CN101877300B - 溅射磁控管装置 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种溅射磁控管装置，其包括定位基座、导磁体、固定轴和磁体组件，其中：所述的磁体组件包括端部磁体阵列、延目标体轴向平行设置的中间磁体阵列和两侧磁体阵列，所述的导磁体包括中部导磁体和端部导磁体，所述的中间磁体阵列和两侧磁体阵列与中部导磁体之间设置有可旋转或沿中部导磁体滑动的导磁片，所述的端部磁体阵列设置于端部导磁体上并与中间磁体阵列和两侧磁体阵列形成封闭磁场；该装置通过导磁片来调节两侧磁体阵列与中间磁体阵列相隔的间距以及夹角，可有效改善目标体表面的磁场分布，即能够实现根据溅射工艺需求目标体表面磁场分布的实施方式，并且使得调整磁场分布的过程变得简单有效。

Description

溅射磁控管装置

技术领域

本发明涉及真空溅射镀膜领域，特别是涉及一种可调磁场分布的溅射磁控管装置。 

背景技术

磁控溅射装置按照目标体的类型分成为平面磁控溅射装置和圆柱形磁控溅射装置，其中平面型的磁控溅射装置由于提供磁场的磁体[包括永磁体和电磁体]相对于目标体通常为静止的，这样磁场在目标体表面的分布相对位置不变。我们知道磁场的分布就决定了电子的浓度分布，进一步的影响到等离子体浓度的分布，我们通常认为等离子体浓度就直接的影响到目标体表面的刻蚀强度。这样，我们就容易得到目标体表面某处的磁感应强度越强某处溅射就会越强烈造成刻蚀轨迹深度越深。这样的结果使得目标体表面形成刻蚀沟槽造成目标体过快的被刻蚀穿透。当然，我们必须在原目标体被刻蚀穿透之前更换为新的目标体，这会使得生产的成本增加和效率大大下降。行业内，对于这种形式的平面溅射装置，目标体的利用率[被溅射刻蚀掉的目标体质量与未进行刻蚀前目标体质量的比值]在25％左右。当然，有相应的技术资料和专利例如：EP082088A2以及US0173455A1有交待过产生磁场的磁体相对于目标体作往复的移动或者旋转运动来达到提高目标体利用率的目的。还有CN1861836A的专利中公开了一种采用第一磁体和第二磁体的有效组合和移动方式来实现目标体大范围的刻蚀。专利号为US005458759A的专利公开了采用多组磁体组合在目标体表面形成多个刻蚀回路的方式以达到目标体的大面积溅射。 

以上所介绍的技术和方法可以在一定的程度上提高目标体的利用率。但这对于我们大规模连续生产上来说还是不够的，并且为了实现上述的方案往往使 得结构变得过于复杂。对于上述的一些问题采用圆柱形的磁控溅射装置可以得到较好的解决。 

我们熟知，圆柱形磁控溅射装置由于磁体构件与目标体不是相对静止的，在目标体上的溅射区域随着磁体构件与目标体的相对旋转运动而连续的改变，由此不会形成平面磁控溅射装置那样的刻蚀沟道，整个的目标体表面很光滑，有利于保证衬底上膜层的质量。对于圆柱形磁控溅射装置我们通常分成为磁体构件旋转目标体静止和目标体旋转磁体构件静止两种方式。 

对于CN1938813A中公开的设计是通过在两个极性方向相反[一个N极向外一个S极向外]的磁体排之间引入两个同样极性相反的辅助磁体排，并且与以前的两个磁体排在目标体长度方向上平行。这样就形成了“远磁场”和“近磁场”，其中“远磁场”延伸到衬底附近实现“非平衡”磁场的目的，“近磁场”用于约束目标体附近的电子形成稳定的等离子体。 

