CN1637548B - 透射反射型液晶显示器件及其制造方法 - Google Patents

透射反射型液晶显示器件及其制造方法 Download PDF

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Abstract

一种CMOS-TFT阵列基板及其制造方法，用低掩模技术减少掩模的使用次数，该基板包括具有多个像素区的有源区和用于驱动有源区的驱动电路区，各像素区具有透射部分和反射部分；在像素区内形成的具有第一源极/漏极区的第一半导体层；在驱动电路区内形成的具有第二源极/漏极区的第二半导体层；在包括第一和第二半导体层的基板的整个表面上的栅极绝缘层；位于第一和第二半导体层上方的栅极绝缘层上的第一和第二栅极；像素区内的存储电极；在基板的整个表面上的绝缘中间层；在绝缘中间层的像素区上形成的并且与该存储电极重叠的透射电极；在包括透射电极的基板的整个表面上的钝化层；在反射部分的钝化层上的反射电极；及第一和第二源极/漏极。

Description

透射反射型液晶显示器件及其制造方法
本申请要求享有2003年12月29日递交的韩国专利申请P2003-98723号的权益，该申请全文在此引用可供参考。
技术领域
本发明涉及一种液晶显示(LCD)器件，具体涉及一种通过低掩模技术制造CMOS-TFT阵列基板的方法。
背景技术
近来，液晶显示(LCD)器件由于其高对比度、良好的灰度级和图像显示以及低功耗等被广泛地用作平板显示器。
在运行中，LCD器件包括用光刻术在基板上形成的诸如驱动器件或线的各种图案。例如，在基板上覆盖一层对紫外线敏感的光刻胶，并且将用光学掩模形成的图案在光刻胶上曝光并显影。用构图的光刻胶作为掩模蚀刻各材料层，然后剥离光刻胶。为了通过减少光刻工艺的次数来提高产量，一直在致力于减少所需掩模数量的研究。
通常，LCD器件包括TFT阵列基板、滤色片基板、液晶层和驱动电路。此时，TFT阵列基板包括用于为像素电极选择提供信号的薄膜晶体管TFT，和用于维持充电状态直至一单位像素区被寻址进入下一充电状态的存储电容。滤色色片基板还具有获得各种色彩的滤色片层。液晶层形成在两基板之间，驱动电路根据外部信号驱动TFT阵列基板以显示图像。
对于透射反射型LCD器件，单位像素区划分为透射部分和反射部分。此时，在透射部分中形成透射电极，在反射部分中形成反射电极，对液晶层施加一恒定电压。
透射部分通过向液晶层提供由背光发射并且入射到下基板上的光来显示图像。同时，反射部分通过反射入射到上基板上的环境光来显示图像。驱动电路设在另外的PCB基板上，并且用TCP连接到TFT阵列基板。然而，新近出现了一种形成TFT阵列基板而不用在另外的PCB基板上形成驱动电路的方法。
薄膜晶体管也划分为用于驱动有源区内的像素区的用于像素的薄膜晶体管，以及通过使用于像素的薄膜晶体管工作，用于向焊盘区内的栅极和数据线施加信号的用于驱动电路的薄膜晶体管。用于像素的薄膜晶体管通常由高速工作的n-型TFT构成，而用于驱动电路的薄膜晶体管由CMOS(互补金属氧化物半导体)薄膜晶体管构成，其中的CMOS薄膜晶体管由低功耗的n-型TFT和p-型TFT构成。
以下参照附图说明现有技术中具有CMOS-TFT的透射反射型LCD器件的一种制造方法。
首先如图1A所示，在绝缘基板11上形成缓冲层52，并在缓冲层52上形成多晶硅层。然后，在多晶硅层上淀积第一光刻胶(未示出)，并且按光刻术用第一掩模形成第一、第二和第三半导体层54a、54b和54c。
至少有两种方法能形成多晶硅层：第一种方法是直接淀积多晶硅层，第二种方法是淀积一非晶硅层并使淀积的非晶硅层结晶形成多晶硅层。
第一种方法包括LPCVD(低压化学汽相淀积)方法和PECVD(等离子体增强型化学汽相淀积)方法。按照LPCVD方法，在550℃以上的高温下淀积多晶硅层。按照PECVD方法，使用SiF4/SiH4/H2的混合气体在400℃以下的温度下淀积多晶硅层。
第二种方法包括在高温下长时间执行热处理的SPC(固相结晶)方法、按250℃温度照射受激准分子激光的ELA(受激准分子激光退火)方法以及在非晶硅层上通过淀积金属层诱导结晶的MIC(金属诱导结晶)方法。
半导体层54a、54b和54c按岛状构图。此时，在第一和第三半导体层54a和54c中分别形成n-型TFT和p-型TFT区，并在第二半导体层54b中形成存储电容。
接着，如图1B所示，在绝缘基板11的整个表面上涂覆第二光刻胶31，并对其执行曝光和显影工序对第二光刻胶31构图以覆盖n-型TFT区的第一半导体层54a和P-型TFT区的第三半导体层54c。然后，对基板的整个表面执行存储掺杂工序，在存储区的第二半导体层54b中形成存储掺杂层。
接着，如图1C所示，在去除第二光刻胶31之后，在绝缘基板11的整个表面上用PECVD(等离子体增强型化学汽相淀积)方法淀积氧化硅SiOx或氮化硅SiNx的无机绝缘层，形成栅极绝缘层13。然后，在栅极绝缘层13上淀积低阻金属层，例如是铜Cu、铝Al、铝钕AlNd、钼Mo、铬Cr、钛Ti、钽Ta或钨钼MoW。在低阻金属层上淀积第三光刻胶(未示出)之后，用第三掩模按光刻术在各半导体层54a、54b和54c中形成第一和第二栅极12和22及存储电极19。在这种状态下，第一和第二栅极12和22与n-型TFT区和p-型TFT区的第一和第二沟道层14和24局部重叠，而存储电极19与存储区的第二半导体层54b重叠。
接着，用第一和第二栅极12和22作为掩模在半导体层54a和54c上轻微掺杂n-型杂质离子，在第一和第二栅极12和22两侧的半导体层54a和54c中形成LDD(轻微掺杂漏极)掺杂层88。此时，将第一和第二半导体层54a和54c上没有掺杂n-型杂质离子的剩余部分留做第一和第二沟道层14和24。
如上所述，在半导体层的预定部位轻微掺杂杂质离子形成LDD掺杂层，这样就能通过降低接触区的电场，从而通过电阻降低截止电流，并且尽量降低导通电流的减少。
