TW201905247A - 電鍍裝置以及記錄程式的記錄媒體 - Google Patents

電鍍裝置以及記錄程式的記錄媒體

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TW201905247A
TW201905247A TW107116009A TW107116009A TW201905247A TW 201905247 A TW201905247 A TW 201905247A TW 107116009 A TW107116009 A TW 107116009A TW 107116009 A TW107116009 A TW 107116009A TW 201905247 A TW201905247 A TW 201905247A
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髙橋直人
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日商荏原製作所股份有限公司
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Abstract

本發明改善電鍍槽中構件位置確認的方法。一種電鍍裝置,其對基板實施電鍍處理,所述電鍍裝置具備:電鍍槽;第1構件,配置於所述電鍍槽;第2構件,於所述電鍍槽中與所述第1構件相對地配置;光學感測器,配置於所述第1構件以及第2構件中的一者;以及多個被檢測部,配置於所述第1構件以及第2構件中的另一者,且能夠藉由所述光學感測器進行檢測。

Description

電鍍裝置以及記錄程式的記錄媒體
本發明是有關於一種電鍍裝置以及記錄程式的記錄媒體。
在電鍍裝置中,存在如下所述者,即,各塊基板由基板支架(holder)保持,並使基板支架浸入電鍍槽中以進行電鍍處理。於此種電鍍裝置中,為了獲得良好的電鍍膜厚分佈,需要嚴格地調整基板與調整板(regulation plate)的相對位置。但是,有時例如因基板支架的個體差異、地震等引起的振動、或其他損傷(damage)引起的基板支架變形,浸入電鍍液時的基板支架位置會稍微產生偏移。因此,例如,於日本專利特開2017-8347號公報(專利文獻1)中記載的電鍍裝置中,事先進行了基板支架的位置調整。 [現有技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2017-8347號公報
[發明所欲解決之課題]
然而,專利文獻1的調整方法需要專用的夾具來替代基板支架等。 本發明的目的在於解決所述課題的至少一部分。 [解決課題之手段]
根據本發明的一方面,提供一種電鍍裝置,其對基板實施電鍍處理,所述電鍍裝置具備:電鍍槽;第1構件,配置於所述電鍍槽;第2構件,於所述電鍍槽中與所述第1構件相對地配置;光學感測器,配置於所述第1構件以及第2構件中的一者;以及多個被檢測部,配置於所述第1構件以及第2構件中的另一者,且能夠藉由所述光學感測器進行檢測。根據本發明的一方面,能夠不使用專用的夾具而對第1構件以及第2構件間的相對位置及/或配向進行檢測及/或調整。再者,所謂「相對」亦包括第1構件與第2構件介隔其他構件而相對的情況。
根據本發明的一方面,提供一種電鍍裝置,其使用基板保持構件來對基板實施電鍍處理,所述電鍍裝置具備:電鍍槽;第1構件,於所述基板保持構件配置於所述電鍍槽時,在與所述基板保持構件相對的位置處配置於所述電鍍槽;光學感測器,配置於所述基板保持構件以及所述第1構件中的一者;以及多個被檢測部,配置於所述基板保持構件以及所述第1構件中的另一者,且能夠藉由所述光學感測器進行檢測。再者,所謂「相對」亦包括基板保持構件與第1構件介隔其他構件而相對的情況。
根據本發明的一方面,於基板保持構件以及第1構件中的一者配置光學感測器,於另一者設置被檢測部,因此,能夠不使用專用的夾具而對基板保持構件是否配置於電鍍槽內的規定位置進行確認。另外,每當將基板保持構件配置於電鍍槽時,均能夠對基板保持構件是否配置於電鍍槽內的規定位置進行確認。因能夠於每次將基板保持構件配置於電鍍槽時對基板保持構件的位置進行檢測、確認,所以能夠提前檢測出對位的異常。結果,電鍍處理的電鍍膜厚的均勻性提高,從而能夠防止良率降低。另外,根據本發明的一方面,能夠於不使電鍍裝置停止的情況下,於每次電鍍處理時(每當將基板保持構件配置於電鍍槽時),於電鍍處理前直接確認基板保持構件的位置。
(電鍍裝置) 圖1是本發明的一實施例的電鍍裝置的整體配置圖。如圖1所示,該電鍍裝置1具備:裝載/卸載(load/unload)部170A,將半導體晶圓(wafer)等被電鍍體即基板W裝載於基板支架11、或將基板W自基板支架11卸載;以及對基板W進行處理的電鍍處理部170B。
裝載/卸載部170A具有:兩架卡匣台(cassette table)105;對準器(aligner)107,使基板W的定向平面(orientation flat)或缺口(notch)等的位置對準規定的方向;以及旋轉沖洗乾燥機(spin rinse dryer)106,使電鍍處理後的基板W高速旋轉而使其乾燥。卡匣台105搭載收納有半導體晶圓等基板W的卡匣100。此處,例示了兩架卡匣台105,但亦可使用一架或三架以上的卡匣台。於旋轉沖洗乾燥機106的附近,設有載置著基板支架11來進行基板W的裝卸的基板裝卸部(定位台(fixing station))108。於該些單元(unit):卡匣台105、對準器107、旋轉沖洗乾燥機106、基板裝卸部108的中央,配置有用於在這些單元間搬送基板W的由搬送用機器人構成的基板搬送裝置122。
基板裝卸部108具備沿軌道(rail)150於橫方向上滑動自如的平板狀的載置板152。兩個基板支架11以水平狀態並列載置於該載置板152上,於其中一個基板支架11與基板搬送裝置122之間進行了基板W的移交之後,載置板152沿橫方向滑動,從而進行另一個基板支架11與基板搬送裝置122之間的基板W的移交。再者,基板裝卸部108亦可為於使基板支架11豎立的狀態下進行基板的裝卸的裝置。
再者,本申請案中,「基板」不僅包括半導體基板、玻璃(glass)基板、印刷(print)電路基板(印刷基板),亦包括磁記錄媒體、磁記錄感測器、反射鏡(mirror)、光學元件或微型機械元件、或者部分製作的積體電路。於本實施例中,作為基板W,列舉矩形形狀的方形基板的示例進行說明,但所使用的基板的形狀、基板支架以及調整板的開口部的形狀並無特別限定,除圓形外,亦能夠為正方形、長方形、其他多邊形等任意形狀。
電鍍裝置1的處理部170B具有:儲物器(stocker)124、預濕(pre-wet)槽126、預浸(presoak)槽128、第1清洗槽129a、除水(blow)槽132、第2清洗槽129b以及電鍍槽部10。於儲物器(或者亦稱為儲物容器設置部)124中,進行基板支架11的保管以及暫時放置。於預濕槽126中,基板W浸入純水中。於預浸槽128中,藉由蝕刻(etching)去除於基板W的表面形成的種晶層(seed layers)等導電層的表面的氧化膜。於第1清洗槽129a中,利用清洗液(純水等)對預浸後的基板W與基板支架11一起進行清洗。於除水槽132中,進行清洗後的基板W的除液。於第2清洗槽129b中,利用清洗液對電鍍後的基板W與基板支架11一起進行清洗。再者,所述電鍍裝置1的處理部170B的構成為一例,電鍍裝置1的處理部170B的構成並未受到限定,而能夠採用其他構成。
電鍍槽部10例如具有具備溢流(overflow)槽51的多個電鍍槽50。各電鍍槽50於內部收納一個基板W,並使基板W浸入內部所保持的電鍍液中,對基板W表面進行銅電鍍、金電鍍、銀電鍍、焊料電鍍、鎳電鍍等電鍍處理。此處,電鍍液的種類並無特別限定,能夠根據用途使用各種電鍍液。例如,於銅電鍍製程(process)的情況下,通常於電鍍液中包含以氯作為媒介而吸附於銅表面的抑制劑(界面活性劑等)、促進凹部電鍍的促進劑(有機硫化合物等),以及用以抑制促進劑的析出促進效果而使膜厚的平坦性提高的稱為平滑劑(四級化胺等)的化學物種。
作为電鍍液亦可使用如下電鍍液,即,包含用以在具有銅(Cu)配線的基板W的表面形成金屬膜的鈷・鎢・硼(CoWB)或鈷・鎢・磷(CoWP)等。另外,為了防止Cu擴散至絕緣膜中,亦可於形成Cu配線之前,使用用以形成設置在基板W的表面或基板W的凹部的表面上的障壁(barrier)膜的電鍍液,例如包含CoWB的電鍍液。
