TWI298398B - Photo module - Google Patents

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TWI298398B
TWI298398B TW093104070A TW93104070A TWI298398B TW I298398 B TWI298398 B TW I298398B TW 093104070 A TW093104070 A TW 093104070A TW 93104070 A TW93104070 A TW 93104070A TW I298398 B TWI298398 B TW I298398B
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optical
optical fiber
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Yasuji Hoshino
Takashi Iida
Yoshihisa Warashina
Kei Tabata
Original Assignee
Hamamatsu Photonics Kk
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Description

1298398 玫、發明說明: (一) 發明所屬之技術領域 本發明係關於將光纖及光半導體元件做光學連接之光模 組。 (二) 先前技術 近年來,伴隨著基幹迴路之基礎建設配備之擴充,光通 訊市場中係著眼於,用戶迴路之設備、及連接用戶側迴路 及基幹迴路之設備的整備上。具體上係以期待,都會區網 路、接取系統、及學校或公司內之區域性網路(LAN)之充實 ,以及網路服務提供者內之伺服器或路由器之高速化、大 容量化等。 尤其,學校或公司內之LAN,或者網路服務提供者內之 伺服器或路由器等之光連接,被稱爲非常短到達(VSR)、或 互連(interconnection)。但是此等光連接係短距離用,因此 期待有高速大容量之訊號傳輸。另一方面,爲了期待低成 本,因此雖然提唱高速,但是對例如具有lOGbps之傳輸速 度之光連接所需的設備而言,昂貴的設備並不適合。 由於此期望,以最大2.5 Gbps程度之速度將光訊號並列 傳輸之光模組受到注目。在該光模組中,將做爲光纖陣列 之帶狀光纖及光半導體元件定位而連接時,可將複數的光 訊號並列地傳輸。但是,將該定位以調芯而進行之時,無 法實現低成本的光模組。因而,提案有以被動對準方式 (passive alignment)定位的光模組者(日本特開平7-77634號 公告、日本特開平7-151940號公告)。 1298398 第7圖係顯示以習知之被動對準方式定位的光模組之構 成例的剖面圖(參照文件「電子資訊通訊學會技術硏究報告 、LQE9 9- 130、pl-6」)。光纖92與光半導體元件94之定 位,係由光纖套接管(fenriile)91所具有的導銷95,插入黏 著到基板93所具有的導銷插入孔96中而進行者。在此, 光纖92對導銷95插通到定位後之光纖插通部上,光半導 體元件94係以和導銷插入孔96相同的光罩工程,將形成 的定位記號做爲引導部,而定位固定於基板93上。 習知的被動對準方式的光模組之中,任何光纖之安裝, 在光模組全體之組裝工程之中均在較早階段上進行。例如 ,在第7圖所示之光模組之中,將基板93做爲子基板而安 裝於電路基板上之情況下,爲了將模組之高度抑低,因而 將基板93對電路基板垂直立起而固定。此時,在將基板93 固定於電路基板之後,會使光纖套接管91對基板93的安 裝變成困難。在此,具有光纖92之光纖套接管91,及具有 光半導體元件94之基板93的安裝,係比基板93對電路基 板的固定之工程在更前面進行。 因而,安裝光纖的工程在光模組全體之組裝的較早階段 上進行之情況中,會有造成對其後之工程中的處理或自動 化之障礙的問題。