ITTO20000612A1 - Polimero organico antiriflettente e sua preparazione. - Google Patents

Polimero organico antiriflettente e sua preparazione. Download PDF

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ITTO20000612A1
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Ki-Ho Baik
Sung-Eun Hong
Min-Ho Jung
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Hyundai Electronics Ind
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Description

DESCRIZIONE dell'invenzione industriale dal titolo: "Polimero organico antiriflettente e sua preparazione",
DESCRIZIONE
RIFERIMENTI A DOMANDE CORRELATE
La presente domanda si riferisce alla Domanda di Brevetto coreano n. 1999-24469, depositata il 26 Giugno 1999, e assume priorità da tale data.
SFONDO DELL'INVENZIONE
Campo dell'Invenzione
La presente invenzione si riferisce ad un materiale per rivestimento organico antiriflettente ("ARC") che consente la formazione stabile di disegni ultrafini adatti per dispositivi a semiconduttori 64M, 256M, 1G, 4G e 16G DRAM. Più particolarmente, la presente invenzione si riferisce ad un materiale per rivestimento organico antiriflettente che contiene un cromoforo con elevata assorbanza alle lunghezze d'onda utili per la submicrolitografia. Uno strato di detto materiale antiriflettente può impedire la retroriflessione della luce dagli strati inferiori o da una superficie del microcircuito a semiconduttore, nonché eliminare le onde stazionarie nello strato di fotoresist, durante un procedimento submicrolitografico con l'impiego di un laser a ArF a 193 nm come fonte luminosa. Inoltre, la presente invenzione si riferisce ad una composizione di rivestimento antiriflettente comprendente tale materiale, un rivestimento antiriflettente ottenuto da questa ed un metodo per la sua preparazione.
Descrizione della tecnica precedente
Durante un procedimento submicrolitografico, uno dei procedimenti più importanti per la fabbricazione di dispositivi semiconduttori altamente integrati, si formano inevitabilmente onde stazionare e depressioni riflettenti delle onde dovute alle proprietà ottiche degli strati inferiori applicati sulla fetta di silicio ed ai cambiamenti di spessore della pellicola fotosensibile sovrapposta. Inoltre, il procedimento submicrolitografico presenta generalmente il problema della dimensione critica (CD) che viene alterata dalla luce diffratta e dalla luce riflessa degli strati inferiori.
Per risolvere questi problemi, è stata proposta l'introduzione di una pellicola, chiamata rivestimento antiriflettente, tra il substrato e la pellicola fotosensibile per impedire la riflessione della luce dallo strato inferiore. I rivestimenti antiriflettenti sono, in modo semplificato, classificati come "organici" e "inorganici" a seconda dei materiali impiegati e come "assorbenti" e "ad interferenza" a seconda del meccanismo di funzionamento.
Un rivestimento antiriflettente inorganico viene usato principalmente nel procedimento della formazione di un disegno ultrafine con l'impiego della radiazione nella riga i con una lunghezza d'onda di 365 nm. Il TiN e il carbonio amorfo sono stati largamente usati nei rivestimenti fotoassorbenti, mentre SiON è stato usato nei rivestimenti ad interferenza luminosa. I rivestimento in SiON antiriflettenti sono pure adottati per i procedimenti submicrolitografici che impiegano come fonte luminosa KrF.
Recentemente sono state condotte intense ricerche, che continuano tuttora, sull'applicazione di rivestimenti antiriflettenti organici per tale submicrolitografia . In considerazione della presente situazione di sviluppo, i rivestimenti organici antiriflettenti, se devono venire usati, devono soddisfare le seguenti esigenze fondamentali:
primo, durante il procedimento di formazione del disegno, il fotoresist non si deve staccare dal substrato per dissoluzione nel solvente usato nel rivestimento organico antiriflettente. Per questa ragione, il rivestimento organico antiriflettente deve essere studiato in modo da formare una struttura reticolata, e non deve produrre prodotti chimici come sottoprodotto.
Secondo, non si deve avere migrazione di composti acidi o di ammine entro o fuori dal rivestimento antiriflettente. Questo poiché vi è tendenza alla formazione di sottosquadra sul lato inferiore del disegno se vi è una migrazione di acido, e alla formazione di allargamenti se vi è una migrazione di una base come un'ammina.
Terzo, il rivestimento antiriflettente deve avere una velocità di attacco chimico maggiore rispetto allo strato di fotoresist, cosicché il procedimento di attacco chimico possa essere eseguito in modo efficiente utilizzando lo strato di fotoresist come maschera.
Infine, i rivestimenti organici antiriflettenti devono essere il più possibili sottili, e giocare un eccellente ruolo nella prevenzione della riflessione della luce.
Con i vari tipi di rivestimenti antiriflettenti, quelli che risultano applicabili in modo soddisfacente per i procedimenti submicrolitografici con l'impiego di luce ArF, non sono stati ancora trovati. Per quanto si riferisce ai rivestimenti antiriflettenti inorganici, non sono stati descritti materiali che possono controllare l'interferenza alla lunghezza d'onda della luce ArF, cioè 193 nm. Al Contrario, sono state intraprese attive ricerche per sviluppare prodotti organici ottenendo superbi rivestimenti antiriflettenti. In effetti, nella maggior parte di casi di submicrolitografia, il rivestimento degli strati fotosensibili viene necessariamente eseguito mediante rivestimenti antiriflettenti organici che eliminano le onde stazionarie e il verificarsi di depressioni riflettenti all'esposizione alla luce, e che eliminano l'influenza della retrodiffrazione e riflessione della luce dagli strati inferiori. Quindi, lo sviluppo di un materiale per rivestimento antiriflettente che presenta elevate proprietà assorbenti contro lunghezze d'onda specifiche è uno dei punti più urgenti e importanti in questa tecnica.
SOMMARIO DELL'INVENZIONE La presente invenzione risolve i problemi incontrati nella tecnica precedente e fornisce un nuovo composto organico che può venire usato come rivestimento antiriflettente utile per procedimenti di submicrolitografia usando laser ArF a 193 nm La presente invenzione fornisce un metodo per la preparazione di un composto organico che impedisce la diffusione e la riflessione provocate dall'esposizione alla luce nella submicrolitografia.
La presente invenzione provvede inoltre una composizione per rivestimento antiriflettente contenente tale composto che impedisce la diffusione e la riflessione ed un procedimento per la sua preparazione.
La presente invenzione provvede pure un rivestimento antiriflettente formato da tale composizione ed un procedimento per la sua preparazione.
