JP3987378B2

JP3987378B2 - 基板処理装置

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Publication number: JP3987378B2
Application number: JP2002150919A
Authority: JP
Inventors: 裕之北澤; 良幸中川
Original assignee: Screen Holdings Co Ltd; Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Screen Holdings Co Ltd; Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority date: 2002-05-24
Filing date: 2002-05-24
Publication date: 2007-10-10
Anticipated expiration: 2022-05-24
Also published as: JP2003347190A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、基板に対して所定の処理を行う基板処理装置における技術に関する。より詳しくは、基板に所定の処理液を塗布し、当該処理が適切に行われたか否かの判定を行う検査技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】
基板の表面に対してレジスト液などの所定の処理液を塗布する場合、保持台上の所定の位置に基板を保持しておき、スリットノズルによって処理液を吐出しつつ基板の表面を走査するスキャンコーティングが行われる。例えば、特開平１１−１６５１１１号公報には、モータによってボールネジを回転させ、スリットノズルの両端に剛性結合された２つの移動台を移動させることにより、スキャンコーティングを行う基板処理装置に関する技術が提案されている。このような技術は、処理対象となる基板が大型である場合や、角形の基板である場合には、スピンコーティング（基板を回転させつつ塗布する手法）による均一な薬液塗布が難しいため、特に有効である。
【０００３】
しかし、このように塗布処理に有効なスキャンコーティングにおいても、スリットノズルの吐出不良など、種々の原因によって基板の表面上に形成されるべき処理液の層が均一に形成されない場合がある。これらの不良基板は、製品として出荷すべきでないことから、従来より、後工程において、塗布処理が行われた後の基板に対して、塗布処理により形成された処理液の層の検査が行われ、不良基板の検出を行い、当該不良基板の再処理または破棄が行われる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、後工程における前述の検査によって、不良基板の選別を行うことはできるものの、不良基板が検出されるのは、基板が後工程に搬送され、検査された後である。したがって、塗布不良となる原因が基板処理装置において発生していても迅速な対応ができず、その間に処理された基板が同じ原因により、不良基板となってしまうという問題があった。
【０００５】
また、上記問題を解決するために、例えば、後工程における検査と同等の検査を行うための構成を基板処理装置に設けるとすれば、装置構成がいたずらに複雑化するという問題があった。
【０００６】
本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、装置構成を複雑化させることなく、簡易に処理状況を確認することができる基板処理装置を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記の課題を解決するため、請求項１の発明は、基板を保持する保持台と、前記基板に対して所定の処理液を吐出するスリットノズルと、前記保持台の上方に略水平に掛け渡された架橋構造と、前記架橋構造を前記基板の表面に沿った略水平方向に移動させる移動手段とを備え、前記移動手段が、前記略水平方向に前記架橋構造を移動させつつ、前記スリットノズルによって