TWI294440B - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- TWI294440B TWI294440B TW090103470A TW90103470A TWI294440B TW I294440 B TWI294440 B TW I294440B TW 090103470 A TW090103470 A TW 090103470A TW 90103470 A TW90103470 A TW 90103470A TW I294440 B TWI294440 B TW I294440B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- acid
- group
- polymer
- cns
- please read
- Prior art date
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
- C08F20/00—Homopolymers and copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical or a salt, anhydride, ester, amide, imide or nitrile thereof
- C08F20/02—Monocarboxylic acids having less than ten carbon atoms, Derivatives thereof
- C08F20/10—Esters
- C08F20/12—Esters of monohydric alcohols or phenols
- C08F20/16—Esters of monohydric alcohols or phenols of phenols or of alcohols containing two or more carbon atoms
- C08F20/18—Esters of monohydric alcohols or phenols of phenols or of alcohols containing two or more carbon atoms with acrylic or methacrylic acids
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
- C08F20/00—Homopolymers and copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical or a salt, anhydride, ester, amide, imide or nitrile thereof
- C08F20/02—Monocarboxylic acids having less than ten carbon atoms, Derivatives thereof
- C08F20/10—Esters
- C08F20/22—Esters containing halogen
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/0045—Photosensitive materials with organic non-macromolecular light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. dissolution inhibitors
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/0046—Photosensitive materials with perfluoro compounds, e.g. for dry lithography
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
- G03F7/0392—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition
- G03F7/0395—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition the macromolecular compound having a backbone with alicyclic moieties
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
- G03F7/0392—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition
- G03F7/0397—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition the macromolecular compound having an alicyclic moiety in a side chain
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
- C08F220/00—Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical or a salt, anhydride ester, amide, imide or nitrile thereof
- C08F220/02—Monocarboxylic acids having less than ten carbon atoms; Derivatives thereof
- C08F220/10—Esters
- C08F220/22—Esters containing halogen
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S430/00—Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
- Y10S430/1053—Imaging affecting physical property or radiation sensitive material, or producing nonplanar or printing surface - process, composition, or product: radiation sensitive composition or product or process of making binder containing
- Y10S430/1055—Radiation sensitive composition or product or process of making
- Y10S430/106—Binder containing
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S430/00—Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
- Y10S430/1053—Imaging affecting physical property or radiation sensitive material, or producing nonplanar or printing surface - process, composition, or product: radiation sensitive composition or product or process of making binder containing
- Y10S430/1055—Radiation sensitive composition or product or process of making
- Y10S430/106—Binder containing
- Y10S430/108—Polyolefin or halogen containing
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S430/00—Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
- Y10S430/143—Electron beam
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Polymers & Plastics (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
- Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
Description
I29444tf A7 I ' ____B7_ 五、發明説明(彳) 【發明之技術領域】 本發明係有關一種適合作爲微細加工技術之增強化學 性光阻材料的基礎聚合物的高分子化合物,及增強化學性 之光阻材料,與使用其形成圖形之方法。 【先前技術】 近年來,隨著L S I之高集積化及高速度化,已發展 至逐漸尋求圖形線路之微細化之境界。而微細化得以極速 進步之背景中,例如有透鏡的 <高/& A化,>光阻之性能提高 ’短波長化等。特別是由i線(3 6 5 n m )變更至 K r F ( 2 4 8 n m )之短波長化的巨大變革,使得 〇· 1 8 // m之界面得以_#產I,有關光阻材料之高解像 度化、高感度化中,以酸#爲觸媒之增強化學性光阻材料 (特公平2 - 276660號,特開平63 — 27829 號公報等),因具有優良特徵,故形成遠紫外線鈾刻印刷 中主流地位之光阻材料。 K r F等離子雷射用光組材料一般係由〇 · 3 // m之 製程開始,經過〇 · 2 5 // m之線路,到達目前0 · 1 8 // m線路之量產化,而隨後又開始對〇 · 1 5 // m之線路 製程進行硏究,今後將使得微細化程度更加快速。由 K r F變更爲.A r F ( 1 9 3 n m )之短波長化,使得所 一 _.一-一―.............. 設計線路之微細化有希望達到〇 · 1 3 // m以下之製程, 但因酚醛或或聚乙烯基苯酚系等以往使用之樹脂,於 1 9 3 n m附近具有極強之吸收,故無法作爲光阻用之基 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) " --------^^衣-- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1294440 A7 _ B7 五、發明説明(2) 礎樹脂使用。其中,又爲確保透明性與必要之乾蝕刻耐性 ’故亦開始硏究使用丙烯酸或每烯烴g脂環族系樹脂( 一.一夕. (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 特開平9 — 73173號,特開平1〇 一 10739號, 特開平9 — 230595號公報,w〇97/33198 等.)。但所期待之0 · 10/zm以下微細化之"F 2 )( 1 5 7 一'' - n m )射線中,將越來越難確保其透明性,又,已g ~丙·烯 酸系則完全不變盘,環烯烴系中,具有羰鍵結之化合物亦 具有極強之吸收。 本發明鑒於上記之事實,而以開發3 0 0 n m以下, 特別是對F2(157nm) 、Kr2(l46nm)、 KrAr (134nm) 、Ar2(l21nm)等真空紫 外線之透過率與主鏈之偏差防止更爲優良的增強化學性光 阻材料之基礎聚合物極爲有用之新穎高分子化合物,及使 用含此之增強化學性光阻材料形成圖形之方法爲本發明之 目的。 【發明之內容與發明之實施形態] 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本發明者爲達上述目的經過深入硏究檢討結果,得知 使用含有下記式(1 )所示,主鏈經氟化 >斤得之丙烯酸衍 ·........ 生物爲重複單位的高分子化合物任靈基礎樹脂時,可得到 確保透明性與驗可溶性樹脂之光阻材料,因而完成本發明 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 1294440^ A7 B7 五、發明説明(3)
FT
至2 0之直鏈狀、支鏈狀或環狀烷基或氟化烷基,且R 1、 R2、R3中至少1個含有氟原子;R4爲親水性基)。 ,.....… . ' 此時,/it高分子化合_,除含有式(1 )所示重複單位外 ,尙可含有下記式(2 )所示重複單位,此外,於式(1 )、式(2)重複單位外,尙可含有下記式(3)所示重 複單位者等皆爲有具有功效者。
R
⑵ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 、R7爲氫原子、氟原子、碳、數1 至2 0之直鏈狀、支鏈狀或環狀烷基或氟化烷基;8爲酸 不穩定基)。 k ,11
R
