TWI301778B - - Google Patents

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1301778 96. 2. -2 (1) 玖、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明有關於，藉由使具有金屬組織之物體 織予以微細化而達成（求得）’局強度化或高延 均質化之金屬加工方法，及使用該金屬加工方法 ，以及使用該加工方法之含有金屬之陶瓷體。 【先前技術】 以往，在於金屬體或含有金屬陶瓷體等，具 織之材料中，藉由 ECAP ( Equal-Channel Pressing )法而使金屬組織微細化而可能提高該 度或延性係習知。 於ECAP法中，如第19圖所示，在於工模 以中途而使之彎曲於預定之角度之插通路2 0 0， 路200中，一面推壓一面使所欲之金屬體3 00插 使金屬體300沿著插通路200彎曲，隨著彎曲而 3 00上生起剪斷應力，藉由此剪斷應力使金屬組 。第19圖中之符號400係推壓金屬體之柱塞。 在此種ECAP法中爲了使金屬體3〇〇沿著插 容易彎曲起見，將工模1 〇〇加熱到預定溫度，由 體3 0 0全體加熱，以資降低變形阻抗，惟，金屬 變形阻抗大大地降低時，以柱塞400來推壓時， 體300會發生隆起等多餘之變形之虞，因此金屬 加熱係必須抑制於必要最小限度。 之金屬組 性化，或 之金屬體 有金屬組 Angular 材料之強 1 00 中， 在此插通 通，由而 使金屬體 織微細化 通路200 而使金屬 體3 00之 在於金屬 體3 00之 -6- (2) 1301778 96· 2· -2 惟如上述地抑制金屬體3 00之加熱時，金屬體3 00乃 需要以柱400用比較大之力量來推壓，所以有加工性不佳 之問題。因而在於日本專利公報特開2 0 0 1 - 3 2 1 8 2 5號之「 金屬材料之加工方法及其裝置」係揭示，局部的加熱該對 於金屬體施加剪斷應力之插通路之剪斷變形領域，由此加 熱來減低金屬體之剪斷變形部份之變形阻抗，由而可以減 小柱塞所推壓金屬體所需之力量由而提高加工性。 惟加熱了剪斷變形領域時，通過了剪斷變形領域之金 屬體係維持被加熱爲預定溫度之狀態，所以由插通路所推 出之金屬體乃全體地降低了變形阻抗，如欲連續地將金屬 體插通於插通路，反覆使剪斷應力作用起見必須有冷卻到 使金屬體成爲預定溫度以下又使變形阻抗變大之冷卻時間 〇 因而對於金屬體並無法以比冷卻時間更短之時間連續 地以ECAP法來實施處理，而存有生產性非常低之問題。 並且在於ECAP法係，須要將金屬體插通於彎曲之插 通路，所以關於只將金屬體之一部份之金屬組織予以微細 化之部份處理很困難之問題也存在。 再者關於只將金屬體之一部份之金屬組織予以微細化 之方法有，如日本專利公報特開平 Π -5 1 1 03號所揭示， 將設於轉子之端部軸線上之探頭，抵接於金屬體之所要之 位置，而予以推壓，旋轉轉子而使金屬體之與探頭部份予 以摩擦攪拌由而實施微細化之方法係習知。 惟此種利用與探頭之摩擦之方法係處理之高速化非常 1301778 97· 4. 2 3 (3) 困難由而與ECΑΡ法同樣地有量產性不佳之問題。 另一方面，關於金屬組織受到微細化之金屬體之大量 製造之方法例如日本專利公報特開平1 1 -32348 1號揭示， 在於規定組成份之低碳鋼或低碳合金鋼中，從所需之高溫 狀態冷卻之過程中，實施斷面減縮率60%以上之加工之方 法。 惟可以適用此方法之金屬體只限於特殊組成份之低碳 鋼或低碳合金鋼，具有其他以外之組成份之金屬體則有無 法適用之問題。 如上所述，在於藉由金屬組織之微細化以謀求高強度 化或高延性化等之金屬體之形成係有優缺點，在於現狀， 只用於不須計較製造成本之問題之高級汽車或戰機等之特 殊用途上才利用此種金屬。 在此狀況中，最近係特別在於汽車業界中存在有：爲 了提高燃費，或行走性能之目的，車體等之輕量化之要求 很殷切。不但是高級汽車，在於一般車也有利用藉由金屬 組織之微細化而求得高強度化之金屬體藉以達成輕量化之 很大之要求，對於低廉價格之高強度化或高延性化之金屬 體係有很大的潛在需要。 本發明人等係鑑於此現狀，爲了提供：以連續地形成 藉由使金屬組織微細化，由而謀求高強度化或高延性化之 各種金屬體或含有金屬的陶瓷體以提高其量產性，爲了謀 求低成本化的金屬體或含金屬之陶瓷體，處心積慮硏究開 發，而完成了本發明。 -8- (4) 1301778 96. 2.~2 【發明內容】 第1點所述之金屬加工方法，係在於金屬體形成局部 的降低變形阻抗之低變形阻抗領域，且將該低變形阻抗領 域剪斷變形而使金屬體之金屬組織微細化。 如此一來，可以使局部地形成之低變形阻抗領域部份 之金屬組織微細化，由而很容易形成高強度化或高延性化 之金屬體。 在於第2點所述之金屬加工方法，係在於上述低變形 阻抗領域之整個領域實施上述剪斷變形。 於是，可以在於低變形阻抗領域之整個領域，大致均 質地使金屬組織微細化。 在於第3點所述之金屬加工方法，係在於上述低變形 阻抗領域之一部份實施上述剪斷變形。由而，剪斷變形係 集中於變形阻抗領域之一部份發生，可以使該部份之金屬 組織非常地微細化’可謀求金屬體強度之提高，或延性之 提高。 第4點所述之金屬加工方法，係將朝單一方向之延伸 後之金屬體之變形阻抗，局部性的使之降低，以形成橫斷 上述金屬體之低變形阻抗領域，且使該低變形阻抗領域剪 斷變形以使上述金屬體之金屬組織微細化之金屬加工方法 〇 由而，可以使局部的形成之低變形阻抗領域部份之金 屬部份微細化’可很容易形成高強度化或高延性化之金屬 -9- (5) (5) 96· 2· 1 1301778 體。 在於第5點所述之金屬加工方法，係在於上述變形阻 抗領域之中央領域實施上述剪斷變形。由而，在於局部的 形成之低變形阻抗領域中，可將變形阻抗最小之低變形阻 抗領域之中央領域部份之金屬組織，有效率地予以微細化 ，由而可以謀求提高金屬體之強度，或提高延性。 在於第6點所述之金屬加工方法，係在於上述低變形 阻抗領域之兩端部實施上述剪斷變形。由而，較之低變形 阻抗領域之變形阻抗高之非低變形阻抗領域將會具有抵抗 剪斷變形之作用，所以可使很大的剪斷應力作用於低變形 阻抗領域之兩端部，可有效率的使金屬組織微細化可以謀 求金屬體提高強度或延性。 在於第7點所述之金屬加工方法，係在於上述低變形 阻抗領域之其中一方之端部實施上述剪斷變形。 由而，在於比低變形阻抗領域之變形阻抗高之非低變 形阻抗領域將會具有抵抗剪斷變形之作用，所以可使很大 之剪斷應力作用在於低變形阻抗領域之兩端部，可有效率 的使金屬組織微細化，而謀求金屬體之強度之提高或延性 之提高。 第8點所述之金屬加工方法，係將上述低變形阻抗領 域，沿著上述金屬體之延伸方向移動。由而，可非常容易 使延伸於單一方向之金屬體之全體之金屬組織微細化，同 時可以連續地實施金屬組織之微細化處理。 第9點所述之金屬加工方法，係局部的降低該單一方 -10- 96. 2. z 1301778 C6) 向地延伸之金屬體之變形阻抗，而形成橫斷上述金屬體之 低變形阻抗領域，將挾著此低變形阻抗領域之上述金屬體 之其中一方之非低變形阻抗領域，相對於另一方之非低變 形阻抗領域進行變動位置，由而使上述低變形阻抗領域剪 斷變形，而使上述金屬體之金屬組織微細化。由而，可以 將局部的形成之低變形阻抗領域之金屬組織微細化，而很 容易形成高強度化或高延性化之金屬體。 第1 〇點所述之金屬加工方法，係將上述其中一方的 非低變形阻抗領域對另一方的非低變形阻抗領域之相對性 的位置之變動，採用：施加於與上述金屬體之延伸方向略 呈直交之方向之振動運動。由而在於低變形阻抗領域可非 常容易地發生剪斷變形。 第1 1點所述之金屬加工方法，係將上述其中一方的 非低變形阻抗領域對另一方的非低變形阻抗領域之相對性 的位置之變動，採用：係施加於與上述金屬體之延伸方向 略呈直交之第1之方向之第1振動運動；及與上述金屬體 之延伸方向略呈直交，同時又與上述第1方向也略呈直交 之第2方向之第2振動運動之複合運動。 由而，在於低變形阻抗領域可很容易發生剪斷變形， 同時可以使其作用很大之剪斷應力。 第1 2點所述之金屬加工方法，係將上述其中一方的 非低變形阻抗領域對另一方的非低變形阻抗領域之相對性 的位置之變動，採用：在與上述金屬體之延伸方向略平行 之旋轉軸周圍予以扭轉之扭轉運動。由而對於低變形阻抗 -11 - (7) 1301778 96· 2· -2 領域可很容易發生剪斷變形。 第1 3點所述之金屬加工方法，上述低變形阻抗領域 係以加熱手段加熱上述金屬體而形成的，同時上述加熱手 IS是採用：不是以上述旋轉軸之領域爲中心之加熱分佈方 式來進行加熱。 由而，對於旋轉軸之領域之金屬組織也可以使剪斷應 力作用該處，因此全體可以均質地使金屬組織微細化。 第1 4點所述之金屬加工方法，係使其中一方之上述 非低變形阻抗領域相對於另一方之上述非低變形阻抗領域 朝向與上述金屬體之延伸方向略直交之方向移動。由而， 對於旋轉軸之領域之金屬組織也可以作用到剪斷應力，可 以使全體的金屬組織均質地微細化。 第1 5點所述之金屬加工方法，係對於上述低變形阻 抗領域沿著上述金屬體之延伸方向施予壓縮應力。由而， 可以防止因施加於低變形阻抗領域之剪斷變形而在於金屬 體發生隆起等變形，由而既可維持金屬體之形狀又可使金 屬組織微細化。 第1 6點所述之金屬加工方法，上述低變形阻抗領域 係藉由設於第1冷卻手段與第2冷卻手段之間之加熱手段 來加熱上述金屬體所形成。由而，得以第1冷卻手段及第 2冷卻手段調整低變形阻抗領域之幅度（寬），而藉由縮 小低變形阻抗領域之寬而可以使施加於低變形阻抗領域之 剪斷變形所致之與斷應力加大’由而可有效率的使金屬組 織微細化。 -12- (8) 1301778 96* 2· -2 第1 7點所述之金屬加工方法，上述金屬體係採用板 狀體。由而，可很容易製造出以往之ECAP法所無法獲得 之金屬結晶被微細化之板狀金屬體。 第1 8點所述之金屬加工方法，上述金屬體係採用： 經層疊不同組成份之金屬層所形成之板狀體。由而，可容 易製造出以往之ECAP法所無法獲得之金屬結晶微細化之 板狀金屬體，同時在於疊合方向上的組成份不同之合金。 在於第1 9點所述之金屬加工方法，上述金屬體係採 用：在於第1金屬中混合了弟2金屬之混合材所成之板狀 體。由而，可以形成第1金屬及第2金屬牢固地接合在一 起之合金，以往藉由不同種金屬之合金製造方法所難以製 造之合金也可以容易的製得。 在於第2 0點所述之金屬加工方法，上述金屬體係採 用：中空筒狀體。由而，可很容易製造出以往之ECAP法 所無法獲得之金屬結晶微細化之中空筒狀金屬體。 在於第2 1點所述之金屬加工方法，上述金屬體係採 用：疊合不同組成份之金屬層所形成之中空筒狀體。由而 ，可很容易製造出以往之ECAP法所無法獲得之金屬結晶 微細化之中空筒狀金屬體，同時可以形成在疊合方向上的 組成份不同之中空筒狀之合金。 在於第22點所述之金屬加工方法，係上述金屬體係 採用：在於第1金屬中混合入第2金屬之混合材所成之中 空筒狀體。由而，可以形成第1金屬與第2金屬牢固地接 合在一起之合金，因此，在於以往之藉由熔融不同金屬之 -13- (9) 1301778 96. 2.-2 合金製造法也難以製造之合金也可以容易製造。 在於第2 3點所述之金屬加工方法，上述金屬體係採 用··將中空筒狀體在於其中一方的非低變形阻抗領域相對 於另一方的非低變形阻抗領域之位置變動後，切開該中空 筒狀體的周面所做成的板狀體。由而，以往之E C AP法所 無法獲得之金屬結晶微細化之板狀體也可以很容易製造出 來。 在於第2 4點所述之金屬加工方法，係上述金屬體係 採用：將疊合不同組成份之金屬層所形成之中空筒狀體在 於其中一方的非低變形阻抗領域相對於另一方的非低變形 阻抗領域之位置之變動後切開該中空筒狀體的周面所做成 的板狀體。由而可很容易製造，在於以往之ECAP法所無 法獲得之金屬結晶微細化之板狀金屬體，同時可以形成疊 合方向上的組成份不同之合金。 在於第2 5點所述之金屬加工方法，上述金屬體係採 用：將第1金屬混合入第2金屬之混合材所成之中空筒狀 體在於上述其中一方的非低變形阻抗領域相對於另一方的 非低變形阻抗領域之位置變動後切開該中空筒狀體的周面 所做成的板狀體。由而可以形成第1金屬與第2金屬牢固 地接合在一起之合金，很容易做成以往之藉由熔融不同金 屬之合金製造方法所難以製造之合金。 在於第2 6點所述之金屬加工方法，上述金屬體係棒 狀體。由而可很容易製造出在於以往之E C AP法所無法獲 得之金屬結晶微細化之棒狀金屬體。 -14- (10) 1301778 96. 2.-2 在於第2 7點所述之金屬加工方法，上述金屬體係疊 合不同之組成份之金屬層而形成之棒狀體。由而可很容易 製造，在於以往之ECAP法所無法獲得之金屬結晶微細化 之棒狀金屬體，同時可以形成在疊合方向上的組成份不同 之棒狀之合金。 在於第28點所述之金屬加工方法，上述金屬體係於 第1金屬中混合第2金屬之混合材而成之棒狀體。由而可 以形成第1金屬與第2金屬牢固地接合在一起之合金，而 可很容易形成在於以往之藉由熔融不同金屬之合金製造方 法所難以製造之合金。 在於第29點所述之金屬加工方法，上述金屬體係至 少將第1金屬線材及第2金屬線材束在一起而形成之棒狀 體。由而可以形成第1金屬與第2金屬之牢固地接合在一 起之合金。同時可很容易製造出在於以往之藉由熔融不同 金屬之合金之製造方法所難以製造之合金。 第3 0點所述之金屬加工方法，係在於朝單一方向延 伸之金屬體上，藉由局部的降低變形阻抗，以離開規定的 間隔地形成橫斷上述金屬體之第1低變形阻抗領域及第2 低變形阻抗領域，且分別令上述第1低變形阻抗領域及上 述第2之低變形阻抗領域剪斷變形而使上述金屬體之金屬 組織微細化。由而’可以簡化分別將第1低變形阻抗領域 及第2低變形阻抗領域施予剪斷變形之機構，於是可在於 通常的連續地製造金屬體之製程中，設置第1低變形阻抗 領域及第2低變形阻抗領域’而使金屬組織微細化。 -15- (11) 1301778 96· 2. —2 第3 1點所述之金屬加工方法，係對於由上述第1低 變形阻抗領域與上述第2低變形阻抗領域所包挾之非低變 形阻抗領域朝向與上述金屬體之延伸方向略呈直交之方向 施予振動。由而，在於第1低變形阻抗領域及第2低變形 阻抗領域上，可非常容易地發生剪斷變形。 在於第32點所述之金屬加工方法，係對於由上述第 1低變形阻抗領域與上述第2低變形阻抗領域所包挾之非 低變形阻抗領域，振動於與上述金屬體之延伸方向略直交 之第1方向，同時振動於分別略直交於上述金屬體之延伸 方向及上述第1方向之第2方向。由而在於第1低變形阻 抗領域及第2低變形阻抗領域非常容易生起剪斷變形，同 時可以使其受到很大之剪斷應力之作用。 