TWI280265B - Phosphor, production method thereof and light-emitting device using the phosphor - Google Patents

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TWI280265B
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Kousuke Shioi
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Showa Denko Kk
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Description

1280265 (1) 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於以紫外線或可見光有效率的被激發而 光的螢光體、該製造方法及使用該螢光體之發光裝置。 螢光體爲特別適於紅色發光。 【先前技術】 # 組合可有效率的發出紫外線或可見光的氮化物系化 物丰導體#的發光兀件、和在紫外線或可見光有效率的 激發而發光的螢光體，而開發各種的發光波長的發光二 體（以下，亦稱爲L E D )。現在，作爲硏討向如此的用 的適用的螢光體，開示··發光色爲藍色的（Sr，Ca，Ba) (P04) 6C12: Eu、綠色的 3(Ba，Mg，Mn) 0· 8Al2〇3: 、紅色的Y202S: Eu(參照日本特開2002-203991號公 )。藉由以任意的比例混合此3色的螢光體，可製作許 φ 的發光色’而在白色系的情況，因爲紅色成分的Y2o2s Eu螢光體的發光效率比其他的螢光體更低得多，所以 混合比例變多的問題。而且，在白色系係可由紅、綠、 的發光平衡而得到白色，而因爲紅色成分的發光效率差 所以必需控制綠、藍系螢光體的發光量爲低，而不能得 高亮度的白色。 另外，由波長範圍3 0 0〜4 1 0 n m的長波長紫外線或 紫外線而被激發而發光的螢光體，被期待使用於發光螢 ，例如：混入至混凝土或玻璃等的裝飾板或間接照明器 發 此 合 被 極 途 10 Eu 報 多 有 藍 到 近 幕 具 -4- (2) 1280265 等，而爲了充分發揮其效果，被要求更高發光亮度的螢光 本發明係以解決上述的問題爲目的，其目的爲提供： 在以紫外光或可見光有效率的被激發而紅色發光的適合的 螢光體及使用其的發光裝置。 【發明內容】 • 本發明者爲了達成上述目的而專心致力硏討的結果， 新發現以一般式爲Eu2_xLnxMy03(y+1)表示的螢光體（但0 ‘x<2，y = 2或3，組成中的Ln爲由Y、La及Gd選擇至 少1種，Μ爲由W或Mo構成的群選擇至少1種。），而 藉由波長範圍2 2 0〜5 5 Onm的紫外線或可見光激發的紅色 發光強度高，使用了此紅色發光螢光體的發光二極體等的 發光裝置係發光特性優良而達到使本發明完成。 亦即，本發明的螢光體由以下的各項的發明構成。 鲁 （1)以一般式Eu2-xLnxMy03(y+i)表不作爲特徵的營 光體。但是，0‘x<2，y = 2或3，組成中的Ln爲由Y、 La及Gd選擇至少1種，Μ爲由W或Mo構成的群選擇至 少1種。 (2 )以一般式Eu2.xLnxM2〇9表示作爲特徵的如上述 (1 )所記載的螢光體。但是，0 S X < 2，組成中的Ln爲 由Y、La及Gd選擇至少1種，Μ爲由W或Mo選擇至少 1種。 • ( 3 )以一般式Eu2_xLnxM30】2表示作爲特徵的如上 -5- (3) 1280265 述（1 )所記載的螢光體。但是，〇 S x < 2，組成中的Ln 爲由Y、La及Gd選擇至少1種，Μ爲由W或Mo選擇至 少1種。 (4 )如上述（2 )所記載的螢光體，於上述一般式 Eu2-xLnxM2〇9，〇$ 1.5 〇 (5 )如上述（3 )所記載的螢光體，於上述一般式 E u 2 - X L η X Μ 3 〇 ] 2，〇 $ X S 1 · 8 〇 • ( 6 )如上述（1 )所記載的螢光體，Μ爲W。 (7 )如上述（1 )所記載的螢光體，Ln爲Υ。 (8 )如上述（1 )〜（7 )任1項所記載的螢光體， 其特徵爲粒子徑爲50//m以下。 (9 )如上述（1 )〜（8 )任1項所記載的螢光體， 其特徵爲紅色發光。 (10) —種發光裝置，其特徵爲：組合上述（1)〜 (9 )任1項所記載的螢光體和發光元件。 # ( 11 )如上述（1 〇 )所記載的發光裝置，其特徵爲： 發光元件爲氮化物系半導體發光元件，發光元件的發光波 長爲22 0nm〜5 5 0nm的範圍內。 (12) —種發光螢幕，其特徵爲：使用記載於上述（ 1 )〜（9 )任一的螢光體。 (1 3 )如上述（1 )〜（9 )任1項所記載的螢光體的 製造方法，其特徵爲：將銪氧化物或藉由加熱而成爲銪氧 化物的化合物、和釔氧化物、鑭氧化物、釓氧化物或藉由 加熱而成爲這些氧化物的化合物的至少一種、和鎢氧化物 -6 - (4) (4)1280265 、鉬氧化物或藉由加熱而成爲這些氧化物的化合物的至少 一種之混合物，以8 0 0〜1 3 0 0 °C燒結。 本發明的螢光體係因爲藉由220〜550 nm的波長範圍 的紫外線或可見光而有效率的激發而發光，可有效的利用 於發光螢幕或發光二極體、螢光燈等的發光裝置。而且， 藉由使用本發明的螢光體或含有本發明的螢光體的複數種 的螢光體，可製作各種的發光色的LED，在白色LED的 情況係可使演色性或亮度提高。 【實施方式】 本發明的螢光體係以一般式爲Eu2-xLnxMy03(y+I)(但 0‘x<2，y = 2或3，組成中的Ln爲由Y、La及Gd選擇 至少1種，Μ爲由W或Mo選擇至少1種。）表示。 於本發明的螢光體，因爲銪離子爲發光離子，所以一 般而言，發光強度係按照銪濃度，銪濃度爲最大時，發光 強度亦變爲最大。 一方面’已知悉若發光離子濃度高，則依（i )於發 光離子間產生藉由共鳴丨23：達的父差緩和（C r 〇 s s - r e 1 a X a t i 〇 η )，失去激發能量的一部分、（i i )產生由發光離子間的 共鳴伝達的激發的廻遊，此助長向結晶表面或非發光中心 的激發的移動和消滅，（i i i )由發光離子相互間凝聚或形 成離子對，而變爲非發光中心或螢光抑制劑（killer* )等 的理由，產生濃度消光（concentration quenching )。 (5) 1280265 由上述的理由，.於本發明的螢光體，在〇 ^ x < 2的廣 泛的組成範圍，可得到高的發光強度。但是，於此螢光體 ，以E U 2 _ x L η χ Μ 2 Ο 9表示的情況，在〇 S X ‘ 1 · 5的範圍，發 光強度變得更高。特別是，在0 S X S 1 . 〇的範圍’可得到 非常高的發光強度。另外，相同的，在Eu2.xLnxM3012的 情況，0 S X S 1 .8的範圍爲理想，0 S X S 1 · 5的範圍爲更 理想。 • 在本發明的螢光體，Μ爲W係特別理想。 於第1圖及第2圖，各個表示對於實施例1及實施例 21的螢光體的614nm發光的激發光譜。由這些圖，此螢 光體的激發光譜，存在於220nm至5 5 0nm的波長範圍， 了解本發明的螢光體由此波長範圍的紫外線或可見光而有 效的被激發而爲紅色發光。另外，因爲以254nm紫外線 亦有效而被激發，所以亦可有效的利用作爲通常的螢光燈 〇 • 另外，本發明的螢光體係因爲藉由長波長紫外線〜近 紫外線（波長範圍3 00〜41 Onm )而被激發而發光，可使 用於發光螢幕，例如：混入至混凝土或玻璃等的裝飾板或 間接照明器具等。此裝飾板，由太陽光或在通常的螢光燈 下的顯示效果和在U V燈發出的長波長〜近紫外線照射下 的顯示效果，發揮裝飾效果或間接照明效果。 在使螢光體分散至樹脂等的情況的最適濃度，受到使 用的樹脂等的基體（matrix )的種類、形成製程的溫度或 黏度、螢光體的粒子形狀、粒徑、粒度分佈等的影響。因 (6) 1280265 而，由使用條件等而可各種選擇螢光體的分佈濃度。以分 散性佳的控制如此的分佈的目的，螢光體的平均粒徑爲 5 0 // m以下爲理想，較理想爲0.1〜1 〇 μ m。 本發明的螢光體如以下而可得。例如：作爲螢光體原 料，使用藉由加熱而形成氧化物的銪化合物，釔化合物及 鎢化合物的情況，關於各化合物而爲一般式爲 Eu2-xLnxMy〇3(y+】）（但 〇Sx〈2’ y = 2 或 3 )的比例地砰取 、混合，或按照必要而於這些螢光體原料加入助熔劑而混 合，得到原料混合物。塡充此原料混合物於氧化鋁坩鍋等 ，在大氣中、8 0 0〜1 3 0 (TC數小時燒結。冷卻後，以球磨 機（ball mill )等進行分散、粉碎處理，按照必要而施以 水洗處理，固液分離後，乾燥、壓碎、分級而得到本發明 的螢光體。 作爲螢光體原料，使用如以下的氧化物或藉由加熱而 形成氧化物爲理想。例如：作爲銪化合物爲碳酸銪、氧化 銪、氫氧化銪等，作爲釔化合物爲碳酸釔、氧化釔、氫氧 化釔等，作爲鑭化合物爲碳酸鑭、氧化鑭、氫氧化鑭等， 作爲釓化合物爲碳酸釓、氧化釓、氫氧化釓等，作爲鎢化 合物爲氧化鎢、鎢酸等，作爲鉬化合物爲氧化鉬、鉬酸等 的化合物爲理想。而且，於上述以外，亦使用含有銪、釔 、鑭、乱、鎢、鉬的有機金屬化合物等，藉由氣相法或液 相法，可得本發明的螢光體或原料混合物。另外，作爲助 熔劑爲鹼金屬、鹼土類金屬的鹵化物、氟化銨等爲理想， 封错光體原料1 〇 〇重量份，添加〇 . 〇 1〜1 . 〇重量份的範圍 -9- (7) 1280265 本發明的螢光體係因爲以220nm至5 5 0nm的紫外線 或可見光而有效率的被激發，不只作爲螢光燈而爲有效， 由本發明的螢光體與發光光譜在220nm至5 5 0nm的波長 範圍的發光二極體組合，可應用於各種的發光色的LED。 例如：組合本發明的螢光體、和放射發光光譜爲220〜 4 1 Onm內的紫外線或近紫外線的發光二極體，可得發光色 Φ 爲紅色的LED。 另外，若組合本發明的螢光體、和發射發光光譜爲 400〜5 5 0nm內的可見光的發光二極體，則可得混合：由 此可見光而激發的紅色發光螢光體放射的發光、和發光二 極體的可見光的各種發光色的LED。而且，藉由組合包含 本發明的螢光體的複數種的螢光體、和上述發光二極體而 可製作各種的發光色的LED。特別是，於白色LED，藉由 使用本發明的螢光體，可使演色性或亮度提高。 Φ 本發明的發光裝置爲LED或螢光燈等的發光裝置， 而在此δ兌明關於LED發光裝置。此發光裝置爲組合本發 明的螢光體和於2 2 0 n m至5 5 0 n m的波長範圍發光的半導 體發光元件而構成的發光裝置，作爲半導體發光元件可舉 出：ZiiSe或GaN等各種半導體。在本發明使用的發光元 件爲於發光光譜爲220nm至550nm能發光，使用可有效 的激發上述螢光體的氮化鎵系化合物半導體爲理想。發光 元件係由Μ 0 C V D法或Η V P E法等而於基板上形成氮化物 系化合物半導體而得，理想爲以In « A b G a ^ α 1 Ν (但是 -10- (8) 1280265 ，0$α、OSyS、作爲發光層而使其形成。作 爲半導體的構造，可舉出：具有MIS接合、PIN接合或 pn接合等的同質（homo)構造、異質（hetero)構造或雙 異質（double hetero)構造。由半導體層的材料或其混晶 度而可各種的選擇發光波長。另外，亦作爲可使半導體活 性層形成於產生量子效果的薄膜的單一量子井構造或多重 量子井構造。 • 設置於發光元件上的上述螢光體層，以至少1種以上 的螢光體作爲單層或複數層而層疊配置爲層狀亦佳，將複 數的螢光體混合於單一的層內而配置亦佳。以於上述發光 元件設置螢光體的形態，可舉出：混合螢光體至被覆發光 元件的表面的塗佈（coating )構件的形態、混合螢光體至 模具（mold )構件的形態、或混合螢光體於被覆模具構件 的被覆體的形態、再加上於LED燈的投光側前方配置混 合了螢光體的可透光的平板的形態等。 # 或者，上述螢光體係於發光元件上的模具構件添加至 少1種以上的螢光體亦佳。而且，將上述螢光體的1種以 上的螢光體層，設置於發光二極體的外側亦佳。作爲設置 於發光二極體的外側.的形態，可舉出：於發光二極體的模 具構件的外側表面，塗佈螢光體至層狀的形態、或製作使 螢光體分散於橡膠、樹脂、彈性體（Elastomers )、低融 點玻璃等的成形（例如：罩狀（cap ))，被覆此於LED 的形態、或加工前述成形體至平板狀，將此配置於LED 的前方的形態。 -11 - (9) (9)1280265 於第3圖及第4圖表示組合了螢光體和發光元件的本 發明的發光裝置的實施例的模式圖、第5圖爲表示白色 LED的模式圖、第6圖爲表示使用了螢光體的發光螢幕的 模式圖。 於弟3圖的發光裝置’ 1爲管座（stem) 、2爲導線 、3爲半導體發光元件晶片（LED ) 、4爲金線、5爲透明 樹脂或低融點玻璃的被覆蓋體、6爲螢光體層。於管座1 被黏著（mount )的半導體發光元件晶片（LED ) 3係被收 容於透明樹脂或低融點玻璃的被覆蓋體5之中，螢光體層 6作爲該透明樹脂或低融點玻璃的被覆蓋體5的內側層而 被形成。由半導體發光元件晶片（LED ) 3的發光係藉由 螢光體層6中的本發明的螢光體而被變換爲紅色光，按照 必要而與其他色的光混合而爲所希望的色光。 於第4圖的發光裝置，11爲頭部（header) 、12爲 導線、1 3爲半導體發光元件晶片（LED )、1 4爲金線、 15爲透明樹脂或低融點玻璃的鏡頭、16爲螢光體層。在 此發光裝置，螢光體層16係直接被覆半導體發光元件晶 片（LED) 1 3 〇 於第5圖的白色LED，21爲螢光體層、22爲藍寶石 基板、23爲第III族氮化物半導體層、24,25爲電極、26 爲黏著導線（m 〇 u n t 1 e a d ) 、2 7爲內引線（i η n e r 1 e a d ) 、28爲樹脂模（mold )。