TWI280965B - Organic anti-reflective polymer and preparation thereof - Google Patents

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TWI280965B
TWI280965B TW089110844A TW89110844A TWI280965B TW I280965 B TWI280965 B TW I280965B TW 089110844 A TW089110844 A TW 089110844A TW 89110844 A TW89110844 A TW 89110844A TW I280965 B TWI280965 B TW I280965B
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Sung-Eun Hong
Min-Ho Jung
Ki-Ho Baik
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Hyundai Electronics Ind
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Description

1280965 五、發明說明（l) ------- 本案疋有關於1999年6月26曰申請的韓國專利申請案 唬No· 1 999-24469，並主張該優先權。 本發明係有關於可以穩定形成64M、25 6M、1G、4G及 16G DRAM半導體裝置之微細圖案的有機抗反射塗佈層 (ARC )、材料。特別是有關於包含對次微米程微影技9術中 使用的波長具有足夠吸收度的發色基取代物的有機抗反射 塗佈材料。該抗反射塗層在進行使用193 nm Ar{?雷射的次 微米微影製程時，可預防來自半導體晶片較低層或表面的 光反射以及減低光阻層的駐波。而且，本發明係關於包 括上述材料的抗反射塗層組成物，其所製成的抗反 以及其製備方法。 丨_ 制在次微米微影製程中，高度集積之半導體裝置的最重 =製程之一，無可避免地會發生由晶圓上較低層之光學性 質以及施加於上之光阻層的厚度改變所造成的駐波及反射 · 凹槽。此外，次微米微影製程經常有因來自較低層的散射' 光及反射光而改變關鍵尺寸CD (critical dimensi〇n )的· 為了>克服上述問題，已揭露有引進在基材和光阻膜之 間的一薄膜，叫做抗反射塗層以預防來自較低層的光反 射。大部分，抗反射塗層是以材料分類為有機和無機以及j 由相關的機制分類為吸收和干涉。 無機抗反射塗層通常用於使用具有波長365nm之丨一線 光源的微米微影製程中。ΠΝ或非結晶質碳塗層已廣為使 用於吸收光塗層，而SiON塗層則使用在光干涉塗層該
1280965 五、發明說明（3) 並減低來自較低層回衍射及反射的影響。因此，發展對特 定波長具有高吸收性質的抗反射塗層材料是這領域的最熱 門且最迫切的問題。 本發明克服習知技術中的問題，並提供一新穎有機化 合$，可使用於使用1 93 nm ArF雷射之次微米微影技術的 抗反射塗層。 本發明提供製備可預防在次微米微影製程中曝光造成 的漫射（diffusion )及反射之有機化合物的方法。 本發明更提供一包含預防漫射/反射化合物之抗反射 塗層，以及製備該抗反射塗層的方法、,。 本發明亦提供由該組成及製備方法製成的抗反射塗 層0
本發明之聚合物包括對光波長193nm具有高吸收度之 具有一苯基之單體，以使該聚合物樹酯吸收丨9 3nm波長 光。藉由加入另一具有環氧基之單體，而在本發明‘之聚合 物樹酯中導入使用開環反應之交聯機制，因此當該聚合物 樹酯之塗層固化時，也就是加熱至1 00-30 0 t達1〇-1〇〇〇秒 會發生交聯反應。結果可大巾I本發明之改善抗反射塗層的 形成、堅固及/谷解性。特別是本發明之製造可達到最大的 交聯反應效率以及儲存穩定性。本發明之抗反射塗層樹酯 在所有的碳水溶劑中具有優秀的溶解度，以形成塗層組成 物’但在固化後具有高抗溶劑性而一點都不會溶解在任何 溶劑中。這些優點使被塗佈之樹酯可沒有問題地形成抗反 射塗層，而預防當圖像形成於覆蓋的光阻層上時的從下部
1280965 五、發明說明（4) 切除及基腳的問題。並且，本發明之丙烯酸酯聚合物製成 的塗層具有比光阻層高的蝕刻率，因此而改進其中的蝕刻 選擇率。 本發明之聚合物樹酯如下列化學式（1 )所示：
OH 其中，Ra、Rb、Re及1分別為氫或曱基；I代表氫、羥、甲 氧羰基、羧基、羥甲基、取代或未取代、線型或支狀的烷 基或Cu烧氧烧基（alkoxyalkyl) ;w、x、y及ζ是從0.01至 0.99之莫耳比（莫耳fraction);以及h、112及113分別是1 至4的整數；以及下列化學式2 : Ο (Ch2)n, ^
第7頁 1280965 五、發明說明（5) 其中，Ra、Rb及匕分別為氫或曱基；Ri代表氫、羥、甲氧羰 基、繞基、經曱基、取代或未取代、線型或支狀的烷基或 ci-5燒氧烧基；x、y&z是從〇· 〇1至〇· 99之莫耳比·，以及h 及七分別是1至4的聱數。 本發明之聚合物樹酯由於包括在193ηπι波長具有優良 吸收度之苯基的ρ -甲苯磺醯烷基丙烯酸酯 (口-1:〇371311^1&〇1^1&1：6)單體，因此特別適用於該有機 抗反射塗層。較佳的單體包括下列化學式3之單體··
R CHa> (CHa)〇
O-S-O Φ CHs 其中，R為氫或甲基；η為2或3之整數。 —^學式（1 )之聚合物可以下列反應式1製備，其中 甲苯磺醯烷基丙烯酸酯型單體、羥烷丙烯酸酯型單體、 基丙烯酸酯型單體以及環氧甲基丙烯酸酯型單體是在溶 中起始劑的幫忙下聚合。每個單體之莫耳比範圍為〇.〇1: 〇·99，較佳為0.1至〇.9。 主 第8頁 1280965 五、發明說明（6)
其中，Ra、Rb、Rc及1^分別為氫或曱基；h代表氫、 經、甲氧羰基、羧基、羥曱基、取代或未取代、線型或支 狀的烧基或Cu烧氧烧基；w、x、y及z是從0.01至0.99之 莫耳比；以及h、n2及113分別是1至4的整數。 化學式2之聚合物可以下列反應式2製備，其中P-曱苯 石黃醯烷基丙烯酸酯、型單體、羥烷丙烯酸酯型單體、以及甲 基丙烯酸酯型單體是在溶劑中起始劑的幫忙下聚合。每個 單體之莫耳比範圍為0.01至0.99，較佳為0.1至0.9。R. I ch2=c ch2 I c*o I + 0 1 (CH2)n, ( I I =c ch2®c I I c»o o I + I o o general formula 2 CH3 ；CH2>n.