然后，如图1D所示，在包括第一栅极12的基板的整个表面上涂覆第四光刻胶33，然后用第四掩模在上面执行曝光和显影工序对第四光刻胶构图，在对应第一栅极12两侧的n-型TFT区暴露出一些第一半导体层54。这样，p-型TFT区和存储区被遮挡，以免离子被注入p-型TFT区和存储区。
然后，对绝缘基板11的整个表面高度掺杂磷P的n-型杂质离子，以在n型TFT区内形成第一源极和漏极区15a和15b。然后，激活第一源极和漏极区15a和15b。在剥离第四光刻胶33之后，如图1E所示，在包括第一和第二栅极12和22的基板的整个表面上涂覆第五光刻胶35，随后用第五掩模执行曝光和显影工序对其进行构图，以暴露出p-型TFT区。这样，n-型TFT区和存储区被遮挡，以免离子注入。
接着，对绝缘基板11的整个表面高度掺杂例如是硼B的p-型杂质离子，以在p-型TFT区内形成第二源极和漏极区25a和25b。然后，激活第二源极和漏极区25a和25b。在剥离第五光刻胶35之后，如图1F所示，用PECVD在包括第一栅极12的基板的整个表面上淀积例如是氧化硅或氮化硅的绝缘材料，形成绝缘中间层23。
然后涂覆第六光刻胶(未示出)，并且用第六掩模按光刻术选择去除栅极绝缘层13和绝缘中间层23，以暴露出第一和第二源极/漏极区15a、15b、25a和25b的预定部分，从而形成第一接触孔71。
如图1G所示，剥离第六光刻胶，通过第一接触孔71将第一和第二源极/漏极15c、15d、25c和25d连接到第一和第二源极/漏极区15a、15b、25a和25b，从而制成了具有n-型TFT和p-型TFT的CMOS-TFT。
即，在包括绝缘中间层23的整个基板的表面上顺序涂覆低阻金属层，例如是铜Cu、铝Al、铝钕AlNd、钼Mo、铬Cr、钛Ti、钽Ta或钨钼MoW和第七光刻胶(未示出)以掩埋第一接触孔71。然后用第七掩模按曝光和显影工序对涂覆的低阻金属层构图，从而形成第一和第二源极/漏极15c、15d、25c和25d。
因此，在各像素区内形成n-型TFT以驱动像素区，其中，n型TFT由第一栅极12、第一源极/漏极15c和15d以及第一沟道层14构成。还在驱动电路中形成p-型TFT，以向栅线和数据线施加信号，其中，p-型TFT由第二栅极22、第二源极/漏极25c和25d以及第二沟道层24构成。还在各像素区内形成包括第二半导体层54b、栅极绝缘层13和存储电极19的存储器。
如图1H所示，在剥离第七光刻胶之后，在包括第一源极/漏极15c和15d的基板的整个表面上涂覆光学丙烯酸树脂，然后在上面用第八掩模执行曝光和显影工序，按固定的间隔形成多个光学丙烯酸树脂图案。随后使光学丙烯酸树脂图案回流，就能形成多个第一凸起图案90。这样就能按固定间隔形成多个第一凸起图案90，形成的各第一凸起图案是球形的。
接着，如图11所示，在包括第一凸起图案90的基板的整个表面上淀积氧化硅SiOx或氮化硅SiNx的无机绝缘层，或是在整个基板表面上涂覆BCB(苯并环丁烯)或是丙烯酸材料的有机绝缘层，形成钝化层16。此时，钝化层16沿着第一凸起图案90形成，使得钝化层16有多个第二凸起图案92。
参见图1J，用第九掩模按照光刻术蚀刻钝化层16和绝缘中间层23，暴露出第一漏极15d和存储电极19，从而形成第二接触孔81。
接着如图1K所示，在包括钝化层16的基板的整个表面上淀积具有高柔韧性的金属层，例如是铝Al、铝钕AlNd或钛Ti，并且用第十掩模按光刻术对其构图以形成反射电极17a。反射电极17a沿第二凸起图案92形成，使得反射电极17a具有反射凸起。如果用环境光作为光源，反射凸起会局部改变环境光的反射角度，从而获得大量的反射光。
如图1L所示，在包括反射电极17a的基板的整个表面上淀积ITO(氧化铟锡)或IZO(氧化铟锌)，并且用第十一掩模按光刻术对其构图，形成透射电极17b。此时，反射电极17a形成在像素区的反射部分，而透射电极17b形成在像素区的透射部分。然而，透射电极17b要接触到反射电极17a的预定部位，以便接收电压。
因此，现有技术中制造TFT阵列基板的工艺总共使用十一次掩模。
尽管图中没有示出，具有n-型TFT和p-型TFT的CMOS-TFT阵列基板用衬垫料与具有滤色片层的相对基板保持预定的间隔，然后用密封剂将两个基板彼此粘接。然后，在通过在两个基板之间注入液晶形成液晶层，并且密封注入液晶的入口，这样就制成了LCD器件。
发明内容
本发明为此提供了一种CMOS-TFT阵列基板及其制造方法，能够基本上消除因现有技术的局限和缺点造成的一个或多个问题。
本发明的优点是用低掩模技术提供一种CMOS-TFT阵列基板及其制造方法，减少掩模的使用数量，从而降低制造成本和时间，并且简化制造工序次数。
以下要说明本发明的附加特征和优点，一部分可以从说明书中看出，或者是通过对本发明的实践来学习。采用说明书及其权利要求书和附图中具体描述的结构就能实现并达到本发明的目的和其他优点。
为了获得这些和其他优点并按照本发明的目的，以下要具体和广泛地说明，一种透射反射型LCD器件包括具有多个像素区的有源区和用于驱动有源区的驱动电路区的基板，各像素区具有透射部分和反射部分；具有在像素区内形成的第一源极/漏极区的第一半导体层；具有在驱动电路区内形成的第二源极/漏极区的第二半导体层；在包括第一和第二半导体层的基板的整个表面上的栅极绝缘层；位于第一和第二半导体层上方的栅极绝缘层上的第一和第二栅极；像素区内的存储电极；在基板的整个表面上的绝缘中间层；在所述存储电极与一反射电极之间的该绝缘中间层的像素区上形成的透射电极；在包括透射电极的基板的整个表面上的钝化层；通过去除栅极绝缘层、绝缘中间层和钝化层暴露出第一和第二源极/漏极区的接触孔；通过去除钝化层暴露出透射电极的对应于透射部分的开放区；通过接触孔与第一和第二源极/漏极区接触的第一和第二源极/漏极；在反射部分的钝化层上的所述反射电极，该反射电极具有与第一漏极直接接触的一端和通过开放区与透射电极接触的另一端；以及该基板与另一相对基板之间的液晶层，其中所述反射电极与第一漏极一体形成。
