TWI467041B - 在靶材上同時使用射頻和直流功率的超均勻濺射沈積法 - Google Patents

在靶材上同時使用射頻和直流功率的超均勻濺射沈積法 Download PDF

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Description

在靶材上同時使用射頻和直流功率的超均勻濺射沈積法
本發明係關於在靶材上同時使用射頻(RF)和直流(DC)功率的超均勻濺射沈積法。
超大型積體電路的製造涉及利用物理氣相沉積(PVD)之金屬膜沉積。典型地，靶材係被提供成由在工件或半導體晶圓上待沉積成為薄膜所構成的材料。此材料可以是諸如銅、鈦、鉭或其他金屬、金屬氧化物、金屬氮化物。例如，在一製程中，氮化鈦是被沉積在一薄膜結構上，其中該薄膜結構包括一位在源極-汲極通道上方之非常薄的HfO2 閘極氧化物層。這樣的製程必須在橫越整個工件或晶圓上達到高均勻的沉積膜厚度分佈。目前，PVD製程是倚賴短的靶材晶圓間隔(通常小於100mm)或晶圓背側偏壓來達到良好的均勻性。然而，許多製程，特別是用於前端應用的製程，需要在沉積期間不會引發電漿損壞。短靶材晶圓間隔和晶圓偏壓皆會在晶圓上造成電漿損壞。當靶材晶圓間隔大於110mm且晶圓偏壓為零瓦時，PVD製程可以在在橫越300mm直徑晶圓上達到所沉積膜厚度的均勻性，其中膜厚度的標準差為約6%。隨著特徵尺寸或關鍵尺寸減小到32nm和以下，膜厚度均勻性需求顯得更為迫切且可接受之膜厚度的標準差降低到1%。目前的PVD製程無法在可靠的基礎下獲得這樣高程度的均勻性。
傳統的PVD反應器包括一真空腔室、一位在反應腔室室頂處的濺射靶材(銅、鈦、鉭或其他希望的金屬)、一位在室頂下方且面對室頂之用於固持住工件(例如半導體晶圓)的支撐載座、一耦接到靶材之高電壓直流功率供應器、以及一用於將載氣(例如氬)引入到反應器腔室內的氣體注射設備。靶材上的直流電壓足以將載氣離子化，以在濺射靶材附近產生一電漿。一由旋轉磁鐵構成的磁性物組件係設置在室頂與濺射靶材上方，並且建立將電漿限制在靶材附近以形成靶材之電漿濺射的足夠高磁場。從靶材濺射的材料可以包括靶材物種的中性原子和離子，並且一部分的濺射材料會沉積在工件上成為薄膜。在一些情況中，直流或射頻偏壓功率可以耦接到工件以吸引從靶材濺射的離子。
靶材係在由磁性物覆蓋住的區域中腐蝕。在沉積期間，磁性物係以圓形或行星運動方式移動橫越室頂，以分佈靶材腐蝕且分佈工件上的沉積。然而，工件上的沉積速率分佈係傾向於在工件中心處是高的且在邊緣處是低的，限制了均勻性，因而最小的沉積膜厚度的標準差超過5%。
本發明提供一種一種在一腔室中於一工件上執行電漿增強物理氣相沉積的方法。提供一濺射靶材，該靶材包含欲被沉積在該工件上之材料或材料的前驅物。支撐該工件在該腔室中使其面對該濺射靶材。提供一磁鐵於該靶材上方。該方法包括將一載氣引入到該腔室中，以及施加射頻功率與直流功率到該靶材以在靠近該靶材處產生一電漿，並在該工件上形成來自該靶材的相應材料沉積。該沉積在該工件上具有一沉積速率徑向分佈。該方法更包括執行下述其一：
a.藉由增加射頻功率的功率位準相對於直流功率的功率位準以第一修正下述其一：(a)中心高非均勻性的徑向分佈；或(b)邊緣高非均勻性的徑向分佈；
b.藉由增加直流功率的功率位準相對於射頻功率的功率位準以第二修正下述其一：(a)中心高非均勻性的徑向分佈；或(b)邊緣高非均勻性的徑向分佈。