電鍍裝置1具有例如採用線性馬達(linear motor)方式的基板支架搬送裝置141,所述基板支架搬送裝置141位於所述各設備(儲物器124、預濕槽126、預浸槽128、第1清洗槽129a、除水槽132、第2清洗槽129b、電鍍槽部10、基板裝卸部108)的側方,於所述各設備之間對基板支架11與基板W一起進行搬送。該基板支架搬送裝置141具有第1運輸器(transporter)142以及第2運輸器144。第1運輸器142例如以於基板裝卸部108、儲物器124、預濕槽126、預浸槽128、第1清洗槽129a以及除水槽132之間搬送基板W的方式構成。第2運輸器144例如以於第1清洗槽129a、第2清洗槽129b、除水槽132以及電鍍槽部10之間搬送基板W的方式構成。於其他實施例中,第1運輸器142以及第2運輸器144亦可於其他組合的單元間搬送基板W。於其他實施例中,電鍍裝置1亦可僅包括第1運輸器142以及第2運輸器144中的一者。
於各電鍍槽50配置有對電鍍槽50內的電鍍液進行攪拌的攪棒(paddle)裝置180。攪棒裝置180具備作為對電鍍液進行攪拌的攪拌棒的攪棒18以及配置於溢流槽51的兩側來對攪棒18進行驅動的攪棒驅動裝置19。
包括如上所述般構成的多個電鍍處理裝置的電鍍處理系統具有對所述各部進行控制的控制器(controller)175。控制器175具有:包括儲存有一個或多個設定資料與一個或多個程式的記錄媒體的記憶體(memory)175B、執行記憶體175B的程式的中央處理單元(central processing unit,CPU)175A以及藉由CPU 175A執行程式而實現的控制部175C。控制部175C的一部分亦可包括特殊應用積體電路(application specific integrated circuit,ASIC)、可程式邏輯控制器(programmable logic controller,PLC)等特定用途的積體電路等的專用硬體(hardware)。另外,控制器175構成為能夠與對電鍍裝置1以及其他關聯裝置進行總體控制的未圖示的上層控制器進行通訊,且能夠與上層控制器所具有的資料庫(database)之間進行資料的交換。
程式包括進行例如如下控制的程式,即:基板搬送裝置122的搬送控制、基板支架搬送裝置141的搬送控制、電鍍槽部10中的電鍍電流以及電鍍時間的控制,以及配置於各電鍍槽50的調整板的開口直徑及陽極罩(anode mask)(未圖示)的開口直徑的控制。另外,程式包括對各電鍍槽50中的基板支架11的位置檢測進行控制的程式,以及對各電鍍槽50中的基板支架11的對位(對準)進行控制的程式。記憶體175B的記錄媒體可使用能夠藉由電腦進行讀取的唯讀記憶體(Read Only Memory,ROM)或隨機存取記憶體(Random Access Memory,RAM)等記憶體,或者硬碟(hard disk)、唯讀光碟(Compact Disc-Read Only Memory,CD-ROM)、唯讀數位影音光碟(Digital Video Disc-Read Only Memory,DVD-ROM)或軟碟(flexible disk)等碟(disk)狀記錄媒體等公知者。
(電鍍槽) 圖2是表示第1實施例的電鍍裝置的電鍍槽的概略側剖視圖。圖3是第1實施例的基板支架及其支撐機構的正視圖。圖4是第1實施例的基板支架及其支撐機構的側視圖。圖5是第1實施例的基板支架的正視圖。圖6是第1實施例的調整板的正視圖。
電鍍槽部10的各電鍍槽50具備於內部貯存電鍍液(未圖示)的內槽52以及配置於內槽52的內部的多個構成構件。內槽52配置於接受自內槽52的邊緣溢出的電鍍液的溢流槽51內。溢流槽51的底部與內槽52的底部藉由未圖示的電鍍液供給路徑而連接。電鍍液供給路徑中配置有泵(pump),藉由該泵,溢流槽51內積留的電鍍液回流至內槽52內。另外,亦可於電鍍液供給路徑中,於泵的下游側,例如配置調節電鍍液的溫度的恆溫單元。另外,亦可於電鍍液供給路徑中,於泵的下游側,例如配置將電鍍液內的異物過濾(filtering)去除的過濾器(filter)。
各電鍍槽50的內槽52內配置有:支架引導件(guide)60,對保持基板W的基板支架11進行支撐;攪棒18,對電鍍液進行攪拌;調整板70;以及陽極支架(anode holder)80。
基板支架11如圖3所示,包括:第1板12,具有開口部12a;未圖示的第2板;以及設於第1板及/或第2板的端部處的吊架(hanger)部。第1板12以及第2板對基板W進行夾持保持。開口部12a露出基板W面的一部分。於吊架部13設有外部連接端子13a。另外,於吊架部13的兩側,設有比其他部分薄的對位部14,於各對位部14設有對位孔14a(圖5)。另外,於基板支架11的第1板12,設有影像識別標記120(120a、120b)(圖5)。於本實施例中,於基板支架11設有兩個影像識別標記120a、影像識別標記120b。於本實施例中,影像識別標記120a、影像識別標記120b設於基板支架11的一個對角線上(基板W的對角線上)的兩側。亦可設置一個或三個以上的影像識別標記120。另外,一個或多個影像識別標記120的配置除了與對角線相關聯地進行設置以外,亦能夠設置於基板支架11的調整板70側的任意位置。影像識別標記120既可安裝於基板支架11,亦可與基板支架11一體地形成。
支架引導件60包括:支撐板61、安裝部62、導軌(guide rail)63、吊架承接部64。當基板支架11設置於支架引導件60上時,支撐板61對基板支架11的第2板側進行支撐。安裝部62安裝於支撐板61,將支架引導件60安裝於致動器101(後述)。導軌63對基板支架11的兩側進行引導,對基板支架11的左右方向以及前後方向的移動進行限制。吊架承接部64設於支撐板61的上端部的兩側,具有供基板支架11的吊架部13的兩側配置的承接面。於各吊架承接部64的承接面設有基板支架11的對位用的對位銷(pin)66。另外,於吊架承接部64的承接面設有連接於基板支架11的外部連接端子13a的電流供給端子65。
基板支架11下降以便由導軌63從上方引導至支架引導件60,並且基板支架11的吊架部13載置於支架引導件60的吊架承接部64上。此時,支架引導件60的對位銷66嵌合於基板支架11的對位孔14a,從而基板支架11相對於支架引導件60進行了對位。另外,基板支架11的外部連接端子13a連接於支架引導件60的電流供給端子65。
再者,在不設置致動器101(後述)的情況下,亦可不設置支架引導件60而直接將基板支架11吊掛於內槽52。
支架引導件60如圖2所示,於安裝部62處連接於致動器101。致動器101固定於支撐框架(frame)90。致動器101包括:使支架引導件60於左右方向(Y軸方向)上移動的致動器102、使支架引導件60於上下方向(Z軸方向)上移動的致動器103以及使支架引導件60於Y-Z平面內的旋轉方向(θ方向)上移動的致動器104。致動器102具備伺服馬達(servo motor)102a以及將伺服馬達102a的旋轉運動轉換為往復運動的旋轉直動轉換機構(未圖示)。致動器102視需要而具備使伺服馬達102a的旋轉運動減速的減速機構。致動器102藉由旋轉直動轉換機構的往復運動而對支架引導件60的Y軸方向的位置進行調整。致動器103具備伺服馬達103a以及將伺服馬達103a的旋轉運動轉換為往復運動的旋轉直動轉換機構(未圖示)。致動器103視需要而具備使伺服馬達103a的旋轉運動減速的減速機構。致動器103藉由旋轉直動轉換機構的往復運動而對支架引導件60的Z軸方向的位置進行調整。致動器104具備伺服馬達104a,視需要而具備使伺服馬達104a的旋轉運動減速的減速機構。致動器104藉由來自伺服馬達104a的旋轉運動而對支架引導件60的θ方向的位置進行調整。
攪棒18如圖2所示配置於支架引導件60與調整板70之間,與基板W的表面平行地往復運動而對電鍍液進行攪拌。攪棒18固定於軸(shaft)18a,軸18a藉由攪棒驅動裝置19(圖1)驅動以進行往復運動。攪棒18例如包括板厚固定的矩形板狀構件,藉由於板狀構件上平行地設置多個長孔而構成為具有沿鉛垂方向延伸的多個格子部。攪棒18的材質例如為於鈦上實施特夫綸(Teflon)(註冊商標)塗佈(coat)而得者。再者,攪棒18以不妨礙調整板70上的感測器部110(110a、110b)(圖6)與基板支架11上的影像識別標記120之間的路徑的形狀以及配置而配置於內槽52內。