按照另一方面，一种透射反射型LCD器件的制造方法包括以下步骤：在包括具有多个像素区的有源区和用于驱动有源区的驱动电路区的绝缘基板上形成第一和第二半导体层，各像素区具有透射部分和反射部分；在包括所述第一和第二半导体层的基板的整个表面上形成栅极绝缘层；在栅极绝缘层上形成第一和第二栅极和存储电极；用所述第一和第二栅极作为掩模对第一和第二半导体层注入杂质离子以形成所述第一和第二源极/漏极区；在包括所述第一和第二栅极的基板的整个表面上形成绝缘中间层；在所述存储电极与一反射电极之间的绝缘中间层的像素区上形成透射电极；在包括透射电极的基板的整个表面上形成具有凸起图案的钝化层；通过去除栅极绝缘层、绝缘中间层和钝化层形成暴露出所述第一和第二源极/漏极区的接触孔，并且通过去除钝化层形成暴露出透射电极的对应于透射部分的开放区；；以及形成通过接触孔接触到所述第一和第二源极/漏极区的第一和第二源极/漏极，以及形成具有与第一漏极直接接触的一端和通过开放区与透射电极接触的另一端的所述反射电极，其中形成所述第一和第二源极/漏极区的工序包括以下步骤：通过向第一源极/漏极区中注入高浓度掺杂的n-型杂质离子，在第一源极/漏极区和第二源极/漏极区内形成n-型掺杂层；通过回蚀刻技术蚀刻第一和第二栅极的侧壁；通过向第一源极/漏极区中注入轻微掺杂的n-型杂质离子，在n-型掺杂层内侧形成轻微掺杂漏极层；以及在对第一源极/漏极区的n-型掺杂层掩模之后，通过向第二源极/漏极区中注入p-型杂质离子将第二源极/漏极区改变为p-型，从而在第二源极/漏极区内形成p-型掺杂层。
与现有技术中采用十一轮掩模的制造工艺相比，按照本发明的制造工艺采用七轮掩模，这样能减少制造工序数量并改善大批量生产效率。
利用栅极回蚀刻(etch-back)技术有可能用一轮掩模执行n-型杂质离子的高浓度掺杂、n-型杂质离子的轻微掺杂以及逆反掺杂。
存储电容的下电极和栅极一体形成，而存储电容的上电极由透射电极形成，这样就能减少掩模的使用次数。
另外，源极/漏极同时形成，也能减少掩模的使用次数。
同时，将具有各种薄膜晶体管的阵列基板划分为有源区和驱动电路区。有源区包括传输视频信号的数据线；传输扫描信号并与数据线垂直形成以限定像素区的栅线；用于驱动像素并形成在栅极和数据线的交叉点上的薄膜晶体管，并且包括第一栅极、第一源极/漏极和第一沟道层；接触到用于驱动像素的薄膜晶体管并具有多个反射凸起的反射电极；由反射电极连接到用于驱动像素的薄膜晶体管的透射电极；在像素区的预定部分上形成的存储电容，并且具有存储电极和透射电极。驱动电路区还包括驱动电路的薄膜晶体管，通过从有源区延伸的栅极和数据线对像素区施加电压，其中用于驱动电路的薄膜晶体管包括第二栅极、第二源极/漏极和第二沟道层。
用于驱动像素的薄膜晶体管由高速运行的n-型TFT构成，而用于驱动电路的薄膜晶体管由低功耗的p-型TFT构成，由此制成一CMOS-TFT。
应该意识到以上的概述和下文对本发明的详细说明都是示例性和解释性的描述，都是为了进一步解释所要求保护的本发明。
附图说明
所包括的用于便于进一步理解本发明并且作为说明书一个组成部分的附图表示了本发明的实施例，连同说明书一起可用来解释本发明的原理。在附图中：
图1A到图1L的截面图表示按照现有技术的一种透射反射型LCD器件；
图2表示按照本发明第一实施例的透射反射型LCD器件的截面图，以及沿I-I’线的截面图；
图3A到3I表示按照本发明第一实施例的透射反射型LCD器件的制造方法的截面图，以及沿I-I’线的平面图；
图4表示按照本发明第二实施例的透射反射型LCD器件的截面图，以及沿II-II’线的截面图；
图5A到5J表示按照本发明第二实施例的透射反射型LCD器件的制造方法的截面图，以及沿II-II’线的平面图；以及
图6A到6D表示按照本发明第三实施例的透射反射型LCD器件的制造方法的截面图，以及沿III-III’线的平面图。
具体实施方式
以下要具体描述在附图中例举的本发明的优选实施例。在所有附图中尽可能用相同的标号代表相同或相似的部件。
以下要参照附图来描述按照本发明的透射反射型液晶显示(LCD)器件及其制造方法。
在按照本发明第一实施例的一种透射反射型LCD器件中，用有机绝缘层形成钝化层和半球形凸起图案。
图2表示按照本发明第一实施例的透射反射型LCD器件的截面图，以及沿I-I’线的截面图。图3A到3I表示按照本发明第一实施例的透射反射型LCD器件的制造方法的截面图，以及沿I-I’线的平面图。在图2和图3A到图3I中，按照分开的有源区和驱动电路区解释透射反射型LCD器件，其中的平面图仅仅表示有源区。
首先，在如图2所示的按照本发明第一实施例的透射反射型LCD器件中，TFT阵列基板包括有源区(I-I’)和驱动电路区，有源区在各像素区中具有n-型TFT以显示图像，而驱动电路区具有驱动有源区的两种n-型TFT和p-型TFT。有源区的各像素区被划分为反射部分和透射部分，从而可以利用环境光或是背光发射的光作为光源。
在有源区内有第一半导体层154a、栅极绝缘层113、栅线112a、第一栅极112、存储电极119、绝缘中间层123、透射电极117b、钝化层116、第一源极和漏极115c和115d、数据线115e和反射电极117a。此时，第一半导体层154a具有第一源极和漏极区115a和115b，并在包括第一半导体层154a的绝缘基板111的整个表面上形成栅极绝缘层。还在栅极绝缘层113上沿一个方向形成栅线112a，并且从栅线112a上分叉的第一栅极112与第一半导体层154a重叠。然后在栅线112a的同一层上大致平行地形成存储电极119，存储电极119用作电容下电极。在包括栅线112a的绝缘基板111的整个表面上形成绝缘中间层123，并且在绝缘中间层123的透射部分中形成透射电极117b。而且，在包括透射电极117b的绝缘基板111的整个表面上形成钝化层116，并在钝化层116的表面上一体形成凸起图案190。另外，第一源极和漏极115c和115d在钝化层内接触到第一源极和漏极区115a和115b。与第一源极115c一体形成数据线115e，形成的数据线115e与栅线112a大致垂直。而且，在钝化层116的反射部分中与第一漏极115d一体形成反射电极117a，反射电极117a具有沿凸起图案190的反射凸起，并且反射电极117a在透射部分的开放区内接触到透射电极117b。