在於第3 3點所述之金屬加工方法，係使被上述第1 低變形阻抗領域及上述第2低變形阻抗領域所包挾之非低 變形阻抗領域，在於與上述金屬體之延伸方向略平行之旋 轉軸之周圍旋轉。由而，在於第1低變形阻抗領域及第2 低變形阻抗領域可非常容易發生剪斷變形。 在於第3 4點所述之金屬加工方法，上述第1低變形 阻抗領域及上述第2低變形阻抗領域係分別加熱到不同之 溫度所形成的。由而，可以使分別發生於第1低變形阻抗 領域及第2低變形阻抗領域之剪斷應力有所不同。特別是 使金屬體沿著該延伸方向移動的話，在於金屬體上會依序 作用不同之剪斷應力，由而可以使金屬組織更微細化，所 以更可以獲得金屬體強度之進一步提高或延性之進一步提 -16- (12) 1301778 96. 2· -2 高之效果。 在於第3 5點所述之金屬體，係暫時的形成，局部降 低變形阻抗之低變形阻抗領域，且使該低變形阻抗領域剪 斷變形，而使金屬組織微細化之金屬體。由而，可以使局 部的形成之低變形阻抗領域部份之金屬組織微細化，可以 低廉之價格就提供高強度化或高延性化之金屬體。 在於第3 6點所述之金屬體，係在於低變形阻抗領域 之整個領域實施上述剪斷變形。由而在於低變形阻抗領域 之整個領域部可以提供金屬組織之大致均質地微細化金屬 mm 體。 在於第3 7點所述之金屬體，係在於低變形阻抗領域 之一部份實施剪斷變形。由而剪斷變形係集中於低變形阻 抗領域之一部份，所以使該部份之金屬組織非常微細化， 可以提供已提高了強度或延性之金屬體。 第38點所述之金屬體，係延伸於單一方向之金屬體 ，暫時地形成：局部的降低變形阻抗，而橫斷金屬體之低 變形阻抗領域，令該變形阻抗領域剪斷變形而使金屬組織 微細化。由而，可以使局部的形成之低變形阻抗領域部份 之金屬組織微細化，可以低廉地提供高強度化或高延性化 之金屬體。 在於第3 9點所述之金屬體，係在於低變形阻抗領域 之中央領域實施剪斷變形。由而，在於局部的形成之低變 形阻抗領域中，可對於變形阻抗最小之低變形阻抗領域之 中央領域部份之金屬組織予以微細化，可提供已提高了強 -17- (13) 1301778 96· 2· 度或延性之金屬體。 在於第40點所述之金屬體，係在於低變形阻抗領域 之兩端部實施剪斷變形。由而，比低變形阻抗領域的變形 阻抗更大之非低變形阻抗領域會發生抗拒於剪斷變形之作 用，於是在於低變形阻抗領域之兩端部，會作用很大的剪 斷應力，所以可有效率地使金屬組織微細化，而可以提供 已提高強度或延性之金屬體。 在於第4 1點所述之金屬體，係在於低變形阻抗領域 之其中一方之端部，實施剪斷變形。由而，比低變形阻抗 領域的變形阻抗更大之非低變形阻抗領域會發生抗拒於剪 斷變形之作用，可在於低變形阻抗領域之兩端部作用很大 之剪斷應力，所以可有效率地使金屬組織微細化，而可提 供已提高了強度或延性之金屬體。 在於第42點所述之金屬體，係使低變形阻抗領域， 沿著金屬體之延伸方向移動。由而，朝單一方向延伸之金 屬體之全體之金屬組織可非常容易微細化，同時可以提供 連續地將金屬組織微細化之金屬體。 在於第43點所述之金屬體，係延伸於單一方向之金 屬體，而將變形阻抗局部的降低，以暫時地形成橫斷金屬 體之低變形阻抗領域，且將包挾此一低變形阻抗領域之其 中一方之非低變形阻抗領域相對於另一方之非低變形阻抗 領域變動位置，由而使上述低變形阻抗領域剪斷變形而使 金屬組織微細化。由而，可以使局部的形成之低變形阻抗 部份之金屬組織微細化，而可低廉地提供高強度化或高延 -18- (14) 1301778 96· 2· — 2 性化之金屬體。 在於第44點所述之金屬體，位置之變動係朝向與金 屬體之延伸方向略呈直交之方向之振動運動。由而，在於 低變形阻抗領域可非常容易發生剪斷變形，而可以提供將 金屬組織微細化之金屬體。 在於第45點所述之金屬體，位置之變動係施加於與 金屬體之延伸方向略呈直交之第1方向之振動運動，及施 加於與金屬體之延伸方向略呈直交，同時又與上述第1方 向也略呈直交之第2方向之第2振動運動之複合運動。由 而在於低變形阻抗領域，可非常容易發生剪斷變形，同時 使其作用很大之剪斷應力，可提供金屬組織微細化之金屬 體。 在於第4 6點所述之金屬體，位置之變動係在於與金 屬體之延伸方向略呈平行之旋轉軸之周圍扭轉之扭轉運動 。由而，在於低變形阻抗領域可非常容易發生剪斷變形， 而可以提供金屬組織微細化之金屬體。 在於申請專利範圍第4 7點所述之金屬體，低變形阻 抗領域係藉由加熱手段之加熱所形成，同時加熱手段並不 是以旋轉軸之領域做爲中心之加熱分佈方式來進行加熱。 由而，對於旋轉軸領域之金屬組織也可以作用到剪斷應力 ，因此，可以提供全體都將金屬組織均質地微細化之金屬 am 體。 在於第4 8點所述之金屬體，係使其中一方之非低變 形阻抗領域相對於另一方之非低變形阻抗領域進行移動於 -19- (15) 1301778 96· 2. -2 與金屬體之延伸方向略呈直交之方向。由而，在於旋轉軸 之領域的金屬組織也可以作用到剪斷應力，因此，可以提 供全體都使金屬組織均質地微細化之金屬體。 在於第49點所述之金屬體，是對於非低變形阻抗領 域，沿著金屬體之延伸方向施予壓縮壓力。由而，可以防 止因施加於低變形阻抗領域之剪斷變形所導致的在於金屬 體發生隆起等變形，既可維持金屬體之形狀，又可以提供 將金屬組織予以微細化之金屬體。 在於第5 0點所述之金屬體，非低變形阻抗領域係藉 由設於第1冷卻手段與第2冷卻手段之間之加熱手段的加 熱而形成的。由而，藉由第1冷卻手段及第2冷卻手段可 以調整低變形阻抗領域之幅（寬），由而可藉由低變形阻 抗領域之寬變小而可以增大施加於低變形阻抗領域之剪斷 變形所致之剪斷應力，可以提供有效率地使金屬組織微細 化之金屬體。 在於如第5 1點所述之金屬體，金屬體係板狀體。由 而，可以提供在於以往之ECAP法所無法獲得之金屬結晶 微細化之板狀金屬體。 在於第52點所述之金屬體，金屬體係疊合不同組成 份之金屬層所形成之板狀體。由而，可以提供在於以往之 E CAP法所無法獲得之金屬結晶微細化之板狀金屬體，同 時可提供在疊合方向上的組成份不同之合金。 在於第5 3點所述之金屬體，金屬體係對於第1金屬 混合了第2金屬之混合材所成之板狀體。由而，可以形成 -20- (16) 1301778 牢固地接合弟1金屬及弟2金屬之 藉由熔融不同金屬之合金製造方法 在於第54點所述之金屬體， 而，可提供：在以往之ECAP法所 細化之中空筒狀金屬體。 在於第5 5點所述之金屬體， 份之金屬層所形成之中空筒狀體。 以往之ECAP法所不能獲得之金屬 金屬體，同時在於疊合方向上的組 合金。 在於第5 6點所述之金屬體， 1金屬中混合第2金屬之混合材所 ，可以形成牢固地接合了第1金屬 以提供：在以往之藉由熔融不同金 以製造之合金。 在於第5 7點所述之金屬體， 在於其中一方的非低變形阻抗領域 形阻抗領域之位置之變動後切開該 的板狀體。由而，可以提供：在以 得之金屬結晶被微細化之板狀金屬 在於第5 8點所述之金屬體， 成份之金屬層所形成之中空筒狀體 形阻抗領域相對於另一方的非低變 動後切開該中空筒狀體的周面做成 合金，可以提供以往之 所難以製造之合金。 金屬體係中空筒體。由 無法獲得之金屬結晶微 金屬體係疊合不同組成 由而，可以提供：在於 結晶微細化之中空筒狀 成份不同之中空筒狀之 係上述金屬體係由在第 成之中空筒狀體。由而 及第2金屬之合金，可 屬之合金製造方法所難 金屬體係將中空筒狀體 相對於另一方的非低變 中空筒狀體的周面做成 往之ECAP法所無法獲 am 體。 金屬體係將疊合不同組 在於其中一方的非低變 形阻抗領域之位置之變 板狀體。由而，可以提 -21 - (17) (17) 96· 2· -2 1301778 供在於以往之ECAP法所無法獲得之金屬結晶微細化之板 狀金屬體，同時可以提供在疊合方向上的組成份不同之合 金。 在於第5 9點所述之金屬體，金屬體係將第1金屬混 合第2金屬之混合材所成之中空筒狀體在於其中一方的非 低變形阻抗領域相對於另一方的非低變形阻抗領域之位置 之變動後切開該中空筒狀體的周面做成板狀體。由而，可 以形成第1金屬及第2金屬之牢固地接合之合金。可以提 供以往之藉由熔融不同金屬之合金製造方法所難以製造之 合金。 在於第60點所述之金屬體，係上述金屬體係棒狀體 。由而，可以提供在於以往之ECAP法所無法獲得之金屬 結晶微細化之棒狀金屬體。 在於申請專利範圍第6 1點所述之金屬體，金屬體係 疊合不同組成份之金屬層所形成之棒狀體。由而，可很容 易製造出在於以往之ECAP法所無法獲得之金屬結晶微細 化之棒狀金屬體，同時可提供在疊合方向上的組成份不同 之棒狀合金。 在於第62點所述之金屬體，金屬體係第1金屬內混 合了第2金屬之混合材所成之棒狀體。由而，可以形成牢 固地接合第1金屬及第2金屬之合金，在於以往之藉由熔 融不同金屬之合金製造方法所難以製造之合金也可容易提 在於第63點所述之金屬體’金屬體係至少將第1金 -22- (18) (18) 96· 2· - 2 1301778 屬線材及第2金屬線材束在一起形成之棒狀體。由而，可 以形成牢固地接合第1金屬及第2金屬之合金，同時可容 易製造出以往之藉由熔融不同金屬之合金製造方法所難以 製造之合金。 在於第64點所述之金屬體，係延伸於單一方向之金 屬體，係藉由局部的降低變形阻抗’且分開預定間隔地暫 時形成橫斷金屬體之第1低變形阻抗領域及第2低變形阻 抗領域，且分別使第1低變形阻抗領域及第2低變形阻抗 領域剪斷變形而使金屬組織微細化。由而可簡單地構成可 使第1低變形阻抗領域及第2低變形阻抗領域分別剪斷變 形之機構，於是可以提供在於通常連續地製造之金屬體之 製程中，設置第1低變形阻抗領域及第2低變形阻抗領域 ，而將金屬組織予以微細化之金屬體。 在於第6 5點所述之金屬體，係使受到第1低變形阻 抗領域及上述第2低變形阻抗領域所包挾之非低變形阻抗 領域朝向與金屬體之延伸方向略呈直交之方向振動。由而 ，在於第1低變形阻抗領域及第2低變形阻抗領域上非常 容易地發生剪斷變形，提供可將金屬組織微細化之金屬體 〇 在於第66點所述之金屬體，係使受到第1低變形阻 抗領域及上述第2低變形阻抗領域所包挾之非低變形阻抗 領域朝向與金屬體之延伸方向略呈直交之第1方向振動’ 同時也朝向與金屬體之延伸方向及與第1方向分別略呈直 交之第2方向振動。由而，在於第1低變形阻抗領域及第 -23- (19) 1301778 96· 2· -2 2低變形阻抗領域可非常容易發生剪斷變形，同時可以作 用很大之剪斷應力，而可以提供將金屬組織微細化之金屬 體。 在於第67點所述之金屬體，係使受到第1低變形阻 抗領域與第2低變形阻抗領域所包挾之非低變形阻抗領域 ，在於與金屬體之延伸方向略呈平行之旋轉軸之周圍旋轉 。由而，可在於第1低變形阻抗領域及第2低變形阻抗領 域非常容易發生剪斷變形，而可提供將金屬組織微細化之 金屬體。 在於第68點所述之金屬體，第1低變形阻抗領域及 第2低變形阻抗領域係分別加熱到不同之溫度所形成的。 由而，在於第1低變形阻抗領域及第2低變形阻抗領域上 可以使其分別發生不同大小之剪斷應力。特別是沿著金屬 體之延伸方向地移動金屬體時，可藉由在於金屬體上依序 作用不同之剪斷應力，而使金屬組織更微細化，所以可以 提供更加提高了金屬體之強度或延性之金屬體。 在於第69點所述之金屬體，金屬體係作成汽車零件 。由而，可謀求使用此汽車零件所製造之汽車之輕量化， 而對於低燃費化有所貢獻。 在於第70點所述之金屬體，金屬體係作成：濺射用 標靶材、磁性體、形狀記憶合金、氫吸藏合金、制振合金 、電熱材料、生體材料、船舶零件、飛機零件、汽車以外 之運送機器零件、建築構造物零件之其中之一。由而，可 以謀求提高這些製品之成形加工性，而如果是大容積之零 -24- (20) (20) 96· 2· —2 1301778 件的話，則可以謀求其輕量化’特別是作爲濺射用粑材時 ，可形成更均質之金屬膜。 在於第7 1點所述之含有*金屬之陶瓷體’彳系延彳申於胃 一方向之含有金屬之陶瓷體’局部的降低變形阻抗而暫時 的形成橫斷含有金屬之陶瓷體之低變形阻抗領域’同時將 包挾此低變形阻抗領域之其中一方之非低變形阻抗領域相 對於另一方之非低變形阻抗領域進行變動位置由而使低變 形阻抗領域剪斷變形’而使所含有之金屬組織微細化之含 有金屬之陶瓷體。由而’可以提供牢固且均質的結合含有 金屬成份與非金屬成份之含有金屬之陶瓷體。 在於第72點所述之含有金屬之陶瓷體，位置之變動 係朝向與含有金屬陶瓷體之延伸方向略呈平行之旋轉軸的 周圍扭轉之扭轉運動。由而，在於旋轉軸之領域之金屬組 織也可以作用到剪斷應力，所以可提供使所含有的金屬成 份及非金屬成份牢固地且均質地結合之含有金屬陶瓷體。 【實施方式】 使用本發明之金屬加工方法及使用該金屬加工方法之 金屬體，以及使用該金屬加工方法之含有金屬陶瓷體以及 使用該金屬加工方法之濺射用標靶是藉由所含有之金屬組 織之微細化，而謀求其金屬體之高強度化或高延性化者， 特別是在於含有金屬陶瓷體時，進一步謀求其均質化。 對於金屬體及含有金屬陶瓷體，局部的形成藉降低其 變形阻抗而形成之低變形阻抗領域，將此低變形阻抗領域 -25- (21) 1301778 96. 1 部份予以剪斷變形由而施加強度應變而使金屬組織微細化 者。 特別是由於局部的形成低變形阻抗領域’由而爲了使 金屬組織微細化而施加之由剪斷變形所生起之剪斷應力乃 集中於低變形阻抗領域地發生作用，所以效率優良地可以 使金屬組織微細化。 本案中，所謂低變形阻抗領域乃指，「加熱了金屬體 或含有金屬陶瓷體，由而該變形阻抗之降低之領域」，與 低變形阻抗領域以外之領域比較時係隨著外力之作用而易 發生變形之領域而言，爲了說明之方便上，低變形阻抗領 域以外之領域即稱謂「非低變形阻抗領域」。 低變形阻抗領域係不但可以藉由加熱來形成。例如對 於加熱到規定之溫度之金屬體之周圍裝設拘束金屬體之拘 束體，由而形成非低變形阻抗領域，而不裝著拘束體即做 爲低變形阻抗領域也可行。 又，金屬體乃不只是指由一種之金屬元素之單一金屬 所構成之情形’以由一種以上之金屬兀素所構成之合金來 構成也可以，或由金屬元素與非金屬元素所構成之金屬間 化合物來構成亦可以。 本案中’金屬體係金屬間化合物時，爲了使它明確而 稱之謂「含有金屬陶瓷體」，下面說明中，除了特別言及 ’所述之「金屬體」係包括有「含有金屬陶瓷體」而使用 〇 金屬體不需要一對之組織’如第1圖做爲金屬體之剖 -26- 1301778 97· 4. 2 3 (22) 面圖所示，在於第1金屬層11疊層第2金屬層12，再層 疊第3金屬層13之層疊體1〇也可以，此等之第1金屬層 11 ’第2金屬層12，第3金屬層13係分別規定之金屬或 合金就可以。第1金屬層11，與第2金屬層12，與第3 金屬層13乃只藉疊合構成層疊體1〇也可以或電鍍處理， 蒸鍍處理，壓接處理來層疊亦可以。又層疊體10不限於 三層可以層疊適當數之層來構成層疊體。

