JP2005085773A - 基板処理装置 - Google Patents

Abstract

【課題】スリットノズルに接触する対象物の検出精度の低下を防止する。
【解決手段】基板処理装置において、スリットノズルと接触する対象物を検出する検出センサー４５０，４５１，４５２を設ける。各検出センサー４５０，４５１，４５２のレーザー光をＹ軸方向にずらした位置で絞るように設定する。これにより、各検出センサー４５０，４５１，４５２の有効検出範囲Ｅ１ないしＥ３が、スリットノズルの走査範囲Ｅ０を分担して検査する。各検出センサー４５０，４５１，４５２の検出結果に基づいて、いずれかの検出センサー４５０，４５１，４５０において対象物が検出された場合に、スリットノズルの移動を停止して、警告を表示する。
【選択図】図３

Description

本発明は、ノズルから処理液を吐出しつつ基板を走査することにより、基板の表面に処理液を塗布する基板処理装置の技術に関する。より詳しくは、ノズルによる走査において、ノズルが異物（対象物）と干渉することを防止するために、干渉物を高精度に検出する技術に関する。

液晶用ガラス角形基板、半導体ウエハ、フィルム液晶用フレキシブル基板、フォトマスク用基板、カラーフィルター用基板などの製造工程においては、各種基板の表面に処理液を塗布する塗布装置（基板処理装置）が用いられる。塗布装置としては、スリット状の吐出部を有するスリットノズルを用いてスリットコートを行うスリットコータや、一旦前述のスリットコートを施してから、スピンコートするスリット・スピンコータなどが知られている。

このような塗布装置では、スリットノズルの先端と基板とを近接させた状態で、スリットノズルまたは基板を移動させて処理液を塗布するため、基板の表面に異物が付着していたり、基板とステージとの間に異物が挟まることによって基板が盛り上がった状態となることにより、
（１）スリットノズルが損傷する
（２）基板が割れる、あるいは基板に傷がつく
（３）異物を引きずりながら塗布することにより、塗布不良の原因となる
などの問題が発生する。

そのため、従来より、スリットノズルを用いる塗布装置においては、異物検査を行うことにより、スリットノズルと接触する対象物が存在するか否かを判定して、スリットノズルと対象物との衝突を回避させる技術が提案されている。このような技術が、例えば特許文献１に記載されている。

特許文献１に記載されている塗布装置は、透過型のレーザーセンサーによって干渉物の検出を行い、当該レーザーセンサーが干渉物を検出した場合には、塗布処理を強制終了させることにより、スリットノズルと干渉物とが接触することを防止する。

図１４ないし図１７は、特許文献１に記載されている塗布装置に用いられる透過型のレーザーセンサー１００が干渉物を検出する原理を説明するための概念図である。透過型のレーザーセンサー１００は、投光部１０１から射出されたレーザー光を、光軸上に投光部１０１と対向して配置された受光部１０２で受光し、その受光量によって干渉物の有無を検出するセンサーである。

レーザーセンサー１００では、図１４に示すように、何らかの物体（対象物）が光路上に存在する場合には、その対象物によって光路上でレーザー光が遮蔽される。そのため、図１５に示すように、受光部１０２におけるレーザー光の受光量が減少する。したがって、レーザーセンサー１００は、受光部１０２における受光量が所定の閾値Ｑよりも少ない場合に、光路上に対象物が存在すると判定することができる。

特開２００２−００１１９５公報

ところが、図１４および図１６に示すように、レーザー光は、ピントを合わせた位置（最も光束を絞った位置：ここで示す例においては投光部１０１の照射開始位置）から光軸方向にずれるにつれて、その径が広がってしまうという性質がある。そのため、図１６に示すように、干渉物が投光部１０１から遠い位置（径が広がった位置）にある場合には、ほとんどのレーザー光が遮蔽されることなく受光部１０２に受光されることとなる。この場合には、受光部１０２におけるレーザー光の受光量は、図１７に示すように、閾値Ｑよりも多くなるため、本来検出すべき大きさの対象物が存在しているにもかかわらず、その対象物を検出することができないという事態が発生する。一般的な透過型のレーザーセンサーを用いた場合、塗布処理に必要な精度を維持することができる範囲は、投光部１０１と受光部１０２との間隔が最大５００ｍｍ程度までである。

すなわち、特許文献１に記載されている塗布装置では、例えば基板の大型化により、レーザーセンサー１００において、投光部１０１と受光部１０２とを比較的離して配置する必要が生じた場合（検出用のレーザー光の光路が長くなる場合）に、受光部１０２側の領域に対する検出精度が低下するという問題があった。

また、塗布装置におけるスリットノズルの移動速度は、塗布される処理液の均一性などを考慮して１００mm／sec程度に設定される。したがって、スリットノズルの移動に伴ってレーザーセンサー１００を移動させる場合、数十μｍの対象物を検出しようとすると、約１msec程度の間に検出することが要求される。レーザーセンサーによる物体の検出では、通常、チャタリング防止のために一定時間のディレイタイマが設定されるが、このように、非常に短い時間で検出を行わなければならない場合には、ディレイタイマを設定することができないという問題があった。すなわち、特許文献１に記載されている塗布装置では、チャタリングによって対象物の検出精度が低下するという問題があった。

本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、対象物の検出精度の低下を防止することを目的とする。

上記の課題を解決するため、請求項１の発明は、基板に所定の処理液を塗布する基板処理装置であって、基板を保持する保持手段と、前記保持手段に保持された前記基板に対して所定の処理液を吐出する吐出手段と、前記保持手段に保持された前記基板と前記吐出手段とを相対的に移動させ、前記基板に対する前記吐出手段による走査を実行させる移動手段と、前記基板上に対する前記吐出手段による走査範囲に対して規定されたそれぞれの有効検出範囲に存在する対象物を検出する複数の検出手段と、前記複数の検出手段による検出結果に基づいて、前記移動手段を制御する制御手段とを備え、前記吐出手段による走査中に前記吐出手段と干渉する対象物を、前記それぞれの有効検出範囲によって分担して検出する。

また、請求項２の発明は、基板に所定の処理液を塗布する基板処理装置であって、基板を保持する保持手段と、前記保持手段に保持された前記基板に対して所定の処理液を吐出する吐出手段と、前記保持手段に保持された前記基板と前記吐出手段とを相対的に移動させ、前記基板に対する前記吐出手段による走査を実行させる移動手段と、前記基板上に対する前記吐出手段による走査範囲に対して規定されたそれぞれの有効検出範囲に存在する対象物を検出する複数の検出手段と、前記複数の検出手段による検出結果に基づいて、前記移動手段を制御する制御手段とを備え、前記それぞれの有効検出範囲がほぼ同じ領域に設定されており、前記複数の検出手段による検出結果を比較して、前記吐出手段による走査中に前記吐出手段と干渉する対象物を検出する。

また、請求項３の発明は、請求項１または２の発明に係る基板処理装置であって、前記複数の検出手段の検出方向が、前記保持手段に保持された前記基板に対して略平行方向、かつ、前記吐出手段による走査方向に対して略垂直方向であり、前記それぞれの有効検出範囲が、前記検出方向に配列される。

