TWI294637B - Chuck, lithographic projection apparatus, method of manufacturing a chuck and device manufacturing method - Google Patents

Description

1294637 玖、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明與一種藉由靜電力來將下列物件固定在支撐枱上 的夾頭有關： - 在使用微影投射技術來製造裝置中打算被處理之基底 (substrate);或者是 - 在微影投射裝置，諸如光罩檢查或清潔裝置的光罩處 理裝置（mask handling apparatus)，或者光罩製造裝置中之微 影投射光罩或光罩半成品（mask blank); 該夾頭包括： 第一介電構件（dielectric member)。 本發明也與一種微影投射裝置有關，該裝置包括： - 用來供應輕射之投射射束（projection beam)的ϋ射系統； - 用來支撐圖案化構件（patterning means)的支撐結構，該 圖案化構件可作為根據一種所需圖案加以圖案化投射射束 之用； - 用來固定基底的基底括（substrate table); - 用來將已圖案化射束投射在基底之一目標部份（target portion)上的投射系統。 本發明也與一種用來製造適於微影投射裝置之基底，反 射鏡或光罩枱（mask table)，或者是夾頭或框架（frame)的方 法有關。 【先前技術】 應該將像此處所使用那樣的術語“圖案化構件”加以廣義 85177-941025.doc 1294637 地解釋為：指的是能夠被使用來賦予入射輻射束（radiati〇n beam)—種已圖案設計截面的構件，該截面對應於打算在基 底之一目標部份中產生的一種圖案；關於此點，也能夠使 用術語π光閥"（light valve)。通常，該圖案將會對應於一特 定功能層（functional layer) ’該層是在諸如積體電路或其它 裝置（參見下文）的一種在目標部份中所產生的裝置中。這種 圖案設計構件的諸多實例包括： - 光罩：在微影術（lithography)方面，光罩的概念是為人 所熟知的；並且它包括：諸如二元型（binary)，交變相 移型（alternating phase-shift)及衰減相移型的光罩類型 ;以及各種混合型（hybrid)光罩類型。將這樣一種光罩放 置於輻射中，就會根據光軍上的圖案而造成射到光軍 上的輻射呈現選擇性透射（在透射型光罩（transmissive mask)的情形下）或反射（在反射型光罩的情形下）。在光 罩的情形下，支撐結構通常是光罩枱’它保證：能夠 將光罩固定在入射輻射射束中之一所需位置處，並且 必要時能夠相對於射束而移動光罩。 _ 可程式規劃反射鏡陣列（programmable mirror array):這 樣一種裝置之一實例是具有黏彈性控制層（visc〇elastic control layer)之一可矩陣定址表面（matrix addressable surface)以及一反射表面。支持這樣一種裝置的基本原 理是：譬如說，反射表面的定址區域（addressed areas) 都會將入射光反射成為繞射光（diffracted light)，而未定 址區域則都會將入射光反射成為非繞射光（undiffracted 85177-941025.doc 1294637 light)。使用一種適當的濾光器，能夠將該非繞射光從 反射射束中加以濾除，因而只留下繞射光；以此方式 ，根據可矩陣定址表面的定址圖案而使射束變成已圖 案化射束。可程式規劃反射鏡陣列之一替換性實施例 則是使用諸多小型反射鏡（tiny mirrors)之矩陣佈置，藉 由施加適當局部電場，或者是藉由使用壓電啟動構件 (piezoelectric actuation means)，就能夠將其中每個反射 鏡針對一軸作個別地傾斜。再一次地，反射鏡都是可 矩陣定址的，使得：定址反射鏡會將朝向一不同方向 的入射輻射射束反射到非定址反射鏡；以此方式，根 據可矩陣定址反射鏡的定址圖案而對反射射束施以圖 案化。能夠使用適當電子構件來執行所需矩陣定址操 作。在以上描述的兩種情形下，圖案化構件可能包括 一個或更多可程式規劃反射鏡陣列。譬如說，從美國 專利第US 5,296,891和第US 5,523，193號以及PCT專利 申請案第W0 98/38597和第W0 98/33096號中，就能夠 蒐集到更多關於如此處所指稱之反射鏡陣列的資訊， 該專利都以引用的方式併入本文中。在可程式規劃反 射鏡陣列的情形下，可能將該支撐結構加以具體實施 成為：譬如說是框架或支撐枱；依需要，它可能是固 定的或活動的。 - 可程式規劃LCD陣列：將這樣一種構造之一實例載示於 美國專利第US 5,229,872號中，該專利以引用的方式併 入本文中。如上述’可能將在這種情形下的支撐結構 85177-941025.doc 1294637 加以具體實施成為··譬如說是框架或支撐枱；依需要 ，它可能是固定的或活動的。 為了簡單起見’在某些位置處，本文的其餘部份會將它明 確地指向涉及光罩和光罩枱的諸多實例；然而，就像宣示 於上文中那樣’在圖案化構件之較寬廣上下文（context)中 ，應該會明瞭在這些實例中所討論的一般原理。 能夠將微影投射裝置使用在譬如說明製造積體電路（jc) 中。在這樣一種情形下，圖案化構件可能產生一種對應於 IC之一個別層的電路圖案，並且能夠將這種圖案成像 (image d)在基底（碎晶圓（silicon wafer))上面之一目標部份 (例如：包括一個或更多晶粒（die))上，該基底已經被外塗一 層對無射靈敏的材料（抗姓劑（resist))。大體上，單一晶圓會 包含諸多鄰接目標邵份之％整網路（wh〇le network)，其中藉 由投射系統加以連績地輕照（irradiate)該目標部份，每次一個 。在使用光罩枱上的光罩來執行圖案化的目前裝置中，能夠 對兩種不同類型的機器加以區別。在一種類型的微影投射裝 置中’藉由將整個光罩圖案一下子（in one g0)曝光於目標部份 上來輻照每個目標邵份；將這樣一種裝置通稱為晶圓步進器 (wafer stepper)。在一種通稱為步進暨掃描（step-and-scan)裝 置的替換性裝置中’藉由以下方法來輕照每個目標部份：朝 向一既定參考方迥Γ掃描中”（scanning)方向）而循序漸進地 (progressively)掃描在投射射束之下的光罩圖案；同時地， 朝向與此方向平行或反平行（anti-paraiiei)之方向而同步地 (synchronously)掃描基底枱；大體上，由於投射系統將會具 85177-941025.doc -9- 1294637 有放大率（magnification factor ) Μ (通常<1) ’故而掃描該基 底枱的速度V就是放大率Μ乘以掃描光罩枱的速度。