我们知道，圆柱形磁控溅射装置相对于平面磁控溅射装置而言其目标体的利用率有很大的提高，通常可以达到70％以上。然而就圆柱形磁控溅射装置而言其端部较快的刻蚀是影响它目标体利用率进一步提高的关键。我们的解释是由于电子在端部区域较磁场的直线段有较慢的漂移速度，造成该区域电子浓度较直线段高，从而就会有相对较高的等离子体浓度，出现端部较强的刻蚀。最终我们看到的结果是在两个端部会形成凹下的环形。关于上述的不良结果，相关的科研技术人员也提出了很多的改进方法。其中最简单的方式就是增加目标体端部的厚度使得直线段被刻蚀穿透时端部还没有被刻蚀穿透。还有就是在端部换成刻蚀溅射速率低的目标体，这样就会减弱端部的刻蚀。但最优化的是从问题的根源出发寻求解决的办法，也就是从优化端部的磁场设计来改善端部的刻蚀。 

在WO9954911A1中透露了通过在端部形成勺状或者椭圆形状的刻蚀跑道可以减弱目标体端部刻蚀的程度，以使得目标体的利用率提高，衬底膜层的均匀性也得到提升。在US005364518中透露了通过增加端部刻蚀面积从而降低目标体端部等离子体浓度来达到减弱端部刻蚀程度的目的。在WO9621750中透露了通过优化端部磁场将端部的刻蚀轨迹宽度减少并成三角形或者椭圆形等形状，这样在相同等离子浓度情况下由于刻蚀的面积减少使得目标体端部刻蚀减弱。 

在CN1537318A中透露了一种通过调节磁体构件与目标体表面相对位置高度来调节目标体表面磁场分布，从而改变圆柱形磁控溅射器的工作状态。但该专利公开的调节位置高度的方式显得有些复杂。它具有两个相互啮合的斜面，使其中一个锥面前后移动来达到另一个锥面上升或者下降的目的。 

对于圆柱形磁控溅射装置，磁场对于溅射沉积工艺过程而言是至关重要的，磁场的分布影响到目标体的溅射速率，影响到溅射电源的工作电压最终影响涉及到衬底上沉积膜层的质量。由于我们在用柱状磁控溅射装置进行镀膜工艺前，对于磁场分布的确切要求是不明确的，即使可以提前得到所需磁场的分布，但实际装配完成一套圆柱形磁控溅射装置后其磁场的分布与我们的预期状态是有一定差异的。 

发明内容

本发明的目的在于针对现有技术的不足，提供一种可调磁场分布的溅射磁控管装置，该装置能够根据溅射工艺需求目标体表面磁场分布的实施方式，并且使得调整磁场分布的过程变得简单有效。 

为实现本发明的上述目的，本发明是通过下列技术方案实现的： 

本发明提供一种溅射磁控管装置，所述的溅射磁控管包括定位基座、导磁体、固定轴和磁体组件，该磁体组件通过磁力设置于导磁体上，该导磁体通过固定轴固定于定位基座上，其中：所述的磁体组件包括端部磁体阵列、延目标体轴向平行设置的中间磁体阵列和两侧磁体阵列，所述的导磁体包括中部导磁体和端部导磁体，所述的中间磁体阵列和两侧磁体阵列与中部导磁体之间设置有可旋转或沿中部导磁体滑动的导磁片，所述的端部磁体阵列设置于端部导磁体上并与中间磁体阵列和两侧磁体阵列形成封闭磁场。 

