TWI293947B - - Google Patents
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Description
1293947 A7 B7 五、發明説明() (發明所屬之領域) 本發明有關於改善了其耐久性及加工性,特別是在於 石英玻璃基體中能實質上均一的分散,有效率的可以提高 耐電漿性之高耐久性石英玻璃,其製造方法及其製造用裝 置。 .再者,本發明乃有關於使用此高耐久性石英玻璃而供 於使用電漿裝置之半導體製造裝置或液晶製造裝置,而可 利用於半導體容器,工模,模具,電漿蝕刻機之鐘罩等之 構件、以及具備此構件之半導體製造裝置或液晶製造裝置 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
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(先前技術) 在於半導體製造領域或液晶製造領域中,使用電漿之 製造裝置係很多。特別是隨著近年來之半導體積體電路之 微細化,使用電漿之乾式蝕刻製程即愈顯其重要性。並且 在這些製程中,氟系氣體或氯系氣體等之鹵化物氣體係不 可或缺者。 這些鹵化物氣體及電漿乃由該反應性之高度而在於乾 式蝕刻製程中之蝕刻用氣體或熱C V D製程中之清淨用氣 體等等使用於種種之製程上。 所利用之鹵化物氣體之種類亦有··氟系氣體之H F ' CF4、CHF3、NF3,屬於氟系氣體之C 12、HC 1 ' BC 13、CC 14,屬於溴系氣體之Br2、HBr等 等,其種類很豐富。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 口T l·、訂
1293947 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明($ 粘性,高熱時之電漿蝕刻氣體之耐衝擊性等之特性上有問 題,所以在此時此採用透明石英玻璃做爲該材料。 (發明所欲解決之問題) 如上所述,石英玻璃係具有多數之優異之特性,惟與 鹵化物氣體及其電漿所接觸之部位乃’蝕刻係由石英玻璃 之表面而進行,因此石英玻璃乃隨著其使用而逐漸地被蝕 刻發生被減料(變薄)之現象。此石英玻璃之變薄現象乃 不但會降低石英玻璃構件之壽命,亦可能成爲異常放電之 原因,乃須待解決之問題。 相對的氧化鋁或氮化矽乃雖具有此減料(變薄)現象 非常小之利點,惟很難製造高純度之原料粉末,又由於具 有粒界因此在於厚度變薄時引起粒子之脫落。構成半導體 或液晶之良品率降低之問題。 本發明乃鑑於解決上述問題點而創作者。以高純度、 且不喪失石英玻璃所具有之良好之加工性,低發塵性之情 況地提供做爲用於使用鹵化物氣體及其電漿之半導體製造 裝置或液晶製造裝置之構件或液晶製造裝置之構件而可以 合宜的使用之耐久性高之石英玻璃。再者亦改善石英玻璃 之透明性之過去之不夠充分之點。 又,本發明之別的目的乃提供一種可以有效率製造, 此種具有優異之性質之高耐久性石英玻璃之方法,及其裝 置。 又本發明乃,將此優異之高耐久性石英玻璃提供於用 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 衣· l·^
本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -6- 1293947 A7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製
B7五、發明説明(令 又,對於矽酸質原料物中添加了含有z r物質而獲得 之混合粉末,通過至少二個以上之電極之具有互相反之極 性,且至少二個之電漿電弧之被耦合之電漿電弧、耦合帶 域或該近傍,就可以製造熔融之高耐久性石英玻璃。 得到上述之知見(技術心得)而終而獲得本發明者。 下面詳細的說明本發明。 <高耐久性石英玻璃> 使之含有於石英玻璃中之Mg、Ca、Sr、Ba、 Y、Hf&Zr (下面有時略稱爲「添加元素」,乃擔負 提高石英玻璃之對於鹵化物氣體及其電漿之耐久性之作用 。更詳細的說明之,即,該藉由鹵化物氣體及其電漿之蝕 刻乃以,鹵化物氣體及其電漿之氟化該蝕刻物之過程,及 由此過程中所生成之鹵化物分子之在於真空中昇華之過程 之二個過程地進行。 此兩過程之進行速度大時,蝕刻速度會變大,惟被鈾 刻物之鹵化物之昇華速度或沸點充分的高時,鹵化物之對 於真空中之昇華速度乃極端的變緩慢,於是蝕刻速度乃會 降低。上述之添加元素乃由於鹵化物之昇華速度或沸點係 較石英玻璃之構成元素之S i〇2之鹵化物之S i C 1 4比 較時非常的高,因此添加元素之鹵化物之在於真空中昇華 之速度也與石英玻璃比較時,非常的小。由此理由可說添 加元素乃具有與石英玻璃比較時,蝕刻速度係非常的小之 特徵。 $紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 7〇Z (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) _^^衣·
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1293947 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 _B7 ___五、發明説明(、 又,由於使之含於石英玻璃中之添加元素係與石英玻 璃比較時其蝕刻速度非常小,所以在由鹵化物氣體及其電 漿之蝕刻之進行,添加元素係將徐徐地析出/濃縮於石英 玻璃表面。該結果,在於蝕刻之某一程度的進行之階段而 在於石英玻璃表面上將多量的存在添加元素,由而會做到 妨礙鹵化物氣體及其電漿與石英玻璃之接觸之作用。於是 抑制石英玻璃本身之被蝕刻而可能提高石英玻璃之對於鹵 化物氣體及對於其電漿之耐久性也。 雖然,含於石英玻璃之添加元素之濃度愈高,對於其 鹵化物氣體及電漿之耐久性有增高之趨向。惟其反面隨其 添加濃度之增高而石英玻璃之機械的特性會急速的惡化。 這是由於添加元素會切斷構成石英玻璃之S i〇2之網路之 緣故。又同時S i〇2中之添加元素乃成爲龜裂源而作用之 緣故。因此含於石英玻璃中之添加元素乃以2重量%以下 爲宜。又添加添加元素濃度乃以0 . 5重量%以下爲宜。 含有超過此濃度之添加元素時,石英玻璃之機械特性會惡 化,在於切斷或切削作業中將會招到石英玻璃之不欲之破 損。又另一方面,添加元素之濃度在於0 . 0 1重量%以 下時,無法提高石英玻璃之對於鹵化物氣體及其電漿之耐 久性,無法達成當初之目的。因此使添加元素之濃度 0 . 0 1重量%以上更合宜係0 · 0 5重量%以上而可能 做到石英玻璃之耐久性。由上述之理由設使含有於石英玻 璃之添加元素濃度爲0 · 0 1重量%以上,2重量%以下 ,更合宜爲0 . 05重量%以上,0 . 5重量%以上’由 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 衣· 訂
本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) - 9- 1293947 A7 B7 經濟部智慧財產局S工消費合作社印製 五、發明説明(h 而不喪失石英玻璃之良好的特性地可以提高耐久性將成爲 可能者。 本發明之石英玻璃構件乃以含有由M g、C a、S I* 、:B a、Y、H f及Z r之群中所選用之至少一種以上之 元素0 _ 0 1重量%以上,2重量%以下爲其特徵之,用 於利用鹵化物氣體及其電漿之半導體製造裝置或液晶製造 裝置之內部之優異於耐久性之石英玻璃構件者。本例所指 之“製造裝置之內部”係指接觸於鹵化物氣體及其電漿之 構件而言。 本發明之石英玻璃構件乃使用於設置於半導體製造裝 置或液晶製造裝置之內部之反應容器內導入鹵化物氣體, 對於它賦加高週波或微波而發生電漿之裝置者。特別是在 於石英玻璃構件之減料(變薄)之顯著之乾式蝕刻裝置等 上很合宜地使用者。 做爲鹵化物氣體而可以舉出,氟系氣體之HF、CF4 、CHF3、NF13,做爲氟系氣體之Cl2、HCl、 BC 13、CC 14、做爲溴系氣體而Brs、HB r等。 本發明係減低由這些鹵化物氣體及其電漿之對於石英 玻璃構件之腐蝕,而賦予高的耐久性上有其主要目的。惟 實現此目的係含於本發明之石英玻璃中之M g、C a、 3!'、68、¥、11!以及21'之作用者。 詳述之,這些之添加元素乃其鹵化物或其昇華溫度係 與S i X 4 ( X係鹵化物)而高溫度,所以添加元素之由鹵 化物氣體及其電漿之蝕刻速度係與石英玻璃單體之蝕刻速 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
