TWI307542B - Substrate processing device - Google Patents
Substrate processing device Download PDFInfo
- Publication number
- TWI307542B TWI307542B TW095119150A TW95119150A TWI307542B TW I307542 B TWI307542 B TW I307542B TW 095119150 A TW095119150 A TW 095119150A TW 95119150 A TW95119150 A TW 95119150A TW I307542 B TWI307542 B TW I307542B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- power supply
- supply member
- peripheral
- substrate processing
- peripheral member
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67103—Apparatus for thermal treatment mainly by conduction
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32532—Electrodes
- H01J37/32541—Shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32532—Electrodes
- H01J37/3255—Material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32715—Workpiece holder
- H01J37/32724—Temperature
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/20—Positioning, supporting, modifying or maintaining the physical state of objects being observed or treated
- H01J2237/2001—Maintaining constant desired temperature
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Resistance Heating (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Surface Heating Bodies (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Description
1307542 九、發明說明: ^ 【發明所屬之技術領域】 置本發明係有關於-種處理基板(矽晶圓)之基板處理裝 【先前技術】 先前,在半導體製造工序或液晶製造工序中,皆使用 鲁冑基板處理裝置。此基板處理裝置,係使基板載置於陶竟 基體保持面上,對前述基板實施加熱等處理之裝置,也有 作為電漿產生裝置者。 當兼用作電漿產生裝置時,設有RF電極(高周波電 極)、及供給高周波電流到前述RF電極之RF電極用供電構 件(例如,金屬導體之鎳棒)(例如參照專利文獻。 當施加高周波電壓到前述供電構件時,藉由表皮效 應,電流會集中流動在供電構件表層部(例如,自供電構件 φ 外周面深數〜數十之範圍),在徑向中央部幾乎沒有 電流流過。 供電構件之電阻,雖然以公式(1)表示,如上所述,藉 由表皮效應’在徑向中央部幾乎沒有電流流過,所以,估 s十上之剖面積S會減少,電阻r會上升。 (1)R = L/ ffS(R:電阻’L:供電體長度,σ :導電率, S :剖面積) 另外’供電構件之發熱量,係以以下公式(2 )來表示, 當電阻R上升時,發熱量也會增加。 7066-7783-PF/Ahddub 6
1307542 (2)W=RI (W:發熱量,r:電阻,i :電流) 如此一來,當施加高周波電壓到供電構件時,因為表 皮效應’會有供電構件發熱量增加之問題。 在此,在配設於基板處理裝置之週邊構件處,因為具 有複雜形狀之零件很多’所以,很多零件係使用由加工性 及絕緣性㈣㈣脂來製成。但是,由樹朗製成之週邊 構件因為耐熱性較差1以,會有因為高溫供電構件而受 損之虞。以下,具體說明之。 、即使係使用在樹脂中耐熱性很高之耐熱樹脂’其耐熱 咖度係2 5 0 C。因此,當透過供電盖 艰保罨構件而供給尚周波電流 或交流大電力到基板處理裝置 衣直之電極時,供電構件之溫度 會達到2 5 0 °C以上,由樹脂奥成 表成之週邊構件會有受損之虞。 