在本例中，第一源极和漏极区115a和115b被掺杂有n-型杂质离子，而n-型薄膜TFT由第一半导体层154a、栅极绝缘层113、第一栅极112以及第一源极和漏极115c和115b构成。而且，在第一源极和漏极区115a和115b的内侧形成LDD掺杂层188。
透射电极117b与存储电极119重叠，透射电极117b被用作电容上电极。这样就由存储电极119、透射电极117b以及介于存储电极119和透射电极117b之间的绝缘中间层123构成了一存储电容。
去除对应于透射部分的钝化层116，钝化层116具有透射部分的开放区181。在这种情况下，形成的钝化层116的厚度对应于液晶单元的盒间隙，并且在透射部分去除钝化层以形成透射部分的开放区181。因此，透射部分的透射电极117b的位置比反射部分的反射电极117a低对应于液晶单元的盒间隙的范围。
驱动电路区具有p-型TFT及上述的n-型TFT。P-型TFT由第二半导体层154b、栅极绝缘层113、第二栅极122以及第二源极/漏极125c/125d构成。此时，第二半导体层154b具有掺杂有p-型杂质离子的第二源极/漏极区125a/125b，并且栅极绝缘层113形成在第二半导体层154b上。然后，第二栅极122形成在栅极绝缘层113上。第二源极/漏极125c/125d与第二栅极122绝缘，并且接触到第二源极/漏极区125a/125b。
以下要描述本发明第一实施例的一种透射反射型LCD器件的制造方法。
首先，如图3A所示，在绝缘基板111上用SiH4和H2的混合气体按PECVD方法淀积非晶硅。然后，例如用激光束照射执行热处理，使非晶硅结晶为多晶硅。然后，采用光刻术用第一光刻胶和第一掩模按岛形(绝缘)对第一和第二半导体层154a和154b构图。此时，第一半导体层154a形成在用于n-型TFT的部分，而第二半导体层154b形成在用于p-型TFT的部分。
尽管图中没有示出，在形成半导体层154之前可以在绝缘基板111上按CVD方法形成缓冲层(未示出)。可以用氧化硅SiOx的无机绝缘材料或BCB形成该缓冲层，防止异物渗入半导体层154，保护绝缘基板111避免非晶硅层结晶过程中的高温，并且改善半导体层154与绝缘基板111的接触性能。
然后，在包括半导体层154的绝缘基板111的整个表面上用PECVD方法形成氧化硅SiOx或氮化硅SiNx的无机绝缘材料，从而形成栅极绝缘层113。
然后，如图3B所示，在栅极绝缘层113上淀积铜Cu、铝Al、铝钕AlNd、钼Mo、铬Cr、钛Ti、钽Ta或钨钼MoW的低阻金属层，并在其上涂覆第二光刻胶131。在用第二掩模经曝光和显影工序对第二光刻胶131构图之后，蚀刻低电金属层以形成第一和第二栅极112和122及存储电极119。此时，第一和第二栅极112和122与传输扫描信号的栅线112a同时形成。
参见图3C，使第二光刻胶131灰化，减小第二光刻胶131的宽度使其小于栅极的宽度。然后用减小的第二光刻胶131及第一和第二栅极112和122作为掩模对第一和第二半导体层154a和154b注入高浓度掺杂的n型杂质离子。也就是说，通过掺杂磷离子P或砷离子As，在n-型TFT区和p-型TFT区中形成第一和第二源极/漏极区115a、115b、125a和125b，即，n-型掺杂层。然后，激活第一源极/漏极区115a/115b。
此时，第一和第二半导体层154a和154b没有被n-型杂质离子掺杂的预定部分被用作第一和第二沟道层114和124。同时通过注入p-型杂质离子将通过向p-型TFT区注入离子形成的n-型掺杂层改变为p-型掺杂层。
接着，如图3D所示，用减小的第二光刻胶131作为掩模按回蚀刻技术从具侧壁蚀刻第一和第二栅极112和122。此时，按照回蚀刻技术蚀刻的那部分第一和第二栅极112和122形成LDD掺杂层118。接着，用侧壁被蚀刻的第一和第二栅极112和122作为掩模执行高浓度n-型杂质离子掺杂。在毗邻第一和第二栅极112和122的n-型掺杂层的第一和第二源极/漏极区115a、115b、125a和125b的内侧形成n型掺杂层的LDD掺杂层188，LDD掺杂层188通过降低接触区的电场，从而降低截止电流。
接着，如图3E所示，剥离第二光刻胶131，并且在包括第一和第二栅极112和122及存储电极119的基板的整个表面上涂覆第三光刻胶133。然后用第三掩模按曝光和显影工序对第三光刻胶133构图，暴露出p-型TFT区。然后，对基板111的整个表面逆反掺杂(counter-doped)p-型杂质离子例如是硼B或BF2，将p-型TFT区的第二源极/漏极区125a和125b变成p-型。然后，激活第二源极/漏极区125a和125b。此时，未掺杂的第二半导体层154b作为第二沟道层124，离子不会注入被第三光刻胶133遮挡的剩余部分。逆反掺杂与按预定的角度掺杂离子以加强基板上LDD区的掺杂浓度的LDD离子注入类型相反。执行LDD离子注入的逆反掺杂是为了解决穿透(punch through)现象的问题。穿透现象由短沟道效应产生，其中器件尺寸随器件集成度的增加而缩小，使得因内部电场很大而器件难以长时间稳定工作。
然后，如图3F所示，剥离第三光刻胶133，并且在包括第一栅极112的基板的整个表面上用PECVD淀积例如是氧化硅或氮化硅的无机材料，形成绝缘中间层123。随后在包括绝缘中间层123的基板的整个表面上淀积诸如ITO或IZO等透明导电材料，并且用第四掩模按光刻术对其构图，形成透射电极117b。
此时，存储电容包括与存储电极119重叠的透射电极117b、存储电极119和介于透射电极117b与存储电极119之间的绝缘中间层123。因而就不需要另外的工序形成存储电容。
参见图3G，在包括透射电极117b的基板的整个表面上厚厚地涂覆有机材料(例如是光学丙烯树脂和BCB)，并且用第五掩模按光刻术一体形成钝化层116和凸起图案190。钝化层116的厚度对应于液晶的盒间隙。此时，为了同时形成钝化层116和凸起图案190，可以通过执行衍射曝光工序形成凸起图案，或是通过淀积负型光学丙烯树脂和正型光学丙烯树脂，然后只蚀刻正型光学丙烯树脂形成。按固定间隔形成多个凸起图案190，并且形成的各凸起图案190大致呈圆形或半球形。此时，可以按预定时间周期执行灰化工序使有机材料图案回流，控制凸起图案190的曲率。
