RU2332531C2 - Алмазный материал оптического качества - Google Patents

Алмазный материал оптического качества Download PDF

Info

Publication number
RU2332531C2
RU2332531C2 RU2005119631/15A RU2005119631A RU2332531C2 RU 2332531 C2 RU2332531 C2 RU 2332531C2 RU 2005119631/15 A RU2005119631/15 A RU 2005119631/15A RU 2005119631 A RU2005119631 A RU 2005119631A RU 2332531 C2 RU2332531 C2 RU 2332531C2
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
diamond material
cvd
material according
crystal diamond
less
Prior art date
Application number
RU2005119631/15A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2005119631A (ru
Inventor
Герман Филип ГОДФРИД (NL)
Герман Филип ГОДФРИД
Джеффри Алан СКАРСБРУК (GB)
Джеффри Алан СКАРСБРУК
Даниел Джеймс ТУИТЧЕН (GB)
Даниел Джеймс ТУИТЧЕН
Эверт Питер ХАУВМАН (NL)
Эверт Питер ХАУВМАН
Вилхелмус Гертруда Мари НЕЛИССЕН (NL)
Вилхелмус Гертруда Мария НЕЛИССЕН
Эндрью Джон УАЙТХЕД (GB)
Эндрью Джон УАЙТХЕД
Клайв Эдвард ХАЛЛ (NL)
Клайв Эдвард ХАЛЛ
Филип Морис МАРТИНОУ (GB)
Филип Морис МАРТИНОУ
Original Assignee
Элемент Сикс Лимитед
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=9948320&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=RU2332531(C2) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by Элемент Сикс Лимитед filed Critical Элемент Сикс Лимитед
Publication of RU2005119631A publication Critical patent/RU2005119631A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2332531C2 publication Critical patent/RU2332531C2/ru

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B32/00—Carbon; Compounds thereof
    • C01B32/25—Diamond
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/02—Elements
    • C30B29/04—Diamond
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B32/00—Carbon; Compounds thereof
    • C01B32/25—Diamond
    • C01B32/26—Preparation
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B19/00—Liquid-phase epitaxial-layer growth
    • C30B19/02—Liquid-phase epitaxial-layer growth using molten solvents, e.g. flux
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02—Epitaxial-layer growth
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02—Epitaxial-layer growth
    • C30B25/16—Controlling or regulating
    • C30B25/165—Controlling or regulating the flow of the reactive gases
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02—Epitaxial-layer growth
    • C30B25/18—Epitaxial-layer growth characterised by the substrate
    • C30B25/20—Epitaxial-layer growth characterised by the substrate the substrate being of the same materials as the epitaxial layer
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02—Epitaxial-layer growth
    • C30B25/18—Epitaxial-layer growth characterised by the substrate
    • C30B25/20—Epitaxial-layer growth characterised by the substrate the substrate being of the same materials as the epitaxial layer
    • C30B25/205—Epitaxial-layer growth characterised by the substrate the substrate being of the same materials as the epitaxial layer the substrate being of insulating material
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B33/00—After-treatment of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure
    • C30B33/02—Heat treatment
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B33/00—After-treatment of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure
    • C30B33/08—Etching
    • C30B33/12—Etching in gas atmosphere or plasma
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B9/00—Single-crystal growth from melt solutions using molten solvents
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B1/00—Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements
    • G02B1/002—Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements made of materials engineered to provide properties not available in nature, e.g. metamaterials
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B1/00—Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements
    • G02B1/02—Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements made of crystals, e.g. rock-salt, semi-conductors
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/21—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  by interference
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2006/00—Physical properties of inorganic compounds
    • C01P2006/60—Optical properties, e.g. expressed in CIELAB-values
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2006/00—Physical properties of inorganic compounds
    • C01P2006/80—Compositional purity

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Geology (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • General Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Thermal Sciences (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Carbon And Carbon Compounds (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Heterocyclic Carbon Compounds Containing A Hetero Ring Having Oxygen Or Sulfur (AREA)

Abstract

Изобретение относится к технологии получения монокристаллического алмазного материала и может быть использовано в оптике для изготовления оптических и лазерных окон, оптических рефлекторов и рефракторов, дифракционных решеток и эталонов. Алмазный материал получают методом химического осаждения из паровой фазы (ХОПФ) в присутствии контролируемого низкого уровня азота, что позволяет контролировать развитие кристаллических дефектов и таким образом получить алмазный материал, обладающий основными характеристиками, необходимыми для использования в оптике. 6 н. и 69 з.п. ф-лы, 8 табл., 9 ил.

Description

Текст описания приведен в факсимильном виде.
Figure 00000001
Figure 00000002
Figure 00000003
Figure 00000004
Figure 00000005
Figure 00000006
Figure 00000007
Figure 00000008
Figure 00000009
Figure 00000010
Figure 00000011
Figure 00000012
Figure 00000013
Figure 00000014
Figure 00000015
Figure 00000016
Figure 00000017
Figure 00000018
Figure 00000019
Figure 00000020
Figure 00000021
Figure 00000022
Figure 00000023
Figure 00000024
Figure 00000025
Figure 00000026
Figure 00000027
Figure 00000028
Figure 00000029
Figure 00000030
Figure 00000031
Figure 00000032
Figure 00000033
Figure 00000034
Figure 00000035
Figure 00000036
Figure 00000037
Figure 00000038
Figure 00000039
Figure 00000040
Figure 00000041
Figure 00000042
Figure 00000043
Figure 00000044
Figure 00000045
Figure 00000046
Figure 00000047
Figure 00000048
Figure 00000049
Figure 00000050
Figure 00000051
Figure 00000052
Figure 00000053
Figure 00000054
Figure 00000055
Figure 00000056

Claims (75)