或金屬體係如第2圖上，以金屬體之剖面示意圖地所 示之混合第1金屬粉末14及第2金屬粉末15之混合體煆 燒成形爲規定形狀之煆燒體1 6也可以。此時不只是第1 金屬粉末14與第2金屬粉末15之二種之粉體來形成煆燒 體16，更可以混合多種之粉體來形成煆燒體16也可以。 不僅混合金屬之粉體，混合非金屬之粉體來形成煆燒體 1 6亦可以。

或，金屬體係如第3圖上以金屬體之剖面模式地所示 之，做成預定形狀之多孔質體1 7之孔部塡充金屬粉體1 8 所形成之塡充體19亦可以。又在於多孔質體17不只是塡 充金屬粉體18，塡充非金屬粉體也可以。 或，金屬體係如第4圖上，以金屬體之剖面示意圖地 顯示之複數條之第1金屬線材21及複數條之第2金屬線 材22束在一起形成之金屬線束23也可以。此時不只是以 第1金屬線材2 1及第2金屬線材22之二種金屬線材構成 金屬線束23，再加上多種金屬線材來形成金屬線束23也 可以。 -27- (23) (23) 96· 2· 一 2 1301778 如上所述金屬體係可能有種種形態，如後述’藉由剪 斷變形而可以金屬組織微細化時，金屬體係任何形態都可 於第1圖〜第3圖金屬體之剖面爲矩形狀，第4圖中 ，金屬體之剖面係圓形狀，惟金屬體並不侷限於剖面爲矩 形狀之矩形體或剖面呈圓形狀之圓棒體，其他之例如Η 形鋼體L形鋼體、溝形鋼體、Τ形鋼體、波浪溝鋼體等均 可〇 金屬體乃做爲延伸於單一方向之形態，而如第5圖所 示，似橫斷金屬體地形成低變形阻抗領域3 0，於是在於 金屬體上形成有由低變形阻抗領域3 0所隔開之第1非低 變形阻抗領域3 1及第2非低變形阻抗領域32。 如上所述，橫斷延伸於單一方向之金屬體而形成了低 變形阻抗領域3 0，由而其中一方面沿著金屬體之延伸方 向地移動低變形阻抗領域3 0，而使低變形阻抗領域3 0剪 斷變形，由而連續的可以實施金屬組織之微細化處理。 並且視其必要調整發生於低變形阻抗領域3 0之剪斷 變形之變形形態，由而在金屬體上可以形成金屬組織之微 細化之程度不同之領域，由而可以圖金屬體之多功能化。 低變形阻抗領域3 0之剪斷變形是如第5圖（a )所示 ，使第2非低變形阻抗領域3 2，對於第1非低變形阻抗 領域3 1地振動於金屬體之厚度方向來實施。或不是金屬 體之厚度方向’而如第5圖（b)所示，振動於與金屬體 之厚度方向成直交之金屬體之幅度（寬）方向來實施。又 -28- (24) 1301778 96· 2 - ，如第5圖（c)所示，做成爲，金屬體之厚度方向之振 動及幅度（寬）方向之振動之兩方予以複合之複合振動也 可以。採用這種複合振動時，可以在於低變形阻抗領域作 用很大之剪斷應力。 再者，金屬體係廣幅（寬度大）之平板體時，不一定 要橫斷金屬體地形成低變形阻抗領域，而只在於金屬體之 所要之領域形成低變形阻抗領域，而使該低變形阻抗領域 剪斷變形，而只在於金屬體之一部份使金屬組織微細化由 而形成高強度化或高延性化之領域也可以。 又，金屬體係圓棒或具有中空部之圓筒體時，如第6 圖所示，使第2非低變形阻抗領域3 2 ’對於第1非低變形 阻抗領域3 1 5而扭轉於，與金屬體之延伸方向略平行之旋 轉軸之周圍，由而剪斷變形低變形阻抗領域30’也可以。 此時第2非低變形阻抗領域3 2 ’乃對於第1非低變形阻抗 領域3 1 ’而經常以一定之角速度旋轉亦可以或交互的實施 正轉及反轉亦可以。 第1非低變形阻抗領域31，3 1 ’對於第2非低變形阻 抗領域3 2，3 2 ’之相對的振動運動或扭轉運動之運動量是 只要能使低變形阻抗領域3 0，3 0 ’生起剪斷變形而可以使 金屬組織微細化程度之運動量就可以。 如果使低變形阻抗領域3 0，3 0 5剪斷變形時，在於低 變形阻抗領域30，30’沿著金屬體之延伸方向作壓縮應力 ，由而可以抑制低變形阻抗領域3 0，3 0 ’生起大的形狀變 形，或防止在於低變形阻抗領域3 0，3 0 ’部份發生破斷之 -29- 1301778 97· 4. 2 3 (25) 情形。 如上述，使低變形阻抗領域剪斷變形，不但可以使低 變形阻抗領域之金屬組織可以微細化，在於第1圖乃至第 4圖所示之金屬體係藉由互相之金屬組織之結合而生成新 的合金或陶瓷體也可能。特別是機械的生成在於以往之熔 融法無法生成之組成份之合金。

如上述地，使低變形阻抗領域剪斷變形時，如第7圖 所示，在於延伸於單一方向之金屬體上，規定間隔地離開 地形成第1低變形阻抗領域3 0a及第2低變形阻抗領域 3 0b，同時將由第1低變形阻抗領域30a及第2低變形阻 抗領域3 Ob所包挾之領域做爲中間非低變形阻抗領域3 3 ，而使中間非低變形阻抗領域3 3實施振動運動，由而可 以很容易使第1低變形阻抗領域3 0a及第2低變形阻抗領 域3 0b剪斷變形。

