TWI295857B - In situ vacuum method for making oled devices - Google Patents

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TWI295857B
TWI295857B TW91133380A TW91133380A TWI295857B TW I295857 B TWI295857 B TW I295857B TW 91133380 A TW91133380 A TW 91133380A TW 91133380 A TW91133380 A TW 91133380A TW I295857 B TWI295857 B TW I295857B
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Louis Boroson Michael
A Van Slyke Steven
Giuseppe Pignata Aneglo
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Eastman Kodak Co
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Description

(i) 1295857 玖、發明說明 (發明說明應敘明··發明所屬之技術領域、先前技術、内容、實施方式及圖式簡單說明) 技術領域 發明領域 本發明係有關OLED裝置之製造。 先前技術 發明背景 具有彩色像素諸如紅色、綠色及藍色像素(一般稱為Rgb %像素)陣列之彩色或全色彩有機電致發光(EL)顯示器(亦 稱為有機發光二極體裝置,或OLED裝置)中,產生色彩之 有機EL媒質需準確地圖案化,以製得RGB像素。基本之〇led 裝置一般具有陽極、陰極及夾置於該陽極與陰極之間的有 機EL媒質。該有機EL媒質可由一或多層有機薄膜構成, 其中一層主要用以發光或電致發光。此一特別層通常稱為 有機EL媒質之發射層。其他存在於該有機EL媒質中之有 機層主要提供電子輸送功能,且稱為電洞輸送層(輸送電 洞)或電子輸送層(輸送電子)。於全色彩〇LED顯示面板中 形成RGB像素時,需想出一個使有機EL媒質之發射層或整 體有機E L媒質準確地圖案化之方法。 一般,電致發光像素係藉由蔭罩式技術形成於該顯示器 上,諸如US-A-5,742,129所示。雖然此種方式有效,但具有 許多缺點。難以使用蔭罩法達到高解析度像素尺寸。而且, 基材與蔭罩幕之間存有校準之問題,需謹慎地於適當之位 置中形成像素。當期望增加基材尺寸時,難以操作該蔭罩 幕以形成適當定位之像素。陰罩式方法之另一缺點是罩孔 1295857 _ (2) 發明說明續頁 會隨時間而阻塞。該罩幕上被阻塞之孔於該el顯示器上導 致無法作用之像素的負面結果。 適於使高解析度OLED顯示器圖案化之方法已揭示於 Grande等人之US-A-5,851,709中。此種方法包括下列次序之 步驟:1)提供具有相對之第一及第二表面的基材;2)於該 基材之第一表面上形成透光隔熱層;3)於該隔熱層上形成 吸光層;4)於該基材上配置自該第二表面向該隔熱層延伸 足開口陣列;5)於該吸光層上形成可轉移色彩形成有機供 體層;6)準確地校準該供體基材與該顯示基材,使該基材 中之開口與該裝置上對應之彩色像素之間成配向關係;及 7)採用輻射源,於位在開口上之吸i光層上產生充分之熱, 使得位於該供體基材上之有機層轉移至該顯示基材上。 Grande等人之研究的問題在於需於供體基材上進行開口陣 列之圖案化。此種情況產生許多與蔭罩幕方法相同之方 法’包括供體基材及顯示基材之間需準確機械化地校準。 另一項問趋係為供體圖案固定,無法輕易地改變。 使用未經圖案化之供體元件及準確之光源諸如雷射,可 解決經圖案化供體所發生的部分困難e Littman&Tang(US-A-5,688,55 1 )教示有機EL材料自未經圖案化之供體板至EL 基材的圖案轉移。Wolk等人之一系列專利(US-A-6,1 14,088 ; US-A-6,140,009 ; US-A-6,214,520 B 1 ;及US-A-6,221,553 B 1)教 示一種方法,可藉由雷射光束加熱該供體之特定部分,使 EL裝置之發光層自供體元件轉移至基材。 於共讓受US-A-5,937,272中,Tang教示一種藉由EL材料之 1295857 _ (3) 發明說明續頁 氣相沉積而使多色彩像素(例如紅、綠、藍亞像素)圖案化 於薄膜電晶體(TFT)陣列基材上的方法。該EL材料係經由 位在載m上之供fj»塗層及孔眼罩幕(aperture mask)於基材上 沉積特定圖案。該孔眼罩幕可為位於供體層與基材之間的 個别貫體(如一述專利之圖1 ),或可收納於該供體層内(如 前述專利之圖4、5及6)。 琢EL材料轉移以於減壓下進行為佳,使用諸如丁ang描述 於前述專利中之输室。該供體層(及孔眼,若分隔)及基材 需保持極為接近。例如,Tang顯示孔眼或供體層保持接近 或位於被動層上’因此供體層與底部電極所需供體靶極之 間1存有一較佳距離。使用具空或降壓有利於EL材料自供體 轉移至該基材。於轉移期間使用該種條件亦有利於部分對 於氧及/或/熙氣敏感之EL材料。例如,已知使用於〇led裝 置中之經基4淋铭(Alq)與水反應。此外,使用於小分子 及聚合物E L裝置上之電極材料於空氣中極不安定、。於轉移 步,驟期間使用真空有助於降低〇LED裝置故障率。此外, 在Littman、Tang及Wolk所教示之方法中,會發生〇led裝置 損失之原因是供體材料在轉移至基材之前降解。該供體材 料通常係自其製備部位傳送至將其轉移至基材的部位。此 時可能發生供體被氧、濕氣、及/或其他氛圍成份污染之 情況。此情況會導致自該供體製備之〇LEr)顯示器的良率 降低。 發明内容 因此,本發明之目的係提供一種不需使用孔眼罩幕的方 1295857 . 法。 本發明另一目的係提供一種方法,其使用供體元件,但 不會有在欲使用供體元件之遙遠位置配置該供體元件且在 不使該供體元件污染或受損地輸送該供體元件時所產生的 問題。 本發明另一目的係提供一種改良之無蔭罩幕方法,其可 有效地用以製造全色彩OLED顯示器。 此項目的係藉由一原處真空方法達成,其製造-至少一 部分-濕度或氧·敏感性OLED裝置,該方法係包括下列步 驟: a) 於一真空塗覆器中配置一接收元件,其形成該OLED裝 置之一部分; b) 於該真空塗覆器中配置一供體載體元件,塗覆該供體 載體元件,以產生具有製得所有或部分OLED裝置所需之 一或多料層的供體元件; c) 將該供體元件之塗面與欲塗覆之接收元件放置成材料 轉移之關係;及 d) 施加輻射於該供體元件,以於真空中自該供體元件選 擇性地轉移一或多層料層至該接收元件上。 實施方式 優點 本發明所描述之方法的優點在於可用於製造〇LED裝 置,而不導入濕氣、氧、或其他氛圍成份且不使用蔭罩幕。 根據本發明,供體元件係使用與自供體元件將材料轉移 -9-
1295857
