TWI309491B - Printed circuit board for an electrical connector and the method of manufacturing an electrical connector - Google Patents

Description

1309491 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 、本發明有關於連接器中的近端_音⑽χτ)補償，且尤其有關 於種藉由提供頻率相依的有效電容以消除或減少多級補償系统 中的NEXT 〇 【先前技術】 連接器的導體之間的雜訊或信號干擾稱為串音。串音是使用 連接器的通訊裝置巾的制問題。尤其是在-種通訊系統，其中 電腦吊制的模組插頭與-模組插座匹配，插座及/或插頭中的電 線（導體）會產生近端串音(ΝΕχτ)，即短距離中相鄰電線間的串 音。插頭（由於其配置或因電線在其内部中止）能產生高串音或低 串音。具高串音的插頭在此稱為高串音插頭，而具低串音的插頭 在此稱為低串音插頭。 授予亞德森等人的美國專利5997358號(以下稱為358號專利) 敘述一種雙級方案用以補償這種ΝΕΠ。358號專利的全部内容以 引用的方式併入本文中。此外，美國專利5915989號，6〇42427 號’6050843號，及6270381號的内容也以引用的方式併入本文中。 358號專利藉由在雙級中加入一製造或人工串音，通常在插 座，以減少一模組插頭的電線對之間的ΝΕΧΤ(原始串音），以消除 或減少插頭插座組合中的總串音。該製造出的串音在此稱為補償 串音。此構想一般是在雙級中使用電容及/或電感式補償而實現。 5 1309491 例如將在連接器中，將一對待補償的組合對中一個的導電路徑交 又二次即可實現，以提供雙級的ΝΕχτ補償。此方案與—方案相比 (其在單一級中加入補償)可更迅速的減少ΝΕΓΓ，尤其是在除了一 段時間延遲後否則不能導入補償的情況下(這是常例）。 雖然有效，但358號專利的ΝΕΧΤ補償方案有一缺點，即相對 業協會(TIA)的限制線，當高串音插頭配合插座使用時， NEXT邊際會在低頻(低於約⑽驗)劣化，及當低串音插頭配合 插座使用時，NEXT邊際會在高頻(大於約咖驗)劣化。明確地， 當雙級補償插座中的淨補償串音小於原始串音時（即當高串音插 頭插入插鱗座組合稱為欠補償，在級間延遲及補償 級大小決㈣辭職衫狀前，會在低_辨制總腿 頻率特徵。接著NEXT大小頻率響應的斜率從空值之前的平滑斜率 _空值之後的㈣斜率，隱因而在高頻（即在大 頻率）中快速劣化。 二 另一方面’在此一插座中的淨補償串音大於原始串音時(即當 插入低串音插頭時），該插頭插座組合稱為過補償，而總頻率特徵 轉是雜，但騰辭的斜率會在極高頻中漸增到6_〇， 达超出TIA的極限斜率2〇 dB/1()。 因此’當高串音插頭配合插座制時，藉由增加補償位準可 改善低頻邊際(連接器的低雜） ㈣心4 疋田低串音插頭配合插座 時一動作會再度劣化高頻邊際(連接器的高頻性能）。相反 1309491 的，當低串音插頭配合插座使用時，雖然藉由減少補償位準可改 善高頻邊際，但是當高串音插職合插座使用時此—動作會再度 劣化低頻邊際。 因此需要—種技術，其在仙高串音插頭時能肖除或減少高 μ的NEXT ’同時在使用低串音插頭時能消除或減少低頻中的 φ 【發明内容】 本發明可克服減少連翻巾臆T的習財法關題及限制。 尤其是本發明提供-種多級串音補償方案，其中依此偏麵電容 性轉合，以便解增加時能減少總補償辦，藉此在不劣化低頻 NEXT性能之下大幅改善連接器的高頻脇了性能。這可藉由以下而 達成：提供-第-級補償結構，該結構於頻率增加時具有一較平 的有效電容響應，同時提供一第二級補償結構，該結構於頻率增 φ 加時具有一增加之有效電容響應。 本發月可改善模組插座及面板的低頻(如卜⑽μηζ)串音性 能及高頻(如250-500 MHz或至少500 miz)串音性能。 