TWI301212B - Transflective type liquid crystal dispaly device and method for fabricating the same - Google Patents

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1301212 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明是關於· μ 哪W 里稽田减少 光罩之技術去製作CMOS-TFT Ρ車列基板的半透反射式液晶顯示菜 置及其製造方法 【先前技術】 近來’由於液晶顯示裝置（LCD)的高對比率、高灰階與影 像顯不以及低的功率消耗，而被廣泛應用於平面顯示器。 液晶顯示裝置包含數種可藉由光微影製程來形成的圖案，如 基板上_動元件鱗線。舉例來說，將感料光射線之光阻被 覆於基板上，並利用光罩於光阻上曝光及顯影來形成圖案。然後， 利用光阻作為光罩對各樣材料層侧，並剝除光阻。因此，為了 減少光罩數量的需求以提高生產率，必須減低光微影製程之次數。 、，—般而言’液晶顯稀置包含薄縣晶體_基板、彩色濾 ^片基板層與,!_電路。在此電晶體陣列基板包含 ^晶體_與電容儲存器，薄膜電_以選擇性傳遞訊 對^素紐$讀存11肋維持電荷狀態制單元晝素區域 對到下一個電荷狀態。 ^ 办色濾先片基板具有彩色濾光層以 外，液晶層形成於兩個基板之間，而驅動電路 3二：“去驅動薄膜電晶體陣列基板來促使影像顯示。 位與反射部位。透射％衣置中’早70晝顏域被分為透射部. 、射-电極則形成於透射部位上，反射電極形成於 13〇1212 反射部位上， 藉以提供固定電壓於液晶層 晶層=#：!_提供與射至肅上之光源傳給液 光源來顯柯Ϊ 射雜是#由反雜至上基板之周遭 僂約、 ❿印刷電路板（PCB)基板之驅動電路會藉由 傳輪控制協定rTrpπ / 9積田 /、溥膜電晶體陣列基板連接。然而，最近已 :::二::電路於另外的印―板基板的方式來形成 立並且，薄膜電晶體是分為兩種，—種是晝素的薄膜電晶體， 二絲驅動於活性區域之畫素區域，另—種驅動電路之薄膜電晶 n疋藉由執仃晝素之馳電晶體而施加信號給龍域之閘極線 二料線s素的薄膜電晶體一般是由高執行速度的n型薄膜電 卿_成而驅動電路之薄膜電晶體是由互補性氧化金屬半導 版（CM〇S)軸電晶體所形成，其中CMOS-TFT包含n形薄膜 電晶體與15觸膜電晶體並具有侧耗辨。 以下則參知、圖式說明習知技術之具有cm〇s_tft之半透反 射式液晶顯示裳置的製造方法。 百先’如第1A圖所示，緩衝層52形成於絕緣基板n，且多 晶石夕層形成於緩衝層52上。然後，第一光阻（圖中未示）沉積於 多晶石夕層上，並使用第一光罩，藉由光微影製程來形成第一半導 體層54a、第二半導體層54b與第三半導體層5如。 至少有兩個方式形成多㈣層。第_種方式是直接沉積多晶 1301212 矽層，第二種方式是沉積非晶矽層並將其結晶化為多晶矽層。 第一種方式包含低壓化學氣相沉積（LPCVD)法與電漿強化 化學氣相沉積（PECVD)法。於LPCVD法，多晶矽層是於55〇 °C以上的高溫下沉積；而於PECVD法，多晶矽層是使用四氟化矽 /四氫化石夕/氳（SiIVSiH4/H2)於400°C以下的溫度下沉積。 第二種方式包含於高溫下維持長時間的熱處理之固相結晶化 (solidphase crystallization，SPC)法，與於 250t^施加準分子雷 射之準分子雷射退火（eximer laser annealing, ELA)法，以及利用 >儿積金屬層於非晶矽層上之金屬誘導結晶化（metd induced crystallization，MIC)法。 第半導體層54a、第二半導體層54b與第三半導體層$如 是被圖案化為島型形狀。此時，分卿成n型薄膜電晶體區軸p 型缚，電晶體區域於第-半導體層54a與第三半導體層54c，並形 成電容儲存器於第二半導體層54b上。 敕接著，如第1B圖所示，第二光阻31是被披覆於絕緣基板u 之ίΐ固表社’並進行曝光與顯影製程，使第二光阻31被圖案化 ^型薄膜電晶體區域之第一半導體層54a與ρ型薄膜電晶 二之弟二半導體層54°。之後，藉由對基板的整個表面進行儲 (storage doping process) , 之弟二半導體層54b上。 陸續，如第 ic圖所示，在移除第二光阻31後，將氧切（si〇x) 1301212 ，氮化i7 (SiNx)之無機絕緣層沉積於絕緣基板n的整個表面， 精由PECVD，形成閘極絕緣層13。之後，將低電阻金屬層，如， 銅/鋁1呂敍合金、錮、鉻、鈥或錮鎢，沉積於閘極絕緣層13上。 在"u積第二光阻（圖中未示）於低電阻金屬層上之後，利 用第三光罩，藉由光微影製程，將第一閘極12、第二閘極22斑儲 19各卿成於第—半導體層地、第二半導體層細與第 -半導體層54c上。此時，第一閘極12與第二閑極a部份重疊 於η型薄膜電晶體與15型電晶體之第—通道層14與第二通道層 24 ’且儲存電極19部份重疊於儲存區域之第二半導體層施。 接者’细第-_ 12與第二_22作為光罩，η型雜質 離子是輕微摻雜於第-半導體層％與第三轉體層％，以形成 (g tty doped drain,輕微摻質汲極）摻質層88於第 體弟二半導體54c上第一閘極12與第二閑極22之兩側: ^所弟半導體地與第三半導體处之殘留部分，並未摻質η 型摻質雜質’㈣為第—通道層14與第二通道層％。、 如上所述’藉由對半_層之縣決定的部位輕微換入雜質 1子’來《LDD摻質層，而可降低因為電阻使接觸區域之電場 減少所引起的麵錢，斯低·電流。 ^後’如弟1D圖所示，將第四光阻^披覆於包括第一間極 之基板的姆面上，紐彳_四光糊爾顯影，對第 四先阻33 _化以露出對應於第—_ 12之兩側的η型薄膜電 10 1301212 p型薄膜電晶體區域 p型薄膜電晶體區域 晶體區域上的些許第一半導體層54a。於是， 與儲存區域被堵塞住，而可避免離子植入於 與儲存區域。 繼而，以翻η型雜質離子對絕緣基板U的整個表面輕微換 質，以形成第一源極區域15a與第一没極區域说於心薄膜電 晶體。之後，活化第一源極區域15a與第一没極區域说。在剝Z 第四光阻33後，如第m圖所示，披覆第五光阻35於包含第一= 極12與第二閘極22之基板的整個表面上，雜用第五光罩並^ 由曝光顯影製程，圖案化並露出p型薄膜電晶體。