JPH0570252A - ろう接用合金 - Google Patents
ろう接用合金Info
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- JPH0570252A JPH0570252A JP2108291A JP2108291A JPH0570252A JP H0570252 A JPH0570252 A JP H0570252A JP 2108291 A JP2108291 A JP 2108291A JP 2108291 A JP2108291 A JP 2108291A JP H0570252 A JPH0570252 A JP H0570252A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、簡単かつ低温度で接合でき、高信
頼性を保持することができる、セラミックス相互あるい
はセラミックスー金属ろう接用合金を提供することを目
的とする。 【構成】 本発明のろう接用合金は、Ａｕを主成分と
し、副成分としてＳｂ，Ｉｎ，Ｔｅ，Ｐｂ，Ａｌ，Ｓ
ｉ，Ｇｅ，Ｇａ，Ｓｎの９種類の元素群から選択された
少なくとも１種類以上の元素を０.１〜５０.０重量％含
み、活性元素を０.０５〜１０.０重量％含有する。ここ
で、前記活性元素はＴｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｂｅ，Ｚｎ，Ｎ
ｂ等の元素群から選択された少なくとも１種類以上の元
素である。 【効果】 耐蝕性、信頼性を向上させ、前記合金の融点
を低下させ、ろう付け温度を低下させ、前記合金とセラ
ミックスとの密着性を高めることができ、前記合金とセ
ラミックスとを直接ろう接することができる。
頼性を保持することができる、セラミックス相互あるい
はセラミックスー金属ろう接用合金を提供することを目
的とする。 【構成】 本発明のろう接用合金は、Ａｕを主成分と
し、副成分としてＳｂ，Ｉｎ，Ｔｅ，Ｐｂ，Ａｌ，Ｓ
ｉ，Ｇｅ，Ｇａ，Ｓｎの９種類の元素群から選択された
少なくとも１種類以上の元素を０.１〜５０.０重量％含
み、活性元素を０.０５〜１０.０重量％含有する。ここ
で、前記活性元素はＴｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｂｅ，Ｚｎ，Ｎ
ｂ等の元素群から選択された少なくとも１種類以上の元
素である。 【効果】 耐蝕性、信頼性を向上させ、前記合金の融点
を低下させ、ろう付け温度を低下させ、前記合金とセラ
ミックスとの密着性を高めることができ、前記合金とセ
ラミックスとを直接ろう接することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、セラミックスのろう接
に好適に用いられるろう接用合金に関するものである。
に好適に用いられるろう接用合金に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体素子、集積回路（ＩＣ、Ｌ
ＳＩ等）、コンデンサ等の電子部品工業においては、セ
ラミックス相互あるいはセラミックスー金属相互の接合
用としてろう接が広く使用されている。例えば、シリコ
ンチップをセラミックパッケージにろう接する場合、該
セラミックパッケージのろう接すべき位置にＴｉ等の金
属をメタライズし、この上にＮｉ、Ａｕを順次メッキ
し、このＡｕメッキ上に前記シリコンチップをろう接す
る方法が一般的である。また、大容量の電池では、陽極
のステンレス容器と陰極のステンレス容器の間に絶縁性
のセラミックスを挿入して該セラミックスとステンレス
容器とをろう接して密閉構造とするのが一般的である。
また、上記のろう接用合金としては、例えば、Ａｇを主
成分としたＡｇ−Ｃｕ系、Ａｇ−Ｃｕ−Ｔｉ系、Ａｇ−
Ｓｎ系等の銀合金がよく知られている。
ＳＩ等）、コンデンサ等の電子部品工業においては、セ
ラミックス相互あるいはセラミックスー金属相互の接合
用としてろう接が広く使用されている。例えば、シリコ
ンチップをセラミックパッケージにろう接する場合、該
セラミックパッケージのろう接すべき位置にＴｉ等の金
属をメタライズし、この上にＮｉ、Ａｕを順次メッキ
し、このＡｕメッキ上に前記シリコンチップをろう接す
る方法が一般的である。また、大容量の電池では、陽極
のステンレス容器と陰極のステンレス容器の間に絶縁性
のセラミックスを挿入して該セラミックスとステンレス
容器とをろう接して密閉構造とするのが一般的である。
また、上記のろう接用合金としては、例えば、Ａｇを主
成分としたＡｇ−Ｃｕ系、Ａｇ−Ｃｕ−Ｔｉ系、Ａｇ−
Ｓｎ系等の銀合金がよく知られている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、前記のセラ
