1295057 (1) 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明關於藉由光的照射而進行資訊的記錄、再生之 光記錄媒體，尤其是關於於單邊具備雙層型的記錄層，且 不可重覆讀寫型之有機色素型光記錄媒體。 【先前技術】 有機色素型光記錄媒體例如爲，如近年來所發展之可 記錄型光碟（以下稱爲「CD-R」），可記錄數位影音光碟 (以下稱爲「DVD-R」）般，可記錄音樂資訊及影像資訊 等檔案（Archive )。在這當中，主要是活用其較大的記 錄容量來記錄影像資訊。因此對進行長時間記錄的需求逐 漸提升，並追求記錄容量的增加。 關於增加光記錄媒體的記錄容量的方法之一爲，降低 從記錄再生裝置的雷射光源所射出之照射於記錄媒體的記 錄層之雷射光的點徑，而提升記錄信號的高密度化之方法 。爲了實現此方法，乃探討例如使所採用的雷射光的波長 縮短至藍色區域之短波長化的手段，及提升位於記錄再生 裝置的光學拾取頭之物徑的開口率（NA )，而更進一步 的聚焦雷射光的手段。然而，於這些方法當中，難以具備 與現在所採用的數位影音光碟（D V D )記錄再生裝置（或 是再生專用裝置）之再生相容性。 因此近年來，關於一邊維持再生相容性一邊增加記錄 容量的方法，乃有人提出於1片光記錄媒體上重疊多數記 -5- 1295057 (2) 錄層而設置之方法，例如爲光記錄媒體的雙層型構造。 於日本特公平08-23 94 1號公報當中記載有，於基板 的單面上依序疊層反射膜，及成爲記錄面之硬化型樹脂等 (單面疊層工法），而製造雙層型光記錄媒體的之方法。 此外’於日本特開平1〇_2 8 3 6 8 2號公報當中記載有對 向貼合工法。對向貼合工法爲，準備2個，於一邊的面上 設置凹軌之透明樹脂基板上，以所需的步驟而形成記錄層 及其他的層之基板，以使此2個基板各位於外側的方式來 貼合’並以紫外線硬化樹脂而接著，而得到雙層型光記錄 媒體之工法。若採用此工法的話，則各個基板可藉由與以 往的單層型基板相同之射出成形而製造出，關於之後的製 程，亦可藉由與單層型基板的情況類似之製程來加工。因 此，若採用對向貼合工法的話，則由於可採用以往的製造 技術，因此可達到安定的生產。 第2圖係顯示由對向貼合工法所製作出之光記錄媒體 的構造。第1層（L0層）係由透明基板21及記錄層22 及半透明膜23所構成。透明基板2 1的雷射光入射面側 2 1 a爲平面，於該對向面上形成，螺旋狀或是同心圓狀的 溝（凹軌）2 1 G，及包夾於凹軌2 1 G的凸軌2 1 L。以包覆 凹軌21G及凸軌21L方式而塗佈成爲記錄層22之有機色 素，然後疊層金屬或是合金的半透明膜23。 第2層（L1層）係由，於一邊的面上形成有螺旋狀 或是同心圓狀的凹軌2 7 G及凸軌2 7 L之基板2 7 ’及以包 覆凹軌2 7 G及凸軌2 7 L的方式而形成之反射膜2 6 ’及於 (3) 1295057 反射膜26上塗部色素而形成之記錄層25所組成。L0 的半透明膜23及L 1層的記錄層25係介於中間貼合層 而貼合，而獲得雙層構造之光記錄媒體D2。 LAI、LA2均爲用於記錄再生之雷射光，從雷射光 射面21a所入射之LA1係對L0層進行記錄再生，而從 射光入射面2 1 a所入射之LA2係對L 1層進行記錄再生 在此所顯示者爲，採用對向貼合工法之雙層型光記錄媒 的基本構造，爲了提升性能及信賴性等，亦可增加其他 膜。 〔專利文獻1〕日本特公平08-23941號公報 〔專利文獻2〕日本特開平10-2 83 682號公報 第2圖所說明者爲，對雙層型光記錄媒體採用以往 記錄方式之，對L0層進行槽上凹軌（On-Groove )記錄 對L 1層進行槽內凹軌記錄（槽上-槽內）之記錄方式。 所謂的槽上凹軌記錄，是指於設置在基板上的凸軌 凹軌當中，於朝向雷射入射方向（雷射光入射面2 1 a ) 凸狀的部分上進行記錄之方法。槽內凹軌記錄是指於朝 雷射入射方向爲凹狀的部分上進行記錄之方法。 亦即，若是爲槽上-槽內的記錄的話’則對L 0層的 錄，係於塗佈在設置於第2圖所示之基板21上的凹 2 1 G (凸部分）之記錄層22上進行，對L1層的記錄， 於塗佈在設置於基板2 7上的凹軌2 7 G (凹部分）之記 層2 5上進行。 關於其他例子，亦有對L0層、L 1層兩者均進行槽 層 24 入 雷 〇 體 的 的 並 及 爲 向 記 軌 係 錄 上 -7- (4) 1295057 凹軌記錄（槽上-槽上）之記錄方式。