譬如說 ，從美國專利第US 6,046,792號中’就能夠蒐集到更多關於 如此處所描述之微影裝置的資訊，該專利以引用的方式併 入本文中。 在一種使用微影投射裝置的製程中，將圖案（例如：在一 光罩中）成像在至少部份地被一層對輻射靈敏的材料覆蓋 的基底上面。在此成像步驟之前’該基底可能經歷各種程 序，諸如：塗底（priming)，抗蝕劑塗層，以及軟烘烤（soft bake) 。在曝光之後，可能使該基底承受其它程序，諸如：後曝 光烘烤（post-exposure bake ’ 簡稱PEB) ’ 顯影（development) ，硬烘烤（hard bake)，以及成像特徵（imaged features)之測 量/檢查。使用這套程序作為圖案化一種裝置（例如〗C)之一 個別的基礎。然後，這樣一種已圖案化層可能經歷各種製 程，諸如··蝕刻，離子植入（摻雜），金屬化（metallization) ，氧化，化學機械拋光（chemo-mechanical polishing)等，其 用意全部都是精加工（finish off)該個別層。若需要好幾層’ 則每一新層都必須重複完整程序或其中之一替換形式 (variant)。最後，諸多元件之陣列將會呈現在基底（晶圓）上 。然後，利用一種諸如切割（dicing)或锯開（sawing)的技術 來使這些元件彼此分離；因此能夠將諸多個別元件黏裝 (mounted)在載體（carrier)上，進而連接到插腳（pins)等等。 譬如說，從麥格羅·希爾（McGraw Hill)圖書出公司所印行 之由彼德范桑特（Peter van Zant)所著："微晶片製造：半導 85177-941025.doc -10- 1294637 體製程技術之實用指南"，第三版，1997年，圖書編號為ISBN 0-07-067250-4之書中，就能夠獲得關於這些製程的進一步 資説’該書以引用的方式併入本文中。 為了簡單起見，在下文中可能將投射系統指稱為，，透鏡，， (lens);然而，應該將此術語加以廣義地解釋為包含各種類 型的投射系統’譬如說包括：折射光學（refractive 〇ptiCS)， 反射光學（reflective optics)，以及反射折射系統（catadioptric system)。輕射系統也可能包括根據用來將輻射之投射射束 加以指向，整形（shaping)或控制的這些設計類型其中任何 一種類型而操作的諸多組件，並且以下也可能將這些組件 加以集體地或個別地指稱為一種”透鏡”。此外，微影裝置 可能是一種具有兩個或更多基底枱（及/或兩個或更多光罩 枱）的類型。在這種"多載物台”（multiple stage)裝置中，可 能以並聯方式來使用附加支撐枱；或者是，當一個或更多 其它支撐枱正在被使用於曝光時，就可能會在一個或更多 支撐枱上面執行一些製備步騾。譬如說，在專利第us 5,969,441和第W0 98/40791號申加以描述雙載物台微影裝 置，該專利以引用的方式併入本文中。 在微影裝置中，將基底非常穩固地固定在基底枱上是必 要的’使得··即使當基底枱在其掃描運轉期間經歷高加速 度時’也能夠準確地知道該基底的位置。在現存機器中，基 底座（substrate holder)或夾頭包括：被外壁（wall)包圍之一 具瘤狀突起的表面（pimpled surface)。該基底倚靠在外壁和 諸多瘤狀突起上，並且將基底後面的空間抽空（evacuated) 85177-941025.doc -11 - 1294637 ，使得：上方的氣壓會提供一種將基底固定在適當位置的 強大夾緊力（clamping force)。在專利第ΕΡ-Α-0 947 884號中 能夠發現這樣一種基底座的進一步細節，該專利以引用的 方式併入本文中。 以上類型的基底座已經證明對當前微影裝置是挺有效的 。然而，為了滿足針對縮減尺寸的成像特徵之不斷存在的 需求，就得需要降低用於投射射束之輻射波長。於是，雖 然目則裝置都是使用紫外輻射（ultravi〇let radiati〇n)，例如 ••具有248奈米（nm)，193奈米或157奈米之波長；但是改良 式解析度（resolution)卻要求研發微射影裝置要使用··遠紫 外（extreme Ultravi〇let，簡稱EUV)輻射（即：具有小於大約 5〇奈米之波長），X射線，電子或離子。這些提議類型的輻 射共有的要求是··必須將射束路徑或者至少是實質上部份 的路徑保持真空。於是，在基底上方沒有任何氣壓，傳統 式基於真空的（vacuum_based)基底座就無法執行功能。 在光罩寫錄（mask writing)，光罩清潔以及光罩檢查裝置 中也必須滿足類似的要求，所以夾頭遭受困擾的問題與微 影投射裝置的相同。 因此，已經提議使用一種靜電夾頭，藉由使用靜電力來 將基底固定在基底枱上。要實現此事，就得施加電位差橫 跨一種具有電極的介電材料。在這樣一種靜電夾頭（或2具 (clamp))之一實例中，將電位差施加在基底上面之一電極與 在基底括之中或上面之—電極之間。#施加電位差時，基 底<電極和基底枱之電極就變成帶相反電荷，並且因互相 85177-941025.doc -12- 1294637 吸引而具有足夠的力來將基底夾緊在適當位置。 專利第US 2002/0044267號揭露一種包括由ULE™材料所 製成之壓板（platen)的夾座（holder)，將它定位在該壓板上。 該夹座可能是一種靜電夾頭，譬如說是像揭露於美國專利 第 US 5,221，403，第 US 5,835,333或者第 US 5,835,334號中那 樣。 已經發現到：因為吸引力（attractive force)仍然存在，所 以即使一旦已經移除施加在兩個電極之間的電位差，可能 也很難將基底移離夾頭。因為要花較長的時間從其支撐抬 中裝載和卸除基底，所以此事對生產率（productivity)會有有 害的影響。 當使用夹頭來將下列物件固定在支撐枱上時，這些問題 就會存在：在微影投射裝置，諸如光罩檢查或清潔裝置的 光罩處理裝置，或者光罩製造裝置中之微影投射光罩或光 罩半成品。也可能將本發明的夾頭併入這些類型的裝置其 中任何一種裝置中。 【發明内容】 本發明之一目的是提供一種夾具，其中：在已經移除施 加在兩個電極之間的電位差之後，會很容易快速地移除基 底；並且該夾具具有低熱膨脹係數，使得導因於熱起伏 (thermal fluctuations)之不要的位置變化得以避免。 、在一種如開始一段中所載示的夾頭中，根據本發明來達 成這個和其它的目的；該夾頭之特徵為：其第一介電構件具 有至少ίο16歐姆厘米之電阻係數以及小於〇 〇2 X ι〇·6κ ΐ的 85177-941025.doc -13 - 12 9♦紹7()006號專利申請案 中文說明書替換頁(96年7月） 熱膨脹係數。 已經發現到：藉由保證介電構件具有至少1〇16歐姆厘米之 電阻係數’在已經移除兩個電極之間的電位差之後，夾頭 之殘餘爽緊力就會在-可接受時段内降低到—可接受位準 。相信此事是因為·.