TWI290811B - Plasma processing apparatus, matching box, impedance integrator and coupler - Google Patents

Description

1290811 玖、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關於一種電漿處理裝置，其係使用電漿，於 被處理體施行成膜處理等的處理者。 【先前技術】 於半導體基板等的製造過程中，使用電漿處理裝置，其 係使用電漿，於該類基板上施行表面處理者。作為電漿處 理裝置’已知例如施行化學蒸氣沉積（Chemical Vapor Deposition : CVD)處理之裝置等。於電漿處理裝置中，平 行平板型的電漿處理裝置因在處理的均一性上優越，又， 裝置構成也比較簡易，被廣泛地使用。 於電漿處理裝置中，進行基板的表面處理之真空容器 内〃又置私極，其係為了供給高頻電力，將原料氣體電漿 化者。 一 不為了供給高頻電力至真空容器内，插入連接至電極之供 包棒於插座上，有高頻電源與電極電氣的耦合。該插座係 2内面配置多面接觸子，例如設置於阻抗整合器的輸出部 刀，可傳輸由高頻電源傳輸之高頻電力至供電棒。多面接 觸子例如以環狀，表面具有球狀的多數的接觸子。該類接 =子係藉由彈簧先行施力至插座内侧，於供電棒插入該插 厓义際，藉由彈性地保持該物，將供電棒及插座電氣的連 接0 兩如同前述，於設置在阻抗整合器的輸出部分之插座與供 2〈間的電氣接觸面上，配置多面接觸+，係為了確保 曰疋的實接觸面積及接觸壓。 82343 1290811 又，為了電氣地連接5 + 、 路古你ΐϊΐπτ 电”疋供電棒及外部的電氣電 路，有使用匹配含乏女、土 ^ 辟t # ^ '。匹配盒係固定於真空容器的外 電棒連接至接觸子。外㈣=接觸予°連接至電極之供 觸子。將接系精由外部端子連接至接 : 供電棒時。此時，於先前，例如於 圖8所顯TF，為了耦合各 配现70與供電棒71的接觸子70a， 大出彡又置於來自當初匹配各7 、 „ , ^ 配皿70的外邵。於安裝供電棒71至 匹配盈70炙際，嵌入接觸子 ⑽至叹置在供電棒71之嵌合穴 1 a後’於設置在直空玄哭、 7Λ+ηλ 八奋to的外壁必框架等上，螺絲止住匹 配盒70本體以固定。 的二 器及該物之匹配盒’為了維護及電氣特彳 / 4 ’進行針對電聚處理裝置本體之安裝及取下… ㈣安裝及取下後，供電棒與多面接觸子的接觸面積會$ ，有所謂接觸阻抗變動之問題。接觸阻抗變動後，因」 :向頻電力的傳輸路徑之電氣特性變化使得電栽變成不玉 一’且由於阻抗成分之損失增大。 又’為了將供電棒與插座的接觸阻抗线，於供電棒的 表面給與鍍金處理較理想。但是，供電棒直接連結至電極 時，於孩類情況，構造的鍍金處理係為困難。再者，於連 接至真空區域之部位，因為亦有鐘金成為冷染的原因，亦 有不可鍍金處理。 又，將突出設置於匹配盒之接觸子嵌合至供電棒以耦合 時，非較匹配盒的螺絲鎖定先進行接觸子的嵌入不可。匹 配盒因為有相當於―^kg〜2Gkg程度的重量，正確地插 82343 1290811 入接觸子至供電棒係為困難。又，至螺絲鎖住匹配盒之間， 若不先適當地支持重的匹配盒，會成為強的壓迫加諸於供 電棒上。因此，有所謂結合匹配盒與供電棒之接觸子與供 電棒本體易被破壞之問題。 【發明内容】 本發明之目的在於提供一種電漿處理裝置，其係鑒於前 述情況以形成，可物理地或電氣地安定安裝電氣電路者。 