TWI450310B - A magnetic tube, a magnetron manufacturing method, and a physical deposition chamber in which the magnetron is used - Google Patents

Description

磁控管、磁控管的製造方法及應用上述磁控管的物理沈積室

本發明是關於微電子加工技術領域，尤指一種磁控管、磁控管的製造方法及應用上述磁控管的物理沈積室。

近年來，隨著微電子工業的快速發展，技術人員需要對相關的加工技術及設備進行不斷地改進和更新。其中，對於磁控濺鍍設備的改進更是受到企業及相關技術人員的高度重視。

請參閱圖1，為一種典型的磁控濺鍍設備的結構原理圖。該設備主要包括：加工腔室1、設置於加工腔室1內部的靜電卡盤3、設置於加工腔室1上方的靶材2和磁控管4以及磁控管驅動電機5。在加工腔室1的下端或側壁上連接有抽氣裝置13。在磁控濺鍍加工中，向加工腔室1內通入用於形成等離子體的加工氣體(例如，氬氣等)，在腔室內電場和磁場的共同作用下，等離子體中的部分離子轟擊靶材2的表面，使靶材2的表面的部分原子脫落，並沈積到所要加工的基片表面，從而形成所需膜層。

其中，磁控管的結構能夠直接決定靶材的腐蝕形態，因而對薄膜沈積的均勻性及靶材利用率等加工參數均具有十分重要的意義。

為此，公開號為CN1997768A的中國專利申請提供了一種非對稱形狀的磁控管結構。在加工過程中通過一馬達驅動該磁控管繞靶材中心旋轉，從而在靶材表面形成磁場掃描。但是，該磁控管在實際應用中的使用效果並不理想，此結論可以從利用該磁控管所獲得的靶材腐蝕曲線中明顯得出，具體為：藉助上述結構的磁控管進行磁控濺鍍加工時，對靶材徑向方向的腐蝕不夠均勻，而當靶材上的任一位置的材料被用盡時就必須更換新的靶材，從而造成對靶材材料的嚴重浪費，這不但增加了企業的生產成本，而且還會因為靶材腐蝕的不均勻而嚴重影響加工結果的均勻性。

為解決上述問題，本發明提供一種磁控管，其能夠有效提高靶材腐蝕的均勻性，從而提高靶材的利用率及加工結果的均勻性。

前述磁控管，用於在磁控濺鍍加工中對靶材進行磁場掃描，其包括可繞一靶材中心軸旋轉且極性方向相反的一內磁極和一外磁極，其中，內磁極設置於外磁極的內部，在內、外磁極之間形成閉合曲線形的磁場軌道，由中心軸發射出去的任一角度的半徑與磁場軌道具有且僅有一次相交；磁控管繞中心軸旋轉過程中，上述磁場軌道使靶材表面任一單位面積所獲得的磁場掃描強度大致相等。

其中，磁場軌道使靶材表面任一徑向上的單位面積所獲得的磁場掃描強度大致相等。

其中，磁場軌道使靶材表面任一周向上的單位面積所獲得的磁場掃描強度大致相等。

其中，內磁極經過中心軸，且磁場軌道上不同位置處的寬度隨著該位置與中心軸的距離不同而逐漸變化。

其中，磁場軌道的寬度具有至少一次逐漸增大或逐漸減小的變化。

其中，磁場軌道上具有至少一個最遠點，最遠點至中心軸的距離與靶材的半徑大致相等。

其中，磁場軌道為軸對稱圖形，且磁場軌道的對稱軸同時經過最遠點和中心軸。

其中，磁場軌道為非軸對稱圖形。

其中，磁控管繞中心軸旋轉過程中，磁場軌道對靶材的任一半徑進行往復式掃描。

其中，內磁極包括內磁極靴和設置在內磁極靴上的多個內磁體，相應的，外磁極包括外磁極靴和設置在外磁極靴上的多個外磁體。

為解決上述問題，本發明還提供一種磁控管的製造方法，該方法所製造的磁控管同樣能夠有效提高靶材腐蝕的均勻性，從而提高靶材的利用率及加工結果的均勻性。

前述磁控管的製造方法，用於加工上述本發明提供的磁控管，該方法至少包括下述步驟：(1)選定內磁極的形狀；(2)根據內磁極的形狀及磁場軌道在不同靶材半徑處的磁場掃描強度，確定磁場軌道對應於不同靶材半徑處的寬度，以使靶材表面任一單位面積所獲得的磁場掃描強度大致相等；(3)根據步驟(1)和(2)中所確定的內磁極的形狀及磁場軌道上各個位置處的寬度確定外磁極的形狀，然後加以製造。