I polimeri della presente invenzione comprendono un monomero con un gruppo fenilico avente elevata assorbenza a 193 nm, cosicché la resina polimerica assorbe la luce con lunghezza d'onda di 193 nm. Un meccanismo di reticolazione con l'impiego di una reazione di apertura dell'anello viene introdotto nelle resine polimeriche preferite dell'invenzione aggiungendo un altro monomero avente una struttura epossidica, cosicché si verifica una reazione di reticolazione quando le resine del polimero di rivestimento vengono sottoposte a "cottura dura", cioè vengono riscaldate a temperature tra 100 e 300°C per un tempo,da 10 a 1.000 s. Per conseguenza, si può ottenere un notevole miglioramento nelle proprietà di formazione, consistenza e dissoluzione dei rivestimenti antiriflettenti con l'impiego dei polimeri della presente invenzione. In particolare, mediante la presente invenzione si realizza la massima efficienza della reazione di reticolazione e di stabilità alla conservazione. Le resine per rivestimento antiriflettente della presente invenzione hanno una solubilità superiore in tutti i solventi idrocarburici, per formare una composizione di rivestimento, e inoltre hanno tale resistenza ai solventi, dopo la cottura dura, da non disciogliersi affatto in alcun solvente. Questi vantaggi consentono di rivestire la resina senza alcun problema per formare il rivestimento antiriflettente che impedisce la formazione di sottosquadra e di allargamenti quando si formano le immagini sullo strato fotosensibile sovrapposto. Inoltre, i rivestimenti fatti con i polimeri di acrilato dell'invenzione hanno una velocità di attacco chimico più elevata dei rivestimenti in pellicola fotosensibile, migliorando così il rapporto di selezione della corrosione tra i due strati.
DESCRIZIONE DETTAGLIATA DELL'INVENZIONE Resine polimeriche secondo la presente invenzione sono rappresentate dalla seguente formula generale 1:
(formula generale 1)
in cui
rappresentano ciascuno idrogeno o un gruppo metile;
Ri rappresenta idrogeno, ossidrile, alchile C1-5 lineare o ramificato, sostituito o non sostituito, cicloalchile, alcossialchile o cicloalcossialchile;
w, x, y e z rappresentano ognuno una frazione molare da 0,01 a 0,99; e n1, n2 e n3 rappresentano ciascuno un numero intero da 1 a 4;
e dalla seguente formula generale 2:
(formula generale 2)
m cui
rappresentano ciascuno idrogeno o un gruppo metile;
Ri rappresenta idrogeno, ossidrile, alchile C1-5 lineare o ramificato, sostituito o non sostituito, cicloalchile, alcossialchile o cicloalcossialchile;
x, y e z rappresentano ciascuno una frazione molare da 0,01 a 0,99; e n1 e n2 rappresentano ciascuno un numero intero da 1 a 4.
Le resine polimeriche della presente invenzione sono particolarmente adatte all'uso nei rivestimenti organici antiriflettenti poiché comprendono un monomero p-tosilalchilacrilato avente un gruppo fenile con eccellente assorbenza della radiazione avente la lunghezza d'onda di 193 ran. I monomeri preferiti comprendono un monomero avente la seguente formula chimica:
(formula generale 3)
in cui
R è idrogeno o un gruppo metile·; n è un numero intero che vale 2 oppure 3.
I polimeri rappresentati dalla formula generale 1 possono venire preparati secondo la reazione 1 seguente, in cui si polimerizzano monomeri di tipo p-tosilalchilacrilato, monomeri di tipo idrossialchilacrilato, monomeri di tipo metilacrilato e monomeri di tipo glicidilmetacrilato con l'aiuto di un iniziatore in un solvente. Ciascuno dei monomeri ha una frazione molare compresa tra 0,01 e 0,99.
m cui
rappresentano ciascuno idrogeno o un gruppo metile;
R1 rappresenta idrogeno, ossidrile, C1_5 alchile lineare o ramificato, cicloalchile, alcossialchile o cicloalcossialchile; e n1, n2 e n3 rappresentano ciascuno un numero intero da 1 a 4.
I polimeri rappresentati dalla formula generale 2 precedente possono venire preparati secondo la reazione 2 seguente, in cui si polimerizzano monomeri di tipo p-tosilalchilacrilato, monomeri di tipo idrossialchilacrilato e monomeri di tipo metilacrilato con l'aiuto di un iniziatore in un solvente. Ciascuno dei monomeri è presente in una frazione molare compresa tra 0,01 e 0,99.
in cui,
Ra, Rb e R0 rappresentano ciascuno idrogeno o un gruppo metile;
R1 rappresenta idrogeno, ossidrile, alchile C1-5 lineare o ramificato, sostituito o non sostituito, cicloalchile, alcossialchile o cicloalcossialchile; e n1 e n2 rappresentano un numero intero tra 1 e 4.
Iniziatori radicalici convenzionali, preferibilmente 2,2-azobisisobutirronitrile (AIBN), acetilperossido, laurilperossido o t-butilperossido, possono venire usati per innescare la reazione di polimerizzazione per formare i polimeri di formule generali 1 e 2. Inoltre, per la polimerizzazione, si possono usare solventi convenzionali, preferibilmente tetraidrofurano, toluene, benzene, metiletilchetone o diossano. Preferibilmente, la polimerizzazione per i polimeri corrispondenti alle formule generali 1 e 2, viene realizzata tra 50 e 80°C.
I dispositivi semiconduttori della presente invenzione possono venire preparati come descritto in seguito. Il copolimero di formula generale 1 o formula 2 può venire disciolto in un unico solvente adatto, oppure con l'aggiunta di un reticolante scelto tra acroleina, dietilacetale e reticolante di tipo melamminico, in una quantità tra lo 0,1 ed il 30% in peso. La soluzione viene filtrata ed applicata su una fetta di silicio, quindi sottoposta a cottura dura per formare un rivestimento reticolato antiriflettente.
Su questo si possono poi fabbricare i dispositivi a semiconduttore con procedimenti convenzionali.
Per la preparazione della composizione di rivestimento antiriflettente si possono usare solventi organici convenzionali, con una preferenza per
etil 3-etossipropionato, metil 3-metossipropionato,
cicloesanone o propilenglicolmetiletere acetato. Il ' solvente viene preferibilmente usato in una quantità dal 200 al 5000% in peso rispetto al peso del copolimero di resina di rivestimento antiriflettente usato.
Si è trovato che rivestimenti antiriflettenti della presente invenzione presentano elevate prestazioni nei procedimenti fotolitografici per la formazione di disegni ultrafini usando radiazione di ArF a 193 nm. Lo stesso vale pure quando si impiega KrF a 248 nm, laser F2 a 157 nm, fasci elettronici, ultravioletto estremo (EUV) e fasci ionici come fonti di luce.
