任何塗層施用於光學準備表 1313308 面上，當於板上不同位置測量時，具有反差比超過15，較 佳超過1.6 ’更佳超過1.7及又更佳超過1.8及最佳超過1.9。 反差比係定義為具有最大透射值之處，於入射雷射波長接 近1.55微米之標準量具透射值、對於透射具最小值之處， 5 入射雷射波長接近〗·55微米之標準量具透射值之比；以及 透射值定義為透射通過標準量具之雷射束光功率對入射於 標準量具之雷射功率之比。 6)光學性質組合，讓呈標準量具形式且經適當製備之 鑽石板(鑽石規定厚度至少0.5毫米，較佳至少〇8毫米且更 10佳至少I.2毫米，以及使用具有波長接近1.55微米及名目直 徑1.2毫米之雷射束，於規定面積至少h3毫米χ1·3毫米，較 佳至少2.5毫米χ2.5毫米及更佳至少4 〇毫米χ4 〇毫米測量） 具有插入耗損不超過3分貝，較佳不超過丨分貝及更佳不超 過0.5分貝及又更佳不超過0.3分貝。 15 7)低且均勻之光吸收，讓試驗件（具有規定厚度至少〇.5 毫米，較佳至少0.8毫米及更佳至少12毫米）具有於接近2〇 °C於波長10.6微米測量之吸光係數低於0.04厘米-1，較佳低 於0.03厘米-1，及更佳低於0.027厘米.】，及又更佳低於〇〇25 厘米4。 2〇 8)低且均勻之光魏，讓試驗件(具有規定厚度至少0.5 毫米，較佳至少0.8毫求及更佳至少h2毫米）具有於波長1〇6 微米測量之吸光係數低於_厘米-!，較佳低於〇.〇5厘米], 及更佳低於0.02厘米“，及又更佳低於〇〇1厘来<。 9)低且均自之光散射，因此對試驗件(鑽石規定厚度至 1313308 /0.5毫米較佳至少0.8毫米且更佳至少12毫米，於規定 面積至八3毫米χΐ·3毫米，較佳至少2 5毫米心毫米及更 佳至>、4.〇毫米χ4〇毫米測量），於由透射光束於0.3度至Μ 度之立體角範圍積分，於〇63微米波長之正向散射係小於 5 車乂佳小於〇.1〇/°更佳小於0.05%及又更佳小於0.03%。 ι〇)低且均勻之光散射，因此對試驗件(鑽石規定厚度至 少0.5毫米，較佳至少〇8毫米且更佳至少12毫米，於規定 面積至夕1.3毫米χΐ.3毫米，較佳至少2.5毫米χ25毫米及更 佳至少4.〇毫米Χ4.0毫米測量），於由透射光束於U度至45 Η)度之讀角範圍積分，於1〇.6微米波長之正向散射係小於 0.004% ’較佳小於〇〇〇2%更佳小於〇〇〇ι%及又更佳小於 0.0005% 〇 u)而雷射損害臨限值，高斯光束側緣圖，—次脈波崎 峰為50 1〇〇奈移且規度化至1〇〇微米…點大小，於（Μ微米 15波長’造成損害之最低入射峰能量密度與不會造成損害之 最高入射峰能量密度平均係大於12〇焦耳厘米.2，較佳大於 220焦耳厘米_2 ’更佳大於32()焦耳厘米_2及又更佳大於42〇 焦耳厘米·2。 12)高雷射損害臨限值，高斯光束侧繪圖，一次脈波崎 20峰為10-50奈秒且更佳2〇_4〇奈秒且規度化至觸微米^々點 大小，於10.6微米波長，造成損害之最低入射峰能量密度 與不，造成損害之最高入射峰能量密度平均係大於35焦耳 厘米，較佳大於5〇焦耳厘米-2,更佳大於8〇焦耳厘米2及又 更佳大於120焦耳厘米.2及又更佳大於15〇焦耳厘米.2。 10 1313308 13) 高導熱率，由天然同位素豐富組成之碳組成材料， 當於20°C測量時導熱率係大於1500瓦米“K'Win—K：1)，較 佳大於1800瓦米-f1，又更佳大於2100瓦米“K·1，又更佳大 於2300瓦米^Κ·1，及又更佳大於2500瓦米―1]^1。熟諳技藝人 5 士了解此係基於含有天然豐富比碳同位素之鑽石，隨著碳 之同位素組成的改變，數據將有變化。 14) 可經加工處理而於至少1.3毫米χΐ.3毫米，較佳至少 2.5¾米x2.5¾米’及更佳至少4·〇毫来x4.0毫米之規定面積 顯示高表面拋光，具有Ra(由通過側繪圖平均線之絕對值偏 10差之算術平均）小於2奈米，較佳小於1奈米及更佳小於〇 6 奈秒。 15) 經加工處理而顯示高度平行度之能力，於至少1 3 毫米xl.3毫米，且較佳至少2.5毫米χ2.5毫米，及更佳至少 4.0毫米x4.0毫米之規定面積，具有平行度係優於丨弧度分 15鐘，較佳優於±30弧度秒，更佳優於±15弧度秒，及又更佳 優於±5弧度秒。 16) 經加工處理而顯示高度平坦度之能力，使用Μ]奈 米輻射，於至少1.3毫米χΐ_3毫米，且較佳至少2 5毫米$ 毫米’及更佳至少4.G毫米x4.G毫米之規定面積測得之平坦 2〇度係優於1〇邊帶’較佳優於！邊帶，及更佳優於Μ邊帶。— 17) 機械設㈣度’使科㈣術，個職驗件尺 寸為5·〇毫米Χ3.〇毫米Χ〇·17仙毫米（長乘寬乘厚），其中至 ν 70%且較佳至少8〇%且更佳至少9〇%試驗件係於至少8且 較佳至ν 10及更佳至少15之批次大小測試，進行測量所得 13133〇8 機械設計強度唯有於至少2_5 GPa且較佳至少3力Gpa及更 佳至少3.5 GPa之強度值才不合格。 18)於感興趣容積之折射率變化，該容積包含—層具有 規定厚度至少〇.5毫米’較佳至少〇.8毫米及更佳至少^毫 米，其特徵在於製造成-片或多片板，具有折射率標準差 係小於0.002 ’且較佳小於〇._及更佳小於〇扁5，當於波 長接近1.55微米測量時，於至少丨.3毫米xu毫米，I較佳 至少2.5毫米χ2.5毫米及更佳至少4毫米χ4毫米之面積，測量 10
方式係經祕丨⑺92 ΤΗζ鮮·，㈣雷射束頻率入射 於呈標準量㈣式之試驗件，呈解之㈣，而記錄試驗 件標準量具之透射’以及應用自由光譜範圍方程式(方程式 1，定義如後）。 19) 當於波長接近L55微来測量時，於試驗件(鑽石規定 厚度至少〇·5毫米，較佳至少0 8毫米且更佳至少1 2毫米，
15於規定面積至少丨.3毫米χ1.3毫米，較佳至少2.5毫米χ2·5毫 米及更佳至少4.0毫米χ4.〇毫米測量）之有效折射率為 2.娜5於準確度的观之範圍，更佳於準確度土議^之範 圍，測量方式係經由於197-192 ΤΗζ頻率範圍，掃描雷射束 頻率入射於呈標準量具形式之試驗件，呈頻率之函數，而 2〇記錄試驗件標準量具之透射，以及應用自由光错範圍方程 式（方程式1，定義如後）。熟諳技藝人士了解2 39695之值係 基於碳同位素以其自然豐富比組成之鑽石，且了解2 39695 之值將隨著碳同位素組成之改變而改變。 20) 低且均勻之光散射，因此對試驗件(鑽石規定厚度至 12 1313308 少0.4毫米，較佳至少0.8毫米且更佳至少1.2毫米，於規定 面積至少1.3毫米xl.3毫米，較佳至少2.5毫米x2.5毫米及更 佳至少4毫米x4毫米測量），於由透射光束於3.5度至87.5度 之立體角範圍積分，於1.064微米藉此處所述方法測量之正 5 向散射係小於0.4%，較佳小於0.2%更佳小於0.1%及又更佳 小於0.05%。 21) 於514奈米之激光下具有低發光，故於575奈米之光 發光(PL)線以及637奈米之PL線之任一者且更佳二者之雷 蒙規度化強度小於40 ’較佳小於1〇，更佳小於3及更佳小於 10 1。 22) 低光學雙折射，指示低應變，因此於試驗件(鑽石規 定厚度至少0.5毫米，較佳至少〇.8毫米且更佳至少12毫 米，於規定面積至少1.3毫米χ1·3毫米，較佳至少2 5毫米χ2 5 毫米及更佳至少4·〇毫米Χ4.0毫米測量），△_](平行於慢軸 15及快軸之偏光折射率差異於光厚度平均之平均值）之最大 藉δ%描器或類似儀器具有類似解析度，使用545_61 $ 奈采且較佳589·6奈米範圍之輕射照射測定。特別’此等極 夕98/〇 ’且更佳至少99%及又更佳⑽％試驗件分析 20 ΑΛ雙折射維持於第―轉(林超過⑽；以及此等極限 ^Γ]不咖划.4,較佳不超過娜5，更佳不超過 ’且更佳不超過1χ1〇·5。 鑽石材料較佳係成形為機械層或光學層或抛光寶石， 三個==層’較佳具有超過一個，更佳兩個且又更佳 13 1313308 a) 橫向尺寸為1毫米，較佳2毫米，更佳5毫米及又更佳 8毫米， b) 第二正交橫向維度為1毫米，較佳2毫米，更佳5毫米 及又更佳8毫米， 5 c)厚度為0.1毫米，較佳0.3毫米，更佳0.5毫米及又更佳 0.8毫米。 本發明可擴充至前述用於或用作為光學裝置或光學元 件之單晶CVD鑽石材料。此種裝置或元件適合用於寬廣光 學用途，包括但非限於光窗、雷射窗、光學反射器、光學 10 折射器及光栅以及標準量具。用於於一或多個表面需要反 射之用途(例如分束器或標準量具），鑽石可表面未經塗覆而 使用。此外，該材料較佳係用作為拋光寶石，於該種形式， 於拋光前，初步製造成遠較厚層，典型厚2.5毫米，更典型 厚3.5毫米或以上。特別適合用於此項用途之性質包括光學 15 特性均勻、低散射及低吸收，容易加工，加工後表面品質， 特別具有各項性質的組合來提供更耀眼的鑽石。 本發明之鑽石材料可調整適合特定用途，但於各種情 況下可能不具有全部前述性質，多種應用中，鑽石材料只 顯示前述性質之一組實質集合或特定組合因而讓其使用特 20 別有利。舉例言之，為了用作為標準量具，材料要求光學 均勻、低吸收、高導熱、且可加工為平坦且平行，但雷射 損害臨限值及機械強度重要性較低。相反地，於作為視窗 或光學存取窗，強度相當重要，強度之重要性如同散射、 吸收等影響影像品質之特性。 1313308 包括或包含本發明之CVD鑽石材料之光學裝置可附接 有或内建有熱源或溫度測量裝置或其它測量裝置或二者。 熱源知:供改ft·光學裝置溫度之能力，如此任何溫度相依性 性質，以及溫度感測器裝置藉由監視溫度可提供回授控 5制。此項技術特別可應用於鑽石，由於鑽石之高導熱率可 確保輸入熱極為快速均勻散佈。本發明之此種形式之特定 具體實施例可使用攙雜劑如硼結合攙雜層或軌，形成加熱 器元件’以錢-步形成攙雜結構來測量溫度。此等擾雜 結構可藉植入技術或其它表面處理技術製造。 材料於生長後’於視需要經過適當形狀及表面處理後 具有有利性質；或材料可藉退火處理來進一步提定性 質。 於應用時，材料可經進一步處理，此等處理包括安裝、 15 2屬化(例如用於光柵）、塗覆(例如用於抗反射塗層）、钱刻 面成為特定地形(例如用於繞射光學裝置）等。 之根據本發明之另一方面，一種製造適合用於光學用途 法化學氣相沉積（CVD)鑽石材料之方法，包含藉cvD方 於里過控制之低濃度氮存在下來控制晶體缺陷的出 2〇 ，以低晶體缺陷密度，生長單晶鑽石於一表面上。 應變此種方法使用之氮濃度經選擇為足夠防止或減少局部 產生缺陷，同時又夠低可防止或減少不利吸收 00質的劣化。 圖式簡單說明 第1圖為立體標準量具之示意側視圖，顯示光束入射於 15 1313308 其第一表面之典型反射比及透射比圖案； 第2圖為立體標準量具典型透射特徵之線圖代表圖； 第3圖為吉爾土諾司楳準量具之典型反射特徵之線圖 代表圖； 第4圖為測量小鑽石試驗件於1.06微米之光散射用測 量系統之代表圖； 第5圖為將得自第4圖系統之一維資料轉成二維資料之 代表圖； 第6圖為如實施例4所述，對鑽石試驗件作FSR測定呈 10 試驗件厚度倒數之函數之線圖代表圖 第7圖為如實施例5所述’本發明之接受測試的標準量 具板之反差比之線圖代表圖， 第8圖為如實施例7所述’本發明之接受測試之標準量 具板之表面平坦度測量值之線圖代表圖；以及 15 第9圖為如實施例15所述測得之FSR資料之線圖代表 圖。對11片CVD單晶板個別顯示其資料，以及顯示對板所 做F S R測定之標準差、以及任何測量值與平均值間之最大偏 差。 C實施方式j 20較佳實施例之詳細說明 曲本發明之CVD鑽石材料係藉CVD方法，於經過控制之 -辰度氮存在下製造。氮之用量濃度對控制晶體缺陷的出 -有關鍵重要性，如此達成具有本發明之關鍵特性之 鑽石材料。發現以高濃度氮生長之材料顯示不利吸收。高 16 1313308 濃度氮也造成材料晶體品質低劣。相反地於大致不含氮或 低於300 ppb氮條件下生長之材料具有較高度局部應變因 而產生缺，其直接或間接影響鑽石之多項光學性質表 現。此種現象之確域轉尚未明自了解，但做出以下觀察。 5 差排」予後方之詞意圖涵蓋隔離差排以及差排集結成 之差排束。 並無任何材料可於寬廣體積製作成完全無差排或其它 晶體缺陷。不同性質對此等晶體缺陷之敏感度各異。例如 平均折射率相對不敏感，但局部變化相當敏感。要求高度 10精度時’CVD鑽石之工程光學性f對於差排極為敏感。 本發明方法主要係應用於於{1〇〇}基材面上生長 ，除非 另行陳述否則係假設於{100}基材面上生長，但該概略方法 也可生長光學等級之鑽石於其它特定基材定向。 於生長過程之氣體混合物無足量氮存在下坑穴形成於 15 {100}生長面上，環繞原先已經存在於基材材料之差排周 圍、或於基材/生長界Φ產生之差排，無論由於此等坑 穴’於生長過程中差排將緩慢倍增。到達某種程度倍增過 程變成指數’差排倍增速率係依據既有之局部差排密度及 排列決定。 20 於有小量氮氣存在下相對小面之生長速率改變’坑穴 被去除。無論是否存在有坑穴，差排的倍增可減少或完全 避免。 坑穴也造成材料所含括的其它缺陷及雜質。 發現有進一步影響，其可能構成此項過程之重要部 17 1313308 分。於典型不含氮之處理條件下，進行磊晶生長，<11〇> 表面階級於基材表面上進行。此等階級於標準光學顯微鏡 下勉強可見’ m此等階級的存在通常最佳係使用諾瑪斯基 (Nomarski)技術或其它高敏感度技術證實。於正確條件下， 5於本發明之極低濃度範圍内增減氮氣不會影響表面階級形 態。當存在有此等階級時，氮氣攝取入鑽石通常緩慢。 隨著氮氣濃度的增加’表面生長機轉產生變遷。鑽石 的表面階級變成更隨機且通常更取中於<1〇〇>方向性（至少 於巨觀尺度下係取中於<1 〇〇>方向性），階級變大且變粗 10經。此荨階級藉顯微鏡容易觀察，經常藉肉眼也可觀察。 於此等階級之存在下，氮氣的結合實質增加，於顯微尺度 觀察時通常不均勻。出現變遷之氮濃度為生長條件（包括溫 度及壓力）之敏感函數，但對此處所述方法典型為約1 8 ppm(使用氮氣時之總氮濃度為1.8 ppm)。略為高於此極限 15時，仍然可實現本發明之若干效果，特別例如機械強度或 表面處理效果’但例如光學吸收等性質受到顯著氮結合的 不良影響’一旦存在有<100>階級時容易發生顯著氮結合。 處理氣體之氮濃度下限係由限制坑穴以及控制應變產 生坑穴之需求設定；處理氣體之氮濃度上限係由有害吸收 20 以及其它類型缺陷的產生設定；表面階級生長變化對此種 現象扮演某種角色。但此等上限及下限具有處理相依性， 因此上限及下限可能隨使用之處理條件改變，包括實際之 氮氣來源而改變，也依據要求之特定材料性質決定，將舉 例說明如後。但典型於本發明方法，於氣相中之氮濃度上 18 1313308 限(ppm N2 ’或用來提供相同總氮之實際氮源當量）為5 ??也，較佳2卯!11，更佳1.5卯111，又更佳1卯111。於氣相之 氮濃度下限(ppm Ns，或用來提供相同總氮之實際氮源當量) 係大於300 ppb，較佳大於5〇〇 ppb，更佳大於7〇〇 ppb，及 5 又更佳大於800 ppb。 材料也以固體中之典型氮濃度為其特徵，但此種氮濃 度與氣相氮濃度之關係隨生長條件細節有敏感函數變化。 典型藉電子順磁諧振(EPR)測得單一取代氮濃度超過3xi〇ls 原子/立方厘米，更典型超過1χ1()16原子/立方厘米，及又更 、型超過5x10 6原子/立方厘米。此外此種單—取代氮濃度 係低於5x10原、子/立方厘米，及又更典型低於2χΐ〇17 原子/立方厘米。 使用則述條件，可製造本發明之單晶CVD鑽石材料， 典型呈層狀且具有優異光學性質。 用於製這本發明之鑽石光學層，重要地單晶鑽石 層係於實質不含晶體缺陷之鑽石表面上生長。於本上下 文缺主要表不差排及微裂縫，但也包括擎晶邊界、作 與，雜氮原子本質相關之點缺陷、低角度邊界、以及任何 二匕曰曰格延伸破裂。較佳基材$低雙折射型^自然、減仙 2〇鬲壓/高溫合成鑽、或CVD合成單晶鑽。 於實貝不含缺陷之基材上的生長品質隨著生長層的變 厚以及缺陷結構的倍增，生長品質迅迷劣化，概略造成晶 =劣化、孿晶及再孕核。此種類型缺陷對本用途特別不利， 造成多項關鍵性質的局部變化。 1313308 使用最佳化用來顯示缺陷之電衆 作為揭露性電㈣刻），例㈣ "匕干餘刻（稱 藉光學評估最料決M 電私刻後， ,、甘u 陷遗度特徵。揭露出兩型缺p . υ基材材料品質特有之缺陷。於選用之… 密度可低抵50/平方毫米，更典型為;。:/平二鑽而= 它鑽可為106/平方毫米或以上。 丨而於其 10 10/平方毫米 2)來自於拋光之缺陷，包括差排結構以及沿抛 成顏*紋軌之料痕。鱗缺㈣度於試驗件切有顯著變 化，=係由賴2/平方毫米至不良拋光區或試驗件高於 較佳低密度缺陷為前述缺陷相關之表面麵刻結構密度 低於5x10/平方毫米且更佳低於川'平方毫米。 於CVD生長之基材表面及基材表面下方之缺陷可藉由 小心準備基材而最小化。此處準備含括應用於材料之^何 15處理包括礦物回收材料(天然鑽之例）、或合成材料(合成材 料之例），原因在於各個階段皆可能影響材料内部於作為基 材之製備完成時將形成為基材表面該平面之缺陷密度。特 殊處理步驟包括習知鑽石加工例如機械鋸割、燒蝕與拋 光’（於此項應用對低缺陷密度為最佳化），以及較非習知技 20術例如雷射加工、反應性離子蝕刻、離子束研磨或離子植 入及剝離技術、化學/機械拋光以及液體化學加工及電漿處 理技術。