調整板70是由電介質(例如氯乙烯)製成的構件,用以使基板W的整個面上的電位分佈更均勻。調整板70包括:屏蔽板71、環狀突起部72以及通過屏蔽板71及環狀突起部72的開口部73。調整板70以開口部73位於基板W與陽極81之間的方式配置於電鍍槽50內。另外,調整板70以使環狀突起部72位於基板W側的方式配置於電鍍槽50內。屏蔽板71以利用開口部73以外的部分對陽極81與基板W之間形成的電場進行屏蔽的方式設置。開口部73形成使電場通過的路徑,具有能夠充分限制電場的擴展的開口的大小以及沿軸心的長度。
調整板70於面向基板支架11的一側包括:兩個感測器部110a、感測器部110b以及與各感測部110相對應地配置的照明裝置113a、照明裝置113b(圖2)。感測器部110a、感測器部110b設置於分別與基板支架11的影像識別標記120a、影像識別標記120b相對的位置。感測器部110a、感測器部110b包括:突起部112(112a、112b)以及設於突起部112的前端側的相機111(111a、111b)(圖6)。相機111為影像感測器的一例。影像感測器為光學感測器的一例。於使用相機的情況下,為了即使使用經著色的電鍍液亦能夠進行影像識別,較佳為使相機的位置充分接近影像識別標記,進而設置用以照亮影像識別標記周圍的照明。突起部112以使相機111接近基板支架11的影像識別標記120的方式配置。藉由此方式,能夠降低電鍍液的影響,從而藉由相機111對影像識別標記120更清晰地進行拍攝。照明裝置113例如為環(ring)狀的發光二極體(Light Emitting Diode,LED)光源,於藉由相機111進行拍攝時,對影像識別標記120進行照射,藉此能夠對影像識別標記120更清晰地進行拍攝。另外,若即便不設置突起部112,相機111對影像識別標記120的拍攝影像亦無問題,則亦可不設置突起部112。另外,若即便不設置照明裝置113而相機111對影像識別標記120的拍攝影像亦無問題,則亦可不設置照明裝置113。
陽極支架80保持陽極81,介隔攪棒18以及調整板70而與基板支架11相對地配置。基板W與陽極81經由未圖示的電鍍電源而電性連接,於電鍍處理時,於基板W與陽極81之間流動電流,藉此於基板W的表面形成電鍍膜。於本實施例中,陽極箱(anode box)85配置於電鍍槽50內,於陽極箱85內配置有陽極支架80。於陽極箱85的壁上,於陽極81朝向基板W之側設有開口部,於該開口部配置有隔膜86。陽極81以介隔隔膜86而與基板W相對地配置。
圖7是對第1實施例的基板支架的位置檢測方法進行說明的圖。於本實施例中,於基板支架11設有兩個影像識別標記120(120a、120b)(圖5、圖7),於調整板70設有兩個感測器部110(110a、110b)(圖6、圖7)。於該方法中,於電鍍裝置運轉前,預先對基板支架11設置於電鍍槽50內的正確位置(規定位置)時的各影像識別標記120(120a、120b)進行拍攝,事先獲取此時的影像識別標記120(120a、120b)的位置資訊(目標位置)。相機111(111a、111b)的控制藉由控制器175進行,各影像識別標記120(120a、120b)的位置資訊(目標位置)的資料保存於記憶體175B。所謂電鍍裝置運轉前,是指藉由電鍍裝置實施電鍍處理前。例如,包括電鍍裝置的維護時,以及使利用電鍍裝置的電鍍處理停止的狀態。
並且,每當將基板支架11搬入並配置於電鍍槽50時,電鍍處理前,藉由調整板70的各相機111(111a、111b)對基板支架11的各影像識別標記120(120a、120b)進行拍攝,對各影像識別標記120的位置以及自目標位置的偏移進行測量,並對各影像識別標記120的位置是否與目標位置一致進行判斷。當判斷為各影像識別標記120的位置與目標位置一致(包括於規定的容許範圍內一致的情況)時,因基板支架11位於正確位置(規定位置),因此,向陽極-基板間供給電流,開始電鍍處理。
另一方面,於判斷為至少一個影像識別標記120(120a、120b)的位置自目標位置偏移的情況下,為基板支架11的位置自規定位置偏移的情況,因此,以各影像識別標記120的位置靠近目標位置的方式(以使基板支架11的位置接近規定位置的方式)算出Y軸方向、Z軸方向以及旋轉θ方向的各移動量,並基於所算出的各移動量來驅動致動器102~致動器104,從而使支架引導件60(基板支架11)於各方向上移動。之後,藉由調整板70的各相機111對基板支架11的各影像識別標記120進行拍攝,對各影像識別標記120的位置以及自目標位置的偏移進行測量,並對各影像識別標記120的位置是否與目標位置一致進行判斷。重覆進行該些處理,直至各影像識別標記120的位置與目標位置一致,從而將基板支架11配置於電鍍槽50內的規定位置。
再者,作為設置致動器102~致動器104的替代,亦可於判斷為基板支架11的位置自規定位置偏移的情況下,中止對該基板支架11的電鍍處理,並於以後的電鍍處理中不再使用該基板支架11。於該情況下,亦可使用其他基板支架11繼續進行電鍍處理,並於電鍍裝置停止時對不再被使用的基板支架11進行再調整或更換。再者,於不設置致動器101的情況下,亦可不設置支架引導件60而直接將基板支架11吊掛於內槽52。另外,對於無法以各影像識別標記120的位置與目標位置一致的方式藉由致動器進行調整的情況,亦可同樣地處理。 另外,作為設置致動器102~致動器104的替代,亦可於判斷為基板支架11的位置自規定位置偏移的情況下,不再使用該電鍍槽,而利用其他的電鍍槽進行電鍍處理。
圖8是基板支架的對準資料的構成例。對準資料(對位資料)包含電鍍槽識別符(identification,ID)、基板支架ID以及與基板支架的正確位置(規定位置)相對應的各影像識別標記120(120a、120b)的目標位置。電鍍槽ID為用以確定多個電鍍槽50中的各電鍍槽的識別資訊。基板支架ID為用以確定各基板支架11的識別資訊。各影像識別標記120的目標位置為於電鍍裝置運轉前,預先藉由相機111對基板支架11設置於電鍍槽50內的正確位置(規定位置)時的各影像識別標記120(120a、120b)進行拍攝而獲取的位置資訊。目標位置包含各影像識別標記120(120a、120b)的目標位置的Y座標以及Z座標。例如,於電鍍槽ID=t1、基板支架ID=h1時,影像識別標記120a的目標位置為(y11a,z11a),影像識別標記120b的目標位置為(y11b,z11b)。如此,藉由與各電鍍槽以及各基板支架相對應地事先對各影像識別標記120的目標位置進行儲存,能夠相應於各基板支架的個體差異、各電鍍槽的個體差異(包括調整板、支架引導件等的個體差異、安裝誤差),而將基板支架配置於電鍍槽內更準確的位置。
另外,對準資料可包括致動器102~致動器104的Y移動量、Z移動量、θ移動量。Y移動量為對基板支架11的位置進行調整時,藉由致動器102而使支架引導件60於Y軸方向上移動的移動量(修正量)。Z移動量為對基板支架11的位置進行調整時,藉由致動器103而使支架引導件60於Z軸方向上移動的移動量(修正量)。θ移動量為對基板支架11的位置進行調整時,藉由致動器104而使支架引導件60於θ方向上移動的移動量(修正量)。藉由事先儲存該些Y、Z、θ方向的移動量,在以相同的基板支架11以及電鍍槽50的組合進行基板支架11的對位(位置調整)時,能夠使用前次對位時的Y、Z、θ方向的移動量將支架引導件60(基板支架11)迅速移動至規定位置。之後,再次藉由相機111對影像識別標記120進行的拍攝,判斷基板支架11是否位於規定位置,若有偏移,則藉由致動器102~致動器104以基板支架11成為規定位置的方式進行調整。藉此,能夠迅速地進行基板支架11的對位(位置調整)。再者,於不設置致動器的情況下,亦可自對準資料中省略Y移動量、Z移動量、θ移動量。
圖9是對位控制的流程圖。以下的處理可藉由控制器175來執行。但是,亦可利用其他控制器來執行一部分或全部的處理。於該情況下,其他控制器的一部分或全部既可為利用CPU以及程式的組合而實現的控制部,亦可為利用硬體而實現的控制部。
於S10中,於已藉由第1運輸器142或第2運輸器144將基板支架11搬入或配置於電鍍槽50時,參照對準資料,判斷是否保存有與作為當前對位處理對象的基板支架11以及電鍍槽50的ID相對應的Y移動量、Z移動量、θ移動量(前次資料)。