夾頭的夾緊力是在兩個帶電電極之間 的純電容性吸力（purely capacitive attracti〇n)和導因於約翰 遜-拉別克效應（Johnson-Rabbek effect)的力之一組合。 約翰遜-拉別克效應取決於流經兩個電極間的介電構件 之漏電流。由約翰遜-拉別克效應所發展出的力會隨：兩個 電極間的電位差存在的時間而增加…旦已經移除在兩個 電極之間的電位差，導因於约翰遜·拉別克效應的力就合隨 著時間而以-種料減少，料率取決於介電構件之傳導 率（C〇nduetivity)以及介電構件對晶圓/光罩界面的電阻 (resistance) 〇 藉由使用-種具有至少10、姆厘米之電阻係數的介電 構件，已經發現到··在微影投射裝置中，針對將電位差施 加在兩個電極之間的典型時段’會將導因於約翰遜-拉別克 效應的夾緊力保持達到可接受限度。 介電構件必須具有良好的光學和機械性質，在於：能 將它拋光成極為平坦的表面’以及它具有低熱膨脹係： 這是因為基底W與第-介電構件4接接觸。已經發現到 脳™會滿足所有必要準則，它是_種玻璃（由㈣公 (Corning Incorporated)所製造）。 85177-960719.doc 14 1294637 靜電夬頭的各種不同佈置都有可能。這些包括下列一種 佈置，其中：靜電夾頭基本上只是一個平面型（planar)介電 構件，並且將第一電極配備在與介電構件接觸之基底的表 面上，以及將第二電極配備在基底枱上面。然而，一些更 加複雜微秒的靜電夾頭也都有可能，這些包括下列一種夾 頭，其中：將第一電極和第二電極配備在第一表面對面之 介電構件的第二表面上’並且第一和第二兩個電極具有隔 開（spaced apart)關係。以此方式，就不需要將基底接地。 在本實施例中，有可能使靜電夾頭和基底枱分離，以便能 夠容易地清潔該夾頭。 實現分離式靜電夾頭的方法是使靜電夾頭進一步包括： 核心構件（core)，將它附著在第一介電構件的第二面上；第 二介電構件，將它附著在該第一介電構件對面的那一面的 核心構件上’且其中將第二電極包爽在核心構件與第二介 電構件之間。在這種情形下，將另一電極配備在基底枱之 中或上面，以便和第三電極相互作用，因而將靜電夾頭固 定在基底抬上。 為了製造這樣一種夾頭，就需要將介電構件附著在核心 構件上。適於靜電夾頭中的這兩種組件的最佳材料通常是 :具有所需光學和機械性質（平整度（flatness)和低熱膨脹係 數）的玻璃或玻璃陶瓷。如以上討論的，ULE™是適於介電 元件的諸多較佳材料中的一種材料。核心構件可能是由任 何低熱膨脹係數材料所製成，譬如說：Zerodur™ (由位於德 國5512〇，美因茨市（]\4&1112)，漢登堡街（1^1^1^6巧81^8 06)1〇 85177-941025.doc -15- 1294637 號的蕭特玻璃公司（Schott Glas)所製造）。這些材料都是很難 接合在一起的。由於使用黏膠（glue)對介電元件的第一表面 之平整度是有害的，故而將兩個元件膠合（gluing)在一起並 不是一種選項（option);因為黏膠的楊氏模量（〜⑽心 Modulus)與玻璃或玻璃陶瓷的不同，所以若玻璃（或玻璃陶 瓷）很薄且黏膠厚度不均勻，則會產生遍及表面的剛度變化 (stiffness variations)，因而導致降低在拋光期間的可達成平 i度。再者，由於黏膠具有太高的熱膨脹係數，故而使用 黏膠也會引入熱膨脹現象。再者，黏膠在真空中會強烈地 除氣（degas)。若第一玻璃（或玻璃陶瓷）構件厚度只有幾十 個微米（μιη)，則藉由膠合或物理接合所形成的接合…⑽句 不是非常強固，這是因為該構件已經喪失其剛度，因而使 薄層剝離（peeling)成為可能。雖然也已經嘗試物理接合法 (physical bonding)，但是已經發現由這種方法所產生的接 合不夠強固。顯而易見的是··由玻璃或破璃陶瓷所製造之 微影投射裝置的其它組件都有類似問題。 因此，本發明之另一目的是提供一種用來將一玻璃或玻 璃陶瓷和一玻璃或一玻璃陶瓷，且特別是將一玻璃元件和 一玻璃陶瓷元件接合起來的方法，其中在兩個元件之間具 有私極，忒方法會產生一種不會使兩個玻璃構件變形卻 會提供強固接合於其間的接合。 在一種用來製造適於光學應用之構件的方法中，根據本 發明來達成這個和其它目的，該構件包括：適於微影投射 裝置<基底，反射鏡或光罩枱，或者是夹頭或框架；其中 85177-941025.doc -16- 1294637 孩方法包括使用陽極接合法（anodic bonding)來將許多玻璃 ·, 或破璃陶瓷構件接合在一起，且其中該諸多構件其中至少 _ 一種構件會具有：小於01 X 1〇·6κ-ΐ (最好是小於〇 〇2 X 一 ΙΟ^ίΓ1)的熱脹係數。 ^ 特別是，可能使用該方法來製造夾頭，該方法包括用來 將具有至少1016歐姆厘米的電阻係數之一玻璃構件接合到 一玻璃陶瓷構件的步騾，其中將一電極包夾在其間；該接 合步驟包括下列子步驟： 將該玻璃構件塗層（coating)—種金屬； 籲 去置遠玻璃陶瓷;構件而與該金屬接觸； 在與該金屬接觸的表面對面的那一個表面上，提供一電 極在該玻璃陶瓷構件上；以及 施加電位差在該金屬與該電極之間，藉以驅動在該金屬 與該電極之間的離子電流（ion current)。 以此方式，有可能將ULE™附著在具有某種傳導率（例如 • Zerodur™或Clearceram™)的任何絕緣體材料（玻璃陶资） 上’其間具有一電極；對於微影投射裝置而言，這是靜電 _ 夾頭的較佳佈置。而且，至於說與膠合法或焊接法 (soldering)相比較，導電金屬層可能只有幾百奈米（nm)厚， 使得：當作一體來看，它對夾頭之低熱膨脹特性的影響較 少。再者，具有強烈除氣的材料（諸如黏膠）不須要用來形成 第一和第二玻璃元件之間的接合。 雖然已經描述該方法與製造夾頭有關，但是針對諸如製 85177-941025.doc -17- 1294637 &用於U &投㈣置中之基底或光罩枱或者反射鏡的其它 用途而口’该方法可適用於附著諸多不同玻璃陶t：片段。 使用&種方法，從諸多不同玻璃組件中能夠很容易地製造 複雜玻瑪結構（glass struetures)，該方法不會導致在真空中 除氣卻會導致具有非常低熱膨服特性的結構。 根據本發明之另一觀點，提供一種裝置製造方法，該方 法包括下列步驟： -提供一基底，該基底至少部份地被一層對輻射靈敏的 材料覆蓋； -使用一種輻射系統來提供輻射之投射射束； -使用圖案化構件，以便賦予投射射束一種圖案於其截 面中； -將輻射之已圖案化射束投射在對輻射靈敏的材料層之 一目標部份上； _ |疋供一種靜電夾頭，用來將該基底固定在該基底枱上 ’該靜電夾頭包括第一介電構件； - 將該基底定位在該第一介電構件的第一表面上；以及 -施加電位差在第一和第二兩個電極之間，藉以施加電 位差橫跨該介電構件，以便產生一種夾緊力在該基底 上， 其特徵在於：該第一介電構件具有至少1〇16歐姆厘米之電阻 係數以及小於0.02 X lO^K·1的熱膨脹係數。 