本案中第7圖中金屬體係平板體。第7圖（a)係使 中間非低變形阻抗領域3 3振動於金屬體之厚度方向。第 7圖（b )係使中間非低變形阻抗領域3 3振動於與金屬體 之厚度方向直交之金屬體之寬方向。第7圖（c)係中間 非低變形阻抗領域33採用，金屬體之厚度方向之振動及 寬方向之振動之兩方複合之複合振動來振動者。 金屬體係圓棒體或具有中空部之圓筒體是如第8圖所 示，離開規定間隔地設置之第1低變形阻抗領域30’a與 第2低變形阻抗領域30b’之間之中間非低變形阻抗領域 33’旋轉於，與金屬體之延伸方向略平行之旋轉軸之周圍 -30- 1301778 (26) 97. 4. 2 3 ，由而很容易剪斷變形第1低變形阻抗領域30 a，及第2低 變形阻抗領域3 Ob ’。第8圖中之符號3 4係使中間非低變 形阻抗領域3 3 ’之旋轉輥。 又，在於第7圖及第8圖中，使金屬體沿著延伸方向 移動，由而可以使金屬體上之第1低變形阻抗領域30a’及 第2低變形阻抗領域30b’之位置移動。 所以通常在於連續地製造之金屬體之製程中，在於金 屬體上形成第1低變形阻抗領域30a，30a’及第2低變形 阻抗領域3 Ob，3 Ob ’，而將中間非低變形阻抗領域3 3， 3 3 5予以振動或旋轉，就很容易將金屬體予以剪斷變形， 所以得以低成本製造出，藉由金屬組織之被微細化而成爲 高強度化或高延性之金屬體。 特別是第1低變形阻抗領域30a，30a’及第2低變形 阻抗領域3 Ob，3 Ob ’係分別藉加熱金屬體來形成，惟分別 使第1低變形阻抗領域30a，30a’及第2低變形阻抗領域 3 0b，3 Ob’之加熱溫度不相同，由而可以使作用於第1低 變形阻抗領域30a，30a’及第2低變形阻抗領域30b， 3 0b ’之剪斷應力分別不相同，而在於金屬組織上分別以二 階段以不同剪斷應力使之作用所以更能使金屬組織微細化 〇 並且，經一次之剪斷變形，金屬組織之被微細化之部 份再使之剪斷變形時，由於金屬體之延性已有提高，所以 可以降低金屬體之加熱溫度，而可以使金屬組織更微細化 -31 - (27) 1301778 96· 2. 一2 再者，對於金屬組織上不但可以分二階段地施加剪斷 應力，藉沿著金屬體之延伸方向地複數地設置中間非低變 形阻抗領域3 3，3 3 ’而再分爲多段施加剪斷變形亦可以。 尤其是含有金屬之陶瓷體時即每一次實施剪斷變形次施加 不同條件之剪斷變形，由而更能提高均質化。 下面說明本發明之實施形態。 第9圖係藉振動而使形成於金屬體之低變形阻抗領域 剪斷變形之裝置。 本發明人等係此種藉振動使低變形阻抗領域剪斷變形 ，而使金屬組織微細化之方法稱之謂 SVSP ( Severe Vibration Straining Process)法。第 9 圖係 SVSP 裝置之 一例之槪略說明圖。本例中爲了說明之方便，金屬體Μ1 係設爲延伸於單一方向之方棒體，惟其他形狀也可以。 於SVSP裝置，沿著金屬體Ml之延伸方向地，在於 基台4〇上設有，固定部41及剪斷變形部42，及振動部 43。 於固定部41沿著金屬體Μ1之延伸方向，設有第1 規制體44及第2規制體45。第1規制體44係限制沿著 延伸方向給送而來之金屬體Ml之寬方向之移動，第2規 制體4 5係限制沿著延伸方向給送而來之金屬體Μ 1之厚 方向之移動，由而將金屬體進退自如地予以固定。 詳述之，在於第1規制體44是以分別由支承體而旋 轉自如地支承之第1抵接輥4 4 a及第2抵接輥4 4 b來包挾 固定金屬體Ml。 -32- (28) 1301778 96. 2. -2 又在於第2規制體45係，在於挾著金屬體Μ1地立 設第1支承體45a及第2支承體45b上，旋轉自如架設， 據於金屬體Ml之下方側位置之下側輥45c，及據於金屬 體Ml之上方側之上側輥45d，而以下側輥45c及上側輥 45d來挾著固定金屬體Ml。 再者，在於下側輥45c及上側輥45d，進一步對於第 1規制體44之第1抵接輥44a及第2抵接輥44b分別使 用適當之驅動裝置，由而做爲送給金屬體Ml之送給裝置 亦可以。第9圖中符號46係輔助金屬體Μ1之送給之導 車昆。 在於振動部43，沿著金屬體Μ1之延伸方向，設置有 振動施加體47，及振動傳播抑制體48。在於振動施加體 47係對於金屬體Ml施加規定之振動，振動傳播抑制體 48係抑制，由振動施加體47而施加於金屬體Ml之振動 之沿著金屬體Μ 1而傳播。 振動施加體4 7係由：據於金屬體Μ1之下方位置之 超音波振動體49，及裝著於該超音波振動體49之輸出軸 49a之傳播體50所構成。 傳播體5 0係將據位於金屬體Μ 1之下方側位置之下 側輥50a，及據於金屬體Ml之上方側位置之上側輥50b ，旋轉自如地架設於做成U字狀之支承機架5 0c而構成， 以下側輥50a及上側輥50b來包挾金屬體Ml。 並且，傳播體50係由於使超音波振動體49動作，而 以規定之振幅且以規定之頻數振動於上下方向而使金屬體 -33 - (29)1301778 96. 2. - 2 Μ 1振動於上下方向。本實施形態係以超音波振動骨 起振動運動爲例，惟超音波振動體49以外之裝置 線性馬達，或壓電元件等來生起振動運動也可行。 藉超音振動體49而施加於金屬體Ml之振動 乃如後述能藉由剪斷變形，使後述地形成於金屬體 低變形阻抗領域3 0部份之金屬組織予以微細化之 可以。基本上，由構成金屬體Ml之金屬之金屬組 徑，及低變形阻抗領域3 0之金屬體Μ1之延伸方 尺寸而可以決定必要最小限之振幅。 藉由超音波振動體49之振動之振幅是雖然愈 以使金屬組織微細化，惟如果振動之振幅太大時， 變形阻抗領域而有發生復原會變爲困難之變形之虞 須以低變形阻抗領域3 0中不會發生復原困難之變 大振幅而使金屬體Μ 1振動爲宜。 本案中所謂，復原不會變爲困難之變形是在於 之振動中，低變形阻抗領域3 0之可以復原爲振動 狀之振動之變形。而復原成爲困難之變形是指由半 振動中，低變形阻抗領域3 0之不會復原至振動前 之變形。 藉超音波振動體49而施加於金屬體Μ 1之振 波數係須要，由金屬體Μ 1之應變之解消作用而解 金屬組織之再結晶化作用而解消，該由振動而發生 形阻抗領域3 0之由變位所致之應變之前，藉由與 之變位不同之變位，換言之可以施加藉由逆方向或 I 49生 ，例如 之振幅 Ml之 程度就 織之粒 向之寬 大愈可 在於低 ，所以 形之最 半周期 前之形 周期之 之形狀 動之周 消或由 於低變 前施加 不同之 -34 - 97. 4· 2 3 1301778 (30) 方向之變位之應變之周波數。而此周波數係盡可能設定爲 大爲宜。又施加於金屬體Μ 1之振動，不只是施加高周波 之振動之情形，例如對於低變形阻抗領域3 0施予半周期 份之振動等將低周波之振動施加短時間地予以構成亦可。 本案中所謂之低周波乃指，對於發生於低變形阻抗領 域30之變位所致之應變，而上述金屬材Ml之應變之解 消作用或金屬組織之再結晶化作用之開始作用之間，該低 周波之振動所具有之可以生起由下一個變位所致之應變之 長之時間最爲1 /4周期之振動之周波數。 振動傳播抑制體48是與上述之第2規制體45同一構 成，在於挾著金屬體Ml而立設之第1支承體48a及第2 支承體48b，旋轉自如地架設，據於金屬體Ml之下方側 位置之下側輥48c及據於金屬體Ml之上方側位置之上側 輥48d，而以下側輥48c及上側輥48d來包挾固定金屬體 Μ 1，而抑制振動施加體47之施加於金屬體Μ 1之振動之 沿著金屬體Μ 1而傳播者。 剪斷變形部42乃由：將金屬體Ml加熱爲預定溫度 之加熱裝置5 1，及將由此加熱裝置5 1之加熱而形成於金 屬體Μ1上之低變形阻抗領域，抑制於預定之幅度內之用 之冷卻金屬體Μ 1之冷卻裝置5 2所構成。 本實施形態中’加熱裝置5 1係使用高周波加熱線圏 ，將此高周波線圈規定圈數地捲繞於金屬體Μ 1，而將金 屬體Μ 1加熱成預定溫度由而減低變形阻抗，形成低變形 阻抗領域3 0。又加熱裝置5 1係不侷限於高周波加熱線圈 -35- (31) 1301778 96. -2 ，使用電子線束、電漿、雷射、電磁感應等之加熱，及以 瓦斯燃燒器之加熱利用電氣短路之加熱亦可以。特別是使 用電子線束之加熱裝置5 1時，在於金屬體Μ 1之延伸方 向之低變形阻抗領域3 0之幅度（寬）做爲極小，而在於 低變形阻抗領域3 0可以作用很大之剪斷應力。所以更可 能使金屬組織之進一步之微細化。 冷卻裝置52係由吐出從給水配管52a所供給之水之 第1吐水口 52b及第2吐水口 52c所構成，而由從第1吐 水口 52b及第2吐水口 52c所吐出之水來冷卻金屬體Ml 。圖中之符號53係承接從第1吐水口 52b及第2吐水口 5 2c所吐出之水之承水容器。54係連接於同承水容器53 之排水管。 在於冷卻裝置5 2是對於設置於第1吐水口 5 2b及第 2吐水口 52c之間之加熱裝置51所形成之低變形阻抗領 域30之兩側，藉由從第1吐水口 52b及第2吐水口 52c 所吐出之水來冷卻，特別是藉調整第1吐水口 52b及第2 吐水口 52c之配置位置，由而可以使低變形阻抗領域30 與金屬體Μ 1之延伸方向比較時做成爲非常微少之領域。 如上所述地，將低變形阻抗領域3 0做成爲延伸於金 屬體Μ1之微小幅，由而在於低變形阻抗領域3 0之部份 容易生起非常大的剪斷變形，可以提高金屬組織之微細化 效率。並且可以減小由振動運動之剪斷變形之殘存應變或 殘存變形。 又，藉由冷卻裝置來急冷以加熱裝置5 1所加熱之低 -36- (32) 1301778 96· 2· -2 變形阻抗領域3 0由而等於實施淬火，可以提高金屬組織 之微細化之金屬體Ml之硬度。 金屬體Μ1之冷卻係不限定於水冷、空氣冷卻也可以 。激磁冷卻也可以。只使能提供金屬體Μ 1之變形阻抗即 任何方法也可以。 本實施形態是在於第2規制體4 5與由高周波加熱線 圈所構成之加熱裝置5 1之間設置冷卻裝置52。又在於加 熱裝置5 1與振動施加體47之間設置冷卻裝置52 ’惟第2 規制體45及振動施加體47係比冷卻裝置52而近接於加 熱裝置5 1，盡量地使第2規制體45與振動施加體47之 間隔縮短亦可以。 如上所述地盡量縮短第2規制體45與振動施加體47 之間隔，由而可以防止，由振動施加體47而施加於金屬 體Μ1之振動之能量之散逸於低變形阻抗領域3 0以外之 部份，有效率地生起由振動之態量所致之低變形阻抗領域 3 〇之剪斷變形。 又，在於包挾金屬體Μ1之第2規制體4 5之下側輥 45c及上側輥45d，以及輥動施加體47之傳播體47之傳 播體50之下側輥50a及上側輥50b附加冷卻功能’藉由 這些輥45c、45d，50a、50b來包挾金屬體Ml’同時予以 冷卻亦可以。 如上所述地構成之SVSP裝置中，藉由振動運動來使 金屬組織微細化時，將金屬體Μ 1依序送通固定部4 1 ’剪 斷變形部42，振動部，而以剪斷變形部42之冷卻裝置52 -37- (33) 1301778 而一面冷卻低變形阻抗領域3 0 —面由加熱裝置5 1加熱金 屬體Μ 1，形成低變形阻抗領域3 0。 本案中，由加熱裝置5 1之加熱係實施例，低變形阻 抗領域3 0之溫度之成爲發生於金屬體Μ 1之應變之回復 軟化溫度或金屬組織之再結晶溫度以上爲止，而回復、再 結晶溫度以上之時點而藉由振動施加體4 7而使金屬體Μ 1 之非低變形阻抗領域振動，在於低變形阻抗領域3 0生起 剪斷變形。又，藉由加熱裝置5 1之金屬體Μ1之加熱溫 度係回復。再結晶溫度以上惟，控制於開始金屬結晶粒之 粗大化之影響之溫度以下爲宜。 如上所述，由於使低變形阻抗領域3 0剪斷變形，而 對於金屬體Μ 1上幾乎不會有外形形狀之變化地可以使金 屬組織微細化。 又，本實施形態是振動施加體47係對於金屬體Ml 之非低變形阻抗領域振動於金屬體Μ 1之厚度方向之上下 方向爲例，惟如上所述，如第2圖所示振動於金屬體Μ1 之幅度（寬）方向之左右方向亦可以，或複合了上下方向 之振動及左右方向之振動之複合振動來振動亦可以，因而 振動施加體4 7做成適當之構成亦可以。 本案中，施加於金屬體Μ 1之振動係並不限定於，與 金屬體Ml之延伸方向略直交之上下方向或左右方向之振 動，而是在振動之成份中至少含有與金屬體Ml之延伸方 向略直交之上下方向或左右方向之振動就可以。 本實施形態之SVSP裝置係，如上所述，藉由振動部 -38- (34) 1301778 97. 4.2 3 43之振動運動之施加，而在於低變形阻抗領域3 0生起剪 斷變形，同時將金屬體Μ 1餵送於延伸方向而可以使金屬 體Μ1之低變形阻抗領域3 0之位置變位，於是可以對於 金屬體Ml而連續的實施由振動運動之剪斷處理而廣範圍 地可以使金屬組織予以微細化。 特別是低變形阻抗領域3 0之完全的橫斷延伸於其中 一方之金屬體Μ 1，由而隨著低變形阻抗領域3 0之移動而 對於金屬體Μ 1，均一地實施剪斷處理，於是略均一地在 於金屬體Μ 1上，形成金屬組織之被微細化之金屬體Μ 1 〇 再者，必要時，在於金屬體Μ1之所欲之位置上調整 由剪斷變形所生起之剪斷應力之大小，由而調整金屬組織 之微細化之程度，而可以調整金屬體Μ 1之強度或延性， 由而可以生成部份的提高強度或延性之金屬體Ml。 再者如將SVSP裝置設置對於金屬體Ml實施熱軋、 冷軋或擠壓成形等之預定之成形裝置之後過程時，得藉對 於輥軋處理或擠壓處理等而延伸於延伸方向之金屬體Μ 1 之金屬組織予以剪斷變形，由而更可以使金屬組織容易微 細化。 第1 0圖係藉由扭轉形成於金屬體之低變形阻抗領域 而使它剪斷變形之裝置，本發明係將此以扭轉低變形阻抗 領域而使之剪斷變形，使金屬組織微細化，稱謂「STSP 」（Severe Torsion Straining Process)法。第 10 圖係 STSP裝置之一例之槪略說明圖。本案中，爲了說明之方 1301778 97· 4· 2 3 (35) 便，金屬體M2係例示單一方向延伸之圓棒體，惟具有中 空部之圓筒狀體亦可以。 STSP裝置係，在於基台60上沿著金屬體M2之延伸 方向設置，固定部61，及剪斷變形部62及旋轉部63所 構成。