結果，n型薄^ 電晶體區域與儲存區域被阻塞住，使得離子不會被植入。 陸續，P型雜質離子，如硼，高度摻雜於絕緣基板n之整個 表面上以形成苐一源極區域25a與第二没極區域25b於p型薄 膜電晶體上。_，活化第二源極區域25a與第二汲極區域25b。 在剝除第五光罩35後，如第1F圖所示，藉由PECVD，將如氧化 矽或氮化矽之材料沉積於包含第一閘極12之基材的整個表面，以 形成絕緣夾層23。 之後，披覆第六光阻（圖中未示），並使用第六光罩，藉由光 U影製程，選擇性移除閘極絕緣層13與絕緣夾層23，去形成第一 接觸孔71，以露出第一源極區域15a與第一汲極區域15b以及第 —源極區域25a與第二汲極區域25b。 利用剝除第六光阻，如第1G圖所示，第一源極15c與第一 11 1301212 汲極15d以及第二源極25c與第二汲極25d是透過第一接觸孔71 連接至第一源極區域15a與第一汲極區域15b以及第二源極區域 25a與第二汲極區域25b，以完成具有η型薄膜電晶體與p型電機 體之 CMOS-TFT。 也就是說，陸續披覆低電阻的金屬層，如銅、鋁、鋁鈥、鉬、 鈦、组或銦鎢，與第七光阻（圖中未示）於包含絕緣夾層23之基 板的整個表面上，以埋住第一接觸孔71。然後，使用第七光罩， 藉由曝光顯影製程，將已披覆的低電阻金屬層圖案化，以形成第 一源極15c與第一汲極15d以及第二源極25c與第二汲極25d。 接著，形成η型薄膜電晶體於每個畫素區域來驅動晝素區 域，其中η型薄膜電晶體包含第一閘極丨2、第一源極15c與第一 汲極15d以及第一通道層14。並且，形成p型薄膜電晶體於驅動 .電路上，以施加訊號至閘極線與資訊線，其中p型薄膜電晶體包 括第二閘極22、第二源極25c與第二汲極25d以及第二通道層24。 此外，形成包含第二半導體層之儲存器、閘極絕緣層13與儲 存電極19於每個晝素區域上。 如第1H圖所示’在剝除第七光阻後，披覆感光丙稀搭樹脂 於包含第-源極15c與第一汲極15d之基板的整個表面上，然後， 使用第八鮮’藉由曝光顯影製程，以固定間隔來形成多個感光 丙烯搭樹脂圖案。再藉由回溯多個感光丙稀__脂 多個第-投影圖㈣。於是，多個第-投影圖案心 12 1301212 來形成，其中每個第一投影圖案90是形成圓形。 陸續，如第II圖所示，將氧化石夕（Si0x)或氮化矽（SiNJ 的無機絕緣層沉積於包含第一投影圖案90之基板的整個表面上， 或疋將苯環丁烯(benzocyclobutene，BCB)或丙烯醛材料（aciylic material)的有機絕緣層披覆於基板的整個表面上，以形成純化層 16。此時，鈍化層16沿著第一投影圖案9〇來形成，使鈍化層16 具有多個第二投影圖案92。 請參照第1J圖，使用第九光罩，藉由光微影製程，將鈍化層 16與絕緣夾層23勉刻以露出第一汲極i5d與儲存電極ip，以形 成第二接觸孔81。 然後，如第1K圖所示，使用第十光罩，藉由光微影製程， 將具有可撓性之金屬，如鋁、鋁鈦或鈦，沉積於包含鈍化層16之 基板的整個表面上並圖案化，以形成反射電極17a。反射電極17a 沿著第二投影圖案92來形成，使反射電極17a具有多個反射投影 (reflective projections)。假如以週遭光線作為光源，反射投影會 部分改變週遭光線之反射角度，而獲得大量的反射光線。 如第1L·圖所示，使用第十一光罩，藉由光微影製程，將氧 化銦錫（ITO)或氧化鋅錫（IZ0)沉積於包含反射電極17a之積 板的整個表面上並圖案化，以形成透射電極17b。此時，透射電極 17b形成於晝素區域之透射部位。然而，透射電極nb是連接反射 電極17a之預先決定的部位以接收電壓。 13 1301212 因此’習知技術之薄膜電晶體陣列基板的製作過程共使用了 十一道的光罩。 雖然圖中未示，具有η型薄膜電晶體與p型薄膜電晶體之 CMOS-TFT陣列基板會藉由間隔物而與相向而對之具有彩色遽光 層之基板維持在-預先決定之_，驗，兩顧會藉由密封劑 來齡在-起。之後’藉由注人液晶於兩基板間來形成液晶層， 並岔封液晶之注入口，以完成液晶顯示裝置的製作。 【發明内容】 因此，本發明提出-種半透反射式液晶顯示褒置及其製造方 法，其具有CM〇S-TFT陣列基板，藉以解決並排除先前技術雌 現之眾多限制與缺失。 本發明之其他特徵與優點將於以下内容中提及 訑例來學習。本發明之目的與優點將可透過專利内 與附圖來了解與獲得。 本發明之-则岐提出―種半透反射歧晶齡裝置及盆 製造方法，其具有CMOS-TFT陣列基板，藉由降低光罩之技術以 減低光罩制量，喊少餘_與時間，且簡化餘步驟。 ，並可透過實 谷、專利範圍 為了達到本發明的目的與優點，簡單描述於T，本發明提供 一種半透反射歧晶裝置，其包含··基板，包含潍區域， 活性區域具缝健倾域與用轉脑性區域之鶴電路區 域，各晝素_具有透射部位與反射部位；第-半導體層’且有 14 1301212 第、原極區域與第一及極區域，第一源極區域與第一汲極區域开》 成於晝素n域；第二半導體層，具有第二源極區域與第二沒極區 域’第二源極區域與第二汲極區域形成於驅動電路區域；閘極絕 ，層’位於具有第—絕緣層與第二絕緣層之基板的整個表面上； 弟-閘極與第二閘極’位於第—絕緣層與第二絕緣層上方之間極 絶緣層上；儲存電極，位於晝素區域上；絕緣夾層，位於基板之 整個表面上；继缝魅赶；鈍化層， 位於包含透射電極之基板之整個表面上；反射，位於反射部 位之鈍化層上；雜鮮-祕以及第二祕與第二汲極， 連接至第-祕區域與第—汲滅如及第二源祕域與第二没 極區域；至於液晶層，則位於基板與另一和前述基板相向而對的 基板之間。 另-方面’本發明也S供一矛重半透反射式液晶顯示裝置之製 造方法，其包含下列步驟：首先，形成半導體層於絕緣的基板上； 再形成閘極絕緣層於包含半導體層之基板之整個表面上；形成閑 極與儲存電極於閉極絕緣層上；紐，以閘極作為光罩，藉由植 入數個雜質離子於半導體層，以形成源極區域與汲極區域，·θ形成 絕緣夾層於包含間極之基板的整個表面上；接著，形成透射電極 於絕緣夹層上，·再形祕⑽於包含透㈣極之基板的整個^面 ^ ’越化層具有投影圖案’再形成接觸孔與開口區域以露出沒極 區域與源極區域以及透射電極’ ·最後’則形成源極與汲極透過接 15 13〇1212 觸孔連接至源極ϋ域與汲極區域，麵成反射區域，使反射區域 透過開口區域連接透射電極。 與習知技術之使斜-道光罩之製作方法減，根據本發明 之製作方法僅使用七道光罩，減少了製程時間並提高生產效能。 