如图3H所示，用第六掩模按光刻术去除栅极绝缘层113、绝缘中间层123和钝化层116的预定部位，形成第一接触孔171以暴露出n-型TFT和p-型TFT区的第一和第二源极/漏极区115a、115b、125a和125b。同时，通过去除钝化层116的预定部分形成暴露出大部分透射电极117b的透射部分的开放区181。由于钝化层116，透射部分的液晶盒间隙是反射部分的液晶盒间隙的二倍，从而在反射部分和透射部分获得一致的光学效率。
同时，通常采用干蚀刻法蚀刻栅极绝缘层113、绝缘中间层123和钝化层116。在干蚀刻法中，在高真空状态下向蚀刻仓室喷射气体，用正离子或原子团蚀刻该层的指定部位。干蚀刻法通常被用于蚀刻具有高精度图案的绝缘层。
干蚀刻法划分为PE(等离子体蚀刻)、RIE(反应离子蚀刻)、MERIE(磁增强型反应离子蚀刻)、ECR(电子回旋加速器共振)和TCP(变压器耦合等离子体)，其中PE和RIE模式通常用于LCD器件的制造工艺中。
如图3I所示，在其上形成有凸起图案190的钝化层116上形成具有高柔韧性的低阻金属层，然后用第七掩模按照光刻术构图，以同时形成第一和第二源极/漏极115c、115d、125c和125d以及反射电极117a。
反射电极117a通过透射部分的开放区181接触到透射电极117b，并且沿着凸起图案190的表面形成反射电极117a。这样，反射电极117a具有多个半球形反射凸起。在使用环境光作为光源的情况下，反射凸起部分改变环境光的反射角度，从而通过获得大量的反射光而加宽视角。
金属层由铜Cu、铝Al、铝钕AlNd、钼Mo、铬Cr、钛Ti、钽Ta或钨钼MoW等形成。数据线115e与第一源极/漏极115c和115d同时形成。栅线和数据线112a和115e彼此垂直形成以限定像素区。
第一和第二源极/漏极115c、115d、125c和125d还接触到第一和第二源极/漏极区115a、115b、125a和125b。第一源极115c与数据线115e一体形成，而第一漏极115d与反射电极117a一体形成。同时形成源极/漏极及反射电极能够将掩模的使用次数减少一次。
这样就制成包括n-型TFT和p-型TFT的CMOS薄膜晶体管，其中，n-型TFT形成在各像素区内以驱动像素区并且具有第一栅极112、第一源极/漏极115c和115d以及第一沟道层114，而p-型TFT形成在驱动电路区内以向栅线和数据线施加信号并且具有第二栅极122、第二源极/漏极125c和125d以及第二沟道层124。包括n-型TFT和p型TFT的CMOS薄膜晶体管的制造工序总共使用七轮掩模。
在按照本发明第二实施例的透射反射型LCD器件中，在形成有机绝缘材料层的球形凸起图案(例如，具有大致圆弧形的表面)之后，在球形凸起图案上形成另一有机绝缘层。这样，按照本发明第二实施例的透射反射型LCD器件与按照本发明第一实施例的LCD器件具有相似的结构，除了有机绝缘层形成在凸起图案上。
图4表示按照本发明第二实施例的透射反射型LCD器件的截面图，以及沿II-II’线的截面图。图5A到5J表示按照本发明第二实施例的透射反射型LCD器件的制造方法的截面图，以及沿II-II’线的平面图。
在图4和图5A到图5J中，以划分为有源区(II-II’)和驱动电路区的状态解释透射反射型LCD器件，图中仅仅表示了有源区的平面图。
首先，如图4所示，在按照本发明第二实施例的透射反射型LCD器件中，TFT阵列基板包括有源区(II-II’)和驱动电路区，有源区在各像素区内具有用于显示图像的n-型TFT，而驱动电路区具有用于驱动有源区的n-型TFT和p-型TFT。
具体地说，具有第一和第二半导体层254a和254b、栅极绝缘层213、栅线212a、第一和第二栅极212和222、存储电极219、绝缘中间层223、透射电极217b、钝化层216、凸起图案290、有机绝缘层316、第一和第二源极/漏极215c、215d、225c和225d、数据线215e和反射电极217a。此时，第一和第二半导体层254a和254b分别具有第一和第二源极/漏极区215a、215b、225a和225b。然后，在包括第一和第二半导体层254a和254b的基板的整个表面上形成栅极绝缘层213。还在栅极绝缘层213上形成栅线212a，并且从栅线212a分叉的第一和第二栅极212和222分别与第一和第二半导体层254a和254b重叠。在栅线212a的同一层上形成与栅线212a大致平行的存储电极219，并且在包括栅线212a的基板的整个表面上形成绝缘中间层223。然后，在绝缘中间层223的透射部分中形成透射电极217b。在包括透射电极217b的基板的整个表面上形成钝化层216，并且在钝化层216的表面上形成凸起图案290。还在基板的整个表面上形成BCB或丙烯酸树脂的有机绝缘层316以控制凸起图案290的曲率。第一和第二源极/漏极215c、215d、225c和225d接触到有机绝缘层316的第一和第二源极/漏极区215a、215b、225a和225b。然后，形成大致垂直于栅线212a的数据线215e，并且数据线215c与第一源极215c一体形成。在钝化层216的反射部分中形成与第一漏极215d一体的反射电极217a，并且反射电极217a沿着凸起图案290具有反射凸起。
此时，对第一源极/漏极区215a和215b掺杂n-型杂质离子，由第一半导体层254a、栅极绝缘层213、第一栅极212及第一源极/漏极215c和215d构成n-型TFT。还对第二源极/漏极区225a和225b掺杂p-型杂质离子，由第二半导体层254b、栅极绝缘层213、第二栅极222及第二源极/漏极225c和225d构成p-型TFT。
透射电极217b与存储电极219重叠构成一存储电容。