また、請求項４の発明は、請求項３の発明に係る基板処理装置であって、前記複数の検出手段が、前記移動手段に取り付けられている。

また、請求項５の発明は、請求項３の発明に係る基板処理装置であって、前記複数の検出手段が、前記吐出手段との相対距離を保った状態で一体的に移動するように取り付けられている。

また、請求項６の発明は、請求項３ないし５のいずれかの発明に係る基板処理装置であって、前記複数の検出手段が、透過型のレーザーセンサーである。

また、請求項７の発明は、請求項１または２の発明に係る基板処理装置であって、前記複数の検出手段の検出方向が、前記保持手段に保持された前記基板に対して略垂直方向であり、前記それぞれの有効検出範囲が、前記吐出手段による走査方向に対して略垂直方向に配列される。

また、請求項８の発明は、請求項７の発明に係る基板処理装置であって、前記複数の検出手段が、前記検出方向に存在する対象物との相対距離を測定する。

また、請求項９の発明は、請求項７または８の発明に係る基板処理装置であって、前記複数の検出手段が、反射型のレーザーセンサーである。

また、請求項１０の発明は、請求項７または８の発明に係る基板処理装置であって、前記複数の検出手段が、反射型の超音波センサーである。

また、請求項１１の発明は、請求項７ないし１０のいずれかの発明に係る基板処理装置であって、前記複数の検出手段が、前記吐出手段との相対距離を保った状態で一体的に移動するように取り付けられている。

請求項１および３ないし１１に記載の発明では、吐出手段による走査中に吐出手段と干渉する対象物を、吐出手段による走査範囲に対して規定されたそれぞれの有効検出範囲によって分担して検出することにより、検出精度の低下を防止することができる。

請求項２ないし１１に記載の発明では、吐出手段による走査範囲に対して規定されたそれぞれの有効検出範囲がほぼ同じ領域に設定されており、複数の検出手段による検出結果を比較して、吐出手段による走査中に吐出手段と干渉する対象物を検出することにより、チャタリングなどによる誤検出を防止することができることから、検出精度の低下を防止することができる。

請求項３に記載の発明では、検出方向が、基板に対して略平行方向、かつ、走査方向に対して略垂直方向であり、それぞれの有効検出範囲が、検出方向に配列されることにより、少数の検出手段による検出が可能である。

請求項４に記載の発明では、複数の検出手段が、移動手段に取り付けられていることにより、吐出手段を交換した場合であっても、検出手段の位置調整が不要である。

請求項５および１１に記載の発明では、複数の検出手段が、吐出手段との相対距離を保った状態で一体的に移動するように取り付けられていることにより、吐出手段の姿勢の影響を受けないため、検出精度の向上を図ることができる。

請求項７に記載の発明では、複数の検出手段の検出方向が、保持手段に保持された基板に対して略垂直方向であり、それぞれの有効検出範囲が、吐出手段による走査方向に対して略垂直方向に配列されることにより、同一の検出手段によって干渉物の検出を行うことができる。

請求項８に記載の発明では、複数の検出手段が、検出方向に存在する対象物との相対距離を測定することにより、相対距離に応じた制御を行うことができる。

以下、本発明の好適な実施の形態について、添付の図面を参照しつつ、詳細に説明する。

＜１． 第１の実施の形態＞
＜１．１ 構成の説明＞
図１は、本発明の第１の実施の形態における基板処理装置１の正面図である。図２は、基板処理装置１における検出センサー４５の周辺部の拡大図である。なお、図１および図２において、図示および説明の都合上、Ｚ軸方向が鉛直方向を表し、ＸＹ平面が水平面を表すものとして定義するが、それらは位置関係を把握するために便宜上定義するものであって、以下に説明する各方向を限定するものではない。以下の図についても同様である。

基板処理装置１は、液晶表示装置の画面パネルを製造するための角形ガラス基板を被処理基板９０としており、基板９０の表面に形成された電極層などを選択的にエッチングするプロセスにおいて、基板９０の表面にレジスト液を塗布する塗布装置として構成されている。したがって、この実施の形態では、スリットノズル４１は基板９０に対してレジスト液を吐出するようになっている。なお、基板処理装置１は、液晶表示装置用のガラス基板だけでなく、一般に、フラットパネルディスプレイ用の種々の基板に処理液（薬液）を塗布する装置として変形利用することもできる。

基板処理装置１は、被処理基板９０を載置して保持するための保持台として機能するとともに、付属する各機構の基台としても機能するステージ３を備える。ステージ３は直方体形状の一体の石製であり、その上面（保持面３０）および側面は平坦面に加工されている。

ステージ３の上面は水平面とされており、基板９０の保持面３０となっている。 保持面３０には多数の真空吸着口（図示せず）が分布して形成されており、基板処理装置１において基板９０を処理する間、基板９０を吸着することにより、基板９０を所定の水平位置に保持する。

ステージ３の上方には、このステージ３の両側部分から略水平に掛け渡された架橋構造４が設けられている。架橋構造４は、カーボンファイバ樹脂を骨材とするノズル支持部４０と、その両端を支持する昇降機構４３，４４と、移動機構５とから主に構成される。

ノズル支持部４０には、スリットノズル４１とギャップセンサー４２とが取り付けられている。

水平Ｙ軸方向に伸びるスリットノズル４１には、スリットノズル４１へ薬液（レジスト液）を供給する配管やレジスト用ポンプを含む吐出機構（図示せず）が接続されている。スリットノズル４１は、レジスト用ポンプによりレジスト液が送られ、基板９０の表面を走査することにより、基板９０の表面の所定の領域（以下、「レジスト塗布領域」と称する。）にレジスト液を吐出する。

ギャップセンサー４２は、架橋構造４のノズル支持部４０に基板９０の表面と対向する位置に取り付けられ、所定の方向（−Ｚ方向）の存在物（例えば、基板９０やレジスト膜）との間の距離（ギャップ）を検出して、検出結果を制御部７に伝達する。

これにより、制御部７は、ギャップセンサー４２の検出結果に基づいて、基板９０の表面とスリットノズル４１との距離を検出することができる。なお、本実施の形態における基板処理装置１では２つのギャップセンサー４２を備えているが、ギャップセンサー４２の数はこれに限られるものではなく、さらに、多くのギャップセンサー４２を備えていてもよい。

昇降機構４３，４４はスリットノズル４１の両側に分かれて、ノズル支持部４０によりスリットノズル４１と連結されている。昇降機構４３，４４はスリットノズル４１を並進的に昇降させるとともに、スリットノズル４１のＹＺ平面内での姿勢を調整するためにも用いられる。

架橋構造４の両端部には、ステージ３の両側の縁側に沿って別れて配置された移動機構５が固設される。移動機構５は、主に一対のＡＣコアレスリニアモータ（以下、単に、「リニアモータ」と略する。）５０と、一対のリニアエンコーダ５１とから構成される。

リニアモータ５０は、それぞれ固定子および移動子（図示せず）を備え、固定子と移動子との電磁的相互作用によって架橋構造４（スリットノズル４１）をＸ軸方向に移動させるための駆動力を生成するモータである。また、リニアモータ５０による移動量および移動方向は、制御部７からの制御信号により制御可能となっている。

リニアエンコーダ５１は、それぞれスケール部および検出子（図示せず）を備え、スケール部と検出子との相対的な位置関係を検出して、制御部７に伝達する。各検出子は架橋構造４の両端部にそれぞれ固設され、スケール部はステージ３の両側にそれぞれ固設されている。これにより、リニアエンコーダ５１は架橋構造４のＸ軸方向の位置検出を行う機能を有している。

