TWI289481B - Substrate processing apparatus - Google Patents

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TWI289481B
TWI289481B TW093120783A TW93120783A TWI289481B TW I289481 B TWI289481 B TW I289481B TW 093120783 A TW093120783 A TW 093120783A TW 93120783 A TW93120783 A TW 93120783A TW I289481 B TWI289481 B TW I289481B
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TW093120783A
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Yoshinori Takagi
Kentarou Nishioka
Original Assignee
Dainippon Screen Mfg
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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/16Coating processes; Apparatus therefor
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/1303Apparatus specially adapted to the manufacture of LCDs
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67259Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection

Description

1289481 九、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種基板處理裝置技術,其藉由邊從嘴嘴 吐出處理液邊掃描基板,將處理液塗敷於基板表面。更言羊 言之,係關於一種技術,其在喷嘴的掃描中,防止喷嘴與 異物(對象物)相干擾,以高精度地檢出干擾物。 【先前技術】 液晶用玻璃角形基板、半導體晶圓、薄膜液晶用撓性基 板、光罩用基板、濾色器用基板等製程中,可使用塗敷裝 置(基板處理裝置),其用以在各種基板表面塗敷處理液。塗 敷裝置方面,使用具狹縫狀吐出部的狹縫喷嘴進行狹縫塗 層之狹縫塗層法、或施以前述之狹縫塗層後,即進行自旋 塗層之狹縫·自旋塗層法等已為眾所周知。 上述塗敷裝置中,為在狹縫喷嘴前端與基板相接近之狀 悲下’移動狹縫喷嘴或基板而塗敷處理液,藉由在基板表 面附著異物,或在基板與載物台間夾有異物,使基板形成 隆起之狀態,因而產生以下問題: (1) 損傷狹縫喷嘴 (2) 割破基板,或使基板受損 (3) 邊拉開異物邊進行塗敷,形成塗敷不良之原因。 為此,以往係提出一種技術,其在使用狹縫噴嘴之塗敷 裝置中,藉由進行異物檢查,判斷與狹縫喷嘴相接觸之對 象物是否存在,以避免狹縫喷嘴與對象物之衝突。 上述之塗敷裝置,藉由透光型雷射感測器進行干擾物的 94588.doc 1289481 檢出,當該雷射感測器檢出干擾物時,藉由強制結束塗敷 處理,可防止狹縫噴嘴與干擾物相接觸。 圖14至圖17係說明以往之塗敷裝置所使用的透光型雷射 感測器100檢出干擾物的原理概念圖。透光型雷射感測器 100係以在光軸上與投光部101相對配置之受光部102接受 從投光部101射出的雷射光,並藉由該受光量檢出干擾物的 有無。 如圖14所示,透光型雷射感測器1〇〇中,當某些物體(對 象物)存在於光路上時,該對象物可在光路上遮蔽雷射光。 如此,如圖15所示,會減少受光部1〇2之雷射光的受光量。 因此田受光部1 02之受光量比特定的臨限值Q少時,雷射 感測器100可判斷在光路上存在對象物。 但疋,如圖14及圖16所示,隨著雷射光從聚焦位置(最集 中光束的位置··在此所示例中,係投光部丨〇丨的照射開始位 置)偏移至光軸方向,會有使其直徑擴大之性質。如此,如 囷所示,干擾物位於離投光部1 〇 1較遠的位置(直徑擴大 、 置)時,無法遮蔽大部分的雷射光而於受光部102受 光。此時,如圖17所示,由於受光部1〇2之雷射光的受光量 比L限值q多,故即使存在原先應檢出大小的對象物,仍會 發生無法檢出對象物之事態。使用有一般的透光型雷射感 、J器時’可於塗敷處理維持必要精度之範圍係投光部1 〇 1 /父光σ卩1〇2之間隔為最大左右。 亦即,以往之塗敷裝置中,因例如基板的大型化,在雷 射感剩器100中,必須使投光部101與受光部1〇2比較分開配 94588.doc 1289481 置時(使檢出用雷射光的光路變長時),會有以下問題··造成 對受光部1 02側的區域之檢出精度低下。 此外,塗敷裝置之狹縫噴嘴的移動速度係考慮所塗敷處 理液的均勻性等而設定為1〇〇 mm/sec左右。因此,在伴隨 狹縫喷嘴的移動而移動雷射感測器1〇〇之情況,打算檢出數 十μιη對象物時,要求在約1 msec左右間檢出。雷射感測器 之物體檢出’ ϋ常’為防止振動而設定特定時間的延遲定 時,如此,必須在非常短的時間進行檢出時,會有無法設 定延遲定時之問題。亦即 有對象物檢出精度之問題 本發明係鑑於上述課題 的檢出精度低下。 【發明内容】 ,以往之塗敷裝置中,因振動會 〇 而成者,其目的在於防止對象物 ^决上述課題,中請專利㈣^項之發明係—種基相 置’其用以在基板塗敷特定的處理液,其特徵係具 … 、 保持基板;吐出機構,其用以將特 :處=夜吐出至前述保持機構所保持的前述基板; 述吐出機構,並=:=構所保持的前述基板與前 數檢出機構,c出機構對前述基板之掃描;複 掃描範圍所規;之各;=前述吐出機構對前述基板的 制機爐.有效核出範圍所存在的對象物,·及控 ”依據前述複數檢出機構 移動機構;藉由各有 。果拴制則述 構之掃描中與前述吐圍,分擔檢出於前述吐出機 出枝構相干擾之對象物。 94588.doc 1289481
