TWI287815B - Coater with a large-area assembly of rotatable magnetrons - Google Patents
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Description
•1287815 九、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 r本發明係關於如申請專利範圍第1項所述之塗佈機。 【先前技術】 塗佈機,係以陰極減鑛塗佈基材,早已為人所孰知且 廣泛使用於各種塗佈目的之中。此塗佈機之設計與工程隨 者對於塗佈機之特別需求而有極大差異。例如,陰極即有 多種樣式,如平板式陰極、磁控陰極、迴轉式磁控管等。 其中’平板式陰極,其濺鑛之塗佈材料係為平坦、平面乾 材,,迴轉式陰極之乾材表面係為曲面,特別為圓筒狀。由 於塗佈過程中圓筒係連續迴轉,使得乾材材料得以均句濺 鍍,而避免局部集中濺鍍以及溝槽形成,A皆可能損及塗 佈品質。 、一 磁控陰極或磁控管,具有位於濺鍵㈣之後之磁鐵組 件,有助於靶材前電漿之形成’並同時穩定及平均電漿, 使其達到較佳之沉積。迴轉式磁好,特㈣,磁鐵或磁 鐵組件係同心配置於圓筒狀粗材内。此類迴轉式磁控管, 例如,係應用於塗佈建築玻璃之連續負載同軸塗佈機。最 新之應用係將此二種磁控管並列於塗佈室内。此種配置之 缺點係為僅剩下小部份區域可以達到均勻塗佈厚度。如此 勢將必須移動大面積之基材以進行塗佈。 【發明内容】 因此,本發明之目的係提供一種塗佈機,特別係一種 陰極組件,使得大面積基材得以均勻塗佈,並且,降低塗 3055-7060-PF 5 '1287815 此塗佈機係容易組 佈過程巾過度塗佈之材料浪f。此外, 裝及操作。 、、此目的係藉由具有巾請專利範圍第1項特徵之塗佈機 達成。實施例係附屬項之之課題。 本柔明係、首次使得大面積塗佈達到均自塗佈厚度並且 不:忍文塗佈材料浪費。換句話說,本發明使得大面積基 材靜止,亦即不需移動基材。此外,若使周具有迴轉式、 曲面之靶材之陰極組件,特別係圓筒狀靶材,複數個陰極, 至:三個,較佳地為四個、五個、六個以上之陰極可以並 /又置如此,藉由於曲面靶材表面之濺鍍,塗佈大面積 區域可以達到均勻之塗佈,特別可以得到平坦均勻之塗 7厚度’且不需忍受塗佈材料之過度浪費。此優點係主要 知功於曲面靶材表面,依據較佳實施例,藉由陰極之配置 :及/、相對位置’大面積塗佈沉積之均勻度可以進一步提 外,如此可以更強調與增加正面效果。 關於陰極之配置,已證實使用於乾材後方呈現出磁場 陣:之磁控管陰極係有效的,若為圓筒狀耙材,係呈現於 Π筒之u。卩,以形成電漿於靶材表面之前方並穩定此電漿。 磁鐵組件較佳地相對於陰極之縱軸,亦即,圓筒狀靶 材之圓柱縱轴’係可迴轉或旋轉,如此磁鐵或磁鐵組件可 h周整或.又定面向基材。藉由如此迴轉或旋轉磁鐵或磁鐵 組件’乾材表面之濺鑛區域可以調整其座向面向基材;藉 由正確之設定,此配置可以獲得平坦之塗佈沉積,亦即, 具有均勻厚度之塗佈,於基材上。
3055-7060-PF ..1287815 特別地’依據較佳實施例,塗佈機可以配置使得磁鐵 或磁鐵組件於塗佈過程中相對於—特定位置連續震盪,亦 即,來回地移動,而可能得到均勻塗佈之沉積。
如此磁鐵係組裝於例如35。之扇形區域内。 若磁鐵或磁鐵組件係相對於一位置震動或擺動(搖 晃),則磁鐵或磁鐵組件之速度係以其他方式設定,例如, 磁鐵或磁鐵組件之來回運動係相對於一原點,絕對速度係 依位置而不同。例如’於反向點為低速,而兩點間為高速。 此外,磁鐵或磁鐵組件亦可以於磁鐵組件内旋轉或移 動’如此可能移動磁場區域而有利於塗佈。若為圓筒狀靶 材,例如,磁鐵組件可以沿著陰極之縱軸於圓筒之25。扇 狀區域内朝向基材配置。騎加磁場範圍,此扇狀區域= 乂擴大例如,&著陰極之縱軸移動或旋轉外部磁鐵朝外, 圓筒狀靶材或陰極提供额外 塗佈區域之側,於靶材端面 之前方區域。如此避免靶材 依據有用之實施例,藉由 之磁鐵組件或磁鐵於陰極遠離 附近’將形成電漿於靶材表面 之再沉積。 除了提供具有搭配適當磁鐵以及磁鐵組件之迴轉式、 曲面乾材之陰極組件以正向影響沉積過程,大面積㈣區 域之均勻厚度之平坦沉積之塗佈之提昇,亦可以藉由並列 陰極組件於塗佈室内’以確保相距於塗佈區域,亦即,灵 材’不同距離具有單一、連貫、以及大面積之塗佈區域: 且特別係將其沿著塗佈區域置放於曲面之表面。 ;本文中,使曲面表面為圓柱表面已證明係可行的, 3055-7060-pp * 1287815 如此,自斷面觀之,陰極係大體上呈環形排列,較佳地彼 此間係等距且其縱軸係彼此平行。 