TW202409734A - 資訊收集系統、檢查用基板、及資訊收集方法 - Google Patents

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Abstract

[課題]可取得基板處理裝置中的功能構件與基板的距離資訊。 [解決手段]本發明之資訊收集系統係取得關於具有：保持基板的基板保持部、及位於基板的背面側的環狀構件的基板處理裝置的資訊的資訊收集系統，其係具有：具有可藉由基板保持部予以保持的底面的圓板狀的本體部；對本體部予以固定，對環狀構件照射測定波的照射部；對本體部予以固定，檢測對來自照射部的測定波的響應的檢測部；及根據在檢測部中被檢測到的響應，取得本體部與環狀構件之間的間隔的資訊的運算部。

Description

資訊收集系統、檢查用基板、及資訊收集方法
本揭示係關於資訊收集系統、檢查用基板、及資訊收集方法。
在半導體元件的製造工程中，半導體晶圓在被儲放在載體的狀態下被搬送至基板處理裝置接受處理。以該處理而言，列舉例如藉由供給塗布液所致之塗布膜的形成或顯影等液體處理。該液體處理時，由噴嘴對被收納在杯件(cup)內的晶圓供給處理液。在專利文獻1中係記載具備具有與晶圓的下表面相對向的環狀突起的杯件的顯影裝置。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2020-13932號公報
(發明所欲解決之問題)
本揭示係提供可取得基板處理裝置中的功能構件與基板的距離資訊的技術。 (解決問題之技術手段)
本揭示之一態樣之資訊收集系統係取得關於具有：保持基板的基板保持部、及位於前述基板的背面側的環狀構件的基板處理裝置的資訊的資訊收集系統，其係具有：具有可藉由前述基板保持部予以保持的底面的圓板狀的本體部；對前述本體部予以固定，對前述環狀構件照射測定波的照射部；對前述本體部予以固定，在前述本體部上檢測對來自前述照射部的前述測定波的響應的檢測部；及取得前述本體部與前述環狀構件之間的間隔的資訊的運算部。 (發明之效果)
藉由本揭示，提供可取得基板處理裝置中的功能構件與基板的距離資訊的技術。
以下說明各種例示性實施形態。
在一個例示性實施形態中，提供一種資訊收集系統。資訊收集系統係取得關於具有：保持基板的基板保持部、及位於前述基板的背面側的環狀構件的基板處理裝置的資訊的資訊收集系統，其係具有：具有可藉由前述基板保持部予以保持的底面的圓板狀的本體部；對前述本體部予以固定，對前述環狀構件照射測定波的照射部；對前述本體部予以固定，檢測對來自前述照射部的前述測定波的響應的檢測部；及根據在前述檢測部中被檢測到的前述響應，取得前述本體部與前述環狀構件之間的間隔的資訊的運算部。
藉由上述資訊收集系統，由被固定在圓板狀的本體部的照射部對環狀構件照射測定波，且在對本體部予以固定的檢測部中，檢測對來自照射部的測定波的響應，由該響應結果取得本體部與環狀構件之間的間隔的資訊。本體部係可保持在基板保持部，因此藉由形成為如上所示之構成，可取得基板處理裝置中的功能構件與基板的距離資訊。
亦可為前述照射部係照射光作為前述測定波，前述檢測部係對被照射到前述光的前述環狀構件進行攝像的攝影機的態樣。
此時，在運算部中，使用在攝影機中被攝像到的畫像，取得本體部與環狀構件之間的間隔的資訊。藉由形成為利用畫像所包含的各種資訊來取得上述間隔的資訊的構成，可取得有關基板處理裝置中的功能構件與基板的距離之更正確的資訊。
亦可為由前述照射部被照射的前述光係帶狀的光，前述帶狀的光係以朝相對前述環狀構件的周方向呈交叉的方向延長的方式，而且由與對前述環狀構件的上端呈垂直為不同的方向，對前述環狀構件照射，前述運算部係由在前述攝影機被攝像到的畫像，特定前述環狀構件中的前述帶狀的光的照射位置，根據該資訊，取得前述本體部與前述環狀構件之間的間隔的資訊的態樣。
藉由使用帶狀的光，即使環狀構件與本體部的位置稍微變化，亦可容易對環狀構件照射帶狀的光。此外，若由與對環狀構件的上端呈垂直為不同的方向對環狀構件照射，環狀構件中的帶狀的光的照射位置依本體部與環狀構件的距離而發生變化。因此，在運算部中，藉由形成為特定環狀構件中的帶狀的光的照射位置，根據該資訊，求出本體部與環狀構件之間的間隔的構成，可取得有關基板處理裝置中的功能構件與基板的距離之更正確的資訊。
亦可為前述運算部係根據表示前述環狀構件中的前述帶狀的光的照射位置、與前述本體部與前述環狀構件之間的間隔的關係的模型，取得前述本體部與前述環狀構件之間的間隔的資訊的態樣。
如上所述，藉由形成為根據模型來算出本體部與環狀構件之間的間隔的構成，可取得有關基板處理裝置中的功能構件與基板的距離之更正確的資訊。
亦可為前述運算部係由有關在前述攝影機被攝像到的畫像所包含的光的強度分布的資訊，求出前述環狀構件的周方向中的光的強度分布的變化，由該變化的資訊，特定前述環狀構件中的前述帶狀的光的照射位置的態樣。
藉由形成為上述構成，可更正確特定帶狀的光的照射位置，因此可取得有關基板處理裝置中的功能構件與基板的距離之更正確的資訊。
亦可為前述環狀構件的上表面係具有沿著周方向反覆的凹凸，前述運算部係對在前述攝影機被攝像到的畫像使用快速傅立葉轉換，由前述畫像將沿著前述環狀構件的周方向反覆的光的強度的頻率成分去除，特定前述環狀構件中的前述帶狀的光的照射位置的態樣。
若在環狀構件的上表面設有沿著周方向反覆的凹凸，有藉由因凹凸而散射的光而難以特定帶狀的光的照射位置的可能性。在如上所示之情形下，如上所述，藉由進行使用快速傅立葉轉換來去除頻率成分的處理，可更正確地特定帶狀的光的照射位置。
亦可為前述環狀構件係具備：位於前述基板的背面側且設有抑制對前述基板所供給的處理液繞入至背面的凸部的背面受液部的液體處理杯件，前述本體部與前述環狀構件之間的間隔係前述本體部與前述背面受液部的凸部的間隔的態樣。
背面受液部的凸部係與基板近接配置的構件，因此圖求正確掌握該距離。因此，藉由形成為上述構成，可更正確地掌握與基板的距離。
此外，亦可為包含：可在與控制前述基板處理裝置的控制裝置之間進行通訊的資訊收集裝置；及可在與前述資訊收集裝置之間進行通訊，且具有：前述本體部、前述照射部、及前述檢測部的檢查用基板，前述照射部及前述檢測部係根據前述資訊收集裝置的指示進行動作的態樣。
此時，亦可為前述運算部係設在前述檢查用基板，根據前述資訊收集裝置的指示進行動作的態樣。此外，亦可為前述運算部係設在前述資訊收集裝置的態樣。
在一個例示性實施形態中，提供一種檢查用基板。檢查用基板係取得關於具有：保持基板的基板保持部、及位於前述基板的背面側的環狀構件的基板處理裝置的資訊的檢查用基板，其係具有：具有可藉由前述基板保持部予以保持的底面的圓板狀的本體部；對前述本體部予以固定，對前述環狀構件照射測定波的照射部；及對前述本體部予以固定，檢測對來自前述照射部的前述測定波的響應的檢測部。