I藉由飾難刻技術，可儀—道光罩，同時進行高換雜^ 迦質離子、輕錄η齡f離子射心摻㈣程。〜 此外 币並日且，儲存電容之下電極是與閘極—起形成，且儲存韋容之 上包極疋由透射電極卿成，藉以可減少—道光罩的使用量。 道 光罩的使用，_趣幼雜_少- 命路二11 有各類薄膜電晶體之_基板是由活性區域與驅] :極綠:π副。活性區域包含：資料線，用以傳遞影像111號 :辛㈣扣傳遞掃描訊號，並以與資料線垂絲形成而劃定】 :二：’用以驅動晝素之薄膜電晶體，形成於間極線與資料i 層二:包?第—間極、第一源極與第-沒極以及第-亂 反射投影姆晝奴_電晶财接，並具有扮 晶體連接；心射電極而翻以驅動晝素之薄膜1 並具有儲存，形_素_之縣決定的部位 之薄膜電晶體⑨極。亚且，鶴電路區域包含驅動㉟ 畫素區域，以/由活性區域之閘極線與資料線來施加電壓力 驅動電路之薄膜電晶體包含第二閘極、第二源丰 16 1301212 兵弟二及極以及第二通道層。 此時，用以驅動畫素之薄膜電晶體是由高執行速度之n型薄 膜電晶體所形成，而驅動電路之薄膜電晶體是由低消耗功率之p 型’專膜電晶體所形成’藉以完成CMOS-TFT。 —為使對本發明中專利範圍能有進一步的了解，兹舉數個具體 實施例詳細說明如下。 【實施方式】 、現在舉出具體實施例詳細說明本發明之内容，並以圖式作為 辅助。至於說财提到之符號係與圖式之符號—致。 ’ 以下參關式制本發騎提供之核反射歧 及其製造方法。 置 根據本㈣之第—實_之半透反射式紅顯祥置，純化 層兵半顧的投影_是被形絲有機絕緣層。 第^關祿縣個之第—實_之钱式液晶顯示 ^太贿沿著剖面線w,之剖面圖。第3A圖〜第31圖顯示 乂豕發明之第—實施例之半透反射式液晶顯 與沿著剖面綠H’之剖面圖。於第2圖與第 區域來解Ϊ:二:顯示裳置是藉由驅動活性區域與駆動電路 /、中/、頭不活性區域於平面圖中。 付曰二先’如第2 _示’根據本發明之第-實施例之半透反射 式液晶頌示裝詈，智 千1^反射 晶體包含活性區域（剖面線吧與驅動 17 l3〇l212 電路區域，其巾活髓域具有n型細電晶體於個獅晝素區域 以顯不影像，而驅動電路區域具有n型薄膜電晶體與p型薄膜電 晶體以驅動活性區域。此時，活性區域之每個晝素區域被分成反 射部位與透射部位，藉以使關圍光線或背光賴反射之光線來 作為光源。 於活性區域中，具有第一半導體層154a、閘極絕緣層113、 閘極線112a、第一閘極112、儲存電極119、絕緣夾層123、透射 電極117b、純化層116、第一源極115c與第一没極U5d、資料線 ll5e以及反射電極i17a。此時，第一半導體層⑽具有第一源極 區域115a與第-没極區域115b，閘極絕緣層113形成於包含第一 半導體層15½之絕緣基板m之整個表面上。並且，閉極線職 沿著-個方向形成於閘極絕緣層113上，離開閘極線仙之第一 閘極m是部份重疊於第—半導體層154a。織，儲存電極ιΐ9 疋以大致平行的方向與閘極線112^形成於相同一層，其中，儲存 電極119作為電容n之下。絕緣夾層123是形成於包含閑極 線112a之、％、雜板η丨之整個表面，騎電極⑽是形成於絕緣 夾層U3之透射部位。而且，鈍化層116是形成於包含透射電極 117b緣基板⑴之整個表面，且投影圖案刚是形成於純化層 H6之整個表面上成為一體。此外，第一源極收與第一没極服 連接至鈍化層116上之第一源極區域115a與第一没極區域n5b。 資料線115e與第— 源極115c形成為一體，且資料線115e大致與 18 l3〇l2l2 閘極線112a垂直來形成。而反射電極117a也與第一没極n5d形 成為一體於鈍化層116之反射部位上，其中反射電極ii7a透過透 射部位之開口區域181連接透射電極117b。 本實施例中，第一源極區域115a與第一没極區域n5b是摻 雜有數個η型雜質離子，且η型薄膜電晶體是由第一半導體層 154a、閘極絕緣層113、第一閘極112以及第一源極ii5c與第一 汲極115d所組成。進一步，可形成LDD摻質層188於第一源極 區域115a與第一汲極區域115b内侧。 透射電極117b是與儲存電極119部份重疊，使透射電極 作為電容器之上電極。於是，儲存電容器是由儲存電極119、透射 電極117b與絕緣夾層123所形成，而絕緣夾層123是夾置於儲存 電極119與透射電極117b之間。 藉由移除對應於透射部位之鈍化層116，鈍化層116具有透 射部位之開口區域181。這個方式中，鈍化層116以具有對應於液 晶分子之液晶胞間隙的厚度來形成，並移除掉透射部位之部份， 而形成透射部位之開口區域181。於是，透射部位之透射電極n7b 疋以對應於液晶分子之液晶胞間隙的範圍，而位在低於反射部位 之反射電極117a的位置。 驅動笔路不但具有p型4膜電晶體也具有前述之η型薄膜電 Β曰曰體。Ρ型薄膜電晶體包含第二半導體⑽、閘極絕緣層113、第 一閘極122以及第二源極125c與第二汲極125心同時，第二半導 19 1301212 體154b具有摻雜數個P型雜質離子之第二源極區域125a與第二 、才。區或125b ’閘梅巴緣層⑴卿成於第二半導體之上。 接著，第二閘極122形成於閑極絕緣層ιΐ3上。並且，第二源極 125c契第一汲極125d是隔著第二閉極來形成，並連接至第二 源極區域125a與第二汲極區域12%。 以下况明本發明之第—實施例所提供之半透反射式液晶顯示 裝置之製造方法。 ^先，如第3A圖所示，利用PECVD法，使用氫化矽（卿） 與虱氣（¾)之混合氣體，沉積非晶石夕於絕緣基板ηι上。然後， 進行熱處理，如發射雷射絲，將非晶雜晶化為多碑。之後， 使用第：¾阻與第一光罩，藉由光微影製程，將第一半導體層⑼a 與第二半導體層154b圖案化成島型（獨立的）。同時，將第一半 導體層154a形成於㈣薄膜半導體之_個部位，將第二半導體層 154b形成於p型薄膜半導體之一個部位。 /雖然圖中未示，再形成半導體層154之前，可藉由cvd法， 瓜成缓衝層（圖中未不）於絕緣基板⑴上。緩衝層可由絕緣材 料’如氧化石夕（SiOJ或苯環丁烯(benz〇cyd〇butene，bcb)^ 以避免外在物質穿入半_層154，保護絕緣基板iu於非晶石夕層 結晶過程中免於高溫的影響，並促進半導體層⑼對於絕緣基板 111之接觸特性。