由以下詳細朗將了解本發明的這些及其它目的^，該了 解的是該詳細說明及特定範例雖然指示本發明的較佳實施例，但 疋敘述’因為熟習此項技藝者將可由以下詳細說明了解在本 發明的精神及範財可赠各麵化及改良。 1309491 【實施方式】 以下將詳細的參考本發明的實施例，其範例在附圖中會說 明。在本發明中，級是指補償位置，其發生在一補償延遲點。本 - 發明提供印刷電路板(PCB)的各種配置’其能取代，358號專利的圖 7A中的印刷佈線板。 本發明提供一種補償結構’用於連接器的多級ΝΕχτ補償系統 的第二級。此第二級於頻率增加時具有增加的有效電容響應。根 φ據本發明的不同實施例這可藉由使用一串聯式電感器⑹電容器 (C)組合結構，高長度/寬度交叉指職容器，長形折疊式交叉指 形電容器’或連接器中的開路傳輸線而達成。 ，圖1顯示本發明第一實施例的串聯式L-C組合結構。此串聯 式L-C組合結構的有效電容(Ceff)公式如以下所示：

Ceff =

C

\-{2TrffLC 其中f是頻率，c表示電容器的電容，及L表示電感器的電感。 由此公式可知’在小於串聯式L-C組合職振辭fres的頻率中， 有效電容。是__而增加。共振解匕的定義如下·· fres

In^fLC ’ ~_的L及C要使得共振頻率frcs發生在期望 8 1309491 頻寬的最高操細率。這允許有效電容隨著頻率增加到共振頻率 fres時也^增加。 圖2是簡化PCB的立體圖，以顯示根據本發明的第一實施例 如何實現圖丨的串聯式L—C組合。如圖2所示，圖丨的㈣式Μ 組合結構設置有- PCB，在此並未顯示印刷電路的細節。此例中的 電感器L實作成具螺旋結構的職電感器， 此例中的電容以實作成由二個並败又娜電奸容 i器結構’位於PCB的内層上。交叉指形電容器是一種具有二個網 狀金屬梳(各有不同電位）的共平面配置的電容器，而且是習知。 電容器C經由導電通孔8(如電鍵通孔）而冑連接電感器L。注意為 了本發明第一實施例的目的，圖1的串聯電容器也可用PCB的二 層上的簡單平行板電容器來實作。 圖3的圖形顯示有效電容相對於圖2中pCB結構的頻率響應 的模擬範例。此圖形是使用安索公司（Ans〇ft，Inc.)提供的習知 >模擬軟體hfss來模擬的。在100 MHz當電容值常態化為_時， 該圖形顯示圖2中PCB的有效電容隨著頻率增加而增加。若電容 器是簡單的平行板電容器則存在一類似響應。 圖4A及4B顯示根據第一實施例如何應用此例的串聯式 組合結構以補償連接器中的1_3對NEXT。圖4A是根據本發明第〜 實施例的連接器的侧視圖，而圖4B是PCB及根據本發明第—實施 例圖4A中NEXT補償元件的上視圖。 1309491 參考圖4A及4B ’連接ii包括具有岔道 -1插頭卻與連_匹配，插頭如可以是勸：=〇電2 線末端使用的’或是如用以連接個人電腦與壁上插座的中繼電纔 末端使㈣。接點3G可焊減扣人位於peB 1()的適#位置的電 鍛通孔32 ’且可以是彈簧線接點。此外，接點30具有電流承載部 分30b及非電流承載部分3〇a，其中這些部分3〇&及勘之間的邊 界BD如圖4A所示。接點3〇及pcB 1〇可裝設在殼體如模組插座 _中，以便插頭20插入插座時，插頭2〇的電氣接點可經由接點3〇 而與PCB 10上的電氣接點匹配。 PCB 10是-多層板由樹脂或其它材料其適於作為卿材料所 製造。在此例，PCB 10是由交替堆疊的三個基板(幻_33)及四個金 屬層(ML1-ML4)組成。明確地’基板及金屬層是以下列順序(從上 到下)堆疊.ML1，Sl’ ML2, S2, ML3, S3 及 ML4。金屬層 MU-ML4 各表示金屬導電圖案，其形成在對應金屬層正下方的基板的上表 面。金騎的某些部分是互連以電連接通過至少-導電通孔32如 電鍍通孔。圖中的彈簧接點3〇形成在第一金屬層mli上方。 彈簧接點30可以是複數個線對p，各線對p包括以環(r)及端 ⑴表示的接點。在圖4B中有四對它是(tl，rl)，（t2 r2)，（t3，r3) 及(t4，r4)。環是負極性導體而端是正極性導體。 第一及第二對交又指形電容器4〇a及她作為第一級補 債的電令性_ ’且分別形成在pCB 1Q的第二及第三金屬層似 1309491 及ML3上或是作為它的一部分。