1. Монокристаллический алмазный материал, полученный методом химического осаждения из паровой фазы (ХОПФ), который при комнатной температуре около 20°С обладает, по меньшей мере, одной из следующих характеристик:
I) высокой оптической однородностью, при которой прошедший волновой фронт отличается от ожидаемого геометрического волнового фронта при прохождении через алмаз с определенной толщиной, по меньшей мере 0,5 мм, обработанный до необходимой плоскостности, при измерении на определенной площади, по меньшей мере 1,3×1,3 мм, менее чем на две полосы, где одна полоса соответствует разнице длины оптического пути, равной 1/2 длины волны 633 нм, на которой выполняют измерение;
II) низким оптическим двулучепреломлением, свидетельствующим о низкой деформации, таким, что в образце с определенной толщиной, по меньшей мере 0,5 мм, при измерении способом, описанным в настоящем изобретении, на определенной площади, по меньшей мере 1,3×1,3 мм, модуль синуса сдвига фаз |sin δ| для, по меньшей мере, 98% исследованной площади образца остается первого порядка, т.е. δ не превышает π/2 и |sin δ| не превышает 0,9;
III) низким оптическим двулучепреломлением, свидетельствующим о низкой деформации, таким, что в образце с определенной толщиной, по меньшей мере 0,5 мм, при измерении способом, описанным в настоящем изобретении, на определенной площади, по меньшей мере 1,3×1,3 мм, для 100% исследованной площади образца двулучепреломление остается первого порядка, т.е. δ не превышает π/2, и максимальная величина среднего значения Δn[average] разницы показателя преломления света, поляризованного параллельно медленной и быстрой осям, усредненной по всей толщине образца, не превышает 1,5×10-4;
IV) эффективным показателем преломления, который в образце с определенной толщиной, по меньшей мере 0,5 мм, при измерении способом, описанным в настоящем изобретении на определенной площади, составляющей по меньшей мере 1,3×1,3 мм, имеет величину 2,3964 при точности ±0,002;
V) комбинацией оптических свойств, такой, что алмазная пластина, изготовленная из алмазного материала в форме эталона с определенной толщиной, по меньшей мере 0,5 мм, при измерении лучом лазера с длиной волны вблизи 1,55 мкм и номинальным диаметром 1,2 мм на определенной площади, по меньшей мере 1,3×1,3 мм, имеет область свободной дисперсии, которая в различных участках пластины различается менее, чем на 5×10-3 см-1;
VI) комбинацией оптических свойств, такой, что алмазная пластина, изготовленная из алмазного материала в форме твердотельного эталона Фабри-Перо с определенной толщиной, по меньшей мере 0,5 мм, при измерении лучом лазера с длиной волны вблизи 1,55 мкм и номинальным диаметром 1,2 мм на определенной площади, по меньшей мере 1,3×1,3 мм, не содержащей покрытий на оптически подготовленных поверхностях, имеет контрастное отношение на различных участках пластины, превышающее 1,5;
VII) комбинацией оптических свойств, такой, что вносимые потери алмазной пластины, изготовленной из алмазного материала в форме эталона с определенной толщиной, по меньшей мере 0,5 мм, при измерении лучом лазера с длиной волны вблизи 1,55 мкм и номинальным диаметром 1,2 мм на определенной площади, по меньшей мере 1,3×1,3 мм, не превышают 3 дБ;
VIII) изменением показателя преломления в исследуемом объеме, содержащем слой с определенной толщиной, по меньшей мере 0,5 мм, который при измерении способом, описанным в настоящем изобретении на определенной площади, по меньшей мере 1,3×1,3 мм, составляет меньше, чем 0,002.
2. Монокристаллический алмазный материал по п.1, полученный методом ХОПФ, для которого прошедший волновой фронт отличается от ожидаемого геометрического волнового фронта меньше чем на 0,5 полосы.
3. Монокристаллический алмазный материал по п.2, полученный методом ХОПФ, у которого прошедший волновой фронт отличается от ожидаемого геометрического волнового фронта меньше чем на 0,2 полосы.
4. Монокристаллический алмазный материал по п.1, полученный методом ХОПФ, у которого модуль синуса сдвига фазы |sin δ| для по меньшей мере 98% исследованной площади остается первого порядка и не превышает 0,4.
5. Монокристаллический алмазный материал по п.4, полученный методом ХОПФ, у которого модуль синуса сдвига фазы [sin δ| для 100% исследованной площади остается первого порядка и Δn[average] не превышает 5×10-5.
6. Монокристаллический алмазный материал по п.1, полученный методом ХОПФ, который имеет величину эффективного показателя преломления, равную 2,3964 при точности +/-0,001.
7. Монокристаллический алмазный материал по п.6, полученный методом ХОПФ, который имеет величину эффективного показателя преломления, равную 2,39695 при точности +/-0,0005.
8. Монокристаллический алмазный материал по п.1, полученный методом ХОПФ, который имеет область свободной дисперсии, которая при измерении на различных участках материала изменяется менее, чем на 2×10-3 см-1.
9. Монокристаллический алмазный материал по п.8, полученный методом ХОПФ, у которого область свободной дисперсии изменяется менее, чем на 5×10-4 см-1.
10. Монокристаллический алмазный материал по п.1, полученный методом ХОПФ, который имеет разброс значений показателя преломления внутри объема, ограниченного определенной толщиной и определенной площадью, при измерении способом, описанным в настоящем изобретении, меньше чем 0,001.
11. Монокристаллический алмазный материал по п.10, полученный методом ХОПФ, который имеет разброс значений показателя преломления меньше чем 0,0005.
12. Монокристаллический алмазный материал по п.1, полученный методом ХОПФ, который, если из него изготовить алмазную пластину в форме твердотельного эталона Фабри-Перо, имеет контрастное отношение, измеренное на различных участках пластины с определенной толщиной и определенной площадью, превышающее 1,7.
13. Монокристаллический алмазный материал по п.12, полученный методом ХОПФ, который имеет контрастное отношение, превышающее 1,8.
14. Монокристаллический алмазный материал по п.1, полученный методом ХОПФ, который, если из него изготовить алмазную пластину в форме твердотельного эталона Фабри-Перо, имеет вносимые потери, измеренные лучом лазера с длиной волны вблизи 1,55 мкм на различных участках пластины с определенными толщиной и поверхностью, не превышающие 1 дБ.
15. Монокристаллический алмазный материал по п.14, полученный методом ХОПФ, в котором вносимые потери не превышают 0,5 дБ.