又,在基板處理裝詈Φ,士„士 Λ ^ ( ^ 有時會設置電阻發熱體及供 給電壓到刖述電阻發熱體之電 电丨且發熱體用供電構件,前述 供電構件,係直接連接到電阻 體 則达 ,. 赞.,、、體上。因此,當加埶基 板處理裝置到高溫時,供雷糂杜1 田刀‘、,、惠 -,由…… 會因為熱傳導也會變成高 “樹月曰等所製成之週邊構件會有受損之虞。 為了防止上述損傷,週邊 有耐熱性而很難熱變形之陶瓷 料’有考慮使用具 而且,很難做成複雜形狀n但是’陶究很難加工’ 以採用。 因為很吊貴,所以很難加 【專利文獻1】 曰本特開平 U~26192號公報 【發明内容】 7066-7783-PF;Ahddub 7 1307542 【發明所欲解決的課題】 在此本發月之目的,係提供一種能減輕當供電 發熱時之週邊構件損傷的基板處理裝置。 年 【用於解決課題的手段】 為了達成上述目的,本發明之基板處理裝置,係包括. 基體,具有被供電構件;供電構件,施加電麗在前述基體 之破供電構件上;料構件,近接配置在前述供電構件. 以及絕熱材’配置於前述供電構件與前述周邊構件之間,’ 具有至少高於25(TC之耐熱性。 曰’ 【發明效果】 因為本發明之基板處理裝置設有絕熱材,所以,藉由 前述絕熱材,能降低供電構件發熱時往週邊構件之㈣ 導’能大幅減輕周邊構件因為熱所造成之損傷。又,絕熱
材’係具有至少高& 25(rc之耐熱性’所以,即使供電構 件溫度上升到高於25(rc時,絕熱材也不會產生劣化,能 發揮絕熱效果。 b 【實施内容】 以下,說明本發明之實施形態。 第1圖係本發明實施形態基板處理裝置之剖面圖。 基板處理裝置100,係包括陶瓷基體2〇、軸體1〇、供 電構件11,16及周邊構件14。 ' 7066-7783-PF;Ahddub 8 1307542 陶瓷基體20,係由AIN、SN、SiC、氧化鋁等所製成, 厚度係形成〇_ 5〜30mm。陶瓷基體20之外形形狀最好係圓 盤狀或多角形。 又,别述陶瓷基體20表面,係形成有保持面2〇a。而 且,在陶瓷基體20内部上部側埋設有高周波電極21,前 述高周波電極21下侧埋設有電阻發熱體22。高周波電極 21處接合有高周波電極用供電構件u,電阻發熱體22處 接合有電阻發熱體用供電構件16。藉此,基板處理裝置 ’ 1。。’係當自電阻發熱體用供電構件16施加電壓到電阻發 熱體22時’前述電阻發熱體22會被加熱,藉由前述熱, 載置於保持面20a上之基板會被加熱處理。而且,這些高 周波電極21及電阻發熱體22,係接受自供電構件u,i6 送來電力的被供電構件。 基板處理裝置100,係也能作為藉由自電阻發熱 體用供電構件16施加高周波電壓到高周波電極21而產生 電漿之電漿處理裝置。 在構成基板處理裝置100之陶瓷基體2〇内面2〇b處, 設有支撐陶瓷基體20之軸體10。前述軸體1〇,係呈中空 圓筒等形狀,以氮化紹、氮化石夕或氧化紹等來製成。 轴體10 i端係以-體化接合或密封接合等而被接合 到陶莞基體20N面挪處。而且,當實施密封接合時,係 使用0型環或金屬墊片等。但是,當於陶变基體20内面 2〇b形成有氣體導入通路時,係持續保持氣體導入通路之 氣密性而被接合。 7066-7783-PF;Ahddub 9 1307542 、、’邑熱材1 2,最好形成厚度〇 3mm以卜 絕熱材丨2形成0.3mm以上之厚声,之圓筒狀。藉由 度而抑制破損等情形。 確保絕熱材12之強 、’邑熱材12之體積電阻率,最
Wcm以上f枯“ ^取好係10 〇*cm以上’… 上之锅 ’絕‘、,、材12最好係具有耐電壓2kV以 、二體。藉此,絕熱材12,係即使供電構件u溫度 二也能減輕自供電構件"流到周邊構件“之電流量,
:广理裝f 1〇〇能適切地操作,又,能防止因為周邊 構件14電流所致之發熱。 又即使周邊構件i 4配設於自供電構件丄】,1 6算起 5_以内之位置,因為在供電構件u,i6設有絕熱材Μ, :乂此降低自供電構件11,16往週邊構件1 4之散熱量, 旎減輕因熱傳導所致之損傷。 、-邊構件14之材質,係採用例如氟樹脂之一的鐵氟 门f·生食b熱可塑性塑膠等,而能加工成複雜形狀。又, 週邊構件14最好係具有絕緣性之物件。 如此一來,基板處理裝置1 〇〇,係藉由在供電構件 ,1 6與週邊構件14之間設置絕熱材丨2,能降低當供電構 件11,16發熱時往週邊構件14之熱傳導。藉此,能提供一 種能減輕當供電構件u,16發熱時之週邊構件損傷的基板 處理裝置。 而且’本發明並不侷限於上述實施形態,可有種種改 變。例如,前述基板處理裝置1 〇 〇,也可以在陶瓷基體2 〇 中不埋設高周波電極21或電阻發熱體22,或者,不設置 7066-7783-PF;Ahddub 12 1307542 有軸體1 〇。 【實施例】 以下,透過參考例及實施例來具體說明本發明。 [參考例] 首先,在實施例之前,針對作為本發明前提之參考例 作說明。在本參考例中,適當變更供電構件與週邊構件之 距離,來驗證在週邊構件是否有產生熱變形。在參考例中, 雖然使用第1圖所示基板處理裝置,但是,在前述供電構 • 件並未設置絕熱材12。 使13. 56MHz、2000W之高周波電壓施加4〇分鐘在供電 構件上,驗證週邊構件溫度及有否熱變形。