在此例，部分3〇b中的插座彈簧 配置在岔道14後面以產生電感性補償，以作為第一級補償的一部 分。層ML2上的第一對交叉指形電容器4〇a在層ML3上複製作為 •第二對電容器概。第一對交叉指形電容器4Ga是由位於層既2 上的電谷器40al及40a2組成。第二對交又指形電容器4〇b是由 位於層ML3上的電容器40al及40a2組成。第一對中的第一電容 器40al的末端分別通過一對電鍍通孔48a及48b而與環r3及rl •作電接觸。第-對中的第二電容器4〇a2❸末端分別通過一對電鑛 通孔48c及48d而與端tl及t3作電接觸。第二對交叉指形電容 器40b疋位於層亂3上的電容器40bl及40b2 ’其方式與第一對交 叉才曰形電谷器4〇a相同。電鍍通孔48a及48b與電容器4〇al及40bl 並聯。類似地，電鍍通孔48c與48d與電容器40a2及40b2並聯。 此外，作為第二級ΝΕΠ補償結構的串聯式l—c組合結構設置 _在？0810。第一串聯式l-C組合結構包括一螺旋電感器44及第一 與第二交又指形電容器46a及46b。螺旋電感器44位於第一金屬 層ML1上面或上方，然而第一及第二交又指形電容器4如及4肋 刀別在第二及第三金屬層既2及ML3上。類似地，第二串聯式l-C 組合結構包括一螺旋電感器54及第三與第四交又指形電容器 及56b。螺旋電感器54位於第一金屬層mu上面或上方，然而第 二及第四交叉指形電容器56a及56b分別在第二及第三金屬層ML2 及ML3上。在此例，層ML2上的第一及第三電容器46a及5如在 1309491 層ML3上複製分別作為第二及第四電容器働及咖。電容器伽 及46b經由電錢通孔33a及32c而並聯。電容亂及·經由電 鑛通孔33c及32f而並聯。 在本發明，相對於補償電容器的複製是指同等地複製在所有 指定的金麟上。例如，電容器術具有辦的形狀及大小且與 電容器她垂直對齊。複製交叉指形電容器的理由是不必增加腳 印（表面覆蓋)之下增加電容。而且，較大的腳印交叉指形電容器 可在不必複製之下使用。另—方面，若以更多金屬層製造印刷電 路板必要時可以在二個以上的金屬層上面複製以使腳印更小。 注意，在第-實施例的精神中，使用平行板電容器以取代交叉指 形電容器46a’ 46b，56a及56b。而且第-級電容器他及40b 也了以疋平行板電容器，如圖10中使用的將如以下所述。 電感器44經由電鍍通孔33a而與第一及第二交叉指形電容器 46a及46b分別串聯。電感器44的一端經由電鐘通孔咖而電連 接端t3。第-及第二電容器46a及46㈣一端經由電鍛通孔版 而電連接環rl。類似地’電感器54經由導電通孔33b而與第三及 第四交叉指形電容器56a及56b分別串聯。電感器54的—端經由 電鍍通孔32e而電連接端tl。第三及第四電容器5如及56b的一 端經由電鍍通孔32f而電連接環r3。 根據本發明，使用串聯式L-C組合結構用於雙級補償方案的 第二級ΝΕΠ補償’其在此顯示作為丨_3對組合的範例，若插頭2〇 12 1309491 是低串音插頭時可改善高頻性能，及若插頭20是高串音插頭時可 改善低頻性能。以下將解釋此如何操作。 next導因於二個因素：電容性耦合及電感性耦合。二條線的 • 接近會產生電容性耦合，然而電流通過這些線時會產生電感性輕 合。因此當插頭20匹配接點30時，會產生電容性耦合及電感性 輕合。這些因素都會產生近端串音或ΝΕΓΓ。 為了減少或補償NEXT ’ 一般使用雙級補償。第一級與插頭ΝΕχτ • 的相位相反，而第二級與插頭ΝΕΠ的相位是相同方向。這是習知 且揭示在358號專利。相對於插頭方向的補償方向如圖中的箭 號VI至V5所示。 而且’在連接器遠端產生的串音稱為FEXT。為了補償此參數， 正常NEXT補償的某一部分必須包括一電感元件。此元件是本文所 述雙級補償器的第一級的一部分。這發生在插座彈簧線超出岔道 14的部分30b。在此補償區域中，在該頻率下補償是相對穩定。 鲁 ’的第一級補償的明顯部分是電容性補償且藉由使用電 容器40a及40b而設置。在圖4A及4B中，第一級的此部分與原 始串音有最小的延遲’即在PCB 10的-部分其經由接點3〇的非 電流承載部分30a而直接電連接到插頭2〇的接點，其與接點3〇 父叉。淨第一級補償（其在岔道14之前是電容性部分)加上超出岔 道14的電感性部分與插頭中產生的串音是相反的。第二級與第一 級更加延遲(在PCB 10的一部分）’其與經由接點3〇的電流承載 13 1309491