0 R ⑶ 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(2i〇x297公釐) -6 _ 1294440 A7 —___ B7_ 五、發明説明(4 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) (式中,R9、R1Q、R11爲氫原子、氟原子、碳數 1至2 0之直鏈狀、支鏈狀或環狀烷基或氟化烷基^R 爲酸安定基)。 一一〆 ® T〜苯—發〜明者們經過硏究結果,得知於感乙烯苯酚却 ’ 1 6 0 n m附近之透過率有些許提昇,但尙難達到實用 之程度’故需以降低羰基、碳碳間雙鍵之方式作爲確保透 過率之必要條件。 但,環構造或碳碳間之雙鍵,雖被賦予提升乾蝕刻耐 性之期待,但排除苯環後,爲提昇蝕刻耐性而導入脂環構 造之A r F用聚合物會有受酸溶解之問題產生,故亦難保 其透明性。本發明者對此進行更進一步硏究結果,得知提 升透明性之方法中,使用氟取代之聚合物時將具有極佳之 效果,故對可提升作爲A r F光阻使用之丙烯酸聚合物的 透明性進行硏究結果,得知使用主鏈爲經氟取代之丙烯酸 衍生物時,經具有極佳之效果。 經濟部智慧財度局員工消費合作社印製 波長之短波長化所產生之問題並不止是透明性之降低 ,而於(IE型米阻之情形中,常會產生因曝光量上升所導致 之曝光部分未能產生溶解之負型現象。負型化之部分除不 溶解於鹼顯像液外,亦不溶於丙酮等有機溶劑,其原因應 爲分子間產生交聯而造成膠體化。產生交聯之原因之一’ 應爲自由基之產生。因短波長化故會使曝光之能量增大’ 於F 2 ( 1 5 7 n m )曝光中,因C — C鍵結或C — Η鍵結 於受激勵能量照射時,會因激勵而產生自由基,而使分子 間產生可鍵結性。於A r F曝光所使用之具有脂環式構造 ^紙張尺度適用中國國家標準( CNS ) A4規格< 210 X 297公釐) 1294440 A7 ' _ B7___ 五、發明説明(5) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 之聚合物,例如冰片烷等已觀察出具有極爲顯著之負」 〔型化為象。脂環基因其端部具有較多之C - Η鍵結,故具 有較易進行交聯之構造。又,爲防止交聯之產生,^甲基 苯乙烯或其衍生物已知具有較佳之效果。但,色!基苯乙 :’ .....—. 1 嫌雖具有緩和-負型之作用,但卻未能完全防止此現象。 因於VUV領域中因氧具有較大之吸收,故氮或A r等不 活性氣體將受到排除,使氧濃度在低至1 P P m以下之狀 態下進行曝光。因氧爲有效之自由基捕集劑,而使所產生 之自由基壽命增長,使交聯更容易進行。隨後再進行深入 硏究結果,得知光阻聚合物之種類,特別是聚羥基苯乙烯 “…一·d * ^--w /系爲基礎聚合物之光阻具肴>m篆之負型化現象。相對於此 ! -—.一--......- (一 ^^ /,丙烯酸酯作爲基礎樹脂之光阻中則未發現有負型化現象 ,故使用具有氟化主.鏈—之聚再稀酸酯作爲基礎樹j旨使用時 ',可製得/兼具)確保透明性與鹼可溶性之光阻材料,因而完 成了本發明。 即,本發明提供一種下記之高分子化合物、增強化型 性光阻材料與形成圖形的方法。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 〔1〕、一種高分子化合物,其係含有上記式(1 ) 所示,主鏈經氟化所得之丙烯酸衍生物爲重複單位者。 〔2〕、一種高分子化合物,其係含有上記式(1 ) 與式(2 )所示重複單位者。 〔3〕、一種高分子化合物,其係含有上記式(1 ) 、(2 )與式(3 )所示重複單位者。 〔4〕、如上記之高分子化合物/R 4之親j基.,係爲 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 1294440 A7 B7 五、發明説明(6) 含有醇、酯、內酯、碳酸酯、酸酐、羧酸、羧酸醯胺、磺 遵或磺酸醯胺者。 〔5〕、一種增強化學性:正型j光阻材料,其特徵係含 有 . (A) 〔1〕至〔4〕之高分子化合物, (B )有機溶劑, (C )酸產生劑。 〔6〕、如上記之光阻材料,其尙含有#性化合物。 〔7〕、如上記之光阻材料,其尙含有溶解阻礙劑。 严.-:-......,… 〔8〕、一種形成圖形的方法,其特徵係包含 (1 )將上記增強化學性光阻材料塗佈於基板上之步 驟與, (2 )於加熱處理後,介由光罩使用波長3 〇 0 n m 以.下之高能量線或電子線進行曝光之步驟與, (3 )必要時於加熱處理後,使用顯影液進行顯影之 步驟。 以下,將對本發明作更詳細之說明。 本發明之高分子化合物,其係含有下記式(1 )所示 ’主鏈經氟化所得之丙烯酸衍生物爲重複單位者;
本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210 X 297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) •^^衣· 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1294440 A7 __ _B7_ 五、發明説明(7 ) (式中,R1、R2、R3爲氫原子、氟原子、碳數1 至2 0之直鏈狀、支鏈狀或環狀烷基或氟化烷基,且R1、 R 2、R 3中至少1個含有氟原子;R 4爲親水性基)。 其中,碳數1至2 0之直鏈狀、支鏈狀或環狀烷基例 如,甲基、乙基、丙基、異丙基、η — 丁基、s e c —丁 基、t e I· t — 丁基、環戊基、環己基、2 —乙基己基、 η -辛基等;特別是以碳數1至1 2,又以碳數1至1 0 者爲最佳。又,氟化院基係爲上記院基中氫原子的一部份 或全部受氟原子所取代者,例如三氟甲基、2,2,2 -三氟乙基、3,3,3 —三氟丙基、1,1,2,2,3 ,3,3 -七氟丙基等。 R 4之親水基,係爲含有醇、酯、內酯、碳酸酯、酸酐 、羧酸、羧酸醯胺、磺酸或磺酸醯胺者爲佳。式(1 )之 重複單位,例如下記所示重複單位者。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210X29*7公釐) •10- 1294440 A7 B7 五、發明説明(8)
1¾ 1¾丄 A人 An 〇入〇 〇入〇 Ν 人0 V
〇八0 广〇 ? 0 ? 0 NH k^〇H 、^ΟΗ OH Ο
Ο (Η) (1-2) (1-3) (1-4) (1-5) (卜6) (1-7)
(1-8) (1 - 9)
4h Ο ΗΟ^^Ο
CN (1-12) (1一13) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
、1T 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製
\ί 屯ο ο入ο ο人ο ο入Ο ο入Ο广〇? So
Ό
、GN
0、/0 -14) (1-15) (1-16) (1-17) (1 -18) (1-19) (1 - 20) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格< 210X297公釐) _ ^ _ 1294440 A7 B7 五、發明説明(9 )
0 0
(1-21) (1-22) (1-23) (1-24)
0 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
0 、^τ* 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製
RJ
本發明之高分子化合物,除上記重複單位以外,以具 有下記式(2 )所示重複單位者爲佳。 ⑵
Rc 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210Χ297公釐) -12- 1294440 A7 B7 五、發明説明(以 (式中,R5、R6、R7爲氫原子、氟原子、碳數1 M 2 0之直鏈狀、支鏈狀或環狀烷基或氟化烷基;R 8爲酸 不穩定基)。 此情形中,此高分子可以下記式(I )表示。、3 R R1
(!) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
內容相同之基團;酸不穩定棊, 特別是以下記式(4 ) 、( 5 )所來 )戶斤$碳數4至4 0之三級烷基, 火完基’碳數4至2 0之羰烷基等爲隹 H 1、R 2、R 3 說明 其可爲各種內容,但 之基團,下記式(6 _數1至6之三烷基矽 訂 0:(CH2)a—G_
0—R 13 ⑷ 〜0—R16R15 ⑸
R 17
C—R 19 ⑹
R 18
Rl3爲碳數4至20、較佳爲 4至1 5之三級院基 本紙張尺度適用中周國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) '13- 1294440 A7 B7 五、發明説明(1彳) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 各烷基爲碳數1至6之三烷基矽烷基、碳數4至2 0之羰 烷基或上記式(6 )所示之基;三級烷基之具體例如 t e r t - 丁基、t e r t -戊基、1 ,1〜二乙基丙基 、1 一乙基環戊基、1— 丁基環戊基、1一乙基環己基、 1 一 丁基環己基、1 一乙基一 2 —環戊儲基、1 一乙基— 2 -環己烯基、2 —甲基一 2 —金剛烷基等。三烷基矽烷 基之具體例如三甲基矽烷基、三乙基矽烷基、二甲基- t e r t - 丁矽烷基等。羰烷基之具體例如3 -羰基環己 基、4 —甲基一2 —羰基噁烷一4 —基、5〜甲基一 2 — 二氧五圜環一 5 —基等。a爲0至6之整數。 R14、R15爲氫原子或碳數1至1 8,較佳爲1至 1 0之直鏈狀、支鏈狀或環狀烷基,具體例如甲基、乙基 、丙基、異丙基、η — 丁基、s e c — 丁基、t e r t — 丁基、環戊基、環己基、2 -乙基己基、n —辛基等; 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 R16爲碳數1至1 8,較佳爲1至1 0之可含有氧原子等 雜原子之1價烴基,直鏈狀、支鏈狀或環狀烷基,且其氫 原子之一部分可被羥基、烷氧基、羰基、胺基、烷胺基所 取代者,其具體例如下記之經取代的烷基等。 -(~CH2)4〇H -f CH2)2〇(CH2)3CH3 - 〇Η2"^ >^~*ΟΗ2〇Η
—(·ΟΗ2)2〇(〇Η2)2〇Η ~("CH2)6〇H —CH2 14 15 1 4 1 6 9 5 1 5 1 6 R 與R 、R 與R 、R 與R 可形成 環,形成環時,R14、R15、R16各自爲碳數1至1 8 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 1294440 A7 _B7_ 五、發明説明(12) '較佳爲1至1 0之直鏈狀或支鏈狀之伸烷基。 上記式(4 )所示酸不穩定基,具體之例如t e r 〜丁氧鑛基、t e r t — 丁氧擬甲基、t e r t—戊氧锻 基、t e r t —戊氧鑛甲基、1 1—二乙基丙氧碳基、 丄,1 一二乙基丙氧羰甲基、1 一乙基環戊氧基鑛基、丄 〜乙基環戊氧基羯甲基、1一乙基一2—環戊烯氧鑛基、 1〜乙基一 2 —環戊烯氧羰甲基、1 一乙氧乙氧羰甲基、 2〜四氫吡喃氧羰甲基、2 —四氫呋喃氧羰甲基等。
- N 上式(5 )所示酸不穩定基中,具有直鏈狀或支鏈狀 之取代基者之具體例®下記之基團。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 、言 Γ. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210 X 297公釐) 1294440 A7 B7 五、發明説明(13) ——CH2—0—CH3 ——CH2—0—CH2—CH3 ——CH2—0—(CH2)2 一CH3 CH2-〇——(CH2)3—CH3 ch3 -CH2—O-CH—CH3 ch3 •C H2—〇一C 一CH3ch3 ch3 ΌΗ—0—CH3 CH3 -CH—〇-CH2—CH3 ch3ch2 -CH —〇—CH3 ch3(ch2)2 -CH—0—CH3 〇h3ch2 -CH—〇-CH2—CH3 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ch3 ch3 ΌΗ——〇——(CH2)3—CH3 —CH—0——(CH2)2 一 CH3 ch3ch2 I CH—〇一(CH2)3—CH3 ch3ch2 I 'CH一0 (CH2)2 —CH3 CH3 CH3 (ch2)2 -CH—〇一(CH2)3 一 CH3 (ch2)2 - CH—〇一(CH2)2 一 CH3 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 ch3 CH—0 ch3 •CH 一 CH3-c—〇—ch3 Ich3 -c—〇-ch「ch3 16- 本紙張尺度適用中國國家標準(cns ) A4規格(210X297公釐) 1294440 A7 B7五、發明説明(14) 上記式(5 )所示酸不穩定基中爲環狀者之具體例如 四氫咲喃一 2 —基、2 —甲基四氫咲喃一 2 —基、四氫批 喃一 2 —基、2 —甲基四氫吡喃一 2 —基等。式(5)以 乙氧乙基、丁氧乙基、丁氧丙基等爲佳。 又,式(6 )中
R 1 7 R 1 R 1 9爲碳數1至 0之直鏈狀、支鏈狀或環狀烷基等之1價烴基,其可含
有氧、硫、氮、氟等雜原子,且R 與R
R 與 8 9
R R 、R 與R 可相互鍵結形成環。形成環時 、R18、R19各自爲碳數3至20、較佳爲4至1 6之直 鏈狀或支鏈狀之伸烷基。 式(6 )所示之三級烷基,例如t e I* t -丁基、三 乙基甲基、1—乙基降冰片烷基、1一甲基環己基、1 一 乙基環戊基、2 — (2 —甲基)金剛烷基、2- (2 —乙 基)金剛烷基、t e r t -戊基等。 又,三級烷基,例如下記式(2 - 1 )至(2 — 1 6 所示之具體例示 、20 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 R ‘
、22 (2-1) 〇20 R R22 (2-6) (2 - 2) D20 R R22
R20 〇22 (2-4)
R 20 ,21
R 21 R (2-5) R2C) n22 、20
R20 ^22
R 23 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210 X297公釐) -17- 1294440 A7 B7 五、發明説明(15)
(2-10) (2-11) (2-12) (2-13) (2-14)
(2-15) (2-16) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 其中’ R2C)爲碳數1至6之直鏈狀、支鏈狀或環狀烷 基。具體而言例如,甲基、乙基、丙基、異丙基、n 一丁 基、s e c— 丁基、η -戊基、η -己基、環丙基、環丙 甲基等。R21爲碳數2至6之直鏈狀、支鏈狀或環狀烷基 。具體而言例如,乙基、丙基、異丙基、η - 丁基、 s e c - 丁基、η —戊基、η —己基、環丙基、環丙甲基 、環丁基、環戊基、環己基等。又,R22、R23爲氫原子 、碳數1至6之可夾有雜原子之烷基等1價烴基。雜原子 例如氧原子、硫原子、氮原子等,其可以一 ΟΗ、一 OR (R爲碳數1至20,特別是1至16之烷基,以下相同 )、一〇 一 、一 S — 、一 S ( = 〇 ) 一 、一 N Η 2 ' 一 NHR、— NR2、一 ΝΗ —、— NR —之形式含有或夾 有。 R 2 2、R 2 3爲氫原子、碳數1至2 0,特別是1至 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210 X 297公釐) 1294440 A7 丨 '_B7___ 五、發明説明(16) 1 6之烷基、羥烷基、烷氧烷基、烷氧基、烷氧烷基等, 其可爲直鏈狀、支鏈狀、環狀等皆可。具體而言,例如甲 基、羥甲基、乙基、羥乙基、丙基、異丙基、η —丁基、 s e c — 丁基、η —戊基、η —己基、甲氧基、甲氧甲氧 基.、乙氧基、tert — 丁氧基等。 又,R8之作爲酸不穩定基使用之各烷基爲碳數1至6 之三烷基矽烷基,例如三甲基矽烷基、三乙基矽烷基、 t e r t -丁基二甲基矽烷基等。 碳數4至2 0之羰烷基,例如3 -羰基環己基、下記 式所示之基等。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 上記式(I )中,m、η爲正數,且m / (m + η ) 爲0 · 1至0 . 9,較佳爲0 · 2至0 . 8,最佳爲 0 · 3 至 0 · 7。 本發明之高分子化合物,除上記式(1 ) , ( 2 )之 重複單位以外,尙可包含下記重複單位(3 )。Λ R11