在一實施例中，前述各個射頻或直流功率位準調整係執行直到將非均勻性的徑向分佈已經至少幾乎最小化才停止。在一實施例中，藉由調整磁鐵在靶材上方的高度來調整磁場線(靶材被浸在其中)的陡峭度，以達到徑向分佈均勻性的進一步最佳化。在另一實施例中，藉由調整磁鐵在靶材上方環行之軌道運動的半徑，以達到徑向分佈均勻性的進一步最佳化。在又一實施例中，藉由將靶材的邊緣表面相對於靶材的平坦中心表面形成銳角，以減少中心高非均勻性的徑向分佈。
現參照第1圖，一用於執行PEPVD製程的反應器包括一由圓柱形側壁102包圍住的真空腔室100、一室頂104以及一室底106。一工件支撐載座108係被支撐在腔室室底106上方，用以固持住面對室頂104的工件或晶圓110。一氣體分佈環112具有多個氣體注射孔114，該些氣體注射孔114係延伸穿過側壁102且藉由一製程氣體供應器116經由一流量控制閥118來供應。一真空泵120經由一壓力控制閥122來淨空(evacuate)腔室100。一濺射靶材124被支撐在室頂104處。一直流功率源126經由一射頻阻隔濾器128耦接到靶材124。一射頻功率產生器130也經由一射頻阻抗匹配131耦接到濺射靶材124。一製程控制器132直流功率源126和射頻功率產生器130的輸出功率位準。一設置在室頂104上方的磁性物134係對準在濺射靶材上方。一包括中心轉軸138與行星轉軸140的旋轉致動器136係促進(可選擇地)磁性物134在室頂上方的兩軸旋轉，因此其執行一特徵為軌道半徑的連續軌道運動。製程控制器132可以控制反應器的所有方面，包括直流和射頻功率源126、130的輸出功率位準、製程氣體供應器116、氣體流量閥118、真空泵壓力控制閥122、以及磁性物旋轉致動器136。
第2A圖係繪示旋轉磁性物134相對於靶材124的瞬間位置，而第2B圖係繪示當僅施加直流功率到靶材124時所獲得之相應瞬間薄膜沉積厚度(或等效的速率)徑向分佈。在180度旋轉後，另一瞬間磁性物位置係繪示在第2A圖的虛線。第2C圖係繪示在磁性物旋轉數次之形成的平均薄膜分佈。由於瞬間分佈的非均勻性(第2B圖)，形成的平均薄膜分佈(第2C圖)是中心高的。典型地，中心高的非均勻性係表示分佈的標準差為至少5%或6%或更大。
第3圖係繪示(實線)當僅施加射頻功率到濺射靶材124時所獲得之膜沉積厚度徑向分佈。第3圖實線之施加射頻功率的膜分佈與第2C圖之施加直流功率的膜分佈是互補的。為了清晰起見，第2C圖之施加直流功率的膜分佈重新繪製成在第3圖的點線。第3圖顯示吾人觀察到的是可以施加射頻與直流功率兩者到靶材124，並且藉由控制器132對直流與射頻輸出功率位準的適當調整，施加直流與射頻功率之膜分佈的加成(第3圖虛線)是高均勻性的，因此施加直流與射頻功率兩者到靶材可以形成均勻的膜厚度分佈。吾人已觀察到的是，結合之分佈的標準差可能是1%或更小，其改善了均勻性五倍或六倍。在一實施例中，同時施加射頻與直流功率到靶材124。在另一實施例中，在交替間隔期間施加射頻功率，並且在剩餘的時間間隔期間施加直流功率。控制器132調整射頻與直流輸出功率位準，以將形成的膜厚度徑向分佈均勻性予以最大化。
第4A圖係繪示第1圖磁性物之第一磁性配置，其中一北極與一繞著北極的環狀南極係提供圓形對稱性。第4B圖係繪示利用第4A圖磁性物當僅施加射頻功率(實線)和僅施加直流功率(虛線)到靶材124時在工件上所獲得之所沉積膜厚度徑向分佈。