藉由上述檢查用基板，由被固定在圓板狀的本體部的照射部對環狀構件照射測定波，在對本體部予以固定的檢測部中，檢測對來自照射部的測定波的響應，由該響應結果取得本體部與環狀構件之間的間隔的資訊。本體部係形成為可保持在基板保持部，因此藉由形成為如上所示之構成，可取得基板處理裝置中的功能構件與基板的距離資訊。
亦可為另外具有：根據在前述檢測部中被檢測到的前述響應，取得前述本體部與前述環狀構件之間的間隔的資訊的運算部的態樣。
在一個例示性實施形態中，提供一種資訊收集方法。資訊收集方法係取得關於具有：保持基板的基板保持部、及位於前述基板的背面側的環狀構件的基板處理裝置的資訊的資訊收集方法，其係包含：藉由前述基板保持部來保持圓板狀的本體部的底面；由對前述本體部予以固定的照射部，對前述環狀構件照射測定波；在對前述本體部予以固定的檢測部中，檢測對來自前述照射部的前述測定波的響應；及根據在前述檢測部中被檢測到的前述響應，在運算部中取得前述本體部與前述環狀構件之間的間隔的資訊。
藉由上述資訊收集方法，由被固定在圓板狀的本體部的照射部對環狀構件照射測定波，在對本體部予以固定的檢測部中，檢測對來自照射部的測定波的響應，由該響應結果取得本體部與環狀構件之間的間隔的資訊。本體部係形成為可保持在基板保持部，因此藉由形成為如上所示之構成，可取得基板處理裝置中的功能構件與基板的距離資訊。
亦可為在前述照射中，前述照射部係照射光作為前述測定波，前述檢測部係對被照射到前述光的前述環狀構件進行攝像的攝影機的態樣。
此時，在運算部中，使用在攝影機中被攝像到的畫像，取得本體部與環狀構件之間的間隔的資訊。藉由形成為利用畫像所包含的各種資訊來取得上述間隔的資訊的構成，可取得有關基板處理裝置中的功能構件與基板的距離之更正確的資訊。
亦可為在前述照射中由前述照射部被照射的前述光係帶狀的光，前述帶狀的光係以朝相對前述環狀構件的周方向呈交叉的方向延長的方式，而且由與對前述環狀構件的上端呈垂直為不同的方向，對前述環狀構件照射，在前述取得之中，前述運算部係由在前述攝影機被攝像到的畫像，特定前述環狀構件中的前述帶狀的光的照射位置，根據該資訊，取得前述本體部與前述環狀構件之間的間隔的資訊的態樣。
藉由使用帶狀的光，即使環狀構件與本體部的位置稍微變化，亦可容易對環狀構件照射帶狀的光。此外，若由與對環狀構件的上端呈垂直為不同的方向對環狀構件照射，環狀構件中的帶狀的光的照射位置依本體部與環狀構件的距離而發生變化。因此，形成為在取得中，運算部特定環狀構件中的帶狀的光的照射位置，根據該資訊，求出本體部與環狀構件之間的間隔的構成，藉此可取得有關基板處理裝置中的功能構件與基板的距離之更正確的資訊。
亦可為在前述取得之中，前述運算部係根據表示前述環狀構件中的前述帶狀的光的照射位置、與前述本體部與前述環狀構件之間的間隔的關係的模型，取得前述本體部與前述環狀構件之間的間隔的資訊的態樣。
如上所述，藉由形成為根據模型來算出本體部與環狀構件之間的間隔的構成，可取得有關基板處理裝置中的功能構件與基板的距離之更正確的資訊。
亦可為在前述取得之中，前述運算部係由有關在前述攝影機被攝像到的畫像所包含的光的強度分布的資訊，求出前述環狀構件的周方向中的光的強度分布的變化，由該變化的資訊，特定前述環狀構件中的前述帶狀的光的照射位置的態樣。
藉由形成為上述構成，可更正確特定帶狀的光的照射位置，因此可取得有關基板處理裝置中的功能構件與基板的距離之更正確的資訊。
亦可為前述環狀構件的上表面係具有沿著周方向反覆的凹凸，在前述取得之中，前述運算部係對在前述攝影機被攝像到的畫像使用快速傅立葉轉換，由前述畫像將沿著前述環狀構件的周方向反覆的光的強度的頻率成分去除，特定前述環狀構件中的前述帶狀的光的照射位置的態樣。
若在環狀構件的上表面設有沿著周方向反覆的凹凸，有藉由因凹凸而散射的光而難以特定帶狀的光的照射位置的可能性。在如上所示之情形下，如上所述，進行使用快速傅立葉轉換來去除頻率成分的處理，藉此可更正確地特定帶狀的光的照射位置。
[例示性實施形態] 以下參照圖面，詳加說明各種例示性實施形態。其中，對各圖面中相同或相當的部分係標註相同符號。
[資訊收集系統] 關於本揭示之一實施形態之資訊收集系統1，顯示於圖1。資訊收集系統1係藉由基板處理系統2、檢查用晶圓7(檢查用基板)、及資訊收集裝置9所構成。
基板處理系統2係藉由搬送機構在處理模組間搬送作為圓形基板的工件W來進行處理。在該處理中係包含在阻劑膜形成用的處理模組中，對被儲放在杯件內的工件W供給阻劑而形成該阻劑膜。
檢查用晶圓7係藉由上述搬送機構，取代工件W而在基板處理系統2內被搬送。接著，具有對構成上述杯件的環上端部進行攝像，取得畫像資料，且取得有關在上述處理模組載置工件W時的該工件W與環上端部的距離(間隔)的資訊的功能。
資訊收集裝置9係控制檢查用晶圓7，並且取得由檢查用晶圓7被送訊的推定結果。此外，根據該資訊，在藉由基板處理系統2所為之工件W處理前取得該等距離的資訊，藉此防止在工件W形成阻劑膜時的處理成為異常。
[基板處理系統] 基板處理系統2係具備：塗布/顯影裝置2A、曝光裝置2B、及控制裝置100(控制單元)。曝光裝置2B係對形成在工件W(基板)的阻劑膜(感光性被膜)進行曝光的裝置。具體而言，曝光裝置2B係藉由浸液曝光等方法，對阻劑膜的曝光對象部分照射能量線。塗布/顯影裝置2A係在藉由曝光裝置2B所為之曝光處理前，進行在工件W的表面塗布阻劑(藥液)而形成阻劑膜的處理，在曝光處理後進行阻劑膜的顯影處理。其中，成為藉由上述檢查用晶圓7所為之檢查的對象的處理模組係設在塗布/顯影裝置2A。因此，在之後的實施形態中係說明塗布/顯影裝置2A作為基板處理裝置。
[基板處理裝置] 說明塗布/顯影裝置2A的構成，作為基板處理裝置之一例。如圖1及圖2所示，塗布/顯影裝置2A係具備：載體區塊4、處理區塊5、及介面區塊6。
載體區塊4係進行對塗布/顯影裝置2A內導入工件W及由塗布/顯影裝置2A內導出工件W。例如載體區塊4係可支持工件W用的複數載體C，且內置有包含收授臂的搬送裝置A1。載體C係收容例如圓形的複數枚工件W。搬送裝置A1係由載體C取出工件W而交至處理區塊5，且由處理區塊5收取工件W而送回至載體C內。處理區塊5係具有：複數處理模組11、12、13、14。
處理模組11係內置有：塗布單元U1、熱處理單元U2、及將工件W搬送至該等單元的搬送裝置A3。處理模組11係藉由塗布單元U1及熱處理單元U2，在工件W的表面上形成下層膜。塗布單元U1係在工件W上塗布下層膜形成用的處理液。熱處理單元U2係進行伴隨下層膜的形成的各種熱處理。
處理模組12(液體處理單元)係內置有：塗布單元U1、熱處理單元U2、及將工件W搬送至該等單元的搬送裝置A3。處理模組12係進行包含藉由塗布單元U1及熱處理單元U2，在下層膜上形成阻劑膜的液體處理。塗布單元U1係在下層膜之上塗布阻劑膜形成用的處理液(阻劑)。熱處理單元U2係進行伴隨被膜的形成的各種熱處理。其中，塗布單元U1係具有在工件W的周緣形成藉由阻劑液所致之塗布膜的功能。
