TWI305824B - Thermal interface material and solder preforms - Google Patents
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Description
1305824 (1) 玖、發明說明 【發明所屬之技術領域】 熱介面材料(TIM)關鍵在防止如微處理器之主動式 半導體裝置不超過操作溫度限制。他們使產熱裝置(例如 ,矽半導體)能熱銲接至一散熱器或分熱器(例如,銅及 /或鋁成份),而未呈現過熱障。在組裝散熱器其它成份 或含整體熱阻路徑之分熱器中亦可使用不同之TIM。 【先前技術】 小熱障之形成爲TIM之一重要特性。熱障可依透過 TIM之有效熱傳導係數加以說明且最好儘可能的高。nM 之有效熱傳導係數主要是由於ΤΙ Μ介面熱傳導係數及(內 在)容積熱傳導係數所形成。對於一 ΤΙΜ,各種其它特性 也是重要的’例如,依特定應用而定··當接合兩種材料時 ’接納或避免熱擴散應力之能力,在熱循環期間,形成一機 械聲之穩定接合點之能力,對水氣及溫度變化,製造可能性 ,及成本不具敏感性。 目前正作爲TIM使用之數類材料,例如爲,熱油脂、 熱膠、黏著劑、彈性體、熱墊、及相位變更材料。雖然前 述TIM適於許多目前之半導體裝置。在最近之未來所提高 效能之半導體材料將使目前所知之TIM變成不合用。尤其 是,目前非金屬TIM之熱傳導係數通常不超過約5W /mK且 一向小於約1 w /mK。然而,很快會需要形成有效熱傳導 係數約50W /mK或更大之熱介面之TIM。 (2) 1305824 前述非金屬TIM之另項選擇爲一堅硬金屬片或由一典 型焊料合金製成之壓片。金屬TIM確保高熱傳導係數値( 例如,對一銦片約爲80W /mK)。金屬TIM—旦在促進低 熱介面阻抗之迴銲時亦可展現較有利之焊料或潤濕態勢。 在迴銲期間,使焊料和基體加熱,表面張力及/或局部表 面摻雜使焊料熔化並變濕。這介面含相互金屬性或相互擴 散性金屬,其熱特性比那些容積TIM金屬常低於預期,但 遠優於現有(以聚合物爲基準的)TIM。在大半情況中, 爲了形成可靠之熱介面,金屬TIM必須受到迴銲。然而, 在某些應用上,由於ΤΙ Μ熱傳導係數(TE )和半導體及/ 或散熱器組件間之相當大差異以及缺乏合乎性,金屬TIM 可會敗壞。v 【發明內容】 因此’簡言之,本發明是導向含第一焊料片層之電子 裝置之銲接成份用之多層焊料壓片,它包含—焊料金屬壓 片層和一選自熱傳導係數增強成份,cTE修飾成份,及 其混合物當中之添加劑。在第一焊料片層底部表面塗有一 第二焊料金屬壓片層;以及在第一焊料片層頂部表面上塗 有一第三焊料金屬壓片層。 本發明另一觀點爲用以銲接電子裝置組件之焊料壓片 包含一球體焊料金屬ϋ接成份及一選自熱傳導係數增強成 份’ CTE修飾成份及其混合物當中之添加劑。在球體上 面亦有一含焊料金屬之球體表面層。 -6- (3) 1305824 【實施方式】 電子裝置效能之增進常伴隨增加之耗電及減小之裝置 尺寸’這可獨力或共同造成電力密度之增加。因此,爲使 裝置保持低於其操作溫度限制,必須增加來自操作電子裝 置之熱流。本發明在導向高效能之TIM材料,其包含如 以下所說明之一焊料成份及其它成份,增加來自一電子裝 置之熱流’並提供如所說明之其它優點。TI Μ在透過焊料 ’預期提出熱不脗合度之CTE修飾成份及預期爲兩者, 而預期進一步加強熱傳輸之應用中包含一熱傳導係數增強 組件。在任一這些應用中可選用一內在吸氧劑。 本發明亦包含一對電子裝置基體具有增強濕潤度之焊 料壓片。在某些實例中,焊料壓片之作用爲TIM,但在熱 傳導不具關鍵性或本來就反而是得宜的其它應用中,壓片 即不當TIΜ用。 A.焊料 高效能TIM包含允許TIM銲接到一基體之焊料。如此 處所使用的,Asubstrate@—詞指的是以TIM接合到另一這 種Asubstrate@之半導體及/或散熱器成份及/或任何_其它物 品、裝置、設備等。當熱處理時,TIM應以溫度低於一主 動式(電子)裝置之敗壞溫度(例如,低於約3 5 0 °C,最 好低於約2 5 0 °C,且更最好是低於約2 0 0 °C )銲接至基 體上。焊料在低於主動式裝置敗壞溫度時熔化’使基體潤 -7- (4) 1305824 濕並允許形成在TIM和基體之間,當凝固時,產生良好熱 傳導之化學及/或機械鍵。通常,焊料在溫度低於約300 °c ’最好是低於約2 2 5 °c時熔化。在某實施例中,焊料在 溫度低於約1 70 °c,如約1 60 °C和約95 °c之間,溶化。 焊料可包含需要CTE調整之一習知焊料材料。例如, 焊料可包含Sn、Cu、In、Pb、Sb、Au、Ag。各前述之合 金,如Au-Sn、Au-Si、Au-Ge、以及如Bi合金之其它者。 或者,例如,焊料可包含In、In-Sn合金,或Bi合金。最好 ’焊料包含一低熔化溫度及相較於習知TIM材料爲一相當 高熱傳導係數(小於約5W /mK )之銲接成份。例如,In (熔點約155 °C,熱傳導係數約80W /mK) 、Sn (熔點約 2 3 0 °C,熱傳導係數約70W /mK ),和混合物及其合金。 在一實施例中,銲接成份基本上由I η組成,因其熔化溫度 低及其輕易使許多氧化物、陶瓷、及陶瓷合金潤濕而不需 使用有機熔化劑。 在一實施例中,焊料成份爲一含約39至約61 wt% Sn, 約37至約59wt% Bi ’及約1至約3wt% Ag之Sn-Bi-Ag合金。在 另一實施例中,爲含80-97wt% Bi及3-20wt% Ag之Bi-Ag合金 B.熱傳導係數增強成份 爲增加本發明一較佳實施例中透過TIM之熱流,TIM 包含一熱傳導係數增強成份。熱傳導係數增強成份之熱傳 導係數最好約在1 00W /mK以上。