其中，在步驟(1)中，選定內磁極為軸對稱形狀，並使對稱軸一側的內磁極形狀與極座標方程式r=a×θ所描述的圖形相一致，使對稱軸另一側的內磁極形狀與極座標方程式r=a×θ所描述的圖形相對於對稱軸對稱；其中，θ的取值範圍為0~π，a為在一定數值範圍內的常數，其取值與所要濺鍍的靶材的尺寸相關。

其中，在該步驟(1)中，選定內磁極為軸對稱形狀，並使對稱軸一側的內磁極形狀與極座標方程式r=a×θⁿ 所描述的圖形相一致，使對稱軸另一側的內磁極形狀與極座標方程式r=a×θⁿ 所描述的圖形相對於對稱軸對稱；其中，θ的取值範圍為0~π，a和n為在一定數值範圍內的常數，其中a的取值與所要濺鍍的靶材的尺寸相關。

其中，在步驟(2)中，利用電腦模擬計算出磁場軌道各個位置處的寬度值。

為解決上述問題，本發明還提供一種物理沈積室，其同樣能夠有效提高靶材腐蝕的均勻性，從而提高靶材利用率及加工均勻性。

前述物理沈積室包括靶材以及上述本發明所提供的磁控管，用以使靶材表面任一單位面積所獲得的磁場掃描強度大致相等。

本發明具有下述有益效果：本發明提供的磁控管包括可繞一靶材中心軸旋轉且極性方向相反的一內磁極和一外磁極，其中，內磁極設置於外磁極的內部，在內、外磁極之間形成閉合曲線形的磁場軌道，由中心軸發射出去的任一角度的半徑與該磁場軌道具有且僅有一次相交；磁控管繞中心軸旋轉過程中，磁場軌道使靶材表面任一單位面積所獲得的磁場掃描強度大致相等。也就是說，本發明提供的磁控管中的磁場軌道能夠隨著磁控管繞靶材中心的旋轉，對靶材表面上的任一周向及/或徑向上的單位面積提供大致相同的磁場掃描強度，從而使靶材表面周向及徑向方向均能得到均勻的腐蝕。因此，在利用本發明提供的磁控管進行磁控濺鍍加工時，不僅能夠有效提高靶材的利用率，而且還能獲得均勻的加工處理品質。

在一個優選實施例中，本發明通過設置內磁極的形狀及設置磁場軌道在不同位置處的寬度而實現對靶材表面任一單位面積的均勻掃描，從而實現對提高靶材利用率及加工均勻性的目的。

本發明提供的磁控管的製造方法，首先選定內磁極的形狀；然後根據內磁極的形狀及磁場軌道在不同靶材半徑處的磁場掃描強度，確定對應於不同靶材半徑處的磁場軌道的寬度；之後再根據所確定的內磁極的形狀及磁場軌道上各個位置處的寬度確定外磁極的形狀，最後根據確定好的內、外磁極形狀分別加以製造。藉助本發明提供的磁控管製造方法所獲得的磁控管，在用於磁控濺鍍加工時，能夠使靶材表面任一單位面積所獲得的磁場掃描強度大致相等，從而提高靶材腐蝕的均勻性，進而提高靶材的有效利用率及濺鍍加工的均勻性。

本發明提供的物理沈積室，其內設置有靶材和上述本發明所提供的磁控管。藉助上述磁控管，該物理沈積室同樣能夠使靶材表面任一單位面積所獲得的磁場掃描強度大致相等，從而可有效提高靶材腐蝕的均勻性，進而提高靶材的有效利用率及濺鍍加工的均勻性。