Una miglior comprensione della presente invenzione può essere ottenuta dagli esempi seguenti che hanno lo scopo di illustrare, ma non intendono in alcun modo limitare, la presente invenzione.
ESEMPIO I: Sintesi del monomero p-tosiletilacrilato Si aggiungono 0,35 moli di cloruro di p-toluensolfonile a 0,35 moli di trietilammina. Dopo dissoluzione completa si aggiungono lentamente, sotto atmosfera di azoto, 0,3 moli di 2-idrossietilacrilato. La reazione viene proseguita per oltre 24 h sotto raffreddamento, e durante la reazione l'andamento viene verificato mediante TLC. Completata la reazione la miscela viene neutralizzata con acido solforico 1N e lavata con acqua deionizzata, quindi il reagente nello strato di solvente organico viene estratto. L'acqua nel solvente organico viene allontanata con solfato di magnesio per ottenere il monomero rappresentato dalla seguente formula chimica 1. La resa è del 90-95%.
ESEMPIO II; Sintesi del monomero p-tosiletilmetacrilato
Si aggiungono 0,35 moli di cloruro di p-toluensolfonile a 0,35 moli di trietilammina. Dopo dissoluzione completa si aggiungono lentamente, sotto atmosfera di azoto, 0,3 moli di 2-idrossietilmetacrilato. La reazione viene lasciata proseguire per oltre 24 h sotto raffreddamento, seguendone l'andamento mediante TLC. Completata la reazione la miscela viene neutralizzata con acido solforico IN e lavata con acqua deionizzata, quindi il reagente nello strato di solvente organico viene estratto. L'acqua nel solvente organico viene allontanata con solfato di magnesio ottenendo il monomero rappresentato dalla seguente formula chimica 2. La resa è del 90-95%.
ESEMPIO III: Sintesi del monomero p-tosilpropilacrilato
Si aggiungono 0,35 moli di cloruro di p-toluensolfonile a 0,35 moli di trietilammina. Dopo dissoluzione completa si aggiungono lentamente, sotto atmosfera di azoto, 0,3 moli di 2-idrossipropilacrilato. La reazione viene fatta proseguire per oltre 24 h sotto raffreddamento controllandone l'andamento mediante TLC. Completata la reazione, la miscela viene neutralizzata con acido solforico IN e lavata con acqua deionizzata, quindi il reagente nello strato di solvente organico viene estratto. L'acqua nel solvente organico viene allontanata con solfato di magnesio per ottenere il monomero rappresentato dalla seguente formula chimica 3. La resa è del 90-95%.
ESEMPIO IV: Sintesi del monomero p-tosilpropilmetacrilato
Si aggiungono 0,35 moli di cloruro di p-toluensolfonile a 0,35 moli di trietilammina. Dopo completa dissoluzione si aggiungono lentamente, sotto atmosfera di azoto, 0,3 moli di 2-idrossipropilmetacrilato . La reazione viene proseguita per oltre 24 h sotto raffreddamento, controllandone l'andamento mediante TLC. Completata la reazione la miscela viene neutralizzata con acido solforico IN e lavata con acqua deionizzata, quindi il reagente nello strato di solvente organico viene estratto. L'acqua nel solvente organico viene allontanata con solfato di magnesio per produrre il monomero rappresentato dalla seguente formula chimica 4. La resa è del 90-95%.
ESEMPIO V: Sintesi del copolimero poli(tosiletilacrilato-idrossietilacrilato-metilmetacrilato-glicidilmetacrilato)
In un pallone a fondo tondo da 500 ml si caricano 0,3 moli di tosiletilacrilato, 0,25 moli di idrossietilacrilato, 0,1 mole di metilmetacrilato e 0,3 moli di glicidilmetacrilato. La miscela viene aggiunta a 300 g di tetraidrofurano (THF) preparato separatamente, sotto agitazione e miscelata completamente. Successivamente, in presenza di 0,1-3 g di 2,2-azobisisobutirronitrile (AIBN), la miscela di reazione viene sottoposta a polimerizzazione a 60-75°C per un tempo da 5 a 20 h in atmosfera di azoto. Completata questa polimerizzazione, la soluzione viene precipitata in etere etilico oppure esano normale ed il precipitato viene filtrato ed essiccato ottenendo il poli(tosiletilacrilato-idrossietilacrilato-metilmetacrilato-glicidilmetacrilato) rappresentato dalla seguente formula chimica 5, con una resa del 65-70%.
ESEMPIO VI: Sintesi del copolimero poli(tosiletilacrilato-idrossietilmetacrilato-metilmeta crilatogliocidilmetacrilato)
In un pallone a fondo tondo da -500 mi si caricano 0,33 moli di tosiletilacrilato, 0,2 moli di idrossietilmetacrilato, 0,15 moli di metilmetacrilato e 0,3 moli di glicidilmetacrilato. Questa miscela viene aggiunta a 300 g di tetraidrofurano (THF) preparato separatamente sotto agitazione e miscelata completamente. Successivamente, in presenza di 0,1-3 g di AIBN, la miscela di reazione viene sottoposta a polimerizzazione a 60-75°C per un tempo da 5 a 20 h in atmosfera di azoto. Completata la polimerizzazione, la soluzione viene precipitata in etiletere o esano normale ed il precipitato viene filtrato ed essiccato ottenendo poli (tosiletilacrilato-idrossietilmetacrilato-metilmetacrilato-glicidilmetacrilato) rappresentato dalla seguente formula chimica 6, con una resa del 65-70%.
ESEMPIO VII: Sintesi del copolimero poli(tosiletilàcrilato-idrossipropilacrilato-mètilmetacri latoglicidilmetacrilato)
In un pallone a fondo tondo da 500 mi si caricano 0,3 moli di tosiletilacrilato, 0,25 moli di idrossipropilacrilato, 0,1 moli di metilmetacrilato, e 0,3 moli di glicidilmetacrilato. Questa miscela viene aggiunta a 300 g di tetraidrofurano (THF) preparato separatamente sotto agitazione e miscelata completamente. Successivamente, in presenza di 0,1-3 g di AIBN, la miscela di reazione viene sottoposta a polimerizzazione a 60-75°C per un tempo da 5 a 20 h in atmosfera di azoto. Completata la polimerizzazione, la soluzione viene precipitata in etiletere o esano normale ed il precipitato viene filtrato ed essiccato ottenendo il poli (tosiletilacrilato-idrossipropilacrilato-metilmetacrilato-glicidilmetacrilato) rappresentato dalla seguente formula chimica 7, con una resa del 65-70%.
