TWI287651B - Semiconductor device, liquid crystal display device and method of manufacturing the semiconductor device - Google Patents

Semiconductor device, liquid crystal display device and method of manufacturing the semiconductor device Download PDF

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TWI287651B
TWI287651B TW089111832A TW89111832A TWI287651B TW I287651 B TWI287651 B TW I287651B TW 089111832 A TW089111832 A TW 089111832A TW 89111832 A TW89111832 A TW 89111832A TW I287651 B TWI287651 B TW I287651B
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TW089111832A
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Takeshi Kubota
Toru Takeguchi
Nobuhiro Nakamura
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Mitsubishi Electric Corp
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Description

1287651 五 發明說明（1) 【發明之領域】 本發明係關於一種半導體裝甏、S 一 :或者電極等之接觸部中之接觸電阻之降夠3配 方法。貝不衣置以及像料這樣之半導體裝置之製造 【先前技術之描述】 在薄膜電晶體型液晶顯示 LCD」。）中，係一直朝向大 隨著薄膜電晶體型液晶顯示 化’為了防止閘極配線等之 因此，係適合使用該以鋁作 金’而成為配線甩材料。 裝置（以下，係記載為「TFT-型化或者高度精細化而發展。 裝置之大型化或者高度精細 配線中之訊號延遲現象發生， 為主成分之電阻比較低之合
曰因此’首先係使用圖式，而就習知之先前技術之薄膜電 曰曰體型液晶顯示裝置（TFT-LCD )之製造方法之某一個例 子’進行著說明。係參照圖2 〇 ;在玻璃基板1 〇 2之表面 上’藉由濺鍍法，而形成膜厚大約2〇〇ηιη左右之鋁合金膜 (並未圖示出）。在該鋁合金膜上，係形成有該所規定之 光阻劑圖案（並未圖示出）。 係藉由使用該光阻劑圖案，作為罩幕，並且，使用該以 礙酸、乙酸和硝酸作為主成分之蝕刻液，對於鋁合金膜， 施加著蝕刻處理，以便於在像素顯示部A，形成該包含有 閘極配線之閘極電極1 〇 4 b以及輔助用電容配線1 0 4 c，並 且’在端子部B，係形成有端子部位配線l〇4a。
89111832.ptd 第5頁 1287651 五、發明說明（2) 々、接著，係參照圖21 ;係藉由CVD (化學氣相沉積）法 # *而在玻璃基板1〇2上，形成膜厚大約左右之氮化 矽膜1 06，以便於覆盍住端子部位配線丨、閘極電極 l〇4b、以及辅助用電容配線1G4e。然後，係在該氛化石夕膜 106上，形成膜厚大約200nm左右之非結晶矽膜。此外，還 形成有膜厚大約50nm左右之n+型非結晶矽膜。 宰=15非、t晶矽膜i ’係形成有該所規定之光阻劑圖 5 (並未圖不出）。係藉由使用該光阻劑圖案，作為罩 幕，而對於n+型非結晶石夕膜及非結晶石夕膜，施加著異方性 敍刻處理’以便於形成島狀之非結晶石夕膜i07及 晶矽膜108。 i升… 接著’係' 參照圖22 ;係藉由濺鍍法等之方法 了麵上，形成膜厚纟約40_左右之㈣（並未= 膜](18以。便/^覆蓋/主島狀>之非結晶石夕膜1〇7及n+型非結晶矽 、 以絡膜上’係形成有該所規定之光阻劑圖案 C並未圖不出）。 係藉由使用該光阻劑圖索，你焱罢莖 加著罐理，以便;!：：地:對於鉻膜，施 ^^10Qh缺a史於刀別地形成汲極電極l〇9a以及源極 & Β 後，係除去該位處於所謂成為通道區域之非 結晶矽膜107上之η+型非έ士曰访腊！ nQ 〆—、匕3之# 之處理mm非、，膜 係猎由像前述這樣 处里而形成該包含有閘極電極l〇4b、汲極電極1〇9&以 及源極電極109b之薄膜電晶體（TFT ) τ。 接著’係參照圖23 ;為了保護薄膜電晶體（ 此，係藉由例如CVD(化學翁相、γ籍、、土楚 y 」 因 予亂相，儿積）法專，形成氮化矽膜 麵 第6頁 89111832.Ptd 1287651
110，以便於覆蓋住薄膜電晶體（TFT) T。在該氮化石夕膜 11 0/上+，係形成有該所規定之光阻劑圖案（並未圖示出）。' 係藉由使用該光阻劑圖案，作為罩幕，而對於氮化矽膜 110以及氮化矽膜106，施加著異方性蝕刻處理，以便於形 成遠曝露出汲極電極1 〇 9 a表面之接觸孔1 11 a。此外，係還 形成有該曝露出端子部位配線104&表面之接觸孔mb。、 接著’係參照圖24 ;係藉由濺鍍法等之方法，而在氮化 矽膜110上，形成膜厚大約l〇0nm左右之IT〇 (Indium Tin
Oxide :銦錫氧化物）膜等之氧化透明導電膜，以便於掩 埋著接觸孔111a、111b。在該IT0 (銦錫氧化物）膜上， 係形成有該所規定之光阻劑圖案（並未圖示出）。 係藉由使用該光阻劑圖案，作為罩幕，並且，還利用該 含有鹽酸及硝酸之蝕刻液，而對於丨τ〇 (銦錫氧化物） 膜，施加著蝕刻處理，以便於形成像素顯示部A及像素電 極113a。此外，在端子部B，係形成有端子電極丨13b。像 素電極113a，係呈電氣地連接至薄膜電晶體（TFT ) τ之汲 極電極109a。端子電極113b，係呈電氣地連接至端子部位 配線1 04a。
然後，係透過密封用材料（並未圖示出）、，而配置有玻 璃基板以及彩色渡光片（並未圖示出）。係在該形成有薄 膜電晶體（TFT ) T之玻璃基板丨02和該配置有彩色濾光片 之破璃基板之間’注入有液晶。並且，在該所規定之端子 部’係構裝有驅動用1C (積體電路）。係藉由經過像以上 所敎述之製造製程，而完成TFT-LCD (薄膜電晶體液晶顯
1287651 五、發明說明d 示器）。 【發明所欲解決之問題】 顯ίίπ上在TFT姻薄膜電晶體液晶 部位配線等，該線或者端子 便於防l枓’而達到所謂低電阻化之效果，以 ::止所§胃訊號延遲之現象發生之緣故。 顯:之先前技術之TFT-LCD (薄膜電晶體液晶 配線二a和端Γ電 孔U1k接觸部中之端子部位 ,成兔丄T 間之界面上’係形成有氧化鋁。 “ ί : =像前述這樣之氧化銘之原』，係被認為由 ;銦錫^= 所組成之端子部位配線1G4a和該由ΙΤ0 二二等之氧化透明導電膜之所組成之端子電 理、丄板應、接觸孔之形成後之氧電衆處 ^者，板曝路在大氣下之所造成之自然氧化等。 用之I = :ί;為了在接觸’’形成氧化銘’因此’在實 :觸面積下之接觸電阻，係為1〇〇ΜΩ以上，而變得非 :接：，t〗纪端子電極11儿和端子部位配線1 04a間之電 ；； ，糸並‘、，、法成為良好之狀態，而會有所謂盔法相备 良好地進行著TFT-LCD (薄膜雷曰舻、為曰舶田 之問題發生。 D。專膜電曰曰體液晶顯示器）之動作 此外，在形成該由IT0(銦錫氧化物）膜之所组成之像素 電極113a和端子電極1131)時之钱刻⑨，係通過該存在於氮
1287651 五 發明說明⑸ " '— ----—^ 2矽朕110、106上之針孔等，而滲透入該蝕刻液 則面之所敘述的，由於該蝕刻液，係包就如 因此，係會蝕刻哎腐鉍兮丄力人’、 有風酉夂和硝酸， 因此’ A 了解決像前述這樣之問題，所以，係 = 立配線104a或者閘極電極 配線或者間極電極與IT0(銦錫氧化物)膜乂
ίί: m接狀態’並且，錢夠藉由鉻膜具備有耐 /、液性’ ％保護該由鋁合金之所組成之配線等。 :是：所謂藉由其他之金屬膜而#覆著肖由鋁合金 乾。此外，5 f T k置有该配合著薄膜種類之金屬標 屬膜之薄膜性ΐ=5時，係必須要配合著各種之金 製造成本和製；作㈣處理…，係會有所謂 【發明之概ΪΓ 增加之問題發生。
之ΐι發及明第1為了解決像前述這樣之問題而完成的；本發明 到所謂接總I的，係為分別地提供一種可以相當容易地達 液性1電搞，阻之降低效果，並且，具備有所謂擁有耐藥 之筮q a /或配線之半導體裝置及液晶顯示裝置；本發明 造方法。 係為楗供一種像前述這樣之半導體裝置之製