:=而交叉接點3〇的插頭20接點有-段距離。它1右、 方向其與插頭串音的方向相同。 匕具有補償 交叉指形電容器4〇a b , v ^ 及401)在内金屬層上作為第一 分。串聯⑽合結構在第二級。第-級補一 性且未加人_錢蝴靖於鮮是較(=電容

率的增加而增加。結果，連接__音(製造=頻 其包括第-糊償串音減去第二_射音，職麵率的曰增加 :減夕。換5之，淨補償串音是依頻率而變動，因此本發明提供 一種在高_低_償串音，當輕位置無串聯贼科，ll 般是存在的。這可以使高頻時連接器中的串音過補償減到極小。 而且頻率相依麵在低酿供高_償串音，以使低鱗連接器 中的串音欠補償_極小。藉由在高頻提供低階補償串音，本發 明可改善當低串音插輸人插座時，連接⑽高頻邊際。另一方 面’藉由在低織供减補鮮音，本發财改善當高串音插頭 插入插座時，連接器的低頻邊際。 §頻率增加時使有效電谷增加的另一種方法是利用交叉指形 電容器的自共振特徵，如以下論文所述：”Interdigi1;al Capacitors and their Application to Lump-element Microwave Integrated Circuits" by Gary D. Alley, IEEE Transactions on

Microwave Theory and Techniques, Vol. MTT-18, No. 12, Dec. 14 1309491 1970，pp. 1028-1033。在該論文亞力教示一種交叉指形電容器其 在由其長寬比決定的頻率顯示出自共振。 如圖5所示，交叉指形電容器7〇包括互相配合的第一梳70a 及第二梳70b ’及端子72。交叉指形電容器的長度(L)及寬度(W) 的定義如圖所示。當交又指形電容器的長寬比(L/W)增加時，其顯 示自共振的頻率即減少。這可由整個重要頻寬中高比率的有效電 容增加可看出’其中假設共振頻率維持在該頻寬之上。這如圖6 ♦所示’它是-圖形顯示具不同(L/W)比的交叉指形電容器的有效電 容相對於頻率響應。此圖形顯示由安索公司（Ansoft，inc )提供 的軟體hfss模擬的結果，且比較不同交叉指形電容器的頻率相依 幾何與平行板電容器。如圖6所示，一長形交叉指形電容器具有 10.39的(L/W)比，於頻率增加時具有最高的有效電容增加率，這 疋與具(L/W)比1.27及〇. 195的交叉指形電容器相比以及與一平 行板型電容器相比。該圖形中的所有響應為了比較已在100 MHz 常態化到lpf。 上述長形交又指形電容器的自共振特徵，根據本發明的第二 實施例而在多級補償系統中提供ΝΕΠ補償。圖7A是根據本發明 第一實施例的連接器的侧視圖，而圖7B是PCB及圖7A中NEXT補 償元件的上視圖，第二實施例與第-實施例相同除了使用不同類 型的NEXT補償元件以外。尤其是，使用第一及第二平行板電容器 5〇及51而實現第一級補償電容器，及使用第一對長形交叉指形電 15 1309491 容器57a及58a’及第二對長形交又指形電容器57b及58b而實現 第二級補償元件。平行板電容器是一種由二個平行金屬板紙成^ 電容器’各金屬板的電位不同，而且這是習知。 第一平行板電容器50的二個板（圖7A的5如及5〇b)分別形成 在第一金屬層ML2及第三金屬層ML3上。以相同方式，第_平疒 板電容器51的二個板分別形成在第二金屬層ML2及第三金屬層 ML3上。電容器50的板50a經由電鍍通孔48b而接到環rl。電容 •器50的板50b經由電鍍通孔48a而接到環r3。類似地，第二平行 板電容器51的板51a經由電鍍通孔48c而接到端ti，而電容器 51的板51b經由電鍍通孔48d而接到端t3。 