又，本發明之另一目的在於提供一種信賴性高的電漿處 理裝置。 為了達成前述目的，關於該發明的第1觀點之電漿處理裝 置，其特徵在於具備真空容器，其係為了使用電漿化氣體 以處理被處理體者；配置於前述真空容器内之電漿產生用 電極；高頻電源，其係產生供給至前述電漿產生用電極之 高頻電力者；供電棒，其係傳輸經由前述高頻電源產生i 高頻電力至前述電漿產生用電極者；匹配盒，其係具有為 了將往前述電漿產生用電極側的輸入阻抗及前述高頻電源 的輸出阻抗整合之整合電路者；位於前述整合電路之高頻 電力的輸出端；接觸器，其係確定與位於前述供電棒之高 頻電力的輸入端的電氣接觸者，前述接觸器於前述供電棒 與前述匹配盒的位置決定完成後，可確定前述整合電路與 前述供電棒的電氣接觸而構成。 藉由該構成，供電棒與匹配盒的位置決定完了後，藉由 接觸器將整合電路與供電棒的電氣接觸確定，可減低加諸 供電棒之壓迫。藉此，可物理地安定安裝電氣電路，其係 82343 1290811 稱為具有匹配盒之整合電路者。 藉由前述匹配盒安裝於前述真空容器的外壁，前述供電 棒與前述匹配盒的位置決定完成為理想。 前述匹配盒具備可插入前述接觸器的插入口，於前述匹 配盒安裝於前述真空容器的外壁之狀態，藉由插入前述接 觸器至前述插入口，前述整合電路與前述供電棒的電氣地 接觸確立為理想。 又，具備加熱器，其係加熱於前述真空容器内處理之被 處理體者，前述接觸器係可確定為了提供由商用電源供給 之電力至前述加熱器的電氣的接觸而構成亦佳。 前述匹配盒，例如具備搞合器，其係插入連接至前述電 漿產生用電極之供電棒，將其固定保持於前述阻抗整合器 者，前述耦合器，於前述供電棒的嵌入部分，具備包含絕 緣物之覆膜層。該耦合器藉由與前述供電棒的誘導耦合7 可供給經由前述高頻電源產生之高頻電力至前述電漿產生 用電極。 關於該發明的第2觀點之匹配盒，其特徵在於適用於電漿 處理裝置，其係為了使用電漿化氣體以處理被處理體者， 且該匹配盒係具有將高頻電源的輸出阻抗與電漿負載側的 輸入阻抗整合之整合電路者，藉由安裝於處理被處理體之 真空容器的外壁，揍至設置於前述真空容器内之電極之供 電棒的位置決定完成，具備插入口，其係藉由插入接觸器 確定前述整合電路與前述供電棒的電氣的接觸者。 關於該發明的第3觀點之電槳處理裝置，其特徵在於具備 82343 1290811 真空容器，其係為了使用電漿化氣體以處理被處理體者； 配置於前述真空容器内之電漿產生用電極；高頻電源，其 係產生供給至前述電漿產生用電極之高頻電力者；阻抗整 合器，其係耦合於前述電漿產生用電極與前述高頻電源之 間，為了將往前述電漿產生用電極側的阻抗及前述高頻電 源的輸出阻抗整合者；及耦合器，其係插入連接至前述電 漿產生用電極之供電棒，將其固定保持於前述阻抗整合器 者，前述搞合器，於前述供電棒的插入部分，具備包含絕 緣物之覆膜層。 藉由該構成，於在耦合器之供電棒的嵌入部分，設置包 含絕緣物之覆膜層，沒必要考慮嵌入供電棒之際的接觸阻 抗，而可電氣地安定安裝阻抗整合器及高頻電源等的電路。 更具體地，前述耦合器係藉由與前述供電棒的誘導耦 合，可供給經由前述高頻電源產生之高頻電力至前述電条 產生用電極，係為理想。 關於該發明的第4觀點之阻抗整合器，其特徵在於適用於 電漿處理裝置，其係為了使用電漿化氣體以處理被處理體 者，且該阻抗整合器，其係將高頻電源的輸出阻抗與電漿 負載側的輸入阻抗整合者，具備耦合器，其係嵌入連接至 設置於處理被處理體之真空容器内之電極之供電棒以固定 者，前述耦合器，於前述供電棒的插入部分，具備包含絕 緣物之覆膜層。 