之:外,申請專利範圍第2項之發明係申請專利範圍第lJM ^月之基板處理裝置,其特徵係前述複數檢出機構的檢 一方向相對於前述保持機構所保持的前述基板係呈大致平 :方向,且相對於前述吐出機構的掃描方向係呈大致垂直 向;^各有效檢出範圍係朝前述檢出方向排列。 义 申明專利範圍第3項之發明係申請專利範圍第2項 壯 *板處理虞置’其特徵係前述複數檢出機構係安 衣於前述移動機構。 凡 申明專利範圍第4項之發明係申請專利範圍第2項 =明之基板處理裝置,其特徵係以在與前述吐出機構保 機:對距離的狀態而-體移動之方式,安裝前述複數檢出 丹者 ^甲§月專利範圍第5項之發明係申請專利範圍第2項 ▲板處理$置’其特徵係前述複數檢出機構係透 光型雷射感測器。 卜申明專利靶圍第6項之發明係申請專利範圍第工項 :發明之基板處理裝置,其特徵係前述複數檢出機構的檢 方向相對於前述料機構所保持的前述基板係呈大致垂 ^方向;前述各有效檢出範圍相對於前述吐出機構的掃描 方向係朝大致垂直方向排列。 再者,申請專利範圍第7項之發明係申請專利範圍第6項 之U之基板處理褒置,其特徵係前述複數檢出機構係檢 測與前述檢出方向所存在之對象物的相對距離。 再者,申請專利範圍第8項之發明係申請專利範圍第㈣ 94588.doc 1289481 之發明之基板處理裝置,其特徵係前述複數檢出機構係反 射型雷射感測器。 ' 此外,申請專利範圍第9項之發明係申請專利範圍第6項 之發明之基板處理裝置,其特徵係前述複數檢出機構係反 射型超音波感測器。 再者,申請專利範圍第10項之發明係申請專利範圍第6 項之發明之基板處理裝置,其特徵係以在與前述吐出機構 保持相對距離的狀態而一體移動之方式,安裝前述複數檢 出機構。 # 此外’申請專利範圍第u項之發明係一種基板處理褒 置,其用以在基板塗敷特定的處理液,其特徵係具備:保 持機構,其用以保持基板;„土出機構,其用以將特定處理 液吐出至前述保持機構所保持的前述基板;移動機構,其 用以相對移動前述保持機構所保持的前述基板與前述吐出、 機構’並實行前述◎機構對前述基板之掃描;複數檢出 機構’其用以檢出針對前述吐出機構對前述基板的掃描範 圍所規定之各有效檢出範圍所存在的對象物;及控制機 構’其依據前述複數㈣機構之檢出結果,控制前述移動 機構;前述各有效檢出範圍係設^於大致相同區域,其比 較前述複數檢出機構之檢出結果,以檢出於前述吐出機構 之掃描t與前述吐出機構相干擾之對象物。 此外’中請專利範圍第12項之發明係中請專利範圍第u 項之發明之基板處理裝置,其特徵係前述複數檢出機構的 檢出方向相對於前述保持機構所保持的前述基板係呈大致 94588.doc -10- 1289481 平行方向’且相對於前述吐出機構的掃描方向係呈大 直方 土 0 ’别述各有效檢出範圍係朝前述檢出方向排列。 再者,申請專利範圍第13項之發明係申請專利範圍第12 2之發明之基板處理裝置,其特徵係前述複數檢出機構係 安裝於前述移動機構。 此外,申請專利範圍第14項之發明係申請專利範圍第12 項之發明之基板處理裝置,其特徵係以在與前述吐出機構 保持相對距離的狀態而—體移動之方式,安裝前述複 出機構。 再者,申請專利範圍第15項之發明係申請專利範圍第12 項之發明之基板處理裝置,其特徵係前述複數檢出機構係 透光型雷射感測器。 此外,申請專利範圍第16項之發明係申請專利範圍第u 項之發明之基板處理裝置’其特徵係前述複數檢出機構的 檢出方向相對於前述保持機構所保持的前述基板係呈大致 垂直方向;前述各有效檢出範圍相料前述吐出機構的掃 描方向係朝大致垂直方向排列。 再者,中請專利範圍第17項之發明係巾請專利範圍_ 項之發明之基板處理裝置’其特徵係前述複數㈣機構係 檢測與前述檢出方向所存在之對象物的相對距離。 再者,申請專利範圍第18項之發明孫由 >主 、〜知啊係申请專利範圍第16 項之發明之基板處理裝置,其特徵係俞、+、、〃如认, 寸试係則述稷數檢出機構係 反射型雷射感測器。 此外,申請專利範圍第19項之發明#由& ^^丨》 私乃係甲请專利範圍第i 6 94588.doc 1289481 前述複數檢出機構係 項之發明之基板處理裝置,其特徵係 反射型超音波感測器。 出機構 [發明之效果] 再者’申請專利範圍第20項之發明係申請專利範圍第μ 項之發明之基板處理裝置’其特徵係以在與前述吐出機構 保持相肢㈣狀ϋϋ移動之方式’安裝前述複奸 申請專利第丨錢項之發明中,由於針對吐出機構之 掃描範圍所規定的各有效檢出範圍分擔檢出於吐出機構的 掃描中與吐出機構相干擾之對象物,可防止檢出精度的低 下。 申請專利範圍第11至20項之發明中,由於將針對吐出機 構之掃描範圍所規定的各有效檢出範圍設定於大致相同區 域,比較複數檢出機構之檢出結果,而檢出於吐出機構之 掃桮中與吐出機構相干擾的對象物,可防止振動等所造成 的錯誤檢出,從而可防止檢出精度的低下。 申請專利範圍第2至12項之發明中,由於檢出方向相對於 基板係呈大致平行方向,且相對於掃描方向係呈大致垂直 方向,各有效檢出範圍係朝檢出方向排列,故可 檢出機構之檢出。 數 ^ #申明專利範圍.第3至13項之發明中,由於複數檢出機構係 文裝於移動機構,即使交換吐出機構時,也不需調整檢 機構的位置。 申清專利範圍第4至14項之發明中,由於以在與吐出機構 94588.d〇c -12- Ϊ289481 保持相對距離的狀態而一體移動之方式安裝複數檢出機 構,故不會受到吐出機構姿勢的影響,從而可提升檢出精 度。 申請專利範圍第6至16項之發明中,由於複數檢出機構的 檢出方向相對於保持機構所保持的基板係呈大致垂直方 向,且各有效檢出範圍相對於吐出機構的掃描方向係大致 垂直方向排列,故藉由同一檢出機構,可進行干擾物之檢 出。 申請專利範圍第7至17項之發明中,由於複數檢出機構係 檢測與檢出方向所存在對象物之相對距離,故可進行依據 相對距離之控制。 【實施方式】 以下,參照所添附的圖面,詳細說明本發明之最佳實施 形態。 <:1· 第一實施形態> <1·1 構成之說明> 圖1係本發明第一實施形態之基板處理裝置丨的正面圖。 圖2係基板處理裝置!之檢出感測器45周邊部的放大圖。另 外,圖1及圖2中,為方便圖示及說明,係定義z軸方向為鉛 直方向’ XY方向為水平面;該等係、為便於掌握位置關係而 定義者,並未侷限於以下所說明之各方向。以下之圖亦相 同。 