16. Монокристаллический алмазный материал, полученный методом ХОПФ, который при комнатной температуре около 20°С имеет, по меньшей мере, одну из следующих характеристик:
I) низкое и однородное оптическое рассеяние, такое, что прямое рассеяние на 1,064 мкм для образца с определенной толщиной, по меньшей мере 0,4 мм, измеренное способом, описанном в настоящем изобретении, на определенной площади, по меньшей мере 1,3×1,3 мм, интегрированное внутри пространственного угла от 3,5 до 87,5° от прошедшего луча, составляет меньше чем 0,4%;
II) низкое и однородное оптическое поглощение, такое, что коэффициент оптического поглощения на длине волны 1,06 мкм образца с определенной толщиной, по меньшей мере 0,5 мм, меньше чем 0,09 см-1;
III) низкое и однородное оптическое поглощение, такое, что коэффициент оптического поглощения на длине волны 10,6 мкм образца с определенной толщиной, по меньшей мере 0,5 мм, меньше, чем 0,04 см-1.
17. Монокристаллический алмазный материал по п.16, полученный методом ХОПФ, для которого прямое рассеяние 1,064 мкм, измеренное для образца с определенной толщиной и площадью и интегрированное внутри пространственного угла от 3,5 до 87,5° от прошедшего луча, меньше чем 0,2%.
18. Монокристаллический алмазный материал по п.17, полученный методом ХОПФ, который имеет прямое рассеяние на 1,064 мкм меньше чем 0,1%.
19. Монокристаллический алмазный материал по п.16, полученный методом ХОПФ, для которого коэффициент поглощения на длине волны 1,06 мкм меньше чем 0,05 см-1.
20. Монокристаллический алмазный материал по п.19, полученный методом ХОПФ, для которого коэффициент поглощения на длине волны 1,06 мкм меньше чем 0,02 см-1.
21. Монокристаллический алмазный материал по п.16, полученный методом ХОПФ, для которого коэффициент поглощения на длине волны 10,6 мкм меньше чем 0,03 см-1.
22. Монокристаллический алмазный материал по п.21, полученный методом ХОПФ, для которого коэффициент поглощения на длине волны 10,6 мкм меньше чем 0,027 см-1.
23. Монокристаллический алмазный материал, полученный методом ХОПФ, который при комнатной температуре около 20°С имеет, по меньшей мере, одну из следующих характеристик:
I) способность подвергаться обработке, обеспечивающей высокую степень полировки поверхности, характеризующейся значением среднего арифметического абсолютного отклонения от средней линии профиля Ra, измеренным на определенной площади, по меньшей мере 1,3×1,3 мм, меньшим чем 2 нм;
II) способность подвергаться обработке, обеспечивающей высокую плоскостность, которая при измерении на определенной площади, по меньшей мере 1,3×1,3 мм, с использованием излучения 633 нм, лучше чем 10 полос;
III) способность подвергаться обработке, обеспечивающей высокую параллельность, которая при измерении на определенной площади, по меньшей мере 1,3×1,3 мм, лучше чем 1 угловая минута.
24. Монокристаллический алмазный материал по п.23, полученный методом ХОПФ, который может быть обработан до поверхности с Ra меньше чем 1 нм.
25. Монокристаллический алмазный материал по п.24, полученный методом ХОПФ, который может быть обработан до поверхности с Ra меньше чем 0,6 нм.
26. Монокристаллический алмазный материал по п.23, полученный методом ХОПФ, который может быть обработан до плоскостности лучше чем 1 полоса.
27. Монокристаллический алмазный материал по п.26, полученный методом ХОПФ, который может быть обработан до плоскостности лучше чем 0,3 полосы.
28. Монокристаллический алмазный материал по п.23, полученный методом ХОПФ, который может быть обработан до параллельности лучше чем +/-30 арксек.
29. Монокристаллический алмазный материал по п.28, полученный методом ХОПФ, который может быть обработан до параллельности лучше чем +/-15 арксек.
30. Монокристаллический алмазный материал по одному из пп.1, 16 и 23, полученный методом ХОПФ, который имеет, по меньшей мере, две указанные характеристики.
31. Монокристаллический алмазный материал по п.1, полученный методом ХОПФ, который имеет, по меньшей мере, три указанные характеристики.
32. Монокристаллический алмазный материал по п.31, полученный методом ХОПФ, который имеет, по меньшей мере, четыре указанные характеристики.
33. Монокристаллический алмазный материал по п.16, полученный методом ХОПФ, который имеет все три указанные характеристики.
34. Монокристаллический алмазный материал по п.23, полученный методом ХОПФ, который имеет все три указанные характеристики.
35. Монокристаллический алмазный материал по одному из пп.1, 16 и 23, полученный методом ХОПФ, для которого определенная площадь образца для каждой из соответствующих характеристик, если приведена, составляет, по меньшей мере, 2,5×2,5 мм.
36. Монокристаллический алмазный материал по п.35, полученный методом ХОПФ, для которого определенная площадь образца для каждой из соответствующих характеристик, если приведена, составляет, по меньшей мере, 4×4 мм.
37. Монокристаллический алмазный материал по одному из пп.1, 16 и 23, полученный методом ХОПФ, для которого определенная толщина образца для каждой из соответствующих характеристик, если приведена, составляет, по меньшей мере, 0,8 мм.
38. Монокристаллический алмазный материал по п.37, полученный методом ХОПФ, для которого определенная толщина образца для каждой из соответствующих характеристик, если приведена, составляет, по меньшей мере, 1,2 мм.
39. Монокристаллический алмазный материал, полученный методом ХОПФ, который имеет механическую прочность, измеряемую способом, описанным в настоящем изобретении, такую, что, по меньшей мере 70% тестируемых образцов из, по меньшей мере, восьми разрушаются при воздействии, по меньшей мере, 2,5 ГПа.
40. Монокристаллический алмазный материал по п.39, полученный методом ХОПФ, для которого по меньшей мере 70% тестируемых образцов из, по меньшей мере, восьми разрушаются при воздействии, по меньшей мере, 3,0 ГПа.
41. Монокристаллический алмазный материал по одному из пп.1, 16, 23 и 39, полученный методом ХОПФ, у которого интенсивность линий люминесценции 575 нм и 637 нм, нормализованная относительно рамановской линии, меньше чем 40.
42. Монокристаллический алмазный материал по п.41, полученный методом ХОПФ, у которого интенсивность линий люминесценции 575 нм и 637 нм, нормализованная относительно рамановской линии, меньше чем 10.