處理模組13係內置有：塗布單元U1、熱處理單元U2、及將工件W搬送至該等單元的搬送裝置A3。處理模組13係藉由塗布單元U1及熱處理單元U2，在阻劑膜上形成上層膜。塗布單元U1係在阻劑膜之上塗布上層膜形成用的液體。熱處理單元U2係進行伴隨上層膜的形成的各種熱處理。
處理模組14係內置有：塗布單元U1、熱處理單元U2、及將工件W搬送至該等單元的搬送裝置A3。處理模組14係藉由塗布單元U1及熱處理單元U2，進行已被施行曝光處理的阻劑膜的顯影處理及伴隨顯影處理的熱處理。塗布單元U1係在曝光完畢的工件W的表面上塗布顯影液之後，將此藉由清洗液進行沖洗，藉此進行阻劑膜的顯影處理。熱處理單元U2係進行伴隨顯影處理的各種熱處理。以熱處理的具體例而言，列舉：顯影處理前的加熱處理(PEB：Post Exposure Bake)、顯影處理後的加熱處理(PB：Post Bake)等。
在處理區塊5內的載體區塊4側係設有棚架單元U10。棚架單元U10係區劃成朝上下方向排列的複數元件(cell)。在棚架單元U10的近旁係設有包含昇降臂的搬送裝置A7。搬送裝置A7係在棚架單元U10的元件彼此之間使工件W作昇降。
在處理區塊5內的介面區塊6側係設有棚架單元U11。棚架單元U11係區劃成朝上下方向排列的複數元件。
介面區塊6係在與曝光裝置2B之間進行工件W的收授。例如介面區塊6係內置有包含收授臂的搬送裝置A8，且連接於曝光裝置2B。搬送裝置A8係將配置在棚架單元U11的工件W交至曝光裝置2B。搬送裝置A8係由曝光裝置2B收取工件W而送回至棚架單元U11。
上述塗布/顯影裝置2A的控制係藉由控制裝置100進行。控制裝置100係以保持關於用以執行塗布/顯影裝置2A中有關工件W的處理的處理順序的資訊，且將工件W搬入至塗布/顯影裝置2A內來執行所希望的處理的方式控制各部。其中，控制裝置100係具有在與後述的資訊收集裝置9之間進行資訊的收送訊，且針對將後述的檢查用晶圓7搬入至塗布/顯影裝置2A內時的搬送狀態等，亦對資訊收集裝置9進行通知的功能。
說明在基板處理系統2中所執行的工件W的處理。控制裝置100係以例如以下列順序執行對工件W的處理的方式控制塗布/顯影裝置2A。首先，控制裝置100係以將載體C內的工件W搬送至棚架單元U10的方式控制搬送裝置A1，且以將該工件W配置在處理模組11用的元件的方式控制搬送裝置A7。
接著，控制裝置100係以將棚架單元U10的工件W搬送至處理模組11內的塗布單元U1及熱處理單元U2的方式控制搬送裝置A3。此外，控制裝置100係以在該工件W的表面上形成下層膜的方式控制塗布單元U1及熱處理單元U2。之後，控制裝置100係以將形成有下層膜的工件W送回至棚架單元U10的方式控制搬送裝置A3，且以將該工件W配置在處理模組12的方式控制搬送裝置A7。
接著，控制裝置100係以將棚架單元U10的工件W搬送至處理模組12內的塗布單元U1及熱處理單元U2的方式控制搬送裝置A3。控制裝置100係以在工件W的下層膜上形成阻劑膜的方式控制塗布單元U1及熱處理單元U2。關於在處理模組12所進行的液體處理方法之一例，容後敘述。之後，控制裝置100係以將工件W送回至棚架單元U10的方式控制搬送裝置A3，且以將該工件W配置在處理模組13用的元件的方式控制搬送裝置A7。
接著，控制裝置100係以將棚架單元U10的工件W搬送至處理模組13內的塗布單元U1及熱處理單元U2的方式控制搬送裝置A3。此外，控制裝置100係以在該工件W的阻劑膜上形成上層膜的方式，控制塗布單元U1及熱處理單元U2。之後，控制裝置100係以將工件W搬送至棚架單元U11的方式控制搬送裝置A3。
接著，控制裝置100係以將被收容在棚架單元U11的工件W送出至曝光裝置2B的方式控制搬送裝置A8。接著，在曝光裝置2B中，對形成在工件W的阻劑膜施行曝光處理。之後，控制裝置100係由曝光裝置2B接受已被施行曝光處理的工件W，以將該工件W配置在棚架單元U11中的處理模組14用的元件的方式控制搬送裝置A8。
接著，控制裝置100係以將棚架單元U11的工件W搬送至處理模組14的熱處理單元U2的方式，控制搬送裝置A3。接著，控制裝置100係以執行伴隨顯影處理的熱處理、及顯影處理的方式，控制塗布單元U1及熱處理單元U2。藉由以上，控制裝置100係結束對1枚工件W的基板處理。
[塗布單元] 接著，詳細說明處理模組12的塗布單元U1。如圖3所示，處理模組12的塗布單元U1係包含：旋轉吸盤21(基板保持部)、旋轉驅動部22、支持銷24、導環25、杯件27、排氣管28、及排液口29。此外，塗布單元U1係包含處理液供給部31。處理液供給部31亦有設有複數種類的情形，惟在本實施形態中係僅例示性示出1種類。
旋轉吸盤21係水平保持工件W。旋轉吸盤21係透過朝上下方向(鉛直方向)延伸的軸21a而連接於旋轉驅動部22。旋轉驅動部22係根據由控制裝置100被輸出的控制訊號，以預定的旋轉速度使旋轉吸盤21旋轉。
在軸21a的周圍係設有圍板23，設有以貫穿該圍板23的方式朝鉛直方向伸長的支持銷24。支持銷24係可支持工件W的背面的銷，以一例而言，在旋轉吸盤21的軸的周圍設置3個。支持銷24係可藉由昇降機構(未圖示)作昇降。藉由支持銷24，在工件W的搬送機構(未圖示)與旋轉吸盤21之間收授工件W。
導環25係設在藉由旋轉吸盤21所保持的工件W的下方，具有將對工件W的表面被供給的處理液朝向排液口進行導引的功能。此外，以包圍導環25的外周的周圍的方式，設置用以抑制處理液飛散的杯件27。杯件27的上方係形成有開口，俾以可對旋轉吸盤21收授工件W。在杯件27的側周面與導環25的外周緣之間形成成為液體的排出路的空間。此外，在杯件27的下方係設置排氣口，並且設置將在上述空間移動的液體排出的排液口29。
導環25係形成為由前述的圍板23的周緣部上朝向杯件27擴展，且平面視下呈圓環的構件，位於被保持在旋轉吸盤21的工件W的下方。在導環25的下方，與杯件27的內壁部相連接而構成為處理液不會漏至杯件27外。
導環25的上表面係藉由傾斜面25a、25b所構成。傾斜面25a係比傾斜面25b位於較接近杯件27的中心側。傾斜面25a係以隨著朝向杯件27的外方而上升、而且傾斜面25b以隨著朝向杯件27的外方而下降的方式呈傾斜。結果，導環25的縱剖面係形成為山型。
在導環25的傾斜面25a與傾斜面25b的交界部分，係設置藉由該等的坡度形成為陡峭所形成的環上端部26(環狀突起部)。環上端部26係形成為朝上方突出，沿著載置在上述旋轉吸盤21的工件W之周且近接該工件W的周緣部。該環上端部26係防止被供給至工件W的表面的處理液繞入至工件W的背面而附著在接近工件W的中心的位置、或處理液的霧氣附著在接近工件W的背面的中心的位置。導環25係有在杯件27被變更相對位置的情形。因此，可變更環上端部26對工件W及支持工件W的旋轉吸盤21的相對高度。