於此LED，第III族氮化物半導 體層23爲形成於藍寶石基板22上的藍色或紫色半導體 LED，將此發光光以螢光體層21變換爲白色。 -12 - (10) (10)1280265 第6圖爲表示由在水泥（cement )或玻璃等混入螢光 體的壁3 1構成的發光螢幕，藉由照明光或自然光3 2而激 發壁31內的螢光體而爲所定的色的發光。 以下，說明關於本發明的實施例，而當然本發明不被 限定於僅在具體的實施例。而且，在以下的實施例，發光 光譜係使用日本分光公司製FP-65 00而測定。 〔實施例1〕 作爲螢光體構成原料，正確的秤量W03粉末5 9.62g 、和Eu2〇3粉末3 1 .67g、和Y2 03粉末8.71g，使用球磨機 而將此均勻的混合而作爲原料混合體。接著，將得到的原 料混合體，放入氧化銘製坩鍋而在大氣中12〇〇°C、6小時 燒結。將得到的燒結物以純水充分洗淨，除去不要的可溶 成分’之後’以球磨機，精細的粉碎、分級，得到成爲平 均粒徑5.8 /z m的EiluYuWes的螢光體。使同螢光體在 3 9 5 nm激發下發光時，確認爲紅色發光，發光光譜的強度 (相對強度，以下相同）爲1 0 0。表示此螢光體的激發光 譜於第1圖。 〔實施例2〕 作爲螢光體構成原料，正確的秤量w〇3粉末5 6.8 5 g 、和Eu2〇3粉末43 l5g，使用球磨機而將此均勻的混合而 作爲原料混合體。ί妾著，將得到的原料混合體，放入氧化 鋁製坩鍋而在大氣中〗2〇(rc、6小時燒結。將得到的燒結 -13- (11) 1280265 物以純水充分洗淨，除去不要的可溶成分，之後，以球磨 機，精細的粉碎、分級，得到成爲平均粒徑6 · 0 // m的 Eu2W2〇9的螢光體。使同螢光體在395ηηι激發下發光，確 認爲紅色發光時，發光光譜的強度爲91. 3。 〔實施例3〕 作爲螢光體構成原料，正確的秤量w〇3粉末5 7 7 5 g 泰 、和Eu203粉末39.44g、和γ2〇3粉末2.81g，使用球磨機 而將此均勻的混合而作爲原料混合體。接著，將得到的原 料混合體，放入氧化鋁製坩鍋而在大氣中；I 2 〇 〇 °c、6小時 燒結。將得到的燒結物以純水充分洗淨，除去不要的可溶 成分’之後，以球磨機，精細的粉碎、分級，得到成爲平 均粒徑5·9 // m的EuuYq 2w2〇9的螢光體。使同螢光體在 3 9 5 nm激發下發光時，確認爲紅色發光，發光光譜的強度 爲 94.7 。 〔實施例4〕 作爲螢光體構成原料，正確的秤量W03粉末61.62g 、和Eu203粉末2 3.3 8 g、和γ2〇3粉末15g，使用球磨機 而將此均勻的混合而作爲原料混合體。接著，將得到的原 料混合體，放入氧化鋁製坩鍋而在大氣中1 2 0 0 °C、6小時 燒結。將得到的燒結物以純水充分洗淨，除去不要的可溶 成分，之後’以球磨機，精細的粉碎、分級，得到成爲平 均粒徑5 · 0 μ m的 E u Y W 2 0 9的螢光體。使同螢光體在 -14- (12) 1280265 3 9 5nm激發下發光時，確認爲紅色發光，發光光譜的強度 爲 9 3 · 8 〇 〔實施例5〕 作爲螢光體構成原料，正確的秤量w〇3粉末6375g 、和Eu203粉末14.51g、和γ2〇3粉末21.73g，使用球磨 機而將此均勻的混合而作爲原料混合體。接著，將得到的 原料混合體，放入氧化鋁製坩鍋而在大氣中〗2 〇 〇艺、6小 時燒結。將得到的燒結物以純水充分洗淨，除去不要的可 溶成分，之後，以球磨機，精細的粉碎、分級，得到成爲 平均粒徑5.1从m的EuG.6Y14w209的螢光體。使同螢光體 在3 9 5nm激發下發光時，確認爲紅色發光，發光光譜的 強度爲6 8.3。 〔實施例6〕 Φ 作爲螢光體構成原料，正確的秤量W03粉末66.0 4g 、和Eu203粉末5.01g、和γ2〇3粉末2 8.95 g，使用球磨機 而將此均勻的混合而作爲原料混合體。接著，將得到的原 料混合體，放入氧化鋁製坩鍋而在大氣中1 2 0 0 °C、6小時 燒結。將得到的燒結物以純水充分洗淨，除去不要的可溶 成分’之後’以球磨機，精細的粉碎、分級，得到成爲平 均粒徑7.0// m的Eug 2Yl 8W2〇9的螢光體。使同螢光體在 3 95nm激發下發光時，確認爲紅色發光，發光光譜的強度 爲 38.6。 -15 - (13) (13)1280265 〔實施例7〕 作爲螢光體構成原料，正確的秤量W03粉末5 9.62 g 、和Eu203粉末3 1 .67g、和Y2 03粉末8.71g，使用球磨機 而將此均勻的混合而作爲原料混合體。接著，將得到的原 料混合體，放入氧化鋁製坩鍋而在大氣中1 200 °C、6小時 燒結。將得到的燒結物以純水充分洗淨，除去不要的可溶 成分，之後，以球磨機，精細的粉碎、分級，得到成爲平 均粒徑2.3 // m的EuuYojWaC^的螢光體。使同螢光體在 3 95 nm激發下發光時，確認爲紅色發光，發光光譜的強度 爲 98.8 。 〔實施例8〕 作爲螢光體構成原料，正確的秤量W03粉末5 9.62 g 、和Eu203粉末3 1 · 67g、和Y2 03粉末8.7 1 g，使用球磨機 而將此均勻的混合而作爲原料混合體。接著，將得到的原 料混合體，放入氧化鋁製坩鍋而在大氣中1 2 0 0 °C、1 2小 時燒結。將得到的燒結物以純水充分洗淨，除去不要的可 溶成分’之後’以球磨機，精細的粉碎、分級，得到成爲 平均粒徑27.6 // m的EU].4YG.6W209的螢光體。使同螢光 體在3 95nm激發下發光時，確認爲紅色發光，發光光譜 的強度爲9 2.6。 〔實施例9〕 -16- (14) 1280265 作爲螢光體構成原料，正確的秤量W〇3粉末59.62g 、和Eu2〇3粉末31.67g、和Y2〇3粉末8.71g，使用球磨機 而將此均勻的混合而作爲原料混合體。接著，將得到的原 料混合體，放入氧化鋁製坩鍋而在大氣中1 200 °C、6小時 燒結。將得到的燒結物以純水充分洗淨，除去不要的可溶 成分’之後’以球磨機，精細的粉碎、分級，得到成爲平 均粒徑5.8 // m的EIM.4Y0.6W2O9的螢光體。使同螢光體在 • 4 6 5 nm激發下發光時，確認爲紅色發光，發光光譜的強度 爲 87.9 〇 〔實施例1 0〕. 使在實施例9得到的發光體在4 6 5 nm激發下發光時 ，確認爲紅色發光，發光光譜的強度爲88.4。 〔實施例1 1〕 # 作爲螢光體構成原料，正確的秤量W03粉末5 9.62g 、和Eu203粉末31.67g、和γ203粉末8.71g，使用球磨機 而將此均勻的混合而作爲原料混合體。接著，將得到的原 料混合體，放入氧化鋁製坩鍋而在大氣中1 2 0 (TC、6小時 燒結。將得到的燒結物以純水充分洗淨，除去不要的可溶 成分，之後’以球磨機，精細的粉碎、分級，得到成爲平 均粒徑5.8 // m的EUl.4Y〇.6W209的螢光體。使同螢光體在 2 5 6nm激發下發光時，確認爲紅色發光，發光光譜的強度 爲 9 4.6 〇 -17- (15) (15)1280265 〔實施例1 2〕 作爲螢光體構成原料，正確的秤量w〇3粉末57.4g、 和Eu203粉末30.5g、和La2〇3粉末I2.1g，使用球磨機而 將此均句的混合而作爲原料混合體。