KR20010003933A - 193ｎｍ ＡｒＦ광을 이용한 초미세 패턴 형성 공정에서 반사방지막으로 사용할 수 있는 유기 반사방지 중합체 및 그의 제조방법 - Google Patents

193ｎｍ ＡｒＦ광을 이용한 초미세 패턴 형성 공정에서 반사방지막으로 사용할 수 있는 유기 반사방지 중합체 및 그의 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20010003933A
KR20010003933A KR1019990024469A KR19990024469A KR20010003933A KR 20010003933 A KR20010003933 A KR 20010003933A KR 1019990024469 A KR1019990024469 A KR 1019990024469A KR 19990024469 A KR19990024469 A KR 19990024469A KR 20010003933 A KR20010003933 A KR 20010003933A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
monomer
polymer compound
formula
poly
methylmethacrylate
Prior art date
Application number
KR1019990024469A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100327576B1 (ko
Inventor
홍성은
정민호
백기호
Original Assignee
김영환
현대전자산업 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 김영환, 현대전자산업 주식회사 filed Critical 김영환
Priority to KR1019990024469A priority Critical patent/KR100327576B1/ko
Priority to TW089110844A priority patent/TWI280965B/zh
Priority to DE10028487A priority patent/DE10028487A1/de
Priority to GB0014258A priority patent/GB2351498B/en
Priority to JP2000182833A priority patent/JP4276359B2/ja
Priority to IT2000TO000612A priority patent/IT1320210B1/it
Priority to NL1015507A priority patent/NL1015507C2/nl
Priority to CNB001078577A priority patent/CN1292009C/zh
Priority to CNB2004100929565A priority patent/CN1309749C/zh
Priority to FR0008148A priority patent/FR2795416B1/fr
Publication of KR20010003933A publication Critical patent/KR20010003933A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100327576B1 publication Critical patent/KR100327576B1/ko
Priority to US10/438,531 priority patent/US6956091B2/en

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C317/00—Sulfones; Sulfoxides
    • C07C317/16—Sulfones; Sulfoxides having sulfone or sulfoxide groups and singly-bound oxygen atoms bound to the same carbon skeleton
    • C07C317/22—Sulfones; Sulfoxides having sulfone or sulfoxide groups and singly-bound oxygen atoms bound to the same carbon skeleton with sulfone or sulfoxide groups bound to carbon atoms of six-membered aromatic rings of the carbon skeleton
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F20/00—Homopolymers and copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical or a salt, anhydride, ester, amide, imide or nitrile thereof
    • C08F20/02—Monocarboxylic acids having less than ten carbon atoms, Derivatives thereof
    • C08F20/52—Amides or imides
    • C08F20/54—Amides, e.g. N,N-dimethylacrylamide or N-isopropylacrylamide
    • C08F20/58—Amides, e.g. N,N-dimethylacrylamide or N-isopropylacrylamide containing oxygen in addition to the carbonamido oxygen, e.g. N-methylolacrylamide, N-acryloylmorpholine
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C303/00—Preparation of esters or amides of sulfuric acids; Preparation of sulfonic acids or of their esters, halides, anhydrides or amides
    • C07C303/26—Preparation of esters or amides of sulfuric acids; Preparation of sulfonic acids or of their esters, halides, anhydrides or amides of esters of sulfonic acids
    • C07C303/28—Preparation of esters or amides of sulfuric acids; Preparation of sulfonic acids or of their esters, halides, anhydrides or amides of esters of sulfonic acids by reaction of hydroxy compounds with sulfonic acids or derivatives thereof

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
  • Paints Or Removers (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)
  • Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
  • Polymerisation Methods In General (AREA)
  • Polymerization Catalysts (AREA)

Abstract

본 발명은 반도체 소자 제조 공정중 193 nm ArF 레이저를 이용한 리소그라피용 포토레지스트를 사용하는 초미세 패턴 형성 공정에 있어서 하부막층의 반사를 방지하고 ArF 광 및 포토레지스트 자체의 두께 변화에 있어서 정재파를 제거할 수 있도록 193nm 파장에서 큰 흡광도를 갖는 페닐기를 함유한 유기 난반사 방지 중합체 및 그의 합성방법에 관한 것으로서, 본 발명은 또한 이러한 유기 난반사 방지 중합체를 함유하는 반사방지 조성물, 이를 이용한 반사방지막 및 그의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따르는 중합체를 반도체 제조 공정중 초미세 패턴형성공정에서의 반사방지막으로 사용하면, 웨이퍼상의 하부막층의 광학적성질 및 레지스트 두께의 변동으로 인한 정재파, 반사 및 하부막으로부터 기인되는 CD 변동을 제거함으로써 64M, 256M, 1G, 4G,16G DRAM 의 안정된 초미세 패턴을 형성할 수 있어 제품의 수율을 증대할 수 있다.