本发明所述的定位基座上还设置有调节中部导磁体上下移动的调节定位装置，该调节定位装置与中部导磁体相抵制。 

所述的中部导磁体与定位基座之间还设置有支座，该支座的底面与调节定位装置相抵制，该支座与中部导磁体的侧面通过紧固螺钉结合。 

所述的中间磁体阵列、两侧磁体阵列和端部磁体阵列中任一个磁体阵列中所有单个磁体的磁极方向一致，两侧磁体阵列和端部磁体阵列的磁极方向与中间磁体整列的磁极方向相反。 

所述的端部磁体阵列中的磁体少于中间磁体阵列和两侧磁体阵列中任一个阵列的磁体数量，该端部磁体阵列呈不规则的层状结构排列。 

所述的端部磁体阵列的导磁体与中部导磁体分别开设有位置相对应的沉头孔和螺纹孔，并采用连接件通过所述的沉头孔和螺纹孔相互连接在一起 

所述的调节定位装置是在定位基座上开设螺纹孔，并通过螺钉穿过螺纹孔来调节中部导磁体的位移和定位。 

所述的中部导磁体的表面是平面、棱柱面或圆弧面，导磁片与中部导磁体相贴合的面与中部导磁体的形状相一致。 

所述的磁体组件采用钕铁硼或钐-钴材料制成，所述的磁体组件表面镀有导磁材料。 

所述的固定轴上还设置有定位销或紧固套。 

与现有技术相比，本发明提供一种溅射磁控管装置，该装置通过在中间磁体阵列和两侧磁体阵列与导磁体之间设置可旋转或沿导磁体滑动的导磁片，通过导磁片来调节两侧磁体阵列与中间磁体阵列相隔的间距以及夹角，可有效改善目标体表面的磁场分布，即能够实现根据溅射工艺需求目标体表面磁场分布的实施方式，并且使得调整磁场分布的过程变得简单有效。 

本发明进一步取得的技术效果是：本发明提供的溅射磁控管装置，其可在所述的定位基座上还设置有调节导磁体上下移动的调节定位装置，通过该调节装置来调整导磁体与目标体表面的距离，增强或者减弱目标体表面的磁感应强 度。 

附图说明

图1是本发明实施例垂直于目标体轴线的剖面结构示意图； 

图2是本发明实施例调整夹角后垂直于目标体轴线的剖面结构示意图； 

图3是本发明实施例的溅射磁控管的立体拆分示意图； 

图4是本发明实施例的溅射磁控管立体拆分图的局部放大图； 

图5是本发明实施例导磁体一端开设有与端部导磁体对应孔的立体结构示意图； 

图6是本发明实施例导磁片的端部具有小凸台的立体结构示意图； 

图7是本发明实施例端部导磁体开设有孔的立体结构示意图； 

图8是本发明实施例溅射磁控管中磁体组件未进行调节时的磁场分布模拟示意图； 

图9是本发明实施例对磁体组件中的两侧磁体阵列与中间磁体阵列的夹角减小后的磁场分布模拟示意图； 

图10是本发明的实施磁体组件在没有调整时的立体结构示意图； 

图11是本发明的实施磁体组件在将导磁体的高度调整h后的立体结构示意图； 

图12是本发明的实施磁体组件在将导磁体的高度调整h后垂直于目标体轴线的剖面结构示意图； 

图13是本发明实施例的中间磁体阵列与两侧磁体阵列的夹角调整到α后的立体结构示意图； 

图14是本发明的实施磁体组件在将导磁体的高度调整h和中间磁体阵列与两侧磁体阵列的夹角调整到α后立体结构示意图； 

图15是本发明的实施磁体组件在将导磁体的高度调整h和中间磁体阵列与两侧磁体阵列的夹角调整到α后垂直于目标体轴线的剖面结构示意图； 

图16是本发明实施例的固定轴上具有定位销的立体结构局部放大示意图； 

图17和图18是本发明实施例应用于中频磁控溅射装置时两个磁体组件所成角度与衬底关系示意图； 

图19是本发明实施例的导磁体为平面磁体时的排列和调整结构示意图。 

下面结合具体实施方式对本发明作进一步详细的说明： 

具体实施方式

如图1所示，本发明提供一种溅射磁控管装置，图1中1为目标体，2为目标体背筒，目标体1通过业内所熟知的喷涂、静压、热压或者粘接等方式与目标体背筒2进行可靠紧固结合，本发明所述的溅射磁控管包括定位基座3、中部导磁体6和端部导磁体534、固定轴4和磁体组件5，该磁体组件5通过磁力设置于中部导磁体6和端部导磁体534上，该中部导磁体6通过固定轴4固定于定位基座3上，溅射磁控管在工作过程中被刚性固定，而目标体1可以跟随目标体背筒2而旋转，溅射磁控管置于目标体背筒2之内，固定轴4与目标体背筒2同心，其中：所述的磁体组件5包括端部磁体阵列53、延目标体轴向平行设置的中间磁体阵列52和两侧磁体阵列51，所述的中间磁体阵列52和两侧磁体阵列51与中部导磁体6之间设置有可旋转或沿导磁体滑动的导磁片7，所述的端部磁体阵列53设置于端部导磁体534与中间磁体阵列52和两侧磁体阵列51形成封闭磁场。 