接著，將得到的原料 混合體’放入氧化鋁製坩鍋而在大氣中〗2 〇 〇它、6小時燒 結。將得到的燒結物以純水充分洗淨，除去不要的可溶成 分，之後，以球磨機，精細的粉碎、分級，得到成爲平均 粒徑5.2//m的EuuLa^WaC^的螢光體。使同螢光體在 3 95nm激發下發光時，確認爲紅色發光，發光光譜的強度 爲 97.2 〇 〔實施例1 3〕 作爲螢光體構成原料，正確的秤量W03粉末56.63g 、和Eu203粉末30.09g、和Gd2〇3粉末13.28g，使用球磨 機而將此均勻的混合而作爲原料混合體。接著，將得到的 原料混合體’放入氧化鋁製坩鍋而在大氣中12〇(rc、6小 時燒結。將得到的燒結物以純水充分洗淨，除去不要的可 ί谷成:b ’之後’以球磨機’精細的粉碎、分級，得到成爲 平均粒徑5.5 // m的Eui 4Gd() 6W2〇9的螢光體。使同螢光 體在3 9 5nm激發下發光時，確認爲紅色發光，發光光譜 的強度爲99.1。 〔實施例1 4〕
-18- (16) (16)1280265 作爲螢光體構成原料，正確的秤量Mo03粉末4 7.8 2 g 、和Eu2 03粉末40.92g、和Y2〇3粉末ii.25g，使用球磨 機而將此均勻的混合而作爲原料混合體。接著，將得到的 原料混合體，放入氧化鋁製坩鍋而在大氣中1 2 0 0 °C、6小 時燒結。將得到的燒結物以純水充分洗淨，除去不要的可 溶成分，之後，以球磨機，精細的粉碎、分級，得到成爲 平均粒徑5.9//m的EuuYuMc^C^的螢光體。使同螢光 體在3 95nm激發下發光時，確認爲紅色發光，發光光譜 的強度爲8 7.6。 〔比較例1〕 作爲螢光體構成原料，正確的秤量W03粉末67.25g 、和Y2〇3粉末3 2.7 5 g、，使用球磨機而將此均勻的混合 而作爲原料混合體。接著，將得到的原料混合體，放入氧 化鋁製坩鍋而在大氣中1 2 0 0 °C、6小時燒結。將得到的燒 結物以純水充分洗淨，除去不要的可溶成分，之後，以球 磨機，精細的粉碎、分級，得到成爲平均粒徑6.0 // m的 Y2W2〇9的螢光體。使同螢光體在395 n瓜激發下發光時， 確認爲紅色發光，發光光譜的強度爲〇。 〔比較例2〕 在使既存的Y2 Ο2 S : Ε υ螢光體以3 9 5 n m激發下發光 ，確認爲紅色發光，發光光譜的強度爲23.1。 -19- (17) 1280265 〔實施例1 5〕 混合在實施例1得到的螢光體至矽膠，將此 加壓（press )機而成型至罩狀。將此被覆於發 3 9 5 nm的近紫外線LED的外側、使其發光時， 色發光。另外，在溫度6(TC 90%RH下，於點燈 後，亦沒看見起因於螢光體的變化。 〔實施例1 6〕 混合在實施例1得到的螢光體、和作爲藍色 體的 Sr5(P04)3Cl : Eu、作爲綠色發光螢
BaMg2Al16〇27: Eu，Mn 至矽膠，黏著於 3 9 5 nm 近 光元件上而製作白色LED時，得到的白色光的 評估數爲8 7。 〔實施例1 7〕 φ 混合在實施例1得到的螢光體、和作爲黃色 體的Y3Al5〇12 : Ce至環氧樹脂，黏著於46 5 nm 元件上而製作白色L E D時，得到的白色光的平 估數爲78。 〔實施例1 8〕 比較混合在實施例1得到的螢光體、和作爲 營光體的 Sr5(P〇4)3Cl: Eu、作爲綠色發光^ BaMg2Al]602 7: Eu，Mn 至矽膠，黏著於 3 9 5 nm 近 使用加熱 光波長爲 確認爲紅 5 00小時 發光螢光 光體的 紫外線發 平均演色 發光螢光 藍色發光 均演色評 藍色發光 f光體的 紫外線發 - 20 - (18) 1280265 光元件上而製作的白色led、與混合作爲紅色發光螢光體 的Y202s : Eu、和作爲藍色發光螢光體的Sr5(P〇4)3C1 : Eu、作爲綠色發光螢光體的BaMg2Ali602 7 : Eu，Mn至矽 膠，黏著於3 95nm近紫外線發光元件上而製作的白色 LED時，得到比起在使用了作爲紅色發光螢光體的Y2〇2S :E11的情況具有2 · 1倍的亮度的白色光。 • 〔實施例2 1〕 作爲螢光體構成原料，正確的秤量W03粉末68.89g 、和Eu203粉末24.40g、和y2〇3粉末6.71g，使用球磨機 而將此均勻的混合而作爲原料混合體。接著，將得到的原 料混合體，放入氧化鋁製坩鍋而在大氣中i 〇 0 〇它、6小時 燒結。將得到的燒結物以球磨機，精細的粉碎、分級，得 到成爲平均粒徑4 · 5 // m的E u 1 · 4 Y 〇 · 6 W 3 Ο】2的螢光體。使 同螢光體在3 9 5 nm激發下發光時，確認爲紅色發光，發 • 光光譜的強度（相對強度，以下相同）爲1 00。表示此螢 光體的激發光譜於第1圖。 〔實施例2 2〕 5.8 作爲逢光體構成原料’正確的|平量W〇3粉末66.40g 、和Eu2〇3粉末3 3.60g，使用球磨機而將此均勻的混合而 作爲原料混合體。接著，將得到的原料混合體，放入氧化 錦製增鍋而在大氣中〗000 t、6小時燒結。將得到的燒結 物以球磨機，精細的粉碎、分級，得到成爲平均粒徑5.8 -21 - (3) (19) 1280265 // m的E u 2 W3 Ο 12的螢光體。使同螢光體在3 9 5 n m 發光時，確認爲紅色發光，發光光譜的強度爲7 i。 〔實施例23〕 作爲螢光體構成原料，正確的f平量W03粉末 、和Eu203粉末30.61g、和Y2〇3粉末2.18g，使用 而將此均勻的混合而作爲原料混合體。接著，將得 料混合體，放入氧化鋁製坩鍋而在大氣中丨〇 〇 〇 〇c、 燒結。將得到的燒結物以球磨機，精細的粉碎、分 到成爲平均粒徑4.7 // m的EUl.8YG.2W3〇12的螢光 同螢光體在3 95nm激發下發光時，確認爲紅色發 光光譜的強度爲91 〇 〔實施例2 4 ] 作爲螢光體構成原料，正確的秤量w 〇 3粉末 、和 Eu2〇3 粉末 17.87g、和 γ2〇3 粉末 n.47g，使 機而將此均勻的混合而作爲原料混合體。接著，將 原料混合體，放入氧化鋁製坩鍋而在大氣中】〇 〇 〇它 時燒結。將得到的燒結物以球磨機，精細的粉碎、 得到成爲平均粒徑5. 1 # m的EuYW30】2的螢光體 營光體在3 9 5 nm激發下發光時，確認爲紅色發光 光譜的強度爲9 6。 激發下 67.2 1 g 球磨機 到的原 6小時 級，得 體。使 光，發 7 0.6 6 g 用球磨 得到的 、6小 分級， 。使同 ，發光 (20) 1280265 作爲螢光體構成原料，正確的砰量W〇3粉末72.51g 、和Eu203粉末ll.Olg、和γ2〇3粉末使用球磨 機而將此均勻的混合而作爲原料混合體。接著，將得到的 原料混合體，放入氧化鋁製坩鍋而在大氣中1 〇 〇 〇 °c、6小 時燒結。將得到的燒結物以球磨機，精細的粉碎、分級， 得到成爲平均粒徑5.3 // m的的螢光體。 使同螢光體在3 9 5 nm激發下發光時，確認爲紅色發光， • 發光光譜的強度爲83。 〔實施例2 6〕 作爲螢光體構成原料，正確的秤量w〇3粉末7447g 、和Eu203粉末3.77g、和Y203粉末2176g，使用球磨機 而將此均勻的混合而作爲原料混合體。接著，將得到的原 料混合體，放入氧化鋁製坩鍋而在大氣中〗〇〇〇它、6小時 燒結。將得到的燒結物以球磨機，精細的粉碎、分級，得 Φ 到成爲平均粒徑的Eu〇.2Y18W3012的螢光體。使 同螢光體在3 95nm激發下發光時，確認爲紅色發光，發 光光譜的強度爲48。 〔實施例2 7〕 作爲螢光體構成原料，正確的秤量W 〇 3粉末6 6.3 4 g 和Eu2〇3粉末3〇.21g、和Gd2〇3粉末3.46g，使用球磨 機而將此均勻的混合而作爲原料混合體。接 原料混合體，放入氧化鋁製坩鍋而在大氣中 著，將得到的 1 0 0 0 〇C、6 小 、6小