於另一實施例中,陰極組件可以配置使得二個陰極於 陰極序列之邊緣向内移動,更朝向基材,及/或更靠近相鄰 之陰極。此對於塗佈之均勻沉積有正面之影響,特別於塗 佈區之邊緣區域。 圓弧路徑之半徑,亦即,圓柱之側表面,陰極係置於 其上’較佳地’係大於陰極與基材,或塗佈區,間之距離, 鲁如此陰極設置之表面將僅輕微彎曲。 由於陰極係設置於圓弧路徑或圓柱之側表面,較佳 地,磁控管陰極之磁鐵或磁鐵組件係以放射狀朝向塗佈區 配置,換言之,所有陰極之磁鐵組件之中垂線/面係指向圓 心或圓柱之軸心。然而,磁鐵或磁鐵組件於此位置上旋轉 或擺動是可以理解的。 雖然,此塗佈機或陰極組件或陰極配置允許大面積之 靜態塗佈’亦即,〗需移動基材,但仍可以藉由傳輸設備 移動基材。於本例中’大面積塗佈區域之優點仍可以獲得。 塗佈區通常係為平面,雖然其可以為曲面。於接下的 範例中’僅需適當地調整陰極組件之位置,塗佈區與陰極 位置間之關係即可獲得維持。 具有圓筒狀輕材之迴轉式磁控管較佳地係於端部: 撐’特別係位於依可動式台架上,有利於將其插入塗… 或移出塗佈室。 本發明之其他之優點 特性與特徵由以下之較佳實施
3055-7060-PF ♦1287815 例之說明將更為清晰。圖式係僅為示意。 【實施方式】 陰極2係所謂之迴轉式磁控管陰極,圓柱靶材4係相 對於陰極之縱軸迴轉。磁鐵組件之磁鐵3產生並穩定電漿 5,其係形成於靶材表面之緊鄰處。塗佈過程中靶材4連續 且穩定的迴轉使得用以塗佈之材料被移除,亦即靶材的全 表面被均勻地濺鍍。 為於塗佈區1達到最佳化之基材塗佈,磁鐵叙件係面 向基材…度範圍6所示’且於特定角度範圍内蟯著陰 極之縱軸迴轉,如此使得靶材表面之濺鍍區域最佳化朝向 基材。 、若使磁鐵組件3固定於―特定位置面向基材,亦可能 使磁鐵組件3於塗佈過程巾來回移動以提高基 之均勻性。 予度 、,為避免再/儿積,特別係磁控管陰極之遠端區域,亦即, =圓筒狀粗材4之端面之側表面,-第二、額外之磁鐵 =可以設置於磁鐵組件3之相對側,如此藉由於圓: 控官陰極之遠端產生電漿以避免再沉積。 —沿轉式磁控管於各例中可以透過端部區域支樓於塗佈 二之:部。為利於陰極交換,迴轉式磁控管較佳地係固接 。 ,、了自塗佈至内撤出,迴轉式磁控管係於 端部支撐,於該釦妯同拉 ^ ^ ^ … 囡茼之端面區域,藉由一同心接合於 靶材圓筒之支撐元件固定 、 管而不需額外於相對之;:ί:至牆上亦可以懸垂磁控 、相對之處理室牆上之支撐。 3055-7060-pp 9 1287815 如第1圖所示,陰極2係非位於一單—平 丁 ,而係 =佈區1,亦即,基材相隔不同之距離。如第i圖所示 之實施例,迴轉式磁控管陰極2係位於具有半徑『,其係 甚大於迴轉式磁控管陰極與基材之距離,之㈣路徑::、 其係標示箭頭# r。此所形成之空間配置係為圓筒狀靶材 4’亦即’迴轉式磁控管陰極’其係垂直於繪圖面,而位於 具有半徑r之圓柱之侧表面,其中基材,亦即,塗佈區i 係為平坦平面。此空間配置之效果係使得大面積基材,亦 即,1500x l 800mm之基材,可以在不移動基材下均勻地塗 饰(靜態塗佈)。即使移動基材,例如於連續負載同轴塗佈 機上,亦可以提供大面積塗佈區均勻厚度的塗佈。 陰極相對於塗佈區1之空間配置亦可以確保高收集 率,如此濺鍍所需之材料數量可以減少,且陰極組件之數 目可以降低。 第2圖係一曲線圖,係顯示,對於18〇〇mm長並具有如 第1圖所示之九個迴轉式磁控管陰極之陰極組件之基材, 之塗佈厚度分布對基材長度之關係。如第2圖所示,塗佈 厚度,係正規化為1,係相對於基材長度繪製。其顯示自 最外緣至中心,正規化之塗佈厚度大體上自〇.95變化至卜 【圖式簡單說明】 第1圖係顯示一塗佈處理室中陰極與基配置之剖面 圖;及 第2圖係顯不單位化之塗佈厚度與基板長度之關係 圖0 3055-7060-pp 10 1287815 【主要元件符號說明】 1〜塗佈區; 2〜陰極; 3〜磁鐵; 4〜圓柱輕材; 5〜電漿; 6〜角度範圍; 7〜磁鐵組件。
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Claims (1)