ミック用Ａｇ系ろう接合金では、引張強度や熱伝導性に
優れているものの、セラミックスとろう接用合金との熱
膨張の差が大きく接合強度が低下したりあるいは剥離し
たり等の不都合が生じるという問題があった。
ミック用Ａｇ系ろう接合金では、引張強度や熱伝導性に
優れているものの、セラミックスとろう接用合金との熱
膨張の差が大きく接合強度が低下したりあるいは剥離し
たり等の不都合が生じるという問題があった。
【０００４】また、Ａｇ粒子がマイグレーションを起し
易いために、このＡｇがろう付けされているセラミック
スや金属に拡散し易く、絶縁性を低下させたり導通状態
を引き起こしたり等の問題を発生させる恐れがあり、信
頼性が低下する主要因になっていた。また、一般のろう
接合金は直接セラミックスにろう付けできないためにメ
タライズや多層メッキ等が不可欠であるが、例えばメッ
キ工程の場合ではメッキ剥離等の発生を防止するために
メッキ条件を安定した一定の条件に制御する必要があ
り、作業にかなりの熟練を要するという問題があった。
以上の問題点は、量産等を考えた場合、製品の歩留まり
の低下やコストアップの大きな要因となる。
易いために、このＡｇがろう付けされているセラミック
スや金属に拡散し易く、絶縁性を低下させたり導通状態
を引き起こしたり等の問題を発生させる恐れがあり、信
頼性が低下する主要因になっていた。また、一般のろう
接合金は直接セラミックスにろう付けできないためにメ
タライズや多層メッキ等が不可欠であるが、例えばメッ
キ工程の場合ではメッキ剥離等の発生を防止するために
メッキ条件を安定した一定の条件に制御する必要があ
り、作業にかなりの熟練を要するという問題があった。
以上の問題点は、量産等を考えた場合、製品の歩留まり
の低下やコストアップの大きな要因となる。
【０００５】本発明は、上記の事情に鑑みてなされたも
ので、セラミックス相互あるいはセラミックスー金属相
互の接合が簡単かつ低温度ででき、しかも高信頼性を保
持することができる、ろう接用合金を提供することにあ
る。
ので、セラミックス相互あるいはセラミックスー金属相
互の接合が簡単かつ低温度ででき、しかも高信頼性を保
持することができる、ろう接用合金を提供することにあ
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明は次の様なろう接用合金を採用した。すなわ
ち、請求項１記載のろう接用合金としては、Ａｕを主成
分とし、副成分としてＳｂ，Ｉｎ，Ｔｅ，Ｐｂ，Ａｌ，
Ｓｉ，Ｇｅ，Ｇａ，Ｓｎの９種類の元素群から選択され
た少なくとも１種類以上の元素を０.１〜５０.０重量％
の範囲で含み、更に、活性元素を０.０５〜１０.０重量
％の範囲で含有したことを特徴としている。
に、本発明は次の様なろう接用合金を採用した。すなわ
ち、請求項１記載のろう接用合金としては、Ａｕを主成
分とし、副成分としてＳｂ，Ｉｎ，Ｔｅ，Ｐｂ，Ａｌ，
Ｓｉ，Ｇｅ，Ｇａ，Ｓｎの９種類の元素群から選択され
た少なくとも１種類以上の元素を０.１〜５０.０重量％
の範囲で含み、更に、活性元素を０.０５〜１０.０重量
％の範囲で含有したことを特徴としている。
【０００７】また、請求項２記載のろう接用合金として
は、請求項１記載のろう接用合金において、前記活性元
素は、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｂｅ，Ｚｎ，Ｎｂ等からなる
元素群から選択された少なくとも１種類以上の元素であ
ることを特徴としている。
は、請求項１記載のろう接用合金において、前記活性元
素は、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｂｅ，Ｚｎ，Ｎｂ等からなる
元素群から選択された少なくとも１種類以上の元素であ
ることを特徴としている。
【０００８】ここで、前記合金の主成分をＡｕとしたの
は、マイグレーションを起こすことがなく、耐蝕性、信
頼性に優れているためである。また、Ｓｂ，Ｉｎ，Ｔ
ｅ，Ｐｂ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ｇａ，Ｓｎの９種類の元
素群のうち少なくとも１種類以上を含むＡｕ合金とした
のは、該Ａｕ合金の融点が低下し、したがって、ろう付
け温度が低下するためである。
は、マイグレーションを起こすことがなく、耐蝕性、信
頼性に優れているためである。また、Ｓｂ，Ｉｎ，Ｔ
ｅ，Ｐｂ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ｇａ，Ｓｎの９種類の元
素群のうち少なくとも１種類以上を含むＡｕ合金とした
のは、該Ａｕ合金の融点が低下し、したがって、ろう付
け温度が低下するためである。
【０００９】また、活性元素の添加量を０.０５〜１０.