本發明提供的磁控管用於在磁控濺鍍加工中對靶材進行均勻的磁場掃描，以提高對靶材的腐蝕均勻性，從而提高靶材利用率及相關加工的均勻性。

該磁控管包括可繞一靶材中心軸旋轉且極性方向相反的一內磁極和一外磁極。其中，內磁極設置於外磁極的內部，在內、外磁極之間形成閉合曲線形的磁場軌道，由上述中心軸發射出去的任一角度的半徑與該磁場軌道具有且僅有一次相交；在磁控管繞中心軸旋轉過程中，上述磁場軌道能夠使靶材表面任一單位面積所獲得的磁場掃描強度大致相等。這裡，使靶材表面任一單位面積所獲得的磁場掃描強度大致相等具體是指：使靶材表面任一徑向上的單位面積所獲得的磁場掃描強度大致相等；及/或，使靶材表面任一周向上的單位面積所獲得的磁場掃描強度大致相等。其中，該磁場掃描強度等於磁控管勻速旋轉整數圈時，靶材表面任一單位面積所受到的磁場掃描頻率與該單位面積所受到的平均磁場強度的乘積。在實際應用中，由於受到加工條件及環境等因素的影響，要想實現使靶材各個位置處所受到的磁場掃描強度完全相等的情況相對而言比較困難；因而只要能夠使靶材上各個位置所獲得的磁場掃描強度大致相等，並滿足靶材腐蝕及加工結果的均勻性要求即可。

為了實現上述目的，本發明提供的磁控管中的磁場軌道具有下述特徵：即，在磁控管旋轉任意整圈數的過程中，磁場軌道能夠使靶材上任意位置處所受到的磁場掃描頻率與該位置所受到的平均磁場強度的乘積大致相等。基於此，可以獲得磁場軌道對應靶材徑向上的不同位置處的寬度，然後再通過設置內、外磁極的形狀而獲得所需的磁場軌道形狀。通常，可以將磁場軌道上不同位置處與中心軸的距離等同於靶材徑向上的不同位置處與中心軸的距離；從而分別設置磁場軌道上不同位置處的寬度，並使其隨著該位置與中心軸距離的不同而逐漸變化。在實際應用中，上述磁場軌道的寬度具有至少一次逐漸增大或逐漸減小的變化；或者，該磁場軌道的寬度還可以表現為先增後減或先減後增的變化。這裡，該磁場軌道的寬度通常以內磁極為基準進行確定；具體地，內磁極上的某一點所對應的磁場軌道寬度等於經過該點的內磁極法線被內、外磁極所截得的直線段的長度。

此外，為了使整個靶材表面均被上述磁場軌道所覆蓋，可以使內磁極上的至少一點經過靶材的中心軸，並使磁場軌道上距離中心軸最遠的點到中心軸的距離與靶材的半徑大致相等，從而當磁控管繞靶材中心旋轉時，能夠使該磁場軌道對靶材表面的所有位置進行掃描覆蓋。上述磁場軌道上距離中心軸最遠的點可以為多個，也可以是由無數點構成的一條弧形線段；也就是說，使磁場軌道上具有至少一個最遠點，且使該最遠點至中心軸的距離與靶材半徑大致相等。由於上述最遠點至中心軸的連線可將磁場軌道劃分為兩部分，又由於自靶材中心發射的任一角度的半徑具有且僅有一次與該磁場軌道相交可知，磁場軌道的兩部分均為向外“凸”的圖形；也就是說，對於任一方向上的靶材半徑而言，在磁控管旋轉過程中，該半徑所受到的磁場掃描路徑可被看作由靶材中心開始沿該半徑方向逐漸掃描至靶材邊緣，然後再由靶材邊緣逐漸回到靶材中心的過程；並且，始終按照這種方式對靶材上任一半徑進行往復式的迴圈掃描。

為使所屬技術領域具有通常知識者更好地理解本發明的技術方案，以下結合附圖對本發明提供的磁控管、磁控管的設計方法和應用該磁控管的物理沈積室進行詳細描述。

請參閱圖2，為本發明提供的磁控管一個具體實施例的結構示意圖。本實施例中的磁控管具有一種軸對稱結構的磁場軌道3，為形成該磁場軌道3，內磁極2和外磁極1均被設置成相對應的形狀。其中，內磁極2和外磁極1具有極性方向相反的磁性，以在磁場軌道所在區域產生穩定的磁場。

總體來看，在本實施例中的磁控管形狀類似於一種桃心形，該桃心形的磁控管由軸對稱的兩部分組成。以圖2中的X-Y座標系為基準，按照圖中所示位置，此時X軸為該磁控管的對稱軸，X軸兩側的內磁極1的形狀實際上是相互對稱的兩段螺旋線。在此基礎上，再根據上述描述中的技術方案獲得磁場軌道在各個位置處的寬度值以及進而得到外磁極1的形狀參數，即獲得了圖2所示結構的磁控管。