較佳之熱傳導係數增強 (5) 1305824 成份材料爲A1,塗覆A1之Cu、Cu、Ag、Au’或其合金。 Ag、Cu及Au之熱傳導係數分別約425W /mK’約400W /mK 及約3 1 5 W /mK。這種金屬一向具相當高之熔化溫度(例 如,Ag熔點約 960- °C,Cu 約 1085 °C ’ 而 Au 約爲 1 065 °C )。其它較佳成份爲如,但不限於AIN、BeO、BN之高熱 傳導係數陶瓷,高傳導係數之合金陶瓷、銅酸鹽及矽化物 。另一類較佳熱傳導係數增強成份爲碳及含鑽石之碳相態 ,碳奈米管及相關衍生物。 熱傳導係數增強成份內含在焊料之量範圍從約1 wt% 至約5 Owt%。對許多應用而言,內含在焊料之熱傳導係數 增強成份最好約在5wt%和約20wt%之間,如6wt%。 C.CTE修飾成份 藉防止在電子裝置命期中在介面區緊密接觸點之質降 可增進透過一TIM之熱流。明確地說,一電子封裝中各種 成份之熱擴張係數間之差異在能導向介面區之部份或完全 分離之熱循環期間產生應力。相較於如矽、鍺、砷化鎵、 硫化鈣’及銻化銦之典型半導體材料,及含光子與光纖雷 射應用之固態射極之發光二極體材料(例如,In /As /GaAs及InAs /A1 /Sb)這問題對含高熱擴張係數材料之 TIΜ尤其嚴重。一向,銲接成份材料和熱傳導係數增強成 份材料之C Τ Ε大於約1 6 μ m / m °C而基體材料之c Τ Ε小於約 1 0 μ m / m °C 。 本發明之TIM利用最好含—CTE修飾成份,使CTE不 (6) 1305824 胞合度之負面影響降至最小。CTE銲接成份之ctE與基 體更相容,因此一經熱循環時即降低熱應力。cTE銲接成 份之C TE最好小於約} 〇 _ /m 〇c且更最好小於約8 μιη /m 。典範之CTE錦接成份材料包含氧化鈹(約8 8μιη /nrc )、氧化鋁(約6 · 5〜7.0 μ m / m )、氮化鋁(約4 · 2 μ m / m C )、碳化矽(約 4 · 0 μιη /m °c )、二氧化矽(約 〇 , 5 μιη /m °C ) '普通稱爲KOVAR或INVAR之低擴張鐵鎳合金(約 5.2μιη /m°C至約6.0μπι /mt:),低擴張陶瓷或玻璃粉末( 約1 ‘ 0 μm /m °C至約9.0 μ m / m °C )、鉬 '及其混合物。在本 發明一較佳實施例中,CTE銲接成份含低擴張鐵鎳合金 ’因其CTE非常低,且可輕易.被潤濕並內含在焊料合金中 ’熱傳導係數相當高,且延展性相當高,該延展性使其可 順從後接合處理(例如,繞捲及突起)。最好,TIM和基 體肾之CTE不脗合度在約5μ!η /riTC和約30μιη /m°C之間。 更最好是,TIM和基間之CTE不脗合度是在約5μηι /m°C和 約20μπι /m°C之間。還更尤其是TIM和基體間之CTE不脗合 度小於約ΙΟμπ! /mt。最好是,對於特定之應用,TIM可 針對預期之CTE不脗合度加以裁剪。 雖然焊料量和CTE修飾成份依特定應用而定’ TIM最 好含約3 0 %至約9 0 %之焊料量且含約]〇 %至約7 0 %之C T E修 飾成份量(或C TE修飾成份’加上熱傳導係數增強成份, 加上其它另加物,如有的話)。在大半實施例中’ TIM含 約5 0 %至約9 0 %之焊料量且含約1 0 %至約5 0 %之C T E修飾成 份(或CTE修飾成份,加上熱傳導係數增強成份’加上其 -10- (7) 1305824 加另加物,如有的話)。 在本發明一實施例中’可以一焊料將CTE修飾料及/ 或熱傳導係數增強添加劑預加先加以潤濕,確保在迴銲期 間能和銲接成份接合。尤其是,藉由如電鍍、熱噴灑、真 空沈積、或減降處理之任何適當方法可將某些添加劑塗上 —薄層之焊料。對照之下’在較佳實施例中,可將上述熱 傳導係數增強成及C T E修飾成份去除塗層且不必預先潤濕 ,且在此意下’這些成份只含以上所表示,明確敘述之元 素或化合物。這避免增加作業及增加費用,使焊料更簡單 且製造更便宜。因此’這是使用只含添加劑成份不需表面 修飾或潤濕塗抹之不同優點。 D .混合 焊料成份’熱傳導係數增強劑,及/或CTE修飾劑之 形式一向爲粉末或必須混合之細磨微粒。這些成份可藉粉 末混合’溫和壓緊加以組合,然後以精製金屬處理,產生 片(絲片)或箔片,隨後再處理成壓片。一另選方法以高 剪力真空將粉末或微粒混成溶化焊料,成添加劑與焊料之 組合。追種剪力真空混合提供充份前進之混合,使組件變 成夠分散而不需將添加劑預先潤濕。尤其是,已發現前進 之混合允許以上述之較佳方法實施本發明。其中,不需先 潤濕添加劑’使得焊料較簡單,製造較便宜。 組合之進一步另選方法含將焊料以物理氣相沈積(P V D )在添加劑表面上。這使熱傳導係數增進成份或CTE修飾 -11 - (8) 1305824 劑塗上焊料,該焊料然後可被含在一焊料膏內。或者,粉 末可被壓緊並直接精心製作,或熔結並精心製作。 一進一步之另選方法爲以熱噴灑、電漿噴灑、或含熔 化焊料之其它噴灑方法加共同噴灑添加劑及焊料。一較爲 選方法爲美國專利案號6,283,386 (納入參數)中所發表之 動力噴灑,其中之粉末成份是以冷焊加以接合。由於降低 氧化物之形成及直接形成焊料壓片之能力,故優先選擇這 種動力噴灑。這種技術可得自密西根州,特洛伊市(Troy )之Delphi技術公司。 E .內在吸氧劑成份 藉選定熱傳導焊料並使用熱傳導係數增強劑,除增加 透過TIM之熱流外,藉增加介面之熱傳導係數,實現了顯 著增進從熱源至基體之熱流。事實上,在這一介面處對熱 流之阻抗可高至約二次方大小,這大於TIM阻抗。低介面 熱傳係數之主因常是在介面處形成基體與TIM未緊密接觸 之區域。因此,那些區域作用爲絕緣並降低熱量由熱源流 走。降低熱透過介面傳導之二因爲存在展現較高熱阻;各 種相互金屬相態。