之後，藉纟PECVD法，將無機絕緣材料，氧化石夕（si〇J 20 13〇1212 或氮切（SiNx)形成於包含轉體層⑼之絕緣基板⑴之整個 表面上’以形成閘極絕緣層113上。 然後，如第3B圖所示，將低電阻金屬材料，如銅、鋁、鋁 敍、鉻、鈦或鉬鎢（MoW)，沉積在閘極絕緣層113上，並將第二 光阻131披覆其上。在使用第二光罩，藉由曝光顯影製程，對第 光阻131圖案化之後，對低電阻金屬層進行钱刻，以形成第一 閑極112與第二閘極122以及儲存電極119。此時，第一閘極112 與第二閘極122是與閘極線112a同時形成，以傳遞掃描訊號。 請參照第3C圖，藉由灰化第二光阻131，使第二光阻131減 少至具有小於閘極之寬度。然後，藉由使用此被減少的第二光阻 131以及第一閘極112與第二閘極122作為光罩，來高度摻雜n型 雜質離子至第一半導體層154a與第二半導體層154b。意即，藉由 摻雜磷（P)離子或砷（As)離子，可形成第一源極區域U5a與 第一没極區域ll5b以及第二源極區域125a與第二沒極區域i25b 之η型彳參雜層於n型薄膜電晶體區域與p型薄膜電晶體區域。之 後’活化弟一源極區域115a與第一没極區域115b。 此時，第一半導體層154a與第二半導體層i54b中並未摻雜 η型雜質離子之預先決定的部位是用來作為第一通道層114與第二 通這層124。同時，藉由摻入離子於ρ型薄膜電晶體區域之η型摻 雜層，會藉由摻入ρ型雜質離子，而改變為ρ型摻雜層。 接著，如第3D圖所示，使用被減少的第二光阻131作為光 21 1301212 罩，藉由回餘刻技術，對第一閘極112與第二閘極i22之側邊進 行侧。此時，藉由回侧技術，形成LDD射層188於第一開 極m與第二_ 122之細部位。輯，藉由使用具她虫刻 的侧邊之第-閘極112與第二間極122作為光罩，高度掺雜打型 摻質離子。形心獅質之⑽射層188於鄰近第—閘極ιΐ2 ，、第間極I22之n型知質層之第一源極與第一没極出d =及第二源極125e與第二没極125d，以藉由減少接觸區域之電 場，使LDD摻質層188之關閉電流減少。 接著，如第3E圖所示，剝除第二光阻131，並披覆第三光阻 133於包含第一閘極112與第二閘極122之基板ui的整個表面。 之後，使用第三光罩’藉由曝光顯影_，對第三光阻133圖案 化。然後’以p型雜質離子，如蝴（B)離子或二氟化(阳）， 中心摻雜基板111之整録面，將p型_電·之第二源極區 域125a與第二汲極區域125b改變為n型薄膜電晶體。之後，將 第，源極區域125a與第二汲極區域挪活化。此時，將未推雜 的第二半導體層154b作為第二通道層124，並藉由第三光阻i%， 而阻擔離子摻入殘留的部位。此中心摻雜方式是與咖離子推雜 方式相反，其中摻雜於預先決定角度的離子強化了基板上ldd區 域之摻雜強度。因此，LDD離子掺雜之中心摻雜解決了穿透崩潰 (P皿ch-th職gh)現象。穿透崩潰i象是發生在由於#元件積體 化增加使元狀寸_少難生的_級應，使得元件於大的 22 1301212 内部電場下要維持長時間的穩定是困難的。 土之後，剝除第三光阻133，如第3F圖所示，並藉由啦⑹， _如氧化石夕或氮化石夕之絕緣材料於包含第一閘極112之基板⑴ 之整個表面’以形成絕緣夾層123。因此’將如氧化銦錫或氧化辞 錫之透明絕緣材料沉積在包含絕緣夾層123之整個基板m上， 然後並使用細群，㈣光微影製程將其随化，以形成透射 此日寸’電容儲存器包含部份重疊於儲存電極⑽之透射電極 117、儲存電極119與夾置於透射電極117和儲存電極⑽之:的 絕緣丈二層⑵。於是’形成電容儲存器之製程是不需要的。 月，…、第3G圖，將有機材料(如感光丙烯醛與苯環丁烯） 縣地披包含透射雜117b之基板m之整個表面上，並使 用第五光罩，藉由光微影製程，觀化層116與投糊案19〇 一 、成純化層116具有對應於液晶之液晶胞間隙之厚度。此時， == 編化層116與投影圖案携，可藉由繞射曝光製成形 ^又衫L或藉由沉積負型感絲烯轉脂與正型感光 _脂’亚只银刻正型感光丙烯盤樹脂。將多個投影酵19〇以 固定間隔形成，且每個投影圖案隱大致上形成圓形或半球形形 狀㈣’可藉由灰化製程—預定時_____ > 以控制投影圖案190之曲率。 如弟3H圖所示，使用第 六光罩，藉由光微影製程 ’將閘極 23 1301212 絕緣層113、絕緣夾層123與鈍化層116之預定部位移轉，以形 成第-接觸孔171 ’第一接觸孔则以露出_薄膜電晶體與p 形薄膜電晶體之第-源極區域115a與第一汲極區域咖以及第 二源極區域125a與第二汲極區域125b。同時，藉由移除純化層 116之預先決定的部位，形成透射部位之開口區域，以露出大 部份透射電極mb。由於鈍化層116，透射雜之液晶胞間隙是 反射部位之液晶關隙之兩倍，使反射部讀義部位可獲得一 致的光功率。 同時，使用乾蝕刻方式蝕刻閘極絕緣層113、絕緣夾層123 與鈍化層116。於乾蝕刻方式中，氣體是被散佈於高壓狀態下的蝕 刻室中，亚藉由正離子或激發的離子對每一層的預期部位加以蝕 刻。乾钱刻方式用於钱刻具有精確的圖案之絕緣層。 乾蝕刻方式包含電漿蝕刻（plasma etching，PE )、反應性離子 钱刻（reactive i〇n etching，_)、磁場強化反應性離子蝕刻 C magnetically enhanced reactive ion etching，MERIE )、電子迴旋共 振（electron cyclotron resonance，ECR )與變壓麵合式電 i (transformer coupled plasma，Tcp )，其中電漿蝕刻（恤_ etch_， PE)與反應性離子钱刻（reactivei〇n咖扮啤，幻五）方式大部份用 於製作液晶顯不裝置。 如第31圖所示，將具有高可撓性之低電阻金屬層形成於具有 投影圖案190之鈍化層116上，並使用第七光罩，藉由光微影製 24 1301212 程，對其圖案化，以同時形成第一源極115C與第一汲極ii5d、第 二源極125c與第二汲極125d以及反射電極117a。 反射電極117a是透過透射部位之開口區域181而連接至透射 電極117b，且反射電極117a沿著投影圖案190之表面來形成。於 疋’反射電極117a具有多個半球形的反射部位。在使用週遭光線 作為光源之情形中，反射投影會部份改變遭光線的反射角度，而 精由獲得大量的反射光線來擴大視角。 金屬層是由銅、紹、叙钕、钥、路、鈦、鈕、翻鎢或類似者。 資料線115e是與第一源極115c、第一没極115d同時形成。