CN116364582A - 基板处理装置和基板处理方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及基板处理装置和基板处理方法。提供一种处理基板的基板处理方法，该基板包括多个单元，该基板处理方法包括：将处理液供应到该基板的液体处理操作；以及通过供应该处理液并且将激光照射到特定区域来加热该基板的加热操作，该特定区域位于设置了该多个单元的区域之外，其中，当从顶部观察时，该激光被形成为覆盖该特定区域。

Description

基板处理装置和基板处理方法
相关申请的交叉引用
本申请要求于2021年12月28日提交韩国知识产权局的、申请号为10-2021-0189896的韩国专利申请的优先权和权益，其全部内容通过引用结合在本申请中。
技术领域
本发明涉及一种基板处理装置和一种基板处理方法，并且更特别地涉及通过加热基板来处理基板的基板处理装置和基板处理方法。
背景技术
用于在晶圆上形成图案的光刻工艺包括曝光工艺。曝光工艺是将粘附在晶圆上的半导体集成材料刮削成期望图案的预先操作。曝光工艺可以具有各种目的，诸如形成用于刻蚀的图案、以及形成用于离子注入的图案。在曝光工艺中，通过使用掩模(其为一种“框架”)用光在晶圆上绘制图案。当晶圆上的半导体集成材料(例如，晶圆上的光刻胶)暴露于光时，光刻胶的化学性质根据由光和掩模形成的图案而改变。在将显影剂供应到光刻胶(光刻胶的化学性质根据图案而改变)时，在晶圆上形成图案。
为了精确地执行曝光工艺，需要精确地制造在掩模上形成的图案。需要检查图案是否在所需的工艺条件下令人满意地形成。在一个掩模上形成大量图案。相应地，为了检查一个掩模，操作者需要花费大量时间来检查所有的大量图案。相应地，可以表示包括多个图案的一个图案组的监控图案(monitoring pattern)在掩模上形成。此外，可以表示多个图案组的锚定图案(anchor pattern)在掩模上形成。操作者可以通过检查监控图案来估计包括在一个图案组中的图案的质量。此外，操作者可以通过检查锚定图案来估计在掩模上形成的图案的质量。
此外，为了增加掩模的检查精度，优选地，监控图案和锚定图案的临界尺寸(critical dimension，CD)相同。额外执行了用于精确地校正在掩模上形成的图案的线宽的临界尺寸校正工艺。
图1示出了掩模制造工艺期间在执行临界尺寸校正工艺之前，关于掩模的监控图案的第一临界尺寸CDP1和掩模的锚定图案的第二临界尺寸CDP2的正态分布。此外，第一临界尺寸CDP1和第二临界尺寸CDP2具有小于目标临界尺寸的大小。在执行临界尺寸校正工艺之前，在监控图案的临界尺寸(CD)和锚定图案的临界尺寸中存在有意的偏差。然后，通过额外地在临界尺寸校正工艺中蚀刻锚定图案，使两个图案的临界尺寸相同。当在额外蚀刻锚定图案的过程中锚定图案比监控图案被过度蚀刻时，由于监控图案与锚定图案之间的临界尺寸的差异，不能精确地校正在掩模上形成的图案的临界尺寸。当额外蚀刻锚定图案时，需要附带精确地蚀刻锚定图案。
在蚀刻锚定图案的过程中，将处理液供应到晶圆，并且通过使用激光来加热在供应了处理液的晶圆上形成的锚定图案。为了附带精确地蚀刻锚定图案，需要将激光精确地照射到形成锚定图案的特定区域。当在照射位置(该照射位置是用于将激光照射在锚定图案的上部的参照点)中出现误差时，不能平滑地蚀刻锚定图案。
当激光照射到监控图案或/和除了锚定图案之外的曝光图案时，锚定图案与监控图案之间的临界尺寸的差异进一步增加。锚定图案可以包括多个图案。当激光仅照射到包括在锚定图案中的多个图案中的一些图案时，包括在锚定图案中的多个图案之中的其他图案需要再次用激光进行照射。在这种情况下，难以匹配包括在锚定图案中的多个图案的蚀刻均匀性。
发明内容
本发明致力于提供一种能够在基板上执行精确蚀刻的基板处理装置和方法。
本发明还致力于提供一种能够在基板的特定区域上执行选择性蚀刻的基板处理装置和方法。
本发明还致力于提供一种能够均匀地蚀刻基板的特定区域的基板处理装置和方法。
本发明还致力于提供一种能够共同地蚀刻在基板的特定区域上形成的图案的基板处理装置和方法。
本发明还致力于提供一种即使当激光被照射到偏离基板的特定区域的上部的照射位置的位置时，也能够精确地蚀刻在基板的特定区域中形成的图案的基板处理装置和方法。
本发明所要解决的问题不限于上述问题，并且本领域技术人员将从本说明书和附图清楚地理解未提及的问题。
本发明的示例性实施方案提供一种处理基板的基板处理方法，该基板包括多个单元，该基板处理方法包括：将处理液供应到该基板的液体处理操作；以及通过供应该处理液并且将激光照射到特定区域来加热该基板的加热操作，该特定区域位于设置了该多个单元的区域之外，其中，当从顶部观察时，该激光形成为覆盖该特定区域。
根据示例性实施方案，第一图案和与该第一图案不同的第二图案可以形成在该基板上，该第一图案可以形成在该多个单元中，并且一个或多个第二图案可以形成在该特定区域内。
根据示例性实施方案，该激光可以以平顶式(flat-top)提供。
根据示例性实施方案，可以用从该多个单元中与该特定区域相邻的单元的边缘到第二图案的中心的距离中的最短距离来计算该激光的最大半径。
根据示例性实施方案，可以用第二图案的中心与第二图案的角部之间的距离中的最大距离来计算该激光的最小半径。
根据示例性实施方案，可以用通过从该最大半径减去可允许误差距离而获得的值来确定照射到该第二图案的激光的半径，并且可以用从该最大半径减去该最小半径而获得的值的一半来确定该可允许误差距离。
根据示例性实施方案，照射到该第二图案的激光的中心可以从该第二图案的中心到该可允许误差距离是可移动的。
根据示例性实施方案，该第二图案可以在该特定区域内设置多个，并且多个第二图案可以以串联布置和/或并联布置的组合形成。
本发明的另一示例性实施方案提供了一种将激光照射到掩模的照射方法，该掩模包括多个单元，并且该掩模具有形成在多个单元中的第一图案和形成在特定区域中的第二图案，该特定区域位于设置了这些单元的区域之外，其中，该激光照射到该特定区域以加热该第二图案，并且当从顶部观察时，该激光形成为覆盖该特定区域。
根据示例性实施方案，当从顶部观察时，该激光可以是圆形的。
根据示例性实施方案，一个或多个第二图案可以形成在该特定区域内，并且可以用从该多个单元中与该特定区域相邻的单元的边缘到第二图案的中心的距离中的最短距离来计算该激光的最大半径。
根据示例性实施方案，可以用第二图案的中心与第二图案的角部之间的距离中的最大距离来计算该激光的最小半径。
根据示例性实施方案，可以用通过从该最大半径减去可允许误差距离而获得的值来确定照射到该第二图案的激光的半径，可以用从该最大半径减去该最小半径而获得的值的一半来确定该可允许误差距离，并且照射到该第二图案的激光的中心可以从多个第二图案的中心到该可允许误差距离是可移动的。
根据示例性实施方案，该第二图案可以在该特定区域内设置多个，并且多个第二图案可以以串联布置和/或并联布置的组合形成。
本发明的又一示例性实施方案提供了一种基板处理装置，该基板处理装置包括：壳体，该壳体具有处理空间；支承单元，该支承单元用于在该处理空间中支承并旋转包括多个单元的基板；液体供应单元，该液体供应单元用于将液体供应到由该支承单元支承的该基板；以及照射模块，该照射模块用于将激光照射到特定区域，该特定区域位于由该支承单元支承的该基板中设置了多个单元的区域之外，其中，该激光以平顶式提供，并且当从顶部观察时，该激光形成为覆盖该特定区域。