43. Монокристаллический алмазный материал по п.42, полученный методом ХОПФ, у которого интенсивность линий люминесценции 575 нм и 637 нм, нормализованная относительно рамановской линии, меньше чем 3.
44. Монокристаллический алмазный материал по одному из пп.1, 16, 23 и 39, полученный методом ХОПФ, у которого теплопроводность, измеренная при 20°С выше, чем 1800 Втм-1К-1.
45. Монокристаллический алмазный материал по п.44, полученный методом ХОПФ, у которого теплопроводность, измеренная при 20°С, выше чем 2300 Втм-1К-1.
46. Монокристаллический алмазный материал по одному из пп.1, 16, 23 и 39, полученный методом ХОПФ, в форме пластины с противоположными основными гранями, которая готова к использованию, со средним направлением дислокаций в пластине, составляющем более 30° с нормалью к основным граням.
47. Монокристаллический алмазный материал по одному из пп.1, 16, 23 и 39, полученный методом ХОПФ, который был отожжен, и отжиг является частью процесса его получения.
48. Монокристаллический алмазный материал по одному из пп.1, 16, 23 и 39, полученный методом ХОПФ, который был отожжен после его получения.
49. Монокристаллический алмазный материал по одному из пп.1, 16, 23 и 39, полученный методом ХОПФ, имеющий форму механического слоя, или оптического слоя, или ограненного драгоценного камня.
50. Монокристаллический алмазный материал по п.49, полученный методом ХОПФ, имеющий форму ограненного драгоценного камня.
51. Монокристаллический алмазный материал по одному из пп.1, 16, 23 и 39, полученный методом ХОПФ, размеры которого превышают по меньшей мере один из следующих: а) поперечный размер 1 мм; б) второй ортогональный поперечный размер 1 мм; в) толщину 0,1 мм.
52. Монокристаллический алмазный материал по п.51, полученный методом ХОПФ, поперечный размер которого превышает 5 мм.
53. Монокристаллический алмазный материал по п.51, полученный методом ХОПФ, толщина которого превышает 0,8 мм.
54. Монокристаллический алмазный материал по п.51, полученный методом ХОПФ, размеры которого превышают, по меньшей мере, два из указанных в а) - в).
55. Монокристаллический алмазный материал по п.54, полученный методом ХОПФ, размеры которого превышают все три указанные в а) - в).
56. Монокристаллический алмазный материал по одному из пп.1, 16, 23 и 39, полученный методом ХОПФ, для применения в оптическом приборе или элементе или как оптический прибор или элемент.
57. Монокристаллический алмазный материал по одному из пп.1, 16, 23 и 39, полученный методом ХОПФ, в котором по данным электронного парамагнитного резонанса (ЭПР) одиночных атомов азота в положении замещения меньше чем 5·1017 атом/см3.
58. Монокристаллический алмазный материал по п.57, полученный методом ХОПФ, в котором по данным ЭПР одиночных атомов азота в положении замещения меньше чем 2·1017 атом/см3.
59. Монокристаллический алмазный материал по одному из пп.1, 16, 23 и 39, полученный методом ХОПФ, в котором по данным ЭПР одиночных атомов азота в положении замещения больше чем 3·1015 атом/см3.
60. Монокристаллический алмазный материал по п.59, полученный методом ХОПФ, в котором по данным ЭПР одиночных атомов азота в положении замещения больше чем 1·1016 атом/см3.
61. Монокристаллический алмазный материал по п.60, полученный методом ХОПФ, в котором по данным ЭПР одиночных атомов азота в положении замещения больше чем 5·1016 атом/см3.
62. Способ получения монокристаллического алмазного материала методом химического осаждения из паровой фазы (ХОПФ), предназначенного для применения в оптике, заключающийся в том, что подготавливают подложку алмаза, имеющую поверхность, в основном свободную от кристаллических дефектов, приготавливают исходный газ, путем диссоциации исходного газа создают атмосферу для синтеза с содержанием азота, в пересчете на молекулярный азот, от 300 ч./млрд до 5 ч./млн и проводят гомоэпитаксиальный рост алмаза на поверхности кристалла, в основном свободной от дефектов, где плотность дефектов такая, что количество признаков травления поверхности, относящихся к дефектам, меньше чем 5·103/мм2.
63. Способ по п.62, в котором содержание азота в атмосфере, где проходит синтез, в пересчете на молекулярный азот больше, чем 500 част./млрд.
64. Способ по п.63, в котором содержание азота в атмосфере, где проходит синтез, в пересчете на молекулярный азот больше чем 800 ч./млрд.
65. Способ по одному из пп.62-64, в котором содержание азота в атмосфере, где проходит синтез, в пересчете на молекулярный азот не больше чем 2 ч./млн.
66. Способ по п.65, в котором содержание азота в атмосфере, где проходит синтез, в пересчете на молекулярный азот не больше чем 1,5 ч./млн.
67. Способ по п.62, в котором содержание азота выбирают достаточным для предотвращения или уменьшения образования дефектов, приводящих к локальной деформации, и в тоже время достаточно низким, чтобы предотвратить или уменьшить нежелательное поглощение и ухудшение качества кристалла.
68. Способ по п.62, в котором плотность дефектов такая, что количество признаков травления поверхности, относящихся к травлению, меньше чем 102/мм2.
69. Способ по п.62, в котором рост алмаза методом ХОПФ происходит на поверхности {100} алмазной подложки.
70. Способ по п.62, в котором содержание азота как мольной доли в общем газовом объеме определяют с погрешностью, меньшей 300 ч./млрд или 10% от целевого значения в газовой фазе, при этом выбирают то значение, которое больше.
71. Способ по п.70, в котором содержание азота как мольной доли в общем газовом объеме определяют с погрешностью, меньшей 100 ч./млрд или 3% от целевого значения в газовой фазе, при этом выбирают то значение, которое больше.
72. Способ по п.71, в котором содержание азота как мольной доли в общем газовом объеме определяют с погрешностью, меньшей 50 ч./млрд или 2% от целевого значения в газовой фазе, при этом выбирают то значение, которое больше.
73. Способ по п.62, в котором указанные свойства полученного монокристаллического алмазного материала дополнительно улучшены его отжигом.
74. Эталон, изготовленный из монокристаллического алмазного материала по любому из пп.1-61, полученного методом ХОПФ.
75. Эталон по п.74, который является эталоном Фабри-Перо или эталоном Жире-Турнуа.
RU2005119631/15A 2002-11-21 2003-11-20 Алмазный материал оптического качества RU2332531C2 (ru)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
GBGB0227261.5A GB0227261D0 (en) 2002-11-21 2002-11-21 Optical quality diamond material
GB0227261.5 2002-11-21