最好,TIM之介面熱傳導係數_大於約 50W/cm2°C且更最好是大於約5 00W/cm2°C。 向來’用以接合一半導體(或一金屬化半導體)及散 熱器之TIM需要機械及/或化學熔合,從TIM、半導體基體 、及散熱器成份表面移除氧氣,觸動接合製程並允許TIM 使表面潤濕。當嘗試在低於約3 0 0 °C溫度下以習知焊料接 -12- (9) 1305824 合物件時一向使用化學熔合。一典型之化學熔合含一旦被 加熱即變成活性且移除表面氧化物之化合物。然而,某些 溶合材料不會逃脫並在介面區形成絕緣袋或空洞且/或形 成對裝置操作可能有害之殘餘物。 根據本發明某些實施例,TIM (含焊料)最好不需外 在之熔合(即’不需機械之熔合和有機及無機熔合化合物 )。而是,在這些實施例中,熱傳導係數TIM中之焊料最 好由一與辉接成份混合或接合之內在吸氧劑加以觸動。這 種內在吸氧劑比銲接成份和氧氣較有反應性,因此防止或 使銲接成份氧氣化合物之形成減至最小。典型之內在吸氧 劑包含鹼性金屬(例如,鋰、鈉和鉀)、鹼土金屬(例如 ,Mg和Ca )、鋅、難熔金屬(例如,Ti、Zr、Hf、Ta、V 和 Nb)、稀 土金屬(例如,La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、 Gd、Tb、Dy和Yb ),和混合物及其合金(例如.,可得自 美國麻州瓦得丘(Ward Hill)之Alfa Aesar之一種混合稀 土金屬(Misch ),其組成含重量約50%之Ce,約22%La, 約 1 8 %Nd ’ 約 6 %P r 及約 0 - 4 % Yb、S m ' G d、Eu、Tb 和 D y ) 。最好,焊料中難溶金屬之總.重量濃度小於1 〇 %重量,稀 土金屬總重量濃度小於約5 %,而鹼性和鹼土及鋅之總重 量濃度小於約2 0 %。 在一典範實施例中,TIM含銦作爲焊料,及鈦和混合 稀土金屬作爲吸氧劑,提供合乎,但實質上在約1 5 7 °C以 上熔化之高CTE合金。最好,它包含重量約0.5至約2%之 T i及重量約0.1至約2 %之混合稀土金屬,剩下者爲I η。更 -13- (10) 1305824 最好是,它含重量約1 %之Ti及重量約0.2 %之混合稀土金 屬,剩下者爲In。這已發現產生一可以非常低等級之介面 缺陷加以焊接之合乎性TIM,且因此,由於熱循環之故, 較不可能在介面處敗壞。
還有在另一較佳實施例中,焊料爲一CTE相當低(約 13-14 pm/nTC )之之剛性以金主之焊料,它一向用來附接 子托架或固定光纖(例如,金錫、金矽及金鍺焊料)。向 來,對於金錫合金、金和錫之重量濃度範圍分別從約75至 約85%及從約15至約25%。對於金矽合金、金之重量濃度至 少約90%而矽重量濃度範圍從約1至約5%。對於金鍺合金、 金重量濃度至少約80%而鍺重量濃度範圍從約5%至約15%。 爲提供相當低熔化或迴銲溫度,焊料混合物最接近其熔混 合物(例如’重量成份在共熔混合物之約3%內)。共熔混 合物約80Au-20Sn,約97Au-3Si和約88Au-12Ge。對許多應用 而言’尤其最好是接近共熔金錫合金,因它在約280 °C以 上熔化。因這些以金爲主之焊料含明顯較少之可氧化材料 。故需較小之內在吸氧劑材料。明確地說,內在吸氧劑材 料之濃度最好約爲以銦爲主焊料之半。焊料中難熔金屬之 總重量濃度小於約5%,稀土金屬之總重量濃度小於約3%。 而鹼性、鹼土及鋅之總重量濃度小於約i 〇 %。更最好,難熔 金屬之總重量濃度約爲〇. 5至約1 . 5 %、稀土金屬之總重量濃 度約爲0.0 1至約0.5 %、鹼性金屬之總重量濃度約爲〇 .丨至約 0.5%、鹼土金屬之總重量濃度約爲〇丨至約〇 55且鋅之總重 量濃度爲約0 _ 1至約〇 . 5 %。由於熱循環之故,這些較低CTE -14- (11) 1305824 之合金比不合乎高CTE之合金較不可能在半導體焊料介面處 敗壞。 除消除外在熔合需求外,活性焊料及含活性焊料之熱 介面材料能..潤濕諸如爲,但不限於S i ' S i 0 2 ' S i N、和11 -1V 及III-V族半導體之金屬表面。結果,在焊接/接合作業前不 需要諸如爲,但不限於Au、Au /Ni、Ni、Cu、Sn及其組合 物之潤濕金屬化’將其沈積在這種非金屬表面上。這種接 合至非金屬表面之能力提供一種顯著材料及製程好處。 本發明之TIM及活性焊料尤其適於溫度低於約3〇〇 °C 且最好低於約2 0 0 °C之熱處理。然而,本發明之τ IΜ及活 性焊料可在提高之溫度下(例如,大於約5 0 0 °C )作熱處 理’提供更有效之潤濕(例如,較短之潤濕時間)。 除了增進跨越介面之熱流具關鍵性之焊接程序外,在製 造光電封裝中,前述之活性焊料尤其有用。明確地說,主 動式之光電封裝包含雷射發光裝置。如光束從化學熔合中 截取任何有機殘餘物、雷射光會輕易使能令裝置失能之殘 餘物碳化。使用一種不熔合之焊接程序,消除潛在敗壞之 機制。 在基體表面潤濕無關之內在吸氧成份之功能爲內在吸 氣成份使上述添加劑成份潤濕。並促使這些添加劑分散在 焊料金屬中。這允許使用如熱傳導係數增強劑及CTE修飾 劑之添加劑’該添加劑反倒是難以使用或會需要預先加以 潤濕。以任何可用之惰性熔化法可形成具有這種內在吸氣 成份之焊料’該惰性熔化法如藉在一惰性坩堝內之感應加 -15 - (12) 1305824 以熔化或藉電弧加以熔化。這系統被淨空並回塡一如氬之 非反應性惰氣。金屬最好在約1 0 0 〇 。(:以上加熱,確保合 金成份之適度熔觸。在一特定之較佳說法中,在這溫度和 環境下,藉由高剪力真空之粉末或微粒混合,將焊料組合 成如上述之熔化焊料。這種高剪力真空混合提供足夠前進 之混合法,使成份變成充份分散,不須先潤濕添加劑。