前記基板の表面を走査することにより、前記基板の表面に対して前記所定の処理液の層（形成層）を形成する基板処理装置において、前記架橋構造のうち前記基板の表面と対向する位置に取り付けられ、所定の方向にレーザ光を投光し、前記存在物の表面により反射された前記レーザ光のうちの第１正反射光を受光素子配列で受光することにより、所定の方向の存在物との間の距離を検出するセンシング手段と、前記センシング手段の検出結果に基づいて前記形成層の厚さ寸法を算出する算出手段と、前記架橋構造に配置されたスリットノズルを昇降させる昇降手段と、前記センシング手段の検出結果に基づいて、前記昇降手段を制御する制御手段と、前記算出手段により算出された前記形成層の厚さ寸法に基づいて、前記基板に対する処理の良否を判定する判定手段とをさらに備える。
【０００９】
また、請求項２の発明は、請求項１の発明に係る基板処理装置において、前記センシング手段が、前記形成層が形成される前後において、前記基板の表面との間の第１距離と前記形成層の表面との間の第２距離とを検出し、前記算出手段が、前記第１距離と前記第２距離との差を計算することにより、前記形成層の厚さ寸法を算出する。
【００１２】
また、請求項３の発明は、請求項１の発明に係る基板処理装置において、前記センシング手段が、所定の方向にレーザ光を投光し、前記レーザ光のうち、前記形成層の表面により反射された前記第１正反射光と、前記基板の表面により反射された第２正反射光とを同時に受光素子配列上に受光し、前記算出手段が、前記第１正反射光により受光素子配列上に現れる強度分布のピークと、前記第２正反射光により受光素子配列上に現れる強度分布のピークとの受光素子配列上における距離に基づいて、前記形成層の厚さ寸法を検出する。
【００１３】
また、請求項４の発明は、請求項１ないし３のいずれかの発明に係る基板処理装置において、前記基板がフラットパネルディスプレイ用の基板であり、前記所定の処理液がレジスト液である。
【００１４】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の好適な実施の形態について、添付の図面を参照しつつ、詳細に説明する。
【００１５】
＜１．実施の形態＞
＜１．１構成の説明＞
図１は、本発明の実施の形態である基板処理装置１の概略を示す斜視図である。図２は、基板処理装置１の本体２を上方から見た平面図である。また、図３および図４は、本体２の正面図および側面図である。
【００１６】
基板処理装置１は、本体２と制御系６とに大別され、液晶表示装置の画面パネルを製造するための角形ガラス基板を被処理基板９０としており、基板９０の表面に形成された電極層などを選択的にエッチングするプロセスにおいて、基板９０の表面にレジスト液を塗布する塗布装置として構成されている。したがって、この実施の形態では、スリットノズル４１は基板９０に対してレジスト液を吐出するようになっている。なお、基板処理装置１は、液晶表示装置用のガラス基板だけでなく、一般に、フラットパネルディスプレイ用の種々の基板に処理液（薬液）を塗布する装置として変形利用することもできる。
【００１７】
本体２は、被処理基板９０を載置して保持するための保持台として機能するとともに、付属する各機構の基台としても機能するステージ３を備える。ステージ３は直方体形状の一体の石製であり、その上面（保持面３０）および側面は平坦面に加工されている。
【００１８】
ステージ３の上面は水平面とされており、基板９０の保持面３０となっている。保持面３０には多数の真空吸着口が分布して形成されており、基板処理装置１において基板９０を処理する間、基板９０を吸着することにより、基板９０を所定の水平位置に保持する。
【００１９】
この保持面３０のうち基板９０の保持エリア（基板９０が保持される領域）を挟んだ両端部には、略水平方向に平行に伸びる一対の走行レール３１ａが固設される。走行レール３１ａは、架橋構造４の両端部に固設される支持ブロック３１ｂとともに、架橋構造４の移動を案内し（移動方向を所定の方向に規定する）、架橋構造４を保持面３０の上方に支持するリニアガイドを構成する。
【００２０】