Description

193ｎｍ ＡｒＦ광을 이용한 초미세 패턴 형성 공정에서 반사방지막으로 사용할 수 있는 유기 반사방지 중합체 및 그의 제조방법{Organic anti-reflective polymer which can be used anti-reflective layer using 193nm ArF in micro pattern-forming process and preparation method thereof}
본 발명은 반도체 소자 제조 공정중 193 nm ArF 레이저를 이용한 리소그라피용 포토레지스트를 사용하는 초미세 패턴 형성 공정에 있어서, 하부막층의 반사를 방지하고 광 및 포토레지스트 자체의 두께 변화에 의한 정재파를 제거할 수 있는 반사방지용 유기물질에 관한 것이다. 더욱 상세하게는 64M, 256M, 1G, 4G, 16G DRAM의 초미세 패턴형성시 사용할 수 있는 유기 난반사 방지 중합체 및 그의 제조방법에 관한 것이다. 또한, 본 발명은 이러한 유기 난반사방지 중합체를 함유하는 난반사방지 조성물, 이를 이용한 반사 방지막 및 그의 제조방법에 관한 것이다.
반도체 제조 공정중 초미세 패턴 형성 공정에서는 웨이퍼상의 하부막층의 광학적 성질 및 감광막 두께의 변동에 의한 정재파(standing wave), 반사(reflective notching)와 하부막으로부터의 회절광 및 반사광에 의한 CD(critical dimension)의 변동이 불가피하게 일어난다. 따라서 노광원으로 사용하는 빛의 파장대에서 광흡수를 잘하는 유기물질을 도입하여 하부막층에서 반사를 막을 수 있는 막층의 도입이 제안되었으며, 이 막이 반사방지막이다.
반사방지막은 크게 사용되는 물질의 종류에 따라 무기계 반사방지막과 유기계 반사방지막으로 구분되거나, 기작(mechanism)에 따라 흡수계 반사방지막과 간섭계 반사방지막으로 나누어진다. 365nm 파장의 I-선(I-line)을 이용한 미세패턴 형성공정에서는 주로 무기계 반사방지막을 사용하며 흡수계로는 TiN 및 무정형카본(Amorphous C)을, 간섭계로서는 주로 SiON를 사용하여 왔다.
KrF 광을 이용하는 초미세패턴 형성 공정에서는 주로 무기계로서 SiON을 사용하여 왔으나, 최근 반사방지막에 유기계 화합물을 사용하려는 노력이 계속되고 있다.
현재까지의 동향에 비추어볼 때 유기 반사방지막의 대부분은 다음과 같은 기본 조건을 갖추어야 한다.
첫째, 공정 적용시 포토레지스트가 용매에 의해 용해되어 벗겨지는 현상이 없어야 한다. 이를 위해서는 성형막이 가교구조를 이룰 수 있게 설계되어야 하고, 이때 부산물로 화학물질이 발생해서는 안된다.
둘째, 반사방지막으로부터의 산 또는 아민 등의 화학물질의 출입이 없어야 한다. 만약, 반사방지막으로부터 산이 이행(migration)되면 패턴의 밑부분에 언더커팅(undercutting)이 일어나고, 아민 등 염기가 이행하면 푸팅(footing) 현상을 유발하는 경향이 있기 때문이다.
셋째, 반사방지막은 상부의 감광막에 비해 상대적으로 빠른 에칭 속도를 가져야 에칭시 감광막을 마스크로 하여 원활한 에칭공정을 행할 수 있다.
넷째, 따라서 반사방지막은 가능한한 얇은 두께로 충분한 반사방지막으로서의 역할을 할 수 있어야 한다.
한편, ArF광을 사용하는 초미세패턴 형성 공정에서는 만족할만한 반사방지막이 개발되지 못한 실정이다. 무기계 반사방지막의 경우에는 광원인 193nm에서의 간섭현상을 제어할 물질이 아직 발표되고 있지 않고 있어, 최근 유기계 반사방지막을 사용하고자 하는 노력이 계속되고 있다.
따라서, 모든 감광막에서는 노광시 발생되는 정재파와 반사를 방지하고 하부층으로부터의 후면 회절 및 반사광의 영향을 제거하기 위해서 특정 파장에 대한 흡수도가 큰 유기 난반사 방지물질의 사용이 필수적이며 이러한 물질의 개발이 시급한 과제가 되고 있다.
이에 본 발명의 목적은 반도체 소자 제조 공정중 193 nm ArF 광을 이용한 초미세 패턴형성 공정에서 반사방지막으로 사용할 수 있는 신규한 유기화합물질을 제공하는 데에 있다.
본 발명의 또 다른 목적은 난반사를 방지할 수 있는 유기 화합물질을 제조하는 방법을 제공하는 데에 있다.
본 발명의 또 다른 목적은 이러한 난반사 방지용 화합물을 함유하는 난반사방지 조성물 및 그의 제조방법을 제공하는 데에 있다.
본 발명의 또 다른 목적은 이러한 난반사 방지 조성물을 사용하여 형성된 난반사 방지막 및 그 형성방법을 제공하는 데에 있다.
본 발명에서는 중합체 자체가 193nm 파장에서 흡수가 일어나도록 흡광도가 큰 페닐기를 함유하도록 하였으며, 유기 반사방지막의 형성, 기밀성, 용해성을 부여하기 위해 코팅 후 하드베이크 가교반응이 일어날 수 있도록 수지내의 알콜기와 기능기간의 가교 메카니즘을 도입하였다. 특히, 본 발명에서는 가교반응의 효율성 및 저장안정성이 극대화되었으며, 본 발명의 반사방지막 수지는 하이드로카본계의 모든 용매에 대하여 용해성이 우수하고 하드 베이크시에는 어떠한 용매에도 용해되지 않는 내용해성을 갖고 있다. 따라서, 감광막의 도포시 여하한 문제도 발생하지 않을 뿐만 아니라, 패턴 형성시 언더커팅 및 푸팅이 일어나지 않으며 특히 아크릴레이트계의 고분자로 형성되어 있는 바, 에칭시 감광막에 비하여 우수한 에칭속도를 갖음으로서 에칭선택비가 향상되었다.
본 발명의 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 유기 반사방지막으로 쓰이는 수지는 193nm 파장에서 흡수가 일어나도록 193nm파장에서 흡광도가 큰 페닐기를 도입함으로서 이 파장에서 흡수가 일어나도록 설계된 것으로서 기본 식은 하기 일반식 1 및 일반식 2와 같다.
〔일반식1〕
상기식에서,
Ra, Rb, Rc 및 Rd는 수소 또는 메틸기를 나타내며,
R1은 수소, 하이드록시, C1~C5의 치환 및 비치환된 직쇄 또는 측쇄알킬, 시클로알킬이거나 알콕시알킬, 시클로알콕시알킬을 나타내고
w,x,y,z은 각각 0.01 내지 0.99몰분율 이며, n1,n2및 n3는 1 내지 4를 나타낸다.
〔일반식2〕
상기식에서,
Ra, Rb 및 Rc 는 수소 또는 메틸기를 나타내며,
R1은 수소, 하이드록시 또는 C1~C5의 치환 및 비치환된 직쇄 또는 측쇄알킬, 시클로알킬이거나 알콕시 알킬, 시클로알콕시알킬을 나타내고
x,y,z은 각각 0.01 내지 0.99몰분율 이며, n1및 n2는 1내지 4를 나타낸다.
파장에서 흡광도가 큰 페닐기를 도입함으로써 193nm에서 흡수가 일어나도록 설계된 것으로 본 발명에 따르는 상기 일반식 1의 중합체는 하기 반응식1과 같이, p-토실 알킬아크릴레이트계 단량체, 하이드록시알킬아크릴레이트계 단량체, 메틸아크릴레이트계 단량체, 글리시딜메타크릴레이트계 단량체를 개시제와 함께 용매중에서 중합반응시킴으로서 제조할 수 있으며, 이때 각 단량체는0.01 내지 0.99몰분율비를 갖는다.
상기식에서,
Ra, Rb, Rc 및 Rd 는 수소 또는 메틸기를 나타내며,
R1은 수소, 하이드록시 또는 C1~C5의 치환 및 비치환된 직쇄 또는 측쇄알킬, 시클로알킬이거나 알콕시 알킬, 시클로알콕시알킬을 나타내고
n1,n2및 n3은 1내지 4를 나타낸다.
또한, 일반식 2의 중합체는 하기 반응식 2와 같이, p-토실 알킬아크릴레이트계 단량체, 하이드록시알킬아크릴레이트계 단량체, 메틸아크릴레이트계 단량체를 개시제와 함께 용매중에서 중합반응시킴으로서 제조할 수 있으며, 이때 각 단량체는 0.01 내지 0.99몰분율비를 갖는다.
상기식에서,
Ra, Rb 및 Rc 는 수소 또는 메틸기를 나타내며,
R1은 수소, 하이드록시 또는 C1~C5의 치환 및 비치환된 직쇄 또는 측쇄알킬, 시클로알킬이거나 알콕시알킬, 시클로알콕시알킬을 나타내고 n1및 n2은 1내지 4를 나타낸다.
본 발명에 따르는 상기 일반식 1 및 2의 중합체를 제조하기 위해서 사용할 수 있는 개시제는 일반적인 라디칼 개시제를 사용할 수 있으며, 바람직하게는 2,2-아조비스이소부티로니트릴(AIBN), 아세틸퍼옥사이드, 라우릴퍼옥사이드, t-부틸퍼옥사이드로 이루어진 그룹에서 선택된 것을 사용할 수 있으며, 사용되는 용매로는 일반적인 유기용매를 사용할 수 있으며, 바람직하게는 테트라하이드로퓨란, 톨루엔, 벤젠, 메틸에틸케톤 또는 디옥산으로 이루어진 그룹에서 선택된 것을 사용할 수 있으며,