(B >23- (21) (21)1280265 時燒結。將得到的燒結物以球磨機，精細的粉碎、分級， 得到成爲平均粒徑的的螢光體。 使同螢光體在3 9 5 nm激發下發光時，確認爲紅色發光， 發光光譜的強度爲89。 〔實施例2 8〕 作爲螢光體構成原料，正確的秤量W03粉末66.20g 、和Eu203粉末23.45g、和Gd203粉末l〇.35g，使用球磨 機而將此均勻的混合而作爲原料混合體。接著，將得到的 原料混合體，放入氧化鋁製坩鍋而在大氣中丨〇 〇 〇艽、6小 時燒結。將得到的燒結物以球磨機，精細的粉碎、分級， 得到成爲平均粒徑5 · 8 // m的E u ]. 4 G d 〇. 6 W 3 Ο ! 2的螢光體。 使同螢光體在3 9 5 nm激發下發光時，確認爲紅色發光， 發光光譜的強度爲99。 〔實施例2 9〕 作爲螢光體構成原料，正確的秤量W03粉末66.0 7g 、和Eu2〇3粉末；I6.71g、和Gd203粉末17.21g，使用球磨 機而將此均勻的混合而作爲原料混合體。接著，將得到的 原料混合體，放入氧化鋁製坩鍋而在大氣中1〇〇(rc、6小 時燒結。將得到的燒結物以球磨機，精細的粉碎、分級， 到成爲平均粒徑5·5 # m的EuGdW3012的螢光體。使同 營光體在3 9 5 nm激發下發光時，確認爲紅色發光，發光 光譜的強度爲96。 -24 - (22) 1280265 〔實施例3 0〕 作爲螢光體構成原料，正確的秤量w〇3粉末 、和 Eu203 粉末 lO.Olg、和 Gd2〇3 粉末 24.06g，使 機而將此均勻的混合而作爲原料混合體。接著，將 原料混合體’放入氧化銘製坦鍋而在大氣中1 〇 〇 〇。〇 時燒結。將得到的燒結物以球磨機，精細的粉碎、 得到成爲平均粒徑5.5#m的Euo^GduWsOu的螢 使同螢光體在3 9 5 nm激發下發光時，確認爲紅色 發光光譜的強度爲83。 〔實施例3 1〕 作爲螢光體構成原料，正確的坪量W〇3粉末 、和 Eu203 粉末 3.33g、和 Gd2〇3 粉末 30.87g，使 機而將此均勻的混合而作爲原料混合體。接著，將 原料混合體，放入氧化鋁製坩鍋而在大氣中1 〇 〇 0。〇 時燒結。將得到的燒結物以球磨機，精細的粉碎、 得到成爲平均粒徑5.8// m的Eu() 2〇(1ι.8\ν3〇12的螢 使同螢光體在3 95 nm激發下發光時，確認爲紅色 發光光譜的強度爲5 3。 〔實施例3 2〕 作爲螢光體構成原料，正確的枰量W〇3粉末 、和 Eu203粉末 10.26g、和 La2〇3粉末 22.l6g，使 65.94g 用球磨 得到的 、6小 分級， 光體。 發光， 65.8 0g 用球磨 得到的 、6小 分級， 光體。 光， 67.5 8 g _球磨 (23) (23)1280265 機而將此均勻的混合而作爲原料混合體。接著，將得到的 原料混合體’放入氧化銘製ί甘鍋而在大氣中1 〇 〇 0艺、6小 時燒結。將得到的燒結物以球磨機，精細的粉碎、分級， 得到成爲平均粒徑5 . 8 // m的E u 〇. 6 L a i · 4 W 3 Ο】2的螢光體。 使同螢光體在3 9 5nm激發下發光時，確認爲紅色發光， 發光光譜的強度爲79。 〔實施例W〕 作爲螢光體構成原料，正確的坪量Mo〇3粉末57.89g 、和Eu203粉末3 3.03 g、和Y2〇3粉末9.08g，使用球磨機 而將此均勻的混合而作爲原料混合體。接著，將得到的原 料混合體’放入氧化銘製堪鍋而在大氣中1 〇 0 0 °C、6小時 燒結。將得到的燒結物以球磨機，精細的粉碎、分級，得 到成爲平均粒徑4.7 // m的的螢光體。使 同螢光體在3 9 5 nm激發下發光時，確認爲紅色發光，發 光光譜的強度爲8 8.4。 〔實施例34〕 作爲螢光體構成原料，正確的秤量 W03粉末68.89g 、和Eu203粉末24.40g、和Y2〇3粉末6.71g，使用球磨機 而將此均勻的混合而作爲原料混合體。接著，將得到的原 料混合體，放入氧化鋁製坩鍋而在大氣中1〇〇〇 °C、6小時 燒結。將得到的燒結物以球磨機，精細的粉碎、分級，得 到成爲平均粒徑2.4 // m的Eu^Yo^WsOu的螢光體。使
-26- (24) (24)1280265 同螢光體在3 9 5 nm激發下發光時，確認爲紅色發光，發 光光譜的強度爲97。 〔實施例3 5〕 作爲螢光體構成原料，正確的秤量W03粉末68.89g 、和Eu203粉末24.40g、和γ2〇3粉末6.71g，使用球磨機 而將此均勻的混合而作爲原料混合體。接著，將得到的原 料混合體，放入氧化銘製坩鍋而在大氣中1 〇 〇 〇 、6小時 燒結。將得到的燒結物以球磨機，精細的粉碎、分級，得 到成爲平均粒徑27.8 // m的EuuYo^WsOu的螢光體。使 同螢光體在3 9 5 nm激發下發光時，確認爲紅色發光，發 光光譜的強度爲9 1。 〔實施例3 6〕 作爲螢光體構成原料，正確的秤量W03粉末6 8.8 9 g 、和Eu2〇3粉末24.40g、和Y2〇3粉末6.71g，使用球磨機 而將此均勻的混合而作爲原料混合體。接著，將得到的原 料混合體，放入氧化鋁製坩鍋而在大氣中1 〇 〇 〇 t：、6小時 燒結。將得到的燒結物以球磨機，精細的粉碎、分級，得 到成爲平均粒徑41.4 // m的EuuYo^WsOn的螢光體。使 同螢光體在3 9 5 nm激發下發光時，確認爲紅色發光，發 光光譜的強度爲8 7 〇 〔實施例3 7〕