在實際應用中，上述磁控管的內磁極2和外磁極1可以採用下述結構，具體為：內磁極2包括內磁極靴和設置於內磁極靴上的多個通孔5，並在該多個通孔5上安裝多個內磁體(圖未示)；相應地，外磁極1包括外磁極靴和設置於外磁極靴上的多個通孔4，並在該多個通孔4上安裝多個外磁體(圖未示)。在安裝上述內、外磁體時，應使內磁體和外磁體的磁極方向相反；從而構成磁極方向相反的內磁極2和外磁極1。至於內、外磁體在內、外磁極靴上的安裝及固定方式，例如可以採用螺接、卡接等常規方式，此處不予贅述。

具體地，上述圖2所示結構的磁控管可通過下述方法進行設計並製造。

請參閱圖5，為本發明所提供磁控管的製造方法的流程示意圖。本方法至少包括下述步驟：(1)選定內磁極的形狀；(2)根據內磁極的形狀及磁場軌道在不同靶材半徑處的磁場掃描強度，確定磁場軌道對應於不同靶材半徑處的寬度，以使靶材表面任一單位面積所獲得的磁場掃描強度大致相等；(3)根據步驟(1)和(2)中所確定的內磁極的形狀及磁場軌道上各個位置處的寬度確定外磁極的形狀，然後加以製造。

以下藉圖2所示結構的磁控管為例，對本發明所提供磁控管的製造方法加以詳細說明。

首先，選定一個內磁極的初始形狀。本實施例中，內磁極為軸對稱圖形，在對稱軸(為圖2中的X軸)上方的內磁極的形狀與極座標方程式r=a×θ所描述的圖形相一致；其中，θ的取值範圍為0~π，a為在一定數值範圍內的常數。在確定了位於X軸上方的內磁極的形狀之後，使處於X軸下方的內磁極的形狀與之對稱即可。在上述極座標方程式中，常數a的選擇與所要濺鍍的靶材尺寸有關，具體地，當θ取值為π時，所選擇的a值應當使磁控管上距離中心軸最遠的點大致等於靶材的半徑。

然後，在確定了內磁極的形狀的基礎上，進一步確定磁場軌道在各個位置處的寬度值。本實施例中，根據實際需要使磁場軌道的寬度具有下述的變化：當0≦θ≦0.26時，磁場軌道的寬度逐漸減小；當0.26≦θ≦2.35時，磁場軌道的寬度逐漸增大；當2.35≦θ≦π時，內、外磁極的間隙寬度再次逐漸減小。這裡，以圖2所示形狀的磁控管為例，僅給出該結構的磁場軌道的寬度變化趨勢；至於具體的寬度數值則需要根據對應的靶材尺寸進一步確定。在實際應用時，上述對磁場軌道的寬度變化及具體寬度值的確定過程可以藉助相關的電腦軟體進行模擬計算而得出。

最後，在得到了內磁極和磁場軌道的形狀參數後，即可很容易地獲得外磁極的形狀參數，繼而根據上述內、外磁極的形狀參數進行加工製造，即可完成整個磁控管的設計及製造過程。基於上述設計而得到的磁控管，其內磁極可切過靶材中心，外磁極邊緣可切過靶材邊緣，這樣即可實現全靶腐蝕。

請參閱圖3，其為應用上述圖2所示結構的磁控管進行濺鍍加工時的腐蝕曲線圖。在確定了磁控管的形狀及結構之後，該靶材腐蝕曲線同樣可藉助電腦進行模擬計算而得出，以便藉助電腦對上述結構設計的磁控管是否可滿足加工需要進行直接驗證。如圖3所示，應用本發明提供的磁控管所獲得的腐蝕曲線在靶材徑向方向分佈更加均勻，因此可知，本發明提供的磁控管能夠使靶材徑向方向獲得更加均勻的腐蝕，從而有效提高靶材的利用率(經電腦模擬計算，本實施例中的靶材利用率約為71%)，同時有效提高加工結果的均勻性。

請參閱圖4，為本發明所提供磁控管另一個具體實施例所形成的靶材腐蝕曲線圖。本實施例中的磁控管是在上述圖2所示磁控管的結構基礎上對磁場軌道的寬度變化趨勢進行調整後所得到的磁控管。本實施例中的磁控管的整體結構與圖2基本一致，僅對相應位置處的間隙寬度進行了微調。具體調整原理為：將靶材上腐蝕深度較淺的區域所對應的磁控管上的間隙寬度適當增加；及/或，將靶材上腐蝕深度較深的區域所對應磁控管上的間隙寬度適當減小。相比圖3中的曲線，圖4所示的利用調整後的磁控管所獲得的靶材腐蝕曲線更加均勻，從而可進一步提高靶材利用率及加工的均勻性。