０重量％の範囲としたのは、前記合金とセラミックスと
の接合界面に活性元素が偏析して反応層を形成し易くす
るためであり、これにより前記合金とセラミックスとの
密着性が高まり、前記合金とセラミックスとを直接ろう
接することが可能である。また、上記の範囲以外の添加
量、例えば添加量が０.０５重量％未満の範囲ではセラ
ミックスとの密着性が小さく効果が小さくなってしま
い、１０.０重量％を越える範囲では加工性が低下し融
点が上昇してしまうために、不都合である。
０重量％の範囲としたのは、前記合金とセラミックスと
の接合界面に活性元素が偏析して反応層を形成し易くす
るためであり、これにより前記合金とセラミックスとの
密着性が高まり、前記合金とセラミックスとを直接ろう
接することが可能である。また、上記の範囲以外の添加
量、例えば添加量が０.０５重量％未満の範囲ではセラ
ミックスとの密着性が小さく効果が小さくなってしま
い、１０.０重量％を越える範囲では加工性が低下し融
点が上昇してしまうために、不都合である。
【００１０】
【作用】本発明の請求項１記載のろう接用合金は、Ａｕ
を主成分とし、副成分としてＳｂ，Ｉｎ，Ｔｅ，Ｐｂ，
Ａｌ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ｇａ，Ｓｎの９種類の元素群から選
択された少なくとも１種類以上の元素を０.１〜５０.０
重量％の範囲で含み、更に、活性元素を０.０５〜１０.
０重量％の範囲で含有するものである。
を主成分とし、副成分としてＳｂ，Ｉｎ，Ｔｅ，Ｐｂ，
Ａｌ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ｇａ，Ｓｎの９種類の元素群から選
択された少なくとも１種類以上の元素を０.１〜５０.０
重量％の範囲で含み、更に、活性元素を０.０５〜１０.
０重量％の範囲で含有するものである。
【００１１】また、請求項２記載のろう接用合金は、請
求項１記載のろう接用合金において、前記活性元素は、
Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｂｅ，Ｚｎ，Ｎｂ等からなる元素群
から選択された少なくとも１種類以上の元素からなるも
のである。
求項１記載のろう接用合金において、前記活性元素は、
Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｂｅ，Ｚｎ，Ｎｂ等からなる元素群
から選択された少なくとも１種類以上の元素からなるも
のである。
【００１２】ここで、前記合金の主成分をＡｕとするこ
とにより、マイグレーションを起こすことがなく、耐蝕
性、信頼性が向上する。また、Ｓｂ，Ｉｎ，Ｔｅ，Ｐ
ｂ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ｇａ，Ｓｎの９種類の元素群の
うち少なくとも１種類以上を含むＡｕ合金とすることに
より、該Ａｕ合金の融点が低下し、ろう付け温度が低下
する。
とにより、マイグレーションを起こすことがなく、耐蝕
性、信頼性が向上する。また、Ｓｂ，Ｉｎ，Ｔｅ，Ｐ
ｂ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ｇａ，Ｓｎの９種類の元素群の
うち少なくとも１種類以上を含むＡｕ合金とすることに
より、該Ａｕ合金の融点が低下し、ろう付け温度が低下
する。
【００１３】また、活性元素の添加量を０.０５〜１０.