架橋構造４の両側に固設された移動機構５には、さらに検出センサー４５が取り付けられている。図３は、スリットノズル４１の走査範囲Ｅ０と検出センサー４５の有効検出範囲Ｅ１ないしＥ３とを示す図である。なお、走査範囲Ｅ０とは、基板上に対するスリットノズル４１の走査範囲である。より詳しく説明すると、移動機構５がＸ軸方向に移動することにより、スリットノズル４１の下端（−Ｚ方向の端部）が描く軌跡領域（面状の領域となる）のうち、基板９０とスリットノズル４１の下端とが最も接近した状態（レジスト液を塗布する際のギャップ）で対向することとなる領域である。すなわち、走査範囲Ｅ０とは、スリットノズル４１による走査中に、スリットノズル４１が対象物と接触する可能性のある領域である。基板処理装置１では、移動機構５によってスリットノズル４１がさまざまな位置に移動するが、昇降機構４３，４４がスリットノズル４１を十分な高さ位置に維持して移動する場合や、スリットノズル４１が基板９０と対向しない位置を移動する場合には、スリットノズル４１が対象物と干渉することはない。

本実施の形態における基板処理装置１では、３つの検出センサー４５（４５０，４５１，４５２）を備えている。各検出センサー４５の検出方向は、Ｙ軸方向とされており、それぞれの検出センサー４５はＸ軸方向に配列されている。また、各検出センサー４５のＺ軸方向の位置はオペレータによって調整可能とされている。

検出センサー４５０は、投光部４５０ａと受光部４５０ｂとから構成され、投光部４５０ａから照射されるレーザー光を受光部４５０ｂが受光し、その受光量を計測して、制御部７に出力する。すなわち、検出センサー４５０は、検出方向における対象物の検出を行う透過型のレーザーセンサーとしての機能を有している。なお、検出センサー４５１，４５２についても、構造および機能は同様であるため、説明を省略する。

検出センサー４５０，４５２は、図３に示すように、投光部４５０ａ，４５２ａが基板処理装置１の−Ｙ側に配置され、受光部４５０ｂ，４５２ｂが基板処理装置１の＋Ｙ側に配置される。一方、検出センサー４５１は、投光部４５１ａが基板処理装置１の＋Ｙ側に配置され、受光部４５１ｂが基板処理装置１の−Ｙ側に配置される。

検出センサー４５０は、そのレーザー光がＹ軸方向のほぼ中央位置で絞られており、この位置において有効な検出精度（本実施の形態においては１００μｍ程度の大きさの対象物を検出することができる精度）が得られるように設定されている。この状態で、検出センサー４５０が移動機構５の移動に伴ってＸ軸方向に移動することにより、検出センサー４５０が所望の大きさの対象物を検出することができる範囲（高精度検出可能な範囲、以下、「有効検出範囲」と称する）は、有効検出範囲Ｅ２で示される領域となる。

検出センサー４５１は、そのレーザー光がＹ軸方向の＋Ｙ側で絞られており、この位置において有効な検出精度が得られるように設定されている。この状態で、検出センサー４５１が移動機構５の移動に伴ってＸ軸方向に移動することにより、検出センサー４５１の有効検出範囲は、有効検出範囲Ｅ１で示される領域となる。

検出センサー４５２は、そのレーザー光がＹ軸方向の−Ｙ側で絞られており、この位置において有効な検出精度が得られるように設定されている。この状態で、検出センサー４５２が移動機構５の移動に伴ってＸ軸方向に移動することにより、検出センサー４５２の有効検出範囲は、有効検出範囲Ｅ３で示される領域となる。

なお、各検出センサー４５は、それぞれの有効検出範囲以外の領域についても、十分に大きい対象物であれば検出可能である。その意味では、各検出センサー４５において、それぞれの有効検出範囲以外の領域も検出範囲ではある。しかし、図１６および図１７において説明したように、各検出センサー４５は、それぞれの有効検出範囲以外の領域では、所望する大きさ以上であっても比較的小さい対象物を検出することができないなど、その精度は保証されていない。

このように、各検出センサー４５０，４５１，４５２において、レーザー光の絞られている位置がＹ軸方向にそれぞれ異なるように設定されていることにより、基板処理装置１では、それぞれの有効検出範囲Ｅ１ないしＥ３が検出方向（Ｙ軸方向）に配列されることとなる。すなわち、それぞれの有効検出範囲Ｅ１ないしＥ３のＹ軸方向の位置は、スリットノズル４１の走査範囲Ｅ０に対して規定される。これにより、スリットノズル４１の走査範囲Ｅ０が、各検出センサー４５の有効検出範囲Ｅ１ないしＥ３に分担して検査され、所望の大きさ以上の対象物が存在した場合には、いずれかの検出センサー４５によってその存在を検出することができる。

詳細は後述するが、制御部７は検出センサー４５によって対象物が検出された場合には、それが干渉物（スリットノズル４１に接触する対象物）であると判断する。したがって、本実施の形態における基板処理装置１は、走査範囲Ｅ０内のいずれの位置についても高精度に干渉物を検出することができる。なお、各有効検出範囲Ｅ１ないしＥ３は、互いに一部の領域が重複するように設定されてもよい。

また、各検出センサー４５は、スリットノズル４１に対して、走査方向（スリットノズル４１が走査範囲Ｅ０を移動する際の移動方向であって、本実施の形態においては（−Ｘ）方向）の前方位置に配置されており（図６および図７参照）、スリットノズル４１のＸ軸方向の移動に伴って、同じ方向に移動しつつ干渉物の検出を行う。なお、検出センサー４５とスリットノズル４１との相対距離は、移動機構５によってスリットノズル４１が移動する速度と、制御部７の演算速度とに応じて設定される。すなわち、検出センサー４５の検出結果に応じて制御部７が移動機構５を制御した場合に、対象物とスリットノズル４１との接触を十分に回避できる距離とされる。

図１に戻って、制御部７は、プログラムに従って各種データを処理する。制御部７は、図示しないケーブルにより基板処理装置１の各機構と接続されており、ギャップセンサー４２、リニアエンコーダ５１および検出センサー４５などからの入力に応じて、ステージ３、昇降機構４３，４４および移動機構５などの各構成を制御する。

特に、制御部７は、各検出センサー４５からの入力に基づいて、各受光部４５０ｂ，４５１ｂ，４５２ｂにおけるレーザー光の受光量を演算して、予め設定された閾値Ｑと比較することにより、それぞれの有効検出範囲Ｅ１ないしＥ３内に対象物が存在するか否かを判定する。本実施の形態における基板処理装置１では、制御部７が対象物が存在すると判定した場合には、当該対象物がスリットノズル４１に接触する干渉物であるとみなして、その接触を回避するために移動機構５（リニアモータ５０）を停止させる。なお、干渉物を検出した場合の制御部７の制御動作については後述する。

また、制御部７は、図示しない操作部（操作パネル、キーボードなど）および表示部（液晶ディスプレイや表示ボタンなど）と接続されており、操作部を介してオペレータからの指示を受け付けるとともに、表示部に必要なデータを表示することによってオペレータに基板処理装置１の状態などを通知する。