ステージ３の上方には、このステージ３の両側部分から略水平に掛け渡された架橋構造４が設けられている。架橋構造４は、カーボンファイバ樹脂を骨材とするノズル支持部４０と、その両端を支持する昇降機構４３，４４とから主に構成される。
【００２１】
ノズル支持部４０には、スリットノズル４１とギャップセンサ４２とが取り付けられている。
【００２２】
水平Ｙ方向に伸びるスリットノズル４１には、スリットノズル４１へ薬液（レジスト液）を供給する配管やレジスト用ポンプを含む吐出機構（図示せず）が接続されている。スリットノズル４１は、レジスト用ポンプによりレジスト液が送られ、基板９０の表面を走査することにより、基板９０の表面の所定の領域（以下、「レジスト塗布領域」と称する。）にレジスト液を吐出する。
【００２３】
ギャップセンサ４２は、架橋構造４のノズル支持部４０に基板９０の表面と対向する位置に取り付けられ、所定の方向（−Ｚ方向）の存在物（例えば、基板９０やレジスト膜）との間の距離（ギャップ）を検出して、検出結果を制御系６に伝達する。
【００２４】
図５は、ギャップセンサ４２に用いられるレーザ変位計の原理を示す図である。ギャップセンサ４２は、ＣＣＤ（一般には、受光素子配列）４２０および受光レンズ４２１を備え、図示しない投光部から所定の方向にレーザ光を発射（投光）する。投光部から発射されたレーザ光（入射光）は、存在物の表面ＳＦ１で反射され、当該反射されたレーザ光のうちの正反射光が受光レンズ４２１を通して、ＣＣＤ４２０で受光される。
【００２５】
ここで、ギャップセンサ４２において、投光部、基準面ＳＦ０、およびＣＣＤ４２０の各位置関係は既知であり、投光部が発射するレーザ光の発射方向および受光レンズ４２１の焦点位置も既知である。したがって、ギャップセンサ４２は、受光したレーザ光のＣＣＤ４２０上における強度分布（ＣＣＤ４２０上の受光位置を示す）から三角測量法の原理に基づいて、基準面ＳＦ０と存在物の表面ＳＦ１との間の距離（ギャップ）Ｄを検出する機能を有している。
【００２６】
このように、ギャップセンサ４２が、存在物の表面で反射されるレーザ光のうち、正反射光を受光して当該存在物との間の距離の検出を行うことにより、例えば、拡散反射光を受光する場合に比べて、分解能を向上させることができるため、存在物の表面との間の距離を精度よく測定することができる。
【００２７】
また、ノズル支持部４０にスリットノズル４１とギャップセンサ４２とが取り付けられることにより、これらの相対的な位置関係が固定される。したがって、制御系６は、ギャップセンサ４２の検出結果に基づいて、基板９０の表面とスリットノズル４１との距離を検出することができる。なお、本実施の形態における基板処理装置１では２つのギャップセンサ４２を備えているが、ギャップセンサ４２の数はこれに限られるものではなく、さらに、多くのギャップセンサ４２を備えていてもよい。
【００２８】
昇降機構４３，４４はスリットノズル４１の両側に分かれて、ノズル支持部４０によりスリットノズル４１と連結されている。昇降機構４３，４４はスリットノズル４１を並進的に昇降させるとともに、スリットノズル４１のＹＺ平面内での姿勢を調整するためにも用いられる。
【００２９】
架橋構造４の両端部には、ステージ３の両側の縁側に沿って別れて配置された一対のＡＣコアレスリニアモータ（以下、単に、「リニアモータ」と略する。）５０，５１が、それぞれ固設される。
【００３０】
リニアモータ５０は、固定子（ステータ）５０ａと移動子５０ｂとを備え、固定子５０ａと移動子５０ｂとの電磁的相互作用によって架橋構造４をＸ軸方向（基板９０の表面に沿った方向）に移動させるための駆動力を生成するモータである。また、リニアモータ５０による移動量および移動方向は、制御系６からの制御信号により制御可能となっている。なお、リニアモータ５１もほぼ同様の機能、構成を有する。
【００３１】
リニアエンコーダ５２，５３は、それぞれスケール部および検出子（図示せず）を備え、スケール部と検出子との相対的な位置関係を検出して、制御系６に伝達する。各検出子は架橋構造４の両端部にそれぞれ固設されており、リニアエンコーダ５２，５３は架橋構造４の位置検出を行う機能を有している。
【００３２】