第一對長形交叉指形電容器57a&58a形成為第二金屬層亂2 的一部分，而第二對長形交又指形電容器57b及58b形成為第三 金屬層ML3的一部分。長形電容器57a及57b的一端分別經由電 鍍通孔32c而電連接環rl，然而長形電容器57a及57b的另一端 ® 为別經由電鑛通孔32b而電連接端u。因此交又指形電容器％ 及57b是並聯以達成高電容。類似地，長形電容器5如及5此的 一端分別經由電鍍通孔32f而電連接環r3，然而長形電容器 及58b的另一端分別經由電鍍通孔32e而電連接端tl。因此交叉 指形電容器58a及58b是並聯以達成高電容。 因此，藉由將平行板電容器置於連接器的第一級可以使第一 級補償電容性耦合的大小相對於頻率變的比較平。藉由將具大 16 1309491 (L/W)比的長形交叉指形電容器置於連接器的第二級，可以使第二 級補償電容性耦合隨著頻率的增加而增加。結果，連接器的淨補 僅串音隨者頻率的減少而減少。 在本發明的第三實施例中，第一及第二實施例的方法合併。 尤其是在第三實施例中’使用串聯式L-C組合結構而實現第二級 補償元件，其中在如圖8所示的此結構包括一螺旋電感器72，其 與具大(L/W)比的長形交叉指形電容器74串聯，且位於pCB1〇中。 換5之’第三實施例的連接器與圖4A及4B中第一實施例的連接 器相同’除了各第二級交叉指形電容器46a, 46b，56a及56b是 長形以具有大的（L/W)比以外。 在本發明的第四及第五實施例中，使用折疊式長形交叉指形 電容器取代圖8的高縱橫比交叉指形電容器，以分別實現第二及 第二實施例的方法。折疊式長形交叉指形電容器的範例如圖9的 分解圖所示。 明確地，在第四實施例中’二個一般長形交叉指形電容器57a 及57b分別形成在PCB的金屬層ML2及ML3中如圖7A及7B中的 第一實施例所示，且用一折疊式長形交又指形電容器取代，該電 容器具有設置在金屬層ML2及ML3中的層如圖9所示。以相同方 式’二個一般長形交叉指形電容器58a及58b分別形成在pcB的 金屬層ML2及ML3中如圖7A及7B中的第二實施例所示，且用一 折且式長开》父又指形電容器取代，該電容器具有設置在金屬層此2 17 1309491 及ML3中的層如圖9所示。 第五實施例與第三實施例相同，除了圖8第三實施例中的一 般長形交叉指形電容器74用圖10的折疊式長形交叉指形電容器 取代以外。折疊式長形交叉指形電容器78具有與圖9的折疊式長 形交叉指形電容器相同的結構。由於第三實施例與圖4A及4B的 第-實施例相同，除了使賴7A及7B的長形交叉指形電容器以 外，第五實施例也與圖4A及4B的第一實施例相同，除了用具大 L/W比的折疊式長形交叉指形電容器取代交叉指形電容器術， 46b，56a 及 56b 以外。 明確地，在第五實施例，二個一般長形交叉指形電容器4如 及46b分別形成在PCB的金屬層既2及ML3中如圖4A及4β中的 第-實施倾7F，且用-折疊式長形交又指形電容器取代，該電 容器具有設置在第二金屬層ML2及第三金麟ML3中的層如圖9 所示。以相同方式’二個一般長形交叉指形電容器脱及删分 別形成在PCB的金屬層ML2及ML3中如圖4A及4B中的第二實施 例所示，且用-折疊式長形交又指形電容錄代，該電容器具有 設置在金屬層ML2及ML3中的層。 圖11是-_作為-範例以比較本發明第―’第四及第五實 把例的纽電容轉於辭響應。此卿齡由安索公3(Ans〇ft， Inc.)提供的軟體hfss產生的模擬結果’而且圖形中的所有響應 為了該比較已在1GG MHz常態化到lpf。如圖u所示，螺旋電感 18 1309491 器與折疊式長形交叉指形電容器（其根據本發明第五實施例（響應 80)而串聯在第二級）的合併產生隨著頻率而增加的有效電容，其 尚於根據本發明第一實施例（響應81)或第四實施例（響應82)的補 償方案得到的。 圖12A是根據本發明第六實施例的連接器的侧視圖，而圖ι2β 是PCB及NEXT補償元件的上視圖。