例如,光半導體元件或設置有光半導體 元件的基板對電路基板進行的片結法(die bonding)、銲線接 合(wire bonding)等的工程之中,必須要有考慮安裝光纖的 專用裝置。然後,這些的問題係成爲妨礙光模組之量產化 、低成本化之要因。 -6 - 1298398 本發明係爲了解決以上之問題點而發展成功者,其目的 在提供適於量產化、低成本化之光模組。 (三)發明內容 爲了達成上述目的,本發明之光模組其特徵爲:具備有 :(1)具有設置於預定之第1面上的光半導體元件,及形 成於第1面上的第1定位部的子基板,(2)具有形成於第2 面上、將光纖定位而固定的固定溝,及相對於固定溝而設 置、並將從固定於固定溝之光纖及對應之光半導體元件之 任何一方射出的光導向另一方之凹面鏡,及形成於第2面 上的第2定位部之光纖固定構件,(3)固定於固定溝之光 纖;(4)第1定位部及第2定位部之其中一方係爲導軌、 另一方係由與導軌嵌合的導溝所形成,子基板及光纖固定 構件係由第1定位部與第2定位部之嵌合,而做定位固定 〇 上述之光模組中,由於子基板的第1定位部與光纖固定 構件之第2定位部嵌合,而使光半導體元件及光纖被定位 。因此,本光模組之中,可由被動對準方式而定位。 並且,使用導軌及導溝做爲定位部,因此可使光半導體 元件及光纖在高精度下被定位。 並且,固定光纖的光纖固定構件的第2面係配置成對設 置光半導體元件之子基板之第1面成對向。因而,可將固 定有光纖的光纖固定構件對子基板定位固定之工程,放在 將子基板在電路基板上進行片結法、銲線接合等之工程的 較後面進行。因此,不會在子基板於電路基板上進行片結 一Ί 一 1298398 法、銲線接合等之工程中產生處理或自動化之障礙,因而 可實現量產化、低成本化之光模組。並且,光纖對子基板 之第1面配置成平行,因此可將模組高度抑低。 再者,設置有凹面鏡,以做爲光纖與光半導體元件之間 的導光之光學系統。因而,從光纖與光半導體元件之任何 一方射出的光被聚光而導引到另一方,因此可實現高的光 結合率。 光模組可由:具有N個(N爲2以上之整數)之光半導體元 件之子基板,及互相平行之N個固定溝,及具有分別對N 個固定溝而設置的N個凹面鏡之光纖固定構件,及分別固 定在N個固定溝中之N條光纖所構成。該情況可將複數的 光訊號並列傳輸,因此可提供在更高速大容量下之傳輸的 光模組。 並且,光半導體元件係由與子基板爲同一材料、使用同 一之半導體製程所製成,因此可與第1定位部形成單塊。 或者,子基板具有與第1定位部爲同一之光罩製程所形成 的定位記號,光半導體元件可以定位記號做爲基準,而設 置成對子基板定位。這些情況可使光半導體元件與第1定 位部互相在高精度下獲得定位之子基板。 並且,光纖固定構件可由樹脂一體成型所製成。此情形 可使固定溝、凹面鏡、及第2定位部互相在高精度下獲得 定位之光纖固定構件。 並且,可使第2定位部形成與固定溝爲大致平行。此情 況可使第2定位部與固定溝互相地定位而形成變成很容易 1298398 並且,可使導軌朝向其長邊方向以垂直平面所截取之剖 面形狀爲推拔狀。此情況可使導軌與導溝之嵌合變成容易 〇 並且,光模組具備有:設置於光半導體元件與凹面鏡之 間、且將從光纖與光半導體元件之任何一方所射出的光朝 向另一方聚光之透鏡。此情況與由凹面鏡之聚光一起,可 使光結合率更提高。 並且,設置於子基板之光半導體元件方面,可使用光檢 出元件。此情況可使本光模組成爲光受訊模組。或者,光 半導體元件方面,可使用發光元件。此情況可使本光模組 成爲光發訊模組。 (四)實施方式 以下將以附圖詳細地說明本發明之光模組之較佳實施形 態。而,圖面之說明中,同一元件賦予同一符號,而省略 其重複說明。並且,圖面之尺寸比率不一定與說明者一致 〇 第1圖係顯示光模組之一個實施形態之構成的側面剖面 圖。將使用該第1圖而槪略地說明本實施形態光模組之構 成。本光模組係N條(N爲自然數)之光纖與N個之光半導 體元件實施光學的連接,而將光訊號並列地傳輸之光發訊 用或光受訊用之光模組。在以下說明的實施形態中,N = 4。 