於S10中判斷為未保存有前次資料的情況下,使處理前進至S20。
於S20中,藉由調整板70的照明裝置113(113a、113b)對影像識別標記120(120a、120b)進行照射,藉由相機111(111a、111b)對基板支架11的影像識別標記120(120a、120b)進行拍攝,並對各影像識別標記120(120a、120b)的位置進行計算。基板支架11的位置包括Y軸方向的位置、Z軸方向的位置。
於S30中,自對準資料(保存於記憶體175B等中)讀取與作為當前對位處理對象的基板支架11以及電鍍槽50的ID相對應的基板支架11的規定位置(目標位置),並對基板支架11的計算位置與目標位置進行比較,來對各影像識別標記120(120a、120b)自目標位置的偏移進行計算,從而判定偏移是否於規定的容許範圍內。若所有的影像識別標記120(120a、120b)自目標位置的偏移均於規定的容許範圍內,則基板支架11配置於正確位置,因此,結束對位處理的流程。亦可於流程結束時使各致動器返回至初始位置。另一方面,若任一影像識別標記120(120a、120b)自目標位置的偏移超過規定的容許範圍,則使處理前進至步驟S40。
於S40中,基於S20中計算出的各影像識別標記120(120a、120b)的計算位置,以及對準資料中所含的目標位置,計算用以使各影像識別標記120(120a、120b)的計算位置靠近目標位置的Y移動量、Z移動量、θ移動量。
於S50中,基於前次資料的Y移動量、Z移動量、θ移動量,驅動致動器102~致動器104來移動支架引導件60(基板支架11)。
於S60中,再次藉由相機111(111a、111b)對基板支架11的影像識別標記120(120a、120b)進行拍攝,並對各影像識別標記120(120a、120b)的位置進行計算。
於S70中,對各影像識別標記120(120a、120b)的計算位置與目標位置進行比較,以對各影像識別標記120(120a、120b)自目標位置的偏移進行計算,從而判定偏移是否於規定的容許範圍內。若所有的影像識別標記120(120a、120b)自目標位置的偏移均於規定的容許範圍內,則基板支架11配置於正確位置,因此,結束對位處理的流程。亦可於流程結束時使各致動器返回至初始位置。另一方面,若任一影像識別標記120(120a、120b)自目標位置的偏移超過規定的容許範圍,則使處理前進至步驟S40。並且,重覆進行S40~S70的處理,直至所有的影像識別標記120(120a、120b)自目標位置的偏移均成為規定的容許範圍內。若所有的影像識別標記120(120a、120b)自目標位置的偏移均成為規定的容許範圍內,則對至此為止的Y移動量、Z移動量、θ移動量(各方向的移動量的合計)進行保存或更新,並結束對位處理的流程。
於S10中判斷為保存有前次資料的情況下,使處理前進至S50。
於S50中,基於前次資料的Y移動量、Z移動量、θ移動量,驅動致動器102~致動器104來移動支架引導件60(基板支架11)。
於S60中,藉由相機111(111a、111b)對基板支架11的影像識別標記120(120a、120b)進行拍攝,並對各影像識別標記120(120a、120b)的位置進行計算。
於S70中,對各影像識別標記120(120a、120b)的計算位置與目標位置進行比較,以對各影像識別標記120(120a、120b)自目標位置的偏移進行計算,從而判定偏移是否於規定的容許範圍內。若所有的影像識別標記120(120a、120b)自目標位置的偏移均於規定的容許範圍內,則對至此為止的Y移動量、Z移動量、θ移動量(各方向的移動量的合計)進行保存或更新,並結束對位處理的流程。亦可於流程結束時使各致動器返回至初始位置。另一方面,若任一影像識別標記120(120a、120b)自目標位置的偏移超過規定的容許範圍,則使處理前進至步驟S40。並且,重覆進行S40~S70的處理,直至所有的影像識別標記120(120a、120b)自目標位置的偏移均成為規定的容許範圍內。若所有的影像識別標記120(120a、120b)自目標位置的偏移均成為規定的容許範圍內,則對至此為止的Y移動量、Z移動量、θ移動量(各方向的移動量的合計)進行保存或更新,並結束對位處理的流程。
再者,於所述內容中,對將Y移動量、Z移動量、θ移動量保存為對準資料的情況進行了說明,但是於不將Y移動量、Z移動量、θ移動量保存為對準資料的情況下,省略S10,於結束對位處理的流程時亦省略保存Y移動量、Z移動量、θ移動量的處理。另外,S10中的前次資料的確認處理亦可於S20、S30之後執行。
於所述內容中,於基板支架11的左右方向(Y軸方向)、上下方向(Z軸方向),以及Y-Z面內旋轉方向(旋轉θ方向)上,使基板支架11進行了移動,但亦可除此之外,或者取代這些的一部分,而使基板支架11於前後方向上移動。在使基板支架11於前後方向上移動時,既可使基板支架11於不改變前後方向的傾斜度的情況下沿著接近、遠離調整板70的方向移動,亦可以改變前後方向的傾斜度的方式使基板支架11旋轉,亦可對這些進行組合。
於所述內容中,於基板支架11的左右方向(Y軸方向)、上下方向(Z軸方向),以及Y-Z面內旋轉方向(旋轉θ方向)上,使基板支架11進行了移動,但亦可省略旋轉θ方向的移動。於該情況下,省略致動器104,從而致動器101由致動器102、致動器103構成(圖16)。
於所述內容中,對如下示例進行了說明,即,於基板支架11設置影像識別標記120,於調整板70設置相機111。亦可代替此而於基板支架11設置相機111,於調整板70設置影像識別標記120。
於所述內容中,對藉由致動器來使基板支架11移動以進行對位的示例進行了說明。亦可代替此而藉由致動器來使調整板70移動以進行對位。
於所述內容中,對如下處理進行了說明,即在將基板支架11搬入並配置於電鍍槽50且電鍍處理開始前,對基板支架11的位置進行檢測,並進行對位或位置調整,但亦可於電鍍處理開始後執行圖9的流程。即,亦可在電鍍處理中始終監測基板支架11的位置,於位置偏移的情況下,驅動致動器來隨時調整基板支架11的位置。
於所述內容中,對藉由致動器來修正相對位置的偏移的情況進行了說明,但亦可手動修正相對位置的偏移。
於所述內容中,對基板支架11與調整板70之間的相對位置的檢測、對位進行了說明,針對陽極支架80與調整板70之間的相對位置的檢測、對位,亦可進行與所述基板支架11與調整板70之間的處理相同的處理。於該情況下,如圖14所示,於陽極支架80的調整板70側的面上,與基板支架11的情況同樣地設置影像識別標記120,於調整板70的陽極支架80側的面上,設置感測器部110(相機111、突起部112)以及照明裝置113。另外,與所述內容同樣地,能夠於陽極支架80設置致動器101(102~104),並執行與圖9相同的處理,從而對陽極支架80相對於調整板70進行對位。與所述內容的相同之處亦在於:能夠省略致動器101(102~104)的一部分;能夠於致動器101(102~104)之外、或者置換致動器101(102~104)的一部分而追加使構件於前後方向上移動、旋轉的致動器。另外,針對基板支架11、調整板70所述的事項亦能夠應用於陽極支架80、調整板70。根據圖14的構成,能夠進行基板支架11、調整板70、陽極支架80這三個構件間的相對位置的檢測、對位或位置調整。另外,能夠在電鍍處理前、電鍍處理中進行相對位置的檢測、對位的方面亦與所述內容相同。再者,陽極支架80與調整板70之間的相對位置的檢測、對位亦可於基板支架11未配置於電鍍槽50期間執行。另外,亦可於調整板70的陽極支架80側的面上,與基板支架11的情況同樣地設置影像識別標記120,於陽極支架80的調整板70側的面上,設置感測器部110(相機111、突起部112)以及照明裝置113。另外,作為利用致動器來使基板支架11以及陽極支架80移動的替代,既可利用致動器來使基板支架11以及調整板70移動,亦可利用致動器來使陽極支架80以及調整板70移動。藉由利用致動器來使任意兩個構件移動而調整位置,能夠將三個構件的相對位置關係調整為期望的位置。
另外,亦可對基板支架11、調整板70、陽極支架80中的兩個構件的相對位置進行確認。於該情況下,將基板支架11、調整板70、陽極支架80中的一個作為第1構件,將另外一個作為第2構件,於第1構件以及第2構件中的一者設置影像識別標記,於另一者設置相機。另外,為了調整第1構件以及第2構件的相對位置,亦可於第1構件以及第2構件中的至少一者設置致動器。再者,亦可對兩個構件的相對位置始終進行監測來檢測異常。