1287651 五、發明說明（6) 本發明之第1種形態之半導體裝置，係具備有以下之構 件： 基板，而該基板，係具備有主表面；以及， 第1導電層；以及， 第2導電層。第1導電層，係形成於前述之基板之主表面 上。第2導電層，係形成於前述之基板之主表面上，而呈 電氣地連接至前述之第1導電層。此外，前述之第1導電 層，係由層積膜而組成的，並且，該層積膜，係具備有以 下之構件： 第1層，而該第1層，係以鋁作為主成分；以及， 第2層，而該第2層，係包含有含氮之铭。此外，在前述 之第1導電層和前述之第2導電層呈接觸之接觸部，前述之 第1導電層之第2層，係直接地接觸到前述之第2導電層， 並且，還根據該第2層之電阻係數值，而設定前述之接觸 部中之前述之第2層之膜厚，以便於得到該所規定之接觸 電阻。 如果藉由像前述這樣之構造的話，係可以藉由配合第2 層之電阻係數值，而設定前述之接觸部中之前述之第j導 電層之第2層之膜厚，成為該所規定之膜厚，以便於大幅 度地降低其接觸電阻。結果，係可以得到一種防止訊號延 遲之半導體裝置。 半導體裝置，係最好具備有以下之構件： 絕緣膜’而該絕緣膜，係形成在前述之基板上，以便於 覆蓋住前述之第1導電層；以及，
89111832.ptd 第10頁 五、發明說明（7) 接觸孔，而該接觸孔，係、、 露出前述之第1導電層之表面V 則述^之絕緣膜上，而曝 位處在前述之接觸孔内，並，卜一，前述之接觸部，係 前莫述之第丨層上，係形成有前述在2之第1導電層，於 緣膜上。 有…接觸孔内之前述之絕 在像前述這樣之狀態下，、— :2,，以便於在例如形成第:以猎由第2層’包含有含 2文到餘刻液等之藥液之損宝。姓日果V保護第1層， j，現象發生，㈤時’抑制住配線算夕：能夠防止訊號 △在第2層之電阻係數p為5 〇 ，腐蝕現象發生。 ，下’該作為像前述這樣 -：1 05 “ Ω · cm之狀 最好為滿足〇…d < 3 Ω ^ 2層之臈厚d，係 =電阻係數p為1χ 1〇5 # Ω 、予’a並且，在第2層 :述這樣之接觸部中之第2層之 A該作為像 <3nm之臈厚，此外，在接 係最好為滿足〇 <d 该所規定之接觸電貝$為S面積之時’則 产係可以藉由像前述這樣之取處;滿足:以^ Ϊ下之接觸電阻，成為100ΚΩ以下，^Γ在貫用之接觸面 :觸面積下之接觸電阻，成為则好是使得在實用之 低該接觸部中之接觸電阻。 乂下，以便於能夠降 ^接觸部以外之部分中之第2層之膜 别述之接觸部之膜厚。 、旱Τ，係最好更加厚於 在像前述這樣之狀態下’即使該在形成第2導電層時之 1287651 五、發明說明（8) =液等之藥⑯’通過例如存在於絕緣膜上之針孔，而染 4鍅刻液等之藥液’係也可以更 ’、 寺之樂液木入至第1導電層之第i層為止。姓 到耐藥液性良好之第丨導電層。 、'°果係叮以付 向此外’第1層之鋁結晶粒之面方位，係最好為⑴"配 在像前述這樣之狀態下，於相當容 銘之氮化而形成該包含有含氮 丁者弟丄層之 ΜΙ & ^ ^ Α /虱之鋁之弟2層之時，係使得 之樣曰/理 t 、、適當之厚度。係可以藉由像前述 k樣之處理’而使付弟i層和第2層之間之界面 之接合狀態，以便於能夠更進一牛 ’、、、 lU .如心 ^ ^ 步地降低其接觸電阻。 此外，在弟2層之電阻係數口為5〇< ρ ι〇 · 二:狀態下，前述之第2層之膜厚Τ，係最好滿足。<τ< 在：前述這樣之狀態下，係可以藉由接觸部以外之部分 電^之時曰之^^，更加薄於Μ·，以便於在形成第1導 里=!所謂起因於第1層和第2層之間之薄膜 之第2層之遮蔽部之部分之形狀，更 而=广能夠防止所謂在位差部分而使得該透 述之第1導電層上之第2導電層呈斷線 膜f =戸 '面县在膜厚Τ為丁 -2°nm t狀態Τ，前述之絕緣 膑之膜；，係最好更加厚於1 # m。 在像前述這樣之狀態下，係也可以藉由更加地增加該絕
89111832.ptd 第12頁 1287651
而在第2層，形# 之現象發生。 遮蔽部 以便於防止第2 五、發明說明（9) 緣膜之厚度， 導電層呈斷線 該作為像前述這樣之絕緣膜 膜；像前述這樣之絕緣膜，係 透過光線之液晶顯示裝置等。 此外’前述之第2導電層 在像前述這樣之狀態下 在液晶顯示裝置等。 ’係最好包含有透明樹脂 可以被適用在例如必須要穿 係最好包含有透明導電膜。 該半導體裝置，係也可以適用
=發明之第2種形態之液晶顯示裝置，係具備有以下之 透明之基板，而該透明之基板’係具備有主表面；以 第1導電層；以及， 絕緣膜；以及， 接觸孔；以及， =第2導電層。第i導電層，係形成 主表面上。絕緣膜，係形成在 基板 =基核 ”：：！1導，、層。接觸孔，係形成在前述之绝二覆 ::出别述之第丨導電層之表面。透明& \
】，係：成於前述之絕緣膜上，而呈電氣 气2” ίΛ層’以便於掩埋前述之接觸孔。第1導ί/4 備有以下之構件·· 夺電層，係 係以銘作為主成分；以及 係層積在前述之下層部之上 而
下層部，而該下層部 上層部，而該上層部 1287651 五、發明說明（10) 包t有含氤之鋁。前述之接觸孔，係曝露出前述之上層部 之、面。係根據丽述之上層部之電阻係數值，而設定前述 ，接觸t之接觸部中之前述之上層部之膜厚，以便於得到 邊所規定之接觸電阻。 士果藉由像刖述這樣之構造的言舌，係可以藉由配合該上 之電阻係、數值，而設^前述之接觸部中之前述之第1 i電層：上層部之膜厚’成為該所規定之膜厚，以便於能 :t 2二地降低其接觸電阻。此外，係可以藉由上層部， m:;之紹’！便於在例如形成第2導電層之時，保 处=-2。#避免文到蝕刻液等之藥液之損害。結果，係 Γ 所謂可以相當容易地防止訊號延遲之現象發 = 腐"現象發生之液晶顯示裝置 態下，該作為像前述這if二；；1χ10、Ω .cm之狀 層部之電阻係數…二νΩ?'膜厚，、並且，在上 為像前述這樣之接觸部中之 cm * Ρ之狀恶下，s亥作 足0 <d <3nm之膜厚，此外^邛之膜厚d，係最好為滿 時，則該所規定之接觸電阻R 3部之面積成為S面積之 2。係可以藉由像前述之揭:最考好滿足R ·δ<1_Ω 接觸面積下之接觸電阻：f之處理’而使得在實用之 實用之接觸面積下之接觸雷二0ΚΩ以下，最好是使得在 能夠大幅度地降低該接觸= 以下，以便於 本發明之第3種形態中J/、上接^電阻。 衣k方法，係具備有以下所敘
89111832.ptd 第14頁 1287651 五、發明說明（11) ί之Ϊΐ ί板上，係層積有該以鋁作為主成分之下層 开膜以便於形成第1導電層。在前述:基， ίϊΐΐ /以便於覆蓋住前述之約導電卜在前述 孔。在前述之絕緣膜上曝：m層部之表面之接觸 電層，係呈電氣地連i至；Hi2t導電層，而該第2導 之則述之上層冑。在形成前述之接 之 接觸部中之上層部，係根據該上層u 成膜厚，以便於得到該所規定之=阻 述…系可以在形成前 而抓定a、+、 ^ 7 猎由根據该上層部之電阻係數值， 之；觸部中之上層部之膜厚，伽所規定之
、ϋ ά !·於此夠大幅度地降低其接觸電阻。此外，俜可 以耩由上層部，句合右冬备^ J 導電，時，保護⑴導電層之下層二便於避在免例:形成第2 等之藥液之損冑。結果，係能夠相當容易地製又造：一刻種夜 止訊號延遲之現象發生並且抑制 ： 現象發生之半導體裝置。 令I厲蝕 1上層部之電阻係數P為5〇<^1χ1〇5//Ω 之 悲下，该作為像前述這樣之上層部之膜厚4 足〇< ρ ·ά<3Ω · #〇12之獏厚 ，、最好為滿 係數Ρ為1 X 1〇5 # Ω · cm < ρ之狀態下，θ:之二阻 樣之上層部之膜厚d，係最好為滿足〇<d<3n二= 1287651 五、發明說明（12) 外’在接觸部之面積点在 Φ阳P总田此、—檟成為S面積之時，則該所規定之接觸 電阻R，係取好滿足R φ ς 前述這樣之處理，而使彳曰 · // m2。係可以藉由像 ϋ日^ oof 〇 使侍在貫用之接觸面積下之接觸電 阻，成為1 0 0 Κ Ω以下，旲此H * 接觸電阻，成為㈣以下好疋使/在實用之接觸面積下之 接觸部中之接觸電:Ω，下，以便於能夠大幅度地降低該 卜：2係:好猎由濺鍍法’而在氮氣氛中，形成前述之
if::亚；：當該導入至所謂曝露有前述之基板之氣氛 内之氮氣之流量成為ρ、、ώ旦 A
.η^ ώ 风馮里而刖述之上層部之成長速度成 f成,速度之時，係最好在0.1 <F/D<l〇ml/nm (其 ’糸以0. 1 <F /D < 1ml /nm，作為條件A，而以i <F /D <l〇ml/nm，作為條件B。）之狀態下，形成前述之上層 部0
在像前述這樣之狀態下，於條件A，上層部之電阻係 數，係變得比較低，並且，該用以得到所規定之接觸電阻 之上層部之膜厚之界限，係變得相當地寬廣。在另一方 面，於條件B之狀態下，上層部之電阻係數，係變得比較 高，，此，係可以對於在例如形成第2導電層時之蝕刻液 等之藥液，具備有所謂耐藥液性。 像前述這樣，於條件A之狀態下，由於上層部之膜厚之 界限’係變得相當地大，因此，該作為上層部之成長速度 D，係最好為3 <D < 60nm /min。 在另一方面，於條件B之狀態下，由於上層部之電阻係 數’係變得比較高，因此，該用以得到所規定之接觸電阻
