TWI307074B - Liquid crystal display panel - Google Patents

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TWI307074B
TWI307074B TW091122191A TW91122191A TWI307074B TW I307074 B TWI307074 B TW I307074B TW 091122191 A TW091122191 A TW 091122191A TW 91122191 A TW91122191 A TW 91122191A TW I307074 B TWI307074 B TW I307074B
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Description

1307074 五、發明說明（1 ) 本發明係有關於-種主動矩陣驅動類型的液晶顯示器 面板’在其中，每—像素具有—儲存電容器。 第9圖是為一種習知液晶顯示器面板之等效電路的圖 示而第10圖疋為在该習知液晶顯示器面板中之一顯示像 素之等效電路的圖示。在該習知液晶顯示器面板101中， 數條資料匯流排線（訊料）1()2係平行地形成於_個未被 顯示的透明玻璃基體上，而數條閘極匯流排線（掃描 線）1〇3係以相交的形式經由一絕緣薄膜來形成於其上。 (每一列之）儲存電容器匯流排線104係與該等閘極匯流排 線103平行地排列，而一共用儲存電容器匯流排線1〇5係 與該等資料匯流排線；!_ 〇 2平行地被排列在該等儲存電容器 匯流排線1〇4之一側的末端。 該等儲存電容器匯流排線1〇4係各電氣地連接到該共 用儲存電容器匯流排線1 〇 5。一預定的電位係經由該共用 儲存電容器匯流排線1 〇 5來從一儲存電容器匯流排線驅動 電路（圖中未示）供應到該等儲存電容器匯流排線1〇4。 像素係被形成於該等由該等資料匯流排線1 〇 2與該等 閘極匯流排線1 0 3所界定的區域内。資料驅動器（訊號線驅 動電路）10 6和閘極驅動器（掃描線驅動電路）丄0 7係被設 置於在一個透明玻璃基體（圖中未示）上之形成有像素之 顯示區域的周緣區域上俾可驅動該等資料匯流排線1 〇 2和 該等閘極匯流排線103。 請參閱第1 〇圖所示，一薄膜電晶體（於此後縮寫為 TFT ) 1 〇 8係被形成接近一個點，在該點處，該資料匯流排 五、發明說明（2) 線1 0 2和該閘極匯流排線1 〇 3係彼此相交。該TFT 1 〇 8的 汲·極電極D係連接到該資料匯流排線1 〇 2，該TFT 1 〇 8的閘 極電極G係連接到該閘極匯流排線1 〇 3，而該TFT 1 0 8的源 極電極S係連接至一像素電極1〇9 ^ 一液晶層i1;L係被保持 在該像素電極1 0 9與一相對電極11 〇之間，藉此形成一液 晶電容Cl c。一儲存電容器Cs係與該液晶電容cl c並聯連 接。該儲存電容器Cs係形成在該像素電極ι〇9與該儲存電 谷器匯流排線1 0 4之間。該相對電極11 Q係形成於另一個 未被顯示的透明玻璃基體上。一相對電極電壓vcom係被施 加到該相對電極11 0。 在該主動矩陣驅動類型的習知液晶顯示器面板中，藉 著把一訊號電壓施加到每一資料匯流排線（訊號線）1〇2， 該等像素的訊號電壓係在一個該數條閘極匯流排線1〇3中 之者被選擇且一掃描讯號被施加的狀態下被施加到一被 選擇之列的液晶電容Clc以致於被連接至該被選擇之閘極 匯抓排線1 0 3的TFTs 1 0 8被打開。該液晶電容C1 c具有如 此一個小電容以致於它係不足以保持該訊號電壓。因此， 該儲存電容器Cs係與該液晶電容Clc並聯地連接，以致於 被寫入該像素電極的電壓不會在一個垂直周期中變動。因 此，亮度係被防止在該垂直周期中改變俾可藉此防止所謂 的閃爍的出現。 '於在該閘極匯流排線工〇 3係從比該TFT之閘極臨界電 壓大的開啟電壓改變成比該TFT之閘極臨界電壓低的關閉 電壓時的時候，該像素電極（液晶電容）1〇9的電位 1307074 發明說明 在該TFT 108之閘極與源極之間的寄生電容㈣及由於 在該閘極匯流排線103與該像素電極ι〇9之間的寄生電容 (CgP)而變動’通常引致在該面板中之亮度上的變動及閃 爍然而，6亥衫響係能夠藉由提供該儲存電容器Cs來被降 低。 第11A和11B圖是為顯示該習知液晶顯示器面板之問 題的圖示其中’第11A圖是為插繪被形成於在那裡該等 儲存電容器匯流排線i 〇 4與該等資料匯流排線工〇 2係相交 之部伤之寄生電容Ck之等效電路的圖示，噪聲係經由該等 寄生電容⑶混合到該等儲存電容器匯流排線ι〇4，而第 11B圖是為描繪在該等資料匯流排線1〇2之訊號電壓上之 改變的圖示。第12圖是為一個具體地描繪一顯示圖型的圖 示，其中，在該等儲存電容器匯流排線之電壓上的改變變 成最大。 如在第11A和11B圖中所示，該等儲存電容器匯流排線 1〇4係被排列成與該等資料匯流排線1〇2成直角而因此， 寄生電容C k係被形成於在那裡該等儲存電容器匯流排線 1〇4與該等資料匯流排線1〇2係相交的部份。因此，在該 等資料匯流排線；L〇2之電壓上的改變係經由該等寄生電容 ck來被傳送到該等儲存電容器匯流排線ι〇4。結果，噪聲 係混合至該等儲存電容器匯流排線1〇4，引致該等儲存電 容器匯流排線1〇4的電壓變動。該等像素電極的電壓隨著 在該等儲存電容器匯流排線1〇4之電壓上的變動來變動， 而那裡係出現顯示不平均。 ， 6 1307074 五、發明說明（4) 雖然未在第11A和11B圖中顯示，該等儲存電容器匯流 排線104的電壓甚至由於在經由該等tfts 1〇8來被施加 至該等像素電極109之訊號電壓上的改變而係像以上一樣 變動，經常引致顯示不平均。 在顯示一個所謂的網狀圖型時，在其中，〃亮〃與"暗,， 係如在第12圖中所示般就該等像素中之每一者交替地重 覆，該電壓係極度地於該等儲存電容器匯流排線“A上變 動，而顯示不平均和串擾係變得顯著的。 當在第12圖中所示的網狀圖型係藉由使用如在第μ 圖中所示之資料驅動器（訊號線驅動電路）1〇6係交替地供 應一正訊號和一負訊號的結構來被顯示時，經由該等寄生 電容C k來混合至該等儲存電容器匯流排線丄〇 *的噪聲係由 於該等資料匯流排線1〇2之電壓全部在相同方向上改變而 全部變成相同相位，而電壓變動在該等儲存電容器匯流排 線1〇4上變得最大。 