雖然在本文中可能特定指出將根據本發明的裝置用於製 造積體電路（1C)中，但是應該明確地瞭解到：這樣一種裝置 85177-941025.doc -18 - 1294637 具有許多其它可能的應用。譬如說，可能將它用於製造： 整合光學系統，適於磁域記憶體（magnetic d〇rnain memory) 之導引和檢測圖案，液晶顯示面板（liquid-crystal display panel) ’ 薄膜磁頭（thin-film magnetic head)等等的應用中。 熟習此技藝者將會察覺到··在這些替換性應用的上下文 (context)中，在本文中諸多術語"網線片"(reticle)，”晶圓，， 和”晶粒”的任何使用應該被視為可分別由更通用術語，，光 罩π ’ π基底"和π目標部份”所代替。 在本文件中，使用兩個術語”輻射”和”射束，，來包含：所有 類型的電磁輻射，它包括紫外輻射（例如··具有365，248， 193 ’ 157或126奈米的波長）和遠紫外（Ευν)輻射（例如：具 有在5到20奈米之範圍内的波長）；以及粒子束（particle beam) ’諸如離子束（丨〇11 |3eams)或電子束。 【實施方式】 實施例1 圖1概略地繪示：根據本發明之一特定實施例的微影投射 裝置。該裝置包括： 輻射系統Ex，IL :它用來供應輻射（例如EUV輻射）之投射 射束PB ’在這種特定情形下，它也包含輻射源乙八； 第一物件枱（光罩枱）MT :它配備有一種用來固定光罩 MA (例如網線片）的光罩座，並且將它連接到第一定位構件 (positioning means)，以便準確地確定光罩相對於項目卩[的 位置； 第二物件枱（基底枱）WT :它配備有一種用來固定基底w 85177-941025.doc -19- 1294637 (例如塗上抗蝕劑的矽晶圓）的基底座，並且將它連接到第二 定位構件，以便準確地確定基底相對於項目PL的位置； 投射系統Γ透鏡"）PL (例如反射鏡系統）：它用來將光罩 MA之輻照部份成像在基底W之一目標部分C (例如包含一 個或更多晶粒）上。 如此處所繪示的，該裝置屬於反射型（即：它具有反射式 光罩）。然而，大體上，它可能屬於譬如說是透射型（它具有 透射式光罩）。兩者擇其一地，該裝置可能使用另一種圖案 化構件，諸如一種像以上所指出的可程式規劃反射鏡陣列。 輻射源LA (例如：一種由雷射產生或放電等離子源 (plasma source))會產生輕射束。不是以直接方式，就是以 通過諸如射束擴展器（beam expander) Ex之類的橫向調節構 件（traversed conditioning means)的方式來將這種射束饋送 到照明系統（照明器）IL中。照明器IL可能包括調整構件 (adjusting means) AM，它用來設定在射束中之強度分佈的 外及/或内徑向範圍（分別通稱為：外σ和内σ)。此外，它通 常會包括各種其它組件，諸如：集成器（integrator) IN和聚 光器（condenser) CO。以此方式，射到光罩ΜΑ上的射束PB 在其截面中具有所需均勻性（uniformity)和強度分佈。 關於圖1應該注意的是：輻射源LA可能在微影投射裝置 的外罩（housing)内（譬如說，當ϋ射源LA是水銀燈時，經常 就是這種情形），然而它也可能遠離微影投射裝置，將它所 產生的輻射束加以引導進入該裝置中（例如：藉助於一些適 當的指向鏡（directing mirrors));當輻射源LA是準分子雷射 85177-941025.doc -20- 1294637 (excimer laser)時，後者這種情節（scenario)經常就是這種情 形。本發明和申請專利範圍包含這兩種情節。 射束PB隨後由光罩MA欄截（intercept)，該光罩被固定在 光罩枱MT上。已經藉由光罩MA加以選擇性地反射，射束 PB會通過透鏡PL，它會將射束PB集中於基底W之一目標部 份C上。藉助於第二定位構件（以及干涉儀測量構件 (interferometric measuring means) IF)，就能夠準確地移除 基底枱WT，例如：以便確定在射束PB之路徑中的諸多不同 目標部份C之位置。同樣地，能夠使用第一定位構件，以便 準確地確定光罩MA相對於射束PB之路徑的位置，例如：在 從光罩庫（mask library)中進行光罩MA的機器檢索 (mechanical retrieval)之後，或者是在一次掃描期間。大體上 ，藉助於長衝程模組（long-stroke module)(粗略定位（course positioning))和短衝程模組（精細定位（fine positioning))，將 會實現兩種物件枱MT，WT的移動，並未將它們明確地繪 示於圖1中。然而，在晶圓步進器（與步進暨掃描裝置相反） 的情形下，光罩枱MT可能就是被連接到一種短衝程啟動器 (short stroke actuator)，或者可能會被固定。 能夠將繪示的裝置使用在下列兩種不同模式中： 1. 在步進模式中：將光罩枱MT保持基本上是固定的，並 且將整個光罩圖像（mask image)—下子（即：”閃π而過）投過 在目標部份C上。然後將基底枱WT朝向X及/或y方向移位， 使得：能夠藉由射束PB來輻射不同目標部份C ; 2. 在掃描模式中：基本上相同情節可以適用，除了不是 85177-941025.doc -21 - 1294637 以一問而過的方式來曝光一既定目標部份c外。換成是，光 _ 罩枱MT是可以用一種速度向一既定方向（所謂的，，掃描 方向” ’例如y方向）移動的，使得投射射束ΡΒ會掃描遍及光 / 罩圖像；同時地，基底枱WT會以一種速度v==Mv^a向相同 ： 或相反方向而同步地移動，其中Μ是透鏡PL的放大率 (magnification)(—般說來，Μ=1/4或1/5)。以此方式，能夠 曝光一相對大的目標部份C而不必危及解析度。 在投射射束之輕射被周圍空氣（ambient air)強烈地吸收 或散射的場合中；就像具有EUV，X射線，電子和離子之輻 修 射的情形那樣，必須將射束路徑或者至少是其中一些關鍵 組件保持在真空中。達成此事的方法是：提供一種包圍者 疋整裝置的單一真空室（vacuum ehamber)，或者是針對諸多 必要組件（例如：輻射系統，圖案化構件，投射系統以及基 底枱）而提供一些雖分離但互相連接的真空室。 應用例之圖2顯示：使用在本發明之第一實施例中的一種 夾頭10會將基底貿固定在基底枱臀7上。夾頭1〇包括一種由 介電材料所製成的構件丨丨。介電構件丨丨是平面型，並且將籲 E的兩個面加以拋光達到所需平整度，例如：要求偏離理 想平面（perfect Plane)不得大於例如2〇〇奈米或者甚至更高 的規格，詬視特定應用而定。介電構件應該具有一種接近 零的熱膨脹係數（即：小於〇·〇2χ (每單位溫度相對膨 脹/收縮）），使得：當被固定在夾頭上時，在裝置中之基底 的位置對在I置中的溫度變動此tuati〇ns)不 靈敏。 85177-941025.doc -22- 1294637 第一實施例顯示··針對容易瞭解本發明之夾頭的最基本 形式。在本實施例中，將一電極13定位在基底枱WT之中或’ 上面，並且將另一電極12定位在基底w之底面上，使該電 極與介電構件11之第一面接觸。若基底冒是由一種導電或 半導電材料所製成，則不需要電極12。在使用中，將爽頭— 10放置在基底枱WT之-適當製備表面上。若基底㈣π 種非導電材料所製成，則會將—適當電極13應用到此表 面。、然後將基底黯置在夾㈣之上。要將基底㈣定在適 备位置，就仔使用電源供應器來將電位差V施加在基底W的籲 電極12與基底枱资的電極13之間。基底w的電極12以及電 極13將會充當電容器，·於是，當施加電位差於其間時就會 感受到吸引力。這種力F是由下式表示：