此外，藉光筆側繪儀測量之表面Rq(較佳於〇.〇8毫 米長度測量）須最小化，典型於進行電漿蝕刻前之值不超過 數奈米（亦即小於10奈米）。Rq為偏離平坦之表面側繪之均 20 1313308 方根偏差（對表面高度之高斯分佈RQ=l25Ra而言：定義例 如參考「摩擦學：工程材料之摩擦與磨耗」，IMHutchings， (1992)出版Edward Arnold, ISBN 0-340-56184。 最小化基材表面損傷之特定方法，包括於同質磊晶鑽 5石生長表面原位進行電漿蝕刻。原則上，此種蝕刻無需為 原位，也無需恰在生長之前蚀刻，但若為原位蚀刻可獲得 最大效果，原因在於可避免有任何進一步物理傷害或化學 污染風險。當生長過程也是基於電漿生長時原位蝕刻通常 為最方便。電漿#刻使用類似沉積或鑽石生長方法之條 10件，但不存在有任何含碳源氣體，通常於略較低溫進行來 獲得蝕刻速率的較佳控制。例如電漿蝕刻係由以下一或多 者組成。 ⑴氧蝕刻，主要使用氫，選擇性含小量氬以及需要量 之氧。典型氧蝕刻條件為壓力50·45〇χ1〇2 Pa，蝕刻氣體含 15氧量1%至4〇/。，氬含量0%至3〇%以及差額為氯，全部百分比 皆為以容積計，基材溫度為600_11〇(rc(更典型為8〇(rc)， 典型持續時間為3-60分鐘。 (ii) 氫氣蝕刻係類似⑴，但不存在有氧。 (iii) 可使賴非單齡於氬、氫及氧之另-種触刻方 20法’例如為使用_素、其它惰性氣體或氮氣之鞋刻方法。 典型地银刻係由氧蚀刻接著為氫钱刻組成，然後藉倒 入碳源氣_|[接進人合成。㈣時間/溫度經選擇可去除 其餘因加工造成的表面損傷，且可去除任何表面污染物， 但不會形成商度粗化表面’也不會順著延伸缺陷（例如交叉 21 1313308 表面之差排）延伸钱刻結果造成深的坑穴。當敍刻變激烈 時’特別重要地對此階段’腔室設計以及元件材料的選擇 必須為並無任何材料可藉電漿關而由腔室移轉至氣相、 或移轉至基材表面。氧餘刻後之氫餘刻對於氧姓刻造成晶 5體缺陷角度圓化較無特異性，氧㈣激烈攻擊缺陷，氯= 刻可提供較為平順之較佳表面供隨後生長之用。 於其上進行CVD鑽石生長之鑽石基材一次表面較佳為 0〇〇}表面。由於處理限制，實際樣品表面方向性可能與此 種理想方向性的差異達5度，某些情況下差異達1〇度，但如 _ 10此並不佳，如此對再現性造成不良影響》 亦屬重要地，於本發明方法須適當控制CVD生長環境 之雜質含量。特別，鑽石生長須與實質不含蓄意引進之氮 以外之污染物存在之氣氛下進行。此種添加氮可經過準確 控制，誤差為300 ppb(作為總氣體容積之分子分量）或為氣 15相目標值之10%(取其大者）；較佳誤差係低於200 ppb(呈總 氣體容積之分子分量）或氣相目標值之6%(取其大者）；更佳 · 誤差係低於100 ppb(呈總氣體容積之分子分量）或氣相目標 值之3°/。(取其大者）’又更佳誤差係低於5〇 ppb(呈總氣體容 積之分子分量）或氣相目標值之2°/。(取其大者）。測量氣相中 - 20之絕對氮濃度及相對氮濃度於300 ppb-5 ppb之範圍需要複 雜的監視設備，例如可藉WO 〇 1 /96634所述之氣相層析術達 成。 來源氣體可為業界已知之任一種氣體，將含有含碳材 料’含碳材料解離而產生基團或其它反應性物種。氣體混 22 1313308 合物通常含有適合提供原子形式之氫氣或減之氣體，氮 源可為例如N2或NH3。 來源氣體的解離較佳係使用微波能於反應器進行，其 範例為業界已知。但來自反應器之任何雜質的移轉須最小 5化。微波系統可用來確保電漿放置遠離全部表面，但出現 鑽石生長之基材表面及其安裝之基材表面除外。較佳安裝 材料包括鉬、鎢、矽及碳化矽。較佳反應器腔室材料包括 不鏽鋼、鋁、銅、金及鉑。 須使用由咼微波功率（典型3-60千瓦，用於25-300毫米 10基材直徑）’及高氣體壓力（50-500 l〇2pa且較佳ι〇〇_45〇χΐ〇2 Pa)所得之高電漿功率密度。
鑽石之特定性質可藉退火而增強，將退火技術與本發 明之鑽石組合特別優異，可獲得寬廣範圍之改良性質。退 火一詞表示任一種處理，其中以控制方式使用升高溫度來 15對鑽石之任一種性質獲得有利修改，無論為本說明書詳細 說明之性質、或於應用中與該等性質互補之性質。加熱處 理係根據所生長之CVD鑽石性質以及欲產生之特定變化而 改變。對於退火最敏感的鑽石性質包括光散射及(低)發光， 但其它性質例如雙折射及機械設計強度也可改良。退火處 20理推定可進一步減少鑽石之局部應變點，以及修改非鑽石 結構區。退火係接近大氣壓或於高壓，退火典型係於約高 於1200°C更典型高於1700。(：之溫度進行。2500-280(TC退火 溫度範圍之上限係由電流實驗能力之極限設定，但預期可 由更高溫獲益。此外，鑽石穩定區及石墨穩定區二者之CVD 23 1313308 鑽石的退火，顯示可減少鑽石的吸收中心，增強光學透射， 如共同審查中之國際專利申請案PCT/IB〇3/〇3783所述，該 種作用也有利。 另—項重要因素為鑽石特別本發明鑽石退火，可減少 5於某些條件下由鑽石觀察得發光。特別當鑽石用作為光窗 時，光窗的發光可能遮蔽光窗所意圖存取的光發射 。例如 若鑽石用作為砧材料，其提供於加壓測試下對試驗件的光 存取，來自砧的發光將會對接受壓縮材料之光學性質研究 造成嚴重限制。特定非限制例為來自575奈米及637奈米中 10心的發光。CVD合成鑽石生長，於起始氣體有顯著氮濃度， 或於處理中存在有顯著氮濃度，將顯示來自氮空白中心的 發光。帶有中性電荷以及負電荷之空白中心分別具有零光 子線於575奈米及637奈米。來自二中心之發光可以514奈米 氬離子雷射或其它相對短波長輻射源激發，若發強光，則 15將造成此種單晶CVD鑽石用於砧用途之顯著缺點。氮空白 發光強度可藉退火處理解離氮空白中心，例如於約18〇〇。〇 溫度退火，使用高壓高溫退火經歷較長的退火時間而顯著 降低氮空白發光強度。舉例言之發現於18〇〇。(：及75千巴經 歷24小時之高溫高壓退火可實質減少於575奈米及637奈米 2〇 的發光。 低濃度之光吸收藉熱量計量手段可獲得最佳量測。先 前於10.6微米光吸收之熱量測量報告可用於複晶CVD鑽石 層[SE Coe等人，鑽石及相關材料，第9期（2000)1726-1729 及CSJ Pickles等人’鑽石及相關材料，第9期（2000) 24 1313308 916-920]。典型於高品質光學等級複晶鑽石，於i〇.6微米之 吸收值係落入吸收係數α=0.03厘米4-0.07厘米-1之範圍，典 型吸收係數值為約0.048厘米-1。選用於低吸收之天然鑽之 測量報告具有吸收係數值為約0.036厘米_1。於單晶天然鑽 5 及複晶CVD鑽觀察得有類似之下限，歸因於於此區有二光 子吸收，如此被考慮為基本極限。 如此出乎意外地，本發明鑽石具有較低吸收技術 0.0262厘米-1 ’顯示即使於選用於低吸收之天然鑽，仍然有 顯著之外來吸收殘留於1〇_6微米，此點乃先前未曾了解。 10 於1064奈米鑽石之熱量計量報告比於10.6微米之熱量 計量報告不徹底’但光學等級複晶鑽之典型吸收係數值 α=0，119厘米-1。相反地藉本發明方法製造之鑽石可達成 α=0.〇〇71厘米-1之值。如此低吸收係數，讓此種鑽石特別適 合用於高功率雷射應用，特別當考慮材料中來自低應變之 15低束扭變時特別適用。 經由此種獨特材料性質獲得表現，本發明之CVD鑽石 材料之應用包括(但非限制性）： •光窗-例如要求極高影像品質。材料之一致高機械強 度可輔助用於光窗被加壓 之應用設計。 2〇 •雷射窗-於該種應用高強度光束必須未受干擾地通 過田射窗’窗須可提供某種程度的隔離。特別重要地，雷 射束不會與窗以可能造成雷射束劣化之方式交互作用，例 如局部吸收或熱誘生應變，或造成足夠能量被窗吸收因而 產生永久性傷害。 25 1313308 坦’或具有極為準確規 •光學反射器-表面要求極為平 定之表面形狀且穩定。 •光學折射器及透鏡·光學透射元件之-或二表面至 5 ”㈣«㈣㈣_行’心須製造成具有高精度。 •繞射光學d例如—種結構其上或其内使用鑽石 來藉繞射修改光束。 •標準量具。
•裝飾性用途’例如用於觀賞窗或用作為寶石。 •高壓高溫實驗_•於此種用途，鐵石較佳經退火。 10 &求方便’舉例言之’本發明鑽石材料應用至標準量 具將進一步說明其細節，熟諸技藝人士了解本發明之cvd 鑽石材料之光學性質對於其它用途例如前述用途之重要 性。
具有二部分反射面之光學系統製造成二反射面間有高 15度平坦度且平行度，此種光學系統稱作為法博派瑞特標準 量具。典型標準量具之製造係校準兩片極為平垣之部分反 射鏡，讓其反射面彼此平行但例如分開，例如分開空氣間 隙或其它經過控制之氣態介質間隙或藉真空分開。另外， 可經由拋光於光學透明立體材料板14上之極為平行表面 20 1〇、12製造標準量具，稱作為立體標準量具，如附圖第丄圖 示意說明。 入射於標準量具第一表面之光束被部分逯射，且相^康 表面反射率而被反射。透射光束通過標準量具，隨後於第 二表面被部分透射，以及部分反射回第一表面，於該第— 26 1313308 ^面再度部分透射及反射。結果由標準量具射出之經透射 ，、經反射之平行光束間出現干涉。典型之標準量具透射特 性於圖解顯示於第2圖。 標準量具厚度控制隨後標準量具特性最大值/最小值 的分開’稱作為自由光譜範酬R，其對正f人射光係如下 以頻率表示， 此處C為光於真空速度，d為標準量具厚度以及n為標準 量具材料折射率。 1〇 透射曲線形狀(例如畸峰之銳度及/或最小值之深度）進 一步受到標準量具表面反射率的影響。如業界已知，經由 應用部分反射光學塗層之標準量具表面’可獲得不同反射 率數值。另外，可選擇不施用光學塗層之標準量具表面， 而使用標準量具未經塗覆表面之費司涅(Fresnel)&射率。
15 當標準量具透射曲線顯示尖銳畸峰時，可藉Finesse, F 特徵化，Finesse, F定義為於畸峰之全寬半最大值之連續二 畸峰間之(頻率）間隔比。用於高反射率值，以及當因標準量 具之吸收或繞射造成的耗損或於反射面之耗損以及與平坦 度之偏差以及反射面之平行度等造成之耗損過小而可忽略 20 時，finesse表示為： v_ kVr "(T^R) 此處R為標準量具表面反射率。 27 (2) 1313308 另外，當透射畸峰不太銳利，則可藉規定反差比c來特 徵化標準量具透射曲線。係以最大透射值與最小透射值之 比值表示，
T c = f (3) 上v 此處TP(TV)為於透射曲線，於頻率等於波峰(波谷)之一 時標準量具之透射。 對於距離平坦度或平行度之偏差、折射率變化以及吸 收或散射耗損等可忽略之標準量具，C係表示為
C 1 +
4R (1-R)2 ’1 + R)
10 另一項特徵化標準量具效能之有用參數為插入耗損 L[以分貝（dB)表示]，係由標準量具於畸峰之透射決定。 L = —l〇x10log(Tp) = —10x10i〇g _l (5)
、1。J 此處Ip及I〇為頻率等於透射曲線崎峰之__時之透射強 度及入射強度。如此定義時，插入耗損可於0(無耗損）至無 15限大(絲亳也無透射）間改變。對於不含耗損且有無限大平坦 及平行面之理想標準量具而言，插入耗損為〇。 當於平坦度或平行度之偏離、折射率變化或耗損無法 忽略時’近似方程式(2)及(4)不再有效，插入耗損（5)將升 高，而反差比通常將降低。 20 法博派瑞特標準量具之一種變化例為吉爾土諾司 (Gires-Tournois)標準量具，該種標準量具主要為法博派瑞 28 1313308 特標準量具用於背面反射率為100%之反射。此種標準量具 之反射率經常為100%，而與入射波長無關，但反射光相位 為入射光頻率之週期函數，週期係等於吉爾土諾司標準量 具之FSR之遇期，如方程式定義。顯示於第3圖’此處δ疋義 5 為： δ 二 4π
-271fsr
此處f為頻率。 以自由光譜範圍、插入耗損、反差比及finesse等參數 表不’影響標準量具效能之最重要材料性質為： R-表面反射比（當未塗層時之特有反射比、或塗層反射 比）； α "^準量具材料本體或標準量具材料表面之吸收耗 損； asc-標準量具材料本體或標準量具材料表面之散射耗 15損；
η標準量具材料之折射率及其變化（包括雙折射，亦即 折射率對材料之偏光方向及傳播方向之相依性）；以及 d_反射面之平垣度及平行度。 20點包括.較其匕材料’用作為標準量具時鐵石有數項優 a) 高折射率，π Γ轉成較為輕薄短小的標準量具； b) 費司涅反射率 牛該費司涅反射率於某些應用夠高 此可無需製作光學塗層； 29 1313308 C)折射率之溫度係數低、以及熱膨脹係數低，表示鑽 石‘準二具比若干其它光學材料對於溫度變化更不敏感； d) 高導熱率’表示於環境之溫度變化或藉光束吸收造 成透射曲線之變化極小（導熱率之進—步增高因而有益）； e) 比較其匕材料，強度及挺度高，錯石硬度高，讓其 夠強動且不會被刮擦(若未經塗層不會被刮擦），也可減少任 何安裝誘生應力的影響。 但鐵石用作為標準量具材料之用途也有限制。此等限 制為具有適當性質之材料之取得性，特別對鑽石品質敏感 10的性質’以及適當尺寸鑽石。例如最豐富的天型。 la型天然鑽的大小有限，價格由於其料為f石之用途決 定。可供商業應用之材料通常為淡黃色(吸收），含有包涵體 (應力、散射）’也含有氫氣，結果造成光譜可見光及紅外光 圍的進-步吸收。天然原石之折射率差異可能高達。 15唯有以昂貴方式篩選每塊材料才能確保用於期望用途的功 能，典型唯有於進行實質處理之後才進行篩選。 本發明之CVD鑽石材料提供一種比其它鑽石及其它材 料優異之用作為標準量具材料，例如用於法博派瑞特標準 量具或吉爾土諾司標準量具。 20 如所述，本發明之CVD單晶鑽石材料有一種或—種以 上之關鍵特性。現在將說明若干關鍵特性以及用來測量戈 測定特性之技術。 ~ 光學特性及量測技術 光學均勻度 30 1313308 光學均勻度係使用ZYGO GPI相移633奈米雷射費左型 干擾儀測定。試驗件典型係製備成厚0.8及1.25毫米橫向尺 寸至多5毫米x5毫米之光學板，具有平坦拋光面。測量係使 用4%反射率之平坦分束器，於雙重通過鑽石板，且甲間經 5過10%反射平面鏡反射後’組合來自分束器之反射束與透 射束進行測定。分束器及反射鏡皆具有干擾儀品質，於1〇〇 毫米直控具有平坦度優於約30奈米。結果所得干擾圖案係 以電荷柄合裝置(CCD)攝影機記錄，且以數位方式儲存。然 後使用透射波前測量應用模組分析干擾邊帶，該模組係呈 10 ZYGOGPI干擾儀之標準軟體供應。如此記錄與完美平坦波 前的偏差。此等偏差為表面不平坦與鑽石材料之光學不均 勻效應的組合。經由將表面拋光為高度平坦度（優於3〇奈 米），不均勻之影響測得優於0.05邊帶，容許成比例之較I 平坦度用於較非準確測量值。 15 有效折射率 有效折射率之測量方式，係經由首先使用解析度優於 〇.5微米之數㈣_t，測量以鮮量具雜加瑞理之光 學板厚度，然後使用垂直入射標準量具之光，測量標準量 具於197他192施頻率範圍之自*光譜襲，因而獲得 2〇有效折射率要求的準確度。然後由前文定義之方程式⑴求 出有效折射率。藉此方法求出之有效折射率與例如藉單純 應用史淫爾法則（光於二光學介質間之界面折射）求出之折 射率略有不同，此處所得數值通常較高。差異係來自於錢 石無可避免地存在有分散，以及此處用於有效折射率之方 31 1313308 法’屬於由測量使用範圍獲得之平均。 自由光譜範圍(FSR) FSR係對適合以標準量具形式加工處理之光學板測量 (例如橫向維度1.5毫米xl.5毫米，厚1.25毫米，峰至谷表面 5 平坦度優於40奈米，使用柴果-新視野(Zygo-NewView)干擾 儀測定’使用柴果-新視野干擾儀軟體中含括之平坦度應用 程式；拋光面之平行度係優於10弧度秒，表面粗度Ra係優 於1奈米）。此等板安裝於光學平台上，沿鑽石標準量具平 面之二交互垂直軸具有平移能力及旋轉能力。然後標準量 10 具設置垂直於來自雷射二極體之準直光束，且相對於該準 直光束取中，雷射波長於1.52微米至1.62微米間連續變化。 記錄經標準量具透射功率呈光頻率之函數之變化，且以數 位形式储存於電腦。由透射光譜之連續畸峰間之頻率差 異，直接決定自由光譜範圍。 15 反差比及插入耗損 反差比及插入耗損係對加工成為適當形狀之板測定， 由該板切下個別標準量具（例如橫向維度4.0毫米χ4.0毫 米，厚1.25毫米）’峰至谷表面平坦度優於4〇奈米（係使用柴 果-新視野干擾儀測定，使用含括於柴果-新視野干擾儀軟體 20的平坦度應用程式）’拋光面之平行度優於10弧度秒，表面 粗度Ra優於1奈米。此等板安裝於光學平台上，沿鑽石標準 量具平面之二交互垂直軸具有平移能力及旋轉能力。然後 標準量具設置垂直於來自雷射二極體之準直光束，且相對 於該準直光束取中，雷射波長於152微米至丨62微米間連續 32 1313308 變化。記錄經標準量具透射功率呈光頻率之函數之變化， 且以數位形式儲存於電腦。各標準量具之反差比係經由計 算於約197200 GHz頻率之最大透射及最小透射測量值之比 而測定。 5 雙折射 對於各項同性介質，例如無應力鑽石，折射率與光偏 振方向無關。若鑽石樣品被施加應力不均勻，可能原因係 由於内部應力或局部缺陷、或由於外部施加壓力而應力不 均’則折射率具有各向異性。折射率隨偏振方向之變化可 1〇以稱作為光學indicatrix之表面表示，該表面具有橢圓體形 式。任二橢圓體軸線之差異為沿第三軸導引光之線性雙折 射。可表示為涉及未加應力材料之折射率、應力及光彈性 係數之函數。 5掃描器（牛津結晶系統公司）提供有關於指定波長之折 15射率與垂直觀視角平面之偏光方向間之相依性資訊。有關δ 知描器之操作說明可參考A. M. Glazer等人於pn)e. R. s〇c.