R 中 式
R ⑶ 、R 爲氫原子、氟原子、碳數 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格{ 210Χ^7公釐)
1294440 A7 - .___B7 五、發明説明(17) 1至2 0之直鏈狀、支鏈狀或環狀烷基或氟化烷基;r : 2 爲酸安定基)。 此情形中’此高分子化合物可以下記式(I I )表示
其中,$ 、R 、R 係與R 、R 、R 所示之 / 1 2 內容相同;:R ,之酸安定基例如下記式(3 — 1 )至(3 - 1 8 )所示般,爲一級或二級之烴取代羧酸之羥基所得 ,且具有環構造者,又以具有可屬升農麗刻耐性之構造爲 佳。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 1294440 A7 B7 五、發明説明(18)
(3 -10) (3-11) (3-12) (3-13)
(請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (3-14) (3-15) (3 -16) (3-17) (3-18) 式中,r24爲碳數1至2 0之直鏈狀、支鏈狀或環狀 烷基;R25、R26爲氫原子、碳數1至20之直鏈狀、支 鏈狀或環狀烷基;R25、R26爲氫原子、碳數1至6之可 含有雜原子之1價烴基,碳數1至6之可夾有雜原子之1 價烴基。雜原子例如氧原子、硫原子、氮原子等,其可以 一〇Η、一 OR (R爲碳數1至20 ’特別是1至16之 烷基,以下相同)、一〇一、一S—、一 s( = 〇)一、 一 NH2、— NHR、— NR2、— NH -、一 NR -之形 式含有或夾有。 上記式(I I)中,m'n、k爲正數,且111/*^111 + n + k )爲 〇 · 1 至 〇 · 9 ,較佳爲 〇 · 2、至 〇 · 8 , 最佳爲 0 · 3 至 0 · 7 ; n/(m+n + k)爲 0 · 1 至 〇 · 9 ,較佳爲〇· 2至0 · 8 ,最佳爲〇 · 3至〇 · 7 ;非爲k二0之情形中’ (m + n ) / ( m + n + k )爲 I紙張尺度逍用中國國家標半(CNS ) A4規格(210X297公釐) _ 21 _ 1294440 A7 B7 最佳爲0 · 4 較佳爲0 · 3至0 五、發明説明(id 0 . 2 至 0 · 9 至 0 · 9 。 本發明之高分子化合物’爲提高密著性與蝕刻耐性時 ,可再導入下記式(7 - 1)〜(7 - 8)所示重複單位 。.此時,此些單位U之導入量,對式(1 )之重複單位之 比例依下記式爲,y / ( X + y ) = 〇至0 · 8 ,特別是 0至0 . 7,若爲充分發揮出上記單位之效果時y /( X + y )以0 · 1以上爲佳。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
⑼ y 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 【0 0 5 2】 【化2 1】 R27a
0 22- 本紙張尺度適用中周國家標準(CNS > A4規格U10X297公釐) 1294440 A7 B7 五、發明説明(20)
1至2 0之直鏈狀、支鏈狀或環狀烷基、氟原子、或碳數 1至2 0之經氟化的烷基;R28爲氫原子、碳數1至2 0 之直鏈狀、支鏈狀或環狀烷基、或經氟化之烷基;R 2 9爲 氫原子、碳數1至2 0之直鏈狀、支鏈狀或環狀烷基。 本發明之高分子化合物(含氟之聚丙烯酸酯化合物) ---------— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 所下 } 之 a 位 1 單 C 複 式重 記 下 2 之C 位式 單記 複上 重供 -提 1 用 C 使 式可 記時 上要 供必 提或 用, 使體 可單 , 示 a 式 7 2 記 c 丨下至 式之 } 記位 1 單一 複 7 一一 彐一一 Γν 重 )式 3 記 (上 式供 記提 上用 供使 提或 用, 使體 或單 , 示 體所 示 所 a 得 製 以 澧 單 之 位 單 複 重 Λ)/ 8 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製
R-c-R
R F 4r -c—0
,=°R
η 『12R—c—c — o 9 1110 R—0 — R 己 1三口 下 a) (3a) 中 式 式 3 R ) ,a 同 相 記 上 與 容 內 之 2 R 至
至 IX 2 a a 如 例 Μ 具 之 單 a 3 6 2 a 1± 至 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 1294440 A7 B7 一 6等。又,下記
式中,R
R
(1 a) -1 (1 a) - 3 五、發明説明(21) 〜6、 (3a)— 1 至(3 R 具有與上記內容相同之意義 卜
(1 a)-2
(2a) - 3 (2a)-4 R CF3 F'
(請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) Η F t- cr
(3a)-1 (3 a) - 2 (3 a)—3
(3a)-4 (3a)-5 R'
訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 製造上記高分子化合物之時,一般而言係將上記單體 類與溶媒混合,添加觸媒後,且依必要性於加熱中或冷卻 中進行聚合反應。聚合反應係受起始劑(或觸媒)之種類 、起始方法(光、熱、放射線、等離子射線等)、聚合條 件(溫度、壓力、濃度、溶媒、添加物等)等所控制。本 發明之高分子化合物之聚合中,一般係以A I BN等自由 基開始進行聚合之自由基共聚法、使用院基鋰等觸媒之離 * - ' . . . -· "" - 子聚合法(陰離子聚合法)。此些聚合法可以一般之方式 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 24 1294440' A7 B7 五、發明説明(23 進行。 又,上記高分子化合物之重量平均分子量爲 1,000 至 1, 000, 000,特別是以 2,〇〇〇 至1, 00, 000爲更佳。 本發明之高分子化合物,可作爲光阻材料、特別是增 強化學性正型光阻材料之基礎樹脂使用。 因此,本發明係提供一種含有 (A )上記高分子化合物(基礎樹脂), (B )有機溶劑, (C )酸產生劑 之增強化學性正型光阻材料。 此情形中,此些光阻材料可再添加 (D )鹼性化合物, (E )溶解阻礙劑。 其中,本發明所使用(B )成份之有機溶劑,只要是 可以溶解酸產生劑、基礎樹脂、溶解阻礙劑等之有機溶媒 皆可以使用。此有機溶劑例如,環己酮、甲基一 2 - η -戊酮等酮類;3 —甲氧基丁醇、3 —甲基一 3 —甲氧基丁 醇、1—甲氧基一 2_丙醇、1 一乙氧基一 2 —丙醇等醇 類;丙二醇單甲基醚、乙二醇單甲基醚、丙二醇單乙基醚 、乙二醇單乙基醚、丙二醇二甲基醚、二乙二醇二甲基醚 等醚類;丙二醇單甲基醚乙酸酯、丙二醇單乙基醚乙酸酯 、乳酸乙酯、丙酮酸乙酯、乙酸乙酯、3 —甲氧基丙酸甲 酯、3 —乙氧基丙酸乙酯、乙酸t e r t — 丁酯、丙酸 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) ——:___:II #! (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
、tT 經濟部智慧財產局員工消资合作社印製 -25- 1294440. A7 B7 五、發明説明(23) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) t e r t — 丁酯、丙二醇一單一 t e I· t — 丁醚乙酸酯等 酯類。其可單獨使用1種或將2種以上混合使用。氟化之 有機溶劑亦可使用。具體之例示如2 -氟基苯甲醚、3 -氟基苯甲醚、4 一氟基苯甲醚、2 ,3 —二氟基苯甲醚、 2 ,4 一二氟基苯甲醚、2 ,5 —二氟基苯甲醚、5 ,8 一二氟基—1 ,4 一苯駢二噁烷、2,3 -二氟基苄醇、 1,3 —二氟基—2 -丙醇、2’,4’ —二氟基苯丙酮、2 ,4 -二氟基甲苯、三氟基乙醛乙基半縮醛、三氟基乙醯 胺、三氟乙醇、2,2 ,2 —三氟基乙基丁酯、乙基五氟 基丁酯、乙基七氟基丁酯、乙基六氟基戊基甲酯、乙基一 3 —羥基—4,4,4-三氟基丁酯、乙基—2 —甲基— 4,4,4 一三氟乙醯乙酸酯、乙基五氟基苯甲酸酯、乙 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 .基五氟基丙酸酯、乙基五氟丙炔基乙酸酯、乙基全氟基辛 酸酯、乙基—4,4,4 —三氟乙醯乙酸酯、乙基一4, 4,4 一三氟基丁酯、乙基一 4,4,4 一三氟基丁烯酸 酯、乙基三氟基磺酸酯、乙基一3—(三氟甲基)丁酯、 乙基三氟基丙酮酸酯、S -乙基三氟基乙酸酯、氟基環己 烷、2,2,3,3,4,4,4 一七氟基一 1— 丁醇、 1,1,1,2,2,3,3 — 七氟基一7,7 —二甲基 —4’6 —辛二醇、l’l.,1,3,5,5,5— 七氟 基戊烷—2,4 —二酮、3,3,4,4,5,5,5 — 七氟基一 2 —戊酮、異丙基—4,4,4 —三氟乙醯乙酸 酯、甲基全氟癸酸酯、甲基全氟(2 —甲基一 3 —噁基己 酸酯)甲基全氟壬酸酯、甲基全氟辛酸酯、甲基一 2 ,3 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)八4規格{ 210X297公釐) _ · 1294440 A7 B7 五、發明説明(24) ,3 ,3 —四氟基丙酸酯、甲基三氟基乙醯乙酸酯、1 , 11,2,2,6,6,6—八氟基一2,4—己二醇、 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 2,2,3 ,3 ,4,4,5,5 —八氟基—1—戊醇、 1H,1H,2H,2H —全氟基—1 一癸醇、全氟(2 ,5 —二甲基一 3,6 —二噁烷陰離子基)酸甲基酯、 2H —全氟一 5 —甲基一3 ,6 — 一氧代壬院、全氟(2 ,5 —二甲基一 3,6 —二噁烷陰離子基)酸甲基酯、 1H,1H,2H,3H,3H —全氟基壬烷—1 ,2 — 二醇、1H,1H,9 H —全氟基—1—壬醇、1H, 1H —全氟基辛醇、1H,1H,2H,2H —全氟基辛 醇、2H —全氟基一5 ,8 ’ 11 ’ 14 一四甲基一3 ’ 6,9 ,12,15 -五氧雜十八烷、全氟基三丁胺、全 氟基三己胺、全氟基一 2 ,5 ,8 —三甲基一 3 ,6 ,9 -三氮雜十三烷基酸甲酯、全氟基三戊胺、全氟基三丙胺 、1H,1H,2H,3H,3H —全氟基十一烷—1 , 2—二醇、三氟基丁醇、1 , 1 , 1一三氟基一5—甲基 一 2,4 —己二酮、1 ,1 ,1—二氟基—2 —丙醇、3 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 ,3,3 -三氟基—1—丙醇、1 ,1 ,1_二氟基—2 -丙基乙酸酯、全氟丁基四氫呋喃、全氟基(丁基四氫呋 喃)、全氟基萘烷、全氟基(1 ,2 —二甲基環己烷)、 全氟基(1 ,3 —二甲基環己烷)、丙二醇三氟甲基醚乙 酸酯、丙二醇甲基醚三氟甲基乙酸酯、三氟甲甲基醋酸丁 酯、3 -三氟甲氧基丙酸甲醋、全氟環己酮、丙二醇三氟 甲基醚、三氟乙酸丁酯、1 ,1 ,1—三氟基一 5 ,5 — •27- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格< 21〇X297公釐) 1294440 A7 B7 五、發明説明(25) 一甲基一 2 ,4 一己二酮等。 本發明中,此些有機溶劑中除可使用對光阻成份中之 酸產生劑的溶解性最優良的二乙二醇二甲基醚或1-乙氧 基- 2 -丙醇以外,亦可使用作爲安全劑之丙二醇單甲$ 乙酸及其混合溶劑。 又,有機溶劑之使用量,以對基礎樹脂1 0 0重量份 爲200至5, 000重量份爲宜,又以400至 3,0 0 0重量份爲佳。 (C )成分0酸產生劑丨例如下記式(8 )之鐵鹽、 式(9 )之二偶氮甲烷货生物、式(1〇)之乙;:肟衍生 物、/3 -酮磺酸衍生物、二磺酸衍生物、硝苯基磺酸酯衍 生物、磺酸酯衍生物、醯亞胺-基磺酸酯衍生物等。 (R30)bM + K· ( 8 ) (式中,R3°各自爲碳數1至1 2之直鏈狀、支鏈狀 或環^完基,碳數6至2 0芳基,或碳數7至12之芳烷 基;M t爲蛾鐵、锍;K;爲非親核性對向離子,b爲2或 -------------------------------------------------- 3 ) ° r3()之烷基例如,甲基、乙基、丙基、丁基、環己基 、2 -羰基環己基、降冰片烷基、金剛烷基等;芳基例如 苯基、P —甲氧基苯基、m —甲氧基苯基、〇 —甲氧基苯 基、乙氧基苯基、P — t e r t — 丁氧基苯基、m — t e r t —丁氧苯基等烷氧苯基,2 —甲基苯基、3 —甲 基苯基、4 —甲基苯基、乙基苯基、4_t e r t —丁基 苯基、4 -丁基苯基、二甲基苯基等烷苯基;芳烷基例如 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格< 21〇><297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1294440 A7 ' '_B7_ 五、發明説明(2β) 苄基、苯乙基等;κ-非親核性對向離子,例如氯化物離 子 '溴化物離子等鹵化物離子,三氟甲酸鹽、1 ,1 ,1 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 一三氟乙烷磺酸鹽、全氟丁烷磺酸鹽等氟烷基磺酸鹽,甲 苯磺酸鹽、苯磺酸鹽、4 —氟苯基磺酸鹽、1 ,2,3, 4 ’ 5 -五氟苯基磺酸鹽等芳基磺酸鹽,甲磺醯鹽、丁烷 磺酸鹽等烷基磺酸鹽等。 