£ A

-X

.V l£r*g + dy (i) 其中：A是有效電容器之面積，d是在兩個電極之間的介電 層厚度’ sr是介電質之相對介電常數⑺ ，而g則是任何空隙（air gap)之厚度，該空隙不可避免地會 存^於夾^ 10的兩個導電表面與基底W和基底枱资之間 。藉由將空隙和介電材料視為串聯的電容器，就能夠推導 =牙式A私構件最好是具有5至500微米之間的厚度 ’且最好是在大約100微米的區域内。 因為介電構件U的第_表面具有某種表面粗輪度 ΓΓ/Γ1)’所以晶圓不會與整個表面形成接觸，而只是 Μ在表面處的一小兽 刀原子接觸。因為只有小量的表面會 85177-941025.doc -23- 1294637 形成接觸，所以橫跨界面會有表面電阻。這樣會導致電位 降（potential drop)橫跨該界面。若容許小電流I流入介電材 料中，則這種小電位差會引起在沒有接觸之界面的區域中 建立（build up)—些相反電荷（opposite charges)。這些相反 電荷將會互相吸引，因而提供另一種導因於約翰遜-拉別克 效應的夾緊力；因為空隙的距離小到1〇奈米之數級，所以 該力可能相當大。 與約翰遜_拉別克效應有關聯的力會隨著施加電位差的 時間而增加。當將該電位差移離兩個電極時，殘餘力將會 隨著時間而逐漸減少。如果約翰遜-拉別克效應之力太大的 話’當無法瞬時地接通知斷開靜電夾頭以便將基底W固定 或容許將它移除時，在微影投射裝置中，此事可能令人困 窘。若容許約翰遜-拉別克力增加太多（其方法是：容許太高 的漏電流流經介電構件U，或者是施加電位差在兩個電極 之間有很長一段時間），則此事對微影投射裝置的生產率會 有不利的影響；當將基底w移離基底枱WT時，就需要等待 約翰遜-拉別克力減少到達一位準，在該處可能將基底移離 靜電夾頭。 已經發現到：藉由保證介電材料的電阻係數至少是101δ 歐姆厘米’ m力快速地下降到_預定位準時，針對固 定-基底W的典型時段而言，約翰遜·拉別克力決不會達到 夠高的位準而有害地影響到微影投射裝置的生產率。口可 惜具有接近零的熱膨脹係數（即：小於mo、])的: 很少具有這樣鬲的電阻係數。 85177-941025.doc 1294637 ，能夠基於-種估計界面電容和電阻而計算出料jr央緊 操作（JR clamping)之特定RC時間。此RC時間正是取決於介 電材料的體積電阻係數（speeifie VQlume ㈣。爪力 以便產生非常短的RC時間…秒）或者非常長的狀時 達幾天）。 (約翰遜·拉別克力）之建立和移除係由適於仪夾緊操作之 此時間所支配。因此，挺重要的是選擇介電材科之電阻， 在第一種情形下，以強力產生JR夾具（JRclamp);而在第 二種情形τ，則會產生-種電容/庫儉式夹具（capacitive/ C〇ul〇mbicclamp)，其中JR力可能多半不存在。針對職米 厚A电材料而s，大於1〇16歐姆厘米之電阻係數值會產生長 達幾小時的RC時間，·而在室溫下的ULE™之電阻係數則會 產生長達幾天的RC時間。

最好是，介電構件之電阻係數至少是1〇n歐姆厘米。介電 構件之材料也最好是一種具有良好光學/機械性質的材料 ，這樣就能夠將它拋光成高平整度；並且是一種最好是具 有非常低熱膨脹係數（即：甚至像〇〇15 χ X ίο κ —樣低）的材料。已經發現到：ULETM會滿足所有準 則，它是一種由位於美國紐約14831，康寧市，〇加Riva Front Plaza的康寧公司所製造的玻璃。這是一種基於以〇2 的材料，其中Τι〇2呈現出大約7 wt% (重量百分比）的量。其 匕低熱膨脹係數的材料（包括：玻璃和玻璃陶瓷；玻璃陶瓷 疋玻璃和陶瓷材料的一種組合，它們既非玻璃也非陶瓷材 料）也可能挺適合的。適合的玻璃陶瓷可能是基於8丨〇2，並 85177-941025.doc -25- 1294637 且至少一種驗金屬氧化物（alkaline metal oxide)，諸如·· Na2〇 ，Li20或 K20。 已經發現到：雖然從限制導因於約翰遜-拉別克效應之力 的角度看來，ULETM會產生令人滿意的結果；但是具有3.1 〇13 歐姆厘米之電阻係數的Zerodur (Si02 ,具有2.5%鋰（Li)和 0.5%鈉（Na))卻不會產生令人滿意的結果，而可以從小原 (011八11八)公司（地址.日本229-1186神奈川縣（1^11&羟&^^)，佐 上原市（Sagamihara-Shi)，小山（〇yama)—丁目（i-ch〇me) 15-30)所製造的Clearceram-Z商品中獲得的Clearceram (只 摻雜鋰）也不會產生令人滿意的結果，該Clearceram具有 5.1012歐姆厘米之電阻係數。 ULE™具有大約1〇18歐姆厘米之電阻係數以及小於〇 〇1 X ΙΟ^ΙΓ1的熱膨脹係數。然而，只要電阻係數低於1〇i6歐姆厘 米’也可能將其它材料當作靜電夾頭1 〇之介電構件1 1來使 用。關於此點，玻璃陶瓷是一種前景看好的材料種類。 要將裝置中的雜散場（stray fields)減到最小（在將帶電粒 子當作投射射束輻射來使用的場合中是特別想要的），能夠 將基底W以及在基底W背後的電極12接地，並且將在基底抬 WT上面的電極13充電到一不同電位。 也應該注意的是：也可能使用本發明的夾頭1〇來將光罩 ΜA夾緊在光罩枱MT上。就反射型光罩而言，夾頭可能具 有與光罩相同的形狀（例如：正方形，長方形或圓形）；然而 ，就透射型光罩而言，本發明的夾頭可能具有框架之形式 85177-941025.doc -26- 1294637 ’該框架具有一個對應於圖案區域的中央開口。 可能將第一實施例的夾頭10永久地附著在基底抬1丁上 。實際上，若夾頭10與基底枱WT分離，則第一實施例的夾 頭10可能不是特別實用的。這是因為：當移除在兩個電極 12和13之間的電位差時，不僅基底W可以移離夾頭1〇，而 且夾頭10也可以移離基底枱WT。那就是，針對釋放一個而 沒有釋放另一個而言，並沒有分離式控制。 在一替換性實施例（未圖示出）中，可能將另一電極嵌入介 電構件11中，使得：能夠使用在該嵌入電極與在基底枱WT 之中的電極13之間的電壓差來控制靜電夾頭附著在基底枱 WT上，並且能夠使用在介電構件丨丨中的嵌入電極與附著在 基底w之底部的電極12之間的電位差來控制在靜電爽頭 與基底W之間的夾緊力。 