０重量％の範囲とすることにより、前記合金とセラミッ
クスとの接合界面に活性元素が偏在して反応層を形成
し、これにより前記合金とセラミックスとの密着性が高
まり、前記合金とセラミックスとを直接ろう接する。前
記反応層は、活性元素の高い親和力によりセラミックス
との接合部の表面が腐食され、これにより大きい付着強
度の活性元素の化合物が接合界面に偏析することで形成
される。例えば、活性元素をＴｉとした場合では、セラ
ミックスが酸化物ではＴｉＯ2が、また窒化物ではＴｉ3
Ｎ4が、また炭化物ではＴｉＣが接合界面に偏析する。
０重量％の範囲とすることにより、前記合金とセラミッ
クスとの接合界面に活性元素が偏在して反応層を形成
し、これにより前記合金とセラミックスとの密着性が高
まり、前記合金とセラミックスとを直接ろう接する。前
記反応層は、活性元素の高い親和力によりセラミックス
との接合部の表面が腐食され、これにより大きい付着強
度の活性元素の化合物が接合界面に偏析することで形成
される。例えば、活性元素をＴｉとした場合では、セラ
ミックスが酸化物ではＴｉＯ2が、また窒化物ではＴｉ3
Ｎ4が、また炭化物ではＴｉＣが接合界面に偏析する。
【００１４】
【実施例】以下、本発明の一実施例のろう接用合金につ
いて説明する。表１は本発明のろう接用合金の組成を、
また表２は表１のろう接用合金の特性をそれぞれ示した
ものである。
いて説明する。表１は本発明のろう接用合金の組成を、
また表２は表１のろう接用合金の特性をそれぞれ示した
ものである。
【表１】
【表２】 上記の表から、本発明のろう接用合金は、融点、ろう付
け温度が低く、耐蝕性、接合性等に優れた合金であるこ
とがわかる。
け温度が低く、耐蝕性、接合性等に優れた合金であるこ
とがわかる。
【００１５】次に、上述した本発明のろう接用合金を用
いてセラミックスをろう付けした実施例について説明す
る。
いてセラミックスをろう付けした実施例について説明す
る。
【００１６】（第１実施例）図１の様に、大容量の電池
１の陽極のステンレス容器２と陰極のステンレス容器３
の間に、材質がＡｌ2Ｏ3からなる絶縁性のセラミックス
４を挿入し、このセラミックス４とステンレス容器２，
３とをろう接用合金５によりろう接して電解液６が密閉
された構造とした。
１の陽極のステンレス容器２と陰極のステンレス容器３
の間に、材質がＡｌ2Ｏ3からなる絶縁性のセラミックス
４を挿入し、このセラミックス４とステンレス容器２，
３とをろう接用合金５によりろう接して電解液６が密閉
された構造とした。
【００１７】ここで実施例１のろう接用合金としてはＮ
ｏ.２のサンプルを用い、Ａｇ系合金を用いた比較例
１、Ａｌ系合金を用いた比較例２、活性元素を含有しな
いＡｕ系合金を用いた比較例３各々と比較検討した。表
３はこれらの評価結果を示したものである。
ｏ.２のサンプルを用い、Ａｇ系合金を用いた比較例
１、Ａｌ系合金を用いた比較例２、活性元素を含有しな
いＡｕ系合金を用いた比較例３各々と比較検討した。表
３はこれらの評価結果を示したものである。
【表３】 表３から明かな様に、本実施例のろう接用合金（Ｎｏ.
２）では、電解液に浸蝕される事がなく、またセラミッ
クスがろう付け時のヒートショックにより割れる事もな
く、密着性の優れたろう接ができた。
２）では、電解液に浸蝕される事がなく、またセラミッ
クスがろう付け時のヒートショックにより割れる事もな
く、密着性の優れたろう接ができた。
【００１８】（第２実施例）図２の様に、集積回路（Ｉ
Ｃ）１１のセラミックパッケージ１２の底面１２ａのろ
う接すべき位置に本発明のろう接用合金（Ｎｏ.１）１
３を所定量塗布し、該ろう接用合金１３上にシリコンチ
ップ１４を載置し、４００℃でろう付けした。 本実施
例のろう接用合金（Ｎｏ.１）では、セラミックパッケ
ージ１２、シリコンチップ１４の双方共にろう付け時の
ヒートショックによるクラックの発生が認められず、密
着性の優れたろう接ができた。
Ｃ）１１のセラミックパッケージ１２の底面１２ａのろ
う接すべき位置に本発明のろう接用合金（Ｎｏ.１）１
３を所定量塗布し、該ろう接用合金１３上にシリコンチ
ップ１４を載置し、４００℃でろう付けした。 本実施
例のろう接用合金（Ｎｏ.１）では、セラミックパッケ
ージ１２、シリコンチップ１４の双方共にろう付け時の
ヒートショックによるクラックの発生が認められず、密
着性の優れたろう接ができた。
【００１９】（第３実施例）図２の様に、集積回路（Ｉ
Ｃ）１１のセラミックパッケージ１２の上面の、Ｆｅ−