此外，在塗布單元U1係設置處理液供給部31。處理液供給部31係由在旋轉吸盤21被支持的工件W的上方朝向工件W的表面側的周緣吐出處理液。
處理液供給部31係構成為包含：噴嘴31a、處理液供給源31b、及配管31c。在處理液供給部31的配管31c上亦可設有藉由控制裝置100予以控制的開閉閥。亦可形成為根據來自控制裝置100的控制訊號，切換開閉閥的開狀態與閉狀態，藉此切換處理液的供給/停止的構成。
噴嘴31a係例如被安裝在朝水平方向伸長的臂等，可朝水平方向移動。此外，噴嘴31a亦可朝上下方向移動。設有用以使噴嘴31a朝水平方向及上下方向移動的移動機構，藉由移動機構的動作，噴嘴31a係可在杯件27外的待機位置與工件W上之間移動。
以由處理液供給部31被供給的處理液而言，列舉例如在工件W的周緣形成塗布膜時所使用的處理液(例如阻劑液)、溶劑等。若必須對工件W供給複數處理液時，在塗布單元U1內亦可設有複數處理液供給部31。
控制裝置100控制上述塗布單元U1時，按照預定的條件，執行藉由處理模組12對工件W施行液體處理。控制裝置100係例如根據預定的條件，藉由處理液供給部31對工件W供給各處理液，並且此時控制工件W的旋轉等。控制裝置100亦可藉由用以執行上述液體處理的複數功能模組所構成。各功能模組並非侷限於藉由執行程式所實現者，亦可為藉由專用的電氣電路(例如邏輯電路)、或將此集積的積體電路(ASIC：Application Specific Integrated Circuit，特殊應用積體電路)所實現者。
[檢查用晶圓及資訊收集裝置] 接著，一邊參照圖4，一邊說明被搬送至塗布/顯影裝置2A且在塗布單元U1進行有關塗布單元U1的檢查的檢查用晶圓7。檢查用晶圓7係具有測定在旋轉吸盤21支持工件W時的工件W的下表面與環上端部26的距離的功能。塗布單元U1組裝時或調整時，有形成為工件W的下表面與環上端部26的距離不在適當範圍的狀態的情形。若在如上所示之狀態下進行有關工件W的處理，可能發生環上端部26接觸工件W、或環上端部26過於遠離工件W的情形。為防止如上所示之事象發生，替代工件W而將檢查用晶圓7搬送至塗布單元U1，且與工件W同樣地，在支持在旋轉吸盤21的狀態下，藉由檢查用晶圓7對環上端部26進行攝像，藉此取得其畫像資料。接著，由畫像資料算出工件W的下表面(檢查用晶圓7的下表面)與環上端部26的距離。
檢查用晶圓7係構成為包含：本體部70、光源71(照射部)、攝影機72(檢測部)、運算部73、光學系統74(照射部)、機器裝載基板81、及電池82。本體部70係平面視下與工件W為相同大小的圓形基板。光源71、攝影機72、運算部73、光學系統74、機器裝載基板81、及電池82係設在該本體部70上。與工件W同樣地，本體部70係藉由搬送機構、塗布單元U1的支持銷24等予以搬送，以背面的中央部藉由旋轉吸盤21予以吸附保持的方式，其下表面係與工件W的下表面同樣地構成為平坦面。其中，在圖4等中係示出被保持在旋轉吸盤21的狀態的檢查用晶圓7。
容後詳述，檢查用晶圓7係使來自光源71的線光L1(帶狀的光)到達至環上端部26的上表面。此外，以攝影機72對藉由線光L1到達環上端部26的上表面所發生的亮線進行攝像。光學系統74係配置成可使線光L1到達至環上端部26上，而且可藉由攝影機72對亮線攝像。此外，運算部73係具有由藉由攝影機72被攝像到的畫像資料，來推定工件W的下表面(檢查用晶圓7的下表面)與環上端部26的距離的功能。如上所示，光源71、攝影機72、運算部73、光學系統74係具有作為推定本體部10與環上端部26的距離的距離推定部的功能。此外，光源71及光學系統74係作為用以使線光L1到達環上端部26的上表面的照射部發揮功能。
在本體部70的中央部係設有機器裝載基板81。攝影機72、運算部73亦可透過未圖示的纜線而連接於機器裝載基板81。此時，在攝影機72所取得的畫像資料及藉由運算部73所得之運算結果亦可透過纜線而被送訊至機器裝載基板81。機器裝載基板81係藉由包含例如DSP(digital signal processor，數位訊號處理器)基板的複數基板所構成，惟為方便起見，表示為一個基板，裝載有各種機器。以該機器而言，包含：藉由無線收訊來自資訊收集裝置9的訊號來切換藉由光源71所為之光照射的ON/OFF的機器、進行藉由攝影機72所為之攝像的機器、將藉由運算部73所得之運算結果送訊至資訊收集裝置9的機器(送訊部)等。此外，在本體部70的中央部係設置電池82，對光源71、攝影機72、機器裝載基板81所包含的各機器等各個供給電力。
機器裝載基板81亦可藉由用以在檢查用晶圓7執行上述處理的複數功能模組所構成。各功能模組並非侷限於藉由執行程式所實現者，亦可為藉由專用的電氣電路(例如邏輯電路)、或將此集積的積體電路(ASIC：Application Specific Integrated Circuit)所實現者。
上述檢查用晶圓7係根據來自資訊收集裝置9的指示進行動作，且將該結果對資訊收集裝置9送訊。如上所示，檢查用晶圓7係在與資訊收集裝置9之間進行通訊，藉此取得來自資訊收集裝置9的指示，且根據指示，進行有關用以推定工件W的下表面(檢查用晶圓7的下表面)與環上端部26的距離的畫像資料的攝像及運算的動作。此外，檢查用晶圓7中的計算結果係對資訊收集裝置9傳送。
另一方面，資訊收集裝置9係具有與控制裝置100連動，在適當時序使檢查用晶圓7進行動作的功能。控制裝置100中的檢查用晶圓7的搬送狀態、尤其表示檢查用晶圓7被搬送至塗布單元U1的資訊係由控制裝置100被送至資訊收集裝置9。資訊收集裝置9係根據來自該控制裝置100的通知，控制檢查用晶圓7，藉此實施用以推定檢查用晶圓7的下表面與環上端部26的距離的攝像及運算。資訊收集裝置9若由檢查用晶圓7收集推定結果，判定該結果是否為預定的基準值的範圍，根據該結果，決定是否繼續之後的處理等。
資訊收集裝置9亦可藉由用以在與控制裝置100、及檢查用晶圓7之間收發資訊，並且執行在資訊收集裝置9中根據藉由檢查用晶圓7所得之檢查結果的判定等的複數功能模組所構成。各功能模組並非侷限於藉由執行程式所實現者，亦可為藉由專用的電氣電路(例如邏輯電路)、或將此集積的積體電路(ASIC：Application Specific Integrated Circuit)所實現者。
[控制裝置/檢查用晶圓/資訊收集裝置的硬體構成] 控制裝置100、檢查用晶圓7(尤其機器裝載基板81)、資訊收集裝置9的硬體亦可藉由例如一個或複數控制用的電腦所構成。控制裝置100、檢查用晶圓7、資訊收集裝置9的各個係如圖5所示，包含電路201作為硬體上的構成。電路201亦可由電氣電路要素(circuitry)所構成。電路201亦可包含：處理器202、記憶體203、儲存體204、驅動器205、及輸出入埠206。