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本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(21 Ox 297公釐) -10- 1293947 A7 B7 五、發明説明(令 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 度相比較非常的小。由其結果,在於蝕刻時,在於本發明 之石英玻璃之表面上濃縮了添加元素之氧化物或鹵化物, 而顯現恰似保護膜之作用,由而添加元素係成爲石英玻璃 之對於鹵化物氣體及其電漿之耐久性之提高上有所貢獻者 。且此效果係在本發明之石英玻璃之任何位置也可能發現 之現象。而如何地石英玻璃之減料現象進行之下,其效果 不致於降低,因此具有將這些之添加元素予以薄膜化而使 用於石英玻璃表面之情形相比更壽命顯著的長之特徵也。 雖然其鹵化物之沸點或昇華溫度之顯著地高溫於 SiX4 之元素係除了 Mg、Ca、Sr、Ba、Y、Hf 或Z r以外仍有幾種,惟例如A 1時,即氟化物之昇華溫 度雖高,但氯化物之昇華溫度即1 8 0 °C程度不夠高,又 例如N a或C u即對於半導體之污染特別地須要注意之元 素,又例如C d即對於環境污染上須注意之元素。又S c 即太昂貴之元素等等,在使用Mg、Ca、S r 、Ba、 Y、H f 、Z r以外元素時即含有不太合宜之性質,不太 合宜地使用於本發明之石英玻璃之構件。 經濟部智慧財產局S工消費合作社印製 另一方面,以Mg、Ca 、Sr、Ba 、Y、Hf 或 Z r爲主成份之瓷質構件即與石英玻璃構件相比較難於獲 得高純度之胚材。所以以N a爲首之不純物之對於半導體 或液晶之不良影響係値得擔心之元素。再者這些瓷質係具 有粒界,因此具有從粒界開始腐蝕,引至由粒子之脫落所 引起之顆粒之增加之缺點。 因此在於使用於半導體或液晶之製造領域中之構件乃 -11 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) 1293947 A7 ____ B7 五、發明説明( l·---^-----衣-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 石英晶錠之可能。再者,藉由爐,最好是可以旋轉之爐, 及在於爐天板安裝有含有z r之氧化矽粉或將含有Z r物 質及氧化矽粉各別的落下於爐底之供給部、以及用於加熱 爐內之燃燒器構成之含有Z r複合石英玻璃之製造裝置, 由而達成可能製造出將Z r均一的分散之複合石英玻璃晶 錠者。再者爲了對於爐個別的供給一定量之含有Z r之氧 化矽粉、或一定量之含有Z r物質及一定量之氧化矽粉起 見,將設置成爲,以旋轉台來接受由供料斗所取出之粉體 ’藉由設於旋轉台上之刮板而使之可以供給一定量之粉體 。又做爲爐內耐火物而使用與含有Z r複合石英玻璃晶錠 不發生反應,並且剝離性良好耐久性良好之碳化矽磚,由 而達成可能製造出Z I*之能均一的分散之不純物少之Z r 系複合石英玻璃之晶錠。再者,關於製造裝置碰不侷限於 上述裝置。 伞 進一步更具體的說明藉由氧氫熔融法之製造法。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 第1圖表示含有Z r複合石英玻璃製造裝置之正面圖 。第2圖係表示在於第1圖中再設置補助燃燒器之裝置之 正面圖。 在第1圖中,爐1係在於由馬達旋轉驅動之機架上敷 滿了氧化鋁磚,側壁部即配合於所製造之晶錠之外形地適 當之形狀地排列了碳化矽質碍。在於側壁1 1之外側爲了 隔熱保溫雙重地配置有氧化鋁多孔質磚及氧化鋁磚。爐之 上部係開口狀而隔著間隔s配置有爐天板2。爐天板2係 排列氧化鋁磚、或多孔質磚、或鍩系磚等之具有耐熱性之 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -17 - 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1293947 A7 __ B7___ 五、發明説明()5 磚而成。亦形成有加熱器6之安裝孔或爐內監視用之窗用 之孑L。 構成爐1之磚之材料而言,Mg〇一 A 1 2〇3等之鎂 系碍或C a〇等之鹼性耐火物乃無法忍受熔融含有z r複 合石英玻璃之高溫,同時與熔融石英玻璃會激烈反應,因 此不能使用。 再者,A 1 2〇3等之中性耐久物係雖然耐熱性係充分 ,惟與熔融石英玻璃反應,因此不合宜,不能使用於直接 與石英玻璃接觸之部份。 碳化矽質耐火物乃由於耐熱性高,對於石英玻璃之剝 離性良好,強度也充分,因此適合於與熔融石英玻璃直接 接觸之側壁材。其中氧化砂(S i 0 2 )或氮化砂( S i 3 N 4 )爲結合劑之碳化矽質磚爲最合宜,更合宜的是 以氮化矽(S i 3 N 4 )爲結合劑之氮化矽結碳化矽質磚(
SiC:80%、Si3N4:20%)者。 使用於爐1之磚乃在供使用之前,先燒成其表面,以 資除去將與熔融石英玻璃之接觸面之磚之表面上所附著之 金屬不純物,又碍之微細破片係具有發泡劑之機能,對於 所接觸之含有Z r複合石英玻璃上發生微細之泡沬,構成 損及透明性之原因,因此藉燒成了去除此表面之微細破片 爲要。 爐底係直接接受來自氧氫加熱器之熱者,因此面臨於 爐內之部份係使用具有比氧化鋁磚更優異之耐熱性之 Z r〇2 - S i〇2系之氧化锆質磚爲合宜。惟氧化鉻質磚 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 7^8 - (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁)
1293947 A7 _ B7 五、發明説明()6 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 爲與氧化鋁磚一般如果直接與石英玻璃接觸時會發生反應 ,發生致使製品之破裂或從取出時會發生困難等問題,因 此使製品與爐底碍之能剝離的,在於爐底磚上一面地薄薄 地舖滿4 2〜0 1 〇 m m之耐熱性優異,剝離性良好之氧 化鍩粒子,又使用粒子狀由而亦可以緩和、加熱、冷卻時 之由玻璃之熱膨脹差之影響也。 原料之含有Z r之氧化矽粉係貯藏於供料斗3 ,在於 供料斗3施加振動而使含有Z 之氧化矽不致於阻塞。如 第3圖所示在供料斗3之下端設有可以調節開口度之取出 口 3 0, 在其下端設置有旋轉台3 1。在於旋轉台3 1設有攤 平板(刮板)3 2。此刮板3 2之下緣係與旋轉台面有間 隔狀地予以安裝而成,此間隔乃調整自如。 從供料斗3所供給之粉體乃,隨著旋轉台3 1之旋轉 而碰衝於刮板3 2,於攤平於刮板3 2之下緣與旋轉台之 間隔之厚度。在此攤平作業時之剩餘之粉體乃被回收於設 於旋轉台3 1之外周緣之粉體回收斗4而被退回至供料斗 3等。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 在於刮板3 2之下游側設置有與刮板3 2同樣構成之 刮板3 3。 此刮板3 3乃將該在刮板3 2而被攤平成一定厚度之 粉體、刮出於旋轉台3 1之半徑方向外側,落下於設於旋 轉台3 1之下方之供給斗5者。刮板3 3係自旋轉台3 1 之外緣而延伸於旋轉中心也。 -19- 本紙張尺度適用中國國家標隼(CNS ) A4規格(210X 297公釐) 1293947 A7 B7 五、發明説明()7 調整刮板3 3之長度,旋轉台3 1之旋轉速度以及刮 板3 2之下緣與旋轉台3 1之間隔而落下於供給斗5之氧 化矽粉係由打點記錄計而被監視控制其落下量,以適宜之 手段而送入於爐1。 屬於含有Z r石英玻璃之原料乃,含於氯化物、硝酸 鹽或羥氯化物等之鹽之Z r 、或精製氧化鉻砂而將所獲得 之羥氯化鍩溶解於純衣之後燒成所得之氧化鋁中所含之 Z r、或燒成羥化鍩之氧化鍩中所含之Z r爲合宜,更合 宜的使使用加水分解法所製造之氧化鉻中所含之Z r爲最 好。 再者,氧化矽粉乃使用:將矽石、矽、水晶粉或烷氧 化矽在於鹽酸或胺催化劑下施予加水分解所得之氧化矽予 以燒成者、或精製使鹼性金屬矽酸水溶液與酸反應所獲得 之而燒成者。 含有Z r之氧化矽粉之供給速度乃以〇 . 1 kg/Hr爲宜,最合宜乃以〇·3kg〜3kg/Hr 〇 第4圖所示之燃燒器(加熱器)乃習知之石英玻璃用 之燃燒器,具備有氫氧及氧氣之供給管、以及含有Z r之 氧化矽粉之供給管、或個別的可以供給含有Z r物質及氧 化矽粉之供給量。 此燃燒器乃如第1圖、第2圖所示,使此燃燒器之先 端突出於設置於爐天板2之耐火磚之孔狀地被安裝者。 隨應於所製造之含有Z r之複合石英玻璃晶錠之大小 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) ^20 - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) I衣·