使25(rc感熱 貼紙貼在週邊構件部位中最接近供電構件之部位,藉由確 認感熱貼紙顏色之變化,來測定週邊構件之溫度。又,藉 由目視來判斷週邊構件有無熱變形。參考例之驗證結果以 表1來表示。 【表1】 參考例1 參考例2 參考例3 參考例4 周邊構件 材質 熱可塑性接 最高連續使 用溫度(°c) 250 伢黽構仵興周邊構件 之距離(刪) 1 3 5 7 周邊構件之溫度(°c) 卜 >250 >250 >250 <250 周邊構件之熱變形 有 有 有 無 (在最接近之 部位上有熱變形) 如表1所示,在參考例1〜4中,係使用材質為熱可塑 性塑膠而能連續使用之最高溫度(最高連續使用溫度)為 7066-7783-PF;Ahddub 13 1307542 250°C之週邊構件。 而且,在參考例1 ~4中,供電構件與週邊構件之距離, 分別係 lmm、3mm、5mm、Τιηιη。 簡單說明參考例之結果。 在參考例1〜3中,雖然週邊構件之溫度高於25〇(5c, 但是’在參考例4 +,週邊構件之溫度低於25(TC。 又’在參考例1,2巾’週邊構件會產生熱變形,在基 板處理裝置有產生損傷。在參考例3 +,週邊構件雖然有 產生熱變形,但是在基板處理裝置並未產生損傷。 在參考例4中,雖然週邊構件之溫度低於25〇乞,但 疋’週邊構件對供f構件之料性會降低,供電構件被傾 斜保持著。傾斜的供電構件與週邊構狀最接近距離係未 滿5_。纟此接近之部位中,週邊構件有產生熱變形。 由以上參考例卜4之結果可知,當週邊構件配置在自 供電構件算起5_以内之範圍時,藉由供電構件之發熱, 會產生週邊構件之熱變形及基板加熱裝置之破損。 [實施例] 接著,說明本發明之實施例。在本實施例中,係使用 上述參考例所使用之基板處理裝置,在前述基板處理裝置 之供電構件設有絕熱材。亦即,將最高連續使用溫度為250 C之熱可塑性塑膠製成週邊構件,設定使供電構件與週邊 構件之距離為3mm。 在實施例中,使用由3種材質製成之絕熱材,驗證週 邊構件之溫度、週邊構件之熱變形及絕熱材之熱變形。其 14 7〇66-7783-PF;Ahddub 1307542 結果以表2來表示。 【表2】
實施例1 實施例2 比較例1 絕熱材 材質 ai2〇3(陶瓷) A1N(陶瓷) 聚四氟乙稀 絕熱材厚度(mm) 1 1 1 最高連續使用溫度(°C) >1000 >1000 250 熱傳係數(W/m*K) 35 100 0.25 體積電阻率(室溫)(Ω*αη) >1E+16 1E+15 >1E+18 耐電壓(kV/mm) >2 >2 >2 周邊構件之溫度(°c) <250 <250 <250 周邊構件之熱變形 無 無 無 絕熱材之熱變形 無 無 有 效果 0 0 X 絕熱材,係形成lmm厚度之圓筒狀。使實施例1, 2及 比較例1中之絕熱材材質,採用Al2〇3、A1N、鐵氟龍。 使13. 56MHz、2000W之高周波電壓施加40分鐘在供電 構件上,驗證週邊構件之溫度、週邊構件之熱變形及絕熱 材之熱變形。 週邊構件之溫度及熱變形,係以與上述參考例相同之 方法來驗證。又,以目視來確認絕熱材之熱變形。 在實施例1,2中,週邊構件及絕熱材皆未產生熱變 形,基板處理裝置也未產生異樣等。但是,在比較例1中, 雖然週邊構件未產生熱變形,但是,絕熱材有熱變形而妨 礙供電構件之熱膨脹,所以,基板處理裝置有產生異樣。 由上述實施例1,2及比較例1之結果可知,在週邊構 件與供電構件之間,藉由配設包括高於250°C耐熱性之絕 熱材,能降低自供電構件往週邊構件之熱傳導,而能減輕 週邊構件之損傷。又,藉此,也能防止基板處理裝置之損 7066-7783—PF/Ahddub 15
Claims (1)
- W-1。』 D07S4Sii9i5〇'號申請專利範圍修正本 年月曰修(更)正替換頁 丨 1 1.1, ... ^ 十、申請專利範圍: 1. 一種基板處理裝置,包括: 基體(2 0 ) ’具有被供電構件(? 1 99〉 _ ,, 电稱仵U1,22),該被供電構件 係電阻發熱體(22)及高周波電極(21)中之至少一者· 供電構件⑴,⑻,施加電壓在前述基體之被供電構 件上; 周邊構件(14),近接配置在前述供電構件;以及 議才⑽’配置於前述供電構件與前述周邊構件之 間,别述絕熱材(12)係陶瓷絕綾驴親 究,έ緣體,熱傳係數係50W/m木κ 以下,耐電壓係2kV以上, 其特徵在於: 則述絕熱材(12)具有至少高於25〇〇c之耐熱性; 此裝置更包含一軸體(1〇)’係氮化銘、氮化石夕:或氧 化銘所形成的中空圓筒,彡 J叉琛别述陶瓷基體, 前述周邊構件位於i 4丄μ ^ 再干彳於别述軸體下端部的内周面;以及 前述供電構件的下嫂。, 再什7卜螭邻(13)藉由前述絕熱材 周邊構件密合,至少—部八沾乂 + 何彳、則述 Ρ刀的前述周邊構件(14)配置在相 鄰的供電構件(11,16:)算鈕R 置在相 ,㈧异起5mm以内的位置。 7〇66-7783-PFl;Ahddub 17 ► Γ3〇7|42ΐ9ΐ5〇·號說明書修正頁 ► Γ3〇7|42ΐ9ΐ5〇·號說明書修正頁 修正日期:97.10.9 HOr 时—- 年月Rf(._ 七、指定代表圖: "(一)本案指定代表圖為:第(1)圖。 "(二)本代表圖之元件符號簡單說明:: 10〜軸體; _ 12〜絕熱材; 14〜周邊構件; 15〜絕緣管; 2〇〜陶究基體(基體);20a〜保持面; 20b〜内面; 100〜基板處理裝置; 21〜向周波電極(被供電構件); 22〜電阻發熱體(被供電構件); U〜鬲周波電極用供電構件(供電構件); 16〜電阻發熱體用供電構件(供電構件); 13〜供電構件的下端部。 八、本案若有化學式時,請揭示最能顯示發明特徵的化學式: 。 < »»、7066-7783-PFl;Ahddub 5