如图2所示，其为本发明实施例通过滑动和旋转导磁片7来调整两侧磁体阵列51与中间磁体阵列52之间的夹角后的结构示意图，导磁片7经过在中部导磁体6外表面上滑动后使得两侧磁体阵列51与中间磁体阵列52所形成的夹角减少到α。其实现的过程大致是：先将端部磁体组件53与两侧磁体阵列51、中间磁体阵列52与中部导磁体6脱离，即可以实现将导磁片7在中部导磁体6上滑动。所要求的角度具体大小可以通过刻度标示等办法来具体的标定，当调节完两侧磁体阵列51与中间磁体阵列52的角度以后需要对端部磁部阵列53的磁体531、532、533进行适当的调节来使得整个的磁场形成封回路。本发明 实施例在两侧磁体阵列51与中间磁体阵列52相隔的间距以及夹角的调整通过引入的导磁片7来进行。将两侧和中间的磁体阵列安置在各自的导磁片7上，这样在需要进行距离或角度调整的时候只有移动或者在圆弧面上旋转带有磁体阵列的导磁片7即可，使得整个过程变得简单。引入的导磁片7需要具有一定的强度，其宽度应基本与各自磁体的宽度相当，厚度推荐在5(mm)左右为优。导磁片7底部的形状应该与其配合的中部导磁体6表面相一致，并且具有相应的与中部导磁体6相固定用的结构，本发明实施的设计实现了中间磁体阵列52与两侧磁体阵列51之间的夹角的调整，可有效改善目标体1表面的磁场分布，即能够实现根据溅射工艺需求目标体表面磁场分布的实施方式，并且使得调整磁场分布的过程变得简单有效。 

如图1-3所示，本发明所述的定位基座3上还设置有调节中部导磁体6上下移动的调节定位装置9，10，该调节定位装置9，10与中部导磁体6相抵制。本发明所述的中部导磁体6与定位基座3之间还设置有支座8，该支座8的底面与调节装置9，10相抵制，该支座8与中部导磁体6的侧面通过紧固件结合。本发明所述的调节定位装置9，10是在定位基座3上开设螺纹孔，并通过螺钉穿过螺纹孔旋转来调节中部导磁体6的位移。请参阅图3所示，从该图中我们可以从整体上对本发明实施例的溅射磁控管结构加以了解，所述的支座8与磁体组件5中及中部导磁体6的侧面配合，通过旋转调节装置9所述的螺钉抵制支座8的底部，即可调节中部导磁体6的高度。 

如图3和图4所示，本发明所述的磁控管装置其所述的端部磁体阵列53中的磁体少于中间磁体阵列52和两侧磁体阵列51，该端部磁体阵列53呈不规则的层状结构排列。在本发明实施例中，由于端部磁体阵列呈不很规则的层状结构排列，并且端部磁体的数量上远远少于中部磁体的数量，所以本发明在端部取消了导磁片7结构，而将磁体的某个极面做成与端部导磁体534面相配合的形面。例如，在平面型的端部导磁体534上的端部磁体也应该是平面的，在圆弧面型的端部导磁体534上的端部磁体应该是和该曲面具有相同弧度的曲 面。同时端部的磁体的形状通常不是完全一致的，需要借助相应的软件来分析，例如我们所普遍应用的商用软件ANSYS以及ANSOFT等。 