ESEMPIO VIII: Sintesi del copolimero poli(tosiletilacrilato-idrossipropilmetacrilato-metilmetacrilato-glic idilmetacrilato)
In un pallone a fondo tondo da 500 ml si caricano 0,3 moli di tosiletilacrilato, 0,23 moli di idrossipropilmetacrilato, 0,1 mole di metilmetacrilato e 0,3 moli di glicidilmetacrilato. Questa miscela viene aggiunta a 300 g di tetraidrofurano (THF) preparato separatamente sotto agitazione e miscelata completamente. Successivamente, in presenza di 0,1-3 g di AIBN, la miscela di reazione viene sottoposta a polimerizzazione a 60-75°C per un tempo da 5 a 20 h in atmosfera di azoto. Completata la polimerizzazione, la soluzione viene precipitata in etere etilico o esano normale ed il precipitato viene filtrato ed essiccato ottenendo il poli(tosiletilacrilato-idrossipropìlmetacrilato-metilmetacrilato-glicidilmetacrilato) rappresentato dalla seguente formula chimica 8, con una resa del 65-70%.
ESEMPIO IX: Sintesi del copolimero poli(tosiletilacrilato-idrossibutilacrilato-metilmetacrilatoglicidilmetacrilato)
In un pallone a fondo tondo da 500 ml si caricano 0,3 moli di tosiletilacrilato, 0,2 moli di idrossibutilacrilato, 0,1 mole di metilmetacrilato e 0,3 moli di glicidilmetacrilato. Questa miscela viene aggiunta a 300 g di tetraidrofurano (THF) preparato separatamente sotto agitazione e miscelata completamente. Successivamente, in presenza di 0,1-3 g di AIBN, la miscela di reazione viene sottoposta a polimerizzazione a 60-75°C per un tempo da 5 a 20 h in atmosfera di azoto. Completata la polimerizzazione, la soluzione viene precipitata in etere etilico oppure esano normale ed il precipitato viene filtrato ed essiccato ottenendo poli(tosiletilacrilato-idrossibutilacrilato-metilmetacrilato-glicidilmetacrilato) rappresentato dalla seguente formula chimica 9, con una resa del 65-70%.
ESEMPIO X: Sintesi del copolimero poli(tosiletilmetacrilato-idrossietilacrilato-metilmetacrilato-glicidilmetacrilato)
In un pallone a fondo tondo da 500 ml si caricano 0,3 moli di tosiletilmetacrilato, 0,25 moli di idrossietilacrilato, 0,15 moli di metilmetacrilato e 0,3 moli di glicidilmetacrilato. Questa miscela viene aggiunta a 300 g di tetraidrofurano (THF) preparato separatamente sotto agitazione e miscelata completamente. Successivamente, in presenza di 0,1-3 g di 2,2-azobisisobutirronitrile (AIBN), la miscela di reazione viene sottoposta a polimerizzazione a 60-75°C per un tempo da 5 a 20 h in atmosfera di azoto. Dopo il completamento della polimerizzazione la soluzione viene precipitata in etere etilico o esano normale ed il precipitato viene filtrato ed essiccato ottenendo il poli(tosiletilmetacrilato-idrossietilacrilato-metilmetacr ilato-glicidilmetacrilato) rappresentato dalla seguente formula chimica 10, con una resa del 65-70%.
ESEMPIO XI: Sintesi del copolimero poli(tosiletilmetacrilato-idrossietilmetacrilato-metilacrilatoglicidilmetacrilato)
In un pallone a fondo tondo da 500 ml si caricano 0,3 moli di tosiletilmetacrilato, 0,2 moli di idrossietilmetacrilato, 0,15 moli di metilacrilato e 0,3 moli di glicidilmetacrilato. La miscela viene aggiunta a 300 g di tetraidrofurano (THF) preparato separatamente sotto agitazione e miscelata completamente. Successivamente, in presenza di 0,1-3 g di AIBN, la miscela di reazione viene sottoposta a polimerizzazione a 60-75°C per 5-20 h in atmosfera di azoto. Completata la polimerizzazione, la soluzione viene precipitata in etere etilico o esano ed il precipitato viene filtrato ed essiccato per produrre il poli(tosiletilmetacrilato-idrossietilmetacrilato-metilacrilato-glicidilmetacrilato) rappresentato dalla seguente formula chimica 11, con una resa del 65-70%.
ESEMPIO XII: Sintesi del copolimero poli(tosiletilmetacrilato-idrossipropilacrilato-metilmetacrilato-glicidilmetacrilato)
In un pallone a fondo tondo da 500 ml si caricano 0,3 moli di tosiletilmetacrilato, 0,25 moli di idrossipropilacrilato, 0,15 moli di metilmetacrilato e 0,3 moli di glicidilmetacrilato. Questa miscela viene aggiunta a 300 g di tetraidrofurano (THF) preparato separatamente sotto agitazione e miscelata completamente. Successivamente, in presenza di 0,1-3 g di AIBN, la miscela di reazione viene sottoposta a polimerizzazione a 60-75°C per 5-20 h in atmosfera di azoto. Completata la polimerizzazione la soluzione viene precipitata in etere etilico e esano normale ed il precipitato viene filtrato ed essiccato per ottenere poli(tosiletilmetacrilatoidrossipropilacrilato-metilmetacrilato-glicidilmetacrilato) rappresentato dalla seguente formula chimica 12, con una resa del 65-70%.
ESEMPIO XIII: Sintesi del copolimero poli(tosiletilmetacrilato-idrossipropilmetacrilato-metilmetacrilato-glicidilmetacrilato)
In un pallone a fondo tondo da 500 mi si cari- i cano 0,3 moli di tosiletilmetacrilato, 0,22 moli di idrossipropilmetacrilato, 0,15 moli di metilmetacrilato e 0,3 moli di glicidilmetacrilato. Questa miscela viene aggiunta a 300 g di tetraidrofurano (THF) preparato separatamente sotto agitazione e miscelata completamente. Successivamente, in presenza di 0,1-3 g di AIBN, la miscela di reazione viene sottoposta a polimerizzazione a 60-75°C per un tempo da 5 a 20 h in atmosfera di azoto. Completata la polimerizzazione la soluzione viene precipitata in etere etilico o esano normale ed il precipitato viene filtrato ed essiccato per ottenere il poli (tosiletilmetacrilato-idrossipropilmetacrilato-metilmetacrilato-glicidilmetacrilato) rappresentato dalla seguente formula chimica 13, con una resa del 65-70%.