ψ rM— S〇2 — C — S〇2 — r32 (9) (式中,R31、R32爲碳數1至1 2之直鏈狀、支鏈 狀或環狀烷基或鹵化烷基,碳數6至2 0之芳基或鹵化芳 基或碳數7至12之芳院基)。 R31、R32之烷基例如甲基、乙基、丙基、丁基、戊 基、環戊基、環己基、降冰片烷基、金剛烷基等;鹵化烷 基例如三氟甲基、1,1,1一三氟乙基、1 , 1 , 1一 绫齊郎皆慧时產苟員X消費合怍fi印一^ 三氯乙基、九氟丁基等;芳基例如苯基、P -甲氧苯基、 m —甲氧苯基、〇 —甲氧苯基、乙氧苯基、p — t e r t -丁氧苯基、m — t e r t -丁氧苯基等院氧本 基;2 —甲基苯基、3 —甲基苯基、4 一甲基苯基、乙基 苯基、4 一 t e r t — 丁基苯基、4 一丁基苯基、二甲基 苯基等烷基苯基;鹵化芳基之氟苯基、氯苯基、1 ,2, 3,4,5 —五氟苯基等;芳烷基例如苄基、苯乙基等。 R34 R35 33 | | R — S〇2 —〇一N = c — C=N —〇一s〇2 — R33 (10) (式中,R33、R34、R35爲碳數1至12之直鏈 -29- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格{ 21 O X 297公釐) 1294440 A7 ΒΊ_ 五、發明説明(27) 狀、支鏈狀或環狀烷基或鹵化烷基,碳數6至2 〇之芳s 或鹵化芳基或碳數7至1 2之芳烷基。R34、R35可相互 鍵結形成環狀構造,形成環狀構造時,R 3 4、R 3 5各自爲 碳數1至6之直鏈狀、支鏈狀之伸烷基。)。 R33、R34、r35之烷基、鹵化烷基、芳基、鹵化 芳基、芳烷基之例示與R31、R32之說明內容相同;又, R 3 4、R 3 5之伸烷基則如伸甲基、伸乙基、伸丙基、伸丁 基、伸己基等。 具體而言,例如三氟甲烷磺酸二苯基碘鑰、三氟甲g 磺酸(P — t e r t —丁氧苯基)苯基姚_、p —甲苯碼 酸二苯基碘鐵、P -甲苯磺酸(P — t e r t — 丁氧苯基 )苯基碘鑰、三氟甲烷磺酸三苯基锍、三氟甲烷磺酸(p 一 ter t — 丁氧苯基)二苯基銃、三氟甲烷磺酸雙(p 一 t e r t —丁氧苯基)苯基銃、三氟甲烷磺酸三(p 一 t e I* t -丁氧苯基)銃、p —甲苯磺酸三苯基锍、p-甲苯磺酸(p — t e r t_ 丁氧苯基)二苯基銃、p 一甲 苯磺酸雙(P — t e I* t — 丁氧苯基)苯基銃、p —甲苯 磺酸三(p - t e r t -丁氧苯基)銃、九氟丁烷磺酸三 苯基銃、丁烷磺酸三苯基銃、三氟甲烷磺酸三甲基锍、p —甲苯磺酸三甲基銃、三氟甲烷磺酸環己甲基(2 —羰基 環己基)銃、P —甲苯磺酸環己甲基(2 —羰基環己基) 銃、三氟甲烷磺酸二甲基苯基銃' p —甲苯磺酸二甲基苯 基銃、三氟甲烷磺酸二環己基苯基銃、p -甲苯磺酸二環 己基苯基銃等鐵鹽;雙(苯磺醯基)二偶氮甲烷、雙(p 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) ----------- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -30- 1294440 Α7 Β7 五、發明説明(28) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 一甲苯磺醯基)二偶氮甲烷、雙(二甲苯磺醯基)二偶氮 甲院、雙(環己磺醯基)二偶氮甲烷、雙(環戊磺醯基) 二偶氮甲烷、雙(η -丁基磺醯基)二偶氮甲烷、雙(異 丁基磺醯基)二偶氮甲烷、雙(s. e c - 丁基磺酿基)二 偶氮甲烷、雙(η -丙基磺醯基)二偶氮甲烷、雙(異丙 基磺醯基)二偶氮甲烷、雙(t e r t —丁基磺_基)二 偶氮甲烷、雙(η -戊基磺醯基)二偶氮甲烷、雙(異戊 基磺醯基)二偶氮甲烷、雙(se c -戊基磺醯基)二偶 氣甲院、雙(t e r t —戊基磺醯基)二偶氮甲院、1 一 環己基磺醯基一 1 一( t e r t -丁基磺醯基)二偶氮甲 院、1 一環己基磺醯基一 1 一( t e r t —戊基磺醯基) 二偶氮甲烷、1 一 t e r t —戊基磺醯基一 ]_ 一( t e r t — 丁基磺醯基)二偶氮甲烷等二偶氮甲烷衍生物 ;雙一〇 —(P —甲苯磺醯基)一 α —二甲基乙二膀、雙 一 ο — (Ρ —甲苯磺醯基)—α —二苯基乙二肟、雙—〇 一(ρ —甲苯磺醯基)一α —二環己基乙二肟、雙—〇 — (Ρ —甲苯磺醯基)一 2 ,3 —戊二醇乙二肟、雙—0 — 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (Ρ —甲苯磺醯基)一 2 —甲基一 3 ,4 一戊二酮乙二g弓 、雙一 〇 —(η —丁烷磺醯基)一 α —二甲基乙二g弓、雙 一 ο— (η — 丁烷磺醯基)一α —二乙基乙二肟、雙一 〇 一(η — 丁烷磺醯基)一 α -二環己基乙二肟、雙一 〇 — (η —丁烷磺醯基)一2,3 —戊二醇乙二肟、雙一 0 — (η - 丁院磺醯基)—2 —甲基—3 ,4 —戊二醇乙二月亏 、雙一 〇 —(甲院磺醯基)一α —二甲基乙二特、雙一 0 本紙張尺度逍用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210 Χ297公釐) 1294440 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7五、發明説明(29) 一(三氟甲烷磺醯基)一 α —二甲基乙二肟、雙一 〇—( 1, 1 , 1一三氟乙烷磺醯基)一α—二甲基乙二肟、雙 一 〇 — ( t e r t — 丁院磺釀基)—α —一甲基乙一脂、 雙一 〇 —(全氟辛烷磺醯基)一α —二甲基乙二肟、雙一 〇 —(環己垸磺基)—^ —二甲基乙二汚、雙一 ◦一( 苯磺醯基)一 α —二甲基乙二肟、雙一 〇 —(ρ —氟基苯 磺醯基)—α —二甲基乙二肟、雙一ο — (ρ — t e r t —丁基苯磺醯)一 α —二甲基乙二肟、雙一 o — (二甲苯 磺醯基)一 α —二甲基乙二肟、雙一 〇 —(莰烷磺醯基) 一α—二甲基乙二肟等乙二肟衍生物;2—環己基羰基一 2 -(ρ —甲苯磺醯)丙烷、2 —異丙基磺醯基一 2 —( ρ -甲苯磺醯基)丙烷等Θ -酮硕衍生物;二苯基二硕、 二環己基二硕等二硕衍生物;Ρ -甲苯磺酸2,6 —二硝 基苯、ρ -甲苯磺酸2,4 -二硝基苯等硝基苯磺酸酯衍 生物;1 ,2,3 —三(甲烷磺醯基氧)苯、1 ,2 ,3 一三(三氟甲烷磺醯基氧)苯、1 ,2 ,3 —三(Ρ —甲 苯磺醯氧基)苯等磺酸酯衍生物;酞醯亞胺-基-三氟甲 基磺酸酯、酞醯亞胺-基-甲苯磺酸酯、5 -降冰片烷基 一 2,3 —二羧亞胺一基一三氟曱基磺酸酯、5 —降冰片 烷基一 2 ,3 —二羧亞胺一基一甲苯磺酸酯、5 —降冰片 烷基- 2,3 -二羧亞胺一基一丁基三氟甲基磺酸酯等亞 胺-基磺酸酯衍生物等;三氟甲烷磺酸三苯基锍、三氟甲 院磺酸(P — t e r t — 丁氧苯基)二苯基硫、三氟甲院 擴酸三(p — t e r t — 丁氧苯基)硫、ρ —甲苯磺酸三 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -------:---ΦII (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 -32- 1294440 Α7 Β7 五、發明説明(30) 苯基硫、p —甲苯磺酸(p — t e r t — 丁氧苯基)二苯 基锍、p —甲苯磺酸三(p-t e r t —丁氧苯基)銃、 三氟甲烷磺酸三萘基銃、三氟甲烷磺酸環己基甲基(2 -羰基環己基)銃、三氟甲烷磺酸(2 —降冰片烷基)甲基 (2 —羰基環己基)銃、1 ,2’一萘羧甲基四氫硫苯鑰三 氯甲烷等鏺鹽;雙(苯磺醯基)二偶氮甲烷、雙(p -甲 苯磺醯基)二偶氮甲烷、雙(環己基磺醯基)二偶氮甲烷 、雙(η -丁基磺醯基)二偶氮甲烷、雙(異丁基磺醯基 )二偶氮甲烷、雙(s e c —丁基磺醯基)二偶氮甲烷、 雙(η -丙基磺醯基)二偶氮甲烷、雙(異丙基磺醯基) 二偶氮甲烷、雙(t e r t —丁基磺醯基)二偶氮甲烷等 一偶氮甲院衍生物;雙一 〇 —(p —甲苯擴酸基)一— 二甲基乙二肟、雙一0 —(η —丁烷磺醯基)一α —二甲 基乙二肟等乙二肟衍生物等鏺鹽衍生物爲佳。又,上記酸 產生劑可單獨使用1種或將2種以上組合使用。鑰鹽有提 高矩形性之優良效果,二偶氮甲烷衍生物及乙二肟衍生物 具有優良之降低定在波之效果,兩者之組合可對圖形外形 進行微調整。 酸產生劑之添加量,以對基礎樹脂1 0 0重量份爲 0 . 2至15重量份,又以0 · 5至8重量份爲更佳,低 於0 . 2重量份時曝光時之酸產生量較少,而會有感度與 解像度惡化之情形產生,高於1 5重量份時會使光阻之透 過率降低而會產生解像性惡化之情形。 (D )成份之鹼性化合物以可抑制因酸產生劑產生之 本紙張尺度逍用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210Χ297公釐) ----------- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1294440 A7 B7 五、發明説明(31) 酸在光阻膜內之擴散速度之化合物爲佳。添加鹼性化合物 可抑制光阻膜中酸之擴散速度而使解像度提高,進而抑制 曝光後之感度變化,降低基板或環境之依存性,而提昇曝 光寬容度或圖形之外形等。(請參考特開平5 -2.3 2706,特開平 5 — 249683,特開平 5 — 158239,特開平5 — 249662,特開平5 — 257282,特開平5 - 289322,特開平5 -289340號公報之內容) 此鹼性化合物例如可爲第1級、第2級、第3級脂肪 族胺類,混合胺類、芳香族胺類、雜環胺類,具有羧基之 含氮化合物、具有磺醯基之含氮化合物、具有羥基之含氮 化合物、具有羥苯基之含氮化合物、醇性含氮化合物、醯 胺衍生物、醯亞胺衍生物等。 具體而言,第1級脂肪/胺如尿素、甲基胺、乙基胺 、η-丙基胺、異丙基胺、η -丁基胺、異丁基胺、 s e c — 丁基胺、t e I· t - 丁基胺、戊基胺、t e r t -戊基胺、環戊基胺、己基胺、環己基胺、庚基胺、辛基 胺、壬基胺、癸基胺、月桂基胺、十六烷基胺、伸甲基二 胺、伸乙基二胺、四伸乙基戊胺等;第2級脂肪胺族類例 如,二甲基胺、二乙基胺、二—η -丙基胺、二異丙基胺 、二—η -丁基胺、一異丁基胺、一 一 s e c -丁基胺、 二戊基胺、二環戊基胺、二己基胺、二環己基胺、二庚基 胺、二辛基胺、二壬基胺、二癸基胺、二月桂基胺、二鯨 蠟基胺、N ’ N —二甲基伸甲基二胺、N,N —二甲基伸 —---------- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -34- 1294440 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、 發明説明 ( 32) 1 I 乙 基 二 胺 Ν ,Ν — 二甲 基 四 伸 乙 基 戊 胺 等 y 第 3 級 脂 肪 1 1 I 族 胺 類 例 如 三甲 基 胺、 二 乙 基 胺 \ 三 — η ~ 丙 基 胺 三 1 1 I 異 丙 基 胺 二 一 η — 丁基 胺 Λ 三 異 丁 基 胺 S e C 1 I 請 1 I 丁 基 胺 - 二 戊 基胺 、 三環 戊 基 胺 二 己 基 胺 — 環 己 基 胺 先 閲 1 1 > 庚 基 胺 三辛 基 胺、 三 壬 基 胺 三 癸 基 胺 、 二 月 桂 基 •貝 背 面 1 之 1 胺 -- 鯨 蠟 基 胺、 Ν ,Ν ,Ν ’ , Ν 3 四 甲 基 伸 甲 基 二 胺 注 意 丨, N , Ν Ν j > Ν,- -四甲基伸乙基二 二胺、 N , N , N, ,] N, 事 項 3Γ 1 1 — 四 甲 基 四 伸 乙基, 戊1 按等 〇 丹 填 寫 本 Φ 又 混 合 _類 / 例 如, 二 甲 基 乙 基 胺 甲 基 乙 基 丙 基 胺 頁 '—^ 1 1 \ 戊 基 胺 乙基 胺 、苄 基 二 甲 基 胺 等 0 芳 香 族 胺 類 及 雜 1 | rm 胺 類 之 具 體 例如 苯胺 衍 生 物 ( 例 如 苯 胺 N — 甲 基 苯 | 胺 、 Ν — 乙 基 苯胺 Ν — 丙 基 苯 胺 、 N y Ν 一 二 甲 基 苯 胺 1 訂 I Λ 2 一 甲 基 苯 胺、 3 一甲 基 苯 胺 、 4 一 甲 基 苯 胺 、 乙 基 苯 1 1 胺 > 丙 基 苯 胺 Λ -- 甲 基苯 胺 > 二 硝 基 苯 胺 3 — 硝 基 苯 胺 1 1 4 — 硝 基 苯 胺、 2 ,4 — 二 硝 基 苯 胺 > 2 6 — 二 硝 基 1 I 苯 胺 3 j 5 -二 硝 基苯 胺 Ν y N — 二 甲 基 苯 胺 等 ) 、 1 二 苯 基 ( Ρ — 甲苯 基 )胺 > 甲 基 二 苯 基 胺 二 苯 基 胺 亞 1 · 1 I 苯 基 二 胺 萘 基胺 二氨 基 萘 吡 咯 衍 生 物 ( 例如 吡 咯 1 2 Η 一 吡 咯 、 1 一 甲 基吡 咯 、 2 5 4 一 二 甲 基 吡 咯 2 j 1 1 5 — 二 甲 基 吡 咯、 Ν —甲 基 吡 咯 等 ) 噁 唑 衍 生 物 ( 例 如 I 噁 唑 、 異 D惡 唑 等) 、 噻唑 衍 生 物 ( 例 如 噻 唑 異 噻 唑 等 ) 1 1 I 咪 唑 衍 生 物 (例 如 咪唑 > 4 — 甲 基 咪 唑 4 — 甲 基 — 2 1 1 I — 苯 基 咪 唑 等 )' 吡 唑衍 生 物 、 呋 喃 衍 生 物 - 吡 咯 啉 衍 生 1 1 物 ( 例 如 吡 咯 啉、 2 一甲 基 — 1 — 吡 咯 啉 等 ) 吡 咯 烷 衍 1 張 紙 本 準 標 家 國 國 T 用 通
A