至OLED接收元件所使用者相同之真空塗覆器製造 情況提供數項優點,包括降低供體儲存及輸送之需求’多 減低伴生之}亏染物;降低或消除供體面與該供體之載禮面 接觸所致之損傷及污染;及降低保持該供體的需求。 十 另一優點係為此種方法可完全自動化,包括供體及基讨 媒質操作。本發明適合在具有許多〇LEI)顯示裝置之大裂 " 區域上形成有機層,其係包括於形成過程中,因而增加it 量。 φ OLEDI置,一辭係意指包括有機發光二極體之裝置,I 時稱為電致發光裝置,及EL裝置,如同丁ang於共讓受115-A-5,937,272及 Littman及 Tang於共讓受 US_A_5,688,55 1 中所述0 “顯示器,,或‘‘顯示面板,,一辭係用以表示可電子顯示影像或 文字之螢幕。“像素,,一辭於技藝界中係用以指稱顯帝面板 可被激勵而與其他區域獨立地發光的區域。“多色彩,,_辭 係用以描述可於不同區域發射不同色澤之光線的顯示面 板。尤其用以描述可顯示具有不同顏色之影像的顯示面 板。此等區域並非必要連續。'全色彩,,—辭係用以描述可罾 發射可見光譜中之紅、.綠及藍色區且於任何色澤組合下顯 示影像的多色彩顯示面板。該紅、綠及藍色構成三原色, 可藉由適當地混合此三原色而生成所有其他色 Τ 不同色澤具有視覺可 以表示顯示面板中最 像素或亞像素之間沒
意指在可見光譜内之發光強度曲線, 辨視之色差。像素或亞像素通常係用 小可定址單元。就單色顯示器而言, 有分別。“亞像素”一辭係使用於多 (6) 1295857 發^明說明績頁, 用以指稱像素可獨々仝 止以赉射特定色彩之任何部分。例 如,藍色亞像素係A /多卡 — 京係為像素可定址以發射藍光之部分。全色 彩顯示器中,像素通當4 、 、 匕括二原位亞像素,即藍、綠及紅。 “螺距’’ 一辭係用以差+ 士 β 一 、 、 #'在_示面板中分隔兩像素或亞像素 之距離。因此,亞像去 素螺距思扣兩亞像素之間的間距。 圖1係為本發明第一且贼余、 具姐貫例足剖面視圖,其中佴體載 體元件30之塗覆及到逵拄 、 運接收το件42足轉移係於相同柚真空 艙中進行。真空塗覆器10係為本文所描述之密閉裝置:、使 得供體載體元件30藉諸如氣相沉積而塗覆,所塗覆之材料 隨之於真空條件下藉諸如熱轉移而轉移至接收元件。上。 驗室或任何數量之艙室,其可藉負 諸如隧道或緩衝艙連接,以在不曝 真空塗覆器10可包括— 載鎖或相同作用之裝置 路於非真2條件足情沉下傳送該供體元件及接收元件。本 文所使用之“真空,,一辭意指i托耳或更低之壓力。真空塗 覆器1 0係藉真空泵1 2保持於真空下。真空塗覆器丨〇包括負 載鎖1 4,其係用以於艙内裝入供體載體元件3 〇。真空塗覆 器1 0亦包括負载鎖1 6,其係用於卸除使用過之供體元件 3 1。負載鎖1 4及1 6係自真空塗覆器丨〇導入及移除材料而不 使外界環境污染内部條件之裝置。真空塗覆器丨〇之内部係 包括塗覆站2 0及轉移站2 2。塗覆站2 〇係位於真空塗覆器1 〇 内’以藉諸如氣相沉積塗覆供體載體元件3 〇的位置。轉移 站2 2係位於真空塗覆器1 〇内,以寶助經塗覆之材料諸如藉 熱轉移而轉移至接收元件4 2的位置。 供體載體元件3 (H系藉負載鎖1 4導入真空塗覆器1 〇内。供 • U - 1295857 ⑺ 發明說明績頁 體載體元件3 0係為可藉諸如氣相沉積或濺射接收塗層 可隨之藉由諸如熱轉移以轉移所有或部分塗層的元件 體載體元件3 0可視情況藉供體載體3 2承載。供體載體 30係藉機械裝置轉移至塗覆站20。塗覆站20係包括塗 置3 4。塗覆裝置3 4可包括任何可於真空中塗覆材料 置,包括但不限於蒸發及濺射。此可為例如氣相沉積 諸如US-A-6,237,529所描述者,或任何其他可於真空中 材料之裝置。若欲於一層中塗覆多種材料,例如主體 雜劑材料,則該材料可混合且自單一來源沉積,或可 多種來源,將不同材料放置於値別來源。此外,可於 塗覆器i 1 0内於不同時間使用多個來源,以於供體載體 3 0或於接收元件42上塗覆個別層,或可用以塗覆附加 載體元件3 0。塗覆器3 4被啟動(例如,將所需之材料 以使之蒸發)且供體載體元件3 0均勾地塗覆材料,使 入供體元件3 1内。供體元件3 1係為塗覆有一或多種可 整體或部分諸如藉熱轉移而轉移之塗層。 該供體載體元件3 0可由數種材料中之任何一種或材 合物製得,其至少符合下列要求:供體載體元件3 0需 充分可撓性且具有適當之拉伸強度,以於進行本發明 受塗覆步驟及載體載體自滾筒輸送至滾筒或層合板輸 供體載體元件3 0需可於在一側面上加壓的同時輻射-; 感應轉移步驟中及於用以移除揮發性成份諸如水蒸汽 何預熱步驟中保持結構完整性。此外,供體載體元件 可於一表面上接收相對薄之材料塗層,使得該塗層在 ,且 。供 元件 覆裝 之裝 裝置 塗覆 及摻 使用 真空 元件 供體 加熱 其進 隨之 料組 係為 時容 送。 r口熱- 的任 30需 經塗 -12- (8) 1295857 發明說明續頁 覆載體之預定儲存周&、 仔周期内不會降解 材料包括例如金屬薄箱、塑料 。匕等要求之載體 雖然適當之載體材料 、 哉維強化塑料薄箔。 3選擇可視已知、 已知當構成可用以進行本發明之〜=程研究而定,但 一步考慮特定載體材料 a栽隨疋件30時,需進 Μ在塗覆材料之前會需要多階清洗及j η,供體載體元件 > 載體材料係為輻射穿漆# 面製備過程。若該 1丁牙透性材料,則冬 源之輻射閃光諸如來自 ^ 來自適當之輻射 木目適當之雷射的雷 體元件30内或其表面 田射先時,於供體載 上收納輻射吸收,降 地加熱供體載體元件^ η 何料有利於更有效 月足疋件30,且促進材料 — 接收元件42。 ,、把疋件3 1轉移至 典型OLED裝置可本古π — 旦』〇有下列薄層, 電洞注射層、電洞輸逆 荻序為·陽極、 % w卿运層 '發光層、 塗覆於供體載體元件30 輸、層、及陰極。 輸送材料、電子輸送材料、-射材科、電润 料、陰極材料、輻射 心十%極材 ⑴久叹性材科、或任何 物。該材料可為濕产 严 < ·,且合 ·— 濕度及/或氧敏感性,意指存有水、水茨 /1、或乳時,會對該材料之处 -、 月匕或口口夤產生負面影塑 Λ 雖非始終必要,但絲當 、、 一、,·工了不有機發光顯示中配置電洞注 n /王射材科可用以改善後續有機層之薄膜形成 、具助於將電洞注射於該電洞輸送層内a適用於電洞 人射k〈材料係、包括但不限於υ3·Α·4,·,432所述之樸琳化 合物、及us-A-6,208,075 B1所述之電聚沉積氟碳聚合物。 -13. 1295857 (9) —--- 發明說明續夏、 記載可使用於有機EL裝置中的備擇電洞注射 何料係描逑於 EP 0 891 12 1 A1 及 EP 1,029,909 A1 中。 、 電洞輸送(ΗΊΠ材料 可作為塗覆材料之電洞輸送材料已知包括仆人 σ物諸如芳
族三級胺’其中已知後者係為含有至少一個僅鍵結於藏原 子之三價氮原子之化合物,其中至少一氮原子係為芳^環 之一員。於一型式中,該芳族三級胺可為芳基胺,諸如單 芳基胺、二芳基胺、三芳基胺、或聚合芳基胺。例示單體 三芳基胺係由Klupfel等人說明於US-A-3,180,730中。其他經 一或多個乙婦基取代且/或包含至少一個含活性氫基團的 適當二芳基胺係由Brantley等人揭示於us-A-3,567,450 &US-A-3,658,520 中。 更佳之芳族三級胺係為如US-A-4,720,432及US-A-5,061,569 所述般地包括至少兩個芳族三級胺部分者。該化合物係包 括·由結構式(A)所示者:
其中: Q 1及Q2個別遥自芳族三級胺部分;且 G係為碳對碳鍵結之連接基團諸如伸芳基、伸環烷基、 戒伸坑基。 於一具體貫例中,Q 1及Q2中至少一者含有多環稠合環結 構,例如莕。當G係為芳基時,傳統上其係為伸苯基、伸 聯笨基或莕基部分。 -14- 1295857 (10) 發明說明續頁
滿足結構式(A)且含有兩個三芳基胺部 基胺類型係由結構式(B)表示: 1 、 R2
I B Ri — C一R3 R4 其中: R i及R2個別表示氫原子、芳基、或烷基 表示構成環烷基之原子;且 R3及R4個別表示芳基,其依序經由經二 所取代,如結構式(C)所示: C 其中= 115及R6係個別選擇之芳基。 於一具體實例中,R5或R0中至少一者含a 構,例如茶。 另一類芳族三級胺係為四芳基二胺。期 包括兩個經由伸芳基連接之二芳基胺基,ί 可使用之四芳基二胺係包括通式(D)所示者