以上が本実施の形態における基板処理装置１の構成の説明である。

＜１．２ 調整作業＞
まず、基板処理装置１では、基板９０に対してレジスト液を塗布する処理を行う前に、各検出センサー４５のＺ軸方向の位置調整作業が行われる。各検出センサー４５の位置調整は、１０μｍ以下の位置決め精度を持つマイクロゲージを用いて、それぞれのＺ軸方向の位置がほぼ同じになるように調整される。

各検出センサー４５は、ステージ３に正常な状態で保持されている基板９０を干渉物として誤検出しないように、そのレーザー光の光路が基板９０の表面より（＋Ｚ）方向の位置となるように位置調整される。すなわち、基板９０の厚みを考慮しつつ、ステージ３の保持面３０を基準に位置調整が行われる。このとき、基板９０の厚みの均一性（通常、設計厚みの±１％以内）や、保持面３０の平坦加工精度などを考慮して調整することが好ましい。これにより、有効検出範囲Ｅ１ないしＥ３が基板９０の表面よりも（＋Ｚ）側となるように調整される。

また、基板処理装置１において、スリットノズル４１と対象物との接触を防止するためには、走査範囲Ｅ０よりも（−Ｚ）側に存在する対象物を検出しなければならない。したがって、有効検出範囲Ｅ１ないしＥ３が走査範囲Ｅ０よりも（−Ｚ）側の領域を含むように、各検出センサー４５のＺ軸方向の位置が調整される。

このように、基板処理装置１では、スリットノズル４１の走査範囲Ｅ０に対して各検出センサー４５のＺ軸方向の位置調整が行われることにより、スリットノズル４１と接触する可能性のある対象物が存在しない場合には、いずれの検出センサー４５においても、そのレーザー光が途中で遮蔽されることなく受光される。一方、接触する可能性のある対象物が存在する場合には、当該対象物によって、いずれかの検出センサー４５のレーザー光が遮蔽される。

なお、処理する基板９０の厚さが変更される場合や、所望するレジスト液の膜厚が変更される場合には、その塗布処理を実行する前に、ここで述べた位置調整作業を再度行うことが好ましい。

＜１．３ 動作の説明＞
次に、基板処理装置１の動作について説明する。図４および図５は、基板処理装置１の塗布処理における動作を示す流れ図である。なお、以下に示す各部の動作制御は特に断らない限り制御部７により行われる。

基板処理装置１では、オペレータまたは図示しない搬送機構により、所定の位置に基板９０が搬送されることによって、レジスト液の塗布処理が開始される。なお、処理を開始するための指示は、基板９０の搬送が完了した時点で、オペレータが操作部を操作することにより入力されてもよい。

まず、ステージ３が保持面３０上の所定の位置に基板９０を吸着して保持する。次に、スリットノズル４１を移動させることによって、ギャップセンサー４２を基板９０とのギャップを測定するための測定開始位置に移動させる（ステップＳ１１）。この動作は、昇降機構４３，４４がスリットノズル４１の高さ位置を測定高度に調整するとともに、リニアモータ５０が架橋構造４をＸ軸方向に調整することにより、行われる。

ギャップセンサー４２の測定開始位置への移動が完了すると、リニアモータ５０が架橋構造４を（＋Ｘ）方向に移動させる。これにより、ギャップセンサー４２が所定の測定高度を保ちながら、基板９０表面の塗布領域における基板９０表面とスリットノズル４１とのギャップを測定する（ステップＳ１２）。なお、塗布領域とは、基板９０の表面のうちでレジスト液を塗布しようとする領域であって、通常、基板９０の全面積から、端縁に沿った所定幅の領域を除いた領域である。また、ギャップセンサー４２による測定が行われている間に、スリットノズル４１が基板９０や異物といった干渉物と接触することのないように、基板処理装置１において、測定高度におけるスリットノズル４１と保持面３０との間のＺ軸方向の距離は十分に確保されている。

ギャップセンサー４２の測定結果は制御部７に伝達される。そして、制御部７は、伝達されたギャップセンサー４２の測定結果を、リニアエンコーダ５１によって検出される水平位置（Ｘ軸方向の位置）と関連づけて記憶部に保存する。

ギャップセンサー４２による走査（測定）が終了すると、リニアモータ５０が架橋構造４をＸ軸方向に移動させ、検出センサー４５を基板９０の端部位置に移動させる（ステップＳ１３）。なお、端部位置とは、検出センサー４５のうち最も（−Ｘ）側に存在する検出センサー４５（本実施の形態においては検出センサー４５２）の光軸が、基板９０の（＋Ｘ）側の辺にほぼ沿う位置である。また、ギャップセンサー４２による測定によって、基板９０の厚さが指定範囲以内にないと判定された場合、基板処理装置１は、表示部などに警報を表示し、スリットノズル４１を待機位置に移動させるとともに、異常が検出された基板９０を排出する。

検出センサー４５が端部位置に移動すると、制御部７は、リニアモータ５０を停止させることにより、架橋構造４を停止させる。さらに、ギャップセンサー４２からの測定結果に基づいて、スリットノズル４１のＹＺ平面における姿勢が、適切な姿勢（スリットノズル４１と塗布領域との間隔がレジストを塗布するために適切な間隔（本実施の形態においては５０〜２００μｍ）となる姿勢。以下、「適正姿勢」と称する。）となるノズル支持部４０の位置を算出し、算出結果に基づいて、それぞれの昇降機構４３，４４を制御しスリットノズル４１を適正姿勢に調整する。

基板処理装置１の検出センサー４５は、スリットノズル４１よりも（−Ｘ）側に配置されているため、検出センサー４５が端部位置にある状態では、スリットノズル４１は基板９０と対向しない位置に移動している。したがって、検出センサー４５が端部位置にある状態でスリットノズル４１を（−Ｚ）方向に移動させて適正姿勢に調整したとしても、スリットノズル４１が干渉物と接触する危険性はほとんどない。

スリットノズル４１の姿勢調整が終了すると、制御部７は、検出センサー４５による干渉物の検出を開始する（ステップＳ１４）。さらに、リニアモータ５０を駆動し、架橋構造４を（−Ｘ）方向に移動させつつ（ステップＳ２１）、各検出センサー４５からの出力に基づいて、干渉物を検出したか否かを判定する（ステップＳ２２）。いずれかの検出センサー４５によって干渉物を検出したと判定した場合には、ステップＳ２７以降の処理を行い、スリットノズル４１が干渉物に接触することを防止するが詳細は後述する。

一方、干渉物を検出しない場合には、リニアエンコーダ５１の出力に基づいて、制御部７がスリットノズル４１の位置を確認しつつ、スリットノズル４１が吐出開始位置に移動するまでステップＳ２１ないしＳ２３の処理を繰り返す（ステップＳ２３）。なお、吐出開始位置とは、塗布領域の（＋Ｘ）側の辺にスリットノズル４１がほぼ沿う位置である。

このように制御部７が検出センサー４５による干渉物の検出の検出開始位置を制御することにより、それぞれの有効検出範囲Ｅ１ないしＥ３の（＋Ｘ）側の位置が走査範囲Ｅ０に対して規定される。