第9頁 1280965 五、發明說明（7) 其中，Ra、Rb及Rc分別為氫或甲基；R!代表氫、羥、甲 氧魏基、羧基、羥曱基、取代或未取代、線型或支狀的烷 基或C1-5烧氧烧基；ψ、x、y及z是從0.01至0.99之莫耳 比，以及及七分別是1至4的整數。 為了起始該聚合反應以製備化學式1及2之聚合物，可 使用一般自由基起始劑，較佳為選自2，2偶氮二異丁腈 (AIBN)、過氧乙醯、過氧月桂基以及t—過氧丁基所組成 的組群中。此外，亦可使用一般溶劑進行聚合，較佳為選 自四氫呋喃、甲笨、笨、甲乙基丙酮及二噚烷所組成的組 群中。該化學式1及2之聚合物的聚合反應較佳為在5〇 —8〇 °C中進行。 本發明之半導體裝置可以下述製成。單獨將化學式1 或2之共聚合物溶解在適當的溶劑中，或與〇1至3〇重量％ 之選自丙烯醛、雙乙基縮醛（diethylacetal )以及三聚 氰胺（me 1 am i ne )型交聯劑。過濾該得到的試液並塗佈在 晶圓後’再加以固化烘烤（h a r d - b a k e d )而形成交聯抗反 射塗層。再以傳統方式製成半導體裝置。 一般有機溶劑可用來製備該組成物，例如選自乙基3 一 乙氧丙酸酯、甲基3-甲氧丙酸酯、環己烷及丙烯乙二醇甲
基醚乙酸醋（propyleneglycol methyletheracetate)的 組群中。該溶劑的使用量較佳為抗反射塗層聚合物樹酯使 用重量的200至5000%。 已發現本發明之抗反射塗層在使用193nm ArF雷射為 光源之次微米微影製私中具有高效能。使用248nm KrF、
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1 57nm F2雷射、電子类 ^ Λ ^ ^ ^ ,束 EUV (extremely UV )以及離子 采馬尤源日守亦有相同效果。 2 ，明之優點及特徵對熟悉此項技術者更清楚可 —级午貝施例詳細說明之，惟該些實施例並非用以限 f ^發明之專利範圍，僅用為說明數個較佳實施例。 實施例1 ·· 基丙烯酸酯單艚之合成） 於0·35莫耳之三乙基胺加入0·35莫耳之p-甲苯磺醯 基氯化物。完全溶解後，在氮氣中慢慢加入〇. 3莫耳的2-經丙烯酸乙酯。該反應持續超過24小時並冷卻，在反應 中’以TLC檢測反應速度。在反應完成後，以1N_硫酸中和
並以去離子水清洗，再將該有機溶劑中的反應物萃取。以 硫酸鎮移除該有機溶劑中的水而製成如下列化學式1所示 的單體。其產率為90-95%。
化學式1 實施例2 : ( p-甲茉碏醯乙基丙烯酸曱酯簞體之H ) 於0.35莫耳之三乙基胺加入0.35莫耳之Ρ-甲苯磺醯 基氯化物。完全溶解後，在氮氣中慢慢加入〇· 3莫耳的2-
第11頁 1280965 五、發明說明（9) 羥甲基丙烯酸乙酯。該反應持續超過24小時並冷卻，在反 應中，以TLC檢測反應速度。在反應完成後，以1 N_硫酸中 和並以去離子水清洗，再將該有機溶劑中的反應物萃取。 以琉酸鎂移除該有機溶劑中的水而製成如下列化學式2所 示的單體。其產率為90-95%。
化學式2 實施例3 : i P-曱1磺醯丙某而嬌酸酯箪體之合成） 於〇·35莫耳之三乙基胺加入0.35莫耳之ρ-曱苯磺醯 基氣化物。完全溶解後，在氮氣中慢慢加入〇. 3莫耳的2-說丙基丙烯酸酯。該反應持續超過2 4小時並冷卻，在反應 中’以T L C檢測反應速度。在反應完成後，以1 Ν -硫酸中和 並以去離子水清洗，再將該有機溶劑中的反應物萃取。以 硫酸鎂移除該有機溶劑中的水而製成如下列化學式3所示 的單體。其產率為90-95%。
第12頁 1280965
Chfe 化學式3 實施例4 : ( p-甲笨碏醯丙某丙烯酸里單成乂
於0·35莫耳之三乙基胺加入0.35莫耳之P—甲苯磺醢 基氯化物。完全溶解後，在氮氣中慢慢加入〇. 3莫耳的2一 羥丙基丙烯酸甲酯。該反應持續超過2 4小時並冷卻，在反 應中，以TLC檢測反應速度。在反應完成後，以1Ν-硫酸中 和並以去離子水清洗，再將該有機溶劑中的反應物萃取。 以硫酸鎂移除該有機溶劑中的水而製成如下列化學式4所 不的單體。其產率為9〇 —95%。
^ ^ 化學式4 貫施例5 ·· 磺醯某丙嬌酸乙酯-羥丙烯酸乙酯-甲 丙烯酸甲酯）共聚合物之合成）
第13頁 1280965 五、發明說明（11) 在一 500毫升圓底燒瓶中放入0.3莫耳的甲苯磺醯基丙 烯酸乙酯，0·25莫耳的羥丙烯酸乙酯、〇.1莫耳的甲基丙 烯酸甲酯及0 · 3莫耳的環氧丙烯酸甲酯。將該混和物分開 地攪拌加入300公克的THF，並完全混和。然後，在〇.1一3 公克的偶氮二異丁腈存在下，將該反應試液在氮氣氣體中 以6 0 - 7 5 °C進行5 - 2 0小時的聚合反應。聚合反應完成後， 在乙酯或正己烧中沈澱該試液，再將沈殿物過濾乾燥得到 聚（甲苯績醯基丙稀酸乙S旨-經丙稀酸乙g旨—甲基丙稀酸甲 酯-環氧丙烯酸甲酯），以下列化學式5所示。其產率為 6 5 - 7 0 %。
化學式5 實施例6 ··聚（甲笨石U篮基丙烯酸乙酯-羥乙篡兩稀酸甲醋 -甲基丙烯酸甲酯_環氧丙嫌酸甲酯）共聚合％夕合成） 在一 500毫升圓底燒瓶中放入0 .33莫耳的甲笨石黃醯基 丙烯酸’乙酯，〇·2莫耳的羥乙基丙烯酸甲酯、〇15莫耳的 甲基丙浠酸甲酯及0 · 3莫耳的環氧丙烯酸甲酯。將該混和 物分開地攪拌加入300公克的THF，並完全混和。然後，在