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US68724805P | 2005-06-02 | 2005-06-02 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW200701387A TW200701387A (en) | 2007-01-01 |
TWI307542B true TWI307542B (en) | 2009-03-11 |
Family
ID=36617295
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW095119150A TWI307542B (en) | 2005-06-02 | 2006-05-30 | Substrate processing device |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7560668B2 (zh) |
EP (1) | EP1729328B1 (zh) |
JP (1) | JP4672597B2 (zh) |
KR (1) | KR100787082B1 (zh) |
CN (1) | CN100433249C (zh) |
TW (1) | TWI307542B (zh) |
Families Citing this family (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006236867A (ja) * | 2005-02-25 | 2006-09-07 | Ngk Insulators Ltd | プラズマ処理部材 |
JP2008108703A (ja) * | 2006-09-28 | 2008-05-08 | Covalent Materials Corp | 面状ヒータ及びこのヒータを備えた半導体熱処理装置 |
JP2009084686A (ja) * | 2007-09-11 | 2009-04-23 | Tokyo Electron Ltd | 基板載置機構、基板処理装置、基板載置機構上への膜堆積抑制方法及び記憶媒体 |
JP5426892B2 (ja) * | 2008-02-08 | 2014-02-26 | 日本碍子株式会社 | 基板加熱装置 |
KR101120599B1 (ko) * | 2008-08-20 | 2012-03-09 | 주식회사 코미코 | 세라믹 히터, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 박막 증착 장치 |
JP5416570B2 (ja) * | 2009-12-15 | 2014-02-12 | 住友電気工業株式会社 | 加熱冷却デバイスおよびそれを搭載した装置 |
US20120103970A1 (en) * | 2010-05-13 | 2012-05-03 | Applied Materials, Inc. | Heater with independent center zone control |
KR101329315B1 (ko) * | 2011-06-30 | 2013-11-14 | 세메스 주식회사 | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
JP6063741B2 (ja) * | 2012-12-28 | 2017-01-18 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理容器及びプラズマ処理装置 |
JP6690918B2 (ja) * | 2015-10-16 | 2020-04-28 | 日本特殊陶業株式会社 | 加熱部材、静電チャック、及びセラミックヒータ |
JP6704791B2 (ja) * | 2016-05-25 | 2020-06-03 | 日本特殊陶業株式会社 | 加熱装置 |
JP6758143B2 (ja) * | 2016-09-29 | 2020-09-23 | 日本特殊陶業株式会社 | 加熱装置 |