ESEMPIO XIV: Sintesi del copolimero poli(tosiletilmetacrilato-idrossibutilacrilato-metilmetacrilatoglicidilmetacrilato)
In un pallone a fondo tondo da 500 ml si caricano 0,3 moli di tosiletilmetacrilato, 0,2 moli di idrossibutilacrilato, 0,1 moli di metilmetacrilato e 0,3 moli di glicidilmetacrilato. Questa miscela viene aggiunta a 300 g di tetraidrofurano (THF) preparato separatamente sotto agitazione e miscelata completamente. Successivamente, in presenza di 0,1-3 g di AIBN, la miscela di reazione viene sottoposta a polimerizzazione a 60-75°C per un tempo da 5 a 20 h in atmosfera di azoto. Completata la polimerizzazione, la soluzione viene precipitata in etere etilico o esano normale ed il precipitato viene filtrato ed essiccato ottenendo poli(tosilètilmetacrilato-idrossibutilacrilato-metilmetacrilato-glicidilmetacrilato) rappresentato dalla seguente formula chimica 14, con una resa del 65-70%.
ESEMPIO XV; Sintesi del copolimero poli(tosiletilacrilato-idrossietilacrilato-metilmetacrilato) In un pallone a fondo tondo da 500 ml si caricano 0,3 moli di tosiletilacrilato, 0,3 moli di idrossietilacrilato, 0,25 moli di metilmetacrilato. Questa miscela viene aggiunta a 300 g di tetraidrofurano (THF) preparato separatamente sotto agitazione e miscelata completamente. Successivamente, in presenza di 0,1-3 g di AIBN, la miscela di reazione viene sottoposta a polimerizzazione a 60-75°C per un tempo da 5 a 20 h in atmosfera di azoto. Completata la polimerizzazione, la soluzione viene precipitata in etiletere o esano normale ed il precipitato viene filtrato ed essiccato ottenendo poli {tosiletilacrilato-idrossietilacrilato-metilmetacrilato) rappresentato dalla seguente formula chimica 15, con una resa del 65-70%.
ESEMPIO XVI: Sintesi dei copolimero poli(tosiletilacrilato-idrossietilmetacrilato-metilmetacrilato) In un pallone a fondo tondo da 500 mi si caricano 0,33 moli di tosiletilacrilato, 0,35 moli di idrossietilmetacrilato e 0,25 moli di metilmetacrilato. Questa miscela viene aggiunta a 300 g di tetraidrofurano (THF) preparato separatamente sotto agitazione e miscelata completamente. Successivamente, in presenza di 0,1-3 g di AIBN, la miscela di reazione viene sottoposta a polimerizzazione a 60-75°C per 5-20 h in atmosfera di azoto. Completata la polimerizzazione, la soluzione viene precipitata in etere etilico o esano normale ed il precipitato viene filtrato ed essiccato ottenendo poli (tosiletilacrilato-idrossietilmetacrilato-metilmetacrilato) rappresentato dalla seguente formula chimica 16, con una resa del 65-70%.
ESEMPIO XVII: Sintesi dei copolimero poli(tosiletilacrilato-idrossipropilacrilato-metilmetacrilato)
In un pallone a fondo tondo da 500 mi si caricano 0,3 moli di tosiletilacrilato, 0,33 moli di idrossipropilacrilato e 0,22 moli di metiImetacrilato. Questa miscela viene aggiunta a 300 g di tetraidrofurano (THF) preparato separatamente sotto agitazione e miscelata completamente. Successivamente, in presenza di 0,1-3 g di AIBN, la miscela di reazione viene sottoposta a polimerizzazione a 60-75°C per un tempo da 5 a 20 h in atmosfera di azoto. Completata la polimerizzazione, la soluzione viene precipitata in etere etilico o esano normale ed il precipitato viene filtrato ed essiccato ottenendo il poli(tosiletilacrilato-idrossipropilacrilato-metilmetacrilato) rappresentato dalla seguente formula chimica 17, con una resa del 65-70%.
ESEMPIO XVIII: Sintesi del copolimero poli(tosiletilacrilato-idrossipropilmetacrilato-metilmetacrilato)
In un pallone a fondo tondo da 500 mi si caricano 0,3 moli di tosiletilacrilato, 0,33 moli di idrossipropilmetacrilato e 0,25 moli di metilmetacrilato. Questa miscela viene aggiunta a 300 g di tetraidrofurano (THF) preparato separatamente sotto agitazione e miscelata completamente. Successivamente, in presenza di 0,1-3 g di AIBN, la miscela di reazione viene sottoposta a polimerizzazione a 60-75°C per un tempo da 5 a 20 h in atmosfera di azoto. Completata la polimerizzazione, la soluzione viene precipitata in etere etilico o esano normale ed il precipitato viene filtrato ed essiccato ottenendo poli (tosiletilacrilato-idrossipropilmetacrilato-metilmetacrilato) rappresentato dalla seguente formula chimica 18, con una resa del 65-70%.
ESEMPIO XIX; Sintesi del copolimero poli(tosiletilacrilato-idrossibutilacrilato-metilmetacrilato) In un pallone a fondo tondo da 500 ml si caricano 0,3 moli di tosiletilacrilato, 0,3 moli di idrossibutilacrilato e 0,3 moli di metilmetacrilato. Questa miscela viene aggiunta a 300 g di tetraidrofurano (THF) preparato separatamente sotto agitazione e miscelata completamente. Successivamente, in presenza di 0,1-3 g di AIBN, la miscela di reazione viene sottoposta a polimerizzazione a 60-75°C per un tempo da 5 a 20 h in atmosfera di azoto. Completata la polimerizzazione la soluzione viene precipitata in etere etilico o esano normale ed il precipitato viene filtrato ed essiccato per ottenere poli(tosiletilacrilato-idrossibutilacrilato-metilmetacrilato) rappresentato dalla seguente formula chimica 19, con una resa del 65-70%.
ESEMPIO XX: Sintesi del copolimero poli(tosiletilmetacrilato-idrossietilacrilato-metilmetacrilato) In un pallone a fondo tondo da 500 ml si caricano 0,3 moli di tosiletilmetacrilato, 0,25 moli di idrossietilacrilato, 0,3 moli di metilmetacrilato. Questa miscela viene aggiunta a 300 g di tetraidrofurano (THF) preparato separatamente sotto agitazione e miscelata completamente. Successivamente, in presenza di 0,1-3 g di AIBN, la miscela di reazione viene sottoposta a polimerizzazione a 60-75°C per un tempo da 5 a 20 h in atmosfera di azoto. Completata la polimerizzazione, la soluzione viene precipitata in etere etilico o esano normale ed il precipitato viene filtrato ed essiccato ottenendo poli(tosiletilmetacrilato-idrossietilacrilàto-metilmetacrilato) rappresentato dalla seguente formula chimica 20, con una resa del 65-70%.