固定部61係由立設於基台60上面之第1固定壁61a ，及第2固定壁61b所構成。第1固定壁61a及第2固定 壁6 1 b係分別以具有規定之厚度之板體所構成。第1固定 壁61a及第2固定壁61b而互相使之略平行。 又，在於第1固定壁61a及第2固定壁61b上分別設 置插通金屬體M2之插通孔，在同插通孔分別插通金屬體 M2，將在於第1固定壁61a及第2固定壁61b之上端螺 著固定用螺絲6 1 c，6 1 d之先端部抵接於插通於插通孔之 金屬體M2周面之金屬體M2。

又，固定部61不限定於由第1固定壁61a及第2固 定壁6 1 b所構成，只要能固定金屬體M2就任何構成都可 用，本案中之固定金屬體M2係指對於成爲圓棒狀之金屬 體M2之中心軸爲旋轉軸之金屬體M2之旋轉之固定。 旋轉部6 3係由，立設於基台6 0上面之第1規制壁 63a，及第2規制壁63b，及介裝於第1規制壁63a與第2 規制壁6 3 b之間之進退規制體6 3 c，以及不圖示之旋轉裝 置所構成。 第1規制壁63a及第2規制壁63b乃分別以具有規定 之厚度之板體所構成，第1規制壁63a及第2規制壁63b -40- (36) 1301778 係互相呈略平行。並且在於第1規制壁63 a及第2規制壁 6 3 b上，分別設置用於插通金屬體M2之插通孔。在於同 插通孔中分別插通金屬體M2。 進退規制體63 c係具有與第1規制壁63 a及第2規制 壁63b之間隔尺寸略同一長度，且可能環繞於金屬體M2 之圓筒體所構成，本進退規制體6 3 c係在於第1規制壁 63a與第2規制壁63b之間，環裝於金屬體M2，又將螺 著於進退規制體6 3 c之周面之固定用螺絲6 3 d，6 3 d之先 端部抵接於貫穿進退規制體63c之金屬體M2之周面，而 對於金屬體M2固定了進退規制體63c。 所以如後述，使金屬體M2之非低變形阻抗領域旋轉 時，由於進退規制體63 c之由第1規制壁63 a及第2規制 壁63b所規制，可以防止在於金屬體M2發生延伸方向之 偏移。 使金屬體M2之低變形阻抗領域旋轉之旋轉裝置乃可 以使用種種裝置，只要對於旋轉部63側之金屬體M2 — 面施予預定之扭矩一面使之旋轉就任何裝置均可用。在本 實施形態係，在於旋轉部63側之金屬體M2之端部連動 連結旋轉用馬達（不圖示）而以此旋轉用馬達做爲旋轉裝 置。 剪斷變形部62係由：將金屬體M2加熱至預定溫度 之加熱裝置64，以將由此加熱裝置64所加熱而形成於金 屬體M2之低變形阻抗領域30’做爲預度之寬度尺寸而冷 卻金屬體M2之冷卻裝置65所構成。 -41 - 1301778 97· 4· 2 3 (37) 本實施形態中，加熱裝置64係使用高周波加熱線圈 ，將於此高周波線圈預定圈數地繞圈於金屬體Μ2，而將 金屬體M2加熱爲預定溫度，由而減低變形阻抗形成低變 形阻抗領域3 (Γ。 又，加熱裝置64不限定爲使用高周波加熱線圈，使 用電子線束、電漿、雷射、電磁感應等之加熱，或由瓦斯 燃燒器之加熱利用電短路之加熱均可用，特別是使用電子 線束爲加熱裝置64時，可以盡量縮小金屬體M2之延伸 方向之低變形阻抗領域3 0 ’之寬度，藉由低變形阻抗領域 3 〇 ’而可以作用很大之剪斷應力，由而可以使金屬組織更 微細化。 冷卻裝置65係由，吐出從給水配管65a所供給之水 之第1吐水口 6 5 b及第2吐水口 6 5 c所構成，由第1吐水 口 65b及第2吐水口 65c所吐出之水來冷卻金屬體M2。 第10圖中之符號66係承接從第1吐水口 65b及第2 吐水口 65c所吐出之水之承水容器，67係連接於同承水 容器6 6之排水管。 在於冷卻裝置65是由第1吐水口 65b及第2吐水口 65c所吐出之水來冷卻，該藉由設置於第1吐水口 65b與 第2吐水口 65c之間之加熱裝置64所形成之低變形阻抗 領域30’之兩側，特別是藉由調整第1吐水口 65b及第2 吐水口 65c之配設位置而可以使低變形阻抗領域30’使之 與金屬體M2之延伸方向之長度比較之下成爲非常微小之 領域。 -42- (38) 1301778 如上所述，將低變形阻抗領域3 0 ’成爲沿著金 延伸方向之微小幅度（寬），由而在於低變形阻 3 0，之部份很容易生起非常大之剪斷變形’可以提 組織之微細化之效率，並且，藉由旋轉裝置而扭轉 阻抗領域3 0 ’時，可以防止低變形阻抗領域3 0 ’之 不均勻。又可減少由扭轉而發生於低變形阻抗領域 剪斷變形之殘存應變或殘存變形。 又，由冷卻裝置65急冷在加熱裝置64所加熱 形阻抗領域3 0 ’由而成爲實施淬火，可以提高金屬 微細化之金屬體M2之硬度。 低變形阻抗領域30’之寬是在於與金屬體M2 方向成直交之面之剖面之剖面寬度尺寸之3倍以內 將低變形阻抗領域30’設爲這種條件之下，可以一 限度地抑制隨著扭轉之低變形阻抗領域30’之變形 以生起很大的剪斷變形，可以提高金屬體M2之金 之微細化之效率。 上述之冷卻裝置65係採用水冷裝置，惟不侷 冷裝置，只要可以將由加熱裝置64之加熱領域做 部的領域之冷卻可能之裝置就可以，例如氣冷、或 卻等可以使用適當之冷卻裝置。特別是藉由加熱委 之加熱係採用電子線束時，即將環境採用真空，而 已冷卻來冷卻亦可以。 本實施形態之STSP裝置及上述之SVSP裝置 大氣中實施由加熱裝置64，51來實施金屬體Ml， 屬體之 抗領域 高金屬 低變形 扭轉之 30,之 之低變 組織之 之延伸 爲宜。 面最小 一面可 屬組織 限於水 成爲局 激磁冷 I置 64 藉由自 是在於 M2之 -43- (39) 1301778 96. 2. -2 加熱爲例，惟在於惰性氣體環境中實施加熱亦可以。必要 時可以在於與金屬體Μ 1，M2之加熱領域反應之反應性氣 體環境中加熱亦可以。並且不是在於大氣壓狀態加熱，在 於減壓狀態或加壓狀態加熱亦可以。 特別是在於反應性氣體環境中加熱金屬體M2，Μ 1時 會有在於金屬體M2，Ml之加熱領域生起由與反應性氣體 之反應所隨起之強應變，或可以實施表面被覆之情形。 又，金屬體M2係中空圓筒體時，在於STSP裝置中 對於中空部份以高壓狀態或減壓狀態地送給惰性氣體或反 應性氣體，由而在於低變形阻抗領域3 0 ’會引起強應變。 又不是惰性氣體或反應性氣體，而使用惰性液體或反 應性液體也可以。 STSP裝置係如上述之構成，欲藉由扭轉形成於金屬 體M2之低變形阻抗領域30’而使金屬組織微細化時，即 在於STSP裝置裝著金屬體M2，以冷卻裝置65而一面冷 卻低變形阻抗領域3 0 ’之兩側，一面以加熱裝置64加熱 低變形阻抗領域3 0 ’。 本案中，由加熱裝置64之加熱係，低變形阻抗領域 30’之溫度係實施到能成爲發生於金屬體M2之應變之回 復軟化溫度或再結晶溫度以上爲止，而在於成爲回復、再 結晶溫度以上之時點而藉由旋轉裝置，以金屬體M2之中 心軸爲旋轉軸使非低變形阻抗領域旋轉於旋轉軸周圍而使 低變形阻抗領域30’扭轉。 由旋轉裝置之非低變形阻抗領域之旋轉係1〜20 -44 - (40) 1301778 96. 2. -2 r.p.m.。旋轉回數係1/2之旋轉以上，旋轉回數愈多愈會 生起很大之剪斷變形，可以提高金屬組織之微細化效率。 再者，由加熱裝置64之金屬體M2之加熱溫度係回 復，再結晶溫度以上，惟控制於金屬結晶粒之粗大化之影 響之開始之溫度以下爲宜。 如上所述地扭轉了低變形阻抗領域3 0 ’之後，冷卻該 低變形阻抗領域3 0 5。 在於上述之實施形態係，不能沿著延伸方向地移動金 屬體M2，惟將它構成爲可以將金屬體M2沿著延伸方向 移動，由而使金屬體M2之低變形阻抗領域30’之位置變 位，由而對於金屬體M2連續的實施藉由扭轉之剪斷處理 ，由而可以使之成爲廣範圍之領域地將金屬組織微細化之 金屬體M2。 再者，視其必要，每一形成於金屬體M2之所欲之位 置上之低變形阻抗領域3 0，地，調整藉由旋轉裝置之金屬 體M2之旋轉速度由而調整金屬組織之微細化之程度，由 而可以調整金屬體M2之強度或延性，可以生成部份地提 高了強度或延性之金屬體M2。 第11圖係由上述STSP裝置處理前之鋁合金A5 0 5 6 之電子顯微鏡照片。第12圖係以STSP裝置處理之A5 0 5 6 之電子顯微鏡照片。由而可看出，藉由剪斷變形了金屬體 M2，由而原來60〜70 // m之金屬組織之結晶粒微細化到5 // m以下。 並且該結晶粒之微細化係藉由硏討加熱、冷卻之條件 -45- 1301778 (41) 97. 4· 2 3 予以設定，由而例如做到以電子線束只加熱到極狹窄領域 且深淵部，而在其領域外即保持由自己冷卻之低溫時，就 可以使低變形阻抗領域與非低變形阻抗領域之境界部做成 窄狹之幅度（寬）而使強度應集中於低變形阻抗領域，所 以可以使結晶粒徑微細化到數十奈米到十奈米之水平。 再者，第13圖係鐵系材料之S45C之，由上述STSP 裝置所處理之金屬體，與實施了與STSP裝置之處理同樣 之熱履歷之回火處理之金屬之，降伏強度、拉伸強度、伸 長率之比較結果，可看出，以STSP裝置所處理之結果不 增加伸長率之下可以提高降伏強度及拉伸強度之事實。 又，第14圖係比較鋁系材料A1506之藉由上述STSP 裝置所處理之金屬體，與實施了與STSP裝置之處理同樣 之熱履歷之回火處理之金屬體之，降伏強度、拉伸強度、 伸長率之比較結果，可以看出藉由STSP裝置之處理而與 S45C之情形一般不增加伸長率之下可以提高降伏強度及 拉伸強度之事實。 如上所述，藉由上述之SVSP裝置及STSP裝置而在 於金屬體局部的形成低變形阻抗領域3 0 ’ 3 0 ’同時’使此 低變形阻抗領域3 0，3 0，剪斷變形，由而施加強度變由而 可以使金屬組織微細化，可以提高金屬體M 1，M2之強度 或延性。 並且，如第1圖所示，將金屬體做成爲疊合了複數之 金屬層之層疊體1〇時，形成各金屬層之金屬乃與相鄰接 之金屬層之金屬之互相一面微細化一面接合，由而可以生 -46 - (42) (42) 97. 4· 2 3 1301778 成成一體化之金屬體，同時可以提供在於金屬之層疊方向 地金屬組成份有變化之金屬體。 或，如第1 5圖以金屬體之剖面示意圖所示，將在於 切開了一部份之切開圓棒狀之第1金屬棒24之切開部份 插入第2金屬材25而成一體化之複合金屬棒26，經 STSP裝置處理由而機械的混合第1金屬棒24之金屬與第 2金屬材25之金屬可以生成新穎的合金。