關於該發明的第5觀點之耦合器，其特徵在於固定保持供 電棒，其係連接至設置於為了使用電漿化氣體以處理被處 82343 1290811 理體的真空容器内之電極者’且係為了轉合前述供電棒虚 前述真空容器外的電氣電路_合器’ ^與前述供電棒的 接觸部分上，具備包含絕緣物之覆膜層。 因此，具備m其係為了後人前述供電棒以固定保 持者，於前述嵌入孔的内面，設置前述覆膜層，係為理邦。 藉由與前述供電棒的誘導耦合，傳輸經由高頻電源產"'生 之高頻電力，係為理想。 介由為了絕緣直流 又’為了補償阻抗的電抗成分，又 成分的容量而接地，係為理想。 【實施方式】 以下，參照圖面詳細地說明關於有關該發明的實施形態 之電漿處理裝置。 〜 參照圖1，電漿處理裝置！係具備圓筒形狀的真空容器2。 真空容器2係包含給與氧皮鋁處理（陽極氧化處理）之鋁、 的導電性材料。又，真空容器2係為接地。 於真空容器2的底部，連接排氣管3,該排氣管3連接至泵 4。 泵4為包含輪機分子泵（TMP)等之排氣裝置，直空容哭 内到達為指定壓力可排氣。 於真空容器2的下部中央，設置為了載置晶圓w的電納 5。 圖2係為顯示電納8等的構成一例之圖。電納8包含例如 形成為圓柱狀之氮化鋁（A1N)等，於上部表面，載置固定靜 電夾頭10,於真空容器2内的處理空間，機能為了產生電漿 的下部電極。 靜屯爽4 1 0 ’於包含例如聚醯亞胺膜之上下2枚的絕緣層 82343 1290811 間’藉由配置例如銅箔板等的導電性片l〇a以構成，藉由庫 偷力吸者晶圓w而固定。 於電納8中’設置加熱器11，其係為了加熱晶圓W至指定 溫度者。又，將冷媒循環之冷卻套12,於與加熱器11之間， 夾著散熱板15，以設置。於冷卻套12中，連接導入管13及 排出管14 ’由導入管13供給之冷媒通過冷卻套12，並由排 出& 14排出。電納8的底面，藉由為真空容器2的内壁的一 部分之底部材料2a以支持。 於電納8 ’連接例如内部導體棒1 6、1 7a、1 7b及外部導體 管18 °藉此’電納8接受經由第1高頻電源50產生之高頻電 力’機能為下部電極，其係為了引進電漿至真空容器2内的 曰印圓W者。又，内部導體棒16、iya、及外部導體管 機此為供給電力至下部電極之供電棒丨9。 内部導體棒16連接至具備靜電夾頭10之導電性片l〇a,译 輸經由第1高頻電源50產生之高頻電力及經由直流電源52 產生之直流電壓。内部導體棒17a、l7b連接至加熱器^， 傳輸由商用電源53供給之商用頻率的電力。外部導體管18 為為了覆蓋内部導體棒16、l7a、l7b而配置之管。 如圖1所顯示，於電納8及第i高頻電源50、直流電源52、 及商用電源53之間，配置具備整合電路部21之匹配盒2〇。 供電棒19引出至真空容器2的侧面外壁，可安裝匹配盒“ 以構成。 1 圖3係為顯示匹配盒2〇的構成一例之正面圖。如圖示，匹 配盒20具備整合電路部21及接觸器插入部22。又，匹配盒 82343 -11 - 1290811 20連接至第1高頻電源5〇、及商用電源53。又，匹配盒 介由包含LPF(低通濾波器）等之濾波器電路55連接至直泫 電源5 2。 整合電路部21，係為了將第鴻頻電源5〇的輸出阻抗與為 下部電極（電納8的輸入阻抗匹配。又，整合電路部2卜介 由濾波器電路55將由第i高頻電源5〇接受之電漿引進用電 壓重疊至由直流電源52接受之直流電壓以輸出。 包 接觸器插人部22為插人口，其係為了固定模組化内部線 路之接觸器23至匹配盒20者。