制御系６は、プログラムに従って各種データを処理する演算部６０、プログラムや各種データを保存する記憶部６１を内部に備える。また、前面には、オペレータが基板処理装置１に対して必要な指示を入力するための操作部６２、および各種データを表示する表示部６３を備える。
【００３３】
制御系６は、図示しないケーブルにより本体２に付属する各機構と接続されており、操作部６２および各種センサなどからの信号に基づいて、ステージ３、架橋構造４、昇降機構４３，４４、およびリニアモータ５０，５１などの各構成を制御する。
【００３４】
特に制御系６は、この実施の形態では、ギャップセンサ４２の検出結果に基づいて、スリットノズル４１の基板９０に対する姿勢および高さを制御し、また、ギャップセンサ４２の検出結果に基づいて、基板９０の表面に形成されたレジスト膜の厚さ寸法を算出し、算出した厚さ寸法に基づいて、基板９０に対するレジスト塗布処理の良否を判定する。なお、判定結果は、表示部６３に表示させる。
【００３５】
制御系６の具体的な構成としては、記憶部６１はデータを一時的に記憶するＲＡＭ、読み取り専用のＲＯＭ、および磁気ディスク装置などが該当し、可搬性の光磁気ディスクやメモリーカードなどの記憶媒体、およびそれらの読み取り装置などであってもよい。また、操作部６２は、ボタンおよびスイッチ類（キーボードやマウスなどを含む。）などであるが、タッチパネルディスプレイのように表示部６３の機能を兼ね備えたものであってもよい。表示部６３は、液晶ディスプレイや各種ランプなどが該当する。
【００３６】
＜１．２動作の説明＞
次に、基板処理装置１の動作について説明する。基板処理装置１では、オペレータまたは図示しない搬送機構により、所定の位置に基板９０が搬送されることによって、レジスト塗布処理が開始される。なお、処理を開始するための指示は、基板９０の搬送が完了した時点で、オペレータが操作部６２を操作することにより入力されてもよい。
【００３７】
まず、ステージ３が保持面３０上の所定の位置に基板９０を吸着して保持する。続いて、制御系６からの制御信号に基づいて、昇降機構４３，４４が、ノズル支持部４０に取り付けられたギャップセンサ４２を基板９０の厚み分よりも高い所定の高度（以下、「測定高度」と称する。）に移動させる。
【００３８】
ギャップセンサ４２が測定高度にセットされると、リニアモータ５０，５１が、架橋構造４をＸ方向に移動させることにより、ギャップセンサ４２をレジスト塗布領域の上方まで移動させる。ここで、レジスト塗布領域とは、基板９０の表面のうちでレジスト液を塗布しようとする領域であって、通常、基板９０の全面積から、端縁に沿った所定幅の領域を除いた領域である。このとき、制御系６は、リニアエンコーダ５２，５３の検出結果に基づいて、それぞれのリニアモータ５０，５１に制御信号を与えることにより、ギャップセンサ４２のＸ軸方向の位置を制御する。
【００３９】
次に、ギャップセンサ４２が基板９０表面のレジスト塗布領域における基板９０表面とスリットノズル４１とのギャップの測定を開始する。測定が開始されると、リニアモータ５０，５１が架橋構造４をさらにＸ方向に移動させることでギャップセンサ４２がレジスト塗布領域を走査し、走査中の測定結果を制御系６に伝達する。このとき、制御系６は、ギャップセンサ４２の測定結果を、リニアエンコーダ５２，５３によって検出される水平位置と関連づけて記憶部６１に保存する。
【００４０】
架橋構造４が基板９０の上方をＸ方向に通過して、ギャップセンサ４２による走査が終了すると、制御系６は、架橋構造４をその位置で停止させ、ギャップセンサ４２からの検出結果に基づいて、スリットノズル４１のＹＺ平面における姿勢が、適切な姿勢（スリットノズル４１とレジスト塗布領域との間隔がレジスト液を塗布するために適切な間隔となる姿勢。以下、「適正姿勢」と称する。）となるノズル支持部４０の位置を算出し、算出結果に基づいて、それぞれの昇降機構４３，４４に制御信号を与える。その制御信号に基づいて、それぞれの昇降機構４３，４４がノズル支持部４０をＺ軸方向に移動させ、スリットノズル４１を適正姿勢に調整する。
【００４１】
このように、基板処理装置１では、レジスト液の均一な塗布を実現するために、スリットノズル４１と基板９０の表面との距離を厳密に調整する必要があるが、制御系６が、ギャップセンサ４２の検出結果に基づいて、昇降機構４３，４４を制御する。