スリットノズル４１が吐出開始位置まで移動すると、レジスト用ポンプ（図示せず）によりスリットノズル４１にレジスト液が送られ、スリットノズル４１が塗布領域にレジスト液を吐出する。その吐出動作とともに、リニアモータ５０がスリットノズル４１を（−Ｘ）方向に移動させる（ステップＳ２４）。これにより、基板９０の塗布領域がスリットノズル４１によって走査され、レジスト液が塗布される。ステップＳ２４の移動動作と並行して、ステップＳ２２と同様に制御部７により、干渉物が検出されたか否かの判定が行われる（ステップＳ２５）。

図６および図７は、検出センサー４５が干渉物を検出する様子を示す図である。図６は、基板９０が干渉物となる例を示している。ステージ３の保持面３０上に所定の大きさ以上の異物ＮＧが存在する場合、この異物ＮＧによって基板９０が盛り上がった状態になり、基板９０のＺ軸方向の位置がスリットノズル４１と接触する位置となっている。

本実施の形態における基板処理装置１では、図３で示したように、スリットノズル４１の走査範囲Ｅ０は、複数の検出センサー４５０，４５１，４５２によって、いわばそれぞれの有効検出範囲Ｅ１ないしＥ３に分割して検査される。したがって、異物ＮＧのＹ軸方向の位置がどの位置であったとしても、３つの検出センサー４５０，４５１，４５２のうちのいずれかの検出センサー４５の受光量が閾値Ｑ以下となることによって、当該干渉物の存在が検出される。

複数の検出センサー４５０，４５１，４５２は、それぞれの有効検出範囲Ｅ１ないしＥ３における必要検出精度が確保されている。したがって、有効検出範囲Ｅ１に所定の大きさ以上の対象物が存在する場合に、例え、検出センサー４５０，４５２によっては検出されなかったとしても、検出センサー４５１によって検出される。

このように、基板処理装置１は、走査範囲Ｅ０のＹ軸方向の幅が、個々の検出センサー４５の有効検出範囲よりも広い場合であっても、従来の装置のように検出精度が低下することがなく、高精度に干渉物の検出を行うことができる。すなわち、有効検出範囲の狭い検出センサー４５を用いて、高精度に干渉物を検出することができる。

また、各検出センサー４５は、図６に示すように、走査方向に対して、スリットノズル４１の前方に配置されている。したがって、制御部７は、干渉物がスリットノズル４１と接触する前に検出することができる。なお、図７に示すように、基板９０の表面に異物ＮＧが付着することにより、異物ＮＧが干渉物を形成している場合であっても同様に当該干渉物を高精度に検出することができる。

ステップＳ２５において、制御部７が干渉物を検出したと判定した場合には（ステップＳ２５においてＹｅｓ。）、制御部７がリニアモータ５０を停止させることによりスリットノズル４１の（−Ｘ）方向への移動動作を停止するとともに、表示部などに警報を出力する（ステップＳ２７）。

このように、基板処理装置１では、スリットノズル４１の移動中に、検出センサー４５によって干渉物が検出された場合に、直ちにスリットノズル４１の移動を停止することにより、スリットノズル４１と干渉物との接触を防止することができる。したがって、スリットノズル４１や基板９０などが接触により破損することを有効に防止することができる。

また、警報を出力することにより、オペレータに異常を知らせることができることから、復旧作業等を効率的に行うことができる。なお、警報はオペレータに異常事態の発生を知得させることができるものであればどのような手法であってもよく、スピーカなどから警報音を出力するようにしてもよい。

ステップＳ２７の実行後は、レジスト用ポンプを停止してレジスト液の吐出を停止し、リニアモータ５０および昇降機構４３，４４によりスリットノズル４１を待機位置に退避させる（ステップＳ２８）。さらに、基板９０を基板処理装置１から搬出する（ステップＳ２９）。なお、ステップＳ２２において干渉物が検出された場合には、レジスト液の吐出は未だ開始されていないため、レジスト液の吐出を停止させる処理は行われない。また、ステップＳ２７が実行された結果搬出する基板９０は、他の基板９０と区別して、オペレータまたは搬送機構が再処理工程に搬送する。また、図６に示すように、異物ＮＧはステージ３に付着している場合も考えられるため、ステップＳ２７が実行された場合は、ステージ３のクリーニングを行うことが好ましい。

一方、ステップＳ２５において干渉物が検出されない場合には（ステップＳ２５においてＮｏ。）、リニアエンコーダ５１の出力に基づいて、制御部７がスリットノズル４１の位置を確認しつつ、スリットノズル４１が吐出終了位置に移動するまでステップＳ２４ないしＳ２６の処理を繰り返す（ステップＳ２６）。このように、干渉物が存在しない場合には、スリットノズル４１による走査が塗布領域全域に対して行われ、当該塗布領域の全域における基板９０の表面上にレジスト液の層が形成される。

スリットノズル４１が吐出終了位置に移動すると、制御部７は、レジスト用ポンプを停止してレジスト液の吐出を停止し、リニアモータ５０および昇降機構４３，４４によりスリットノズル４１を待機位置に退避させる（ステップＳ２８）。この動作と並行して、制御部７は各検出センサー４５による干渉物の検出を停止する。このように制御部７が検出センサー４５による干渉物の検出の検出終了位置を制御することにより、それぞれの有効検出範囲Ｅ１ないしＥ３の（−Ｘ）側の位置が走査範囲Ｅ０に対して規定される。

さらに、ステージ３は基板９０の吸着を停止し、オペレータまたは搬送機構が基板９０を保持面３０から取り上げ、基板９０を次の処理工程に搬出する（ステップＳ２９）。

なお、塗布処理が終了した時点で、レジスト液の膜厚の検査処理を行ってもよい。すなわち、昇降機構４３，４４がノズル支持部４０を（＋Ｚ）方向に移動させることにより、ギャップセンサー４２を測定高度に移動させる。さらに、リニアモータ５０が架橋構造４を（＋Ｘ）方向に移動させることでギャップセンサー４２が塗布領域を走査し、基板９０上に形成されたレジスト膜とのギャップを測定して制御部７に伝達する。制御部７は、レジスト液を塗布する前に測定したギャップの値（基板９０の表面との距離）と、レジスト塗布後に測定したギャップの値（レジスト膜の表面との距離）とを比較することにより、基板９０上のレジスト膜の厚さを算出し、算出結果を表示部などに表示する。

基板９０の搬出処理（ステップＳ２９）が終了すると、さらに連続して複数枚の基板９０に対して処理を行う場合にはステップＳ１１に戻って処理を繰り返し実行し、処理すべき基板９０が存在しない場合には処理を終了する（ステップＳ３０）。

以上、説明したように、本発明の第１の実施の形態における基板処理装置１では、スリットノズル４１の走査中に、スリットノズル４１と干渉する対象物を、それぞれの有効検出範囲Ｅ１ないしＥ３によって分担して検出することにより、従来の装置のように、レーザー光の光束が広がってしまうことによる検出精度の低下を防止することができる。したがって、有効検出範囲の狭い検出センサー４５によって、高精度に干渉物の検出を行うことができる。

また、複数の検出センサー４５の検出方向が、ステージ３に保持された基板９０に対して略平行方向、かつ、スリットノズル４１による走査方向に対して略垂直方向であり、それぞれの有効検出範囲Ｅ１ないしＥ３が、検出センサー４５の検出方向に配列されることにより、比較的少数の検出手段による干渉物の検出が可能である。