-27- (25) 1280265 作爲螢光體構成原料，正確的秤量W03粉末 、和 Eu203 粉末 30.31g、和 La2〇3 粉末 3.12g，使 機而將此均勻的混合而作爲原料混合體。接著，將 原料混合體，放入氧化鋁製坩鍋而在大氣中1〇〇〇 t 時燒結。將得到的燒結物以球磨機，精細的粉碎、 得到成爲平均粒徑5·6 // m的ΕΐΜ.8Ι^().2λν3012的螢 使同螢光體在3 9 5 n m激發下發光時，確認爲紅色 • 發光光譜的強度爲73。 〔實施例3 8〕 作爲螢光體構成原料，正確的f平量W03粉末 、和 E u 2 Ο 3 粉末 2 3,7 0 g、和 L a 2 0 3 粉末 9 · 4 0 g，使 機而將此均勻的混合而作爲原料混合體。接著，將 原料混合體，放入氧化鋁製坩鍋而在大氣中〗〇 〇 〇艽 時燒結。將得到的燒結物以球磨機，精細的粉碎、 φ 得到成爲平均粒徑5.5从m的EuuLauWWn的螢 使同螢光體在3 9 5 nm激發下發光時，確認爲紅色 發光光譜的強度爲81。 〔實施例3 9〕 作爲螢光體構成原料，正確的秤量W 〇 3粉末 、和 Eu2〇3 粉末 i7.〇ig、和 La2〇3 粉末 15.75，使 機而將此均勻的混合而作爲原料混合體。接著，將 原料混合體’放入氧化鋁製坩鍋而在大氣中〗〇 〇 〇 6 6.5 7 g 用球磨 得到的 、6小 分級， 光體。 發光， 6 6.9 0 g 用球磨 得到的 、6小 分級， 光體。 發光， 6 7.2 4 g 用球磨 到的 、6小 -28- (26) (26)1280265 時燒結。將得到的燒結物以球磨機，精細的粉碎、分級， 得到成爲平均粒徑5.9 // m的EuLaW3012的螢光體。使同 螢光體在3 95 nm激發下發光時，確認爲紅色發光，發光 光譜的強度爲8 7。 〔實施例4 0〕 作爲螢光體構成原料，正確的f平量W03粉末67.93g 、和Eu203粉末3.44g、和La203粉末28.64g，使用球磨 機而將此均勻的混合而作爲原料混合體。接著，將得到的 原料混合體，放入氧化鋁製坩鍋而在大氣中丨〇 〇 〇 °C、6小 時燒結。將得到的燒結物以球磨機，精細的粉碎、分級， 得到成爲平均粒徑5·8 μ m的£110.21^1.8\^3〇】2的螢光體。 使同螢光體在3 95nm激發下發光時，確認爲紅色發光， 發光光譜的強度爲45。 〔實施例4 1〕 使在實施例2 1得到的螢光體以4 6 5 ηηι激發下發光時 ’確認爲紅色發光，發光光譜的強度爲8 6 .；[。 〔實施例42〕 使在實施例2 1得到的螢光體以2 5 6nm激發下發光時 ’確認爲紅色發光，發光光譜的強度爲9 8。 〔比較例1 1〕 -29- (27) (27)1280265 作爲螢光體構成原料，正確的秤量W03粉末75.49 g 、和Y 2 Ο3粉末2 4 · 5 1 g，使用球磨機而將此均勻的混合而 作爲原料混合體。接著，將得到的原料混合體，放入氧化 隹呂製坦鍋而在大氣中1 0 0 0 °C、6小時燒結。將得到的燒結 物以球磨機，精細的粉碎、分級，得到成爲平均粒徑6.2 的的螢光體。使同螢光體在395ηηι激發下 發光時’確認爲紅色發光，發光光譜的強度爲〇。 〔比較例1 2〕 在使既存的Y2〇2S: Eu螢光體以395nm激發下發光 ，確認爲紅色發光，發光光譜的強度爲1 8.2。 〔實施例4 3〕 2 0質量％混合在實施例2 1得到的螢光體至矽膠，將 此使用加熱加壓（press )機而成型至罩狀。將此被覆於 發光波長爲3 9 5nm的近紫外線LED的外側、使其發光時 ，確認爲紅色發光。另外，在溫度60°C 90%RH下，於點 燈5 0 0小時後，亦沒看見起因於螢光體的變化。 〔實施例44〕 將在實施例2 1得到的螢光體、和作爲藍色發光螢光 體的Si*5(P〇4)3Cl : Eu、和作爲綠色發光螢光體的 BaMg2Al】6027: Eu，Mn，依前述依序22.7質量％、3.8質 量％、3.4質量％混合至矽膠，黏著於3 9 5 n m近紫外線發 (28) (28)1280265 光元件上而製作白色LED時，得到的白色光的平均演色 評估數爲8 9。 〔實施例4 5〕 將實施例2 1得到的螢光體、和作爲黃色發光螢光體 的Y3 A15012 : Ce，依前述依序8.8質量％、：I 7.6質量％混 合至環氧樹脂，黏著於465 nm藍色發光元件上而製作白 色LED時’得到的白色光的平均演色評估數爲8 1。 〔實施例40〕 比較：將在實施例2 1得到的螢光體、和作爲藍色發 光螢光體的 Sr5(P04)3Cl ·· Eu、綠色發光螢光體的 BaMg2Al】6〇27: Eu，Mn，依前述依序 22.7 質量 °/。、3.8 質 量％、3.4質量％混合至矽膠，黏著於3 9 5 nm近紫外線發 光元件上而製作的白色LED、與將作爲紅色發光螢光體的 Y202 S : Eu、和作爲藍色發光螢光體的Sr5(P04)3Cl : Eu、 綠色發光螢光體的 BaMg2AlI6 0 2 7 : Eu，Mn，依前述依序 4 5 · 8質量％、3 . 8質量％、3.4質量％、至矽膠，黏著於 3 95nm近紫外線發光元件上而製作的白色LED時，得到 比起在使用了作爲紅色發光螢光體的Y2〇2S : Eu的情況 具有2.7倍的亮度的白色光。 產業上的可利用性 本發明的螢光體係，可使用於發光螢幕’例如：混入 (29) (29)1280265 至混凝土或玻璃，爲裝飾板或間接照明器具等。另外，可 有效利用於發光二極體、螢光燈等的發光裝置。 【圖式簡單說明】 第1圖爲實施例1的螢光體的激發光譜圖。 第2圖爲實施例2 1的螢光體的激發光譜圖。 第3圖爲表示本發明的發光裝置的一實施例的模式的 剖面圖。 第4圖爲表示本發明的發光裝置的另外的形式的實施 例的模式的剖面圖。 第5圖爲表示白色LED的剖面構造的模式圖。 第6圖爲表示發光螢幕的模式圖。 【主要元件符號說明】 (¾ 1 管 座 2 導 線 3 半 導 體 發 光 元 件 晶 片 ( LED ) 4 金 線 5 透 明 樹 脂 或 低 融 點 坡 璃 的被覆蓋體 6 螢 光 體 層 11 頭 部 ( head e r ) 12 導 線 13 半 導 體 發 光 元 件 晶 片 ( LED ) 1 4 金 線 -32- (30)1280265 15 透明樹脂或低融點玻璃的鏡頭 16 螢光體層 2 1 螢光體層 22 藍寶石基板 23 第ΙΠ族氮化物半導體層 2 4 電極 2 5 電極
26 黏著導線 27 內引線 28 樹脂模 3 1 壁 3 2 自然光
-33-

Claims (1)

  1. (1) (1)1280265 : 、 . 十、申請專利範圍 1. 一種螢光體，其特徵爲：以一般式 Eu2_xLnxMy03(y+1)表示；但是，0Sx<2，y = 2 或 3，組成 中的Ln爲由Y、La及Gd選擇至少1種，Μ爲由W或 Mo構成的群選擇至少1種。 2. 如申請專利範圍第1項所記載的螢光體，其中，以 一般式Eu2_xLnxM209表示；但是，〇Sx<2，組成中的Ln 爲由Y、La及Gd選擇至少1種，Μ爲由W或Mo選擇至 少1種。 3 .如申請專利範圍第1項所記載的螢光體，其中，以 一般式 Eu2-xLnxM3〇】2表不；但是，〇$x<2，組成中的 Ln爲由Y、La及Gd選擇至少1種，Μ爲由W或Mo選 擇至少1種。 4.如申請專利範圍第2項所記載的螢光體，其中，於 上述一般式 Eu2_xLhxM209，OSxgl.5。 5 .如申請專利範圍第3項所記載的螢光體，其中，於 上述一般式 Eu2_xLnxM3〇i2，OSxSl.8。 6.如申請專利範圍第1項所記載的螢光體，其中，粒 子徑爲5 0 // m以下。 