槽上-槽上記錄爲’ 對L 0層的記錄爲如上述般進行，對L1層的記錄（圖中未 顯示）爲，於塗佈在設置於基板2 7上的凸軌2 7 L (凸部 分）之記錄層25上進行。 然而，於L 1層上以旋轉塗佈來塗佈由有機色素所組 成之記錄層2 5的情況下，就旋轉塗佈的性質上而言’於 凹溝上可殘留足夠的塗佈物質，因此於設置於基板2 7上 的凹軌27G (凹部分）上可塗佈足夠的色素’但是難以於 凸軌27L上塗佈足夠厚度且均勻的色素。因此，若是對採 用對向貼合工法而製作的雙層型光記錄媒體的L 1層’進 行槽上凹軌記錄的話，則無法獲得充分的再生輸出特性。 從上述情形來看，一般對於採用對向貼合工法而製作 的雙層型光記錄媒體，係採用槽上-槽內記錄方式。 然而，即使對L 1層進行槽內凹軌記錄，亦會產生問 題。 ， 、 記錄係藉由使塗佈於L0層、L 1層之有機色素產生性 質改變而進行，於以具備相同輸出的雷射光來記錄的情況 下，相對於在L0層的記錄層22當中可使有機色素產生足 夠的性質改變，於L1層的記錄層2 5當中，則無法使有機 色素產生足夠的性質改變，而無法充分記錄。此外，若是 爲了於記錄層25當中充分記錄而提高所照射的雷射光的 功率的話，則功率集中於L1層的引導溝27G的中央部分 ，而使基板2 7產生變形。 此可視爲起因於L 0層及L 1層的構成不同之故。於依 -8- (5) 1295057 據對向貼合工法而製作雙層型光記錄媒體的情況下，如第 2圖所示般，於L0層當中，半透明膜23以幾乎爲平面狀 而形成於記錄層22，相對於此，於L1層當中，由於反射 膜26於塗佈記錄層25之前先形成於基板27，而使反射膜 26成爲依循基板27的形狀（凹軌27G及凸軌27L )之凹 凸形狀。 亦即，於L0層當中，於記錄之際所使用到的凹軌 21G內的記錄層22的色素，筚僅上面接觸於半透明膜23 ，相對於此，於L1層當中，凹軌2 7 G內的記錄層2 5的色 素於3方向上，亦即於兩側面及底面方向上與反射膜26 接觸。 反射膜2 6 —般係由金屬或是合金、金屬化合物所組 成，因此熱傳導率較高。其結果爲，由於於L1層當中， 由雷射光而供應至記錄層25的熱量，被傳導至接觸於凹 軌的側面部分之反射膜26而放熱，因此於構成記錄層25 的色素當中未接收足夠熱量而無法產生熱作用，因此色素 的性質改變不足，而無法獲得所需的調變度。 【發明內容】 因此，本發明係用來解決上述問題而創作之發明’目 的在於提供，於製作雙層型光記錄媒體（例如雙層型光碟 )之際，藉由詳細規定設置於構成L1層（第2層）之透 明基扳的單面上之凹軌（引導溝）的溝形狀，與形成於凹 ( 軌的反射膜的關係，即使於上述溝內凹軌記錄之際，亦可 -9 - (6) 1295057 4蒦得良好的記錄特性之雙層型光記錄媒體。 本發明乃鑑於上述課題而創作之發明’目的在於提供 具備下列（a ) 、（ b )的構成之光記錄媒體。 (a ) —種光記錄媒體（D 1 ) ’其特徵爲具備’具有 對記錄或是再生光的入射面（1 a )爲凸部之第1凸軌（1 L )及爲凹部之第1凹軌（1 G )之第1光穿透性基板（1 ) ’及形成於此第1光穿透性基板之由有機色素所組成之弟 1記錄層（2)之第1層（L0)，及具有第2凸軌（7L) 及第2凹軌（7G )之第2光穿透性基板（7 )，及形成於 此第2光穿透性基板之反射膜（6 )，及形成於此反射膜 之由有機色素所組成之第2記錄層（5)之第2層（L1) ’及不僅上述第1凸軌與上述第2凹軌爲對向且上述第1 凹軌與上述第2凸軌爲對向，並以上述第1及第2記錄層 包夾於上述第1及第2光穿透性基板而貼合上述第1層及 上述第2層之中間貼合層（4 );於設定形成於上述第2 凹軌的底面（7Ga)之上述反射膜的厚度爲Tb，及通過第 2凸軌的上面的面（7Lal )與上述第2凹軌的側壁（7Gb )所形成的角度爲α 1之際，滿足α 1 g cos·1 ( 20/Tb )的 關係。 (b )如（a )所記載之光記錄媒體，其中，上述反射 月臭的厚度Tb爲30nmSTbS100nm。 發明之效果： 根據本發明的光記錄媒體，於對採用對向貼合工法之 -10- (7) 1295057 雙層型光記錄媒體的L 1層進行內凹軌記錄之際，可降低 介於反射膜而散熱，而充分確保記錄特性。結果爲可獲得 良好的記錄特性。 【實施方式】 以下，參照附加的圖式來說明本發明之光記錄媒體的 實施型態。關於光記錄媒體，例如有DVD-R等可寫入1 次（可記錄）雙層型光碟，及雙層型光學卡等資訊記錄媒 體爲例子。於以下的說明當中，係採用可寫入1次雙層型 光碟（DVD-R)來做爲光記錄媒體D1的一實施型態，但 是本發明亦可適用於具備相同構成之碟片及光學卡等之光 記錄媒體。 第1圖係顯示光記錄媒體D1的一實施型態之擴大剖 面圖。於光穿透性基板1上依序疊層由色素所組成之記錄 層2及半透明膜3。將此設定爲第1層（L0層）。於基板 1上設置有對記錄或是再生光所入射的面1 a爲凸部之凸軌 1 L及爲凹部之凹軌1 G。