並且,第1圖中顯示,含有4組中之1組的光模組及光半 導體元件個別之光軸的平面所截取之剖面圖。在第1圖中 一9一 1298398 ’其左右方向係爲沿著光纖之光軸的光傳輸方向。 本光模組係具備有電路基板41、子基板(submount) 1、光 纖固定構件2、及被覆光纖陣列3 1。電路基板4 1係將子基 板1組裝用之安裝基板。並且,在電路基板4 1上組裝有訊 號處理所需之配線及電子電路等。在第1圖中,在電路基 板4 1上組裝有將電氣訊號放大而輸出之前置放大器43。 子基板1係設置光半導體元件用之基板。該子基板1係 載置於電路基板41上。並且,和子基板1之電路基板41 成相反側之面,係爲設置光半導體元件之光元件設置面(第 1面)1 6。子基板1之基板方面,例如可使用矽基板。 在光元件設置面16上設置有光二極體陣列11。該光二極 體陣列11係做爲光半導體元件之4個光二極體(光檢出元 件)1 2以一定之間距配列的光半導體元件陣列。這些光二極 體12係以對後述之光纖3的光軸成垂直的方向(第1圖垂 直於紙面的方向)做爲配列方向而設置者。並且,電路基板 41上之前置放大器43、子基板1之光二極體陣列11、及電 路基板41、設置於子基板1上之電極、配線等,分別以片 結法或銲線接合等而做電性連接。 光纖固定構件2係設置成對子基板1在與電路基板4 1成 相反之側上。並且,與光纖固定構件2之子基板1的光元 件設置面16成對向之面,則成爲固定光纖用的光纖固定面 (第2面)26。光纖固定構件2例如可爲由樹脂所一體成型 者。 在光纖固定面26上,將光纖定位而固定的固定溝4方面 -10 - 1298398 ,係形成爲互相地平行的4個V溝2 1。並且,具有以一定 之間距配列的4條光纖之被覆光纖陣列3 1對這些V溝2 1 而設置。該被覆光纖陣列31之前端部分有一段預定長度的 被覆被除去,而露出4條光纖3。然後,這些露出之光纖3 被定位固定於分別對應的V溝2 1中。 這些V溝21及固定於V溝21中之光纖3,係做成對光 纖3的光軸成垂直的方向而配列,且係對應於光二極體1 2 而以同一間距配置。並且,在光纖固定構件2上設置有: 和位於子基板1之上方且設置有V溝21的光纖固定部2a 一起,從子基板1及光纖固定部2a看去爲朝向被覆光纖陣 列3 1伸出之方向突出的陣列收容部2b。 並且,在光纖固定面26上設置有:在光纖3之個別之光 軸上、與其端面成對向的位置上的凹面鏡22。該凹面鏡22 係對個別之4個V溝21及光纖3而設置。並且,凹面鏡22 從子基板1看去,係配置於朝向對應的光二極體12之上方 的光軸上。凹面鏡22將從光纖3之端面射出的光之光路朝 向垂直下方變換約90° ,同時將該光引導而做爲平行光’ 而朝向光二極體12聚光。 在凹面鏡22與光二極體12之間設置有球面透鏡14’其 被定位成使其光軸與光二極體12之光軸一致。該球面透鏡 14可將從光纖3射出且以凹面鏡22變換光路的光,朝向對 應的光二極體1 2聚光。本實施形態中,利用這些凹面鏡22 及球面透鏡14,可構成光纖3與光二極體12之間的導光光 學系統。球面.透鏡1 4的定位係可利用、例如固定在與光二 -11- 1298398 極體陣列1 1爲同樣的半導體製程中使用抗蝕劑(resist)等所 形成的透鏡安裝用之台座上而實施。 上述之電路基板41、子基板1、光纖固定構件2等,係 收容於由框體本體部44a及位於框體本體部44a之上部的 框體蓋部44b所構成的框體45之中。在框體本體部44a之 底部4 5 a上,與組裝有電路基板41、子基板1的面相反側 的面係設置成與底部45a爲對面。 框體4 5的側部之中,在從光纖固定部2 a看去爲朝向陣 列收容部2b之側部45b上,光纖3之光軸上設置有開口 47 〇 通過被覆光纖陣列31的開口 47之中,充塡有銲錫48。 該銲錫48可將被覆光纖陣列31固定於框體45,並且可將 開口 4 7塞住而保持框體4 5的氣密性。因此,以銲錫4 8而 將被覆光纖陣列31固定之情況中,在被覆光纖陣列31之 被覆方面,以使用例如金屬化纖維一般的金屬製者較佳。 