將夾頭之三個以上的實施例描述於下，它們具有勝過第 一實施例之夾頭的各種優點；根據相關的描述，這些優點 將會變得顯而易見的。 一 t 圖解說明於圖3中之本發明第二實施例之夾頭1〇〇 (它是 -種雙極型（bip。㈣或多極型（muhip。㈣夾頭）包括一= 構件將它附著在基底枱资上。包夾在介電構件⑴與 基展枱WT之間的是兩個電極112’ 113;它們雖然都在相同 平面中，但卻彼此分離（即··具有隔開關係^方式，因 為不必要將基底連接到地或高電壓電源，所以基底W不泰 要將-電極或電接點（el⑽ieal _taet)施㈣其底面。換: 是’藉由施加電位差在第一電極112與第二電柄⑴之門戈 85177-941025.doc -27- 1294637 可能將基底w固定在介電元件1U上。針對第二實施例而言 ，介電元件111的要求與針對第一實施例之它的要求相同。 將第三實施例的夾頭200圖解說明於圖4中。第三實施例 的靜電夾頭200和基底枱冒丁分離。該夾頭2〇〇包含核心構件 230，將它的兩個面各自附著在一個（第一或第二）介電構件 211，221上，·其中：將一個第一或第二電極215，216包失 在核心構件230與兩個介電構件211 , 221其中一個之間。以 此方式，能夠施加在包夾在核心構件23〇與第二介電構件 221之間的第二電極216與在基底枱WT之中或上面的電極 213之間的電位差來將夾頭2〇〇固定在基底枱冒7上。能夠使 用施加在夾頭200之第一電極215與施加在晶圓冒之底部的 電極212之間的電位差來將晶圓固定在夾頭2〇〇上。在第二 實施例中，介電構件211，221必須具備與第一和第二實施 例之介電構件相同的物理性質。雖然可能使用具有某種傳 導率的任何其它玻璃陶瓷（例如：clearceramTM),但是核心 構件23 0最好疋由一種接近零的熱膨脹係數材料所製成，諸 如：Zerodiirm (它是由位於德國5512〇，美因茨市，漢登堡 街10號的蕭特玻璃公司所製造）。 將本發明第四實施例圖解說明於圖5中，它是第二和第三 實施例的一種組合。第四實施例的夾頭3〇〇包括：第一和第 二介電構件3 11，321以及像在本發明之第三實施例中那樣 的核心構件330。在基底枱…丁之中的電極313以及在失頭 300之底部的電極3 16都和針對第三實施例的那些電極相同 85177-941025.doc -2g- 1294637 0然而’將第一和第-雨打 昂一包極314,315包夾在核心構件33〇與 夾頭300的第一 q R 一、 (圖不芡上面那個）介電構件3 11之間。第一 和第—私極314 ’ 3 15雖然都在相同平面中，但卻彼此分離 丄因此:們執行提供_種力在基底w上的功能與在第二實 犯例〈罘一和第二電極112和113中的情形相同。第四實施 例具有分離式夾頭（例如：用於清潔）之優點，也具有不需要 接地連接到基底臀之底面的優點。 可能將夾頭之第一介電構件丨卜丨丨丨’以丨^丨丨的第一㈠口 圖上面那個）表面配備有一些粒結（或瘤狀突起），其中 將基底w放置在该表面上。該粒結（buHs)具有總表面積是基 底W之總表面積的—小部份，使得極有可能是：附著在基 辰W或靜電夾頭上的任何污染物顆粒（c〇ntaminant particie) 將會位於兩個粒結之間。在那種情形下，污染物顆粒不會 造成基底W變形，除非它大於空隙之寬度；依照該寬度， 诸多粒結合將基底w舉起於靜電夾頭之上。縱使污染物顆 粒大於空隙（gap)，也會減少其作用。 如以上描述的，靜電夾頭的某些實施例會要求在介電構 件111 ’ 211，311，221，321與基底枱WT或核心構件230， 330<間的接合。這些組件中的每個組件最好是由低熱膨脹 係數材料所製成。這些材料經常是像玻璃一樣的，因此可 月匕很難準確地接合在一起而沒有變形。 在本發明的夾頭中，需要將一電極配備在介電元件丨u， 211 ’ 311，321與基底枱WT或核心構件230，330之間。有 可能以具有所需的準確度卻沒有引入諸如黏膠或焊料 85177-941025.doc -29- 1294637 (solder)之另外一些材料的方式來形成這樣一種接合，並且 匕也會產生一種如以下描述的非常強固的分子/化學接合 (molecular/chemical bond) 〇 參考圖6’將要描述用來接合一破璃陶瓷元件和一玻璃元 件的方法。將要描述的方法與接合ULETM* Zer〇durTM有關， 其中在該兩個元件之間具有一層大約3〇〇奈米厚的鋁層。可 能使用該方法來接合其它類型的玻璃及/或具有不同厚度 和金屬層材料的玻璃陶瓷j。 描述的方法與製造一種根據圖示於圖4中的本發明之第 三實施例的夾頭有關。應該注意的是：該方法同樣適用於 製造針對微影投射裝置的基底，反射鏡或光罩枱。針對第 三實施例的夾頭而言，各層的最後厚度如下：介電構件211 ’ 221是100微米（μπχ);由銘所製成的兩個電極215，216是 3 00奈米（nm) ’而當作核心構件23 0的Zerodur™則大約是2 毫米（mm)。關於這些尺寸，鋁電極215，216太薄不能對整 個夾頭200之接近零的熱膨脹特性有所影響。 第一步.驟是將ULEtm 211之塊料拋光達到所需表面光潔 度（degree of surface finish)。這塊料（block)的實際厚度並不 重要’這疋因為·就像稍後將要描述的那樣，將介電構件 211的塊料研磨達到正確厚度當作最後步驟。一旦介電構件 211已經被拋光達到一種令人滿意的光潔度（finish)，就以一 種具有大約300奈米之厚度的鋁塗層（aluminum coating；) 410 來塗層該構件。已經將該塗層圖示成覆蓋介電構件211的全 部表面。當然，不一定要如此，只需要塗層界面表面。雖 85177-941025.doc -30- 1294637 然諸如喷塗法（spraying)或浸沒法（immersing)的其它方法也 都有可能，但是將鋁塗層在ULE上的一種方法是利用蒸汽 沈積法（vapour deposition)。當然，也可能使用與铭不同的 金屬。而且，可能使用一個以上的金屬層（例如：比較濃烈 的金屬塗層）。 下一步騾是拋光該核心構件230。在本實施例中，核心構 件是由Zerodur™或Clearceram™所製成，它們就是能夠施以 陽極接合（anodically bonded)且具有所需的低熱膨脹特性之 材料。 然後，使塗上介電材料之塊料211與核心構件230之一表面 接觸，將介電材料附著在該表面上。必須將一電極附著在介 電構件211對面的核心構件230的那一面上。藉由使用銀塗料 (silver paint) 416在Zerodur™玻璃陶瓷的表面上，以最容易 的方式來達成此事。然後將組裝件（assembly)加熱到大約300 °C ;雖然該溫度可能以較長的接合時間為代價而選擇像150 °C 一樣低，或者是選擇像350°C —樣高。根據材料及其厚度 而選擇精確的溫度-參見下文。 一旦組裝件已經達到300°C，就將電位差施加在介電元件 211上的塗層410與在核心構件230之另一面上的銀塗料416 之間。塗層410被當作陽極使用，而銀塗料416則被當作陰極 使用。選擇溫度，以便容易至少0.01毫安培/厘米2 (mA/cm2) 的電流在材料中流動。就Zerodur™而言，這意謂著該溫度 在275°C至300°C之間。