接下來於光穿透性基板7上依序疊層反射膜6及色素 所組成之記錄層5，將此設定爲第2層（L1層）。於基板 7上設置有凸軌7L及凹軌7G (引導溝），並各自定義凹 軌的底面7Ga、凹軌的側面7Gb、及凸軌的上面7La。L0 層的半透明膜3及L1層的記錄層5介於中間貼合層4而 貼合，而製作出雙層型光記錄媒體D 1。如第1圖所示般 ，係以凸軌1L及爲凹軌7G爲對向，凹軌1G及凸軌7L -11 - (8) 1295057 爲對向的方式而貼合L0層及L1層。 在此’來自於記錄再生裝置（圖中未顯示）的記錄或 疋再生用的雷射先L A 1、L A 2，從基板1的入射面側1 a照 射’對L0層的記錄，係聚焦雷射光La 1於記錄層2，對 L 1層的記錄，係聚焦雷射光l A 2於記錄層5。爲了使聚 焦分離，中間貼合層4的厚度有必要約爲5 〇 e m。 首先詳細說明L 0層。 關於基板1的材料，可採用各種透明的合成樹脂及透 明玻璃等。關於合成樹脂，例如有聚碳酸酯（ Polycarbonate )樹脂、聚甲基丙烯酸甲酯（p〇lymethyl Methacrylate )樹脂、聚烯烴（polyolefill )樹脂、環氧（ Epoxy )樹脂、聚亞醯胺（p〇iyimide )樹脂等，就較低的 光學的負折射及吸濕性質，且容易成形來看，較理想爲聚 碳酸酯樹脂。 基板1的厚度並無特別限制，就考慮到本實施型態的 DVD-R於既有的DVD記錄再生裝置可再生之相容性來看 ，較理想爲〇.6mni。而DVD全體厚度爲i.2mm。 基板1可爲可撓性（Flexible )，亦可爲剛性（Rigid )。可撓性基板1可使用於錐狀、薄板狀、卡狀之光記錄 媒體。剛性基板1可使用於卡狀或是碟片狀的光記錄媒體 〇 於DVD _R當中，預先製作於表面上具有0.74// m間 距的螺旋狀或是同心圓狀的凹凸（凹溝）之轉印模（ S t a m p e r )，於射出成形時，以可充分將轉印模的凹凸轉 -12- (9) 1295057 印至基板1之方式來設定射出條件，而製作出基板i。 轉印凹溝於基板1的轉印模，如一般所知曉般，以特 定厚度塗佈光阻於玻璃圓盤上，以可獲得所希望的凹溝（ 凹軌）深度的方式來調整雷射光的強度，從內周至外周曝 光凹軌。此時’於DVD-R的情況下，藉由將雷射光分爲2 道光束等’可同時曝光凹軌及安部的前凹坑（1^11〇1?^-Pit，LPP )。之後經由顯像及鎳電鍍等一般的製成之後， 而獲得轉印模。從如此的一般製程所獲得的轉印模而製作 出之基板1的凹軌1 G的側壁角度α 0爲2 0〜8 0度。凹軌 1 G的側壁角度α 0及之後所述的基板7的凹軌7 G的側壁 角度αΐ，可爲不同的角度。 關於記錄層2所採用的色素材料，可採用具備花青素 (Cyanine)系列，欽菁（Phthalocyanine)系列，偶氮（ Αζο )系列等基本骨幹之有機色素，於調整成分之後，最 適化示差熱特性及波長特性，並以旋轉塗佈機等來塗佈。 塗佈主要是以旋轉塗佈法來進行，此時須以避免厚度 的不均勻之方式來進行高精密度之色素的溫度管理及塗佈 環境的溫溼度管理。溫度管理較理想爲抑制在± 0 . 1 °c以內 〇 記錄層2的層厚並非由直接測定層厚，而是由色素的 極大吸收波長中之吸光度（A b s 〇 r b a n c e )來決定。若吸光 '度較小的話，則無法獲得較高的調變度，若吸光度太大的 話，則抖動會惡化。吸光度乃因色素的種類及調配而有所 不同，較理想爲0.55〜0.8Abs。 -13- (10) 1295057 種 於 屬 分 想 、 者 Ni 照 對 增 減 難 看 導 須 ·〉牛4 熱 範 小 關於半透明膜3的材料，例如有具備光反射性的Ai Au、Ag等金屬，或是包含以這些金屬爲主成分之由！ 