US11289355B2 (en) | 2017-06-02 | 2022-03-29 | Lam Research Corporation | Electrostatic chuck for use in semiconductor processing |
JP6858656B2 (ja) * | 2017-06-26 | 2021-04-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 給電部材及び基板処理装置 |
KR102300756B1 (ko) * | 2017-11-21 | 2021-09-10 | 와틀로 일렉트릭 매뉴팩츄어링 컴파니 | 원자 보호층을 갖는 세라믹 받침대 |
WO2019152528A1 (en) * | 2018-01-31 | 2019-08-08 | Lam Research Corporation | Electrostatic chuck (esc) pedestal voltage isolation |
US11086233B2 (en) | 2018-03-20 | 2021-08-10 | Lam Research Corporation | Protective coating for electrostatic chucks |
JP7098376B2 (ja) * | 2018-03-26 | 2022-07-11 | 日本特殊陶業株式会社 | 加熱装置 |
JP7204380B2 (ja) * | 2018-08-28 | 2023-01-16 | 株式会社ディスコ | テーブル |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE69233692T2 (de) | 1991-03-26 | 2007-12-06 | Ngk Insulators, Ltd., Nagoya | Verwendung eines korrosion beständigen Substratshalters |
US5478429A (en) | 1993-01-20 | 1995-12-26 | Tokyo Electron Limited | Plasma process apparatus |
JPH10172792A (ja) * | 1996-12-05 | 1998-06-26 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
US6616767B2 (en) * | 1997-02-12 | 2003-09-09 | Applied Materials, Inc. | High temperature ceramic heater assembly with RF capability |
JP3676569B2 (ja) * | 1998-05-18 | 2005-07-27 | 日本碍子株式会社 | プラズマ発生電極装置およびプラズマ発生装置 |
JP2001210450A (ja) * | 2000-01-25 | 2001-08-03 | Kyocera Corp | ウエハ加熱装置 |
JP2002313781A (ja) | 2001-04-11 | 2002-10-25 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 基板処理装置 |
JP4549022B2 (ja) * | 2001-04-30 | 2010-09-22 | ラム リサーチ コーポレイション | ワーク支持体の表面を横切る空間温度分布を制御する方法および装置 |
JP4219628B2 (ja) * | 2001-07-27 | 2009-02-04 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置および基板載置台 |
JP3870824B2 (ja) * | 2001-09-11 | 2007-01-24 | 住友電気工業株式会社 | 被処理物保持体、半導体製造装置用サセプタおよび処理装置 |
JP3840990B2 (ja) * | 2002-03-05 | 2006-11-01 | 住友電気工業株式会社 | 半導体/液晶製造装置 |
JP3832409B2 (ja) * | 2002-09-18 | 2006-10-11 | 住友電気工業株式会社 | ウエハー保持体及び半導体製造装置 |
JP4238772B2 (ja) * | 2003-05-07 | 2009-03-18 | 東京エレクトロン株式会社 | 載置台構造及び熱処理装置 |
JP4258309B2 (ja) * | 2003-08-01 | 2009-04-30 | 住友電気工業株式会社 | 半導体製造装置用サセプタおよびそれを搭載した半導体製造装置 |
JP2005100695A (ja) * | 2003-09-22 | 2005-04-14 | Ngk Insulators Ltd | 基板加熱方法、抵抗発熱体付基板及びその製造方法 |