如图4-7所示：本实施例中溅射磁控管立体拆分图的局部放大图，主要体现出中部尤其端部磁体的排列方式，另一端的磁体排列方式与图中所示端相同。本发明所述的中间磁体阵列52、两侧磁体阵列51和端部磁体阵列53中单个磁体的磁极方向一致，两侧磁体阵列和端部磁体阵列的磁极方向与中间磁体整列的磁极方向相反。中间磁体阵列52是由中部磁体沿目标体1长度方向排列组成。同理，两侧磁体阵列51是由侧部磁体沿目标体1方向排列组成。中间磁体阵列52和两侧磁体阵列51靠吸引力与其底部的导磁片7相接合，而导磁片7的表面与中部导磁体6的外表面贴合。如图6所示，导磁片7的端部带有小凸台71，在小凸台71上开有弧形凹槽711，进一步的参考图7所示的端部导磁体535，在端部导磁体535上开有沿同一圆周分布的沉头孔5351，并且沉头孔5351与中部导磁体6端部开的螺纹孔61分布一致，进行一一对应，如图5所示。所述的导磁片7以及端部导磁体535就可以通过紧固螺钉534与中部导磁体6进行连接从而形成一个整体。本发明所述的端部磁体阵列53中的磁体少于中间磁体阵列52和两侧磁体阵列51，该端部磁体阵列53在端部导磁体531上排布三层排列，第一层为磁体531，第二层为磁体532，第三层为磁体533。其中，每端需要磁体531为2个，磁体532为2个，磁体533为1个为最佳方案。 

如图4和图11所示，本发明实施例所述的定位基座3设有凹槽，该凹槽用于和轴4的外表面贴合，基座开设有螺纹孔111，通过螺钉11和紧定螺钉12将轴4和定位基座3进行固定，支座8与中部导磁体6的侧面是牢固接合的，调节装置9的螺钉与支座8底面相接触，从而可以通过调节装置螺钉9的旋转来调节中部导磁体6的高度，这样也就实现整个磁体构件在高度上位置的改变。而定位螺钉10是将调整好高度的磁体构件进行固定，即螺钉10与支座8上开设的螺纹孔81配合拧紧。 

如图8和图9所示，图8为溅射磁控管中磁体组件未进行调节时的磁场分 布模拟示意图，图9为对磁体组件中的两侧磁体阵列与中间磁体阵列的夹角减小后的磁场分布模拟示意图。本发明实施例的中在延目标体长度方向上平行的排布的三组磁体整列，每组磁体阵列中单个磁体的磁极方向一致，即N极和S极所指方向一致，且中间磁体阵列52的磁极性方向与两侧的磁体阵列51的不同，例如，中间磁体阵列52的S极指向外侧，背离目标体中心，那么两侧磁体阵列51的N极指向外侧，这样，两侧的磁体阵列51与中间磁体阵列52以及中部导磁体6就组成了两组磁回路，在目标体1的表面就会有相应的磁场分布。对于磁场的调整有时往往会是很微妙的过程，为了进一步的说明通过磁体组件5的调整对磁场分布的显著影响，可以借助相应的磁场模拟软件来进行预知，如图9所示。 

如图10和图1所示，其分别为磁体组件未调节时的局部结构示意图和立体剖面结构示意图，从图中可以看出中部导磁体6的内表面以及端部导磁体53的内表面与固定轴4的外表面是贴合的。且此时两侧磁体阵列51与中间磁体阵列52形成较大的夹角。 

如图11和图12所示，其图11表达了通过调节装置螺钉9将磁体组件5调高h后的立体图。参阅图12所示，其通过调节装置螺钉9的旋转，其顶部抵制到支座8，该支座8配合固定轴4即可调节中部导磁体6的高度，从而调节了磁体组件5与目标体1的距离，实现增强或减弱目标体1表面的磁感应强度，可根据溅射工艺的需求进行调整。本发明在进行磁体组件5与目标体1表面相对位置高度调整的时候不需要移动中部和端部的磁体阵列51和52，而是整个的磁体组件5一起在上升或者下降，对后通过定位螺钉10进行位置的固定。 

如图2和图13所示，图13为导磁片7经过在中部导磁体6外表面上滑动后使得两侧磁体阵列51与中间磁体阵列52所形成的夹角减少到α的立体图。其实现的过程是：先从端部导磁体535所述的孔5351中将螺钉534拧出，这样端部磁体构件53和两侧磁体阵列51以及中间磁体阵列52就与中部导磁体6可以脱离，将导磁片7在中部导磁体6上滑动，角度的具体大小可以通过刻度 标示等办法来具体的标定，当调整好需要的角度以后，再从孔5351中拧紧螺钉534，当调节完两侧磁体阵列51与中间磁体阵列52的角度以后需要对端部的磁体531、532、533进行适当的调节来使得整个的磁场形成封回路，如图2所示，其为的溅射磁控管调整角度后的剖面结构示意图。 