以上的金屬或是半導體所組成的添加元素之合金，以及 Al、Au、Ag等金屬當中混合ai、si等金屬氮化物、金 硫化物等金屬化合物者。 在這當中，Au、Ag等金屬以及以這些金屬爲主成 之合金，由於反射率較高且熱傳導率較高，因而較爲理 。關於合金的例子，一般有於A1當中添加Si、Mg、Cu Pd、Ti、Cr、Hf、Ta、Nb、Μη、Zr 等之至少 1 種元素 ，或是於Au或是Ag當中添力口 Cr、Ag、Cu、Pd、Pt、 、In、Ca等之至少1種元素者。 若是熱傳導度較低的話，則由於依據記錄時的雷射 射之熱的擴散不足，使標記邊緣產生不安定的擴散以及 鄰近軌道的影響等，而使記錄特性惡化，因而產生必須 加半透明膜3的厚度而形成之問題。此外，若採用無法 少半透明膜3的厚度之材料的情況下，如之後所述般， 以確保於記錄再生L 1層的情況下之光穿透率。由此來 ，於考慮高線速度記錄的情況下，較理想爲採用以熱傳 率較高的Ag爲主成分之金屬或合金。 半透明膜3於對L1層進行記錄再生的情況下，必 使雷射光穿透。因此有必要設定爲可確保雷射光的穿透 約爲5 0 %的厚度。半透明膜3的厚度有必要因該材料的 傳導率的大小之不同而不同，較理想爲於5 n m〜2 0 n m的 圍內。半透明膜3若於5 nm以下的話，則反射率的値較 -14- (11) 1295057 ，且由於冷卻速度不足而對記錄狀態造成較大的影響。此 外，若超過20nm的話，則雷射光的穿透率未滿50%，而 不適用於雙層型光記錄媒體。 關於疊層半透明膜3的方法，有於真空中之薄膜形成 法，例如爲真空蒸鍍法（電阻加熱型及電子束型），離子 蒸鍍法，濺鍍法（直流及交流濺鍍、反應性濺鍍）等。在 這當中，就以容易控制組成及膜厚來看，較理想爲濺鍍法 〇 接下來詳細說明L1層。 關於基板7的材料，厚度及種種條件均與上述基板1 爲相同條件。 轉印凹溝於基板7的轉印模，與上述同樣般於曝光凹 軌之後，採用稱爲玻璃餓刻之方法。於玻璃纟虫刻當中，於 顯像之後，進 '行採用〇 2氣體之灰化（A s h i n g )，而僅暴 露出成爲凹軌的部分。之後採用CF4或是CHF3等氣體， 進行氣體蝕刻至特定的深度。關於此時的蝕刻裝置，可採 用反應性離子触刻（Reactive Ion Etching，RIE)。藉此 可得到側壁角度極爲陡峭之凹軌，此外該側壁的角度亦可 藉由蝕刻條件（蝕刻功率、蝕刻氣壓等）來改變。從如此 過程所獲得的原盤，經由一般的製程，而可獲得轉印模。 關於記錄層5的材料，其塗佈條件及層厚與上述記錄 層2爲相同條件。 此外，於記錄層5的表面上，亦可設置之後所述之於 貼合之際的保護層（圖中未顯示）。關於此保護層的材料 15- (12) 1295057 ，較理想爲包含氮化物、氧化物、碳化物當中至少1種之 材料，具體而言爲包含氮化鍺、氮化矽、氮化鋁、氧化鋁 、氧化鍩、氧化鉻、碳化矽、碳當中至少1種之材料。此 外，亦可於這些材料當中包含氧元素、氮元素、氫元素等 。上述氮化物、氧化物、碳化物可不依據該化學計量，而 氮元素、氧元素、碳元素亦可爲過剩或是不足。藉由此， 使界面層不易剝落，可提升保存耐久性等，而可提升膜的 特性。在這當中，ZnS及Si02亦適用於保護層。 關於反射膜6的材料，由於Al、Au、Ag等金屬以及 包含以這些金屬爲主成分之合金，反射率較高且熱傳導率 較高，因而較爲理想。一般的合金的例子，係與上述半透 明膜3當中所列舉者相同。 此反射膜6的厚度，有必要因形成反射膜6的材料的 熱傳導率的大小之不同而不同，較理想爲於3〇nm以上且 於100nm以下。反射膜6若超過50nm的話，則無法產生 光學性變化，雖然無法影響反射率的値，但是對冷卻速度 的影響較大。另一方面，反射膜6若超過10 Onm的話，則 對冷卻速度的影響過大，而無法充分記錄。 如已敘述般，反射膜6對L 1層的記錄特性產生影響 ，尤其是形成於凹軌側壁7 Gb的反射膜6的厚度（側壁厚 度）產生較大的影響。由於難以直接測定側壁厚度，因此 於藉由濺鍍粒子的行進性較高的濺鍍裝置來濺鍍反射膜的 情況下，可以下列所述者來近似。亦即，設定形成於側壁 厚度B、凹軌底面7Ga之反射膜6的厚度Tb (底面厚度 -16- (13) 1295057 )，與通過凸軌上面7La的面7Lal與凹軌的側壁7Gb ( 7Gbl )所形成的角度（側壁角度）爲α 1，以B = Tbc〇S α 1 來近似，而可以側壁角度α 1爲參數來討論附著於凹軌側 壁7Gb之反射膜6的厚度。