處理器202係與記憶體203及儲存體204的至少一方合作來執行程式，執行透過輸出入埠206的訊號的輸出入，藉此構成上述之各功能模組。記憶體203及儲存體204係記憶在控制裝置100、檢查用晶圓7、資訊收集裝置9的各個所使用的各種資訊/程式等。驅動器205係分別驅動與控制裝置100、檢查用晶圓7、資訊收集裝置9的各個相關連的功能部的電路。輸出入埠206係在與和驅動器205相關連的功能部之間進行訊號的輸出入。
其中，基板處理系統2亦可具備一個控制裝置100，亦可具備由複數控制裝置100所構成的控制器群(控制部)。若基板處理系統2具備有控制器群，例如，亦可藉由一個彼此不同的控制裝置來實現複數功能模組的各個，亦可藉由2個以上的控制裝置100的組合來實現。若以複數電腦(電路201)構成控制裝置100，亦可分別藉由一個電腦(電路201)來實現複數功能模組。此外，控制裝置100亦可藉由2個以上的電腦(電路201)的組合來實現。控制裝置100亦可具有複數處理器202。此時，亦可複數功能模組分別藉由一個處理器202來實現，亦可藉由2個以上的處理器202的組合來實現。亦可將基板處理系統2的控制裝置100的功能的一部分設在有別於基板處理系統2的裝置，並且透過網路與基板處理系統2相連接，來實現本實施形態中的各種動作。例如，若將複數基板處理系統2的處理器202、記憶體203、儲存體204的功能彙總以1個或複數其他裝置實現，亦可在遠端總括管理及控制複數基板處理系統2的資訊或動作。
[檢查用晶圓中的距離推定部的詳細構造] 一邊參照圖6～圖8，一邊說明檢查用晶圓7的距離推定部。
在檢查用晶圓7的本體部70係在其周緣部，在朝本體部70的周方向分離的位置形成有貫穿孔75。貫穿孔75係朝本體部70的切線方向延長的長尺狀，而且其形成位置係當藉由旋轉吸盤21來支持檢查用晶圓7時，形成為平面視下對應環上端部26的位置。在相對貫穿孔75更靠近本體部70的中心的位置，設置作為攝像部發揮功能的攝影機72及連接於攝影機72的運算部73。攝影機72的視野係朝向本體部70的周端側。
光源71係出射線狀的光。光源71亦可例如藉由雷射光源所構成。在圖6～圖8所示之例中係由光源71被出射朝與本體部70的主面呈平行的方向延伸的線光L1。如圖7(b)所例示，線光L1的長度(長邊方向的長度)係被設定為大於環上端部26的寬幅(徑方向的長度)。此係意圖即使在環上端部26與檢查用晶圓7的相對位置稍微變更的情形下，線光L1亦到達環上端部26上者。線光L1係藉由作為光學系統的反射鏡74a被反射，朝下方，亦即旋轉吸盤21側出射，通過貫穿孔75內，到達至位於本體部70的下方的環上端部26的上表面(參照圖7(a))。
另一方面，在攝影機72的光軸上係配置有作為光學系統的稜鏡74b。稜鏡74b係透過貫穿孔75而映射本體部70的下方的環上端部26及其周邊。因此，攝影機72係可透過貫穿孔75及稜鏡74b而對本體部70的下方進行攝像。檢查用晶圓7被保持在旋轉吸盤21時，稜鏡74b係位於環上端部26的上方，藉由攝影機72，可對環上端部26的周方向中的一部分的上表面進行攝像。
圖8(a)係模式示出藉由該攝像所取得的畫像資料之一例。如圖7(a)所示，線光L1係經由反射鏡74a而到達環上端部26。此時，如圖7(b)等所示，在環上端部26的表面係可在線光L1的到達位置形成線光L1的照射強度變大的亮線Lp。
另一方面，攝影機72係透過稜鏡74b對該環上端部26表面進行攝像，因此取得線光L1的散射光的分布作為畫像資料。因此，攝影機72係如圖8(a)所示，對在環上端部26上出現對應線光L1的亮線Lp的畫像進行攝像。此外，如圖8(b)所示，環上端部26上的光的分布係若將環上端部26延伸方向設為x座標時，假想在對應亮線Lp的位置形成光強度的峰值(代表點)。
在此，線光L1並非由相對環上端部26的表面呈垂直，而由呈傾斜的方向照射。因此，若本體部70與環上端部26的距離比基準(對應設定值的距離)更接近時，線光L1係在比圖7(a)所示之狀態更早的階段(亦即，光路變短的狀態)到達本體部70。另一方面，若本體部70與環上端部26的距離比基準更遠，線光L1係在比圖7(a)所示之狀態更晚的階段(亦即光路變長的狀態)到達本體部70。亦即，出現在環上端部26的表面的亮線Lp的位置係依本體部70與環上端部26的距離而改變。藉此，例如，如圖8(a)所例示，與基準相比，若距離較近，亮線Lp朝一方向移位，若距離較遠，亮線Lp朝其他方向移位。
如上所示，亮線Lp的位置依本體部70與環上端部26的距離而改變。檢查用晶圓7係利用上述特徵，特定在攝影機72所攝像到的畫像資料中的環上端部26上的亮線Lp的位置，且根據該位置，推定本體部70的下表面與環上端部26的距離。
在運算部73中，係根據攝影機72所攝像到的畫像資料，推定本體部70的下表面與環上端部26的距離。此時，在運算部73中，根據在本體部70的下表面與環上端部26的距離為已知的狀態下所攝像到的複數畫像資料，來準備模型。具體而言，預先準備特定出x座標亦即畫像資料中藉由線光L1所致之亮線Lp的位置、和本體部70的下表面與環上端部26的距離的關係的模型。如圖9所例示，將畫像資料中藉由線光L1所致之亮線Lp的位置(橫方向的代表點的座標)設為x、且將本體部70的下表面與環上端部26的距離設為y時，可設定規定出x-y的關係的近似函數y=f(x)。預先準備該近似函數作為用以推定本體部70的下表面與環上端部26的距離的模型。藉此，可由在與環上端部26的距離為未知的狀態所得的畫像資料中藉由線光L1所致之亮線Lp的位置，使用作為模型的近似函數來推定與環上端部26的距離。其中，模型並非必須為1個，例如，亦可依設在塗布單元U1的導環25的種類而個別作成。
[距離推定方法(資訊收集方法)] 接著，針對檢查用晶圓7中的距離推定方法(資訊收集方法)之中，尤其由運算部73中的畫像資料來推定本體部70的下表面與環上端部26的距離的方法，一邊參照圖10所示之流程圖及圖11～圖13所示之例一邊進行說明。
在圖10～圖13所示之例中，說明在環上端部26，進行凹凸並非平坦而是朝周方向反覆凹凸的表面加工的情形。若環上端部26為平坦面，在以上述手法被攝像到的畫像資料中，由於亮線Lp被表現為相對較為明瞭，因此成為光強度的峰值的代表點的特定亦相對較為容易。另一方面，若在環上端部26形成有表面加工痕，例如，如圖11的畫像D1所示，藉由表面的凹凸未明瞭示出亮線Lp，被攝像即使其前後的凹凸亦擴散線光L1的狀態。因此，在運算部73中，單純計測畫像資料中每個畫素的光的強度，並無法特定代表點，因此進行以下說明的畫像處理。
首先，運算部73係將以攝影機72所取得的畫像資料轉換為灰階，作為步驟S01。若以攝影機72所攝像的畫像為灰階畫像，亦可省略該處理。