89111832.ptd 第16頁 1287651 五、發明說明（13) 之上層部之膜厚之範圍，係變得相當地 、s 樣之狀態下，該作為上層部之成長速度d 。在像前述這 <10nm/min。 糸最好為 3<d 好在壓力成為10-心以下之狀態之 下層部。 開始形成該 在像前述這樣之狀態下，係能夠大幅度 下層部和上層部之間而形成有氧化鋁之：制住所謂在 此外，在由開始形成該下層部之後而一=生。 上層部為止之間，該曝露有基板之」結束形成該 最好為10-1()m〇l /1以下。 ”下之氧氣濃度，係 f像前述這樣之狀態下，係 謂在下層部和上層田雀只地抑制住所 生。 ]而形成有乳化鋁之薄膜之現象發 係最好在該包含有所謂用 之氣氛中，形士 —_ L β 便侍鋁呈虱化之氮化性氣體 體，係最好為部。該作為像前述這樣之氮化性氣 種之氣；包含有見氣、4、聯胺、和踪之至少任何- 之搖動、I 掃“式磁控管濺鑛裝置的話，係能夠藉由磁鐵 八布、又’而控制該形成於基板上之第1導電層之膜厚 i声之膣ΐ，還可以相當容易地進行著基板面内之第1導 电層之m厚之控制。 在形成該接觸孔之作業中，係最好包含有以下所敘述之 89lll832.ptd 第17頁
1287651 五、發明說明（14) 處理： 在曝露出該下層部之前，導入該用以使得無 卜 化性氣體。 鼠化之乳 在像前述這樣之狀態下’即使由於形成該接觸孔時之姓 刻作用，而蝕刻著該上層部，以致於曝露出該下層部之表 面，係也能夠藉由導入氮化性氣體，而在下層部^面义 上，形成含氮之鋁膜。係可以藉由像前述這樣之處^，而 抑制住所謂接觸電阻呈上升之現象發生。 < ’ # 此外，在形成第1導電層之作業中，係最好包含有以 所敘述之作業： 藉由乾式蝕刻法，而對於第1導電層，進行著圖案化處 王里。 “ 在像前述這樣之狀態下，比較起該藉由濕式蝕刻法而進 行著圖案化處理之狀態，該藉由乾式|虫刻法而進行著圖案 化處理之狀態，係能夠消除所謂起因於上層部和下層部^ 薄膜性質之差異之所產生之上層部之遮蔽部之現象。会士 果，係能夠防止所謂在第1導電層之位差部分而使得該"形 成在前述之第1導電層上之第2導電層呈斷線之現象發/生y。 係最好預先在南壓氣體鋼航内，混合稀釋著該 ^ 性氣體之氮氣和惰性氣體。 為亂化 【較佳具體例之說明】 係就本發明之實施形態1之液晶顯示裝置，而進行著說 明。首先，係使用圖式，而就該實施形態1之液晶顯示裝
1287651 、發明說明（15) 置之製造方法，而進行著說明。係參照圖i ;在該具備有 像素顯示部A和端子部B之區域之玻璃基板2上，於掃描式 =控管濺鍍裝置（以下，稱為「濺鍍用裝置」。）之處理 至内，係藉由對於鋁合金之標靶用材料，進行著濺鍍處 理，以便於形成大約200nm左右之以鋁作為主成分、例如 含有0.2wt%之銅之鋁合金膜（A1 (鋁）—〇2wt% c 膜）4。
—接著，係並無由處理室内，而取出玻璃基板2，並且， ，該藉由氬氣之所稀釋之氮氣，導入至處理室内，同時， 還對於鋁合金之標靶用材料，進行著濺鍍處理，以便於在 銘合金膜4上，形成該含氮之鋁膜5。 、 該作為前述之含氮之鋁膜5之成膜條件，係使得濺鍍用 f置中之DC(直流）功率，成為1KW(千瓦）。該作為導入至 処理至内之氮氣’係使用該由氬氣（A r) — 1 〇 % 人 體之尚壓氣體鋼瓶而稀釋處理過之氮氣。接著，該混合秦 體之>流量，係為5〇sccm。也就是說，氮氣之實際之流^乐 F，係為5sccm。此外，係調整該含氮之鋁膜5之成膜;Π^里 間，而使得該含氮之銘膜5之成長速度D，&為大約^ min工右，以便於使得該含氮之鋁膜5之
12nm左右。 子成為大約 ，外，係在前述之混合氣體呈流動前之處理室 3Pa以下之狀態了，開始形成該含氮之紹暝5。， 為 夕’係在開始形成鋁合金膜4後而一直到結東开彡士、 之銘膜5盘L +問 乂么戌…斗名 y成舌亥含翁 、3馮止之間，係使付该處理室内之氧濃度，
1287651 五、發明說明（16) 10—1Gmol /1 以下。 接著’係苓照圖2 ;係在含氮之鋁膜5上，形成該所規定 之光阻劑圖案（並未圖示出）。係藉由使用該光阻劑圖 案^作為罩幕，並且，利用該以磷酸、乙酸和硝酸作為主 成二之蝕刻液，而對於該含氮之鋁膜5以及鋁合金膜4，施 加著蝕刻處理，以便於在像素顯示部A，形成該含有閘極 配，之閘〃極電極45b以及輔助用電容配線45c。此外，在端 子部B，係形成有端子部位配線45a。然後，係除去該 劑圖案。 丨 接著’，係參照圖3 ;係藉由例如電漿CVD (化學氣相沉積 )^，形成膜厚大約4〇〇nm左右之氮化矽膜6，以便於覆蓋 住端子邛位配線45a、閘極電極、以及輔助用電容配 45c '然後，係形成膜厚大約2〇〇nm左右之非結晶矽膜。此 外係形成膜厚大約5 0nm左右之n+型非結晶矽膜。 係在該一n+型非結晶矽膜上，形成該所規定之光阻劑圖案 (並未圖不出）。係藉由使用該光阻劑圖案，作為罩幕，而 對於#型非結晶矽膜和非結晶矽膜，施加著蝕刻處理，以 便於，成島狀之非結晶矽膜7和n+型非結晶矽膜8。島狀之 非結晶矽膜7，係成為後面所形成之薄膜電晶體之通道 分0 口 接著，係參照圖4 ;係藉由濺鍍法，而形成膜厚大約 4 0 0 nm曰左右之鉻膜（並未圖示出），以便於覆蓋住島狀之 非結晶矽膜7及n+型非結晶矽膜8。在該鉻膜上， 該所規定之光阻劑圖案（並未圖示出）。 成有 1287651 五、發明說明08) 接著’係參照圖7 ;係藉由濺鍍法等之方法，而在氮化 石夕膜10上’形成膜厚大約1〇〇ηιη左右之IT0 (銦錫氧化物） 膜（並未圖不出），以便於掩埋著該接觸孔丨丨a、丨丨b。在 該I TO (銦錫氧化物）膜上，係形成有該所規定之光阻劑 圖案（並未圖示出）。 係藉由使用該光阻劑圖案，作為罩幕，並且，還利用該 含有鹽酸及硝酸之蝕刻液，而對於17〇 (銦錫氧化物）
膜，施加著蝕刻處理，以便於在像素顯示部人，形成像素 電極13a。此外，在端子部b，係形成有端子電極Ub。像 素電極13a，係呈電氣地連接至薄膜電晶體（tft) τ之 極電極9a。端子電極13b，係呈電氣地連接至端子部位配、 接著 理，以 狀態。 阻，造 溫，就 250 t： 接著 15，以 玻璃基 17。在 陣19、 接著 ，係在溫度130〜30 0 t：之狀態下，進行著退 便於使得薄膜電晶體（TFT)Ti特性， = 由於該退火溫度，係會對於該接觸部中之接：：化 成影響，因此，所謂退火溫产祐 觸電 變得相當地重要。特別是在；實為過於高 ，作為退火溫度。 y悲中’係採用 ’係參照圖8 ;係在氮化矽膜丨〇上 便於覆蓋住像素電極l3a。在該步形成有配向膜 板2上，係透過密封用材料丨6，^有配向犋1 5之 該玻璃基板1 7上，係預先地形成配置有玻璃基板 IT0 (銦錫氧化物）膜2〇、以及配。色★材1 8、黑色矩 ，係在配向膜1 5和配向膜2 1之M向膜2 1。
89111832. Ptd 第22頁 、之間，注入液晶22。然 1287651 五 、發明說明（19) 後，就正如圖9之所顯示的，係在液晶面板23上，構裝上 該裝設有驅動用1C (積體電路）之驅動用1(：(積體電路） 基板24。此外’係藉由軟性印刷電路25，而呈電氣地連接 著驅動用ic (積體電路）基板24和液晶面板23。係藉由經 過以上所敘述之作業，而完成該具備有液晶面板23之液晶 顯示裝置。 在像前述這樣而形成之液晶顯示裝置中，特別是可以藉 由在該由Iτο (錮錫氧化物）膜之所組成之端子電極丨3b和 端子部位配線45a間之界面上，存在有該所規定之膜厚之 含氮之鋁膜5a，以便於能夠大幅度地降低其接觸電阻。 係詳細地說明像前述這樣之現象。圖1〇係為用以 尺寸3 5 // m □之接觸孔之接觸部中之接觸電阻對於 紹膜之膜厚及電阻係數之依附性之結果之圖形。在^之 中’白色圓係用以表示該接觸電阻值為5 〇 〇 Ω 回 =有剖面線之圓形記號，係用以表示該接觸電阻之值:。 至1 0ΟΚ Ω間之點。黑色圓係用 *-、、 大於100Κ Ω之點。 /供觸電阻值 =由前述這些測定結果，而顯示 ，區域（區域Α)為接觸電阻,比較低 ：色 )。剖面線比較細之區域（區域B) (R:5， 阻在500 Q至100]( Ω間之£妁刘而娃所明接觸電 域c)，传表干所士田=£域剖面線比較粗之區域（區 ^ 、係表不所明接觸電阻大於1 00K Ω之區域。 該作為接觸電阻值，係最好為1〇〇κω以下 活’係最好為5 0 0 0 nr 更加理想的 好為5ϋϋΩ以下。因此，係可q目 ΙΙΗι 89111832.ptd
第23頁 1287651 五、發明說明（20) 以便 知、必須要設定該含氮之銘膜5之臈厚 於進入至圖1 0之區域A及區域B内。 电丨且係數’ 如果說得更加具體一點，係可以相當产 ^ 氮之鋁膜5之電阻係數p為5 〇 < p $ i 地得知··在含 態下，該含氮之鋁膜5之膜厚d，係可以炎、=Ω ·επΐ之狀 3Ω · //in〗之膜厚。 馬滿足〇< ρ ·ά< 此外，係可以相當清楚地得知：在 ^ 係數ρ為1 X 105 // Ω · cm < ρ之狀態下二亥人呂，5 t電阻 之膜厚d ’係可以為滿足。〈⑺⑽之膜厚二3虱之鋁膜5 氮：：膜5還工實驗，到：在像前述這樣狀態下之含 :之紹：5之膜厚之範圍下，即使該含氮之銘膜 。 以得到該所要求之接觸電阻。 你也可 此外’係可以相當清楚地得知：在圖1〇中 觸孔之尺寸為35^□之狀態下…，並且，在接觸〜接 之面積成為S面積之時，該接觸電阻R，可以滿足R · s 1 0 0 Μ Ω · m2 〇