Lf 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1293947 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明()8 ’換言之隨應於爐之大小而如第2圖所示,而具備可以供 給含有Z r之氧化砂粉或個別的可以供給含有z r物質及 氧化矽粉之供給裝置之主燃燒器6 1之外,設置一個或複 數個之補助燃燒器6 2 °以補助燃燒器6 2而對於爐內供 給熱。而以主燃燒ts 6 1熔融含有z r之氧化砂粉、或含 有Z r物質及氧化矽粉,使其溶融積層之後,再對於具大 型表面之含有Z r複合石英玻璃予以加熱,使溫度上昇而 流動進一步使之伸展於爐之外周方向。 補助燃燒器6 2之火焰之方向係不只是垂直方向,亦 傾斜於適宜之方向,而使爐整體之能成爲均一之溫度分佈 地予以配置。爲了使爐內之溫度均一化起見,在於主燃燒 器6 1之周圍複數配置補助燃燒器6 2。又補助燃燒器 6 2係使之傾斜於爐之旋轉方向之順方向5〜1 5。,就 可以在防止燃燒氣體之攪亂、干涉之上很合宜。 於爐1之底部1 0 m m程度地舖平氧化鉻粒子,以資 防止爐底之碍與含有Z r複合石英玻璃之直接接觸,由於 爐底之碍與石英玻璃反應時會構成發生龜裂之原因,因此 隨應於爐底之狀態來調整補敷之厚度。 於爐上設間隙S地設置爐天板2,而與爐1之旋轉使 之獨立,在爐天板2上預先設置之孔中安裝主燃燒器6 1 又必要時亦安裝補助燃燒器6 2,而分別連接氫、氧氣供 給管。又在於主燃燒器6 1之供給含有Z r氧化矽粉或分 別供給含有Z r物質以及氧化矽粉之部位即連接來自供料 斗5之供給管。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 周衣·
I.1T L# 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -21 - 1293947 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明()9 在於供給含有Z r之氧化矽粉或單獨地供給氧化矽粉 之供給系乃爲了防止氧化矽粉之阻塞而適宜的附加振動裝 置。 對於主燃燒器6 1及補助燃燒器6 2予以點火,而以 2〜1 0 r p m地使爐1旋轉。爐1乃視其必要而預熱1 〜2 4小時,最好係預熱3〜5小時,而如上述地除去磚 表面之不純物及微細破片。 使粉體供給裝置7啓動而對於土燃燒器6 1供給含有 Z r之氧化矽粉或個別的供給含有z r物質及氧化矽粉, 開始熔融。 含有Z r之氧化砂粉、或含有Z r物質及氧化砂粉乃 從爐天板2落下於爐底,由燃燒器之熱而熔融,一面流動 、伸展一面被積層。爐內中央乃由主燃燒器6 1及補助燃 燒器6 2而被維持於石英玻璃之熔融溫度以上之約 2 0 0 0 t,又爐1係被旋轉,於是含有z I*複合石英玻 璃乃一面被積層一面朝向爐之外周逐漸伸展。如上述地使 之流動伸展,因此Z r係均一的被分散,並且可以製造泡 沬非常少之含有Z r之石英玻璃之晶錠。 配合於石英之積層(堆疊)溫度而使爐1自動的降下 於垂直方向而使燃燒器6與含有Z r石英玻璃晶錠之間之 距離維持於一定、或將爐1擺動於水平方向5 0〜1 5 0 m m程度,由而更能使熔融石英玻璃之伸展順暢者。又如 第2圖所示藉由公轉馬達而使擺動形成爲自轉、公轉之雙 重旋轉方式亦可。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -22 - f請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) •01衣. -訂 1293947 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明说明(扣 含有z r複合石英玻璃乃伸展而達到於爐1之側壁
1 1 ,而被形成爲合附於側壁1 1之磚之配置排列之形狀 ,所以將側壁配置爲四方狀而形成例如1 0 0 0 m m角X 厚度3 0 0 m m之正四角形狀之晶錠、或將側壁之碍配置 成爲多角形或圓形由而可以製造出多角形或圓形之塊狀晶 錠。 將規定之含有Z r之氧化矽粉或個別的將含有Z r物 質及氧化矽粉供給於爐1後,停止粉體供給裝置7,再繼 續加熱使所生成之塊狀晶錠之中央部之隆起部份而流動、 伸展而大致成爲平坦之時機而停止氫氣及氧氣之供給,煩、 火完成加熱。 熄火後停止爐1之旋轉,拆卸爐1之側壁之磚,而取 出生成之爐內部之含有Z I·之石英玻璃之塊狀晶錠。 -23- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1293947 A7 ____ _B7 五、發明説明(> 而使之熔融,而達成Z r之均一的分散之含有Z r之複合 石英玻璃晶錠之製造成爲可能者。 並且獲得了含有Z r粉末之添加量係定爲0 · 0 1〜 2重量%,最合宜係〇·03〜0·67重量%,而含有 Ζι·粉末之平均粒徑定爲〇 · 1〜3 0 0 //m,最好爲 1 〇〜8 0 // m即很有效之知見。 如含有Z r之粉末之添加量係未滿〇 . 〇 1重量%時 ,在於電漿耐久性中與以往品沒有大的差別,又超過2重 量%時複合石英玻璃生成物會成爲不透明,且表面性狀也 會劣化而會發生耐衝擊性及強度上會發生問題。從不喪失 石英玻璃之機械的特性,而提高對於電漿之耐久性,爲了 獲得耐衝撃性、強度優異之材料上,使含有Z r粉末定爲 0 · 0 3〜0 · 6 7重量%即比較合宜。 金屬Z r粉末或氧化鉻粉末之平均粒徑係以使之比砂 酸質原料粉之電漿熔融時之最適宜粒徑之7 0〜5 0 0 // m而稍細粒之1 0〜3 0 0 // m爲合宜。又採用3 0〜 8 0 // m即以瓷缸球磨機等來均一的予以混合、或以噴塗 烘乾機而予以造粒而混合氧化矽粉、或倂用這些等方法, 而在於電漿耦合帶域而對於石英玻璃中均一的分散熔融上 更爲合宜。 再者,除了將锆等之粉末添加混合於砂酸質原料粉之 外,亦可以採用將Z r化合物之z I*氯化物或硝酸鹽、:6荒 酸鹽等之溶液中浸漬矽酸質原料粉,而使氧化矽之周圍充 分的使Z r圍繞,而後予以加熱做成乾固之添加Z r之混 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格( 210X297公釐) -24 - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
1293947 A7 B7 五、發明説明(釭 合粉末來使用。 做爲矽酸質原料粉而可以使用矽砂粉、水晶粉、^石 英、英石等之高純度之氧化矽源之一種或這些之混合物。 這些氧化矽系粒子之最適合之粒徑乃以7 0〜5 0 0 // m爲宜。 又本發明也發現了,至少二個之電漿電極乃對稱的被 配置,該二個之電漿電極之互相之先端部之距離係會變狹 地對於垂直而予以傾斜,藉由該傾斜角度及/或從電漿耦 合帶域到收集熔融生成物之位置之距離而可能控制影響到 透明或不透明之光透過性能之事實。 換言之,調節電漿陽極、氣炬及電漿陰極•氣炬之距 離或調節這些經調節之距離等之氣炬位置與被熔融之含有 Z ]:複合石英玻璃之距離,而亦可能製造含有Z r複合不 透明石英玻璃者。 對稱的被配置之具有互相相反之極性之至少二個電漿 電極係1個乃做爲陰極而作用,另一個乃做爲陽極的作用 者,而將該雙方之電極對於垂直而傾斜於4 5〜6 5 °之 角度,而將使之該傾斜之雙方之電極之先端部之距離保持 於1 0 0 m m以內由而及/或從電漿耦合帶域之起點到收 集熔融生成物之位置之距離保持於1 0 〇 m m以內,由而 可以獲得不透明質之堆積熔融生成物者。如上述地生成之 不透明質之含有Z r之複合石英玻璃乃,不是如以往之不 透明石英玻璃一般藉發泡劑使之發泡做成不透明質者。因 此表面形狀優異,用做突緣材時也由於封密性已提高’因 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210X 297公釐) -25- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 杯 L#. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1293947 A7 _B7_ 五、發明説明( 此加工後之表面狀態之均質性得於保持,又電漿之耐久性 也優異,所以在於以往避免使用它之處所亦可以使用。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 將以電漿電弧而熔融生成之固狀或蒸氣狀物質,藉收 集於,對於鉛直軸旋轉自如及/或垂直方向可動之靶上, 由而可以製造砲彈狀,長尺狀之含有锆之複合石英玻璃塊 晶錠。 再者,將由電漿電弧而熔融生成之固狀或蒸氣狀物質 ,收集積層於旋轉之熔融容器中央部,再加以加熱熔融使 之伸展於容器外周方向,由而可能製造出與大型形狀之容 器形狀相仿之任意形狀之含有Z I*複合石英玻璃塊晶錠也 〇 使用如上述製造出之含有Z r之複合石英玻璃構件而 製作所必要之電漿反應製程之各種構件,而可利用於例如 高密度鹵化物氣體及其電漿之裝置之高耐久性構件者。 再更具體的說明藉電漿熔融法之製造法。