接著，運算部73係由畫像資料之中特定最亮的y座標，作為步驟S02。如圖11所示，畫像D1係可以將沿著環上端部26的方向設為x軸且將與x軸呈正交的方向設為y軸的xy座標來表記各畫素。但是，在畫像D1中亦包含對環上端部26未攝像的區域。因此，在運算部73中，如圖11所示，若將各畫素的位置設為(x, y)，y值將同一畫素的亮度值全部合計，作成有關每個y座標的累積亮度值的圖表G1。此外，藉由算出各點±py點的移動平均值，取得將每個y座標的亮度值的波動吸收了一定程度的圖表G2。在該圖表G2中，可特定亮度值最大的y座標作為代表y座標P1。
接著，運算部73係按每個x座標算出在步驟S02中所得的代表y座標P1±py的移動平均值，作為步驟S03。具體而言，如圖12所示，在步驟S02中被特定出的代表y座標P1±py的範圍，由同一x座標的畫素的亮度值，算出平均值(移動平均)。結果，取得如圖12的圖表G3所示示出每個x座標的亮度值的平均值的圖表。在圖表G3中，由在畫像D1亦示出之環上端部26的表面的凹凸(表面加工痕)而來的亮度的波動被表現為亮度值的凹凸。
接著，運算部73係進行用以取消由表面加工痕而來的亮度變動的處理，作為步驟S04。具體而言，藉由對形成為圖表G3所得的亮度值的資料適用FFT(Fast Fourier Transformation：快速傅立葉轉換)，將圖表G3所包含的亮度值分割為頻率成分。其結果為圖13(a)所示之圖表G4。由該半徑，將高頻成分(例如12周期以上的成分)截斷(cut)(零換算)之後適用逆FFT。結果，如圖13(b)所示，取得高頻成分經去除的狀態的圖表G5。藉由施加如上所示之處理，去除由表面加工痕的連續性凹凸而來的成分。
接著，運算部73係根據將由表面加工痕而來的成分去除後的圖表G5來特定代表點，作為步驟S05。亦可在圖13(b)所示之圖表G5中，將亮度值最大的x座標作為代表點，亦可根據更大範圍的資訊，例如，為了特定代表點P2，例如實施以下順序。具體而言，檢測出圖13(b)的圖表G5中的亮度值的最大值之後，將該最大值的75%作為臨限值來特定超過此的亮度值的範圍R1，且特定亮度值包含在範圍R1的x座標的範圍R2。此外，亦可算出成為範圍R2中的亮度值分布的重心的x座標，且將該x座標作為代表點。藉由進行如上所示之計算，可考慮亮度值成為峰值的x座標的周邊的x座標的亮度值的變化，來算出代表點。此外，藉由形成為利用對亮度值的最大值為超過75%的亮度值的範圍R1的資訊的構成，可利用更加保持波形的左右對稱性的範圍的資訊。
接著，運算部73係藉由將在步驟S05中所得的代表點的x座標適用在模型，來推定本體部70的下表面與環上端部26的距離，作為步驟S06。如上所述，在運算部73，如圖9所示，預先保持有表示畫像資料中的x座標、與本體部70的下表面-環上端部26間的距離的關係的模型。在運算部73中，係藉由對模型應用在步驟S05中所算出的代表點的x座標，來算出本體部70的下表面與環上端部26的距離。
藉由以上順序，根據畫像D1來算出本體部70的下表面與環上端部26的距離的處理即結束。
[控制裝置-資訊收集裝置-檢查用晶圓間的控制方法]
一邊參照圖14及圖15，一邊說明在塗布/顯影裝置2A的控制裝置100、資訊收集裝置9及檢查用晶圓7間的處理流程。控制裝置100係控制作為基板處理裝置的塗布/顯影裝置2A的各部，作為前提。控制裝置100係有別於對工件W進行基板處理時的順序，預先具有取代工件W而搬送檢查用晶圓7，且搬入至塗布單元U1進行檢查時的順序。在以下之例中，以控制裝置100執行藉由檢查用晶圓7所為之檢查時的控制為前提。此時，資訊收集裝置9係根據來自控制裝置100的通知，對檢查用晶圓7使檢查用晶圓7進行動作。此外，檢查用晶圓7係根據來自資訊收集裝置9的指示，在塗布單元U1內進行攝像，且算出本體部70的下表面與環上端部26的距離。
在圖14中係顯示資訊收集裝置9對檢查用晶圓7個別指示動作的開始及結束時的序列圖。
首先，藉由控制裝置100的控制，搬送檢查用晶圓7，且完成搬入至塗布單元U1(步驟S11)。如此一來，控制裝置100係對資訊收集裝置9通知搬入已完成。資訊收集裝置9係根據來自控制裝置100的通知，決定接下來的動作之後(步驟S12)，對檢查用晶圓7指示開始資料收集(步驟S13)。
在檢查用晶圓7中，若機器裝載基板81取得來自資訊收集裝置9的指示，對各部指示開始動作。結果，例如，光源71係開始出射線光L1，攝影機72係以預先設定的間隔反覆開始攝像，此外，運算部73係開始由畫像資料算出本體部70的下表面與環上端部26的距離的處理(步驟S14)。此外，機器裝載基板81係對資訊收集裝置9通知已揭示檢查用晶圓7中的資料收集。在資訊收集裝置9中，係根據來自檢查用晶圓7的通知，判斷檢查用晶圓7已形成為準備完成狀態，以執行根據用以對控制裝置100進行藉由檢查用晶圓7所為之資料收集的條件的動作的方式進行動作開始指示(步驟S15)。
控制裝置100係根據來自資訊收集裝置的指示，以塗布單元U1開始預定的動作的方式進行控制(步驟S16)，以執行預先指定的動作之後即結束的方式控制塗布單元U1(步驟S17)。此時，控制裝置100係對資訊收集裝置9通知預定的動作在塗布單元U1已完成。在資訊收集裝置9中係根據來自控制裝置100的通知，對檢查用晶圓7指示結束資料收集動作(步驟S18)。在檢查用晶圓7中係根據來自資訊收集裝置9的指示，使資料的收集結束(步驟S19)。彙整應通知資訊收集裝置9的資訊(步驟S20)，且報告該結果(步驟S21)。以一例而言，亦可形成為針對在檢查用晶圓7的運算部73中按每個畫像所算出的本體部70的下表面與環上端部26的距離的算出結果，藉由施加預定的處理來作成概要，且對資訊收集裝置9通知該結果的構成。
在資訊收集裝置9中，若收領來自檢查用晶圓7的處理結果，根據該結果是否包含在預先設定的基準的範圍等基準，進行有關本體部70的下表面與環上端部26的距離的判定(步驟S21)。此外，資訊收集裝置9亦可根據判定結果來決定接下來的動作(步驟S22)。例如，判定(S21)的結果，若本體部70的下表面與環上端部26的距離包含在基準的範圍(判定OK)，亦可形成為對控制裝置100發出指示進展檢查用晶圓7的搬出動作的構成。此外，判定(S21)的結果，若本體部70的下表面與環上端部26的距離包含在基準的範圍(判定NG)，亦可例如由檢查用晶圓7取得詳細資料而非概要。接著，亦可在資訊收集裝置9中進行詳查結果的處理。其中，該等為一例，可適當變更。
在圖15中係示出資訊收集裝置9對檢查用晶圓7彙總進行有關一連串動作的指示時的序列圖。
首先，藉由控制裝置100的控制，搬送檢查用晶圓7，且對塗布單元U1的搬入完成(步驟S31)。如此一來，控制裝置100係對資訊收集裝置9通知搬入已完成。資訊收集裝置9係在根據來自控制裝置100的通知來決定接下來的動作之後(步驟S32)，對檢查用晶圓7指示開始資料收集(步驟S33)。此時，亦由資訊收集裝置9通知對檢查用晶圓7結束資料收集時的條件。以一例而言，亦可由資訊收集裝置9通知檢查用晶圓7中的資料收集時間(實施攝像～運算的時間)，藉此通知資料收集的結束條件。此外，若欲收集在檢查用晶圓7的攝影機72中被攝像到的畫像，亦可由資訊收集裝置9對檢查用晶圓7指示畫像收集，並且在收集到特定枚數(例如1枚～)的畫像的階段結束攝影。接著，亦可由檢查用晶圓7對資訊收集裝置9指示攝像後的畫像。