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2005119631A RU2005119631A (ru) 2006-12-27
RU2332531C2 true RU2332531C2 (ru) 2008-08-27

Family

ID=9948320

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2005119631/15A RU2332531C2 (ru) 2002-11-21 2003-11-20 Алмазный материал оптического качества

Country Status (14)

Country Link
US (6) US7740824B2 (ru)
EP (2) EP1565598B1 (ru)
JP (2) JP4768267B2 (ru)
KR (1) KR101059661B1 (ru)
CN (1) CN100497755C (ru)
AU (1) AU2003280099A1 (ru)
CA (1) CA2499530C (ru)
GB (3) GB0227261D0 (ru)
HK (1) HK1082278A1 (ru)
IL (1) IL167333A (ru)
RU (1) RU2332531C2 (ru)
TW (1) TWI313308B (ru)
WO (1) WO2004046427A1 (ru)
ZA (1) ZA200501993B (ru)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2516574C2 (ru) * 2009-12-22 2014-05-20 Элемент Сикс Лимитед Синтетический cvd алмаз

Families Citing this family (92)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100837033B1 (ko) 2000-06-15 2008-06-10 엘리먼트 씩스 (프티) 리미티드 화학 증착에 의해 제조된 단결정 다이아몬드
DE60115435T2 (de) * 2000-06-15 2006-08-31 Element Six (Pty) Ltd. Dicke einkristalline diamantschicht, verfahren zur herstellung der schicht und edelsteine hergestellt durch bearbeitung der schicht
GB0130004D0 (en) * 2001-12-14 2002-02-06 Diamanx Products Ltd Coloured diamond
GB0130005D0 (en) * 2001-12-14 2002-02-06 Diamanx Products Ltd Boron doped diamond
RU2328563C2 (ru) * 2002-09-06 2008-07-10 Элемент Сикс Лимитед Цветные алмазы
GB0221949D0 (en) 2002-09-20 2002-10-30 Diamanx Products Ltd Single crystal diamond
GB0227261D0 (en) * 2002-11-21 2002-12-31 Element Six Ltd Optical quality diamond material
GB0317854D0 (en) * 2003-07-30 2003-09-03 Element Six Ltd Method of manufacturing diamond substrates
KR20070004012A (ko) * 2004-03-02 2007-01-05 더 유니버시티 오브 멜버른 광자 소스
US7615203B2 (en) * 2004-11-05 2009-11-10 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Single crystal diamond
JP5594613B2 (ja) * 2005-04-15 2014-09-24 住友電気工業株式会社 単結晶ダイヤモンドおよびその製造方法
JP5002982B2 (ja) * 2005-04-15 2012-08-15 住友電気工業株式会社 単結晶ダイヤモンドの製造方法
GB0508889D0 (en) * 2005-04-29 2005-06-08 Element Six Ltd Diamond transistor and method of manufacture thereof
GB0513932D0 (en) 2005-07-08 2005-08-17 Element Six Ltd Single crystal diamond elements having spherical surfaces
US20070110657A1 (en) * 2005-11-14 2007-05-17 Hunter Charles E Unseeded silicon carbide single crystals
TWI410538B (zh) * 2005-11-15 2013-10-01 Carnegie Inst Of Washington 建基於以快速生長速率製造之單晶ｃｖｄ鑽石的新穎鑽石的用途／應用
US7238088B1 (en) * 2006-01-05 2007-07-03 Apollo Diamond, Inc. Enhanced diamond polishing
JP5284575B2 (ja) * 2006-10-31 2013-09-11 住友電気工業株式会社 ダイヤモンド単結晶及びその製造方法
US9034200B2 (en) 2007-01-22 2015-05-19 Element Six Limited Technologies Limited Plasma etching of diamond surfaces
SG157973A1 (en) * 2008-06-18 2010-01-29 Indian Inst Technology Bombay Method for growing monocrystalline diamonds
US8795035B2 (en) * 2008-06-26 2014-08-05 Saint-Gobain Abrasives, Inc. Chemical mechanical planarization pad conditioner and method of forming
GB0813491D0 (en) 2008-07-23 2008-08-27 Element Six Ltd Diamond Material
GB0813490D0 (en) 2008-07-23 2008-08-27 Element Six Ltd Solid state material
US9000353B2 (en) 2010-06-22 2015-04-07 President And Fellows Of Harvard College Light absorption and filtering properties of vertically oriented semiconductor nano wires
US8229255B2 (en) 2008-09-04 2012-07-24 Zena Technologies, Inc. Optical waveguides in image sensors
US8791470B2 (en) 2009-10-05 2014-07-29 Zena Technologies, Inc. Nano structured LEDs
US8889455B2 (en) 2009-12-08 2014-11-18 Zena Technologies, Inc. Manufacturing nanowire photo-detector grown on a back-side illuminated image sensor
US9082673B2 (en) 2009-10-05 2015-07-14 Zena Technologies, Inc. Passivated upstanding nanostructures and methods of making the same
US8546742B2 (en) 2009-06-04 2013-10-01 Zena Technologies, Inc. Array of nanowires in a single cavity with anti-reflective coating on substrate
US8735797B2 (en) 2009-12-08 2014-05-27 Zena Technologies, Inc. Nanowire photo-detector grown on a back-side illuminated image sensor
US8384007B2 (en) 2009-10-07 2013-02-26 Zena Technologies, Inc. Nano wire based passive pixel image sensor
US8274039B2 (en) 2008-11-13 2012-09-25 Zena Technologies, Inc. Vertical waveguides with various functionality on integrated circuits
US9406709B2 (en) 2010-06-22 2016-08-02 President And Fellows Of Harvard College Methods for fabricating and using nanowires
US8299472B2 (en) 2009-12-08 2012-10-30 Young-June Yu Active pixel sensor with nanowire structured photodetectors
US8835831B2 (en) 2010-06-22 2014-09-16 Zena Technologies, Inc. Polarized light detecting device and fabrication methods of the same
US8866065B2 (en) 2010-12-13 2014-10-21 Zena Technologies, Inc. Nanowire arrays comprising fluorescent nanowires
US9515218B2 (en) 2008-09-04 2016-12-06 Zena Technologies, Inc. Vertical pillar structured photovoltaic devices with mirrors and optical claddings
US8748799B2 (en) 2010-12-14 2014-06-10 Zena Technologies, Inc. Full color single pixel including doublet or quadruplet si nanowires for image sensors
US20100304061A1 (en) * 2009-05-26 2010-12-02 Zena Technologies, Inc. Fabrication of high aspect ratio features in a glass layer by etching
US8269985B2 (en) 2009-05-26 2012-09-18 Zena Technologies, Inc. Determination of optimal diameters for nanowires
US9343490B2 (en) 2013-08-09 2016-05-17 Zena Technologies, Inc. Nanowire structured color filter arrays and fabrication method of the same
US8507840B2 (en) 2010-12-21 2013-08-13 Zena Technologies, Inc. Vertically structured passive pixel arrays and methods for fabricating the same
US9299866B2 (en) 2010-12-30 2016-03-29 Zena Technologies, Inc. Nanowire array based solar energy harvesting device
US8890271B2 (en) 2010-06-30 2014-11-18 Zena Technologies, Inc. Silicon nitride light pipes for image sensors