基板處理叙置1係將用以製造液晶顯示裝置的畫面面板 之角形玻璃基板作為被處理基板9〇,在選擇性蝕刻基板9〇 94588.doc -13- 1289481 表面所形成的電極層等之製程中’係構成塗敷裝置,直用 以將光阻液塗敷於基板9G表面1此,本實施形態/,、狹 縫喷嘴㈣對基板90吐出光阻液。另彳,基板處理裝置^ 不只作為液晶顯示裝置用玻璃基板,—般可變形為一種裝 置’其用以將處理液(藥液)塗敷於扁平型面板顯示 種基板。 基板處理裝置i係具備載物台3,其作為用以載置而保持 被處理基板90之保持“,亦可作為附屬之各機構的基台 用。載物台3係直方體形狀的-體石製,其上面(保持面30) 及側面係加工為平坦面。 載物台3上方係形成水平面,其形成基板9〇的保持㈣。 在保持面30係分佈形成有多數真空吸著口(未圖示),在基板 處理裝置1中,處理基板90時’藉由吸著基板90,將基板90 保持於特定的水平位。 在载物口 3上方係係設有架橋構造4,丨係從該載物台3 兩側部分以大致水平方式架設。架橋構造4主要由以下構件 斤構成·噴嘴支持部4〇,其係將碳纖維樹脂作為骨材;升 降板構43、44 ’其用以支持其兩端;及移動機構5。 在噴嘴支持部4 0係安裝有狹縫喷嘴41及間隙感測器4 2。 一朝水平Y軸方向延伸之狹縫喷嘴41係連接吐出機構(未圖 不)其包含用以將藥液(光阻液)供應至狹縫噴嘴41之配管 或f阻用泵。狹縫噴嘴41藉由光阻用泵輸送光阻液,並藉 由知^基板9〇表面,將光阻液吐出至基板9〇表面的特定區 域(以下,稱為「光阻塗敷區域」)。 94588.doc -14- 1289481 在架橋構造4的噴嘴支持部4〇,將間隙感測器42安裝於與 基板90表面相對之位置,以檢出與特定方向(-z方向)的存在 物(例如’基板90或光阻膜)間的距離(間隙),而將檢出結果 傳達至控制部7。 如此,控制部7依據間隙感測器42的檢出結果,可檢出基 板90表面與狹縫喷嘴41之距離。另外,本實施形態之基板 處理裝置1中係具備二個間隙感測器42,但間隙感測器42 數並不侷限於此,此外,也可具備很多的間隙感測器42。 升降機構43、44係分設於狹縫喷嘴41兩側,其藉由噴嘴 支持部40而與狹縫喷嘴41相連結。使用升降機構43、料並 進地升降狹縫噴嘴41,並調整狹縫喷嘴41之丫2平面内的姿 勢。 在架橋構造4的兩端部係固設移動機構5,其係沿著載物 台3兩側的邊緣側而分開配置。移動機構5主要係由以下構 件所構成:一對AC無心線性馬達(以下,簡稱為「線性馬 達」)50 ;及一對線性編碼器5 J。 線性馬達50分別具備固定子及移動子(未圖示),其藉由 固定子與移動子之電磁相互作用,產生用以將架橋^造 4(狹縫喷嘴41)朝乂軸方向移動之驅動力。此外,藉由來自 控制部7的控制信號,可控制線性馬達50之移動量及移動方 向0 線性編碼器5 1分別具備標度部及檢出子(未圖示),其柃 出標度部與檢出子之相對位置關係,以傳達至控制部 檢出子係分別固設於架橋構造4兩端部,標度部係分別固設 94588.doc -15- 1289481 於載物台3兩侧。如此,線性編碼器5 1係具有以下功能:進 行架橋構造4之X軸方向的位置檢出。 在固設於架橋構造4兩側之移動機構5,進一步安裝有檢 出感測器45。圖3係顯示狹縫喷嘴41的掃描範圍E0與檢出感 測器45之有效檢出範圍El至E3的圖。另外,掃描範圍別係 指對基板上之狹縫喷嘴41的掃描範圍。更詳言之,係指藉 由移動機構5朝X軸方向移動,狹縫噴嘴41下端(_z方向的端 部)所描繪的執跡區域(構成面狀區域)中,在基板9〇與狹縫 噴嘴41下端最接近之狀態呈(塗敷光阻液時的間隙)相對之 區域。亦即,掃描範圍E0係指狹縫噴嘴41掃描中,可能使 狹縫噴嘴41接觸對象物之區域。基板處理裝置1中,藉由移 動機構5可將狹縫喷嘴41移動至各種位置,但升降機構43、 44將狹縫喷嘴41維持於充分高度位置而移動時,或移動狹 縫喷嘴41至與基板9〇相對的位置時,狹縫噴嘴“不 象物相干擾。 〃 ^ 本實施形態之基板處理裝置π,係具備三個檢出感測器 45(450、451、452)。各檢出感測器45的檢出方向係γ轴方 各檢出感測器45係朝Χ軸方向排列。此外,可藉由操作 貝调整各檢出感測器45的2軸方向位置。 ㈣规心450係由投光部45〇a與受光心·所構成 光部娜接收來自投光部伽所照射的雷射光,並❼ 以輸出至控制部7。亦即,檢出感測器卿 雷射感測器之功能,其用以進行檢出方❼ 、欢 另外,有關檢出感測器451、452,由於》 94588.doc 1289481 造與功能係相同,故省略說明。 如圖3所示,檢出感測器45〇、452係將投光部45以、452a 配置於基板處理裝置㈣^侧,將受光部4邊、45此配置於 基板處理裝置1的+Y側。另一方面,檢出感測器451係將投 光P 45 1 a配置於基板處理裝置丨的+γ側,將受光部d ^配置 於基板處理裝置1的· γ側。 檢出感測器450係將其雷射光集中於γ軸方向的大致中央 位置,在該位置係以可得到有效檢出精度(本實施形態中, 係可檢出100 μιη左右大小的對象物之精度)之方式而設 定。在該狀態下,因檢出感測器45〇伴隨移動機構5的移動 而移動至X軸方向,故檢出感測器45〇可檢出所希望大小的 對象物之範圍(可高精度檢出之範圍,以下,稱為「有效檢 出範圍」)係有效檢出範圍Ε2所示之區域。 檢出感測器451將其雷射光集中於γ軸方向的+丫侧,在該 位置係以可得到有效檢出精度之方式而設定。在該狀態 下’因仏出感測器45 1伴隨移動機構5的移動而移動至X軸方 向,故檢出感測器45 1的有效檢出範圍係有效檢出範圍ε 1 所不之區域。 檢出感測器452將其雷射光集中於γ軸方向的_¥側,在該 位置係以可得到有效檢出精度之方式而設定。在該狀態 下’因檢出感測器452伴隨移動機構5的移動而移動至X軸方 向’故檢出感測器452的有效檢出範圍係有效檢出範圍Ε3 所不之區域。 另外’各檢出感測器45也可在各有效檢出範圍以外的區 94588.doc -17- 1289481 域:欢出相當大的對象物。其意係指各檢出感測器45中 有效才欢出範圍以外的區域亦為檢出範圍。但是,如圖 θ…兒月所述,各檢出感測器45在各有效檢出範圍以外 的區域中,可檢出所希望大小的對象物卻不能檢出較 對象物等,故無法保證其精度。 、 如此’各檢出感測器450、451、452中,藉由將集 光的位置分別設定於γ軸方向不同處’在基板處理裝置】 中,使有效檢出範圍以至幻可分別朝檢出方向(γ抽方向 排列。