第5A圖係繪示第1圖磁性物之第二磁性配置，其中一連串北極係沿著腎臟形狀界限的半部來提供，並且一連串南極係沿著腎臟形狀界限的另一半部來提供。第5B圖係繪示利用第5A圖磁性物當(a)僅施加射頻功率(實線)和(b)僅施加直流功率(虛線)到靶材124時在工件上所獲得之所沉積膜厚度徑向分佈。比較第4B圖與第5B圖，可以發現，當交換(第4A圖與第5A圖的)此兩磁鐵設計時，射頻與直流功率獲得之結果係反轉。
參照第6圖，磁性物旋轉致動器136可以額外地包括一升降致動器150，升降致動器150可以調整磁性物134在室頂104與濺射靶材124上方的高度。如第7A圖所示，磁性物134可以是第4A圖繪示的圓形對稱形式。當磁性物134位在第6圖繪示的實線位置時(即靠近靶材124時)，靶材124係被浸在最靠近磁性物134的淺磁場線中。結果是離子速度的角度分佈是寬廣的，如第7B圖所示。相應瞬間薄膜分佈速率係被繪示在第7C圖，並且具有相當寬廣的分佈。在磁性物134旋轉數次之形成的平均分佈係被繪示在第7D圖，並且具有中心高的薄膜分佈。
參照第8A圖，當磁性物134位在第6圖的虛線位置時(即相當遠離靶材124時)，靶材124係被浸在最遠離磁性物134的陡垂直磁場線中。結果是離子速度的角度分佈是狹窄的，繞著垂直線置中，如第8B圖所示。相應瞬間薄膜分佈速率係被繪示在第8C圖，並且具有狹窄的分佈。在磁性物134旋轉數次之形成的平均分佈係被繪示在第8D圖，並且具有清楚的中心低的薄膜分佈。根據一進一步實施例，控制器132係控制磁性物升降致動器150並可改變磁性物高度，藉此將薄膜分佈調整到介於第7D圖中心高分佈與第8D圖中心低分佈之間的最佳均勻性。
參照第9A圖，第1圖之磁性物組件可以進一步包括一徑向位置致動器160，徑向位置致動器160可以在控制器132的控制下改變磁性物134的徑向位置，其決定了靶材124之連續環行運動的軌道半徑。在此配置，膜沉積分佈(在磁性物134旋轉數次的平均值)是中心高的，並且被繪示在第9B圖。在第10A圖中，徑向位置被設定成大半徑以用於大軌道半徑的靶材環行運動。在此配置，膜沉積分佈(在磁性物134旋轉數次的平均值)是中心低的，並且被繪示在第10B圖。根據一實施例，控制器132係藉由使用徑向位置致動器160改變磁性物134之徑向位置(或環行運動的軌道半徑)來調整所沉積膜厚度的徑向分佈。例如，控制器可以藉由調整磁性物在較大和較小徑向位置處耗費的相對時間量來調整分佈形狀。此結果對應於第9B與10B圖的徑向分佈的加成，其可以是第10B圖之虛線的相當平(均勻)分佈。
第11A圖係繪示如何將第1圖之濺射靶材124塑形以減少工件上膜沉積分佈是中心高的傾向。在第1圖之實施例中，濺射靶材124具有窄的側面125，側面125垂直於靶材124的平坦面127。平坦面127大致上平行於工件110。在第1圖中，所有的(或幾乎所有的)被濺射材料係從靶材平坦面127放射，並且因此具有圍繞著垂直方向置中的角度分佈。第11A圖之經變更的靶材224可藉由引導從靶材邊緣濺射的材料遠離工件中心，以減少被濺射材料到工件中心的流量，而增加被濺射材料到工件邊緣的流量。在第11A圖之實施例中，濺射靶材224具有一圍繞平坦面226的側面225。可選地，靶材224進一步包括一圍繞側面225的環狀平台227。側面225係被定向(傾斜)成相對於靶材平坦面226呈一角度“A”。傾斜的側面225具有一內圓形邊緣225a(其碰觸靶材平坦面226的圓周)與一外圓形邊緣225b(其接合平台227)。儘管角度A可以是任何適當範圍內(例如5°到50°，或3°到70°)的角度，角度A在一實施例中為15°。