第14頁 1280965
五、發明說明（12) ?二1 異丁腈存在下，將該反應試液在i氣 ^中時的聚合反應。聚合反應完 成f ’在乙醋或正己烷中沈澱該試液，再將沈澱物過濾乾 燥仔到聚（甲笨續醯基丙烯酸乙醋_經乙基丙烯酸曱醋-甲 基丙烯酸曱酯-環氧丙烯酸甲酯），以下列化學式6所示。 其產率為65-70 %。
化學式6 實施例7 ·玉_苯石黃醢基乙基丙烯酸醋-經丙基丙埽醴醋 -甲基丙烯.ϋ_甲酉|_-環氧丙烯酸甲酯）共聚合物之合成） · 在一 500毫升圓底燒瓶中放入〇·3莫耳的甲苯磺醯基丙 烯酸乙酯，〇· 25莫耳的羥丙基丙烯酸酯、〇· 1莫耳的曱基 丙烯酸甲酯及〇· 3莫耳的環氧丙烯酸曱酯。將該混和物分 開地攪摔加入3 0 0公克的T H F ’並完全混和。然後，在 〇. 1_3公克的偶氮二異丁腈存在下’將該反應試液在氮氣 + 氣體中以60-75 °C進行5-20小時的聚合反應。聚合反應完 成後，在乙酯或正己烷中沈澱該試液’再將沈澱物過濾乾 燥得到聚（甲苯磺酸基丙烯酸乙s旨—經丙基丙烯酸酯—甲基 丙烯酸甲酯-環氧丙烯酸甲_ ) ’以下列化學式7所示。其
1280965 五、發明說明（13) 產率為65-70 %。
實施例8 :聚（甲笨磺醯基丙烯酸乙酯-羥丙基丙烯酸曱酯 -甲基丙烯酸甲酯-環氧丙烯酸甲酯）共聚合物之合成）
在一 500毫升圓底燒瓶中放入0.3莫耳的甲笨磺醯基丙 烯酸乙酯，0.23莫耳的羥丙基丙烯酸甲酯、0.1莫耳的甲 基丙烯酸甲酯及0. 3莫耳的環氧丙烯酸曱酯。將該混和物 分開地攪拌加入30 0公克的THF，並完全混和。然後，在0. 卜3公克的偶氮二異丁腈存在下，將該反應試液在氮氣氣 體中以60-75 °C進行5-20小時的聚合反應。聚合反應完成 後，在乙酯或正己烷中沈澱該試液，再將沈澱物過濾乾燥 得到聚（甲笨磺醯基丙烯酸乙酯-羥丙烯酸乙酯-甲基丙烯 酸甲酯-環氧丙烯酸甲酯），以下列化學式8所示。其產率 為65-70 % 。 1280965 五、發明說明（14)
化學式8 實施例9 :聚（甲笈碏醯基丙烯酸乙酯-羥丁基丙蟑酸酯- 甲基丙嫦酸甲醋-環氧丙嫌酸甲醋）共聚合物之合成）
在一 500毫升圓底燒瓶中放入0.3莫耳的甲笨項醯基丙 烯酸乙酯，〇·2莫耳的經丁基丙稀酸酯、〇·;[莫耳的甲基丙 稀酸甲酯及0 · 3莫耳的環氧丙烯酸甲酯。將該混和物分開 地稅掉加入300公克的THF ’並完全混和。然後，在〇 1 一 3 公克的偶氮二異丁腈存在下，將該反應試液在氮氣氣體中 以6 0-75 °C進行5-20小時的聚合反應。聚合反應完成後， 在乙酯或正己烷中沈澱該試液，再將沈澱物過濾乾燥得到 聚（甲笨石黃醯基丙烯酸乙酯—羥丙浠酸乙酯—甲基丙烯酸甲 酯-環氧丙烯酸曱酯），以下列化學式9所示。其產率為 6 5 - 7 0 %。
第17頁 1280965 五、發明說明（15)
化學式9 實施例1 0 :聚（甲笨磺醯基乙基丙烯酸甲酯-羥乙基丙嫌 酸酯-曱基丙烯酸曱酯-環氧丙烯酸甲酯）共聚合物之合成 - | 在一 500毫升圓底燒瓶中放入0.3莫耳的甲苯磺醯基乙 基丙烯酸甲酯，0.25莫耳的羥乙基丙烯酸酯、0.15莫耳的 甲基丙烯酸甲酯及0. 3莫耳的環氧丙烯酸甲酯。將該混和 物分開地攪拌加入30 0公克的THF，並完全混和。然後，在 0. 1-3公克的偶氮二異丁腈存在下，將該反應試液在氮氣 - 氣體中以60-75 °C進行5-20小時的聚合反應。聚合反應完 _ 成後，在乙酯或正己烷中沈澱該試液，再將沈澱物過濾乾 燥得到聚（曱苯磺醯基乙基丙烯酸曱酯-羥乙基丙烯酸酯-曱基丙烯酸曱酯-環氧丙烯酸曱酯），以下列化學式1 0所 示。其產率為65-70 %。 ‘ 1280965 五、發明說明（16)
化學式1 0 實施例11 :綮（甲笔乙某丙烯酸甲酯-糙乙基 酸甲酯_甲某丙烯酸甲—麗氧丙烯酸甲酯）共聚合物
在一 500毫升圓底燒瓶中放入0 ·3莫耳的甲苯磺醯基乙 基丙烯酸甲酯，〇·2莫耳的羥乙基丙烯酸曱酯、0.15莫耳 的甲基丙稀酸曱醋及〇 · 3莫耳的環氧丙稀酸甲S旨。將該混 和物分開地攪拌加入300公克的THF，並完全混和。然後， 在〇· ；1-3公克的偶氮二異丁腈存在下，將該反應試液在氮 氣氣體中以60-75 °C進行5-20小時的聚合反應。聚合反應 完成後，在乙酯或正己烷中沈澱該試液，再將沈澱物過濾 乾無得到Ικ (曱本石頁酿基乙基丙稀酸甲醋—經乙基丙稀酸 甲_ -甲基丙烯酸甲酯-環氧丙烯酸甲酯），以下列化學式 11所示。其產率為65-70 %。
第19頁 1280965 五、發明說明（17)
化學式1 1 實施例1 2 ··聚（甲笨磺醯基乙基丙烯酸甲酯-羥丙基丙餘 酸酯-甲基丙烯酸曱酯-環氡丙烯酸曱酯）共聚合物之合成 丄 在一 500毫升圓底燒瓶中放入0.3莫耳的甲苯磺醯基乙 基丙烯酸甲酯，0.25莫耳的羥丙基丙烯酸酯、0.15莫耳的 甲基丙烯酸甲酯及0. 3莫耳的環氧丙烯酸曱酯。將該混和 物分開地攪拌加入3 0 0公克的T H F，並完全混和。然後，在 0.卜3公克的偶氮二異丁腈存在下，將該反應試液在氮氣 氣體中以60-75 °C進行5-20小時的聚合反應。聚合反應完 成後，在乙酯或正己烷中沈澱該試液，再將沈澱物過濾乾 燥得到聚（甲苯磺醯基丙浠酸乙酯-羥丙烯酸乙酯-曱基丙 烯酸甲酯-環氧丙烯酸甲酯），以下列化學式1 2所示。其 產率為65-70 %。