ESEMPIO XXI: Sintesi del copolimero poli(tosiletilmetacrilato-idrossietilmetacrilato-metilmetacrilato)
In un pallone a fondo tondo da 500 ml si caricano 0,3 moli di tosiletilmetacrilato, 0,32 moli di idrossietilmetacrilato e 0,3 moli di metilmetacrilato. Questa miscela viene aggiunta a 300 g di tetraidrofurano (THF) preparato separatamente sotto agitazione e miscelata completamente. Successivamente, in presenza di 0,1-3 g di AIBN, la miscela di reazione viene sottoposta a polimerizzazione a 60-75°C per un tempo da 5 a 20 h in atmosfera di azoto. Completata la polimerizzazióne, la soluzione viene precipitata in etere etilico o esano normale ed il precipitato viene filtrato ed essiccato ottenendo poli(tosiletilmetacrilato-idrossietilmetacrilato-metilmetacrilato), rappresentato dalla seguente formula chimica 21, con una resa del 65-70%.
ESEMPIO XXII; Sintesi del copolimero poli(tosiletilmetacrilato-idrossipropilacrilato-metilmetacrilato)
In un pallone a fondo tondo da 500 ml si caricano 0,3 moli di tosiletilmetacrilato, 0,33 moli di idrossipropilacrilato e 0,3 moli di metilmetacrilato. Questa miscela viene aggiunta a 300 g di tetraidrofurano (THF) preparato separatamente sotto agitazione e miscelata completamente. Successivamente, in presenza di 0,1-3 g di AIBN, la miscela di reazione viene sottoposta a polimerizzazione a 60-75°C per un tempo da 5 a 20 h in atmosfera di azoto. Completata la polimerizzazione, la soluzione viene precipitata in etere etilico o esano normale ed il precipitato viene filtrato ed essiccato ottenendo il poli(tosiletilmetacrilato-idrossipropilàcrilato-metilmetacrilato) rappresentato dalla seguente formula chimica 22, con una resa del 65-70%.
ESEMPIO XXIII: Sintesi del copolimero poli(tosiletilmetacrilato-idrossipropilmetacrilato-metilmeta crilato)
In un pallone a fondo tondo da 500 ml si caricano 0,3 moli di tosiletilmetacrilato, 0,3 moli di idrossipropilmetacrilato e 0,3 moli di metilmetacrilato. La miscela viene aggiunta a 300 g di tetraidrofurano (THF) preparato separatamente sotto agitazione e miscelata completamente. Successivamente, in presenza di 0,1-3 g di AIBN, la miscela di reazione viene sottoposta a polimerizzazione a 60-75°C per un tempo da 5 a 20 h sotto atmosfera di azoto. Completata la polimerizzazione, la soluzione viene precipitata in etere etilico oppure esano normale ed il precipitato viene filtrato ed essiccato ottenendo poli(tosiletilmetacrilato-idrossipropilmetacrilato-metilmetacrilato) rappresentato dalla seguente formula chimica 23, con una resa del 65-70%
ESEMPIO XXIV: Sintesi del copolimero poli(tosiletilmetacrilato-idrossibutilacrilato-metilmetacrilato)
In un pallone a fondo tondo da 500 ml si caricano 0,3 moli di tosiletilacrilato, 0,33 moli di idrossibutilacrilato e 0,3 moli di metilmetacrilato. Questa miscela viene aggiunta a 300 g di tetraidrofurano (THF) preparato separatamente sotto agitazione e miscelata completamente. Successivamente, in presenza di 0,1-3 g di AIBN, la miscela di reazione viene sottoposta a polimerizzazione a 60-75°C per un tempo da 5 a 20 h sotto atmosfera di azoto. Completata la polimerizzazione la soluzione viene precipitata in etere etilico oppure esano normale ed il precipitato viene filtrato ed essiccato ottenendo poli(tosiletilmetacrilato-idrossibutilacrilato-metilmetacrilato) rappresentato dalla seguente formula chimica 24, con una resa del 65-70% .
ESEMPIO XXV; Preparazione di ARC
Un polimero (resina) avente la struttura chimica della formula generale 1, come ottenuto in ciascuno degli Esempi V-XIV, viene disciolto in 200-5.000% (p/p) di propilenglicolmetiletere acetato (PGMEA). Questa soluzione viene filtrata, applicata su una fetta di silicio, e sottoposta a cottura dura (cioè riscaldata a 100-300°C per un tempo da 10 a 1.000 s). Sul rivestimento antiriflettente così formato si può applicare un materiale fotosensibile sul quale si riporta l'immagine per il disegno ultrafine nel modo convenzionale.
ESEMPIO XXVI: Preparazione di ARC
Un polimero (resina) avente una struttura chimica di formula generale 2, come ottenuto in ciascuno degli Esempi XV-XXIV, viene disciolto in 200-5.000% (p/p) di propilenglicolmetiletere acetato (PGMEA). Questa soluzione, da sola o in combinazione con da 0,1 a 30% in peso di almeno un reticolante scelto dal gruppo costituito da acroleindimetilacetale, acroleindietilacetale e un reticolante di tipo melamminico , viene filtrato, applicato su una fetta di silicio e sottoposto a cottura dura (cioè riscaldato tra 100 e 300°C per un tempo da 10 a 1.000 s). Sul rivestimento, antiriflettente così formato si può applicare un materiale fotosensibile sul quale si riporta l'immagine per il disegno ultrafine in modo convenzionale.
Come precedentemente descritto, il rivestimento antiriflettente della presente invenzione, per esempio rivestimenti formati con le resine polimeriche aventi le formule chimiche da 5 a 24, contengono un gruppo fenile pendente dalla struttura polimerica, che presenta un'assorbenza superiore a 193 nm di lunghezza d'onda. Quindi, un rivestimento antiriflettente della presente invenzione può giocare un ruolo eccellente nella formazione di disegni ultrafini. Per esempio, esso può impedire la retroriflessione della luce dalla superficie del silicio e degli strati inferiori nonché eliminare le onde stazionarie nello strato di fotoresist stesso durante il procedimento submicrolitografico eseguito con un laser ArF a 193 nm. Questo permette la formazione di disegni ultrafini adatti per dispositivi a semiconduttore 64M, 256M, 1G, 4G e 16G DRAM, ed un forte miglioramento delle rese di produzione.

Claims (45)

  1. RIVENDICAZIONI 1. Polimero avente un monomero rappresentato dalla seguente formula generale 3:
    in cui, R è idrogeno oppure un gruppo metile; e n è 2 oppure 3.