7 .如申請專利範圍第1項所記載的螢光體，其中，Μ 爲W。 8. 如申請專利範圍第1項所記載的螢光體，其中，Ln 爲Y。 9. 如申請專利範圍第1項所記載的螢光體，其中，爲 -34 - (2) 1280265 紅色發光。 1 0 · —種發光裝置，其特徵爲：組合如申請專利範圍 第1項至第9項任1項所記載的螢光體和發光元件。 1 1.如申請專利範圍第1 〇項所記載的發光裝置，其中 ，發光元件爲氮化物系半導體發光元件，發光元件的發光 波長爲2 2 0 n m〜5 5 0 n m的範圍內。 1 2 . —種發光螢幕，其特徵爲：使用如申請專利範圍 _ 第1項至第9項任1項所記載的螢光體。 1 3 . —種螢光體的製造方法，其特徵係於如申請專利 範圍第1項至第9項任一項所記載之螢光體中，將銪氧化 物或藉由加熱而成爲銪氧化物的化合物、和釔氧化物、鑭 氧化物、釓氧化物或藉由加熱而成爲這些氧化物的化合物 的至少一種、和鎢氧化物、鉬氧化物或藉由加熱而成爲這 些氧化物的化合物的至少—種之混合物，以8 00〜1 3 00 °C 燒結。 >35-
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Families Citing this family (42)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7915085B2 (en) 2003-09-18 2011-03-29 Cree, Inc. Molded chip fabrication method
US7217583B2 (en) 2004-09-21 2007-05-15 Cree, Inc. Methods of coating semiconductor light emitting elements by evaporating solvent from a suspension
KR100730122B1 (ko) 2004-12-24 2007-06-19 삼성에스디아이 주식회사 전도성 물질을 포함하는 이트륨계 형광체, 그의 제조방법및 이를 채용한 표시소자
JP2007103512A (ja) * 2005-09-30 2007-04-19 Kyocera Corp 発光装置
EP1963743B1 (en) 2005-12-21 2016-09-07 Cree, Inc. Lighting device
US8969908B2 (en) 2006-04-04 2015-03-03 Cree, Inc. Uniform emission LED package
DE102006027026A1 (de) * 2006-06-08 2007-12-13 Merck Patent Gmbh Verfahren zur Herstellung eines Linienemitter-Leuchtstoffes
US7943952B2 (en) 2006-07-31 2011-05-17 Cree, Inc. Method of uniform phosphor chip coating and LED package fabricated using method
US10295147B2 (en) 2006-11-09 2019-05-21 Cree, Inc. LED array and method for fabricating same
WO2008065567A1 (en) * 2006-11-27 2008-06-05 Philips Intellectual Property & Standards Gmbh Illumination system comprising hetero- polyoxometalate
US8232564B2 (en) 2007-01-22 2012-07-31 Cree, Inc. Wafer level phosphor coating technique for warm light emitting diodes
US9159888B2 (en) 2007-01-22 2015-10-13 Cree, Inc. Wafer level phosphor coating method and devices fabricated utilizing method
US9024349B2 (en) 2007-01-22 2015-05-05 Cree, Inc. Wafer level phosphor coating method and devices fabricated utilizing method
US10505083B2 (en) * 2007-07-11 2019-12-10 Cree, Inc. Coating method utilizing phosphor containment structure and devices fabricated using same
US9401461B2 (en) * 2007-07-11 2016-07-26 Cree, Inc. LED chip design for white conversion
CN101092563A (zh) * 2007-08-13 2007-12-26 李�瑞 一种发光二级管(led)用的荧光粉及其制备方法
DE102007039260A1 (de) * 2007-08-20 2009-02-26 Merck Patent Gmbh LCD-Hintergrundbeleuchtung mit LED-Leuchtstoffen
CN100540629C (zh) * 2007-11-12 2009-09-16 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 近紫外或蓝光激发的红色荧光粉及其制备方法
DE102007056343A1 (de) * 2007-11-22 2009-05-28 Litec Lll Gmbh Oberflächemodifizierte Leuchtstoffe
US9041285B2 (en) 2007-12-14 2015-05-26 Cree, Inc. Phosphor distribution in LED lamps using centrifugal force
US8167674B2 (en) 2007-12-14 2012-05-01 Cree, Inc. Phosphor distribution in LED lamps using centrifugal force
US8878219B2 (en) 2008-01-11 2014-11-04 Cree, Inc. Flip-chip phosphor coating method and devices fabricated utilizing method