在此，所謂的側壁厚度Β，係 定義爲，附著於凹軌7G的50%深之凹軌側壁7Gb之反射 膜6的厚度。 若考慮上述近似式的話，則較理想爲減少底面厚度 Tb於，形成於凹軌底面7Ga之反射膜6可確保足夠的反 射率的範圍內。如此，可抑制反射膜6往凹軌側壁7Gb之 形成。此外，於可確保反射率的範圍內增加底面厚度Tb 的情況下，則有必要形成凹軌側壁7Gb的側壁角度α 1較 爲陡峭，而抑制反射膜6的附著。 由於形成凹軌側壁7 Gb的側壁角度α 1較爲陡峭，而 使對濺鍍的靶材之凹軌側壁7 Gb的投影面積減少。因此， 由濺鍍裝置而形成的反射膜6的厚度（側壁厚度B )，亦 伴隨於此而變得較薄。 由以上所述，本發明發現，若以滿足第（1 )式的關 係來選擇形成於L 1層的基板7之凹軌側壁7 Gb的側壁角 度α 1的話，則可抑制介於凹軌側壁7Gb上的反射膜6之 放熱。Tb爲已敘述之形成於凹軌底面7Ga之反射膜6的 厚度。 α 1 ^ cos*1 ( 20/Tb )......第（1 )式 -17- (14) 1295057 第（1 )式的右邊係算出，於設定凹軌側壁7 G b上的 反射膜6的厚度（側壁厚度B )爲20nm之際之邊際側壁 角度’而實際的側壁角度α 1只要大於右邊即可。亦即， 若是爲具備滿足第（1 )式之側壁角度α 1及底面厚度丁b 之光記錄媒體的話，則側壁厚度B最大爲20nm。若側壁 厚度B小於20nm的話，則凹軌側壁7Gb上的反射膜6之 熱的發算會下降至不會產生信號記錄的問題之水準以下。 此外，擴大濺鍍裝置的靶材與基板之間的距離，亦可 增加濺鍍粒子的行進性，係成爲抑制側壁附著之有效手段 之一’而更增加本發明的效果。然而，如此會產生機鍍速 率的下降，因此僅僅是擴大濺鍍裝置的靶材與基板之間的 距離，並非爲具備實用性之手段。 最後，如上所述般，以使記錄層2及記錄層5包夾於 基板1及基板7的方式而貼合具備上述構成之L0層及L1 層。亦即，以使基板1及基板7朝向外側的方式而對向貼 合半透明膜3及記錄層5。由於用來貼合，因此中間貼合 層4係採用UV (紫外線）硬化樹脂及雙面黏著薄膜。此 中間貼合層4如已敘述般，較理想爲可達到雷射光的聚焦 分離之50 // m。 以下依序說明本實施型態之實施例1〜9及比較例 1〜1 〇。於各實施例及比較例當中所採用之光記錄媒體（雙 層DVD-R碟片），係以下列步驟而製作出。 於各實施例及比較例當中，L0層均採用相同條件者 -18- (15) 1295057 基板1採用根據DVD-R格式而形成有0.74 // 的螺旋狀凹溝之轉印模，射出並成形聚碳酸酯樹月旨 基板1。基板1的厚度爲0.6mm。 關於記錄層2，於調整具備花青素系列的基本 有機色素的成分之後，最適化示差熱特性及波長特 以可藉由旋轉塗佈機而塗佈的方式來調整黏度而塗 厚係調整爲吸光度爲0.7Abs。 半透明膜3係採用 A1合金，採用濺鍍裝置 l〇nm的膜厚。 L 1層以下列步驟而製作出。基板7採用根據 格式而形成有0.74 // m間距的螺旋狀凹溝之轉印模 並成形聚碳酸酯樹脂而製作出厚度爲〇.6mm的基枝 螺旋方向係以與基板1爲相反的方向旋轉，亦即爲 係而配置。此外，因應各實施例及比較例，而準備 了側壁角度α 1之基板7。 於所製作出的基板7上，藉由濺鍍裝置而疊層 6。關於反射膜6，係採用Α1合金，並於各實施例 例當中增加或減少反射膜6的厚度。在此，反射膜 度係設定爲於第（1 )式當中所採用之底面厚度Tb 接下來，藉由旋轉塗佈機來塗佈記錄層5。關 層5，於調整具備花青素系列的基本骨幹之有機色 分之後，最適化示差熱特性及波長特性’並以可藉 塗佈機而塗佈的方式來調整黏度而塗佈。層厚係調 光度爲〇.7Abs。 m間距 而製作 骨幹之 性，並 佈。層 而形成 DVD-R ，射出 ΐ 7。而 鏡像關 各改變 反射膜 及比較 6的厚 的値。 於記錄 素的成 由旋轉 整爲吸 -19- (16) 1295057 之後，藉由做爲中間貼合層4而採用之厚度5 0 // m的 雙面黏著薄膜，而貼合所準備的L0層及L1層，而製作出 光記錄媒體。此時，光記錄媒體的全體厚度爲1 .2mm。 採用波長爲65 8nm之雷射二極體，搭載有NA = 0.60 的光學透鏡之P u ] st e c公司製造之光碟驅動器測試機（ DDU 1 0 00 )，而進行上述所獲得的光記錄媒體之記錄（i 光束·覆寫）及測定。 