  2. 2. Procedimento per la preparazione di un monomero rappresentato dalla seguente formula generale 3:
    in cui R è idrogeno o un gruppo metile; e n è 2 oppure 3; che comprende: far reagire cloruro di p-toluensolfonile in trietilammina con un composto scelto dal gruppo costituito da 2-idrossietilacrilato, 2-idrossipropilacrilato, 2-idrossietilmetacrilato e 2-idrossipropilmetacrilato; neutralizzare e lavare la miscela di reazione con acqua; estrarre il reagente dallo strato organico; e allontanare l'acqua residua per ottenere il monomero solido.
  3. 3. Polimero rappresentato dalla seguente formula generale 1:
    m cui, Ra Rc e Rd rappresentano ciascuno idrogeno o un gruppo metile; Ri rappresenta idrogeno, ossidrile, un alchile C1-5 lineare o ramificato, sostituito o non sostituito, cicloalchile, alcossialchile o cicloalcossialchile; w, x, y e z rappresentano ciascuno una frazione molare da 0,01 a 0,99; e m, n2, n e n4 rappresentano ciascuno un numero intero da 1 a 4.
  4. 4. Polimero secondo la rivendicazione 3, in cui R1 rappresenta metile.
  5. 5. Polimero secondo la rivendicazione 3, comprendente poli(tosiletilacrilato-idrossietilacrilato-metilmetacrilato-glicidilmetacrilato) in cui il rapporto molare tra tosiletilacrilato:idrossietilacrilato:metilmetacrilato :glicidilmetacrilato è 0,3:0,25:0,1:0,3.
  6. 6. Polimero secondo la rivendicazione 3, comprendente poli(tosiletilacrilato-idrossietilmetacrilato-metilmetacrilato-glicidilmetacrilato), in cui il rapporto molare tra tosiletilacrilato:idrossietilmetacrilato:metilmetacrilato:glicidilmetacrilato è 0,3:0,2:0,1:0,3.
  7. 7. Polimero secondo la rivendicazione 3, comprendente poli(tosiletilacrilato-idrossipropilacrilato-metilmetacrilato-glicidilmetacrilato) in cui il rapporto molare tra tosiletilacrilato:idrossipropilacrilato:metilmetacrilato:glicidilmetacrilato è 0,3:0,25:0,1:0,3.
  8. 8. Polimero secondo la rivendicazione 3, comprendente poli(tosiletilacrilato-idrossipropilmetacrilato-metilmetacrilato-glicidilmetacrilato) in cui il rapporto molare tra tosiletilacrilato:idrossipropilmetacrilato :metilmetacrilato:glicidilmetacrilato è 0,3:0,23:0,1:0,3.
  9. 9. Polimero secondo la rivendicazione 3, comprendente poli(tosiletilacrilato-idrossibutilacrilato-metilmetacrilato-glicidilmetacrilato) in cui il rapporto molare tra tosiletilacrilato:idrossibutilacrilato :metilmetacrilato:glicidilmetacrilato è 0,3:0,2:0,1:0,3.
  10. 10. Polimero secondo la rivendicazione 3, comprendente poli{tosiletilmetacrilato-idrossietilacrìlato-metilmetacrilato-glicidilmetacrilato) in cui il rapporto molare di tosiletilmetacrilato:idrossietilacrilato :metilmetacrilato:glicidilmetacrilato è 0,3:0,25:0,15:0,3.
  11. 11. Polimero secondo la rivendicazione 3, comprendente poli(tosiletilmetacrilato-idrossietilmetacrilato-metilacrilato-glicidilmetacrilato) in cui il rapporto molare tra tosiletilmetacrilato:idrossietilacrilato :metilacrilato:glicidilmetacrilato è 0,3:0,2:0,15:0,3.
  12. 12. Polimero secondo la rivendicazione 3, comprendente poli(tosiletilmetacrilato-idrossipropilacrilato-metilmetacrilato-glicidilmetacrilato) in cui il rapporto molare tra tosiletilmetacrilato:idrossipropilacrilato :metilmetacrilato:glicidilmetacrilato è 0,3:0,25:0,15:0,3.
  13. 13. Polimero secondo la rivendicazione 3, comprendente poli(tosiletilmetacrilato-idrossipropilmetacrilato-metilmetacrilato-glicidilmetacri lato) in cui il rapporto molare tra tosiletilmetacrilato:idrossipropilmetacrilato :metilmetacrilato:glicidilmetacrilato è 0,3:0,22:0,15:0,3.
  14. 14. Polimero secondo la rivendicazione 3, comprendente poli(tosiletilmetacrilato-idrossibutilacrilato-metilmetacrilato-glicidilmetacrilato) in cui il rapporto molare tra tosiletilmetacrilato:idrossibutilacrilato :metilmetacrilato:glicidilmetacrilato è 0,3:0,2:0,1:0,3.
  15. 15. Procedimento per la preparazione del polimero secondo la rivendicazione 3, comprendente la polimerizzazione di un monomero di tipo tosilalchilacrilato, un monomero di tipo idrossialchilacrilato, un monomero di tipo alchilacrilato ed un monomero di tipo glicidilmetacrilato in un solvente in presenza di un iniziatore, come rappresentato dalla seguente reazione 1:
    in cui, Ra, Rb, Rc e Rd rappresentano ciascuno idrogeno o un gruppo metile; Ri rappresenta idrogeno, ossidrile, alchile C1-5 lineare o ramificato, sostituito o non sostituito, cicloalchile, alcossialchile o cicloalcossialchile; e n1, ,n2 e n3 rappresentano ciascuno un numero intero da 1 a 4.
  16. 16. Procedimento per la preparazione di un polimero secondo la rivendicazione 15, in cui R1 rappresenta metile.
  17. 17. Procedimento per la preparazione di un polimero secondo la rivendicazione 15, in cui l'iniziatore viene scelto dal gruppo costituito da 2,2-azobisisobutirronitrile (AIBN), acetilperossido, laurilperossido e t-butilperossido.
  18. 18. Procedimento per la preparazione di un polimero secondo la rivendicazione 15, in cui il solvente viene scelto dal gruppo costituito da tetraidrofurano, toluene, benzene, metiletilchetone e diossano .
  19. 19. Procedimento per preparare un polimero secondo la rivendicazione 15, in cui la reazione di polimerizzazione viene realizzata tra 50 e 80°C.
  20. 20. Polimero rappresentato dalla seguente formula generale 2:
    in cui rappresentano ciascuno idrogeno o un gruppo metile; rappresenta idrogeno, ossidrile, alchile C1-5 lineare o ramificato, cicloalchile, alcossialchile o cicloalcossialchile; x, y e z rappresentano ciascuno una frazione molare da 0,01 a 0,99; e rappresentano ciascuno un numero intero tra.1 e 4.
  21. 21. Polimero secondo la rivendicazione 20, in cui rappresenta metile.