중합반응시 반응온도는 50~80℃가 바람직하다.
또한, 상기 일반식 1 의 중합체를 적합한 유기용매에 용해시키고, 상기 일반식 2의 중합체는 적합한 유기용매에 용해시킨 후 아크롤레인, 디에틸아세탈 및 멜라민계 가교제 중에서 선택된 1종 이상의 첨가제를 0.1~ 30 중량% 첨가하여 필터링한 후 웨이퍼에 도포하고 하드베이크함으로서 반사방지막 수지를 가교시켜 제조하고 이를 이용하여 반도체 소자가 생산된다.
이 때에 사용할 수 있는 유기용매로는 통상적인 유기용매를 사용할 수 있으며, 바람직하게는 에틸 3-에톡시프로피오네이트, 메틸 3-메톡시 프로피오네이트, 사이클로헥사논, 프로필렌글리콜 메틸에테르아세테이트로 이루어진 그룹에서 선택된 것을 사용할 수 있으며, 또한, 그 량은 반사방지막 수지 중합체의 200~5000 중량%을 사용하는 것이 바람직하다.
본 발명에 따르는 반사방지막 중합체는 193nm ArF 레이저를 사용하는 초미세패턴 형성공정의 유기반사방지막으로 우수한 성능을 나타내는 것으로 확인되었으며, ArF 광 이외에도 248nm KrF, 157nm F2레이저 및 노광 광원으로서 E-빔, EUV(extremely ultraviolet), 이온빔 등을 사용할 경우에도 우수한 난반사방지 효과를 나타내는 것으로 확인되었다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 통하여 보다 구체적으로 설명한다. 그러나, 본 실시예는 본 발명의 권리범위를 한정하는 것은 아니고 단지 예시로 제시된 것이다.
먼저, 본 발명과 관련된 단량체의 합성방법에 관한 실시예는 하기와 같다.
실시예 1) p-토실에틸아크릴레이트단량체의 합성 트리에틸아민 35.42g(0.35몰)에 p-톨루엔 술포닐클로라이드 66.73g(0.35몰)을 넣고 완전히 용해시킨 후 질소 분위기하에서 2-하이드록시 에틸아크릴레이트 34.84g(0.3몰)을 천천히 넣고 반응시킨다. 이때 열이 발생하므로 냉각시키면서 반응을 24시간 이상 계속한다. 반응시키면서 TLC 로 반응도를 점검하고 반응이 완결되면 1N 황산수용액으로 중화시킨 다음, 탈이온수로 세척을 하고 유기용매 층의 반응물을 추출하고 MgSO4로써 유기용매속의 물을 제거하여 화학식 1의 단량체를 수득하고 이때, 수율은 90-95%이다.
실시예 2) p-토실에틸메타크릴레이트 단량체의 합성
트리에틸아민 35.42g(0.35몰)에 p-톨루엔 술포닐클로라이드 66.73g(0.35몰)을 넣고 완전히 용해시킨 후 질소 분위기하에서 2-하이드록시 에틸메타크릴레이트 39.04g(0.3몰)을 천천히 넣고 반응시킨다. 이때 열이 발생하므로 냉각시키면서 반응을 24시간 이상 계속한다. 반응시키면서 TLC 로 반응도를 점검하고 반응이 완결되면 1N 황산수용액으로 중화시킨 다음, 탈이온수로 세척을 하고 유기용매 층의 반응물을 추출하고 MgSO4로써 유기용매속의 물을 제거하여 화학식 2의 단량체를 수득하고 이때, 수율은 90-95%이다.
실시예 3) p-토실 프로필아크릴레이트 단량체의 합성
트리에틸아민 35.42g(0.35몰)에 p-톨루엔 술포닐클로라이드 66.73g(0.35몰)을 넣고 완전히 용해시킨 후 질소 분위기하에서 2-하이드록시 프로필아크릴레이트 39.04g(0.3몰)을 천천히 넣고 반응시킨다. 이때 열이 발생하므로 냉각시키며 반응을 24시간 이상 계속한다. 반응시키면서 TLC 로 반응도를 점검하고 반응이 완결되면 1N 황상수용액으로 중화시킨 다음, 탈이온수로 세척을 하고 유기용매 층의 반응물을 추출하고 MgSO4로써 유기용매속의 물을 제거하여 화학식 3의 단량체를 수득하고 이때, 수율은 90-95%이다.
실시예 4) p-토실 프로필메타크릴레이트 단량체의 합성
트리에틸아민 35.42g(0.35몰)에 p-톨루엔 술포닐클로라이드 66.73g(0.35몰)을 넣고 완전히 용해시킨 후 질소 분위기 하에서 2-하이드록시 프로필메타크릴레이트 43.254g(0.3몰)을 천천히 넣고 반응시킨다. 이때 열이 발생하므로 냉각시키면서 반응을 24시간 이상 계속한다. 반응시키면서 TLC 로 반응도를 점검하고 반응이 완결되면 1N 황상수용액으로 중화시킨 다음, 탈이온수로 세척을 하고 유기용매 층의 반응물을 추출하고 MgSO4로써 유기용매속의 물을 제거하여 화학식 4의 단량체를 수득하고 이때, 수율은 90-95%이다.
상기와 같은 화학식을 갖는 단량체를 이용한 유기반사방지막의 중합체 화합물의 제조방법에 관한 실시예는 하기와 같다.
실시예5) 폴리(토실에틸아크릴레이트-하이드록시에틸아크릴레이트-메틸메타크릴레이트-글리시딜메타크릴레이트)4원 공중합체의 합성
토실에틸아크릴레이트 76.59g(0.3몰), 하이드록시에틸아크릴레이트 29g(0.25몰), 메틸메타크릴레이트 10.01g(0.1몰), 글리시딜메타크릴레이트 42.65g(0.3몰)을 500ml 둥근 바닥 플라스크에 넣고 교반하면서 미리 준비된 테트라하이드로 퓨란(THF) 300g 을 넣고 완전히 섞이면 2,2'-아조비스이소부티로나이트릴(AIBN) 0.1g - 3g을 넣은 후 질소분위기 하에서 60 내지 75℃의 온도에서 5-20 시간을 반응시킨다. 반응 완료 후 이 용액을 에틸에테르 혹은 노르말 핵산용매에 침전을 시킨 후 여과하여 건조시키면 화학식 5의 폴리(토실에틸아크릴레이트-하이드록시에틸아크릴레이트-메틸메타크릴레이트-글리시딜메타크릴레이트)수지를 수득하게 된다. 이때의 수율은 65 내지 70% 이다.
실시예6) 폴리(토실에틸아크릴레이트-하이드록시에틸메타크릴레이트-메틸메타크릴레이트-글리시딜메타크릴레이트)4원 공중합체의 합성
토실에틸아크릴레이트 84.259g(0.33몰), 하이드록시에틸메타크릴레이트 26g(0.2몰), 메틸메타크릴레이트 15.17g(0.15몰), 글리시딜메타크릴레이트 42.65g(0.3 몰)을 500ml 둥근 바닥 플라스크에 넣고 교반하면서 미리 준비된 테트라하이드로 퓨란(THF) 300g 을 넣고 완전히 섞이면 2,2'-아조비스이소부티로나이트릴(AIBN) 0.1g - 3g을 넣은 후 질소분위기 하에서 60 내지 75℃의 온도에서 5-20 시간을 반응시킨다. 반응 완료 후 이 용액을 에틸에테르 혹은 노르말 핵산용매에 침전을 시킨 후 여과하여 건조시키면 화학식 6의 폴리(토실에틸아크릴레이트-하이드록시에틸메타크릴레이트-메틸메타크릴레이트-글리시딜메타크릴레이트)수지를 수득하게 된다. 이때의 수율은 65 내지 70% 이다.
실시예7) 폴리(토실에틸아크릴레이트-하이드록시프로필아크릴레이트-메틸메타크릴레이트-글리시딜메타크릴레이트)4원 공중합체의 합성
토실에틸아크릴레이트 76.59g(0.3몰), 하이드록시 프로필아크릴레이트 32.54g(0.25몰), 메틸메타크릴레이트 10.01g(0.1몰), 글리시딜메타크릴레이트 42.65g(0.3 몰)을 500ml 둥근 바닥 플라스크에 넣고 교반하면서 미리 준비된 테트라하이드로 퓨란(THF) 300g 을 넣고 완전히 섞이면 2,2'-아조비스이소부티로나이트릴(AIBN) 0.1g - 3g을 넣은 후 질소분위기 하에서 60 내지 75℃의 온도에서 5-20 시간을 반응시킨다. 반응 완료 후 이 용액을 에틸에테르 혹은 노르말 핵산용매에 침전을 시킨 후 여과하여 건조시키면 화학식 7의 폴리(토실에틸아크릴레이트-하이드록시프로필아크릴레이트-메틸메타크릴레이트-글리시딜메타크릴레이트)수지를 수득하게 된다. 이때의 수율은 65 내지 70% 이다.
실시예8) 폴리(토실에틸아크릴레이트-하이드록시프로필메타크릴레이트-메틸메타크릴레이트-글리시딜메타크릴레이트)4원 공중합체의 합성
토실에틸아크릴레이트 76.59g(0.3몰), 하이드록시프로필메타크릴레이트 33.14g(0.23몰), 메틸메타크릴레이트 10.01g(0.1몰), 글리시딜메타크릴레이트 42.65g (0.3 몰)을 500ml 둥근 바닥 플라스크에 넣고 교반하면서 미리 준비된 테트라하이드로 퓨란(THF) 300g 을 넣고 완전히 섞이면 2,2'-아조비스이소부티로나이트릴(AIBN) 0.1g - 3g을 넣은 후 질소분위기 하에서 60 내지 75℃의 온도에서 5-20 시간을 반응시킨다. 반응 완료 후 이 용액을 에틸 에테르 혹은 노르말 핵산용매에 침전을 시킨 후 여과하여 건조시키면 화학식 8의 폴리(토실에틸아크릴레이트-하이드록시프로필메타크릴레이트-메틸메타크릴레이트-글리시딜메타크릴레이트)수지를 수득하게 된다. 이때의 수율은 65 내지 70% 이다.