Zerodur™包含大約2·5重量百分比（weight percent)的Li+ 85177-941025.doc -31 - 1294637 離子和0·5重量百分比的Na+離子；兩者都是鹼金屬，並且 在此方法中’它們都參加在Zer〇durTM中的離子電流。另一 種低熱膨脹係數材料ULE™，它雖然沒有鹼離子（alkaHne ions)，但卻包括Si〇2 ’其中摻雜大約7重量百分比的。 於是，ULEtm的電阻係數比Zer〇durTM還低大約$個階次 (orders)，即·· 1〇18歐姆厘米與1〇u歐姆厘米相比較（在室溫 下）。 於是，當施加電位橫跨Zerodur™時，帶正電的Li(鋰）和 Na (鈉）離子都會被吸引朝向最接近負電極416的核心構件 230的那一面。此舉具有耗盡（depleting)來自核心構件23〇與 介電構件211的塗層410之間的界面之正鹼原子（p〇sitive alkali atoms)的作用。將一種以〇2-離子形式呈現的負電荷密 度形成在核心構件230與塗層410之間的界面處。這樣會在 铭中感應電荷；並且在塗層410中，將銘氧化成Al3 + (八1 —八13++3〇’因此會在核心構件230與塗層410之間形成 一種非常強的靜電吸引力。利用1 5 0伏所獲得的靜電力/壓 力在10巴（bar)以上，其中具有米空隙。實際上，空隙可 能小於此尺寸且電壓也較大，所以預期會有大於丨〇巴的壓 力。大的力會將在界面處的兩種材料壓擠在一起，因此產 生一種在核心構件230的材料與塗層410的材料之間的分子 接觸（molecular contact)。 隨著銘與Zerodur™的帶負電層接觸，就會有一種驅動力 (driving force)，使Al3 +朝向Zerodur™移動以及使〇2-朝向銘 塗層移動。因此產生一種在塗層410的金屬與ZerodurTM之間 85177-941025.doc -32- 1294637 的接合層（bonding layer)。會想到：在核心構件230之 ZerodurTM的晶體結構中，鋁取代了已經朝向塗銀電極416 遷移（migrate)的驗離子。 在已經移除在兩個電極之間的電位差之後，必須以最多 0.1凱氏溫度/分（K/min)之速率來冷卻該組裝件，使 Zerodur™維持低熱膨脹係數。 一旦冷卻，的確可能將111^1^介電構件3 11和261：〇(1111：1^核 心構件230施以機器加工達到正確尺寸。 若在核心構件中的電流至少是〇.〇 1毫安培/厘米2，則以上 描述的接合方法最成功。0.01毫安培/厘米2之電流長達1000 秒或5000秒之久會導致累積電荷分別是10毫庫倫/厘米2(適 於最小接合）到50毫庫倫/厘米2 (適於標準接合）。10毫庫倫/ 厘米2(mC/cm2)的電荷會導致將鋁層的大約14個原子層 (atomic layers)氧化成 Al3+。 表1圖解說明：導致銘層與ZerodurTM塊料之間成功接合的 三項實驗之條件。一些重要的因數是：溫度（較高溫度會導 致較快速接合過程），施加電壓（較高電壓會導致較大電流， 於是發生接合的時間會較少）以及當然是施加電位差的時 間，該時間會確定驗耗盡量（amount of alkali depletion)和I呂 氧化量（amount of aluminum oxidation)以及接合形成（bond formation)。也挺重要的是核心構件230和塗層410的表面品 質；並且線性膨脹係數，鋁層厚度以及金屬種類也都很重 要。 表1 85177-941025.doc -33- 1294637 實驗 Thickness of 溫度 施加電壓 時間 電流 項次 Α1 (μηι) (°C) (伏） (分鐘） (毫安培） 1 3至5毫米 250 100 15 最初1.08而遞 減到0.12 2 3至5毫米 250 2000依照100伏 50 取後電流=〇 · 3 之位階而增加 毫安培 3 300奈米 275 1500依照200伏 40 最後電流=0.2 之位階而增加 毫安培 在全部三項實驗中，產生一種在銘與Zerodur之間的夠強 接合。在實驗3中，如以上描述的，已經將鋁塗層在ULE (商標名）塊料上。樣本3會將ULE™層研磨以減少其厚度。 使ULE™成功地變薄達到200微米之厚度。 在本發明的另一實施例中，不是將一銀電極416塗在核心 構件230上，而是可能將也以鋁塗層420來塗層的第二介電 構件221放置在第一介電構件211對面的核心構件230的那 一面上。於是，將在第二介電構件221上的塗層420當作在 使用鋁塗層（AC)之製程中的第二電極來使用。 這種接合方法（陽極接合法）能夠被使用來將玻璃或玻璃 陶瓷構件接合在一起，並且特別是適合於：針對微影投射 裝置之基底，反射鏡或光罩枱，或者是框架的製造；以及 諸如太空應用之其它光學應用，其中玻璃陶瓷（特別是像 Zerodur™那樣的材料）的低熱膨脹係數性質特別有利。特別 是，能夠使具有鋁層的許多Zerodur™構件中建構出一些複 雜形狀。這樣會容許比較輕又比較剛硬的複雜框架可能從 85177-941025.doc -34- 1294637 打算被製造的單一塊料中施以機器加工；大體上，在太空 工業方面以及在光學應用中，此方法特別有利。 其它方法也都適合於製造夾頭以及特別是將介面層接合 在核心構件上。一種方法就是膠合法。 在另一種接合方法中，在拋光（例如：藉由等離子體清潔 法（plasma cleaning))之後，將Zerodur™外塗一層薄鉻層 達到20到50奈米之厚度。視情況地，在使用擠壓^ (wringing)(荷蘭語為aanspringen)來將瓜^⑽加以物理接合 在外層（Cr或Si〇2)上之前，就將Si〇2層外塗在心層上。 雖然在上文巾已經描述本發明的;❹特定^例，但是 將會察覺m用與如描述那樣㈣的方法來實行本= 明。該描述並不打算限制本發明。 又 【圖式簡單說明】 參考諸多附圖，現在將會 些實施例，其中·· 圖1繪示··根據本發明之一 現在將會只藉由實例來描述本發 圖2繪示 圖3圖解言 圖4圖解詞 圖5圖解說 圖6圖解說 一實施例的微影投射裝置； 實施例的一種靜電夾頭； 陶k：構件的方法， 在附圖中，對應 【圖式代表符號說

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10, 100, 200, 300 11， 111， 211， 311 12, 112, 215, 314 13, 113, 216, 315 221， 321 230, 330 410 416 AM C CO EX IF IL IN LA MA MT PB PL W WT 夾頭 第一介電構件 第一電極 第二電極 第二介電構件 核心構件 銘塗層（或塗層） 銀塗料（或銀電極） 調整構件 目標部份 聚光器 射束擴展器 干涉儀測量構件 照明系統（或照明器） 集成器 輻射源 光罩 光罩枱 投射射束（或射束） 投射系統（或透鏡） 基底 基底枱 85177-941025.doc -36-