或者,朝向被覆光纖陣列31之框體45的固定亦可使用樹 脂等而進行。 與框體45之側部45b成對向的側部45c上,插通有輸出 端子42。該輸出端子42係從光二極體12將使用前置放大 器43放大的電氣訊號引導到框體外部者。 第2圖係從光纖固定構件2看去之子基板1的立體圖。 將使用該第2圖而詳細說明子基板1的構成。 在子基板1之光元件設置面16上,形成有做爲第1定位 部之互相平行延伸的2個導溝1 0。導溝1 0係將光纖3及光 -12- 1298398 二極體12以被動對準方式做定位用者。該導溝ι〇之形成 方向係爲與光二極體12之配列方向成垂直的方向。並且, 導溝1 〇係設置在與具有光纖固定構件2之第2定位部對應 的預定位置上。並且,在導溝1〇之長邊方向上以垂直平面 截取之剖面形狀,係爲寬度從光元件設置面1 6朝向子基板 1之內側逐漸地變成狹小之推拔(taper)狀。 並且,在光元件設置面16上,形成有定位記號13。該定 位記號1 3係在將光二極體陣列i丨對子基板丨定位固定之 時做爲基準之用者。定位記號1 3係對2個導溝1 0定位, 較佳爲使用與導溝1 0同一光罩製程而形成。 在對定位記號1 3爲光纖3之光傳輸方向的上游側之位置 上,設置有光二極體陣列1 1。子基板1對光二極體陣列1 1 之固定,例如可使用覆晶接合而進行。並且,做爲第1定 位部之導溝1 0係對光二極體陣列1 1定位。 第3圖係從子基板1側看去之光纖固定構件2的立體圖 。將使用該第3圖而詳細說明光纖固定構件2的構成。 在光纖固定構件2的光纖固定面26上,形成有做爲第2 定位部之互相平行延伸的2個導軌20。導軌20係利用與導 溝10之嵌合,而使光纖3及光二極體12以被動對準方式 做定位用者。該導軌20在其長邊方向上以垂直平面截取之 剖面形狀,亦爲與導溝1 〇同樣地爲從光纖固定面26朝向 子基板1之內側逐漸地變成狹小之推拔狀。該導軌20之形 成方向係與V溝21之形成方向平行。 光纖固定面26在從與光傳輸方向垂直的方向之光纖3的 -13- 1298398 配列方向看去,其中央部分形成有沿著光傳輸方向之低下 的凹狀。該凹狀部分係成爲形成固定光纖3用之V溝2 1的 V溝形成部26a。由於此種構成,可以很適當地設定:設置 於光纖固定面26上之光纖3及凹面鏡22、與設置於光元件 設置面1 6上之光二極體1 2之間的距離。 本實施形態之中,該V溝形成部26a之中光傳輸方向之 上游側部分成爲陣列收容部2b、下游側部分則成爲光纖固 定部2a。如第1圖中所述,沿著光傳輸方向形成4個V溝 21,並且在其下游側上設置4個凹面鏡22。 從光纖3之配列方向看去,V溝形成部26a之兩側成爲 個別之導軌形成部26b。上述2個導軌20被設置成在兩側 之導軌形成部26b上各一條、而將形成於V溝形成部26a 上之4個V溝21挾住。做爲第2定位部之這些導軌20係 對V溝21及固定於V溝21之光纖3定位。並且,由V溝 形成部26a及導軌形成部26b —起形成之光纖固定面26, 在光纖3之配列方向的寬度,係與子基板1的寬度大致相 同。 從光纖3的配列方向看去時,成爲導軌形成部26b之外 側的光纖固定面26之兩側上設置有個別之引導部27。該引 導部27從光纖固定面26看去,係朝向配置子基板1之側 突出,在將光纖固定構件2對子基板1定位而固定之時, 其係成爲用來引導導軌20與導溝1〇嵌合的部分。並且, 該引導部27之突出高度被設定比子基板1之高度較小。 第4圖係顯示第3圖所示之光纖固定構件2上固定有被 一 1 4 一 1298398 覆光纖陣列3 1及光纖3之狀態的立體圖。如第4圖所示, 光纖3對個別之4個V溝21而固定。該固定係在將光纖3 裝入V溝21內之後,以黏著劑黏著固定而實施。而,在固 定之時,可使用玻璃板等做爲光纖壓具。 第5圖係沿著第1圖所示之光模組的I-Ι線之正面剖面圖 。光纖固定構件2係設置成,其引導部27將子基板1從兩 側挾住,同時將光纖固定構件2之光纖固定面26之中的導 軌形成部26b與子基板1光元件設置面16相接。此時,如 第5圖所示,形成於子基板1上之導溝1〇與形成於光纖固 定構件2上之導軌20嵌合。