D 其中:
分的可使用三芳 ,或R ^及R 2 —起 芳基取代之胺基 I*多環稠合環結 望四芳基二胺係 皆如式(C)所示。 -15- 發明說明續頁 1295857 (ii) 各個Are係為個別選擇之伸芳基,諸如伸苯基或慈部分; η係為由1至4之整數,且
Ar、R7、118及R9係為個別選擇之芳基。典型具體實例中, Ar、R7、R8及R9中至少一者係為多環稠合環結構,例如莕。 前述結構式(A)、(B)、(C)及(D)之各種烷基、伸烷基、 芳基及伸芳基部分可依序經取代。典型取代基係包括烷 基、烷氧基、芳基、芳氧基、及鹵素諸如氟、氯、及溴。 各種烷基及伸烷基部分一般含有由約1至6個碳原子。該環 烷基部分可含有由3至約1 0個碳原子,但一般含有五、六、 或七個環碳原子,例如環戊基、環己基、及環庚基環結構。 該芳基及伸芳基部分通常係為苯基及伸苯基部分。 該電洞輸送層可由單一芳族三級胺化合物或其混合物形 成。詳言之,可採用三芳基胺,諸如滿足式(B)之三芳基 胺,結合以四芳基二胺,諸如式(D)所示者。當三芳基胺 與四芳基二胺結合使用時,後者係配置成夾置於三芳基胺 與電子注射及電子輸送層之間的層狀。可使用之芳族三級 胺的說明例如下: 1,1-雙(4-二-對-甲苯基胺基苯基)環己烷 1,1-雙(4-二-對-甲苯基胺基苯基)-4-苯基環己烷 4,4’-雙(二苯基胺基)四苯 雙(4-二甲胺基-2 -甲基苯基)-苯基甲烷 N,N,N-三(對-甲苯基)胺 4-(二-對-甲苯基胺基)-4’-[4-(二-對-甲苯基胺基)苯乙晞] j 氐 發明說明續頁 1295857 (12) >1,11^’3’-四-對-甲苯基-4-4’-二胺基聯苯 N,N,N’,N’-四苯基- 4-4、二胺基聯苯 N-苯基咔唑 聚(N -乙晞基17卡也),及 >1,>1’-二-1-萘基->^,>^’-二苯基-4,4、二甲基聯苯。 4,4’-雙[N-(l-萘基)·Ν-苯基胺基]聯苯 4,4”-雙[N-(l-莕基)-Ν-苯基胺基]對-聯三苯 4,4’-雙[Ν-(2-莕基)-Ν-苯基胺基]聯苯 4,4’-雙[Ν-(3-荒基)-Ν-苯基胺基]聯苯 1,5-雙[N-(l-莕基)-Ν-苯基胺基]莕 4,4’-雙[Ν-(9-慧I基)-Ν-苯基胺基]聯苯 4,4,’-雙[N-(l-蒽基)-Ν-苯基胺基]-對-聯三苯 4,4’-雙[Ν-(2-菲基)-Ν-苯基胺基]聯苯 4,4’-雙[Ν-(8-螢蒽基)-Ν-苯基胺基]聯苯 4,4’-雙[Ν-(2-芘基)-Ν-苯基胺基]聯苯 4,4’-雙[Ν-(2-丁省基)-Ν-苯基胺基]聯苯 4,4’-雙[Ν-(2-茈基)-Ν-苯基胺基]聯苯 4,4’-雙[N-(l-暈苯基)-Ν-苯基胺基]聯苯 2.6- 雙(二-對-甲苯基胺基)莕 2.6- 雙[二-(1-莕基)胺基]莕 2.6- 雙[N-(l-萘基)-Ν-(2-萘基)胺基]萘 Ν,Ν,Ν’,Ν’-四(2-莕基)-4,4”-二胺基-對-聯三苯 4,4’-雙{Ν-苯基-N-[4-(l-莕基)-苯基]胺基}聯苯 4,4’-雙[Ν-苯基-Ν-(2-芘基)胺基]聯苯 1295857 _ (13) #明說明續頁 2,6-雙[Ν,Ν-二(2-莕基)胺]氟 1,%雙[N-(l-萘基)-Ν-苯基胺基]萘。 另一類可使用之電洞輸送材料係包括多環芳族化合物, 如ΕΡ 1 009 〇41所述。此外,可使用聚合電洞輸送材料,諸 如聚(Ν-乙晞基叶唑)(PVK)、聚噻吩、聚吡咯、聚苯胺、 及共聚物諸如聚(3,4-乙二氧基,塞吩)/聚(4-笨乙晞磺酸 酯),亦稱為PEDOT/PSS。 發光材料 可作為塗覆材料之發光材料係已知。如US-A、4,769 292及 1^-八-5,93 5,721所更充分描述,有機£]^元件之發光層(^£[) 係包括發光或螢光材I料’其中因為電子-電洞對於此區域 中重組,而導致電致發光。該發光層可包括單—材料,但 更常係由摻雜有客體化合物或化合物等之主體材料,其中 光發射主要係來自摻雜劑且可為任何顏色。發光層中之主 體材料可為下文所定義之電子輸送材料、前文所定義之電 洞輸送材料、或其他支持電子-電洞重組之材料。該摻雜 劑通常係選自高螢光性染料,但亦可使用燐光化合物,例 如 WO 98/55561、WO 00/18851、WO 00/57676及 WO 00/70655所 述之過渡金屬錯合物。摻雜劑一般係為在主體材料中〇〇 i 至10重量百分比之塗層。 選擇染料作為摻雜劑之重要關係係為能帶隙之比較值, 足義為分子最高佔用分子軌道與最低未佔用分子軌道之間 的能量差。就自主體至摻雜劑分子之有效能量傳送而言, 必要條件係為摻雜劑之能帶隙小於主體分子者。 » 18- 發明說明績頁 1295857 (14) 已知可使用之主體及發光分子係包括-但不限於-US-A-4,768,292 ; US-A-5,141,671 ; US-A-5,150,006 ; US-A-5,15 1,629 ; US-A-5,294,870 ; US-A-5,405,709 ; US-A-5,484,922 ; US-A- 5,593,788 ; US-A-5,645,948 ; US-A-5,683,823 ; US-A-5,755,999 ; US-A-5,928,802 ; US-A-5,935,720 ; US-A-5,935,721 ; &US-A-6,020,078所揭示者。 8 -羥基喳啉之金屬錯合物及類似衍生物(通式E)構成一 類可支持電致發光之可使用主體化合物,尤其適用於發射 波長長於5 0 0奈米之光線,例如綠色、黃色、橘色、及紅 色。
E 其中: Μ係表示一食屬; η係為由1至3之整數,且 Ζ個別表示構成一個具有至少兩個锏合芳族環之分子核 心(nucleus)的原子。 根據前文,_然該金屬可例如為鹼金屬,諸如鋰、鋼或 鉀;驗土金屬,諸如鎂或鈣;或土金屬,諸如硼或鋁。通 常,任何已知町作為鉗合金屬之單價、二價、或三價金屬 皆可使用〇 z構成含有直少兩個稠合芳族環之雜環分子核心,其中
-19- 發明說明續頁 1295857 (15) 至少一環係為嗤(azole)環或吖畊(azine)環。若需要,可於 該兩個必要環上稠合附加環’同時包括脂族及芳族壤。為 避免增加分子體積而未改善功能,環原子數通常保持於1 8 或更少。 可使用之鉗合類喔星化合物之說明例係如下列者: C0-1 :三喔星鋁[別名,三(8^奎啉醯)鋁(III)] C0-2 :雙喔星鎂[別名,雙(8-喹啉醯)鎂(II)]
C0-3 :雙[苯并{f}-8-喹啉醯]鋅(II) C0-4 :雙(2 -甲基- 8-4淋醯)鋁(III) - 合氧基-雙(2 -甲 基-8 -峻p林酸)铭(III) C〇-5 :三喔星銦[別名,三(8-喹啉醯)銦] C0-6 :三(5-甲基喔星)鋁[別名,三(5-甲基-8-4啉醯)鋁 (ΙΠ)] C 0 - 7 :喔星鋰[別名,8 -(喹啉醯)鋰(I)]
9,10-二- (2-莕基)蒽(通式F)之衍生物係為一種可承受電 致發光之可用主體,尤其適於波長長於4 0 0奈米之光發射’ 例如藍、綠、黃、橘或紅。
-20 - (16)!295857 發明說明;續頁 其:夂R2、R>R4係表或多個位於各環上之取代基, 〃 各取代基係個別選自下列基團: J團"氫或具有由丨至24個礙原子之境基; 土團2.具有由5至2〇個碳原子之芳基或經取代之芳基; 基圏3:完成蔥、范基、或这基之綱合芳族環所必需由* 至2 4個碳原子; 基團4 :完成呋喃基、,塞吩基、 雜環系統所需由5至2 4個碳原子之 基; 比咬基、峻u林基或其他 雄务基或經取代之雜芳 基團5 ··具有由1至24個碳原子之燒氧胺芙 胺基;及 i 烷胺基或芳 基團6:氟、氯、溴或氰基。 吲嗓(benzazole)衍生物(通式G)係為另 光之可使用主體,尤其適用於波長長於 例如藍、綠、黃、橘或紅。 ~種可支持電致 400奈米之光發射 發