US20110115041A1 (en) * 2009-11-19 2011-05-19 Zena Technologies, Inc. Nanowire core-shell light pipes
US9478685B2 (en) 2014-06-23 2016-10-25 Zena Technologies, Inc. Vertical pillar structured infrared detector and fabrication method for the same
US8519379B2 (en) * 2009-12-08 2013-08-27 Zena Technologies, Inc. Nanowire structured photodiode with a surrounding epitaxially grown P or N layer
CA2765898C (en) * 2009-06-26 2015-09-15 Element Six Limited Method for treating single crystal cvd diamond and product obtained
US9017632B2 (en) 2009-06-26 2015-04-28 Element Six Technologies Limited Diamond material
US10273598B2 (en) 2009-12-22 2019-04-30 Element Six Technologies Limited Synthetic CVD diamond
GB201000768D0 (en) * 2010-01-18 2010-03-03 Element Six Ltd CVD single crystal diamond material
US9017633B2 (en) 2010-01-18 2015-04-28 Element Six Technologies Limited CVD single crystal diamond material
CA2790861C (en) * 2010-02-24 2018-07-17 Macquarie University Mid to far infrared diamond raman laser systems and methods
DE102010010948A1 (de) * 2010-03-10 2011-09-15 Karl Storz Gmbh & Co. Kg Schwenkprismenendoskop
GB201013112D0 (en) 2010-08-04 2010-09-22 Element Six Ltd A diamond optical element
SG179318A1 (en) * 2010-09-27 2012-04-27 Gemesis Company S Pte Ltd Method for growing white color diamonds by using diborane and nitrogen in combination in a microwave plasma chemical vapor deposition system
US8658578B2 (en) 2010-12-29 2014-02-25 Industrial Technology Research Institute Lubricating oil composition and method for manufacturing the same
CN103621165A (zh) 2011-06-29 2014-03-05 日本电气株式会社 无线传输系统、无线传输设备、无线传输方法和计算机可读介质
JP2015501883A (ja) * 2011-12-16 2015-01-19 エレメント シックス テクノロジーズ リミテッド 大面積高光学的特性型合成多結晶ダイヤモンド窓
GB201121642D0 (en) 2011-12-16 2012-01-25 Element Six Ltd Single crtstal cvd synthetic diamond material
GB201121640D0 (en) * 2011-12-16 2012-01-25 Element Six Ltd Large area optical synthetic polycrystalline diamond window
JP5527628B2 (ja) * 2012-04-09 2014-06-18 住友電気工業株式会社 ダイヤモンド単結晶
GB201307321D0 (en) * 2013-04-23 2013-05-29 Element Six Ltd Synthetic diamond optical elements
US10012769B2 (en) 2013-03-06 2018-07-03 Element Six Technologies Limited Synthetic diamond optical elements
GB201307312D0 (en) * 2013-04-23 2013-05-29 Element Six Ltd Synthetic diamond optical elements
JP6417390B2 (ja) 2013-03-15 2018-11-07 プラズマビリティー， エルエルシー Ｃｖｄプラズマ処理の方法
WO2014168053A1 (ja) 2013-04-09 2014-10-16 住友電気工業株式会社 単結晶ダイヤモンドおよびダイヤモンド工具
JPWO2014178281A1 (ja) * 2013-04-30 2017-02-23 住友電気工業株式会社 単結晶ダイヤモンドおよびダイヤモンド工具
GB201320302D0 (en) * 2013-11-18 2014-01-01 Element Six Ltd Diamond components for quantum imaging sensing and information processing devices
GB201320304D0 (en) * 2013-11-18 2014-01-01 Element Six Ltd Methods of fabricating synthetic diamond materials using microwave plasma actived chemical vapour deposition techniques and products obtained using said
US9469918B2 (en) 2014-01-24 2016-10-18 Ii-Vi Incorporated Substrate including a diamond layer and a composite layer of diamond and silicon carbide, and, optionally, silicon
WO2015193156A1 (en) * 2014-06-16 2015-12-23 Element Six Technologies Limited Synthetic diamond optical elements
CN106574393B (zh) * 2014-07-22 2019-10-08 住友电气工业株式会社 单晶金刚石及其制造方法、包含单晶金刚石的工具和包含单晶金刚石的部件
KR20180000721A (ko) 2015-05-21 2018-01-03 플라즈마빌리티, 엘엘씨 성형된 피처리물 지지체를 갖는 토로이달 플라즈마 처리 장치
GB201516814D0 (en) 2015-09-23 2015-11-04 Element Six Technologies Ltd Method of fabricating a plurality of single crystal CVD synthetic diamonds
US10584412B2 (en) 2016-03-08 2020-03-10 Ii-Vi Delaware, Inc. Substrate comprising a layer of silicon and a layer of diamond having an optically finished (or a dense) silicon-diamond interface
GB2558395B (en) * 2016-11-10 2019-07-24 Element Six Tech Ltd Synthesis of thick single crystal diamond material via chemical vapour deposition
GB201620413D0 (en) * 2016-12-01 2017-01-18 Element Six Tech Ltd Single crystal synthetic diamond material via chemical vapour deposition
GB201620415D0 (en) * 2016-12-01 2017-01-18 Element Six Tech Ltd Single crystal synthetic diamond material via chemical vapour deposition
EP3373052A1 (de) * 2017-03-06 2018-09-12 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Halbzeug, verfahren zu dessen herstellung und damit hergestellte komponente
WO2019035437A1 (ja) * 2017-08-15 2019-02-21 住友電気工業株式会社 固体炭素含有材料加工体およびその製造方法
WO2019035438A1 (ja) 2017-08-15 2019-02-21 住友電気工業株式会社 固体炭素含有材料加工体、その製造方法およびその製造装置
GB201811162D0 (en) 2018-07-06 2018-08-29 Element Six Tech Ltd Method of manufacture of single crystal synthetic diamond material
CN108840321A (zh) * 2018-07-10 2018-11-20 中喜（宁夏）新材料有限公司 天然气基石墨烯纳米金钢石联产炭黑的方法
WO2020081965A1 (en) * 2018-10-19 2020-04-23 Adamas Nanotechnologies, Inc. Method of producing fluorescent diamond particles
GB201904435D0 (en) 2019-03-29 2019-05-15 Element Six Tech Ltd Single crystal synthetic diamond material
IL294826A (en) * 2020-01-20 2022-09-01 M7D Corp A method for growing larger diamonds
GB2618050A (en) 2021-08-24 2023-11-01 Element Six Tech Ltd Raman laser system
GB2614521A (en) 2021-10-19 2023-07-12 Element Six Tech Ltd CVD single crystal diamond
GB2614522B (en) 2021-10-19 2024-04-03 Element Six Tech Ltd CVD single crystal diamond
GB2614526A (en) 2021-11-16 2023-07-12 Element Six Tech Ltd Method and apparatus for processing diamond surface
CN114486191A (zh) * 2022-01-18 2022-05-13 湖北航天技术研究院总体设计所 一种激光负载能力测试系统及方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2006538C1 (ru) * 1992-07-14 1994-01-30 Акционерное общество "Компакт Лтд" Способ выращивания алмазов
WO2001096633A1 (en) * 2000-06-15 2001-12-20 Element Six (Pty) Ltd Single crystal diamond prepared by cvd
WO2001096634A1 (en) * 2000-06-15 2001-12-20 Element Six (Pty) Ltd Thick single crystal diamond layer method for making it and gemstones produced from the layer