係可以藉由像前述這樣之處理，而使得實用之接觸面積 下之接觸電阻，成為丨00κ Ω以下，最好是數κ Ω以下。 像前述這樣丄係可以藉由設定該接觸部中之含氮之鋁膜 之膜厚’成為前述之膜厚，以便於大幅度地降低端子部位 配線45a和端子電極13b間之接觸部之接觸電阻。結果，係 可以在液晶顯不裝置中，防止所謂訊號延遲之現象發生。 此外’係認為：該作為在接觸孔之形成後之接觸部中之
89111832.ptd 第24頁 1287651 五、發明說明（21) 含氮之銘膜之殘餘薄膜，則藉由利 就不同尺寸之接觸孔之狀態下之接觸電果；：；疋 得到該相同於圖10所示之結果之傾向。 5 ，係也可以 此外，在該液晶顯示裝置中夺 線45a之銘合金膜4上，層氣由在端子部位配 防止所謂例如由於在形成像二 之姓刻液而蚀刻或腐餘到銘合金膜4之：：電極 件在態口Λ為用以形成含氮之：膜5之條 千係叹疋虱虱 >爪《F和成膜速度])間 ,
〇H/nm (F/D=〇.〇25ml/A)。之關係，成為F/D = 特別是在藉由設定F /D值成狀i〜lmi /nm (m 阻/數Λ形击成之含氮之銘膜5巾’該含氣之1呂膜5之電 咭 糸比較低。如果含氮之鋁膜5之電阻係數呈降低 ' 口 ’就正如圖1 0之所顯示#，係可以針對需纟，而一直 =力:厚之膜厚’以便於作為該用以得到良好之接觸電 阻之膜厚。
+ 口此，在玻璃基板2上而形成含氮之鋁膜5之時，係並不 而要在玻璃基板2之面内，得到嚴密之膜厚精度。在F /D 值成為則述值之狀態下，該含氮之鋁膜之電阻係數，係大 約為500/πι ·』左右，並且，針對數⑽〜丨⑽⑽左右之實 用之s氮之鋁膜之臈厚而言’接觸電阻值係得到5 〇 〇 Ω以 下之電阻值。 曰此外’係決定該層積在鋁合金膜4上之含氮之鋁膜5之膜 尽成為以下所敛述之膜厚。
89111832.ptd 第25頁 1287651 五、發明說明（22) 首先’為了使得該接觸 dl，進入至圖10所示之目丄乂之3亂之紹膜仏之膜厚 形成圖5或者圖6所示之接二二二，，因此，係考慮使得在 造成之含氮之铭膜之以妾；孔=之乾式餘刻處… 接著，係也將端4:二1為°nm。 閘極電極45d之圖案形狀/ 、、’ ^ = s亥包含有閘極配線之 示之作業巾，於藉由渴戈1入$。也就是說，在圖2所 I呂合金膜4進行著圖宰.介式/?刻處理而對於含氮之銘膜5及 金膜4之敍刻速度二之果：之㈣速度’係不同於銘合 部。 ^果係形成有該含氮之鋁膜之遮蔽 5之膜厚變薄I 列之如狀:;下’係不僅可以使得該含氮之鋁膜 小該含氣之銘膜之二㈣下’並且’還 係由於考量至，丨箭；+、、士 "， 膜厚，成為例如大^ 而設定該含氣之銘膜5之 膜5之膜厚之狀能下pnm左右。在像前述這樣之含氮之鋁 箄，琴人氣 心下’即使例如是在玻璃基板2之周邊部分 值，：：能：戈者電阻係數之值，偏離目標 Ρ和含氮之銘膜之膜^ 使得該含說之紹膜之電阻係數 <3 Ω · 2 、膜厚d間之乘積，並不會脫離0 < ρ · d 而使得該圍外。係可以藉由像前述這樣之處理， 是能夠達成:5上接觸電阻值’成為10°ΚΩ以下，最好 此外，以下之比較低之電阻值。 更加地縮小該含氮之鋁膜之遮蔽部，以便 89111832.ptd 第26頁 1287651 五、發明說明（23) 於能夠防止所謂在閘極電極45b等之位差部分上之所形成 之像素電極1 3a等呈斷線之現象發生。 在使用前述之製程而製造出液晶顯示裝置之時，係能夠 相當容易地降低該端子電極13b等之透明之電極和端子部 位配線45a等之鋁合金配線間之接觸電阻，並且，係並不 容易安定及形成大型之液晶顯示裝置等，而進行著量產。 士外，係可以藉由照相製版作業數目料少之製程，而相 地製造出該具備有! 5英吋以上之晶顯 不裝置。 前述之製程二係並不僅限定於大型之液晶顯示裝置，此 而嘀二：ίί =由對於大型基板，進行著多圓角化處理， ^ 央〜以下之中型之液晶顯示裝置。此外，比較 所：二帛JL到目刖為止之所採用之高熔點金屬等而作 二：線m極材料，由於本實施形態、，係藉由適鋁 =能ΤΓ裝設於賤鍍用装置上之標乾，也成為低價 :全：等降低其製造成本。料，在對於紹 :金=專而進订者圖案化處理時之蝕刻用 口此係此夠更加地降低其製造成本。 此外，由於在進行著多圓
置中，係可以得到安定曰=Λ處王#之液晶顯示裝 提升其生產效r且良好之接觸電阻，因⑯，係“ :外’ 土形成鋁合金4或者含氮之鋁膜5之時 :1主所明在鋁合金4而形成有氧化鋁之被覆膜’、、、了能夠 生’因此，係最好施加著像以下所敘述之處覆置膜之現象發
1287651 五、發明說明（24) 首先’在開始形成鋁合金 氮之鋁膜5為止之間，後：Λ、 直到結束形成該含 成為n-wd 得該處理室内之氧濃度， 此外，在使得所謂形成該含二 力，成為10—3pa以下之後， 、鱗則之處理室内之壓 入至處理室内之狀態下者’人係取好在並無將大氣導 接著，牯Μ θ1 形成该含氮之鋁膜。 卜 + 、 疋為了在玻璃基板2之面内，带成始白夕八 鼠之銘膜’因此’係最好適 内二成々勾之： 置。在此時，為了使得該含氮：‘：”磁控官錢鏟裝 2〇⑽之範圍内，因此：二=膜之膜厚’進入至5〜 好使得$人_ 在知描式磁控管濺鍍裝置中，係最 好使付4含虱之鋁膜之成長 便於使得磁鐵之掃描次數，至；〜6〇nra/min，以 可以拉i ^至少成為多次之掃描次數。係 了以猎由δ又疋像w述這樣之成膜 内之膜厚及膜質之分布，成為均句之狀Γ 0咏、曰卜人係可以藉由使用所謂預先在高壓&體鋼瓶内而均 句地！稀釋有氬氣之氮氣，以便於在並無考量到微量 :虱量之狀態了，而能夠均勻地供應著氮氣至處理室 内之玻璃基板2之表面。係可以藉由像前述這樣之處理， 而能夠相當精密巧控制著該進行濺鍍處理之鋁粒子之氮化 之紅度並且，還可以提商該所形成之含氮之鋁膜5之電 阻係數之玻璃基板2面内之均一性。 但是，在該實施形態中，係列舉出該含氮之鋁膜5之電 阻係數呈比較低之狀態（〜丨χ 1 〇5 # Ω ·⑽），作為例 子’而進行著說明，但是，在形成所謂具備有大於前述之 89111832.ptd 第28頁 1287651 五、發明說明（25) _ ^氮之銘膜5電阻係數值之電阻係數之 : 之含氮之銘膜之；二也能夠藉由使得該接觸部 好之接觸電阻。、成為大為m以下’以便於得到良 值係使得氮氣流量F和成膜速度D間之比值F/D之 便於形成今雷^10ml/㈣（〇.1〜lml/A )之範圍内，以 具體一點f俜：：二比較向之含氮之鋁膜。如果說得更加 及氬老2 γ， 在例如Dc (直流）功率-1KW (千瓦）、 流量F、.ii乳、混合氣體流量為15〇SCCm (氮氣之實際之 這樣之膜之條件下’藉㈣鑛法， —在左此右時’Λ氮之紹膜之成膜速度D ’係成為大約7·/ 其成膜時n /亥作為含氮之鋁膜之膜厚，係藉由調整 八f膜4間，而成為例如大約7nm左右。 的，=呈f較高，狀態下’就正如圖1〇之所顯示 厚，俜阳^ ^ ，5亥可以得到相當良好之接觸電阻之膜 始，:二 疋在相當薄之範圍内。因此，係必須要由最初開 膜之膜厚。:之精度’在玻璃基板2面内，控制含氮之銘 得含氣之#描了達成像丽述這樣之精度，因此，係最好使 此外，ίΐί成！速度，成為3〜10⑽八in。 該接觸孔栌少=f延樣之狀態下’係必須要控制所謂形成 量’成為4乙二Ί1處理之所造成之含氮之鋁膜之削除 之氮化;5夕膜fi 此，係必須要使得該成為閘極絕緣膜 則和錢為層間膜之氮切㈣之膜厚，變得
89111832.ptd 第29頁 1287651 五、發明說明（26) 比較薄。 接著，所謂使得該含氮之鋁膜之 約左右），係幾乎並不會影響到所加地薄（大 線45a或者閘極電極45b進行著明知子部位配 理之所產生之含氮之銘膜之⑵處理時之濕式餘刻處 伟二夺：Ϊ該實施形態中，於形成該含氮之銘膜5之時， ，除了氮氣之外，另外，如果為能夠用 胺It 氮化性氣體的言舌’係也可以使用氨、聯 月女和脉之至少任何一種之氣體。 ^外:如果由使得玻璃基板2面内之含氮之銘膜之膜厚 〃阻係數值呈均—之觀點來看的話，係可以在彡賤鐘用裝 ^ j而裝設有該含氮之鋁之標靶，以便於形成該含氮之鋁 、、在此牯，係可以藉由流動著前述之氮化性氣體，而能 σ 1偵4形成於玻璃基板2上之含氮之銘膜中之氮（n )之 缺損’並且’還可以使得含氮之鋁膜5之電阻係數值，接 近標靶用材料之電阻係數值。 二此外’除了在紹合金膜4上，形成該含氮之鋁膜5之外， 並，’係也可以藉由使得鋁合金膜4之表面呈氮化，而形 成該含氮之鋁膜。 〜例如在形成紹合金膜4之後，係藉由將氮氣、氨、聯 胺、或者腙等之氮化性氣體，導入至處理室内，同時，還 在1 0 〇 C以上之温度，進行著退火處理，以便於在鋁合金 膜4之表面上，形成該含氮之鋁膜。 此外’係可以藉由使得氮氣成為電漿化狀態，以便於提