G
R* 其中: η係為由3至8之整數; Ζ係為〇、NR威S ; R,係為氫;真有由1至2 4個碳原子之烷基,例如丙笑、 第三丁基、庚基及其類者;具有由5至20個碜原子之芳笑 -21 - 1295857 !_ (17) 發明說明續頁 或經雜原子取代之芳基,例如苯基及莕基、呋喃基、噻吩 基、吡啶基、喹啉基及其他雜環系統;或鹵基諸如氯、氟; 或完成稠合芳族環所需之原子;且 L係為由烷基、芳基、經取代之烷基或經取代之芳基所 構成之連接單元,其係共軛或非共軛地接合多個啕哚。 可使用之啕哚的實例有2,2,,2,,- (1,3,5 -伸苯基)三[1 -苯基 -1H-苯并咪唑]。
所需之螢光摻雜劑係包括蒽、丁省、咕噸、茈、紅螢晞、 香豆素、若丹明(rhodamine)、奎吖嗣(quinacridone)、二氰基 亞甲基吡喃化合物 '硫代吡喃化合物、聚甲炔化合物、吡 瑞鑌(pyrilium)!及魂叶匕瑞鏘(thiapyrilium)化合物、及羰基苯 乙婦基化合物的衍生物。可使用之摻雜劑的說明實例係包 括-但不限於-下列者··
-22- 1295857 (18) 發明說胡續頁
-23 - 1295857 (19) 發明說明續頁 r
7 -24- 1295857 |_ (20) 發明說明續頁
Λ -25- 1295857 發明說明續頁 (21)
L47 其他有機發光材料可為聚合物,例如聚伸苯基乙晞衍生 物、二烷氧基-聚伸苯基乙烯、聚-對-伸苯基衍生物、及聚 第衍生物,如Wolk等人於共受讓US-A-6,194,119 B1及其中 之參考資料中所教示。 電子輸送(ET)材料 使用於本發明有機EL裝置的較佳電子輸送材料係為金屬 钮合類喔星化合物,包括喔星本身之钮合物(一般亦稱為8-4:淋鼢或8 -經基峻淋)。該化合物幫助注射及輸送電子, 同時具有高階性能且易製成薄膜形式。所述之類喔星化合 物的實例係為滿足前述結構式(E)者。 -26- 1295857 _ (22) 「發明說明飨頁 其他電子輸送材料係包括US-A-4,356,429所揭示之各種 丁一烯衍生物,及US-A-4,539,507所描述之各種雜環光學 增白劑。滿足結構式(I)之吲哚亦為可使用之電子輸送材 料0 其他電子輸送材料可為聚合物質,例如聚伸苯基乙晞衍 生物、聚對-伸苯基衍生物、聚樂衍生物、聚噻吩、聚乙 炔、及其他導電性聚合有機材料,諸如Handb〇〇k 〇f c〇nductive
Molecules and Polymers, Vols. 1-4, H.S. Nalwa, ed.? John Wiley and Sons,Chichester (1997)所列者。 邵分情況下,單一層即可同時支持發光及電子輸送之功 能,因此包括發光材料及電子輸送材料。 陽極材料
菽導電性陽極層係形成於該基材上,且當自陽極觀測Η】 盔光時應可使所研先之發射光透射或實質透射。使用於 本發明之一般透明陽極材料係為氧化銦錫及氧化錫,但可 使用,、他至屬氧化物,包括但不限於摻雜鋁或摻雜銦之氧 化鋅、氧化鎂銦及氧化制。除了此等氧化物之外,金屬 氮化物諸如氮化鎵’及金屬硒化物,諸如硒化鋅,及金屬 硫化物’諸如硫化鋅’可作為陽極材料。就經由頂部電極 觀測EL發光之設備而言,陽極材料之穿透特性不重要,可 使用任何導電性材料’透明、不透明或反射性者皆然。成 種設備所使用之例示導體係包括但不限於金、錄、细、金 及始。典型陽極材料.透純或非透綠·具有4」電子伏相 或更八(力山數。所需之陽極材料可藉任何適當之方式讀 -27. 1295857 (23) 發明說明續頁 如蒸發、濺射、化學氣相沉積或電化學裝置沉積。陽極材 料可使用已知之微影術圖案化。 陰極柄 當光發射係穿透陽極時,该陰極材料可包括幾乎至何導 電性材料。期望之材料具赛良好薄膜形成性質,以確定與 底層有機層充分接觸,促進於低電壓下之電子注射,且具 有良好之安定性。可使用之陰極材料經常含有低功函數金 屬(<4·〇電子伏特)或金屬合金。其中一種較佳陰極材料包 括Mg:Ag合金,其中銀之百分比係介於!至2〇百分比範圍 内,如US-A-4,885,221所述。另一種適當之陰極材料係包括 雙層物,包括薄層之低功函數金屬或金屬鹽,罩蓋較厚層 之導電性金屬。一個該種陰極係包括薄層之LiF,及後鲭 較厚層之A卜如US-A-5,677,572所述。其他可使用之陰極材 料係包括但不限於仍+ 5,059,86卜5,〇59,862及仍各6,14〇,763 所揭示者。 、經由陰極觀測光發射時,該陰極需透明或接近透明。激 S種應用而4,金屬需薄或需使用透明導電性氧化物或此 等材料之組合物。光輋冷日日—队2
也月足陰極已更詳細地描述於US A-5,776,623中。陰極材料可蕤节义 4 ^种了精条發、濺射、或化學氣相沉 積而沉積。需要時,可絲由嘩容 、、 、 、.工由〃午^眾所周知之万法進行圖案 化,包括但不限於經由罜葸,> 拌 w 早 I /儿積、US-A-5.276,380及 ΕΡ 0 73: 雷射切除、及選擇性化學氣相沉 8 6 8所述之整體蔭罩法 積0 輻射吸收性材料 -28- 1295857 (24) 發明說明續頁 輕射吸收性材料可為染料,諸如共受 列示之染料,顏料諸如碳,或金屬諸如 接收元件42係藉負載鎖1 6導入真空塗 械裝置傳送至轉移裝置3 6。此可於供體 前、之後或之期間進行。轉移裝置3 6可 真芝中在供體元件31上藉由熱或轉化成 覆材料的裝置。轉移裝置3 6簡便地以關 亦具有開啟結構,其中進行供體元件3 i 載及卸除。供體元件3丨係藉機械裝置自 送站2 2。供體元件3 1及接收元件4 2係: 係’即,供體元件31之塗覆面係故置成 收表面緊密地接觸,且於壓力艙44中藉 保持位置,如Phillips等所述。供體元件 部分46藉施加之輻射諸如來自雷射38之 供體元件3 1之圖案化照射導致所塗覆之 轉移至接收元件42,如Phillips等所述。 接收元件42可為有機固體、無機固體 體之組合物,提供接收來自供體發射之 元件42可為剛性或可撓性,且可以個別 理’諸如片料或晶圓,或以連續捲料形 接收元件材料係包括玻璃、塑料、金屬 金屬氧化物、半導體氧化物、半導體氮化 接收元件4 2可為材料之均勻混合物、材 多層材料。該接收>元件42可為透光性或 讓 US-A-5,578,416所 鎳、鉻、鈦等。 覆器1 0内,且藉機 載體元件3 0導入之 包括任何有助於於 熱之輻射轉移經塗 閉結構出示,但其 及接收元件4 2之裝 塗覆站2 0輸送至轉 故置成材料轉移關 與接收元件4 2之接 諸如流體壓力手段 3 1隨之可經由透明 雷射光束4 0照射。 材料自供體元件3 1 、或有機與無機固 材料的表面。接收 工作片形式進行處 式進行處理。典型 、陶瓷、半導體、 •物、或其組合物。 料之複合材料、或 不透明,視光發射 -29- 1295857 (25) 發明說明續頁 之所需取向而定。透光性係由接收元件42觀測該eL發光所 需之性質。此等情況一般採用透明玻璃或塑料。就經由頂 4電極觀測E L發光之設備而言,接收元件4 2之透光性不重 要,因此可為透光性、吸光性或反光性。使用於此種情況 之接收元件包括但不限於玻璃、塑料、半導體材料、陶竟 及電路板材料。接收元件42可在進行本發明方法之前使用 或多層兩述材料(例如陽極材料、陰極材料、電洞輸送 材料等)進行處理。接收元件42可在進行本發明方法之後 進一步使用一或多層前述材料(例如陽極材料、陰極材料、 氧子輸送材料等)及保護層進行處理。此等處理可在真空 塗覆器10外i或真空塗覆器1〇内於塗覆站20上進行。 照射完成之後,開啟轉移裝置36,供體元件3丨及接收元 件42可經由負載鎖ι6移動。 圖2係為本發明另一具體實例的剖面視圖,其中供體載 體元件係塗覆多於一料層,且到達該基材之轉移係於相同 抽真2驗中進行。真空塗覆器1 〇係藉真空泵1 2保持於真空 下。真芝塗覆器1 〇係包括負載鎖i 4,其係用以在該艙中置 入新供體載體元件。真空塗覆器丨〇亦包括負載鎖丨6,其係 用以卸除已使用過的供體元件。真空塗覆器丨〇之内部包括 塗覆站20、塗覆站24、及轉移站22。 供體截體元件3 0係藉負載鎖1 4導入真空塗覆器1 〇。供體 載體元件30可視情況藉供體載體32支撐。供體載體元件3〇 係藉機械裝置輸送至塗覆站2〇,其包括塗覆裝置34 ^啟動 塗覆裝置34(例如所需之材料加熱以蒸發),供體載體元件 -30· (26) 1295857 發明說明績頁 3 0均勻塗覆以塗覆材料,使其進入供體元件3 1内。 供體元件31係藉機械裝置自塗覆站20輸送至塗覆站24, 其包括塗覆裝置34a。啟動塗覆裝置34a(例如將所需之塗 覆材料加熱以蒸發),供體元件3 1均勻塗覆以附加之塗覆 材料層。