又，如第2圖所示，金屬體係混合了複數種之金屬粉 體之混合體之煆燒體1 6時，即使各金屬粉體之金屬組織 互相微細化一面予以接合就可生成緊密的成一體化之金屬 體。特別是在於以熔融法不能生成之組合之金屬，也可以 藉SVSP裝置及STSP裝置而機械的接合可以生成新穎的 合金。

又，如第3圖所示，將金屬體做成爲多孔質體17之 孔部中塡充金屬粉末1 8所形成之塡充體1 9時亦是，使各 金屬之金屬組織互相予以一面微細化一面接合由而可以生 成成一體化之金屬體。特別是對於以熔融法無法生成之組 合之金屬也可以藉SVSP裝置及STSP裝置而機械的接合 ，可以生成新穎的合金。 再者，如第4圖所示，金屬棒係將複數種之金屬線材 束在一起形成之金屬線束23時，將各金屬線材之金屬組 織互相微細化使之接合就可以生成一體化之金屬體。特別 是在於熔融法而無法生成之組合之金屬也可以藉STSP裝 置而機械的接合，可以生成新穎的合金。 -47- (43) 1301778 96· 2. -2 特別是金屬體係直到藉SVSP裝置或STSP裝置使金 屬組織微細化爲止維持中空筒狀，在於藉SVSP裝置或 S T S P裝置而使金屬組織微細化之後，切開該筒狀之金屬 體之周面做成板狀體，由而可以很容易雖然是板狀之金屬 材料，但是金屬組織之被微細化之金屬材料。 在於上述SVSP裝置及STSP裝置中，藉由調整由加 熱裝置5 1、64所形成之低變形阻抗領域3 0，3 0 ’之金屬 體Μ 1，M2之延伸方向之長度，及施加於低變形阻抗領域 3 0，3 0 ’之剪斷變形，由而可以在於低變形祖抗領域3 0， 3 0 ’之整個領域實施剪斷變形，或對於低變形阻抗領域3 0 ，3 〇’之一部份，例如低變形阻抗領域30，30’之中央領域 ，或低變形阻抗領域3 0，3 0 ’之兩端部或其中一方之端部 而可以實施剪斷變形。 又，在於STSP裝置中，由該構造而看出.，在於由旋 轉裝置而使非低變形阻抗領域旋轉時之低變形阻抗領域 3 〇 ’之旋轉軸部份係有由於不能充分地生起剪斷變形之緣 故，而有時會顯現金屬組織之微細化之不充分之領域之虞 〇 於是在於本實施形態之STSP裝置係，在於藉加熱裝 置64而加熱金屬體M2來形成低變形阻抗領域30’時，該 加熱裝置64乃以旋轉軸之領域設定爲非中心之加熱分佈 地予以加熱。 詳述之，如本實施形態2，以高周波加熱線圈來構成 加熱裝置64時，使高周波加熱線圈之中心部，從由旋轉 -48- (44) 1301778 96· 2· - 2 部63之金屬體M2之旋轉軸而予以偏倚，由而在於低變 形阻抗領域3 0 ’乃可以成爲以旋轉軸之領域爲非中心之加 熱分佈，由而可以抑制在於旋轉軸之領域發生不微細化之 領域，由而在於STSP裝置中也可以使金屬組織均一的微 細化。 如上所述，藉調整加熱裝置64之配置，由而使加熱 分佈做成旋轉軸之領域爲非中心之狀態，而旋轉軸之領域 之金屬組織也可以確實的微細化。 防止STSP裝置之金屬組織之微細化之不均一之方法 有，使挾著低變形阻抗領域3 0 ’之其中一方之非低變形阻 抗領域對於另一方之非低變形阻抗領域地移動於與金屬體 Ml之延伸方向略直交之方向，由此移動而使低變形阻抗 領域3 0 ’之旋轉軸之領域發生剪斷變形，由而防止金屬組 織之微細化之不均一也可以。 詳述之，在於STSP裝置中組入SVSP裝置之振動施 加體47而一面扭轉低變形阻抗領域30’同時使之施加振 動亦可以。或，將旋轉軸本身做成圓棒體之金屬體M2之 幾何學的中心而使之偏倚，由而在於低變形阻抗領域3 0 5 之旋轉軸之領域發生剪斷變形，由而防止金屬組織之微細 化之不均一也可以。 第16圖係上述之STSP裝置之變容例之槪略說明圖 。在此STSP裝置設有供給金屬體M2’之供給部70，及收 容被剪斷變形之金屬體M2’之收容部71。 在於供給部70供給捲繞於所欲之卷筒之金屬體M2’ -49 - (45) 1301778 97. 4· 2 3 一面以不圖示之引延具而一面將金屬體M2’拉伸於直線狀 一面予以餵送。 在於收容部71即藉由不圖示之捲繞具而將被剪斷變 形之金屬體M2’捲繞於捲筒而予以收容。 並且，在於STSP裝置，在於供給部70與收容部71 之分別隔離規定間隔地在於金屬體M2 ’之延伸方向設置複 數之剪斷變形部62’，並且在於鄰接之剪斷變形部62’， 62’之間，設置旋轉部63’，藉由此金屬體M2’之與金屬體 M2 ’之延伸方向略平行之旋轉軸周圍之旋轉，而使剪斷變 形部62’部份之金屬體M2’予以剪斷變形。 在於剪斷變形部62’，設置用於加熱金屬體M2’之高 周波線圈64’及吐出用於冷卻金屬體M2’之冷卻水之第1 吐水口 65b’及第2吐水口 65c’，並且使高周波線圈64’據 於第1吐水口 65b’與第2吐水口 65c’之間，而使由高周 線圏64’之金屬體M2’之加熱領域成爲微小範圍。 在本實施形態是在於旋轉部63 ’設置抵接於金屬體 M2’之旋轉輥，以此旋轉輥而使金屬體M2’旋轉，但是在 於相鄰之旋轉部63 ’係分別使旋轉輥之旋轉方向成爲互爲 相反方向。 如上所構成之STSP裝置中，將供給部70與收容部 71做爲金屬體M2’之運送手段而餵送金屬體M2’由而對於 金屬體M2’可以施予複數次之剪斷變形。 或，例如在沿著金屬體M2 ’之延伸方向以規定間隔T 地設置N處之剪斷變形部62’時，如將供給部70及收容 -50- 97. 4. 2 3 1301778 (46) 部7 1做爲金屬體M2 ’之運送手段以規定間隔T及等距離 地餵送金屬體M2’時，即在於Τ χΝ之長度之領域中一次 就可以實施剪斷變形，所以停止剪斷變形而Τ χΝ距離餵 送金屬體M2’，而後再開始剪斷變形，反複金屬體M2’之 規定間隔Τ及等距離之餵送也可以，由而可以提高製造效 率。

此時，Ν係雙數，而如第16圖所示，在於剪斷變形 部62’與剪斷變形部62’之間，並非全部地設置旋轉部63’ ，隔一個地設置旋轉部6 3 ’也可以。 如上述地將金屬組織予以微細化之金屬體係由於高強 度，所以做爲汽車零件而使用時，可以達到輕量化，由而 可以將汽車輕量化而可以圖燃費之提高。 上述的使用於汽車零件之金屬體係以如下述地予以製 造。 首先對於做成所欲之組成份之板狀之金屬板實施前處

理。 在於此前處理係，暫時加熱金屬板後予以冷卻由而實 施金屬板之單一相化，及構成金屬板之金屬之粒子之分散 ，進一步調整金屬板之殘存應力。 接著，以SVSP裝置處理完成了前處理之金屬板，由 而可以使金屬板之金屬組織均勻地微細化，形成了高強度 化及高延性化之金屬板。 特別是以鋁合金所製之金屬板時可以形成高強度化及 高延性化之大片之鋁合金板，得以鍛造來形成複雜形狀之 -51 - (47) 1301778 罩或鑲板。由而很大的減低製造成本。 特別是以鍛造來製造罩或鑲板等時，可以將使用於其 他構件之連接之凸緣或嵌合構予以成一體化，由而可以實 施複數零件之成一體化，由而可以低成本化並且可以圖構 造的強度之提高。 如上所述，藉SVSP裝置而不但使金屬板形成爲所欲 之金屬體同時，對於成爲所欲之組成份之圓棒狀之金屬體 ，在於施予前處理之後以STSP裝置來處理，由而將金屬 板之金屬組織均勻地微細化，形成高強度化及高延性化之 金屬體也可以。 如上所述地形成之金屬體乃成爲高延性，因此分離成 爲各所要之容積之後，藉由具有複數之氣缸之鍛造金屬模 ，實施鍛造，由而如第17圖所示，形成具有複雜形狀之 車體框架插套8 0。 本實施形態之車體框架插套80是如第18圖所示，使 用於汽車之車體框架90之各框架之連接部份者。通常乃 在於各框架之連接部係藉熔接來連接，惟使用第1 7圖所 示之車體框架插套80，由而不須要熔接作業，其中一方 面可以減低製造成本，同時比熔接更能提高構造的強度可 以提高可靠性。 在於第17圖之車體框架插套80乃分別在於規定方向 延伸凸設有，分別用於插入，分別延伸於不同方向之第1 框架81 ’及第2框架82，及第3框架83，及第4框架84 之四支框架81，82，83，84之第1嵌合部85，第2嵌合 -52- 97· 4· 2 3 1301778 (48) 部86，第3嵌合部，及第4嵌合部88。 並且在於各嵌合部85，86，87，88係設置，在於鍛 造加工時插入氣缸而形成之插入孔8 5h，8 6h，87h，8 8h ，而對於此插入孔85h，86h’ 87h，88h分別插入各框架 8 1，8 2，8 3，8 4之先端部而予以連接。

其他之使用形態係，對於例如轉向軸等之棒狀體之構 件實施藉由S V S P法之金屬組織之微細化，由而可以提供 高強度之棒狀體。並且不只是將棒狀體之金屬組織均勻地 微細化，只做一部份之微細化，或只有一部份不做微細化 等而使強度具有刻意之偏差亦可。 如上所述地做成強度上具有刻意之偏差之棒狀體所成 之操作向軸時，在發生事故時得以衝擊而刻意的使轉向軸 破斷而賦予衝擊之吸收性。