如圖12A及12B所示，此第六 實施例與第二實施例相同，除了使用開路傳輸線92(92&，92b，92c 及92d)作為第二級補償元件以外。在此例，使用與第二實施例相 同的平行板電容器50及51以實現第-級補償電容器 ，及使用在 PCB 10的第二金屬層ML2上的開路傳輸線犯以實現第二級電容性 補償疋件。此實施例中的共振發生在一頻率，其中傳輸線92的長 度等於共振頻率的四分之一波長。 雖然已敘述四層PCB結構，該了解的是PCB中可使用任何其 它數目的PCB基板及/或金顧。本發明的最終連接器可以與殼 體’絕緣位移連接器，插座彈簧接點等結合。而且，上述實施例 的各種配纽概可以與奸實施_合併，献以其它實施例 的取代。當使用蚊指形麵的電容科，也可朗板電容器或 是分離電容器。而且，可使用圖4β的圓螺旋形以外的幾何(如擴 圓螺旋形，四方職形，矩形螺娜，獅，或分離魏器）來實 現電感器。每當使用交又指形電容糾，這些電容器可相對於對 應的其它交又指形電容时複製。在-連接器中，部分的交叉指 19 1309491 ,:形電容it可實縣單_金屬層上献在數個金屬層上。 雖然已配合附圖及實施例來敘述本發明，但熟習此項技藐者 :該了解本發明不限於這些實施例，相反的在不違反本發明精^之 下可以對本發明作各種變化或改良。 【圖式簡單說明】 由以上詳峨明及關（其只是敘述）已完全了解本發明，而 肇該等附圖並非限制本發明，及其中： 圖1顯示本發明中使用的串聯式電感器電容器組合結構； 々圖2是簡化印刷t路板(PCB)的立體目，以顯示根據本發明的 第-實施例如何實現圖1的串聯式電感器電容器組合範例； 圖3的圖形顯示有效電容相對於圖2中pcB結構的頻率響應 的模擬範例； ~ 圖4A是根據本發明第一實施例的連接器的侧視圖； • 目4B是PCB及根據本發明第-實施例® 4A巾NEXT補償元件 的上視圖； ，圖5顯示根據本發明第二實施_交叉指形電容器的結構範 圖6的圖形顯示具不同長寬比的交叉指形電容器的有效電容 相對於頻率響應的模擬範例； 圖7A是根據本發b月第二實施例的連接器的側視圖； 圖7B是PCB及根據本發明第二實施例圖7八中ΝΕχτ補償元件 20 1309491 的上視圖， 圖8是簡化PCB的立體圖，以顯示根據本發_$三實_ 如何實現圖1的串聯式電感器電容器組合； ffi 9是根據本發明第四實_的折疊式長形交叉指形電容器 的範例； 圖10疋簡化PCB的立體圖，以顯示根據本發明的第五實施例 如何實現圖1的串聯式電感器電容器組合； ♦ ’ 11 L彡作為-例味本發明各實關的ΝΕχτ補償 PCB的有效電容相對於頻率響應； 圖12Α是根據本發明第六實施例的連接器的側視圖；及 圖12Β是PCB及根據本發明第六實施例圖12Α中ΝΕΠ補償元 件的上視圖。 【主要元件符號說明】 φ 8導電通孔 10印刷電路板 14岔道 20插頭 30插座彈簣接點 30a非電流承載部分 3〇b電流承载部分 32、33a、33b、32b、32c、32d、32e、32f、48a、48b、48c、48d 21 1309491 電鍍通孔 交叉指形電容器 40a、40b、46a、46b、56a、56b、57a、57b 40al、40a2、40bl、40b2 電容器 58a、58b長形電容器 50、 51平行板電容器 50a、50b、51a、51b 板 44、54、72、L螺旋電感器 鲁 70a、7Gb 梳 74長形交叉指形電容器 78折疊式長形交叉指形電容器 C電容器結構 MU、ML2、ML3、ML4 金屬層 51、 S2、S3 基板 22

Claims (1)