以記錄線速度爲3.5m/s (相當於DVD1倍速），藉由 8-16調變隨機模式而進行評估。時脈週期爲28.4ns (於 DVD1倍速），凹坑長度爲0.267// m/bit。記錄係於包含 鄰近的軌道而完成1次的寫入之後，測定調變度（Μ Ο D ) 、反射率及推挽度（Push Pull，ΡΡ )。此外，於該再生信 號的振幅中心上分段（Slice )，而測定資料抖動時脈（ Clock to Data Jitta)。再生功率Pr固定爲〇.7mW。此外 ，記錄策略（脈衝模式）係採用，依循DVD-R Version 2 · 0的規定之分割脈衝系列。 以上述記錄再生條件進行記錄再生而測定之際，乃確 認出L0層的調變度爲60%以上，光穿透率爲50%以上， 而滿足必要特性。必要特性係設定爲，依循D V D · R的規 格値，調變度（MOD )爲60%以上，反射率爲18%以上 ，推挽度（Push Pull，PP )爲 0.22 以上。 接下來於各個·實施例及比較例當中，依循上述而製作 L 1層’以與上述相同般而評估該特性。關於各個實施例 及比較例的反射膜6的底面厚度Tb，側壁角度α 1，邊際 -20- (17) 1295057 側壁角度，調變度，反射率，及記錄功率，係整理於第1 表而表示。 而各個實施例係滿足第（1 )式。 -21 - (18)1295057 〔第1表〕 底面厚度Tb 側壁角度α] 側壁邊際角度 調變率 反射率 記錄功率 (nm) (deg) (deg) (%) (%) (mW) 實施例] 50 70 66 65 18.2 20 實施例2 75 75 75 63 18.5 25 實施例3 100 80 78 62 19.2 22 實施例4 30 50 48 62 18 19.5 實施例5 40 80 60 66 18.1 21 實施例6 50 85 66 70 18.1 20.5 實施例7 70 80 73 64 18.6 22 實施例8 90 85 77 66 18.9 22.5 實施例9 100 80 78 62 18.9 22 比較例I 50 60 66 50 18.1 25 比較例2 100 70 78 20 19.1 35 比較例3 70 70 73 35 18.6 30 比較例4 200 85 84 60 19.3 30 比較例5 30 45 48 59 18 30 比較例6 28 45 44 58 17 29 比較例7 110 85 80 58 19 28 比較例8 25 70 37 70 17.7 19.2 比較例9 100 75 78 25 19.1 33 比較例10 80 55 79 18 18.7 38
-22- (19) 1295057 (實施例1 ) 於實施例1當中，以形成於L1層的基板7之凹軌7 G 的側壁角度α 1爲70度的方式而製作凹溝轉印用轉印模（ Stamper )，採用此轉印模，藉由射出成形而製作基板7。 以底面厚度Tb爲50nm的方式，形成反射膜6於基板7上 。之後於旋轉塗佈機當中，塗佈成爲記錄膜5之色素，介 於中間貼合層4，與L0層貼合而形成雙層型光記錄媒體 D1。於本實施例1當中，於底面厚度Tb爲50nm之際， 由第（1 )式所求得的邊際側壁角度爲66度（mos·1 ( 2 0/5 0 ))於測定該特性之際，調變度爲65%，反射率爲 18.2%，記錄功率爲20mW，而顯示出極爲優良的特性。 (實施例2 ) 於實施例2當中，採用凹溝轉印用轉印模，以側壁角 度αΐ爲75度的方式而形成基板7，並以底面厚度Tb爲 7 5 nm的方式形成反射膜6。其他與實施例1相同而製作。 於本實施例2的情況下，邊際側壁角度爲7 5度。所測定 的特性爲調變度爲63%，反射率爲18.5%，而記錄功率 爲2 5mW，雖然稍大，但是位於適當的範圍內。 (實施例3 ) 於實施例3當中，採用凹溝轉印用轉印模，以側壁角 度αΐ爲80度的方式而形成基板7，並以底面厚度Tb爲 】0 0 n m的方式形成反射膜6。其他與實施例1相同而製作 -23- (20) 1295057 。於本實施例3的情況下，邊際側壁角度爲7 8度。所測 定的特性爲調變度爲62%，反射率爲19.2%，記錄功率 爲2 2mW，位於適當的範圍內。 (實施例〇 於實施例4當中，採用凹溝轉印用轉印模，以側壁角 度αΐ爲50度的方式而形成基板7，並以底面厚度Tb爲 3 Onm的方式形成反射膜6。其他與實施例1相同而製作。 