另外,亦可對基板支架11、調整板70、陽極支架80、攪棒18中的兩個構件的相對位置進行確認。於該情況下,將基板支架11、調整板70、陽極支架80、攪棒18中的一個作為第1構件,將另外一個作為第2構件,於第1構件以及第2構件中的一者設置影像識別標記,於另一者設置相機。另外,為了調整第1構件以及第2構件的相對位置,亦可於第1構件以及第2構件中的至少一者設置致動器。另外,亦可對基板支架11、調整板70、陽極支架80、攪棒18中的三個或四個構件的相對位置進行確認。另外,為了對要調整的構件間的相對位置進行調整,亦可於至少一個構件設置致動器。再者,亦可對多個構件的相對位置始終進行監測來檢測異常。
根據所述實施例,能夠不使用專用的夾具而對電鍍槽內的構件間的相對位置進行檢測及/或調整。另外,因能夠於每次電鍍處理時,於電鍍處理前對電鍍槽內的構件間的相對位置進行檢測及/或調整,因此能夠提前發現及/或修正電鍍槽內的構件間的相對位置的異常。例如,因能夠於每次將基板支架11配置於電鍍槽50時對基板支架11的位置進行檢測、調整,所以能夠提前檢測出對位的異常並進行修正。
(第2實施例) 圖10是第2實施例的基板支架的正視圖。圖11是第2實施例的調整板的正視圖。圖12是對第2實施例的基板支架的位置檢測方法進行說明的說明圖。
於本實施例中,除設置反射構件130來代替影像識別標記120(圖10、圖12)並於調整板70設置反射型的光學感測器140來代替相機111(圖11、圖12)的方面外,與第1實施例相同,因此,以下對與第1實施例不同的方面進行說明,並省略相同內容的說明。反射構件130既可安裝於基板支架11,亦可與基板支架11一體地形成。
如圖12所示,以如下方式決定基板支架11的正確位置(規定位置),即,調整板70的基板支架11側的開口面與基板支架11的調整板70側的開口面平行,且通過基板支架11的開口面的中心並垂直於基板W的直線通過調整板70的開口面的中心。
如圖10~圖12所示,在基板支架11的與調整板70相對的面中,至少於兩個地方設置有反射構件130a、反射構件130b(130),於調整板70的與反射構件130a、反射構件130b(130)分別對向的位置,設置有光學感測器140a、光學感測器140b(140)。於本實施例中,反射構件以及光學感測器設置了兩處,但亦可設置三處以上。
反射型的光學感測器140藉由對來自反射構件130的反射光進行檢測來檢測反射構件130。換言之,反射型的光學感測器140基於來自反射構件130的反射光的檢測強度,來檢測光學感測器140與反射構件130以正確的配向以及位置(光學感測器140的光軸與反射構件130垂直地對向的位置)彼此相對。相對位置例如能夠基於來自各反射構件130的反射光的藉由光學感測器140而得的檢測強度是否為門檻值以上來測量。配向例如能夠基於來自各反射構件130的反射光的藉由光學感測器140而得的檢測強度之差來測量。反射型的光學感測器140例如可為具備輸出雷射光的光源以及接受雷射光的反射波的受光部的反射型的雷射感測器(laser sensor)。但是,反射型的光學感測器140只要為輸出光並對其反射波進行檢測者,則可使用任意的光學感測器。用於檢測的光學感測器140的光源較佳為選擇所使用的電鍍液的光吸收充分少的區域的波長來使用。關於光學感測器140的光的波長,例如於使用硫酸銅電鍍液的情況下,較佳為350 nm以上、600 nm以下,或900 nm以上、1000 nm以下的波長,於使用鎳(Ni)電鍍液的情況下,較佳為450 nm以上、600 nm以下,或900 nm以上、1000 nm以下的波長。
在反射構件130例如為具有平面的反射面的反射板的情況下,使反射面與基板支架的開口面平行。光學感測器140以光軸與調整板70的開口面垂直的方式設置。藉此,以調整板70的基板支架11側的開口面與基板支架11的調整板70側的開口面平行,且通過基板支架11的開口面的中心並垂直於基板W的直線通過調整板70的開口面的中心的方式,將基板支架11置於正確位置(規定位置),於該情況下,自光學感測器140放出的光藉由反射板130反射並入射至光學感測器內的受光部而得到檢測,藉此光以最大強度得到檢測。此時,使設置於基板支架11的反射板130的尺寸與光學感測器140的光束(beam)直徑足夠小,且使反射板130的周圍的基板支架11的表面為光不反射(或難以反射)的狀態。藉此,不僅能探測基板支架11與調整板70的配向(平行度),亦能探測相對位置的偏移。基板支架11與調整板70的相對位置、配向的良否能夠藉由光學感測器140的檢測強度來判斷,能夠藉由是否超過預先設定的門檻值來進行判斷。例如,於一部分的光學感測器140的檢測強度未超過門檻值的情況下,判斷為基板支架11傾斜。再者,配向的良否亦可基於光學感測器140的檢測強度之差來判斷。
另外,作為反射構件130,能夠使用凹面鏡等反射鏡。於使用凹面鏡的情況下,較佳為使自光學感測器140至凹面鏡(反射構件130)的距離與凹面鏡的焦距一致。藉由此方式,能夠提高位置檢測的靈敏度與準確性。此構成藉由變更凹面鏡的選擇、光學感測器140於調整板70上的設置高度來達成。作為變更光學感測器140於調整板70上的設置高度的方法,能夠採用如下方法,即:於調整板70設置突起部而使光學感測器140接近基板支架11;以及於調整板70設置凹部並埋入光學感測器140的一部分或全部。
於本實施例中,如圖12所示,藉由調整板70上的光學感測器140(140a、140b)來對基板支架11上的反射構件130(130a、130b)的反射光的強度進行檢測。於電鍍裝置運轉前,預先針對各電鍍槽50以及各基板支架11的每個組合,將基板支架11設置於正確位置(規定位置)時的各光學感測器140的檢測強度保存為門檻值。再者,亦可將比基板支架11設置於正確位置(規定位置)時的各光學感測器140的檢測強度低規定容許範圍的值保存為門檻值。
圖13是第2實施例的對準資料的一例。於本實施例中,將基板支架11設置於作為基板支架11的規定位置的正確位置情況下的各光學感測器140a、光學感測器140b的檢測強度事先儲存為門檻值(c,d)。例如,與電鍍槽ID=t1、基板支架ID=h1相對應的門檻值為(c11,d11)。在將基板支架11搬入並配置於電鍍槽50時,基於基板支架11以及電鍍槽50的ID,參照對準資料讀出對應的門檻值(c,d),並將所述門檻值(c,d)與各光學感測器140a、光學感測器140b的檢測強度進行比較。在所有的光學感測器140a、光學感測器140b的檢測強度成為門檻值(c,d)以上的情況下,能夠判斷基板支架11已配置於規定位置。另一方面,於至少一個光學感測器140a、光學感測器140b的檢測強度小於門檻值(c,d)的情況下,能夠判斷基板支架11自規定位置偏移或傾斜。
藉此,能夠判斷基板支架11是否設置於正確位置(規定位置)及配向。藉此,在電鍍裝置的運轉過程中,每當將基板支架11搬入並設置於電鍍槽50時,均能夠於電鍍處理前對基板支架11是否已設置於正確位置進行判斷。因能夠於每次將基板支架11配置於電鍍槽50時對基板支架11的位置進行檢測、確認,所以能夠提前檢測出對位的異常。亦可於判斷為基板支架11的位置自規定位置偏移的情況下,中止對該基板支架11的電鍍處理,並於以後的電鍍處理中不再使用該基板支架11。於該情況下,亦可使用其他基板支架11繼續進行電鍍處理,並於電鍍裝置停止時對不再被使用的基板支架11進行再調整或更換。於該情況下,亦可省略第1實施例的致動器101的構成。再者,亦可與第1實施例同樣地,利用致動器來使基板支架11或調整板70移動,從而將基板支架11的位置調整為規定位置。於該情況下,亦可與第1實施例同樣地,於對準資料中包含致動器的前次移動量的資料(Y移動量、Z移動量、θ移動量等)。 另外,亦可與第1實施例同樣地,於判斷基板支架11的位置自規定位置偏移的情況下,中止利用該電鍍槽進行電鍍處理,而利用其他的電鍍槽進行電鍍處理。
於所述內容中,對如下示例進行了說明,即,於基板支架11設置反射構件130,於調整板70設置光學感測器140。亦可代替此而於基板支架11設置光學感測器140,於調整板70設置反射構件130。