本發明係被完成俾可解決以上的問顯，並且提供一種 能夠減少在儲存電容器匯流排線上之電壓變動和能夠防止 在顯示之品質上之降級的液晶顯示器面板。 即，本發明係有關於一種液晶顯示器面板，該液晶顯 不Is面板包含像矩陣一樣被配置於一基體上的像素區域、 被形成於該等像素區域的儲存電容器、連接至數個儲存電 容器的儲存電容器匯流排線、_用於把一預定電位施加至 β亥數條儲存電容器匯流排線的共用儲存電容器匯流排線、 及連接至該共用儲存電容器匯流排線的輔助電容器。 1307074 五、發明說明（5) 在本發明的液晶顯示器面板中，該等輔助電容器係藉 由使用該共用儲存電容器匯流排線來被形成。在本發明的 液晶顯不器面板中，該等儲存電容器和該等辅助電容器係 被形成成一 MOS結構。 在本發明的液晶顯示器面板中，用於把電壓穩定化的 輔助電容器係被加人至該把—預定電位施加至該等儲存電 容器匯流排線的共用儲存電容器匯流排線。即，用於把電 壓穩定化的該等輔助電容器吸收經由於在那裡該等資料匯 流排線係與該等儲存電容器匯流排線相交之部份之寄生電 容器來混合至該等儲存電容器匯流排線的噪聲。即使當該 等儲存電容器匯流排線的電壓係隨著被施加至該等像素電 極之訊號電屋之變動來變動時，該電壓的變動係能夠由該 等用於把電壓穩定化的辅助電容器吸收。這抑制了在該等 儲存電容器匯流#線之電壓上的變動而因此，防止顯示不 平均與橫串擾的發生，使得要獲得良好品質的顯示是有可 能的。 當該像素的儲存電容器係被形成成該M〇s結構時，用於 把電壓穩定化之被加入該共用儲存電容器匯流排線的輔助 電容器亦係被形成成該Μ Ο S結構俾可進一步增加用於把電 壓穩定化的辅助電容器而因此，有效地抑制在儲存電容器 匯流排線之電壓上的變動。此外，當在該像素内的儲存電 容器被形成成n-MOS結構時，用於把電壓穩定化的辅助電 容器係被形成成P-MOS結構而當在該像素内的儲存電容器 係被形成ρ-MOS結構時，用於把電壓穩定化的電容係被形
1307074 五、發明說明（6) 成成n-MOS結構，因此被供應到該共用儲存電容器匯流排 線的電壓係被使用作為該等閘極匯流排線的關閉電壓或開 啟電壓。這消除了新供應一電壓的需求，而電路結構和液 晶顯示器面板的結構能夠被簡化。 第1圖是為本發明之實施例之液晶顯示器面板之等效 電路的圖示； 第2圖是為本發明之實施例之另一液晶顯示器面板之 等效電路的圖示； 第3圖是為在本發明之第一實施例之液晶顯示器面板 中之主要部份之佈線結構的圖示； 第4 A圖是為一像素區域的剖視圖（沿著第3圖中的線 A-A) ’而第4B圖是為藉由使用一共用儲存電容器匯流排 線來形成之電容器部份的剖視圖（沿著第3圖中之線 B-B)； 第5圖是為在本發明之第二實施例之液晶顯示器面板 中之主要部份之佈線結構的圖示； 第6 A圖是為一像素區域的剖視圖（沿著第5圖中的線 C-C) ’而第SB圖是為藉由使用該共用儲存電容器匯流排 線來形成之電容器部份的剖視圖（沿著第5圖中之線 D-D)； 第7圖是為在本發明之第三實施例之液晶顯示器面板 中之主要部份之佈線結構的圖示； 第8圖是為本發明之第三實施例之液晶顯示器面板中 之主要部份之佈線結構的圖示； 1307074
五、發明說明（7) 第9圖是為一習知液晶顯示器面板之等效電路的圖示； 第1 0圖是為在該習知液晶顯示器面板中之顯示像素之 等欵電路的圖示； 11圖是為顯示在該習知液晶顯示器面板中固有之問 題的圖矛 , ' 其·中’第ha圖是為描繪被形成於在那裡該等 上屬各器匯流排線與該等資料匯流排線（訊號線）係相 交之#伤之寄生電容之等效電路的圖示，噪聲係經由該等 審 Φ a * ^ 谷混合到該等儲存電容器匯流排線，而第11B圖是 為私緣在該等資料匯流排線（訊號線）之訊號電壓上之改 變的圖示；及 B第12圖是為描繪在該習知液晶顯示器面板中固有之問 題’及具體地描緣一顯示圖型的圖示，在該顯示圖型中， 電壓變動在該等儲存電容器匯流排線上變成最大。 本發明之實施例之液晶顯示器面板現在將會配合第工 圖作描述。第1圖是為該實施例之液晶顯示器面板之等 效電路的圖示。在這實施例的液晶顯示器面板中，數條資 料匯流排線（訊號線）2料行_成於—個未被顯示的透 月玻璃基體上，而數條閘極匯⑽線（掃描線）3係以一個 相交的形式經由-未被顯示的絕緣薄膜來被形成於並上。 歸儲存電容龍流麟（料财之每—者的料電容 器匯流排線··水平儲存電容器匯流排線）4係與該等閉極匯 流排線3平行地被配置，而1用儲存電容器匯流排線5係 與該等資料匯流排線2平行地被配置於在該等儲存電容器 匯流排線4之-側上的末端。（該等财之每_者之）儲存 10 1307074 五、發明說明（s) 電容器匯流排線4係電氣地連接至該共用儲存電容器匯流 排線5。-預定電位（儲存.電容器匯流排線電磨vcs)係經 由該共用儲存電容器匯流排線（垂直儲存電容器匯流排 線)5來從一儲存電容器匯流排線驅動電路(圖中未示)供 應到該等储存電容器匯流排，線（該#列中之每一者的儲存 電容器匯流排線：水平儲存電容器匯流排線）4。 像素係被形成於由該等資料匯流排線2與該等閘極匯 流排線3所界定的區域。資料驅動器（訊號線驅動電路Μ 和閘極驅動器（掃描線驅動電路）7係被設置於在一個透明 玻璃基體（圖中未示）上之形成有像素之顯示區域的周緣 區域上俾可驅動該等資料匯流排線2和該等閘極匯流排線