根据示例性实施方案，第一图案和与该第一图案不同的第二图案可以形成在该基板上；该第一图案可以形成在该多个单元中，并且该第二图案可以形成在该特定区域中，该第二图案可以在该特定区域内设置多个，并且多个第二图案可以以串联布置和/或并联布置的组合形成。
根据示例性实施方案，可以用从该多个单元中与该特定区域相邻的单元的边缘到多个该第二图案的中心的距离中的最短距离来计算该激光的最大半径。
根据示例性实施方案，可以用多个该第二图案的该中心与多个该第二图案的角部之间的距离中的最大距离来计算该激光的最小半径。
根据示例性实施方案，可以用通过从该最大半径减去可允许误差距离而获得的值来确定照射到该第二图案的激光的半径，并且可以用从该最大半径减去该最小半径而获得的值的一半来确定该可允许误差距离。
根据示例性实施方案，照射到该第二图案的激光的中心从多个该第二图案的中心到该可允许误差距离可以是可移动的。
根据本发明的示例性实施方案，可以在基板上执行精确蚀刻。
进一步地，根据本发明的示例性实施方案，可以在基板的特定区域上执行选择性蚀刻。
进一步地，根据本发明的示例性实施方案，可以在基板的特定区域上执行均匀蚀刻。
进一步地，根据本发明的示例性实施方案，可以共同地蚀刻在基板的特定区域上形成的图案。
进一步地，根据本发明的示例性实施方案，即使当激光照射到偏离基板的特定区域的上部的照射位置的位置时，也可以精确地蚀刻在基板的特定区域中形成的图案。
本发明的效果不限于前述效果，并且本领域的技术人员可以从本说明书和附图中清楚地理解未提及的效果。
附图说明
图1是展示了关于监控图案的临界尺寸和锚定图案的临界尺寸的正态分布的图示。
图2为示意性地展示了根据本发明的示例性实施方案的基板处理装置的俯视平面图。
图3为示意性地展示了从顶部观察的在图2的液体处理腔室中经处理的基板的图示。
图4A为示意性地展示了从顶部观察的在图3的基板上形成的第二图案的示例性实施方案的放大图的图示。
图4B为示意性地展示了从顶部观察的在图3的基板上形成的第二图案的另一示例性实施方案的放大图的图示。
图4C为示意性地展示了从顶部观察的在图3的基板上形成的第二图案的示例性另一实施方案的放大图的视图。
图5为示意性地展示了图2的液体处理腔室的示例性实施方案的图示。
图6为从顶部观察的图5的液体处理腔室的视图。
图7为示意性地展示从前面观察的图5的照射模块的图示。
图8为示意性地展示了从顶部观察的图7的照射模块的图示。
图9为示意性地展示了图5的原位端口(home port)的示例性实施方案的图示。
图10为示意性地展示了从顶部观察的图9的原位端口和检测构件的图示。
图11为展示了根据本发明的示例性实施方案的基板处理方法的流程图。
图12为展示了在图11的工艺准备操作中检查激光照射到检测构件的位置与预设目标位置之间的误差的状态的图示。
图13为展示了执行图11的位置信息获取操作的基板处理装置的状态的图示。
图14为展示了执行图11的液体处理操作的基板处理装置的状态的图示。
图15为展示了执行图11的加热操作的基板处理装置的状态的图示。
图16为示意性地展示了计算在图11的加热操作中照射到第二图案的激光的最大半径的状态的图示。
图17为示意性地展示了计算在图11的加热操作中照射到第二图案的激光的最小半径的状态的图示。
图18为展示了从顶部观察的在图11的加热操作中照射到第二图案的激光的图示。
图19为示意性地展示了当在图11的加热操作中照射到第二图案的激光从照射位置偏离可允许误差距离的误差时的状态的图示。
图20为展示了执行图11的冲洗操作的基板处理装置的状态的图示。
具体实施方式
在下文中，将参照附图更加详细地描述本发明的示例性实施方案。本发明的示例性实施方案可以以多种形式修改，并且本发明的范围不应被解释为受下面描述的示例性实施方案的限制。提供示例性实施方案以向本领域的技术人员更完整地解释本发明。因此，附图中的部件的形状被夸大以强调更清楚的描述。
本文所使用的所有术语(包括技术术语或科技术语)具有与本领域的技术人员通常所理解的含义相同的含义，除非这些术语被不同地定义。通用字典中所定义的术语将被解释为它们具有与相关技术上下文中的含义相匹配的含义，并且除非这些术语在本申请中被明确定义，否则它们不应当解释为理想含义或过于正式的含义。
在下文中，将参照图2至图20更加详细地描述本发明的示例性实施方案。图2为示意性地展示了根据本发明的示例性实施方案的基板处理装置的俯视平面图。
参照图2，基板处理装置1包括索引模块10、处理模块20和控制器30。根据示例性实施方案，当从顶部观察时，索引模块10和处理模块20可以沿着一个方向设置。
在下文中，布置索引模块10和处理模块20的方向被定义为第一方向X，当从前面观察时，与第一方向X垂直的方向被定义为第二方向Y，并且与包括第一方向X和第二方向Y这两者的平面垂直的方向被定义为第三方向Z。
索引模块10将基板M从容纳有基板M的容器C传送到处理基板M的处理模块20。此外，索引模块10容纳已经在容器C中的处理模块20中完成了预定处理的基板M。索引模块10的纵向方向可以在第二方向Y上形成。索引模块10可以具有装载端口12和索引框架14。
容纳有基板M的容器C被安放在装载端口12上。装载端口12可以相对于索引框架14定位在处理模块20的相对侧上。可以设置多个装载端口12。多个装载端口12可以沿着第二方向Y布置成一行。装载端口12的数量可以根据处理模块20的工艺效率和占地面积的条件等而增加或减少。
可以使用诸如前开式晶圆传送盒(Front Opening Unified Pod，FOUP)等气密容器作为容器C。容器C可以通过诸如高架传送机、高架输送机或自动引导车辆等传送装置(未示出)或者由操作者放置在装载端口12上。
索引框架14提供了用于传送基板M的传送空间。索引框架14设置有索引机械手120和索引轨道124。索引机械手120传送基板M。索引机械手120可以在索引模块10与稍后将描述的缓冲单元200之间传送基板M。索引机械手120包括索引手部122。基板M可以放置在索引手部122上。索引手部122可以被设置成向前和向后可移动的、围绕第三方向Z可旋转的、并且沿第三方向Z可移动的。可以设置多个手部122。多个索引手部122可以被设置成在竖直方向上彼此间隔开。多个索引手部122可以彼此独立地向前和向后移动。
索引轨道124设置在索引框架14内。索引轨道124的纵向方向沿着第二方向Y设置。索引机械手120放置在索引轨道124上，并且索引机械手120可以被设置成在索引轨道124上沿直线可移动。
控制器30可以控制基板处理装置1。控制器30可以包括工艺控制器、用户接口、显示器和存储单元，该工艺控制器由微处理器(计算机)构成，该微处理器(计算机)执行基板处理装置的控制，该用户接口由键盘构成，操作者在该键盘执行命令输入操作等以便管理基板处理装置，该显示器用于视觉化并显示基板处理装置的运行状况等，该存储单元存储用于执行在工艺控制器的控制下在基板处理装置中执行的工艺的控制程序、或者存储用于根据各种数据和处理条件在各部件中执行工艺的程序(即处理方案)。进一步地，用户接口和存储单元可以连接至工艺控制器。处理方案可以存储在存储单元中的存储介质中，并且该存储介质可以是硬盘，也可以是便携式磁盘(诸如，CD-ROM或DVD)或半导体存储器(诸如，闪存)。
控制器30可以控制基板处理装置1以执行下面描述的基板处理方法。例如，控制器30可以控制为液体处理腔室400设置的配置以执行下面描述的基板处理方法。