- 修正曰期:95.8.10 _ 貪128屬私⑶汾號中文申請專利範圍修正本 申請專利範圍: 1 · 一種塗佈機,係使用陰極濺鍍以塗佈大面積g材, 該塗佈機包括一塗佈室,以及一位於塗佈室内之陰極組件 (2),其中用以濺鑛之材料係設置於一乾材(4)上,該輕 材具有一圓筒狀表面,其中磁鐵(3)或磁鐵組件設於該靶 材(4)内側,且具有用以在該塗佈過程中使該靶材持續繞 著該磁鐵(3 )或磁鐵組件回轉之裝置,其特徵在於··至少三個以上具有可迴轉及圓筒狀之靶材(4)之該陰極組件(2) 係相鄰設置於具有一連續塗佈區之單一塗佈室内,其中靶 材(4 )包含與用以濺鑛材料相同之材料,使得能夠對靜止 的大面積基材進行均勻塗佈。 2·如申請專利範圍第1項所述之塗佈機,其中該具有 可迴轉及圓筒狀之靶材(4)之該陰極組件係受支撐於一端 面區域之一端。 3·如申請專利範圍第i或2項所述之塗佈機,其中該 Φ磁控官陰極具有可迴轉或可旋轉,特別係沿著該陰極之縱 轴,之磁鐵(3)或磁鐵組件。 4·如申請專利範圍第1或2項所述之塗佈機,其中該 磁鐵組件之該磁鐵(3),係位於該些位於邊緣區域者,係 可旋轉或位移以擴大磁場區域(6 )。 5·如申請專利範圍第丨項所述之塗佈機,其中該複數 個陰極組件係與設置於該塗佈區之一基板具有不同距離。 6·如申請專利範圍第5項所述之塗佈機,其中該複數 個陰極組件係沿著環繞該塗佈區之一表面而設置。 3 055-7060-pp^ 12 1287815 $年_痛修_異静麵 . 7.如申請專利範圍第5項中任 中該複數個陰極組件係彼此分離且其縱轴係彼此平行,特 別地,該陰極組件係等距離配置,其中僅外圍之陰極組件 係較接近相鄰之陰極。 8.如申請專利範圍第5項所述之塗佈機,其中該陰極 組件係配置於一圓柱之一側表面,該圓柱之縱轴自該陰極 組件觀之係位於該塗佈區内或其後,較佳地,僅二個外圍 陰極組件係遠離該侧表面並朝向該塗佈區。 I 9·如申請專利範圍第8項所述之塗佈機,其中該圓柱 之半徑係大於該塗佈區與該陰極組件之距離。 10·如申請專利範圍第5項中任一項所述之塗佈機,其 中該陰極組件之該磁鐵或該磁鐵組件係呈放射狀朝向該塗 佈區,該磁鐵或該磁鐵組件係以一預定速度環繞該位置旋 轉。 11·如申請專利範圍第丨項所述之塗佈機,其中額外之 磁鐵或磁鐵組件係位於遠離該塗佈區之侧,特別地係位於 該陰極組件之端面之附近,以避免塗佈過程中產生之電漿 再沉積。 12·如中請專利範圍帛η所述之塗佈機,其中該基板 係藉由一傳輸設備於塗佈製程中運送。 3055-7 0 60-PF1 13
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Families Citing this family (24)
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US20080127887A1 (en) * | 2006-12-01 | 2008-06-05 | Applied Materials, Inc. | Vertically mounted rotary cathodes in sputtering system on elevated rails |
US9175383B2 (en) | 2008-01-16 | 2015-11-03 | Applied Materials, Inc. | Double-coating device with one process chamber |
EP2081212B1 (en) | 2008-01-16 | 2016-03-23 | Applied Materials, Inc. | Double-Coating Device with one Process Chamber |
US20090178919A1 (en) * | 2008-01-16 | 2009-07-16 | Applied Materials, Inc. | Sputter coating device |
EP2091067A1 (en) | 2008-02-14 | 2009-08-19 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for treating a substrate |
US8083911B2 (en) | 2008-02-14 | 2011-12-27 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for treating a substrate |
CN101805889B (zh) * | 2009-02-13 | 2012-01-11 | 北京京东方光电科技有限公司 | 磁靶及具有该磁靶的磁控溅射设备 |
CN101877300B (zh) * | 2009-04-30 | 2012-01-04 | 深圳市豪威薄膜技术有限公司 | 溅射磁控管装置 |