從靶材濺射的材料傾向於以大致上垂直於靶材表面的方向來放射。例如，從第1圖之簡單平靶材124濺射的材料傾向於具有圍繞著垂直(軸向)方向置中的速度輪廓。在第11A圖之塑形靶材224中，從平坦面226濺射的材料傾向於具有圍繞著垂直方向置中的速度輪廓。然而，從傾斜側面225濺射的材料傾向於具有圍繞著垂直於傾斜側面225之方向(即與角度A呈90°)置中的速度輪廓。此方向係朝向工件110的圓周。因此，從傾斜側面225濺射的材料係貢獻在工件圓周處的薄膜沉積，藉此增加工件邊緣處的膜沉積。這可減少膜沉積分佈具有中心高非均勻性的傾向。可以藉由選擇傾斜側面225的角度A來控制中心高膜分佈非均勻性被降低的程度。
第11B圖係相應於第11A圖的圖，其比較以第11A圖之塑形靶材224所獲得之薄膜沉積厚度分佈(第11B圖的實線)與以傳統平靶材(例如第1圖之靶材124)所獲得之分佈。傳統靶材係產生非均勻(中心高)的分佈，而塑形靶材224係產生較多邊緣高且較少中心高之改善的分佈。
平台227的厚度t係足以使得平台227在靶材224的壽命期間不會被濺射完全地腐蝕。在下述說明，特定實施例僅被提供作為範例，並且實施例不被受限在下述尺寸或不被限制在下述範圍。平台厚度t可以位在例如0.25吋至1吋的適當範圍內。在一實施例中，厚度t為約0.3吋。平坦面226區域中的靶材厚度T可以位在約0.5吋至1.5吋的適當範圍內。在一實施例中，靶材厚度T為0.77吋。對於工件直徑為約12吋(300mm)，傾斜面225之內緣225a的直徑可以位在約9吋至12吋的適當範圍內。在一實施例中，傾斜面225之內緣225a的直徑為約11吋。傾斜面225之外緣225b的直徑可以位在約12吋至15吋的適當範圍內。在一實施例中，傾斜面225之外緣225b的直徑為約14吋。平台227之外緣227a的直徑可以位在約10吋至25吋的適當範圍內。在一實施例中，外緣227a的直徑位在約17吋至18吋的適當範圍內。
第1-3圖係涉及一第一實施例，其中控制器132是藉由調整施加到靶材124之射頻與直流功率的相對量來調整薄膜沉積分佈。第6-8圖係涉及一第二實施例，其中控制器132是藉由調整磁性物134在靶材124上方的高度來調整薄膜沉積分佈。第9-10圖係涉及一第三實施例，其中控制器132是藉由調整磁性物134的徑向位置來調整薄膜沉積分佈。第11A-11B圖係涉及一第四實施例，其中濺射靶材的圓周部分是傾斜或具有角度的，以促進靠近工件之圓周處的材料沉積。這四個實施例的任一實施例或所有實施例可以被結合在單一反應器中。例如，在一組合中，控制器132係控制(a)施加到靶材(第1-3圖)之射頻與直流功率的比例；以及下述兩者或任一者：(b)磁性物134距離靶材的距離(第6-8圖)和(c)磁性物的徑向位置(第9-10圖)。控制器132可以同時地或在不同時間點進行前述調整之任一者或全部，以將沉積速率(或所沉積膜厚度)徑向分佈的均勻性最佳化。在另一組合中，控制器132可以進行前述調整之任一者或全部，並且反應器被提供有第11A圖所繪示類型的塑形靶材。