<實施態樣1 > 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 第5圖中,供料斗1 0 1乃由平均粒徑5 〇 b之金屬 z r粒子’對於平均粒徑1 〇 〇 # m之水晶粉末而能成爲 0 · 6 7重量%地被添加混合而成之含有z r之氧化矽粉 末原料所塡充。供料斗1 〇 1係由供給裝置1 〇 2所連結 ’由而供給原料乃通過供給裝置而到達於漏斗。接著供給 原料係於在於石英玻璃製管子丨0 3及1 〇 4而朝下方而 經由電漿電弧耦合帶域i 〇 5或接近於該帶域1 0 5。
1293947 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 ---------^五、發明説明(和 電漿電弧乃由電漿陽極、氣炬 1 0 6及電漿陰極氣炬1 0 7所生成。電漿陽極、氮矩 1 0 6係由非消耗性之圓之端部而終端之電極,而具備有 由銅或其他非消耗性金屬所調整者。 在於帶域1 0 5之下方而含有Z r之氧化矽粉末原料 係藉由電漿電弧所生成之熱而被熔融。 配置於電漿電弧帶域1 0 5之下方者乃靶1 0 8。它 係以驅動裝置1 0 9而可以在鉛直軸之周圍而旋轉自如。 此靶1 0 8係連結於心軸1 1 〇,它係連結於昇降機構 1 1 1,由而靶1 0 8係由其所欲地可以上昇或下降。 支持腳乃爲了使靶上昇及下降機構穩定而設置,通常 靶係據於電漿電弧耦合帶域之約1〜2 0 c m下方位置。 陽極氣炬1 0 6與陰極氣炬1 0 7之間之角度係通常 在於8 0°〜1 3 0°之範圍,並且陽極及陰極氣炬係互相 被整齊的排列。這些氣炬乃藉由使它上昇於上方或下降於 下方或改變這些之角位置而可以予以定位。 陽極氣炬1 〇 6與陰極氣炬1 0 7乃對稱地被配置, 對於垂直而通常被傾斜於上述之角度,惟由傾斜角度及/ 或從電漿耦合帶域到收集熔融生成物之位置爲止之距離而 可以控制透明到不透明之範圍之光透過性能者。 對稱的予以配置之具有相反之極性之至少二個之電槳 電極係1個(支)係用於陰極,又另一方之電極係做爲陰 極而作用’將雙方之電極對於垂直而傾斜於4 5度〜6 5 度或將雙方電極間傾斜於8 0度〜1 3 0度之角度,而將 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 衣. 訂
本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -27 - 1293947 A7 B7_ 五、發明説明(和 該傾斜之雙方之電極之先端部之距離保持於1 〇 〇 rn m以 內,由而及/或將從電漿耦合帶域之起點到收集熔融生成 物之位置爲止之距離保持於1 0 0 m m以內’而可以獲得 不透明質之堆積熔融生成物者。所以隨應於透明物體、半 透明物體、不透明物體等以及其他製造目的而對於規定之 位置予以定位而分別予以配置。 供給管之位置也可以左右並且上下地變更,對於在成 長之含有Z I*之複合石英玻璃晶錠,而令靶1 0 8從速度 1乃至6 0旋轉/分之範圍內而使之旋轉。如第6圖所示 地有供給原料之流域1 1 3。.而從第5圖中之石英玻璃製 之管子供給機構1 0 4而流出者係流入於領域或通過該領 域之附近,惟由電漿氣炬1 0 6所生成之電漿電弧1 1 4 及電紫氣炬1 0 7所生成之電漿電弧1 1 5將耦合。接著 此含有Z r微粉末之氧化矽物質係繼續朝下方之移動,碰 衝於旋轉中之靶1 0 8。 如第6圖之描畫之形成所示地,在於靶1 0 8上可以 形成含有Z I*之複合石英玻璃之晶錠1 1 6。 含有Z r之複合石英玻璃之晶錠1 1 6成長時,對於 帶域而電漿電弧1 1 4及1 1 5係經常地對於含有Z r之 複合石英玻璃晶錠上面而耦合。爲了連續的供給起見使能 維持耦合之距離而以如第5圖所示之機構而使靶1 0 8移 動於下部方向。靶1 0 8之移動速度係0 . 1〜5 c m / 分,而可以製造。 對於電漿電弧氣炬1 0 6及1 0 7之電流乃在於5 0 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -28 - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -訂
經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1293947 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7五、發明説明(釦 〜2 5 0伏特中,以1 0 0〜6 0 0安培之範圍內而行之 ,經由陽極電漿氣炬1 0 6及陰極電漿氣炬1 〇 7之兩者 所流之氬氣係以1 0〜6 0公升/分鐘之範圍爲合宜。含 有Z r微粉末原料之供給速度係〇 · 5〜2 0 k g /時間 之範圍爲適宜。 參照第7圖係放大顯示使用於本發明之電漿陽極氣炬 。陽極氣炬係具有將非消耗性之經修圓之端部而終結之電 極1 2 0。這是由銅或非消耗性金屬所調整。電極1 2 0 係具備形成於其中之同心管子1 2 1。冷卻水係通過管子 12 1之端部及箭示1 2 2所表示之方向之電極1 2 0之 尖角之內表面之間之空間之下方。電漿氣體係在於箭示 1 2 3之方向,而流於電極之尖角之周圍,並且電漿電弧 係在於標號1 2 4而被生成,接著此電漿電弧係從電漿電 弧、氣炬1 2 5而發散、噴嘴組成1 2 7係被水冷,並且 擔任以電漿氣體限定於電極1 2 0之周圍之機能。噴嘴 1 2 5係由絕緣體1 2 9而電氣的與電極組成1 2 8而隔 絕。被修圓之端部乃形成寬廣地造成之電弧路徑,而招來 高電流維持能力,並且非常長之構成構件之壽命,又經常 的做成少的磨耗,引至也成爲可以抑制生成物流或生成物 之含有Z r之複合石英玻璃晶錠之微小之污染之構成也。 於第8圖中放大的表示電漿陰極氣炬。此電漿陰極氣 炬乃,從包入陰極電極1 3 4地被形成之內側通路 1 3 6 a而流通氬氣而從氣炬噴嘴而發生氬電弧,同時連 通於外側通路1 3 6 b。而從在於氣炬噴嘴之先端部配列 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(21〇X 297公釐) :29 - 一 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 1-杯
1293947 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7五、發明説明(P 成輻射狀,且收束於噴嘴中央之具有角度之小孔1 3 8而 噴出對於氬氣之5〜5 0%之氮氣,由而以氬電弧來電離 氮氣,而使之發生氬-氮電漿。依此方法,而可以獲得高 效率之電漿電弧之同時,可以令電極材之鎢不會直接接觸 於氮氣地可以發生氬電弧,因此不會引起與氮之化學反應 以資延長陰極電極之壽命。再者設置有冷卻噴嘴之外側之 注水口 1 4 0 a及排水口 1 4 0 b,以及冷卻電極內側之 注水口 1 4 2 a及排水口 1 4 2 b。由循環冷卻水而隔斷 來自電漿氣炬之輻射熱。 驅使上述之電漿電弧氣炬,而使用方向性安定之電弧 電漿,而得最大限地利用電漿所具有之高能量,由而提高 生產性效率,而達成製造出不會有來自電漿電極材等之污 染之混入之高純度之含有Z 之複合石英玻璃晶錠之可會g 者。 從如上述地製造之透明以及不透明之二種含有Z r之 複合石英晶錠而切出各5 〇mm角之板材,施予鏡面硏磨 做成試片。將這些在於平行平板型電漿蝕刻裝置中,在於 C F 4 /〇2之混合氣體中,實施電漿蝕刻。並且觀察了電 漿蝕刻前後之試片之表面狀態之變化,結果看不出以往都 發生之由蝕刻所致之表面級階差(段差)等之消耗確認( 證實)兩者均與習用品而提高了對於電漿之耐久性。又關 於強度而言不透明品亦與透明品沒有差別,在於電漿蝕刻 後也沒有強度之降低者。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) -30 - (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