EP2306489A1 (en) * | 2009-10-02 | 2011-04-06 | Applied Materials, Inc. | Method for coating a substrate and coater |
EP2437280A1 (en) * | 2010-09-30 | 2012-04-04 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for forming a layer of sputtered material |
US20130032476A1 (en) * | 2011-08-04 | 2013-02-07 | Sputtering Components, Inc. | Rotary cathodes for magnetron sputtering system |
WO2013178252A1 (en) * | 2012-05-29 | 2013-12-05 | Applied Materials, Inc. | Method for coating a substrate and coater |
WO2015072046A1 (ja) * | 2013-11-14 | 2015-05-21 | 株式会社Joled | スパッタリング装置 |
WO2015158391A1 (en) * | 2014-04-17 | 2015-10-22 | Applied Materials, Inc. | Edge uniformity improvement in pvd array coaters |
BE1021296B1 (nl) * | 2014-04-18 | 2015-10-23 | Soleras Advanced Coatings Bvba | Sputter systeem voor uniform sputteren |
CN106878547A (zh) * | 2017-01-06 | 2017-06-20 | 宇龙计算机通信科技(深圳)有限公司 | 屏幕切换方法和屏幕切换装置 |
CN108570648A (zh) * | 2017-03-08 | 2018-09-25 | 中国南玻集团股份有限公司 | 可调平面阴极机构及真空镀膜装置 |
DE102018115516A1 (de) * | 2017-06-28 | 2019-01-03 | Solayer Gmbh | Sputtervorrichtung und Sputterverfahren zur Beschichtung von dreidimensional geformten Substratoberflächen |
JP7171270B2 (ja) * | 2018-07-02 | 2022-11-15 | キヤノン株式会社 | 成膜装置およびそれを用いた成膜方法 |
CN109750267B (zh) * | 2019-03-26 | 2021-10-26 | 合肥京东方显示技术有限公司 | 一种磁控溅射装置 |
CN114207181A (zh) * | 2019-08-09 | 2022-03-18 | 应用材料公司 | 涂覆基板的方法和涂覆基板的涂覆设备 |
CN115210846A (zh) * | 2020-03-13 | 2022-10-18 | 瑞士艾发科技 | 采用直流脉冲阴极阵列的设备和方法 |
JP7358647B2 (ja) * | 2020-07-08 | 2023-10-10 | 株式会社アルバック | 成膜方法 |
Family Cites Families (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4356073A (en) * | 1981-02-12 | 1982-10-26 | Shatterproof Glass Corporation | Magnetron cathode sputtering apparatus |
US4417968A (en) * | 1983-03-21 | 1983-11-29 | Shatterproof Glass Corporation | Magnetron cathode sputtering apparatus |
JPH03104864A (ja) * | 1989-09-18 | 1991-05-01 | Hitachi Ltd | スパッタリングカソード |