薄膜電晶體（TFTs ) 8係被形成接近該等於其那裡資料 匯流排線2與閘極匯流排線3係彼此相交的點。該TFT 8的 沒極電極D係連接至該資料匯流排線，該TFT 8的閘極電 極G係連接至該閘極匯流排線3，而該TFT 8的源極電極g 係連接至一像素電極9。一液晶層11係被保持在該像素電 極9與一相對電極10之間，藉此形成一液晶電容^^。一 儲存電谷器Cs係與該液晶電容cic並聯地連接。該儲存電 容器係被形成在該像素電極9與該儲存電容器匯流排線4 之間。該相對電極1 〇係被形成於未被顯示的另一個透明玻 璃基體上。一相對電極電壓Vcom係被供應到該相對電極 10 = 此外，在本實施例的液晶顯示器面板1中，用於把電壓 11 1307074 五、發明說明（9) 穩定化的輔助電容器Ccs係連接至該共用儲存電容器匯流 排線（垂直儲存電容器匯流排線）5 ^用於把電壓穩定化的 該等輔助電容器(:“係被提供給該等列中之每一者之該等 水平儲存電容器匯流排線中之每—者。一預定電位（在用 於把電壓穩定化之輔助電容器之共用電極之侧上的電壓： Vccs)係被施加至用於把電壓穩定化之該等輔助電容器 CCS之另一侧（共用侧）上的末端。作為該預定電位（在用 於把電壓穩定化之輔助電容器之共用電極之側上的電壓： Vccs)，接地電位或者一個比該儲存電容器匯流排線電壓 VcS高大約3V的電位係能夠被使用。希望的是，用於把電 壓穩定化之該等輔助電容器Ccs的電容係比一列儲存電容 器Cs的總電容大。然而，要增加用於把電壓穩定化之該等 輔助電容器Ccs的電容，一個用於形成該用於把電壓穩定 化之輔助電容器Ccs的寬區域係必須的。因此，用於把電 壓穩定化之輔助電容器的電容可以比一列儲存電容器cs 的總電容小。 在本只施例的液晶顯示器面板中，用於把電壓穩定化 的輔助電容器C c s係連接至該共用儲存電容器匯流排線5 來吸收被混合至該等儲存電容器匯流排線4的噪聲並且穩 定該等儲存電容器匯流排線4的電壓。於穩定在該等儲存 電容器匯流排線4上的電壓之時，在該等像素電極g上的電 壓變動減少而，結果，於橫向方向上之串擾的發生在該顯 示區域上係被防止。 第2圖是為該實施例之另一液晶顯示器面板之等效電 12 五、發明說明（10) 路的圖不。在第2圖中所示的液晶顯示器面板2 1係藉由一 個用於在低溫製造多晶矽的製程來被製造，而由虛線所包 圍之°卩份的結構，除了該相對電極1 0之外，係被形成於一 P未被顯示的透明玻璃基體上。該液晶顯示器面板21包括 、'7由絕緣薄膜來形成於一個未被顯示之透明玻璃基體上 之彼此相交的數條資料匯流排線2a至2n及數條閘極匯流 排線；Ba至3i。此外，儲存電容器匯流排線（該等列中之每 —者的儲存電容器匯流排線：水平儲存電容器匯流排 線）4a至4 i係與該等閘極匯流排線3 3至3 土平行地形成。在 該等儲存電容器匯流排線4 a至4 i之末端的右和左側上，係 形成有與该等資料匯流排線。至Μ平行的共用儲存電容 器匯流排線5L和5R。 該等儲存電容器匯流排線4係電氣地連接至該等共用 儲存電容器匯流排線SL和SR。—預定電位（儲存電容器匯 机排線電壓Vcs )係經由該等右和左共用儲存電容器匯流 排線（垂直儲存電容器匯流排線）51^和％來從未被顯示的 儲存電谷器匯流排線驅動電路施加到該等儲存電容器匯流 排線4a至4i。用於把電壓穩定化的輔助電容器
CcSL , CcsR係連接至該等共用儲存電容器匯流排線^和 5R。用於把電壓穩定化的該等輔助電容器Ccsl,CcsR係被 設置給該等财之每-者的該等儲存電容器匯流排線^ 至4 i。 像素係被形成於由該等資料匯流排線Sa至2口與該等閘 極匯流排線3a至3 i所界定的區域。類比切換電路（sw) 1307074
五、發明說明（11 ) 至22η係被形成於在，例如，於該在—個未被顯示之透明 玻璃基體上形成有j象素之顯示區域之周緣上之上側上的區 域上，類比切換電路（sw)22a至Un的數目係與資料匯流 排線2a至2n的總數相同。在該顯示區域之周緣上的右和左 區域上，對移位暫存器23R和23L· ,及與該等閘極匯流 排線3a至3ι之總數相同的數個閘極匯流排線緩衝器電路 24Ra至24Ri和24La至24Li係被設置。 在被设置於該液晶顯示器面板2丄之外周緣上的資料驅 動電路區域中’第一和第二資料驅動器（訊號線驅動電 路）6a和Sb ’及一用於形成與輸出用於控制該等用於施加 從该等資料驅動器以和化輸出之半色調電壓之資料匯流 排線2 a至2 n之選择之資料匯流排線選擇控制訊號r c工至 RCm的資料匯流排線選擇控制電路（圖中未示）係被設置。 從該第一資料驅動器以輸出的半色調電壓係被施加至 奇數之類比切換電路Ua,.........,22η-ι的輸入端。從該第 二資料驅動器6b輸出的半色調電壓係被施加至偶數之類 比切換電路2 2b .........., 2 2n的輸入端。該第一類比切換電路 22a的輸出端係連接至該第一資料匯流排線2a。同樣地， 該第二’.........，第（n-l)和第η個類比切換電路22b,........., 2 2η-1,2 2η的輸出端係連接至第二，.........，第（η-1)和第 η條資料®流排線u , 2n- ;l和μ。一第一資料匯流排 線選擇控制訊號rC1係被施加至該第一和第二類比切換電 路22a和Mb的切換控制端。同樣地，第爪個（m=n/2)資料 匯流排線選擇控制訊號RCm係被施加至第（η- 1)和第n個 14 ,1307074 五、發明說明（l2 ) 類比切換電路22η-ι和2211的切換控制端。
據此，當該第一資料匯流排線選擇控制訊號R c工被施加 時，該第一和第二類比切換電路223和2仏係被使成為導 通，從该第一資料驅動器以輸出的半色調電壓係被施加到 該第一資料匯流排線2a，而從該第二資料驅動器6b輸出的 半色調電壓係被施加到該第二資料匯流排線2b。同樣地， 於此後，g該第m個資料匯流排線選擇控制訊號RCm係被施 加時’該第（η-l)和第n個類比切換電路。^二和係被 使成為導通，從該第一資料驅動器6 a輸出的半色調電壓係 被施加至第（η - 1)條資料匯流排線2 n _ 1，而從該第二資料 驅動器6b輸出的半色調電壓係被施加至該第n條資料匯流 排線2n。 因此’類比切換電路22a至22η係被設置在該等資料驅 動器6a , 6b與該等資料匯流排線以至仏之間俾可以分時 形式（time-divisional manner)把該半色調電壓施加 至s亥等資料匯流排線2 a至2 n，同時把在該液晶顯示器面板 21與被設置於該液晶顯示器面板U之外部上之資料驅動 電路板之間之訊號線的數目降低。雖然第2圖描繪半色調 電壓係同時地被施加到該兩條資料匯流排線的結構，亦可 允許的是把該半色調電壓同時施加到三條或更多條資料匯 流排線。 該等移位暫存器2 4L和2 4R根據該垂直掃描控制訊號 SC來形成垂直掃描訊號（閘極驅動訊號ρ從一個移位暫存 器24L輸出的垂直掃描訊號（閘極驅動訊號）係經由該等閉 15 1307074