Family Cites Families (45)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4124690A (en) 1976-07-21 1978-11-07 General Electric Company Annealing type Ib or mixed type Ib-Ia natural diamond crystal
US4174380A (en) 1976-07-21 1979-11-13 General Electric Company Annealing synthetic diamond type Ib
NL8006321A (nl) 1980-11-19 1982-06-16 Eduard Anton Burgemeister Werkwijze en inrichting voor het detecteren van ioniserende straling.
JPS617494A (ja) 1984-06-21 1986-01-14 株式会社東芝 制御棒駆動水圧装置
US4714174A (en) 1986-09-23 1987-12-22 Williams James A Spill proof container
JP2571795B2 (ja) 1987-11-17 1997-01-16 住友電気工業株式会社 紫色ダイヤモンドおよびその製造方法
US5270028A (en) 1988-02-01 1993-12-14 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Diamond and its preparation by chemical vapor deposition method
JPH0288498A (ja) 1988-06-13 1990-03-28 Sumitomo Electric Ind Ltd ダイヤモンドレーザ結晶およびその作製方法
JP2730144B2 (ja) 1989-03-07 1998-03-25 住友電気工業株式会社 単結晶ダイヤモンド層形成法
US5127983A (en) 1989-05-22 1992-07-07 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Method of producing single crystal of high-pressure phase material
US6162412A (en) * 1990-08-03 2000-12-19 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Chemical vapor deposition method of high quality diamond
US5989511A (en) * 1991-11-25 1999-11-23 The University Of Chicago Smooth diamond films as low friction, long wear surfaces
FR2688098B1 (fr) 1992-03-02 1994-04-15 Lair Liquide Laser de puissance a fenetre diamant non revetue.
US5443032A (en) * 1992-06-08 1995-08-22 Air Products And Chemicals, Inc. Method for the manufacture of large single crystals
US5382809A (en) 1992-09-14 1995-01-17 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Semiconductor device including semiconductor diamond
US5474021A (en) 1992-09-24 1995-12-12 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Epitaxial growth of diamond from vapor phase
JPH06107494A (ja) 1992-09-24 1994-04-19 Sumitomo Electric Ind Ltd ダイヤモンドの気相成長法
JP3314444B2 (ja) 1993-03-15 2002-08-12 住友電気工業株式会社 赤色ダイヤモンドおよび桃色ダイヤモンド
US5625638A (en) * 1993-05-28 1997-04-29 Coherent, Inc. Sealed crystalline windows for hollow laser fibers
KR100269924B1 (ko) * 1993-10-08 2000-11-01 하지메 히토추야나기 합성 다이아몬와 그 제조방법
JPH07331441A (ja) 1994-03-11 1995-12-19 General Electric Co <Ge> 強化された化学蒸着ダイヤモンド
KR950032732A (ko) 1994-03-25 1995-12-22 야스니시구니오 다이아몬드 결정 및 그 제조방법
JP3484749B2 (ja) * 1994-04-04 2004-01-06 住友電気工業株式会社 ダイヤモンドの合成法
US5451430A (en) 1994-05-05 1995-09-19 General Electric Company Method for enhancing the toughness of CVD diamond
JP4291886B2 (ja) 1994-12-05 2009-07-08 住友電気工業株式会社 低欠陥ダイヤモンド単結晶及びその合成方法
JP4032482B2 (ja) 1997-04-18 2008-01-16 住友電気工業株式会社 単結晶ダイヤモンドの製造方法
JPH1149596A (ja) 1997-07-14 1999-02-23 De Beers Ind Diamond Div Ltd ダイヤモンド
JP3168961B2 (ja) 1997-10-06 2001-05-21 住友電気工業株式会社 ダイヤモンド基板及びダイヤモンド基板の評価方法並びにダイヤモンド表面弾性波フィルタ
US20020172638A1 (en) 1997-10-17 2002-11-21 General Electric Company High pressure/high temperature production of colorless and fancy colored diamonds
US20010031237A1 (en) 1998-09-28 2001-10-18 Suresh Shankarappa Vagarali High pressure/high temperature production of colorless and fancy colored diamonds
US20020081260A1 (en) 1997-10-17 2002-06-27 Suresh Shankarappa Vagarali High pressure/high temperature production of colorless and fancy colored diamonds
US6582513B1 (en) * 1998-05-15 2003-06-24 Apollo Diamond, Inc. System and method for producing synthetic diamond
EP1210171B1 (en) 1999-08-25 2006-04-19 Diamond Innovations, Inc. High pressure/high temperature production of colored diamonds
GB0007887D0 (en) 2000-03-31 2000-05-17 De Beers Ind Diamond Colour change of diamond
ATE341394T1 (de) 2000-03-31 2006-10-15 Element Six Pty Ltd Hochtemperatur/hochdruck-farbeveränderung von diamanten
US7241434B2 (en) 2000-08-11 2007-07-10 Bellataire International, Llc High pressure and high temperature production of diamonds
US6729405B2 (en) 2001-02-15 2004-05-04 Bj Services Company High temperature flexible cementing compositions and methods for using same
GB0130005D0 (en) 2001-12-14 2002-02-06 Diamanx Products Ltd Boron doped diamond
GB0130004D0 (en) * 2001-12-14 2002-02-06 Diamanx Products Ltd Coloured diamond
RU2328563C2 (ru) 2002-09-06 2008-07-10 Элемент Сикс Лимитед Цветные алмазы
GB0221949D0 (en) 2002-09-20 2002-10-30 Diamanx Products Ltd Single crystal diamond
GB0227261D0 (en) * 2002-11-21 2002-12-31 Element Six Ltd Optical quality diamond material
DE602004016394D1 (de) * 2003-12-12 2008-10-16 Element Six Ltd Verfahren zum einbringen einer markierung in einen cvd-diamanten
US9017632B2 (en) * 2009-06-26 2015-04-28 Element Six Technologies Limited Diamond material
US9017633B2 (en) * 2010-01-18 2015-04-28 Element Six Technologies Limited CVD single crystal diamond material