於接觸器23的最内部，設置 供屯棒引出部24，其係包含可由裏侧引出供電棒} 9的開口 者。又，於接觸器插入部22，因與收納至接觸器以之 路的引出端子接觸而較與供電棒19的t &的結合之電極 25，配置於指定位置。 更具體地，電極25具備例如藉由接觸器23的插入連接呈 内部導體棒16之第1電極25a ;連接至外部導體管18之第2 電極25b;及連接至内部導體棒17a、nb之第3與第4電極 25c、25d。第1及第2的電極25a、25b，連接至整合電路部 21，機能為整合電路部21的輸出端，可供給重疊至直流電 壓並傳輸之電漿引進用電壓至靜電夾頭1〇。但是，連接2 外部導體f 18之第2電極25b為接地。第3及第4電極25c、25d 連接至商用電源53，可供給商用頻率的電力至加熱器u。 又，於與商用電源53之間，設置包含為了防止高頻電力的 轉移的LPF等之濾波器電路亦佳。 又，圖3係顯示配置於接觸器23的内部之供電棒丨9及與電 82343 -12- 1290811 極25連接之線路30的一例。如圖所顯示，於接觸器23，線 路3〇a〜30d内藏作為3次元電路。線路3〇a，連接至應接觸至 内部導體棒16(露設引出端子3“^與應接觸至第丨電極 25a之露設31a-2。線路30b，連接至應接觸至外部導體管18 之露設引出端子31b-l與應接觸至第2電極25b之露設引出 端子31b-2。線路30c，連接至應接觸至内部導體棒na之露 設引出端子31c-l與應接觸至第3電極25c之露設引出端子 3 lc-2。線路30d，連接至應接觸至内部導體棒17b之露設引 出端子31d-l與應接觸至第4電極25d之露設引出端子 31d-2 〇 於與如圖1所顯不之電納8上的晶圓\^的載置面相對之真 2么為2的取咼處’設置具備多數的氣體噴出孔之蓮篷頭 5。蓮篷頭5的周圍藉由螺栓等以固定，並用形成為環狀之 絕緣材料6以覆蓋。絕緣材料6包含石英等，其係給與具有 例如於表面上稱為銘（Al2〇3)系陶瓷之高耐敍性之絕緣覆膜 處理者。 圖4為詳細地顯示真空容器2的上部的構成一例。於蓮篷 頭5的上方，配置例如2枚的擴散板7a、7b，供給來自連接 至該上部之氣體管26a、26b的電漿產生用氣體及原料氣體 等。包含氣體管26a、26b之氣體管26，如圖1所顯示，經由 活門27及MFC(大流量控制器）28等以連接至氣體供給源 2 9，可由蓮遙頭5供給例如稱為碎：、氧之原料氣體及氬氣 體等的電漿產生用氣體等至真空容器2内。又，氣體管26、 活門27、MFC 28及氣體供給源29，配合提供至真空容器2 82343 -13- 1290811 内之氣體的種類，而適當複數設置，於圖丨中各個分別顯 示。又，擴散板7a、7b的枚數及構成，可根據由氣體供= 源2 9供給之氣體的種類而適當變更。 又，於擴散板7b的上面中央部，供電棒32藉由螺絲鎖定 等以耦合固定，因供給經由第2高頻電源5丨產生之高頻電力 至蓮篷頭5，使其機能為上部電極，其係為了於真空容哭2 内產生原料氣體等的電漿者。 於真空容器2的上方，介由屏蔽箱33以載置阻抗整合器 3 4。阻抗整合备3 4係為了將第2高頻電源5 1侧的輸出阻抗與 往上部電極之蓮篷頭5侧的輸入阻抗作匹配，具備為了插入 供電棒3 2以固定的插座40。 圖5係為詳細地顯示插座40及供電棒32的嵌入部分。插座 40’於成形為圓筒形狀之金屬體4〇a的中心部，具備為了鲁 入供電棒32以保持的欲入孔41。於後入孔41的内壁，投置 包含所謂聚四氟乙婦[鐵氟龍（登錄商標）]等的氟素樹酿的 絕緣物之被覆層42。