Lond. A(1996)452, 2751-2765。 由對於一對平面偏光濾鏡之不同相對方向性範圍捕捉 导、，系歹'^像’ 8掃描器決^「慢軸」方向，垂直於觀視 角之平面之偏振方向，其折射率為最大值。也測定！^， 此處δ為相位移，表示為 δ=(2π/λ)Δηί 此處λ為光波長’ L為試驗件厚度，&為平行於慢轴及 快軸之偏光折射率間之差異。尬稱作為「光學位相差」。 33 1313308 對第-次冪位相差，L=06毫米及λ=589 6奈米，則. 當及缝领時可導出Δη=2 45χΐ〇4。. 當—=〇.5以及繞=λ/12時可導出△㈣819晰4。 5掃把益產生有三色碼影像，顯示a)「慢轴 e)於操作波長吸光比之變化。 5及 、，讀件係準備成具有已知厚度之光學板，於至少1·广 米Χ1·3毫米且較佳2.5毫米似毫米及更佳*毫米^毫米= _分析。各自涵蓋面積1毫米—毫米之δ掃描器影像或 訊框」集合對各試驗件於波長589·6奈米記錄。各個訊框 内部’ δ掃描H個卿描64Gx像素，確保試驗件係 為精細的尺度分析。然後s掃描^丨影像_分析如e 、表現最簡單为析係識別整個分析區，各船毫米75毫 米訊框之sine δ最大值，使用此值來特徵化分析全區之最大 值。若1毫米xG.75m框陣列未能確純配該分析區， 則訊框經設置而獲得涵蓋全區最小總數訊框，且取中，讓 儘量實際上對稱來利用邊緣訊框。然後由訊框分析中，排 除形成於分析區邊界以外的任何訊框資料部分。另外，各 個1毫米χ〇.75毫米訊框可分析排除於分析試驗件區内部之 2%或1%資料之後，分_餘之最大值，因而獲得分析區材 料其於98%或"％之最大值。若應賴途可忍受少數個別較 向雙折射點時，如此相關。但於本說明書所舉之全部實施 例中，全部資料點（100%)皆含括於分析。 sine δ之表現為特定材料板性質，此處限於應用最小厚 度之有用厚度板。經由將sine δ資訊，轉回Δη[㈣]，亦即試 34 1313308 行於慢軸及_之偏振光折射率狀差異於試驗 件厚度之平均，可獲得材料之更基礎性質。 光吸收 光吸收係藉雷射熱量計測定，熱偶附著於接受測試之 試驗件’㈣所需波長雷射束通過試驗件導賴驗件溫度 的升高。此項技術為業界眾所周知。特別此處使用方法符 合國際標準ISO 進行。 11551.1997(E)且係於1〇64微米及1〇 6微米
光散射 1〇 練狀測量方法為眾所周知(例如參考DC Hards「紅 外光窗及圓頂材料」，SPIE，美國華盛頓1992年）。但於小 尺寸(例如橫向維度4x4毫米）且具有可使用此種方法品質之 鑽石塊，發現需要發展出新技術來精準測量散射。 發展出新技術測量主要於1.06微米之散射，但於其它
15波長例如633奈米之散射亦屬可能。該方法之實驗圖顯示於 第4圖。 1.06微米Nd-YAG雷射20照射試驗件22，使用高度線性 寬廣動態範圍偵測器28，通過經過界限的孔口 26偵測散射 光束24。試驗件22及偵測器28係架設於個別側角器平台（圖 20 中未顯示）上，允許各自準確移動。整個系統屬於類別100 之「潔淨拉幅器」（圖中未顯示）’俾最小化因大氣粉塵所造 成之散射，潔淨拉幅器本身於暗室來避免雜散光影響測量 結果。 偵測器28以5度步進於弧度30由-85度移動至+85度，但 35 1313308 接近通過光束區之移動係以丨度步進。測量係以水平或垂直 偏振之輸入光束進行M貞測器之立體角為〇 741 mSr。鑽石 試驗件22之側角器平台允許其相對於光束準確校準，然後 於其餘實驗期間固定該角度。第4圖並未照比例繪製’試驗 5件與偵測器間距為4GG毫米。未散射光束以參考編號32指 示0
由偵測器所得資料係以一系列分開步進收集，因此係 以於制器之有限立體角測量之散射呈角度之函數之直方 圖表示。此種資料由涵蓋得自—半球長條之大致一維陣 ⑺列’轉成涵蓋環繞該半球之長帶之二維陣列。顯示於第5 圖，此處34為測得之散射光束，以及％為轉換後之資料， 獲得於此角度散射之總強度，容後詳述。 收集之資料定義為於角0，每單位立體角之散射功率分 量（「Fsp(e)」： p
15 gsr·1於角 Θ 此處pm，e為於角θ測得偵測器功率，Pi為入射光束功 率，Ω為偵測器之立體角。 藉角θ散射光轉換成為帶，帶之周長為滅如㊀，高為 ’ 因此面積為Ar=2KRsine.RAe。 20 帶之立體角ΑΩ表示為
A ΔΩΓ 2π8ΐη ΘΔΘ 由此，需要之總散射功率TSP表示為： 36 1313308 π/2 TSP= jFSP(0).AQr 0 但資料為離散資料’而非連續資料，故Tsp必須以加總 計算，而非積分操作： π/2/ TSP = Σ 2πδΐηθΔΘ 2 Je 5 其中vp及hP為垂直偏振資料及水平偏振資料，為資 料間隔弧度。須小心資料間隔各異，於低角度時為丨度，而 距離未散射光束超過5度角度時資料間隔為5度。 雷射損傷臨限值 雷射損傷臨限值之測量方式係發射雷射脈波至接受測 10試之試驗件’決定不合格點為，引發損傷之最低入身^峰 能於不會造成損傷之最高入射畸峰能之平均。 於波長10.6微米，使用c〇2雷射，— 奈秒’典型含有總脈衝能之1/3,遠較低之崎峰功= 波約為2微秒。所得資料被規度化成1〇〇微米^點大小。鬆 15他脈波可忽略，原因在於本試驗係於習知模式出現損金之 電子突崩游離時間領域操作，如此本試驗與略峰功㈣度 (亦即畸峰電場)有相依性。 又 於1.06微米波長，NdiYAG雷射用於持續i〇_5〇夺秒單一 畸峰，更佳係於2CM0奈秒範圍，資料再度規度化成1〇〇微 20 米Ι/e點大小。 導熱率 導熱率係藉雷射閃火技術測定(例如參# d; 37 1313308 等人，鑽石及相關材料，10(2001)p731以及CJH Wort等人， 鑽石及相關材料，3(1994)pll58)。 表面粗度 表面粗度係使用柴果新視野5000掃描白光干擾儀測 5 量。干擾儀利用裝配有麥克森(Michelson)或米樂(Mireau) 型干擾儀物件之顯微鏡。使用本系統可達成1倍至50倍的放 大倍率。經由測量鑽石板全面積，發現若鑽石板完全經過 精密拋光，則於板全區之粗度變化小於10%。因此目前測 量中，粗度係來自於約0.36毫米X0.27毫米之代表性面積之 10 測量值。 表面平行度 表面平行度係使用Zygo GPI相移633奈米雷射費左型 干擾儀，以類似測量透射波長之裝置進行測定。經由比較 於光束路徑有鑽石標準量具之透射波前邊帶圖案、於光束 15 路徑不含標準量具測得之圖案，求出連續邊帶之方向變化 及距離，由此，測定標準量具之二拋光面間之平行度偏差。 二邊帶圖案須同時測量，讓部分光通過標準量具，而於某 個其它位置，光直接入射於10%反射平面鏡，再度朝向偵 測器反射，而未通過鑽石標準量具。同時測量可獲得比逐 20 —接續進行兩次測量更高的準確度。 表面平坦度 表面平坦度係使用Zygo GPI相移633奈米雷射費左型 干擾儀測量。使用此種干擾儀，來自633奈米雷射光源之光 由10%反射率之干擾儀品質分束器部分反射，而由分束器 38 13133〇8 透射之光則由本發明材料製造之鑽石光學元件之拋光面部 分反射。二反射光束組合，所得邊帶圖案使用CCD攝影機 偵測器記錄，以數位方式儲存於電腦。隨後使用平坦度應 用程式進行分析，平坦度應用程式含括於Zyg〇 Gpi干擾儀 5軟體作為標準應用程式。 機械強度 本發明之材料利用可藉實際斷裂試驗所得單晶鑽石報 告之強度資料不存在而明白舉例說明。目前報告資料係基 於凹口試驗，基於本辦法使用之估計及假設。相反地，本 1〇發明方法允許材料以足夠品質取得，因而可完成適當斷裂 試驗。 此外’斷裂強度試驗為破壞性試驗。由於各塊天然鑽 為獨特，-旦天然鑽強度為已知，則不再可供應用。然後 斷裂試驗只用於決定強度相對於若干代理特性之展開之特 U徵化，以及特徵化用於該項應用之最低期望強度。相反地 本發明之合成鑽是-種經過料特徵化且性質―致之材 料’因此基於相當試驗件之斷裂統計學，可合理預測特定 兀件之斷裂強度。如本說明書使用，鐵石設計強度為具有 ，起轉職之㈣㈣試驗件至少观，較佳嶋及 20更佳至少90%之強度。 強度係使用單一懸臂梁技術測定，試驗件尺寸為Μ毫 二I毫㈣.18仙細HbX厚d)。额件係由剛 疋:板切割，長軸係沿<方向（故厚度係沿<1〇〇>方向， 而及寬係沿•方向）。測試程序係安裝具有暴露長度* 39 1313308 毫米（亦即於夾具内部1毫米）之懸臂梁，距離失具3.5毫米位 置施力。 強度以如下表示式表示. cyb=(6Ws)/(bd2) 5此處W為斷裂負載，s為負載線與炎緊線間距。 由同質遙曰0CVD鑽石板上切割試驗件，小心藉scaife搬 光，礫度逐漸變精細，直到碟度大小約為〇ι微米。表面光 整不良可能限制測量得之材料強度，材料獲得高度表面光 整能力促成總強度。 1〇 發光 鑽石材料之定量發光性質之測量方式，係經由於相同 條件下，相對於鑽石雷蒙散射收集之積分強度，規度化相 關發光線或發光帶之積分強度得知。測量方式係於77K，使 用300毫瓦514奈米氬離子雷射束進行，使用史派克司 15 (Spex)1404光譜儀裝配有全像術光桃（1800切槽/毫米）及濱 松R928光倍增器記錄光譜。資料經校正而允許光譜儀系统 之光譜回應函數，使用具有已知光譜輸出之標準燈俱導出。 現在將藉下列非限制性實施例進一步說明本發明。 實施例1 20 適合用於合成本發明之單晶CVD鑽石之基材準備如 後： i)基於顯微鏡檢以及雙折射成像’識別不含應變及瑕痴i 之基材，讓備用材料（la型天然鑽及lb型HPHT鑽)之選擇最 佳化。 40 1313308 ii) 雷射鋸割、燒蝕及拋光來最小化表面下方缺陷，使 用揭露電漿蝕刻方法測定藉處理所導入之缺陷程度。 iii) 於最佳化後，可例行製造基材’其中於揭露蝕刻後 測量得之缺陷密度主要係與材料品質有相依性，係低於 5 5xl03/平方毫米，通常低於1〇2/平方毫米。然後藉本方法製 備之基材用於隨後之合成。 高溫/高壓合成型lb鑽生長於高壓壓機，作為基材，使 用前述方法來最小化基材缺陷，形成5毫米x5毫米平方χ5〇〇 微米厚度之拋光板，具有全部表面{100}。於此階段之表面 1〇 粗度Rq小於1奈米。基材使用高溫鑽石銅焊而安裝於鎢基材 上。引進反應器内，開始前述蝕刻與生長週期，特別： 1) 2.45 GHz反應器預先裝配有使用點純化器，降低輸 入氣流中之非期望污染物種至低於80 ppb。 2) 使用15/75/600 SCCm(每秒標準立方厘米）02/Ar/H2於 15 263xl02帕以及基材溫度730°C，進行原位氧電漿蝕刻。 3) 如此由氣流中去除氧，未經中斷而轉成氫蝕刻。 4) 藉由添加碳源(本例為CH4)以及攙雜劑氣體，而轉成 生長過程。本例為CH4以36 seem流動，處理氣體中存在有1 ppm Ns，由經過校準之1〇〇 ppm &於Hz來源提供俾簡化控 20 制。於此階段之基材溫度為800°C。
5) 生長期完成時，由反應器移出基材，由基材移出evD 鑽石層。 前述生長之CVD鑽石層夠大，依據CVD鑽石層尺寸以 及所需標準量具大小而定，至少足夠製造一個且較佳數個 41 1313308 鑽標準置具!；於一維陣列)，且如上生長之鑽石層夠厚 而可製備至片且較佳多片加工用之cvd鑽石板。 生長之鐵石層由基材移開後，如前述生長之鑽石層被 鑛成:片鑽;δ板(；右有所需隨後各鑽石板經抛光至恰高於 5、毫米預疋厚度’該厚度為使用業界已知拋光技術，藉 要求之自由光賴圍以及期望操作波長界定之期望鑽石標 準量具厚度。 然後鑽石板於經過小心準備之鑄鐵镄石拋光輪上拋光 一側。使用之柄腳極為剛硬，可失持鑽石相對於平行似浪 10 面的參考面。 然後將鑽石板翻轉，於相同scaife拋光另 一面至預定平 土-度及平行度，於此階段小心調整厚度至最終標準量具要 求的厚度。平行度係使用商用如〇肥干擾儀，基於業界 眾所周知之費左原理測定。厚度最初係藉測微計測量，使 15用自由光職®(FSR)之測量值作為最終階段檢查 。藉測量 線性移除速率達成終厚度，原因在於材料品質極為恆定， 然後抛光經歷所需預測時間。也曾使用其它個方法或材 料去除法’包括離子束㈣、電漿_或反應性離子触刻。 然後鑽石板藉雷射切成個別單元。將側面拋光，但於 20應用用途並非經常需要拋光。 所得鑽石標準量具為1.5毫米見方，厚1251毫米，具有 如下公差： 厚度：±0.25微米 平行度：±5弧度秒 ‘ 42 1313308 表面Ra : 0.5奈米 以及具有FSR 1.6678±2xl0_4厘米 _1。 另一片得自前述合成方法之鑽石板用於進一步特徵化 可達成的表面Ra。如前述，表面兩側小心拋光’然後使用 5柴果新視野5000掃描白光干擾儀測量表面Ra。對樣品各側 作測量，各次測量係對1毫米xl毫米面積進行，9區形成於 各邊中心之3毫米x3毫米格柵，然後求出9個測量值的統計 平均。A側之Ra測量值為0.53奈米土奈米’ B側之&測量 值為0.54奈米±0.05奈米。 10 實施例2 根據實施例1所述方法合成一組6毫米X 6毫米X 〇. 4毫米 同質磊晶CVD鑽石板。由此板切割一組矩形試驗件，橫向 維度為3毫米x5毫米，厚度為0.17毫米至〇·22毫米，確保切 下之鑽石塊不含生長扇區邊界。 15 樣品集合於scaife使用某個範圍的鑽石粉拋光至〇.1微 米。儘可能小心確保全部表面下方的損傷皆由試驗件移 除。最終拋光平台具有最精細礫度，對於控制最終表面瑕 疲分佈具有關鍵重要性。於拋光頂面及底面後，將試驗件 邊緣製備符合相同標準。拋光完成後，藉諾瑪斯基干涉反 20差檢驗表面，以及「顯微映射」來檢驗表面粗度。放大倍 率200倍之諾瑪斯基顯微鏡，顯示表面並無可見缺陷。由Ra 值定義之表面粗度係使用非接觸式光學表面粗度測量儀 (「微映射」）測定。於垂直方向作二系列長2〇〇微米之掃描， 所得Ra值求取平均，獲得小於0.25奈米之平均Ra值。如此與 43 1313308 典塑1奈米至5奈米之Ra值作比較，該Ra值係如同用於拋光 寶石等級天然鑽使用之技術拋光。 於最終拋光前施加另一離子束蝕刻階段至若干試驗件 表面。於最終拋光前採用另一項選擇性技術來以化學方式 減薄軾驗件。 10 15 20 扳強度係利用皁一懸臂梁1 〜…組巧回7旱系 0’2毫米試驗件個別之強度值，以GPa表示分別為150 . 1,63、2.50、3.26、3.30、4.15、4.29、4.83、5.12。分析4 資料集合及其它資料集合，提示最低值係來自於與其它7七 不同的族群’指示試驗件的準備不夠小心，未能避免對安 值造成的影響。即使含括兩個可疑資料點，77%^ ^具有斷裂強度至少2.5 GPa，資料提示實際強度超過 ★供比較用，於公開領域並無相當資料可供比較(全部E ^然鑽之強度測量值係㈣凹口測試，凹口測試法^ =可靠的方法，原因纽適當試驗件之取得有限），^ :抵五片IIa型天然鑽石板強度。鑽石板之選 石^微鏡⑽倍放大，小心檢查鑽石板不含任何造以 =的贼，藉相同技術製備及試驗。此級五個厚 %武驗件之個別強度值，以GPa表示為i別、2观、2 ^ 高特有刪限。同理，藉高, 叫此= 選出，使用相同技〜 示分别：ΓΓ5毫米之試驗件之強度值， 為1
44 1313308 1.54 M.6M.65M.72M.73M.98^ 2.17 〇 本發明CVD鑽石之強度顯然獨特，強度高於天然鑽或 HPHT 鑽。 π»強度鑽石之特殊應用係用於藉紅外光譜術供分析氣 5 體用之光窗。特定窗之古你 匈之直L為7毫米，有餘隙孔徑為5毫米， 環繞外側1毫米平括而砲 —面、！過銅知，可忍受200大氣壓之壓 差’具有安全因數=4。 斷裂強度與厚度t有關： t=V(3r2Pk/8CTb) 1〇 此處^為餘隙孔徑’ P為壓力，ab為斷裂強度 ，以及k為 約束因數’對鑽石而言，於邊緣未經約束之k=3.1，於邊緣 兀王約束之k 1.1 (作又设鑽石之普森比(ρο^⑽$㈣。)之值為 0.1)由於約束程度的測量困難，因此取邊緣未經約束的最 惡劣情況。 15 右於此項應用使用天然鑽窗(設計強度2.0 MPa)，則厚 度須為〇.54毫米。使用本發明之強單晶CVD鑽(設計強度3.〇 MPa) ’厚度縮小至〇44亳米。材料厚度的縮小可降低光窗 成本。 實施例3 一組3片同質磊晶C v D鑽石板係根據實施例丨所述方法 合成。製備成厚0.60-0.64毫米’橫向維度高達6毫米x6毫米 之光學板。對各個試驗件於波長589 6奈米記錄5掃描影像 集合’各影像涵蓋1毫米x〇.75毫米區。 對各個δ掃描sine δ影像使用100%資料分析| sin5 I最大 45 1313308 值，最大值顯示於如下I sinS I映射表。 試驗件E4.1之δ掃描映射表顯示如後，顯示於各個1毫 米χ0_75毫米訊框之| sin§ |最大值。 0.5 0.4 0.5 0.6 0.6 0.2 0. 1 0 2 0.2 0.6 0.4 0.2 0 2 0 3 0,3 0.3 0.3 0.1 0.3 0.5 0.2 0 .3 0.4 0.9 0.4 0.2 0.2 0. 7 0.3 0. 9 0. 6 0.6 0.8 0.8 0.7 0.9 5 分析如上資料顯示如下。 於2.0毫米χ2.25毫米區，|sins|最大值為〇.3。 於3.〇毫米x4.0毫米區，|sin5|最大值為〇6。 於5.25毫米χ4_0毫米區，|sinS|最大值為〇9。 試驗件E4.2之δ掃描映射表顯示如後，顯示於各個1毫 10米x〇.75毫米訊框之|sins|最大值。 46 1313308 0.4 0.5 0.7 0.8 0.6 0.2 0.3 0.4 0.4 0.9 0.6 0.3 0.3 0.4 0.5 0.6 0.3 0.3 0.3 0.4 0.6 0.4 0.3 0.3 0.3 0.2 0.5 0.7 0.3 0.2 0.2 0.2 0.7 0.8 0.5 0.2 0.2 0.3 分析如上資料顯示如下。 於2.0毫米x3.75毫米區，|sin5|最大值為0.3。 5 於3.0毫米x3.75毫米區，|sin5|最大值為0.4。 於4.0毫米x4.5毫米區，|sin5|最大值為0.7。 試驗件E4.3之δ掃描映射表顯示如後，顯示於各個1毫 米χθ.75毫米訊框之| sin5 |最大值。