处理模块20可以包括缓冲单元200、传送框架300和液体处理腔室400。缓冲单元200提供了被装载到处理模块20的基板M和从处理模块20卸载的基板M暂时停留的空间。传送框架300提供了用于在缓冲单元200、液体处理腔室400与干燥腔室500之间传送基板M的空间。液体处理腔室400通过将液体供应到基板M上来执行对基板M进行液体处理的液体处理工艺。干燥腔室500执行对已经完成液体处理的基板M进行干燥的干燥工艺。
缓冲单元200可以设置在索引框架14与传送框架300之间。缓冲单元200可以定位在传送框架300的一端处。在缓冲单元200内部设置有放置基板M的狭槽。可以设置多个狭槽(未示出)。多个狭槽(未示出)可以在第三方向Z上彼此间隔开。
缓冲单元200的正面和背面是敞开的。该正面是面向索引模块10的表面，而该背面是面向传送框架300的表面。索引机械手120可以通过正面接近缓冲单元200，并且稍后将描述的传送机械手320可以通过背面接近缓冲单元200。
传送框架300的纵向方向可以设置在第一方向X上。液体处理腔室400和干燥腔室500可以设置在传送框架300的两侧上。液体处理腔室400和干燥腔室500可以设置在传送框架300的侧部上。传送框架300和液体处理腔室400可以设置在第二方向Y上。传送框架300和干燥腔室500可以设置在第二方向Y上。
根据示例性实施方案，液体处理腔室400可以设置在传送框架300的两侧上。在传送框架300的一侧上，液体处理腔室400可以以A×B(A和B均为1或者为大于1的自然数)的布置在第一方向X和第三方向Z的各方向上进行设置。
传送框架300包括传送机械手320和传送轨道324。传送机械手320传送基板M。传送机械手320在缓冲单元200、液体处理腔室400与干燥腔室500之间传送基板M。传送机械手320包括传送手部322，基板M放置在该传送手部上。基板M可以放置在传送手部322上。传送手部322可以被设置成向前和向后可移动的、围绕第三方向Z可旋转的、并且沿第三方向Z可移动的。多个手部322被设置成彼此竖直地间隔开，并且这些手部322可以彼此独立地向前和向后移动。
传送轨道324可以沿着传送框架300的纵向方向设置在传送框架300内部。例如，传送轨道324的纵向方向可以设置在第一方向X上。传送机械手320可以放置在传送轨道324上，并且传送机械手320可以被设置成在传送轨道324上可移动。
图3为示意性地展示了从顶部观察的在图2的液体处理腔室中经处理的基板的图示。在下文，将参照图3详细地描述在根据本发明的示例性实施方案的液体处理腔室400中经处理的基板M。
参照图3，将在液体处理腔室400中处理的物体可以是以下中的任一者的基板：晶圆、玻璃和光掩模。例如，在根据本发明的示例性实施方案的液体处理腔室400中经处理的基板M可以是光掩模，该光掩模是在曝光工艺中使用的“框架”。
基板M可以具有四边形形状。基板M可以是光掩模，该光掩模是在曝光工艺中使用的“框架”。参考标记AK、第一图案P1和第二图案P2可以形成在基板M上。
至少一个参考标记AK可以形成在基板M上。例如，多个参考标记AK可以形成在基板M的每个边缘区域中。参考标记AK可以是用于对准基板M的标记(被称为对准键)。此外，参考标记AK可以是用于导出基板M的位置信息的标记。例如，稍后将描述的拍摄单元4550可以通过拍摄参考标记AK来获取图像，并将获取的图像传输到控制器30。控制器30可以分析包括参考标记AK的图像，以检测基板M的准确位置。并且，当传送基板M时，参考标记AK可以用于确定基板M的位置。
可以在基板M上形成单元CE。可以形成至少一个单元CE。多个图案可以形成在多个单元CE中的每一个单元中。多个图案可以形成在多个单元CE中的每一个单元中。在每个单元CE中形成的图案可以被定义为一个图案组。在每个单元CE中形成的图案可以包括曝光图案EP和第一图案P1。
曝光图案EP可以用于在基板M上形成实际图案。第一图案P1可以是表示在一个单元CE中形成的曝光图案EP的图案。此外，当单元CE被设置多个时，第一图案P1可以被设置多个。例如，多个单元CE中的每一个单元可以设置有第一图案P1。然而，本发明不限于此，并且多个第一图案P1可以形成在一个单元CE中。第一图案P1可以具有组合了各个曝光图案EP的部分的形状。第一图案P1可以被称为监控图案。多个第一图案P1的临界尺寸的平均值可以被称为临界尺寸监控宏(Critical Dimension Monitoring Macro，CDMM)。
当操作者通过扫描电子显微镜(Scanning Electron Microscope，SEM)检查在任何一个单元CE中形成的第一图案P1时，可以估计在任何一个单元CE中形成的曝光图案EP的形状是否令人满意。相应地，第一图案P1可以用作检查用的图案。与上述示例不同，第一图案P1可以是参与实际曝光工艺的曝光图案EP中的任何一个。可选地，第一图案P1可以是检查用的图案同时是参与实际曝光的曝光图案。
图4A为示意性地展示了从顶部观察的在图3的基板上形成的第二图案的示例性实施方案的放大图的图示。图4B为示意性地展示了从顶部观察的在图3的基板上形成的第二图案的另一示例性实施方案的放大图的图示。图4C为示意性地展示了从顶部观察的在图3的基板上形成的第二图案的示例性另一实施方案的放大图的视图。在下文中，将参照图3、图4A、图4B和图4C详细地描述根据本发明的示例性实施方案的第二图案。
参照图3，第二图案P2可以是表示在整个基板M上形成的曝光图案EP的图案。第二图案P2可以形成在单元CE(这些单元在基板M上形成)的外部。例如，第二图案P2可以位于设置有多个单元CE的区域之外。第二图案P2可以形成在特定区域A中，该特定区域位于设置有多个单元CE的区域之外。
可以设置至少一个第二图案P2。例如，可以设置多个第二图案P2。多个第二图案P2可以以串联布置和/或并联布置进行布置。如图4A所示，当从顶部观察时，根据本发明的示例性实施方案的多个第二图案P2可以沿着第一方向X串联布置。可选地，当从顶部观察时，多个第二图案P2也可以沿着第二方向Y串联布置。
可选地，根据本发明的示例性实施方案的多个第二图案P2可以以串联布置和并联布置混合的组合来布置。例如，如图4B所示，多个第二图案P2可以以三行和两列的组合来布置。并且，如图4C所示，多个第二图案P2可以以两行和三列的组合来布置。参照图4A至图4C所描述的根据本发明的示例性实施方案的第二图案P2的布置形式仅仅是为了便于描述的示例，并且根据本发明的示例性实施方案的第二图案P2的布置形式可以进行各种修改，并且可以以串联布置和并联布置混合的形式来布置。
当操作者通过SEM检查第二图案P2时，可以估计在一个基板M上形成的曝光图案EP的形状是否令人满意。相应地，第二图案P2可以用作检查用的图案。第二图案P2可以是不参与实际曝光工艺的检查用的图案。第二图案P2可以是用于设置曝光装置的工艺条件的图案。第二图案P2可以被称为锚定图案。
在下文中，将详细地描述根据本发明的示例性实施方案的液体处理腔室400。此外，在下文中，将基于在制造用于曝光工艺的掩模的过程中在液体处理腔室400中所执行的处理是精细临界尺寸校正(Fine Critical Dimension Correction，FCC)的示例来描述本发明。