1293947 A7 ____ B7__ 五、發明説明(扣 <實施態樣2 > (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 做爲其他之實施態樣而提示第9圖而做說明。如第9 圖所示,對於旋轉之爐底(或熔融容器底部)之中央部, 經由電漿電弧耦合帶域地落下積層含有Z r之氧化矽粉末 原料,使之伸展於爐(或熔融容器1 1 8 )之外周,由而 達成製造Z I*之均一地分散之含有Z r之複合石英玻璃之 晶錠之可能者。 第9圖係表示依本發明之其他實施態樣之含有Z r之 複合石英玻璃晶錠製造裝置之槪略構成圖。第9圖中標號 1 1 〇係塡充有做爲含有Z r之複合石英玻璃之原料之含 有Z r之氧化矽粉末原料之供料斗。在於供料斗1 1 〇之 低部係連結有經過供給原料之定量供給裝置1 1 2而到爐 體1 2 0之連給管1 1 4及原料供給管1 1 6。而經由爐 體1 2 0內之熔融容器1 1 8之電漿電弧耦合帶域1 2 2 、或接近於該帶域1 2 2地被配置,同時上下及左右地可 以調整位置地被構成。 經濟部智慈財產局員工消費合作社印製 從爐體1 2 0之上方有,由電漿陽極氣炬12 4及電 漿陰極氣炬1 2 6所成之雙電漿氣炬係成對稱的配置於熔 融容器1 1 8之電漿電弧耦合帶域1 2 2,而能調整氣炬 角地及對於爐體1 2 0之插入深度地被插入。 電漿電弧陽極氣炬1 2 4及電漿電弧陰極氣炬1 2 6 乃最好分別對於垂直軸呈4 5 °〜6 5 °之角度,而各電榮 氣炬之爐之中心之對於垂直軸之水平距離爲5 0 m m〜 1 〇 〇 m m地被調定。 -31 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) 1293947 經濟部智慧財產局員工消費合作杜印製 A7 _B7__五、發明説明(和 本例所使用之電漿陽極氣炬1 2 4乃於以第7圖之第 1實施態樣1所詳細說明之構造,而備有相同之機能。同 樣電漿陰極氣爐1 2 6亦於以第8圖之第1實施態樣1而 詳細說明之構造,具有相同之機能。 第9圖之熔融容器118乃以不銹鋼等之金屬製之水 冷容器所構成。此容器之底部中心係由旋轉軸1 4 4所支 撐,並且,旋轉軸1 4 4乃介著設置於爐體基礎1 4 6之 旋轉用馬達1 4 8及介著昇降用馬達1 5 0而被組配成爲 旋轉可能以及昇降可能者。並且在於旋轉軸1 4 4之下端 部乃組配有具有冷卻水之注入口 1 5 2 a及排水口 1 5 2 b之可旋轉接頭1 5 4,由而對於熔融容器1 1 8 內循環冷卻水者。 另一方面爐體1 2 0之天板部係呈平坦之形狀,冷卻 水係循環而使之冷卻水,同時由熔融容器之熔融面而上昇 之氧化矽蒸氣乃由設於爐體側壁之排氣口 1 5 6所排氣。 依據上述之構造而說明動作。首先在於熔融容器 1 1 8之底部,在於先於熔融操作地鋪滿粒度大之粒狀氧 化矽1 c m〜2 0 c m程度之厚度,而熔融操作乃以成對 稱的予以配置,雙電漿氣爐之電漿陽極氣炬1 2 4及電漿 陰極氣炬1 2 6所生成之電漿電弧之被耦合之近傍做爲熔 融部之頂點之形態來實施。 最初,以規定之速度使熔融容器1 1 8旋轉,同時調 整電漿陽極氣炬1 2 4及電漿陰極氣炬1 2 6之角度及位 置,而在於鋪滿於爐底之粒狀氧化矽之表面之中央部經由 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) -32- 1293947 A7 _B7_____ 五、發明説明($〇 電漿電弧耦合帶域地落下含有z I*之氧化矽粉末原料’而 做出小塊之熔融之含有Z r之複合石英玻璃。 而後再一面調整電漿陽極氣炬1 2 4及電漿陰極氣炬 1 2 6之角度及位置一面擴大熔融面積。反複此操作而以 電漿電弧之被耦合之近傍爲熔融部之頂點之形態地連續的 實施熔融積層。再爲了使雙電漿氣炬之電漿耦合領域維持 於熔融面起見,配合於連續的熔融積層之生成速度而使熔 融容器1 1 8下降。按含有Z 之複合石英玻璃係粘性非 常高,所以含有Z r之氧化矽粉末原料之被熔融之部份與 由流動而擴開於容器之側壁之部份係將呈顯以熔融部爲頂 點之山峯形狀,因此爲了充分地促使從山峯頂部至山裙部 之玻璃之流動,遍及容器1 1 8之側壁部而需要維持充分 之高溫度。 因此從電漿耦合帶域而延伸之雙電漿氣炬1 2 4, 1 2 6來之電漿流乃從山頂至山裙部地覆罩含有Z r複合 石英玻璃之表面,所以與容器1 1 8之旋轉之相乘作用, 遍及熔融容器1 1 8之側壁部地可以維持含有Z r複合石 英玻璃之流動所必要之高溫度,而對於爐之外周方向地可 以使含有Z r之複合石英玻璃伸展者。 依此製造法可以達成Z 之均一的分散之含有Z r之 複合石英玻璃晶錠之製造之可能者。 如上述的可得之本發明之高耐久性石英玻璃乃亦可以 在於製造時藉由習用之方法做出合乎使用目的之形狀之石 英玻璃構件。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公着) .33 - ~ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) I本·
經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1293947 A7 B7 五、發明説明(含1 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明之高耐久性石英玻璃構件乃優異於電漿耐性。 合宜地可以使用於利用了鹵化合物及其電漿之半導體製造 用裝置或液晶製造裝置之容器、工模,電漿濃度機之鐘罩 ,以此構件爲窗材等之半導體製造用裝置或液晶製造裝置 係由電漿之照射等也劣化少,使用長期間而不需要更換地 可以使用者。 3·由電氣熔融法之製造法 按對於石英玻璃基質中之添加元素而銷(Z r )或其 氧化物化合物、鹽係有效者。將它稱爲“添加物質”。 在於石英玻璃基質中均一的分散做爲目的之添加物質 起見,以乾式法而用充分用時間地將添加元素單體或其化 合物、鹽予以混合亦可以。詳述之,當欲混合氧化矽粉末 與添加物質時,將含有該添加物質之乾燥之固體狀物質及 氧化砂粉末放入於容器中而予以密封,在於瓷缸球磨機( pot mill)旋轉台上充分的予以混合就可以,惟此方法之效 率差,因此創作了依濕式法之效率佳之方法。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 詳述之即,本發明人等開發了欲混合氧化矽與添加物 質時,首先調製該含有添加物質之溶液,將該溶液添加於 氧化矽粉末,浸漬後予以攪拌,在於氧化矽粒子之周圍大 致均一地包滿添加物質之後,將此溶液保持於其沸點附近 之溫度,而使溶媒大致全量地蒸發之後,仮燒到添加物質 之成爲其氧化物之溫度而獲得原料粉末之方法,此時,立 於添加元素溶液化之觀點以採用燒成後其構成鹽之不會留 -34- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1293947 A7 B7 五、發明説明(鉍 存之硝酸鹽氯化物或硫酸鹽爲合宜。這些鹽係其熔解熱小 ,可以安全的做處理。做成硝酸鹽、氯化物或硫酸鹽,而 以5 0 0〜1 0 0 0 °C來假想,而可做成以氧化物均一的 圍繞氧化矽粒之周圍之氧化物假燒體。將這些使用電氣爐 ,在於減壓下以方英石結晶之熔融溫度以下,最好以 1 8 0 0 °〜1 9 0 0 °C之範圍地施予真燒時,就可以獲 將添加元素之分散狀態之良好之石英玻璃。 本例中,在於添加物質之評鑑(評價)上,做爲石英 玻璃燒結體之微小領域而選用2 0 0 // m X 2 0 0 // m, Μ吏用E P M A ( X線微分析儀)來做添加元素之濃度之定 量。從石英玻璃燒結體之任意之部位來測定5點以上爲合 宜,本發明人發現了此時Ε Ρ Μ A定量値之變動係數(標 準偏差平均値X 1 0 0 )爲0 . 1〜1 0 0之範圍係爲了 發現耐電漿性所必要之値之事實。 做爲形成氧化矽玻璃基質之原料乃可以使用天然水晶 粉末,合成氧化矽粉末,烟霧狀氧化矽、或烟灰等等。 使用合成氧化矽粉末時,其粒度乃對於複合石英玻璃 中之添加元素之分散性有所影響,惟以粒度範圍4 0〜 430//m,最瀕値(mode) 220//m程度爲合宜。這 是起於塡充性良好,而粉末不會飛揚之緣故,同時也沒有 吸濕性,惟予以分級而使用3 0 0 // m under且2 0〇 β m up (最瀕値 2 6 0 // m )或 2 0 0 // m under ( ^ 瀕値1 8 0 // m )之粉末就更能控制添加元素之分散性。 又使用上述氧化矽粉末時,孔尺寸或粉末之粒度分佈係|寸 1紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -35 - ' — (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