亦即,針對狹縫噴嘴41的掃描範圍e〇而規定各有戈 ,出範圍職幻的¥軸方向位置。如此,可在各檢出感測 器的有效k出範圍E1至E3分擔檢查狹縫噴嘴41的掃描範 圍E0’當所希望大小的對象物存在時,藉由任—檢出感測 器45可檢出其存在。 詳細如後述,控制部7藉由檢出感測器45檢出對象物時, 將其判斷為干擾物(與狹时嘴叫目接觸的對象物)。因此, 本實施形態之基板處理裝置!在掃描範圍別内的任一位置 可高精度地檢出干擾物。另外,各有效檢出範圍£1至的也 可設定為部分區域相互重複。 此外’各檢出感冑器45係相對於狹縫喷嘴41(係指狹縫喷 嘴41移動掃描範_時的移動方向,本實施形態中為⑼ 方向)而酉己置於掃描方向的前方位置(參照圖6及圖7),伴隨 狭縫喷嘴4WX軸方向的移動,邊朝同方向移動邊進行干擾 物的檢出。另外,利用移動機構5,依據狹縫喷嘴41的移動 速度及控制部7的運算速度,設定檢出感測器45與狹縫喷嘴 94588.doc 18 1289481 41的相對距離。亦即,控制部7依據檢出感測器45的檢出,士 果控制移動機構5時,形成可充分迴避對象物與狹縫喷如 相接觸之距離。 回到圖1 ’控制部7依照程式而處理各種資料。控制部7 藉由未圖示之電緵而與基板處理裳以的各機構相連,其依 據間隙感測器42、線性編碼器51及檢出感測器45等的輪 入,控制載物台3、升降機構43、44及移動機構5等的各構 成。 尤其,控制部7依據來自各檢出感測器45的輸入,運算各 受光部450b、451b、452b之雷射光的受光量,再藉由與預 口又的fe限值Q相比,判斷在各有效檢出範圍E丨至E3内是否 存在對象物。本實施形態之基板處理裝置1中,控制部7判 斷存在對象物時,可看作該對象物係與狹縫喷嘴41相接觸 之干擾物,為避免其接觸,停止移動機構5(線性馬達5〇)。 另外’有關檢出干擾物時之控制部7的控制動作係如後述。 此外’控制部7係連接未圖示之操作部(操作面板、鍵盤 等)及顯示部(液晶顯示器或顯示紐等),其經由操作部接受 來自操作員的指示,且藉由在顯示部顯示必要的資料,將 基板處理裝置1的狀態等通知操作員。 以上係本實施形態之基板處理裝置1的構成說明。 <1· 2 調整作業> 首先,基板處理裝置1中,對基板90進行塗敷光阻液之處 理前’進行各檢出感測器45的Z軸方向的位置調整作業。各 檢出感測器45的位置調整係使用具1〇 μπι以下的定位精度 94588.doc -19- 1289481 之微測量儀,調整各z軸方向的位置大致相同。 各檢出感測器45可調整其雷射光的光路的位置,使其位 於車父基板90表面(+Z)方向的位置,以不會將正常狀態下保 持於載物台3的基板90誤檢出為干擾物。亦即,邊考慮基板 90的厚度,邊以載物台3的保持面30為基準進行位置調整。 此時,最好考慮基板90的厚度均勻性(通常,係設計厚度的 ±1%以内)或保持面3〇的平坦加工精度等而進行調整。如 此’可將有效檢出範圍E1至E3調整為較基板90表面的(+Z) 側。 此外’基板處理裝置1中,為防止狹縫喷嘴4丨與對象物相 接觸,必須檢出較掃描範圍E0之(_Ζ)側所存在的對象物。 因此’可調整各檢出感測器45的Ζ軸方向位置,以使有效檢 出範圍Ε1至Ε3包含較掃描範圍Ε0之(-Ζ)侧的區域。 如此,基板處理裝置1中,藉由針對狹縫噴嘴41的掃描範 圍Ε0進行各檢出感測器45的ζ軸方向的位置調整,當可能與 狹縫噴嘴41相接觸之對象物不存在時,任一檢出感測器45 不會於中途遮蔽其雷射光而可受光。另一方面,可能接觸 之對象物存在時,藉由該對象物,可遮蔽任一檢出感測器 45的雷射光。 另外,改變所處理基板9〇的厚度時,或改變所希望光阻 液的膜厚時,在實行塗敷處理前,最好再度進行此處所述 的位置調整作業。 <1· 3 動作之說明> 其-人,說明基板處理裝置丨的動作。圖4及圖5係顯示基板 94588.doc -20- 1289481 處理裂置1之塗敷處理動作的流程圖。另外,以下所示各部 分的動作控制若無特別指定,可由控制部7進行。 板處理义置1中,藉由操作員或未圖示之搬送機構,將 基板90搬送至特定位置,以開始光阻液的塗敷處理。另外, 用以開始處理之指示也可在完成基板90搬送的時點,藉由 操作員操作操作部而輸入。 百先,載物台3吸著基板90而保持於保持面30上的特定位 置。其次,藉由移動狹縫噴嘴41,將間隙感測器42移動至 用以檢測與基板90的間隙之檢測開始位置(步驟S11)。藉由 使幵壓機構43、44將狹縫噴嘴41的高度位置調整至檢测高 度,並使線性馬達50將架橋構造4調整至χ軸方向,進行該 動作。 間隙感測器42完成移動至檢測開始位置時,線性馬達5〇 使架橋構造4移動至(+χ)方向。如此,間隙感測器42邊保持 特定的檢測高度,邊檢測基板9〇表面的塗敷區域之基板 表面與狹縫喷嘴41的間隙(步驟S12)。另外,塗敷區域係指 基板90表面中打算塗敷光阻液之區域,通常,係指從基板 90全面積’沿端緣的特定寬度的區域以外之區域。此外, 進仃間隙感測器42之檢測時,為了不使狹縫喷嘴41接觸基 板90或稱為異物之干擾物,在基板處理裝置}中,係充分確 保檢測面度之狹縫噴嘴41與保持面3〇間的Z軸方向距離。 間隙感測器42的檢測結果可傳達至控制部7。接著,控制 部7使所傳達間隙感測器42的檢測結果與線性編碼器51所 檢出水平位置(X軸方向的位置)相關連而保存於記憶部。 94588.doc -21 - 1289481 完成間隙感測器42之掃描(檢测)時,線性馬達5〇將架橋 構造4移動至X軸方向,並將檢出感測器扑移動至基板卯的 而P位置(步驟s 13)。另外,端部位置係指檢出感測器45中 存在於最(-X)側之檢出感測器4S(本實施形態中係檢出感測 器452)的光軸大致沿著基板9〇的(+幻側邊之位置。再者, 藉由間隙感測器42的檢測,判斷基板9〇的厚度未在指定範 圍以内時,基板處理裝置1在顯示部等顯示警報,並將狹縫 噴嘴41移動至待機位置,以將檢出異常的基板卯排出。 檢出感測器45移動至端部位置時,控制部7藉由停止線性 馬達50,停止架橋構造4。又,依據來自間隙感測器“的檢 測結果,算出用以使狹縫喷嘴41之丫2平面的姿勢形成適當 姿勢(為在狹縫喷嘴41與塗敷區域之間隔塗敷光阻,形成適 當間隔(本實施形態中係50〜2〇〇 μιη)之姿勢。以下,稱為 「適當姿勢」。)