실시예9) 폴리(토실 에틸아크릴레이트-하이드록시부틸아크릴레이트-메틸메타크릴레이트-글리시딜메타크릴레이트)4원 공중합체의 합성
토실에틸아크릴레이트 76.59g(0.3몰), 하이드록시부틸아크릴레이트 28.83g (0.2몰), 메틸메타크릴레이트 10.01g(0.1몰), 글리시딜메타크릴레이트 42.65g(0.3 몰)을 500ml 둥근 바닥 플라스크에 넣고 교반하면서 미리 준비된 테트라하이드로 퓨란(THF) 300g 을 넣고 완전히 섞이면 2,2'-아조비스 이소 부티로나이트릴(AIBN) 0.1g - 3g을 넣은 후 질소분위기 하에서 60 내지 75℃의 온도에서 5-20 시간을 반응시킨다. 반응 완료 후 이 용액을 에틸에테르 혹은 노르말 핵산용매에 침전을 시킨 후 여과하여 건조시키면 화학식 9의 폴리(토실에틸아크릴레이트-하이드록시부틸아크릴레이트-메틸메타크릴레이트-글리시딜메타크릴레이트)수지를 수득하게 된다. 이때의 수율은 65 내지 70% 이다.
실시예 10) 폴리(토실에틸메타크릴레이트-하이드록시에틸아크릴레이트-메틸메타크릴레이트-글리시딜메타크릴레이트)4원 공중합체의 합성
토실에틸메타크릴레이트 80.8g(0.3몰), 하이드록시에틸아크릴레이트 29.03g (0.25몰), 메틸메타크릴레이트 15.02g(0.15몰), 글리시딜메타크릴레이트 42.65g (0.3 몰)을 500ml 둥근 바닥 플라스크에 넣고 교반하면서 미리 준비된 테트라하이드로 퓨란(THF) 300g 을 넣고 완전히 섞이면 2,2'-아조비스이소부티로나이트릴(AIBN) 0.1g - 3g을 넣은 후 질소분위기 하에서 60 내지 75℃의 온도에서 5-20 시간을 반응시킨다. 반응 완료 후 이 용액을 에틸에테르 혹은 노르말 핵산용매에 침전을 시킨 후 여과하여 건조시키면 화학식 10의 폴리(토실에틸메타크릴레이트-하이드록시에틸아크릴레이트-메틸메타크릴레이트-글리시딜메타크릴레이트)수지를 수득하게 된다. 이때의 수율은 65 내지 70% 이다.
실시예11) 폴리(토실에틸메타크릴레이트-하이드록시에틸메타크릴레이트-메틸아크릴레이트-글리시딜메타크릴레이트)4원 공중합체의 합성
토실 에틸메타크릴레이트 80.8g(0.3몰), 하이드록에틸메타크릴레이트 26.3g(0.2몰), 메틸아크릴레이트 12.91g(0.15몰), 글리시딜메타크릴레이트 42.65g(0.3 몰)을 500ml 둥근 바닥 플라스크에 넣고 교반하면서 미리 준비된 테트라하이드로 퓨란(THF) 300g을 넣고 완전히 섞이면, 2,2'-아조비스이소부티로나이트릴(AIBN) 0.1g - 3g을 넣은 후 질소분위기 하에서 60 내지 75℃의 온도에서 5-20 시간을 반응시킨다. 반응 완료 후 이 용액을 에틸에테르 혹은 노르말 핵산용매에 침전을 시킨 후 여과하여 건조시키면 화학식 11의 폴리(토실에틸메타크릴레이트-하이드록시에틸메타크릴레이트-메틸아크릴레이트-글리시딜메타크릴레이트)수지를 수득하게 된다. 이때의 수율은 65 내지 70% 이다.
실시예 12) 폴리(토실에틸메타크릴레이트-하이드록시프로필아크릴레이트-메틸메타크릴레이트-글리시딜메타크릴레이트)4원 공중합체의 합성
토실에틸메타크릴레이트 80.8g(0.3몰), 하이드록시프로필아크릴레이트 32.54g(0.25몰), 메틸메타크릴레이트 15.02g(0.15몰), 글리시딜메타크릴레이트 42.65g(0.3 몰)을 500ml 둥근 바닥 플라스크에 넣고 교반하면서 미리 준비된 테트라하이드로 퓨란(THF) 300g 을 넣고 완전히 섞이면 2,2'-아조비스이소부티로나이트릴(AIBN) 0.1g -0.3g을 넣은 후 질소분위기 하에서 60 내지 75℃의 온도에서 5-20 시간을 반응시킨다. 반응 완료 후 이 용액을 에틸에테르 혹은 노르말 핵산용매에 침전을 시킨 후 여과하여 건조시키면 화학식 12의 폴리(토실에틸메타크릴레이트-하이드록시프로필아크릴레이트-메틸메타크릴레이트-글리시딜메타크릴레이트)수지를 수득하게 된다. 이때의 수율은 65 내지 70% 이다.
실시예 13) 폴리(토실에틸메타크릴레이트-하이드록시프로필아크릴레이트-메틸메타크릴레이트-글리시딜메타크릴레이트)4원 공중합체의 합성
토실에틸메타크릴레이트 80.8g(0.3몰), 하이드록시 프로필메타크릴레이트 31.72g(0.22몰), 메틸메타크릴레이트 12.91g(0.15몰), 글리시딜메타크릴레이트 42.65g(0.3 몰)을 500ml 둥근 바닥 플라스크에 넣고 교반하면서 미리 준비된 테트라하이드로 퓨란(THF) 300g 을 넣고 완전히 섞이면 2,2'-아조비스이소부티로나이트릴(AIBN) 0.1g - 3g을 넣은 후 질소분위기 하에서 60 내지 75℃의 온도에서 5-20 시간을 반응시킨다. 반응 완료 후 이 용액을 에틸 에테르 혹은 노르말 핵산용매에 침전을 시킨 후 여과하여 건조시키면 화학식 13의 폴리(토실에틸메타크릴레이트-하이드록시프로필메타크릴레이트-메틸메타크릴레이트-글리시딜메타크릴레이트)수지를 수득하게 된다. 이때의 수율은 65 내지 70% 이다.
실시예 14) 폴리(토실에틸메타크릴레이트-하이드록시부틸메타크릴레이트-메틸메타크릴레이트-글리시딜메타크릴레이트)4원 공중합체의 합성
토실에틸메타크릴레이트 80.8g (0.3몰), 하이드록시 부틸아크릴레이트 28.83g(0.2몰), 메틸메타크릴레이트 10.01g(0.1몰), 글리시딜메타크릴레이트 42.65g(0.3 몰)을 500ml 둥근 바닥 플라스크에 넣고 교반하면서 미리 준비된 테트라하이드로 퓨란(THF) 300g 을 넣고 완전히 섞이면 2,2'-아조비스이소부티로나이트릴(AIBN) 0.1g - 3g을 넣은 후 질소분위기 하에서 60 내지 75℃의 온도에서 5-20 시간을 반응시킨다. 반응 완료 후 이 용액을 에틸에테르 혹은 노르말 핵산용매에 침전을 시킨 후 여과하여 건조시키면 화학식 14의 폴리(토실에틸메타크릴레이트-하이드록시부틸아크릴레이트-메틸메타크릴레이트-글리시딜메타크릴레이트)수지를 수득하게 된다. 이때의 수율은 65 내지 70% 이다.
실시예 15) 폴리(토실에틸아크릴레이트-하이드록시에틸아크릴레이트-메틸메타크릴레이트)3원 공중합체의 합성
토실에틸아크릴레이트 76.59g(0.3몰), 하이드록시에틸아크릴레이트 34.84g(0.3몰), 메틸메타크릴레이트 25.03g(0.25몰)을 500ml 둥근 바닥 플라스크에 넣고 교반하면서 미리 준비된 테트라하이드로 퓨란(THF) 300g 을 넣고 완전히 섞이면 2,2'-아조비스이소부티로나이트릴(AIBN) 0.1g - 3g을 넣은 후 질소분위기 하에서 60 내지 75℃의 온도에서 5-20 시간을 반응시킨다. 반응 완료 후 이 용액을 에틸 에테르 혹은 노르말 핵산용매에 침전을 시킨 후 여과하여 건조시키면 화학식 15의 폴리(토실에틸아크릴레이트-하이드록시에틸아크릴레이트-메틸메타크릴레이트)수지를 수득하게 된다. 이때의 수율은 65 내지 70% 이다.
실시예 16) 폴리(토실에틸아크릴레이트-하이드록시에틸메타크릴레이트-메틸메타크릴레이트)3원 공중합체의 합성
토실에틸아크릴레이트 84.25g(0.33몰), 하이드록시에틸메타크릴레이트 45.55g(0.35몰), 메틸메타크릴레이트 25.03g(0.25몰)을 500ml 둥근 바닥 플라스크에 넣고 교반하면서 미리 준비된 테트라하이드로 퓨란(THF) 300g 을 넣고 완전히 섞이면 2,2'-아조비스이소부티로나이트릴(AIBN) 0.1g - 3g을 넣은 후 질소분위기 하에서 60 내지 75℃의 온도에서 5-20 시간을 반응시킨다. 반응 완료 후 이 용액을 에틸에테르 혹은 노르말 핵산용매에 침전을 시킨 후 여과하여 건조시키면 화학식 16의 폴리(토실에틸아크릴레이트-하이드록시에틸메타크릴레이트-메틸메타크릴레이트)수지를 수득하게 된다. 이때의 수율은 65 내지 70% 이다.
실시예 17) 폴리(토실에틸아크릴레이트-하이드록시프로필아크릴레이트-메틸메타크릴레이트)3원 공중합체의 합성
토실에틸아크릴레이트 76.59g(0.3몰), 하이드록시프로필아크릴레이트 42.95g (0.33몰), 메틸메타크릴레이트 22.03g(0.22몰)을 500ml 둥근 바닥 플라스크에 넣고 교반하면서 미리 준비된 테트라하이드로 퓨란(THF) 300g 을 넣고 완전히 섞이면 2,2'-아조비스이소부티로나이트릴(AIBN) 0.1g - 3g을 넣은 후 질소분위기 하에서 60 내지 75℃의 온도에서 5-20 시간을 반응시킨다. 반응 완료 후 이 용액을 에틸 에테르 혹은 노르말 핵산용매에 침전을 시킨 후 여과하여 건조시키면 화학식 17의 폴리(토실에틸아크릴레이트-하이드록시프로필아크릴레이트-메틸메타크릴레이트)수지를 수득하게 된다. 이때의 수율은 65 내지 70% 이다.