被装载到液体处理腔室400中并且在液体处理腔室中经处理的基板M可以是已经在其上执行预处理的基板M。被装载到液体处理腔室400中的基板M的第一图案P1和第二图案P2的临界尺寸可以彼此不同。根据示例性实施方案，第一图案P1的临界尺寸可以相对大于第二图案P2的临界尺寸。例如，第一图案P1的临界尺寸可以具有第一宽度(例如，69nm)，并且第二图案P2的临界尺寸可以具有第二宽度(例如，68.5nm)。
图5为示意性地展示了图2的液体处理腔室的示例性实施方案的图示。图6为从顶部观察的图5的液体处理腔室的视图。参照图5和图6，液体处理腔室400可以包括壳体410、支承单元420、处理容器430、液体供应单元440、照射模块450和原位端口490。
壳体410具有内部空间412。支承单元420、处理容器430、液体供应单元440、照射模块450和原位端口490可以设置在内部空间412中。壳体410可以设置有入口(未示出)，基板M可以通过该入口载入和取出。壳体410的内壁表面可以涂覆有对由液体供应单元440供应的化学品具有高耐腐蚀性的材料。
排放孔414可以形成在壳体410的底表面中。排放孔414可以连接到能够排空内部空间412的诸如泵等排放构件(未示出)。内部空间412中可能产生的烟雾等可以通过排放孔414被排放到壳体410的外部。
支承单元420支承基板M。支承单元420可以在由稍后将描述的处理容器430提供的处理空间中支承基板M。支承单元420旋转基板M。支承单元420可以包括本体421、支承销422、支承轴426和驱动构件427。
本体421可以被设置成板形状。本体421可以具有带预定厚度的板形状。当从顶部观察时，本体421可以具有以大致圆形形状设置的上表面。本体421的上表面可以具有比基板M相对更大的面积。支承销422可以联接到本体421。
支承销422支承基板M。当从顶部观察时，支承销422可以具有大致圆形形状。当从顶部观察时，支承销422可以具有与基板M的角部区域相对应的部分向下凹陷的形状。支承销422可以具有第一表面和第二表面。例如，第一表面可以支承基板M的边缘区域的下部。第二表面可以面向基板M的边缘区域的侧部。相应地，当基板M旋转时，基板M沿侧向方向的移动可以被第二表面限制。
设置至少一个支承销422。例如，可以设置多个支承销422。支承销422的数量可以被设置成与具有四边形形状的基板M的角部区域的数量相对应。支承销422可以支承基板M，使得基板M的下表面和本体421的上表面彼此间隔开。
支承轴426联接到本体421。支承轴426位于本体421的下方。支承轴426可以是中空轴。流体供应管线428可以形成在中空轴的内部。流体供应管线428可以向基板M的下部供应处理流体和/或处理气体。例如，处理流体可以包括化学溶液或冲洗溶液。化学品可以是具有酸性或碱性的液体。冲洗溶液可以是纯水。例如，处理气体可以是惰性气体。处理气体可以干燥基板M的下部。然而，与上述示例不同，流体供应管线428可以不设置在支承轴426的内部。
支承轴426可以通过驱动构件427在竖直方向上移动。支承轴426可以通过驱动构件427旋转。驱动构件427可以是中空马达。当驱动构件427旋转支承轴426时，被联接到支承轴426的本体421可以旋转。基板M可以通过支承销422随着本体421的旋转而旋转。
处理容器430具有处理空间。处理容器430具有在其中处理基板M的处理空间。根据该示例，处理容器430可以具有顶部敞开的处理空间。处理容器430可以具有顶部敞开的圆柱形形状。基板M可以在处理空间中经受液体处理和热处理。处理容器430可以防止被供应到基板M的处理液散布到壳体410、液体供应单元440和照射模块450。
当从顶部观察时，开口(支承轴426被插入该开口中)可以形成在处理容器430的底表面中。排出孔434可以形成在处理容器430的底表面中，通过液体供应单元440供应的处理液可以通过该排出孔排出到外部。处理容器430的侧表面可以沿第三方向Z从底表面向上延伸。处理容器430的上端可以是倾斜的。例如，处理容器430的上端可以向上延伸且同时在其朝向由支承单元420支承的基板M行进时相对于地面倾斜。
处理容器430联接到升降构件436。升降构件436可以沿第三方向Z移动处理容器430。升降构件436可以是沿竖直方向移动处理容器430的驱动设备。当在基板M上执行液体处理和/或加热处理时，升降构件436可以沿向上方向移动处理容器430。当基板M被装载到内部空间412中时以及当基板M从内部空间412中卸载时，升降构件436可以沿向下方向移动处理容器430。
液体供应单元440可以将液体供应到基板M上。液体供应单元440可以供应处理液以用于对基板M进行液体处理。液体供应单元440可以将处理液供应到由支承单元420支承的基板M。例如，液体供应单元440可以将处理液供应到基板M上，在该基板上第一图案P1在多个单元CE中形成并且第二图案P2在形成多个单元CE的区域之外形成。
处理液可以被设置为蚀刻溶液或冲洗溶液。蚀刻溶液可以为化学品。蚀刻溶液可以蚀刻在基板M上形成的图案。蚀刻溶液可以被称为蚀刻剂。蚀刻剂可以是包含过氧化氢以及混合有氨、水和添加剂的混合物的液体。冲洗溶液可以清洁基板M。冲洗溶液可以被设置为已知的化学液体。
液体供应单元440可以包括喷嘴441、固定本体442、旋转轴443和旋转构件444。喷嘴441可以将处理液供应到由支承单元420支承的基板M。喷嘴441的一端可以连接到固定本体442，喷嘴441的另一端可以从固定本体442朝向基板M延伸。喷嘴441可以沿第一方向X从固定本体442延伸。喷嘴441的另一端可以沿朝向由支承单元420支承的基板M的方向以预定角度弯曲和延伸。
喷嘴441可以包括第一喷嘴441a、第二喷嘴441b和第三喷嘴441c。第一喷嘴441a、第二喷嘴441b和第三喷嘴441c中的任一者可以供应上述处理液中的化学品。此外，第一喷嘴441a、第二喷嘴441b和第三喷嘴441c中的另一者可以供应上述处理液中的冲洗溶液。第一喷嘴441a、第二喷嘴441b和第三喷嘴441c中的另一者可以供应与由第一喷嘴441a、第二喷嘴441b和第三喷嘴441c中的任一者所供应的化学品不同类型的化学品。
固定本体442可以固定并支承喷嘴441。固定本体442可以连接到旋转轴443，该旋转轴通过旋转构件444基于第三方向Z旋转。当旋转构件444使旋转轴443旋转时，固定本体442可以围绕第三方向Z旋转。相应地，喷嘴441的排出端口可以在液体供应位置(其为处理液被供应到基板M的位置)与待用位置(其为处理液不被供应到基板M的位置)之间移动。
图7为示意性地展示从前面观察的图5的照射模块的图示。图8为示意性地展示了从顶部观察的图7的照射模块的图示。
参照图5至图8，照射模块450可以在基板M上执行热处理。照射模块450可以加热被供应了处理液的基板M。例如，在液体通过液体供应单元440被供应到基板M上之后，照射模块450可以通过将激光照射到其上形成有液膜的基板M上来加热基板M的特定区域。
照射模块450可以在基板M上执行热处理。照射模块450可以将光照射到基板M。例如，照射模块450可以捕获对基板M进行热处理的图像和/或视频。照射模块450可以包括壳体4510、移动单元4520、激光单元4530和拍摄单元4540。
壳体4510在其中具有安装空间。激光单元4530和拍摄单元4540可以定位在壳体4510的安装空间中。例如，激光单元4530、相机单元4542和照明单元4544可以定位在壳体4510的安装空间中。壳体4510保护激光单元4530和拍摄单元4540免受在工艺期间产生的颗粒、烟雾或散射液体的影响。