接收7L件42藉負載鎖丨6導入真空塗覆器i 〇,藉機械裝置 輸迗至轉移裝置3 6。此可於導入供體載體元件3 〇之前、之 後或之期間進行。#移裝置36係簡便地以關閉結構出示, 但其亦具有開啟結構,其中進行供體元件及基材之負載及 卸除。供體載體元件31係藉機械裝置自塗覆站^輸送至轉 移站22。供體元件3 1及接收元件42係放置成材料轉移關 係,即,供體元件31之塗面係放置成與接收元件42之接收 面緊密接觸,且藉壓力艙44中之流體壓力保持原位,如 Phillips等所述。供體元件31隨之藉由施加輻射諸如來自雷 射38之雷射光束40經由透明部分46照射。依
元件31導致經塗覆之材料自供體元件31轉移至接= 42,如Phillips等所述。 冤成照光之後,開啟轉移裝置36,經由負載鎖Μ取出供 體元件3 1及接收元件42。 但熟習此 層0 雖然此具體實例係說明兩料層之塗覆及轉移, 技蟄者可輕易明瞭依此方式可塗覆且轉移三或多 或圖2中之具體實例可用以依不同圖案轉移地將多於一 料層轉移至接收元件。此方法中’可將多個供體載體元件 30導至真空塗覆器1〇,使得該塗覆站2〇及24配置有獨特之 -31 - 1295857 (27) f—~~—— 、; 發明說明績買 供體載體元件3 0。各個供辦恭蝴— 似仏缸載值疋件3 〇稭其個別塗覆裝置 均勾塗覆以塗覆材料,使其各成為獨特供體元件31。 此具體實例中,各供體^件3 i係藉機械裝置自其個別塗 覆站(20或24)依序傳送至轉移站22。接收元件〇係藉負載 鎖16導至真空塗覆器1〇,且藉機械裝置傳送至轉移裝置 6此可I導入供體載體元件3 〇之前、之後或期間進行。 轉移裝置36係f枝地以11结構出示,但其亦具有開啟結 ”中進行供植元件及基材之負載及卸除。供體元件Η 及接收元件42係放置成材料轉移關係,即,供體元件3 1之 塗面放置成與接收元件42之接收表面緊密接觸,且於壓力 艙44中藉流體壓力保持原位,如phiiiips等所述。供體元件 ^隨〈藉施加輕射諸如來自雷射38之雷射射線㈣而經由透 明部分46照射。供體元件3丨依圖案進行之照射導致經塗覆 、材料自供缸元件3 1轉移至接收元件42,如phiUips等所 述。 赚芫成輻射之後,開啟轉移裝置36,經由負載鎖16取出供 把元件3 1。泫第二供體元件3丨係藉機械裝置傳送至轉移站 22,且重複轉移過程。分成數個轉移操作尤轉移過程 < 依 循鉍田射照射相同之圖案,或每次轉移皆使用不同之雷射 照射圖案。 热習此技藝者已知此種方法可用以製造全色彩顯系装 置,諸如全色彩OLED裝置。該種裝置通常包括紅色、綠 色及藍色亞像素。具有三個塗覆站之真空塗覆器可硒以 製備所需之供體元件31。各供體元件31係使用不同有機疲
-32- 1295857 (28) 「發明說明:續頁 射層塗層製備,以反射所需之輸出色彩或色澤,即或為紅、 監、或綠色發射層。各個供體元件3 1皆藉機械裝置依序自 "個別塗覆站傳送至轉移站2 2,依序排列成與接收元件4 2 成材料轉移關係,之後藉諸如來自雷射3 8之雷射光束40經 由透明部分46施加輻射。依圖案進行之供體元件輻射導致 所塗覆之材料依圖案自供體元件3丨轉移至接收元件42,如
Philllps等所述。例如,紅色發光材料係依圖案轉移至紅色 亞像素,藍色發光材料係依圖案轉移至藍色亞像素,而綠 色發光材料係依圖案轉移至綠色亞像素。接收元件U可在 ,仃本發明所述之方法之前使用一或多層材料處理(例如 陽;b材料、陰極材料、電洞輸|送材料等)。接收元件U可 在進仃本發明万法之後進一步使用一或多層材料"列如陽 ,材料1¾極材#、電子輸送材料等)及保護層處理。此 等處里可在空覆站2〇於真2塗覆器工〇外或真空塗覆器1〇内 進行。 圖3係為本發明另一且f番舍a丨、 α 、 n 貝例又剖面視圖,其中該供體 載7C件4塗覆、到達該基材之轉移、及殘留於該供體天 p塗覆材料的移除係於相同抽真空艙中進行。真空塗 覆器1 0藉真空系1 2彳要社^人# 、 呆持;真2下。真空塗覆器1 0包括負第 鎖1 4 ’其係用以於該验肉番 舱内置入新的供體載體元件。真空塗 復^1 0亦包括自费辅1 & 甘 、 ”戰I 1 6 其用以卸除使用過的供體元件。 真2塗覆器1 〇之内部係包括 你匕洽塗覆站2 〇、轉移站2 2、及清洗 站2 6 〇 供體載體元件3 〇 |孟备f1 .兹 和負載鎖1 4導入真空塗覆器1 0内。供寵 -33- (29) 1295857
載體兀件30可视情況藉供---------趙元 係精機械裝置傳送至塗覆站2〇,其包括塗覆裝置3 < 塗覆裝置叫例如所需之塗覆加熱至蒸發),且供體: 塗覆以塗覆材料,使其進入供體元件3 1内。 ^ 接收疋件42係藉負載鎖1 4或負載鎖1 6導入真空塗覆器 内’藉機:裝置輸送至轉移裝置36。&可於導入供體二。 疋件3 則、< 後或期間進行。轉移裝置36係簡便地以關 閉結構出#,但其亦具有開啟結構,其中進行供體元件: 基材之裝載及卸除。供體載體元件31係藉機械裝置 = 站2〇輸送至轉送站22。供體元件31及接收元件42係故置^ 材料轉移關係,即,供體元件3ι之塗覆面係放置成與接收 兀件42之接收表面緊密地接觸,且於壓力艙悄中藉諸如流 岐壓力手段保持位置,如phiUips等所述。供體元件3 1隨之 可經由透明邯分46藉施加之輻射諸如來自雷射38之雷射光 束40照射。供體元件3丨之圖案化照射導致所塗覆之材料自 供體元件3 1轉移至接收元件42,如phillip_所述。 .疋成照光之後,開啟轉移裝置3 6,經由負載鎖丨6或負載 鎖1 4取出接收元件42。供體元件3 1係藉機械裝置輸送至清 洗站2 6。清洗站2 6係為真空塗覆器1 〇内之位置,其容畔一 裝置自供體元件3 1移除所塗覆之材料,使得供體載體元件 3〇可再利用。清洗站26係包括加熱器50或輻射源,諸如閃 光燈泡5 1及蒸汽移除裝置52。供體元件3 1係藉加熱器5〇或 ^田射源诸如閃光燈泡5 1於清洗過程中加熱,即加熱或_射 使供體元件31之經塗覆材料蒸發或昇華,且藉蒸汽移(^器 -34- 1295857 _ (3〇) [ϊ%說朋績頁 5 2移除。蒸汽移除器5 2可為例如真空孔入口、冷畔、可移 動之屏幕等。供體元件3 1此時係為供體載體元件3 〇且可藉 機械裝置經由負載鎖1 6取出。或供體載體元件3 〇可藉機械 裝置傳送至塗覆站2 0 ’以再次塗覆並重複使用。 此等操作可各站同時地進行。例如,供體元件3丨可使用 於位在轉移站2 2之輻射謗導轉移中,而先前已轉移之供體 元件3 1係於清洗站26加熱或照光,且未經塗覆之供體載體 元件3 0係於塗覆站2 0進行塗覆。 