於本實施例4的情況下，邊際側壁角度爲48度。所測定 的特性爲調變度爲62%，記錄功率爲19.5mW，位於適當 的範圍內。但是由於反射膜較薄，因此反射率爲1 8.0 %， 位於規格的下限。 (實施例5 ) 於實施例5當中，採用凹溝轉印用轉印模，以側壁角 度α 1爲80度的方式而形成基板7，並以底面厚度Tb爲 4 Onm的方式形成反射膜6。其他與實施例1相同而製作。 於本實施例5的情況下，邊際側壁角度爲60度。所測定 的特性爲調變度爲66%，記錄功率爲21.0mW，均位於適 當的範圍內，但是由於反射膜較薄，因此反射率爲18.1% ，而接近規格的下限。 (實施例6 ) 於實施例6當中，採用凹溝轉印用轉印模，以側壁角 -24- 1295057 (21) 度αΐ爲85度的方式而形成基板7，並以底面厚度Tb_ 5 0 n m的方式形成反射膜6。其他與實施例1相同而製作 於本實施例6的情況下，邊際側壁角度爲66度。所測定 的特性爲調變度爲70%，記錄功率爲20.5mW，均位於適 當的範圍內，但是由於反射膜較薄，因此反射率爲1 8 · 1 % ，而接近規格的下限。 (實施例7 ) 於實施例7當中’採用凹溝轉印用轉印模’以側壁角 度α 1爲80度的方式而形成基板7，並以底面厚度Tb爲 7 Onm的方式形成反射膜6。其他與實施例1相同而製作。 於本實施例7的情況下，邊際側壁角度爲7 3度。所測定 的特性爲調變度爲64%，記錄功率爲22.0mW，均位於適 當的範圍內。但是由於反射膜較薄，因此反射率爲1 8 · 6 % ，爲較低的値。 (實施例8 ) 於實施例8當中，採用凹溝轉印用轉印模’以側壁角 度αΐ爲85度的方式而形成基板7，並以底面厚度Tb爲 9 Onm的方式形成反射膜6。其他與實施例1相同而製作。 於本實施例8的情況下，邊際側壁角度爲7 7度。所測定 的特性爲調變度爲66%，記錄功率爲22.5mW ’均位於適 當的範圍內，而反射率爲1 8.9 %，爲足夠的値。 (22) 1295057 (實施例9) 於實施例9當中，採用凹溝轉印用轉印模，以側壁角 度αΐ爲80度的方式而形成基板7’並以底面厚度Tb爲 1 OOnm的方式形成反射膜6。其他與實施例]相同而製作 。於本實施例9的情況下，邊際側壁角度爲7 8度。所測 定的特性爲調變度爲62%，記錄功率爲22. OmW，反射率 爲1 8.9 %，均位於適當的範圍內。 (比較例1 ) 於比較例1當中，除了設定側壁角度^ 1爲60度之外 ，其他與實施例1相同而製作。所測定的特性爲調變度爲 5 〇 %，無法滿足規格値（6 0 %以上）。這是因爲反射膜6 的側壁厚度B較厚，從該部分的放熱較大’而無法使有機 色素產生足夠的性質改變。 記錄功率爲2 5 m W亦較大。爲了供應足夠的熱於記錄 膜而提升調變度，因而提高較大的記錄功率’但是使抖動 產生惡化，且2 5m W的記錄功率亦位於上限。 (比較例2 ) 於比較例2當中，除了設定反射膜6的底面厚度Tb 爲1 OOnm之外，其他與實施例1相同而製作。由於設定 Tb爲1 OOnm，因此邊際側壁角度爲78度，超過側壁角度 α 1的7〇度。所測定的結果爲調變度爲20% ’遠低於60 %。這可視爲由於側壁上的反射膜膜厚極大’因此從側面 -26- (23) 1295057 冷卻有機色素的效果較大’而無法形成充分的記錄標記（ 性質改變）之故。記錄功率爲3 5 m W亦極大，此外，即使 提升至以上的功率，亦無法改變調變度。 (比較例3 ) 於比較例3當中’除了設定反射膜6的底面厚度Tb 爲7 Onm之外，其他與實施例1相同而製作。於反射膜6 的底面厚度Tb爲7 Onm之際’邊際側壁角度爲73度，由 於設定側壁角度α 1爲7 0度’因此低於邊際側壁角度。結 果爲調變度爲3 5 %，無法滿足規格値。這可視爲因側壁的 反射層的放熱較大之故。此外，記錄功率爲3 OmW亦極大 ，即使提升至以上的功率，亦無法改變調變度。 (比較例4 ) 於比較例4當中，除了設定反射膜6的底面厚度Tb 爲2 0 Onm，側壁角度α 1爲8 5度之外，其他與實施例1相 同而製作。於反射膜6的底面厚度Tb爲2 OOnm之際，邊 際側壁角度爲8 4度，側壁角度α 1僅超過邊際側壁角度些 許。此時的調變度爲60%，位於規格値下限，記錄功率爲 3 OmW亦極大。此外，即使提升至以上的功率，亦會使抖 動產生惡化，且無法提升調變度。