第30頁 1287651 五、發明說明（27) 高鋁合金膜之氮化速度，並且，還能夠在更短之時間内 形成該含氮之鋁膜。 即使是在前述這些之方法中，係也可以藉由使得各個之 處理室内之氧濃度，成為10-10 m〇1 /；[以下，同時，還透過 該_鑛用t置之屢力為1 〇~3Pa以下之預備室，而在處理室 之間，搬送著基板，以便於能夠由開始形成鋁膜後而一直 到結束形成該含氮之鋁膜為止，使得該曝露有基板之氣氛 下之氧濃度’成為1 0"~1Gmo 1 /1以下。 ”
此外’係藉由使得鋁合金膜4之結晶粒之配向性，成為 (111 )配向，以便於相當容易地進行著鋁之氮化處理， 並且，在形成該含氮之鋁膜之時，係使得鋁合金膜，氮化 成為適當之厚度。係可以藉由像前述這樣之處理，以便於 改善該所形成之含氮之鋁膜5和鋁合金膜4間之界面之接合 狀態，而可以降低其接觸電阻。 °
此外，該作為含氮之鋁膜，係列舉出該結合有鋁和氮而 成為化合物之氮化鋁膜，作為某一個例子。此外，除了前 述之例子之外，即使是就像在鋁膜中而單獨地存在有氮之 鋁膜、或者是像在含氮之鋁膜中而單獨地存在有像前述這 樣之氮之薄膜，係也可以考慮得到相同之傾向。 實施形熊2 ’該作為所謂形成在鋁 列舉出膜厚比較薄之狀 本實施形態中之液晶顯 比較厚之狀態，而進行 在實施形態1中之液晶顯示裝置 合金膜上之含氮之鋁膜之膜厚，係 態，作為例子，而進行著說明。在 示裝置，係就該含氮之鋁膜之膜厚
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著說明。 方法，而進行著說明。，先，係藉由相 同於貫施形悲1中之所說明之圖丨 ^ 在玻璃基板2上，形成鋁膜4及含氮之鋁膜5之作業’以便於 用之二(作At t銘膜5之成膜條件，係使得賤鑛 : 成為1KW(千瓦）。該作為導入 至處理至^之氮氣，係使用所謂由氬氣（Ar)_2〇% 氣 )之混合乱體之南壓氣體鋼瓶而稀釋處理過之氮氣。 著，該混合氣體之流量，係為5Gsccm。 說
實：二=係為版…外，係調整其成膜時T 以便於使付该含氮之鋁膜5之膜厚，成為大約25關左右。 係藉由像前述這樣之處理，以便於形成該電阻 高（〜lx 1〇5 # Ω .cm)之含氮之銘膜。 此外，該作為鋁合金膜，係適用例如含有〇 2wt%銅之鋁 合金膜（A1 (銘）—〇2wt%Cu (銅）膜）。 然後，係經過所謂相同於實施形態1中之所說明之圖2〜 圖4所示作業之作業，而相同於圖5所示之作業，以便於形 成ά亥用以覆蓋住薄膜電晶體T之氮化石夕膜1 〇。
接著，係藉由使用該所規定之光阻劑圖案，作為罩幕， 並且，對於氮化矽膜1 〇、6，進行著異方性蝕刻處理，以 便於形成该接觸孔1 1 a及接觸孔1 1 b。在此時，該作為姓列 用氣體’係使用CF4和A之混合氣體或者SFe和〇2之混:氣 特別是在前述之作業中，就正如圖丨丨之所顯示的，在形
1287651 五、發明說明（30) 鋁膜之膜厚（大約1 2nm左右）。因此，即使例如 素電極13a或者端子電極13b時之蝕刻液等之藥液，诵 滲透至該存在於氮化梦膜1〇、6上之針孔，係也能通過及 確實地阻止該㈣液等之藥液，到達至銘合金臈4。更加 結果，係能夠相當確實地防止所謂蝕刻或腐蝕到妒 =配線45a或者該含有閘極配線之閘極電極45b之現=發σ 實施形態3 係就實施形態3之液晶顯示裝置’而進行著說日 實施形態中之液晶顯示裝置’係就含氮之鋁膜之在： 厚並=之電阻係數值比較高之狀態，❿進行著杈 盲先，在相同於實施形態！中之所說明之則所矛^。 作二：，在玻璃基板2上’形成銘膜4及含氮之銘膜5乍。業之 用冗：之⑽直流)功率’成為二7二; 至處理室内之氮氣，係使用所謂由氬氣（Ar)_mY^ 氣）之混合氣體之高壓氣體鋼瓶而稀二乳 著，該混合氣騁夕泣暑，筏达c Λ <鼠乳。接 择γ之冶日Ρ、 係為50sccm。也就是說，氮氣之 貫際之机垔F，係為10sccm。此外， 虱軋之 以便於使得該含氮之銘膜5之膜厚卜，：以„間， 二㈣f這樣之處理’以便於形成成气亥大二^^ 同（1x1 〇#Ω · cm)之含氮之鋁膜。 此^該作為銘合金膜，係適用例如含有〇 2wt%銅之 鋁合金膜（A1 (鋁）_〇.2wt% Cu (銅）膜）。。 89111832.ptd 第34頁 1287651 五、發明說明（31) 然後^，係經過所謂相同於實施形態i中之所說明之圖2〜 圖^所示作業之作業，而相同於圖5所示之作業，以便曰於= 成该用以覆蓋住薄膜電晶體T之氮化矽膜1 〇。 接著，係藉由使用該所規定之光阻劑圖案，作為罩幕， 亚且，對於氮化矽膜1〇、6，進行著異方性蝕刻處理，以 便於形成該接觸孔1 1 a及接觸孔丨丨b。 在形成該接觸孔11 a及接觸孔llb之時，係施加著二 之蝕刻處理。 一 又 在該第1階段之蝕刻處理中，係使用和〜之混合氣體 或者St和％之混合氣體，並且，還施加著大約125%左右 ’過度蝕刻處理。然後，係停止供應〇2 (氧氣）氣體，而 入N2(氮氣）氣體。 人，著，在該第2階段之蝕刻處理中，係藉由C]?4和^之混 己虱體或者SFe和N2之混合氣體，而施加著大約5〇秒鐘左右 之蝕刻處理。 、$系，由像前述這樣之處理，以便於在對於含氮之鋁膜5 進，，蚀刻處理而曝露出鋁合金膜4之表面之前，停止供 應氧^ ’而導入氮氣，然後，在並無發生所謂鋁合金膜4 之所露出之表面曝露在〇2 (氧氣）中而形成有氧化鋁之被覆 ，之狀態下，於鋁合金膜4之表面上，形成該含氮之鋁 層。 然後，係藉由經過所謂相同於實施形態1中之所說明之 圖7至圖9所示作業之作業，以便於完成液晶顯示裝置。 特別是如果藉由前述之液晶顯示裝置之製造方法的話，
1287651 五、發明說明（32) 就正如圖12之所顯示的，即使是在含氮之鋁膜5之玻璃基 板2内之+均1生並不太良好’ @且’並不容易控制該接觸 部中之膜厚4之狀態下，係也可以藉由施加著2階段之蝕 刻處理，以便於能夠相當容易地在接觸部丨，形成該所 要求之厚度之含氮之鋁膜。 也就是說’在藉由钱刻處理而形成該接觸孔丨之時， 即使疋在接觸孔之底部上，曝露出部分之鋁合金膜4之表 ，可以藉由在曝露出在呂合金膜4之表面之前，停止 氧氣，而導入氮氣，以便於在前述之所曝露出之鋁合 $膜4之表面±，形成該所預估之膜厚大約2〜⑽左右之 含氮之鋁膜。 結果’係、可以在接觸部i2a中，得到相當良好之接觸電 :蓄並'，係還相同於實施形態！中之所說明之液晶顯示 衣置，而能夠防止所謂訊號呈延遲之現象發生。 此外，在本液晶顯示裝置中，接觸部丨2a以外之 鋁：，臈厚，係、更加地厚於實施形態】之液晶顯示裝i中 之含，之鋁膜之膜厚（大約12nm左右）。 係此夠藉由像前述這樣之處理，而相同於 ==示裝i以便於相當確實地防止所謂茲“二 @ $ I ί位配線453或者該含有閘極配線之閘極電極45b之 現冢發生。 實施形 =實施形態4之液晶顯示裝置，而進行著說明。在實 “愍〜3之液晶顯示裝置中，係在端子部位配線或者閘
89111832.ptd 第36頁 1287651 五、發明說明（33) 極電極，適用該由{入 積膜。在本實施二金；和含氮之銘合金膜而組成之層 和含氮之㈣_ 極和汲極電極而適用銘合金膜 著說明。 斤、、且成之層積膜之液晶顯示裝置，而進行 首先，在經過該如η 3所示作業之作業之後於:正 中之所說明之圖1至圖 歲鍍法，而形成膜厚大約j 貝' f
覆蓋住該鉻膜31。^ 左右f之紹合金膜I 含氮之减33。卜係在¥述之1呂合金膜32上，形成 jnnc3之成膜條件，係使得濺鑛用裳置中 之匕c (直:十力率，成為1KW (千瓦）。該作為導入至處 理室内之，氣，係使用所謂由1氣（& ) 一工〇 %〜（氮氣 )之混合氣體之高壓氣體鋼瓶而稀 著，該混合氣體之流量，係為50sccm。也就是二：之 貫際之流虿F，係為5sccm。料，係調整其成膜時間，以 便於使得氮化鋁膜之成長速度!）成為大約2〇nm/min左右， 並且，该含氮之鋁膜5之膜厚，成為大約3〇nm左右。 此外，該作為鋁合金膜32，係適用例如含有〇· 2wt %銅 之铭合金膜（A1 (鋁）-(K2wt% Cu (銅）膜）。 然後，係在含氮之鋁膜33上，形成該所規定之光阻劑圖 案（並未圖示出）。係藉由使用該光阻劑圖案，作為罩 幕，並且，對於含氮之鋁膜33和鋁合金膜32，施加著蝕刻
89111832.ptd 第37頁 1287651 五、發明說明（34) 處理，而且，逛對於鉻膜3丨，施加著蝕刻處理。 接著，係藉由施加著乾式蝕刻處理，而 結晶補’就正如圖14之所顯示的，以便二上 :二：=極配線之源極電極9a以及汲極電極9