第20頁 1280965 五、發明說明（18)
化學式1 2 實施例1 3 :聚（甲笨磺醯基乙基丙烯酸曱酯-羥丙基丙烯 酸曱酯-甲基丙烯酸甲酯-環氧丙烯酸甲酯）共聚合物之合 成) 在一 500毫升圓底燒瓶中放入0.3莫耳的曱苯磺醯基乙 基丙烯酸甲酯，（K22莫耳的羥丙基丙烯酸甲酯、0.15莫耳 的曱基丙烯酸曱酯及0. 3莫耳的環氧丙烯酸曱酯。將該混 和物分開地攪拌加入30 0公克的THF，並完全混和。然後， 在0.卜3公克的偶氮二異丁腈存在下，將該反應試液在氮 氣氣體中以60-75 °C進行5-20小時的聚合反應。聚合反應 完成後，在乙酯或正己烷中沈澱該試液，再將沈澱物過濾 乾燥得到聚（甲苯磺醯基乙基丙烯酸甲酯-羥丙基丙烯酸 曱酯-甲基丙烯酸甲酯-環氧丙烯酸甲酯），以下列化學式 13所示。其產率為65-70%。
第21頁 1280965 五、發明說明（19)
化學式1 3 實施例1 4 :聚（甲苯磺醯基乙基丙烯酸甲酯-羥丁基丙嫌 酸酯-曱基丙烯酸甲酯-環氧丙烯酸曱酯）共聚合物之合成 丄 在一 500毫升圓底燒瓶中放入0.3莫耳的甲苯磺醯基乙 基丙烯酸甲酯，0.2莫耳的羥丁基丙烯酸酯、0.1莫耳的曱 基丙烯酸甲酯及0. 3莫耳的環氧丙烯酸曱酯。將該混和物 分開地攪拌加入300公克的THF，並完全混和。然後，在0. 1-3公克的偶氮二異丁腈存在下，將該反應試液在氮氣氣 體中以60-75 °C進行5-20小時的聚合反應。聚合反應完成 後，在乙酯或正己烷中沈澱該試液，再將沈澱物過濾乾燥 得到聚（甲苯磺醯基乙基丙烯酸甲酯-羥丙基丙烯酸酯-曱 基丙烯酸甲酯-環氧丙烯酸甲酯），以下列化學式1 4所 示。其產率為65-70 %。
第22頁 1280965 五、發明說明（20)
化學式1 4 實施例1 5 :聚（甲笨磺醯基乙基丙烯酸酯-羥乙基丙烯酸 酯-曱基丙烯酸甲酯）共聚合物之合成）
在一 500毫升圓底燒瓶中放入0.3莫耳的甲苯磺醯基乙 基丙烯酸酯，0.3莫耳的羥乙基丙烯酸酯及0.25莫耳的甲 基丙烯酸甲酯。將該混和物分開地攪拌加入3 0 0公克的 THF，並完全混和。然後，在0·卜3公克的偶氮二異丁腈存 在下，將該反應試液在氮氣氣體中以60-75°C進行5-20小 時的聚合反應。聚合反應完成後，在乙酯或正己烷中沈澱 該試液，再將沈澱物過濾乾燥得到聚（甲苯磺醯基乙基丙 烯酸酯-羥乙基丙烯酸酯-曱基丙烯酸曱酯），以下列化學 式15所示。其產率為6 5-70 %。
化學式1 5 1280965 五、發明說明（21) 實施例1 6 :聚（甲苯磺醯基—乙基丙致《Λ基丙嫦酸 甲酯-甲基丙烯酸曱酯）共聚合物之 在一 500毫升圓底燒瓶中放入0.33莫耳的甲苯磺醯基 乙基丙烯酸酯，0·35莫耳的羥乙基丙烯酸甲g旨及〇·25莫耳 的甲基丙烯酸曱酯。將該混和物分開地授掉加入3 〇 〇公克 的THF，並完全混和。然後，在0 · 1 -3公克的偶氮二異丁腈 存在下’將該反應試液在氮氣氣體中以6〇~75 °C進行5 - 20 小時的聚合反應。聚合反應完成後，在乙醋或正己烧中沈 澱該試液，再將沈澱物過濾乾燥得到聚（甲苯續醯基乙基 丙烯酸酯-羥乙基丙浠酸曱酯-甲基丙烯酸甲醋），以下列 化學式16所示。其產率為65-70%。
化學式1 6 實施例1 7 :聚（甲策旙醯基乙基丙烯酸酯-羥丙基丙烯酸 酯-甲基丙烯酸甲酯）共聚合物之合成、 在一 500毫升圓底燒瓶中放入0·3莫耳的甲苯磺醯基乙 基丙烯酸酯，0· 33莫耳的羥丙基丙烯酸酯及0· 22莫耳的甲 基丙烯酸曱酯。將該混和物分開地攪拌加入3 0 0公克的 THF，並完全混和。然後，在0·卜3公克的偶氮二異丁腈存
第24頁 1280965 五、發明說明（22) 在下，將該反應試液在氮氣氣體中以60-75 °C進行5-20小 時的聚合反應。聚合反應完成後，在乙酯或正己烷中沈澱 該試液，再將沈澱物過濾乾燥得到聚（甲苯磺醯基乙基丙 烯酸酯-羥丙基丙烯酸酯-甲基丙烯酸曱酯），以下列化學 式17所示。其產率為6 5-70 %。
化學式1 7 實施例1 8 ··聚（曱苯磺醯基乙基丙烯酸酯-羥丙基丙烯酸 甲酯-甲基丙烯酸曱酯）共聚合物之合成）
在一 500毫升圓底燒瓶中放入0.3莫耳的甲笨磺醯基乙 基丙烯酸酯，0. 33莫耳的羥丙基丙烯酸甲酯及0. 25莫耳的 甲基丙烯酸甲酯。將該混和物分開地攪拌加入3 0 0公克的 THF，並完全混和。然後，在0.卜3公克的偶氮二異丁腈存 在下，將該反應試液在氮氣氣體中以60-75 °C進行5-20小 時的聚合反應。聚合反應完成後，在乙酯或正己烷中沈澱 該試液，再將沈澱物過濾乾燥得到聚（甲苯磺醯基乙基丙 烯酸酯-羥丙基丙烯酸甲酯-曱基丙烯酸曱酯），以下列化 學式18所示。其產率為65-70%。 1280965 五、發明說明（23)