請參閱圖6，為利用本發明提供的磁控管的製造方法所得到的另一種磁控管結構。根據本發明提供的磁控管的製造方法，本實施例中的磁控管的具體設計和製造過程與上述圖2所示磁控管的獲得過程基本相同，其區別在於：本實施例中，對稱軸上方部分的內磁極形狀與極座標方程式r=a×θⁿ 所描述的圖形相一致；而在圖2所示實施例中，對稱軸上方部分的內磁極形狀與極座標方程式r=a×θ所描述的圖形相一致。

通常，內磁極的極座標方程式為r=a×θⁿ +b，其中a和b的取值範圍由靶材尺寸決定，並且要求內磁極切過靶材中心，外磁極邊緣切過靶材邊緣，從而實現全靶腐蝕。下面舉例說明如何確定a和b的取值：假設靶材直徑為17.5英吋(inches)、內外磁極間距為1.65英吋(inches),對於極座標方程式r=a×θⁿ +b而言，當n=1時，其簡化為r=a×θ+b，因為在θ=0時要求磁控管內磁極中心點切過靶材中心，所以基於上述極座標方程式r=a×θ+b可以得到b=0；並且在θ=π時要求外磁極邊緣切過靶材邊緣，此時，r=17.5/2-1.65=7.1英吋(inches)，將r=7.1、θ=π以及b=0代入上述極座標方程式r=a×θ+b，可以得到a=2.26；由此可以確定在n=1、a=2.26以及b=0時，內磁極方程式即為r=2.26×θ。一般而言，在-2<n<2時，磁控管的形狀較為適合，並且n≠1時的極座標方程式中的常數a和b的數值確定方法類似於上面該的n=1時的確定方法。

至於磁場軌道在各個位置處的寬度及外磁極的形狀等參數的確定過程則與上述圖2所示實施例基本相同或類似，在此不予贅述。基於上述設計而得到的磁控管，其內磁極可切過靶材中心，外磁極邊緣可切過靶材邊緣，這樣即可實現全靶腐蝕。此外，本實施例中的磁控管在進行磁控濺鍍加工時的靶材腐蝕曲線同樣可以藉助電腦程式而類比獲得，該腐蝕曲線的具體形態如圖7所示。由圖7中可知，本實施例中的磁控管同樣能夠使靶材在徑向方向得到較為均勻的腐蝕，從而提高靶材利用率。

需要指出的是，上述實施例中該的磁控管的形狀僅僅是為了說明本發明提供的磁控管的結構及工作原理而採用的示範性方案，而本發明並不侷限於此，例如上述內磁極乃至磁場軌道的具體形狀並不限於上述各實施例中該的軸對稱的形狀，其還可以採用非軸對稱的形狀；並且，對於內磁極的形狀方程式可以任意選取，例如還可以採用極座標方程式r=a×θⁿ +b×(cosθ)m+c×(tanθ)k+d(其中，-2<n<2、-2<m<2、-2<k<2、a,b,c,d均為常數，a,b,c,d取值由n,m,k值決定，使得內磁極切過靶材中心，外磁極切過靶材邊緣，保證全靶腐蝕)等；當然，只要所選形狀的內磁極所獲得磁場軌道及外磁極的形狀能夠符合本發明的原理及實質即應被視為本發明的保護範圍。

綜上所述，本發明提供的磁控管通過選取一定形狀的內磁極，並在內磁極形狀的基礎上，根據靶材不同位置處的磁場掃描均勻性要求進一步地確定磁場軌道在不同位置處的寬度，以及最終確定外磁極的形狀參數。依此而獲得的磁控管在用於濺鍍加工中時，能夠使靶材表面獲得均勻的腐蝕效果，從而提高靶材利用率及濺鍍加工的均勻性。

作為另一種技術方案，本發明還提供一種物理沈積室，該物理沈積室的上方設置有靶材，在靶材上方還設置有本發明所提供的上述磁控管，用以在磁控濺鍍加工中為靶材提供均勻的磁場掃描，從而使靶材表面任一單位面積所獲得的磁場掃描強度大致相等，進而實現對靶材的均勻腐蝕，最終提高靶材的有效利用率和濺鍍加工的均勻性。

可以理解的是，以上實施方式僅僅是為了說明本發明的原理而採用的示例性實施方式，然而本發明並不侷限於此。對於所屬技術領域具有通常知識者而言，在不脫離本發明的精神和實質的情況下，可以做出各種變型和改進，這些變型和改進也將視為本發明的保護範圍。