此外，若設定側壁角度 α 1爲8 5度的話，則角度極爲陡峭，於射出成形之際，基 板不易從轉印模當中脫離。 -27- (24) 1295057 (比較例5 ) 於比較例5當中，除了降低側壁角度α 1爲45 減少反射膜6的底面厚度Tb爲3 Onm之外，其他與 1相同而製作。由於減少反射膜6的厚度Tb的厚 此邊際側壁角度亦降低爲4 8度，然而，由於於比 當中設定側壁角度α 1爲45度，因此側壁角度α 1 際側壁角度。測定的結果爲調變度爲5 9 %，無法滿 値，而記錄功率亦上升至30mW，即使提升至以上 ，亦會僅是使抖動產生惡化。 (比較例6 ) 於比較例6當中，除了降低側壁角度α 1爲4 5 減少反射膜6的底面厚度Tb爲2 8nm之外，其他與 1相同而製作。由於減少Tb的厚度，因此邊際側 亦降低爲44度，側壁角度α 1 ( 4 5度）超過邊際側 。測定的結果爲調變度爲5 8 %，稍微低於規格値f 。此外，反射率爲1 7.0 %，低於規格値的1 8 % ’ 得知爲無法使用。反射率低於規格値的原因可視爲 小之故。 (比較例7 ) 於比較例7當中，除了設定反射膜6的底面^ 爲1 1 0 nm，側壁角度α 1爲8 5度之外，其他與實施 同而製作。由於設定反射膜6的底面厚度Tb爲1 度，並 實施例 度，因 較例5 低於邊 足規格 的功率 度，並 實施例 壁角度 壁角度 ΰ 60% 因此可 Tb過 雾度Tb 例1相 1 Onm ? -28- 1295057 (25) 因此邊際側壁角度爲8 0度。於本比較例7當中，調變度 爲5 8 %，稍微低於規格値，且即使提升至以上的功率，亦 會使抖動'產生惡化，且無法提升調變度。此外，即使側壁 角度α 1較邊際側壁角度還大卻無法提升調變度的原因， 可視爲雖然溝側面的反射膜厚降低至邊際以下，但由於溝 底面的反射膜膜厚較大，因此來自於反射膜之熱的發散較 大之故。 (比較例8 ) 於比較例8當中，除了設定反射膜6的底面厚度Tb 爲2 5nm，側壁角度α 1爲70度之外，其他與實施例1相 同而製作。由於減少反射膜6的厚度Tb爲25 nm，因此邊 際側壁角度爲3 7度，側壁角度α 1超過邊際側壁角度較多 。於本比較例8當中，調變度爲70%，較爲足夠，記錄功 率爲19.2mW，亦爲適當的値，但是，反射率爲17.7%， 低於規格値。 (比較例9 ) 於比較例9當中，除了設定反射膜6的底面厚度Tb 爲100nm，側壁角度α 1爲75度之外，其他與實施例1相 同而製作。由於設定Tb爲lOOnm，因此邊際側壁角度爲 7 8度，側壁角度α 1低於邊際側壁角度。因此側壁的反射 膜厚度Β較厚，調變度爲25%極低，記錄功率爲 亦極大。此外，即使提升記錄功率至以上的功率’亦會使 -29- (26) 1295057 抖動產生惡化，且無法提升調變度。 (比較例1 〇 ) 於比較例1 〇當中，除了設定反射膜6的底面厚度Tb 爲8 Onm，側壁角度α 1爲5 5度之外，其他與實施例1相 同而製作。由於設定Tb爲8 Onm，因此邊際側壁角度爲76 度，側壁角度α 1遠低於邊際側壁角度。因此側壁上的反 射膜厚度爲46nm。結果爲調變度降低爲18%極端的低， 記錄功率爲3 8 m W亦極大。此外，即使提升記錄功率至以 上的功率，亦會使抖動產生惡化，且無法提升調變度。 【圖式簡單說明】 第1圖係顯示本發明之光記錄媒體的一實施型態之擴 大剖面圖。 第2圖係顯示藉由對向貼合工法所製作之光記錄媒體 的以往例子之擴大剖面圖。 【主要元件符號說明】 1 :基板（第1光穿透基板） 1 a :入射面 1 G :第1凹軌 1L :第1凸軌 2 :記錄層（第1記錄層） 3 :半透明層 -30- (27) 1295057 4、2 4 :中間貼合層 5 :記錄層（第2記錄層） 6、2 6 :反射膜 7:基板（第2光穿透基板） 7 G :凹軌（第2凹軌） 7 G a :凹軌底面 7Gb、7Gbl ：凹軌側壁
7 L :凸軌（第2凸軌） 7La :凸軌上面
7 La 1 :通過第2凸軌的上面的面 2 1、2 7 :透明基板 21a:雷射光入射面 2 1 G、2 7 G :凹軌 2 1 L、27L ：凸軌 2 2、2 5 :記錄層 2 3 :半透明膜 α 0、α 1 :側壁角度 - Β :反射膜6的側壁厚度
Dl、D2 :雙層型光記錄媒體
Tb :底面厚度 L0 : L0層（第1層） LI : L1層（第2層） LAI、LA2 :雷射光 -31 -