1293947 A7 B7五、發明説明(知 久性之提高者爲〇。 又實施所製作之石英玻璃之3點彎曲測定,而所獲得 之折彎強度做爲加工性之指標。此結果也表示於表1。而 與未添加添加元素之通常之石英玻璃做比較,而對於沒有 3點抗彎強度之降低、或稍有降低者即爲〇,只有加工可 能程度之強度之降低者爲△。強度降低到施工變爲困難者 爲X 0 又表1中之綜合評鑑乃,耐久性與加工性其中之一有 X即爲X,其中之一爲△即爲△。兩者均〇者即標上〇。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) -37 - 1293947
7 B 五、發明説明(筘 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 表1 實驗號碼 添加元素 耐久性 3點彎曲強度評鑑結果 總合 評鑑 實施例 比較例 種類 濃度[wt%] CF4/〇2 BCh/Ch 1 X X 〇 X 1 Mg 0.048 〇 〇 〇 〇 2 Mg L100 〇 〇 〇 〇 3 Ca 0.013 〇 Δ 〇 Δ 4 Ca 0.047 〇 〇 〇 〇 5 Ca 0.132 〇 〇 〇 〇 6 Ca 1.880 〇 〇 Δ Δ 2. Ca 4.700 〇 〇 X X 7 Sr 0.048 〇 〇 〇 〇 8 Sr 1.100 〇 〇 Ο 〇 9 Ba 0.051 〇 〇 Ο 〇 10 Ba 0.960 〇 〇 〇 〇 3 Y 0.005 X X 〇 X 11 Y 0.012 Δ Δ 〇 Δ 12 Y 0.048 〇 〇 〇 〇 13 Y 0.460 〇 〇 〇 〇 14 Y 1.600 〇 〇 Δ Δ 4 Y 5.400 〇 〇 X X 5 Zr 0.006 X X 〇 X 15 Zr 0.011 Δ Δ 〇 Δ 16 Zr 0.053 〇 〇 〇 〇 17 Zr 0.494 〇 〇 Ο 〇 18 Zr 1.010 〇 〇 〇 Ο 19 Zr 1.900 〇 〇 Δ Δ 6 Zr 4.700 〇 〇 X X 20 Hf 0.061 〇 〇 〇 〇 21 Hf 0.970 〇 〇 〇 〇 7 A1 0.120 〇 X 〇 X 8 A1 5.300 〇 X X X 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210 X 297公釐) -38- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 1293947 A7 _B7 __ 五、發明説明(# 透過率8 0%以上者爲〇,其以下者即以X表示 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 再從製作之石英玻璃切出玻璃載片大之板材’將它施 予鏡面硏磨,而在於硏磨施予遮蔽罩,將它配置於平行平 板型電漿蝕刻裝置之電極上,在於C F 4 /〇2混合氣體或 B C 1 3 / C 1 2氣體中,施予1 0 0 W、1小時之電漿蝕 刻,而後除去遮蔽罩,而以表面粗糙計來測定遮蔽罩部( 非蝕刻部)及蝕刻部之高低差(段差)由而評鑑了石英玻 璃之耐久性。其結果表示於表1。 與未添加Z r之通常之石英玻璃比較而沒有耐久性之 提高者爲X ,稍有耐久性之提高者即爲△,明顯地有耐久 性之提高者即爲〇。 又再實施了所製作之石英玻璃之3點抗彎測定,而所 獲得之抗彎強度做爲加工性之指標。此結果也表示於表1 〇 3點抗彎強度之未降低者或稍有降低者爲0,可以加 工程度之強度降低者爲△。有成爲加工困難性度之強度之 降低者即爲X。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 又表2之綜合評鑑係以耐久性,加工性,透過率其中 之任何一項爲X即爲X。其中之一有△者即爲△。全部之項 目爲〇即爲〇。 - 40 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) 1293947 B7 五、發明説明( 純度99 · 0%) 4 _ 04gr ’而溶解於1 5〇mi之 超純水(比電阻1 7 Μ Ω · c m )。 混合氯化氧化銷水溶液與石英粉末,而靜置約1小時 。將此混合物移至石英舟,在於大氣中以9 0 °C 8小時 接著於5 0 0 t:假燒1時,將此假燒體施予X R d ( X線 回折)查出氯化氧化鍩乃幾乎變換爲氧化鉻z r 〇2。放入 之原料中之Z r之濃度即設定爲5 0 0 0 p pm。 此假燒體呈散鬆狀不必要再做粉碎操作。將電塡充於 被高純度處理之碳模內。灌入(操作)形狀爲直徑0 9 〇 mm,高度25mmo 將它一面施予排氣一面在於減壓下施予電氣熔融。 以5 °C /分地昇溫從常溫〜1 8 5 0 °C。於1 8 5 0 °C保 持5分鐘後,在於氮環境下實施爐冷。關於所獲得之複合 石英玻璃即以Ε Ρ Μ A來定量Z r濃度,其結果表示於表 4 。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) '訂
經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 〔表4〕 測定處所 1 2 3 4 5 Ζι·(原子%) 0.527 0.256 0.319 0.443 0.469 換言之,平均0·403(原子%),標準偏差 0 · 1 1 2 (原子% ),而變動係數爲2 8。 將獲得之燒結體(複合石英玻璃)予以切斷而查明對 於C F4/〇2系電漿及B C 1 3/C 1 2系電漿之蝕刻耐久 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) -43 - 1293947 五、發明説明(今1 性即與無垢之石英玻璃相比較更爲良好。 實施例2 7 坪里竣基熟化銷(純度9 9 · 0 % ) 4 · 0 4 g,'溶 解於1 5 0 m 1之超純水(比電阻1 7 Μ Ω · c m )。將 粒徑1 // m以下之煙霧氧化矽粉末浸漬於上述水溶液,而 以鐵氟龍湯匙來攪拌,靜置2小時之後移至石英舟。於大 氣中1 2 0 °C 8小時,接著以5 0 0 °C來假燒1小時, 此假燒體經X R D ( X線回折)之測試查明氯化氧化錯係 幾乎轉換成爲氧化銷Z r 0 2。此仮燒係呈散鬆狀不必要再 粉碎處理。在減壓下電氣熔融此原料粉末而獲得石英坡璃 。以Ε Ρ Μ A定量此石英玻璃之Z r濃度結果如表5。 〔表5〕 測定處所 1 2 3 4 5 Zr(原子%) 0.112 0.131 0.134 0.141 0.146 即平均0 · 1 3 3 (原子% ),標準偏差0 . 〇 1 3 (原子% )變動係數1 0。 切斷所獲得之燒結體(複合石英玻璃)而查明對於 C F 4 /〇2系電漿及B C 1 3 / C 1 2系電漿之蝕刻耐久性 即與無垢之石英玻璃比較之下很良好。 比較例1 7 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
II
經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) -44 - 1293947
五、發明説明(々2 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 做爲原料而準備具有表3之純度之石英(水晶)粉末 (粒度範圍4 〇〜4 3 0 /zm,最瀕値(m〇de )二2 1 9 //m)。秤量它 223g。 另一方面’秤量氧化鍩粉末(純度9 9 · 9 % ) 1 . 5 1 6 g,使用瓷罐球磨機旋轉台而與水晶粉末做2 小時之乾式混合。於減壓下電氣熔融此原料粉末,而獲得 石英玻璃’以Ε Ρ Μ A來定量此石英玻璃之z r濃度,其 結果表示於表6。 〔表6〕 測定處所 1 2 3 4 5 Zr(原子%) 0.181 0.256 1.319 0.443 3.001 即·平均1 · 040,標準偏差1 · 187,變動係 數 1 1 4。 . 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 將獲得之石英玻璃予以切斷,石磨而查明對於C F 4/ 〇2系電獎及B C 1 3 / C 1 2系電漿之蝕刻耐性,結果較 實施例1惡化。 比較例1 8 做爲原料準備具有表1之純度之石英(水晶)粉末( 粒度範圍4 0〜4 3 0 // m,最瀕値(m〇de)二2 1 9 // m )。秤量了它 2 2 3 g。 另一方面秤量氧化鍩粉末(純度9 9 . 9 % ) -45- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) 1293947 A7 _____B7 五、發明説明(衫 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1 . 5 1 6 g,使用瓷罐球磨機旋轉台而與水晶粉末4天 之乾式混合。以減壓下電氣熔融此原料粉末,獲得石英玻 璃,以Ε Ρ Μ A定量此石英玻璃之z r濃度,其結果表示 於表7。 