JP2005317749A (ja) * | 2004-04-28 | 2005-11-10 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体製造装置用保持体及びそれを搭載した半導体製造装置 |
-
2006
- 2006-05-22 JP JP2006141795A patent/JP4672597B2/ja active Active
- 2006-05-30 TW TW095119150A patent/TWI307542B/zh active
- 2006-05-30 KR KR1020060048596A patent/KR100787082B1/ko active IP Right Grant
- 2006-05-30 CN CNB2006100846985A patent/CN100433249C/zh active Active
- 2006-05-31 US US11/443,703 patent/US7560668B2/en active Active
- 2006-06-01 EP EP06252840.1A patent/EP1729328B1/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20060280875A1 (en) | 2006-12-14 |
CN1881529A (zh) | 2006-12-20 |
JP2006339637A (ja) | 2006-12-14 |
EP1729328B1 (en) | 2017-08-02 |
EP1729328A1 (en) | 2006-12-06 |
JP4672597B2 (ja) | 2011-04-20 |
TW200701387A (en) | 2007-01-01 |
KR20060125531A (ko) | 2006-12-06 |
CN100433249C (zh) | 2008-11-12 |
KR100787082B1 (ko) | 2007-12-21 |
US7560668B2 (en) | 2009-07-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI307542B (en) | Substrate processing device | |
JP6377706B2 (ja) | 加湿器および層状の加熱エレメント | |
JP6674800B2 (ja) | 基板支持装置 | |
JP5117146B2 (ja) | 加熱装置 | |
TWI317156B (en) | Heating element | |
CA2736652A1 (en) | Flexible electrothermal plate | |
JP2015152218A (ja) | 流体加熱装置 | |
TWI458381B (zh) | 配管之加熱裝置 | |
TW541638B (en) | Heater member for mounting heating object and substrate processing apparatus using the same | |
TWI475173B (zh) | 配管之加熱裝置 | |
WO2017117873A1 (zh) | 一种双面高导热能力的厚膜发热元件 | |
JP2014203980A (ja) | ウエハ加熱ヒータ | |
TW200834801A (en) | Ceramic heater with electrostatic chuck | |
KR101619094B1 (ko) | 고온 베이킹 장치용 기판히터 | |
KR20140090557A (ko) | 면상 히터 | |
TWI504307B (zh) | 片狀加熱器 | |
JP3568194B2 (ja) | 半導体熱処理用セラミックヒーター | |
JP2007250448A (ja) | 可撓性面状発熱体 | |
EP1988747A2 (en) | Method of manufacturing film heater using heat-resistant crystallized glass | |
TWI461092B (zh) | 面狀加熱器 | |
KR20210009862A (ko) | 고온 면상 발열체를 이용한 곡면 히터 | |
JP6867907B2 (ja) | セラミックス接合体およびセラミックス接合体の製造方法 | |
JP5461220B2 (ja) | 面状ヒータの製造方法及び面状ヒータ | |
TWI224936B (en) | Self-temperature-controlled protection heater | |
KR20210033755A (ko) | 고온 면상 발열체 |