【００４２】
さらに、リニアモータ５０，５１が架橋構造４を−Ｘ方向に移動させ、スリットノズル４１を吐出開始位置に移動させる。ここで、吐出開始位置とは、レジスト塗布領域の一辺にスリットノズル４１がほぼ沿う位置である。
【００４３】
スリットノズル４１が吐出開始位置まで移動すると、制御系６が制御信号をリニアモータ５０，５１およびレジスト用ポンプ（図示せず）に与える。その制御信号に基づいて、リニアモータ５０，５１が架橋構造４を−Ｘ方向に移動させることでスリットノズル４１が基板９０の表面を走査し、そのスリットノズル４１の走査中にレジスト用ポンプを運転することでスリットノズル４１にレジスト液が送られ、スリットノズル４１がレジスト塗布領域にレジスト液を吐出する。これにより、基板９０の表面上にレジスト液の層が形成される。
【００４４】
スリットノズル４１が吐出終了位置まで移動すると、制御系６が制御信号をレジスト用ポンプ、昇降機構４３，４４およびリニアモータ５０，５１に与える。その制御信号に基づいて、レジスト用ポンプが停止することによってスリットノズル４１からのレジスト液の吐出が停止し、昇降機構４３，４４がギャップセンサ４２を測定高度に移動させる。
【００４５】
次に、リニアモータ５０，５１が架橋構造４をＸ方向に移動させることでギャップセンサ４２がレジスト塗布領域を走査し、基板９０上に形成されたレジスト膜とのギャップを測定して制御系６に伝達する。制御系６は、レジスト塗布前に測定したギャップの値（基板９０の表面との間の距離）と、レジスト塗布後に測定したギャップの値（レジスト膜の表面との間の距離）との差を計算することにより、基板９０上に形成されたレジスト膜の厚さ寸法を算出する。
【００４６】
さらに、算出した厚さ寸法に応じて、許容される厚さ寸法の範囲として予め設定されている所定値と比較することにより、基板９０に対して行われた塗布処理の良否を判定し、判定結果を表示部６３に表示する。
【００４７】
これにより、基板９０の表面上に処理液の層（レジスト膜）を形成した後、速やかに良否判定を行うことができることことから、表示部６３に表示された判定結果に基づいて、例えば、オペレータなどが処理状況に迅速に対応できる。また、当該判定は、ギャップセンサ４２を設けるだけで行うことができることから、装置構成をいたずらに複雑にすることなく簡易に検査をすることができる。
【００４８】
なお、ギャップセンサ４２を用いた検査では、主にＸ軸方向の異常の検出を行うことができることから、例えば、レジスト液が塗布されていない（レジスト液の不足）、吐出開始位置や吐出終了位置がずれている、塗布終了位置において厚膜化現象が生じているといった異常を検出することができる。このような異常は、個々の基板９０毎に起きるというよりも、同じ状態で処理されるすべての基板９０において生じる可能性が高く、後工程において異常を検出していたのでは、その間にも不良基板が発生してしまうことになる。したがって、基板処理装置１のように、迅速に対応することによる効果は大きい。また、当該判定により、基板９０に対する処理に異常が検出された場合には、判定結果を表示するのみならず、その程度に応じて処理を停止してノズル洗浄を行うなど自動的に回復処理を行うようにしてもよい。
【００４９】
レジスト膜の検査が終了すると、ステージ３は基板９０の吸着を停止し、オペレータまたは搬送機構が基板９０を保持面３０から取り上げ、次の処理工程に搬送する。
【００５０】
以上のように、基板処理装置１では、レジスト液を塗布する前後において、それぞれギャップセンサ４２による走査を行い、基板９０の表面との間の距離と、レジスト膜の表面との間の距離とを検出し、それらの差を計算することにより、基板９０の表面に形成されたレジスト膜の厚さ寸法を算出して、基板９０に対する処理の良否を判定することにより、基板９０の表面上に処理液の層を形成した後、速やかに良否判定を行うことができることことから、異常状態が発生している場合に迅速に対応できる。また、レジスト膜厚測定専用のセンサを必要としないため、装置構成を複雑にすることなく簡易に検査をすることができる。