之喷嘴支持部40的位置,並依據算出結果, 分別控制升降機構43、44,以將狹縫喷嘴41調整為適當姿 勢。 由於基板處理裝置1的檢出感測器45係比狹縫喷嘴41配 置於(-Χ)側,故檢出感測器45位於端部位置之狀態中,狹 縫噴嘴41移動至不與基板9〇相對之位置。因此,檢出感測 器45在端部位置之狀態中即使將狹縫喷嘴41移動至(_ζ)方 向而調整為適當姿勢,狹縫喷嘴41幾乎沒有與干擾物相接 觸之危險性。 結束狹縫噴嘴41的姿勢調整時,控制部7開始檢出感測器 45之干擾物的檢出(步驟S 14)。此外,驅動線性馬達50,邊 94588.doc -22- 1289481 將架橋構造4移動至(-X)方向(步驟S21),邊依據來自各檢出 感測器45的輸出,判斷是否檢出有干擾物(步驟S22)。判斷 由任一檢出感測器45檢出干擾物時,進行步驟S27以後的處 裡,防止狹縫噴嘴41接觸干擾物者係如後所詳述。 另一方面’未檢出干擾物時,依據線性編碼器5丨的輸出, 控制部7邊確認狹縫喷嘴41的位置,邊反覆進行步驟S21至 S23的處理,直到狹縫喷嘴41移動至吐出開始位置為止。另 外,吐出開始位置係指狹縫喷嘴41大致沿著塗敷區域(+χ) 側邊之位置。 如此,控制部7藉由控制檢出感測器45之干擾物檢出的檢 出開始位置,針對掃描範圍Ε〇規定各有效檢出範圍Ε丨至ε3 之(+Χ)側的位置。 狹縫喷嘴41移動至吐出開始位置時,藉由光阻用泵(未圖 不)將光阻液送至狹縫噴嘴4丨,狹縫喷嘴4〗將光阻液吐出至 塗敷區域。伴與其吐出動作,線性馬達將狹縫喷嘴4^ 移動至(-X)方向(步驟S24)。如此,藉由狹縫喷糾掃描基 板90的塗敷_,並塗敷光阻液。肖步驟似的移動動作並 藉由控制部7,進行是否檢出干擾 行,與步驟S22相同 之判斷(步驟S25)。 圖6及圖7係顯示檢出感測器45檢出干擾物的情況圖。圖6 係顯示基板90為干擾物之例。在載物台3的保持面%上存在 特定^小以上的異物而時’藉由該異物NG使基板9〇為隆起 之狀L絲成基板9G的方向位置與狹縫噴嘴41相 之位置。 94588.doc -23- 1289481 如圖3所示,本實施形態之基板處理裝置1中,藉由複數 =出感測器450、451、452,將狭縫噴嘴41的掃描範圍E〇 分割為各有效檢出範圍El至E3而檢查。因此,不管異物N(} 的Y軸方向位置為何,藉由三個檢出感測器450、451 ' 452 的任仏出感測器45的受光量為臨限值q以下,可檢出該 干擾物之存在。 〜 複數檢出感测器450、451、452係確保各有效檢出範_ 至Ε3之必要檢出精度。因此,在有效檢出範圍Η〗存在特定 2小以上的對象物時,例如,即使檢出感測器、牦$未 檢出,也可由檢出感測器451檢出。 如此,基板處理裳置”,即使掃描範圍別的·方向寬 度比各個檢出感測器45的有效檢出範圍廣,不會如以往之 =置所示使檢出精度低下,而可高精度地進行干擾物的檢 亦即’使用有效檢出範圍較窄的檢出感測器45 t 精度地檢出干擾物。 ° 此外,如圖6所示,各檢出感測器45係相對於掃描方向而 配置於狹縫噴嘴4 1 66今He η 、 々則方。因此,控制部7可在干擾物血狹 縫喷嘴41相接觸前檢出 俊物”狹 J ^ 另外,如圖7所示,藉由旦你
附著於基板90表面,即佶里%\了广/、 、物NG 一物NG形成干擾物時,同樣古 精度地檢出該干擾物。 丨J像了冋 步驟S25中,批在丨丨却7 工制邛7判斷檢出干擾物
Yes),控制部7藉由佟丨卜綠从圧土 ^ 25 ^ 至(X访,停止狹”嘴41移動 μ Α 並在顯示部等輸出警報(步驟S27)。 如政,土板處理裳置1中,於狹縫噴嘴41移動中由檢出感 94588.doc -24- 1289481 測器4 5檢出+ :{展^ j 炎物時,因直接停止狹縫喷嘴4丨的移動,故 可防止狹縫喷嘴41與干擾物相接觸。因此,可有效防止狹 縫噴嘴㈣基板鱗因接觸而破損。 ^ 藉由輪出警報,可將異常通知操作者,故可有效 π: 2仃復原作業等。另外,也可使用任何方法使操作者 吕報知知異常事態的發生,也可由麥克風等輸出警報 聲。 —γ驟S27的實行後’停止光阻用泵而停止光阻液的吐出, "、友陸馬達50及升降機構43、44,可將狹縫喷嘴41退避 待機位置(步驟S28)。再者,從基板處理裝置工搬出基板 9〇(步驟S29)。另外,在步驟似中檢出干擾物時,由於光 P液的土出尚未開始,故無法進行停止光阻液吐出之處 理。此外,實行步驟S27結果而搬出之基板90,與其他基板 區另i再由操作者或搬送機構搬送至再處理工序。又, 如圖6所示,由於考慮異物NG附著於載物台3,故實行步驟 S27時,最好進行載物台3的清潔。 另一方面’在步驟S25中未檢出干擾物時(步驟S25中 No),依據線性編碼器51的輸出,控制部7邊確認狹縫喷嘴 41的位置,邊反覆進行步驟824至26的處理,直到狹縫喷嘴 41移動至吐出結束位置為止(步驟S26)。如此,干擾物不存 在時,對塗敷區域全域進行狹縫喷嘴41之掃描,並在該塗 敷區域全域之基板9〇表面上形成光阻液之層。 狹縫噴嘴41移動至吐出結束位置時,控制部7停止光阻用 泵而停止光阻液的吐出,並藉由線性馬達5〇及升降機構 94588.doc •25- 1289481 43 44,將狹縫噴嘴41退避至待機位置(步驟s28)。與該動 作並行’控制部7停止各檢出感測器45之干擾物的檢出。如 此,控制部7藉由控制檢出感測器45之干擾物檢出的檢出結 束位置,針對掃描範圍E〇規定各有效檢出範圍^至们之卜乂) 側的位置。 此外,載物台·3停止基板9〇的吸著,操作者或搬送機構從 保持面30拿起基板9〇,並將基板9〇搬出至其次的處理工序 (步驟S29)。 另外,在結束塗敷處理之時點,也可進行光阻液膜厚的 檢查處理。亦即,藉由升降機構43、44使噴嘴支持部4〇移 動至(+ζ)方向,將間隙感測器42移動至檢測高度。又,藉 由線性馬達50將架橋構造4移動至(+Χ)方向,使間隙感測器 42掃描塗敷區域,並檢測與基板9〇上所形成光阻膜之間 隙,以傳達至控制部7。控制部7藉由比較塗敷光阻液前所 檢測之間隙值(與基板90表面之距離)與塗敷光阻液後所檢 測之間隙值(與光阻膜表面之距離),算出基板9〇上的光阻膜 厚度,並在顯示部等顯示算出結果。 結束基板9 0的搬出處理(步驟s 2 9 ),進一步連續對複數件 基板90進行處理時,回到步驟S11而重複實行處理,應處理 之基板90不存在時,即結束處理(步驟S30)。 