圖4係為本發明另一具體實例之剖面視圖,其中該供體 載體元件之塗覆及到達基材之轉移係於不同連接抽真空艙 中進行。此具體實例中之真空塗覆器10包括塗覆艙i〇a及 轉移艙1 Ob。兩者皆藉真空泵i 2保持於真空下,且藉負載 鎖18連接。真空塗覆器1〇包括負載鎖14,其係於該艙中送 入新的未經塗覆供體元件。真空塗覆器丨〇亦包括負載鎖 16,其用以卸除使用過之供體元件。真空塗覆器ι〇之内部 係包括位於塗覆艙10a中之塗覆站2〇及位於轉移艙i〇b中之 轉移站2 2。 供體載體元件30係藉負載鎖14導入真空塗覆器ι〇之塗覆 艙l〇a中。供體載體元件3〇可視情況藉供體載體η支撐。 供體載體丨件30係藉機械裝置輸送至塗覆站2〇 ,纟包括塗 敎士置3 4啟動塗覆裝置3 4(例如,所需之塗覆材料經加 ί = 供體3〇均勻塗覆以塗覆材料,使其進入供體 接收元件 t 、 糈以載鎖1 6導入真空塗覆器1 〇之轉移艙丨〇b -35- (31) 1295857 發明課明續趸 中’藉機械裝置傳送至轉移斯 +了、人# 元件3 〇、4 、土符权衣置3 6。此可於導入供體載體 结構'出:則、之後或期間進行。轉移裝置36簡便地以關閉 :A广’但其亦具有開啟結構,於其中進行該供體元件 20炉由咨 。供體元件31係藉機械裝置自塗覆站 42^置:載鎖18輸送至轉移站22。供體元件31及接收元件 愈接=成材料轉移關係’即’供體元件31之塗面係放置成 如、.六邮^42义接收表面緊密地接觸’於壓力艘44中藉諸 =:“之手段料於原位,如刪ps等所述。供體元 件3 1之藉由施加之如 #田射诸如來自雷射38之雷射光束40 ,.莖由透明邵分46照光。供體元们丨依圖 經塗覆之材料自供體元件3 :導致 ^ 、、 订矽土佞收兀件42,如Phillips 等所述。 完成照光之後’開啟轉移裝置36,經由負載鎖16取出供 體7C件3 1及接收元件42。或供體元件31可經由負載㈣取 出,而接收元件42保持於原位。轉移汛护π戌m 得杉過私可使用接收元件 42及新供體元件31重複。 顯然可改變此種方法。接收元件42可於塗覆站2〇塗覆以 可使用於咖製造中之附加材料層。該塗覆可在輕射“秀 導轉移u、之後或同時於之後及之後進行。例如,接收 元件42可連續於塗覆站20施加電洞輸送材料、於轉移站η 施加發光材料、且於塗覆站20施加電子輸送材料 圖5係為本發明另一具體實例之剖面視圖’其中供體元 件係為連續網之一部分,即,其形成—連續片材,其塗=疋 到達基材之轉移、及殘留於供體元件上之塗覆材料$移除 -36· 1295857 (j2) 發明諱明續頁 係於相同抽真空艙中進行。真空塗覆器丨〇係藉 日具芝泵12保 持於真空下。真空塗覆器丨〇係包括負載鎖i 6 ,复 m 卉係用以裝 載及卸除基材。真空塗覆器1 〇之内部係包括 。何丁移動之網
6 0,其係為供體載體元件3 0之連續片材。可稃說、A 夕勒又網6 0係 保持於輪6 2上,於行進6 4方向中轉動。真空塗舜装, 之设杂1 〇之内 部亦包括塗覆站2 0、轉移站2 2、及清洗站2 6,、% 7 # /σ 移動網 6 0之路徑排列。 當轉移裝置36為開啟結構時,可移動網6〇係藉輪 動。可移動網6 0之未塗覆部分係移入塗覆站2 〇内,立— 〇 丹包括 塗覆裝置34。啟動塗覆裝置34(例如,所需之塗覆材料缝 加熱而蒸發)且可移動網6〇之 > 部分均句地塗覆以塗覆村 料。因此,可移動網60之一部分變成供體元件31。 接收元件4 2藉負載鎖1 6導入真$塗覆咨1 〇中,且藉機蜮 裝置輸送至轉移裝置3 6。轉移裝置係簡便地以關閉結構出 示,但其亦鼻有開啟結構,於其中進行供體元件及基材之 裝載及卸除。當轉移裝置36係為開啟結構時,可移動之網 60係藉輪62旋轉,其使可移動之網60經塗覆之部分自塗覆 站2 0移動至轉移站2 2。此可於導入接收元件4 2之前、之間 或之後進行。可移動網6 0之塗面放置成與接收元件4 2緊密 地接觸,隨之於壓力艙44中藉流體壓力保持原位,如Phillips 等所述。可移動網60隨之藉施加輻射諸如來自雷射3 8之雷 射光束4〇經由透明部分46照光。可移動網60經塗覆部分依 圖案藉雷射光束40照射導致所塗覆之材料自可移動網60轉 移至接收元件42,如PhiUip^所述。 -37- (33) 1295857 發明說明績頁 完成照 鎖1 6移動 輪6 2旋轉 移動至清 燈泡5 1及 輕射源諸 動網6 0經 器5 2移除 輪6 2旋轉 移動至塗 光之後, 。當轉移 ’使可移 洗站2 6。 蒸汽移除 如閃光燈 塗覆部分 。當轉移 ,其使可 覆站20, 開啟轉移裝置 裝置3 6處於開 動網60已使用 清洗站2 6包括 裝置5 2。可移 泡5 1加熱,其 之塗覆材料蒸 裝置3 6處於開 移動網60之目 以再次塗覆且 啟結構時, 之經塗覆部 加熱器或輻 動網6 〇部分 清洗彼者, 發或昇華, 啟結構時, 前未塗覆部 重複使用。 件4 2經 可移動 分自轉 射源諸 藉加熱 即,導 且藉蒸 可移動 分自清 網6 0藉 移站22 如閃光 器5 0或 致可移 汽移除 網60藉 洗站2 6 此等钕作可於各站同時地進行。例如,可移動網6 〇 一部 分可使用於轉移站22之輻射誘導轉移,而可移動網6〇之先 月’ί轉和4分於清洗站2 6被加熱或照光,可移動網6 〇未塗覆 部分係於塗覆站2 〇被塗覆。 備擇具體實例中,可移動網6〇可為長但非連續之片材。 此可於各站之前及之後使用退繞及捲取輥達成。 圖6係為本發明另一具體實例的剖面視圖,其中供體元 件形成連績片材,其塗覆多於一料層,到達該基材之轉 移、及殘留於供體元件上之塗覆材料的移除係於相同抽真 空艙中進行。真空塗覆器1〇係藉真空泵12保持於真空下。 真2塗覆器1 〇包括負載鎖丨6,其用以裝載及卸除基材。該 真2塗覆器10之内部包括可移動網6〇,其係為供體載體元 件30之連續片材。可移動網6〇係保持於輪62上,其係於行 進万向64上轉動。真空塗覆器1〇之内部亦包括塗覆站20、 -38- (34) 1295857 發明說朋續頁 町私站22、及清洗站26,沿可移動 當鏟获壯 υ <路!排列。 田轉私裝置36係處於開啟結構時, 旋轉。可蒋 、 夕動網6 0係藉輪6 2 了和動網60之禾塗覆部分移入涂 塗霜举罢, 本復站20内,並句括 4。啟動塗覆裝置34(例如,泰、 八 熱以蒸發),可移動網60部分均勾塗::塗覆材料加 可移動網6〇部分變成供體元件31。 “材料。因此, 當轉移裝置36係處於開啟結構時, 旋轉。可并击 多動網6 0係藉輪6 2 ^ 了私動網60之單次塗覆部分自塗-$ 邛ο β 设站2 〇移動至塗霜 站21啟動塗覆裝置34(例如, 之 皇 (詻發)且可移動網6〇均勾塗覆以第二層塗覆材料。 接收元件42藉負載鎖16導入真空塗覆器丨。,藉機械裝置 輸送至轉移裝置36。轉移裝置36簡便地以關閉結構表示, 但其亦具有開啟結構,於其中進行供體元件及基材之裝載 及卸除 ^轉移裝置3 6處於開啟結構時,可移動網6 〇藉輪 6 2旋轉,其使可移動網6 〇之經塗覆部分自塗覆站2 〇移動至 轉移站22。此可於接收元件42之前、之間或之後進行。可 移動網6 0之塗面放置成與接收元件4 2緊密地接觸,且於壓 力艙44中藉流體壓力保持定位,如Phillips等所述。可移動 網6 0隨之藉施加之輕射諸如來自雷射3 8之雷射光線4 0經由 透明部分46而照光。可移動網60經塗覆部分藉雷射光束40 依圖案照光導致所塗覆之材料自可移動網60移動至接收元 件42,如Phillips等所述。 完成照光後,開啟轉移裝置36,經由負載鎖16取出接收 元件42。當轉移裝置36處於開啟結構時,可移動網60藉輪 -39- (35) 1295857 發明說明續頁 62旋轉,其使可移動網6〇 用 、 移動至清洗站26。