在 活性添加劑高度有效並使陶瓷、陶瓷合金潤濕之真空下, 這種方法能成溫度之混合,並能輕易完成其它困難之基體 〇 在熔化及混合後,再繞鑄複合熔合作爲隨後精製處理 之鑄塊。澆鑄或形成熔化合金並以機械方式製成一條線, —條帶或一壓片,使用在TIM之生產製造中。 F ·具增強潤濕特性之焊料壓片 高度充塡一熱傳導係數增強成份及/或CTE成份之焊 料一向冶金流動性低。這種低流動性具形成優良焊料片必 備之毛細管流。這問題在本發明一實施例中藉生產一焊料 壓片而予提出。在某些應用中,這焊料壓片作用爲—TIM, 但在增強熱傳導不具關鍵性或反倒是本來就是適當的其它應 用中’這種壓片即不作爲TIM用。壓片之結構適於TIM及非 TIM銲接之應用。一實施例中之壓片爲—多層焊料壓片, 其具內部充塡焊料成份及外部未充塡焊料成份。所充塡之 內部焊料成份供諸如由充塡所賦予CTE修飾及/或熱傳導 係數增強之預期特性。未充塡之外部焊料成份對基體之良 -16 - (13) 1305824 好潤濕度提供良好之冶金流動性。文中之"充塡"指的是裡 面有混合一部份CTE修飾成份,及/或熱傳導係數增強成份 。”充塡”意爲部份充塡而非意爲完全充塡。文中之"未充 塡"指的是未含這種添加劑,或至少沒有這種添加劑佔足 夠顯著比例加以顯著降低冶金流動性之焊料銲接成份。在 一充塡焊料層之各面上最好有未充塡之焊料層。以各種可 用之方法形成並組合這各別層,該方法含各別焊料條片之 捲繞銲接、噴灑。在一焊料條片或其它焊料基體上之電鍍 ,如PVD之物理沈積,或如CVD之化學沈積。 焊料壓片之一這種實施例爲一多層焊料壓片,其具一 爲焊料銲接成份之第一焊料壓片層,該成份所充塡之添加 劑是選自熱傳導係數增強成份,CTE修飾成份,及其混合 物當中。對第一層之頂部及底部表面分別塗抹第二及第三 未充塡之焊料層。第一層之焊料銲接成份,及第二和第三 層之焊料成份一向選自Sn、Cu、In、Pb、Sb、Au、Ag, 其合金、Bi合金、及其混合物當中。 在含一熱傳導係數·增強成份之一實施例中,可使用與 焊料銲接成份相容之任何這種成份。這種成份實例包含以 前所提及之A1、塗覆A1之Cu、Ag、Au、及其合金、AIN' BeO、BN'高傳導係數之陶瓷合金、銅酸鹽、矽化物、及碳 相態。在含一 CTE修飾成份之實施例中,可使用與銲接成 份相容之任何這種成份。這種成份實例包含以前所提及, 選自由 BeO、Al2〇3、AIN、SiC、Si02、低擴張 Fe-Ni 合金 、低擴張陶瓷粉末、低擴張玻璃粉末及其混合物所組成群族 -17- (14) 1305824 之成份。在一較佳實施例中,CTE修飾成份基本上含特定 兀素或未預先潤濕之化合物;亦即,未塗抹塗層。 第一層可亦包含一與焊料金屬銲接層相容之內在吸氧 劑。適當之內在吸氧劑實例包含選自由稀土金屬、鹼性金 屬 '鹼土金屬、難熔金屬、鋅、及其混合物所組成群族之 成份。然而’鑒於由本發明之焊料壓片所提供之整體增強 冶金流動性,爲了這焊料壓片表面潤濕度之目的,一向不 使用內在之吸氧劑。然而,與基體表面潤濕無關之內在吸 氧成份之作用爲內在吸氧成份使上述添加劑成份潤濕,並 促使這些添加劑分散在焊料金屬中。這允許使用如熱傳導 係數增強劑及C TE修飾劑之添加劑,該添加劑反倒是難以 使用或會需要預先加以潤濕 在焊接迴銲未充塡焊料層期間,第二和第三層未爲充 塡劑所傷且輕易流動並潤濕基體表面。介面相互金屬至少 實質上消耗未充塡之焊料,產生一片基本上全然增強之材 料。 在一實施例中,第一焊料壓片層厚度介於約〇.〇〇 i ( 0.02 5 mm )和約0.125吋(3mm )之間,而各第二和第三層 厚度是在約0.0001 ( 0.0025mm)和約0.02吋(0_5 mm)之 供電子裝置銲接成份用之焊料壓片一另選實施例含上 面有一球體表面層之球體。球體包含一焊料金屬銲接成份 並充塡有一選自熱傳導係數增強成份,C TE修飾成份,及 其混合物當中之添加成份。球體中之焊料金屬銲接成份及 -18- (15) 1305824 其上面之球體表面層可選自,例如,由Sn、Cu、In、Pb、 Sb、Au、Ag,其合金、Bi合金、及其混合物所組成群族當 中〇 備置球體之一方法在從一焊料條片中壓製一碟形焊料 。然後在一熱油柱中迴銲所壓製之碟片可形成一球體。然 後以電鍍、物理沈積、化學沈積、或噴灑在焊料球體上塗 覆未充塡之焊料。在一典型實施例中,球體直徑是在約 0.003吋(0.07 5mm)和約0.06吋(umm )之間且球體表 面層厚度是在約0.000 5吋(〇.0125inm )和約〇_〇5吋( 1.2 5 m m )之間。 G.另選TIM形式 本發明之高效能TIM可製成一箔片或一中形成開口( 例如’藉敲打或蝕刻)且開口充塡有一或更多添加劑之混 口稀土金屬。例如’ 一以姻爲主,六面有開口隔開之范片 可充塡氧化鈹。在一爲銅箔或混合稀土金屬之情況,銅有 塗抹如銦之銲接成份(例如,藉滴降法或電鍍法)。可能 需要一適當之擴散障礙成份(例如,鎳、鈦或其它過渡性 金屬)防止銅在熔化/銲接程序中快速熔入銦中。另有一 方法爲使用海綿,該海綿包含一婷接成份及/或一充塡有 CTE修飾成份之熱傳導係數增強成份(例如,理論密度爲 9 0%)。如有必要的話,可將海綿切成薄片,達到所要之 厚度。