第12圖係繪示根據前述實施例之一方法。此方法包括將一載氣引入到第1圖之腔室100內(第12圖的方塊310)，並且施加射頻功率與直流功率到靶材124(第12圖的方塊312)，以在靠近靶材124處產生一電漿(第1圖)且在工件110上形成來自靶材124的相應材料沉積。在一實施例中，電漿分佈的徑向非均勻性是藉由增加射頻功率的功率位準相對於直流功率的功率位準來修正(第12圖的方塊314)。此非均勻性可能是：(a)中心高非均勻性的徑向分佈(第12圖的方塊314-1)；或(b)邊緣高非均勻性的徑向分佈(第12圖的方塊314-2)。在一第二實施例中，電漿分佈的徑向非均勻性是藉由增加直流功率的功率位準相對於射頻功率的功率位準來修正(第12圖的方塊320)。此非均勻性可能是：(a)中心高非均勻性的徑向分佈(第12圖的方塊320-1)；或(b)邊緣高非均勻性的徑向分佈(第12圖的方塊320-2)。
在使用第6圖繪示之設備的一實施例中，藉由調整磁鐵在靶材上方的高度來調整磁場線(靶材被浸在其中)的陡峭度，以達到電漿徑向分佈均勻性的進一步最佳化(第12圖的方塊330)。在使用第9A與10A圖繪示之設備的另一實施例中，藉由調整磁鐵在靶材上方環行之軌道運動的半徑，以達到電漿徑向分佈均勻性的進一步最佳化(第12圖的方塊332)。在第11A圖繪示之又一實施例中，藉由將靶材124的邊緣表面225相對於靶材的平坦中心表面形成銳角，以減少中心高非均勻性的徑向分佈(第12圖的方塊334)。
儘管前述說明是著重在本發明的實施例，可以在不脫離本發明的基本範圍下設想出本發明的其他與進一步實施例，並且本發明範圍是由隨附申請專利範圍來決定。
100．．．真空腔室
102．．．側壁
104．．．室頂
106．．．室底
108．．．載座
110．．．工件
112．．．氣體分佈環
114．．．氣體注射孔
116．．．製程氣體供應器
118．．．流量控制閥
120．．．真空泵
122．．．壓力控制閥
124．．．靶材
125．．．側面
126．．．直流功率源
127．．．平坦面
128．．．射頻阻隔濾器
130．．．射頻功率產生器
131．．．射頻阻抗匹配
132．．．製程控制器
134．．．磁性物
136．．．旋轉致動器
138．．．中心轉軸
140．．．行星轉軸
150．．．升降致動器
160．．．徑向位置致動器
224．．．靶材
225．．．側面
225a．．．內圓形邊緣
225b．．．外圓形邊緣
226．．．平坦面
227．．．平台
227a．．．外緣
310-334．．．步驟
本發明之示範性實施例、詳細說明可以藉由參照實施例來詳細地瞭解，其中一些實施例係繪示在附圖中。然而，值得注意的是本文並未討論特定已知的製程，以為了避免使本發明模糊化。
第1圖係為一可用於實施特定實施例之方法的電漿增強物理氣相沉積反應器的簡化方塊圖。
第2A圖係繪示在第1圖之反應器中磁性物相對於靶材的不同位置。
第2B圖係一相應於第2A圖的圖，其係繪示在僅施加直流功率到第1圖反應器之濺射靶材的期間之薄膜沉積厚度徑向分佈。
第2C圖係一相應於第2A圖的圖，其係繪示在僅施加射頻功率到第1圖反應器之濺射靶材的期間之薄膜沉積厚度徑向分佈。
第3圖係一圖，其係繪示根據一第一實施例之在施加射頻與直流功率兩者到濺射靶材的期間所形成的薄膜沉積厚度徑向分佈。
第4A圖係繪示用於第1圖反應器中之一第一磁性物結構。