在檢查用晶圓7中，若機器裝載基板81取得來自資訊收集裝置9的指示，對各部指示開始動作。結果，例如，光源71係開始出射線光L1，攝影機72係開始以預先設定的條件的攝像。此外，運算部73係若由資訊收集裝置9有指示，即開始由畫像資料算出本體部70的下表面與環上端部26的距離的處理(步驟S34)。若以預先設定的條件的資料收集結束，彙整應對資訊收集裝置9通知的資訊(步驟S35)，且報告該結果。
在資訊收集裝置9中，亦可若收領來自檢查用晶圓7的處理結果，根據該結果是否包含在預先設定的基準的範圍等基準，進行有關本體部70的下表面與環上端部26的距離的判定(步驟S36)。此外，若由檢查用晶圓7收集資料(例如取得畫像)為目的，資訊收集裝置9亦可未進行判定，而實施接下來的動作。之後的處理係與圖14所示之情形相同，按照後段的處理等適當變更。
[作用] 藉由上述之資訊收集系統1及資訊收集方法，由被固定在圓板狀的本體部70之作為照射部的光源71，對作為環狀構件的環上端部26照射線光L1作為測定波。此外，在對本體部70予以固定之作為檢測部的攝影機72中，檢測對來自照射部的測定波的響應。此外，在運算部73中，由該響應結果取得本體部與環狀構件之間的間隔的資訊。本體部70係可保持在作為基板保持部的旋轉吸盤21，因此藉由形成為如上所示之構成，可取得基板處理裝置中的功能構件與基板的距離資訊。
此外，若如上所述使用光作為測定波，在運算部73中，係使用在攝影機72被攝像到的畫像，取得本體部70與環上端部26之間的間隔的資訊。藉由形成為利用畫像所包含的各種資訊來取得上述間隔的資訊的構成，可取得有關基板處理裝置中的功能構件與基板的距離之更正確的資訊。
此外，由照射部被照射的光亦可為線光L1(帶狀的光)。此時，線光L1亦可以朝對環狀構件的周方向呈交叉的方向延長的方式，由與對環狀構件的上端呈垂直為不同的方向對環狀構件照射。形成為該構成時，運算部73亦可為由在攝影機72被攝像到的畫像，特定環狀構件中的前述帶狀的光的照射位置，根據該資訊，取得前述本體部與前述環狀構件之間的間隔的資訊的態樣。
藉由使用帶狀的光，即使環狀構件與本體部70的位置稍微變化，亦可容易對環狀構件照射帶狀的光。此外，若由與對環狀構件的上端呈垂直為不同的方向對環狀構件照射，環狀構件中的帶狀的光的照射位置依本體部70與環狀構件的距離而改變。因此，如在上述實施形態中所作說明，形成為在運算部73中，特定環狀構件中的帶狀的光的照射位置，根據該資訊，求出本體部與環狀構件之間的間隔的構成。藉此，可取得有關基板處理裝置中的功能構件與基板的距離之更正確的資訊。
運算部亦可為根據表示環狀構件中的前述帶狀的光的照射位置、與前述本體部與前述環狀構件之間的間隔的關係的模型，取得前述本體部與前述環狀構件之間的間隔的資訊的態樣。藉由形成為如上所示之構成，可取得有關基板處理裝置中的功能構件與基板的距離的更正確的資訊。
運算部73亦可由有關在攝影機72被攝像到的畫像所包含的光的強度分布的資訊，求出環狀構件的周方向中的光的強度分布的變化，且由該變化的資訊，特定環狀構件中的前述帶狀的光的照射位置。
此外，如上述實施形態中所作說明，環狀構件的上表面係有具有沿著周方向反覆的凹凸的情形。運算部73亦可為對在攝影機被攝像到的畫像，使用快速傅立葉轉換，由前述畫像將沿著前述環狀構件的周方向反覆的光的強度的頻率成分去除，特定前述環狀構件中的前述帶狀的光的照射位置的態樣。
若在環狀構件的上表面設有沿著周方向反覆的凹凸，有因藉由凹凸而散射的光而難以特定帶狀的光的照射位置的可能性。如上所示之情形下，如上所述，藉由進行使用快速傅立葉轉換來去除頻率成分的處理，可更正確地特定帶狀的光的照射位置。
環狀構件亦可為具備：位於基板的背面側且設有抑制對前述基板所供給的處理液繞入至背面的凸部的背面受液部的液體處理杯件。此時，本體部70與環狀構件之間的間隔亦可為本體部70與背面受液部的凸部的間隔。其中，背面受液部係相當於上述導環25，導環25的環上端部26對應上述凸部。如上所述，環上端部26係與工件W作近接配置的構件，因此圖求正確掌握該距離。因此，藉由形成為上述構成，可更正確掌握與基板的距離。
[變形例] 以上說明了各種例示性實施形態，惟並非限定於上述之例示性實施形態，可進行各種省略、置換、及變更。此外，可將不同實施形態中的要素組合而形成其他實施形態。
例如，在上述實施形態中係說明了對環上端部26照射線光L1的構成，惟線光L1亦可實現為有別於雷射光的狀態的光。此外，測定波並非限定為光，亦可為包含超音波等的音波。如上所示，測定波的種類並未限定。其中，可按照測定波的種類，選擇適當裝置作為檢測部。
此外，在上述實施形態中係說明了運算部73被裝載在檢查用晶圓7之例，惟亦可在資訊收集裝置9設置對應運算部73的功能。此時，亦可形成為由檢查用晶圓7對資訊收集裝置9，照原樣送訊在攝影機72被攝像到的畫像資訊的構成。
此外，在上述實施形態中係說明了測定基板與環狀構件的距離的情形，惟成為對象的功能構件亦可為基板處理裝置所包含的其他構件。以一例而言，亦可以取得在塗布/顯影裝置2A內搬送工件W的臂與工件W的距離(間隔)為目的，使用在上述實施形態中所說明的檢查用晶圓。
由以上說明，本揭示之各種實施形態係在說明的目的下而在本說明書中加以說明，應可理解可在未脫離本揭示之範圍及主旨的情形下作各種變更。因此，本說明書所揭示的各種實施形態並未意圖加以限定，真正範圍與主旨係藉由所附的申請專利範圍來表示。
1:資訊收集系統 2:基板處理系統 2A:塗布/顯影裝置 2B:曝光裝置 4:載體區塊 5:處理區塊 6:介面區塊 7:檢查用晶圓(檢查用基板) 9:資訊收集裝置 11,12,13,14:處理模組 21:旋轉吸盤(基板保持部) 21a:軸 22:旋轉驅動部 23:圍板 24:支持銷 25:導環 25a,25b:傾斜面 26:環上端部 27:杯件 28:排氣管 29:排液口 31:處理液供給部 31a:噴嘴 31b:處理液供給源 31c:配管 70:本體部 71:光源 72:攝影機 73:運算部 74:光學系統 74a:反射鏡 74b:稜鏡 75:貫穿孔 81:機器裝載基板 82:電池 100:控制裝置，控制裝置(控制單元) 201:電路 202:處理器 203:記憶體 204:儲存體 205:驅動器 206:輸出入埠 A1,A3,A7,A8:搬送裝置 C:載體 D1:畫像 G1,G2,G3,G4,G5:圖表 L1:線光 Lp:亮線 P1:代表y座標 R1,R2:範圍 U1:塗布單元 U2:熱處理單元 U10,U11:棚架單元 W:工件