실시예 18) 폴리(토실에틸아크릴레이트-하이드록시프로필메타크릴레이트-메틸메타크릴레이트)3원 공중합체의 합성
토실에틸아크릴레이트 76.59g(0.3몰), 하이드록시프로필메타크릴레이트 47.58g(0.33몰), 메틸메타크릴레이트 25.03g(0.25몰)을 500ml 둥근 바닥 플라스크에 넣고 교반하면서 미리 준비된 테트라하이드로 퓨란(THF) 300g 을 넣고 완전히 섞이면 2,2'-아조비스이소부티로나이트릴(AIBN) 0.1g - 3g을 넣은 후 질소분위기 하에서 60 내지 75℃의 온도에서 5-20 시간을 반응시킨다. 반응 완료 후 이 용액을 에틸에테르 혹은 노르말 핵산용매에 침전을 시킨 후 여과하여 건조시키면 화학식 18의 폴리(토실에틸아크릴레이트-하이드록시프로필메타크릴레이트-메틸메타크릴레이트)수지를 수득하게 된다. 이때의 수율은 65 내지 70% 이다.
실시예 19) 폴리(토실에틸아크릴레이트-하이드록시부틸아크릴레이트-메틸메타크릴레이트)3원 공중합체의 합성
토실에틸아크릴레이트 76.59g(0.3몰), 하이드록시부틸아크릴레이트 43.25g (0.3몰), 메틸메타크릴레이트 25.03g(0.3몰)을 500ml 둥근 바닥 플라스크에 넣고 교반하면서 미리 준비된 테트라하이드로 퓨란(THF) 300g 을 넣고 완전히 섞이면 2,2'-아조비스이소부티로나이트릴(AIBN) 0.1g - 3g을 넣은 후 질소분위기 하에서 60 내지 75℃의 온도에서 5-20 시간을 반응시킨다. 반응 완료 후 이 용액을 에틸 에테르 혹은 노르말 핵산용매에 침전을 시킨 후 여과하여 건조시키면 화학식 19의 폴리(토실에틸아크릴레이트-하이드록시부틸아크릴레이트-메틸메타크릴레이트)수지를 수득하게 된다. 이때의 수율은 65 내지 70% 이다.
실시예 20) 폴리(토실에틸메타크릴레이트-하이드록시에틸아크릴레이트-메틸메타크릴레이트)3원 공중합체의 합성
토실에틸메타크릴레이트 80.8g(0.3몰), 하이드록시에틸아크릴레이트 29.03g (0.25몰), 메틸메타크릴레이트 25.03g(0.3몰)을 500ml 둥근 바닥 플라스크에 넣고 교반하면서 미리 준비된 테트라하이드로 퓨란(THF) 300g 을 넣고 완전히 섞이면 2,2'-아조비스이소부티로나이트릴(AIBN) 0.1g - 3g을 넣은 후 질소분위기 하에서 60 내지 75℃의 온도에서 5-20 시간을 반응시킨다. 반응 완료 후 이 용액을 에틸 에테르 혹은 노르말 핵산용매에 침전을 시킨 후 여과하여 건조시키면 화학식 20의 폴리(토실에틸메타크릴레이트-하이드록시에틸아크릴레이트-메틸메타크릴레이트)수지를 수득하게 된다. 이때의 수율은 65 내지 70% 이다.
실시예 21) 폴리(토실에틸메타크릴레이트-하이드록시에틸메타크릴레이트-메틸메타크릴레이트)3원 공중합체의 합성
토실에틸메타크릴레이트 80.8g(0.3몰), 하이드록시에틸메타크릴레이트 41.64g(0.32몰), 메틸메타크릴레이트 25.03g(0.3몰)을 500ml 둥근 바닥 플라스크에 넣고 교반하면서 미리 준비된 테트라하이드로 퓨란(THF) 300g 을 넣고 완전히 섞이면 2,2'-아조비스 이소 부티로나이트릴(AIBN) 0.1g - 3g을 넣은 후 질소분위기 하에서 60 내지 75℃의 온도에서 5-20 시간을 반응시킨다. 반응 완료 후 이 용액을 에틸에테르 혹은 노르말 핵산용매에 침전을 시킨 후 여과하여 건조시키면 화학식 21의 폴리(토실에틸아크릴레이트-하이드록시에틸메타크릴레이트-메틸메타크릴레이트)수지를 수득하게 된다. 이때의 수율은 65 내지 70% 이다.
실시예 22) 폴리(토실에틸메타크릴레이트-하이드록시프로필아크릴레이트-메틸메타크릴레이트)3원 공중합체의 합성
토실에틸메타크릴레이트 80.8g(0.3몰), 하이드록시프로필아크릴레이트 42.95g(0.33몰), 메틸메타크릴레이트 25.03g(0.3몰)을 500ml 둥근 바닥 플라스크에 넣고 교반하면서 미리 준비된 테트라하이드로 퓨란(THF) 300g 을 넣고 완전히 섞이면 2,2'-아조비스이소부티로나이트릴(AIBN) 0.1g - 3g을 넣은 후 질소분위기 하에서 60 내지 75℃의 온도에서 5-20 시간을 반응시킨다. 반응 완료 후 이 용액을 에틸에테르 혹은 노르말 핵산용매에 침전을 시킨 후 여과하여 건조시키면 화학식 15의 폴리(토실에틸메타크릴레이트-하이드록시프로필아크릴레이트-메틸메타크릴레이트)수지를 수득하게 된다. 이때의 수율은 65 내지 70% 이다.
실시예 23) 폴리(토실에틸메타크릴레이트-하이드록시프로필메타크릴레이트-메틸메타크릴레이트)3원 공중합체의 합성
토실에틸메타크릴레이트 80.8g(0.3몰), 하이드록시 프로필메타크릴레이트 43.25g(0.3몰), 메틸메타크릴레이트 25.03g(0.3몰)을 500ml 둥근 바닥 플라스크에 넣고 교반하면서 미리 준비된 테트라하이드로 퓨란(THF) 300g 을 넣고 완전히 섞이면 2,2'-아조비스이소부티로나이트릴(AIBN) 0.1g - 3g을 넣은 후 질소분위기 하에서 60 내지 75℃의 온도에서 5-20 시간을 반응시킨다. 반응 완료 후 이 용액을 에틸에테르 혹은 노르말 핵산용매에 침전을 시킨 후 여과하여 건조시키면 화학식 23의 폴리(토실에틸메타크릴레이트-하이드록시프로필메타크릴레이트-메틸메타크릴레이트)수지를 수득하게 된다. 이때의 수율은 65 내지 70% 이다.
실시예 24) 폴리(토실에틸메타크릴레이트-하이드록시부틸아크릴레이트-메틸메타크릴레이트)3원 공중합체의 합성
토실에틸메타크릴레이트 80.8g(0.3몰), 하이드록시부틸아크릴레이트 47.58g (0.33몰), 메틸메타크릴레이트 25.03g(0.3몰)을 500ml 둥근 바닥 플라스크에 넣고 교반하면서 미리 준비된 테트라하이드로 퓨란(THF) 300g 을 넣고 완전히 섞이면 2,2'-아조비스이소부티로나이트릴(AIBN) 0.1g - 3g을 넣은 후 질소분위기 하에서 60 내지 75℃의 온도에서 5-20 시간을 반응시킨다. 반응 완료 후 이 용액을 에틸 에테르 혹은 노르말 핵산용매에 침전을 시킨 후 여과하여 건조시키면 화학식 24의 폴리(토실에틸메타크릴레이트-하이드록시부틸아크릴레이트-메틸메타크릴레이트)수지를 수득하게 된다. 이때의 수율은 65 내지 70% 이다.
실시예 25) 반사방지막의 제조
일반식 1 을 기본구조로 하는 실시예 5 내지 14에서 수득된 수지로부터 선택된 하나를 수지중합체의 200 내지 5000중량%인 프로필렌글리콜 메틸에테르아세테이트(PGMEA)에 용해시킨 후
여과한 용액을 웨이퍼에 도포하고 100-300℃에서 10 내지 1000초 동안 하드베이크를 실시한다. 이후에 감광액을 도포하여 미세 패턴 공정을 행한다.
실시예 26) 반사방지막의 제조
일반식 2를 기본구조로 하는 실시예 15 내지 24에서 수득된 수지로부터 선택된 하나를 수지중합체의 200 내지 5000중량%인 프로필렌글리콜메틸에테르아세테이트(PGMEA)에 용해시킨 후 이 용액을 단독으로 사용하거나 또는 아크롤레인디메틸아세탈, 아크롤레인 디에틸아세탈 및 멜라민계 가교제에서 선택된 1종의 첨가제를 0.1 내지 30 중량%로 가하여 완전히 용해시킨 후 여과한 용액을 웨이퍼에 도포하고 100-300℃에서 10 내지 1000초 동안 하드베이크를 행한다. 이후에 감광막을 도포하여 미세패턴 형성공정을 행한다.
이상에서와 같이 본 발명에 따르는 상기 일반식 1 및 2를 기본 구조로 하는 화학식 5 내지 24의 중합체 수지로 구성된 반사방지막은 193 nm파장에서 흡수가 잘되도록 흡광도가 큰 페닐기를 수지자체에 함유하고 있는 바, 반사방지막으로 가져야 할 충분한 흡광도를 만족한다. 따라서, 본발명에 의한 중합체를 반도체 제조 공정중 초미세 패턴형성공정에서의 반사방지막으로 사용함으로써, 193 nm ArF 를 이용한 리소그라피 공정에 있어서 하부막층의 반사를 방지할 뿐 만 아니라, 광 및 포토레지스트 자체의 두께 변화에 의한 정재파를 제거함으로써 64M, 256M, 1G, 4G, 16G DRAM 의 안정된 초미세 패턴을 형성할 수 있어 제품의 수율을 증대할 수 있다.