US5096562A (en) * | 1989-11-08 | 1992-03-17 | The Boc Group, Inc. | Rotating cylindrical magnetron structure for large area coating |
DE4126236C2 (de) * | 1991-08-08 | 2000-01-05 | Leybold Ag | Rotierende Magnetron-Kathode und Verwendung einer rotierenden Magnetron-Kathode |
US5344718A (en) * | 1992-04-30 | 1994-09-06 | Guardian Industries Corp. | High performance, durable, low-E glass |
US5338422A (en) * | 1992-09-29 | 1994-08-16 | The Boc Group, Inc. | Device and method for depositing metal oxide films |
EP0681616B1 (en) * | 1993-01-15 | 2002-11-13 | The Boc Group, Inc. | Cylindrical magnetron shield structure |
CA2120875C (en) * | 1993-04-28 | 1999-07-06 | The Boc Group, Inc. | Durable low-emissivity solar control thin film coating |
US5567289A (en) * | 1993-12-30 | 1996-10-22 | Viratec Thin Films, Inc. | Rotating floating magnetron dark-space shield and cone end |
JPH0835064A (ja) * | 1994-07-20 | 1996-02-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | スパッタリング装置 |
CA2218279A1 (en) * | 1995-04-25 | 1996-10-31 | The Boc Group, Inc. | Sputtering system using cylindrical rotating magnetron electrically powered using alternating current |
JP2002512311A (ja) * | 1998-04-16 | 2002-04-23 | シンバコ・ナムローゼ・フエンノートシャップ | マグネトロンにおけるターゲットの腐食とスパッタリングの制御方法 |
US6488824B1 (en) * | 1998-11-06 | 2002-12-03 | Raycom Technologies, Inc. | Sputtering apparatus and process for high rate coatings |
US6365010B1 (en) * | 1998-11-06 | 2002-04-02 | Scivac | Sputtering apparatus and process for high rate coatings |
JP3712553B2 (ja) * | 1999-02-19 | 2005-11-02 | 忠弘 大見 | スパッタリング装置 |
JP2003096561A (ja) * | 2001-09-25 | 2003-04-03 | Sharp Corp | スパッタ装置 |
JP2003183823A (ja) * | 2001-12-17 | 2003-07-03 | Sharp Corp | スパッタ装置 |
AU2003248835A1 (en) * | 2002-07-02 | 2004-01-23 | Academy Precision Materials A Division Of Academy Corporation | Rotary target and method for onsite mechanical assembly of rotary target |
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