1. 「明*·· 1309491 /日修(動正替換頁j卜 [ 拾、申請專利範圍： 1. 電連接器的印刷電路板（咖）， 耦δ至該連接器内的複數個導體的一、—* 的第一補償結構；及 弟路徑 的第liii連接器内的複數個導體之該第-朴 Ξ;:貝結構1第二補償結構之電容隨頻率增力: ^如申ΐίϊ範圍第1項之印刷電路板，其” 至少一串聯式電感器電容器組合，串聯式威 -電感器及與電感料聯之至少讀合包括 L = t S專利㈣帛2項所述之印刷電路板，复中节 =感盗1括在該電連接器之一導體中的至少二自^ 4·如申請專利範圍第3項之印刷電路板，其中電感较—螺旋電 感器。 、电 5.如申請專利範圍帛3項之印刷電路板，其中至少一電容器包括： 一第-交又指形電容器，與電感器串聯且位於印刷電路板之 第一金屬層上；及 路板之 一第二交又指形電容器，與電感器串聯且位於印刷電 第二金屬層上。 6. 如申請專利範圍第2項之印刷電路板，其中第—補償結構包括 至少一父叉4曰形電谷器或至少一平行板電容器。 7. 如申請專利範圍第丨項之印刷電路板，其中第二補償結構包括 在印刷電路板之至少-金屬層上之至少—長形交叉指形電容器。 8. 如申請專利範ϋ第7項之印刷電路板，其補償結構包括 23 1309491 乂父電容器或至少一平行板電容器。 9. 如申綱細第7項之_電路板，料 至少-長形交又細電容器，它是 籌包括 10. 如申_軸咖晴職^：=!摄容器。 至少一交叉指形電容器或至少—平行板電容哭。 構包括 Π·如申請細_2切曜絲 器組合之至少—電容妓在印路板之至卜金 一長形交叉指形電容器。 s上之至少 13. 如申請糊_ 11項之印路板，其中至少-長形交又 指形電容11是-折4式長形蚊指形電容器。 14. 如申請專利範圍第13項之_電路板，其中第—補償結構包 括至少-交叉指形電容n或至少—平行板電容器。 15. 如申請專利範圍第i項之印刷電路板，其中第二補償結構包括 在PCB之至少-金屬層上之至少一開路傳輸線。 16. 如申請專利範圍第15項之印刷電路板，其中第一補償結構包 括至少一父叉指形電容器或至少一平行板電容器。 17. 如申睛專利範圍第2項所述之印刷電路板，其中在該第二補償 結構•中與該電感器串聯之該至少一電容器是至少一平行板電容 1309491 —種減少$音之連接器，包括： —印刷電路板⑽），包括複數個基板及複數個在基板間之金 屬層； 〃 -第-補償結構，設置在印刷電路板之第—級區域中印刷電 路板之至少一金屬層上； 一第二補償結構，設置在印刷電路板之第二級區域中，用以 增加具增加頻率之補償電容；及 至少一導電接點，設置在印刷電路板上方。 19. 如申請專麵_ 18狀連絲，其巾第二麵結構包括至 夕串聯式電感Α電容||組合，串聯式電感器電容器組合包括一 龟感器及與電感器串聯之至少一電容哭。 20. 如申請專利範圍第19項之連接器，其中電感器設置在印刷電 路板之外金屬層上运，上方，或下方，或是在印刷電路板内部之 中〇 電感 21.如申請專利細h項之連接器，其中電感器是一螺旋 器。 22.如一申請專利範圍第2〇項之連接器，其中至少一電容器包括： 第又叉扣汜電容器’與電感器串聯且位於印刷電路板之 第一金屬層上；及 一第二交叉指形 第二金屬層上。 ¥谷益’與電感器串聯且位於印刷電路板之 25 1309491 23. 如申請專利範圍第 ⑽ I · > ,t 員之連接裔，其中第一補償結;= 少一父叉指形電容器或至少—平行板電容器。矯包括至 24. 如申請專利範图笛彳β ^ ㈣項之連接器，其中第二補償結構句拓少 PCB之至少一金屬s w ^ r 傅包括在 运上之至少一長形交又指形電容器。 ===奴咖，州-囊構包迪 j态或至少一平行板電容器。 %如申請專利乾圍第24項之連接器，其中第二補 少一長駐又知電抑，它是m敍叉指料容哭括至 "圍弟26項之連接器，其中第-補償結構包括至 少-交叉指形電容器或至少—平行板電容器。 28. 如申清專利簡第19項之連接器’其中串聯式電感器電容器 組合之至少-電容器是在印刷電路板之至少—金屬層上之至少— 長形交又指形電容器。 29. 如申明專利轨圍第28項之連接器，其中第一補償結構包括至 少一交叉指形電料或至少—平行板電容ϋ。 SO.—如申請專利範圍第2δ項之連接器，其中至少一長形交叉指形 电谷裔疋-折4式長形蚊麵電容器。 3L如申請專利範圍第3〇項之連接器，其中第一補償結構包括至 少-交叉指輯容!I或至少—平行板電容器。 32.如申請專利1_ 18項之連接器，其中第二補償結構包括在 PCB之至少-金屬層上之至少—開路傳輪線。 26 1309491 问丨貝活稱a括至 4 別.如申請專利範圍第32項之連接器，其令肩 少一交又指^電容器或至少一平行板電容器。. 