圖15是對第2實施例的變形例的基板支架的位置檢測方法進行說明的說明圖。於所述內容中,對基板支架11與調整板70之間的相對位置的檢測、對位進行了說明,針對陽極支架80與調整板70之間的相對位置的檢測、對位,亦可進行與所述基板支架11與調整板70之間的處理相同的處理。於該情況下,如圖15所示,在陽極支架80的調整板70側的面上,與基板支架11的情況同樣地設置反射構件130,在調整板70的陽極支架80側的面上,設置光學感測器140。另外,與所述內容同樣地,能夠利用致動器來使陽極支架80移動並對陽極支架80相對於調整板70進行對位。與所述內容的相同之處亦在於:能夠省略致動器101(102~104)的一部分的方面;能夠於致動器101(102~104)之外、或者置換致動器101(102~104)的一部分而追加使構件於前後方向上移動、旋轉的致動器的方面。另外,針對基板支架11、調整板70所述的事項亦能夠應用於陽極支架80、調整板70。根據圖15的構成,能夠進行基板支架11、調整板70、陽極支架80這三個構件間的相對位置的檢測、對位。另外,能夠於電鍍處理前、電鍍處理中進行相對位置的檢測、對位的方面亦與所述內容相同。再者,陽極支架80與調整板70之間的相對位置的檢測、對位亦可於基板支架11未配置於電鍍槽50期間執行。另外,亦可於調整板70的陽極支架80側的面上,與基板支架11的情況同樣地設置反射構件130,於陽極支架80的調整板70側的面上,設置光學感測器140。另外,作為利用致動器來使基板支架11以及陽極支架80移動的替代,既可利用致動器來使基板支架11以及調整板70移動,亦可利用致動器來使陽極支架80以及調整板70移動。藉由利用致動器來使任意兩個構件移動而調整位置,能夠將三個構件的相對位置關係調整為期望的位置。
另外,亦可對基板支架11、調整板70、陽極支架80中的兩個構件的相對位置及/或配向進行確認。於該情況下,將基板支架11、調整板70、陽極支架80中的一個作為第1構件,將另外一個作為第2構件,於第1構件以及第2構件中的一者設置反射構件,於另一者設置光學感測器。另外,為了調整第1構件以及第2構件的相對位置及/或配向,亦可於第1構件以及第2構件中的至少一者設置致動器。再者,亦可對兩個構件的相對位置始終進行監測來檢測異常。
另外,亦可對基板支架11、調整板70、陽極支架80、攪棒18中的兩個構件的相對位置進行確認。於該情況下,將基板支架11、調整板70、陽極支架80、攪棒18中的一個作為第1構件,將另外一個作為第2構件,在第1構件以及第2構件中的一者設置反射構件,於另一者設置光學感測器。另外,為了調整第1構件以及第2構件的相對位置及/或配向,亦可於第1構件以及第2構件中的至少一者設置致動器。另外,亦可對基板支架11、調整板70、陽極支架80、攪棒18中的三個或四個構件的相對位置進行確認。另外,為了對要調整的構件間的相對位置及/或配向進行調整,亦可於至少一個構件設置致動器。再者,亦可對多個構件的相對位置始終進行監測來檢測異常。
根據所述實施例,能夠不使用專用的夾具而對電鍍槽內的構件間的相對位置進行檢測及/或調整。另外,因能夠於每次電鍍處理時,於電鍍處理前對電鍍槽內的構件間的相對位置及/或配向進行檢測及/或調整,因此能夠提前發現及/或修正電鍍槽內的構件間的相對位置及/或配向的異常。例如,因能夠於每次將基板支架11配置於電鍍槽50時對基板支架11的位置進行檢測、調整,所以能夠提前檢測出對位的異常並進行修正。
再者,關於利用電鍍裝置進行處理的基板,存在要處理在基板上形成有不同電路圖案的多種類型的基板的情況。在此情況下,針對各個種類的基板,有時基板支架11、調整板70、陽極支架80、攪棒18中的至少兩者間的相對位置的最佳位置關係不同。例如,可考慮到如下情況:即便於某種類的基板A中進行了基板支架11與調整板70的對位,而於處理基板B時,將調整板70於上下方向上移動數mm的情況會使電鍍面內的均勻性變好。因此,關於對準資料,亦可針對基板的各種類而事先保存固有的值。一般認為:在某種類的基板中調整為最佳的基板支架11、調整板70、陽極支架80、攪棒18中的至少兩者間的相對位置,與對於其他種類的基板來說最佳的相對位置,多數情況下僅差一定的距離或角度,因此,亦可對某基板中生成的對準資料加上、減去固定值,藉此生成於其他種類的基板中使用的對準資料。
根據所述實施例至少掌握以下的技術思想。 根據實施例1,提供一種電鍍裝置,其使用基板保持構件來對基板實施電鍍處理,所述電鍍裝置包括:電鍍槽;第1構件,在所述基板保持構件配置於所述電鍍槽時,與所述基板保持構件相對的位置處配置於所述電鍍槽;光學感測器,配置於所述基板保持構件以及所述第1構件中的一者;以及多個被檢測部,配置於所述基板保持構件以及所述第1構件中的另一者,且能夠藉由所述光學感測器進行檢測。
根據實施例1,能夠不使用專用的夾具而對基板保持構件是否配置於電鍍槽內的規定位置進行確認。於基板保持構件以及第1構件中的一者配置光學感測器,於另一者設置被檢測部,因此,每當將基板保持構件配置於電鍍槽時,均能夠對基板保持構件是否配置於電鍍槽內的規定位置進行確認。因能夠於每次將基板保持構件配置於電鍍槽時,對基板保持構件的位置進行檢測、確認,所以能夠提前檢測出對位的異常。結果,電鍍處理的電鍍膜厚的均勻性提高,能夠防止良率降低。另外,根據本實施例,能夠在不使電鍍裝置停止的情況下,於每次電鍍處理時(每當將基板保持構件配置於電鍍槽時),於電鍍處理前直接確認基板保持構件的位置。
根據實施例2,在實施例1的電鍍裝置中,所述被檢測部是反射構件。能夠使用反射型的光學感測器容易地對被檢測部進行檢測。
根據實施例3,在實施例2的電鍍裝置中,所述被檢測部是凹面鏡,所述凹面鏡的焦距與所述凹面鏡和所述光學感測器之間的距離相等。 根據實施例3,能夠提高光學感測器的位置檢測靈敏度、準確性。
根據實施例4,在實施例1的電鍍裝置中,所述光學感測器是影像感測器,所述被檢測部是多個影像識別標記。 根據實施例4,能夠藉由利用影像感測器對影像識別標記進行檢測,而對基板保持構件的位置進行檢測。另外,能夠對檢測位置自目標位置的偏移進行測量。
根據實施例5,在實施例4的電鍍裝置中,更具備控制裝置,所述控制裝置能夠藉由利用所述影像感測器對所述多個影像識別標記進行拍攝,而算出所述基板保持構件的位置。所述基板保持構件的位置包括如下位置中的至少一個:與所述基板平行的面內的彼此正交的兩個軸的各軸向上的位置、與所述基板平行的面內的旋轉方向上的位置、與所述基板垂直的前後方向的位置以及與所述基板垂直的面內的旋轉方向的位置。 根據實施例5,能夠藉由利用影像感測器對影像識別標記進行拍攝,來算出如下位置中的至少一者的方向上的基板保持構件的位置:與基板平行的面內的彼此正交的兩個軸的各軸向上的位置(Y,Z)、與基板平行的面內的旋轉方向上的位置(θ)、與所述基板垂直的前後方向的位置(X)以及與所述基板垂直的面內的旋轉方向的位置(ϕ)。
根據實施例6,在實施例1至實施例5中的任一電鍍裝置中,更具備第1致動器,所述第1致動器能夠使所述基板保持構件於與所述基板平行的面內的彼此正交的兩個軸的各軸向上移動。 根據實施例6,能夠藉由第1致動器沿兩個正交軸方向對基板保持構件的位置進行調整。
根據實施例7,在實施例6的電鍍裝置中,更具備第2致動器,所述第2致動器能夠使所述基板保持構件於與所述基板平行的面內的旋轉方向上旋轉。 根據實施例7,能夠藉由第2致動器於旋轉方向上對基板保持構件的位置進行調整。
根據實施例8,在實施例1的電鍍裝置中,更具備控制裝置,所述控制裝置藉由利用所述光學感測器對所述被檢測部進行檢測來判斷所述基板保持構件是否位於所述電鍍裝置內的規定位置。 根據實施例8,能夠藉由控制裝置來自動判斷基板保持構件是否位於電鍍裝置內的規定位置。
根據實施例9,在實施例6的電鍍裝置中,更具備控制裝置,所述控制裝置基於所述光學感測器對所述被檢測部的檢測結果,控制所述第1致動器對所述基板保持構件的移動。 根據實施例9,能夠藉由控制裝置精度良好地控制第1致動器對基板保持構件的移動。
根據實施例10,在實施例7的電鍍裝置中,更具備控制裝置,所述控制裝置基於所述光學感測器對所述被檢測部的檢測結果,控制所述第1致動器以及第2致動器對所述基板保持構件的移動。 根據實施例10,能夠藉由控制裝置精確地控制第2致動器對基板保持構件的移動。