因而,對導溝1〇定位的光二 極體12,及對導軌20定位的光纖3可以被動對準方式而定 位。 並且,光纖固定構件2與在子基板1下方的電路基板41 係使用黏著劑固定。第5圖之中顯示有,充塡在設置於光 纖固定構件2的引導部27之下面、及電路基板41的上面 之間的黏著劑4 6。 其次,將使用第1圖而說明本光模組之組合工程。首先 ,將電路基板41對框體本體部44a安裝。再者,將子基板 1及前置放大器43對該電路基板41安裝。這些安裝可使用 樹脂之片結法接合,金線或鋁線之銲線接合等而進行。 另一方面,在子基板1之安裝工程外之另外工程中,將 光纖3'對光纖固定構件2固定。然後,將導軌20嵌合到導 溝10中,而將固定有光纖3之光纖固定構件2對子基板1 做定位而固定。在該狀態下,將黏著劑46充塡到預定之空 -15- 1298398 間中,而將光纖固定構件2對電路基板41黏著固定。 最後,將被覆光纖陣列31通過開口 4 7之後,將框體蓋 部44b對框體本體部44a封閉而固定,因而完成光模組。 該封閉固定可使用樹脂進行黏著固定而實施。 將說明本實施形態之光模組的效果。本光模組之中,由 於子基板1之導溝10與光纖固定構件2之導軌20嵌合, 因而可使光纖3與光二極體12定位。因此,本光模組之中 ,可實現被動對準方式之定位。 並且,使用導溝10做爲第1定位部,且使用導軌20做 爲第2定位部。因此,可使光纖3與光二極體12在高精度 下定位。而,亦可將形成於子基板1上之第1定位部做爲 導溝,將形成於光纖固定構件2上之第2定位部做爲導軌 〇 並且,將光纖固定面2 6配置成對光元件設置面16成對 向,因此可以將固定有光纖3的光纖固定構件2對子基板 1定位而固定的工程,放在將子基板在電路基板進行的片結 法、銲線接合等之工程的較後面進行。因此’不會產生子 基板在電路基板上進行的片結法、銲線接合等之工程中之 處理或自動化之障礙,因而可實現量產化、低成本化之光 模組。並且,光纖對子基板之第1面配置成平行’因此可 將模組高度抑低。 再者,設置有凹面鏡22,以做爲光纖3與光二極體12之 間的導光光學系統。因而’從光纖與光半導體元件之任何 一方射出的光被聚光而導引到另一方’因此可實現高的光 -16- 1298398 irfr spy 尔口 口华0 並且,在本實施形態中,凹面鏡22可將來自光纖3的光 做成平行光,從而,可將來自光纖3的光從凹面鏡2 2到球 面透鏡1 4的光路變成以平行光而前進,因此使光模組的誤 差變成緩和。例如,根據使用光學模擬的計算,凹面鏡22 與光二極體12的位置關係在±40/zm程度移動之時,亦可 獲得光結合的結果。而,凹面鏡22並不限定將反射光做成 平行光。 並且’依照本光模組的話,可將光纖3與光二極體1 2分 別設置複數個,因此可將複數個光訊號並列地傳輸。因而 ’可實現在更高速大容量下之傳輸的光模組。 並且,在光二極體12與凹面鏡22之間設置有聚光用的 球面透鏡1 4。因此,可實現高的光結合率。但是,在僅以 凹面鏡22即可獲得充分的光結合率之情況下,亦可不設置 球面透鏡14。例如,以使用芯徑爲1〇//m之單模光纖做爲 光纖3之情況,或者使用光二極體1 2之光檢出徑充分地大 之情況等。 並且,球面透鏡1 4的定位係可利用、例如固定在與光二 極體陣列1 1同樣的半導體製程中使用抗蝕體等而形成的透 鏡安裝用之台座上而進行。因此,可使球面透鏡14在± 1〜2 M m以下之精度而定位。 並且,定位記號1 3及導溝1 0係以同一之光罩製程而形 成之情形,可使定位記號1 3對導溝1 0在± 1〜2 /z m以下之 精度而定位。從而,在該情況下,可使光二極體陣列1 1與 1298398 導溝1 〇互相在高精度下定位。 而,光二極體陣列11係由與子基板爲同一材料、使用同 一之半導體製程所製成之時,可與導溝1 〇形成單塊晶片。 依此形成之情形下,亦可使光二極體陣列1 1與導溝10互 相在高精度下定位。此時,不需要定位記號13之故,亦可 不必形成。 並且,光二極體陣列1 1 .