五、發明說明（13 ) 極緩衝器電路2 4La至24Li來被施加至該等閘極匯流排線 3a至3ι。從另一移位暫存器Mr輸出的垂直掃描訊號（閘 極驅動afl號）係經由該等閘極緩衝器電路24只3至24^土來 被施加至該等閘極匯流排線h至3ie該等掃描訊號係經由 其之右和左末端來被施加至一條閘極匯流排線3 ,以致於 該等掃描訊號即使在大液晶顯示器面板中不會變得不清 楚，在s玄大液晶顯示器面板中，在水平方向（橫向方向）上 係有很多像素且該等閘極匯流排線係長的。 此外，該等像素係被形成於由該等資料匯流排線2與該 等閘極匯流排線3所界定的區域。然而，該等像素係以與 在第1圖中所示之液晶顯示器裝置1之那些相同的形式來 被構築’而且係各設置有薄膜電晶體（TFT) 8、液晶電容 Clc和儲存電容器cs。 於在第2圖中所示的液晶顯示器面板^中，數個用於把 電壓穩定化的輔助電容器Ccsl , CcsR係連接至該等共用 儲存電容器匯流排線（垂直儲存電容器匯流排線）5L和 用於把電壓穩定化的該等輔助電容器ccsL,CcsR係被 提供給該等列中之每一者的水平儲存電容器匯流排線。一 預疋電位（在用於把電壓穩定化之辅助電容器之共用電極 之側上的電壓：Vccs )係被施加至用於把電壓穩定化之輔 助電容器CcsL,CcsR的另一端（共用側）。作為該預定電位 (在用於把電壓穩定化之輔助電容器之共用電極之側上的 電壓.Vccs )，一接地電位或一個比該儲存電容器匯流排 線電壓Vcs高，例如，大約3 v的電位係能夠被使用。
-16 - 1307074 五、發明說明（14)
於在第2圖中所示的液晶顯示器面板21中，用於把電壓 穩定化的該等輔助電容器CcsR, CcsL係連接至至該右和 左共用儲存電容器匯流排線5R和5L。因此，希望的是，用 於把電壓穩定化之該等輔助電容器CcsL, CcsR的電容不 比一列儲存電容器C s之總電容的一半小。然而，要增加用 於把電壓穩定化之該等輔助電容器CcsL, CcsR的電容，一 用於形成該等用於把電壓穩定化之輔助電容器CcsL, C c s R的寬區域是必須的。因此，用於把電壓穩定化之該等 輔助電容器的電容可以比該列儲存電容器Cs之總電容的 一半小。 於在第2圖中所示之實施例的另一液晶顯示器面板2工 中’用於把電壓穩定化的輔助電容器CcsL , CcsR係連接至 該等共用儲存電容器匯流排線5L, SR俾可吸收被混合至該 等儲存電谷器匯流排線4a至4；i的嗓聲和把該等儲存電容 器匯流排線4 a至4 i的電壓穩定化。於穩定在該等儲存電容 器匯流排線4a至4i上的電壓之時，在該等像素電極9上的 電壓變動減少而，結果，於橫向方向上之串擾的出現係被 防止。 第3圖是為第一實施例之液晶顯示器面板中之主要部 份之佈線結構的圖示，第4A圖是為一像素區域的剖視圖 (沿著第3圖中之線A_A)，而第⑽圖是為藉由利用該共用 儲存電容器匯流排線來被形成之電容器部份的剖視圖（沿 者第3圖中的線b-B)。 在如於第3圖中所示之第一實施例的液晶顯示器面板 17 1307074
五、發明說明（15) 31中，經由一未被顯示之絕緣薄膜於該透明玻璃基體上係 形成有數條平行的閘極匯流排線3 3及數條與該等閘極匯 流排線33相交的資料匯流排線32。數條與該等閘極匯流排 線33平行的儲存電容器匯流排線（水平Cs匯流排線）34, 和一與該等資料匯流排線3 2平行的共用儲存電容器匯流 排線（垂直Cs匯流排線）3 5係進一步被形成。
TFTS 3 6係被配置在接近該等在那裡閘極匯流排線33 係與資料匯流排線32相交之點的位置。像素電極（透明電 極）3 7係被配置於由該等閘極匯流排線3 3與該等資料匯流 排線3 2所界定的區域上。該等TFTs 3 6的汲極電極係連接 至該等資料匯流排線32 ’而該等TFTs 3 6的源極係連接至 該等資料層38及進一步經由該等資料層38來連接至該等 像素電極（透明電極）3 7。該資料層3 8係向上延伸到一個 在那裡它係與該儲存電容器匯流排線（水平Cs匯流排 線）3 4相對的位置。請參閱第4A圖所示，該儲存電容器匯 流排線3 4和該資料層3 8係經由一第一中間薄膜3 9來彼此 相對，藉此形成該等像素中之每一者的儲存電容器Cs。在 第3圖中，一個在那裡該儲存電容器Cs係被形成的區域係 由一點-折鏈線所包圍。由該點-折鏈線所包圍之該在那裡 該儲存電容器CS係被形成的區域係被顯示僅與一特定的 像素有關。 在第3圖中’一多晶矽層44的源極區域係經由一個被形 成於該第一中間薄膜39的接觸孔40來連接至該TFT 36的 源極電極（見第4 A圖）。此外，該資料層3 8係經由被形成
18 .1307074 五、發明說明（16) 於一第二中間薄膜42的接觸孔U來連接至該像素電極（透 明電極）3 7 (見第4 A圖）。延伸到該資料匯流排線3 2下面的 該多晶石夕層4 4係經由一個被形成於該第一中間薄膜3 9的 接觸孔9 2來連接至該資料匯流排線3 2。
請參閱第4A圖中所示，該像素區域係如下所述般形 成。首先，該多晶矽層4 4係被形成於該透明玻璃基體4 3 上。然後，一氧化薄膜45係被形成於該多晶矽層44上。其 後，該閘極匯流排線（閘極層）3 3和該儲存電容器匯流排線 34係被形成於該氧化薄膜45上。接著，該第一中間薄膜39 係被形成於該閘極匯流排線（閘極層）33與該儲存電容器 匯流排線34上。然後，在該多晶矽層44上的該第一中間薄 膜3 9係被打開來形成該接觸孔4 〇。然後，該資料層3 8和 5亥TFT 3 6的源極電極係被形成於該第一中間薄膜3 9上。 s亥資料層3 8係被形成於一個從該TFT 3 6之源極電極到該 儲存電谷器匯流排線3 4的區域上。該儲存電容器匯流排線 3 4和該資料層3 8係經由該第一中間薄膜3 9來彼此相對俾 可形成該儲存電容器Cs。然後，該第二中間薄膜42係被形 成於該資料層38與該第一中間薄膜3 9上，而且在該資料層 3 8上的該第二中間薄膜4 2係被打開俾可形成該接觸孔 4i。該像素電極37然後係被形成於該第二中間薄膜42上。 ”又置有相對電極（圖中未示）的一透明玻璃基體（圖 中未示）係被置放成與該透明玻璃基體43_卜液晶係被 密封於該設置有該相對電極(圖中未示)的透明玻璃基體 (圖中未示）、該像素電極37與該第二中間薄膜42之間俾