Claims (44)

  1. 하기 일반식 3으로 표시되는 화합물.
    〔일반식 3〕
    상기식에서 R은 수소 내지 메틸이며, n은 2 내지 3이다.
  2. 트리에틸아민에 용해시킨 p-톨루엔 술포닐 클로라이드와 2-하이드록시에틸아크릴레이트, 2-하이드록시에틸메타크릴레이트, 2-하이드록시프로필아크릴레이트, 2-하이드록시프로필메타크릴레이트로 구성된 그룹에서 선택된 1종의 화합물을 반응시킨 후 중화, 세척 및 감압증류시키는 것으로 구성된 상기 일반식 3의 화합물의 제조방법.
  3. 하기 일반식 1로 표시되는 중합체 화합물.
    상기식에서,
    Ra, Rb, Rc 및 Rd 은 수소 또는 메틸기를 나타내며,
    R1은 수소, 하이드록시 또는 C1~C5의 치환 및 비치환된 직쇄 또는 측쇄알킬, 시클로알킬이거나 알콕시알킬, 시클로알콕시알킬을 나타내고
    w,x,y,z은 각각 0.01 내지 0.99몰분율 이며, n1,n2및 n3은 1내지 4를 나타낸다.
  4. 제 3항에 있어서, Ra, Rb, Rc 및 Rd 는 수소 또는 메틸기를 나타내며, R1은 메틸을 나타내고 w,x,y,z 은 각각 0.01 내지 0.99몰분율 이며, n1,n2및 n3은 1 내지 4를 나타내는 것을 특징으로 하는 상기 일반식 1의 중합체 화합물.
  5. 제 3항 내지 제 4항에 있어서, 폴리(토실에틸아크릴레이트-하이드록시에틸아크릴레이트-메틸메타크릴레이트-글리시딜메타크릴레이트)이고 각 단량체의 몰비가 0.3:0.25:0.1:0.3인 일반식1의 중합체 화합물
  6. 제 3항 내지 제 4항에 있어서, 폴리(토실에틸아크릴레이트-하이드록시에틸메타크릴레이트-메틸메타크릴레이트-글리시딜메타크릴레이트)이고 각 단량체의 몰비가 0.3:0.2:0.1:0.3인 일반식1의 중합체 화합물.
  7. 제 3항 내지 제 4항에 있어서, 폴리(토실에틸아크릴레이트-하이드록시프로필아크릴레이트-메틸메타크릴레이트-글리시딜메타크릴레이트)이고 각 단량체의 몰비가 0.3:0.25:0.1:0.3인 일반식1의 중합체 화합물.
  8. 제 3항 내지 제 4항에 있어서, 폴리(토실에틸아크릴레이트-하이드록시프로필메타크릴레이트-메틸메타크릴레이트-글리시딜메타크릴레이트)이고 각 단량체의 몰비가 0.3:0.23:0.1:0.3인 일반식1의 중합체 화합물.
  9. 제 3항 내지 제 4항에 있어서, 폴리(토실에틸아크릴레이트-하이드록시부틸아크릴레이트-메틸메타크릴레이트-글리시딜메타크릴레이트)이고 각 단량체의 몰비가 0.3:0.2:0.1:0.3인 일반식1의 중합체 화합물.
  10. 제 3항 내지 제 4항에 있어서, 폴리(토실에틸메타크릴레이트-하이드록시에틸아크릴레이트-메틸메타크릴레이트-글리시딜메타크릴레이트)이고 각 단량체의 몰비가 0.3:0.25:0.15:0.3인 일반식1의 중합체 화합물.
  11. 제 3항 내지 제 4항에 있어서, 폴리(토실에틸메타크릴레이트-하이드록시에틸메타크릴레이트-메틸아크릴레이트-글리시딜메타크릴레이트)이고 각 단량체의 몰비가 0.3:0.2:0.15:0.3인 일반식1의 중합체 화합물.
  12. 제 3항 내지 제 4항에 있어서, 폴리(토실에틸메타크릴레이트-하이드록시프로필아크릴레이트-메틸메타크릴레이트-글리시딜메타크릴레이트)이고 각 단량체의 몰비가 0.3:0.25:0.15:0.3인 일반식1의 중합체 화합물.
  13. 제 3항 내지 제 4항에 있어서, 폴리(토실에틸메타크릴레이트-하이드록시프로필메타크릴레이트-메틸메타크릴레이트-글리시딜메타크릴레이트)이고 각 단량체의 몰비가 0.3:0.22:0.15:0.3인 일반식1의 중합체 화합물.
  14. 제 3항 내지 제 4항에 있어서, 폴리(토실에틸메타크릴레이트-하이드록시부틸아크릴레이트-메틸메타크릴레이트-글리시딜메타크릴레이트)이고 각 단량체의 몰비가 0.3:0.2:0.1:0.3인 일반식1의 중합체 화합물.
  15. 하기 반응식 1과 같이, 토실알킬아크릴레이트계 단량체, 하이드록시알킬아크릴레이트계 단량체, 알킬아크릴레이트게 단량체 및 글리시딜메타크릴레이트계 단량체를 개시제와 함께 용매중에서 중합반응시키는 것을 특징으로 하는 제 3항의 일반식 1의 중합체 화합물 제조방법
    (반응식1)
    상기식에서,
    Ra, Rb, Rc 및 Rd 은 수소 또는 메틸기를 나타내며,
    R1은 수소, 하이드록시 또는 C1~C5의 치환 및 비치환된 직쇄 또는 측쇄알킬, 시클로알킬이거나 알콕시알킬, 시클로알콕시알킬을 나타내고 n1,n2및 n3은 1 내지 4를 나타낸다.
  16. 제 15 항에 있어서, R은 수소 내지 메틸이고 R1은 메틸이고 각 단량체의 몰분율은 각각 0.01 내지 0.99몰분율인 것을 특징으로 하는 제 3항의 일반식 1의 중합체 화합물 제조방법.
  17. 제 15 항 또는 제 16항에 있어서, 상기 개시제는 2,2-아조비스이소부티로니트릴(AIBN), 아세틸퍼옥사이드, 라우릴퍼옥사이드 및 t-부틸퍼옥사이드로 이루어진 그룹에서 선택된 것을 사용하는 것을 특징으로 하는 제 3항의 일반식 1의 중합체 화합물 제조방법.
  18. 제 15 항 또는 제 16항에 있어서, 상기 용매는 테트라하이드로퓨란, 톨루엔, 벤젠, 메틸에틸케톤 및 디옥산으로 이루어진 그룹에서 선택된 것을 사용하는 것을 특징으로 하는 제 3항의 일반식 1의 중합체 화합물 제조방법.
  19. 제 15항 또는 제 16항에 있어서, 상기 중합 반응은 50~80℃의 온도 범위에서 수행하는 것을 특징으로 하는 제 3항의 일반식 1의 중합체 화합물 제조방법.
  20. 하기 일반식 2로 표시되는 중합체 화합물.
    (일반식 2)
    상기식에서,
    Ra, Rb 및 Rc 는 수소 또는 메틸기를 나타내며,
    R1은 수소, 하이드록시 또는 C1~C5의 치환 및 비치환된 직쇄 또는 측쇄알킬, 시클로알킬이거나 알콕시알킬, 시클로알콕시알킬을 나타내고
    x,y,z은 각각 0.01 내지 0.99몰분율 이며, n1및 n2는 1내지 4를 나타낸다
  21. 제 20항에 있어서, Ra, Rb 및 Rc 는 수소 또는 메틸기를 나타내며, R1은 메틸을 나타내고 x,y,z 은 각각 0.01 내지 0.99몰분율 이며, n1및 n2는 1내지 4를 나타내는 것을 특징으로 하는 상기 일반식 2의 중합체 화합물
  22. 제 20항 또는 제 21항에 있어서, 폴리(토실에틸아크릴레이트-하이드록시에틸아크릴레이트-메틸메타크릴레이트)이고 각 단량체의 몰비가 0.3:0.3:0.25인 일반식2의 중합체 화합물.
  23. 제 20항 또는 제 21항에 있어서, 폴리(토실에틸아크릴레이트-하이드록시에틸메타크릴레이트-메틸메타크릴레이트)이고 각 단량체의 몰비가 0.33:0.35:0.25인 일반식2의 중합체 화합물.
  24. 제 20항 또는 제 21항에 있어서, 폴리(토실에틸아크릴레이트-하이드록시프로필아크릴레이트-메틸메타크릴레이트)이고 각 단량체의 몰비가 0.3:0.33:0.22인 일반식2의 중합체 화합물.
  25. 제 20항 또는 제 21항에 있어서, 폴리(토실에틸아크릴레이트-하이드록시프로필메타크릴레이트-메틸메타크릴레이트)이고 각 단량체의 몰비가 0.3:0.33:0.25인 일반식2의 중합체 화합물.
  26. 제 20항 또는 제 21항에 있어서, 폴리(토실에틸아크릴레이트-하이드록시부틸아크릴레이트-메틸메타크릴레이트)이고 각 단량체의 몰비가 0.3:0.3:0.3인 일반식 2의 중합체 화합물.
  27. 제 20항 또는 제 21항에 있어서, 폴리(토실에틸메타크릴레이트-하이드록시에틸아크릴레이트-메틸메타크릴레이트)이고 각 단량체의 몰비가 0.3:0.25:0.3인 일반식2의 중합체 화합물.
  28. 제 20항또는 제 21항에 있어서, 폴리(토실에틸메타크릴레이트-하이드록시에틸메타크릴레이트-메틸메타크릴레이트)이고 각 단량체의 몰비가 0.3:0.32:0.3인 일반식2의 중합체 화합물.
  29. 제 20항 또는 제 21항에 있어서, 폴리(토실에틸메타크릴레이트-하이드록시프로필아크릴레이트-메틸메타크릴레이트)이고 각 단량체의 몰비가 0.3:0.33:0.3인 일반식2의 중합체 화합물.
  30. 제 20항 또는 제 21항에 있어서, 폴리(토실에틸메타크릴레이트-하이드록시프로필메타크릴레이트-메틸메타크릴레이트)이고 각 단량체의 몰비가 0.3:0.3:0.3인 일반식2의 중합체 화합물.
  31. 제 20항 또는 제 21항에 있어서, 폴리(토실에틸메타크릴레이트-하이드록시부틸아크릴레이트-메틸메타크릴레이트)이고 각 단량체의 몰비가 0.3:0.33:0.3인 일반식2의 중합체 화합물.
  32. 하기 반응식 2와 같이, 토실알킬아크릴레이트계 단량체, 하이드록시알킬아크릴레이트계 단량체, 알킬아크릴레이트계 단량체를 개시제와 함께 용매중에서 중합반응시키는 것을 특징으로 하는 제 20항의 일반식 2의 중합체 화합물 제조방법.
    (반응식2)
    상기식에서,
    Ra, Rb 및 Rc 는 수소 또는 메틸기를 나타내며,
    R1은 수소, 하이드록시 또는 C1~C5의 치환 및 비치환된 직쇄 또는 측쇄알킬, 시클로알킬이거나 알콕시 알킬, 시클로알콕시알킬을 나타내고 n1및 n2는 1 내지 4를 나타낸다.
  33. 제 32 항에 있어서, Ra, Rb 및 Rc 는 수소 내지 메틸이고 R1은 메틸이고 각 단량체의 몰분율은 각각 0.01 내지 0.99몰분율인 것을 특징으로 하는 제 20항의 일반식 2의 중합체 화합물 제조방법.
  34. 제 32 항 또는 제 33항에 있어서, 상기 개시제는 2,2-아조비스이소부티로니트릴(AIBN), 아세틸퍼옥사이드, 라우릴퍼옥사이드 및 t-부틸퍼옥사이드로 이루어진 그룹에서 선택된 것을 사용하는 것을 특징으로 하는 제 20항의 일반식 2의 중합체 화합물 제조방법.
  35. 제 32 항 또는 제 33항에 있어서, 상기 용매는 테트라하이드로퓨란, 톨루엔, 벤젠, 메틸에틸케톤 및 디옥산으로 이루어진 그룹에서 선택된 것을 사용하는 것을 특징으로 하는 제 20항의 일반식 2의 중합체 화합물 제조방법.
  36. 제 32항 또는 제 33항에 있어서, 상기 중합 반응은 50~80℃의 온도 범위에서 수행하는 것을 특징으로 하는 제 20항의 일반식 2의 중합체 화합물 제조방법.
  37. 상기 화학식 1의 중합체화합물을 포함하여 구성된 반도체 제조공정에 사용되는 반사방지막 조성물.
  38. 상기 화학식 1의 중합체 화합물을 중량당 200∼5000 중량%의 유기용매에 용해시킨 후 이 용액을 여과하는단계; 상기 화합물을 웨이퍼에 도포하고 100-300℃에서 10 내지 1000초 동안 하드베이크 하는 단계를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체제조공정에 사용되는 반사방지막 조성물의 제조방법.
  39. 제 38항에 있어서, 유기용매는 에틸 3-에톡시 프로피오네이트, 메틸 3-메톡시 프로피오네이트, 사이클로 헥사논, 프로필렌 글리콜메틸에테르아세테이트로 이루어진 그룹에서 선택되는 것을 특징으로 하는 반도체제조공정에 사용되는 반사방지막 조성물의 제조방법.
  40. 상기 일반식 2의 중합체 화합물 및 아크롤레인 디메칠아세탈, 아크롤레인 디에틸아세탈 및 멜라민계 가교제로 구성된 그룹에서 선택된 하나의 첨가제를 포함하여 구성된 반도체 제조공정에 사용되는 반사방지막 조성물.
  41. 상기 일반식 2의 중합체 화합물을 중량당 200∼5000 중량%의 유기용매에 용해시킨 후 아크롤레인 디메칠아세탈, 아크롤레인 디에틸아세탈 및 멜라민계 가교제로 구성된 그룹에서 선택된 하나의 첨가제를 첨가하여 완전히 용해시키는 단계; 이 용액을 여과하는단계; 상기 화합물을 웨이퍼에 도포하고 100-300℃에서 10 내지 1000초 동안 하드베이크 하는 단계를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체제조공정에 사용되는 반사방지막 조성물의 제조방법.
  42. 제 41항에 있어서, 유기용매는 에틸 3-에톡시 프로피오네이트, 메틸 3-메톡시 프로피오네이트, 사이클로헥사논, 프로필렌 글리콜메틸에테르아세테이트로 이루어진 그룹에서 선택되는 것을 특징으로 하는 반도체제조공정에 사용되는 반사방지막 조성물의 제조방법.
  43. 제 41항 또는 42항에 있어서, 상기 첨가제는 0.1 내지 30중량%로 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체제조공정에 사용되는 반사방지막 조성물의 제조방법.
  44. 상기 청구항 37항 및 청구항 40항의 반사방지막 조성물중 하나의 반사방지막 조성물을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자.
KR1019990024469A 1999-06-26 1999-06-26 193ｎｍ ＡｒＦ광을 이용한 초미세 패턴 형성 공정에서 반사방지막으로 사용할 수 있는 유기 반사방지 중합체 및 그의 제조방법 KR100327576B1 (ko)