化學式1 8 實施例19 : i (曱笨磺基丙烯酸酯 醋-甲基丙稀-酸甲s旨）共聚合物夕合成） 在一 500毫升圓底燒瓶中放入〇.3莫耳的甲苯橫醯基乙 基丙烯酸酯，0.3莫耳的羥丁基丙烯酸酯及〇·3莫耳的甲基 丙烯酸甲酯。將該混和物分開地授拌加入3〇〇公克的THF， 並完全混和。然後，在0 · 1 - 3公克的偶氮二異丁腈存在 下，將該反應試液在氮氣氣體中以6 q — 7 5 °c進行5 - 2 0小時 的聚合反應。聚合反應完成後，在乙酯或正己烷中沈澱該 試液，再將沈澱物過濾乾燥得到聚（甲苯磺醯基乙基丙浠 酸醋-經丁基丙晞酸S旨-甲基丙稀酸甲_ )，以下列化學式 19所示。其產率為65-70 %。
化學式1 9
第26頁 1280965 五、發明說明（24) 實施例2 0 :聚（甲茉磺醯基乙基丙烯酸^0胃—經 酸酯-甲基丙烯酸曱酯）共聚合物之合成立· 在一 500毫升圓底燒瓶中放入0.3莫耳的甲苯績酷基乙 基丙烯酸甲酯，〇· 25莫耳的羥乙基丙烯酸s旨及0· 3莫耳的 甲基丙烯酸甲酯。將該混和物分開地攪拌加入3 0 0公克的 THF，並完全混和。然後，在〇·卜3公克的偶氮二異丁腈存 在下，將該反應試液在氮氣氣體中以60_75 °C進打5_20小& 時的聚合反應。聚合反應完成後，在乙酯或正己烷中/尤瓜 該試液，再將沈澱物過濾乾燥得到聚（甲苯績酿基乙基丙 烯酸甲酯-羥乙基丙烯酸酯-甲基丙烯酸甲醋）’以下列化 學式20所示。其產率為65-70%。
—C—V/cH2~C—^CHz-C—V 、 卜 〇 \ C*〇 25 C—〇0 3
<?H2>2 (9H2)j “
OH 化學式20 實施例2 1 聚（曱茉碏醯基乙基兩^^·曼甲醋-經乙基丙崖 醢甲酯-甲基丙烯酸甲酯）共聚合 在一 500毫升圓底燒瓶中放入〇·3莫耳的曱苯磺醯基乙 基丙晞酸甲酯，〇·32莫耳的經乙基丙烯酸甲醋及莫耳 的甲基丙烯酸甲酯。將該混和物分開地攪拌加入3 0 0公克 的THF，並完全混和。然後’在〇 · 1 公克的偶氮二異丁腈
第27頁 1280965 五、發明說明（25) 存在下，將該反應試液在氮氣氣體中以60-75°C進行5 - 20 小時的聚合反應。聚合反應完成後，在乙酯或正己烷中沈 澱該試液，再將沈澱物過濾乾燥得到聚（甲苯磺醯基乙基 丙烯酸甲酯-羥乙基丙烯酸甲酯—甲基丙烯酸甲酯），以下 列化學式21所示。其產率為65-70%。
化學式21 實施例22 ··聚（甲茉磺醯某乙基丙烯酸甲酯-羥丙基丙嫌 酸酯-甲基丙烯酸甲酯）共聚合物之合成 在一 500毫升圓底燒瓶中放入〇· 3莫耳的甲苯磺醯基乙 基丙烯酸甲酯，〇· 33莫耳的羥丙基丙烯酸酯及〇· 3莫耳的 甲基丙烯酸曱酯。將該混和物分開地攪拌加入3 0 0公克的 THF，並完全混和。然後，在〇·卜3公克的偶氮二異丁腈存 在下，將該反應試液在氮氣氣體中以6 0 - 7 5 °C進行5 - 2 0小 時的聚合反應。聚合反應完成後，在乙酯或正己烷中沈澱 該試液，再將沈澱物過濾乾燥得到聚（曱苯磺醯基乙基丙 烯酸曱S旨-經丙基丙烯酸g旨—曱基丙晞酸曱s旨），以下列化 學式22所示。其產率為β5-70%。 1280965
五、發明說明（26)
化學式2 2 實施例23 ·· |_(曱笨磺醯基乙基丙烯基丙烯 麓甲酯-甲基丙婦酸甲酯）共聚合物之合成、 在一 500毫升圓底燒甑中放入0.3莫耳的曱苯續醯基乙 基丙烯酸甲酯，0.3莫耳的羥丙基丙烯酸甲酯及〇·3莫耳的 甲基丙烯酸甲酯。將該混和物分開地攪拌加入3 0 0公克的 THF，並完全混和。然後，在〇·卜3公克的偶氮二異丁腈存 在下，將該反應試液在氮氣氣體中以6〇 — 75°C進打5-2〇小。 時的聚合反應。？炎合反應完成後，在乙酯或正己烷中’尤’又 該試液，再將沈澱物過濾乾燥得到聚（甲苯崤醯基乙基丙 稀酸甲酯-經丙基丙婦酸甲酯-甲基丙稀酸甲®曰）以下列 化學式23所示。其產率為65-70 %。
CHi 化學式23
1280965 五、發明說明（27) 實施例2 4 ··聚（甲笨石蓊醯基乙基丙稀酸甲酯—麵丁基丙締 酸酯-曱基丙烯酸甲酯）共聚合物之 在一 500毫升圓底燒瓶中放入〇·3莫耳的甲苯磺醯基乙 基丙烯酸甲酯，0·33莫耳的羥丁基丙烯酸酯及〇.3莫耳的 甲基丙烯酸曱酯。將該混和物分開地攪拌加入3 〇 〇公克的 THF，並完全混和。然後，在0 · 1 - 3公克的偶氮二異丁腈存 在下，將該反應試液在氮氣氣體中以6 0 - 7 5 °C進行5 - 2 0小 時的聚合反應。聚合反應完成後，在乙酯或正己烷中沈澱 該試液，再將沈澱物過濾乾燥得到聚（甲苯磺醯基乙基丙 烯酸曱酯-羥丁基丙烯酸酯-甲基丙烯酸曱酯），以下列化 學式24所示。其產率為65-70 %。
化學式24 實施例2 5 :製備抗反射塗層 在200 - 5000wt%的丙烯乙二醇曱基趟乙酸(pgmeA) _ 中溶解實施例5至1 4之具有化學式1的樹酯。將該試液過渡 塗佈在晶圓上並固化烘烤（在1 〇 〇 - 3 0 0 °C下固化烘烤 1 0 - 1 0 0 0秒）。在形成的抗反射塗層上塗上光阻材料，並 以一般方法施加圖案而形成微細圖案。