0.4 0.6 0.9 0.9 0.5 0.6 0.9 0.8 0.9 0.4 0.2 0.5 0.9
0.3 0.2 0.2 0.1 0.5 0.5 0.4 0.2 0.2 0.1 0.6 0.5 0.4 0.2 0.2 0.2 0.5 0.6 0.6 0.4 0.4 0.5 0.6 47 1313308 分析如上資料顯示如下。 於3.0亳米x2.25毫米區’ |sins|最大值為〇.2。 於3.75毫米x3.0毫米區，|sinS|最大值為〇.6。 於4.0宅米X4.5毫米區，|sin5|最大值為〇_9。 5 實施例4 根據實施例1所述方法合成8組同質磊晶CVD鑽石層。 CVD鑽石層之橫向維度高達65毫米，厚度至多為32毫米。 由此CVD鑽石層，共製備48片板作為標準量具板，横向維 度典型為4.〇χ4·〇毫米，以及厚度約為125毫米。各板厚度 10係使用測微計測量至優於±0.25微米準確度。 各板於C-帶（197200-192200 GHz)之平均FSR係藉對垂 直入射光，最接近C-帶起點位置及終點位置之標準量具透 射畸峰，測量畸峰位置頻率而測定。使用1毫米直徑光束。 畸峰位置測得為準確度優於±0.5 GHz。有效FSR係將二畸峰 15 極端間之頻率間隔除以於透射光譜之週期數求出（對本標 準量具之厚度及頻帶而言，典型為100週期）。如此FSR之測 定誤差優於±10 MHz。 第6圖顯示對各鑽石板測量得之FSR，呈試驗件厚度倒 數之函數。由配合資料之最小平方直線斜率，使用方程式1 20 求出有效折射率，獲得平均有效折射率為： neff，av=2.39695 標準差為 ση=0.00045 距離平均值之最大偏差為： 48 13133〇8 △nmax=±0.00092 因此最大相對測量偏差為： η eff,av =±3.84x1 (Γ4 此測量 係由於材料 偏差係由於厚度d及FSR之測量誤差所致，以及 不均勻造成各試驗件之折射率變化AninhQm所致
Δη max ί Δηίη(10Π1 ) — — + n eff，av 1 n J meas l n J
誤差分析顯示因厚度d及FSR之測量誤差導致n之最大 相對測量誤差為：
=Ad | AFSR 0.25^ d 1.255 毫米 丨 10MHz 50GHz = ±4.0χ10_4 10 最大相對偏差Anmax/neff，av大半係由厚度（Ad)及 FSR(AFSR)之測量誤差決定。
故折射率值變化之上限Aninhc)m/n至少係優於±4χ 1 〇_4 實施例5 根據實施例1所述方法合成8組同質磊晶CVD鑽石層。 15 CVD鑽石層之橫向維度高達6.5毫米，厚度至多為3.2毫米。 由此CVD鑽石層，共製備48片板作為標準量具板，橫向維 度典型為4.0x4.0毫米’以及厚度約為1 25毫米。 各個標準量具板之反差比係如前述測定，結果作圖於 第7圖，此處實線指示理想標準量具之實際最大值，表面反 20 射率係由折射率測定。 49 1313308 cth ，1 + R〕2
vn + 1/ (此處之有效折射率並非欲使用之正確值，反而使用於 考慮頻率之實際折射率，其值為n=2.3856，如由賽爾彌耳 方程式（Sellmeier equation)測定，描述折射率的分散。此數 5 值係符合有效折射率測量值）。反差比之理論值為：
Cth=1.967
平均測量得之反差比為：
Cmeas，av=1.89 標準差為： 10 σ〇=±0.04 標準量具材料性質的任何不完美（容積不均）以及標準 量具製備上的任何不完美（平行度、平坦度及表面粗度不完 美）皆降低反差比。反差比一致地高，證實材料性質均勻且 標準量具之製備準確。
15 實施例6 根據實施例1所述方法合成8組同質磊晶CVD鑽石層。 CVD鑽石層之橫向維度高達6.5毫米，厚度至多為3.2毫米。 由此CVD鑽石層，共製備48片板作為標準量具板，橫向維 度典型為4.0χ4.0毫米，以及厚度約為1.25毫米。 20 9片標準量具板之平行度係使用Zygo GPI相移633奈米 雷射費左型干擾儀，使用含括於Zygo-GPI干擾儀軟體之角 度應用程式測量。 平行度係如下計算，透射通過標準量具之光束波前對 50 1313308 最小平方匹配平面之夾角相對於未受干擾光束之平面波前 之夾角求出。如此界定標準量具前方與後方之楔形角。 平均楔形角α為2.3至13.8弧度秒間變化，平均值為： aav=9.2弧度秒 5 以及標準差為： σα=3.5弧度秒 實施例7 根據實施例1所述方法合成8組同質磊晶CVD鑽石層。 CVD鑽石層之橫向維度高達6.5毫米，厚度至多為3.2毫米。 10 由此CVD鑽石層，共製備48片板作為標準量具板，橫向維 度典型為4.0χ4.0毫米，以及厚度約為1.25毫米。 48片標準量具板各自一表面之表面平坦度係使用Zygo GPI相移633奈米雷射費左型干擾儀，使用含括於Zygo-GPI 干擾儀軟體之角度應用程式測量。 15 於本應用，平坦度係定義為將平面匹配至測量值後， 最大峰-谷差異。第8圖顯示測得之表面平坦度值： 平均表面平坦度F為： F=51.1奈米或0.16邊帶 以及標準差為 20 σΡ=18·2奈米或0.058邊帶 實施例8 根據實施例1所述方法合成8組同質磊晶CVD鑽石層。 CVD鑽石層之橫向維度高達6.5毫米，厚度至多為3.2毫米。 由此CVD鑽石層，共製備48片板作為標準量具板，橫向維 51 1313308 度典型為4.0x4.0毫米，以及厚度為1.2510±0.00025毫米。 Μ片板之表面粗度係使用柴果新視野5000掃描白光干 擾儀，使用米樂型20倍放大干擾計量物件以及Zygo
MetroPro套裝軟體測定。放大倍率設定為IX。攝影機解析 5 度為640x460像素，具有20赫茲更新率。視野為0.36x0.27 毫米’橫向解析度為0.56微米。軟體帶通濾波器用來截除 空間頻率12.5及400線/毫米。做出匹配表面側續之最小平 方，其中去除於整體表面位置、角向及形式相關之活塞、 傾斜、倍率及散光。剩餘與如此界定參考面之偏差以帶通 10濾波器濾波，求出偏差之根均方值。發現如此測得之粗度 於板間變化為0.5奈米至L5奈#，平均值〇·92奈来及標準差 0.11奈米。當於整個4·〇χ4.〇毫米表面積以5個不同的隨機選 擇位置作測量時’標準量具板顯示小於〇〇5奈米之遠較小 的標準差。 15 實施例9 測定一組5個試驗件，其中5個試驗件為單晶CVD 個試驗件為Ila天然鑽，驗件細節列舉於下表卜 表1 .用於散射測量之試驗件
試驗件 編號
ID 厚度，微米 維度，毫米 SM1 2 SM2 SM3 4 SM4
AMI 1352 1471 4.61x4.28 5.74x5.56 ~ 1 I.— 4.96x3.34 (基於實Ifl之處理） --- 5 ppm N2 ----- ___ ppmN2 5 210xi〇2pa
1 ppm N2 ^(OOOppb)-Ila天然鑽 52 1313308 試驗件皆經過小心準備，經過光學拋光讓其主面儘可 能接近[001]，典型係於15度以内。 測量之前，全部試驗件皆於熱濃硫酸與硝酸鉀組成之 強氧化混合物内清潔，去除任何微量表面污染。清潔後， 小心避免表面再度污染任何可能造成額外表面散射效應的 物質。 10 測定於L064微米之總散射率（TSP)，根據前述方法測 定’數值示於表2。
I2 :五個接受研究試驗件於1.064微米之TSP值
資料顯示未蓄意添加氮之材料生長實質上散射程度比 添加右干氮生長所得材料之散射程度高。如此符合應力（如 雙折射顯示)較高之觀察。比較上，顯然於製程中有不同氣 農度以及不同處理壓力生長所得三個試驗件之差異相當 ^彳一有小量變化。不含氮生長之CVD鑽石以及Ha型天然 鑽之円散射值，顯示藉此處揭示方法合成之CVD鑽石之特 53 13133〇8 散射推定係由 殊政果’ Ila型天然鑽已知含有應力及差排 於類似機轉所造成。 實施例1〇 同質磊晶CVD鑽石層係根據實施例1所述方法合成。製 5備成光學板Ε1(λ1，有六個拋光{100}面，尺寸為4.00毫米 Χ3.65毫米χ1 31毫米。
對個別三個彼此垂直且正交於試驗件表面之觀視方 向於波長589.6奈米記錄δ掃描影像集合，各自涵蓋1毫米 x〇.75毫米。以前述方式，使用於訊框内所得之1〇〇%資料， 1〇對各個δ掃描δίηδ影像分析δίηδ最大值。 平行於鑽石板4.00毫米維度觀視方向記錄得之以“映 射表之最大sin§值為〇.1。同理，平行於鑽石板3.65毫米維度 觀視方向記錄得之sinS映射表之最大sins值為(^。然後對二 觀視方向各自計算平行於慢軸及快轴之偏振光折射率間之 15差異平均值之最大值Δη[㈣]，發現約等於3xl0·6。
觀視方向垂直於二最大維度且平行於131毫米維度所 侍值不於如下8ίηδ映射表。此觀視方向係對應mCVD鑽石層 之生長方向，如此係平行於材料差排主控方向。 试驗件E10.1之δ掃描映射表顯示如後，觀視方向係平 2〇仃於鑽石板之h31毫米維度，顯示於1毫米χθ.75毫米各個訊 框之丨sinS丨最大值。 54 1313308 0.1 0.2 ____-η 0.1 ———-~ 0.1 0.1 0.2 0.1 0.1 0.2 0.2 ______ 0.1 ^----- 0.1 0.3 0.2 0.2 ------ 0.2 0.2 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 ----- 0.1 於本觀視方向，各個訊框之對應Δη[+々]最大值可基於對 應sin5值及試驗件厚度計算，數值列舉如後： sin5 0.10 0.20 r—- 〇.3〇 Δη 7.2xl〇-6 1.4x10'5 - 」 2·2χΐ〇·5 --—-- 要求較高之光學用途，存在有較高應力之隨機散射點 或甚至單點構成限制。此種資料使用跨試驗件測得每個資 料像素’此種資料顯*使用本發明方法生長之材料於概略 跨整個試驗件从局部额件冑可達成㈣折射相關之極 低度應變。 實施例11 10 $根據實知例1之方法生長之單晶C VD鑽石試驗件以 及過退火之喊驗件之範圍進行定量發光測定。各種情況 下系；去除其上原先生長試驗件之{觸}合成lb基材後進 =。生長條件有利於形成具有均勾發光性質(藉發光成 主要為<1GG>生長扇區鑽石材料。任何於試驗件 15邊緣額外生長的有不同發光性質的小型扇區，皆於進行測 55 1313308 量前被去除 雷 使用前述方法於道測量發光性質，相對於1332鑽石 蒙線規度化說明）。簡結果_於 表3 :用仇恭虫描丨中i* 織件 雷蒙規度化575奈米 PL線強度 雷蒙規度化637| | PL線強度常木 件 退火處理 1 126.7 56.57 無(如所生長） ---- 無(如所生長） 2 101.3 50.8 ' 3 141.6 -—--- 67.8 無(如所生長） 4 1.09 -—-— 1.26 於1800°C於75千巴 24小時 5 1.99 0.76 於1950°C於75千巴 4小時 6 0.17 0.22 於2400°C於80千巴 4小_ 7 0.16 0.63 於2100°C於80千巴 24小時 8 1.09 0.68 於2250°C於80千巴 24 小 βϊ· 9 0.39 0.70 於2400°C於80千巴 4小時
575奈米及637奈米PL強度上限之絕對值部分係由生長 過程之氮濃度決定，但如此較佳係藉退火降低PL強度，如 此處證實。 實施例12 根據實施例1所述方法合成8組同質磊晶CVD鑽石板。 由此8組共製備48片板作為標準量具板，橫向維度典型為 3.5父3.5毫米，以及厚度約為1.255±0.005毫米。 源自4個不同組之6片標準量具板之光學均勻度，使用 56 1313308
Zygo GPI相移63 3奈米雷射費左型干擾儀測量。掃描區典型 為3.2x3.2毫米。 有效光學均勻度係於去除因長尺度形狀造成的變化之 後’以透射通過標準量具之光束與未受擾動光束之波前差 異之最大岭至谷變異(PV)定義。zygo 〇^干擾儀軟體選項 用來由波前差異去除傾斜，可去除試驗件正面與背面之非 平行度’而功率軟體及散光軟體選項去除表面曲率的累進 效應。藉此方式，於測量區折射率之最大變化可以如 係式定義 10 Δη 1Γ 於下表4 ’對只有去除傾斜之情況、以及對全部形狀因
素皆被去除之情況’將測得之H情況之PV 值比第-種情祕，指㈣某些由於板表面科坦所造成 15 的尺度形狀效應仍然存在，但無法排除藉此方式也可渡掉 若干折射率的（大規模）變化。 藉財式測得於鑽石板之有效光學非均句度^係小於 約8xl〇·5而大於約4xl〇_5。 得自不同生長集合之板間變化約為Ui〇_5。 57 1313308 表4:用於光學非均勻度測量之試驗件 試驗件 PV(邊帶） Δη(χ1〇·5) 去除傾斜 去除傾斜、 曲卓、散光 去除傾斜 去除傾斜、 曲Φ、散光 0005-2 0.262 0.221 6.6 5.6 0044-8 0.285 7.2 0044-10 0.344 0.141 8.7 3.6 0053-11 0.290 0.231 7.3 5.8 0052-2 0.320 0.279 8.1 7.1 0052-12 0.293 0.167 7.4 4.2 平均 7.6 5.3 標準差 0.7 1.4
實施例13 根據實施例1所述方法合成2組同質磊晶CVD鑽石板。 5 由此兩組製備50片未經塗覆之標準量具，具有橫向維度典 型為1.5x1.5毫米，厚約1.250毫米。對6具標準量具，插入 耗損之測定方式係經由使用直徑1.2毫米之針孔取中於標 準量具正面，於C-帶之開始及結束，如此於約192200 GHz 及197200 GHz測量各個標準量具透射光譜中之最大透射光 10 強度Ip而測定插入耗損。 於分開測定中，透射光強度I。係以相同頻率，不含標準 量具但有針孔進行測定。 透射光強度之相對差異係以插入耗損定義，根據方程 式5計算，列舉於表5。 58 1313308 由於數項因素的組合，實際標準量具的插入耗損比理 想標準量具(插入耗損為〇分貝）減少，最重要因素為入射光 於本體吸收，因表面光整不完美（表面粗度）造成表面散射、 以及外表面之非平行。由反差比之測量值不同，可推論對 5 此等標準量具而言不平行以及表面散射可解釋測量得之插 入耗損。 表5 :用於測量插入耗損之試驗件 標準量具編號 插入耗損(分貝） @197200 GHz @192200 GHz 1 -0.39 -0.38 2 -0.34 -0.34 3 -0.23 -0.23 4 -0.29 -0.34 5 -0.29 -0.28 6 -0.25 -0.23 實施例14 10 —定範圍之單晶鑽石試驗件係根據實施例1之概略方 法合成，此種方法之變化列舉於下表6。合成後，試驗件藉 小心表面拋光而製備成光學板，獲得所示維度。供比較用， 帶有光學拋光之光學等級複晶鑽也含括於隨後之測量。 59 1313308
表6:用於測量吸收之試驗件 試驗件 厚度 (微米） 直徑 (毫米） 氮漢度 (ppm，N2) 備註 E14.1 1352 4.12 5 330xl02Pa E14.2 606 5.08 1 E14.3 590 5.06 1 E14.4 1395 5.14 2.5 3.5%CH4 E14.5 608 5.09 0 光學等級複晶鑽 吸收之測量報告如前，結果顯示於下表7 : 表7 :用於測量吸收係數之試驗件 試驗件 吸收係數(厘米_1) 於10.6微米 於1.064微米 E14.1 0.0483 E14.2 0.0262 0.0071 E14.3 0.0264 0.0077 E14.4 - 0.0464 E14.5 0.0362 0.119