Claims (1)

1. 號專利申請!厂 中文申請專利範圍替換本(96年7月）拾、申請專利範圍：

   1 · 一種藉由靜電力來將下列物件固定在支撐枱上的夾頭： 在使用微影投射技術來製造裝置中打算被處理之基底 ;或 在微影投射裝置，諸如光罩檢查或清潔裝置的光罩處 理裝置，或者光罩製造裝置中之微影投射光罩或光罩半 成品； 該夾頭包括： 第一介電構件，其特徵為··該第一介電構件具有至少 1 〇16歐姆厘米之電阻係數以及小於0 02 χ i 的熱膨脹 係數。 根據申請專利範圍第！項之爽頭，其中第一介電構件之電 阻係數至少是1〇17歐姆厘米。 包 根據申請專利範圍第項之爽頭，其中第一介電構件 具有一種5至500微米之間的厚度。 根據申請專利範園第！或2項之夾頭，其中第一介電構件 由-種包括si〇2的材料所製成，其中包含少於i〇 w 量百分比）的Ti〇2。 、里 5.根據申請專利範圍第1或2項之夾頭， 件是由一種玻璃材料所製成。 根據申請專利範圍第1或2，之爽頭，備在該第一介電構件的第—表面 f據申請專利範圍第1或2項之二： 第二電極配備在該第-介電構件的第 2. 3. 4. 6. 其中該第一介電構 其中將第一電極配 其中將第一電極和 一表面上，它們具 85177-960719.doc 1294637 有隔開關係。 8·根據申請專利範園第6項 • #、、Μ 1 文顽，其中該夾頭進一步包栝 •核心構件，將它附 / ^ 篱-人不接μ 在该罘一介電構件的第一面上； 罘一；丨电構件，將它附著 而沾兮4、 ^ 者在邊弟一介電構件對面的那一 面的孩核心構件上，Β 人 且其中將第三電極包夾在該核心構 件與该弟二介電構件之間。 9 ·根據申睛專利範圍第8項 、 ^ 夾頭，其中該核心構件是由一 種玻璃陶瓷材料所製成。 10.根據申請專利範圍第8项之夾頭 ： 、A/r /、甲·藉由在该核心構 广㈣-或第三電極之間的離子交換，將該第一及/或 接合㈣核心構件上’其中離子交換會受 到施加在該第-電極與第三電極之間之電位差的影響。 η.根據申請專利範圍第10項之夾頭，其中在接合到該核心 構件之前，就將該第-及/或第二介電構件外塗一層金屬 ，該金屬形成該第一或第三電極。 12·根據申請專利範圍第10項之夹頭，其中：在150至3抓 之間，將該第-及/或第二介電構件接合到該核心構件。 13. 根據申請專利範圍第…項之夾頭’其中將該夾頭加以 佈置用來施加電位差橫跨該第一介電構件。 14. 一種微影投射裝置，包括： 用來提供輪射之投射射束的輕射系统· 用來支撐圖案化構件的支撐結構，該圖案化構件可作為 根據一種所需圖案加以圖案化投射射束之用； 用來固定基底的基底枱； 85177-960719.doc 1294637 用來將已圖案化的射束投射在基底之一目標部份上的 投射系統， 在該支撐結構或該支撐枱上之根據申請專利範圍第i 或2項之夾頭；以及 至少一個用來施加電位差橫跨該夾頭之該第一介電構 件以產生夾緊力的第一電極。 15. 16. 17. 18. 根據申請專利範圍第μ項之裝置，其中：該靜電夾頭與 該基底枱或支撐結構分離，並且將另一電極配備在該基 底枱或支撐結構之中或上面。 根據申請專利範圍第14項之裝置，其中該靜電夾頭是該 基底枱或支撐結構的組件。 一種用來製造針對光學應用之構件的方法，該構件包括 適於微影投射裝置之基底，反射鏡或光罩枱，或者是夾 頭或框架’而該方法則包括：使用陽極接合法，將畔多 玻璃或玻璃陶资構件接合在-起，其中該諸多構件其中 至少-種構件具有小於(Μ χ 10·6Κ-丨的熱膨脹係數。 根據申請專利範圍第17項之方法’該方法包括用來將該 第-構件接合到該第二構件的步驟，其中將一電極包夾 在其間，該接合步驟包括下列子步.驟： 將該第一構件塗層一種金屬； 安置該第二構件而與該金屬接觸； 在與該金屬接觸的表面對面的那—個表面上，提供—带 極在該第二構件上；以及 施加電位差在該金屬與該電極之間，藉以驅動在該金屬 85177-960719.doc 1294637 W孩電極之間的離子電流。 19·根據申請專利範圍第18項之方法’其中該方法是—種製 造爽頭的方法，並且該第一構件是一種具有至少1〇16歐姆 厘米之電阻係數的玻璃構件’而該第二構件則是一 璃陶瓷構件。 2〇.根據申請專利範圍第18或19項之方法，進一步包括：在 塗層步驟之前就拋光該第一構件的步驟。 21.根據申請專利範圍第18或19項之方法，其中該 包括蒸汽沈積。 胃 22·根據申請專利範圍第18或19項之方法，進一步包括··在 安置步驟之前就拋光該第二構件的步驟。 23.根據中請專利範圍第18或19項之方法，纟中該提供步帮 包括：將已經塗層一種金屬的第三玻璃構件安置在該第 二構件上。 24.根據申請專利範圍第18或19項之方法，進一步包括：在 該提供步驟之後，利用升高該第一和第二構件之溫度的 步驟’其中該施加步驟會在該升高溫度時發生。 25·根據申請專利範圍第23項之方法，進一步包括：在該提 供步驟之後，用來升高該第一，第二及第三構件之溫度 的步驟’其中該施加步驟會在該升高溫度時發生。 26·根據申請專利範圍第24項之方法，其中將溫度升高到在 150至350°C之間。 2 7 ·根據申請專利範圍第1 §或19項之方法，進一步包括··以 一種在- 0·01至-1·〇觀氏溫度/分（K/min)之速率來冷卻該諸 85177-960719.doc 1294637 多構件的步驟。 28. 29. -種用來製造靜電夾頭的方法，包括申請專利範圍第18 或19項之方法，並且進一步包括·將未被該第二構件覆 蓋之該第一構件的金屬塗層施以機器加工。 一種裝置製造方法，包括下列步·驟： 才疋供一基底，該基底至少部份地被一層對輻射靈敏的 材料覆蓋； 使用-種輕射系統來提供轉射之投射射束； 使用圖术化構件，以便賦予投射射束一種圖案於其截 面中； 輻射（已圖案化射束投射在對輻射靈敏的材料層之 一目標部份上； 提供-種靜電夾頭，用來將該基底固定在該基底抬上 ，該靜電夾頭包括第一介電構件； 將該基底定位在該第一介電構件的第一表面上；以及 施加電位差在第—和第二兩個電極之間，藉以施加電 位差橫㈣介電構件，以便產生—種夾緊力在該基底上， 其特放在於：該第一介電構件具有至少1016歐姆厘米之 電阻係數以及小於mm的熱膨脹係數。 85177-960719.doc 1294637 柒、指定代表圖： (一) 本案指定代表圖為：第（2 )圖。 (二) 本代表圖之元件代表符號簡單說明： 10 夾頭 11 第一介電構件 12 第一電極 13 第二電極 W 基底 WT 基底枱 捌、本案若有化學式時，請揭示最能顯示發明特徵的化學式 85177-941025.doc