また、複数の検出センサー４５が、移動機構５に取り付けられていることにより、スリットノズル４１を交換した場合であっても、検出センサー４５の位置調整を再度行う必要がなく、作業を効率化することができる。

なお、本実施の形態における基板処理装置１では、スリットノズル４１の走査範囲Ｅ０を３つの検出センサー４５（４５０，４５１，４５２）によって検査するとして説明したが、検出センサー４５の数はこれに限られるものではない。以下、第２の実施の形態においても同様である。

また、検出センサー４５の照射するレーザー光のビーム形状は、スポット型もしくはライン型のいずれであってもよい。以下の実施の形態においても同様である。

＜２． 第２の実施の形態＞
第１の実施の形態では、検出センサー４５を移動機構５に取り付けるように構成したが、検出センサー４５の取り付け位置はこれに限られるものではなく、干渉物を検出することができる位置であればどこに取り付けられていてもよい。

図８は、このような原理に基づいて構成した第２の実施の形態における基板処理装置１ａの検出センサー４５の周辺部における拡大図である。基板処理装置１ａは、図８に示すように、検出センサー４５がノズル支持部４０に取り付けられている。スリットノズル４１は、上記実施の形態と同様にノズル支持部４０に固設されており、スリットノズル４１はノズル支持部４０と一体的に移動する。ノズル支持部４０にはスリットノズル４１が固設されている。したがって、複数の検出センサー４５は、スリットノズル４１との相対距離を保った状態で一体的に移動する。

上記実施の形態において説明したように、透過型のレーザーセンサーである検出センサー４５は、それぞれ投光部と受光部とを有しており、それらがＹ軸方向を光軸として対向するように配置されることにより１つのセンサーを構成する。したがって、図８では、検出センサー４５のうち−Ｙ側に配置される部分（各検出センサー４５の投光部または受光部のいずれか）のみ示しているが、スリットノズル４１の＋Ｙ側にも検出センサー４５が取り付けられている。

なお、基板処理装置１ａは、検出センサー４５がノズル支持部４０に取り付けられていることを除いて、第１の実施の形態における基板処理装置１とほぼ同様の構成を有している。また、基板処理装置１ａの動作についても、基板処理装置１とほぼ同様である。ただし、基板処理装置１では、ステージ３の保持面３０の位置を基準に各検出センサー４５のＺ軸方向の位置調整作業が行われるが、基板処理装置１ａでは、スリットノズル４１の（−Ｚ）側の端部を基準に検出センサー４５のＺ軸方向の位置調整作業が行われる。

以上のように、第２の実施の形態における基板処理装置１ａのように、ノズル支持部４０に検出センサー４５を取り付けた場合であっても、第１の実施の形態における基板処理装置１とほぼ同様の効果を得ることができる。

また、複数の検出センサー４５が、スリットノズル４１との相対距離を保った状態で一体的に移動するように取り付けられていることにより、一旦、検出センサー４５とスリットノズル４１との相対距離の調整が行われた後は、スリットノズル４１の姿勢（主にＺ軸方向の位置）に関わらず、その相対距離が一定となるため、検出精度を向上させることができる。また、基板処理装置１ａにおいて、処理する基板９０の厚みなどが変更された場合であっても再度位置調整作業を行う必要がなく、作業の効率化を図ることができる。

なお、本実施の形態における基板処理装置１ａでは、検出センサー４５がノズル支持部４０に取り付けられると説明したが、例えば、スリットノズル４１に直接検出センサー４５が取り付けられていてもよい。

＜３． 第３の実施の形態＞
上記実施の形態では、検出センサー４５として透過型のレーザーセンサーを用い、Ｙ軸方向（基板９０の表面に対して略平行方向）にレーザー光を照射して、そのレーザー光が遮断されるか否かによって干渉物を検出するように構成したが、スリットノズル４１と接触する可能性のある対象物を検出する手法としてはこれに限られるものではない。

図９は、このような原理に基づいて構成した第３の実施の形態における基板処理装置１ｂの構成を示す背面図である。

本実施の形態における基板処理装置１ｂは、図９に示すように、ノズル支持部４０の（−Ｘ）側のＹ軸に沿った方向に複数の検出センサー４５ａが配置されている。ただし、図９においては、一部の検出センサー４５ａのみを図示している。このように、複数の検出センサー４５ａが配置されることにより、それぞれの有効検出範囲は、スリットノズル４１による走査方向に対して略垂直方向に配列されることとなる。なお、基板処理装置１ｂは、検出センサー４５の代わりに、検出センサー４５ａを用いることを除いて、第１の実施の形態における基板処理装置１とほぼ同様の構成を有している。

検出センサー４５ａは、一般的な反射型のレーザーセンサーであって、その検出方向が（−Ｚ）方向（基板９０の表面に対して略垂直方向）とされている。検出センサー４５ａの投光部（図示せず）によって照射されるレーザー光は、（−Ｚ）方向に存在する対象物によって反射されて検出センサー４５ａの受光部（図示せず）によって受光される。これにより、検出センサー４５ａは、レーザー光を反射した対象物までのギャップ（距離）を測定し、制御部７に伝達する。すなわち、各検出センサー４５ａは、（−Ｚ）方向に存在する対象物との距離を測定する測距センサーとしての機能を有している。

各検出センサー４５ａの有効検査範囲のＹ軸方向幅は、第１・第２の実施の形態における有効検出範囲Ｅ１ないしＥ３に比べて狭いものとなる。しかし、検出センサー４５ａをＹ軸方向に密に配列することによって、走査範囲Ｅ０をＹ軸方向に配列された有効検査範囲によって分担して検査することができ、所望の大きさの干渉物を検出することができる。

本実施の形態における基板処理装置１の動作は、図４および図５に示す第１の実施の形態における基板処理装置１の動作とほぼ同様であるため詳細な説明を省略するが、ステップＳ２２およびステップＳ２５における判定が以下のように異なっている。

ステップＳ２２およびＳ２５において、制御部７は、まず、各検出センサー４５ａの測定結果に基づいて、スリットノズル４１と対象物との相対距離を演算する。このとき求めた相対距離が所定値Ｌ０以下のものが存在する場合には干渉物を検出したと判定し、第１の実施の形態と同様にステップＳ２７以下の処理を実行する。一方、求めた相対距離が所定値Ｌ１以下ではあるが所定値Ｌ０より大きい場合には、オペレータに対する警告を表示しつつ処理を継続する。

このように、基板処理装置１ｂは、検出センサー４５ａが測距センサーであることにより、スリットノズル４１と対象物との相対距離に応じた制御を行うことができる。なお、所定値Ｌ１および所定値Ｌ０は、Ｌ１＞Ｌ０の関係を満たす値として予め設定されているものとする。

以上、説明したように、本発明の第３の実施の形態における基板処理装置１ｂにおいても、上記実施の形態と同様の効果を得ることができる。

また、複数の検出センサー４５ａの検出方向が、ステージ３に保持された基板９０に対して略垂直方向であり、それぞれの有効検出範囲が、スリットノズル４１による走査方向に対して略垂直方向に配列されることにより、複数の検出センサー４５ａを同一の検出センサー（それぞれの有効検出範囲が異なるように設定する必要がない）によって構成することができる。