釐 公 97 2 X -35- 1294440 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7五、發明説明(33) 生物(例如吡咯烷、N -甲基吡咯烷、吡咯烷酮、N —甲 基吡咯烷酮等)、咪唑啉衍生物、咪唑並吡啶衍生物、吡 啶衍生物(例如吡啶、甲基吡啶、乙基吡啶、丙基吡啶、 丁基吡啶、4 一( 1 一丁基苄基)吡啶、二甲基吡啶、三 甲基吡啶、三乙基吡啶、苯基吡啶、3 —甲基—2 —苯基 吡啶、4 一 t 一丁基吡啶、二苯基吡啶、戊基吡啶、甲氧 基吡啶、丁氧基吡啶、二甲氧基吡啶、1 一甲基一 2 —吡 咯酮、4 一吡咯烷酮吡啶、1 一甲基一 4 一苯基吡啶、2 一(1 一乙基丙基)吡啶、胺基吡啶、二甲基胺基吡啶等 )、噠嗪衍生物、嘧啶衍生物、吡嗪衍生物、吡唑啉衍生 物、吡唑烷衍生物、哌啶衍生物、哌嗪衍生物、嗎啉衍生 物、吲哚衍生物、異吲哚衍生物、1 Η —吲唑衍生物、吲 哚啉衍生物、喹啉衍生物(例如喹啉、3 -喹啉羧腈等) 、異喹啉衍生物、噌啉衍生物、喹唑啉衍生物、喹喔啉衍 生物、酞嗪衍生物、嘌呤衍生物、喋啶衍生物、咔唑衍生 物、菲繞啉衍生物、吖啶衍生物、吩嗪衍生物、1 ,1 0 -菲繞啉衍生物、腺嘌呤衍生物、腺苷衍生物、鳥嘌呤衍 生物、鳥苷衍生物、尿嘧啶衍生物、尿嗪衍生物等等。 又,具有羧基之含氨化合物,例如氨基苯甲酸、吲哚 羧酸、氨基酸衍生物(例如尼古丁酸、丙氨酸、精氨酸、 天冬氨酸、枸椽酸、甘氨酸、組氨酸、異賴氨酸、甘氨醯 白氨酸、白氨酸、蛋氨酸、苯基丙氨酸、蘇氨酸、賴氨酸 、3 -氨基吡啶一 2 -羧酸、甲氧基丙氨酸)等例;具有 磺酸基之含氮化合物例如3 -吡啶磺酸、Ρ -甲苯磺酸吡 ---------Φ,_I (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210 X297公釐) -36- 1294440 A7 £7_ 五、發明説明(34) 啶鐵等;具有羥基之含氮化合物,具有羥苯基之含氮化合 物、醇性含氮化合物等例如,2 -羥基吡啶、氨基甲酚、 ---------Φ — (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 2,4 一喹啉二醇、3 —吲哚甲醇氫化物、單乙醇胺、二 乙醇胺、三乙醇胺、N —乙基二乙醇胺、N,N —二乙基 乙醇胺、三丙醇胺、2,2’ —亞氨基二乙醇、2 —氨基乙 醇、3 —氨基一 1—丙醇、4 一氨基—1— 丁醇、4 一( 2 —羥乙基)嗎啉、2 —( 2 —羥乙基)吡啶、1 一( 2 —羥乙基)哌嗪、1 一〔 2 —( 2 —羥乙氧基)乙基〕哌 嗪、哌嗪乙醇、1 — ( 2 —羥乙基)吡咯烷、1 — ( 2 — 經乙基)一 2 — B比略院I?、3 - 11比咯垸酮基—1 ,2 -丙 訂· 經濟,部智慧財產局員工消費合作社印製 二醇、3 -吡咯烷酮基一 1 ,2 —丙二醇、8 —羥久洛尼 啶、3 —喂啶醇、3 —托品醇、1 —甲基一 2 —吡啶乙醇 、1 一氮雜環丙烷乙醇、N —( 2 —羥乙基)肽醯亞胺、 N -2 -羥乙基)異尼古丁醯胺等等。醯胺衍生物例如 ,甲醯胺、N —甲基醯胺、N,N —二甲基醯胺、乙醯胺 、N —甲基乙醯胺、N,N —二甲基乙醯胺、三甲基乙醯 胺、戊醯胺等。醯亞胺衍生物則例如酞醯亞胺、琥珀醯酵 亞胺、馬來醯亞胺等。 又,可再添加下記式(1 1 )與(1 2 )所示鹼性化 合物。 本紙張尺度逍用中國國家標準(CNS ) A4規格(210 X297公釐) -37- 1294440 Α7 Β7 五、發明説明(35) CH2〇H2〇(R41〇)sR44 N--CH2CH2〇(R42〇)tR45 ⑴) ih2CH2o(R43o)uR46 CH^CH20(R470)sR49 N—CH2〇H2〇(R48〇)tR50 (12)
I H / ' (式中,r41、R42、R43、R47、R48 爲各自獨 立之碳數1至2 0之直狀、支鏈狀或環狀之伸烷基;R44 、r45、R46、r49、R5q爲氫原子、碳數1至20之 烷基或胺基;R44與R45、R45與R46、R44與R46、 r u與R 4 5與r 4 6、R 4 9與R 5 ^可各自鍵結形成環。此 時,S、T、U各自爲0至20之整數。但當S、T、U 二 〇 時,R44、R45、R46、R49、r5Q 不含氫原子) 其中,、R42、R 43、R47、R48之伸烷基可 爲碳數1至20,較佳爲1至10,更佳爲碳數1至8之 伸烷基,具體而言,例如,伸甲基、伸乙基、η —伸丙基 、異伸丙基、η -伸丁基、異伸丁基、η -伸戊基、異伸 戊基、伸己基、伸壬基、伸癸基、伸環戊基、伸環己基等 〇 又,R 4 4、R 4 5、R 4 6、R 4 9 . R 5 Q 之烷基例如, 碳數1至2 0,較佳爲1至8,更佳爲碳數1至6之烷基 ,其可爲直鏈狀、支鏈狀或環狀。具體而言,例如甲基、 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格{ 210 X 297公釐) — I!#! (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 38- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1294440 A7 _B7__ 五、發明说明(36) 乙基、η —丙基、異丙基、η -丁基、異丁基、t e r t 一 丁基、n -戊基、異戊基、己基、壬基、癸基、月桂烷 基、十三烷基、環戊基、環己基等。 又,R44 與 R45、R45 與 R46、R44 與 R46、 R44與R45與R46、R49與R5 ◦形成環時,環之碳數爲 1至20,更佳爲1至8,最佳爲1至6爲宜,又此些環 可具有碳數1至6,特別是1至4之烷基支鏈。 S、Τ、U各自爲〇至2 0之整數,更佳爲1至1 〇 。最佳爲1至8之整數。 上述(1 1 ) 、( 1 2 )之化合物其具體內容,例如 ,三{2 — (甲氧甲氧基)乙基丨胺、三{2 — (甲氧乙 氧基)乙基}胺、三{ 2— ( 2 —甲氧乙氧基甲氧基)乙 .基}胺、三{2 —(1—甲氧乙氧基)乙基}胺、三{2 一(1—乙氧丙氧基)乙基}胺、三〔2 — { 2 —(2 — 羥乙氧基)乙氧基}乙基〕胺、4 ,7 ,13 ,16 ’ 2 1 ,24 —六氧—1 ,10 —二氮雜二環〔8 ,8 ’ 8〕 二十六院、4,7,13 ,18 —四氧—1 ,10 —二氮 雜二環〔8,5 ,5〕二十烷、1 ,4,10,13 —四 氧一 7,16 -二氮雜二環十八烷、1 一氮雜一 12 -冠 —4,1 一 氮雜一 15 —冠一5、1—氮雜一18 —冠一 6等。特別是以第3級胺、苯胺衍生物、吡咯烷衍生物、 吡啶衍生物、喹啉衍生物、胺基酸衍生物、具有羥基之含 氮化合物、具有羥苯基之含氮化合物、三{ 2 —(甲氧甲 氧基)乙基}胺、三{ 2 —(2 —甲氧乙氧基)乙基丨胺 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格{ 210 X 297公釐) _ 39_ 一 -- ---J——— ΙΛΨ-----—訂·------嫌 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1294440 A7 B7___ 五、發明説明(37) 、三〔2 — { (2 —甲氧乙氧基)甲基}乙基〕胺、1 一 氮雜一15—冠一5等爲佳。 上記鹼性化合物可單獨使用1種或將2種以上組合使 用,其添加量以對基礎樹脂1 0 0份爲0.〇1至2份’ 特別是以0 · 0 1至1份爲佳。添加量未達〇 · 〇 〇 1份 時添加劑之效果未能充分發揮,超過2份時解像度或感度 會降低。 其次,(E )成份之溶解阻礙劑,例如因酸作用使對 鹼顯像液之溶解性產生變化的分子量3,0 0 0以下2 >[匕 合物,特別是2,5 0 0以下之低分子量的苯酚或殘酸衍: 生物之一部份或全部受酸不穩定基所取代之化合物。 分子量2,5 0 0以下έ苯酚或羧酸衍生物,例如4 ,4 — (1—甲基亞乙基)雙酚Α、〔1 ,1,〜聯苯基一 4,4’一二醇〕2,2,一伸甲基雙〔4 —甲基苯酌〕、4 ,4 一雙(4’ —經苯基)戊酸、三(4’一羥苯基)甲院、 1,1 ,1—三(4,一羥苯基)乙烷、1 ,1 , (4, —羥苯基)乙烷、苯酚酞、百里香酚酞、3,3,〜一备其 〔(1,1,-聯苯基)4,4’—二醇〕、3,3,,5, 5’ —四氟基〔(1,1’一聯苯基)4,4,一二醇〕、4 ,4’—〔2,2,2 —三氟基一 1—(三氟甲基)亞乙基 〕雙酚、4,4’ —伸甲基雙〔2 —氟基苯酚〕、2 , 2 — 伸甲基雙〔4 —氟基苯酚〕、4,4’一異亞丙基雙〔2 — 氟基苯酚〕、環己亞基雙〔2-氟基苯酚〕、4,4,_〔 (4一氟基苯基)伸甲基〕雙〔2-氟基苯酚〕 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格{ 21〇Χ29*7公釐) ~ ' -- -40 - ---III:-IΦ-----i^i----- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 1294440 A7 ' ' _ B7_ 五、發明説明(38) 一伸甲基雙〔2 ,6 —二氟基苯酚〕、4,4’—(4 —氟 基苯基)伸甲基雙〔2 ,6 —二氟基苯酚〕、2,6 -雙 〔(2 —羥基一 5 —氟基苯基)甲基〕一 4 一氟基苯酚、 2,6 -雙〔(2 —羥基—5 —氟基苯基)甲基〕—4 一 氟基苯酚、2,6 -雙〔(4 一羥基一 3 —氟基苯基)甲 基〕—4 一氟基苯酚、2,4 —雙〔(3 -羥基一 4 —羥 基苯基)甲基〕一 6 —甲基苯酚等。酸不穩定基例如R8相 同之內容。 較適合使用之.解阻礙劑例如,3,3,5,5,—四 氟基〔(1 ,1’一聯苯基)一4,4,一二一 t — 丁氧羰基 〕、4,4 一〔 2,2 ,2 —三氟基一 1 一(三氟甲基) 亞乙基〕雙酚一 4,4’ —二一 t 一丁氧羰酯、雙(4 一( • 2’四氫吡喃氧基)苯基)甲烷、雙(4 一(2,四氫呋喃氧 基)苯基)甲烷、雙(4 一 t e I· t — 丁氧苯基)甲烷、 雙(4— t e r t — 丁氧羰氧基苯基)甲烷、雙(4 —( 1’一乙氧乙氧基)苯基)甲院、雙(4 一( 1’一乙氧丙氧 基)苯基)甲烷、2 ,2 —雙(4,一(2’’四氫吡喃氧基 ---III^-IΦ-----—訂-------#! (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 、 2 烷、 丙烷 > 丙 \)/ \1/ 2 2 雙 4 2 2 2 2 雙 C 4 , 雙 C 4 1 雙 C 2 _ 雙 雙 4 4 2 4 雙 Γ 0 t 基、 苯烷 } 丙 基 } 氧基 喃苯 呋氧 氫丁 四一 r -e t t r _ 6 烷烷 丙丙 ) ) 基基 苯苯 氧基 鑛氧 氧甲 丁羰 | 氧 2 2 2 2 I 丁 , 2 t 2 , r 、 2 e 烷 、t 丙烷酸 > 丙戊 基 } } 苯基基 -v苯苯 基 } } 氧基基 乙氧氧 氧丙喃 乙氧吡 I 乙氫 - - 四 ! Μ \/ Ns 6 /IV 率 標 家 國 國 中 用 Μ
公 97 2 X 4 t29444〇 A7 B7 \ 酯 丁 酸 氧 乙 發明説明(39) 氫 4 4 4 、4,4 —雙(4,— tert — 丁苯基)戊酸 tert 酯、4,4 一雙(4,一t e r t — 丁氧羰氧基苯基)戊 t e r t 丁酯、4,4 一雙(4,一 t e r t — 丁氧羰甲 苯基)戊酸 t e r t 丁酯、4,4 —雙(4,_ (ι,,_ 氧乙氧基)苯基)戊酸t e r t 丁酯、4,4 —雙 (1’’一乙氧丙氧基)苯基)戊酸t e r t 丁酯、三 (2. ’一四氫吡喃氧基)苯基)甲院、三(4 一(2, 呋喃氧基)苯基)甲烷、三(4一 t e r t — 丁氧 甲烷、三(4一 t e r 丁氧羰氧苯基)苯基) 二(4— t e r t —丁氧羰氧甲基苯基)甲烷、三 (1,一乙氧乙氧基)苯基)甲院、1 ,1 ,2 —三 (2’’一四氫吡喃氧基)苯基)乙院、1 ,1 ,2 一 〜(2’’一四氫呋喃氧基)苯基)乙烷、1 ,ι , (4, (4 一四 苯基 甲烷 (4 (4, 三( 2 — ------;_ — ΦII (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 苯 酯 3 (4’— t e r t — 丁氧苯基)乙烷、1 ,1 , e r t — 丁氧羰氧苯基)乙烷、1 ,1 , t e r t —丁氧羰甲氧基苯基)乙烷、1 , (4’一( 1’一乙氧乙氧基)苯基)乙烷、1 , (4’一(1,一乙氧丙氧基)苯基)乙烷、2 — 羧酸1 ,l — t— 丁酯、2 —三氟甲基環己烷 丁酯、十二羥基萘一 2,6 -二羧酸—t — 丁 2 -2〜 1,1, 三氟 羧酸 2 -2 -甲基 酯、 t 一丁酯、脫氧膽酸一 t 一丁酯、金剛烷羧酸〜 、金剛烷乙酸—t — 丁酯、〔1 ,1,一聯環己基 ’,4,4 ’ 一四羧酸四一 t — 丁酯〕等。 t 膽酸 一丁 3 , 本發明之光阻材料中溶解阻礙劑之添加量,以對光阻 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210 X 297公釐) _ 42 1294440 A7 B7____ 五、發明説明(40) ---------Φ-- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 材料中固體成分1 0 0重量份爲2 0重量份以下,較佳爲 1 5重量份以下。超過2 0重量份時,因單體成份增加故 會使光阻材料之耐熱性降低。 本發明之光阻材料,可在爲提高塗佈性之目的上添加 上記成份以外之任意慣用成份作爲界面活性劑。又,此任 意成份之添加量爲在不妨礙本發明效果之範圍內之一般添 加量。 一 其中,\界面活性劑以非離子性者爲佳,例如全氟烷基 聚氧乙烯醇、氟化垸酯、全氟烷基胺氧化物、全氟烷基 E〇附加物、含氟有機矽氧烷系化合物等。例如氟萊特「 FC — 430」、「FC — 431」(皆爲住友3M公司 製)、沙氟隆「S — 1 4 1」、「S — 1 4 5」、「S — 381」、「S—388」(皆爲旭硝子公司製)、優尼 但「DS — 401」、「DS — 403」、「DS- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 45 1」(皆爲大金工業公司製)、美格氟「F — 8151」、「F-171」、「F- 172」、「F — 173」、「F — 177」(大日本油墨公司製)、「X — 7 0 — 0 9 2」、「X - 7 0 — 0 9 3」(皆爲信越化 學工業公司製)等等。其中較佳者爲氟萊特「F c -430」(住友3M公司製)、「X — 70〜〇93」( 信越化學工業公司製)等等。 