1．．．外磁極

2．．．內磁極

3．．．磁場軌道

4．．．通孔

5．．．通孔

圖1為一種典型的磁控濺鍍設備的結構原理圖。

圖2為本發明所提供磁控管一個具體實施例的結構示意圖。

圖3為應用圖2所示磁控管進行磁控濺鍍加工時所形成的靶材腐蝕曲線。

圖4為本發明提供的磁控管另一個實施例所形成的靶材腐蝕曲線圖。

圖5為本發明所提供磁控管製造方法的流程圖。

圖6為利用本發明所提供磁控管製造方法所得到的另一種磁控管的結構示意圖。

圖7為圖6所示磁控管進行磁控濺鍍加工時所形成的靶材腐蝕曲線圖。

1．．．外磁極

2．．．內磁極

3．．．磁場軌道

4．．．通孔

5．．．通孔

Claims (14)

1. 一種磁控管，用於在磁控濺鍍加工中對靶材進行磁場掃描，其包括可繞一靶材中心軸旋轉且極性方向相反的一內磁極和一外磁極，其中，該內磁極設置於該外磁極的內部，在該內、外磁極之間形成閉合曲線形的磁場軌道，由該中心軸發射出去的任一角度的半徑與該磁場軌道具有且僅有一次相交，該內磁極經過該中心軸，且該磁場軌道上不同位置處的寬度隨著該位置與該中心軸的距離不同而逐漸變化；該磁控管繞該中心軸旋轉過程中，該磁場軌道使該靶材表面任一單位面積所獲得的磁場掃描強度大致相等。
2. 如請求項1所述的磁控管，該磁場軌道使該靶材表面任一徑向上的單位面積所獲得的磁場掃描強度大致相等。
3. 如請求項1所述的磁控管，該磁場軌道使該靶材表面任一周向上的單位面積所獲得的磁場掃描強度大致相等。
4. 如請求項1所述的磁控管，該磁場軌道的寬度具有至少一次逐漸增大或逐漸減小的變化。
5. 如請求項1所述的磁控管，該磁場軌道上具有至少一個最遠點，該最遠點至該中心軸的距離與該靶材的半徑大致相等。
6. 如請求項5所述的磁控管，該磁場軌道為軸對稱圖形，且該磁場軌道的對稱軸同時經過該最遠點和該中心軸。
7. 如請求項5所述的磁控管，該磁場軌道為非軸對稱圖形。
8. 如請求項5所述的磁控管，該磁控管繞該中心軸旋轉過程中，該磁場軌道對該靶材的任一半徑進行往復式掃描。
9. 如請求項1至8中任一項所述的磁控管，該內磁極包括內磁極靴和設置在該內磁極靴上的多個內磁體，相應的，該外磁極包括外磁極靴和設置在該外磁極靴上的多個外磁體。
10. 一種磁控管的製造方法，用於加工請求項1至9中任一項所述的磁控管，該方法至少包括下述步驟：(1)選定該內磁極的形狀；(2)根據該內磁極的形狀及該磁場軌道在不同靶材半徑處的磁場掃描強度，確定該磁場軌道對應於不同靶材半徑處的寬度，以使該靶材表面任一單位面積所獲得的磁場掃描強度大致相等；(3)根據步驟(1)和(2)中所確定的內磁極的形狀及磁場軌道上各個位置處的寬度確定該外磁極的形狀，然後加以製造。
11. 如請求項10所述的方法，在該步驟(1)中，選定該內磁極為軸對稱形狀，並使對稱軸一側的內磁極形狀與極座標方程式r=a×θ所描述的圖形相一致，使對稱軸另一側的內磁極形狀與極座標方程式r=a×θ所描述的圖形相對於對稱軸對稱；其中，θ的取值範圍為0~π，a為常數。
12. 如請求項10所述的方法，在該步驟(1)中，選定 該內磁極為軸對稱形狀，並使對稱軸一側的內磁極形狀與極座標方程式r=a×θⁿ 所描述的圖形相一致，使對稱軸另一側的內磁極形狀與極座標方程式r=a×θⁿ 所描述的圖形相對於對稱軸對稱；其中，θ的取值範圍為0~π，a和n均為常數。
13. 如請求項10所述的方法，在該步驟(2)中，利用電腦比計算出磁場軌道各個位置處的寬度值。
14. 一種物理沈積室，包括靶材，還包括請求項1至9中任一項所述的磁控管，用以使靶材表面任一單位面積所獲得的磁場掃描強度大致相等。