第4B圖係一圖，其係繪示利用第4A圖磁性物(A)當僅施加射頻功率到靶材時和(B)當僅施加直流功率到靶材時所獲得之膜厚度徑向分佈。
第5A圖係繪示用於第1圖反應器中之一第二磁性物結構。
第5B圖係一圖，其係繪示利用第5A圖磁性物(A)當僅施加射頻功率到靶材時和(B)當僅施加直流功率到靶材時所獲得之膜厚度徑向分佈。
第6圖係繪示根據一第二實施例之第1圖反應器之磁性物組件的變更，其中控制器可以改變磁性物在室頂上方的高度。
第7A圖係繪示濺射靶材與磁性物靠近靶材時之磁場線之間的關係。
第7B圖係一圖，其係繪示相應於第7A圖之靠近靶材處離子速度的角度分佈。
第7C圖係繪示相應於第7A圖之瞬間薄膜沉積徑向分佈。
第7D圖係繪示相應於第7A圖之在磁性物旋轉數次之形成的平均薄膜沉積徑向分佈。
第8A圖係繪示濺射靶材與磁性物遠離靶材時之磁場線之間的關係。
第8B圖係一圖，其係繪示相應於第8A圖之靠近靶材處離子速度的角度分佈。
第8C圖係繪示相應於第8A圖之瞬間薄膜沉積徑向分佈。
第8D圖係繪示相應於第8A圖之在磁性物旋轉數次之形成的平均薄膜沉積徑向分佈。
第9A圖係繪示根據一進一步實施例之第1圖反應器的變更，其中磁性物的徑向位置已經由控制器設定在小半徑處。
第9B圖係一圖，其係繪示第9A圖之小半徑設定所形成的中心高的膜厚度徑向分佈。
第10A圖係繪示第1圖反應器的變更，其中磁性物的徑向位置已經由控制器設定在大半徑處。
第10B圖係一圖，其係繪示第10A圖之大半徑設定所形成的中心低的膜厚度徑向分佈，並又以虛線來繪示藉由將第9A圖與第10A圖之不同模式予以時間平均化所形成的分佈。
第11A圖係為一可用作為第1圖反應器中濺射靶材之濺射靶材的剖面圖，第11圖的濺射靶材係特別地被塑形以改善第1圖反應器中的薄膜沉積均勻性。
第11B圖係比較以第11A圖之塑形靶材所獲得之膜沉積徑向分佈(實線)與以傳統濺射靶材所獲得之分佈(虛線)。
第12圖係為繪示根據一實施例之方法的方塊圖。
為了促進瞭解，倘若可行，則在圖式中使用相同的元件符號來指稱相同的元件。應知悉，一實施例中揭示的元件可以有益地被用在其他實施例中，而不需贅述。然而，應瞭解，附圖僅繪示出本發明的示範性實施例，並且不會被視為本發明範圍的限制，本發明允許其他等效實施例。
100．．．真空腔室
102．．．側壁
104．．．室頂
106．．．室底
108．．．載座
110．．．工件
112．．．氣體分佈環
114．．．氣體注射孔
116．．．製程氣體供應器
118．．．流量控制閥
120．．．真空泵
122．．．壓力控制閥
124．．．靶材
125．．．側面
126．．．直流功率源
127．．．平坦面
128．．．射頻阻隔濾器
130．．．射頻功率產生器
131．．．射頻阻抗匹配
132．．．製程控制器
134．．．磁性物
136．．．旋轉致動器
138．．．中心轉軸
140．．．行星轉軸

Claims (15)

  1. 一種在一腔室中於一工件上執行電漿增強物理氣相沉積的方法，包含下述步驟：提供一濺射靶材在靠近該腔室之一室頂處，該靶材包含欲被沉積在該工件上之材料或材料的前驅物；支撐該工件在該腔室中使該工件面對該濺射靶材；將一載氣引入到該腔室中；提供一磁鐵於該靶材上方；施加射頻功率到該靶材與施加直流功率到該靶材以在靠近該靶材處產生一電漿，並在該工件上形成來自該靶材的相應材料沉積，該沉積在該工件上具有一沉積速率徑向分佈，其中該徑向分佈具有一非均勻性，該非均勻性為中心高非均勻性或是邊緣高非均勻性之一者；(A)若該非均勻性為中心高非均勻性或邊緣高非均勻性之一者，藉由增加射頻功率的功率位準相對於直流功率的功率位準來降低該非均勻性；(B)若該非均勻性為中心高非均勻性或邊緣高非均勻性之另一者，藉由增加直流功率的功率位準相對於射頻功率的功率位準來降低該非均勻性。