34 ·如申請專利範圍第ί9項所述之連接哭，复 構中與該電感器串聯之該至少一電容器是1 乂在該第二補償結 35· —種減少印刷電路板(pCB)中串音 /平仃板電容器。 數個基板及複數個在基板間之金屬層，電路板包括複 —補償部分’設置在_魏板之第 巾 之至少-金屬層上；及 飞中印刷电路板 用以增加具增加頻率之 又置在印刷電路板之第二級區域中， 補償電容之構件。 36.'種，連接蕃，包括： 複數個輸入端； 複數個輸出端； 複數個導體，盆- 分別相連；以及，〃、將該等各輸入端與該等各輸出端 一第—補償社搂 .^ 第一導體，該第二…片a龟輕合該等導體中之至少一 的有效電容；及補債結構具有一作為頻率函數響應 弟一補償|士播，甘办▲ 第—導體，該第、Γ $户八电耦合該等導體中之至少該 時間延遲，且補侦結構相對於該第一補償結構有 容響應不同之補償結構具有—與該第一有效電 37·如申請專利範4 轉的第二有效電容響應。 第—補償結構夏有圍j^項所述之電連接器，其中該 有效電容響應。、 作為一增加頻率函數的較平坦的 1309491 38.如申請專利範圍第37項 第二補償結構具有一作為―、择力L ，連接器，其中讀 效電容響應。 曰力須率函數之增加.的有 39.如申請專利範圍第加項 結構和該第二補以=等由 ，低 41·如申請專利範圍第4〇 電谷器組合。 由將該第一導體之—.第„部以3連接器，其中藉 部分相鄰佈線而實現該電感〔、該弟—導體之一第二 42·如申請專利範圍第4〇項^所述之+ 電感器包括在該第一導體中 ^連接盗，其中該 作為一頻率函數的該第 接為，其中《亥 —頻率函數的該第二有效電^:+響應及/或該作為 ^同時改良-淨串以擇 π串音插頭與該電連接器配人G 串日補犒疋當一 ㈡償結構在頻率低於100;時i供U:及： 第—補償結構提供一呈有一、第—接态，其中5亥 該第二補償結構提供二且有的f償訊號，且 的補償訊號。 /、百/、5亥弟一極性通常相反 4「如由償Λ構包括一長形交又指形電容器 佶*式長形父又指形電容器。 28 1309491 其中該 如申請專利範圍第μ項 第二補償έ士播七知： 、斤述之電連接考 ^ 構包括—開路傳H 48. —種電連接器，包括： 複數個輸入端： 複數個輸出端； 複數個導體，其將該等 與該J複數個輸出端之各輪端之各輪入端 ^其中該等複數個導體令：：刀第=， 邛分包括—自感區域，在該 ^體中的―第一 部分中的一第一段盥該第=该第—導體中的該 二段電感性耦合，. 蚣體中的該部分中的一第 其中该第一導體中的—锋_ 域，在該區域中該第一導體歲一2包括—電容區 第二導體電容性耦合，鉍該專禝數個導體中的一 ^該自感區域及該電容區域 益—電容器組合，及 從串聯式電感 其中該電感器之該電感鱼哕恭六 使該串聯式電容器一電感器ί且心2 = |容選擇為 連接器的最高期望操作頻率。口.的，、振頻率大於該電 49.—種電連接器，包括： 複數個輸入端； 複數個輸出端； 複數個導體，其將該等複數個 與該等複數個輸出端之各輸出端分別别相連，别入端 部八ΪΙ!!複數個導體中的—第—導體中的-第-邱又1*自感區域，在該區域中該第一導體中的卞 部分中的一第一與盘兮筮一道碰 命篮甲的〇亥 二段“&與該•導體中的該部分中的-第 29 1309491 域，> 上〜' γ 卞瓶丁叼〜第一 λ 第二導3區域中該第-導體輿兮一耸't包括-電容區 導體電容性耦合， ^專设數個導體中的一 σπ 中3亥自感區域及該^1· <-*·> Ί容器組合，2及〜區域包括—串聯式電感 50. 2中該第一導體中的 ~電容器組合，及 ....... 其中該電感器在該第一導 一提種/造-電連接器之方法體中/方括::i旋部分 導體i、二補償結構，其將來自 其令哕二補償訊號耦合至該電連連接器的一第一 、垂、μ〜補償結構提供一雷交$接為的一第二導體， 5 i如器申 帶中之頻率增加而ΪΓ。電容可隨該電 結構法，其中該補償 ^ ^ ^ ^电认态—電谷态組合。 器包括^ 51項所狀方法，其巾該電感 弟一導體中相互鄰近的第一段及第二段。 30