係除去該光阻劑圖案。 A 接著’係參照圖15 ;為了保護薄膜電晶體τ，因此，係 ^化梦膜6上’藉由CVD (化學氣相沉積）法等而形成 =匕石夕^。在該氮切錢上，係塗敷及形成有厚度大 ^«左右之例如由丙烯酸等而組成之感光性透明樹脂膜 接著，係藉由施加著照相製版處理，而 體;=F 孔llb，為此時之則用氣、 大約3。％左右。像前述這樣、，度:刻處理r 過度蝕刻處理而導致該接觸部中之含氮：：止所，由於 地薄於該所要求之膜厚之現象發生之緣故、。、之膜厚更加 比較起接觸孔1 lb，特別|力膜+山、広 接觸孔Ua，係在對於氮化=電極9a表面之 接著，對於含氮之鋁膜33a，進行過刻處理之後， 部分之含氮之鋁膜之蝕刻量，係更加地广理。因此，該 中之含氮之鋁膜5a之蝕刻量。、 夕於該接觸孔lib 在像前述這樣之狀態下，就正如圖16 的，該作為含氮之鋁膜33，俜1 u ^ Λ / 之所顯不 係可以稭由形成厚度更加地厚
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五、發明說明（35) 而使得該接觸孔 成為該所要求之 係在後面，進行 於含氮之鋁膜5之大約30 nm左右之厚度 11a之接觸部中之含氮之鋁膜33a之膜厚 膜厚。此外，有關於像前述這樣之處理 著更加具體之說明。 接著，係參照圖1 8 ;係在該包含有拉 光性透明樹脂膜34上，藉由例如濺鲈沬隹 i ^之感 約lOOnm左右之ITO (錮錫氧化物）腹r并丄 少取朕y子大 該ITO (銦錫氧化物）膜上，係形成有 κ ’ 在 圖案（並未圖示出成有錢規定之光阻劑 係藉由使用該光阻劑圖案，作為罩幕，而對於ΙΤ0 (姻 錫氧化物）膜，施加著蝕刻處理，以便於形成像素電極 端 '電極13b。然後，係藉由經過所謂相同於實施形 恶1中之所說明之圖8及圖9所示作業之作業，以 6 液晶顯示裝置。 ^ 、兀风 如果藉由前述之液晶顯示裝置之製造方法的話，係可以 在圖16及圖17所示之接觸孔lla、Ub之接觸部丨。、^ 中，分別地形成該所要求之膜厚之含氮之鋁膜。 入，先*在接觸孔11 b，該進行著姓刻處理之氮化石夕膜之 =4之膜厚，係為大約5〇〇nm左右（氮化矽膜6 : 4〇〇nm、 虱化矽膜10 : l〇〇nm )。在該蝕刻處理中，係施加著3〇 % 之，度蝕刻處理。因此，在整體之蝕刻處理中，當換算成 為鼠化石夕膜之膜厚之時，係進行著大約65〇1]111左右之份量 之钱刻處理’並且，該藉由過度蝕刻處理之所蝕刻處理掉 之膜厚’係相當於大約150nm左右之份量。 1287651 五、發明說明（36) 矽膜：全二：膜：接，孔1 la，M進行著蝕刻處理之氮化 l〇〇nm)。就正如兑而為大約1〇〇龍左右（氮化矽膜1〇 ·· 換算成為氮化石夕膜\膜之厚所之敛日士述的’在該#刻處理中，當 之份量之斜利係進行著大約65 0⑽左右 4 ^ μ .，r 。因此，該藉由過度蝕刻處理之所蝕刻 膜厚，係相當於大約55。㈣左右之份量 化：)3 (膜:Λ化、矽膜之間之餘刻選擇比（αιν (氮 llb中之八〇 f矽））成為大約丨〆20之時，該接觸孔 入筒夕/膜58，係被钱刻大約7.5nm左右。由於該 之最初之膜厚’係為大約12nm左右，因此， 處理之時間‘點，係殘留有大約…右之含 ..^ 一方面，該接觸孔lla中之含氮之鋁膜33a，係被蝕 刻大約27. 5ηιη左右。由於該含氮之鋁膜33a之最初之膜 厚，係為大約30⑽左右，因此，在結束蝕刻處理之時間 點，係殘留有大約2· 5nm左右之含氮之鋁膜七。 >像W述這樣，在各個之接觸部丨2 a、丨2b，係可以得到 謂用以得到該所要求之接觸電阻值之所規定之含氮之鋁 之膜厚。 嗎 此外’在該液晶顯示裝置中，係使用膜厚1 # m以上之感 光性透明樹脂膜34，但是，在並無使用像前述這樣之感光 性透明樹脂膜34之狀態下，由於含氮之鋁膜係為2〇nm以上 而變得比較厚，因此，就正如圖丨9之所顯示的，係由於在 形成源極電極1 9a和汲極電極9b時之蝕刻處理，而更進一
1287651 五、發明說明（37) 步地加大該含氮之鋁膜33a之遮蔽部41。 因此，就正如該圖1 9中之點線圓4 2内之所顯示的，例如 該由形成於源極電極9a之位差部分上之I TO (銦錫氧化物 )膜之所組成之像素電極1 3 a，係發生有斷線現象。 在本液晶顯示裝置中，就正像前面之所敘述的，係可以 藉由形成感光性透明樹脂膜34，以便於使得該形成有像素 電極13a等之面，成為平坦，而能夠防止像前述這樣之 素電極1 3 a之斷線現象發生。 此外，在形成源極電極9 a和汲極電極9 b之時， 鉦
而是使用乾式㈣處理，以便於 止所明形成该含虱之鋁膜33a之遮蔽部之現象發生， :膜3?象前述這樣之狀態下’係可以省略掉感光性透明相 該作為像 子，係列舉 性離子蝕刻 化硼（BC13 10Pa 。 RF ( 用時間，係 此外，係 顯示裝置之 之鍅刻處理 以上之厚度 部，因此， 狀態下之乾式姓刻條件之某-例 f下所敘述之條件。也就是說，係適用反庳 )m用並，’還使用氯⑵2)及三: 、、4用軋體。處理室内之壓力^ 包含有閘：i Ϊ : A ; f中之所說明之液晶 ，因此，二膜”著相同 之狀態下’由於並無形成該含氮=為2 — 係能夠拓嘗兮„ & 取°豕3鼠之銘膜之遮蔽 拓見该閘極配線之初期膜厚之界限。此
89111832.ptd 第41頁 1287651 五、發明說明（38) _ =，係可以藉由更加地加厚該含氮之鋁 提高配線之耐藥液性。 、之厚度以便於 電:係二以藉由適用感光性透明樹脂膜，❺降低像素 像素電極Ua和該包含還可以使得 度重疊之構造。 極配線之汲極電極9a，成為過 内係二m前述這樣之處理’而在源極配線之幅寬 像素電極i3a周邊之配向不良區域，並且二 η:液晶顯示裝置之面板之開口率 通 旱，係指：藉由圖8所示之黑色矩陳〗q々水 所明開口 光線之區域和穿透過光線之區域之比值或者配線而遮蔽住 :匕外’係、能夠藉由在配線材料，使用該具備 ，而更加細密地設計著各個之配線幅Π 率，b夠糟由像前述這樣之處理，而實現更高之ς口並 此外，在前述之各個之實施形態中，係… 型之非結晶矽薄膜電晶體之液晶顯置' k逼蝕刻 :體係也可以在使用平面型之2多 液晶顯示裝置之源極配線上，· 2電 及含虱之鋁合金膜，以便於得到相同之效果。 合金膜 t =，本發明係不僅限定於液晶顯示裴置； 八備有所謂含有相當廣之鋁合金之多層配二也可以在 之ΐ:部分中，藉由使得該位處於接觸部導體 成為該所規定之膜厚，以便於能夠得到捲3虱之 』得觸電阻相
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五、發明說明（39) 當低之半導體裝置。 此外’该作為接觸部，係列舉出所謂位處於接 狀恶’作為例子，但是，本發明係龙不僅限定於此孔:= 是說’係也可以藉由在2個之配線呈電氣地接觸之部分就 上適用像别述這樣之構造，以便於能夠大幅度地降低該 接觸電阻。 - 這次之所揭示出之實施形態 也就是說，係應該認為··本發 非由別述之說明，揭示出本發 範圍，揭示出本發明之範圍， 示包含有所謂與申請專利範圍 範圍内之全部之變更。 【元件編號之說明】 A :像素顯示部 B :端子部 d :膜厚 ’係全部為例舉出之例子， 明係並不僅限定於此。係並 明之範圍，而是由申請專利 因此’本發明之範圍，係表 呈相同之意義以及申請專利
di :膜厚 d2 :膜厚 :鋁膜 T : 薄膜電晶體（TFT ) 2 ： 玻璃基板 4 ： 鋁合金膜
4a··第1層（紹合金膜、下層部） 5 :鋁膜
89111832.ptd 第43頁 1287651 五、發明說明（40) 5a:鋁膜（第2層、上層部） 6 :氮化矽膜（絕緣膜） 7 :非結晶矽膜 8 : n+型非結晶矽膜 9 a :汲極電極 9 b ·源極電極 I 0 :氮化矽膜 # II a :接觸孔 11 b :接觸孔 12a :接觸部 13a :像素電極 13b :端子電極（第2導電層） 15 :配向膜 16 :密封用材料 1 7 :玻璃基板 18 :色材 19 :黑色矩陣 20 : I TO (銦錫氧化物）膜 # 21 :配向膜 2 2 ·液晶 2 3 ·液晶面板 24 :驅動用1C (積體電路）基板 2 5 :軟性印刷電路 31 :鉻膜
89111832.ptd 第44頁 1287651 五、發明說明（41) 32 ： 鋁合金膜 33 ： 鋁膜 3 3a :鋁膜 34 ： 感光性透明樹脂膜 41 ·· 遮蔽部 42 ： 點線圓 45a 端子部位配線（第: 45b 閘極電極 45c 輔助用電容配線 45d 閘極電極 102 玻璃基板 104a :端子部位配線 104b :閘極電極 104c :輔助用電容配線 106 氮化$夕膜 107 非結晶碎膜 108 n+型非結晶矽膜 109a • >及極電極 109b :源極電極 110 : :氮化矽膜 111a :接觸孔 111b :接觸孔 113a :像素電極 113b :端子電極 §