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該增加射頻功率的功率位準相對於直流功率的功率位準的步驟係 執行直到將非均勻性的徑向分佈至少幾乎最小化才停止。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該增加直流功率的功率位準相對於射頻功率的功率位準的步驟係執行直到將非均勻性的徑向分佈至少幾乎最小化才停止。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之方法，更包含藉由調整該磁鐵與該靶材之間距離來控制徑向分佈。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之方法，其中該調整的步驟包含藉由減少該磁鐵與該靶材之間距離來減少中心高非均勻性的徑向分佈。
  6. 如申請專利範圍第4項所述之方法，其中該調整的步驟包含藉由增加該磁鐵與該靶材之間距離來減少邊緣高非均勻性的徑向分佈。
  7. 如申請專利範圍第4項所述之方法，其中該磁鐵位在該腔室外且該室頂上方，及其中該調整的步驟包含相對於該室頂升高和降低該磁鐵。
  8. 如申請專利範圍第4項所述之方法，其中該調整的步 驟包含藉由增加該靶材在該磁鐵的磁場線中的浸沒來減少中心高非均勻性的徑向分佈，並且該磁鐵的磁場線具有相對於一對稱軸的淺軌線。
  9. 如申請專利範圍第4項所述之方法，其中該調整的步驟包含藉由增加該靶材在該磁鐵的磁場線中的浸沒來減少邊緣高非均勻性的徑向分佈，並且該磁鐵的磁場線具有相對於一對稱軸的陡軌線。
  10. 如申請專利範圍第1項所述之方法，更包含：將該磁鐵以由一軌道半徑界定的軌道運動連續地環行在一平面中，其中該平面位在該磁鐵上方且大致上平行於該工件。
  11. 如申請專利範圍第10項所述之方法，更包含藉由增加該磁鐵之該軌道運動的該軌道半徑來減少中心高非均勻性的徑向分佈。
  12. 如申請專利範圍第10項所述之方法，更包含藉由減少該磁鐵之該軌道運動的該軌道半徑來減少邊緣高非均勻性的徑向分佈。
  13. 如申請專利範圍第1項所述之方法，更包含提供實心塊體(solid piece)的該靶材，該靶材包含：(a)一中心表 面，該中心表面平行於且面對該工件；以及(b)一邊緣表面，該邊緣表面橫向地環繞該中心表面，該方法更包含藉由將該邊緣表面定向成相對於該中心表面呈一小於90°的角度來減少中心高非均勻性的徑向分佈，該邊緣表面係徑向向外面對。
  14. 如申請專利範圍第13項所述之方法，其中該定向的步驟包含將該邊緣表面定向成呈3°至70°的角度。
  15. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該施加的步驟包含：(a)同時地；(b)交替地之其一來施加射頻功率與直流功率到該靶材。
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