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可形成一液晶顯示部份。 請參閱第3圖所示，用於把電壓穩定化的輔助電容器 •係藉由利用該共用餘存電容器匯流排線3 5來被形成給 該等儲存電容器匯流排線（水平Cs匯流排線）3 4中之每一 者，该共用儲存電容器匯流排線35係用於把預定電位（cs 電位）施加到該等儲存電容器匯流排線（水平U匯流排 線）3 4 〇 請參閱第4B圖所示，一Ccs導線（閘極層，其係作 用為忒專輔助電容器(：<：；3的—個電極，係被形成於該透明 玻璃基體43上，該氧化薄膜45係被形成於該以3導線（閘 極層）46上，而該共用儲存電容器匯流排線K係被形成於 該氧化薄膜45上，藉此利用經由該氧化薄膜Μ來彼此相對 的Ccs導線（閘極層）μ和共用儲存電容器匯流排線^來 形成該輔助電容器Ccs。該第一中間薄膜Μ係被形成於該 共用儲存電容器匯流排線35上。在該第一中間薄膜39上， 用於把一預定電位施加到該作用為輔助電容器ccs之一個 電極之Ccs導線（閘極層）4 6的垂直Ccs導線（資料層）4 7 係被形成。該垂直Ccs導線4 7係經由該接觸孔9〇來連接至 S玄Cc s導線4 6。請參閱第3圖所示，該垂直Cc s導線4 7係與 該共用儲存電容器導線35平行地被配置在該共用儲存電 容器導線3 5的側旁。該第二中間薄膜4 2係被形成於該垂直 Ccs導線47與該共用儲存電容器導線35上。 在如於第4B圖中所示之第一實施例的液晶顯示器面板 中，於共用側上之輔助電容器Ccs的Ccs導線a係藉由
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五、發明說明（ls) 使用該閘極層來被形成於該透明玻璃基體43上，而該共用 儲存電容器匯流排線35的導線係在該第一中間薄膜39被 夹置於其之間下來被形成，藉此形成該被加入至該共用儲 存電容器匯流排線35的輔助電容器CcS。因此，係允許在 沒有增加用於製造該液晶顯示器面板之步驟的數目下把該 輔助電容器Ccs加入該共用儲存電容器匯流排線35。 為了進一步增加該輔助電容器Ccs的電容，在垂直方向 上配置之共用儲存電容器匯流排線3 5的寬度會被增加或 者该第一中間薄膜W的厚度會被降低。該輔助電容器Ccs 的共用侧會被固定到一預定電位β因此，與該閘極緩衝器 之電源電壓相同或者與該與被保持在其之間之液晶相對之 電極（共用電極）之電源電壓相同的電壓會被使用。 第5圖是為在本發明之第二實施例之液晶顯示器面板 中之主要部份之導線結構的圖示，第gA圖是為一像素區域 的剖視圖（沿著第5圖中的線c_c)，而第6b圖是為藉由使 用該共用儲存電容器匯流排線來形成之電容器部份的剖視 圖（沿著第5圖中的線D - d )。 在如於第5圖中所示之第二實施例的液晶顯示器面板 51中，經由一未被顯示之絕緣薄膜於該透明玻璃基體上係 形成有數條平行的閉極匯流排線5 3及數條與該等閘極匯 流排線53相交的資料匯流排線☆數條與該等閘極匯流排 線5 3平仃的儲存電容器匯流排線（水平&匯流排線）Μ， 及與及資料匯流排線52平行的共用儲存電容器匯流排 線（垂直Cs匯流排線）55係進一步被形成。 21 1307074 五、發明說明（l9) TFTs 5 6係被配置於接近該等在那裡閑極匯流排線5 3 係與資料匯流排線5 2相交之點的位置。該等TFTS 5 6的汲 極電極係連接至該等資料匯流排線5 2，而該等TFTs 5 6的 源極電極係連接至該等資料層5 8並且經由該等資料層5 8 來進一步連接至該等像素電極（透明電極）57。像素電極 (透明電極）5 7係被配置於由該等閘極匯流排線5 3與該等 資料匯流排線5 2所界定的區域。該資料層5 8係延伸接近該 儲存電容器匯流排線（水平Cs匯流排線）54。 在第6A和SB圖中’一多晶矽層64a的源極區域係經由 一個被形成於該第一中間薄膜59的接觸孔6〇來被連接至 β玄TFT 5 6的源極電極（見第g a圖）。此外，該資料層£ 8係 經由一個被形成於一第二中間薄膜62的接觸孔來被連 接至該像素電極（透明電極）57(見第圖）。延伸至該資 料匯流排線52下面的該多晶矽層6 4係經由一個被形成於 該第一中間薄膜59的接觸孔％來被連接至該資料匯流排 線52。 請參閱第6A圖中所示，該像素區域係如下所述般形 成。首先’在該透明玻璃基體63上，一作用為該TFT 56 之運作半導體層的多晶矽層64a及一作用為該儲存電容器 Cs之一個電極的多晶矽層係被形成。然後，氧化薄膜 6Sa,65b係被形成於該等多晶矽層64a,64b±。—閘極匯 流排線（閘極層）W係形成於該氧化薄膜上，藉此形成 該TFT W而且，在同一時間，該儲存電容器匯流排線54 係被形成於該氧化薄膜65b上。當該多晶矽層6化與該儲
1307074 五、發明說明（20) 存電容器匯流排線54係經由該氧化薄膜65b來彼此相對地 置放時’該儲存電容器Cs係被形成。在第5圖中，一個在 那裡該儲存電容器Cs係被形成的區域係由一點-折鏈線所 包圍。由該點-折鏈線所包圍之該在那裡該儲存電容器以 係被形成的區域係被顯示僅與一特定的像素有關。