閘極 線112a與資料線115e是以彼此垂直來陸續形成，以劃定出晝素區 域0 並且，第一源極115c與第一汲極115d以及第二源極12允與 第一汲極125d是連接至第一源極區域n5a與第一汲極區域115b 以及第二源極區域125a與第二汲極區域i25b。第一源極115c與 資料線115e形成為一體，且第一汲極115d與反射電極n7a形成 為一體。藉由同時形成源極與汲極以及反射電極，可減少一道光 罩的使用量。 接著，可完成包含η型薄膜電晶體與p型薄膜電晶體之 CMOS-TFT，其中η型薄膜電晶體是形成於每個晝素區域中，以 驅動晝素區域，並具有第一閘極112、第一源極i15c與第一汲極 115d以及第-通道層114，而p型薄膜電晶體是形成於驅動電路 25 1301212 '^或，用以施加訊號給 二源㈣c與第二〉及極12二線：具有弟二閘極⑵、* 半球====2_崎置中，在 機絕緣層卿成，另—有_ 弧表面）是由有 於是，本發明之第二嫩 明之第-實施例之半透反射液晶顯示I置是和本發 有機絕緣材料層是形成於投影_曰^=置具有相似結構，除了 第4圖顯示根據本發明之第二實施例之半 裝置之剖面__崎IW 4液晶顯不 為根據本發明之第二實施例之半透反5A圖〜㈣圖則 法之剖面圖與沿著剖面線咖之剖面圖^一不裝置之製作方 於第4圖與第5A圖〜第5Jf?Id7 、， 是藉由驅動活性區域液晶顯示裝置 中只顯示活性區域於平面圖中。 ' 解釋， 置首先，根據本發明之第二實施例之半透反晶 置，如弟4圖所示，薄膜電晶體陣列基板 腦，）與驅動電路區域，其中活性 邮域（剖面線 別的晝素_關示晝面，且驅動電⑽nf _電晶體於個 〜路£域具有n型薄膜電丨 26 1301212 與P型薄膜電晶體以驅動活性區域。 特別地是，具有第一半導體層254a與第二半導體層254b、 閘極絕緣層213、閘極線212a、第一閘極212與第二閘極222、儲 存電極219、絕緣夹層223、透射電極217b、純化層216、第一源 極215c與第一汲極215d以及第二源極225c與第二汲極225d、資 料線215e以及反射電極217a。此時，第一半導體層254a與第二 半導體層254b分別具有第一源極區域215a與第一汲極區域 215b、弟二源極區域225a與第二没極區域225b，閘極絕緣層213 形成於包含第一半導體層254a與第二半導體層254b之絕緣基板 之整個表面上。並且，閘極線212a形成於閘極絕緣層213上，且 離開閘極212a之第一閘極212與第二閘極222是分別部份重疊於 第一半導體層254&與第二半導體層254b。儲存電極219是以大致 平行閘極線212a的方向與閘極線212a形成於相同一層，且絕緣 夾層223是形成於包含閘極線212a之絕緣基板之整個表面，透射 電極217b是形成於絕緣夾層223之透射部位。而且，純化層训 疋形成於包含透射電極217b絕緣基板之整個表面，且投影圖案 是形成於純化層216之表面上。並且，將如苯環丁稀 (b_cyd〇butene，BCB)或丙稀輯脂(acrylresin)之有機絕緣層 316形成於基板之整個表面上，以控繼影難細之曲率。第一 源極收與第一祕⑽以及第二源極取與第二及極㈣ 連接至有機絕緣層316上之第一源極區域取與第—沒極區域 27 1301212 215b以及第二源極區域225a與第二汲極區域225b。之後，資料 線215e與第一源極215c形成為一體，且資料線215e大致與閘極 線212a垂直來形成。而反射電極217a也與第一汲極215d形成為 一體於鈍化層216之反射部位上，且反射電極217a沿著投影圖案 290具有反射投影。 此時，第一源極區域215a與第一汲極區域215b是摻雜有數 個η型雜質離子，且n型薄膜電晶體是由第一半導體層乃如、閘 極絕緣層213、第一閘極212以及第一源極215c與第一汲極2l5d 所組成。並且，第二源極區域225a與第二汲極區域225b是摻雜 有數個p型雜質離子，且p型薄膜電晶體是由第二半導體層乃牝、 閘極絕緣層213、第二閘極222以及第二源極225c與第二汲極225d 所組成。 透射電極217b是與儲存電極219部份重疊，以形成電容儲存 器。 亚且，鈍化層216與有機絕緣層316是形成具有對應於液晶 分子之液晶關_厚度，並移除掉透射部位之部份^形成^ 射部位之開口區域281。於是，透射部位之透射電極217b是透過 透射部位之開Π部位281而連接至反射部位之反射電極咖。 剌之第二魏酬提供之半歧射讀晶顯示 直到形搞緣錢’本翻之第二實闕之錢反射式液晶 28 1301212 二衣置之衣xe方去讀本發明之第—實施例之半透反射式液曰e 頌示裝置之製紗法具有相同步驟。以下將詳細描述。 百先，如第5A圖所示，利用ρΕαω法，使用氮化石夕 、氫乱（¾)之犯合乳體’沉積非晶梦於絕緣基板2H上。然後 進賴處理，如發料射光束，轉㈣結晶化為多㈣。之後: 制第-光阻與第-光罩，藉由光微影製程’將第—料體層说 與弟-半_層254b圖案化成島型（獨立的）。同時，將第一半 導體層254a形成於n型薄膜轉體之_個部位，將第二半導體層 254b形成於p型薄膜半導體之一個部位。 •後可藉由PECVD法，形成如氧化石夕（吨）或氮化石夕 (SiNx)之有機絕緣材料於包含半導體層3之絕緣基板扣的 整個表面上，以形成閘極絕緣層213。 然後’如第5B圖所示，將低電阻金屬材料，如銅、鋁、铭 鈦、鉻、鈦或銦鎢（MoW)，沉積在閘極絕緣層213上，並將第1 光阻231披覆其上。在使用第二光罩，藉由曝光顯影製程，對第 ，光阻231圖案化之後，使用氫氟酸⑽）、稀釋過後的氯說酸 ⑽E)、氣化氨(卿）或其中之混合溶液，對低電阻金屬層進 仃濕式姓刻，以形成第-閘極212與第二閘極222以及泰搞 219。此時，第一閘極212與第二閘極從是與閑極線⑽^夺 形成，以傳遞掃描訊號。 使第二光阻231減 請參照第5C圖，藉由灰化第二光阻231 29 1301212 少寬度。然後，藉由使用此被減少的第二光阻231以及第一閘極 212與第二閘極222作為光罩，來高度摻雜^型雜質離子至第一半 導體層254a與第二半導體層254b。意即，可形成11型摻雜層之第 一源極區域215a與第一汲極區域215b以及第二源極區域225a與 第二没極區域225b於n㈣膜電晶體區域與p型薄膜電晶體區 域。此時，藉由摻雜雜質離子於卫型薄膜電晶體型摻質層，， 會藉由摻入p型雜質離子，而改變為p型摻雜層。 接著，如第5D圖所示，使用被減少的第二光阻231作為光 罩’藉由回侧技術，對第一閘極212與第二閘極222之侧邊進 行蝕刻。