以上,如說明所述,本發明第一實施形態之基板處理裝 置1中,藉由在狹縫喷嘴41掃描中,以各有效檢出範圍Ει 至E3分擔檢出與狹縫喷嘴41相干擾之對象物,可防止如以 往之裝置所示之雷射光光束擴大所造成檢出精度的低下。 94588.doc •26- 1289481 可高精度 因此,藉由有效檢出範圍較窄的檢出感測器45 地進行干擾物的檢出。 此夕卜 囚複数檢出感測器45的檢出方向相對於载物Μ 所保持的基板90係呈大致平行方向,且相對於狹縫喷仙 之掃描方向係呈大致垂直方向,各有效檢出範圍⑽的係 朝檢出感測器45的檢出方向排列,故可由比較少數的檢出 機構檢出干擾物。 再者,因複數檢出感測器45係安裝於移動機構5,即使交 換狹縫噴嘴41時,也不需再度進行檢出感測器仰位置調 整,而可使作業效率化。 另外,本實施形態之基板處理裝置^,係說明以三個檢 出感測11 45(450、451、452)檢查狹縫㈣41的掃描範圍 E〇,但檢出感測器45數並不侷限於此。以下,第二實施形 態中亦相同。 又,檢出感測器45所照射雷射光的光束形狀也可為點型 或線型。以下之實施形態中亦相同。 <2.第二實施形態> 第貫鈿形態中,係構成複數檢出感測器45安裝於移動 機構5,但檢出感測器45的安裝位置並不侷限於此,只要能 檢出干擾物之位置,安裝於何處均可。 圖8係依據上述原理而構成之第二實施形態之基板處理 裝置la的檢出感測器45周邊部的放大圖。如圖8所示,基板 處理裝置la係將檢出感測器45安裝於噴嘴支持部⑽。與上 述實施形恶相同,狹縫噴嘴41係固設於噴嘴支持部4〇,狹 94588.doc -27- 1289481 縫噴嘴4丨係與噴嘴支持⑽—體移動。在噴嘴支持部仰係 口》又有狹縫噴嘴4 1。因此,複數檢出感測器45在與狹縫喷 噶41保持相對距離的狀態下一體移動。 如上述實施形態之說明所述,作為透光型雷射感測器之 檢出感測器45分別具有投光部與受光部,藉由配置該等而 使Y軸方向作為光軸而相對,構成一個感測器。因此,圖8 中’只顯示可配置於檢出感測器45中之·γ側之部分(任一各 檢出感測器45的投光部或受光部),但在狹縫喷嘴41的作 側也可安裝檢出感測器45。 另外基板處理裝置1 a除了將檢出感測器45安裝於喷嘴 支持。卩40外,亦具有與第一實施形態之基板處理裝置1大致 相同的構成。此外’基板處理裝置1&的動作亦與基板處理 装置1大致相同。但是,基板處理裝置1中,係以載物台3 的保持面30之位置為基準而進行各檢出感測器45的z轴方 向的位置調整作業;而基板處理裝置1&中’係以狹縫喷嘴 41的(-Z)側端部為基準而進行檢出感測器“的三軸方向的 位置調整作業。 如上所述,如第二實施形態之基板處理裝置&所示,即 2將檢出感測器45安裝於喷嘴支持部4〇,也可得到與第一 實施形態之基板處理裝置丨大致相同的效果。 此外,藉由以在與狹縫噴嘴41保持相對距離的狀態下一 體移動之方式安裝複數檢出感測器45,一旦進行檢出感測 器45與狹縫噴嘴41之相對距離的調整後,不論狹縫喷糾 的姿勢(主要是Z軸方向的位置),其相對距離係固定,故可 94588.doc -28- 1289481 &升檢出精度。再者,基板處理裝置1 a中,即使改變所處 理基板90的厚度,也可達成作業效率化,而不需再度進行 位置調整作業。 另外’本實施形態之基板處理裝置lat,係說明檢出感 測器45安裝於喷嘴支持部4〇,但例如也可直接將檢出感測 器45安裝於狹縫喷嘴41。 <3· 第三實施形態> 上述之實施形態中,其構成係使用透光型雷射感測器作 為檢出感測器45,將雷射光照射至γ軸方向(相對於基板9〇 表面之大致平行方向),藉由是否遮蔽其雷射光,以檢出干 擾物;但用以檢出可能與狹縫喷嘴41相接觸的對象物之方 法並不限於此。 圖9係依據上述原理而構成之第三實施形態之基板處理 裝置lb的背面圖。 如圖9所示,本實施形態之基板處理裝置lb係在沿著喷嘴 支持部40的(_X)側的Y軸方向配置有複數檢出感測器45。但 疋’圖9中’只圖示部分的檢出感測器4 5 a。如此,藉由配 置複數檢出感測器45a,各有效檢出範圍係針對狹縫噴嘴4 j 之掃描方向而朝大致垂直方向排列。另外,基板處理裝置 lb除了使用檢出感測器45取代檢出感測器45a外,亦具有與 第一實施形態之基板處理裝置1大致相同的構成。 檢出感測器45a係一般的反射型雷射感測器,其檢出方向 為(-Z)方向(相對於基板90表面之大致垂直方向)。由檢出感 測器45a的投光部(未圖示)而照射之雷射光,藉由存在於(_z) 94588.doc -29- 1289481 :向之對象物而反射,再藉由檢出感測器45a的 而受光。如此’檢出感測器45a檢測直到反 k對象物之間隙(距離),並傳達至控制部7。亦即,= =感測器4 5 a係具有作為檢距感測器的功能,其㈣檢^ 在於(-Z)方向的對象物之距離。 、 —各檢出感測器4 5 a的有效檢出範圍的γ軸方向寬度係比第 —、第二實施形態之有效檢出範圍Ε1至Ε3窄。但是,藉由 將檢出感測器45a緊密地朝丫軸方向排列,可由配置於;轴 方向之有效檢出範圍分擔檢查掃描範圍E〇,並檢出所希望 大小的干擾物。 本實施形態之基板處理裝置i的動作’由於與圖4及圖5 所不第一實施形態之基板處理裝置丨的動作大致相同,故省 略詳細說明,但步驟S22及步驟S25之判斷係與以下所示者 不同。 步驟S22及步驟S25中,首先,控制部7依據各檢出感測器 45a的檢測結果,運算狹縫喷嘴41與對象物之相對距離。此 時所求出之相對距離存在特定值L〇#下者時,判斷檢出干 擾物’並實行與第一實施形態相同之步驟S27以下的處理。 另一方面’所求出之相對距離為特定值L1但比特定值l〇大 時,邊顯示對操作者之警告,並繼續處理。 如此’基板處理裝置lb藉由檢出感測器45a為檢距感測 器’可進行依據狹縫喷嘴41與對象物之相對距離的控制。 另外’特定值L1及特定值L0係預設為滿足LI > L0關係之 值0 94588.doc -30- 1289481 以上,如說明所述,本發明第三實施形態之基板處理裝 置lb中,可得到與上述實施形態之相同的效果。 此外,因複數檢出感測器45a的檢出方向相對於保持於載 物台3的基板90係大致垂直方向,各有效檢出範圍相對於狹 縫喷嘴41之掃描方向係朝大致垂直方向排列,故藉由同一 檢出感測器(不需設定不同的各有效檢出範圍)可構成複數 檢出感測器45a。 