5 實施例15 根據實施例1之方法合成3組同質磊晶CVD鑽石層。 CVD鑽石層具有橫向維度高達6.5毫米及厚度高達3.2毫 米。由此CVD鑽石層，共製備11片標準量具板，厚度由1.250 毫米變化至1.258毫米。板厚度於數個位置使用測微計測量 10 至準確度優於±0.5微米。於此準確度範圍内，於各板未見 厚度變化。板之橫向維度顯示於表8。 60 1313308 表8:用於第9圖所示FSR測量用之試驗件 ID編號 長度(毫米） 寬度(毫米） 1 4.75 4.81 2 4.64 4.63 3 4.73 4.78 4 5.2 5.24 5 4.72 4.74 6 4.76 4.79 7 4.7 4.7 8 5.9 5.9 9 5.9 5.9 10 5.8 5.8 11 6.34 6.4
於C-帶（197200-192200 GHz)之FSR係對各個標準量具 板之若干位置(4至9個位置，平均6.7個位置）測定，測量方 5 式係對垂直入射光測量最接近C-帶起點位置及終點位置之 標準量具透射峰之尖峰位置頻率。由各個測量位置至下一 個最靠近的測量位置之距離至少為1.6毫米。使用1毫米直 徑光束，係使用有針孔陣列之金屬板固定於標準量具板界 定光束直徑。利用測微計於光束中移動板，讓各個位置可 10 分開照明。各個標準量具之有效FSR之計算方式係將二極端 尖峰之頻率間距除以透射光譜之週期數（用於此種標準量 具厚度及頻帶典型為100週期）。 對各片板求出一片板上全部位置之平均FSR，以及標 準差aFSR及最大誤差AFSRmax。 61 1313308 此種最大誤差定義為 AFSRmax = mpxpSRj-minpSRi] 2 此處指數i表示於板上的不同位置。 此等板之FSR約為1.66厘米-1。第9圖顯示不同標準量具 5板之FSR之標準差及最大誤差。平均標準差為办81^= 1·37χ1〇_4厘米—。最大誤差為3·5χ1〇-4厘米-!，最小誤差低抵 6.7xl〇_5厘米 _ι。
【囷式簡單説明】 第1圖為立體標準量具之示意侧視圖，顯示光束入射於 10 其第一表面之典型反射比及透射比圖案； 第2圖為立體標準量具典型透射特徵之線圖代表圖； 第3圖為吉爾土諾司標準ι具之典型反射特徵之線圖 代表圖；
第4圖為測量小鐵石試驗件於1.06微米之光散射用測 15量系統之代表圖； 第5圖為將得自第4圖系統之一維資料轉成二維資料之 代表圖； 第6圖為如實施例4所述’對鑽石試驗件作FSR測定呈 試驗件厚度倒數之函數之線圖代表圖 20 第7圖為如實施例5所述’本發明之接受測試的標準量 具板之反差比之線圖代表圖； 第8圖為如實施例7所述’本發明之接受測試之標準量 具板之表面平坦度測量值之線圖代表圖；以及 62 1313308 第9圖為如實施例15所述測得之FSR資料之線圖代表 圖。對11片CVD單晶板個別顯示其資料，以及顯示對板所 做FSR測定之標準差、以及任何測量值與平均值間之最大偏 差。 5 【圖式之主要元件代表符號表】 10，12…表面 28...偵測器 14...板 30…弧 20...雷射 32...未散射束 22...試驗件 34...散射束 24...散射束 36...換算資料 26...界限孔徑 63

Claims (1)

131娜 2753 魂專利申請案申請專利範圍修正本修正曰期98年4月 ‘ —‘Ί 更替換?ίί 拾、申請專利範圍：4 種化學氣相沉積(CVD)單晶鑽石材料，其當於室溫 (名目上20 C)測量時顯示至少一種下列特性：
1)商光學均勻度’透射波前與期望幾何波前(透射通 過具有規定厚度至少〇 5毫米且經加工處理成適當平坦
度之鑽石’以及於至少1.3毫米xl.3毫米之規定面積測量 期間）之差異係小於2邊帶，此處1邊帶係對應於於光路 後長度等於633奈米測量波長之1/2之差異； 11)低光學雙折射’指示低應變，因此於具有規定厚 度至少0.5毫米之試驗件’且以此處所述方式於至少1.3 毫米X1.3毫米規定面積測量時，相移之正弦模量| sin5 | 對試驗件之至少98%接受分析面積維持第一次羃(δ不超 過π/2)，以及| sin5 |不超過〇 9 ;
in)低光學雙折射’指示低應變，因此於具有規定厚 度至少0.5毫米之試驗件，且以此處所述方式於至少1.3 毫米xl.3毫米規定面積測量時，對1〇〇%接受分析之面積 而言，試驗件維持於第一次羃(δ不超過π/2);以及Δηρ均] (偏振成平行於慢軸及快軸之光之折射率間之差異於试 驗件厚度求取平均所得平均值）最大值不超過ι 5χ1〇-4; iv) 於具有規定厚度至少〇 5毫米之試驗件，以此處 所述方式於至少1.3毫米xl.3毫米之規定面積測量，有效 折射率之值為2.3964且於準；度士〇〇〇2之範圍； v) 光學特性之組合，讓鑽石材料製作成具有规定厚 度至少〇·5毫米之標準量具形式鑽石板，且使用具有波長 64 1313308 接近1.55微米及名目直徑丨.2毫米之雷射束於至少1.3毫 米xl.3毫米之規定面積測量時’具有於板上不同位置測 量得之自由光譜範圍（FSR)變化小於5χ1〇_3厘米“； vi)光學性質之組合’當鑽石材料製作成具有規定厚 5 度至少0.5毫米之法博派瑞特（Fabry-Perot)立體標準量 具形式之鑽石板，且使用具有波長接近丨.55微米及名目 直徑1.2毫米之雷射束於至少1.3毫米xl.3毫米之規定面 積測量時，以及未施用任何塗層至經過光學製備之表面 時，當於板上不同位置測量時，鑽石板具有反差比超過 10 1.5 ; vii) 光學特性之組合，讓鑽石材料製作成具有規定 厚度至少0.5毫米之標準量具形式鑽石板，且使用具有波 長接近1_55微米及直徑1.2毫米之雷射束於至少1.3毫米 xl.3毫米之規定面積測量時，其具有插入耗損不超過3 15 分貝； viii) 於感興趣體積（該體積包含具有規定厚度至少 0.5毫米之一層，以此處所述方式於至少ι·3毫米χ1.3毫 米之規定面積測量）之折射率變化係小於0.002。 2. 如申請專利範圍第1項之cvd單晶鑽石材料，其中該 20 透射波前與期望幾何波前之差異係小於0.5邊帶。 3. 如申請專利範圍第2項之CVD單晶鑽石材料，其中該 透射波前與期望幾何波前之差異係小於〇·2邊帶。 4. 如申請專利範圍第1項之CVD單晶鑽石材料，其中該 相移正弦模量|sin5|對至少98%分析面積維持於第 65 1313308 一次冪且不超過0.4。 5.如申請專利範圍第1項之CVD單晶鑽石材料，其中該 相移正弦模量I sinS |對至少100%分析面積維持於第 一次羃且此處An[平均]不超過5xl(T5。 5 6.如申請專利範圍第1項之CVD單晶鑽石材料，其具有 有效折射率值2.3964於準確度±0.001之範圍。 7. 如申請專利範圍第6項之CVD單晶鑽石材料，其具有 有效折射率值2.39695於準確度±0.0005之範圍。 8. 如申請專利範圍第1項之CVD單晶鑽石材料，當於材 10 料上不同位置測量時，其具有自由光譜範圍（FSR)之 變化小於2xl(T3厘米_1。 9. 如申請專利範圍第8項之CVD單晶鑽石材料，其中該 自由光譜範圍之變化係小於5χ10_4厘米-1。 10. 如申請專利範圍第1項之CVD單晶鑽石材料，其具有 15 藉規定厚度及規定面積所界定之體積，以此處所述 方式測量時，折射率變化係小於0.001。 11. 如申請專利範圍第10項之CVD單晶鑽石材料，其中 該折射率變化係小於0.0005。 12. 如申請專利範圍第1項之CVD單晶鑽石材料，其當製 20 備成法博派瑞特立體標準量具形式之鑽石板時，當 於具有規定厚度及規定面積之板上不同位置測量 時，具有反差比超過1.7。 13. 如申請專利範圍第12項之CVD單晶鑽石材料，其中 該反差比係超過1.8。 66 1313308 14. 如申請專利範圍第1項之CVD單晶鑽石材料，其當製 備成法博派瑞特立體標準量具形式之鑽石板時，當 使用具有波長接近1.55微米及直徑1.2毫米之雷射束 於具有規定厚度及規定面積之板上不同位置測量 5 時，具有插入耗損不超過1分貝。 15. 如申請專利範圍第14項之CVD單晶鑽石材料，其中 該插入耗損不超過0.5分貝。 16. 如申請專利範圍第1項之C V D單晶鑽石材料，其顯示 該等指定特性中之至少二者。 10 17.如申請專利範圍第16項之CVD單晶鑽石材料，其顯 示該等指定特性中之至少三者。 18. 如申請專利範圍第17項之CVD單晶鑽石材料，其顯 示該等指定特性中之至少四者。 19. 如申請專利範圍第1項之CVD單晶鑽石材料，其中於 15 各個特性中，試驗件之規定面積至少為2.5毫米x2.5 毫米。 20. 如申請專利範圍第19項之CVD單晶鑽石材料，其中 於各個特性中，試驗件之規定面積至少為4x4毫米。 21. 如申請專利範圍第1項之CVD單晶鑽石材料，其中於 20 各個特性中，試驗件之規定厚度至少為0.8毫米。 22_如申請專利範圍第21項之CVD單晶鑽石材料，其中 於各個特性中，試驗件之規定厚度至少為1.2毫米。 23.如申請專利範圍第1項之CVD單晶鑽石材料，其具有 575奈米畸峰及637奈米畸峰之雷蒙（Raman)規度化 67 1313308 發光強度係低於4〇。 24.如申請專利範圍第23項之CVD單晶鑽謂料，其具 有575奈米畸峰及637奈米畸峰之#蒙規度化發光強 度係低於10。 5 25.如申請專利範圍第24項之CVD單晶鑽石材料，其具 有575奈米崎峰及637奈米畸峰之雷蒙規度化發光強 度係低於3。 26.如申請專利範圍第丨項之CVD單晶鑽石材料，其具有 於2〇(：測得之導熱率係高於1800瓦米“iC1 (Wrn^K-1)。 10 27_如申請專利範圍第26項之CVD單晶鑽石材料，其中 β亥於20 C測得之導熱率係大於23〇〇瓦米-ικ-ι。 28·如申請專利範圍第1項之CVD單晶鑽石材料，其係呈 具有相對主面之板形式，其準備供使用，具有於板 之平均差排方向相對於主面法線方向大於3〇度角。 15 29·如申請專利範圍第1項之CVD單晶鑽石材料，其經退 火作為製備之一部分。 30.如申請專利範圍第丨項之CVD單晶鑽石材料，其於製 備後經退火。 3L如申睛專利範圍第1項之CVD單晶鑽石材料，其係成 2〇 形為—機械層、一光學層或一經拋光之寶石。 32·如申凊專利範圍第31項之CVD單晶鑽石材料，其係 成形為一經拋光之寶石。 33.如專利範圍第丨項之CVD單晶鑽石材料，其係超過至 少一種下列維度： 1313308 a) 橫向維度1毫米， b) 第二正交橫向維度1毫米， c) 厚度0.1毫米。 34. 如申請專利範圍第33項之CVD單晶鑽石材料，其中 5 一橫向維度係超過5毫米。 35. 如申請專利範圍第33或34項之CVD單晶鑽石材料， 其中該厚度維度係超過0.8毫米。 36. 如申請專利範圍第33項之CVD單晶鑽石材料，其係 超過維度a至c中之至少二者。 10 37.如申請專利範圍第36項之CVD單晶鑽石材料，其係 超過維度a至c之全部三者。 38. 如申請專利範圍第1項之CVD單晶鑽石材料，其係用 於或用作為一光學裝置或光學元件。 39. 如申請專利範圍第1項之CVD單晶鑽石材料，其藉 15 EPR測量含有少於5χ1017原子/立方厘米氮呈單一取 代形式。 40. 如申請專利範圍第39項之CVD單晶鑽石材料，其藉 EPR測量含有少於2χ1017原子/立方厘米氮呈單一取 代形式。 20 41.如申請專利範圍第1項之CVD單晶鑽石材料，其藉 EPR測量含有大於3χ1015原子/立方厘米氮呈單一取 代形式。 42.如申請專利範圍第41項之CVD單晶鑽石材料，其藉 EPR測量含有大於lxlO16原子/立方厘米氮呈單一取 69 1313308 代形式。 43.如申請專利範圍第42項之CVD單晶鑽石材料，其藉 EPR測量含有大於5xl016原子/立方厘米氮呈單一取 代形式。 5 44. 一種標準量具，其係由如申請專利範圍第1項之CVD 單晶鑽石材料製造。 45. 如申請專利範圍第44項之標準量具，其為法博派瑞 特標準量具或吉爾土諾司（Gires-Tournois)標準量具。 46. —種CVD單晶鑽石材料，其當於室溫（名目上20°C) 10 測量時，顯示如下至少一種特性： i)低且均勻之光散射，對具有規定厚度至少0.4毫米 之試驗件，以此處所述方式於至少1.3毫米xl.3毫米之規 定面積測量，於來自透射光束於3.5度至87.5度之立體角 積分時，於1.064微米之前向散射係小於0.4% ; 15 ii)低且均勻之光吸收，讓具有規定厚度至少0.5毫米 之試驗件具有於波長1.06微米之光吸收係數係小於0.09 厘米-1 ; iii)低且均勻之光吸收，讓具有規定厚度至少0.5毫 米之試驗件具有於波長10.6微米之光吸收係數係小於 20 0.04厘米-1。 47. 如申請專利範圍第46項之CVD單晶鑽石材料，其中 於具有規定厚度及規定面積之試驗件測量，由來自 透射光束於由3.5度至87.5度之立體角積分，於波長 1.064微米之前向散射係小於0.2%。 70 1313308 48. 如申請專利範圍第47項之CVD單晶鑽石材料，其具 有於1 · 0 64微米之前向散射係小於0 · 1 %。 49. 如申請專利範圍第46項之CVD單晶鑽石材料，其中 該於1.06微米之光吸收係數係小於0.05厘米胃1。 5 50.如申請專利範圍第49項之CVD單晶鑽石材料，其中 該於1.06微米之光吸收係數係小於0.02厘米4。 51. 如申請專利範圍第46項之CVD單晶鑽石材料，其中 該於10.6微米之光吸收係數係小於0.03厘米―1。 52. 如申請專利範圍第51項之CVD單晶鑽石材料，其中 10 該於10.6微米之光吸收係數係小於0.027厘米一。 53. 如申請專利範圍第46項之CVD單晶鑽石材料，其顯 示該等指定特性中之至少二者。 54. 如申請專利範圍第53項之CVD單晶鑽石材料，其顯 示全部三種該等指定特性。 15 55.如申請專利範圍第46項之CVD單晶鑽石材料，其中 該規定面積至少為2.5毫米x2.5毫米。 56. 如申請專利範圍第55項之CVD單晶鑽石材料，其中 該規定面積至少為4x4毫米。 57. 如申請專利範圍第46項之CVD單晶鑽石材料，其中 20 於各個特性中，試驗件之規定厚度至少為0.8毫米。 58. 如申請專利範圍第57項之CVD單晶鑽石材料，其中 於各個特性中，試驗件之規定厚度至少為1.2毫米。 59. 如申請專利範圍第46項之CVD單晶鑽石材料，其具 有575奈米畸峰及637奈米畸峰之雷蒙（Raman)規度 71 1313308 化發光強度係低於4〇。 60_如申請專利_第59項之CVD單晶鑽石材料，其具 有575奈米畸峰及637奈米畸峰之雷蒙規度化發光強 度係低於10。 5 61·如申請專利範圍第60項之CVD單晶鑽石材料，其具 有575奈米畸峰及637奈米畸峰之雷蒙規度化發光強 度係低於3。 62.如申4專利範圍第46項之CVD單晶鑽石材料，其具有 於贼測得之導熱率係高於1800瓦米-V (Wm-t1)。 1〇 63.如巾料利範圍第62項之CVD單㈣石材料，其中 該於20°C測得之導熱率係大於23〇〇瓦米.^。 64. 如申4專利範圍第46項之CVD單晶鑽石材料，其係 呈具有相對主面之板形式，其準備供使用，具有於 板之平均差排方向相對於主面法線方向大於3〇度 15 角。 65. 如申請專利範圍第46項之CVD翠晶鑽石材料，其經 退火作為製備之一部分。 66. 如申β專利範圍第46項之CVD單晶鑽石材料，其於 製備後經退火。 20 67.如申明專利範圍第46項之CVd單晶鑽石材料，其係 成形為—機械層、-光學層或—經拋光之寶石。 68. 如申請專利範圍第67項之CVD單晶鑽石材料其係 成形為一經拋光之寶石。 69. 如申请專利範圍第46項之CVD單晶鑽石材料，其係 72 1313308 超過至少一種下列維度： a) 橫向維度1毫米， b) 第二正交橫向維度1毫米， c) 厚度0.1毫米。 5 70.如申請專利範圍第69項之CVD單晶鑽石材料，其中 一橫向維度係超過5毫米。 71. 如申請專利範圍第69或70項之CVD單晶鑽石材料， 其中該厚度維度係超過0.8毫米。 72. 如申請專利範圍第46項之CVD單晶鑽石材料，其係 10 超過維度a至c中之至少二者。 73. 如申請專利範圍第72項之CVD單晶鑽石材料，其係 超過維度a至c之全部三者。 74. 如申請專利範圍第46項之CVD單晶鑽石材料，其係 用於或用作為一光學裝置或光學元件。 15 75.如申請專利範圍第46項之CVD單晶鑽石材料，其藉 EPR測量含有少於5xl017原子/立方厘米氮呈單一取 代形式。 76. 如申請專利範圍第75項之CVD單晶鑽石材料，其藉 EPR測量含有少於2xl017原子/立方厘米氮呈單一取 20 代形式。 77. 如申請專利範圍第46項之CVD單晶鑽石材料，其藉 EPR測量含有大於3xl015原子/立方厘米氮呈單一取 代形式。 78. 如申請專利範圍第77項之CVD單晶鑽石材料，其藉 73 1313308 EPR測量含有大於lxio16原子/立方厘米氮呈單一取 代形式。 79.如申請專利範圍第78項之CVD單晶鑽石材料，其藉 EPR測量含有大於5xl〇10原子/立方厘米氮呈單—取 5 代形式。 8〇.—種標準量具，其係由如申請專利範圍第46項之 CVD單晶鑽石材料製造。 81.如申請專利範圍第8〇項之標準量具，其為法博派瑞 特標準量具或吉爾土諾司（Gires-Tournois)標準量呈。 \ Q 〇 ry •—種CVD單晶鑽石材料，其當於室溫（名目上2〇。