[圖1]係顯示一個例示性實施形態之資訊收集系統的概略構成例的圖。 [圖2]係顯示一個例示性實施形態之資訊收集系統的概略構成例的圖。 [圖3]係顯示塗布/顯影裝置中的塗布單元的概略構成之一例的圖。 [圖4]係顯示檢查用晶圓、控制裝置及資訊收集裝置的關係之一例的圖。 [圖5]係顯示檢查用晶圓、控制裝置及資訊收集裝置的硬體構成之一例的圖。 [圖6]係顯示檢查用晶圓中的距離推定部的構成之一例的圖。 [圖7(a)]、[圖7(b)]係顯示檢查用晶圓中的距離推定部的構成之一例的圖。 [圖8(a)]、[圖8(b)]係說明有關在檢查用晶圓被攝像到的畫像的處理之一例的圖。 [圖9]係顯示用以算出在運算部所使用的距離的模型之一例的圖。 [圖10]係顯示檢查用晶圓的運算部中的處理之一例的圖。 [圖11]係說明檢查用晶圓的運算部中的處理之一例的圖。 [圖12]係說明檢查用晶圓的運算部中的處理之一例的圖。 [圖13(a)]、[圖13(b)]係說明檢查用晶圓的運算部中的處理之一例的圖。 [圖14]係顯示一實施形態之資訊收集系統中的各裝置間的處理順序之一例的序列圖。 [圖15]係顯示一實施形態之資訊收集系統中的各裝置間的處理順序之一例的序列圖。
6:介面區塊
7:檢查用晶圓(檢查用基板)
9:資訊收集裝置
26:環上端部
70:本體部
71:光源
72:攝影機
73:運算部
75:貫穿孔
81:機器裝載基板
82:電池
100:控制裝置，控制裝置(控制單元)

Claims (18)

  1. 一種資訊收集系統，其係取得關於具有：保持基板的基板保持部、及位於前述基板的背面側的環狀構件的基板處理裝置的資訊的資訊收集系統，其係具有： 具有可藉由前述基板保持部予以保持的底面的圓板狀的本體部； 對前述本體部予以固定，對前述環狀構件照射測定波的照射部； 對前述本體部予以固定，檢測對來自前述照射部的前述測定波的響應的檢測部；及 根據在前述檢測部中被檢測到的前述響應，取得前述本體部與前述環狀構件之間的間隔的資訊的運算部。
  2. 如請求項1之資訊收集系統，其中，前述照射部係照射光作為前述測定波， 前述檢測部係對被照射到前述光的前述環狀構件進行攝像的攝影機。
  3. 如請求項2之資訊收集系統，其中，由前述照射部被照射的前述光係帶狀的光， 前述帶狀的光係以朝相對前述環狀構件的周方向呈交叉的方向延長的方式，而且由與對前述環狀構件的上端呈垂直為不同的方向，對前述環狀構件照射， 前述運算部係由在前述攝影機被攝像到的畫像，特定前述環狀構件中的前述帶狀的光的照射位置，根據該資訊，取得前述本體部與前述環狀構件之間的間隔的資訊。
  4. 如請求項3之資訊收集系統，其中，前述運算部係根據表示前述環狀構件中的前述帶狀的光的照射位置、與前述本體部與前述環狀構件之間的間隔的關係的模型，取得前述本體部與前述環狀構件之間的間隔的資訊。
  5. 如請求項3或請求項4之資訊收集系統，其中，前述運算部係由有關在前述攝影機被攝像到的畫像所包含的光的強度分布的資訊，求出前述環狀構件的周方向中的光的強度分布的變化，由該變化的資訊，特定前述環狀構件中的前述帶狀的光的照射位置。
  6. 如請求項5之資訊收集系統，其中，前述環狀構件的上表面係具有沿著周方向反覆的凹凸， 前述運算部係對在前述攝影機被攝像到的畫像使用快速傅立葉轉換，由前述畫像將沿著前述環狀構件的周方向反覆的光的強度的頻率成分去除，特定前述環狀構件中的前述帶狀的光的照射位置。
  7. 如請求項1之資訊收集系統，其中，前述環狀構件係具備：位於前述基板的背面側且設有抑制對前述基板所供給的處理液繞入至背面的凸部的背面受液部的液體處理杯件， 前述本體部與前述環狀構件之間的間隔係前述本體部與前述背面受液部的凸部的間隔。
  8. 如請求項1之資訊收集系統，其中，包含： 可在與控制前述基板處理裝置的控制裝置之間進行通訊的資訊收集裝置；及 可在與前述資訊收集裝置之間進行通訊，且具有：前述本體部、前述照射部、及前述檢測部的檢查用基板， 前述照射部及前述檢測部係根據前述資訊收集裝置的指示進行動作。
  9. 如請求項8之資訊收集系統，其中，前述運算部係設在前述檢查用基板，根據前述資訊收集裝置的指示進行動作。
  10. 如請求項8之資訊收集系統，其中，前述運算部係設在前述資訊收集裝置。
  11. 一種檢查用基板，其係取得關於具有：保持基板的基板保持部、及位於前述基板的背面側的環狀構件的基板處理裝置的資訊的檢查用基板，其係具有： 具有可藉由前述基板保持部予以保持的底面的圓板狀的本體部； 對前述本體部予以固定，對前述環狀構件照射測定波的照射部；及 對前述本體部予以固定，檢測對來自前述照射部的前述測定波的響應的檢測部。
  12. 如請求項11之檢查用基板，其中，另外具有：根據在前述檢測部中被檢測到的前述響應，取得前述本體部與前述環狀構件之間的間隔的資訊的運算部。
  13. 一種資訊收集方法，其係取得關於具有：保持基板的基板保持部、及位於前述基板的背面側的環狀構件的基板處理裝置的資訊的資訊收集方法，其係包含： 藉由前述基板保持部來保持圓板狀的本體部的底面； 由對前述本體部予以固定的照射部，對前述環狀構件照射測定波； 在對前述本體部予以固定的檢測部中，檢測對來自前述照射部的前述測定波的響應；及 根據在前述檢測部中被檢測到的前述響應，在運算部中取得前述本體部與前述環狀構件之間的間隔的資訊。
  14. 如請求項13之資訊收集方法，其中，在前述照射中，前述照射部係照射光作為前述測定波， 前述檢測部係對被照射到前述光的前述環狀構件進行攝像的攝影機。
  15. 如請求項14之資訊收集方法，其中，在前述照射中由前述照射部被照射的前述光係帶狀的光， 前述帶狀的光係以朝相對前述環狀構件的周方向呈交叉的方向延長的方式，而且由與對前述環狀構件的上端呈垂直為不同的方向，對前述環狀構件照射， 在前述取得之中，前述運算部係由在前述攝影機被攝像到的畫像，特定前述環狀構件中的前述帶狀的光的照射位置，根據該資訊，取得前述本體部與前述環狀構件之間的間隔的資訊。
  16. 如請求項15之資訊收集方法，其中，在前述取得之中，前述運算部係根據表示前述環狀構件中的前述帶狀的光的照射位置、與前述本體部與前述環狀構件之間的間隔的關係的模型，取得前述本體部與前述環狀構件之間的間隔的資訊。
  17. 如請求項15或請求項16之資訊收集方法，其中，在前述取得之中，前述運算部係由有關在前述攝影機被攝像到的畫像所包含的光的強度分布的資訊，求出前述環狀構件的周方向中的光的強度分布的變化，由該變化的資訊，特定前述環狀構件中的前述帶狀的光的照射位置。
  18. 如請求項17之資訊收集方法，其中，前述環狀構件的上表面係具有沿著周方向反覆的凹凸， 在前述取得之中，前述運算部係對在前述攝影機被攝像到的畫像使用快速傅立葉轉換，由前述畫像將沿著前述環狀構件的周方向反覆的光的強度的頻率成分去除，特定前述環狀構件中的前述帶狀的光的照射位置。
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