另外,若檢出感測器45a能檢測與存在於卜2)方向的對象 物之相對距離者,也可為使用任一原理者。例如,也可為 超曰波感測器’其藉由射出超音波而檢測相對距離。 <4· 第四實施形態> 上述貫施形悲中,係說明一種方法,其藉由將併有複數 檢出感測器的有效檢出範圍之區域作為基板處理裝置的有 效檢出範圍,且複數檢出感測器的有效檢出範圍分擔檢查 狹縫喷嘴的掃描範圍,防止干擾物的檢出精度低下。但是, 藉由上述檢出感測器檢出干擾物時,防止其檢出精度低下 之方法並不侷限於此。例如,藉由防止檢出感測器的振動 所造成之錯誤檢出,也可防止干擾物的檢出精度低下。 圖W係顯示依據上述原理而構成之第四實施形態之基板 處理裴置lc的狹縫喷嘴41與檢出感測器453、454之圖。 檢出感測器453、454係彼此具相同構成之透光型雷射感 ’則态:,與第-實施形態之基板處理裝置1(圖1)相同,受光部 與投光部係固設於移動機構5,以相對於Y軸方向。此外, 如圖1〇所不’檢出感測器453與檢出感測器454係按間隔$ 94588.doc -31- 1289481 而朝X轴方向排列。另外,本實施形態中,間隔占係50 mm 左右。再者,檢出感測器453、454與第二實施形態之基板 處理裝置1 a相同,也可分別安裝於噴嘴支持部4〇。 圖11係顯示本實施形態之掃描範圍ELO與有效檢出範圍 ELI、EL2之XY平面上的位置關係圖。另外,在此,基板91 的Y軸方向寬度係比基板90窄,檢出感測器453、454係於Y 轴方向具充分檢出精度者。 以移動機構5將檢出感測器453移動至(-X)方向而檢出干 擾物之區域係圖11中粗線矩形所示有效檢出範圍el丨的區 域。此外,檢出感測器454檢出干擾物之區域係圖〗丨中虛線 矩形所示有效檢出範圍EL2的區域。 如前所述’二個檢出感測器453、454係按間隔5而朝χ 軸方向排列。因此,如圖U所示,有效檢出範圍EL1與有效 檢出範圍EL2係嚴密地偏移間隔5而位於χ軸方向。但是, 由於間隔6比有效檢出範圍EL1、£乙2的又軸方向長度短, 故有效檢出範圍ELI與有效檢出範圍EL2係形成與該區域 幾乎重複之區域,其可看作為大致相同區域。 詳細如後所述,本實施形態之控制部7與檢出感測器 453、454相比,任一檢出感測器453、4M所檢出的干擾物 存在時,判斷為「檢出干擾物」。因此,由於只由任一檢 出感測器453、454進行檢查之區域無法比較結果,故無法 形成基板處理裝置1c的有效檢出範圍。亦即,基板處理裝 置k中,有效檢出範圍EL1與有效檢出範圍el2相重複之區 域中,藉由進行對象物的檢出,檢查掃描範圍£乙〇。 94588.doc -32- 1289481 其次’說明本實施形態之基板處理裝置丨c的動作。另外, 基板處理裝置卜的動作中,與基板處理裝置1的動作(圖4及 圖5所不之動作)大致相同者係省略詳細說明。此外,由於 才欢出感測器453、454的Z軸方向位置調整亦依照第一實施形 態而進行,故省略說明。 土板處理竑置lc中,控制部7在圖5所示步驟及S25 中,依據檢出感測器453、454的檢出結果而判段為檢出干 擾物之動作係與上述實施形態不同。 圖12係顯示檢出感測器453的檢出結果例之圖。圖η係顯 示=12所示例中檢出感測器4 5 4的檢出結果例之圖。基板處 理裝置le中,藉由實行步驟S14,開始檢出感測器453、心 的干擾物檢出,且實行步驟S21或步驟S24時,檢出感測器 453、454邊移動至(_幻方向,邊進行干擾物的檢出。 控制部7為比較檢出感測器453的檢出結果與檢出感測器 454的檢出結果,對檢出感測器454的檢出結果進行時差心 的修正。基板處理裝置1十檢出感測器453與檢出感測器 454係按間隔$而朝χ軸方向排列。因此,直到檢出感測器 454檢查由檢出感測器454所檢查之區域為止,會產 ΔΤ。 在此,使用移動機構5之檢出感測器453、454的移動速度 V、檢出感測器453與檢出感測以54之間隔5、及程式择^ 的誤差分α(常數),控制部7由式4 。 田 ΔΤ= d/V+α .......Si 控制部7將來自檢出感測器453的輸出只延遲式】所求出 94588.doc -33- 1289481 的時差ΔΤ而與檢出感測器454的輸出相比。如此,相互比較 檢出感測器453、454的相同位置之檢出結果。 由於對干擾物的基板91之相對位置沒有變化,故實際上 存在干擾物時,即使藉由經過時差AT後進行檢查之檢出感 測器454,在X軸方向的相同位置也可檢出對象物。如此, 控制部7確認由檢出感測器453所檢出的干擾物是否可由檢 出感測器454檢出。接著,任一檢出感測器453、454於相同 位置之受光量比臨限值Q少時,判斷為存在干擾物(步驟S22 或步驟S25中為Yes)。 如此,檢出感測器453中,例如輸出因產生振動而使受光 置減少之檢出結果時’由於與延遲該檢出結果而進行檢出 之檢出感測器454的輸出相比較確認,故可防止干擾物的錯 誤檢出。同樣地’檢出感測器454中,即使產生振動,由於 與預先檢出之檢出感測器453的輸出相比較確認,故可防止 檢出感測器453、454之振動所造成檢出精度的低下。 基板處理裝置1 c中,檢出干擾物時的動作及未檢出干擾 物時的動作係分別與基板處理裝置1相同。 如上所述,第四實施形態之基板處理裝置丨c係與上述實 施形態之基板處理裝置1、la、lb相同,可防止干擾物的檢 出精度低下。 尤其’藉由複數檢出感測器的有效檢出範圍,檢查狹縫 噴嘴的掃描範圍’並比較其檢出結果,可防止振動所造成 的錯誤檢出,並防止檢出精度低下。 另外,第四實施形態之基板處理裝置lc將大型基板9〇作 94588.doc -34- 1289481 ::被處理基板呀’例如可藉由第一實施形態所示檢出感測 (複數^出感測益)構成檢出感測器453,且同樣地藉由 檢出感測器45構成檢出感測器454,以可相對應。 <5· 變形例> 以上,係說明本發明之實施形態,但本發明並不侷限於 上述貫施形態,其可作多樣變形。 例如,藉由使γ轴方向的位置相等’且朝χ軸方向排列的 -個檢出感測器構成第三實施形態所示各檢出感測器 h,並比較該等的檢出結果作為各檢出感測器45a的檢出 =果’即使檢线測器的檢出方向相對於基板表面呈大致 直’也可防止振動所造成的錯誤檢出,並防止檢出精 低下。 乂外’第四實施形態所示檢出感測器453、454 位置調整作業中,也可崧士、* Π & ^、 了構成為使檢出感測器453的位置、檢 $測裔454的位置設定不同,以檢ώζ軸方向不同位置 =物,’將㈣_器453的位置調整為⑽侧^ :出感測益454的位置調整為(_ζ)側。