另外，按对应于液晶单元的盒间隙的厚度形成钝化层216和有机绝缘层316的淀积层，并且去除其在透射部分中的部分，以形成透射部分的开放区281。透射部分的透射电极217b通过透射部分的开放区281接触到反射部分的反射电极217a。
以下要说明按照本发明第二实施例的透射反射型LCD器件的制造方法。
直至形成绝缘中间层，按照本发明第二实施例的透射反射型LCD器件的制造方法均与按照本发明第一实施例的透射反射型LCD器件的制造方法具有相
同的工序。以下要具体说明。
首先，如图5A所示，在绝缘基板211上用SiH4和H2的混合气体按PECVD方法淀积非晶硅，并且用激光束照射执行热处理，使非晶硅结晶为多晶硅。采用光刻术用第一光刻胶和第一掩模按岛形(分隔开的)形成第一和第二半导体层254a和254b。此时，第一半导体层254a形成在用于n-型TFT的部分，而第二半导体层254b形成在用于p-型TFT的部分。
然后，在包括半导体层254的绝缘基板211的整个表面上按PECVD方法形成无机绝缘材料，例如是氧化硅SiOx或SiNx，由此形成栅极绝缘层213。
然后，如图5B所示，在栅极绝缘层213上淀积一铜Cu、铝Al、铝钕AlNd、钼Mo、铬Cr、钛Ti、钽Ta或钨钼MoW的低阻金属层，并在其上涂覆第二光刻胶231。在用第二掩模按光刻术对第二光刻胶231构图之后，用HF、BOE、NH4F或是其混合气体按湿蚀刻法蚀刻低阻金属层形成第一和第二栅极212和222及存储电极219。此时，第一和第二栅极212和222及栅线212a同时形成，其中，栅线212a传输扫描信号。
接着，如图5C所示，灰化第二光刻胶231，减小第二光刻胶231的宽度。然后用减小的第二光刻胶231及第一和第二栅极212和222作为掩模对第一和第二半导体层254a和254b注入高浓度掺杂的n-型杂质离子。也就是说，在n-型TFT区和p-型TFT区内形成n-型掺杂层的第一和第二源极/漏极区215a/215b和225a/225b。此时，注入p-型杂质离子使通过对p-型TFT区注入杂质离子形成的n-型掺杂层改变成p-型掺杂层。
接着，如图5D所示，用减小的第二光刻胶231作为掩模按回蚀刻技术从侧壁上蚀刻第一和第二栅极212和222。然后对第一和第二半导体层254a和254b轻微掺杂n-型杂质离子，形成n-型掺杂层的LDD掺杂层288。
接着，如图5E所示，在剥离第二光刻胶231之后，在基板的整个表面上涂覆第三光刻胶233，并且用第三掩模按曝光和显影工序对其构图，暴露出p-型TFT区。然后在绝缘基板211的整个表面上逆反掺杂p-型杂质离子，将p-型TFT区的第二源极/漏极区225a和225b变成p-型。此时，用未掺杂的第二半导体层254b作为第二沟道层224。
在剥离第三光刻胶233之后，如图5F所示，在包括第一栅极212的基板的整个表面上形成绝缘中间层223。随后，在包括绝缘中间层223的基板的整个表面上形成ITO或IZO的透明导电层，并且用第四掩模按光刻术对其构图，形成透射电极217b。此时，用与存储电极219重叠的透射电极217b、存储电极219和介于存储电极219与透射电极217b之间的绝缘中间层223形成存储电容。因此，不需要另外的工序形成存储电容。
接着，如图5G所示，在包括透射电极217b的基板的整个表面上淀积钝化层216。然后，在其上厚厚地涂覆一有机材料(例如是光学丙烯酸树脂和BCB)，并且用第五掩模按光刻术对其构图，形成多个球形凸起图案290。可以在像素区的整个区域上均匀地形成凸起图案290。或是在像素区的反射部分内形成凸起图案290，防止背光发出的光的亮度降低。按照本实施例的一方面，凸起图案形成在像素区的反射部分内。在这种情况下，可以按预定时间周期执行灰化工序使有机材料图案回流，控制凸起图案290的曲率。
参见图5H，在包括凸起图案290的基板的整个表面上涂覆具有低介电常数的有机绝缘材料，例如是BCB或丙烯酸树脂，沿着凸起图案290的表面形成有机绝缘层316。有机绝缘层316保护凸起图案290，并且控制凸起图案290的曲率。
接着，如图5I所示，用第六掩模按光刻术一起蚀刻栅极绝缘层213、绝缘中间层223、钝化层216和有机绝缘层316，形成暴露出n-型TFT和p-型TFT区的第一和第二源极/漏极区215a、215b、225a和225b的第一接触孔271。同时，去除钝化层216和有机绝缘层316的预定部分，以暴露出透射电极217b，形成透射部分的开放区281。
此时，由于钝化层216和有机绝缘层316的厚度，透射部分和反射部分处于不同的高度。也就是说，钝化层216和有机绝缘层316的厚度对应于液晶层的盒间隙，透射部分的位置低于反射部分，其高度差对应于液晶层的盒间隙。这样，入射到反射部分和透射部分上的光同时到达屏幕的表面。也就是说，从外部入射到反射部分上的光两次通过液晶层后到达屏幕的表面。另外，从背光入射到透射部分上的光通过厚度大致等于液晶层盒间隙的钝化层和有机绝缘层后到达屏幕的表面。这样，入射到反射部分和透射部分上的光就同时到达屏幕的表面。
此时，通常采用干蚀刻法蚀刻栅极绝缘层213、绝缘中间层223、钝化层216和有机绝缘层316。按照干蚀刻法，在高真空状态下向蚀刻仓室内喷射气体，用正离子或原子团蚀刻该层的指定部分。干蚀刻法通常用于蚀刻具有高精度图案的绝缘层。
参见图5J，在包括有机绝缘层316的基板的整个表面上形成具有高反射比的低阻金属层，然后用第七掩模按照光刻术对其构图，同时形成第一和第二源极/漏极215c、215d、225c和225d以及反射电极217a。
反射电极217a通过透射部分的开放区281接触到透射电极217b，并且沿着凸起图案290的表面形成反射电极217a。这样，反射电极217a有多个半球形反射凸起。在使用环境光作为光源的情况下，反射凸起部分改变环境光的反射角度，从而可以通过获得大量的反射光以加宽视角。
金属层由铜Cu、铝Al、铝钕AlNd、钼Mo、铬Cr、钛Ti、钽Ta或钨钼MoW等等形成。在形成第一源极/漏极215c和215d的同时形成数据线215e，数据线215e与栅线212a彼此垂直以限定像素区。