开口可以形成在壳体4510的下部。稍后将描述的照射端4535可以插入壳体4510的开口中。当照射端4535插入壳体4510的开口中时，照射端4535的一端可以从壳体4510的下端突出。
移动单元4520移动壳体4510。移动单元4520可以通过移动壳体4510来移动稍后将描述的照射端4535。移动单元4520可以包括驱动器4522、轴4524和移动构件4526。
驱动器4522可以是马达。驱动器4522可以连接到轴4524。驱动器4522可以在竖直方向上移动轴4524。驱动器4522可以旋转轴4524。例如，可以设置多个驱动器4522。多个驱动器4522中的任何一个驱动器可以被设置为用于使轴4524旋转的旋转马达，多个驱动器4522中的另一个驱动器可以被设置为用于在竖直方向上移动轴4524的线性马达。
轴4524可以连接到壳体4510。轴4524可以经由移动构件4526连接到壳体4510。随着轴4524旋转，壳体4510也可以旋转。相应地，稍后将描述的照射端4535的位置也可以改变。例如，照射端4535的位置可以在第三方向Z上改变。此外，照射端4535的位置可以在作为旋转轴线的第三方向Z上改变。
当从顶部观察时，照射端4535的中心可以以弧形朝向轴4524的中心移动。当从顶部观察时，照射端4535的中心可以移动以穿过由支承单元420支承的基板M的中心。照射端4535可以通过移动单元4520在激光L被照射到基板M的工艺位置与基板等待而不在基板M上执行热处理的待用位置之间移动。
照射位置可以是在由支承单元420支承的基板M上形成的第二图案P2的上部。当从顶部观察时，照射位置可以是与特定区域A对应的位置，在该特定区域中形成在基板M上形成的第二图案P2。例如，当从顶部观察时，照射位置可以是第二图案P2的中心C和激光R的中心CC彼此重合的位置。稍后将描述的原位端口490定位在待用位置中。
移动构件4526可以设置在壳体4510与轴4524之间。移动构件4526可以是线性运动引导器(LM引导器)。移动构件4526可以侧向地移动壳体4510。移动构件4526可以在第一方向X和/或第二方向Y上移动壳体4510。照射端4535的位置可以通过驱动器4522和移动构件4526不同地改变。
激光单元4530可以加热基板M。加热单元460可以加热由支承单元420支承的基板M。激光单元4530可以加热基板M的部分区域。激光单元4530可以加热基板M的特定区域A。激光单元4530可以被供应有化学品以加热其上形成有液膜的基板M。激光单元4530可以加热在基板M的特定区域A中形成的图案。激光单元4530可以加热第一图案P1和第二图案P2中的任一者。激光单元4530可以加热第一图案P1与第二图案P2中的第二图案P2。根据示例性实施方案，激光单元4530可以通过照射激光L来加热第二图案P2。激光单元4530可以通过在照射位置处照射激光L来加热存在于特定区域A中的多个第二图案P2。
激光单元4530可以包括激光照射单元4531、扩束器4532、倾斜构件4533、下反射构件4534和透镜构件4535。激光照射单元4531照射激光L。激光照射单元4531可以照射具有直线性的激光L。从激光照射单元4531照射的激光L可以为平顶式。例如，当从顶部观察时，从激光照射单元4531照射的激光L可以具有大致圆形形状。
从激光照射单元4531照射的激光L可以依次通过下反射构件4534和透镜构件4535照射到基板M，这将在稍后描述。例如，从激光照射单元4531照射的激光L可以依次通过下反射构件4534和透镜构件4535照射到在基板M的特定区域A中形成的第二图案P2。下面将详细地描述依次通过激光照射单元4531、下反射构件4534和透镜构件4535照射到在基板M的特定区域A中形成的第二图案P2的激光L的直径D。
扩束器4532可以控制从激光照射单元4531照射的激光L的特性。扩束器4532可以调整从激光照射单元4531照射的激光L的形状。此外，扩束器4532可以调整从激光照射单元4531照射的激光L的轮廓。例如，从激光照射单元4531照射的激光L的直径D可以在扩束器4532中发生改变。例如，从激光照射单元4531照射的激光L的直径D可以在扩束器4532中发生改变。稍后将描述通过激光照射单元4531照射的激光L的直径D。
倾斜构件4533可以使通过激光照射单元4531照射的激光L的照射方向倾斜。倾斜构件4533可以使激光照射单元4531围绕一个轴线旋转。倾斜构件4533可以通过使激光照射单元4531旋转而使从激光照射单元4531照射的激光L的照射方向倾斜。倾斜构件4533可以包括马达。
下反射构件4534可以改变从激光照射单元4531照射的激光L的照射方向。例如，下反射构件4534可以将沿水平方向照射的激光L的照射方向改变成竖直的向下方向。例如，下反射构件4534可以将激光L的照射方向改变成朝向照射端4535的方向，这将在稍后描述。由下反射构件4534折射的激光L可以通过稍后将描述的透镜构件4535传播到作为待处理物体的基板M或者设置在稍后将描述的原位端口490中的检测构件491。
当从顶部观察时，下反射构件4534可以定位成与稍后将描述的上反射构件4548重叠。下反射构件4534可以设置在上反射构件4548的下方。下反射构件4534可以与上反射构件4548以相同的角度倾斜。
透镜构件4535可以包括透镜4536和镜筒(未示出)。例如，透镜4536可以是物镜。镜筒(未示出)可以安装在透镜下方。镜筒(未示出)可以具有大致圆柱形形状。镜筒(未示出)可以插入在壳体4510下端处形成的开口中。镜筒(未示出)的一端可以定位成从壳体4510的下端突出。
透镜构件4535可以用作照射端4535，激光L通过该照射端照射到基板M。由激光单元4530照射的激光L可以通过照射端4535照射到基板M。可以通过照射端4535提供相机单元4542的图像拍摄。由照明单元4544照射的光可以通过照射端4535提供。
拍摄单元4540可以拍摄从激光单元4530照射的激光L。拍摄单元4540可以获取从激光模块4330照射激光L的区域的图像(诸如图片和/或照片)。拍摄单元4540可以监控从激光照射单元4531照射的激光L。拍摄单元4540可以获取从激光照射单元4531照射的激光L的图像和/或视频。例如，拍摄单元4540可以获取照射到基板M上的激光L的图像(诸如图片和/或照片)，并将数据传输到控制器30。并且，拍摄单元4540可以获取照射到稍后将描述的检测构件491的激光L的图像(诸如图片和/或照片)，并将数据传输到控制器30。
拍摄单元4540可以监控激光L的信息。例如，拍摄单元4540可以监控激光L的直径D信息。并且，拍摄单元4540可以监控激光L的中心CC信息。并且，拍摄单元4540可以监控激光L的轮廓信息。拍摄单元4540可以包括相机单元4542、照明单元4544和上反射构件4548。
相机单元4542获取从激光照射单元4531照射的激光L的图像。例如，相机单元4542可以获取包括从激光照射单元4531照射的激光L所照射到的点的图像。并且，相机单元4542获取由支承单元420支承的基板M的图像。
相机单元4542可以是相机。相机单元4542获取图像的拍摄方向可以面向上反射构件4548，这将在稍后描述。相机单元4542可以将获取的照片和/或图像传输到控制器30。