【００５１】
また、制御系６が、ギャップセンサ４２の検出結果に基づいて、スリットノズルを昇降させる昇降機構４３，４４を制御することにより、スリットノズル４１の姿勢および高さの検出とレジスト膜厚の測定とをギャップセンサ４２で兼用することができ、別途、スリットノズルの高さ位置を検出するため、専用の構成を設ける必要がなく、装置構成を簡素化することができる。
【００５２】
＜２．第２の実施の形態＞
第１の実施の形態では、レジスト塗布前に測定したギャップの値（基板９０の表面との距離）と、レジスト塗布後に測定したギャップの値（レジスト膜の表面との距離）との差を求めることにより、レジスト膜の厚さ寸法を検出して、塗布処理の良否を判定すると説明したが、レジスト膜の厚さ寸法を検出する手法は、これに限られるものではなく、レジスト膜の厚さ寸法を直接検出するように構成してもよい。
【００５３】
図６は、このような原理に基づいて構成した第２の実施の形態におけるギャップセンサ４６の原理を説明する図である。なお、第２の実施の形態における基板処理装置１は、ギャップセンサ４６以外の構成は第１の実施の形態とほぼ同様であるため説明を省略する。
【００５４】
図６に示すように、ギャップセンサ４６は、第１の実施の形態におけるギャップセンサ４２と同様に、ＣＣＤ４６０および受光レンズ４６１を備えるレーザ変位計であり、ギャップセンサ４２が有する機能を同様に有している。さらに、ギャップセンサ４６は、投光したレーザ光（入射光）のうち、第１反射光（表面ＳＦ２で反射されたレーザ光）と、第２反射光（表面ＳＦ３で反射されたレーザ光）とを同時にＣＣＤ４６０上に受光し、第１反射光によりＣＣＤ４６０上に現れる強度分布のピークと、第２反射光によりＣＣＤ４６０上に現れる強度分布のピークとのＣＣＤ４６０上における距離δに基づいて、表面ＳＦ２と表面ＳＦ３との間の距離ｄを検出する機能を有する。すなわち、ギャップセンサ４６は、表面ＳＦ２が基板９０の表面に形成されたレジスト膜の表面であり、表面ＳＦ３が基板９０の表面である場合に、直接、レジスト膜の厚さ寸法（距離ｄ）を検出することができる。
【００５５】
検出したレジスト膜の厚さ寸法は、制御系６に伝達され、第１の実施の形態と同様に、制御系６による判定が行われる。
【００５６】
以上により、第２の実施の形態における基板処理装置１においても、第１の実施の形態と同様の効果を得ることができる。また、ギャップセンサ４６が、直接、レジスト膜の厚さ寸法を検出することにより、制御系６がレジスト膜の厚さ寸法を算出する必要がなく、基板処理装置１における演算量を削減することができる。
【００５７】
＜３．変形例＞
以上、本発明の実施の形態について説明してきたが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく様々な変形が可能である。
【００５８】
例えば、同時に２つの面からの反射光を検出する機能を有するギャップセンサを用いて、レジスト膜の表面と基準面ＳＦ０との間の距離、および基板の表面と基準面ＳＦ０との間の距離を一回の走査で同時に求め、それらの差を算出することにより、レジスト膜の厚さ寸法を検出してもよい。
【００５９】
また、上記実施の形態では、塗布処理に対する判定結果は表示部６３に表示するとしたが、判定結果を確認する手段はこれに限られるものではない。例えば、プリンタなどにより印刷されてもよいし、オペレータのいる位置が離れている場合などには、判定結果をネットワークを介して遠隔地へ送信する、あるいは、警告音を発生させるなどの手段を用いてもよい。
【００６０】
【発明の効果】
請求項１ないし４に記載の発明では、算出手段により算出された形成層の厚さ寸法に基づいて、基板に対する処理の良否を判定することにより、基板の表面上に処理液の層を形成した後、速やかに良否判定を行うことができることことから、処理状況に迅速に対応できる。
【００６１】
また、算出手段が、架橋構造のうち基板の表面と対向する位置に取り付けられ、所定の方向の存在物との間の距離を検出するセンシング手段の検出結果に基づいて前記形成層の厚さ寸法を算出することにより、装置構成を複雑にすることなく簡易に検査をすることができる。