使用本發明之光阻材料以圖形之形成之方法,可採用 公知之飩刻印刷技術等,例如於矽晶圓等基板上以$轉塗 /佈另荠塗佈厚度〇 · 1至1 · 0//m之膜,將其於熱壓板 本紙張尺度逍用中國國家標準(CNS ) A4規格< 210 X297公釐) ~ ' 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1294440 A7 __· _B7_五、發明説明(41) 上以6 〇至2 0 0 °C、1 0秒至1 0分鐘、較佳爲8 0至 1 5 〇°c、3 0秒至5分鐘之預熱。其次在上記光阻膜上 覆蓋欲形成目的圖形之光罩後,以波長3 0 0 n m以下之 遠紫外線、等離子雷射線、X線等高能量線或電子線在曝 光量爲1至200mJ/cm2左右’較佳爲1〇至1〇〇 m J / c m 2下後’在熱壓板上以60至150t:、 1 0秒至5分鐘,較佳爲8 0至1 3 0它、3 0秒至3分 鐘之後照射蘇壞j PEB)。其後使用〇 · 1至5% ,較 佳爲2至3 %四甲基銨氫氧化物(T H A Μ )等鹼性水溶 液之顯影液,以1 〇秒至3分鐘、較佳爲3 0秒至2分鐘 間,以浸漬(d i ρ )法、微粒(p u d d 1 e )法、噴 撒法(s p r a y )法等常用顯影方法於基板上形成目的 之圖形。又,本發明之材料,最適合用於使用高能量線中 2 5 4至1 2 0 n m之遠紫外線或等離子雷射線、特別是 193nm 之 ArF、157nm 之 F2、146nm 之 . . ' 、.- ... -V K r 2 ' 1 3 4 n m KrAr、121nm 之 Ar2 等等 離子射線、X線及電子線所進行之微細圖形描繪。又,超 出上記範圍之上限或下限以外時,可能會有無法得到目的 圖案之情形產生。 【發明之效果】 本發明之光阻材料,可感應高能量線,且對2 0 0 nm以下,特別是1 7 0 nm以下之波長具有優良的感度 、解像性、等離子蝕刻耐性等,故亦可抑制曝光之進行。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐j ~ " ---------ΦII (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1294440 A7 . .______B7 五、發明説明(42) 因此’本發明之光阻材料,由於具有此種特性,故極適合 用於特別是F 2等離子雷射曝光波長吸收較小之光阻材料, 故極適合形成微細且對基板爲垂直之圖形,因此極適合作 爲製造超L S I用微細圖形之形成材料。 【實施例】 以下將以合成例及實施例、比較例對本發明作更具體 之說明,但本發明並不受下記實施例所限制。 〔合成例1〕聚(2,3,3 -三^^丙烯酸1 一乙基環 一............> 戊酯)/聚(2,3,3—三(£^丙烯酸7丁內酯)6 0 .、: 执办一 ........ / 4 0之合成 於500mL之燒瓶中,將2 ,3 ,3 —三氟基丙烯 酸1—乙基環戊酯1 5g、2,3 ,3_三氟基丙烯酸r 丁內酯1 2 g溶解於1 2 OmL甲苯中,於充分去除反應 系中之氧後,饋入0 · 74g起始劑之A I BN ’升溫至 6 0 °C後進行2 4小時之聚合反應。 爲精製所得之聚合物,則將反應混合物注入甲醇中’ 並使所得聚合物沉澱。隨後將所得聚合物溶解於丙酮中’ 再重複2次注入5 L之甲醇中使聚合物沉澱之步驟後’分 離聚合物,並使其乾燥。依此方法所得之4 9 · 5 g白色 聚合物〔聚(2,3,3 —三氟基丙烯酸1 一乙基環戊酯 )—co -(2,3,3 —三氟基丙烯酸r 丁內酯)6〇 /40〕,經光散射法測得其重量平均爲9 ,8 0 0 g / ----:---:---Φ-----訂.----- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -45- 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 1294440 A7 B7__ 五、發明説明(43) m ο 1 ,以G P C溶解曲線測得其爲分散度(=M w/ Μη)1·9〇之聚合物。 厂一、.- 〔合成例2〕聚(2,3,3 -三ϋ丙烯酸1 — 蓮—環 iXJa—)與聚(2,3,3 -三_基丙儲酸5 -碳基—4 一 氧雜三環〔4 · 2 · 1 · 〇3·7〕壬—2 —基)共聚物( 6 : 4 )之合成 於5 0 OmL之燒瓶中,將2 ,3 ,3 —三氟基丙嫌 酸1—乙基環戊酯18g,2,3,3—三氟基丙烯酸5 一簾基—4 —氧雜三環〔4 · 2 · 1 · 03.7〕壬—2 — 基1 2 g溶解於1 2 OmL甲苯中’於充分去除反應系中 之氧後,饋入〇 · 63g起始劑之AIBN,升溫至60 °C後進行2 4小時之聚合反應。 爲精製所得之聚合物,則將反應混合物注入甲醇中’ 並使所得聚合物沉澱。隨後將所得聚合物溶解於丙酮中’ 再重複2次注入5 L之甲醇中使聚合物沉澱之步驟後’分 .離聚合物,並使其乾燥。依此方法所得之1 9 · 〇 g白色 聚合物〔聚(2,3,3 —三氟基丙烯酸1 一乙基環戊酯 )—co -(2,3,3 —三氟基丙嫌酸5 -幾基一 4 一 氧雜三環〔4 · 2 · 1 · 〇 3 · 7〕壬—2 -基)〕,經光 散射法測得其重量平均爲9,0 0 0 g /m ο 1 ’以 G P C溶解曲線測得其爲分散度(=M w /Μ η ) 2 · 0 2之聚合物。 本紙張尺度適用中國國家橾準(CNS ) Α4規格(21〇 X 297公釐) -46- ——I II 11_-----—訂------- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 1294440 A7 B7 經濟,部智慧財產局員工消費合作社印製 五、 •發明説明 (44) 1 1 [ 合 成 例3 〕聚 ( 2 3, 3 —三i基 丙 烯 酸 1 一 乙 基 1 1 鋼一烷 酯 )/ 聚( 2 j 3 ,3 -三.氟基丙烯酸r ] ~內酯) 1 1 5 0 / 5 0 之合成 請 1 I 於 5 0 0 m L 之 燒 瓶中 ,將 2,3 3 — 二 氟 基 丙 烯 先 閲 讀 1 1 酸 1 — 乙基 金鋼 烷 酯 1 5 g 、2,3, 3 — 二 氟 基 丙 烯 酸 背 之 1 7 丁 內 酯1 2 g 溶 解 於 1 2 0 m L甲苯 中 於 充 分 去 除 反 注 意 事 1 應 系 中 之氧 後, 饋 入 0 .7 4 g起始劑 之 A I B N > 升 溫 1 再 1 4 至 6 0 r後 進行 2 4 小E 诗之聚合反應。 填 寫 本 中 頁 1 爲 精製 所得 之 聚 合 物, 則將反應混 合 物 注 入 甲 醇 , 1 並 使 所 得聚 合物 沉 澱 〇 隨後 將所得聚合 物 溶 解 於 丙 酮 中 > 1 1 再 重 複 2次 注入 5 L 之 甲醇 中使聚合物 沉 澱 之 步 驟 後 , 分 I 離 聚 合 物, 並使 其 乾 燥 。依 此方法所得 之 1 9 • 5 g 白 色 訂 I 聚 合 物 〔聚 (2 3 3 - 三氟基丙烯 酸 1 — 乙 基 金 鋼 院 1 1 I 酯 ) — C 0 -( 2 3 ,3 - -三氟基丙烯酸7 '丁內酯) 1 1 5 0 / 5 0 ], 經 光 散 射法 測得其重量 平 均 爲 8 2 0 0 1 1 g / m ο 1 ,以 G P C 溶解 曲線測得其 爲 分 散 度 ( = Μ W 释 / Μ η )1 • 8 0 之^ 聚合物 〇 1 I ( 合 成 例4 〕聚 ( 2 > 3, 3 -二丨氟基 丙 嫌 酸 1 — Z; 基 降 1 1 述· R 酯) /聚 ( 2 3, 3 -三赢/基 丙 烯 酸 7 丁 內 酯 ) 1 1 6 0 / 4 0 之合成 1 I 於 5 0 0 m L 之 燒 瓶中 ,將 2,3 3 — -ZH 氟 基 丙 嫌 1 1 I 酸 1 —· 乙基 降冰 片 院 酯 14 g、2,3 , 3 — -Z1 氟 基 丙 烯 1 1 酸 r 丁 內酯 12 g 溶 解 於1 2 0 m L 甲 苯 中 於 充 分 去 除 1 1 1 本紙張尺度逍用中國國家標準(CNS ) A4規格< 210 X297公釐) -47- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -48 - 1294440 A7 B7________ 五、發明说明(45) 反應系中之氧後,饋入0 · 74g起始劑之A I BN ’升 溫至6 0 °C後進行2 4小時之聚合反應。 爲精製所得之聚合物,則將反應混合物注入甲醇中, 並使所得聚合物沉澱。隨後將所得聚合物溶解於丙酮中, 再重複2次注入5 L之甲醇中使聚合物沉澱之步驟後’分 離聚合物,並使其乾燥。依此方法所得之1 9 · 5 g白色 聚合物〔聚(2,3,3 —三氟基丙烯酸1 一乙基降冰片 院酯)一 c 〇 — (2,3,3 —二氟基丙嫌酸7 丁內酯) 6 0 / 4 0〕,經光散射法測得其重量平均爲 11,0 0 0 g m ο 1 ,以G P C溶解曲線測得其爲分 散度(=Mw/Mn) 1 · 70之聚合物。 〔合成例5〕聚(2,3,3 -:i/氟^基丙烯酸1 一乙基環 戊、酯)/聚(2,3,3 —三丙烯酸乙基醇)70/ 3 0之合成 於500mL之燒瓶中,將2,3 ,3 —三氟基丙烯 酸1—乙基環戊酯1 5g、2 ,3 ,3 —三氟基丙烯酸乙 基醇1 0 g溶解於1 2 0 m L甲苯中,於充分去除反應系 中之氧後,饋入0·74g起始劑之AIBN,升溫至 6 0 °C後進行2 4小時之聚合反應。 爲精製所得之聚合物,則將反應混合物注入甲醇中, 並使所得聚合物沉澱。隨後將所得聚合物溶解於丙酮中, 再重複2次注入5 L之甲醇中使聚合物沉澱之步驟後,分 離聚合物,並使其乾燥。依此方法所得之1 9 · 5 g白色 本紙張尺度it用中國國家標準(CNS ) A4規格(210 X297公釐) ----I II :-I Φ-----:—訂.------舞·· (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 1294440 A7 B7 五、發明説明(46) 聚合物〔聚(2 ,3,3—三氟基丙烯酸1 一乙基環戊酯 )一 co — (2 ,3,3—三氟基丙烯酸乙基醇)70/ 3〇〕,經光散射法測得其重量平均爲1 3,0 〇 〇 g / m ο 1 ’以g P C溶解曲線測得其爲分散度(=M w/ M n ) 1 · 5 0之聚合物。 〔合成例6〕聚(2 —兰、氟基甲基丙烯酸1 —乙基降冰片 院屋)/聚(2 -三_甲基丙烯琴」r 丁內酯)50/50 之合成 於5 〇 〇mL之燒瓶中,將2 —三氟甲基丙嫌酸1 一 乙基降冰片烷酯14g、2 —三氟甲基丙烯酸r 丁內酯 1 5 gi谷解於1 2 OmL甲苯中,於充分去除反應系中之 氧後,饋入0 · 7 4 g起始劑之A I B N,升溫至6 0 °C 後進行2 4小時之聚合反應。 爲精製所得之聚合物,則將反應混合物注入甲醇中, 並使所得聚合物沉澱。隨後將所得聚合物溶解於丙酮中, 再重複2次注入5 L之甲醇中使聚合物沉澱之步驟後,分 離聚合物,並使其乾燥。依此方法所得之2 2 · 3g白色 聚合物〔聚(2 —三氟甲基丙烯酸1 -乙基降冰片烷酯) 一 co — (2 —三氟甲基丙烯酸r 丁內酯)50/50〕 ,經光散射法測得其重量平均爲9,0 0 0 g / m 〇 1 , 以G P C溶解曲線測得其爲分散度(=M w /Μ η ) 1 · 7 8之聚合物。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格Ul〇><2刃公嫠) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂, 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1294440 A7 B7___ 五、發明説明(47) 〔合成例7〕聚(2 —三(¾ )甲基丙烯酸1 — ϋ環戊酯) /聚(2 —三氟)甲基丙烯酸乙基醇)5 0/5 0之合成 於5 0 OmL之燒瓶中’將2 —三氟甲基丙烯酸1 — 乙基環戊酯1 5 g、2 —三氟甲基丙烯酸乙基醇1 4 g溶 解於1 2 OmL甲苯中’於充分去除反應系中之氧後’饋 入0 · 7 4 g起始劑之A I B N,升溫至6 0 °C後進行 2 4小時之聚合反應。 爲精製所得之聚合物,則將反應混合物注入甲醇中, 並使所得聚合物沉澱。隨後將所得聚合物溶解於丙酮中, 再重複2次注入5 L之甲醇中使聚合物沉澱之步驟後,分 離聚合物,並使其乾燥。依此方法所得之2 1 · 5 g白色 聚合物〔聚(2 -三氟甲基丙烯酸1 一乙基環戊酯)一 co — (2 —三氟甲基丙烯酸乙基醇)50/50〕,經 光散射法測得其重量平均爲9,9 0 0 g /m ο 1 ,以 G P C溶解曲線測得其爲分散度(=M w /Μ η ) 1 . 8 5之聚合物。 隨後,將所得聚合物1 g充分溶解於丙二醇單甲基醚 乙酸酯10g中,再以〇 · 2/zm濾網過濾,製得聚合物 溶液。 又,合成分子量10,〇〇〇、分散度(=Mw/ Μη) 1 · 10之30%受四氫吡喃基所取代之單分散;聚 广. 一 '·、 羥基苯乙烯聚合物作爾較例i。又,合成分子量 /,’ ---------^ " _ 、 1 5,〇0 0、分散度i广7之養甲基丙烯酸合作爲,比較) 例2聚合物。間/對比爲4 〇/6 0之分子量9 , 0 〇 〇 本紙張尺度適用中關家標準(( 21GX297公兼1 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -50- 1294440 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明(48) 、分散度2 · 5有酚醛聚合辱)作爲辱覉衙3寒合物。經所 得之聚合物1 g充分溶解於1 0 g丙二醇單甲基醚乙酸酯 中,再使用0 · 2 // m濾網過濾後,製得聚合物溶液。 將上述所得聚合物溶液以旋轉塗佈方式塗佈於M g F 2 声板上,並使用熱壓板進行1 Ο 0 °C、9 0秒之烘烤後, 於Mg F2基板上形成厚度3 Ο 0 nm之聚合物層。使用 空紫外光度計y (日本分光製,VUV200S)測定其於 248nm、193nm、157nm下之透過率。其結 t .……y . '— 一…—.I ……' . :— 二 .,. .…、… 果如表1所示。 〔表1〕 聚合物 透過率248nm 透過率193nm 透過率157nm (%) (%) (%) 合成例1 93 90 33 合成例2 92 90 33 合成例3 92 90 28 合成例4 93 89 ------- 34 合成例5 94 90 38 合成例6 94 90 32 合成例7 92 92 29 比較例、1 Μ 85 1 3 比較例2 ρ 立,飞 90 70 1 比較例3、 70 1 —-—. 6 .1—-— 〔實施例〕 Φ------訂·------唪 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁} 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格< 210X297公釐) -51 - 1294440 A7 _B7_ 五、發明説明(49) 將上記聚合物與下記所示成份依表2所示組成內容, 依一般方法製#光阻液 .. 將所得光阻溶液於矽晶圓使用D U V — 3 0 (曰產化 學公司製)製得膜厚5 5 nm之膜,並以旋轉塗佈之方法 將其塗佈於使用K r F光(2 4 8 nm)將反射率壓至1 %以下之基板上,再使用熱壓板進行1 〇 〇 °C、9 0秒之 烘烤,得光阻厚度3 0 0 n m之膜。 其後藉由A r F,等離子雷射處理器(理光公司, NSR— 2005EX8A ,NA=〇 . 5 , 〇 0 · 7 ~ 般照明),以改變4mm方型曝光面積之方式進行步進曝 光,曝光後隨即進行1 1 0 °C、9 0秒之烘烤(P E B ) 後,於2 · 3 8 %之四甲基銨氫氧化物水溶液中進行6 0 .秒之顯影後,計算其曝光量與殘膜率之關係。將膜厚爲0 時之曝光量設定爲E t h V求得光阻之感其結果如表 2所示。 / f請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁} 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210 X 297公釐) -52- 1294440 A7 B7 五、發明説明(51) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製