照明单元4544可以提供光，使得相机单元4542能够容易地获取图像。照明单元4544可以包括照明构件4545、第一反射板4546和第二反射板4547。照明构件4545照射光。照明构件4545提供光。由照明构件4545提供的光可以沿着第一反射板4546和第二反射板4547依次反射。由照明构件4545提供的光可以从第二反射板4547反射，并且可以在朝向稍后将描述的上反射构件4548的方向上照射。
上反射构件4548可以改变相机单元4542的拍摄方向。例如，上反射构件4548可以将相机单元4542的拍摄方向(拍摄方向为水平方向)改变成竖直的向下方向。例如，上反射构件4548可以将相机单元4542的拍摄方向改变成面向照射端4535。上反射构件4548可以将来自照明构件4545的依次地经过并传输通过第一反射板4546和第二反射板4547的光的照射方向从水平方向改变成竖直的向下方向。例如，上反射构件4548可以将照明单元4544的光的照射方向改变成朝向照射端4535。
当从顶部观察时，上反射构件4548和下反射构件4534可以定位成彼此重叠。上反射构件4548可以设置在下反射构件4534的上方。上反射构件4548和下反射构件4534可以以相同的角度倾斜。可以设置上反射构件4548和下反射构件4534，使得当从上方观察时，由激光照射单元4531照射的激光L的照射方向、相机单元4542获取图像的拍摄方向和由照明单元4544提供的光的照射方向是同轴的。
图9为示意性地展示了图5的原位端口的示例性实施方案的图示。图10为示意性地展示了从顶部观察的图9的原位端口和检测构件的图示。如图6所示，原位端口490位于壳体410的内部空间412中。当照射端4535通过移动单元4520处于待用位置时，原位端口490可以安装在照射端4535下方的区域中。也就是说，原位端口490提供激光单元4530等待的待用位置。
参照图9和图10，原位端口490可以包括检测构件491、板492和支承框架493。检测构件491设置在原位端口490中。检测构件491可以位于稍后将描述的板492的上端。例如，当照射端4535处于待用位置时，检测构件491可以位于照射端4535下方的区域中。
检测构件491检测从激光单元4530照射的激光L的特性。例如，检测构件491可以检测从激光单元4530照射的激光L的特性中的激光L的直径D、激光L的锐度、激光L的圆形比率(circular ratio)、激光L的梯度和激光L的中心CC的位置数据等。
根据示例性实施方案，拍摄单元4540可以将检测构件491和照射到检测构件491的激光L的照片和/或图像传输到控制器30。控制器30可以基于激光L的传输数据来改变激光L的特性。
检测构件491可以被定义为全局坐标系。预设参考位置TP可以被标记在检测构件491中。可以在检测构件491中标记刻度，以检查参考位置与激光L照射到检测构件491的位置之间的误差。
检测构件491可以联接到板492的上表面。板492可以由支承框架493支承。支承框架493可以通过升降构件(未示出)上下移动。由板492和支承框架493所确定的检测构件491的高度可以被设定成与由支承单元420支承的基板M相同的高度。从壳体410的底表面到检测构件491的上表面的高度可以与从壳体410的底表面到由支承单元420支承的基板M的上表面的高度相同。这是为了匹配当通过使用检测构件491检测激光L的特性时照射端4535的高度和当加热基板M时照射端4535的高度。此外，当由激光照射单元4531照射的激光L的照射方向相对于第三方向Z稍微偏移时，激光L的照射位置可以根据照射端4535的高度而变化，使得检测构件491可以设置在与由支承单元420支承的基板M相同的高度处。
在下文中，将详细地描述根据本发明的示例性实施方案的基板处理方法。下面描述的基板处理方法可以在液体处理腔室400中执行。并且，控制器30可以控制液体处理腔室400的部件，使得液体处理腔室400执行下面描述的基板处理方法。
图11为展示了根据本发明的示例性实施方案的基板处理方法的流程图。参照图11，根据本发明的示例性实施方案的基板处理方法可以包括基板装载操作S10、工艺准备操作S20、位置信息获取操作S30、蚀刻操作S40、冲洗操作S50和基板卸载操作S60。
在基板装载操作S10中，基板M被装载到壳体410的内部空间412中。例如，在基板装载操作S10中，门(未示出)可以打开在壳体410中形成的装载/卸载端口(未示出)。在基板装载操作S10中，传送机械手320可以将基板M安放在支承单元420上。在传送机械手320将基板M安放在支承单元420上的情况下，升降构件436可以降低处理容器430的位置。
图12为展示了在图11的工艺准备操作中检查激光照射到检测构件的位置与预设目标位置之间的误差的状态的图示。参照图12，可以在完成基板M的定位之后执行工艺准备操作S20。在工艺准备操作S20中，可以检查照射到基板M的激光L的照射位置是否出现误差。例如，在工艺准备操作S20中，可以检查激光L的预设中心C是否改变。例如，在工艺准备操作S20中，可以检查激光L的预设直径D是否改变。例如，在工艺准备操作S20中，可以检查激光L的照射高度是否改变。相对于激光L的中心CC的位置、激光L的直径D和激光L的照射高度的设定值可以被存储或记录在控制器30中。
在工艺准备操作S20中，激光单元4530可以将用于测试的激光L照射到检测构件491的坐标系。如图12所示，当从激光单元4530照射的用于测试的激光L照射到与被标记在检测构件491的坐标系上的预设参考位置TP一致的位置时，确定激光照射单元4531没有变形，并且可以执行稍后将描述的位置信息获取操作S30。此外，在工艺准备操作S20中，不仅可以检查激光L的照射位置是否出现误差，而且可以将液体处理腔室400的部件恢复到初始状态。
图13为展示了执行图11的位置信息获取操作的基板处理装置的状态的图示。参照图13，可以通过在待用位置与工艺位置(在该工艺位置，通过将激光L照射到基板来加热基板M)之间移动照射模块450的照射端4535，并且通过支承单元20使基板M在一个方向上旋转来执行位置信息获取操作S30。当移动照射端4535并且基板M在一个方向上旋转时，在特定时间点，照射端4535和参考标记AK可以彼此重合，如图13所示。在这种情况下，拍摄单元4540可以获取参考标记AK的照片和/或图像数据。控制器30可以通过由拍摄单元4540获得的照片和/或图像数据来获得参考标记AK的坐标值。
此外，可以在控制器30中预先存储基板M的左右宽度、基板M的中心点的坐标数据、以及基板M中的第一图案P1、第二图案P2和曝光图案EP的位置的坐标数据。控制器30可以基于已获得的参考标记AK的坐标值和先前存储的数据来获取关于基板M的中心点、第一图案P1和第二图案P2的位置信息。
在蚀刻操作S40中，可以对基板M上形成的图案执行蚀刻工艺。在蚀刻操作S40中，可以对基板M上形成的图案进行蚀刻，使得第一图案P1的临界尺寸宽度和第二图案P2的临界尺寸彼此一致。例如，蚀刻操作S40可以是用于校正第一图案P1的临界尺寸与第二图案P2的临界尺寸之间的差异的临界尺寸校正工艺。蚀刻操作S40可以包括液体处理操作S41、液膜检查操作S44和加热操作S42。
图14为展示了执行图11的液体处理操作的基板处理装置的状态的图示。参照图14，液体处理操作S41可以是液体供应单元440将作为蚀刻剂的化学品C供应到基板M的操作。在液体处理操作S41中，支承单元420可以不旋转基板M。这是为了最小化基板M的位移，以便将激光L精确地照射到在稍后将描述的加热操作S42中形成第二图案P2的特定区域A。