89111832.ptd 第45頁 1287651 圖式簡單說明 圖1係為用以顯示出本發明之實施形態1之液晶顯示裝置 之製造方法之某一作業之剖面圖。 圖2係為用以顯示出在前述之同一個之本發明之實施形 態1中而進行著圖1所示之作業後之作業之剖面圖。 圖3係為用以顯示出在前述之同一個之本發明之實施形 態1中而進行著圖2所示之作業後之作業之剖面圖。 圖4係為用以顯示出在前述之同一個之本發明之實施形 態1中而進行著圖3所示之作業後之作業之剖面圖。 圖5係為用以顯示出在前述之同一個之本發明之實施形 態1中而進行著圖4所示之作業後之作業之剖面圖。 圖6係為用以顯示出在前述之同一個之本發明之實施形 態1中而進行著圖5所示之作業後之作業之部分擴大剖面 圖。 圖7係為用以顯示出在前述之同一個之本發明之實施形 態1中而進行著圖5所示之作業後之作業之剖面圖。 圖8係為用以顯示出在前述之同一個之本發明之實施形 態1中而進行著圖7所示之作業後之作業之剖面圖。 圖9係為用以顯示出在前述之同一個之本發明之實施形 態1中而進行著圖8所示之作業後之作業之概略圖。 圖1 0係為用以顯示出在前述之同一個之本發明之實施形 態1中而接點電阻對於含氮之鋁膜之膜厚及電阻係數之分 布之圖形。 圖11係為用以顯示出本發明之實施形態2之液晶顯示裝 置之製造方法之某一作業之部分擴大剖面圖。
89111832.ptd 第46頁 1287651 圖式簡單說明 圖1 2係為用以顯示出本發明之實施形態3之液晶顯示裝 置之製造方法之某一作業之部分擴大剖面圖。 圖1 3係為用以顯示出本發明之實施形態4之液晶顯示裝 置之製造方法之某一作業之剖面圖。 圖1 4係為用以顯示出在前述之同一個之本發明之實施形 態4中而進行著圖1 3所示之作業後之作業之剖面圖。 圖1 5係為用以顯示出在前述之同一個之本發明之實施形 態4中而進行著圖1 4所示之作業後之作業之剖面圖。 圖1 6係為在前述之同一個之本發明之實施形態4中之圖 1 5所示之作業之部分擴大剖面圖。 圖1 7係為在前述之同一個之本發明之實施形態4中之圖 1 5所示之作業之其他之部分擴大剖面圖。 圖1 8係為用以顯示出在前述之同一個之本發明之實施形 態4中而進行著圖1 5所示之作業後之作業之剖面圖。 圖1 9係為用以說明在前述之同一個之本發明之實施形態 4中之液晶顯示裝置之優點之部分擴大剖面圖。 圖2 0係為用以顯示出習知之先前技術之液晶顯示裝置之 製造方法之某一作業之剖面圖。 圖2 1係為用以顯示出所謂進行著圖2 0所示之作業後之作 業之剖面圖。 圖2 2係為用以顯示出所謂進行著圖2 1所示之作業後之作 業之剖面圖。 圖2 3係為用以顯示出所謂進行著圖2 2所示之作業後之作 業之剖面圖。
89111832.ptd 第47頁 1287651 圖式簡單說明 圖2 4係為用以顯示出所謂進行著圖2 3所示之作業後之作 業之剖面圖。 89111832.ptd 第48頁 ii·

Claims (1)

  1. 1 · 一種半導體裝置，係具備有以下之構件： 基板（2)，具備有主表面； 第1導電層（45a)，形成於前述基板（2)之主表面上；以 第2導電層（13b)，形成於前述基板（2)之主表面上， 而電連接至前述第1導電層（45a)， 月ίι述第1導電層（45a)係由層積膜而組成，該層積膜係且 備有： 〃 第1層（4a)，以銘作為主成分；以及 第2層（5a)，包含有含氮之鋁； 在前述第1導電層（45a)和前述第2導電層（13b)接觸 之接觸部（1 2 a )中’前述第2層（5 a )係直接地接觸到前 述第2導電層（13b ); 在前述第2層（5a)之電阻係數/0為5〇</0$1><1〇5 //Ω · cm之情況下，前述接觸部（12a)中之前述第2層 (5a)之膜厚d ’係為滿足〇<ρ ·3<3Ω · /zm2之膜厚； 在前述第2層（5a )之電阻係數p為1 X i〇5 v Ω · cm < P之情況下’前述接觸部（12a )中之前述第2層（5a )之 膜厚d ’係為滿足〇<d<3nm之膜厚； 在令前述接觸部（12a)之面積為面積s時，所規定之前 述接觸電阻R，係滿足r · S <i〇〇m Q · /zm2。 2 ·如申請專利範圍第1項之半導體裝置，其中係具備有 以下之構件： 絕緣膜（6)’形成在前述基板（2 )上，以便於覆蓋住前
    1287651 心 修正 曰 _ 案號89】118沿 六、申請專利範圍 述第1導電層（45a);以及 接觸孔（lib)，形成在前述絕 & 第1導電層（45a)之表面； 膜…i “於別述 如述接觸部（1 2 a )将# >& #、〇·、》 /义、+、心、在則述接觸孔（llb )内； 在則述第1導電層（45a)中，於前 前述第2層（5a); 於則逑第1層Ua)上形成 前述第2導電層（13b")孫# # + ^ : Udb)係形成在包含有前述接觸孔 (1 1 b )内之刖述絕緣膜（6 )上。 屏3“如"專利範圍第1項之半導體裝置，其中，前述扪 曰（4a)之鋁結晶粒之面方位係為（ιιι )配向。 第;声如^請、專利第1項之半導體裝置，其中，在前述 产曰3之電阻係數P為50 < Mix 1〇5 # Ω .cm之 f月况下，别述接觸部（12a)以外 (5〇的膜厚T，係為滿足0<τ<2〇η:::;…2層 接5觸=專、利1?第1項之半導體裝置，其中，在前述 為τ心 ^ 的部分中之前述第2層（5a)的膜厚Τ "況下’前述絕緣膜（6 )之膜厚係更厚於1 申請Λ利範圍第5項之半導體裝置，其中，前述絕 4膜（6 )係包含有透明樹脂膜。 導7電m專利範圍第1項之半導體裝置，其中，前述第2 層（13b)係包含有透明導電膜。 8.種液晶顯示裝置，係具備有以下之構件： 透明之基板（2)，具備有主表面； C:\ 總檔\89\89111832\89111832(替換）-2.Ptc 第50頁 1287651
    形成於前述基板（2)之主表面 --------案號 89111832 六、申請專利範圍 第1導電層（45a ) 上； 々絕緣膜（6 )，形成在前述基板上，以便於覆蓋住前述 第1導電層（45a ); 接觸孔（11 a )，形成在前述絕緣膜（6 )上，露出於义 述第1導電層（45a)之表面；以及 ；Μ 透明之第2導電層（13b)，形成於前述絕緣膜（6) 上’而電連接至前述第1導電層（45a)，以便於掩埋俞、+、 接觸孔（lla); 月4 前述第1導電層（45a)係具備有： 下層部（4 a )，以铭作為主成分；以及 上層部（5a)，層積在前述下層部（4a)上，而包冬* 含氮之鋁； 有 前述接觸孔（lla)係露出於前述上層部（5a)之矣 面； 在前述上層部（5a )之電阻係數p為5〇 < p ! χ 1〇5 ·επι之情況下，前述接觸孔（iia)之接觸部（i2a) 中之岫述上層部（5a )之膜厚d，係為滿足〇 < p · d <3 Ω • # m2之膜厚； 在前述上層部（5a )之電阻係數p為！ χ 1〇5 # Ω · cm < P之情況下，如述接觸孔（11 a )之接觸部（1 2 a )中之前 述上層部（5a )之膜厚d，係為滿足〇 <(i <3nm之膜厚； 在令别述接觸部（1 2a )之面積為面積s時，所規定之前 述接觸電阻R，係滿足R · S <1〇〇Μ Ω · “Μ。
    1287651 案號 89111832 六、申請專利範圍 9. 一種半導體裝置之製造方牛 在基板（2)上層積以铭作方A法主Λ具備有思以下之步驟： (4a) ΓΛΛ (40 ? ,R , ^ ^ y 層積由含虱之鋁所構成之上層部 (5a),，以便於形成第i導電層（45a)之步驟； 在前述基板（2 )上形成绍終描,。、 述第!導電層（450之步驟V (6) ’以便於覆蓋住前 在前述絕緣膜（6)上形成露出於 面之接觸孔（11a)之步驟；以及 | aa)录 在前述絕緣膜（6)上形成第2導電層（13b)之步驟， =第2導電f U3bJ、係電連接至露出於前述接觸孔 (11a)之底部上之鈾述上層部（ga) · 在前述形成接觸孔（1 la)之步驟中，前述接觸孔（Ua) 之接觸部（12a )中之上層部（5a )之膜厚d ’ 在前述上層部（5a )之電阻係數p為5〇 < p glx ι〇5 // Ω · cm之情況下，係為滿足〇 < p · d < 3 Ω ·以#之膜 厚， 、 在前述電阻係數p為1 x 1〇5 " Ω < p之情況下係 為滿足0<d<3nm之膜厚； ' 在令前述接觸部（12a)之面積為面積3時，所規定之前 述接觸電阻R，係滿足R ·3<1()()ΜΩ · 。 10·如申請專利範圍第9項之半導體裝置之製造方法，其 中，藉由濺鍍法在氮氣環境中形成前述上層部（5a ). 曰當將導入至前述基板（2 )所曝露之環境内之氮氣之流 1設為流量F，而將前述上層部之成長速度設為成長速度D
    第52頁 1287651 案號89111832_年月日 —修正^_ 六、申請相翻 · 〜 時，係在0· 1 < F /D <10ml/nm之下形成。 11 ·如申請專利範圍第1 0項之半導體裝置之製造方法， 其中，在0.1<F/D<lml/nm之情況下，前述成長逮声d 係為3<D<60nm/min ; ^ 在1<卩/0<1〇1111/11111之情況下，前述成長速度|)係 < D < 1 〇nm /m i η。 、:、、、3
    C:\總檔\89\89111832\89111832(替換）-2.ptc 第 53 頁