此時 器453檢出對象物時,判斷 出汉測 而持續處理。又,由檢=所造成的「錯誤檢出」 產生-些某些凹凸者而只進行警告為 感測器453、454檢出對象物拉 兩方的檢出 ㈣料參針/ 判斷為用以接觸狹縫嗔嘴 々對象物存在,即停止處理。亦即,依據檢出 、 454的檢出結果,可更加進行依狀 厂 、 【圖式簡單說明】 制。 94588.doc -35- 1289481 圖1係本發明第-實施形態之基板處理裳置的正面圖。 部:Γ大第圖一實施形態之基板處理裝置的檢出感測器周邊 圖3係從+Z方向觀察狹縫噴嘴的掃描範圍圖❶ 圖4係顯示基板處理裝置之塗敷處理動作的流程圖。 圖5係顯示基板處理裝置之塗敷處理動作的流程圖。 圖6係顯示檢出感測器檢出干擾物的情況圖。 圖7係顯示檢出感測器檢出干擾物的情況圖。 圖8係第二實施形態之基板處理裝置的檢出感測器周邊 部的放大圖。 圖9係弟二貫施形態之基板處理裝置的背面圖。 圖10係顯示第四實施形態之基板處理裝置的狹縫噴嘴與 檢出感測器圖。 圖11係顯示第四實施形態之掃描範圍與有效檢出範圍之 XY平面的位置關係圖。 圖12係顯示檢出感測器的檢出結果例之圖。 圖13係顯示圖12所示例中,另一檢出感測器的檢出結果 例之圖。 圖14係用以說明以往之塗敷裝置所使用的透光型雷射掃 描器檢出干擾物的原理概念圖。 圖15係用以說明以往之塗敷裝置所使用的透光型雷射掃 描器檢出干擾物的原理概念圖。 圖16係用以說明以往之塗敷裝置所使用的透光型雷射掃 描器檢出干擾物的原理概念圖。 94588.doc -36- 1289481 圖1 7係用以說明以往之塗敷裝置所使用的透光型雷射掃 描器檢出干擾物的原理概念圖。 【主要元件符號說明】 1、la、lb、lc 基板處理裝置 3 載物台 30 保持面 4 架橋構造 40 喷嘴支持部 41 狹縫喷嘴 42 間隙感測器 43、44 升降機構 45、45a、450、45 卜 452、453、454 檢出感測器 5 移動機構 50 線性馬達 51 線性編碼器 7 控制部 90、91 基板 E0、ELO 掃描範圍 E 卜 E2、E3、EU、 EL2 有效檢出範圍 94588.doc -37-

Claims (1)

1289481 十、申請專利範園: 其特徵為在基板塗敷特定的處理 1 · 一種基板處理裝置 液,且具備: 理液吐出至前述保持機構所 保持機構,其係保持基板 吐出機構,其係將特定處 保持的前述基板; 移動機構,其係相對移動前述保持機構所保持的前述 基=前述吐出機構,並執行前述吐出機構對前述基板 之知描; 、複數檢出機構,其係檢出存在於對前述吐出機構對前 述基板上的掃描範圍所規定之各有效檢出範圍的對象 物;及 出結果,控 控制機構,其依據前述複數檢出機構之檢 制前述移動機構,· T據前述各有效檢出範圍,分擔檢出於前述吐出機構 之掃描中與前述吐出機構干擾之對象物。 2·如請求項1之基板處理裝置,其中 别述複數檢出機構的檢出方向對於前 ^ ^ . 义饰持機構所保 =的别述基板係大致平行方向,且對於前述吐出機構的 和“方向係大致垂直方向; 月ίι述各有效檢出範圍排列於前述檢出方向。 3 ·如請求項2之基板處理裝置,其中 蝻述複數檢出機構係安裝於前述移動機構。 4·如請求項2之基板處理裝置,其中 94588.doc 1289481 以在與前述吐出機構保持相對距離的狀態而一體移動 之方式,安裝前述複數檢出機構。 5·如請求項2之基板處理裝置,其中 前述複數檢出機構係透過型雷射感測器。 6 ·如請求項1之基板處理裝置,其中 前述複數檢出機構的檢出方向對於前述保持機構所保 持的前述基板係大致垂直方向; 前述各有效檢出範圍對於前述吐出機構的掃描方向排 列於大致垂直方向。 7·如請求項6之基板處理裝置,其中 前述複數檢出機構係檢測與存在於前述檢出方向之對 象物的相對距離。 8·如請求項6之基板處理裝置,其中 刚述複數檢出機構係反射型雷射感測器。 9·如請求項6之基板處理裝置,其中 前述複數檢出機構係反射型超音波感測器。 10·如請求項6之基板處理裝置,其中 以在與前述吐出機構保持相對距離的狀態而一體移動 之方式,安裝前述複數檢出機構。 u.—種基板處理裝i ’其特徵為在基板塗敷特定的處理 液,且具備: 液吐出至前述保持機構所 保持機構,其係保持基板; 吐出機構’其係將特定處理 保持的前述基板; 94588.doc 1289481 :多動機構’其係相對移動前述保持機構 之掃描; 並執”述吐出機構對前述基板 :數檢出機構,其係檢出存在於對前 :基:上的掃描範圍所規定之各有效檢出範圍: =機構’其依據前述複數檢出機構之檢 制前述移動機構; 禾才工 同區域,比較前述 前述吐出機構之掃 别述各有效檢出範圍設定於大致相 複數檢出機構之檢出結果,以檢出於 描t與前述吐出機構干擾之對象物。 1 2·如請求項1 1之基板處理裝置,其中 前述複數檢出機構的檢出方向對於”保持機構所保 “前述基錢大財行方向,謂於“吐出機構的 知描方向係大致垂直方向; 岫述各有效檢出範圍排列於前述檢出方向。 13 ·如請求項12之基板處理裝置,其中 前述複數檢出機構係安裝於前述移動機構。 14·如請求項12之基板處理裝置,其中 而一體移動 以在與前述吐出機構保持相對距離的狀態 之方式,安裝前述複數檢出機構。 1 5 ·如請求項12之基板處理裝置,其中 則述複數檢出機構係透過型雷射感測器。 16·如請求項11之基板處理裝置,其中 94588.doc 1289481 前述複數檢出機構的檢出方向對於前述j呆 持的前述基板係大致垂直方向,· 持機構所保 17. 前述各有效檢出範圍對於前述吐出機構的掃# 列於大致垂直方向。 如請求項16之基板處理裝置,其中 方向排 18. 前述複數檢出機構係檢測與存在於前述檢出方 象物的相對距離。 如請求項16之基板處理裝置,其中 向之對 如述複數檢出機構係反射型雷射感測器。 19·如請求項16之基板處理裝置,其中 則述複數檢出機構係反射型超音波感測器。 2〇·如請求項16之基板處理裝置,其中 以在與4述吐出機構保持相對距離的狀態而一體移動 之方式’安裝前述複數檢出機構。 94588.doc
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