  22. 22. Polimero secondo la rivendicazione 20, comprendente poli(tosiletilacrilato-idrossietilacrilato-metilmetacrilato) in cui il rapporto molare tra tosiletilacrilato:idrossietilacrilato:metilmetacrilato è di 0,3:0,3:0,25.
  23. 23. Polimero secondo la rivendicazione 20, comprendente poli(tosiletilacrilato-idrossietilmetacrilato-metilmetacrilato) in cui il rapporto molare tra tosiletilacrilato:idrossietilmetacrilato:metilmetacrilato è di 0,33:0,35:0,25.
  24. 24. Polimero secondo la rivendicazione 20, comprendente poli(tosiletilacrilato-idrossipropilàcrilato-metilmetacrilato) in cui il rapporto molare tra tosiletilacrilato:idrossipropilacrilato:metilmetacrilato è di 0,3:0,33:0,22.
  25. 25. Polimero secondo la rivendicazione 20, comprendente poli{tosiletilacrilato-idrossipropilmetacrilato-metilmetacrilato) in cui il rapporto molare tra tosiletilacrilato:idrossipropilmetacrilato:metilmetacrilato è 0,3:0,33:0,25.
  26. 26. Polimero secondo la rivendicazione 20, comprendente poli(tosiletilacrilato-idrossibutilacrilato-metilmetacrilato) in cui il rapporto molare tra tosiletilacrilato:idrossibutilacrilato:metilmetacrilato è di 0,3:0,3:0,3.
  27. 27. Polimero secondo la rivendicazione 20, comprendente poli(tosiletilmetacrilato-idrossietilacrilato-metilmetacrilato) , in cui il rapporto molare tra tosiletilmetacrilato:idrossietilacrilato :metilmetacrilato è di 0,3:0,25:0,3.
  28. 28. Polimero secondo la rivendicazione 20, comprendente poli(tosiletilmetacrilato-idrossietilmetacrilato-metilmetacrilato) , in cui il rapporto molare tra tosiletilmetacrilato:idrossietilmetacrilato:metilmetacrilato è di 0,3:0,32:0,3.
  29. 29. Polimero secondo la rivendicazione 20, comprendente poli(tosiletilmetacrilato-idrossipropilacrilato-metilmetacrilato) , in cui il rapporto molare tra tosiletilmetacrilato:idrossipropilacrilato:metilmetacrilato è 0,3:0,33:0,3.
  30. 30. Polimero secondo la rivendicazione 20, comprendente poli(tosiletilmetacrilato-idrossipropilmetacrilato-metilmetacrilato) in cui il rapporto molare tra tosiletilmetacrilato:idrossipropilmetacrilato :metilmetacrilato è di 0,3:0,3:0,3.
  31. 31. Polimero secondo la rivendicazione 20, comprendente poli(tosiletilmetacrilato-idrossibutilacrilato-metilmetacrilato) in cui il rapporto ’ molare tra tosiletilmetacrilato:idrossibutilacrilato:metilmetacrilato è 0,3:0,33:0,3.
  32. 32. Procedimento per preparare un polimero secondo la rivendicazione 20, comprendente la polimerizzazione di un monomero di tipo tosilalchilacrilato, un monomero di tipo idrossìalchilacrilato ed un monomero di tipo alchilacrilato in un solvente, in presenza di un iniziatore, come rappresentato dalla seguente reazione 2:
    m cui. Ra, Rb e Rc rappresentano 'ciascuno idrogeno o un gruppo metile; R1 rappresenta idrogeno, ossidrile, alchile lineare o ramificato, sostituito o non sostituito, cicloalchile, alcossialchile o cicloalcossialchile; e n1 e n2 rappresentano ciascuno un numero intero tra 1 e 4.
  33. 33. Procedimento per preparare un polimero secondo la rivendicazione 32, in cui Ri rappresenta metile.
  34. 34. Procedimento per preparare un polimero secondo la rivendicazione 32, in cui l'iniziatore viene scelto dal gruppo costituito da 2,2-azobisisobutirronitrile (AIBN), acetilperossido, laurilperossido e t-butilperossido.
  35. 35. Procedimento per preparare un polimero secondo la rivendicazione 32, in cui il solvente viene scelto dal gruppo costituito da tetraidrofurano, toluene, benzene, metiletilchetone e diossano.
  36. 36. Procedimento per preparare un polimero secondo la rivendicazione 32, in cui la reazione di polimerizzazione viene eseguita tra 50 e 80°C.
  37. 37. Rivestimento antiriflettente, comprendente il polimero secondo la rivendicazione 3.
  38. 38. Procedimento per preparare un rivestimento antiriflettente, che comprende il disciogliere dal 200 al 5000% (p/p) del polimero secondo la rivendicazione 3 in un solvente organico per formare una composizione di rivestimento; applicare detta ' composizione su una fetta di silicio; e sottoporre la fetta rivestita a cottura dura per un tempo da 10 a 1000 s tra 100 e 300°C.
  39. 39. Procedimento secondo la rivendicazione 38, in cui il solvente organico viene scelto dal gruppo costituito da etil 3-etossipropionato, metil 3-metossipropionato, cicloesanone e propilenglicolmetiletere acetato.
  40. 40. Rivestimento antiriflettente comprendente il polimero secondo la rivendicazione 20 ed un additivo scelto dal gruppo costituito da reticolanti di tipo acroleindimetilacetale, acroleindietilacetale e di tipo melamminico.
  41. 41. Procedimento per preparare un rivestimento antiriflettente utile nella fabbricazione di dispositivi a semiconduttore, che comprende il disciogliere dal 200 al 5000% (p/p) del polimero secondo la rivendicazione 20 in un solvente organico; disciogliere completamente nella soluzione un additivo scelto dal gruppo costituito da reticolanti di tipo acroleindimetilacetale, acroleindietilacetale e di tipo melamminico per formare una composizione di rivestimento; filtrare detta composizione, applicare detta composizione su una fetta di silicio e sottoporre la fetta rivestita a cottura dura per un tempo da 10 a 100 s tra 100 e 300°C.
  42. 42. Procedimento secondo la rivendicazione 41, in cui il solvente organico è scelto dal gruppo costituito da etil 3-etossipropionato, metil 3-metossipropionato, cicloesanone e propilenglicolmetiletere acetato.
  43. 43. Procedimento secondo la rivendicazione 41, in cui detto additivo viene usato in una quantità tra 0,1 e 30% (p/p).
  44. 44. Dispositivo semiconduttore comprendente il rivestimento antiriflettente secondo la rivendicazione 37.
  45. 45. Dispositivo a semiconduttore comprendente il rivestimento antiriflettente secondo la rivendicazione 40.
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