接著請參閱第6A圖所示，該第一中間薄膜5 9係被形成 於該閘極匯流排線53與該儲存電容器匯流排線54上。然 後’在該多晶矽層64a上的該第一中間薄膜59係被打開來 形成該接觸孔6 0。然後，該資料層5 8係被形成於該第一中 間薄膜W上。該資料層58係被形成於一個從該1][11：1111 %之 源極電極到該儲存電容器匯流排線54的區域上。然後，該 第二中間薄膜6 2係被形成於該資料層5 8與該第一中間薄 膜5 9上，而且在該資料層5 8上的該第二中間薄膜4 2係被 打開俾可形成該接觸孔6 ；L。該像素電極5 7然後係被形成於 該第二中間薄膜62上。 汉置有一相對電極（圖中未示）的一透明玻璃基體（圖 中未示）係被置放成與該透明玻璃基體63相對。液晶係被 密封於該設置有該相對電極（圖中未示）的透明玻璃基體 (圖中未示）、該像素電極57與該第二中間薄膜Μ之間俾 可形成一液晶顯示部份。 请參閱第5圖所示，用於把電壓穩定化的輔助電容器 C〇^係藉由利用該共用儲存電容器匯流排線55來被形成給 該等儲存電容器匯流排線（水平Cs匯流排線）54中之每一 者，該共用儲存電容器匯流排線55係用於把預定電位（Cs 23 1307074 五、發明說明（21 ) 電位）施加到該等儲存電容器匯流排線（水平Cs匯流排 線）5 4。 請參閱第6B圖所示’一 Ccs導線（多晶矽層）6 6，其係 作用為該等輔助電容器Ccs的一個電極，係被形成於該透 明玻璃基體63上，該氧化薄膜6Sc係被形成於該Ccs導線 (多晶矽層）W上，而該共用儲存電容器匯流排線（垂直Cs 匯流排線）（閘極層）55係被形成於該氧化薄膜65c上，藉 此利用經由該氧化薄膜6化來彼此相對的ccs導線（多晶 矽層）66和共用儲存電容器匯流排線55來形成該輔助電容 器Cc s。該第一中間薄膜5 9係被形成於該共用儲存電容器 匯流排線55上。在該第一中間薄膜59上，用於把一預定電 位施加到该作用為輔助電容器c c s之一個電極（共用電極） 之Ccs導線（資料層）6 6的垂直Ccs導線（資料層）係被形 成。該垂直Ccs導線π係經由該接觸孔％來連接至該ecs 導線66。請參閱第5圖所示，該垂直Ccs導線（資料層）67 係與該共用儲存電容器導線5 5平行地被配置在該共用儲 存電容器導線55的侧旁。該第二中間薄膜62係被形成於該 垂直Ccs導線67與該共用儲存電容器導線55上。 在如於第5至SB圖中所示之第二實施例的液晶顯示器 面板51中，被加入至該共用儲存電容器匯流排線55之辅助 電容器Ccs和像素的儲存電容器Cs係由M〇s電容器形成。 在藉著該等多晶矽層Wb, 6 6來形成該等M〇s電容器之 時，與如在第一實施例中被完成之當該電容器係由閘極 層、中間薄膜和資料層所形成之每一單位面積的電容比較 24 1307074 五、發明說明（2〇 起來，每一單位面積的電容係能夠被增加。
在MOS電谷器的情況中’於g亥多晶妙層與該閘極層之間 的電位差係必須比一預定電壓（大約3伏特）大。因此，當 s亥η - MO S結構的電容被形成時’一個比該像素電極之最大 電壓高的電壓係必須被施加。當被加入該共用儲存電容器 匯>;il排線5 5的MO S電谷(C c s )係由η - MO S電容器形成 時，係變成必須把一個比施加到該等儲存電容器匯流排線 (Cs匯流排線）之電壓（Vcs)高的電壓。這結構是為依據多 晶矽製程之一者。然而，以上的結構係在單一通道（n_M〇s 或p-MOS)的情況中被使用。在非晶質矽的情況中，該製 程通常係僅供n-MOS，而且同樣的事物係保持。 第7圖是為在本發明之第三實施例之液晶顯示器面板 中之主要部份之佈線結構的圖示。於在第7圖中所示的液 晶顯不器面板71中，該像素的儲存電容器Cs係由n_cH(n_ 通道）的MOS電容器形成，而被加入該共用儲存電容器匯流 排線（垂直Cs匯流排線）g7的輔助電容器曰係由 P-CH(P，通道）的^103電容器形成。除了作用為該儲存電容 ^§Cs之一個電極之多晶矽層72係由n_cH(n_通道）的多 曰a矽形成及作用為被加入該共用儲存電容器匯流排線6 7 之輔助電容器Ccs之一個電極的多晶矽層73係由 P-CH(p-通道）的多晶矽形成之外，在第7圖中所示之液晶 顯示器面板7：L的佈線結構係幾乎與在第5圖中所示之液晶 顯示器面板51的佈線結構相同。 於形成n-MOS結構之儲存電容器。及於形成口項〇3結 25 1307074 五、發明說明（23) 構之被加入至用於把一預定電壓施加到該儲存電容器Cs 之共用儲存電容器匯流排線67的輔助電容器CCS之時，被 施加到該形成該儲存電容器C s之另一電極之儲存電容器 匯流排線（水平Cs匯流排線）64的儲存電容器匯流排線電 壓Vcs係能夠被設定為該像素電極的最大電壓+大約3伏 特，而被施加至被加入該共用儲存電容器匯流排線6 7之輔 助電容器Ccs之共用側的電壓Vccs係能夠被設定為該儲 存電容器匯流排線V C S -大約3伏特。因此，該閘極的關 閉電壓係能夠被使用作為要被施加到該等輔助電容器C c s 之共用側的電壓Vccs’提供該閘極緩衝器之電源導線能夠 被共同使用且該導線區域能夠被縮減之如此的優點。 第8圖是為本發明之第三實施例之液晶顯示器面板中 之主要部份之佈線結構的圖示。於在第8圖中所示的液晶 顯示器面板81中’該像素的儲存電容器Cs係由p_CH(p_ 通道）的MOS電容器形成’而被加入該共用儲存電容器匯流 排線67的輔助電容器Ccs係由n-CH (η -通道）的MOS電容 器形成。除了作用為該儲存電容器(：3之一個電極之多晶石夕 層82係由p-CH(p-通道）的多晶矽形成及作用為被加入該 共用儲存電容器匯流排線67之輔助電容器Ccs之一個電極 的多晶矽層8 3係由n- CH (η-通道）的多晶矽形成之外，在 第8圖中所示之液晶顯示器面板8工的佈線結構係幾乎與在 第5圖中所示之液晶顯示器面板51的佈線結構相同。 於形成p-MOS結構之儲存電容器Cs及於形成11-河〇3結 構之被加入至用於把一預定電壓施加到該儲存電容器Cs 26 1307074
五、發明說明（24) 之共用儲存電容器匯流排線π的辅助電容器Ccs之時，與 第二實施例之優點相同的優點係被獲得。 該儲存電容器Cs係被形成成n_M0S結構或卩^的結 構’或者該要被加入之輔助電容器ccs係被形成成p_M〇s 結構或n-MOS結構，係根據像電源導線般的佈局結構來被 適當地決定。 藉著藉由利用第一至第四實施例之液晶顯示器面板 31，51,71或S1來構築液晶顯示器裝置，即使在一個可能 展現如在，例如，第;L4圖中所示之顯示不平均或串擾的圖 型係被顯不時，在該等儲存電容器匯流排線（水平Cs匯流 排線）之電壓上的變動係能夠被抑制。因此，在沒有展現 顯示不平均或串擾之下’ 一個高品質的影像係能夠被顯示。 不丈限於以上的實施例，本發明係能夠以各式各樣的 方式來被改變。 例如，在以上的實施例中，多晶矽層44和64&係被使用 作為TFTs8,36和％的運作半導體層。然而，不受限於這 樣，非晶質矽層係可以被使用作為TFTS8, 3 6和5 6的運作 半導體層。 如上所述，本發明的液晶顯示器面板是為主動矩陣驅 動型，在其中，每一像素係被設置有一儲存電容器，且其 中，用於把電壓穩定化的輔助電容器係被加入該把一預定 電位施加到該等列中之每一者之儲存電容器匯流排線的共 用儲存電容器匯流排線。因此，用於把電壓穩定化的輔助 電容器吸收經由被形成於在那裡資料匯流排線係與儲存電