亦即，供電棒32及插座40之間為電氣 地絕緣’藉由誘導搞合’應只傳輸交流成分的電力至供電 棒32側以構成。又，插座40為了補償阻抗的電抗器成分， 又，介由為了絕緣直流成分的電容C 1以接地，嵌入至後入 孔41之供電棒3 2，介由電容C2以接地。 以下’說明關於遠發明的實施形態之電紫處理裝置1的動 作。 為了藉由該電漿處理裝置1處理晶圓W，於真空容器2的 上方，載置屏蔽箱33及阻抗整合器34。此時，連接至擴散 82343 -14- 1290811 板7b之供電棒32，於設置在阻抗整合器34的輸出部分之插 座40的嵌入孔41上，覆膜層42以介在之狀態嵌入。 又，於真空容器2的側面外壁上，藉由螺絲鎖住匹配盒20 以固定。匹配盒2 0，如圖6所顯示，藉由經由螺絲孔，其係 設置於接觸器插入部22的最内部及框架等者，以螺絲鎖 定，以使其保持與連接至電納8之供電棒1 9間的空間餘裕之 狀態，固定於真空容器2的側面外壁。此時，供電棒1 9由供 電棒引出部24引出至接觸器插入部22，以位置決定狀態露 設。匹配盒20固定於真空容器2的侧面外壁後，因插入接觸 器23至接觸器插入部22，而確定包含整合電路部21等之外 部電路及與供電棒19的電氣的接觸。 如此匹配盒20及阻抗整合器34的安裝完成後，搬入來自 未圖示之裝載室之晶圓W，並載置於電納8上。此時，藉由 外加經由直流電源52產生之直流電壓至靜電夾頭1 0的導1 性片10a上，將晶圓W吸著保持。繼續驅動泵4，真空抽出 真空容器2的内部到達指定的真空度。到達指定的真空度 後，開啟閥27，一面藉由MFC 28控制流量，一面導引電漿 產生用氣體等，其係由氣體供給源29供給之指定的氣體， 例如所謂氬氣體者，至氣體管26，藉由蓮篷頭5供給至真空 容器2内以維持指定的壓力。 又，藉由加熱器11加熱真空容器2内，投入處理氣體，其 係來自氣體供給源29之指定的原料氣體，所謂例如矽烷氣 體及氧氣體者。加熱器11，例如晶圓W的溫度於400°C〜60(TC 内，為了達到指定的過程溫度而加熱真空容器2内。 82343 -15- !29〇811 啟動第1及第2高頻電源50、51，開始高頻電力的供給， 電漿分解原料氣體等，將積層膜堆積於晶圓％上。因此， 第1高頻電源5 0 ’為了吸引離子至晶圓w而外加負的偏壓。 該第1高頻電源50的頻率，基於真空容器2内的電漿離子的 振動頻率等以決定，約1〇MHz為最高，理想為設定至2]^取 程度。第2高頻電源51，於例如27 MHz〜1〇〇 MHz内指定的 頻率，理想為產生具有60 MHz的頻率之高頻電力以輸出。 、連接至擴散板7b之供電棒32及插座40，藉由流動至各個 之父替電流，為了形成之磁場的方向一致以配置。例如， 藉由自第2高頻電源51傳輸之高頻電力，交替電流流動於插 座40内，於供電棒32的圓周方向，形成同心圓狀的磁場。 此時，於供電棒32上產生誘導生電力，高頻電力傳輪至為 上部電極之蓮篷頭5。 亦即，阻抗整合器34的輸出方向，顯示於圖7所示之變鏖 器T1及等價的電氣特性，可通過供電棒32，傳輸由第2高頻 電源51供給之高頻電力至為上部電極之蓮篷頭5。因此，插 座40相當於變壓器T1的一次卷線，供電棒“相當於變壓器 T1的二次卷線。又，如圖7之電漿負載60，包含供電棒32 及蓮篷頭5的阻抗與於真空容器2内的處理空間產生 的阻抗等。 ^ 如同前述，插座40及供電棒32間，因藉由覆膜層竹以絕 緣，首先沒有必要考慮接觸阻抗，可以電氣地安定特性傳 輸來自第2高頻電源5 1的高頻電力。 