第一和第二源极/漏极215c、215d、225c和225d还接触到第一和第二源极/漏极区215a、215b、225a和225b。第一源极215c与数据线215e一体形成，而第一漏极215d与反射电极217a一体形成。同时形成源极/漏极及反射电极能够将掩模的使用次数减少一次。
这样，就制成包括n-型TFT和p-型TFT的CMOS薄膜晶体管，其中，n型TFT形成在各像素区内以驱动像素区并且具有第一栅极212、第一源极/漏极215c和215d以及第一沟道层214，而p-型TFT形成在驱动电路区内以向栅线和数据线施加信号并且具有第二栅极222、第二源极/漏极225c和225d以及第二沟道层224。此时，驱动电路区还有n-型TFT。
包括n-型TFT和p-型TFT的CMOS薄膜晶体管的制造工序总共使用七轮掩模。
在按照本发明第三实施例的透射反射型LCD器件中，在钝化层上形成有机绝缘层的球形凸起图案(例如是具有大致呈球形弧度的表面)。然后，在凸起图案上形成有机绝缘层。而且，用不同的蚀刻工序执行在钝化层和有机绝缘层内形成接触孔的工序。因此，与同时蚀刻钝化层和有机绝缘层的本发明第二实施例的制造工艺相比，本发明第三实施例的制造工艺的区别在于用不同的工序蚀刻钝化层和有机绝缘层。
图6A到6J表示按照本发明第三实施例的透射反射型LCD器件的制造方法的截面图，以及沿II-II’线的平面图。按照本发明第三实施例的透射反射型LCD器件的制造工艺与按照本发明第二实施例的透射反射型LCD器件的制造工艺类似。具体地说，直至在具有凸起图案590的钝化层516上形成有机绝缘层616为止，本发明第三实施例的制造工艺均与本发明第二实施例的工艺相同。因此，省略了对直至形成有机绝缘层616的制造工序的解释。
首先，如图6A所示，在包括具有凸起图案590的钝化层516的基板的整个表面上涂覆具有低介电常数的有机绝缘材料，例如是BCB或丙烯酸树脂，沿着凸起图案590的表面形成有机绝缘层616。有机绝缘层616保护凸起图案590并且控制凸起图案590的曲率。
接着，如图6B所示，用第六掩模按光刻术选择去除有机绝缘层616，暴露出钝化层516的预定部分。此时，选择去除有机绝缘材料的凸起图案590。
接着，如图6C所示，用另一蚀刻工序选择去除钝化层516、绝缘中间层523和栅极绝缘层513，形成暴露出n-型TFT和p-型TFT的第一和第二源极/漏极区515a、515b、525a和525b的第一接触孔571。同时，贯穿钝化层516形成暴露出大部分透射电极517b的开放区581。
如上所述，蚀刻有机绝缘层616的工序与蚀刻钝化层516、绝缘中间层523和栅极绝缘层513的工序分开执行。从这一方面，有可能解决有机绝缘层表面不均匀的问题。在同时蚀刻有机绝缘层、钝化层、绝缘中间层和栅极绝缘层的情况下，会延长制造工序的时间，并且有机绝缘层的厚度会因干蚀刻法工序中气体的冲击造成不均匀的厚度。还有可能克服一起蚀刻有机绝缘层、钝化层、绝缘中间层和栅极绝缘层的工序中的控制问题。
参见图6D，在包括有机绝缘层616的基板的整个表面上淀积具有高反射比的低阻金属层，例如铜Cu、铝Al、铝钕AlNd、钼Mo、铬Cr、钛Ti、钽Ta或钨钼MoW等等，然后用第七掩模按照光刻术对其构图，形成第一和第二源极/漏极515c、515d、525c和525d以及反射电极517a。反射电极517a通过透射部分的开放区581接触到透射电极517b，并且反射电极517a沿着凸起图案590的表面有多个半球形或球形的反射凸起。
在形成第一源极/漏极515c和515d的同时形成数据线515e。数据线515e与栅线512a彼此垂直形成以限定像素区。
第一和第二源极/漏极515c、515d、525c和525d还接触到第一和第二源极/漏极区515a、515b、525a和525b。第一源极515c与数据线515e一体形成，而第一漏极515d与反射电极517a一体形成。
这样，就制成包括n-型TFT和p-型TFT的CMOS薄膜晶体管，其中的n-型TFT形成在各像素区或驱动电路区内并具有第一栅极512、第一源极/漏极515c和515d以及第一沟道层514，而p-型TFT形成在驱动电路区内并具有第二栅极522、第二源极/漏极525c和525d以及第二沟道层524。
包括n-型TFT和p-型TFT的CMOS-TFT阵列基板的制造工序总共使用七轮掩模。
尽管图中没有示出，用衬垫料将具有n-型TFT和p-型TFT的CMOS-TFT阵列基板与具有滤色片层的相对基板保持预定的间隔，然后用密封剂将两个基板彼此粘接在一起。在两个基板之间注入液晶形成液晶层，并且密封注入液晶的入口，这样就制成了LCD器件。
如上所述，按照本发明的透射反射型LCD器件及其制造方法具有以下优点。
采用栅极回蚀刻技术有可能用一个掩模同时执行高浓度n-型杂质离子掺杂、n-型杂质离子的轻微掺杂以及逆反掺杂的工序。
而且，存储电容的下电极与栅极一起形成，而存储电容的上电极由透射电极形成，这样能将掩模的使用次数减少一次。
另外，源极/漏极和反射电极同时形成，从而将掩模的使用次数减少一次。
因此，与现有技术采用十一轮掩模的制造方法相比，按照本发明的制造方法采用七轮掩模，从而缩短了制造时间并且提高了大批量生产效率。
此外，透射部分和反射分按照钝化层的厚度处在不同高度的位置。也就是说，钝化层的厚度对应于液晶层的盒间隙，透射部分的位置比反射部分的位置要低，其高度差对应于液晶层的盒间隙。这样，入射到反射部分和透射部分上的光能同时到达屏幕的表面。
此外，还额外形成有机绝缘层以控制具有凸起图案的钝化层的曲率。另外，对钝化层构图的工序与对有机绝缘层构图的工序分开进行，以免有机绝缘层的表面不均匀。
本领域的技术人员能够看出，还可以对本发明作出各种各样的修改和变更。因此，本发明应该覆盖属于本发明权利要求书及具等同物范围内的修改和变更。

Claims (25)

1.一种透射反射型液晶显示器件，包括：
包括具有多个像素区的有源区和用于驱动有源区的驱动电路区的基板，各像素区具有透射部分和反射部分；
具有在像素区内形成的第一源极/漏极区的第一半导体层；
具有在驱动电路区内形成的第二源极/漏极区的第二半导体层；