なお、検出センサー４５ａは、（−Ｚ）方向に存在する対象物との相対距離を測定することができるものであれば、どのような原理を用いるものであってもよい。例えば、超音波を出射することによって相対距離を測定する超音波センサーであってもよい。

＜４． 第４の実施の形態＞
上記実施の形態では、複数の検出センサーの有効検出範囲を合わせた領域を基板処理装置の有効検出範囲とし、スリットノズルの走査範囲を複数の検出センサーの有効検出範囲によって分担して検査することにより、干渉物の検出精度の低下を防止する手法について説明した。しかし、このような検出センサーによって干渉物を検出する場合において、その検出精度の低下を防止する手法はこれに限られるものではない。例えば、検出センサーのチャタリングによる誤検出を防止することによっても、干渉物の検出精度の低下を防止することができる。

図１０は、このような原理に基づいて構成した第４の実施の形態における基板処理装置１ｃのスリットノズル４１と検出センサー４５３，４５４とを示す図である。

検出センサー４５３，４５４は、互いに同様の構成を有する透過型のレーザーセンサーであって、第１の実施の形態における基板処理装置１（図１）と同様に、受光部と投光部とがＹ軸方向に対向するように移動機構５に固設されている。また、図１０に示すように、検出センサー４５３と検出センサー４５４とは、Ｘ軸方向に間隔δで配列されている。なお、本実施の形態においては、間隔δは５０ｍｍ程度とする。また、検出センサー４５３，４５４は、第２の実施の形態における基板処理装置１ａと同様に、それぞれがノズル支持部４０に取り付けられていてもよい。

図１１は、本実施の形態における走査範囲ＥＬ０と、有効検出範囲ＥＬ１，ＥＬ２とのＸＹ平面上の位置関係を示す図である。なお、ここでは、基板９１は基板９０に比べてＹ軸方向の幅が狭く、検出センサー４５３，４５４は、Ｙ軸方向には十分な検出精度を有しているものとする。

検出センサー４５３が移動機構５によって（−Ｘ）方向に移動することにより干渉物を検出する領域は、図１１において太線矩形で示す有効検出範囲ＥＬ１の領域である。また、検出センサー４５４が干渉物を検出する領域は、図１１において破線矩形で示す有効検出範囲ＥＬ２の領域である。

前述のように、２つの検出センサー４５３，４５４は、Ｘ軸方向に間隔δで配置されている。したがって、図１１に示すように有効検出範囲ＥＬ１と有効検出範囲ＥＬ２とは厳密にはＸ軸方向に間隔δだけずれた位置となる。しかし、間隔δは有効検出範囲ＥＬ１，ＥＬ２のＸ軸方向の長さに比べて十分に小さいため、有効検出範囲ＥＬ１と有効検出範囲ＥＬ２とは、その領域のほとんどが重複する領域となっており、ほぼ同じ領域とみなすことができる。

詳細は後述するが、本実施の形態における制御部７は、検出センサー４５３，４５４の検出結果を比較して、いずれの検出センサー４５３，４５４においても検出された干渉物が存在する場合に、「干渉物を検出した」と判定する。したがって、検出センサー４５３，４５４のいずれかによってのみ検査される領域については、検出結果を比較することができないため、基板処理装置１ｃの有効検出範囲とはならない。すなわち、基板処理装置１ｃでは、有効検出範囲ＥＬ１と有効検出範囲ＥＬ２との重複する領域において対象物の検出を行うことによって、走査範囲ＥＬ０を検査することとなる。

次に、本実施の形態における基板処理装置１ｃの動作について説明する。なお、基板処理装置１ｃの動作において、基板処理装置１の動作（図４および図５に示す動作）とほぼ同様である動作については詳細な説明を省略する。なた、検出センサー４５３，４５４のＺ軸方向の位置調整も第１の実施の形態に準じて行われるため説明を省略する。

基板処理装置１ｃでは、制御部７が図５に示すステップＳ２２およびＳ２５において、検出センサー４５３，４５４の検出結果に基づいて、干渉物を検出したと判定する動作が上記実施の形態と異なっている。

図１２は、検出センサー４５３の検出結果の例を示す図である。図１３は、図１２に示す例における検出センサー４５４の検出結果の例を示す図である。基板処理装置１ｃにおいて、ステップＳ１４が実行されることにより、検出センサー４５３，４５４による干渉物の検出が開始され、ステップＳ２１またはステップＳ２４が実行されると、検出センサー４５３，４５４は（−Ｘ）方向に移動しつつ干渉物の検出を行う。

制御部７は、検出センサー４５３の検出結果と検出センサー４５４の検出結果とを比較するために、検出センサー４５４の検出結果について時間差ΔＴの修正を行う。基板処理装置１ｃでは、検出センサー４５３と検出センサー４５４とはＸ軸方向に間隔δで配置されている。したがって、検出センサー４５３によって検査された領域を、検査センサー４５４が検査するまでには時間差ΔＴが生じる。

ここで、移動機構５による検出センサー４５３，４５４の移動速度Ｖ、検出センサー４５３と検出センサー４５４との間隔δ、およびプログラムスキャンの誤差分α（定数）を用いて、制御部７は、この時間差ΔＴを数１により求める。

ΔＴ＝δ／Ｖ＋α ・・・ 数１

制御部７は、検出センサー４５３からの出力を、数１によりもとめた時間差ΔＴだけ遅らせてから検出センサー４５４の出力と比較する。これにより、検出センサー４５３，４５４の同じ位置における検出結果が互いに比較されることとなる。

干渉物の基板９１に対する相対位置は変化しないことから、実際に干渉物が存在している場合には、時間差ΔＴが経過した後に検査を行う検出センサー４５４によっても、Ｘ軸方向の同じ位置に対象物が検出される。このようにして、制御部７は検出センサー４５３によって検出された干渉物が、同じく検出センサー４５４によっても検出されるか否かを確認する。そして、いずれの検出センサー４５３，４５４においても同じ位置において受光量が閾値Ｑより小さい場合に、干渉物が存在すると判定する（ステップＳ２２またはステップＳ２５においてＹｅｓ）。

このように、検出センサー４５３において、例えばチャタリングが生ずることにより受光量が減少したかのような検出結果が出力された場合であっても、この検出結果が遅れて検出される検出センサー４５４の出力と比較確認されることによって干渉物の誤検出を防止することができる。同様に、検出センサー４５４においてチャタリングが生じた場合であっても、予め検出されていた検出センサー４５３の出力と比較確認されるため、干渉物の誤検出を防止することができる。したがって、基板処理装置１ｃは、検出センサー４５３，４５４におけるチャタリングによる検出精度の低下を防止することができる。

基板処理装置１ｃにおいて、干渉物が検出された場合の動作、および干渉物が検出されない場合の動作は、それぞれ基板処理装置１と同様である。

以上のように、第４の実施の形態における基板処理装置１ｃにおいても、上記実施の形態における基板処理装置１，１ａ，１ｂと同様に、干渉物の検出精度の低下を防止することができる。

特に、複数の検出センサーのそれぞれの有効検出範囲によって、スリットノズルの走査範囲を検査し、その検出結果を比較することにより、チャタリングによる誤検出を防止することができ、検出精度の低下を防止することができる。