〇 測量時’顯示如下至少一種特性： i)可經加工處理而顯示高度表面拋光度，具有於至 少1.3毫米xl.3毫米之規定面積測量之Ra(距離貫穿侧繪 之平均線之絕對偏差之算術平均）係小於2奈米； 11)可經加工處理而顯示高度平坦度，具有使用 奈米輻射測量以及於至少U毫米χ1 3毫米之規定面積 測量之平坦度係優於1〇邊帶； m)可經加工處理而顯示高度平行度於至少I」毫 #Χ1·3毫米之規定面積測量之平行度係優於1弧度分 ζυ 鐘。 83. 如申請專利範圍第82項之CVD單晶鑽石材料，其可 &加工處理而顯示表面拋光度’具有Ra係小於磅 ° 84. 如申請專利範圍第83項之CVD單晶鑽石材料，其可 74 1313308 經加工處理而顯示表面拋光度，具有113係小於0.6奈 米。 85.如申請專利範圍第82項之CVD單晶鑽石材料，其可 經加工處理而顯示平坦度優於1邊帶。 5 86.如申請專利範圍第85項之CVD單晶鑽石材料，其可 經加工處理而顯示平坦度優於0.3邊帶。 87. 如申請專利範圍第82項之CVD單晶鑽石材料，其可 經加工處理而顯示平行度優於±30弧度秒。 88. 如申請專利範圍第87項之CVD單晶鑽石材料，其可 10 經加工處理而顯示平行度優於±15弧度秒。 89. 如申請專利範圍第82項之CVD單晶鑽石材料，其顯 示該等指定特性中之至少二者。 90. 如申請專利範圍第89項之CVD單晶鑽石材料，其顯 示全部三種該等指定特性。 15 91.如申請專利範圍第82項之CVD單晶鑽石材料，其中 於各個特性中，試驗件之規定面積至少為2.5毫米 χ2.5毫米。 92.如申請專利範圍第91項之CVD單晶鑽石材料，其中 於各個特性中，試驗件之規定面積至少為4x4毫米。 20 93.如申請專利範圍第82項之CVD單晶鑽石材料，其具 有575奈米畸峰及63 7奈米畸峰之雷蒙(Raman)規度 化發光強度係低於40。 94.如申請專利範圍第93項之CVD單晶鑽石材料，其具 有575奈米畸峰及637奈米畸峰之雷蒙規度化發光強 75 1313308 度係低於10。 5 10 95.如申請專利範圍第94項之CVD單晶鑽石材料，其具 有575奈米畸峰及637奈米畸峰之雷蒙規度化發光強 度係低於3。 96·如申請專利範圍第82項之CVD單晶鑽石材料，其具有 於2〇C測得之導熱率係高於1800瓦米^κ-1 (Wn^K·1)。 97.如申請專利範圍第％項之CVD單㈣石材料，其中 該於2(TC測得之導熱率係大於23〇〇瓦米-ljcl。 98_如申請專利範圍第82項之⑽單晶鑽石材料，其係 呈具有相對主面之板形式，其準備供使用，具有於 板之平均差排方向相對於主面法線方向大於3〇度 角。 15 士申"月專利$已圍第82項之CVD單晶鑽石材料，其經 退火作為製備之一部分。 100. 20 如申請專利範圍第8 2項之cv D單晶鑛石材料，多 於製備後經退火。 1〇1r如申請專利範圍第82項之CVD單晶鑽石材料，多 成形為—機械層、一光學層或-經拋光之寶石。 如申。月專利範圍第1〇1項之cvd單晶鑽石材料， ”係成形為一經拋光之寶石。 1 〇3 梅如申請專利範圍第8 2項之C v D單晶鑽石材料，肩 係超過至少-種下列維度： 102. a) 橫向維度1毫米， b) 第二正交橫向維度丨毫米， 76 1313308 c)厚度0.1毫米。 104. 如申請專利範圍第103項之CVD單晶鑽石材料， 其中一橫向維度係超過5毫米。 105. 如申請專利範圍第103或104項之CVD單晶鑽石 5 材料，其中該厚度維度係超過0.8毫米。 106. 如申請專利範圍第103項之CVD單晶鑽石材料， 其係超過維度a至c中之至少二者。 107. 如申請專利範圍第106項之CVD單晶鑽石材料， 其係超過維度a至c之全部三者。 10 108. 如申請專利範圍第82項之CVD單晶鑽石材料，其 係用於或用作為一光學裝置或光學元件。 109. 如申請專利範圍第82項之CVD單晶鑽石材料，其 藉EPR測量含有少於5χ1017原子/立方厘米氮呈單一 取代形式。 15 110. 如申請專利範圍第109項之CVD單晶鑽石材料， 其藉EPR測量含有少於2χ 1017原子/立方厘米氮呈單 一取代形式。 111. 如申請專利範圍第8 2項之C V D單晶鑽石材料，其 藉EPR測量含有大於3χ1015原子/立方厘米氮呈單一 20 取代形式。 112. 如申請專利範圍第111項之CVD單晶鑽石材料， 其藉EPR測量含有大於1X1016原子/立方厘米氮呈單 一取代形式。 113. 如申請專利範圍第112項之CVD單晶鑽石材料， 77 !3133〇8 其藉EPR測量含有大於5χ1〇16原子/立方厘米氮呈單 —取代形式。 4_ 種私準量具，其係由如申請專利範圍第82項之 CVD單晶鑽石材料製造。 115'如申請專利範圍第U4項之標準量具，其為法博 派瑞特標準量具或吉爾土諾司（Gires-Tournois)標準量 具。 116.-種CVD^鑽石材料，其以此處所述方式測 量，顯示機械設計強度為於至少為8之批次大小測試 時至少70%測試試驗件唯有於強度值至少為2 5 Gpa 時才不通過。 117·如申請專利範圍第116項之CVD單晶鑽石材料， 其中於至少8之批次大小測試時，至少7〇%接受測試 之試驗件唯有於強度值至少為3〇(}1^時才不通過。 15 118.如申請專利範圍第116項之CVD單晶鑽石材料， 其具有575奈米抖及637奈采畸峰之雷蒙(Raman) 規度化發光強度係低於40。 119.如申請專利範圍第118項之CVD單晶鑽石材料， 其具有575奈米畸峰及637奈米畸峰之雷蒙規度化發 20 光強度係低於10。 120如申請專利範圍第119項之CVD單晶鑽石材料， 其具有575奈米畸峰及637奈米畸峰之雷蒙規度化發 光強度係低於3。 121.如申請專利範圍第116項之CVD單晶鑽石材料， 78 1313308 其具有於20°C測得之導熱率係高於1800瓦米―1；^1 (Wm-1K-1)。 122. 如申請專利範圍第121項之CVD單晶鑽石材料， 其中該於20°C測得之導熱率係大於2300瓦米“K—1。 5 123. 如申請專利範圍第116項之CVD單晶鑽石材料， 其係呈具有相對主面之板形式，其準備供使用，具 有於板之平均差排方向相對於主面法線方向大於30 度角。 124. 如申請專利範圍第116項之CVD單晶鑽石材料， 10 其經退火作為製備之一部分。 125. 如申請專利範圍第116項之CVD單晶鑽石材料， 其於製備後經退火。 126. 如申請專利範圍第116項之CVD單晶鑽石材料， 其係成形為一機械層、一光學層或一經抛光之寶石。 15 127. 如申請專利範圍第126項之CVD單晶鑽石材料， 其係成形為一經拋光之寶石。 128. 如申請專利範圍第116項之CVD單晶鑽石材料， 其係超過至少一種下列維度： a)橫向維度1毫米， 20 b)第二正交橫向維度1毫米， c)厚度0.1毫米。 129. 如申請專利範圍第128項之CVD單晶鑽石材料， 其中一種橫向維度係超過5毫米。 130. 如申請專利範圍第128或129項之CVD單晶鑽石 79 1313308 材料，其中該厚度維度係超過0.8毫米。 131. 如申請專利範圍第128項之CVD單晶鑽石材料， 其係超過維度a至c中之至少二者。 132. 如申請專利範圍第131項之CVD單晶鑽石材料， 5 其係超過維度a至c之全部三者。 133. 如申請專利範圍第116項之CVD單晶鑽石材料， 其係用於或用作為一光學裝置或光學元件。 134. 如申請專利範圍第116項之CVD單晶鑽石材料， 其藉EPR測量含有少於5xl017原子/立方厘米氮呈單 10 一取代形式。 135. 如申請專利範圍第134項之CVD單晶鑽石材料， 其藉EPR測量含有少於2xl017原子/立方厘米氮呈單 一取代形式。 136. 如申請專利範圍第116項之CVD單晶鑽石材料， 15 其藉EPR測量含有大於3χ1015原子/立方厘米氮呈單 一取代形式。 137. 如申請專利範圍第136項之CVD單晶鑽石材料， 其藉EPR測量含有大於lxlO16原子/立方厘米氮呈單 一取代形式。 20 138. 如申請專利範圍第137項之CVD單晶鑽石材料， 其藉EPR測量含有大於5xl016原子/立方厘米氮呈單 一取代形式。 139. 一種標準量具，其係由如申請專利範圍第116項 之CVD單晶鑽石材料製造。 80 1313308 140. 如申請專利範圍第139項之標準量具，其為法博 派瑞特標準量具或吉爾土諾司（Gires-Tournois)標準量 具。 141. 一種製造適合供光學應用之CVD鑽石材料之方 5 法，包括下列步驟：提供一實質不含晶體缺陷之基 材，提供一種來源氣體，解離該來源氣體而產生一 含有300 ppb至5 ppm氮氣（以分子氮計算）之合成氣 氛，以及允許於該實質不含晶體缺陷之表面上進行 同質蠢晶鑽石生長。 10 142. 如申請專利範圍第141項之方法，其中以分子氮 計算，該合成氣氛含有大於500 ppb氮氣。 143. 如申請專利範圍第142項之方法，其中以分子氮 計算，該合成氣氛含有大於800 ppb氮氣。 144. 如申請專利範圍第141項之方法，其中以分子氮 15 計算，該合成氣氛含有不大於2 ppm氮氣。 145. 如申請專利範圍第144項之方法，其中以分子氮 計算，該合成氣氛含有不大於1.5 ppm氮氣。 146. 如申請專利範圍第141項之方法，其中該氮氣濃 度經選擇為足夠預防或減少局部應變產生缺陷，同 20 時又夠低而可防止或減少不利吸收及晶體品質低 劣。 147. 如申請專利範圍第141項之方法，其中該缺陷密 度使得與缺陷相關之表面蝕刻結構低於5xl03/平方 毫米。 81 1313308 148.如申請專利範圍第147項之方法，其中該缺陷密 度使得與缺陷相關之表面蝕刻結構低於102/平方毫 米。 149·如申請專利範圍第141項之方法，其中該CVD鑽 石於其上生長之鑽石基材表面為{100}表面。 150.如申請專利範圍第141項之方法，其中該氮氣濃 度係控制成誤差低於300 ppb(以總氣體容積之分子 刀里表示）、或控制為氣相目標值之10%，視何者為 車父大而定D 10 151 *如申請專利範圍第150項之方法，其中該氮氣濃 度係控制成誤差低於1 〇〇 ppb(以總氣體容積之分子 分量表示）、或控制為氣相目標值之3%，視何者為較 大而定。 15 52'如申請專利範圍第151項之方法，其中該氮氣濃 度係控制成誤差低於5〇 ppb(以總氣體容積之分子分 里表示）、或控制為氣相目標值之2%，視何者為較大 而定。 3·如申請專利範圍第141項之方法，其中所製造之 CVD單晶鑽石材料性質可經由將鑽石材料退火而進 —步提升。 種CVD單re鑽石材料，其係經由如申請專利範 圍第141項之方法製造。 155.—種標準量具，其係由如申請專利範圍第154項 之CVD單晶鑽石材料製造。 82 1313308 156. 如申請專利範圍第155項之標準量具，其為法博 派瑞特標準量具或吉爾土諾司（Gires-Tournois)標準 量具。 83
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8658578B2 (en) 2010-12-29 2014-02-25 Industrial Technology Research Institute Lubricating oil composition and method for manufacturing the same

Families Citing this family (92)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
ATE407237T1 (de) * 2000-06-15 2008-09-15 Element Six Pty Ltd Einkristalldiamant hergestellt durch cvd
EP1632590B1 (en) * 2000-06-15 2017-01-11 Element Six Technologies Limited Thick single crystal diamond layer, method for making it, and gemstones produced from the layer
GB0130004D0 (en) * 2001-12-14 2002-02-06 Diamanx Products Ltd Coloured diamond
GB0130005D0 (en) * 2001-12-14 2002-02-06 Diamanx Products Ltd Boron doped diamond
ATE489490T1 (de) * 2002-09-06 2010-12-15 Element Six Ltd Verfahren zum ändern die farbe eines cvd-artigen diamanteinkristalles und dadurch hergestellte diamant-schicht
GB0221949D0 (en) 2002-09-20 2002-10-30 Diamanx Products Ltd Single crystal diamond
GB0227261D0 (en) 2002-11-21 2002-12-31 Element Six Ltd Optical quality diamond material
GB0317854D0 (en) * 2003-07-30 2003-09-03 Element Six Ltd Method of manufacturing diamond substrates
AU2005219894A1 (en) * 2004-03-02 2005-09-15 The University Of Melbourne A photon source
CA2549283A1 (en) * 2004-11-05 2006-05-11 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Single-crystal diamond
JP5594613B2 (ja) * 2005-04-15 2014-09-24 住友電気工業株式会社 単結晶ダイヤモンドおよびその製造方法
JP5002982B2 (ja) † 2005-04-15 2012-08-15 住友電気工業株式会社 単結晶ダイヤモンドの製造方法
GB0508889D0 (en) * 2005-04-29 2005-06-08 Element Six Ltd Diamond transistor and method of manufacture thereof
GB0513932D0 (en) * 2005-07-08 2005-08-17 Element Six Ltd Single crystal diamond elements having spherical surfaces
US20070110657A1 (en) * 2005-11-14 2007-05-17 Hunter Charles E Unseeded silicon carbide single crystals
TWI410538B (zh) * 2005-11-15 2013-10-01 Carnegie Inst Of Washington 建基於以快速生長速率製造之單晶ｃｖｄ鑽石的新穎鑽石的用途／應用
US7238088B1 (en) * 2006-01-05 2007-07-03 Apollo Diamond, Inc. Enhanced diamond polishing
JP5284575B2 (ja) * 2006-10-31 2013-09-11 住友電気工業株式会社 ダイヤモンド単結晶及びその製造方法
EP2118335A1 (en) 2007-01-22 2009-11-18 Element Six Limited High uniformity boron doped diamond material
SG157973A1 (en) * 2008-06-18 2010-01-29 Indian Inst Technology Bombay Method for growing monocrystalline diamonds
WO2009158507A2 (en) * 2008-06-26 2009-12-30 Saint-Gobain Abrasives, Inc. Chemical mechanical planarization pad conditioner and method of forming
GB0813490D0 (en) 2008-07-23 2008-08-27 Element Six Ltd Solid state material
GB0813491D0 (en) 2008-07-23 2008-08-27 Element Six Ltd Diamond Material