如图14和图15所示，图14为磁体组件5不但有高度的调节，同时调节两侧磁体阵列51与中间磁体阵列52的夹角减小到α。该实施例为磁体状态的获得其实是图2和图12实施方案的配合使用的结果，最后如图15所示。本发明实施例在进行距离或者角度调整的时候这时端部的磁体阵列就需要跟随中部的磁体阵列52作相应的调整，端部的磁体阵列53总体上是各自错位相接而行成了封闭的磁场。 

在本明实施例中，对于磁体阵列的固定最直接的做法就是用磁体与导磁体之间的吸引力实现。中部的磁体阵列52是靠吸引力与导磁片7结合，然后导磁片7再与中部导磁体6用相应的方式进行固结，本发明实施例中采用的是螺钉紧固的方式，但不排除其它有效的紧固方式。端部的磁体阵列53是直接靠吸引力与端部导磁体534相接合的，在需要将端部磁体移动的时候只需要用橡皮锤等工具轻敲即可实现，同时也可采用螺钉紧固的方式来实现与导磁体的结合，所述的端部磁体阵列53与相结合的中部导磁体6是独立结构，可以从与中部磁体相连的导磁体上分离开来。 

本发明根据溅射工艺决定的工作电源的选择，引入了直流磁控溅射与交流磁控溅射，也称中频磁控溅射。业内所熟知的形式是直流磁控溅射只有一个目标体，而交流磁控溅射电源的正负极接点交替供应两个目标体受轰击的电压，因此，就需要有两个磁体构件，特别是圆柱形交流磁控溅射装置，其中涉及到两个溅射磁控管。对于，交流磁控溅射的应用需求以及特点在这里不再作近一步的说明，对于业内的人员来说为熟知的内容。请参阅图16-图18所示，其是对圆柱形交流磁控溅射装置的应用加以说明，在圆柱形交流磁控溅射装置进行溅射沉积时，两个溅射磁控管A和B中的磁体构件5A和5B是可以在各自的 目标体背筒2内进行角度旋转的，将磁体构件5A和5B的中间磁体阵列52中心线的夹角定义为β，在图17中夹角为β1时，该夹角在目标体1表面上截得的距离为d1。同理在图18中夹角为β2时，该夹角在目标体1表面上截得的距离为d2。d1和d2的长度对于溅射工艺影响是很大的，本发明实施例可通过旋转磁体组件对该角度进行调整。 

如图3和图16所示，其是固定轴4的局部放大示意图，其中定位销41为用于磁体组件5的定位，在本发明的实施例中采用了3个成一定角度分布的该定位销41，选择不同的定位销41位置来使得两个磁体装置所形成的夹角有变化。同时也可以采用紧固套(图中未标出)的方式来实现任何角度的定位。 

本发明实施例中，所述的导磁体6的表面是平面、棱柱面或圆弧面，导磁片7与中部导磁体6相贴合的面与中部导磁体6的形状相一致。以上的实施例是以圆柱形磁控溅射装置为例，事实上，本发明的实施例在平面或棱柱面磁控溅射装置上也能实现。请参照图19所示，以平面的导磁体6为例，该平面磁控溅射装置的磁体组件主要由侧部磁体191、端部过渡磁体192、端部磁体193、中间磁体194所组成。当侧部磁体的内表面距离为A时，侧部磁体191、端部过渡磁体192、端部磁体193、中间磁体194形成了一个封闭的磁场。当我们需要对磁场作适当调节的时候，比如要调到图示中的侧部磁体的内表面距离为B处，这是只要将侧部磁体191连同端部过渡磁体192同时整体的内移一定距离即可满足，而端部磁体193不用进行移动即可形成封闭磁场，我们可以通过简单的计算得出由A到B我们所需移动的距离为(A-B)/2。 