Ｎｉ合金等からなる蓋１５をろう接すべき位置に本発明
のろう接用合金（Ｎｏ.４）１６の窓枠状プリフォーム
材を装入し、３２０℃でろう付けした。本実施例のろう
接用合金（Ｎｏ.４）では、セラミックパッケージ１２
のろう接面にメタライズすることなく、また、蓋１５の
ろう接面をＮｉメッキすることなくろう接したが、セラ
ミックパッケージ１２にろう付け時のヒートショックに
よるクラックの発生は認められず、気密性の優れたろう
接ができた。
Ｃ）１１のセラミックパッケージ１２の上面の、Ｆｅ−
Ｎｉ合金等からなる蓋１５をろう接すべき位置に本発明
のろう接用合金（Ｎｏ.４）１６の窓枠状プリフォーム
材を装入し、３２０℃でろう付けした。本実施例のろう
接用合金（Ｎｏ.４）では、セラミックパッケージ１２
のろう接面にメタライズすることなく、また、蓋１５の
ろう接面をＮｉメッキすることなくろう接したが、セラ
ミックパッケージ１２にろう付け時のヒートショックに
よるクラックの発生は認められず、気密性の優れたろう
接ができた。
【００２０】以上説明した様に上記実施例のろう接用合
金によれば、前記合金の主成分をＡｕとしたので、マイ
グレーションを起こすことがなく、耐蝕性、信頼性を向
上させることができる。また、Ｓｉ，Ｇｅ，Ｇａ，Ｓ
ｎ，Ｉｎの元素群のうち少なくとも１種類以上を含むＡ
ｕ合金としたので、該Ａｕ合金の融点を低下させ、ろう
付け温度を低下させることができる。
金によれば、前記合金の主成分をＡｕとしたので、マイ
グレーションを起こすことがなく、耐蝕性、信頼性を向
上させることができる。また、Ｓｉ，Ｇｅ，Ｇａ，Ｓ
ｎ，Ｉｎの元素群のうち少なくとも１種類以上を含むＡ
ｕ合金としたので、該Ａｕ合金の融点を低下させ、ろう
付け温度を低下させることができる。
【００２１】また、活性元素（Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ）の添
加量を０.０５〜１０.０重量％の範囲としたので、前記
合金とセラミックスとの接合界面に活性元素が偏在して
反応層を形成し、これにより前記合金とセラミックスと
の密着性を高めることができ、前記合金とセラミックス
とを直接ろう接することができる。特にＴｉ，Ｚｒ，Ｈ
ｆの少なくとも１種類を添加した場合、反応層は活性元
素の極めて高い親和力によりセラミックスとの接合部の
表面が腐食され、これにより大きい付着強度の活性元素
の化合物が接合界面に偏析することで反応層を形成する
ことができる。
加量を０.０５〜１０.０重量％の範囲としたので、前記
合金とセラミックスとの接合界面に活性元素が偏在して
反応層を形成し、これにより前記合金とセラミックスと
の密着性を高めることができ、前記合金とセラミックス
とを直接ろう接することができる。特にＴｉ，Ｚｒ，Ｈ
ｆの少なくとも１種類を添加した場合、反応層は活性元
素の極めて高い親和力によりセラミックスとの接合部の
表面が腐食され、これにより大きい付着強度の活性元素
の化合物が接合界面に偏析することで反応層を形成する
ことができる。
【００２２】この様に、セラミックス相互あるいはセラ
ミックスー金属相互の接合が簡単かつ低温度ででき、し
かも高信頼性を保持することができる、ろう接用合金を
提供することが可能になる。
ミックスー金属相互の接合が簡単かつ低温度ででき、し
かも高信頼性を保持することができる、ろう接用合金を
提供することが可能になる。
【００２３】
【発明の効果】以上説明した様に、この発明の請求項１
記載のろう接用合金によれば、前記合金の主成分をＡｕ
としたので、マイグレーションを起こすことがなく、耐
蝕性、信頼性を向上させることができる。また、前記合
金の副成分として、Ｓｂ，Ｉｎ，Ｔｅ，Ｐｂ，Ａｌ，Ｓ
ｉ，Ｇｅ，Ｇａ，Ｓｎの９種類の元素群から選択された
少なくとも１種類以上の元素を０.１〜５０.０重量％の
範囲で含むこととしたので、前記合金の融点を低下さ
せ、ろう付け温度を低下させることができる。
記載のろう接用合金によれば、前記合金の主成分をＡｕ
としたので、マイグレーションを起こすことがなく、耐
蝕性、信頼性を向上させることができる。また、前記合
金の副成分として、Ｓｂ，Ｉｎ，Ｔｅ，Ｐｂ，Ａｌ，Ｓ
ｉ，Ｇｅ，Ｇａ，Ｓｎの９種類の元素群から選択された
少なくとも１種類以上の元素を０.１〜５０.０重量％の
範囲で含むこととしたので、前記合金の融点を低下さ
せ、ろう付け温度を低下させることができる。
【００２４】また、活性元素の添加量を０.０５〜１０.