PAG1 PAG2 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -54- 1294440 A7 B7 五、發明説明(52)
Λ Ό> Ό (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) —0
α 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 0\ /0 ΤΜΜΕΑ 2之結果得知,(即使在F2(157nm)波長下 亦可確保充分之透明性,於K r F曝光中,隨曝光量之增 加而膜後會減少,而可充分顯示出正型光阻之特徵。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -55- 1294440 申請曰期 9〇年 2月15日 案 號 __ 90103470 類 別 第90103470號專利申請案 中文說明書修正頁民國91 _1·»絲彌 Α4 C4 補;Μ 由本局填註) tl專利 説明書 發明 新型 名稱 發明 創作> 三、申請人 中 英 —-- 姓 國 住、 文 名 籍 居所 姓名 (名稱) 國 籍 佐、居所 (事務所) 代表 姓 名 高分子化合物,增強化學性之光阻材料及形成圖形的方法
Novel polymers, chemical amplification resist compositions and patterning process (1) 畠山潤 (2) 渡邊淳 (S)原田裕次 (1)日本國新潟縣中頸城郡頸城村大字西福島二八番地_ 0 日本國新潟縣中頸城郡頸城村大宇西福島二八番地· (3)日本國新潟縣中頸城郡頸城村大字西福島二八番地一 (1) ⑴日本 (1)日本國東京都千代田區大手町二丁目六番一號 (1)金川千尋 本紙張尺度適---码岡豕檩準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 裝 訂 線 1294440 A7 B7 五、發明説明(士 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 〔表2〕 聚合物 (重量份) 酸產生劑 (重量份) 鹼性 化合物 (重量份) 溶媒 (重量份) 溶解阻礙劑 (重量份) Eth感度 (mJ/cm2) 合成例1 PAG1 三丁基胺 PGMEA — 28 (100) (1) (0.1) (800) 合成例2 PAG1 三丁基胺 PGMEA — 27 (100) (1) (0.1) (800) 合成例3 PAG1 三丁基胺 PGMEA — 33 (100) (1) (0.1) (800) 合成例4 PAG1 三丁基胺 PGMEA — 25 (100) (1) (0.1) (800) 合成例5 PAG1 三丁基胺 PGMEA — 38 (1⑽ (1) (0.1) (800) 合成例6 PAG1 三丁基胺 PGMEA — 31 (100) (1) (0.1) (800) 合成例7 PAG1 三丁基胺 PGMEA — 29 (100) (1) (0.1) (800) 合成例1 PAG1 三丁基胺 PGMEA DRI 22 (100) (1) (0.1) (800) (10) 合成例1 PAG2 三丁基胺 PGMEA — 18 (100) (1) (0.1) (800) 合成例1 PAG1 三乙醇胺 PGMEA — 30 (100) (1) (0.1) (800) 合成例1 PAG1 ΤΜΜΕΑ PGMEA — 32 (100) (1) (0.2) (800) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210Χ297公釐) -53-
Claims (1)
- D8 六、申請專利範圍 第9 告本 In u 3 4 / u號專利 申請案 ,主鏈係以氟化之丙烯酸衍生物爲重複單位者; ^31294440 αβΪ C8 中文申請專利範圍修正本 民國96年4月11日修正 1 . 一種高分子化合物,其係含有下記式(1 )所示 (1) (式中,R1、R2、R3爲氫原子、氟原子、碳數1 至2 0之直鏈狀、支鏈狀或環狀烷基或氟化烷基,且R1、 R2、R3中至少1個含有氟原子;R4爲由醇、酯、內酯 、碳酸酯、酸酐、羧酸、羧酸醯胺、磺酸或磺酸醯胺所成 群中所選出之至少1種親水性基)。 2 · —種高分子化合物,其係含有申請專利範圍第1 項之式(1 )所示重複單位與,下記式(2 )所示重複單 位者; (2) (式中,R 、R 、R 爲氫原子、氟原子、碳數;[至 本紙張尺度適用中國國家襟準(CNS ) A4規格(210X297公7l . ' 1τ (請先閎讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製1294440 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 2 0之直鏈狀、支鏈狀或環狀烷基或氟化烷基;R 8爲酸不 穩定基)。 3 · —種高分子化合物,其係含有申請專利範圍第1 項之式(1 )所示重複單位與,申請專利範圍第2項之式 (2 )所示重複單位與,下記式(3 )所示重複單位者;.11⑶ 請 先 閲 面 之 注 I(式中 2 0之 安定基 4 ( 化合物 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 性化合 6 有溶解 7 ,R 、R 、R 爲氫原子、氟原子、碳數1至 直鏈狀、支鏈狀或環狀烷基或氟化烷基;R 1 2爲酸 )° • 一種增強化學性之正型光阻材料,其特徵係含有 A )如申請專利範圍第1至3項中任一項之高分子 B)有機溶劑, C )酸產生劑。 •如申請專利軺圍弟4項之光阻材料,其尙含有驗 物。 •如申請專利範圍第4或5項之光阻材料,其尙含 阻礙劑。 • 一種形成圖形的方法,其特徵係包含 1 )將申請專利範圍第4至6項中任一項之增強化 訂 4 本紙張尺度逋用中國國家操準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -2- 1294440 A8 B8 C8 D8 申請專利範圍 學性光阻材料塗佈於基板上之步驟與, (2 )於加熱處理後,介由光罩使用波長3 0 0 n m 以下之高能量線或電子線進行曝光之步驟與, (3 )必要時於加熱處理後,使用顯影液進行顯影之 步驟。 請 先 閱 之 注 項 再 填$1 頁 訂 d 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家襟準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -3-
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000037396 | 2000-02-16 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TWI294440B true TWI294440B (zh) | 2008-03-11 |
Family
ID=18561290
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW090103470A TWI294440B (zh) | 2000-02-16 | 2001-02-15 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6835524B2 (zh) |
KR (1) | KR100592010B1 (zh) |
TW (1) | TWI294440B (zh) |
Families Citing this family (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2000001684A1 (fr) | 1998-07-03 | 2000-01-13 | Nec Corporation | Derives de (meth)acrylate porteurs d'une structure lactone, compositions polymeres et photoresists et procede de formation de modeles a l'aide de ceux-ci |
US6884562B1 (en) * | 1998-10-27 | 2005-04-26 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Photoresists and processes for microlithography |
KR100389912B1 (ko) * | 1999-12-08 | 2003-07-04 | 삼성전자주식회사 | 지환식 감광성 폴리머 및 이를 포함하는 레지스트 조성물 |
US6730451B2 (en) * | 1999-12-15 | 2004-05-04 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Polymers, chemical amplification resist compositions and patterning process |
US6808860B2 (en) * | 2000-04-17 | 2004-10-26 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Positive photoresist composition |
US6730452B2 (en) | 2001-01-26 | 2004-05-04 | International Business Machines Corporation | Lithographic photoresist composition and process for its use |
US6509134B2 (en) | 2001-01-26 | 2003-01-21 | International Business Machines Corporation | Norbornene fluoroacrylate copolymers and process for the use thereof |
US6548219B2 (en) | 2001-01-26 | 2003-04-15 | International Business Machines Corporation | Substituted norbornene fluoroacrylate copolymers and use thereof in lithographic photoresist compositions |
JP3962893B2 (ja) * | 2001-02-09 | 2007-08-22 | 信越化学工業株式会社 | 高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法 |
US6610456B2 (en) | 2001-02-26 | 2003-08-26 | International Business Machines Corporation | Fluorine-containing styrene acrylate copolymers and use thereof in lithographic photoresist compositions |
JP4554889B2 (ja) | 2001-03-22 | 2010-09-29 | ローム・アンド・ハース・エレクトロニック・マテリアルズ,エル.エル.シー. | フォトレジスト組成物 |
TW584786B (en) * | 2001-06-25 | 2004-04-21 | Shinetsu Chemical Co | Polymers, resist compositions and patterning process |
US6844133B2 (en) * | 2001-08-31 | 2005-01-18 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Polymer, resist composition and patterning process |