例如，供給為原料氣體之矽烷氣體及氧氣體時，於真空 82343 -16- 1290811 容器2内的處理空間，將該氣體離子化，並於晶圓w上堆積 二氧化碎膜。積層膜的堆積終止後，放電電力的供給、原 料氣體的導入、真空容器2内的加熱各個停止，充分地將真 空容器2内排氣冷卻後，取出晶圓w。 如同以上說明，根據該實施形態，於真空容器2的側面外 壁安裝匹配盒20之際，以使與供電棒19之間保持餘裕之狀 態’固定決定位置後，以插入接觸器23至接觸器插入部22， 確定供電棒1 9與外部電路的電氣的接觸。因此，於安裝匹 配盒20之際，可減輕加諸於與供電棒19的耦合部分之壓 迫。因此，防止供電棒丨9及接觸器23的破壞，可物理地安 定安裝外部的電路至供電棒19。 又，藉由該實施形態，於設置在阻抗整合器34的輸出部 分I插座40上，以包含絕緣物之覆膜層42介在之狀態，於 嵌入孔41嵌入供電棒32。因此，沒有必要考慮於供電棒& 的歆入部分的接觸阻抗，另一方面，高頻電力因藉由誘導 耦合傳輸至上部電極側，可電氣地安定安裝阻抗34等的電 路。 該發明並非只限定於前述實施形態，可乡樣的變形及應 用。例如，於前述實施形態中，說明了於嵌入連接至上部 電極之供電棒32之插座40上設置覆膜層42者，惟並非只限 足於此亦即，於連接至為下部電極之電納8之供電棒19， 使用人插座40同樣地構成之插座而可核合複數的金屬體亦 佳。此時’關於直流電源52輸出之直流電壓，藉由與供電 棒19的電氣的接觸以傳輸，若可供給經由第i高頻電源肩 82343 -17- 1290811 產生之高頻電力等至插座為佳。 又’接觸器23的構成’根據供給電力至為下部電極之+ 納8等之電源的種類等而可任意的變更，可使用配置為了： 足供電棒19與外部電路的適切的電氣接觸的引出端子、泰 極，用施行線路之物。 ^ 電漿處理裝置1的構成也可任意地變更，例如，具有 ^吏指定的磁場發生於真空容器2的周圍的線圈及永久磁石 等，利用電子迴旋加速器共鳴等以處理晶圓w亦佳。 又，該發明並非只限定於進行電漿CVD處理之電聚處理 =置，供給高頻電力至蓮篷頭與電納，若為電㈣理如半 導體晶圓及LCD基板、太陽電池基板等被處理體之裝置， 亦可適用於蝕刻裝置、灰化裝置。 又，本發明基於在綱年12月13日巾請之日本國專利申 請期-細83號，包含該說明書、申請專利範圍、圖面夏 ::摘要。於前述申請之說明，於本說明書中，該全體作 為參照而包含。 產業上利用的可能性 該發明係可利用於進行半導體製造裝置、液晶顯示元件 I造裝置等的電漿處理之處理裝置。 【圖式簡單說明】 圖1係為顯示關於該發明的實施形態之電漿處理裝置的 構成一例之圖。 圖2係為顯示設置於真空容器的 例之圖。 呷义电納寺的構成一 82343 -18- 1290811 例及接觸器的内部線路 圖3係為顯示匹配盒的構成一 例之圖。 圖係為顯示真空容器的上部的構成一例之圖。 圖5係為詳細地顯示插座與供電棒的嵌入、 圖6係為了說明安裝匹配盒之動 〇刀 < 圖。 j τρ之圖。 圖7係為顯示線路的等價電路，龙 ^ 輸高頻電力至蓮篷頭者之圖。”係由第2的高頻電源傳 圖8係為了說明關於先前的匹配人、 •益之圖。 圖式代表符號說明】 2 真空容器 2a 底面材料 3 排氣管 4 泵 5 蓮篷頭 6 絕緣材料 8 電納 10 靜電失頭 10a 導電性片 11 加熱器 12 冷卻套 13 導入管 14 排出管 15 散熱板 16 ， 17a ， 17b 内部導體棒 82343 -19. 