或形成螺絲時，對於棒狀體之構件實施SVSP法之金 屬組織之微細化之後，利用SVSP法之金屬體之旋轉而實 施螺牙之輥製，由而很容易形成高強度化之螺絲。 同樣欲形成變速齒輪時，對於棒狀體之構件實施藉由 SVSP法之金屬組織之微細化之後利用SVSP法之金屬體 之旋轉，由所欲之鍛模來實施齒輪齒之成型，由而很容易 形成局強度化之變速齒輪。 如上所述地使金屬組織微細化之金屬體，不只是可利 用於汽車零件，使用於半導體製造過程所使用之濺射裝置 之濺射用標靶材時也非常有用。 特別是由於可以生成爲所欲之組成份之金屬體，並且 -53- (49) 1301778 96. 2. -2 所生成之金屬體係可以製出均質之組成份，同時金屬組織 微細，所以在於半導體基板上面可以生成均質之金屬膜， 並且此種濺射用標靶材以比ECAP法更低廉價格地可以製 出。 該濺射用標靶材乃如下述地實施製造。 首先，對於做成所欲之組成份之金屬板實施前處理。 在此前處理中，將金屬板暫時加熱又施予冷卻而實施金屬 板之單一相化及調整構成金屬板之金屬之粒子分散，進一 步調整金屬板之殘存應力。 接著，以SVSP裝置處理已完成前處理之金屬板由而 將金屬板之金屬組織均勻地微細化。 經由SVSP裝置之金屬組織之微細化之後，藉常溫輥 軋、或冷間鍛造或溫間鍛造、或型鍛等來調整金屬板之被 微細化之結晶組織之結晶方位，同時實施標靶形狀之成形 〇 如上所述地調整被微細化之結晶組織之結晶方位就可 以提供，在於半導體基板上面可以生成均質金屬膜之濺射 用標靶。 又，欲將金屬板成形爲標靶狀時，一面將金屬板成形 爲略圓盤狀，同時在於背面形成冷卻用凹狀溝。如此地同 時成形冷卻用凹狀溝，就可以縮短濺射用標靶之製造過程 ，可以提供廉價之濺射用標靶。 特別是藉由SVSP裝置而金屬組織被微細化，由而金 屬板之成形性有所提高，所以藉由冷間鍛造或溫間鍛造而 -54- (50) 1301778 96· 2. -2 精度良好的可以生成冷卻用凹狀溝。 又，以SVSP裝置而將金屬板之金屬組織均勻地微細 化之後，將金屬加熱於可以抑制被微細化之金屬結晶之溫 度而實施金屬板之殘存應力之調整等也可以。 做爲其他之製造方法而可以採取如下述之方式，本製 造方法中，成爲標靶材之金屬體乃採用做爲所欲之組成份 之圓棒狀之金屬體。 首先對於金屬棒而與上述金屬板之情形，同樣地實施 前處理，以資實施調整金屬棒之單一相化，及構成金屬棒 之金屬之粒子分散，進一步調整金屬棒之殘存應力等。 接著，以STSP裝置處理，完成了前處理之金屬板， 由而使金屬棒之金屬組織均勻地予以微細化。 經STSP裝置之金屬組織之微細化後，將金屬棒切斷 成每一規定長度，而經由冷間鍛造或溫間鍛造來形成金屬 板。 如此成形之金屬板再經由上述之SVSP裝置之處理而 可以使金屬板之金屬組織進一步微細化。此後，與上述金 屬板之情形一樣，將金屬化經由常溫輥軋、或冷間鍛造或 溫間鍛造、或型鍛等而調整被微細化之結晶組織之結晶方 位，同時實施標靶形狀之成形。 組合了 STSP法及SVSP法來生成做爲濺射用標靶用 之金屬體，由而可以使之成爲金屬組織之非常微細化之金 屬體，由而提供在於半導體基板上面可能生成均質之金屬 膜之濺射用標靶。 -55- (51) 1301778 B6. 2. -2 特別是，以S T SP法來處理金屬棒，由而可以圖金屬 棒之組成份之均質化，藉由更爲均質化之金屬體而生成濺 射用標靶，由而可以提供在於半導體基板上面可能生成均 質的金屬膜之濺射用標靶。 上述之SVSP法或STSP法乃不足是在於汽車零件或 濺射用標靶之製造，使用於下述之胚材，由而可以提供提 高了特性之材料或零件。 如金屬體係磁性體時，以SVSP法或STSP法使此金 屬體之金屬組織予以微細化而可提高加工性，由而使細線 化等之微細加工成爲可能，又，有時可期待提高磁化率。 金屬體係形狀記憶合金時，藉由S V S P法或S T S P法 而使此金屬體之金屬組織微細化，由而提高加工性，而使 更微細形狀之加工有可能，特別是使用此形狀記憶合金來 製造使用於電子機器之組裝時之螺絲時，在於廢棄此電子 機器時藉由形狀記憶來消失螺絲之螺牙而很容易分解。 金屬體係氫吸藏合金時，藉由SVSP法或STSP法而 將此金屬體之金屬組織微細化，由而可以期待氫之吸藏能 力之提高，再由於提高加工性而可以做成種種形狀，可以 形成具有氫吸藏功能之構造物。 金屬體係制振合金時，藉由SVSP法或STSP法而將 此金屬體之金屬組織予以微細化由而提高加工性，使之更 微細形狀之加工有可能性。特別是由擴大揚聲器等之音響 機器之構成構件之此種制振合金之適用而可以提高音質。 金屬體係電熱材料時，藉由SVSP法或STSP法而使 -56- 1301778 97* 4. 2 3 (52) 此金屬體之金屬組織微細化而提高加工性，由而對於更微 細之形狀有所可能。 金屬體係生體材料時，藉由SVSP法或STSP法而將 此金屬體之金屬組織微細化由而提高加工性，於是更微細 形狀加工有所可能。

特別是做爲生體材料而以往使用鈦，惟鈦係高硬度所 以加工性很差，具有成形成本高之問題，惟藉由SVSP法 或STSP法而是金屬組織微細化，而使鈦也可以鍛造成形 ，於是以低成本就可以形成規定形狀之鈦零件。 並且由SVSP法或STSP法而使金屬組織微細化之鈦 係可以做爲低彈性模量且高強度之材料，也可以提高生體 親和性。

如上所述由SVSP法或STSP法所處理之金屬體係不 但由於提高延性而提高加工性，且被高度化，所以可以輕 量的形成同一強度之構件，可以在於船舶、飛機或汽車等 輸送機器等之運送機器、或高層樓房、橋樑等之建築物上 謀求其輕量化。 〔產業上之利用可能性〕 如上所述，在於使用本發明之金屬加工法及使用同金 屬加工法之金屬體，可以連續的精製高強度及高延性之金 屬，所以可以提供鍛造加工性優異之金屬，並且也可以生 成以往熔融法無法製造之組成份之合金，所以可以提供新 穎之金屬。 -57- (53) 1301778 96· 2· 一2 特別是使用本發明之金屬加工法之含有金屬之陶瓷體 乃可以提供將含有金屬成份及非金屬成份之牢固地且均質 地予以結合之含有金屬陶瓷體。 又使用本發明之金屬加工方法之濺射用標靶係可以提 供不但是價格低廉，且在於半導體基板上可以精製均質之 金屬膜之濺射用標靶。 【圖式簡單說明】 第1圖係金屬體之剖面示意圖。 第2圖係金屬體之剖面示意圖。 第3圖係金屬體之剖面示意圖。 第4圖係金屬體之剖面示意圖。 第5圖係施加於低阻抗領域之剪斷變形之說明圖。 第6圖係施加於低阻抗領域之剪斷變形之說明圖。 第7圖係施加於低阻抗領域之剪斷變形之說明圖。 第8圖係施加於低阻抗領域之剪斷變形之說明圖。 第9圖係SVSP裝置之槪略說明圖。 第10圖係STSP裝置之槪略說明圖。 第1 1圖係依STSP裝置之處理前之金屬組織之電子 顯微鏡照片。 第12圖係依STSP裝置之處理後之金屬組織之電子 顯微鏡照片。 第13圖係顯示在於S45C中將金屬組織予以微細化 時之物性變化之曲線圖 -58- (54) (54) 96· 2· 一2 1301778 第14圖係顯示在於A 1 5 06中將金屬組織予以微細化 時之物性變化之曲線圖。 第15圖係金屬體之剖面示意圖。 第16圖係STSP裝置之變形例之槪略說明圖。 第1 7圖係車體車架插套之說明圖。 第18圖係車體車架插套之說明圖。 第19圖係說明ECAP法之參考圖。 主要元件對照表 10 層 疊 體 11 第 1 金 屬 層 12 第 2 金 屬 層 13 第 3 金 屬 層 14 第 1 金 屬 粉 末 15 第 2 金 屬 粉 末 16 假 燃 體 17 多 孔 質 體 18 金 屬 粉 體 19 塡 充 體 2 1 第 1 金 屬 線 材 22 第 2 金 屬 線 材 23 金 屬 線 束 24 第 1 金 屬 棒 25 第 2 金 屬 棒 -59- 96· 2. -2 1301778 (55) 26 複合金屬材 3 0 低變形阻抗領域 3 0' 低變形阻抗領域 3 1 第1非低變形阻抗領域 3 1 ' 第1非低變形阻抗領域 3 2 第2非低變形阻抗領域 32' 第2非低變形阻抗領域 3 0a 第1低變形阻抗領域 3 0a' 第1低變形阻抗領域 30b 第2低變形阻抗領域 30b' 第2低變形阻抗領域 3 1 第1非低變形阻抗領域 3 1· 第1非低變形阻抗領域 32' 第2非低變形阻抗領域 3 3 中間非低變形阻抗領域 3 3 ' 中間非低變形阻抗領域 34 旋轉輥 40 基台 4 1 固定部 42 剪斷變形部 43 振動部 44 第1規制體 44a 第1抵接輥 44b 第2抵接輥 -60- (56) (56) 96.2. -k: 1301778 45 第2規制體 45a 第1支承體 45b 第2支承體 45c 下側輥 4 5d 上側輥 46 導輥 47 振動施加體 48 振動傳播抑制 48a 第1支承體 48b 第2支承體 48c 下側輥 48d 上側輥 49 超音波振動體 49a 輸出軸 5 0 傳播體 50a 下側輥 50b 上側輥 50c 支承機架 5 1 加熱裝置 52 冷卻裝置 52a 給水配管 52b 第1吐水口 52c 第2吐水口 53 承水容器 -61 - 1301778 亂 4· 2 3 (57) 54 排水管 60 基台 6 1 固定部 61a 第1固定壁 61b 第2固定壁 61c， d 固定螺絲 62 剪斷變形部 63 旋轉部 63a 第1規制壁 63b 第2規制壁 63c 進退規制壁 63d 固定螺絲 64 加熱裝置 65 冷卻裝置 65a 給水配管 65b， 6 5b’ 第1吐水口 6 5c， 6 5c' 第2吐水口 66 承水容器 67 排水管 62' 剪斷變形部 63' 旋轉部 64' 高周波加熱線圈部 70 供給部 71 收容部

-62- (58) (58) 96. 2. -2 1301778 80 車體框架插套 8 1 第1框架 82 第2框架 83 第3框架 84 第4框架 85 第1嵌合部 85h 插入孔 86 第2嵌合部 8 6h 插入孔 87 第3肷合部 87h 插入孔 88 第4嵌合部 88h 插入孔 90 車體框架 100 抽模 200 插通路 300 金屬體 400 柱塞 Ml 金屬體 M2 金屬體 M2' 金屬體

Claims (1)