清洗站^ ^ s復邵分自轉移站22 0 Z 6包捂力 w 光燈泡5 1及蒸汽移除裝置$ 2 。 …、咨5 〇或輻射源諸如閃 器5〇或輻射源諸如閃光燈泡5 / J ^動網60之一部分藉加熱 塗覆部分的塗覆材料蒸發田二、導致"Γ移動網6 0之經 除。當轉移裝置36處於開 ’而藉蒸汽移除器52移 ^ '·'〇才舞日寺,—ρ 轉,其使可移動網6 0目输土 多動網6 〇藉輪6 2旋 J禾、%塗覆却八 覆站20,以再次塗覆且重和 °刀自々洗站26移至塗 至I使用。 雖然此具體實例係說明锻展、 藝者已知可依此方弋泠瑨又"之"、覆及轉移,但熟習此技 4已知可依此万式塗覆且轉移三 或圖6中之具體實例可用以依 < 曰。 ,依不同圖案轉移將一層以上 电 贫τ 各塗覆站2〇及24係塗 復可移動網6 0之不同部分,因而使兮έ 叫便必網艾不同部分進入獨 特之供體元件3 1内。 此具體實例中,可移動網60之各塗覆部分依序自其個別 塗覆站(20或24)輸送至轉移站22。接收元件G藉負載鎖16 導入真空塗覆器10 ’且藉機械裝置傳送至轉移裝置36。可 移動網60經塗覆部分及接收元件42係放置成材料轉移關 係,即,可移動網6 0之塗面放置成與接收元件4 2之接收面 緊密接觸,且於壓力艘44中藉流體壓力保持定位,如Phillips 等所述。可移動網60隨之藉施加輕射諸如來自雷射38之雷 射光束40而經由透明部分46照光。可移動網60經塗覆部分 依圖案之照光導致所塗覆之材料自可移動網60轉移至接收 元件42,如Phillips'等所述° -40- (36) 1295857 發明說明續頁 元成照光時,開啟‘於办 ‘夕驶置36 ,可移動網60之其他塗 邵分輪送至轉移站2 ^ 轉站22且重硬轉移程序。分數個轉移操作之 王序可依循相同之雷射 -¾ >- U ^ ^ 巧丁…、尤圖案,或母次轉移皆可使 用不同之雷射昭伞園 、 …、*案’諸如製備全色彩OLED裝置。可 寿夕動網6 0三種經塗譚部分夂 1刀各使用不同有機發光層之塗覆製 ^以反射所需輪出之色彩或色澤,即紅色1色或綠色 "一層。可和動網60之各個塗覆部分係依序自個別塗覆站 轉移至轉移站22,依序盥 ^ 〃接收兀件42放置成材料轉移關 係’且依序藉諸如來自雷兩 . 丁 j 8足由射光束4 0的手段而經由 透明部分46進行照井。可杂^, 、 多動;60經塗覆部分的依圖案照 光導致所塗覆材斜自# 夕動網60依圖案轉移至接收元件 42,如Phillips等所述。例如, 、色%先材料依圖案轉移至 、.工色亞像素,藍色發光材料 & # π 1 u 案轉移至藍色亞像素,而 ,,彔色無光材料依圖案轉移至綠色亞像素。 圖7Α係為未經塗覆供體士 立 、 忏〜構爻刮面視圖的一實例。 供體載體元件3 〇最少係包括 ^ ^ j杈〖生载體70,其包括非轉移 性表面78。可撓性載體7〇轉 , 、轉化層72。輻射·熱轉化 層72係匕括可吸收具有所研^ ^ ^ ^ ^ ^ ^ ^ ^ ^ 料。 ^射且發出熱的材 圖二為供體元件塗覆—層塗覆材料之結構的剖面視圖 移二。供體’件31係包括可撓性載體7。,其包括非轉 移性表面78。可撓性載體7〇 塗 „ 有輻射·熱轉化層72。 田+·尤、π化層7 2係包括可吸收具有 ^ , ^ ΑΛ , , 队“百所研死波長之輻射且 这出扁的材料。可撓性載體7〇另外 1勺地塗覆有塗覆材料 -41 - 發明說明續頁 1295857 (37) 74。所塗覆之材料係構成供體元件3 1之塗面80。 圖7 C係為塗覆多於一層塗覆材料之供體元件結 視圖之一實例。供體元件3 1係包括可撓性載體70 非轉移性表面7 8。可撓性載體7 0已均勻塗覆輻身 層72。輻射-熱轉化層72包括可吸收具有所研究 射且發出熱的材料。可撓性載體7 0另外均勻塗覆 料74及塗覆材料76。塗覆材料76係構成供體元件 80。 圖8係為本發明另一具體實例之剖面視圖,其 體元件的塗覆及到達基材之轉移至於不同抽真 行。此具體實例中,真空塗t器10係包括塗覆潑 移艙10b、及輸送艙90,所有艙室皆保持於真空 艙1 0 a包括負載鎖1 4,其係用以裝載及卸除該艙。車 單純包括負載鎖1 6,其係用以裝載及卸除該艙。土 係包括塗覆站20,而轉移艙10b係包括轉移站22。 係可移動且包括負載鎖92,其係設計以形成具有 及1 6之氣密性密封物。輸送艙9 0亦可包括於輸送 持真空之裝置(未示)。 供體載體元件3 0係藉負載鎖1 4導入塗覆艙1 0 a 體元件3 0可視情況由供體載體3 2所支撐。供體載 係藉機械裝置傳送至塗覆站20,其包括塗覆裝置 塗覆裝置34(例如,將所需之塗覆材料加熱以蒸養 3 0均勻塗覆以塗覆材料,使其進入供體元件3 1内 / 輸送艙90移至一位置,使得負載鎖92可與負載 構的剖面 ,其包括 于-熱轉化 波長之為 有塗覆材 3 1之塗面 中供體載 空艙中進 "0a、轉 下。塗覆 I移艙10b 匕覆艙1 0 a 輸送艙90 負載鎖1 4 過程中保 。供體載 體元件3 0 3 4。啟動 ^ ),供體 〇 鎖1 4成為 -42- 1295857 發明說明續頁 一 -',、、- 塗覆站2 〇傳送至 ,而内部保持真 (38) 氣密性連接。供體元件3 1係藉機械裝置自 輸送艙90。輸送艙90隨之自塗覆i〇a脫離 空。 接收元件42藉負載鎖16導入轉移艙1〇b,藉機械裝置傳 送至轉移裝置36。轉移裝置36係簡便地以關閉結構表示, 但其亦具有開啟結構,於其中進行供體元件及基材之裝載 及卸除。輸送艙90係移至一位置,使得負載鎖”與負載鎖 16可氣密性地連接。供體元件31藉機械裝置自輸送艙9〇傳 送至轉移站22。供體元件31及接收元件42放置成材料轉移 關係,即,供體元件31之塗面放置成與接收元件42之接收 面緊密接觸,且於壓力艙44中藉流體壓力保持定位,如 Phillips等所述。供體元件31隨之藉施加輻射諸如來自雷射 38之雷射光束40經由透明部分46照光。供體元件31依圖案 之^光導致所塗覆之材料自供體元件3 1轉移至接收元件 42,如Phillips等所述。 疋成照光後’開啟轉移裝置3 6,經由負載鎖丨6取出供體 元件31及接收元件42。或供體元件31可經由負載鎖“取 出,而接收元件4 2係保持於原位。該轉移過程可使用接收 元件42及新供體元件31重複。 由以下對照實施例可進一步明瞭本發明及其優點。 實施例1 依下列方式構成滿足本發明要求之〇led裝置: 1 ·不銹鋼供體載體元件4英吋寬且〇.〇〇丨英吋厚-於本文所 述類型之真空塗覆器中放置於真空下。 •43- 1295857 p—-__Ί (39) 發明說明續頁 * S ' 2 ·於塗覆站-包括加熱之Is舟(t a n t a 1 u m b 〇 a t)源-中將3 7 5埃 之三(8-喹啉醯)鋁(ΠI)(Alq3)厚層沉積於該供體載體元件 上。沉積速率為4埃/秒。 3 ·塗覆有氧化銦錫陽極層且經清洗之玻璃接收元件經由 負載鎖置入真空塗覆器内,不擾亂該供體元件之真空環 境。 4.於真空塗覆器中於第二塗覆站上,藉自鈕舟源蒸發而 於該接收元件上沉積1 500埃4,4,-雙-[N-(l-莕基)-N-苯基胺 基]聯尽(NPB)電洞輸送層。 5 .供體元件於真空塗覆器中於轉移站上放置於塗覆有Νρβ 玻璃接收元件下方1厘米處。使用石英燈以將供體元件之 非轉移表面輻射加熱至足以使所塗覆之層在約2秒鐘内完 全自供體元件轉移至接收元件的溫度。 6·於包括加熱奴舟源之塗覆站上,將3 7 5埃Alch電子輸送 層沉積於接收元件上。 7 ·於具有個別忽舟之塗覆站上,將2 2 〇 〇埃陰極層沉積於 孩接收7C件上,其一含有銀且其一含有鎂。該陰極層係為 1 〇: 1原子比的錢及銀。 