また、制御手段が、センシング手段の検出結果に基づいて、昇降手段を制御することにより、別途、スリットノズルと基板の表面との距離を検出するための構成を設ける必要がなく、装置構成を簡素化することができる。
【００６２】
また、センシング手段が、存在物にレーザ光を投光し、存在物の表面により反射されたレーザ光のうちの第１正反射光を受光素子配列で受光することにより、存在物との間の距離を検出することにより、存在物との間の距離を精度よく検出することができる。
【００６４】
請求項３に記載の発明では、センシング手段が、形成層の表面により反射された第１正反射光と、基板の表面により反射された第２正反射光とを同時に受光素子配列上に受光し、算出手段が、第１正反射光により受光素子配列上に現れる強度分布のピークと、第２正反射光により受光素子配列上に現れる強度分布のピークとの受光素子配列上における距離に基づいて、形成層の厚さ寸法を算出することにより、演算量を削減することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態における基板処理装置の概略を示す斜視図である。
【図２】基板処理装置の本体を上方から見た平面図である。
【図３】本体の正面図である。
【図４】本体の側面図である。
【図５】第１の実施の形態におけるギャップセンサの原理を説明する図である。
【図６】第２の実施の形態におけるギャップセンサの原理を説明する図である。
【符号の説明】
１基板処理装置
３ステージ
３０保持面
４架橋構造
４０ノズル支持部
４１スリットノズル
４２ギャップセンサ
４２０ＣＣＤ
４３，４４昇降機構
４６ギャップセンサ
４６０ＣＣＤ
５０，５１リニアモータ
５０ａ固定子
５０ｂ移動子
６制御系
６０演算部
６１記憶部
９０基板

Claims

基板を保持する保持台と、
前記基板に対して所定の処理液を吐出するスリットノズルと、
前記保持台の上方に略水平に掛け渡された架橋構造と、
前記架橋構造を前記基板の表面に沿った略水平方向に移動させる移動手段と、
を備え、
前記移動手段が、前記略水平方向に前記架橋構造を移動させつつ、前記スリットノズルによって前記基板の表面を走査することにより、前記基板の表面に対して前記所定の処理液の層（形成層）を形成する基板処理装置において、
前記架橋構造のうち前記基板の表面と対向する位置に取り付けられ、所定の方向にレーザ光を投光し、前記存在物の表面により反射された前記レーザ光のうちの第１正反射光を受光素子配列で受光することにより、所定の方向の存在物との間の距離を検出するセンシング手段と、
前記センシング手段の検出結果に基づいて前記形成層の厚さ寸法を算出する算出手段と、
前記架橋構造に配置されたスリットノズルを昇降させる昇降手段と、
前記センシング手段の検出結果に基づいて、前記昇降手段を制御する制御手段と、
前記算出手段により算出された前記形成層の厚さ寸法に基づいて、前記基板に対する処理の良否を判定する判定手段と、
をさらに備えることを特徴する基板処理装置。
請求項１に記載の基板処理装置において、
前記センシング手段が、
前記形成層が形成される前後において、前記基板の表面との間の第１距離と前記形成層の表面との間の第２距離とを検出し、
前記算出手段が、
前記第１距離と前記第２距離との差を計算することにより、前記形成層の厚さ寸法を算出することを特徴とする基板処理装置。
請求項１に記載の基板処理装置において、
前記センシング手段が、
所定の方向にレーザ光を投光し、前記レーザ光のうち、前記形成層の表面により反射された前記第１正反射光と、前記基板の表面により反射された第２正反射光とを同時に受光素子配列上に受光し、
前記算出手段が、前記第１正反射光により受光素子配列上に現れる強度分布のピークと、前記第２正反射光により受光素子配列上に現れる強度分布のピークとの受光素子配列上における距離に基づいて、前記形成層の厚さ寸法を検出することを特徴とする基板処理装置。
請求項１ないし３のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記基板がフラットパネルディスプレイ用の基板であり、前記所定の処理液がレジスト液であることを特徴とする基板処理装置。