CN101255337B (zh) * 2008-03-13 2010-06-09 同济大学 一种用于led或pdp显示的红光荧光粉的制备方法
US8637883B2 (en) 2008-03-19 2014-01-28 Cree, Inc. Low index spacer layer in LED devices
US8877524B2 (en) * 2008-03-31 2014-11-04 Cree, Inc. Emission tuning methods and devices fabricated utilizing methods
US8456082B2 (en) * 2008-12-01 2013-06-04 Ifire Ip Corporation Surface-emission light source with uniform illumination
US20110309393A1 (en) * 2010-06-21 2011-12-22 Micron Technology, Inc. Packaged leds with phosphor films, and associated systems and methods
US10546846B2 (en) 2010-07-23 2020-01-28 Cree, Inc. Light transmission control for masking appearance of solid state light sources
US9166126B2 (en) 2011-01-31 2015-10-20 Cree, Inc. Conformally coated light emitting devices and methods for providing the same
CN102683466A (zh) * 2011-03-16 2012-09-19 王崇宇 具有荧光粉的太阳能电池与其制造方法
CN102559180B (zh) * 2011-05-05 2015-03-04 中国科学院福建物质结构研究所 光致发光晶体材料钨酸铋铕及其制备方法
US8558252B2 (en) 2011-08-26 2013-10-15 Cree, Inc. White LEDs with emission wavelength correction
CN102585819B (zh) * 2012-01-19 2014-02-26 苏州大学 一种硼钨酸镧红色荧光粉及其制备方法
WO2013158993A1 (en) * 2012-04-20 2013-10-24 Rensselaer Polytechnic Institute Narrow spectral line-width emission phosphors with broad band excitation edge up to and including the blue wavelength region
WO2015009513A2 (en) * 2013-07-18 2015-01-22 Parkland Center For Clinical Innovation Patient care surveillance system and method
CN103497768A (zh) * 2013-09-29 2014-01-08 华南理工大学 一种近紫外激发的钼钨硼酸盐红色荧光粉及其制备方法
DE102014113068A1 (de) 2014-09-10 2016-03-10 Seaborough Ip I B.V. Lichtemittierende Vorrichtung
CN104357051B (zh) * 2014-11-10 2016-08-24 朝克夫 一种荧光材料及其制备方法，和发光装置
CN108531178A (zh) * 2018-03-23 2018-09-14 重庆文理学院 一种铕掺杂钨酸钆荧光粉的制备方法
US11361643B2 (en) 2018-07-13 2022-06-14 Carrier Corporation High sensitivity fiber optic based detection system
CN113388398A (zh) * 2021-06-11 2021-09-14 厦门理工学院 一种Eu3+掺杂稀土钇基钨酸盐的荧光粉及其制备方法
CN113684030B (zh) * 2021-08-25 2023-10-20 淮阴师范学院 一种光学温度传感用高灵敏度荧光粉材料及其制备方法

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3250722A (en) * 1961-11-06 1966-05-10 Du Pont Luminescent solid solutions of europium compounds with at least one other rare earthcompound
US6686691B1 (en) * 1999-09-27 2004-02-03 Lumileds Lighting, U.S., Llc Tri-color, white light LED lamps
FR2807421B1 (fr) * 2000-04-07 2002-07-12 Rhodia Terres Rares Composes derives de la2mo2o9 et leur utilisation comme conducteurs ioniques
DE10036940A1 (de) * 2000-07-28 2002-02-07 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Lumineszenz-Konversions-LED
GB0120460D0 (en) * 2001-08-22 2001-10-17 Oxonica Ltd Near UV excited phosphors
US7462983B2 (en) * 2003-06-27 2008-12-09 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. White light emitting device

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Publication number Publication date
JP2005264160A (ja) 2005-09-29
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JP2005298817A (ja) 2005-10-27

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