依實施例1所述之方式構成對照〇LED裝置’不同處係步 驟丨及2所製備之供體元件隨之曝露於空氣下歷經5分鐘, 同時使供體元件自真空塗覆器輸送至個別真空轉移脸。曝 露空氣之後,該供,體元件再置於真空下,使用於實施例1 之後續步驟中。 -44 < 1295857 (40) I發明說明續頁 :¾施例3 依貝犯例1所述之方式構成對照〇led裝置,不同處係步 .¾ 1及2所製備之供體元件隨之曝露於空氣下歷經2〇分鐘, 同時使供體元件自真空塗覆器輸送至個別真空轉移艙。曝 露空氣之後,該供體元件再置於真空下,使用於實施例^ 之後續步驟中。 #果 實施例# 供體元 件曝露 於空氣 之時間 (分鐘) 於 20 mA/cm2 下 之原始照 度(cd/m2) 於 20 A/cm2 下之電 壓(V) 於20 A/cm2下之操作安定性(原始照 度%) 10小時 100小時 250小時 500小時 1 0 620 7.9 86% 75% 67% 60% 2 5 360 7.3 61% 45% 37% 30% 3 20 275 7.5 63% 46% 38% 29% 別述實施例所製備之裝置於20毫安/米2之電流下操作。 測量原始且在使用不同期間之後的每平方米照度新燭光 #。下表出示結果。 實施例1之原始照度-製造期間未曝露於空氣-係為620 cd/m2。實施例2及3-其供體元件個別於空氣中輸送5及20 分鐘-個別具有3 60 cd/m2及275 cd/m2之原始照度,或實施 例1之5 8 %及4 4 %。因此,供體元件於空氣中曝露一段短時 間對於OLED裝置之原始照度具有負面影響。此外,實施 例2及3之照度更快,地隨時間而降低。例如,在操作2 5 0小 時之後,實施例1之照度係為其原始照度620 cd/m2之67% -45 - 1295857 (41) 發明說明續頁 或為415 cd/m2。在相同操作期間之後,實施例2之照度係 為原始照度3 60 cd/m2及之37°/。或135 cd/m2。 下文包括本發明其他特徵。 該方法進一步包括於該接收元件上塗覆所需數量之塗 層。 該方法進一步包括將供體元件配置成可移動網之一部分 的步驟,其移動以與接收元件成為材料轉移關係。 該方法進一步包括清洗該供體元件,以再次塗覆之步 驟。 圖式簡單說明 圖1係為本發明第一具體實例之剖面視圖,其中供體載 體元件之塗覆及到達該基材之轉移係於相同真空塗覆器中 進行; 圖2係為本發明另一具體實例之剖面視圖,其中該供體 載體元件上一層以上之料層的塗覆,及到達該基材之轉移 係於相同真空塗覆器中進行; 圖3係為本發明另一具體實例之剖面視圖,其中該供體 載體元件之塗覆、到達該基材之轉移及殘留於該供體元件 上之塗覆材料的移除係於相同真空塗覆器中進行; 圖4係為本發明另一具體實例之剖面視圖,其中該供體 載體元件之塗覆及到達該基材的轉移係於包括兩個藉由負 載鎖(load lock)連接之艙室的真空塗覆器中進行; 圖5係為本發明另一具體實例之剖面視圖,其中該供體 載體元件形成一連'續板,其塗覆、到達該基材之轉移、及 -46- 1295857 發明:、說资續頁 (42) 殘留於該供體元件上之塗覆材料的移除係於相同真空塗覆 器中進行; 圖6係為本發明另一具體實例之剖面視圖,其中該供體 載體元件形成一連續板,其多於一層之料層的塗覆、到達 該基材之轉移、及殘留於該供體元件上之塗覆材料的移除 係於栢同真空塗覆器中進行; 圖7 A係為未經塗覆之供體元件的結構之剖面視圖; 圖7B係為塗覆有一層塗覆材料之供體元件的結構之剖面 視圖; 圖7C係為塗覆有一層以上之塗覆材料的供體元件結構之 剖面視圖;且 圖8係為本發明另一具體實例之剖面視圖,其中該供體 載體元件之塗覆及到達該基材之轉移係於兩個分隔且抽真 空之艙室中進行。 因為裝置特徵尺寸諸如層厚經常係介於次微米範圍内, 是故圖式之大小係為具體呈現方便,而不具有尺寸準確 性。 圖式代表符號說明 10 真空塗覆器 10 a 塗覆艙 1 0 b 轉移艙 12 真空泵 1 4,1 6,負載鎖 18,92 ’ -47- 1295857 (43) 20 塗 覆 站 22 轉 移 站 26 清 洗 站 30 供 體 載 體 元 件 3 1 使 用 過 供 體 元件 32 供 體 載 體 34 塗 覆 裝 置 34a 塗 覆 裝 置 36 轉 移 裝 置 38 雷 射 40 雷 射 光 束 42 接 收 元 件 44 壓 力 艙 46 透 明 部 分 50 加 熱 器 5 1 閃 光 燈 泡 52 蒸 汽 移 除 裝 置 60 可 移 動 網 62 輪 64 行 進 方 向 70 可 撓 性 載 體 72 輻 射 -索 V轉化層 74,76 塗 覆 材 料 78 非 轉 移 性 表 1面 發明說明續頁
-48 - 發明說明續頁 1295857 (44) 8 0 塗面 90 輸送搶
-49 -

Claims (1)

1295857 拾、申請專利範園 1. 一種製造至少一部分為濕敏性或氧敏性之OLED裝置之 原處真空方法,該方法係包括下列步驟: a) 於一真空塗覆器中配置一接收元件,其形成該OLED 裝置之一部分; b) 於該真空塗覆器中配置一供體載體元件,塗覆該供 體載體元件,以產生具有製得所有或部分〇LED裝置所 需之一或多料層的供體元件; c) 將該供體元件之塗面與欲塗覆之接收元件放置成材 料轉移之關係;及 ! d) 施加輻射於該供體元件,以於真空中自該供體元件 選擇性地轉移一或多層料層至該接收元件上。 2. 如申請專利範圍第1項之方法,其進一步包括下列步驟: e) 藉真空塗覆器於該接收元件上塗覆一或多層,其形 成該OLED裝置之一部分。 3. 如申請專利範圍第1項之方法,其進一步包括下列步驟: e)重複步騾b)至d),以製得該濕敏性或氧敏性裝置的 所有或一部分。 4. 如申請專利範圍第3項之方法,其進一步包括於該接收 元件上塗覆所需數量之塗層。 5. 如申請專利範圍第1項之方法,其進一步包括下列步驟: e)清洗該供體元件,以使其可再次塗覆。 6. 如申請專利範圍第1項之方法,其進一步包括將該供體 元件配置成一可移動網之一部分,其移動而與該接收元 1295857 _ 申諳專利範圍續頁 件成為材料轉移關係的步驟。 7. 如申請專利範圍第6項之方法,其進一步包括清洗該供 體元件,以使其可再次塗覆之步驟。 8. —種可用以製造由數個OLED裝置形成之全色彩顯示器 的原處真空方法,該顯示器係為濕敏性或氧敏性,該方 法係包括下列步驟: a) 於一真空塗覆器内配置接收元件,其形成該顯示器 之一部分; b) 於該真空塗覆器内配置多個供體載體元件,於該供 體載體元件上塗覆材料,其中各個供體載體元件係具有 至少一種不同之材料,以自對應之OLED裝置提供不同 輸出色彩; c) 依序將各供體元件之塗面與欲塗覆之接收元件放置 成材料轉移關係;及 d) 依序施加輻射於已定位之供體元件,以於真空中自 各供體元件選擇性轉移一或多料層至在接收元件中形成 之對應OLED裝置。 9. 如申請專利範圍第8項之方法,其進一步包括下列步驟: e) 藉真空塗覆器於該接收元件上塗覆一或多料層,其 形成該OLED裝置之一部分。 10. 如申請專利範圍第8項之方法,其進一步包括下列步驟: e)於該真空塗覆器内配置一或多個供體載體元件,且 塗覆該供體載體元件,以製得具有製得所有或部分OLED 裝置所需之一或多料層的供體元件; 1295857 _ 申請專利範圍續頁 f) 於該真空塗覆器内將該供體元件之塗面與欲塗覆之 接收元件放置成材料轉移關係; g) 施加輻射於該供體元件,以於真空中使一或多料層 自該供體元件轉移至該接收元件;及 h) 重複步驟f)至g)以製得所有或部分濕敏性或氧敏性 裝置。
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