1290811 18 20，70 21 22 23 24 25 25a ， 25b 25c ， 25d 26a ， 26b 29 30a〜30d 31a-l 31a-2 31b-l 31b-2 31c-l 31c-2 31d-l 31d-2 32 ， 7卜 19 33 34 40 82343 外部導體管 匹配盒 整合電路部 接觸器插入部 接觸器 供電棒引出部 電極 第1、第2電極 第3、第4電極 氣體管 氣體供給源 線路 引出端子 引出端子 引出端子 引出端子 引出端子 引出端子 引出端子 引出端子 供電棒 屏蔽箱 阻抗整合器 插座 -20- 1290811 40a 金屬體 41 嵌入孔 42 覆膜層 50，51 高頻電源 52 直流電源 53 商用電源 55 濾波器電路 70a 接觸子 71a 嵌合穴 82343 -21

Claims (1)

12908 ϊ9!136099號專利申請案 -__Ί 中文申請專繼®替換本(％年6w s日修(大)正本 拾、申請專利範圍： 1. 一種電漿處理裝置，其特徵在於包含： 真空容器，其係用以使用電漿化氣體以處理被處理體 者； 電漿產生用電極，配置於前述真空容器内； 高頻電源，其係產生供給至前述電漿產生用電極之高 頻電力者， 供電棒，其係將經由前述高頻電源產生之高頻電力傳 輸至前述電漿產生用電極者； 匹配盒，其係具有用以將往前述電漿產生用電極側的 輸入阻抗及前述高頻電源的輸出阻抗予以整合之整合 電路者； 接觸器，其係確定位於前述整合電路之高頻電力的輸 出端與位於前述供電棒之面頻電力的輸入端的電氣接 觸者； 其中前述接觸器係構成為可於前述供電棒與前述匹 配盒的定位完成後，確定前述整合電路與前述供電棒的 電氣接觸。 2. 根據申請專利範圍第1項之電漿處理裝置，其中藉由將 前述匹配盒安裝於前述真空容器的外壁，而完成前述供 電棒與前述匹配盒的定位。 3 .根據申請專利範圍第1項之電漿處理裝置，其中前述匹 配盒具備可插入前述接觸器的插入口； 於前述匹配盒安裝於前述真空容器的外壁之狀態 下，藉由將前述接觸器插入至前述插入口，確立前述整 82343-960608.doc 1290811 合電路與前述供電棒的電氣接觸。 (根據申請專利範園第!項之 器，其係加熱於前述真空容二處:理= “接觸器係構成為可確定用以 =， 給之電力提供至前述加熱界的〜f由两用电源所供 5·根據申請專利範園 ° ^風0、接觸者。 配盒’具備搞合器，其係插入連接至前述電漿 广：電棒，將其固定保持於前述阻抗整 十； 覆膜層。 电棒的"入邵分’具備包含絕緣物之 6. 根據申請專利範園第5項之電衆處 合器藉由與料供電棒 〃 + Μ核 電源產生之w/ 合’可將㈣前述高頻 7 ^頻電力供給至前述電漿產生用電極。 7. -種電漿處理裝置，其特徵在於具備： 真空容器’其係用以使用電漿化氣體以處理被處理體 者， ^桌產生用電極，其係配置於前述真空容器内； N頻包源’其係產生供給至前述電漿產生 頻電力者； W 一阻抗正口器’其係耦合於前述電漿產生用電極與前述 高頻電源之間，用以將往前述電漿產生用電極侧的阻抗 及前述高頻電源的輸出阻抗予以整合者；及 耦合器，其係插入連接至前述電漿產生用電極之供電 棒，將其固定保持於前述阻抗整合器者； 82343-960608.doc 1290811 其中前述耦合器，於前述供電棒的插入部分，具備包 含絕緣物之覆膜層。 8.根據申請專利範圍第7項之電漿處理裝置，其中前述耦 合器係藉由與前述供電棒的謗導耦合，可將經由前述高 頻電源產生之高頻電力供給至前述電漿產生用電極。 82343-960608.doc