1307074 五、發明說明（25) 容器匯流排線相交之部份之寄生電容來被混合至該等儲存 電容器匯流排線的噪聲。此外，即使在該等鍺存電容器匯 流排線的電壓係隨著在被施加到該等像素電極之訊號電壓 上的改變來變動時，在電壓上的變動係能夠由該等用於把 電麼穩定化的辅助電容器吸收。因此，在該等儲存電容器 匯流排線之電壓上的變動係被抑制，防止在橫向方向上之 顯示不平均或串擾的出現，並且呈現良好品質的顯示。 當該像素的儲存電容器係被形成成MOs結構時，被加入 該共用儲存電容器匯流排線之用於把電壓穩定化的辅助電 容器亦係被形成成M0S結構，使得要進一步增加用於把電 壓穩定化的輔助電容器及有效地抑制在該等儲存電容器匯 流排線之電壓上的變動是有可能的。當該像素的儲存電容 器係被形成成n-M0S結構時，用於把電壓穩定化的輔助電 容器係被形成成p-MOS結構。當該像素的儲存電容器係被 形成成P-MOS結構時，用於把電壓穩定化的輔助電容器係 被形成成n-MOS結構。因此，被施加至該共用儲存電容器 匯流排線的電壓係能夠被使用作為該閑極匯流排線的關閉 電壓或開啟電麗。這消除了新施加該電壓的需求，且該液 晶顯示器面板的結構和電路結構係能夠被簡化。 元件標號對照表 101液晶顯示器面板 102 f料匯流排線 103祕匯流排，線 儲存電容器匯流排線 105共用儲存電容器匯流排線 106資料驅動H 1〇7閘極驅動器 28 1307074
五、發明說明（26) 108 薄膜電晶體 D 汲極電極 G 閘極電極 S 源極電極 109 像素電極 110 相對電極 111 液晶層 Clc 液晶電容 Cs 儲存電容器 Vcom 相對電極電壓 Cgs 寄生電容 cgp 寄生電容 Ck 寄生電容 2 資料匯流排線 3 閘極匯流排線 4 儲存電容器匯流排線 5 共用儲存電容器匯流排線 Vcs 儲存電容器匯流排線電壓 6 資料驅動器 7 閘極驅動器 8 薄膜電晶體 D 汲極電極 G 閘極電極 S 源極電極 9 像素電極 10 相對電極 11 液晶層 1 液晶顯不面板 Ccs 輔助電容器 Vccs 電壓 21 液晶顯不益面板 2a至2 0資料匯流排線 3a5-3i 閘極匯流排線 4aJ.4i 儲存電容器匯流排線 5L 共用儲存電容器匯流排線 5R 共用儲存電容器匯流排線 CcsL 輔助電容器 CcsR 輔助電容器 22a至22η 類比切換電路 23R 移位暫存器 23L 移位暫存器 29 1307074
五、發明說明（π) 24Ra至24Ri 閘極匯流排線緩衝器電路 24La至24Li 閘極匯流排線緩衝器電路 6 a 第一資料驅動器 6b 第二資料驅動器 RC1 第一資料匯流排線選擇控制訊號 SC 垂直掃描控制訊號 31 液·晶顯示器面板 32 資料匯流排線 33 閘極匯流排線 34 儲存電容器匯流排線 36 薄膜電晶體 35 共用儲存電容器匯流排線 37 像素電極 38 資料層 39 第一中間薄膜 40 接觸孔 41 接觸孔 42 第二中間薄膜 44 多晶石夕層 92 接觸孔 43 透明玻璃基體 45 氧化層 46 Ccs導線 47 垂直C c s導線 90 接觸孔 51 液晶顯不面板 52 資料匯流排線 53 閘極匯流排線 54 儲存電容器匯流排線 55 共用儲存電容器匯流排線 56 TFT 57 像素電極 58 資料層 59 第一中間薄膜 64a 多晶發層 60 接觸孔 61 接觸孔 62 第二中間薄膜 64b 多晶梦層 65a 氧化薄胰 65b 氧化薄膜 63 透明玻璃基體 1307074
五、發明說明（2S) 66 C c s導線 65c 氧化薄膜 67 垂直Ccs導線 71 液晶顯示器面板 7 2 多晶矽層 73 多晶矽層 81 液晶顯示器面板 82 多晶矽層 83 多晶矽層 31

Claims (1)

  1. 第91122191號巾請”請專圍修正本 96 02 16 1·一種液晶顯示器面板，包含： .· _ 像—矩陣般配置在一基體上的像素區域； 形成於該等像素區域的儲存電容器； =接至該數個儲存電容器的儲存電容器匯流排線；
    一用於把-預定電位施加至該數條料電容器匯流 排線的共用儲存電容器匯流排線；及 連接至該7、用儲存電谷器匯流排線的輔助電容器； /、中該等輔助電谷㈣設於該等儲存電容器匯流排 線中之母一者。 2·如申請專利範圍第i項所述之液晶顯示器面才反，其中，該 等輔助電容器係藉由使用該共用儲存電容器匯流排線來 形成。 3. 如申請專利範圍第i項所述之液晶顯示器面板，其中，該 等儲存電容器和該等輔助電容器係被形成絲〇8結構。
    4. 如申請專利範圍第3項所述之液晶顯示器面板，其中，該 等儲存電容器係被形成為n_MOS結構，而該等輔助電容 器係被形成為p-MOS結構。 5. 如申请專利範圍第3項所述之液晶顯示器面板，其中，該 等儲存電容器係被形成為p_M〇s結構，而該等輔助電容 器係被形成為n-MOS結構。 6. 一種液晶顯示器面板，包含： 像一矩陣般配置在一基體上的像素區域； 形成於該等像素區域的儲存電容器；
    32 申請專利範圍 連接至該數個儲存電容㈣儲存電容器匯流排線； -用於把-預定電位施加至該數條儲存電容器匯流 排線的共用儲存電容器匯流排線；及 連接至該共用儲存電容器匯流排線的輔助電容器； *其中該等儲存電容器係被形成為謂沉結構且該 等輔助電容器係被形成為p_M〇S結構。 7·一種液晶顯示器面板，包含： 像一矩陣般配置在一基體上的像素區域； 形成於5玄專像素區域的儲存電容琴； 連接至該數個儲存電容H的儲存電容器匯流排線； 用於把一預疋電位施加至該數條儲存電容器匯流 排線的共用儲存電容器匯流排線；及 連接至該共用儲存電容器匯流排線的輔助電容器； 其中該等儲存電容器係被形成為ρ-MOS結構，且該 等輔助電谷器係被形成為n_M〇S結構。 8.如申請專利範圍第6或7項所述之液晶顯示器面板，其 中，該等輔助電容器係藉由使用該共用儲存電容器匯流 排線來形成。 1307074 修正補充