陸績’南度摻雜n型摻質離子於第一半導體層254a與第 一半導體層254b，以形成!!型摻質之LDD摻質層288。 接著，如第5E圖所示，剝除第二光阻231，並披覆第三光阻 233於包含基板211的整個表面。並使用第三光罩，藉由曝光顯影 衣私以路出p型薄膜電晶體區域。之後，中心摻雜211基板之 正们表面，將p型薄膜電晶體之第二源極區域Μ%與第二汲極區 域22:>b改交為n型薄膜電晶體。此時，將未摻雜的第二半導體層 254b作為第二通道層224。 之後，剝除第三光阻233，如第5F圖所示，形成絕緣夾層223 於包3第-閘極212之基板之整個表面上。然後，將如氧化銦錫 或氧化鋅錫之透鴨緣㈣沉積在包含絕軸層223之整個基板 上，然後並使用第四光罩，藉喊微影製程將其圖案化，以形成 30 1301212 透射電極廳。此時，電容錯存器包含部 9 之透射電極爪、錯存電極219鱼 、U存电極219 219之間的絕緣夾層223 储存包極 的。 ⑸’軸電额存H之製程是不需要 5G圖’顿化層216於包含透射電極217b之基 =正個表面上。之後，將有機材料（如編_與苯環丁稀) =披覆於其上’並使用_罩，藉由級，多 拠積上τ，絲_ 可職=== 如弟5H W所7F，將有機絕緣材料（如感光丙觸與苯環丁 稀）披覆於包含投案29〇之基板的整個表面上，以沿著投影 圖案29G之表面來形成有機絕緣層316。有機絕緣層训保護投影 圖案290，並控制投影圖案29〇之曲率。 上2避免由月先源所發射的光線之發光線會被減低。於本實施 例之-個方面，投影_是形餅晝魏域之反射雜。此種情 況下，可藉由對有機_進行灰化製程—預定時間職，來回湖 (reflow)有機材料_ ’以控制投影_ 之曲率。 接者’如弟5I ®所示，使用第六光罩，藉由光微影製程，將 閉極絕緣層213、絕緣夾層223、純化層216與有機絕緣層316之 預疋口陶夕除掉’以形成第一接觸孔271，第一接觸孔⑺用以露 出η型薄膜電晶體與？形薄膜電晶體之第—源極區域犯&與第一 31 1301212 汲極區域215b以及第二源極區域225a與第二汲極區域22沁。同 時，藉由移除鈍化層216與有機絕緣層316之預先決定的部位， 开y成透射部位之開口區域281，以露出透射電極217b。 此時，由於鈍化層216與有機絕緣層316之厚度，透射部位 反射。卩位疋位於不同尚度。意即，鈍化層與有機絕緣層316 具有對應於液晶層之液晶胞職之厚度，使透射部位以液晶層之 液晶胞間__而低於反射部位之位置。因此，反射部位:所 發出之光線會經過兩倍液晶層之外觀路徑，並抵達螢幕表面。並 且，從背光源射在透射部位之光線會穿過具有纽與液晶胞間隙 相同之厚度的鈍化層與錢_層，魏達f幕表面。因此，射 在反射部賴透射雜之规會科抵魏幕表面。 同時’使用乾侧方式爛間極絕緣層213、絕緣夹層⑵、 純⑽加與有機絕緣層316。於乾钱刻方式中，氣體是概佈於 碰狀m下的餘刻室中，並藉由正離伐激發_子對每一声的 =部位加以㈣。乾钱刻方式用於綱具有精確的圖案之絕緣 如弟5i騎不’將具有高可驗之低電阻金屬層形成於包含 有機絕緣層316之基板的整個表面上，並使用第七光罩，夢由光 對其職，㈣時形成第—源極取與第-汲極 、弟-源極225c與第二汲極如以及反射電極咖。 反射電極咖是透過透射部位之開口區域281而連接至透射 32 1301212 電極217b，且反射電極217a沿著投影圖案290之表面來形成。於 疋，反射電極217a具有多個半球形的反射部位。在使用週遭光線 作為光源之情形中，反射投影會部份改變遭光線的反射角度，而 藉由獲得大量的反射光線來擴大視角。 金屬層是由銅、鋁、鋁敍、鉬、鉻、鈦、叙、鉬鎢或類似者。 此時，當形成第一源極215c、第一汲極215d與資料線215e時， 陸續以與資料線215e是以彼此垂直來形成閘極線212a，以劃定出 晝素區域。 並且’第一源極215c與第一汲極215d以及第二源極225c與 第一;及極225d是連接至第一源極區域2i5a與第一汲極區域215b 以及第二源極區域225a與第二汲極區域225b。第一源極215c與 資料線215e形成為-體，且第一没極215d與反射電極形成 為一體。藉由同時形成源極與汲極以及反射電極，可減少一道光 罩的使用量。 接著，可完成包含η型薄膜電晶體與p型_電晶體之 CMOS-TFT ’其中n型薄膜電晶體是形成於每個晝素區域中，以 驅動晝素區域，並具有第一閘極212、第一源極215。與第一没極 215d以及第-通道層214，而p型薄膜電晶體是形成於驅動電路 區域用XUe力^號給閘極線與資料線，並具有第二閘極222、第 二源極放與第二沒極2况以及第二通道層224。此時，驅動電 路區域更具有η形薄膜電晶體。 33 1301212 此包含η型薄膜電晶體與㈣ 基板共使用了七道光罩。 、电曰曰體之CMOS-TFT陣列 根據本發明之第三實施例 機絕緣層之半球形投影圖案（例如^反射式液晶顯示裝置中，有 面）是形成於純化層上。铁後具有大致為半球型的圓弧表 並且，她化層與有機絕形成於投影圖案上。 刻步驟。於是，她於本翻二•辄之桃是藉由不同钱 示裝置之製作方法，本發明二=例:半透反射式液晶顯 裝置之製作方法之不同處是在於之^反射式液晶顯示 侧步驟來钱刻的。、㈣有機絶緣層是藉由不同 弟6Α圖〜第6J圖說明根據本發明之第三實施例之 式液晶顯示裝置之製作方法之剖面圖與沿著剖面線miI^反射 ^。根據本發明之第三實施例之半透反射式液晶顯: =法是和本發明之第二實施例之半透反射式液晶顯示= ^法相似。具體而言，直到形成有機絕緣層㈣於財 590之鈍化層5 i6上，本發明 > 又办圖木 -之製作方法是和本發明之; 裝置之製作方法具有相同步驟。因此，以下將直到顯示 層616之製程步驟予以省略。 ^成有機絕緣 首先’如帛6A _示，將如錢了渐^ _ 或丙糊W有機糊形成於包含== 34 1301212 之基板之整個表面上，纯化層516具有投影圖案，以沿著投影 圖案’形成有機絕緣層616。有機絕緣層616保護投影圖案别 並用以控制投影圖案590之曲率。 、陸續，如第6B圖所示，使用第六光罩，藉由光微影製程， 選擇性移除有機絕緣層616，以露出越化層516之預先決定的部 位。此時，有機絕緣層材料之投影圖案59〇是選擇性地被移除。 接著’如第6(：騎不’藉由另—個铜製程，將鈍化層516、 絕緣夾層523與閘極絕緣層513選擇性地移除，以形成可露“ 形薄膜電晶體與p形薄膜電晶體之第—源極區域仙與第一汲極 區域515b以及第二源極區域獅與第=汲極區域勝同時， 形成開口區域581 _化層516，以露㈣份透射電極皿。 