US8546742B2 (en) 2009-06-04 2013-10-01 Zena Technologies, Inc. Array of nanowires in a single cavity with anti-reflective coating on substrate
US20110115041A1 (en) * 2009-11-19 2011-05-19 Zena Technologies, Inc. Nanowire core-shell light pipes
US8889455B2 (en) 2009-12-08 2014-11-18 Zena Technologies, Inc. Manufacturing nanowire photo-detector grown on a back-side illuminated image sensor
US20100304061A1 (en) * 2009-05-26 2010-12-02 Zena Technologies, Inc. Fabrication of high aspect ratio features in a glass layer by etching
US9478685B2 (en) 2014-06-23 2016-10-25 Zena Technologies, Inc. Vertical pillar structured infrared detector and fabrication method for the same
US9299866B2 (en) 2010-12-30 2016-03-29 Zena Technologies, Inc. Nanowire array based solar energy harvesting device
US8866065B2 (en) 2010-12-13 2014-10-21 Zena Technologies, Inc. Nanowire arrays comprising fluorescent nanowires
US8274039B2 (en) 2008-11-13 2012-09-25 Zena Technologies, Inc. Vertical waveguides with various functionality on integrated circuits
US8890271B2 (en) 2010-06-30 2014-11-18 Zena Technologies, Inc. Silicon nitride light pipes for image sensors
US9515218B2 (en) 2008-09-04 2016-12-06 Zena Technologies, Inc. Vertical pillar structured photovoltaic devices with mirrors and optical claddings
US8384007B2 (en) 2009-10-07 2013-02-26 Zena Technologies, Inc. Nano wire based passive pixel image sensor
US9000353B2 (en) 2010-06-22 2015-04-07 President And Fellows Of Harvard College Light absorption and filtering properties of vertically oriented semiconductor nano wires
US8299472B2 (en) * 2009-12-08 2012-10-30 Young-June Yu Active pixel sensor with nanowire structured photodetectors
US8229255B2 (en) * 2008-09-04 2012-07-24 Zena Technologies, Inc. Optical waveguides in image sensors
US8835831B2 (en) 2010-06-22 2014-09-16 Zena Technologies, Inc. Polarized light detecting device and fabrication methods of the same
US8519379B2 (en) 2009-12-08 2013-08-27 Zena Technologies, Inc. Nanowire structured photodiode with a surrounding epitaxially grown P or N layer
US9343490B2 (en) 2013-08-09 2016-05-17 Zena Technologies, Inc. Nanowire structured color filter arrays and fabrication method of the same
US8748799B2 (en) 2010-12-14 2014-06-10 Zena Technologies, Inc. Full color single pixel including doublet or quadruplet si nanowires for image sensors
US9082673B2 (en) 2009-10-05 2015-07-14 Zena Technologies, Inc. Passivated upstanding nanostructures and methods of making the same
US8507840B2 (en) 2010-12-21 2013-08-13 Zena Technologies, Inc. Vertically structured passive pixel arrays and methods for fabricating the same
US9406709B2 (en) 2010-06-22 2016-08-02 President And Fellows Of Harvard College Methods for fabricating and using nanowires
US8269985B2 (en) * 2009-05-26 2012-09-18 Zena Technologies, Inc. Determination of optimal diameters for nanowires
US8735797B2 (en) 2009-12-08 2014-05-27 Zena Technologies, Inc. Nanowire photo-detector grown on a back-side illuminated image sensor
US8791470B2 (en) 2009-10-05 2014-07-29 Zena Technologies, Inc. Nano structured LEDs
EP2446069B1 (en) * 2009-06-26 2018-08-08 Element Six Technologies Limited Method for treating single crystal cvd diamond and product obtained
US8986646B2 (en) 2009-06-26 2015-03-24 Element Six Technologies Limited Diamond material
GB2476478A (en) 2009-12-22 2011-06-29 Element Six Ltd Chemical vapour deposition diamond synthesis
US10273598B2 (en) 2009-12-22 2019-04-30 Element Six Technologies Limited Synthetic CVD diamond
GB201000768D0 (en) * 2010-01-18 2010-03-03 Element Six Ltd CVD single crystal diamond material
US9017633B2 (en) 2010-01-18 2015-04-28 Element Six Technologies Limited CVD single crystal diamond material
JP2013520804A (ja) * 2010-02-24 2013-06-06 マックォーリー・ユニバーシティ 中赤外から遠赤外のダイヤモンド・ラマンレーザーシステム及び方法
DE102010010948A1 (de) * 2010-03-10 2011-09-15 Karl Storz Gmbh & Co. Kg Schwenkprismenendoskop
GB201013112D0 (en) 2010-08-04 2010-09-22 Element Six Ltd A diamond optical element
SG179318A1 (en) * 2010-09-27 2012-04-27 Gemesis Company S Pte Ltd Method for growing white color diamonds by using diborane and nitrogen in combination in a microwave plasma chemical vapor deposition system
CN103621165A (zh) 2011-06-29 2014-03-05 日本电气株式会社 无线传输系统、无线传输设备、无线传输方法和计算机可读介质
JP2015501883A (ja) * 2011-12-16 2015-01-19 エレメント シックス テクノロジーズ リミテッド 大面積高光学的特性型合成多結晶ダイヤモンド窓
GB201121640D0 (en) * 2011-12-16 2012-01-25 Element Six Ltd Large area optical synthetic polycrystalline diamond window
GB201121642D0 (en) 2011-12-16 2012-01-25 Element Six Ltd Single crtstal cvd synthetic diamond material
JP5527628B2 (ja) * 2012-04-09 2014-06-18 住友電気工業株式会社 ダイヤモンド単結晶
GB201307321D0 (en) * 2013-04-23 2013-05-29 Element Six Ltd Synthetic diamond optical elements
US10012769B2 (en) * 2013-03-06 2018-07-03 Element Six Technologies Limited Synthetic diamond optical elements
GB201307312D0 (en) * 2013-04-23 2013-05-29 Element Six Ltd Synthetic diamond optical elements
US20140272108A1 (en) 2013-03-15 2014-09-18 Plasmability, Llc Toroidal Plasma Processing Apparatus
EP2985368B1 (en) 2013-04-09 2023-08-30 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Single crystal diamond and diamond tool
US9957640B2 (en) 2013-04-30 2018-05-01 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Single crystal diamond and diamond tool
GB201320302D0 (en) * 2013-11-18 2014-01-01 Element Six Ltd Diamond components for quantum imaging sensing and information processing devices
GB201320304D0 (en) * 2013-11-18 2014-01-01 Element Six Ltd Methods of fabricating synthetic diamond materials using microwave plasma actived chemical vapour deposition techniques and products obtained using said
US9469918B2 (en) 2014-01-24 2016-10-18 Ii-Vi Incorporated Substrate including a diamond layer and a composite layer of diamond and silicon carbide, and, optionally, silicon
WO2015193156A1 (en) * 2014-06-16 2015-12-23 Element Six Technologies Limited Synthetic diamond optical elements
JP6708972B2 (ja) * 2014-07-22 2020-06-10 住友電気工業株式会社 単結晶ダイヤモンドおよびその製造方法、単結晶ダイヤモンドを含む工具、ならびに単結晶ダイヤモンドを含む部品
CN107810542A (zh) 2015-05-21 2018-03-16 普拉斯玛比利提有限责任公司 具有成形工件夹具的环形等离子体处理装置
GB201516814D0 (en) 2015-09-23 2015-11-04 Element Six Technologies Ltd Method of fabricating a plurality of single crystal CVD synthetic diamonds
US10584412B2 (en) 2016-03-08 2020-03-10 Ii-Vi Delaware, Inc. Substrate comprising a layer of silicon and a layer of diamond having an optically finished (or a dense) silicon-diamond interface
JP6843989B2 (ja) * 2016-11-10 2021-03-17 エレメント シックス テクノロジーズ リミテッド 厚い単結晶ダイヤモンド材料の化学気相成長による合成
GB201620413D0 (en) * 2016-12-01 2017-01-18 Element Six Tech Ltd Single crystal synthetic diamond material via chemical vapour deposition
GB201620415D0 (en) * 2016-12-01 2017-01-18 Element Six Tech Ltd Single crystal synthetic diamond material via chemical vapour deposition
EP3373052A1 (de) * 2017-03-06 2018-09-12 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Halbzeug, verfahren zu dessen herstellung und damit hergestellte komponente
JP7088194B2 (ja) 2017-08-15 2022-06-21 住友電気工業株式会社 固体炭素含有材料加工体、その製造方法およびその製造装置
JP7099462B2 (ja) * 2017-08-15 2022-07-12 住友電気工業株式会社 固体炭素含有材料加工体およびその製造方法
GB201811162D0 (en) 2018-07-06 2018-08-29 Element Six Tech Ltd Method of manufacture of single crystal synthetic diamond material
CN108840321A (zh) * 2018-07-10 2018-11-20 中喜（宁夏）新材料有限公司 天然气基石墨烯纳米金钢石联产炭黑的方法