〔表7〕 測定處所 1 2 3 4 5 _ Zr(原子%) 0.231 1.502 3.021 0.006 4.0〇1__ 即平均1 · 764 (原子%),標準偏差1 · 737 (原子% ),變動係數9 8。將所獲得之燒結體予以切斷 硏磨查證對於C F 4 /〇2系電漿及b C 1 3 / C 1 2系電漿 之耐性,結果獲得雖較實施例1差,惟仍算良好之電漿耐 性。 由以上可知,雖然同一量地添加添加元素於石英玻璃 中仍由確保其分散性可以提高耐電漿性之事實。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 實施例2 8 <原料之調整> 做爲Z I*源而使用將羧基氯化銷予以加水分解所獲得 之氧化锆粉末,而氧化矽粉係使用水晶粉末。使Z r之添 加量之成爲5 0 0 〇 p p m地將上述氧化锆粉末及上述水 晶粉末放入於樹脂製之罐中,而使用瓷罐球磨裝置來混合 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) -46 - 1293947 A7 B7_ 五、發明説明(如 <爐及燃燒器之設定> (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 調製如第1圖,第2圖所示之爐,安裝了石英玻璃之 主燃燒器及補助燃燒器各1個。碳化矽質磚內(熔融部份 )之大小係定爲 7 5 Ommx 7 5 Ommx 4 0 Omm。 <熔融及取出> 將藉球磨裝置所混合之粉末1 〇 k g投入於供給斗3 。將主燃燒器及補助燃燒器予以點火,以5 r . p . m來 旋轉爐。將爐預熱3小時,予熱後使粉體供給裝置啓動使 原料粉末之供給速度之能成爲2 · 0 k g / H r地對於主 燃燒器供給原料粉末。 當供給斗3內之粉末變少時,即依序投入原料而投入 原料粉末總量2 8 0 k g。以做爲製造目標晶錠尺寸( 7 50mmx 750 mmx 1 80mm)之必要量。 在方< 爐中投入原料粉末完成之後停止粉體供給裝置。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 繼續由燃燒器之加熱4小時,而使晶錠之中央部份之隆起 部份流動伸展。 最後停止對於燃燒器之氫及氧氣之供給,終了 了溶融 〇 熄火後停止爐之旋轉,爐之冷卻後,卸下爐側壁之碍 ’而獲得了 7 5 0 m m X 7 5 0 m m X 1 8 0 m m 之含有 Z r之複合石英玻璃。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) _ 47: ' ---- 1293947 A7 B7 五、發明説明(初 該與熔融石英玻璃接觸之部份之爐內耐火物係採用了 碳化矽質磚,所以在於高溫中不會與石英玻璃引起反應。 又其剝離性良好,因此可以製造出不純物少之含有Z r之 石英玻璃也。 依本發明可以製造出,Z r之偏在及微細之泡或不純 物之混入少之含有Z r之複合石英玻璃,所以可以適合於 使用於半導體大型矽基板之製造過程等,高密度電漿環境 下所使用之構造構件。 再者,藉電漿熔融法來製造含有Z r之石英玻璃時, 將由電漿電弧而熔融生成之固狀或蒸氣狀物質收集於對於 鉛直軸旋轉自如及/或垂直方向而可動之靶上,由而可以 製造砲彈狀,長尺寸狀之含有Z r之複合石英玻璃晶錠也 〇 再者,將由電漿電弧所熔融生成之固狀或蒸氣狀物質 收集積層於旋轉之熔融容器中央部,再將它加熱熔融使之 伸展於容器外周方向,由而成爲可能製造出符合於大型形 狀之容器形狀之容器形狀之任意之形狀之含有Z r之複合 石英玻璃之晶錠也。 並且使用如上述地製造之含有Z r之複合石英玻璃構 件而製作所必要之電漿反應過程之各種構件,而可利用爲 例如利用高密度鹵化物氣體及其電漿之裝置用之高耐久个生 構件。 (圖式之簡單說明) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -49 - (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
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經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1293947 A7 B7 五、發明説明(与7 第1圖係含有Z r石英玻璃晶鏡之製造爐正面圖。 第2圖係設有補助燃燒器之含有Z r之複合石英玻璃 晶錠之製造爐正面圖。 第3圖係粉體供給裝置之斜視圖。 第4圖係燃燒器斷面圖。 第5圖係藉由電漿熔融之含有Z r複合石英玻璃之製 造裝置槪略圖(依實施態樣1之製法)。 第6圖係表示含有Z r之複合石英玻璃之描寫圖。 第7圖係在於本發明中使用電漿陽極、氣炬斷面圖。 第8圖係在於本發明中使用電漿陰極、氣炬斷面圖。 第9圖係藉電漿熔融之含有Z r複合石英玻璃之製造 裝置槪略圖(依實施態樣2 )。 標號說明 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
S 經濟部智慧財產局Μ工消費合作社印製 間隙 1 1 :側壁 3 :供料斗 5 :供給斗 6 1 :主燃燒器 7 :粉體供給裝置 3 1 :旋轉台 3 3 :刮板 4 1 :氧氣 4 3 :載體氣體 1 :爐 2 :爐天板 4 :回收斗 6 :燃燒器 6 2 :補助燃燒器 3 0 :取出口 3 2 :粉體刮板 4 0 :氫氣 4 2 :含有锆之氧化矽粉 4 4 :含有鍩物質
本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -50- 1293947 A7 B7 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
IT 如 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1 1 3 :供給原料之流線 116··含有鉻之複合石英玻璃晶錠 五、發明説明(扣 4 5 :氧化矽粉 1 0 2 :原料供給裝置 104:石英玻璃製管子② 106:電漿陽極、氣炬 1 0 8 :靶 1 1 0 :昇降裝置 1 1 2 :原料定量供給裝置 114,115 :電漿電弧 1 1 8 :熔融容器 1 2 1 :同心管 1 2 4 :電漿電弧生成處所 126:電漿陰極氣炬 1 2 8 :電極組成 1 3 4 :陰極電極 1 3 6 b :外側通路 1 4 0 a :注水口 1 4 2 a :注水口 1 4 4 :旋轉軸 1 4 8 :旋轉用馬達 1 5 2 a :冷卻水注入口 1 5 4 :可旋轉接頭 1 0 1 :斗 103:石英玻璃製管子① 1 0 5 :電漿電弧耦合領域 107:電漿陰極、氣炬 1 0 9 :旋轉裝置 111:昇降機構 1 2 0陽極電極 122,123 :箭示 1 2 5 :噴嘴 1 2 7 :噴嘴組成 1 2 9 :絕緣體 1 3 6 a :內側通路 1 3 8 :氮氣噴出口(小孔) 1 4 0 b :排出口 1 4 2 b :排氣口 1 4 6 :爐底基礎 1 5 0 :昇降用馬達 1 5 2 b :冷卻水排水口 1 5 6 :排氣口 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) -51 -
Claims (1)
1293947 公告本 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 第9 1 1 04499號專利申請案 中文申請專利範圍修正本 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 民國96年1 1月22曰修正 1 ·〜種用於使用鹵化物氣體及其電漿裝置之高耐久 性石英玻璃,其特徵爲··含有:從M g、C a、S r、 B a ' Y、Hf及Z r所成之群中所選之1種以上之元素 ’ 0 · 〇1重量%以上2重量%以下。 2 ·如申請專利範圍第1項所述之用於使用鹵化物氣 體及其電漿裝置之高耐久性石英玻璃,其中含有元素 0 · 〇5重量%以上,〇 · 5重量%以下者。 3 ·如申請專利範圍第丨項或第2項所述之用於使用 _化物氣體及其電漿裝置之高耐久性石英玻璃,其中元素 係銷(Z r ),且具有透明性者。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4 ·如申請專利範圍第1項或第2項所述之用於使用 鹵化物氣體及其電漿裝置之高耐久性石英玻璃,其中係含 有锆(Z r )之石英玻璃,也就是自該石英玻璃之任一之 微細領域使用E P M A ( X線微分析儀)來定量Z r之濃 度時所獲得之定量値之變動係數(ΙΟΟχ標準偏差/平均値)爲 〇 · 1 〜1 0 0 者。 