如上所述’侧有機絕緣層616之製程是分別紐刻純化層 他絕緣炎層523與閘極絕緣層犯之製程的進行。在這個方面， ztr絕緣層表面之非均勻性之問題。於_有機絕緣層、 心豪夹層、純化層、絕緣夾層與_絕緣層的情況中，同時合由 於乾侧製程之氣體碰撞而導致製程時間增加與不一致的驗。 並且，可-同克服控财機絕緣層、鈍化層、 純 緣層之蝕刻製㈣_度， 人^、雜、巴 6D圖’將低電阻金屬材料，如銅、▲ 鈦、賴題）或類似者，沉積包含以 _之“ 整個表面上，並彳_枝罩， ^ 616之細 稭由先破衫2程，形成第一源术 35 1301212 515c與第一汲極515d、第二源極525c與第二汲極525d以及反射 電極517a。反射電極517a是透過透射部位之開口區域581而連接 至透射電極517b，且反射電極517a是沿著投影圖案590之表面具 有多個半球形或球形的反射部位。 此時，當形成第一源極515c、第一汲極515d與資料線515e 時，陸續以與資料線515e是以彼此垂直來形成閘極線512a，以劃 定出晝素區域。 並且，第一源極515c與第一汲極515d以及第二源極525c與 弟一没極525d是連接至第一源極區域515a與第一：；及極區域515b 以及第二源極區域525a與第二汲極區域525b。第一源極515c與 資料線515e形成為一體，且第一没極5i5d與反射電極517a形成 為一體。 接著，可完成包含η型薄膜電晶體與p型薄膜電晶體之 CMOS-TFT ’其巾η型薄膜|晶體^^彡成於每個晝素區域或驅動 電路區域+，並具有第一閘極512、第一源極515c與第一汲極5祝 以及第-通道層514,而p型薄膜電晶體是形成於驅動電路區域， 用以施加訊號給閘極線與資料線，並具有第二閘極522、第二源極 525c與第二汲極525d以及第二通道層524。 此包含η型薄膜電晶體與p型薄膜電晶體之cm〇s_tft陣列 基板共使用了七道光罩。 雖然圖中未示，此包含11型薄膜電晶體與"薄膜電晶體之 36 1301212 CMOS-TFT陣列基板是藉由間隔物而與相向而對之具有♦色慮光 層之基板轉在-預先決定之間隔，然後’兩基板會藉由密封劑 來接合在-起。之後，藉姐人液晶於兩基板間來形成液晶層， 並禮封液晶之注入口，以完成液晶顯示裝置的製作。 如前所述’本發明之半透反射式液晶顯示裝置及其製作方法 具有以下優點。 " 藉由閘極回兹刻技術，可利用一道光罩，同時進行高度推雜 η型雜質離子與p型肺離子、或輕微摻雜n型雜質離子財心換 雜過程。 、少 並且，儲存電容之下電極是朗極__成，且儲存電容之 上電極是由透射電極所形成，藉以可減少—道光罩的使用量。 此外，祕與祕収反射紐是_形摘，可減少 光罩的使用量。 作方：^知技術之使針-道光罩相較，根據本發明之製 切先罩，而減少了製程時間並促進生產效率。 1 ^之厚度，她_反射雜是位在不同 ㈣略 曰，、有對應於液晶層之液晶胞間係的厚度， 使透射電極以對應於液晶屑 ，玉…π曰曰詹之液晶胞間隙之範圍來位在低於反射 包極之位置。因此，射在反 人对丁 螢幕表面。 纽射#與透射部位的光線會同時到達 進而，額外來形成有機續壶 成巴、麵，以控制具有投影圖案之鈍化 1301212 ’圖案化鈍化層之製程是由個別對有機絕緣層圖 木化的衣程來進行，以避免有機絕緣層表面的不均勻。 雖然本發明赠狀較佳實施觸露如上，然 定本發明，任何熟習相像技藝者，在不脫離本發明2= 作些許之更動與_，因此本發明之專利保 本§兄明書所附之申請專利範圍所界定者為準。 圍眉視 【圖式簡單說明】 第1A圖〜第1L圖，係習知技術之半透反 之剖面圖； 、式’夜晶顯示裝置 弟2圖，係根據本發明之第—實施例之半及 裝置之剖面顯沿著剖崎Ι·Ι，之剖_ ; 、式液晶顯示 弟3Α圖〜第Μ圖，係根據本發明之第— 式液關稀置之製作方法之剖_鮮之半透反射 第4圖，係根據本㈣㈣之剖面圖，. 裝置之剖面圖與沿著剖面線之半透反射式液晶顯示 第认圖〜第5J圖，係根據本發明:第二奋 式液晶顯示裝置·切法之剖 ^蝴之半透反射 圖；及 化者剖面線ΙΙ-ΙΓ之剖面 第6A圖〜第6D圖，係根據本發 式液晶顯示裝置之製作方法 $二·例之半透反射 圖。 ' 舁沿著剖面線ΙΙΙ-ΙΙΓ之剖面 38 1301212 【主要元件符號說明】 η、m、211 12、112、212、512 13、113、213、513 14、114、214、514 15a、115a、215a、515a 15b、115b、215b、515b 15c、115c、215c、515c 15d、115d、215d、515d 16、116、216、516 17a、117a、217a、517a 17b、117b、217b、517b 19、119、219、519 22、122、222、522 23、123、223、523 24、124、224、524 25a、125a、225a、525a 25b、125b、225b、525b 25c、125c、225c、525c 25d、125d、225d、525d 31 ^ 131 > 231 基板 第一閘極 閘極絕緣層 第一通道層 第一源極區域 第一汲極區域 第一源極 第一汲極 鈍化層 反射電極 透射電極 儲存電極 第二閘極 絕緣夾層 第二通道層 第二源極區域 第二没極區域 第二源極 第二汲極 第二光阻 39 1301212 33、133、233 35 52 54a、154a、254a 54b、154b、254b 54c 71 > 171 81 、 181 88、188、288 90 92 112a、212a、512a 115e、215e、515e 154 190、290、590 316、616 Ι-Γ、ΙΙ-ΙΓ、IIWII， 第四光阻 第五光罩 緩衝層 第一半導體層 第二半導體層 第三半導體層 第一接觸孔 第二接觸孔 LDD摻質層 第一投影圖案 第二投影圖案 閘極線 資料線 半導體層 投影圖案 有機絕緣層 剖面線 40

Claims (1)