1301778 拾、申請專利範圍 第92 1 27048號專利申請案 中文申請專利範圍修正本 民國97年4月23日修正 1. 一種金屬加工方法，其特徵爲： 係在於金屬體形成局部的降低變形阻抗之低變形阻抗 區域，且將該低變形阻抗區域的整個區域剪斷變形，而使 金屬體之金屬組織微細化。 2. —種金屬加工方法，其特徵爲： 係在於金屬體形成局部的降低變形阻抗之低變形阻抗 區域，且將該低變形阻抗區域的局部予以剪斷變形，而使 金屬體之金屬組織微細化。 3. —種金屬加工方法，其特徵爲： 係將朝單一方向延伸後之金屬體之變形阻抗，局部性 地降低，以形成橫斷上述金屬體之低變形阻抗區域，且使 該低變形阻抗區域的兩端部剪斷變形，以使上述金屬體之 金屬組織微細化。 4. 一種金屬加工方法，其特徵爲： 係將朝單一方向延伸後之金屬體之變形阻抗，局部性 地降低，以形成橫斷上述金屬體之低變形阻抗區域’且使 該低變形阻抗區域的其中一方的端部剪斷變形，以使上述 金屬體之金屬組織微細化。 5 .如申請專利範圍第3或4項所述之金屬加工方法， 其中，係將上述低變形阻抗區域，沿著上述金屬體之延伸 1301778 方向移動。 6.—種金屬加工方法，其特徵爲： 係局部的降低該單一方向地延伸之金屬體之變形阻抗 ，而形成橫斷上述金屬體之低變形阻抗區域，將挾著此低 變形阻抗區域之上述金屬體之其中一方之非低變形阻抗區 域，相對於另一方之非低變形阻抗區域進行變動位置，由 而使上述低變形阻抗區域剪斷變形，而使上述金屬體之金 屬組織微細化。 7·如申請專利範圍第6項所述之金屬加工方法，其中 ，係將上述其中一方的非低變形阻抗區域對另一方的非低 變形阻抗區域之相對性的位置之變動，採用：施加於與上 述金屬體之延伸方向略呈直交之方向之振動運動。 8 ·如申請專利範圍第6項所述之金屬加工方法，其中 ，係將上述其中一方的非低變形阻抗區域對另一方的非低 變形阻抗區域之相對性的位置之變動，採用：係施加於與 上述金屬體之延伸方向略呈直交之第1之方向之第1振動 運動；及與上述金屬體之延伸方向略呈直交，同時又與上 述第1方向也略呈直交之第2方向之第2振動運動之複合 運動。 9.如申請專利範圍第6項所述之金屬加工方法，其中 ，係將上述其中一方的非低變形阻抗區域對另一方的非低 變形阻抗區域之相對性的位置之變動，採用：在與上述金 屬體之延伸方向略平行之旋轉軸周圍予以扭轉之扭轉運動 -2- 1301778 1 〇 .如申請專利範圍第9項所述之金屬加工方法，其 中，上述低變形阻抗區域係以加熱手段加熱上述金屬體而 形成的，同時上述加熱手段是採用：不是以上述旋轉軸之 區域爲中心之加熱分佈方式來進行加熱。 1 1 .如申請專利範圍第1 0項所述之金屬加工方法，其 中，係使其中一方之上述非低變形阻抗區域，相對於另一 方之上述非低變形阻抗區域，朝向與上述金屬體之延伸方 向略直交之方向移動。 1 2.如申請專利範圍第6項〜1 1項其中之任一項所述之 金屬加工方法，其中，係對於上述低變形阻抗區域沿著上 述金屬體之延伸方向施予壓縮應力。 1 3 .如申請專利範圍第6項〜1 1項其中之任一項所述之 金屬加工方法，其中，上述低變形阻抗區域，係藉由設於 第1冷卻手段與第2冷卻手段之間之加熱手段，來加熱上 述金屬體所形成。 14·如申請專利範圍第6項〜8項其中之任一項所述之 金屬加工方法，其中，上述金屬體係採用：板狀體。 15·如申請專利範圍第6項〜8項其中之任一項所述之 金屬加工方法，其中，上述金屬體係採用：經層疊不同組 成份之金屬層所形成之板狀體。 1 6 ·如申請專利範圍第6項〜8項其中之任一項所述之 金屬加工方法，其中，上述金屬體係採用：在於第1金屬 中混合了第2金屬之混合材所成之板狀體。 1 7 ·如申請專利範圍第6項〜9項其中之任一項所述之 -3- 1301778 金屬加工方法，其中，上述金屬體係採用：中空筒狀體。 1 8 ·如申請專利範圍第6項〜9項其中之任一項所述之 金屬加工方法，其中，上述金屬體係採用：疊合不同組成 份之金屬層所形成之中空筒狀體。 19·如申請專利範圍第6項〜9項其中之任一項所述之 金屬加工方法，其中，上述金屬體係採用：在於第1金屬 中混合入第2金屬之混合材所成之中空筒狀體。 20·如申請專利範圍第6項〜9項其中之任一項所述之 金屬加工方法，其中，上述金屬體係採用：將中空筒狀體 在於其中一方的非低變形阻抗區域相對於另一方的非低變 形阻抗區域之位置變動後，切開該中空筒狀體的周面所做 成的板狀體。 2 1 ·如申請專利範圍第6項〜9項其中之任一項所述之 金屬加工方法，其中，上述金屬體係採用：將疊合不同組 成份之金屬層所形成之中空筒狀體，在於其中一方的非低 變形阻抗區域相對於另一方的非低變形阻抗區域之位置之 變動後，切開該中空筒狀體的周面所做成的板狀體。 22·如申請專利範圍第6項〜9項其中之任一項所述之 金屬加工方法，其中，上述金屬體係採用：將第1金屬混 合入第2金屬之混合材所成之中空筒狀體，在於上述其中 一方的非低變形阻抗區域相對於另一方的非低變形阻抗區 域之位置變動後，切開該中空筒狀體的周面所做成的板狀 體0 2 3 .如申請專利範圍第6項〜1 1項其中之任一項所述之 -4 - 1301778 金屬加工方法，其中，上述金屬體係棒狀體。 24.如申請專利範圍第6項〜1 1項其中之任一項所述之 金屬加工方法，其中，上述金屬體係疊合不同之組成份之 金屬層而形成之棒狀體。 2 5 .如申請專利範圍第6項〜1 1項其中之任一項所述之 金屬加工方法，其中，上述金屬體係於第1金屬中混合第 2金屬之混合材而成之棒狀體。 2 6 .如申請專利範圍第6項〜1 1項其中之任一項所述之 金屬加工方法，其中，上述金屬體係至少將第1金屬線材 及第2金屬線材束在一起而形成之棒狀體。 2 7.—種金屬加工方法，其特徵爲： 係在於朝單一方向延伸之金屬體上，藉由局部的降低 變形阻抗，以離開規定的間隔地形成橫斷上述金屬體之第 1低變形阻抗區域及第2低變形阻抗區域，且分別令上述 第1低變形阻抗區域及上述第2之低變形阻抗區域剪斷變 形，而使上述金屬體之金屬組織微細化。 2 8 .如申請專利範圍第2 7項所述之金屬加工方法，其 中，係對於由上述第1低變形阻抗區域與上述第2低變形 阻抗區域所包挾之非低變形阻抗區域，朝向與上述金屬體 之延伸方向略呈直交之方向施予振動。 29.如申請專利範圍第27項所述之金屬加工方法，其 中，係對於由上述第1低變形阻抗區域與上述第2低變形 阻抗區域所包挾之非低變形阻抗區域，振動於與上述金屬 體之延伸方向略直交之第1方向，同時振動於分別略直交 -5- 1301778 於上述金屬體之延伸方向及上述第1方向之第2方向。 3 0·如申請專利範圍第27項所述之金屬加工方法，其 中，係使被上述第1低變形阻抗區域及上述第2低變形阻 抗區域所包挾之非低變形阻抗區域，在於與上述金屬體之 延伸方向略平行之旋轉軸之周圍旋轉。 3 1 ·如申請專利範圍第27項〜3 0項其中之任一項所述 之金屬加工方法，其中，上述第1低變形阻抗區域及上述 第2低變形阻抗區域，係分別加熱到不同之溫度所形成的 〇 32.—種金屬體，其特徵爲： 係先暫時的形成局部降低變形阻抗之低變形阻抗區域 ，且使該低變形阻抗區域的整個區域剪斷變形，而使金屬 組織微細化之金屬體。 33·—種金屬體，其特徵爲： 係先暫時的形成局部降低變形阻抗之低變形阻抗區域 ，且使該低變形阻抗區域的局部剪斷變形，而使金屬組織 微細化之金屬體。 34. —種金屬體，係延伸於單一方向之金屬體，其特 徵爲： 先暫時地形成：局部的降低變形阻抗，而橫斷金屬體 之低變形阻抗區域，令該變形阻抗區域的兩端部剪斷變形 ，而使金屬組織微細化。 35. —種金屬體，係延伸於單一方向之金屬體，其特 徵爲： -6 - 1301778 先暫時地形成：局部的降低變形阻抗，而橫斷金屬體 之低變形阻抗區域，令該變形阻抗區域的其中一方的端部 剪斷變形，而使金屬組織微細化。 36. 如申請專利範圍第34或35項其中之任一項所述 之金屬體，其中，係使低變形阻抗區域，沿著金屬體之延 伸方向移動。 37. —種金屬體，係延伸於單一方向之金屬體，其特 徵爲： 而將變形阻抗局部的降低，以暫時地形成橫斷金屬體 之低變形阻抗區域，且將包挾此一低變形阻抗區域之其中 一方之非低變形阻抗區域相對於另一方之非低變形阻抗區 域變動位置，由而使上述低變形阻抗區域剪斷變形而使金 屬組織微細化。 3 8.如申請專利範圍第37項所述之金屬體，其中，上 述位置之變動，係朝向與金屬體之延伸方向略呈直交之方 向之振動運動。 3 9·如申請專利範圍第37項所述之金屬體，其中，上 述位置之變動係施加於與金屬體之延伸方向略呈直交之第 1方向之振動運動，及施加於與金屬體之延伸方向略呈直 交，同時又與上述第1方向也略呈直交之第2方向之第2 振動運動之複合運動。 40·如申請專利範圍第37項所述之金屬體，其中上述 位置之變動，係在於與金屬體之延伸方向略呈平行之旋轉 1301778 軸之周圍扭轉之扭轉運動。 4 1·如申請專利範圍第40項所述之金屬體，其中，上 述低變形阻抗區域係藉由加熱手段之加熱所形成，同時加 熱手段並不是以旋轉軸之區域做爲中心之加熱分佈方式來 進行加熱。 42. 如申請專利範圍第40項所述之金屬體，其中，係 使其中一方之非低變形阻抗區域相對於另一方之非低變形 阻抗區域，進行移動於與金屬體之延伸方向略呈直交之方 向。 43. 如申請專利範圍第37項〜42項其中之任一項所述 之金屬體，其中，是對於非低變形阻抗區域，沿著金屬體 之延伸方向施予壓縮壓力。 44. 如申請專利範圍第37項〜42項其中之任一項所述 之金屬體，其中，非低變形阻抗區域，係藉由設於第1冷 卻手段與第2冷卻手段之間之加熱手段的加熱而形成的。 45. 如申請專利範圍第37項〜39項其中之任一項所述 之金屬體，其中，上述金屬體係板狀體。 46. 如申請專利範圍第37項〜39項其中之任一項所述 之金屬體，其中，上述金屬體係疊合不同組成份之金屬層 所形成之板狀體。 47. 如申請專利範圍第37項〜39項其中之任一項所述 之金屬體，其中，上述金屬體係對於第1金屬混合了第2 金屬之混合材所成之板狀體。 48. 如申請專利範圍第37項〜39項其中之任一項所述 1301778 之金屬體，其中，上述金屬體係中空筒體。 49. 如申請專利範圍第37項〜39項其中之任一項所述 之金屬體，其中，上述之金屬體係疊合不同組成份之金屬 層所形成之中空筒狀體。 50. 如申請專利範圍第37項〜40項其中之任一項所述 之金屬體，其中，上述金屬體係由在第1金屬中混合第2 金屬之混合材所成之中空筒狀體。 5 1·如申請專利範圍第37項〜40項其中之任一項所述 之金屬體，其中，上述金屬體係將中空筒狀體在於其中一 方的非低變形阻抗區域相對於另一方的非低變形阻抗區域 之位置變動後，切開該中空筒狀體的周面做成的板狀體。 52. 如申請專利範圍第37項〜40項其中之任一項所述 之金屬體，其中，上述金屬體係將疊合不同組成份之金屬 層所形成之中空筒狀體在於其中一方的非低變形阻抗區域 相對於另一方的非低變形阻抗區域之位置變動後，切開該 中空筒狀體的周面做成板狀體。 53. 如申請專利範圍第37項〜40項其中之任一項所述 之金屬體，其中，上述金屬體係將第1金屬混合第2金屬 之混合材所成之中空筒狀體在於其中一方的非低變形阻抗 區域相對於另一方的非低變形阻抗區域之位置變動後，切 開該中空筒狀體的周面做成板狀體。 54·如申請專利範圍第37項〜42項其中之任一項所述 之金屬體，其中，上述金屬體係棒狀體。 5 5 ·如申請專利範圍第3 7項〜42項其中之任一項所述 -9 - 1301778 之金屬體，其中，上述金屬體係疊合不同組成份之金屬層 所形成之棒狀體。 5 6 .如申請專利範圍第3 7項〜42項其中之任一項所述 之金屬體，其中，上述金屬體係第1金屬內混合了第2金 屬之混合材所成之棒狀體。 5 7.如申請專利範圍第37項〜42項其中之任一項所述 之金屬體，其中，上述金屬體係至少將第1金屬線材及第 2金屬線材束在一起形成之棒狀體。 58.—種金屬體，係延伸於單一方向之金屬體，其特 徵爲： 係藉由局部的降低變形阻抗，且分開預定間隔地暫時 形成橫斷金屬體之第1低變形阻抗區域及第2低變形阻抗 區域，且分別使第1低變形阻抗區域及第2低變形阻抗區 域剪斷變形而使金屬組織微細化。 5 9 ·如申請專利範圍第5 8項所述之金屬體，其中，係 使受到上述第1低變形阻抗區域及上述第2低變形阻抗區 域所包挾之非低變形阻抗區域，朝向與金屬體之延伸方向 略呈直交之方向振動。 60·如申請專利範圍第58項所述之金屬體，其中，係 使受到第1低變形阻抗區域及上述第2低變形阻抗區域所 包挾之非低變形阻抗區域，朝向與金屬體之延伸方向略呈 直交之第1方向振動，同時也朝向與金屬體之延伸方向及 與第1方向分別略呈直交之第2方向振動。 6 1 ·如申請專利範圍第5 8項所述之金屬體，其中，係 -10- 1301778 使受到第1低變形阻抗區域與第2低變形阻抗區域所包挾 之非低變形阻抗區域，在於與金屬體之延伸方向略呈平行 之旋轉軸之周圍旋轉。 62 ·如申請專利範圍第5 8項〜6 1項其中之任一項所述 之金屬體，其中，上述第1低變形阻抗區域及第2低變形 阻抗區域係分別加熱到不同之溫度所形成的。 63·如申請專利範圍第32、33、34、35、37、38、39 、40、41、42、58、59、60或61項所述之金屬體，其中 ，上述金屬體係作成汽車零件。 64. 如申請專利範圍第 3 2、3 3、3 4、3 5、3 7、3 8、3 9 、40、41、42、58、59、60或61項所述之金屬體，其中 ，上述金屬體係作成：濺射用標靶材、磁性體、形狀記憶 合金、氫吸藏合金、防振合金、電熱材料、生體材料、船 舶零件、飛機零件、汽車以外之運送機器零件、建築構造 物零件之其中任何一種。 65. —種含有金屬之陶瓷體，係延伸於單一方向之含 有金屬之陶瓷體’其特徵爲· 局部性地降低變形阻抗而暫時的形成橫斷含有金屬之 陶瓷體之低變形阻抗區域，同時將包挾此低變形阻抗區域 之其中一方之非低變形阻抗區域相對於另一方之非低變形 阻抗區域進行變動位置’而使低變形阻抗區域剪斷變形， 而使所含有之金屬組織微細化之含有金屬之陶瓷體。 66. 如申請專利範圍第65項所述之含有金屬之陶瓷體 ，其中，上述位置之變動，係朝向與含有金屬陶瓷體之延 -11 - 1301778 伸方向略呈平行之旋轉軸的周圍扭轉之扭轉運動。

-12- 1301多7物27048號專利申請案 中文說明書修正頁 柒、 民國97年4月23日修正 (一） 、本案指定代表圖為 ••第 10 圖 (二） 、本代表圖之元件代表符號 簡單說明： 30? 低變形阻抗領ί或 60 基台 61 固定部 61a 第1固定壁 61b 第2固定壁 61c 固定螺絲 61 d 固定螺絲 62 剪斷變形部 63 旋轉部 63a 第1規制壁 6 3b 第2規制壁 63 c 進退規制壁 6 3d 固定螺絲 64 加熱裝置 6 5 冷卻裝置 65a 給水配管 6 5b 第1吐水口 65c 第2吐水口 6 6 M2 承水容器 金屬體 67 排水管

刺ϋ有化學式時，1奮g示最能顯示發明特徵的化學