在液体处理操作S41中所供应的化学品C的量可以是以能够形成供应在基板M上的化学品C的液团的量进行供应。例如，在液体处理操作S41中所供应的化学品C覆盖基板M的整个上表面，并且化学品C可以以不会从基板M流下的量进行供应，或者即使化学品流出，流动的化学品的量也是微不足道的。如果需要，喷嘴441可以在改变其位置的情况下将化学品C供应到基板M的整个上表面。
在上述示例性实施方案中，作为示例，本发明已经描述了在液体处理操作S41中在不旋转基板M的情况下将化学品C供应在基板M上，但是本发明不限于此。例如，即使在液体处理操作S41中，也可以在旋转基板M的情况下将化学品C供应到基板M上。
图15为展示了执行图11的加热操作的基板处理装置的状态的图示。参照图15，在加热操作S42中，可以通过将激光L照射到基板M来加热基板M。例如，在加热操作S42中，照射模块450可以通过将激光L照射到其上形成有液膜的基板M上来加热基板M。在加热操作S42中，激光L可以照射到基板M的特定区域A。例如，在加热操作S42中，激光L可以照射到在基板M的特定区域A中形成的第二图案P2。激光L照射到的基板M的特定区域A的温度会升高。相应地，化学品C对用激光L照射的区域的第二图案P2的蚀刻程度会增加。
在加热操作S42中，激光L可以照射到第一图案P1和第二图案P2中的任一者。例如，激光L可以仅照射到第一图案P1和第二图案P2中的第二图案P2。相应地，提高了化学品C针对第二图案P2的蚀刻能力。第一图案P1的临界尺寸可以从第一宽度(例如，69nm)改变成目标临界尺寸(例如，70nm)。此外，第二图案P2的临界尺寸可以从第二宽度(例如，68.5nm)改变成目标临界尺寸(例如，70nm)。也就是说，通过提高基板M的部分区域的蚀刻能力，可以最小化形成在基板M上的图案的临界尺寸的偏差。
在下文中，将详细地描述根据本发明的示例性实施方案的用于计算激光L的直径D的机制。如上所述，从根据本发明的示例性实施方案的激光照射单元4531照射的激光L的直径D可以通过扩束器4532调节。例如，可以在扩束器4532中调节激光L的直径D，以便具有预先存储在控制器30中的大小。
激光L照射到基板M。激光L可以照射到基板M上的特定区域A。存在于基板M上的特定区域A可以被定义为其中没有形成单元CE的区域。特定区域A可以是指多个单元CE之外的区域。如上所述，第二图案P2可以形成在特定区域A中。例如，多个第二图案P2可以在特定区域A中以串联布置和/或并联布置的组合进行布置。在下文中，为了方便描述，作为示例，将基于多个第二图案P2在特定区域A中以串联组合布置的情况来描述本发明。
图16为示意性地展示了计算在图11的加热操作中照射到第二图案的激光的最大半径的状态的图示。
参照图16，根据本发明的示例性实施方案，从照射端4535照射到基板M的特定区域A的激光L的最小半径LR被设置为可以容纳所有特定区域A的长度。例如，照射到特定区域A的激光L的最小半径LR可以被设置成具有当从顶部观察时能够覆盖整个特定区域A的长度。
根据示例性实施方案，照射到特定区域A的激光L的最小半径LR可以被计算为在特定区域A中形成的第二图案P2的中心与第二图案P2的边缘之间的距离中的最大距离。激光L的最小半径LR可以用在特定区域A中形成的多个第二图案P2的中心C到多个第二图案P2的角部之间的距离中的最大距离来计算。例如，如图16所示，从多个第二图案P2的中心C到位于最上端的第二图案P2的角部的第一长度L1与从多个第二图案P2的中心C到位于最上端下方的第二图案P2的角部的第二长度L2之间的最大距离为第一长度L1，该第一长度L1可以被计算为激光L的最小半径LR。
图17为示意性地展示了计算在图11的加热操作中照射到第二图案的激光的最小半径的状态的图示。
参照图17，根据本发明的示例性实施方案，从照射端4535照射到基板M的特定区域A的激光L的最大半径RR具有不干扰在基板M上形成的单元CE的长度。例如，当从顶部观察时，照射到特定区域A的激光L的最大半径RR可以用从多个单元CE中与特定区域A相邻的单元CE的边缘到在特定区域A中形成的第二图案P2的中心C的距离中的最短距离来计算。
例如，如图17所示，形成在基板M上的多个单元CE可以包括相对于特定区域A从特定区域A的左侧沿逆时针方向的第一单元CE1、第二单元CE2、第三单元CE3和第四单元CE4。从在特定区域A中形成的多个第二图案P2的中心C到第一单元CE1的边缘、第二单元CE2的边缘、第三单元CE3的边缘和第四单元CE4的边缘的最短距离可以分别是第一距离L11、第二距离L12、第三距离L13和第四距离L14。当假设第一距离L11小于第二距离L12，第二距离L12小于第三距离L13，并且第三距离L13小于第四距离L14时，照射到设置在特定区域A中的第二图案P2的激光L的最大半径RR可以具有与第一距离L11对应的长度。也就是说，激光L的最大半径RR可以用从与特定区域A相邻的单元CE的边缘到设置在特定区域A中的第二图案P2的中心的距离中的最短距离来计算。
图18为展示了从顶部观察的在图11的加热操作中照射到第二图案的激光的图示。图19为示意性地展示了当在图11的加热操作中照射到第二图案的激光从照射位置偏离可允许误差距离时的状态的图示。
参照图18和图19，根据示例性实施方案照射到设置在特定区域A中的第二图案P2的激光L的半径R被定义为通过从参照图17描述的激光L的最大半径RR减去可允许误差距离SD而获得的值。此外，激光L的直径D被定义为激光L的半径R的两倍。可允许误差距离SD被定义为通过从最大半径RR减去参照图16描述的激光L的最小半径LR而获得的值的一半的值。可允许误差距离SD是指当激光单元4530中出现控制误差时，激光L照射到特定区域A的整个范围的距离。
照射端4535在照射位置处加热特定区域A。照射端4535可以在照射位置处将激光L照射到设置在特定区域A中的第二图案P2。例如，当照射端4535定位在照射位置处时，当从顶部观察时，激光L的中心CC可以与第二图案P2的中心C重合。
在激光单元4530出现控制误差中，使得从照射端4535照射的激光L的中心CC可能与设置在特定区域A中的第二图案P2的中心C不一致。例如，如图19所示，当激光单元4530在照射位置处将激光L照射到基板M时，激光L的中心CC可以定位在与第二图案P2的中心C隔开预定距离的位置处。在这种情况下，当激光L的中心CC与第二图案P2的中心C之间的距离在可允许误差距离SD内时，从照射端4535照射到特定区域A的激光L可以覆盖特定区域A的整个范围。相应地，即使当在激光单元4530中出现控制误差时，设置在特定区域A中的所有第二图案P2也可以被加热。也就是说，即使当在激光单元4530中出现误差控制时，当误差产生距离在可允许误差距离SD内时，设置在特定区域A中的第二图案P2可以被一起蚀刻。
根据本发明的上述示例性实施方案，通过用第二图案P2的角部与第二图案P2的中心之间的距离中的最大距离来计算激光L的最小半径LR，可以一起蚀刻在特定区域A中形成的第二图案P2。
此外，通过用从多个单元CE中与特定区域A相邻的单元CE的边缘到第二图案P2的中心的距离中的最短距离来计算激光L的最大半径RR，可以防止激光L照射到在单元CE中形成的第一图案P1。可以防止激光L照射到除了作为蚀刻目标的第二图案P2之外的第一图案P1。相应地，防止了在单元CE中形成的第一图案P1被激光L蚀刻，并且只有第二图案P2被选择性地加热，从而可以平滑地执行第一图案P1与第二图案之间的临界尺寸差异的校正。