０重量％の範囲としたので、前記合金とセラミックスと
の接合界面に活性元素が偏在して反応層を形成し、これ
により前記合金とセラミックスとの密着性を高めること
ができ、前記合金とセラミックスとを直接ろう接するこ
とができる。
０重量％の範囲としたので、前記合金とセラミックスと
の接合界面に活性元素が偏在して反応層を形成し、これ
により前記合金とセラミックスとの密着性を高めること
ができ、前記合金とセラミックスとを直接ろう接するこ
とができる。
【００２５】また、請求項２記載のろう接用合金によれ
ば、請求項１記載のろう接用合金において、前記活性元
素は、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｂｅ，Ｚｎ，Ｎｂ等からなる
元素群から選択された少なくとも１種類以上の元素であ
ることとしたので、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｂｅ，Ｚｎ，Ｎ
ｂ等の活性金属の少なくとも１種類以上を含む反応層
は、活性元素の極めて高い親和力によりセラミックスと
の接合部の表面が腐食され、これにより大きい付着強度
の活性元素の化合物が接合界面に偏析することで反応層
を形成することができる。したがって、前記合金とセラ
ミックスとの密着性をさらに高めることができ、前記合
金とセラミックスとをより強力に直接ろう接することが
できる。
ば、請求項１記載のろう接用合金において、前記活性元
素は、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｂｅ，Ｚｎ，Ｎｂ等からなる
元素群から選択された少なくとも１種類以上の元素であ
ることとしたので、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｂｅ，Ｚｎ，Ｎ
ｂ等の活性金属の少なくとも１種類以上を含む反応層
は、活性元素の極めて高い親和力によりセラミックスと
の接合部の表面が腐食され、これにより大きい付着強度
の活性元素の化合物が接合界面に偏析することで反応層
を形成することができる。したがって、前記合金とセラ
ミックスとの密着性をさらに高めることができ、前記合
金とセラミックスとをより強力に直接ろう接することが
できる。
【００２６】この様に、セラミックス相互あるいはセラ
ミックスー金属相互の接合が簡単かつ低温度ででき、し
かも高信頼性を保持することができる、ろう接用合金を
提供することが可能になる。
ミックスー金属相互の接合が簡単かつ低温度ででき、し
かも高信頼性を保持することができる、ろう接用合金を
提供することが可能になる。
【図１】本発明のろう接用合金を用いてろう付けした大
容量の電池の概略断面図である。
容量の電池の概略断面図である。
【図２】本発明のろう接用合金を用いてろう付けした集
積回路（ＩＣ）の概略断面図である。
積回路（ＩＣ）の概略断面図である。
１ 電池 ２，３ ステンレス容器 ４ セラミックス ５ ろう接用合金 ６ 電解液 １１ 集積回路（ＩＣ） １２ セラミックパッケージ １３ ろう接用合金 １４ シリコンチップ １５ 蓋 １６ ろう接用合金
Claims (2)
- 【請求項１】 Ａｕを主成分とし、副成分としてＳｂ，
Ｉｎ，Ｔｅ，Ｐｂ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ｇａ，Ｓｎの９
種類の元素群から選択された少なくとも１種類以上の元
素を０.１〜５０.０重量％の範囲で含み、更に、活性元
素を０.０５〜１０.０重量％の範囲で含有したことを特
徴とするろう接用合金。 - 【請求項２】 前記活性元素は、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｂ
ｅ，Ｚｎ，Ｎｂ等からなる元素群から選択された少なく
とも１種類以上の元素であることを特徴とするろう接用
合金。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2108291A JPH0570252A (ja) | 1991-02-14 | 1991-02-14 | ろう接用合金 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2108291A JPH0570252A (ja) | 1991-02-14 | 1991-02-14 | ろう接用合金 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0570252A true JPH0570252A (ja) | 1993-03-23 |
Family
ID=12044964
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2108291A Pending JPH0570252A (ja) | 1991-02-14 | 1991-02-14 | ろう接用合金 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0570252A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5853661A (en) * | 1994-07-05 | 1998-12-29 | Cendres Et Metaux Sa | High gold content bio--compatible dental alloy |
| US7187083B2 (en) | 2001-05-24 | 2007-03-06 | Fry's Metals, Inc. | Thermal interface material and solder preforms |
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