及子基板1的固定係使用覆晶接 合而組裝之情形下,可在It 5 V m以下之精度而定位。 並且,光纖固定構件2以樹脂一體成型之情況時,可將 V溝21及凹面鏡22分別之間距、V溝21與凹面鏡22之 相對位置關係、及導軌20與V溝2 1之相對位置關係,以 ±5/zm以下之精度下而高精度地做成。而,光纖固定構件 2可使用金屬射出成型(MIM)而一體成型。在此成型之情況 下,可與由樹脂一體成型之情形爲同樣的高精度下製出。 並且,在光纖固定構件2中,光纖3及凹面鏡22之間可 充塡具有折射率整合特性之黏著劑。因而,可抑制來自光 纖3之前端的反射光。 並且,導軌20形成與V溝2 1大致爲平行。因此,導軌 20與V溝21可以容易地定位而形成。再者,導軌20係在 位於V溝2 1的兩側上之導軌形成部26b上以各一條而形成 ,因此,可使子基板1與光纖固定構件2做高精度的定位 〇 並且,可將導溝10及導軌20朝向其長邊方向以垂直平 面截取之剖面形狀做成推拔狀。因此可使導溝1 0與導軌20 1298398 之嵌合變成容易。並且,在光纖固定構件2上設置有引導 部27,因此可使導溝1 0與導軌20之嵌合僅以輕鬆接觸即 可容易地進行。 但是,導軌與導溝嵌合,而使光纖與光半導體元件定位 的光模組亦揭示於日本特開平7-77634號公告、日本特開 平7- 1 5 1 940號公告之中。 在日本特開平7-77634號公告中記載有,將形成在固定 光纖的基板上之導軌,與直接形成於光半導體元件上的導 溝嵌合,可使光纖與光半導體元件以被動對準方式定位之 光模組。 但是,在該光模組之中,光纖與光半導體元件係配置成 沿著同一之光軸而構成。因此,在基板上沿著光軸必須在 光纖的固定部分之外再加上設置光半導體元件的設置部分 。從而,有無法使該光模組小型化的問題。 相對於此,本發明之光模組中,設置有將從光纖3射出 的光之光路變換的凹面鏡22,因而可將來自光纖3的光射 入到與光纖固定面26成對向的位置上之光二極體12中的 構成。因此,沒有必要設置光二極體1 2之設置部分。從而 ,本光模組可被小型化。 並且,在日本特開平7- 151 94 0號公告之中記載有,在光 纖固定構件及子基板之外,設置有定位用之基板的光模組 但是,在該光模組之中,定位部不僅對光纖固定構件2 及子基板而已,亦必須形成於基板上。因此,會使定位部 1298398 之形成工程、進而光模組全體之製造工程變成複雜。並且 ,將定位部彼此之嵌合場所獨立而有2個地點(光纖固定構 件-基板間、及子基板基板間之2個地點),因此有定位部 之誤差會被放大的問題。 相對於此,本發明之光模組中,設置有僅用於子基板1 及光纖固定構件2的定位部10,20,將這些直接地嵌合時可 進行定位。因此,本光模組不僅製造工程簡單化,而且可 在高精度下定位。 並且,被動對準方式的光模組方面亦可考慮、例如第6 圖之構成。第6圖之光模組中,光纖82及光半導體元件84 之定位,係利用同一光罩製程在基板8 1上形成的V溝與定 位用記號而進行。在基板81上設置有將光引導於光纖82 及光半導體元件84之間的平面鏡85。 但是,在該光模組之中,光纖82係進入光半導體元件84 之下方,因此在將光纖82黏著固定於V溝之後,光半導體 元件84將定位用記號做爲引導而進行覆晶組裝。因此,會 造成在光半導體元件84之覆晶組裝的工程中之處理或自動 化的障礙。從而,該光模組會有無法量產化、低成本化等 之問題。 相對於此,第1圖之光模組之中,將子基板1對電路基 板進行片結法接合、銲線接合等之後,可將固定有光纖3 的光纖固定構件2對子基板1做定位固定。因此,本光模 組可達成量產化、低成本化。 再者,在第6圖之光模組中,光半導體元件84之裏面( -20- 1298398 與光檢出元件爲相反側之面)變成浮動。因此,有來自光半 導體元件8 4之放熱無法有效地進行的問題。此事、尤其在 使用VCSEL (垂直空室表面射出之雷射)等之發熱量多的元 件之情形,係造成光模組之動作不穩定之要因。 相對於此,第1圖之光模組之中,光二極體1 2係設置於 子基板1上,因此其裏面不會變成浮動。