根据本发明的上述示例性实施方案，即使在激光单元4530中出现控制误差并且激光L照射到的位置从照射位置改变，当激光L的中心CC距在特定区域A中形成的第二图案P2的中心C在可允许误差距离SD内时，在特定区域A中形成的第二图案P2也可以被共同地加热。相应地，可以最大程度地确保通过激光单元4530所照射的激光L的照射位置的允许误差范围。
图20为展示了执行图11的冲洗操作的基板处理装置的状态的图示。参照图20，在冲洗操作S50中，从基板M去除在蚀刻操作S40中产生的工艺副产物。在冲洗操作S50中，可以将冲洗液R供应到旋转的基板M。在基板M上形成的工艺副产物可以通过将冲洗液R供应到基板M来去除。此外，如果需要，支承单元420可以通过使基板M以高速旋转来去除残留在基板M上的冲洗液R，以便干燥残留在基板M上的冲洗液R。
在基板卸载操作S60中，已经完成处理的基板M可以从内部空间412卸载。在基板卸载操作S60中，门(未示出)可以打开形成在壳体410中的装载/卸载端口(未示出)。此外，在基板卸载操作S60中，传送机械手320可以从支承单元420卸载基板M，并且使该卸载的基板M从内部空间412卸载。
在本发明的上述示例性实施方案中，作为示例，已经基于在具有第一图案P1(第一图案是用于监控曝光图案的监控图案)和第二图案P2(第二图案是用于设置处理基板的条件的图案)的基板M中提高第二图案P2的蚀刻速率的情况描述了本发明。然而，与此不同，第一图案P1的功能和第二图案P2的功能可以与本发明的上述示例性实施方案的功能不同。此外，根据本发明的示例性实施方案，仅提供第一图案P1和第二图案P2中的一者，并且可以提高设置在第一图案P1与第二图案P2之间的一个图案的蚀刻速率。此外，根据本发明的示例性实施方案，除了光掩模之外，同样可以应用于提高诸如晶圆或玻璃等基板中的特定区域的蚀刻速率。
前述详细的描述展示了本发明。进一步地，以上内容示出并描述了本发明的示例性实施方案，并且本发明可以用于各种其他组合、修改和环境中。也就是说，在本说明书中所公开的发明构思的范围、与本公开内容的发明构思等同的范围和/或本领域的技术或知识的范围内，可以对前述内容进行修改或修正。前述示例性实施方案描述了实施本发明的技术精神的最佳状态，并且本发明的具体应用领域和用途中所需的各种改变是可以能的。相应地，本发明的上述详细描述并不旨在将本发明限制于所公开的示例性实施方案。进一步地，所附权利要求也应被解释为包括其他示例性实施方案。

Claims (20)

1.一种处理基板的基板处理方法，所述基板包括多个单元，所述基板处理方法包括：
将处理液供应到所述基板的液体处理操作；以及
通过供应所述处理液并且将激光照射到特定区域来加热所述基板的加热操作，所述特定区域位于设置了所述多个单元的区域之外，
其中，当从顶部观察时，所述激光被形成为覆盖所述特定区域。
2.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，第一图案和与所述第一图案不同的第二图案形成在所述基板上，
所述第一图案形成在所述多个单元中，并且
一个或多个所述第二图案形成在所述特定区域内。
3.根据权利要求2所述的基板处理方法，其中，所述激光以平顶式提供。
4.根据权利要求3所述的基板处理方法，其中，用从所述多个单元中与所述特定区域相邻的单元的边缘到所述第二图案的中心的距离中的最短距离来计算所述激光的最大半径。
5.根据权利要求4所述的基板处理方法，其中，用所述第二图案的中心与所述第二图案的角部之间的距离中的最大距离来计算所述激光的最小半径。
6.根据权利要求5所述的基板处理方法，其中，用通过从所述最大半径减去可允许误差距离而获得的值来确定照射到所述第二图案的激光的半径，并且
用从所述最大半径减去所述最小半径而获得的值的一半来确定所述可允许误差距离。
7.根据权利要求6所述的基板处理方法，其中，照射到所述第二图案的激光的中心从所述第二图案的中心到所述可允许误差距离是可移动的。
8.根据权利要求2所述的基板处理方法，其中，所述第二图案在所述特定区域内被设置多个，并且
多个所述第二图案以串联布置和/或并联布置的组合形成。
9.一种将激光照射到掩模的照射方法，所述掩模包括多个单元，并且所述掩模具有形成在所述多个单元中的第一图案和形成在特定区域中的第二图案，所述特定区域位于设置了所述单元的区域之外，
其中，所述激光照射到所述特定区域以加热所述第二图案，并且当从顶部观察时，所述激光被形成为覆盖所述特定区域。
10.根据权利要求9所述的照射方法，其中，当从顶部观察时，所述激光是圆形的。
11.根据权利要求10所述的照射方法，其中，一个或多个所述第二图案形成在所述特定区域内，并且
用从所述多个单元中与所述特定区域相邻的单元的边缘到所述第二图案的中心的距离中的最短距离来计算所述激光的最大半径。
12.根据权利要求11所述的照射方法，其中，用所述第二图案的中心与所述第二图案的角部之间的距离中的最大距离来计算所述激光的最小半径。
13.根据权利要求12所述的照射方法，其中，用通过从所述最大半径减去可允许误差距离而获得的值来确定照射到所述第二图案的激光的半径，
用从所述最大半径减去所述最小半径而获得的值的一半来确定所述可允许误差距离，并且
照射到所述第二图案的激光的中心从多个所述第二图案的中心到所述可允许误差距离是可移动的。
14.根据权利要求9所述的照射方法，其中，所述第二图案在所述特定区域内被设置多个，并且
多个所述第二图案以串联布置和/或并联布置的组合形成。
15.一种基板处理装置，所述基板处理装置包括：
壳体，所述壳体具有处理空间；
支承单元，所述支承单元用于在所述处理空间中支承并旋转基板，所述基板包括多个单元；
液体供应单元，所述液体供应单元用于将液体供应到由所述支承单元支承的所述基板；以及
照射模块，所述照射模块用于将激光照射到特定区域，所述特定区域位于由所述支承单元支承的所述基板中设置了所述多个单元的区域之外，
其中，所述激光以平顶式提供，并且当从顶部观察时，所述激光被形成为覆盖所述特定区域。
16.根据权利要求15所述的基板处理装置，其中，第一图案和与所述第一图案不同的第二图案形成在所述基板上；
所述第一图案形成在所述多个单元中，并且
所述第二图案形成在所述特定区域中，
所述第二图案在所述特定区域内被设置多个，并且
多个所述第二图案以串联布置和/或并联布置的组合形成。
17.根据权利要求16所述的基板处理装置，其中，用从所述多个单元中与所述特定区域相邻的单元的边缘到多个所述第二图案的中心的距离中的最短距离来计算所述激光的最大半径。
18.根据权利要求17所述的基板处理装置，其中，用多个所述第二图案的中心与多个所述第二图案的角部之间的距离中的最大距离来计算所述激光的最小半径。
19.根据权利要求18所述的基板处理装置，其中，用通过从所述最大半径减去可允许误差距离而获得的值来确定照射到所述第二图案的激光的半径，并且
用从所述最大半径减去所述最小半径而获得的值的一半来确定所述可允许误差距离。
20.根据权利要求19所述的基板处理装置，其中，照射到所述第二图案的激光的中心从多个所述第二图案的中心到所述可允许误差距离是可移动的。
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