第30頁 1280965 五、發明說明（28) 實施例2 6 :製備抗反射塗層 在200-5000wt%的丙烯乙二醇甲基_乙酸酉旨（pGMEA) 中溶解實施例15至24之具有化學式2的樹酯。將該試液單 獨或與0.1-30重量％之至少一種選自丙稀駿雙甲基縮藤 (acroleindimethylacetal )、丙稀駿雙乙基縮酸 (acrole indie thy lac e tal )以及三聚氰胺型交聯劑之添 加劑混和，將其過濾塗佈在晶圓上並固化烘烤（在 1 00-300 °C下固化烘烤1 0-1 0 00秒）。在形成的抗反射塗層 上塗上光阻材料，並以一般方法施加圖案而形成微細圖 案。 如上所述，本發明之抗反射塗層，例如由化學式5〜2 4 籲 的聚合物樹醋’從該聚合物樹醋的支柱所包含之在1 g 3 n m 波長具有極優的吸收度之附屬苯基。因此本發明之抗反射 塗層在形成微細圖案中為一重要角色。例如，該等A r c s可 -預防在使用193nm ArF雷射之次微米微影製程中來自半導 -體元件較低層的反射，以及減低光阻本身光和厚度之改變
造成的駐波。這將造成適合6 4M、256M、1G、4G以及16G DRAM半導體裝置之微細圖案形成方法以及產率的大幅改 善。 雖然本發明以特定較佳實施例說明如上，但可在本發 _ 明之精神及標的内做各式更動與潤飾。本發明之專利範圍 當視後敘之申請專利範圍為準。
第31頁 發明名稱 發明人 申請人 1280965 Y以上各攔由本局填
_5^月專利說明書
英文 THEREOF ftx) 國籍 住、居所 姓名 1. 洪聖恩 2. 鄭晈鎬 3. 白基鎬 LHONG, Sung-eurT 2. JUNG, Min-ho 3. BAIK, Ki-ho 1·南韓2.南韓3.南鐘 F交霧I園辜梅洞124韓信公寓205-601 現代電子產業株式會社(Hyundai Electronics Industries CO.，Ltd) a
代表人 姓名 (中文）
第1頁 1280965 9L 7· i 5 ---89110844_年 > .日 修正 五、發明說明(2) ' "~ ~ S10N抗反射塗層亦使用於利用KrF光源的次微米微影製 程0 近來’在用於這樣的次微米微影製成之有機抗反射塗 層=應用持續有大規模且密集的研究。以目前的發展現況 而言’有機抗反射塗層要成為有用的，必須滿足下列基本 要求：
首先’當以有機抗反射塗層進行微影製程時，不應發 生✓谷解在/谷劑所造成的光阻層脫落。在這方面，該有機抗 反射塗層材料之設計必須在固化膜的的狀態具有交聯結 構’而不產生副產品。 第二’在進出該抗反射塗層之間不應有化學材料，例 如酸或胺類化合物的轉移。這是因為如果酸從該塗層轉 移’ 3亥感光圖案將從下部切除（u n d e r c u t )，而驗，例如 胺的轉移，將造成基腳（f0〇ting)問題。 第二’該抗反射塗層的餘刻速度必須大於光阻膜，而 可以該光阻膜為光罩有效率地進行蝕刻製程。 最後，該有機抗反射塗層應該盡可能的薄，同時在預 防光反射中扮演優等的角色。
如抗反射塗層般多種，目前尚未找到滿足使用ArF光 之次微米微影製程的抗反射塗層。至於無機抗反射塗層， 已報告沒有材料可控制在ArF光波長193 nm的干涉。相反 地，已有積極的研究發展有機材料為極優的抗反射塗層。 事實上，在大部分的次微米微影製程中，感光層必須伴著 有機抗反射塗層，其預防當曝光產生的駐波及反射凹槽，

Claims (1)

1280965 案號 89110844 修正本 六、¥請專利範軋 _ 1. 一種由包含化學式3所示之化合物的單體衍生之聚 合物， R I CH3 【C I c = 〇 I (CH2)n o-s*o Φ 化學式3 CHa 其中，R為氫或曱基；以及n為2或3。 2. —種製備如化學式3所示之單體的方法，其中R為 ch5 〇 j (CHz)n O-S-O Φ CHa 化學式3 氫或甲基；以及n為2或3，其包括： 在三乙基胺中反應P -甲苯磺醯基氯化物以及一種選自 2 -羥丙烯酸乙酯、2 -羥丙烯酸丙酯、2 -羥曱基丙烯酸乙酯 以及2-羥曱基丙烯酸丙酯之組群的化合物； 將反應混和物以水中和並清洗；
5142-3244-pf2.ptc 第32頁 2005.03. 09.034 1280965 案號 89110844 年 月 曰 修正 六、申請專利範圍 將反應物從有機層中萃取；以及 移除殘餘水而製成固體單體。 3. —種如化學式1所示之聚合物， 如分切 0 0 0 (卜)ni C 卜 n, CHb =s=o
> 化學式1 其中，Ra、Rb及Rc是氫或曱基；Ri代表曱基；w是0· 1〜0. 6之 莫耳比；X是0 . 1〜0 · 3 5之莫耳比；y是0. 1〜0. 3 5之莫耳比； 及z是0.1〜0.35之莫耳比；以及nl、n2以及n3是1至4的整 數。 4.如申請專利範圍第3項所述之聚合物，其包括聚 (曱苯磺醯基丙烯酸乙酯-羥丙烯酸乙酯-曱基丙烯酸曱酯 -環氧丙烯酸甲酯），其中甲苯磺醯基丙烯酸乙酯：羥丙 烯酸乙酯：曱基丙烯酸曱酯：環氧丙烯酸曱酯的莫耳比為 0· 32 : 0· 26 : 0. 10 ·· 0· 32 … 5. 如申請專利範圍第3項所述之聚合物，其包括聚 (曱苯磺醯基丙烯酸乙酯-羥曱基丙烯酸乙酯-甲基丙烯酸 曱酯-環氧丙烯酸曱酯），其中曱苯磺醯基丙烯酸乙酯： 羥曱基丙烯酸乙酯：曱基丙烯酸曱酯：環氧丙烯酸曱酯的 莫耳比為 0 · 3 3 : 0 · 2 2 ·· 0 · 1 2 : 0. 3 3。 6. 如申請專利範圍第3項所述之聚合物，其包括聚