-19- (16) 1305824 H‘CTE不脗合度阻抗半導體基體/散熱器介面 在可使用本發明上述TIM及焊料壓片之許多裝置當中 ’有一介面用以連接一半導體基體和散熱器組件。其降低 或消除TIM和基體之間CTE混合稀土金屬之負面效應。因 此’改良之介面增加CTE混合稀土金屬之臨界範圍。 現在參考第1圖,一電子裝置封裝1之典型半導體/散 熱器架構包含一具有一前表面3和一背表面4之半導體基體 2 ’一位在前表面上之電子裝置(未予拍照),一銲接半 導體基體2之背表面4至一具有一前面7之散熱器組件6之第 一熱介面材料5,散熱器組件包含一具有一背表面8和一前 表面1 0之熱交換器8,以及選擇性地含一具有一背表面1 2 和一前表面1 3之覆蓋1 1。如含有選項覆蓋1 1,則第二熱介 面材料I4將覆蓋背表面12銲接至熱交換器8之前表面1〇。 根據本發明,可使用上述之高效能熱介面材料加以補償在 這種典型電子裝置封裝中基體與覆蓋之間及覆蓋與熱交換 器間之CTE不脗合度。 現在參考第2圖,本發明是導向一電子裝置封裝1’該 封包包含一具有一前表面和一背表面之半導體基體2’及 一位在半導體前表面上之電子裝置(未予拍照)。這封裝 亦包含一覆蓋1 1,該覆蓋含一凹穴Π 5,用以接納大小及 形狀適接在凹穴內之一插件】6。在這實施例中,凹穴從覆 蓋之前表面向內延伸至覆蓋前表面和背表面間之一點。插 件包含一前表面I7,一背表面]8,及一與覆蓋19接觸之表 面。電子裝置封裝進一步包含一將基體2之背表面銲接至 -20· (17) 1305824
插件16前表面17之第一熱介面材料5。最好,封裝亦包含 —將覆蓋11之背表面12銲接至熱交換器8之第二熱介面材 料14。插件包含一CTE比覆蓋CTE (見前面)更接近脗合 基體CTE之熱應力舒緩材料。以另外一種方式來說,插件 CTE是介於覆蓋CTE與基體CTE之間。因此,第一熱介面 材料只需調適插件與基體間相當小之C T E不脗合度而非基 體與覆蓋間較大之CTE不胞合度。結果,最大CTE不脗合 度一向介於插件/覆蓋介面之間且因爲插件之CTE—向小於 覆蓋之CTE,故可將插件壓縮安裝在覆蓋內。 現在參考第3圖,凹穴15可經由覆蓋11延伸(即,凹 穴從前表面延伸至覆蓋之背表面)且同樣地,插件16可經 由覆蓋11完全延伸。結果,第二熱介面材料14亦將插件16 銲接至熱交換器8。
有鑒於上’將見到可達成本發明之數個目的。因只要 不偏離本發明之範圍,可在以上結構及製程中作各種變更 ’預期將以上說明中所含之所有事物解釋成只是作爲圖解 說明用並無侷限之意。 【圖式簡單說明】 第1圖爲~習知半導體裝置/散熱器架構之切面圖。 第2圖爲本發明一實施例之半導體裝置/散熱器架構之 切面圖。 第3圖爲本發明—實施例之半導體裝置/散熱器架構之 切面圖。 -21 - (18) 1305824 主要元件對照表
1電子裝置封裝 2基體 3前表面 4 背表面 5熱介面材料 6散熱器組件 7前表面 8熱交換器 9 背表面 1 〇前表面 11覆蓋 12背表面 13 前表面 1 4熱介面材料 15 凹穴 16插件 1 7 前表面 1 8後表面 1 9覆蓋 -22-
Claims (1)
1305824
拾、申請專利範团 L:.. 附件二A :第92134206號修正後無劃線之 中文申請專利範圍替換本民國95年I2月4日呈 1. 一種供電子裝置焊接成份用之多層焊料壓片,包含 一第一焊料壓片層,該焊料壓片層具有一頂部表面及 一底部表面’且包含一焊料金屬焊接成份,該焊料金屬焊 接成份混合有選自熱傳導係數增強成份之添加劑' CTE修 飾成份及其混合物; 一第二焊料金屬壓片層,該第二焊料金屬壓片層包含 塗抹在第一焊料壓片層之底部表面;以及 一第三焊料金屬壓片層,該第三焊料金屬壓片層是塗 抹在第一焊料壓片層之頂部表面。 2_ —種供電子裝置焊接成份用之多層焊料壓片,包含 一第一焊料壓片層,該焊料壓片層具有一頂部表面及 一底部表面,且包含一焊料金屬焊接成份,及一添加劑, 選自熱傳導係數增強成份、CTE修飾成份及其混合物; 一第二焊料金屬壓片層,該第二焊料金屬壓片層包含 塗抹在第一焊料壓片層之底部表面;以及 一第三焊料金屬壓片層,該第三焊料金屬壓片層是塗 抹在第一焊料壓片層之頂部表面,其中該焊料金屬焊接成 份、該第二焊料金屬壓片層及該第三焊料金屬壓片層選自 (2) 1305824 由 Sn、Cu、In、Pb、Sb、Au、Ag、其合金、Bi 合金、及 其混合物所組成之群族。 3 _如申請專利範圍第1或2項之多層焊料壓片,其中該 添加劑包含一熱傳導係數增強成份,選自A1、塗覆A1之Cu 、(:u、Ag、Au、及其合金、Λ1Ν、BeO、BN、高傳導係數 陶瓷合金、銅酸鹽、矽化物、及碳相態。 4. 如申請專利範圍第1或2項之多層焊料壓片,其中該 添加劑包含一未塗覆之熱傳導係數增強成份,且選自A1、 Cu、Ag、Au、及其合金、AIN ' BeO、BN、高傳導係數陶 瓷合金、銅酸鹽、矽化物、及碳相態。 5. 如申請專利範圍第1或2項之多層焊料壓片,其中該 添加劑包含一CTE修飾成份,選自由BeO、Al2〇3、A1N、 SiC、Si02、低擴張Fe-Ni合金、低擴張陶瓷粉末、低擴張 玻璃粉末及其混合物所組成之群族。 6. 如申請專利範圍第1或2項之多層焊料壓片,其中該 添加劑包含一未塗覆之CTE修飾成份,選自由BeO、Al2〇3 、AIN、SiC、Si02、低擴張Fe-Ni合金、低擴張陶瓷粉末 、低擴張玻璃粉末及其混合物所組成之群族。 7 .如申請專利範圍第1項之多層焊料壓片,其中該焊 料金屬焊接成份 '該第二焊料金屬壓片層及該第三焊料金 屬壓片層選自由Sn、Cu、In、Pb、Sb、Au、Ag、其合金 、Bi合金、及其混合物所組成之群族。 8.如申請專利範圍第1或2項之多層焊料壓片,其中該 第一焊料壓片層更包含一內在吸氧劑,選自由稀土金屬、 -2- (3) 1305824 鹼性金屬、鹼土金屬、難熔金屬、鋅、其混合物,及其合 金所組成之群族。 9. 如申請專利範圍第1或2項之多層焊料壓片,其中該 第一層具有約0.001吋(0.025mm)和約0.1 25吋(3mm)之間的 厚度,且該第二及第三層具有約0.0001吋(0.0025mm)和約 0.02吋(0.5mm)之間的厚度。 10. 