1301212 .................._ ?7年4:月丄3 E〗修(更)正 一、申請專利範圍·· 一種半透反射式液晶顯示裝置，包括有·· _^^包含—雜區域，脑性_具錢數個書素區 有-透射雜與-反射部位； ^絲域具 域，：=’具有一第一源極區域與-第-汲極區 —\ 〜賤第—汲極區域形成於該晝素區域； 1二半導體層，具有_第二源極區域與_第二汲極區 ^ J絲區域與該第二汲極區域形成於細動電路區 域； 閘極、、、巴緣層，位於具有該第一絕緣層與該第二絕緣層之 該基板的整個表面上； 第-間極與-第二間極，位於該第一絕緣層與該第二絕 緣層上方之該閘極絕緣層上； 一儲存電極，位於該晝素區域上； 一絕緣夾層，位於該基板之整個表面上； 一透射電極，位於該透射部位之該絕緣夾層上，其中該透 射電極與該儲存電極重疊； 一純化層’位於包含該透射電極之該基板之整個表面上； 一第一源極與一第一汲極以及一第二源極與一第二汲 極，連接至該第一源極區域與該第一汲極區域以及該第二源極 區域與該第二汲極區域； 41 1301212 一反射電極，與該第一汲極形成為-體；及 一液晶層，位於該基板與另—和該基板相向而對的基板之 間。 2·如申料概圍第1韻叙铸反射歧晶細裝置，更包 含一間極線’且該閘極線與該第1極係位於該活性區域上之 相同一層。 3. 如申請專利範圍第丨項所述之 _ 久射式液晶顯示裝置，更句 含一貧料線，且該資料線與該第一 極上之相同一層。 雜係同時形成於該反射電 4. 如申請專利細第丨顿収半奴射魏^昧， 該鈍化層上形成有一投影圖案。 ”、、衣 ” 5. 如申料·圍第4顧叙錢林H碑_ 該投影圖案與該鈍化層係同時形成。 、、不衣置/、中 6. 如申請專利範圍第5項所述之半 ^ .+ ,, ^ 射式液晶顯示裝置，复中 雜化層與該投影圖案係由—有機絕緣材料 < 一中 7. 如申請專利範圍第4項所述之半透反 乂成。 該鈍化層與該投影圖案之厚度係_式液晶顯示裝置，其中 隙。 〜於礒液晶層之液晶胞間 晶顯示裝置，其中 8·如申睛專利範圍第4項所述之半透反射气、、 該鈍化層係由該投影圖案所分割。 彳、 晶顯示裝置，更包 9·如申清專利範圍第8項所述之半透反射、、 42 1301212 含一有機絕緣層於該投影圖案上。 ίο·如申請專利範圍第9項所述之半 、 該鈍化層與該有機絕緣層包含 式夜曰曰’、、'頁不裝置，其中 於該透射區域。 如區域，該開口區域係對應 11·如申請專利範圍第9項所述之半 、 該鈍化層、該投影酸與麟機絕緣層该層 該液晶層之液晶胞間隙。 ，、于應於 12·如申請專利範圍第丨項所述丰 灿減a 反射式液晶顯示裝置，复中 該鈍化層包含一開口區域，該開口 "中 13如Φ咬直1在 时或係對應於該透射區域。 I3· 士申&月專利乾圍弟1項所述之丰 射式液晶顯示裝置，更句 含一輕微摻質汲極（lightly doped dl^ τ π λ 5 ldd )層於該第一源；[:¾ 區域與該第一汲極區域上。 原、極 14·如申請專利範圍第i項所述之 » , 還反射式液晶顯示裝置，复中 该半導體層係一多晶矽層。 /、中 15. t申請專利麵1項所述之半透反射編顯示裝置，更包 =緩衝層，賴衝層⑽職細㉝—料體層與該第二 半導體層之間。 16. -種半奴射錢晶顯示較之製造麵，其轉包含： 形成一半導體層於一絕緣的基板上； 形成-閘祕緣層於包含卿轉層之絲板之整 面上； 43 1301212 形成一閘極與一儲存電極於該閘極絕緣層上； 、“閘極作為光罩，藉由植入複數個雜質離子於該半導體 層，以形成一源極區域與一汲極區域； 形成一絕緣失層於包含該閘極之該基板的整個表面上； 形成一透射電極於該絕緣夾層上； 形成-鈍化層於包含該透射電極之該基板的整個表面 上，該鈍化層具有一投影圖案； 形成-接觸孔與-開口區域以露出該汲極區域與該源極 區域以及該透射電極；及 形成-源極與-没極，使該源極與該没極透過該接觸孔連 接該沒極區域與該源極區域，並同時形成—反射電極，使該反 射電極透過該開口區域連接該透射電極。 Π.如申請專纖圍第16酬述之半歧射歧晶顯示裝置之製 造方法，其中該源極與該汲極係形成於該純化層上。 18. 如申請專機圍第16項所述之半透反射式液晶顯示裝置之製 造方法，更包含下列步驟： 1 接合該絕緣的基板至另一與該基板相向而對之基板丨及 形成一液晶層於該基板與該另一基板間。 19. 如申請專繼圍第丨6項所述之半透反射式減顯稀置之製 造方法，其中該投影圖案與該鈍化層係一同形成。 2〇.如申請專利範圍# I9撕述之半透反射式液關稀置之製 44 1301212 其中該鈍化層與該投影圖案 造方法， 之液晶胞間隙。 21•如申請專利範圍第16 之厚度係對應於該液晶層 下列步,! 也成該純化層； 披覆一有機材料於該鈍化層上；及 稭由該有機材料而形成該投影圖案。 22.=Γ!Γ第21項所述之半透反射式液晶顯示裝置之製 心細料係感光術（咖―）。 达方ΓΓΓ¥ 21項所述之半透反射式液晶顯示裝置之製 其中财崎綱傳__ 24. =:專^圍第21項所述之半奴 其中該形成該投调案之步驟之後，更包含形成-有 機絕緣層於包含該投影圖案之該基板之整個表面上之步驟。 25. 如申料·圍第μ項所狀钱反射歧晶顯稀置之製 造方法，其中該純化層、該投影圖案與該有機絕緣層之鐘層之 厚度係對應於該液晶層之液晶胞間隙。 26. 如申請專利範圍第μ項所述之半透反射式液晶顯示裝置之製 造方法，其中該形成該接觸孔與該開口區域以露出該源極區域 與该汲極區域和該透射電極之步驟，包含以下步驟· 45 谓 1212 ;:覆-光阻於該有機絕緣層上，並圖案化已披覆 阻；及 之該光 對被圖案化之該光阻 該絕緣失層與她絕緣= 並藉由同步侧該有機__刻，⑽_觸孔， 域。 /、μ鈍化層，以形成該開口區 27·如申請專利範圍第24項 造方法，其中抑㈣4、 +义反射式液晶顯示裝置之製 和該透射區域之步驟，極區域與該沒極區域 阻；被覆一祕該有機絕緣層上:並圖案化該已彼覆之該光 ==Γ所露㈣有機絕緣層進行_;及 异、該有機崎層所料的該純化 :該=Γ絕緣層進行同步•形成麵孔 28.如申請專利範圍第16項所述之 ir 造方法，其中該源極區域與該汲;式液晶顯示裝置之製 摻質層所形成。 及邮域係由η型摻質層或Ρ型 仏方法，其中該形成^型摻皙屌 該麵域，以及p_=二—個該源極一 、之弟—個該源極區域與第二個該 46 1301212 第二没極區域之步驟，係包含下列步驟： 形成該η型摻質層於第一個該源極區域與第一個該汲極區 域； 形成一輕微摻質汲極（lightly doped drain，LDD )層於該η 型摻質層内；及 質層。 '形成該Ρ型摻質層於第二個該源極區域與第二個舰極區 域，於遮蓋第-個該源極區域與第_個該汲極區域之該η型掺 項所述之半透反射歧置之製 :LDD層之步廠总处m _

3〇·如申請專利範圍第29項所左 造方法，其中該形成該LDD 31·如申請專 造方法，