根據實施例11,在實施例9的電鍍裝置中,使用多個基板保持構件,且設有多個電鍍槽,與所述基板保持構件的識別資訊以及所述電鍍槽的識別資訊相對應地儲存有所述基板支架的規定位置(被檢測部的目標位置),所述控制裝置基於與所述基板保持構件的識別資訊以及所述電鍍槽的識別資訊相對應的所述規定位置,控制所述第1致動器對所述基板保持構件的移動。 根據實施例11,與各基板保持構件以及各電鍍槽相對應地對基板保持構件於電鍍槽內的規定位置(被檢測部的目標位置)進行儲存,因此能夠相應於基板保持構件以及電鍍槽的個體差異來設定基板保持構件於電鍍槽內的位置。另外,若事先與各基板保持構件以及各電鍍槽相對應地對第1致動器的驅動量(Y、Z方向的各移動量)進行儲存,則能夠使下次及之後的位置調整高效化。另外,若始終檢測並隨時更新與各基板保持構件及各電鍍槽建立了對應的規定位置以及第1致動器的驅動量,則能夠總是將基板保持構件的設定位置維持為良好,進而能夠維持電鍍品質。
根據實施例12,在實施例10的電鍍裝置中,使用多個基板保持構件,且設有多個電鍍槽,與所述基板保持構件的識別資訊以及所述電鍍槽的識別資訊相對應地儲存有所述基板支架的規定位置(被檢測部的目標位置),所述控制裝置基於與所述基板保持構件的識別資訊以及所述電鍍槽的識別資訊相對應的所述規定位置,控制所述第1致動器以及第2致動器對所述基板保持構件的移動。 根據實施例12,與各基板保持構件以及各電鍍槽相對應地對基板保持構件於電鍍槽內的規定位置(被檢測部的目標位置)進行儲存,因此能夠相應於基板保持構件以及電鍍槽的個體差異來設定基板保持構件於電鍍槽內的位置。另外,若事先與各基板保持構件以及各電鍍槽相對應地對第1致動器及第2致動器的驅動量(Y、Z、θ方向的各移動量)進行儲存,則能夠使下次及之後的位置調整高效化。另外,若始終檢測並隨時更新與各基板保持構件及各電鍍槽建立了對應的規定位置以及第1致動器及第2致動器的驅動量,則能夠總是將基板保持構件的設定位置維持為良好,進而能夠維持電鍍品質。
根據實施例13,在實施例1至實施例12中的任一電鍍裝置中,所述光學感測器配置於所述第1構件。 根據實施例13,將光學感測器配置於第1構件而非考慮到生產性而必須進行大量準備的基板保持構件,藉此,能夠抑制成本。
根據實施例14,在實施例1至實施例13中的任一電鍍裝置中,所述第1構件是調整板或陽極支架。 根據實施例14,藉由進行基板保持構件相對於調整板及/或陽極支架的對位,能夠將電鍍品質維持為良好。
根據實施例15,在實施例1至實施例12的電鍍裝置中,所述第1構件是調整板,在所述電鍍槽進而配置有陽極支架,在所述調整板配置所述光學感測器,在所述基板保持構件以及所述陽極支架配置所述被檢測部。 根據實施例15,在配置於基板保持構件與陽極支架之間的調整板上配置光學感測器,並利用光學感測器對基板保持構件以及陽極支架的被檢測體進行檢測,藉此,能夠有效地進行基板保持構件相對於調整板以及陽極支架的對位。
根據實施例16,提供一種記錄媒體,其儲存用以執行電鍍裝置的控制方法的程式,其中所述程式用以使電腦執行如下處理:在保持著基板的基板保持構件以與第1構件相對的方式配置於電鍍槽時,利用配置於所述基板保持構件以及所述第1構件中的一者的光學感測器,對配置於所述基板保持構件以及所述第1構件中的另一者的被檢測部進行檢測,藉此判斷所述基板保持構件是否位於所述電鍍裝置內的規定位置。 根據實施例16,在基板保持構件以及第1構件中的一者配置光學感測器,於另一者設置被檢測部,因此,每當將基板保持構件配置於電鍍槽時,均能夠對基板保持構件是否配置於電鍍槽內的規定位置進行確認。因能夠於每次將基板保持構件配置於電鍍槽時,對基板保持構件的位置進行檢測、確認,所以能夠提前檢測出對位的異常。結果,電鍍處理的電鍍膜厚的均勻性提高,能夠防止良率降低。在使用專用的夾具的情況下,必須使電鍍裝置停止,將作為基板保持構件的替代的夾具配置於電鍍槽,但根據本實施例,能夠在不使電鍍裝置停止的情況下,在每次電鍍處理時(每當將基板保持構件配置於電鍍槽時),在電鍍處理前直接確認基板保持構件的位置。
根據實施例17,在實施例16的記錄媒體中,儲存有用以使電腦進一步執行如下處理的程式:基於所述光學感測器對所述被檢測部的檢測結果,使所述基板保持構件在與所述基板平行的面內的彼此正交的兩個軸的各軸向上的位置、與所述基板平行的面內的旋轉方向上的位置、與所述基板垂直的前後方向的位置以及與所述基板垂直的面內的旋轉方向的位置中的至少一者的方向上移動。 根據實施例17,能夠使基板保持構件於與基板平行的面內的彼此正交的兩個軸的各軸向上的位置(Y,Z)、與基板平行的面內的旋轉方向上的位置(θ)、與所述基板垂直的前後方向的位置(X)以及與所述基板垂直的面內的旋轉方向的位置(ϕ)中的至少一者的方向上移動。
根據實施例18,提供一種電鍍裝置,其對基板實施電鍍處理,所述電鍍裝置包括:電鍍槽;第1構件,配置於所述電鍍槽;第2構件,於所述電鍍槽中與所述第1構件相對地配置;光學感測器,配置於所述第1構件以及第2構件中的一者;以及多個被檢測部,配置於所述第1構件以及第2構件中的另一者,且能夠藉由所述光學感測器進行檢測。 根據實施例18,能夠不使用專用的夾具而對第1構件以及第2構件間的相對位置及/或配向進行檢測及/或調整。第1構件以及第2構件例如為基板支架、攪棒、調整板、陽極支架中的兩者。亦可於第1構件以及第2構件中的至少一者設置對相對位置及/或配向進行調整的致動器。再者,作為設置致動器的替代,亦可手動對相對位置及/或配向進行調整。
以上,基於幾個示例對本發明的實施例進行了說明,但所述發明的實施例是為了使本發明容易理解,並非對本發明進行限定。本發明能夠於不脫離其主旨的範圍內進行變更、改良,並且於本發明中當然包括其等效物。另外,於能夠解決所述課題的至少一部分的範圍內,或於達到至少一部分效果的範圍內,能夠對申請專利範圍以及說明書中記載的各構成部件進行任意組合或省略。
10‧‧‧電鍍槽部
11‧‧‧基板支架
12‧‧‧第1板
12a‧‧‧開口部
13‧‧‧吊架部
13a‧‧‧外部連接端子
14‧‧‧對位部
14a‧‧‧對位孔
18‧‧‧攪棒
18a‧‧‧軸
19‧‧‧攪棒驅動裝置
50‧‧‧電鍍槽
51‧‧‧溢流槽
52‧‧‧內槽
60‧‧‧支架引導件
61‧‧‧支撐板
62‧‧‧安裝部
63‧‧‧導軌
64‧‧‧吊架承接部
65‧‧‧電流供給端子
66‧‧‧對位銷
70‧‧‧調整板
71‧‧‧屏蔽板
72‧‧‧環狀突起部
73‧‧‧開口部
80‧‧‧陽極支架
81‧‧‧陽極
85‧‧‧陽極箱
86‧‧‧隔膜
90‧‧‧支撐框架
100‧‧‧卡匣
101、102、103、104‧‧‧致動器
102a、103a、104a‧‧‧伺服馬達
105‧‧‧卡匣台
106‧‧‧旋轉沖洗乾燥機
107‧‧‧對準器
108‧‧‧基板裝卸部
110、110a、110b‧‧‧感測器部
111、111a、111b‧‧‧相機
112、112a、112b‧‧‧突起部
113、113a、113b‧‧‧照明裝置
120‧‧‧影像識別標記
120a、120b‧‧‧影像識別標記
122‧‧‧基板搬送裝置
124‧‧‧儲物器
126‧‧‧預濕槽
128‧‧‧預浸槽
129a‧‧‧第1清洗槽
129b‧‧‧第2清洗槽
130‧‧‧反射構件/反射板
130a、130b‧‧‧反射構件
132‧‧‧除水槽
140‧‧‧光學感測器
140a、140b‧‧‧光學感測器
141‧‧‧基板支架搬送裝置
142‧‧‧第1運輸器
144‧‧‧第2運輸器
150‧‧‧軌道
152‧‧‧載置板
170A‧‧‧裝載/卸載部
170B‧‧‧電鍍處理部/處理部
175‧‧‧控制器
175A‧‧‧CPU
175B‧‧‧記憶體
175C‧‧‧控制部
180‧‧‧攪棒裝置
S10~S70‧‧‧步驟
W‧‧‧基板
X、Y、Z‧‧‧軸
θ‧‧‧方向
圖1是本發明的一實施例的電鍍裝置的整體配置圖。 圖2是表示第1實施例的電鍍裝置的電鍍槽的概略側剖視圖。 圖3是第1實施例的基板支架及其支撐機構的正視圖。 圖4是第1實施例的基板支架及其支撐機構的側視圖。 圖5是第1實施例的基板支架的正視圖。 圖6是第1實施例的調整板的正視圖。 圖7是對第1實施例的基板支架的位置檢測方法進行說明的圖。 圖8是第1實施例的對準資料(alignment data)的構成例。 圖9是第1實施例的對位控制的流程圖。 圖10是第2實施例的基板支架的正視圖。 圖11是第2實施例的調整板的正視圖。 圖12是對第2實施例的基板支架的位置檢測方法進行說明的說明圖。 圖13是第2實施例的對準資料的構成例。 圖14是對第1實施例的變形例的基板支架的位置檢測方法進行說明的說明圖。 圖15是對第2實施例的變形例的基板支架的位置檢測方法進行說明的說明圖。 圖16是基板支架及其支撐機構的變形例的側視圖。