5142-3244-pf2.ptc 第33頁 2005.03. 09.035 Ι28Ό965 案號 89110844 年 月 曰 修正 六、申請專利範圍 (甲苯磺醯基丙烯酸乙酯-羥丙烯酸丙酯-甲基丙烯酸甲酯 -環氧丙烯酸曱酯），其中甲苯磺醯基丙烯酸乙酯：羥丙 烯酸丙酯：曱基丙烯酸曱酯：環氧丙烯酸曱酯的莫耳比為 0 · 3 2 ·· 0 · 2 6 : 0 · 1 0 : 0 · 3 2。 7. 如申請專利範圍第3項所述之聚合物，其包括聚 (甲苯磺醯基丙烯酸乙酯-羥甲基丙烯酸丙酯-曱基丙烯酸 甲酯-環氧丙烯酸甲酯），其中甲苯磺醯基丙烯酸乙酯： 羥甲基丙烯酸丙酯：甲基丙烯酸曱酯：環氧丙烯酸曱酯的 莫耳比為 0 · 3 2 : 0 · 2 5 ·· 0 · 11 : 0 · 3 2。 8. 如申請專利範圍第3項所述之聚合物，其包括聚 (曱苯磺醯基丙烯酸乙酯-羥丙烯酸丁酯-甲基丙烯酸曱酯 -環氧丙烯酸甲酯），其中曱苯磺醯基丙烯酸乙酯：羥丙 烯酸丁酯：曱基丙烯酸甲酯·_環氧丙烯酸甲酯的莫耳比為 0· 33 : 0· 22 : 0· 12 : 0· 33。 9. 如申請專利範圍第3項所述之聚合物，其包括聚 (曱苯磺醯基甲基丙烯酸乙酯-羥丙烯酸乙酯-甲基丙烯酸 甲酯-環氧丙烯酸曱酯），其中甲苯磺醯基曱基丙烯酸乙 酯：羥丙烯酸乙酯：甲基丙烯酸曱酯：環氧丙烯酸曱酯的 莫耳比為0. 3 : 0. 25 : 0· 15 : 0. 3。 1 0.如申請專利範圍第3項所述之聚合物，其包括聚 (曱苯磺醯基甲基丙烯酸乙酯-羥甲基丙烯酸乙酯-甲基丙 烯酸曱酯-環氧丙烯酸曱酯），其中曱苯磺醯基曱基丙烯 酸乙酯：羥甲基丙烯酸乙酯：曱基丙烯酸甲酯：環氧丙烯 酸甲酯的莫耳比為0. 3 2 : 0. 2 0 ·· 0、1 6 ·· 0. 3 2。 11.如申請專利範圍第3項所述之聚合物，其包括聚
5142-3244-pf2.ptc 第34頁 2005.03.09.036 1280965 案號 89110844 年 月 修正 六、申請專利範圍 (甲苯磺醯基甲基丙烯酸乙酯-羥丙烯酸丙酯-甲基丙烯酸 曱酯-環氧丙烯酸曱酯），其中曱苯磺醯基曱基丙烯酸乙 酯：羥丙烯酸丙酯：曱基丙烯酸曱酯：環氧丙烯酸甲酯的 莫耳比為 0 · 3 : 0 . 2 5 : 0 · 1 5 ·· 0 · 3。 1 2.如申請專利範圍第3項所述之聚合物，其包括聚 (甲苯磺醯基曱基丙烯酸乙酯-羥甲基丙烯酸丙酯-曱基丙 烯酸甲酯-環氧丙烯酸甲酯），其中曱苯磺醯基曱基丙烯 酸乙酯：羥曱基丙烯酸丙酯：曱基丙烯酸甲酯：環氧丙稀 酸曱酯的莫耳比為0 . 3 1 : 0 . 2 3 : 0 · 1 5 : 0 · 3 1。 1 3.如申請專利範圍第3項所述之聚合物，其包括聚 (甲苯磺醯基曱基丙烯酸乙酯-羥丙烯酸丁酯-曱基丙烯酸 曱酯-環氧丙烯酸曱酯），其中曱苯磺醯基曱基丙烯酸乙 酯：羥丙烯酸丁酯：曱基丙烯酸甲酯：環氧丙烯酸曱酯的 莫耳比為 0 . 3 3 : 0 · 2 2 ·· 0 · 1 2 : 0 · 3 3。 1 4. 一種製備如申請專利範圍第3項所述之聚合物的方 法，其包括：在起始劑的存在下於溶劑中聚合曱苯磺醯基 烷基丙烯酸酯型單體、羥烷基丙烯酸酯型單體、烷基丙烯 酸酯型單體以及環氧丙烯酸曱酯型單體，如下列反應式1 所示：
5142-3244-pf2.ptc 第35頁 2005.03. 09.037 1280965 案號 89110844 曰 修正 六、申請專利範圍
I ch2= ch2=c -C - General formula ' IL CH3 (CH2)n3 反應式1 其中，Ra、Rb及Ιζ是氫或曱基；心代表曱基取；w、x及y分 別是從0· 01至0. 99之莫耳比；以及&、n2以及n3是1至4的 整數； 其中該起始劑為選自2, 2-偶氮二異丁腈（AIBN )、過 氧乙醯、過氧月桂以及t -過氧丁烷的組群中； 該溶劑為選自四氳呋喃、曱苯、苯、曱基乙基丙酮以 及二噚烷的組群中； 該聚合反應是在5 0 - 8 0 °C的溫度下進行。 15. —種如化學式2所示之聚合物，
5142-3244-pf2.ptc 第36頁 2005. 03. 09. 038 Ι28ΰ965案號__ 年月曰修正 申請專利範圍 其莫比 C }烯 C曱酯 C >烯 C甲酯 C }烯 中，Ra、Rb及^是氳或曱基；心代表曱基；X是0 · 1〜0 · 6之 耳比；y是0· 1〜0· 35之莫耳比；及z是0· 1〜0· 35之莫耳 ;以及h和112分別是1至4的整數。 1 6.如申請專利範圍第1 5項所述之聚合物，其包括聚 甲苯磺醯基丙烯酸乙酯-羥丙烯酸乙酯-曱基丙烯酸曱酯 ，其中曱苯磺醯基丙烯酸乙酯：羥丙烯酸乙酯：曱基丙 酸甲酯的莫耳比為〇 · 3 5 ·· 0 · 3 5 ·· 0 · 3 0。 1 7.如申請專利範圍第1 5項所述之聚合物，其包括聚 曱苯磺醯基丙烯酸乙酯-羥曱基丙烯酸乙酯-甲基丙烯酸 酯），其中甲苯磺醯基丙烯酸乙酯：羥甲基丙烯酸乙 :曱基丙烯酸曱酯的莫耳比為0.36 :0.37 :0.27。 1 8.如申請專利範圍第1 5項所述之聚合物，其包括聚 曱苯磺醯基丙烯酸乙酯-羥丙烯酸丙酯-甲基丙烯酸甲酯 ，其中甲苯磺醯基丙烯酸乙酯：羥丙烯酸丙酯··曱基丙 酸曱酯的莫耳比為0. 