所述的磁体组件5采用钕铁硼或钐-钴材料制成，所述的磁体组件5表面镀有导磁材料。对于磁体材料的选择对于溅射磁控管的设计来说是很重要的。我们通常的永磁体材料用钕铁硼[Nd-Fe-B]或钐-钴，其中钕铁硼永磁材料与大多的永磁材料相比具有高剩磁、高矫顽力、高磁能积，因而在真空工程中得到广泛应用。钐-钴永磁体材料除了具有上述的一些特点以外还具有较强的高温蠕变性和长期稳定性，但是价格相对较高。通常的将溅射磁控管放置于目标体背 筒内，在溅射的过程中目标体受到高能正离子的不断轰击会产生大量的热量，为了保证目标体不被熔掉和正常工作需要对目标体进行冷却。在目标体背筒内会充满从进水口流进的冷却液[通常为冷却水]，所以整个的磁体构件如果没有被封闭起来的情况下就会直接与冷却液接触。不好的是，磁体与冷却水接触后容易被氢化而严重推磁。但为了方便的调整磁体的位置我们不希望有密封装置的情况下，在磁体的所有表面电镀上一层导磁材料，例如我们所熟知的镍。这样就对磁体进行了有效的保护，并且磁体本身的特性也得到保证。 

本发明实施例中的所述的紧固件和连接件是螺钉，当然也可以采用其他的方式进行紧固或连接。 

Claims (10)

1.一种溅射磁控管装置，所述的溅射磁控管包括定位基座、导磁体、固定轴和磁体组件，该磁体组件通过磁力设置于导磁体上，该导磁体通过固定轴固定于定位基座上，其特征在于：所述的磁体组件包括端部磁体阵列、延目标体轴向平行设置的中间磁体阵列和两侧磁体阵列，所述的导磁体包括中部导磁体和端部导磁体，所述的中间磁体阵列和两侧磁体阵列与中部导磁体之间设置有可旋转或沿中部导磁体滑动的导磁片，所述的端部磁体阵列设置于端部导磁体上并与中间磁体阵列和两侧磁体阵列形成封闭磁场。

2.根据权利要求1所述的溅射磁控管装置，其特征在于：所述的定位基座上还设置有调节中部导磁体上下移动的调节定位装置，该调节定位装置与中部导磁体相抵制。

3.根据权利要求2所述的溅射磁控管装置，其特征在于：所述的中部导磁体与定位基座之间还设置有支座，该支座的底面与调节定位装置相抵制，该支座与中部导磁体的侧面通过紧固螺钉结合。

4.根据权利要求3所述的溅射磁控装置，其特征在于：所述的中间磁体阵列、两侧磁体阵列和端部磁体阵列中任一个磁体阵列中所有单个磁体的磁极方向一致，所述的两侧磁体阵列和端部磁体阵列的磁极方向与中间磁体阵列的磁极方向相反。

5.根据权利要求2-4任一所述的溅射磁控管装置，其特征在于：所述的端部磁体阵列中的磁体少于中间磁体阵列和两侧磁体阵列中任一个阵列的磁体数量，该端部磁体阵列呈不规则的层状结构排列。

6.根据权利要求5所述的溅射磁控管装置，其特征在于：所述的端部导磁体与中部导磁体分别开设有位置相对应的沉头孔和螺纹孔，并采用连接螺钉通 过所述的沉头孔和螺纹孔相互连接在一起。

7.根据权利要求6所述的溅射磁控管装置，其特征在于：所述的调节定位装置是在定位基座上开设螺纹孔，并通过螺钉穿过螺纹孔来调节中部导磁体的位移和定位。

8.根据权利要求7所述的溅射磁控管装置，其特征在于：所述的中部导磁体的表面是平面、棱柱面或圆弧面，导磁片与中部导磁体相贴合的面与中部导磁体的形状相一致。

9.根据权利要求8所述的溅射磁控管装置，其特征在于：所述的磁体组件采用钕铁硼或钐-钴材料制成，磁体组件表面镀有导磁材料。

10.根据权利要求5所述的溅射磁控管装置，其特征在于：所述的固定轴上还设置有定位销或紧固套。 

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