因而,本光模組 可使來自光二極體1 2之放熱有效地進行。 並且,在如第6圖及第7圖所示之光模組之中,因爲不 使用凹面鏡等之聚光光學系統,因而有光結合率低之問題 。即,考慮到2.5Gbps程度之高速動作之情形,光半導體 元件84,94方面,通常係使用檢出徑爲40〜8〇em者。另一 方面,沿著從光纖82,92到光半導體元件84,94之光軸的距 離,在第6圖中必須在光纖之包層的徑(125 /zm)以上,在 第7圖中必須在使用於接合用的銲線之圈狀高度(約1〇〇从m) 以上。其結果,光半導體元件84,94上之點銲徑,在芯徑62.5 //m、開口數0.275之情況下爲117.5em,在芯徑50/zm之 情況下爲92 # m,因此在光半導體元件84,94之中,無法檢 出全光量。尤其使用芯徑及開口數大的多模光纖之情況之 時,會使光結合率更降低。 相對於此,第1圖之光模組之中,來自光纖3的光係利 用凹面鏡22而引導到光二極體12且進行聚光’因此可實 現高的光結合率。 將說明本發明之光模組的光學設計之一例° @ ’係、推 想使用芯徑62.5/zm、開口數0.275之多模光纖做爲光纖3 1298398 、且使用2.5Gbps可高速動作之光檢出徑爲80//m者做爲 光二極體1 2之情況。並且,在光二極體陣列1 1中之光二 極體1 2的配列間距爲2 5 0 // m。 在該情況,爲了防止來自1條光纖3的光被射入到2個 以上之光二極體1 2的光檢出部上之所謂串線千擾’考慮邊 緣部分,必須將光束的擴散抑制在200 // m以下。因此,光 纖3與凹面鏡22之間隔係以25 0 /zm做爲上限。
另一方面,凹面鏡22與光二極體12之間隔,即使在不 設置球面透鏡1 4之情況下,必須考慮到接合銲線之空間而 做成25 0 /zm以上。另外,也必須考慮到從凹面鏡22之反 射中心到光纖3的距離,因此,凹面鏡22與光二極體12 之間隔,必須做成在312.5 # m以上。而,以設置玻璃板等 而做爲光纖押具之情況中,必須考慮其厚度,因此其間隔 之下限値變成比3 1 2 · 5 /z m更大。
由以上之說明,在本發明之光模組中,凹面鏡22與光二 極體1 2之間隔係變成比光纖3與凹面鏡22之間隔更大, 因而變成放大之光學系統。即使將前者之間隔做爲上限値 之25 0 //m,將後者之間隔做爲下限値之312.5#m而構成之 情況時,放大倍率成爲1.25,直徑爲62.5/zm之芯的像成 爲在光二極體12上之徑78#m的像。此時,光二極體12 之光檢出徑雖然爲80 ,但是考慮各構件1,2之製造及其 等之組合時的公差時,欲實現10%的光結·合率係很困難。 因此,在本光模組中,係利用設置凹面鏡22等之聚光光 學系統,而將來自光纖3的光進行聚光之後導向光二極體12 -22 - 1298398 之構成。因此,本光模組中,可實現100%的光結合率。 而,在第1圖〜第5圖所示之光模組之中,雖然表示光纖 3之條數及光二極體12之個數等之N係爲4,但是該個數 N亦可適當地設定。將N設定爲2以上之情形,如上所述 ,可將複數之光訊號並列地傳輸,因此變成可以更高速且 大容量之傳輸。並且,將N設定爲1之情形,在光纖3與 光二極體12之定位等方面,亦可達成與第1圖〜第5圖所 示之光模組同樣的效果。 並且,在光半導體元件方面,亦可使用光二極體12以外 的光檢出元件,或者亦可使用VCSEL等之發光元件。使用 發光元件之情形,凹面鏡22將從發光元件射出的光引導向 光纖3,並且球面透鏡14將從發光元件射出的光進行聚光 〇 產業上利用之可能性 本發明之光模組係可利用做爲適合量產化、低成本化之 光模組。亦即,在本發明之光模組之中,利用第1定位部 及第2定位部之嵌合,可使光纖與光半導體元件被定位。 因此’可實現以被動對準方式的光纖與光半導體元件之定 位。 並且’使用導軌及導溝做爲定位部之故,因而可使光纖 與光半導體元件在高精度下被定位。 並且’可將固定有光纖的光纖固定構件對子基板定位而 固定之工程,放在將子基板在電路基板上進行的片結法、 -23- 1298398 銲線接合等之工程的較後面實施。