WO2020081965A1 (en) * 2018-10-19 2020-04-23 Adamas Nanotechnologies, Inc. Method of producing fluorescent diamond particles
GB201904435D0 (en) 2019-03-29 2019-05-15 Element Six Tech Ltd Single crystal synthetic diamond material
CA3168480A1 (en) * 2020-01-20 2021-07-29 M7D Corporation Method of growing larger diamonds
GB2618050A (en) 2021-08-24 2023-11-01 Element Six Tech Ltd Raman laser system
GB2614522B (en) 2021-10-19 2024-04-03 Element Six Tech Ltd CVD single crystal diamond
GB2614521A (en) 2021-10-19 2023-07-12 Element Six Tech Ltd CVD single crystal diamond
GB2614526A (en) 2021-11-16 2023-07-12 Element Six Tech Ltd Method and apparatus for processing diamond surface
CN114486191A (zh) * 2022-01-18 2022-05-13 湖北航天技术研究院总体设计所 一种激光负载能力测试系统及方法

Family Cites Families (48)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4174380A (en) 1976-07-21 1979-11-13 General Electric Company Annealing synthetic diamond type Ib
US4124690A (en) 1976-07-21 1978-11-07 General Electric Company Annealing type Ib or mixed type Ib-Ia natural diamond crystal
NL8006321A (nl) 1980-11-19 1982-06-16 Eduard Anton Burgemeister Werkwijze en inrichting voor het detecteren van ioniserende straling.
JPS617494A (ja) 1984-06-21 1986-01-14 株式会社東芝 制御棒駆動水圧装置
US4714174A (en) 1986-09-23 1987-12-22 Williams James A Spill proof container
JP2571795B2 (ja) 1987-11-17 1997-01-16 住友電気工業株式会社 紫色ダイヤモンドおよびその製造方法
US5270028A (en) 1988-02-01 1993-12-14 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Diamond and its preparation by chemical vapor deposition method
JPH0288498A (ja) 1988-06-13 1990-03-28 Sumitomo Electric Ind Ltd ダイヤモンドレーザ結晶およびその作製方法
JP2730144B2 (ja) 1989-03-07 1998-03-25 住友電気工業株式会社 単結晶ダイヤモンド層形成法
US5127983A (en) 1989-05-22 1992-07-07 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Method of producing single crystal of high-pressure phase material
US6162412A (en) * 1990-08-03 2000-12-19 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Chemical vapor deposition method of high quality diamond
US5989511A (en) * 1991-11-25 1999-11-23 The University Of Chicago Smooth diamond films as low friction, long wear surfaces
FR2688098B1 (fr) 1992-03-02 1994-04-15 Lair Liquide Laser de puissance a fenetre diamant non revetue.
US5443032A (en) * 1992-06-08 1995-08-22 Air Products And Chemicals, Inc. Method for the manufacture of large single crystals
RU2006538C1 (ru) * 1992-07-14 1994-01-30 Акционерное общество "Компакт Лтд" Способ выращивания алмазов
US5382809A (en) 1992-09-14 1995-01-17 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Semiconductor device including semiconductor diamond
JPH06107494A (ja) 1992-09-24 1994-04-19 Sumitomo Electric Ind Ltd ダイヤモンドの気相成長法
US5474021A (en) 1992-09-24 1995-12-12 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Epitaxial growth of diamond from vapor phase
JP3314444B2 (ja) 1993-03-15 2002-08-12 住友電気工業株式会社 赤色ダイヤモンドおよび桃色ダイヤモンド
US5625638A (en) * 1993-05-28 1997-04-29 Coherent, Inc. Sealed crystalline windows for hollow laser fibers
KR100269924B1 (ko) * 1993-10-08 2000-11-01 하지메 히토추야나기 합성 다이아몬와 그 제조방법
JPH07331441A (ja) 1994-03-11 1995-12-19 General Electric Co <Ge> 強化された化学蒸着ダイヤモンド
EP0674028A3 (en) 1994-03-25 1996-04-03 Tokyo Gas Co Ltd Diamond crystal and process for its manufacture.
JP3484749B2 (ja) * 1994-04-04 2004-01-06 住友電気工業株式会社 ダイヤモンドの合成法
US5451430A (en) 1994-05-05 1995-09-19 General Electric Company Method for enhancing the toughness of CVD diamond
JP4291886B2 (ja) 1994-12-05 2009-07-08 住友電気工業株式会社 低欠陥ダイヤモンド単結晶及びその合成方法
JP4032482B2 (ja) 1997-04-18 2008-01-16 住友電気工業株式会社 単結晶ダイヤモンドの製造方法
JPH1149596A (ja) 1997-07-14 1999-02-23 De Beers Ind Diamond Div Ltd ダイヤモンド
JP3168961B2 (ja) * 1997-10-06 2001-05-21 住友電気工業株式会社 ダイヤモンド基板及びダイヤモンド基板の評価方法並びにダイヤモンド表面弾性波フィルタ
US20010031237A1 (en) 1998-09-28 2001-10-18 Suresh Shankarappa Vagarali High pressure/high temperature production of colorless and fancy colored diamonds
US20020081260A1 (en) 1997-10-17 2002-06-27 Suresh Shankarappa Vagarali High pressure/high temperature production of colorless and fancy colored diamonds
US20020172638A1 (en) 1997-10-17 2002-11-21 General Electric Company High pressure/high temperature production of colorless and fancy colored diamonds
US6582513B1 (en) * 1998-05-15 2003-06-24 Apollo Diamond, Inc. System and method for producing synthetic diamond
WO2001014050A1 (en) 1999-08-25 2001-03-01 General Electric Company High pressure/high temperature production of colored diamonds
CN1254305C (zh) 2000-03-31 2006-05-03 六号元素(控股)公司 金刚石的高温/高压变色
GB0007887D0 (en) 2000-03-31 2000-05-17 De Beers Ind Diamond Colour change of diamond
EP1632590B1 (en) 2000-06-15 2017-01-11 Element Six Technologies Limited Thick single crystal diamond layer, method for making it, and gemstones produced from the layer
ATE407237T1 (de) * 2000-06-15 2008-09-15 Element Six Pty Ltd Einkristalldiamant hergestellt durch cvd
IL154390A0 (en) 2000-08-11 2003-09-17 Gen Electric High pressure and high temperature production of diamonds
US6729405B2 (en) * 2001-02-15 2004-05-04 Bj Services Company High temperature flexible cementing compositions and methods for using same
GB0130005D0 (en) * 2001-12-14 2002-02-06 Diamanx Products Ltd Boron doped diamond
GB0130004D0 (en) * 2001-12-14 2002-02-06 Diamanx Products Ltd Coloured diamond
ATE489490T1 (de) 2002-09-06 2010-12-15 Element Six Ltd Verfahren zum ändern die farbe eines cvd-artigen diamanteinkristalles und dadurch hergestellte diamant-schicht
GB0221949D0 (en) 2002-09-20 2002-10-30 Diamanx Products Ltd Single crystal diamond
GB0227261D0 (en) * 2002-11-21 2002-12-31 Element Six Ltd Optical quality diamond material
KR101240785B1 (ko) * 2003-12-12 2013-03-07 엘리멘트 식스 리미티드 화학적 증착 다이아몬드에 마크를 통합시키는 방법
US8986646B2 (en) * 2009-06-26 2015-03-24 Element Six Technologies Limited Diamond material
US9017633B2 (en) * 2010-01-18 2015-04-28 Element Six Technologies Limited CVD single crystal diamond material

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8658578B2 (en) 2010-12-29 2014-02-25 Industrial Technology Research Institute Lubricating oil composition and method for manufacturing the same

Also Published As

Publication number Publication date
US20140356276A1 (en) 2014-12-04
US20210115591A1 (en) 2021-04-22
US10851471B2 (en) 2020-12-01
GB2411895A (en) 2005-09-14
CA2499530A1 (en) 2004-06-03
JP5383726B2 (ja) 2014-01-08
CN100497755C (zh) 2009-06-10
ZA200501993B (en) 2006-05-31
US9551090B2 (en) 2017-01-24
EP2284298A3 (en) 2014-05-14
US20100116197A1 (en) 2010-05-13
EP2284298B1 (en) 2018-01-24
JP4768267B2 (ja) 2011-09-07
US20040229464A1 (en) 2004-11-18
CA2499530C (en) 2011-09-27
US20190055669A1 (en) 2019-02-21
GB2411895B (en) 2007-06-20
WO2004046427A1 (en) 2004-06-03
GB2432592A (en) 2007-05-30
IL167333A (en) 2010-12-30
RU2005119631A (ru) 2006-12-27
KR101059661B1 (ko) 2011-08-25
GB0703371D0 (en) 2007-03-28
JP2011144107A (ja) 2011-07-28
KR20060025122A (ko) 2006-03-20
EP1565598B1 (en) 2014-10-15
TW200422445A (en) 2004-11-01
RU2332531C2 (ru) 2008-08-27
EP1565598A1 (en) 2005-08-24
AU2003280099A1 (en) 2004-06-15
US7740824B2 (en) 2010-06-22
EP2284298A2 (en) 2011-02-16
HK1082278A1 (en) 2006-06-02
US8936774B2 (en) 2015-01-20
JP2006507204A (ja) 2006-03-02
CN1705775A (zh) 2005-12-07
US10125434B2 (en) 2018-11-13
GB2432592B (en) 2007-07-11
GB0512114D0 (en) 2005-07-20
GB0227261D0 (en) 2002-12-31
US20170183794A1 (en) 2017-06-29

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