3 5 : 0. 3 9 : 0 . 2 6。 1 9.如申請專利範圍第1 5項所述之聚合物，其包括聚 曱苯磺醯基丙烯酸乙酯-羥曱基丙烯酸丙酯-曱基丙烯酸 酯），其中曱苯續醯基丙烯酸乙酯：羥甲基丙烯酸丙 :甲基丙烯酸甲酯的莫耳比為0. 3 4 : 0. 3 8 : 0 . 2 8。 2 0.如申請專利範圍第1 5項所述之聚合物，其包括聚 甲苯磺醯基丙烯酸乙酯-羥丙烯酸丁酯-甲基丙烯酸曱酯 ，其中曱苯磺醯基丙烯酸乙酯：羥丙烯酸丁酯：曱基丙 酸甲酯的莫耳比為0. 3 3 : 0. 3 3 : 0 . 3 3。 2 1.如申請專利範圍第1 5項所述之聚合物，其包括聚 曱苯磺醯基曱基丙烯酸乙酯-羥丙烯酸乙酯-曱基丙烯酸
5142-3244-pf2.ptc 第37頁 2005.03.09.039 1280965 案號 89110844 年 月 曰 修正 六、申請專利範圍 曱酯），其中甲苯磺醯基甲基丙烯酸乙酯：羥丙烯酸乙 酯：曱基丙烯酸曱酯的莫耳比為0.35 :0.30 :0.35。 22.如申請專利範圍第1 5項所述之聚合物，其包括聚 (曱苯磺醯基甲基丙烯酸乙酯-羥曱基丙烯酸乙酯-甲基丙 烯酸甲酯），其中甲苯磺醯基甲基丙烯酸乙酯：羥曱基丙 烯酸乙酯：曱基丙烯酸甲酯的莫耳比為0· 33 : 0 · 34 : 0.33。 2 3.如申請專利範圍第1 5項所述之聚合物，其包括聚 (甲苯磺醯基曱基丙烯酸乙酯-羥丙烯酸丙酯-甲基丙烯酸 曱酯），其中甲苯磺醯基曱基丙烯酸乙酯：羥丙烯酸丙 酯：曱基丙烯酸曱酯的莫耳比為0.32 :0.36 :0.32。 24.如申請專利範圍第1 5項所述之聚合物，其包括聚 (甲苯磺醯基甲基丙烯酸乙酯-羥甲基丙烯酸丙酯-甲基丙 烯酸曱酯），其中曱苯磺醯基甲基丙烯酸乙酯：羥曱基丙 烯酸丙酯··曱基丙烯酸曱酯的莫耳比為0. 3 3 ·· 0 . 3 3 ·· 0.33。 2 5.如申請專利範圍第1 5項所述之聚合物，其包括聚 (曱苯磺醯基曱基丙烯酸乙酯-羥丙烯酸丁酯-曱基丙烯酸 甲酯），其中曱苯磺醯基曱基丙烯酸乙酯：羥丙烯酸丁 酯：曱基丙烯酸曱酯的莫耳比為0. 3 2 ·· 0 . 3 6 : 0 . 3 2。 2 6. —種製備如申請專利範圍第1 5項所述之聚合物的 方法，其包括：在起始劑的存在下於溶劑中聚合曱苯磺醯 基烷基丙烯酸酯型單體、羥烷基丙烯酸酯型單體以及烷基 丙烯酸醋型單體，如下列反應式2所示：
5l42-3244-pf2.ptc 第38頁 2005. 03. 09. 040 1280965 _案號89110844_年月日 修正 六、申請專利範圍 ch2=c ch2=c ch2=c oeneral formula 2 (CH2)n, (CH2)m CH3 0=S=0
1 反應式2 其中，Ra、Rb及是氫或曱基；心代表甲基；以及h以及n2 分別是1至4的整數。 2 7 .如申請專利範圍第2 6項所述之方法，其中該起始 劑為選自2, 2 -偶氮二異丁腈（AIBN)、過氧乙醯、過氧月 桂以及t -過氧丁烷的組群中。 2 8 .如申請專利範圍第2 6項所述之方法，其中該溶劑 為選自四氳呋喃、甲苯、苯、曱基乙基丙酮以及二噚烷的 組群中。 2 9 .如申請專利範圍第2 6項所述之方法，其中該聚合 反應是在5 0 - 8 0 °C的溫度下進行。 3 0 . —種包含申請專利範圍第3項所述之聚合物的抗反 射塗層。 3 1 . —種製備抗反射塗層的方法，其包括溶解 2 0 0 - 5 0 0 0 % (w/w)之申請專利範圍第3項所述之聚合物於有 機溶劑中而形成塗層組成物；將該組成物塗佈於晶圓上；
5142-3244-pf2.ptc 第39頁 2006.12. 26.041 1280965 , _案號89110844_年月曰 修正_ 六、申請專利範圍 以及將該塗佈之晶圓於1 0 0 - 3 0 0 °C下固化烘烤1 0 -1 〇 〇 〇 秒。 3 2 .如申請專利範圍第3 1項所述之方法，其中該有機 溶劑是選自3 -乙氧基丙酸乙酯、3 -曱氧丙酸甲酯、環己酮 以及丙二醇甲基醚乙酸酯的組群中。 3 3 . —種抗反射塗層，其包括申請專利範圍第1 5項所 述之聚合物以及一選自丙烯醛雙甲基縮醛、丙烯醛雙乙基 縮醛以及三聚氰胺型交聯劑之添加劑。 34. —種製備使用於製造半導體裝置之抗反射塗層的 方法，其包括溶解2 0 0 -5 0 0 0 % (w/w)之申請專利範圍第15 項所述之聚合物於有機溶劑中；完全將選自丙烯醛雙曱基 縮醛、丙烯醛雙乙基縮醛以及三聚氰胺型交聯劑之添加劑 溶於其中而形成塗層組成物；過濾該組成物，並將該組成 物塗佈於晶圓上；以及將該塗佈之晶圓於1 0 0 - 3 0 0 °C下固 化烘烤1 0 - 1 0 0 0秒。 3 5 .如申請專利範圍第3 4項所述之方法，其中該有機 溶劑為選自3 -乙氧基丙酸乙酯、3 -甲氧丙酸甲酯、環己酮 以及丙二醇曱基醚乙酸酯的組群中。 3 6 .如申請專利範圍第3 4項所述之方法，其中該添加 劑的使用量為0 · 1至3 0 % ( w / w )。
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