5 · —種半導體製造裝置,其特徵爲:具備由:申言靑 專利範圍第1或2項的用於使用鹵化物氣體及其電漿裝置 之高耐久性石英玻璃所成之構件。 6 . —種液晶製造裝置,其特徵爲:具備由:申請專 利範圍第1或2項的用於使用鹵化物氣體及其電漿裝置之 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐)-巧- 1293947 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 高耐久性石英玻璃所成之構件。 (請先閲·#背面之注意事項再填寫本頁) 7 · —種用於使用鹵化物氣體及其電漿裝置之高耐久 性石英玻璃之製造方法,是用來製造申請專利範圍第1項 的高耐久性石英玻璃的製造方法,其特徵爲: 以氫氧焰爲熱源之爐中,令含有Z r之氧化矽粉落下 積層後,使之伸展於外周以資作成Z r與氧化矽均一地分 散之晶錠。 8 ·如申請專利範圍第7項所述之用於使用鹵化物氣 體及其電漿裝置之高耐久性石英玻璃之製造方法,其中含 有Z r之氧化矽粉係混合了含有Z r物質及氧化矽粉者。 9 .如申請專利範圍第7項所述之用於使用鹵化物氣 體及其電漿裝置之高耐久性石英玻璃之製造方法,其中 當落下含有Z r之氧化矽粉時,令含有Z r物質及氧 化矽粉個別地落下。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印t 1 〇 ·如申請專利範圍第7、8或9項所述之用於使 用鹵化物氣體及其電漿裝置之高耐久性石英玻璃之製造方 法,其中除了主加熱器之外,又由補助加熱器供給熱,以 資獲得具有大型表面之含有Z r之複合石英玻璃者。 1 1 . 一種用於使用鹵化物氣體及其電漿裝置之高耐 久性石英玻璃製造用裝置,乃用於製造申請專利範圍第7 項所述之含有Z r複合石英玻璃之裝置,其特徵爲:在旋 轉於該裝置的爐與爐頂部安裝有:令含有Z r之氧化矽粉 落下之供給部、以及燃燒器。 1 2 ·如申請專利範圍第1 1項所述之用於使用鹵化 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐)_ 2 1293947 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 (請先閲-#背面之注意事項再填寫本頁) 物氣體及其電漿裝置之高耐久性石英玻璃之製造用裝置, 其中設有一邊使爐旋轉且一邊使之擺動於水平方向之裝置 者。 1 3 ·如申請專利範圍第1 1項或第1 2項所述之用 於使用鹵化物氣體及其電漿裝置之高耐久性石英玻璃之製 造用裝置,其中設置一台以上,做爲供給含有Z r之氧化 矽粉之供料部,由:設於供給斗之下端之取出口、設於供 料斗下部之旋轉台、設於旋轉台上之刮板、及設於該刮板 之上游側之粉體刮板所成之粉體供給裝置。 1 4 ·如申請專利範圍第1 1項或1 2項所述之用於 使用鹵化物氣體及其電漿裝置之高耐久性石英玻璃之製造 用裝置,其中爐之側壁部份係碳化矽質磚者。 1 5 ·如申請專利範圍第1 1項或1 2項所述之用於 使用鹵化物氣體及其電漿裝置之高耐久性石英玻璃之製造 用裝置,其中在於爐底部敷滿了氧化銷粒子者。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1 6 · —種用於使用鹵化物氣體及其電漿裝置之高耐 久性石英玻璃之製造方法,是用來製造申請專利範圍第1 項的高耐久性石英玻璃的製造方法,其特徵爲: 將對於矽酸質原料粉中添加了含有Z r物質而獲得之 混合粉末,通過至少備有二個以上之電極係呈相反之極性 ,且至少二個之電漿電弧之被耦合之電漿電弧耦合帶或其 近傍而使之熔融。 1 7 ·如申請專利範圍第1 6項所述之用於使用鹵化 物氣體及其電漿裝置之高耐久性石英玻璃之製造方法,其 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -3- 1293947 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 中 (讀先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 該Zr含有物質乃由:金屬Zr ,Zr化合物及氧化 鍩所成之群所成之群之中所選出之一種以上之粉末者。 1 8 ·如申請專利範圍第1 6項或1 7項所述之用於 使用鹵化物氣體及其電漿裝置之高耐久性石英玻璃之製造 方法,其中 混合粉末中之Z r含有物質之量係〇 . 〇 1〜2重量 %者。 1 9 ·如申請專利範圍第1 6項或1 7項所述之用於 使用鹵化物氣體及其電漿裝置之高耐久性石英玻璃之製造 方法,其中 該Zr含有物質之平均粒徑係〇 · 1〜300//m者 2 Ο ·如申請專利範圍第l 6項或1 7項所述之用於 使用鹵化物氣體及其電漿裝置之高耐久性石英玻璃之製造 方法,其中 該矽酸質原料粉係高純度氧化矽源者。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 2 1 ·如申請專利範圍第2 0項所述之用於使用鹵化 物氣體及其電漿裝置之高耐久性石英玻璃之製造方法,其 中 該高純度氧化矽源係由:矽砂粉、水晶粉、α -石英 、白矽石所選之群中所選取之1種或2種以上之混合物者 〇 2 2 ·如申請專利範圍第1 6項或1 7項所述之用於 -4- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 1293947 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 使用鹵化物氣體及其電漿裝置之高耐久性石英玻璃之製造 方法,其中 至少二個電漿電極係對稱的被配置,該二個電漿電極 之互相之前端乃能變狹地對於垂直而被傾斜而成,而藉由 該傾斜之角度及/或自電漿耦合帶域而收集熔融生成物之 位置之距離而控制影響至透明或不透明之光透過性能者。 2 3 ·如申請專利範圍第1 6項或1 7項所述之用於 使用鹵化物氣體及其電漿裝置之高耐久性石英玻璃之製造 方法,其中 對稱的配置之具有相反之極性之至少二個之電漿電極 乃,1支電極係做爲陰極,又另一方之電極係做爲陽極而 作用者,而對於該雙方之電極而對於垂直而呈4 5度〜 6 5度或將雙方電極間傾斜於8 0度〜1 3 0度之角度, 藉令該傾斜之雙方之電極之先端部之距離保持於1 0 0 m m以內,及/或藉將自電漿耦I合帶域至收集熔融生成物 之位置之距離保持於1 0 0 m m以內,以資獲得不透明物 質之堆積熔融生成物者。 2 4 ·如申請專利範圍第1 6項或1 7項所述之用於 使用鹵化物氣體及其電漿裝置之高耐久性石英玻璃之製造 方法,其中 將由電漿電弧所熔融生成之固狀或蒸氣狀物質,收集 於在於垂直軸上旋轉可能及/或垂直方向可能之靶上者。 2 5 .如申請專利範圍第1 6項或1 7項所述之用於 使用鹵化物氣體及其電漿裝置之高耐久性石英玻璃之製造 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210X297公釐)-5 - ---------% II (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) fll·— 0 、τ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1293947 8 88 8 ABCD 六、申請專利範圍 方法,其中,將藉電漿電弧所熔融生成之固狀 質,收集積層於旋轉於熔融容器中央部,再加 展於容器外周方向者。 2 6 · —種石英玻璃構件,其特徵爲:由 圍第1 6或1 7項所述之製造方法所製之用於 氣體及其電漿裝置之高耐久性石英玻璃所成。 27 · —種半導體製造裝置,其特徵爲: 由申請專利範圍第3項的用於使用鹵化物氣體 置之耐久性石英玻璃所構成的構件。 28 . —種半導體製造裝置,其特徵爲: 由申請專利範圍第4項的用於使用鹵化物氣體 置之高耐久性石英玻璃所構成的構件。 2 9 . —種液晶製造裝置,其特徵爲:是 申請專利範圍第3項的用於使用鹵化物氣體及 之耐久性石英玻璃所構成的構件。 30.—種液晶製造裝置,其特徵爲:是 申請專利範圍第4項的用於使用鹵化物氣體及 之高耐久性石英玻璃所構成的構件。 或蒸氣狀物 熱熔融而伸 申請專利範 使用鹵化物 是具備有: 及其電漿裝 是具備有· 及其電漿裝 具備有:由 其電漿裝置 具備有:由 其電漿裝置 (請先聞讀背面之注意事項存填寫本買) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐)-6 -
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