Priority Applications (11)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019990024469A KR100327576B1 (ko) 1999-06-26 1999-06-26 193ｎｍ ＡｒＦ광을 이용한 초미세 패턴 형성 공정에서 반사방지막으로 사용할 수 있는 유기 반사방지 중합체 및 그의 제조방법
TW089110844A TWI280965B (en) 1999-06-26 2000-06-03 Organic anti-reflective polymer and preparation thereof
DE10028487A DE10028487A1 (de) 1999-06-26 2000-06-08 Organisches nicht reflektierendes Polymer und dessen Herstellung
GB0014258A GB2351498B (en) 1999-06-26 2000-06-13 Organic anti-reflective polymer and preparation thereof
JP2000182833A JP4276359B2 (ja) 1999-06-26 2000-06-19 有機反射防止重合体を含む反射防止膜用組成物およびそれを用いた反射防止膜の製造方法ならびに反射防止膜用組成物を含む半導体素子
IT2000TO000612A IT1320210B1 (it) 1999-06-26 2000-06-22 Polimero organico antiriflettente e sua preparazione.
NL1015507A NL1015507C2 (nl) 1999-06-26 2000-06-23 Organisch anti-reflecterend polymeer en bereiding hiervan.
CNB001078577A CN1292009C (zh) 1999-06-26 2000-06-26 有机抗反射聚合物及其制备方法
CNB2004100929565A CN1309749C (zh) 1999-06-26 2000-06-26 有机抗反射聚合物及其制备方法
FR0008148A FR2795416B1 (fr) 1999-06-26 2000-06-26 Polymere organique anti-reflechissant et son procede de preparation
US10/438,531 US6956091B2 (en) 1999-06-26 2003-05-14 Organic anti-reflective polymer and preparation thereof