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2006538C1 (ru) * 1992-07-14 1994-01-30 Акционерное общество "Компакт Лтд" Способ выращивания алмазов
WO2001096633A1 (en) * 2000-06-15 2001-12-20 Element Six (Pty) Ltd Single crystal diamond prepared by cvd
WO2001096634A1 (en) * 2000-06-15 2001-12-20 Element Six (Pty) Ltd Thick single crystal diamond layer method for making it and gemstones produced from the layer

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
SAMLENSKI R. et al. Incorporation of nitrogen in vapor deposition diamond. Applied Physics Letter. V.67, N 19, 1995, p.2798-2800. *

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2516574C2 (ru) * 2009-12-22 2014-05-20 Элемент Сикс Лимитед Синтетический cvd алмаз

Also Published As

Publication number Publication date
US20170183794A1 (en) 2017-06-29
CA2499530C (en) 2011-09-27
CA2499530A1 (en) 2004-06-03
EP2284298A3 (en) 2014-05-14
EP1565598B1 (en) 2014-10-15
GB2411895A (en) 2005-09-14
KR101059661B1 (ko) 2011-08-25
EP2284298B1 (en) 2018-01-24
AU2003280099A1 (en) 2004-06-15
US20140356276A1 (en) 2014-12-04
GB0703371D0 (en) 2007-03-28
US10125434B2 (en) 2018-11-13
ZA200501993B (en) 2006-05-31
JP4768267B2 (ja) 2011-09-07
US10851471B2 (en) 2020-12-01
US20040229464A1 (en) 2004-11-18
EP1565598A1 (en) 2005-08-24
TWI313308B (en) 2009-08-11
GB2411895B (en) 2007-06-20
RU2005119631A (ru) 2006-12-27
US20100116197A1 (en) 2010-05-13
US9551090B2 (en) 2017-01-24
JP2006507204A (ja) 2006-03-02
US20210115591A1 (en) 2021-04-22
TW200422445A (en) 2004-11-01
WO2004046427A1 (en) 2004-06-03
CN1705775A (zh) 2005-12-07
US8936774B2 (en) 2015-01-20
EP2284298A2 (en) 2011-02-16
HK1082278A1 (en) 2006-06-02
KR20060025122A (ko) 2006-03-20
US7740824B2 (en) 2010-06-22
GB0512114D0 (en) 2005-07-20
JP5383726B2 (ja) 2014-01-08
CN100497755C (zh) 2009-06-10
US20190055669A1 (en) 2019-02-21
GB0227261D0 (en) 2002-12-31
GB2432592B (en) 2007-07-11
GB2432592A (en) 2007-05-30
JP2011144107A (ja) 2011-07-28
IL167333A (en) 2010-12-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2332531C2 (ru) Алмазный материал оптического качества
TWI408260B (zh) 高結晶品質之合成鑽石
RU2473720C2 (ru) Бесцветный монокристаллический алмаз и способ его получения
GB2433738A (en) A CVD single crystal diamond material
Ficek et al. Linear antenna microwave chemical vapour deposition of diamond films on long-period fiber gratings for bio-sensing applications
Jones et al. Optical properties of zinc sulphide thin films prepared by sublimation in ultrahigh vacuum and by RF sputtering in argon
Gusakov et al. Effect of a nitrogen impurity on the fundamental raman band of diamond single crystals
KR101391179B1 (ko) 나노 결정질 다이아몬드를 이용한 감쇠전반사형 도파로 모드 공진 센서 및 나노 결정질 다이아몬드로 이루어진 도파로의 제조 방법
Bennett et al. CVD diamond for high power laser applications
WO2022210566A1 (ja) 単結晶ダイヤモンド及びその製造方法、並びに、単結晶ダイヤモンドプレートの製造方法
WO2022209512A1 (ja) 単結晶ダイヤモンド及びその製造方法
Sussmann et al. Optical and dielectric properties of CVD polycrystalline diamond plates
JP2009218458A (ja) Ｓｉ基板上の３Ｃ−ＳｉＣ層のフォノン波数の測定方法
Jones et al. Producing large EFG© sapphire sheet for VIS-IR (500-5000 nm) window applications
Gioffrè et al. Fabrication and characterization of zinc oxide based rib waveguide
Nakajima et al. Ultra low thermal expansion material for telescope mirror substrate
Maslov et al. Ellipsometric investigations of polished surface of glass/ceramic with ultralow coefficient of the temperature expansion

Legal Events

Date Code Title Description
PC41 Official registration of the transfer of exclusive right

Effective date: 20140916