    ω
    顯
    函 1307074
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI796886B (zh) * 2021-02-02 2023-03-21 美商谷歌有限責任公司 電子裝置之顯示面板及用於組態電子裝置之方法

Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4269582B2 (ja) * 2002-05-31 2009-05-27 ソニー株式会社 液晶表示装置およびその制御方法、ならびに携帯端末
JP4352937B2 (ja) * 2004-03-03 2009-10-28 セイコーエプソン株式会社 電源回路、電気光学装置および電子機器
KR101026982B1 (ko) * 2004-06-03 2011-04-11 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치용 어레이 기판과 제조방법
KR101100882B1 (ko) * 2004-11-05 2012-01-02 삼성전자주식회사 액정 표시 장치 및 그 구동 장치
JP2006154088A (ja) * 2004-11-26 2006-06-15 Sanyo Electric Co Ltd アクティブマトリクス型液晶表示装置
KR101208724B1 (ko) * 2005-01-03 2012-12-06 삼성디스플레이 주식회사 어레이 기판 및 이를 구비한 표시 패널
KR101112551B1 (ko) * 2005-02-07 2012-02-15 삼성전자주식회사 액정 표시 장치 및 그 구동 방법
KR20060111265A (ko) * 2005-04-22 2006-10-26 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 기판, 이의 제조 방법 및 이를 갖는 표시장치
CN100461248C (zh) * 2005-09-29 2009-02-11 中华映管股份有限公司 共同电压修正电路与方法
KR101204365B1 (ko) * 2006-01-16 2012-11-26 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 패널 및 그 제조 방법
KR20080009889A (ko) * 2006-07-25 2008-01-30 삼성전자주식회사 액정 표시 장치
KR101374088B1 (ko) * 2007-03-08 2014-03-14 삼성디스플레이 주식회사 어레이 기판 및 이를 갖는 표시패널
GB0712859D0 (en) 2007-07-03 2007-08-08 Liquavista Bv Electrowetting system and method for operating it
US8791928B2 (en) * 2007-11-06 2014-07-29 Hannstar Display Corp. Pixel driving method, pixel driving device and liquid crystal display using thereof
GB0814079D0 (en) * 2008-08-01 2008-09-10 Liquavista Bv Electrowetting system
CN102640042B (zh) * 2009-12-04 2015-08-05 夏普株式会社 液晶显示装置
KR101696393B1 (ko) 2010-06-15 2017-01-16 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널
US9165948B2 (en) * 2011-10-31 2015-10-20 Sharp Kabushiki Kaisha Thin film transistor array substrate and liquid crystal display device
CN104142591B (zh) * 2014-07-11 2017-07-18 合肥鑫晟光电科技有限公司 一种阵列基板及制作方法、一种显示装置

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3014291B2 (ja) * 1995-03-10 2000-02-28 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション 液晶表示パネル、液晶表示装置及び液晶表示パネルの製造方法
JPH08320466A (ja) * 1995-03-17 1996-12-03 Sharp Corp アクティブマトリクス基板及びその欠陥修正方法
JP3406772B2 (ja) * 1996-03-28 2003-05-12 株式会社東芝 アクティブマトリクス型液晶表示装置
KR100604268B1 (ko) * 1999-06-03 2006-07-24 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액티브 매트릭스 액정표시장치 및 그 구동방법

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI796886B (zh) * 2021-02-02 2023-03-21 美商谷歌有限責任公司 電子裝置之顯示面板及用於組態電子裝置之方法

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Publication number Publication date
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