因此,可實現適合量產 化、低成本化之光模組。並且,光纖對子基板之第1面配 置成平行,因此可將模組高度抑低。 再者,設置有凹面鏡,以做爲光纖與光半導體元件之間 的導光之光學系統。因而,從光纖與光半導體元件之任何 一方射出的光被聚光而導引到另一方,因此可實現高的光 結合率。 (五)圖式簡單說明 第1圖係顯示光模組之一個實施形態之構成的側面剖面 圖; 第2圖係具備有第1圖所示之光模組的子基板之立體圖 9 第3圖係具備有第1圖所示之光模組的光纖固定構件之 立體圖; 第4圖係顯示光纖固定在第3圖所示之光纖固定構件上 的狀態之立體圖; 第5圖係沿著第1圖所示之光模組的u線之正剖面圖; 第6圖係顯示利用被動對準方式之光模組之構成例的側 面剖面圖; 第7圖係顯示利用先前技術之被動對準方式之光模組之 構成例的側面剖面圖。 兀件符號說明 1 子基板 2 光纖固定構件 一24- 1298398 2a 光 纖 固 定 部 2b 陣 列 收 容 部 3 光 纖 10 導 溝 11 光 二 極 mm 體 陣 列 12 光 二 極 體 13 定 位 記 號 14 球 面 透 鏡 16 光 元 件 設 置 面 20 導 軌 2 1 V 溝 22 凹 面 鏡 26 光 纖 固 定 面 26a V 溝 形成 部 26b 導 軌 形 成 部 27 引 導 部 3 1 被 覆 光 纖 陣 列 41 電 路 基 板 42 輸 出 上山 子 43 刖 置 放 大 器 44a 框 體 本 體 部 44b 框 體 蓋 部 45 框 體 45a 底 部 -25 - 1298398
45b 側部 45c 側部 46 黏著劑 47 開口 48 婷錫 8 1 基板 82 光纖 84 光半導體元件 85 平面鏡
-26

Claims (1)

  1. I298i9)&104070號專利申請案 中文申請專利範圍替換本(96年12月), ^ Η ιΑ 拾、申請專利範圍: 1 · 一種光模組’其特徵爲具備有: 子基板,其具有設置於預定之第1面上的光半導體元 件及形成於該第1面上的第1定位部; 光繊固定構件,其具有形成於預定之第2面上、將光 織定位而固定的固定溝,及相對於該固定溝而設置、將 從固定於該固定溝之光繊及相對應之光半導體元件之任 何一方射出的光導向另一方所用之凹面鏡,及形成於該 第2面上的第2定位部; _ 固定於該固定溝之光繊; 該第1定位部及第2定位部係其中一方爲包含導軌、 另一方係包含與導軌嵌合的導溝; 該子基板及該光繊固定構件係利用該第丨定位部與該 第2疋位部之後合而做定位且固定; 且具備设置於該光半導體元件與該凹面鏡之間、將從 該光繊與該相對應之光半導體元件之任何一方所射出的 光朝向另一方聚光之透鏡。 2·如申請專利範園第丨項之光模組,其中具備有·· 具有N個(N爲2以上之整敷)之光半導體元件之子基 板;及 土 、'具有互相平行之N個該固定溝,及分別對N個該固定 溝而设置的N個該凹面鏡之該光繊固定構件,·及 分別固定在N個該固定溝中之N條該光纖。 27 1298398 3·如申請專利範園第丨項之氺煊 y 貝之九模組,其中該光半導體元件 係由與子基板爲同一材料 何种使用同一之半導體製程所製 成,因此可與該第丨定位部形成單塊。 4.如申請專利範園第!項之光模組,其中該子基板具有與 第1定位部爲同一之光罩製程所形成的定位記號,該光 半導體元件可以3亥定位記號做爲基準,而設置成對該子 基板定位。 如申明專利|&園第i項之光模組,其中該光繊固定構件 係由樹脂一體成型所製成。 镛 如申明專利園第i項之光模組,其中該第2定位部係 形成與該固定溝爲大致平行。 申-月專利範園帛1項之光模組,其中該導軌垂直於其 長邊方向的平面之剖面形狀爲推拔状。 8·如申請專利範園帛1項之光模組,其中該光半導體元件 爲光檢出元件。 9·如申叫專利範園第丨項之光模組,其中該光半導體元件 爲發光元件。 28
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