如申請專利範圍第1或2項之多層焊料壓片,其中 該焊料金屬焊接成份、該第二焊料金屬壓片層及該第三焊 料金屬壓片層是選自由Sn、Cu、In ' Pb、Sb、Au、Ag、 其合金、B i合金及其混合物所組成之群族;其中該添加劑 包含一熱傳導係數增強成份,選自A1、塗覆A1之Cu、Cu 、Ag、Au、及其合金、AIN、BeO、BN、高傳導係數陶瓷 合金、銅酸鹽、矽化物、及碳相態;且其中該添加劑包含 —CTE修飾成份,選自由 BeO、Al2〇3、AIN、SiC、Si〇2、 低擴張Fe-Ni合金、低擴張陶瓷粉末、低擴張玻璃粉末及 其混合物所組成之群族。 11. 如申請專利範圍第1或2項之多層焊料壓片,其中 該焊料金屬焊接成份、該第二焊料金屬壓片層及該第三焊 料金屬壓片層選自由Sn、Cu、In' Pb、Sb、Au、Ag、其 合金、Bi合金、及其混合物所組成之群族;其中該添加劑 包含一熱傳導係數增強成份,選自A1、ClJ、Ag、An、及 其合金、AIN、BeO、BN、高傳導係數陶瓷合金、銅酸鹽 '政化物、及碳相態;且其中該添加劑包含一未塗覆之CTE 修飾成份,且選自由BeO、Al2〇3、AIN、SiC、Si02、低 (4) 1305824 擴張Fe-Ni合金、低擴張陶瓷粉末、低擴張玻璃粉末及其 混合物所組成之群族。 I2·如申請專利範圍第1項之多層焊料壓片,其中該添 加劑包含一 c T E修飾成份,該c T E修飾成份包含鉬。 1 3 ·如申請專利範圍第1 2項之多層焊料壓片,其中該 第一焊料壓片層包含一內在吸氧劑,該內在吸氧劑包含鋅 〇 14.如申請專利範圍第12或13項之多層焊料壓片,包 含S η或其合金作爲該焊接成份。 I5·如申請專利範圍第12或13項之多層焊料壓片,包 含Pb或其合金作爲該焊接成份。 1 6 ·如申請專利範圍第1 2或1 3項之多層焊料壓片,包 含Ag或其合金作爲該焊接成份。 I7.如申請專利範圍第12或13項之多層焊料壓片,包 含Cu或其合金作爲該焊接成份。 18·—種供電子裝置焊接成份用之焊料壓片,包含: 一球體,該球體包含一球體焊料金屬焊接成份,該球 體焊料金屬焊接成份混合有一添加劑成份,選自熱傳導係 數增強成份、CTE修飾成份及其混合物;以及 一球體表面層,該球體表面層在該球體上包含一焊料 金屬。 19.如申請專利範圍第18項之焊料壓片,其中該球體 焊料金屬焊接成份與該球體表面層是選自由Sn、Cu、In、 Pb、Sb、Au、Ag、其合金、及Bi合金所組成之群族。 (5) 1305824 2〇.如申請專利範圍第18或19項之焊料壓片,其中該 添加劑包含一熱傳導係數增強成份,選自A1、塗覆A1之Cu 、(:u、Ag、Au、及其合金、AIN、BeO、BN、高傳導係數 陶瓷合金、銅酸鹽、矽化物、及碳相態。 2 1 ·如申請專利範圍第1 8或1 9項之焊料壓片,其中該 添加劑包含一未塗覆之熱傳導係數增強成份,且選自A1、 Cu、Ag、Au、及其合金、AIN、BeO、BN、高傳導係數陶 瓷合金、銅酸鹽、矽化物、及碳相態。 22.如申請專利範圍第18或19項之焊料壓片,其中該 添加劑包含一熱傳導係數增強成份,選自由BeO、Al2〇3 、AIN、SiC、Si02、低擴張Fe-Ni合金、低擴張陶瓷粉末 、低擴張玻璃粉末及其混合物所組成之群族。 23 .如申請專利範圍第1 8或1 9項之焊料壓片,其中該 添加劑包含一未塗覆之CTE修飾成份,且選自由BeO、 Al2〇3、AIN、SiC、Si02、低擴張Fe-Ni合金、低擴張陶瓷 粉末、低擴張玻璃粉末及其混合物所組成之群族。 2 4.如申請專利範圍第18或19項之焊料壓片,其中該 球體焊料金屬焊接成份及該球體表面層是選自由Sn、Cu 、In、Pb、Sb、Au、Ag、其合金、Bi合金及其混合物所 組成之群族;其中該添加劑包含一熱傳導係數增強成份’ 選自A1,塗覆A1之Cu、Cu、Ag、Au、及其合金、A1N、 BeO、BN、高傳導係數陶瓷合金、銅酸鹽、矽化物、及碳 相態;且其中該添加劑包含一CTE修飾成份,選自由BeO、 Al2〇3、AIN、SiC、Si02、低擴張Fe-Ni合金、低擴張陶瓷 (6) 1305824 粉末、低擴張玻璃粉末及其混合物所組成之群族。 25.如申請專利範圍第18或19項之焊料壓片,其中該 球體焊料金屬焊接成份及該球體表面層是選自由Sn、Cu 、In、Pb、Sb、Au、Ag、其合金、Bi合金及其混合物所 組成之群族;其中該添加劑包含一未塗覆之熱傳導係數增 強成份,且選自Al、Cu、Ag、Au、及其合金、AIN、BeO 、BN、高傳導係數陶瓷合金、銅酸鹽、矽化物、及碳相 態;以及其中該添加劑包含一未塗覆之CTE修飾成份,且選 自由 BeO、Al2〇3 ' AIN、SiC、Si02、低擴張 Fe-Ni合金、 低擴張陶瓷粉末、低擴張玻璃粉末及其混合物所組成之群 族。 2 6.如申請專利範圍第18或19項之焊料壓片,其中該 球體更包含一內在吸氧劑,選自由稀土金屬、鹼性金屬、 鹼土金屬、難熔金屬、鋅、其混合物,及其合金所組成之 群族。 27.如申請專利範圍第18或19項之焊料壓片,其中該 球體具有約0.003吋(0.07 5 mm)和約0.06吋(1 _5mm)之間的直 徑,且該球體表面層具有約0.0005吋(0.0125mm)和約0.05 吋(1.25mm)之間的厚度。 2 8.如申請專利範圍第21項之焊料壓片,其中該球體 具有約0.003吋(〇.〇75mm)和約〇.〇6吋(1.5mm)之間的直徑, 且該球體表面層具有約0.0005吋(0.0125mm)和約0.05吋 (1.25mm)之間的厚度。 2 9.如申請專利範圍第22項之焊料壓片,其中該球體 -6- (7) 1305824 具有約Ο · 0 0 3吋(0 _ 0 7 5 m m)和約ο · ο 6吋(1 . 5 m m)之間的直徑, 且該球體表面層具有約0.0005吋(0.0125mm)和約0.05吋 (1.25mm)之間的厚度。 3 0 .