Claims (18)

  1. 一種電鍍裝置,其使用基板保持構件來對基板實施電鍍處理,所述電鍍裝置包括: 電鍍槽; 第1構件,於所述基板保持構件配置於所述電鍍槽時,在與所述基板保持構件相對的位置處配置於所述電鍍槽; 光學感測器,配置於所述基板保持構件以及所述第1構件中的一者;以及 多個被檢測部,配置於所述基板保持構件以及所述第1構件中的另一者,且能夠藉由所述光學感測器進行檢測。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的電鍍裝置,其中 各所述被檢測部是反射構件。
  3. 如申請專利範圍第2項所述的電鍍裝置,其中 各所述被檢測部是凹面鏡,所述凹面鏡的焦距與所述凹面鏡和所述光學感測器之間的距離相等。
  4. 如申請專利範圍第1項所述的電鍍裝置,其中 所述光學感測器是影像感測器, 所述被檢測部是多個影像識別標記。
  5. 如申請專利範圍第4項所述的電鍍裝置,更包括: 控制裝置,藉由利用所述影像感測器對所述多個影像識別標記進行拍攝,算出所述基板保持構件的位置, 所述基板保持構件的位置包括如下位置中的至少一個:與所述基板平行的面內的彼此正交的兩個軸的各軸向上的位置、與所述基板平行的面內的旋轉方向上的位置、與所述基板垂直的前後方向的位置以及與所述基板垂直的面內的旋轉方向的位置。
  6. 如申請專利範圍第1項至第5項中任一項所述的電鍍裝置,更包括: 第1致動器,能夠使所述基板保持構件於與所述基板平行的面內的彼此正交的兩個軸的各軸向上移動。
  7. 如申請專利範圍第6項所述的電鍍裝置,更包括: 第2致動器,能夠使所述基板保持構件於與所述基板平行的面內的旋轉方向上旋轉。
  8. 如申請專利範圍第1項所述的電鍍裝置,更包括: 控制裝置,藉由利用所述光學感測器對所述被檢測部進行檢測,判斷所述基板保持構件是否位於所述電鍍槽內的規定位置。
  9. 如申請專利範圍第6項所述的電鍍裝置,更包括: 控制裝置,基於所述光學感測器對所述被檢測部的檢測結果,控制所述第1致動器對所述基板保持構件的移動。
  10. 如申請專利範圍第7項所述的電鍍裝置,更包括: 控制裝置,基於所述光學感測器對所述被檢測部的檢測結果,控制所述第1致動器以及第2致動器對所述基板保持構件的移動。
  11. 如申請專利範圍第9項所述的電鍍裝置,其中 使用多個基板保持構件,且設有多個電鍍槽, 與所述基板保持構件的識別資訊以及所述電鍍槽的識別資訊相對應地儲存所述規定位置, 所述控制裝置基於與所述基板保持構件的識別資訊以及所述電鍍槽的識別資訊相對應的所述規定位置,控制所述第1致動器對所述基板保持構件的移動。
  12. 如申請專利範圍第10項所述的電鍍裝置,其中 使用多個基板保持構件,且設有多個電鍍槽, 與所述基板保持構件的識別資訊以及所述電鍍槽的識別資訊相對應地儲存所述規定位置, 所述控制裝置基於與所述基板保持構件的識別資訊以及所述電鍍槽的識別資訊相對應的所述規定位置,控制所述第1致動器以及第2致動器對所述基板保持構件的移動。
  13. 如申請專利範圍第1項至第5項中任一項所述的電鍍裝置,其中 所述光學感測器配置於所述第1構件。
  14. 如申請專利範圍第1項至第5項中任一項所述的電鍍裝置,其中 所述第1構件是調整板或陽極支架。
  15. 如申請專利範圍第1項至第5項中任一項所述的電鍍裝置,其中 所述第1構件是調整板, 於所述電鍍槽更配置有陽極支架, 於所述調整板配置所述光學感測器, 於所述基板保持構件以及所述陽極支架配置所述被檢測部。
  16. 一種記錄媒體,其儲存用以執行電鍍裝置的控制方法的程式,其中 所述程式用以使電腦執行如下處理:在保持著基板的基板保持構件以與第1構件相對的方式配置於電鍍槽時,利用配置於所述基板保持構件以及所述第1構件中的一者的光學感測器,對配置於所述基板保持構件以及所述第1構件中的另一者的被檢測部進行檢測,藉此判斷所述基板保持構件是否位於所述電鍍槽內的規定位置。
  17. 如申請專利範圍第16項所述的記錄媒體,其中 所述程式用以使電腦進一步執行如下處理:基於所述光學感測器對所述被檢測部的檢測結果,使所述基板保持構件在與基板平行的面內的彼此正交的兩個軸的各軸向上的位置、與基板平行的面內的旋轉方向上的位置、與所述基板垂直的前後方向的位置以及與所述基板垂直的面內的旋轉方向的位置中的至少一個方向上移動。
  18. 一種電鍍裝置,其對基板實施電鍍處理,所述電鍍裝置包括: 電鍍槽; 第1構件,配置於所述電鍍槽; 第2構件,於所述電鍍槽中與所述第1構件相對地配置; 光學感測器,配置於所述第1構件以及第2構件中的一者;以及 多個被檢測部,配置於所述第1構件以及第2構件中的另一者,且能夠藉由所述光學感測器進行檢測。
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Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102092416B1 (ko) 2012-03-30 2020-03-24 노벨러스 시스템즈, 인코포레이티드 역전류 디플레이팅을 이용한 전기도금 기판 홀더의 클리닝
US10416092B2 (en) 2013-02-15 2019-09-17 Lam Research Corporation Remote detection of plating on wafer holding apparatus
US9746427B2 (en) * 2013-02-15 2017-08-29 Novellus Systems, Inc. Detection of plating on wafer holding apparatus
JP7008609B2 (ja) * 2018-10-18 2022-01-25 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、及び搬送位置補正方法
US11608563B2 (en) 2019-07-19 2023-03-21 Asmpt Nexx, Inc. Electrochemical deposition systems
US20220356595A1 (en) * 2020-12-08 2022-11-10 Ebara Corporation Plating apparatus and plating process method
JP7074937B1 (ja) * 2021-06-04 2022-05-24 株式会社荏原製作所 めっき装置
JP7093478B1 (ja) * 2021-06-18 2022-06-29 株式会社荏原製作所 めっき装置及びめっき方法

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI550139B (zh) * 2011-04-04 2016-09-21 諾菲勒斯系統公司 用於裁整均勻輪廓之電鍍裝置
JP5782398B2 (ja) * 2012-03-27 2015-09-24 株式会社荏原製作所 めっき方法及びめっき装置
EP3034657B1 (en) * 2014-12-19 2019-02-27 ATOTECH Deutschland GmbH Substrate holder for vertical galvanic metal deposition
JP6399973B2 (ja) 2015-06-18 2018-10-03 株式会社荏原製作所 めっき装置の調整方法及び測定装置
JP6659467B2 (ja) * 2016-06-03 2020-03-04 株式会社荏原製作所 めっき装置、基板ホルダ、めっき装置の制御方法、及び、めっき装置の制御方法をコンピュータに実行させるためのプログラムを格納した記憶媒体
EP3291008A1 (en) * 2016-09-06 2018-03-07 ASML Netherlands B.V. Method and apparatus to monitor a process apparatus

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