在包括第一和第二半导体层的基板的整个表面上的栅极绝缘层；
位于第一和第二半导体层上方的栅极绝缘层上的第一和第二栅极；
像素区内的存储电极；
在基板的整个表面上的绝缘中间层；
在所述存储电极与一反射电极之间的该绝缘中间层的像素区上形成的透射电极；
在包括透射电极的基板的整个表面上的钝化层；
通过去除栅极绝缘层、绝缘中间层和钝化层暴露出第一和第二源极/漏极区的接触孔；
通过去除钝化层暴露出透射电极的对应于透射部分的开放区；
通过接触孔与第一和第二源极/漏极区接触的第一和第二源极/漏极；
在反射部分的钝化层上的所述反射电极，该反射电极具有与第一漏极直接接触的一端和通过开放区与透射电极接触的另一端；以及
该基板与另一相对基板之间的液晶层，
其中，所述反射电极与第一漏极一体形成。
2.按照权利要求1所述的透射反射型液晶显示器件，其特征在于，还进一步包括在有源区内与第一栅极处于同一层上的栅线。
3.按照权利要求1所述的透射反射型液晶显示器件，其特征在于，还进一步包括与反射电极在同一层上并与第一源极一体形成的数据线。
4.按照权利要求1所述的透射反射型液晶显示器件，其特征在于，所述钝化层具有其上形成的凸起图案。
5.按照权利要求4所述的透射反射型液晶显示器件，其特征在于，所述凸起图案与钝化层一体形成。
6.按照权利要求5所述的透射反射型液晶显示器件，其特征在于，所述钝化层和凸起图案由有机绝缘材料形成。
7.按照权利要求4所述的透射反射型液晶显示器件，其特征在于，所述钝化层和凸起图案具有对应于液晶层的盒间隙的厚度。
8.按照权利要求4所述的透射反射型液晶显示器件，其特征在于，所述钝化层与凸起图案分隔开。
9.按照权利要求8所述的透射反射型液晶显示器件，其特征在于，还进一步包括凸起图案上的有机绝缘层。
10.按照权利要求9所述的透射反射型液晶显示器件，其特征在于，所述钝化层和有机绝缘层包括对应于透射部分的所述开放区。
11.按照权利要求9所述的透射反射型液晶显示器件，其特征在于，所述钝化层、凸起图案和有机绝缘层的淀积层具有对应于液晶层的盒间隙的厚度。
12.按照权利要求1所述的透射反射型液晶显示器件，其特征在于，还进一步包括在第一源极/漏极区内侧形成的轻微掺杂漏极层，
其中所述第一源极/漏极区由n-型掺杂层形成，并且所述第二源极/漏极区由p-型掺杂层形成。
13.按照权利要求1所述的透射反射型液晶显示器件，其特征在于，所述半导体层是多晶硅层。
14.一种透射反射型液晶显示器件的制造方法，包括：
在包括具有多个像素区的有源区和用于驱动有源区的驱动电路区的绝缘基板上形成第一和第二半导体层，各像素区具有透射部分和反射部分；
在包括所述第一和第二半导体层的基板的整个表面上形成栅极绝缘层；
在栅极绝缘层上形成第一和第二栅极和存储电极；
用所述第一和第二栅极作为掩模对第一和第二半导体层注入杂质离子以形成第一和第二源极/漏极区；
在包括所述第一和第二栅极的基板的整个表面上形成绝缘中间层；
在所述存储电极与一反射电极之间的绝缘中间层的像素区上形成透射电极；
在包括透射电极的基板的整个表面上形成具有凸起图案的钝化层；
通过去除栅极绝缘层、绝缘中间层和钝化层形成暴露出所述第一和第二源极/漏极区的接触孔，并且通过去除钝化层形成暴露出透射电极的对应于透射部分的开放区；以及
形成通过接触孔接触到所述第一和第二源极/漏极区的第一和第二源极/漏极，以及形成具有与第一漏极直接接触的一端和通过开放区与透射电极接触的另一端的所述反射电极，
其中形成所述第一和第二源极/漏极区的工序包括以下步骤：
通过向第一源极/漏极区中注入高浓度掺杂的n-型杂质离子，在第一源极/漏极区和第二源极/漏极区内形成n-型掺杂层；
通过回蚀刻技术蚀刻第一和第二栅极的侧壁；
通过向第一源极/漏极区中注入轻微掺杂的n-型杂质离于，在n-型掺杂层内侧形成轻微掺杂漏极层；以及
在对第一源极/漏极区的n-型掺杂层掩模之后，通过向第二源极/漏极区中注入p-型杂质离子将第二源极/漏极区改变为p-型，从而在第二源极/漏极区内形成p-型掺杂层。
15.按照权利要求14所述的方法，其特征在于，所述第一和第二源极/漏极和反射电极形成在钝化层上。
16.按照权利要求14所述的方法，其特征在于，所述凸起图案和钝化层同时形成。
17.按照权利要求16所述的方法，其特征在于，所述一体形成的钝化层和凸起图案具有对应于液晶层的盒间隙的厚度。
18.按照权利要求14所述的方法，其特征在于，所述形成具有凸起图案的钝化层的工序包括以下步骤：
形成钝化层；
在钝化层上涂覆有机材料；以及
对有机材料构图形成凸起图案。
19.按照权利要求18所述的方法，其特征在于，所述有机材料是光学丙烯酸。
20.按照权利要求18所述的方法，其特征在于，所述有机材料是苯并环丁烯。
21.按照权利要求18所述的方法，其特征在于，还进一步包括在形成凸起图案之后，在包括凸起图案的基板的整个表面上形成有机绝缘层。
22.按照权利要求21所述的方法，其特征在于，所述钝化层、凸起图案和有机绝缘层的淀积层具有对应于液晶层的盒间隙的厚度。
23.按照权利要求21所述的方法，其特征在于，所述形成暴露出所述第一和第二源极/漏极区和透射电极的接触孔和开放区的工序包括以下步骤：
在有机绝缘层上涂覆光刻胶，并且对涂覆的光刻胶构图；以及
同时蚀刻被构图的光刻胶暴露出的有机绝缘层、钝化层、绝缘中间层和栅极绝缘层以形成接触孔，并且同时蚀刻有机绝缘层和钝化层以形成开放区。
24.按照权利要求21所述的方法，其特征在于，所述形成暴露出所述第一和第二源极/漏极区和透射电极的接触孔和开放区的工序包括以下步骤：
在有机绝缘层上涂覆光刻胶，并且对涂覆的光刻胶构图；
蚀刻被构图的光刻胶暴露出的有机绝缘层；以及
同时蚀刻被构图的光刻胶和有机绝缘层暴露出的钝化层、绝缘中间层和栅极绝缘层以形成接触孔和开放区。
25.按照权利要求14所述的方法，其特征在于，所述第一源极和漏极区由n-型掺杂层形成，并且所述第二源极/漏极区由p-型掺杂层形成。
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