如申請專利範圍第1 8項之焊料壓片,其中該添加 劑包含一 CTE修飾成份,該CTE修飾成份包含鉬。 3 1 ·如申請專利範圍第3 0項之焊料壓片,其中該球體 更包含一內在吸氧劑,該內在吸氧劑包含鋅。 3 2 ·如申請專利範圍第3 0或3 1項之焊料壓片,包含S η 或其合金作爲該焊接成份。 3 3 ·如申請專利範圍第3 0或3 1項之焊料壓片,包含Pb 或其合金作爲該焊接成份。 34_如申請專利範圍第30或31項之焊料壓片,包含Ag 或其合金作爲該焊接成份。 35. 如申請專利範圍第3〇或31項之焊料壓片,包含cu 或其合金作爲該焊接成份。 36. —種供電子裝置焊接成份用之熱介面材料,該熱 介面材料包含: 一焊料成份,該焊料成份包含一焊接成份,選自由In 、Sn、Cu、Pb、Sb、Au、Ag、其合金、Bi合金、及其混 合物所組成之群族;及 一添加劑成份,該添加劑成份包含一未塗覆之CTE修 飾成份,具有小於約1〇μπι/ιη°(3之熱膨脹係數。 37. 如申請專利範圍第36項之熱介面材料,更包含一 內在吸氧劑,選自由稀土金屬、鹼性金屬、鹼土金屬、難 (8) 1305824 熔金屬、鋅、其混合物,及其合金所組成之群族。 38·如申請專利範圍第36項之熱介面材料,更包含一 內在吸氧劑,選自由Li、Na、K、Mg ' Ca、Ti、Zr、Hf、 T a、V、N b、L a、C e、P r、S m、N d、E u ' G d、T b、D y、 Yb、其混合物及合金所組成之群族。 3 9 ·如申請專利範圍第3 6項之熱介面材料,其中該添 加劑成份更包含一熱傳導係數增強成份,選自由Al、Ag 、Cu、塗覆A1之Cu、Au、AIN、BeO、BN、高傳導係數陶 瓷合金、銅酸鹽、矽化物、碳相態、及其混合物所組成之 群族。 4 0.如申請專利範圍第36項之熱介面材料,包含Au及 選自由Sn、Si、Ge、及其混合物及合金所組成之群族的第 二金屬,作爲該焊接成份。 4 1 ·如申請專利範圍第3 6項之熱介面材料,其中該焊 料成份潤濕金屬及非金屬表面而不需外在熔合,該焊料成 份包含一焊接成份,選自由In及In-Sn合金所組成之群族 ’且更包含一內在吸氧劑,選自由鹼性金屬、鹼土金屬、 難熔金屬、稀土金屬、鋅、及其混合物與合金所組成之群 族。 42·如申g靑專利範圍第36項之熱介面材料,包含一多 層焊料壓片構造,其中該焊料成份構成一第一層,該第一 層包含充塡有該添加劑成份之該焊接成份,且其中該第一 層被插入於一第二層與一第三層之間,其中該第二層及該 第三層包含焊料金屬,選自由Sn、Cu、In、Pb、Sb、Au -8- (9) 1305824 、Ag、其合金、Bi合金、及其混合物所組成之群族。 43 .如申請專利範圍第3 6項之熱介面材料,其中該第 一層具有約0.001吋(0.025mm)和約0.125吋(3mm)之間的厚 度,且該第二層及該第三層各具有約0.000 1吋(0.0025mn〇 和約0.02吋(0.5mm)之間的厚度。 44·如申請專利範圍第36項之熱介面材料,包含一球 體焊料壓片,該球體焊料壓片包含一球體及一球體表面層 ’其中該球體包含充塡有該添加劑成份之該焊接成份,且 其中該球體表面層包含一層未充塡之焊料金屬,選自由Sn 、Cu、In、Pb、Sb、Au、Ag、其合金、Bi合金、及其混 合物所組成之群族。 45.如申請專利範圍第44項之熱介面材料,其中該球 體具有約0.003吋(0.075mm)和約0.06吋(1 .5mm)之間的直徑 ,且該球體表面層具有約0.0005吋(0.0125mm)和約0.05吋 (1.25mm)之間的厚度。 46 .如申請專利範圍第3 6至4 5項的任意一項之熱介面 材料,其中該CTE修飾成份選自由氧化鈹、氧化鋁、氮化 鋁、碳化矽、二氧化矽、低擴張鐵-鎳合金、低擴張陶瓷 粉末、低擴張玻璃粉末及其混合物所組成之群族。 4 7.如申請專利範圍第36至45項的任意一項之熱介面 材料,其中該CTE修飾成份是鉬。 4 8 .如申請專利範圍第3 6至4 5項的任蒽一項之熱介面 材料,其中該熱介面材料包含約10%至約70%體積的CTE 修飾成份。 -9 - (10) 1305824 4 9 ·如申請專利範圍第3 6至4 5項的任意一項之熱介面 材料’其中該熟介面材料包含約10%至約50%體積的CTE 修飾成份。 50.如申請專利範圍第47項之熱介面材料,包含Sn或 其合金作爲該焊接成份。 5 1 .如申請專利範圍第4 7項之熱介面材料,包含P b或 其合金作爲該焊接成份。 52·如申請專利範圍第47項之熱介面材料,包含Ag或 其合金作爲該焊接成份。 53. 如申請專利範圔第47項之熱介面材料’包含Cu或 其合金作爲該焊接成份。 54. 如申請專利範圍第36至45項的任意一項之熱介面 材料,其中該內在吸氧劑包含鋅。 55. 如申請專利範圍第36至45項的任意一項之熱介面 材料,其中該CTE修飾成份沒有包括任何潤濕增強塗覆。
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US29345701P | 2001-05-24 | 2001-05-24 | |
US30621801P | 2001-07-18 | 2001-07-18 | |
US10/151,741 US6653741B2 (en) | 2001-05-24 | 2002-05-20 | Thermal interface material and heat sink configuration |
US10/722,288 US7187083B2 (en) | 2001-05-24 | 2003-11-25 | Thermal interface material and solder preforms |