なお、第４の実施の形態における基板処理装置１ｃが大型の基板９０を被処理基板とする場合は、検出センサー４５３を例えば第１の実施の形態に示す検出センサー４５（複数の検出センサー）によって構成するとともに、検出センサー４５４も同様に検出センサー４５によって構成することにより対応することができる。

＜５． 変形例＞
以上、本発明の実施の形態について説明してきたが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく多様な変形が可能である。

例えば、第３の実施の形態に示した各検出センサー４５ａを、Ｙ軸方向の位置が等しく、かつＸ軸方向に配列した２つの検出センサーから構成し、それらの検出結果を比較して、各検出センサー４５ａの検出結果とすることにより、検出センサーの検出方向が基板の表面に対して略垂直となる場合においてもチャタリングなどによる誤検出を防止することができ、検出精度の低下を抑制することができる。

また、第４の実施の形態に示した検出センサー４５３，４５４のＺ軸方向の位置調整作業において、検出センサー４５３の位置と、検出センサー４５４の位置とを異なるように設定し、Ｚ軸方向の異なる位置における対象物を検出するように構成してもよい。例えば、検出センサー４５３を（＋Ｚ）側、検出センサー４５４を（−Ｚ）側に位置調整する。この場合、検出センサー４５３によってのみ対象物が検出された場合はチャタリングなどによる「誤検出」と判定して処理を続行する。また、検出センサー４５４によってのみ対象物が検出された場合は、何らかの凹凸が生じているものと判定して警告のみ行う。さらに、両方の検出センサー４５３，４５４によって対象物が検出された場合は、スリットノズル４１に接触する対象物が存在すると判定して処理を停止する。すなわち、検出センサー４５３，４５４の検出結果に基づいて、より状況に応じた適切な制御を行うことができる。

本発明の第１の実施の形態における基板処理装置の正面図である。 第１の実施の形態における基板処理装置の検出センサーの周辺部における拡大図である。 スリットノズルの走査範囲を＋Ｚ方向から見た図である。 基板処理装置の塗布処理における動作を示す流れ図である。 基板処理装置の塗布処理における動作を示す流れ図である。 検出センサーが干渉物を検出する様子を示す図である。 検出センサーが干渉物を検出する様子を示す図である。 第２の実施の形態における基板処理装置の検出センサーの周辺部における拡大図である。 第３の実施の形態における基板処理装置を示す背面図である。 第４の実施の形態における基板処理装置のスリットノズルと検出センサーとを示す図である。 第４の実施の形態における走査範囲と、有効検出範囲とのＸＹ平面上の位置関係を示す図である。 検出センサーの検出結果の例を示す図である。 図１２に示す例における、もう一方の検出センサーの検出結果の例を示す図である。 従来の塗布装置に用いられる透過型のレーザーセンサーが干渉物を検出する原理を説明するための概念図である。 従来の塗布装置に用いられる透過型のレーザーセンサーが干渉物を検出する原理を説明するための概念図である。 従来の塗布装置に用いられる透過型のレーザーセンサーが干渉物を検出する原理を説明するための概念図である。 従来の塗布装置に用いられる透過型のレーザーセンサーが干渉物を検出する原理を説明するための概念図である。

符号の説明

１，１ａ，１ｂ，１ｃ 基板処理装置
３ ステージ
３０ 保持面
４ 架橋構造
４０ ノズル支持部
４１ スリットノズル
４２ ギャップセンサー
４３，４４ 昇降機構
４５，４５ａ，４５０，４５１，４５２，４５３，４５４ 検出センサー
５ 移動機構
５０ リニアモータ
５１ リニアエンコーダ
７ 制御部
９０，９１ 基板
Ｅ０，ＥＬ０ 走査範囲
Ｅ１，Ｅ２，Ｅ３，ＥＬ１，ＥＬ２ 有効検出範囲

Claims (11)

1. 基板に所定の処理液を塗布する基板処理装置であって、
   基板を保持する保持手段と、
   前記保持手段に保持された前記基板に対して所定の処理液を吐出する吐出手段と、
   前記保持手段に保持された前記基板と前記吐出手段とを相対的に移動させ、前記基板に対する前記吐出手段による走査を実行させる移動手段と、
   前記基板上に対する前記吐出手段による走査範囲に対して規定されたそれぞれの有効検出範囲に存在する対象物を検出する複数の検出手段と、
   前記複数の検出手段による検出結果に基づいて、前記移動手段を制御する制御手段と、
   を備え、
   前記吐出手段による走査中に前記吐出手段と干渉する対象物を、前記それぞれの有効検出範囲によって分担して検出することを特徴とする基板処理装置。
2. 基板に所定の処理液を塗布する基板処理装置であって、
   基板を保持する保持手段と、
   前記保持手段に保持された前記基板に対して所定の処理液を吐出する吐出手段と、
   前記保持手段に保持された前記基板と前記吐出手段とを相対的に移動させ、前記基板に対する前記吐出手段による走査を実行させる移動手段と、
   前記基板上に対する前記吐出手段による走査範囲に対して規定されたそれぞれの有効検出範囲に存在する対象物を検出する複数の検出手段と、
   前記複数の検出手段による検出結果に基づいて、前記移動手段を制御する制御手段と、
   を備え、
   前記それぞれの有効検出範囲がほぼ同じ領域に設定されており、前記複数の検出手段による検出結果を比較して、前記吐出手段による走査中に前記吐出手段と干渉する対象物を検出することを特徴とする基板処理装置。
3. 請求項１または２に記載の基板処理装置であって、
   前記複数の検出手段の検出方向が、前記保持手段に保持された前記基板に対して略平行方向、かつ、前記吐出手段による走査方向に対して略垂直方向であり、
   前記それぞれの有効検出範囲が、前記検出方向に配列されることを特徴とする基板処理装置。
4. 請求項３に記載の基板処理装置であって、
   前記複数の検出手段が、前記移動手段に取り付けられていることを特徴とする基板処理装置。
5. 請求項３に記載の基板処理装置であって、
   前記複数の検出手段が、前記吐出手段との相対距離を保った状態で一体的に移動するように取り付けられていることを特徴とする基板処理装置。
6. 請求項３ないし５のいずれかに記載の基板処理装置であって、
   前記複数の検出手段が、透過型のレーザーセンサーであることを特徴とする基板処理装置。
7. 請求項１または２に記載の基板処理装置であって、
   前記複数の検出手段の検出方向が、前記保持手段に保持された前記基板に対して略垂直方向であり、
   前記それぞれの有効検出範囲が、前記吐出手段による走査方向に対して略垂直方向に配列されることを特徴とする基板処理装置。
8. 請求項７に記載の基板処理装置であって、
   前記複数の検出手段が、前記検出方向に存在する対象物との相対距離を測定することを特徴とする基板処理装置。
9. 請求項７または８に記載の基板処理装置であって、
   前記複数の検出手段が、反射型のレーザーセンサーであることを特徴とする基板処理装置。
10. 請求項７または８に記載の基板処理装置であって、
    前記複数の検出手段が、反射型の超音波センサーであることを特徴とする基板処理装置。
11. 請求項７ないし１０のいずれかに記載の基板処理装置であって、
    前記複数の検出手段が、前記吐出手段との相対距離を保った状態で一体的に移動するように取り付けられていることを特徴とする基板処理装置。

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