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI419335B (zh) * 2008-04-18 2013-12-11 Au Optronics Corp 顯示裝置及其製造方法
TWI485499B (zh) * 2012-04-10 2015-05-21 Century Technology Shenzhen Corp Ltd 液晶顯示面板陣列基板及其製造方法

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100627649B1 (ko) * 2000-10-30 2006-09-22 엘지.필립스 엘시디 주식회사 반투과 액정 표시 장치 및 그의 제조 방법
US6818532B2 (en) * 2002-04-09 2004-11-16 Oriol, Inc. Method of etching substrates
JP2005062802A (ja) * 2003-07-28 2005-03-10 Advanced Display Inc 薄膜トランジスタアレイ基板の製法
TWI228389B (en) * 2003-12-26 2005-02-21 Ind Tech Res Inst Method for forming conductive plugs
JP2006236839A (ja) * 2005-02-25 2006-09-07 Mitsubishi Electric Corp 有機電界発光型表示装置
JP4556768B2 (ja) * 2005-05-26 2010-10-06 三菱電機株式会社 有機電界発光型表示装置
US7411298B2 (en) * 2005-08-17 2008-08-12 Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho (Kobe Steel, Ltd.) Source/drain electrodes, thin-film transistor substrates, manufacture methods thereof, and display devices
JP2007134388A (ja) * 2005-11-08 2007-05-31 Sharp Corp 窒化物系半導体素子とその製造方法
JP2007310334A (ja) 2006-05-19 2007-11-29 Mikuni Denshi Kk ハーフトーン露光法を用いた液晶表示装置の製造法
JP4728170B2 (ja) 2006-05-26 2011-07-20 三菱電機株式会社 半導体デバイスおよびアクティブマトリクス型表示装置
US20080242108A1 (en) * 2007-04-02 2008-10-02 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method for fabricating semiconductor device
JP6190792B2 (ja) * 2013-11-12 2017-08-30 株式会社神戸製鋼所 電極およびその製造方法
TWI567237B (zh) 2013-11-12 2017-01-21 神戶製鋼所股份有限公司 電極及其製造方法
CN103779358A (zh) * 2014-01-27 2014-05-07 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及其制作方法、显示装置
JP6337766B2 (ja) * 2014-12-25 2018-06-06 豊田合成株式会社 半導体装置の製造方法
EP3676878A4 (en) 2017-08-31 2020-11-04 Micron Technology, Inc. SEMICONDUCTOR DEVICES, HYBRID TRANSISTORS AND RELATED PROCESSES
EP3676877A4 (en) 2017-08-31 2021-09-01 Micron Technology, Inc. SEMICONDUCTOR COMPONENTS, TRANSISTORS AND ASSOCIATED METHODS FOR CONTACTING METAL OXIDE SEMICONDUCTOR COMPONENTS

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0828517B2 (ja) 1989-07-04 1996-03-21 シャープ株式会社 薄膜トランジスタアレイ
JP2598335B2 (ja) * 1990-08-28 1997-04-09 三菱電機株式会社 半導体集積回路装置の配線接続構造およびその製造方法
KR960001601B1 (ko) * 1992-01-23 1996-02-02 삼성전자주식회사 반도체 장치의 접촉구 매몰방법 및 구조
JP3035101B2 (ja) 1993-02-04 2000-04-17 シャープ株式会社 電極基板及びその製造方法
JP2965116B2 (ja) 1993-10-19 1999-10-18 新日本製鐵株式会社 機械部品の油溝位置検出方法および装置
US5734452A (en) 1994-09-26 1998-03-31 Sharp Kabushiki Kaisha Two-terminal non-linear resistive device and a method for producing the same in which nickel or iron is an impurity in the zinc sulfide layer
KR100338480B1 (ko) 1995-08-19 2003-01-24 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시장치및그제조방법
JP3302240B2 (ja) 1995-11-28 2002-07-15 シャープ株式会社 薄膜トランジスタ及びその製造方法
KR100208024B1 (ko) * 1996-10-04 1999-07-15 윤종용 힐락 억제를 위한 tft의 알루미늄 게이트 구조 및 그 제조방법
US6016012A (en) * 1996-11-05 2000-01-18 Cypress Semiconductor Corporation Thin liner layer providing reduced via resistance
JP3323423B2 (ja) 1997-06-27 2002-09-09 富士通株式会社 液晶表示パネル
US6110766A (en) * 1997-09-29 2000-08-29 Samsung Electronics Co., Ltd. Methods of fabricating aluminum gates by implanting ions to form composite layers
JP4663829B2 (ja) * 1998-03-31 2011-04-06 三菱電機株式会社 薄膜トランジスタおよび該薄膜トランジスタを用いた液晶表示装置
KR100267106B1 (ko) * 1998-09-03 2000-10-02 윤종용 반도체 소자의 다층 배선 형성방법
JP2001060590A (ja) * 1999-08-20 2001-03-06 Denso Corp 半導体装置の電気配線及びその製造方法
US6261950B1 (en) * 1999-10-18 2001-07-17 Infineon Technologies Ag Self-aligned metal caps for interlevel metal connections

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI419335B (zh) * 2008-04-18 2013-12-11 Au Optronics Corp 顯示裝置及其製造方法
TWI485499B (zh) * 2012-04-10 2015-05-21 Century Technology Shenzhen Corp Ltd 液晶顯示面板陣列基板及其製造方法

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Publication number Publication date
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