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019990024469A KR100327576B1 (ko) 1999-06-26 1999-06-26 193ｎｍ ＡｒＦ광을 이용한 초미세 패턴 형성 공정에서 반사방지막으로 사용할 수 있는 유기 반사방지 중합체 및 그의 제조방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20010003933A true KR20010003933A (ko) 2001-01-15
KR100327576B1 KR100327576B1 (ko) 2002-03-14

Family

ID=19595632

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019990024469A KR100327576B1 (ko) 1999-06-26 1999-06-26 193ｎｍ ＡｒＦ광을 이용한 초미세 패턴 형성 공정에서 반사방지막으로 사용할 수 있는 유기 반사방지 중합체 및 그의 제조방법

Country Status (10)

Country Link
US (1) US6956091B2 (ko)
JP (1) JP4276359B2 (ko)
KR (1) KR100327576B1 (ko)
CN (2) CN1292009C (ko)
DE (1) DE10028487A1 (ko)
FR (1) FR2795416B1 (ko)
GB (1) GB2351498B (ko)
IT (1) IT1320210B1 (ko)
NL (1) NL1015507C2 (ko)
TW (1) TWI280965B (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100515485B1 (ko) * 2002-08-28 2005-09-15 주식회사 동진쎄미켐 Ｉ-라인 포토레지스트용 유기반사방지막 조성물
KR100787854B1 (ko) * 2006-08-16 2007-12-27 주식회사 동진쎄미켐 아크릴계 포토레지스트 모노머, 폴리머 및 이를 포함하는포토레지스트 조성물

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100960464B1 (ko) * 2007-08-09 2010-05-28 주식회사 하이닉스반도체 반사방지막용 중합체, 이를 포함하는 반사방지막 조성물 및이를 이용한 패턴 형성방법
US9896599B2 (en) * 2013-04-30 2018-02-20 3M Innovative Properties Company Process for preparing poly(benzoxazines)
CN103351465B (zh) * 2013-07-15 2015-09-09 京东方科技集团股份有限公司 光刻胶单体、光刻胶及它们的制备方法、彩色滤光片
EP3058013B1 (en) 2013-10-16 2018-01-31 3M Innovative Properties Company Benzoxazine polymerization

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL185727B (nl) * 1953-03-11 Inst Francais Du Petrole Werkwijze voor het stoomkraken van zware koolwaterstofvoedingen.
CS150825B1 (ko) * 1971-02-11 1973-09-17
JPS5116551B1 (ko) * 1971-03-08 1976-05-25
JPS4963419A (ko) * 1972-10-18 1974-06-19
JPS5736283B2 (ko) * 1973-01-25 1982-08-03
JPS536394A (en) * 1976-07-08 1978-01-20 Fuji Photo Film Co Ltd Functional high polymers
DE3100077A1 (de) 1981-01-03 1982-08-05 Hoechst Ag, 6000 Frankfurt Lichtempfindliches gemisch, das einen naphthochinondiazidsulfonsaeureester enthaelt, und verfahren zur herstellung des naphthochinondiazidsulfonsaeureesters
CS226911B1 (en) * 1981-10-28 1984-04-16 Jaroslav Kahovec Polymere polydonor komplexons and method of their manufacture polymere polydonor
US4822718A (en) 1982-09-30 1989-04-18 Brewer Science, Inc. Light absorbing coating
US5674648A (en) 1984-08-06 1997-10-07 Brewer Science, Inc. Anti-reflective coating
JPH0725197B2 (ja) * 1986-11-17 1995-03-22 富士写真フイルム株式会社 記録材料
JP2740837B2 (ja) 1987-01-30 1998-04-15 コニカ株式会社 多色転写画像形成方法
GB8812172D0 (en) * 1988-05-23 1988-06-29 Int Paint Plc Marine antifouling paint
JPH0376707A (ja) * 1989-08-21 1991-04-02 Fuji Photo Film Co Ltd 機能性高分子の製法
JPH03120550A (ja) * 1989-10-04 1991-05-22 Fuji Photo Film Co Ltd 記録材料
JPH03144649A (ja) * 1989-10-31 1991-06-20 Fuji Photo Film Co Ltd 記録材料用組成物
JP3196361B2 (ja) * 1991-12-25 2001-08-06 日立化成工業株式会社 塗料用樹脂組成物及び海中構造物用防汚塗料
KR0140908B1 (ko) * 1995-01-20 1998-06-15 박흥기 액정 디스플레이 칼라필터용 안료분산 포토 레지스트 조성물
KR0163016B1 (ko) * 1996-08-23 1998-12-15 한형수 컬러필터용 감광성 착색조성물
KR100254060B1 (ko) * 1997-05-22 2000-06-01 김성용 초정밀 패턴 인쇄회로기판(pcb)용 감광액 조성물
KR100194100B1 (ko) * 1997-05-22 1999-06-15 김성용 인쇄회로기판(pcb)용 감광액 조성물에 사용되는 아크릴 공중합수지 및 이의 제조방법
TW457403B (en) 1998-07-03 2001-10-01 Clariant Int Ltd Composition for forming a radiation absorbing coating containing blocked isocyanate compound and anti-reflective coating formed therefrom

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100515485B1 (ko) * 2002-08-28 2005-09-15 주식회사 동진쎄미켐 Ｉ-라인 포토레지스트용 유기반사방지막 조성물
KR100787854B1 (ko) * 2006-08-16 2007-12-27 주식회사 동진쎄미켐 아크릴계 포토레지스트 모노머, 폴리머 및 이를 포함하는포토레지스트 조성물

Also Published As

Publication number Publication date
ITTO20000612A0 (it) 2000-06-22
CN1699436A (zh) 2005-11-23
CN1309749C (zh) 2007-04-11
GB0014258D0 (en) 2000-08-02
CN1290712A (zh) 2001-04-11
IT1320210B1 (it) 2003-11-26
NL1015507A1 (nl) 2000-12-28
KR100327576B1 (ko) 2002-03-14
TWI280965B (en) 2007-05-11
FR2795416A1 (fr) 2000-12-29
JP4276359B2 (ja) 2009-06-10
FR2795416B1 (fr) 2004-04-09
ITTO20000612A1 (it) 2001-12-22
GB2351498A (en) 2001-01-03
CN1292009C (zh) 2006-12-27
DE10028487A1 (de) 2001-02-01
GB2351498B (en) 2004-09-08
JP2001031721A (ja) 2001-02-06
US6956091B2 (en) 2005-10-18
US20030208018A1 (en) 2003-11-06
NL1015507C2 (nl) 2001-04-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100465864B1 (ko) 유기 난반사방지 중합체 및 그의 제조방법
JP4808597B2 (ja) 有機反射防止重合体およびその製造方法
KR100355604B1 (ko) 난반사 방지막용 중합체와 그 제조방법
JP3860411B2 (ja) 乱反射防止膜用重合体とその製造方法
KR100549574B1 (ko) 유기 반사 방지막용 중합체 및 그의 제조방법
KR100687850B1 (ko) 유기반사방지막 조성물 및 그의 제조방법
KR100427440B1 (ko) 유기 반사방지 화합물 및 그의 제조방법
KR100721182B1 (ko) 유기반사방지막 조성물 및 그의 제조방법
KR100400243B1 (ko) 유기 반사방지 중합체 및 그의 제조방법
KR100419962B1 (ko) 유기반사방지막 조성물 및 그의 제조방법
KR100327576B1 (ko) 193ｎｍ ＡｒＦ광을 이용한 초미세 패턴 형성 공정에서 반사방지막으로 사용할 수 있는 유기 반사방지 중합체 및 그의 제조방법
KR100574486B1 (ko) 유기반사방지막 조성물 및 그의 제조방법
KR100687851B1 (ko) 유기반사방지막 조성물 및 그의 제조방법
KR100367399B1 (ko) 유기난반사방지중합체및그의제조방법
KR100721181B1 (ko) 유기반사방지막 조성물 및 그의 제조방법
KR100400242B1 (ko) 유기난반사방지중합체및그의제조방법
KR100355611B1 (ko) 난반사 방지막용 중합체와 그 제조방법
KR100423535B1 (ko) 유기 반사방지 화합물 및 그의 제조방법
KR100355612B1 (ko) 난반사 방지막용 중합체와 그 제조방법
KR20000046952A (ko) 유기 난반사방지 중합체 및 그의 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20120127

Year of fee payment: 11

LAPS Lapse due to unpaid annual fee