EP1324133A1 (en) * | 2001-12-31 | 2003-07-02 | Shipley Co. L.L.C. | Photoresist compositions for short wavelength imaging |
US7358027B2 (en) * | 2002-03-04 | 2008-04-15 | International Business Machines Corporation | Copolymer for use in chemical amplification resists |
JP4133399B2 (ja) | 2003-02-10 | 2008-08-13 | 信越化学工業株式会社 | 高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法 |
US7867697B2 (en) * | 2003-07-24 | 2011-01-11 | Fujifilm Corporation | Positive photosensitive composition and method of forming resist pattern |
JP4525912B2 (ja) * | 2004-01-30 | 2010-08-18 | 信越化学工業株式会社 | 高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法 |
US7358035B2 (en) * | 2005-06-23 | 2008-04-15 | International Business Machines Corporation | Topcoat compositions and methods of use thereof |
US8053158B2 (en) | 2006-01-19 | 2011-11-08 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Photosensitive compositions useful for forming active patterns, methods of forming such active patterns and organic memory devices incorporating such active patterns |
KR101585274B1 (ko) * | 2007-08-09 | 2016-01-13 | 제이에스알 가부시끼가이샤 | 감방사선성 수지 조성물 |
JP6035887B2 (ja) | 2011-06-21 | 2016-11-30 | セントラル硝子株式会社 | ポジ型レジスト組成物 |
US11635688B2 (en) * | 2012-03-08 | 2023-04-25 | Kayaku Advanced Materials, Inc. | Photoimageable compositions and processes for fabrication of relief patterns on low surface energy substrates |
JP7165029B2 (ja) | 2017-12-05 | 2022-11-02 | 信越化学工業株式会社 | 反射防止積層膜、反射防止積層膜の形成方法、及び眼鏡型ディスプレイ |
EP3611156A1 (de) * | 2018-08-17 | 2020-02-19 | Covestro Deutschland AG | Verfahren zur herstellung eines cycloaliphatischen diesters |
Family Cites Families (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4491628A (en) | 1982-08-23 | 1985-01-01 | International Business Machines Corporation | Positive- and negative-working resist compositions with acid generating photoinitiator and polymer with acid labile groups pendant from polymer backbone |
JPS61111309A (ja) * | 1984-11-02 | 1986-05-29 | Daikin Ind Ltd | α−フルオロアクリル酸誘導体ポリマ− |
EP0186033B1 (en) * | 1984-12-12 | 1992-08-19 | Daikin Industries, Limited | A material for contact lenses |
JPS61190511A (ja) * | 1985-02-20 | 1986-08-25 | Central Glass Co Ltd | 含ふつ素重合体の製造法 |
EP0249139B2 (en) | 1986-06-13 | 1998-03-11 | MicroSi, Inc. (a Delaware corporation) | Resist compositions and use |
JP2578646B2 (ja) | 1988-07-18 | 1997-02-05 | 三洋電機株式会社 | 非水系二次電池 |
JPH0442229A (ja) * | 1990-06-08 | 1992-02-12 | Fujitsu Ltd | レジスト材料およびパターンの形成方法 |
JP3264012B2 (ja) * | 1993-02-02 | 2002-03-11 | ダイキン工業株式会社 | ハロゲン含有アクリル系モノマーの重合方法 |
JPH08104713A (ja) * | 1994-10-03 | 1996-04-23 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 高誘電体 |
JP3751065B2 (ja) | 1995-06-28 | 2006-03-01 | 富士通株式会社 | レジスト材料及びレジストパターンの形成方法 |
KR100206664B1 (ko) | 1995-06-28 | 1999-07-01 | 세키사와 다다시 | 화학증폭형 레지스트 조성물 및 레지스트 패턴의 형성방법 |
JPH09230595A (ja) | 1996-02-26 | 1997-09-05 | Nippon Zeon Co Ltd | レジスト組成物およびその利用 |
DE69733469T2 (de) | 1996-03-07 | 2006-03-23 | Sumitomo Bakelite Co. Ltd. | Photoresist zusammensetzungen mit polycyclischen polymeren mit säurelabilen gruppen am ende |
US5843624A (en) | 1996-03-08 | 1998-12-01 | Lucent Technologies Inc. | Energy-sensitive resist material and a process for device fabrication using an energy-sensitive resist material |
US5998099A (en) | 1996-03-08 | 1999-12-07 | Lucent Technologies Inc. | Energy-sensitive resist material and a process for device fabrication using an energy-sensitive resist material |
US6280897B1 (en) * | 1996-12-24 | 2001-08-28 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Photosensitive composition, method for forming pattern using the same, and method for manufacturing electronic parts |
JP4131062B2 (ja) * | 1998-09-25 | 2008-08-13 | 信越化学工業株式会社 | 新規なラクトン含有化合物、高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法 |
US6730451B2 (en) * | 1999-12-15 | 2004-05-04 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Polymers, chemical amplification resist compositions and patterning process |
US6878501B2 (en) * | 2000-04-27 | 2005-04-12 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Polymer, chemically amplified resist composition and patterning process |
-
2001
- 2001-02-15 TW TW090103470A patent/TWI294440B/zh not_active IP Right Cessation
- 2001-02-15 US US09/783,321 patent/US6835524B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2001-02-15 KR KR1020010007406A patent/KR100592010B1/ko active IP Right Grant
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20010082639A (ko) | 2001-08-30 |
KR100592010B1 (ko) | 2006-06-22 |
US20010018162A1 (en) | 2001-08-30 |
US6835524B2 (en) | 2004-12-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI294440B (zh) | ||
JP3962893B2 (ja) | 高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法 | |
TW553959B (en) | Polymeric compound, resist material and pattern-forming method | |
KR100435615B1 (ko) | 폴리머, 레지스트조성물 및 패턴형성방법 | |
KR100589543B1 (ko) | 폴리머, 레지스트조성물 및 패턴형성방법 | |
TW574607B (en) | Polymers, resist compositions and patterning process | |
JP2002179731A (ja) | 高分子化合物、化学増幅レジスト材料及びパターン形成方法 | |
JP2001146505A (ja) | 高分子化合物、化学増幅レジスト材料及びパターン形成方法 | |
JP2002145962A (ja) | 高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法 | |
JP2001302728A (ja) | 高分子化合物、化学増幅レジスト材料及びパターン形成方法 | |
JP3874081B2 (ja) | 高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法 | |
JP2001302726A (ja) | 高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法 | |
JP2001174997A (ja) | 化学増幅型レジスト材料及びパターン形成方法 | |
JP3763403B2 (ja) | 高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法 | |
TWI300880B (en) | Resist compositions and patterning process | |
JP2002249520A (ja) | 高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法 | |
JP4255633B2 (ja) | レジスト材料及びパターン形成方法 | |
JP3876968B2 (ja) | 高分子化合物、化学増幅レジスト材料及びパターン形成方法 | |
JP2002155120A (ja) | 高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法 | |
JP3835523B2 (ja) | 化学増幅ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法 | |
JP3844052B2 (ja) | 高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法 | |
JP2002012623A (ja) | 高分子化合物、化学増幅レジスト材料及びパターン形成方法 | |
JP2002060475A (ja) | 高分子化合物、化学増幅レジスト材料及びパターン形成方法 | |
JP2002155117A (ja) | 高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法 | |
JP3767679B2 (ja) | 高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MK4A | Expiration of patent term of an invention patent |