PCT/US2003/037645 WO2005064677A1 (en) | 2001-05-24 | 2003-11-25 | Thermal interface material and solder preforms |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW200517631A TW200517631A (en) | 2005-06-01 |
TWI305824B true TWI305824B (en) | 2009-02-01 |
Family
ID=34865306
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW92134206A TWI305824B (en) | 2001-05-24 | 2003-12-04 | Thermal interface material and solder preforms |
Country Status (10)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7187083B2 (zh) |
EP (1) | EP1695382A4 (zh) |
JP (1) | JP2007521639A (zh) |
KR (1) | KR101022583B1 (zh) |
CN (1) | CN1894791B (zh) |
AU (1) | AU2003291827A1 (zh) |
CA (1) | CA2547358C (zh) |
MX (1) | MXPA06005908A (zh) |
TW (1) | TWI305824B (zh) |
WO (1) | WO2005064677A1 (zh) |
Families Citing this family (54)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10319888A1 (de) | 2003-04-25 | 2004-11-25 | Siemens Ag | Lotmaterial auf SnAgCu-Basis |
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-
2003
- 2003-11-25 KR KR1020067012671A patent/KR101022583B1/ko active IP Right Grant
- 2003-11-25 JP JP2005512835A patent/JP2007521639A/ja active Pending
- 2003-11-25 CN CN2003801110117A patent/CN1894791B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2003-11-25 CA CA2547358A patent/CA2547358C/en not_active Expired - Fee Related
- 2003-11-25 MX MXPA06005908A patent/MXPA06005908A/es active IP Right Grant
- 2003-11-25 US US10/722,288 patent/US7187083B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2003-11-25 WO PCT/US2003/037645 patent/WO2005064677A1/en active Application Filing
- 2003-11-25 AU AU2003291827A patent/AU2003291827A1/en not_active Abandoned
- 2003-11-25 EP EP03769013A patent/EP1695382A4/en not_active Withdrawn
- 2003-12-04 TW TW92134206A patent/TWI305824B/zh not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20060126670A (ko) | 2006-12-08 |
US20040200879A1 (en) | 2004-10-14 |
EP1695382A1 (en) | 2006-08-30 |
CN1894791B (zh) | 2011-01-26 |
AU2003291827A1 (en) | 2005-07-21 |
US7187083B2 (en) | 2007-03-06 |
TW200517631A (en) | 2005-06-01 |
MXPA06005908A (es) | 2007-01-26 |
CA2547358C (en) | 2013-08-06 |
EP1695382A4 (en) | 2007-10-10 |
KR101022583B1 (ko) | 2011-03-16 |
CA2547358A1 (en) | 2005-07-14 |
WO2005064677A1 (en) | 2005-07-14 |
CN1894791A (zh) | 2007-01-10 |
JP2007521639A (ja) | 2007-08-02 |
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---|---|---|---|
MM4A | Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees |