I278886 (1) 玖、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明是關於一種具有對向而配置之基板的平面型畫 像顯不裝置，畫像顯不裝置之製造方法，以及畫像顯示裝 置之製造裝置。 ‘【先前技術】 近年來，取代陰極射線管（以下稱爲CRT)的次世代 輕量、薄型顯示裝置當中已開發出各種畫像顯示裝置。這 種畫像顯示裝置當中有藉由液晶的定向來控制光之強弱的 液晶顯示器（以下稱爲LCD )、利用電漿放電之紫外線使 螢光體發光的電漿顯示器（以下稱爲PDP )、利用場發射 型電子發射元件之電子束使螢光體發光的場發射顯示器（ 以下稱爲FED )、以及利用表面傳導型電子發射元件之電 子束使螢光體發光的表面傳導電子發射顯示器（以下稱爲 SED )等。 例如FED及SED —般具有保持預定間隙而對向配置 的前面基板及背面基板，而且這些基板是經由矩形框狀的 側壁使彼此的周邊部相互接合，藉此構成真空外圍器。在 前面基板的內面形成有螢光屏幕，在背面基板的內面則設 有多數個電子發射元件，以作爲用來激發螢光體而使其發 光的電子發射源。 爲了支撐對於背面基板及前面基板所施加的大氣壓力 荷重，在這些基板之間配設有複數個支持構件。背面基板 •5- (2) 1278886 側的電位大致是接地電位，在螢光面則是施加陽極電懕 Va。然後，將射極所發射的電子束照射在構成螢光屏幕的 紅、綠、藍的螢光體，並且使螢光體發光，藉此顯示畫像 〇 這種FED及SED可使顯示裝置的厚度薄型化至數 mm左右，比起現在用來作爲電視或電腦之顯示器的CRT ，更可達成輕量化、薄型化。 上述FED及SED必須使外圍器的內部維持在高真空 狀態。另外’ PDP也必須在外圍器內一度形成真空狀態之 後塡充放電氣體。製造一個具有真空外圍器之FED的方 法當中，例如在日本特開2000-229825號公報、日本特開 200卜210258號公報揭示有一種在真空槽內進行用來構成 外圍器的前面基板及背面基板之最後組裝的方法。 此方法是先充分加熱被放進真空槽內的前面基板及背 面基板。這是爲了減少成爲致使外圍器真空度劣化之主因 ’也就是來自外圍益內壁的氣體放出。接下來，冷卻前面 基板及背面基板，以充分提高真空槽內的真空度，然後在 螢光屏幕上形成爲了改善、維持外圍器真空度的吸氣膜。 之後，再加熱前面基板及背面基板直到密封材料融解的溫 度爲止，並且在將前面基板及背面基板組合於預定位置的 狀態下加以冷卻，直到密封材料固化爲止。 利用這種方法所作成的真空外圍器不僅兼具密封步^驟 及真空密封步驟，也不需要排氣所需的大量時間，且g ^ 得極爲良好的真空度。而且，密封材料最好是使用適$ _ -6 - (3) 1278886 次進行密封處理的低熔點材料。 然而，在這種真空狀態中進行組裝的情況下，在密封 步驟所進行的處理涉及加熱、位置對準、冷卻各種處理， 而且在密封材料融解固化的長時間當中，必須使前面基板 及背面基板持續維持在預定的位置。此外，還有因爲密封 時之加熱冷卻而導致前面基板及背面基板熱膨脹，以致位 置對準精度容易劣化等伴隨密封所產生的生產性、特性面 的問題。 用以解決此問題的方法當中，有一種是對於銦等的導 電性密封材料通電，並藉由該焦耳熱（J 〇 u 1 e ’ s h e a t )使 導電性密封材料本身發熱、融解，藉此結合基板的方法（ 以下稱爲通電加熱）。根據此方法，基板的冷卻就不需要 耗費大量的時間，而可在短時間內藉由簡單的裝置真空密 封外圍器。亦即，藉由使用導電性的密封材料，可選擇性 僅加熱熱容量較小的密封材而不需要加熱基板，且可抑制 基板之熱膨脹所導致的位置精度的劣化等。而且，密封材 的熱容量比起基板的熱容量非常地小，因此與加熱基板全 面的方法相較，可大幅縮短加熱、冷卻所需的時間，且可 大幅提升量產性。 然而，通電加熱的情況下，必須在導電性密封材料流 通穩定的電流。如果電流値不穩定，導電性密封材料融解 所需的時間就會因爲各個外圍器而異，而無法實現穩定的 基板結合。如果過度加熱導電性密封材料，在基板會因爲 該熱而發生龜裂。反之如果未充分融解，基板的結合就會 -7- (4) 1278886 不夠充分，在之後的排氣步驟當中將會發生無法保持外圍 氣之真空狀態等的問題。 【發明內容】 本發明是鑒於以上問題點而硏創者，其目的在於提供 一種可迅速且穩定進行密封作業的畫像顯示裝置，畫像顯 示裝置之製造方法及製造裝置。 爲了達成上述目的，本發明之樣態的畫像顯示裝置的 特徵爲具備：本身具有前面基板以及與此前面基板對向配 置的背面基板，並藉由含有導電性密封材的密封層使上述 前面基板及背面基板彼此的周緣部密封的外圍器；以及以 電氣性接觸於上述密封層的狀態安裝在上述外圍器，並對 於上述密封層通電的電極。 本發明其他樣態的畫像顯示裝置之製造方法是具備本 身具有對向配置，並且使彼此的周邊部接合之前面基板及 背面基板的外圍器的畫像顯示裝置之製造方法，其特徵爲 在上述前面基板及背面基板之至少一方的周緣部配置 具有導電性的密封材料而形成密封層，將電極安裝在形成 有上述密封層的上述前面基板及背面基板之上述至少一方 而電性連接於上述密封層，在上述前面基板及背面基板對 向配置的狀態下，經由上述電極對於上述密封層通電，使 上述密封層加熱融解而接合上述前面基板及背面基板的彼 此周邊部。 -8- 1278886 (5) 根據如上述構成的畫像顯示裝置及其製造方法，是具 有事先安裝在外圍器並電性連接於密封層的電極，並且經 由此電極對於密封層通電加熱，藉此構成外圍器。因此， 可在導電性密封材所形成的密封層流通穩定的電流，且可 使畫像顯示裝置的密封作業迅速且穩定化。 【實施方式】 以下一面參照圖面，一面對於本發明第1實施形態的 FED及其製造方法加以詳細說明。 如第1圖至第4圖所示，F E D具有分別由矩形玻璃板 所構成的前面基板Π及背面基板1 2，這些基板是保持1 至2 mm的間隙而對向配置。前面基板1 1及背面基板1 2 是經由矩形框狀的側壁1 8使彼此的周緣部接合，並且構 成內部維持在真空狀態的扁平矩形真空外圍器1 0。 在真空外圍器1 0的內部設有複數個板狀支持構件14 ，以支撐對於前面基板1 1及背面基板1 2所施加的大氣壓 力荷重。這些支持構件1 4是分別朝向與真空外圍器1 〇之 一邊平行的方向延伸，並且沿著與上述一邊直交的方向保 持間隔而配置。支持構件1 4並不限於板狀，亦可使用柱 狀的支持構件。 在前面基板11的內面形成有作爲畫像顯示面的螢光 屏幕16。此螢光屏幕16是並列紅、綠、藍之螢光體層R 、G、B，以及位於這些螢光體層間的光吸收層20而構成 。螢光體層R、G、B是朝向與真空外圍器10之上述一邊 -9- (6) 1278886 平行的方向延伸，並且沿著與此一邊直交的方向保持預定 間隔而配置。光吸收層20是設在螢光體層R、G、B的周 圍。在螢光屏幕1 6上依序蒸鍍有例如鋁所構成的金屬襯 墊1 7、吸氣膜1 3。 如第3圖所示，在背面基板1 2的內面上設有分別發 射電子束的多數個電子發射元件22，以作爲激發螢光屏 幕16之螢光體層的電子發射源。這些電子發射元件22是 對應於各個像素而排列成複數行及複數列。詳言之，在背 面基板1 2的內面上形成有導電性陰極層2 4，在此導電性 陰極層上形成有本身具有多數個模槽25的二氧化矽膜26 。在二氧化矽膜26上形成有鉬或鈮等所構成的閘極28。 在背面基板1 2的內面上，於各模槽2 5內設有鉬等所構成 的圓錐狀電子發射元件22。 在上述構成的FED當中，影像訊號是輸入以單純矩 陣方式形成的電子發射元件22及閘極28。以電子發射元 件22爲基準的情況下，亮度最高的狀態時是施加+1〇〇V 的閘極電壓。另外在螢光屏幕1 6是施加+ 1 〇kV。藉此從 電子發射元件22發射電子束。從電子發射元件22發射的 電子束的大小是依閘極2 8的電壓而改變，此電子束會激 發螢光屏幕16的螢光體層而使其發光，藉此顯示畫像。 由於在螢光屏幕16會施加高電壓，因此前面基板11 、背面基板1 2、側壁1 8及支持構件1 4用的板玻璃是使 用高應變點玻璃。如後文所述，背面基板1 2與側壁1 8之 間是由燒結玻璃（frit glass )等的低熔點玻璃19所密封 10- (7) 1278886 。前面基板1 1與側壁1 8之間是由具有導電性的低熔點密 封材料，即含有銦（In )的密封層2 1所密封。 FED具有複數個，例如一對電極3〇，這些電極是以 電性導通於密封層2 1的狀態安裝在外圍器1 〇。這些電極 3 0是用來作爲對於密封層2 1通電時的電極構件。 如第5圖所示，各電極30是對於例如0.2mm厚度的 銅板進行加工而形成夾子狀以作爲導電構件。亦即，電極 3 0是彎曲成剖面大致形成u字形狀，並且具有平坦的第 1板部3 3 a ;保持間隙與此第1板部相對向的第2板部 3 3b ;以及相對於第1及第2板部大致延伸成直角，並且 同時連結第1及第2板部之端緣部的導通部3 8。第1板 部3 3 a具有分別導通於密封層21的第1及第2接觸部 36a、36b。第1及第2接觸部36a、36b之間形成有開縫 45，第2接觸部36b是形成鉤子狀，可容易彈性變形。 如第1圖至第3圖所示，各電極3 0是以彈性卡合於 例如背面基板1 2及側壁1 8的狀態安裝在真空外圍器1 〇 。亦即，電極3 0是在第1板部3 3 a與第2板部3 3 b之間 彈性夾住背面基板1 2之端緣部及側壁1 8的狀態固定於真 空外圍器10。而且，第1板部33a的第1及第2接觸部 3 6a、3 6b是分別接觸、並電性導通於密封層21。另外， 電極3 0的導通部3 8是與背面基板1 2的側面及側壁1 8相 對向，並且露出在真空外圍器1 〇的外側。這一對電極3 0 是分別設在真空外圍器1 0之對角方向的分開的兩個角部 ，並且相對於密封層2 1配置成對稱狀態。 -11 - (8) 1278886 接下來，針對具有上述構成的FED之製造方法加以 詳細說明。 首先，在作爲前面基板1 1的板玻璃形成螢光屏幕1 6 。在此情況下是先準備與前面基板11相同大小的板玻璃 ，並且在此板玻璃利用繪圖機（plotter machine )形成螢 光體條紋圖案。將形成有此螢光體條紋圖案的板玻璃以及 前面基板用的板玻璃載置於定位治具，然後設置在曝光台 上。在此狀態下使螢光體條紋圖案曝光、顯影，藉此在作 爲前面基板11的玻璃板上就會形成螢光屏幕。然後，與 螢光屏幕16重疊而形成金屬襯墊17。 接下來，在背面基板1 2用的板玻璃上形成電子發射 元件22。這是在板玻璃上形成矩陣狀的導電性陰極層24 ，並且在此陰極層上以例如熱氧化法或CVD法或是濺鍍 法形成二氧化矽膜的絕緣膜。然後，在此絕緣膜上以例如 濺鍍法或電子束蒸鍍法形成鉬或鈮等之閘極形成用的金屬 膜。接下來，在此金屬膜上利用微影法形成對應於所要形 成之閘極之形狀的抗蝕劑圖案。將抗蝕劑圖案作爲遮罩， 利用濕蝕刻法或乾蝕刻法蝕刻金屬膜而形成閘極28。 然後，將抗鈾劑圖案及閘極2 8作爲遮罩，利用濕蝕 刻或乾蝕刻法蝕刻絕緣膜而形成模槽25。接下來，在去 除抗蝕劑圖案之後，從相對於背面基板1 2表面傾斜預定 角度的方向進行電子束蒸鍍，藉此於閘極28上形成例如 鋁或鎳所構成的剝離層。然後，從與背面基板表面垂直的 方向藉由電子束蒸鍍法蒸鍍例如鉬以作爲陰極形成用的材 -12- 1278886 (9) 料。藉此在模槽25的內部形成電子發射元件22。接下來 ，利用剝落法去除剝離層以及形成在其上方的金屬膜。然 後在大氣中，利用低熔點玻璃1 9將側壁1 8及支持構件 1 4密封在背面基板1 2的內面上。 然後，如第6A圖、第6B圖所示，在側壁1 8之密封 面的全周以預定的寬度及厚度塗布銦而形成密封層2 1 a。 同樣在前面基板1 1之相對向於側壁的密封面以預定的寬 度及厚度將銦塗布成矩形框狀而形成密封層2 1 b。將密封 層2 1 a、2 1 b塡充於側壁1 8及前面基板1 1的密封面的方 法是如上所述，藉由將融解的銦塗布在密封面的方法、或 是將固體狀態的銦載置於密封面的方法等來進行。 接下來，如第7圖所示，將一對電極3 0安裝在接合 有側壁1 8的背面基板12。此時，使各電極3 0的第1接 觸部36a在側壁18上接觸於密封層21a，藉此使電極電 性連接於密封層。此外，爲了確實確保第1接觸部36a與 密封層的導電性，事先焊接密封層2 1 a與第1接觸部3 6a 之間的方法也很有效。電極3 0在基板上需要一對+極與-極，而且最好使各電極到密封層2 1 a、2 1 b的通電長度相 等。因此，一對電極30是安裝在與背面基板12之對角方 向之相對向的兩個角部，位於電極間的密封層2 1 a、2 1 b 的長度在各電極的兩側是設定成大致相等。 安裝好電極30之後，使這些背面基板12、前面基板 1 1保持預定間隔而對向配置，並且在此狀態下投入真空 處理裝置內。在此是使用例如第9圖所示的真空處理裝置 -13- (10) 1278886 100。真空處理裝置100具有並列配設的裝載室ιοί、烘 烤、電子射線洗淨室1 02、冷卻室1 03、吸氣膜的蒸鍍室 104、組裝室105、冷卻室106以及卸載室107。在組裝室 1 05連接有通電用的直流電源1 20、以及用來控制此電源 的電腦122。真空處理裝置100的各室是構成可進行真空 處理的處理室，製造FED時是使所有處理室形成真空排 氣狀態。這些各處理室間是藉由未圖示的閘閥等而連接。 保持預定間隔而配置的上述前面基板1 1及背面基板 12是先被投入裝載室101，在裝載室101內形成真空環境 之後，會被送到烘烤、電子射線洗淨室1 02。 在烘烤、電子射線洗淨室102是將各構件加熱至300 °C的溫度，使各基板及側壁的表面吸附氣體放出。同時從 設在烘烤、電子射線洗淨室1 02的未圖示電子射線產生裝 置，將電子射線照射在前述基板1 1的螢光屏幕面、以及 背面基板1 2的電子發射元件面。該時，利用安裝於電子 射線產生裝置外部的偏向裝置對於電子射線進行偏向掃描 ，藉此分別對於螢光屏幕面及電子發射元件面的全面進行 電子射線洗淨。 接下來，完成此加熱、電子射線洗淨的前面基板11 及背面基板12會被送到冷卻室103，在冷卻至大約120 °C 的溫度之後，會被送到吸氣膜的蒸鍍室1 04。在蒸鍍室 104是於螢光體層的外側蒸鍍Ba膜以作爲吸氣膜。Ba膜 可防止表面受到氧或碳等的污染，並且維持活性狀態。 接下來，前面基板1 1及背面基板1 2會被送到組裝室 -14 - (11) 1278886 1 05。在此組裝室1 05是如第8圖所示，使前面基板 背面基板12維持在大約120°C，並且使其朝向相互 的方向移動，使各電極3 0的第2接觸部3 6b接觸於 基板1 1側的密封層2 1 b。藉此使各電極3 0電性連接 封層2 1 b。此時，第2接觸部3 6b是藉由彈簧壓力而 壓接於密封層2 1 b，可確保穩定的導電性。 接下來，如第1〇圖所示，將電源120電性連接 對電極3 0之後，對於側壁1 8側的密封層2 1 a以及前 板1 1側的密封層2 1 b分別通電而加熱密封層，並且 融解。此時，藉由使連接於電源1 20的連接端子40 於電極30的導通部38，可使電源與電極、以及電極 封層21a、21b確實導通。 銦融解之後，對於前面基板1 1及背面基板1 2朝 互接近的方向加壓。藉此使密封層2 1 a、2 1 b融合而 密封層2 1，並藉由此密封層密封前面基板1 1的周緣 側壁1 8。藉由上述步驟所形成的真空外圍器1 〇是在 室106冷卻至常溫，並且從卸載室107被取出。藉此 成FED的真空外圍器。 此外，完成真空外圍器之後，如果需要亦可切除 30。 根據如以上所構成的FED及其製造方法，是事 用來對於密封層2 1通電的電極3 0安裝在外圍器，並 電性連接於密封層的狀態而固定。因此，通電加熱時 經由電極3 0在密封層2 1流通穩定的電流。所以，密 1 1及 接近 前面 於密 彈性 於一 面基 使銦 接觸 與密 向相 形成 部及 冷卻 即完 電極 先將 且以 ，可 封時 •15- (12) 1278886 ，可使構成密封層的導電性低熔點密封材料在預定的 時間穩定且確實地融解，結果便可進行迅速且確實的 ，而不會在密封層21發生龜裂等。 由於是在真空環境中進行前面基板及背面基板的 、接合，因此藉由並用烘烤及電子射線洗淨，可充分 表面吸附氣體，且可獲得吸附能力佳的吸氣膜。而且 於是藉由對於銦通電加熱而進行密封、接合，因此不 加熱前面基板及背面基板全體，而可解決吸氣膜之劣 基板在密封步驟中破裂等的不良情況，同時可謀求密 間的縮短。 因此，可廉價獲得一種量產性佳，同時可獲得穩 良好之畫像的FED。 接下來，針對本發明第2實施形態的FED加以 。在上述實施形態當中，各電極是具備導通於側壁側 封層的第1接觸部、以及導通於前面基板側之密封層 2接觸部的構成，但根據第2實施形態，如第1 1圖 12A圖及第12B圖所示，電極30是具有單一接觸部 而構成。一對電極3 0是分別安裝在背面基板1 2之對 向之相對向的一對角部，並且以彈性夾住側壁1 8及 基板12的狀態安裝在外圍器。此時，各接觸部36a 觸於密封層2 1 a的上面而與密封層電性連接。 在密封步驟當中，使形成有密封層2 1 b的前面 1 1與背面基板1 2相對向而配置，藉此使各電極3 0 觸部36a接觸並電性連接於密封層21a、21b雙方。 通電 密封 密封 放出 ，由 需要 化、 封時 定且 說明 之密 的第 、第 36a 角方 背面 是接 基板 的接 然後 -16- (13) 1278886 ，即可經由這些電極3 0同時對於密封層2 1 a、2 1 b通電， 並且使銦加熱而熔融。 第2實施形態當中，其他構成與前述第1實施形態相 同，在同一部分是附上同一參照符號而省略其詳細說明。 而且，在第2實施形態也可獲得與第1實施形態同樣的作 用效果。此外，在第1及第2實施形態當中，各電極3 0 亦可爲安裝固定在前面基板側的構成。 根據第13圖、第14A圖及第14B圖所示的第3實施 形態，FED具有：用來對於形成在側壁1 8上的密封層 2 1 a通電的一對第1電極3 Oa ;以及用來對於形成在前面 基板11的密封層21b通電的一對第2電極3 0b。第1及 第2電極30a、3 Ob是形成與前述電極30大致相同的夾子 狀。但接觸部是與各電極形成一個。 一對第1電極30a是分別安裝在背面基板12之對角 方向之相對向的一對角部，並且以彈性夾住側壁1 8及背 面基板12的狀態而安裝。此時，各第1電極30a是使其 接觸部3 6接觸於密封層2 1 a而與密封層電性連接。一對 第2電極30b是分別安裝在前面基板11之對角方向之相 對向的一對角部，並且以彈性夾住前面基板的狀態而安裝 。此時，各第2電極3 Ob是使其接觸部3 6接觸於密封層 2 1b而與密封層電性連接。第1電極30a及第2電極30b 最好分開配置在四個角部而不要相互重疊。 在密封步驟當中是如第1 3圖及第1 4 A圖所示，使連 接於電源120的一對連接端子40a分別接觸於第1電極 -17- (14) 1278886 3 0a的導通部38，使電源與第1電極、以及第1電極與密 封層2 1 a導通。並且使連接於電源1 2 0的一對連接端子 4 0b分別接觸於第2電極30b的導通部38，使電源與第2 電極、以及第2電極與密封層2 1 b導通。在此狀態下，對 於側壁1 8側的密封層2 1 a及前面基板1 1側的密封層2 1 b 分別通電而加熱密封層，並且使銦融解。 銦融解之後，如第1 4B圖所示，對於前面基板1 1及 背面基板1 2朝向相互接近的方向加壓。藉此使密封層 2 1 a、2 1 b融合而形成密封層2 1，並藉由此密封層密封前 面基板1 1的周緣部及側壁1 8。 第3實施形態當中，其他構成與前述第1實施形態相 同，在同一部分是附上同一參照符號而省略其詳細說明。 第3實施形態也可獲得與第1實施形態同樣的作用效果。 再者，根據第3實施形態，可個別控制對於背面基板12 側之密封層2 1 a以及前面基板1 1側之密封層2 1 b通電的 電流値，且可進行更爲適當的通電加熱。 接下來，針對本發明第4實施形態的FED加以說明 〇 如第15圖至第17圖所示，FED具有真空外圍器10 以及安裝於真空外圍器1 〇的複數個，例如一對電極3 0。 真空外圍器3 0具有分別由矩形玻璃板所構成的前面基板 1 1及背面基板1 2，這些基板1 1、1 2是經由矩形框狀的側 壁1 8使彼此的周緣部接合。在前面基板1 1的內面形成有 螢光屏幕16、金屬襯墊17以及吸氣膜13。在背面基板 -18- (15) 1278886 12的內面上設有多數個用來激發螢光屏幕16之螢光體層 的電子發射元件22。而且在背面基板12的內面有用來將 電位供應至電子發射元件22的多數條配線23設置成矩陣 狀，其端部是拉出至真空外圍器1 0的周緣部。 一對電極3 0是以電性導通於密封層2 1的狀態安裝在 外圍器10。這些電極30是用來作爲對於密封層21通電 時的電極。各電極3 0是對於例如〇 . 2 m m厚度的銅板進行 彎曲加工而形成，以作爲導電構件。亦即，電極3 0是彎 曲成剖面大致形成U字形狀，並且一體具有：可夾住前 面基板1 1或背面基板1 2之周緣部而安裝的夾子狀安裝部 3 2 ;與安裝部並列的楔狀胴體部3 4 ;位於胴體部之延伸 端的接觸部3 6 ;以及由安裝部及胴體部之背面部形成的 平坦導通部3 8。接觸部3 6是使水平方向的延伸長度L形 成2mm以上。而胴體部34是形成帶狀，並且從接觸部 3 6朝向外側及斜上方傾斜而延伸。藉此，胴體部3 4便形 成沿著鉛直方向位於比接觸部3 6高之位置的流出限制部 37 ° 各電極3 0是以彈性卡合於真空外圍器1 〇之例如背面 基板12的狀態而安裝。亦即，電極3 0是以藉由安裝部 3 2彈性夾住背面基板1 2之周緣部的狀態安裝在真空外圍 器1 〇。各電極3 0的接觸部3 6是分別接觸並電性導通於 密封層21。胴體部34是從接觸部36延伸至真空外圍器 1 0的外側，而且流出限制部3 7是沿著鉛直方向位於比接 觸部3 6高的位置。導通部3 8是與背面基板1 2的側面相 -19- (16) 1278886 對向，並且露出在真空外圍器10的外面。這一對電極30 是分別設在真空外圍器1 0之對角方向之分開的兩個角部 ，並且相對於密封層2 1配置成對稱狀態。 上述FED的其他構成與前述第1實施形態相同，在 同一部分是附上同一參照符號而省略其詳細說明。 接下來，針對上述FED的製造方法加以詳細說明。 此製造方法與第1實施形態的製造方法大致相同，以下以 不同的部分爲中心加以說明。 首先，準備形成有螢光屏幕及金屬襯墊17的前面基 板1 1、以及形成有電子發射元件22的背面基板1 2。接下 來，在大氣中利用低熔點玻璃1 9將側壁1 8及支持構件 1 4密封在背面基板1 2的內面上。然後，如第1 8 A圖、第 18B圖所示，在側壁18之密封面的全周以預定的寬度及 厚度塗布銦而形成密封層2 1 a。在前面基板1 1之相對向 於側壁的密封面以預定的寬度及厚度將銦塗布成矩形框狀 而形成密封層2 1 b。此外，將密封層2 1 a、2 1 b塡充於側 壁1 8及前面基板1 1的密封面的方法是如上所述，藉由將 熔融的銦塗布於密封面的方法、或是將固體狀態的銦載置 於密封面的方法等來進行。 接下來，將一對電極3 0安裝在接合有側壁1 8的背面 基板1 2。此時，使各電極3 0的接觸部3 6在側壁1 8上接 觸於密封層2 1 a，藉此使電極電性連接於密封層。一對電 極3 0是安裝在背面基板1 2之對角方向之相對向的兩個角 部，位於電極間的密封層2 1 a、2 1 b的長度在各電極的兩 -20- (17) 1278886 側是設定成大致相等。 安裝好電極3 0之後，使背面基板1 2、前面基板1 1 保持預定間隔而對向配置，並且在此狀態下投入第9圖所 示的真空處理裝置100內。前面基板11及背面基板12是 經由裝載室1 0 1被送至烘烤、電子射線洗淨室1 02。在烘 烤、電子射線洗淨室102是將各種構件加熱至3 00 °C的溫 度，使各基板的表面吸附氣體放出。同時，從電子射線產 生裝置，將電子射線照射在前面基板1 1的螢光屏幕面、 以及背面基板1 2的電子發射元件面，並且分別對於螢光 屏幕面及電子發射元件面的全面進行電子射線洗淨。 在烘烤步驟當中，密封層2 1 a、2 1 b會受到加熱而融 解。背面基板1 2側的密封層2 1 a會通過電極3 0而流出至 外部。然而，由於在各電極3 0設有位於比接觸部3 6高之 位置的流出限制部3 7，因此藉由此流出限制部，可抑制 熔融的銦流出至背面基板的外側。 接下來，前面基板1 1及背面基板1 2會被送到冷卻室 1 〇3，在冷卻至大約1 20 °C的溫度之後，會被送到吸氣膜 的蒸鍍室104，並且在螢光體層的外側蒸鍍形成Ba膜。 接下來，前面基板1 1及背面基板1 2會被送到組裝室1 〇5 ，並且如第1 9圖所示，以對向配置的狀態分別保持在組 裝室內的加熱板131、132。前面基板11是藉由固定治具 1 3 3固定在上側的加熱板1 3 1以免落下。 然後，使前面基板1 1及背面基板1 2維持在大約1 20 °C，使其朝向相互接近的方向移動，並且以預定的壓力加 -21 - (18) 1278886 壓。藉此，將各電極3 0的接觸部3 6夾在前面基板1 1 的密封層2 1 b與背面基板1 2側的密封層2 1 a之間，並 使各電極3 0電性連接於密封層2 1 a、2 1 b。此時，接觸 36是形成2mm以上的水平方向長度，因此可穩定接觸 密封層21a、21b。此外，藉由事先在電極30的接觸部 塗布銦，可更爲穩定地對於密封材通電。 在此狀態下，將電源1 2 0電性連接於一對電極3 0 後，在側壁1 8側的密封層2 1 a及前面基板1 1側的密封 2 1 b分別以定電流模式施加例如1 40A的直流電流。藉 加熱密封層2 1 a、2 1 b使銦融解。此時，藉由使連接於 源1 2 0的連接端子接觸於電極3 0的導通部3 8，可使電 與電極、以及電極與密封層21a、21b確實導通。而且 各電極30是等效接觸於密封層21a、21b，因此可穩定 電，且可在各個密封層流通大致等量的電流，並且使其 等地融解。 如上述使銦融解，藉此使密封層2 1 a、2 1 b融解而 成密封層2 1，並藉由此密封層密封前面基板1 1的周緣 及側壁1 8。藉由上述步驟所形成的真空外圍器1 〇是在 卻室1 06冷卻至常溫，並且從卸載室1 〇7被取出。藉此 完成真空外圍器10。此外’完成真空外圍器1〇之後， 果需要亦可切除電極30。 根據如以上構成的FED及其製造方法，可獲得與 述第1實施形態同樣的作用效果。再者，根據第4實施 態，由於用來對於密封材通電的電極3 0具有位於比j妾 側 且 部 於 36 之 層 此 電 源 通 均 形 部 冷 即 如 刖 形 /rnm 觸 -22- (19) 1278886 部高之位置的流出限制部，因此在烘烤步驟等，可限制熔 融的密封材通過電極而流出至外部。因此，可使密封層維 持均一的厚度，並且確實密封外圍器全周，且可防止密封 材流出所導致的配線之短路等。因此，可廉價獲得量產性 佳、同時可獲得穩定且良好之畫像的FED。 上述第4實施形態當中，各電極30的胴體部34是使 其大致全體從接觸部3 6朝斜上方延伸而形成流出限制部 37的構成，但亦可如例如第20圖所示，使胴體部34的 一部分朝向沿著給直方向位於比接觸部3 6高的位置延伸 而構成流出限制部3 7。另外，各電極3 0是一體具有安裝 部的構成，但亦可如第21圖、第2 2圖所示，電極3 0是 具有接觸部3 6、胴體部3 4、流出限制部3 7及基座部3 9 的構成，或是利用其他夾子46安裝於背面基板1 2的構成 〇 此外，在第20圖至第22圖所示的變形例當中，其他 構成與前述第4實施形態相同，在同一部分是附上同一參 照符號而省略其詳細說明。而且，即使使用這些變形例的 電極，也可獲得與前述實施形態同樣的作用效果。 接下來’針對本發明第5實施形態的F E D加以說明 〇 如第23圖至第25圖所示，FED具有真空外圍器1〇 以及安裝於真空外圍器1 0的複數個，例如一對電極3 〇。 一對電極3 0是以電性導通於密封層2 1的狀態安裝在外圍 器10。各電極30是對於例如02rnni厚度的銅板進行彎曲 -23- (20) 1278886 加工而形成，以作爲導電構件。亦即，電極3 0是彎曲成 剖面大致形成U字形狀，並且一體具有：可夾住前面基 板1 1或背面基板1 2之周緣部而安裝的夾子狀安裝部3 2 ;並列於安裝部的楔狀胴體部3 4 ;位於胴體部的延伸端 的接觸部3 6 ;從接觸部延伸至胴體部側，並且與胴體部 並列的排出部3 5 ;以及由安裝部及胴體部的背面部所形 成的平坦導通部3 8。 接觸部3 6是使水平方向的延伸長度形成2 m m以上。 胴體部34是形成帶狀，並且從接觸部36朝向外側及斜上 方傾斜而延伸。藉此，胴體部3 4便形成沿著鉛直方向位 於比接觸部3 6高之位置的流出限制部3 7。胴體部3 4是 形成使電流從導通部3 8流到接觸部3 6的流路。 排出部3 5是形成帶狀，並且從接觸部3 6朝外側及斜 下方傾斜而延伸。因此，排出部3 5是形成在沿著鉛直方 向比接觸部36低的位置。排出部35的寬度比胴體部34 的寬度狹窄，例如是形成1 mm左右。排出部3 5是如後文 所述，形成使熔融的密封材流出至外部的流路。 各電極3 0是以彈性卡合於真空外圍器1 0之例如背面 基板12的狀態而安裝。亦即，電極3 0是以藉由安裝部 3 2彈性夾住背面基板1 2之周緣部的狀態安裝在真空外圍 器1 〇。各電極3 0的接觸部3 6是分別接觸於密封層2 1， 並且電性導通於密封層。胴體部3 4是從接觸部3 6延伸至 真空外圍器1 〇的外側，同時流出限制部3 7是沿著鉛直方 向位於比接觸部3 6高的位置。排出部3 5是從接觸部3 6 -24- (21) 1278886 延伸至真空外圍器1 〇外側，並且位於沿著鉛直方向比接 觸部3 6低的位置。導通部3 8是與背面基板1 2的側面相 對向而露出在真空外圍器10的外面。這一對電極30是分 別設在真空外圍器1 〇之對角方向之分開的兩個角部，並 且相對於密封層2 1配置成對稱狀態。 上述FED的其他構成與前述第4實施形態相同，在 同一部分是附上同一參照符號而省略其詳細說明。而且， 第5實施形態的FED是利用與第4實施形態之製造方法 相同的製造方法來製造。 根據第5實施形態，在烘烤步驟當中，密封層2 1 a、 2 1 b會受到加熱而融解。然後，背面基板1 2側的密封層 21a會通過電極30而流出至外部。然而，在各電極30由 於設有位於比接觸部3 6高之位置的流出限制部3 7，因此 藉由此流出限制部可抑制融解的銦流出至背面基板的外側 。而且，融解的一部分銦會從電極3 0的排出部3 5流出至 背面基板1 2的外側，但由於排出部的寬度比胴體部3 4的 寬度狹窄，因此流出量只有一點點。例如比起不具有流出 限制部3 7及排出部的電極，可將融解的銦的流出量抑制 在1 /1 0左右。只要是此程度的流出量，即可防止密封層 的厚度相對較薄而容易從密封部洩漏的問題、以及流出的 銦接觸於基板上的配線而發生短路的問題。 而且，在密封步驟當中，使密封層2 1 a、2 1 b融合而 形成密封層，並藉由此密封層密封前面基板1 1的周緣部 及側壁1 8。此時，前面基板1 1及背面基板1 2是朝相互 -25- (22) 1278886 接近的方向受到加壓’因此熔融的銦會被推開而產生多餘 的銦。此多餘的銦會流出至基板側。在此，由於在各電極 3 0設有位於比接觸部3 6低之位置的排出部3 5，因此熔融 的多餘的銦會積極從排出部3 5流出至基板的外側。亦即 ，電極3 0的排出部3 5雖然比胴體部3 4的寬度狹窄，但 由於銦會受到加壓，因此多餘的銦會全部沿著電極的排出 部3 5而流向基板周緣側。各電極3 0是安裝在背面基板 1 2的角落部，排出部3 5是延伸至與配線23偏離的位置 。因此，沿著排出部3 5而流出的銦不會接觸於配線23， 而可防止流出的銦所導致的配線短路等。此外，藉由事先 在電極30的排出部35及其附近區域塗布銦，可更爲穩定 地使其流出至密封材。 其他，根據第5實施形態的FED及其製造方法，可 獲得與前述第1實施形態同樣的作用效果。 第5實施形態當中，各電極3 0的胴體部34是使其大 致全體從接觸部朝斜上方延伸而形成流出限制部3 7的構 成，但亦可如例如第26圖所示，使胴體部34的一部分朝 向沿著鉛直方向比接觸部3 6高的位置延伸而構成流出限 制部3 7。 而且，第5實施形態當中，各電極30是一體具有安 裝部的構成，但亦可如第27圖及第28圖所示，爲具有接 觸部3 6、胴體部3 4、流出限制部3 7、排出部3 5及基座 部3 9的構成、或是利用具有導通部3 8的其他夾子46安 裝於背面基板12的構成。 -26- (23) 1278886 電極3 Ο '的排出部3 5並不限於並列設在胴體部3 4之 側方的構成，亦可如第27圖所示設置在胴體部34的中央 部。在此情況下，排出部3 5是切出胴體部3 4的一部分而 形成，且在胴體部形成有容許密封材從接觸部3 6流出至 排出部35的開孔42。 如第2 9圖所不’電極3 0的排出部3 5並不限於一*個 ，亦可在胴體部3 4的兩側設置一對。在此情況下，各排 出部3 5的構成與上述實施形態相同。 另外，在第26圖至第29圖所示的變形例當中，其他 構成與前述第5實施形態相同，在同一部分是附上同一參 照符號而省略其詳細說明。而且，即使是使用這些變形例 的電極，也可獲得與前述實施形態同樣的作用效果。此外 ，亦可使用交互組合前述實施形態及第26圖至第29圖所 示之變形例的構成。 接下來，針對本發明第6實施形態的FED及其製造 方法加以說明。如第3 0圖所示，FED具有扁平矩形狀的 真空外圍器1 〇以及安裝於外圍器的複數個，例如一對電 極3 0。第6實施形態當中，FED的構成是除了電極30之 外皆與前述實施形態相同，因此僅以不同的構成爲中心加 以說明。同時一倂說明FED的構成及其製造方法。 如第13A圖及第13B圖所示，準備形成有螢光屏幕 16及金屬襯墊17的前面基板11、以及形成有電子發射元 件的背面基板1 2。接下來，在大氣中利用低熔點玻璃將 側壁1 8及支持構件1 4密封在背面基板1 2的內面上。然 -27- (24) 1278886 後’在側壁1 8之密封面的全周以預定的寬度及厚度塗布 銦而形成矩形框狀的密封層2 1 a。在前述基板1 1之相對 向於側壁1 8的密封面以預定的寬度及厚度將銦塗布成矩 形框狀而形成對應於背面基板1 1側之密封層2丨a的矩形 框狀密封層2 1 b。此外，將密封層2 1 a、2 1 b塡充於側壁 1 8及前面基板1 1的密封面的方法是如上所述，藉由將熔 融的銦塗布於密封面的方法、或是將固體狀態的銦載置於 密封面的方法等來進行。 接下來，前面基板1 1及背面基板1 2會被送到例如第 9圖所示的真空處理裝置內，並且在真空環境中被密封。 在此情況下，加熱前面基板1 1及背面基板1 2以充分排氣 。加熱溫度是適時設定爲200 °C至500 °C左右。藉由排氣 處理，減少從外圍器構成構件之內壁所放出的氣體，並且 防止真空外圍器的真空度劣化。然後在前面基板1 1的螢 光屏幕1 6上形成吸氣膜。這是爲了利用吸氣膜吸附並排 出形成真空外圍器後的殘留氣體，使真空外圍器內的真空 度保持在良好的水準。 接下來，以螢光屏幕16與電子發射元件相對向的方 式，使前面基板11及背面基板12相互重疊在預定的位置 。在此狀態下，對於密封層2 1 a、2 1 b通電，並且加熱這 些密封材而使其融解。然後停止通電，使密封層2 1 a、 2 1 b的熱快速擴散傳導至前面基板1 1及側壁1 8，使密封 層21a、21b固化。結果即可藉由密封層21a、21b使前面 基板1 1及側壁1 8相互密封。 -28- (25) 1278886 接下來，針對上述密封步驟再詳加說明。 如第3 1圖、3 2圖所示，在密封前的狀態下，前面基 板1 1及背面基板1 2的溫度是設定得比密封層2 1 a、2 1 b 的熔點還低，且密封層2 1 a、2 1 b是固化狀態。在此狀態 下，將前面基板1 1及背面基板1 2重疊於預定的位置，使 密封層21a、21b相互重疊。再藉由加壓裝置23a、23b， 對於前面基板1 1及背面基板1 2朝相互接近的方向施加預 定的荷重。畫像顯示區域是藉由支持構件1 4保持預定的 間隙。 此時，在側壁1 8之對角方向之相對向的兩個角部將 板狀電極3 0分別夾入密封層2 1 a、2 1 b之間來配置。如第 3 1 B圖所示，電極3 0具有分別電氣性接觸於密封層的兩 個接觸部36a、36b，並且形成大致Y字形狀。而且，各 電極30的接觸部36a、36b是在密封層21a、21b之角部 的兩側接觸於這些密封層。在兩個接觸部3 6a、3 6b間形 成有爲使熔融的密封材流出的間隙3 0c。電極3 0的夾入 方法可使用藉由與電極相同材質的夾子等固定的方法。此 外，電極30是由至少包含Cu、Al、Fe、Ni、Co、Be、Cr 任一個的單元素或合金所形成。 接下來，使供電端子24a、24b分別接觸於電極30。 這些供電端子24a、24b是連接於電源120。在此狀態下 ，如果通過供電端子24a、24b及電極30使預定的電流通 電於密封層2 1 a、2 1 b，則只有密封層2 1 a、2 1 b會發熱並 熔融。此時，熔融的多餘密封材會通過由各電極3 0之兩 -29- (26) 1278886 個接觸部3 6 a、3 6 b及密封層所包圍的間隙3 0 c，從側壁 1 8的角部流出至側壁的外部。 然後，停止通電並且拔掉供電端子24a、24b時，熱 容量小的密封層2 1 a、2 1 b的熱會因爲溫度梯度而散熱至 前面基板1 1及側壁1 8。密封層2 1 a、2 1 b與熱容量大的 前面基板1 1及側壁1 8會達到熱平衡，並且快速冷卻固化 。藉此即可獲得一種具有藉由密封層2 1 a、2 1 b使前面基 板1 1及側壁1 8相互密封，且內部維持在高真空狀態之真 空外圍器1 0的FED。此外，密封後，電極3 0是以與密封 層2 1 a、2 1 b —同密封的狀態固定在真空外圍器1 〇。 根據如上述構成的第6實施形態的FED及其製造方 法，可在極短的時間並藉由簡單的製造裝置真空密封真空 外圍器。亦即，藉由使用具有導電性的密封材，不需要加 熱基板而可選擇性僅加熱熱容量小，即體積小的密封材， 且可抑制基板之熱膨脹所導致的位置精度之劣化等。 由於密封層的熱容量比起基板的熱容量非常地小，因 此與加熱整個基板的習知方法相較，可大幅縮短加熱、冷 卻所需的時間，且可大幅提升量產性。再者，密封所需的 裝置只是單純的使其與供電端子接觸的機構，因而可實現 極爲簡單且適於超高真空的淸淨裝置。 用來對於密封層21a、21b通電的各電極30具有複數 個接觸部36a、36b ’在這些接觸部間形成有間隙3〇c。因 此，密封時，可使多餘的熔融狀態的密封材從接觸部3 6 a 、3 6b間的間隙3 Oc積極流出至外部。所以，藉由將電極 -30- 1278886 (27) 3 0的接觸部設在適當的位置，可防止密封材擠出在基板 的配線上等，而且不會發生配線間的短路等，而可進行迅 速且穩定的密封。 電極3 0只要在接觸部間具有可供密封材通過的間隙 即可，並不限於上述Υ字形狀，例如亦可如第3 3圖所示 形成大致U字形狀。電極30亦可具有三個以上之連接於 密封材的接觸部。例如如第3 4 Α圖所示，電極3 0亦可形 成具有四個接觸部36a、36b、36c、36d的掃帚形狀。在 此情況下，在相鄰的接觸部間形成有可供密封材通過的間 隙 3 0 c 〇 而且，電極3 0的接觸部並不限於夾住真空外圍器之 角部的兩側，亦可如第34B圖所示，在外圍器之角部的單 側接觸於密封層2 1 a、2 1 b。由於電極3 0是位於與角部稍 微偏移的位置，因此密封材有時也會從外圍器的角部3 0d 流出。此外，在第33圖、第34A圖及第34B圖所示的變 形例當中，其他構成與前述實施形態相同，在同一部分是 附上同一參照符號而省略其詳細說明。而且，這些變形例 也可獲得與第6實施形態同樣的作用效果。 上述第6實施形態當中，電極3 0是直接接觸於密封 層21a、21b的構成，但亦可根據第35圖所示之第7實施 形態的製造方法，爲事先利用導電性材料層3 1覆蓋電極 3 〇，並且經由此導電性材料層3 1使電極接觸於密封層的 構成。 亦即，在密封步驟當中，在密封層2 1 a與密封層2 1 b -31 - 1278886 (28) 之間分別夾入一對板狀電極3 0。在各電極3 0當中，與密 封層2 1 a、2 1 b接觸的面是事先由導電性材料層3 1所覆蓋 。在此，各電極3 0的兩面是由例如包含與密封層2 1 a、 2 1 b爲同一導電性材料的In或In的合金所覆蓋。導電性 材料層3 1是例如藉由施加了超音波的焊烙鐵，將導電性 材料塗布於電極表面而形成。因此，各電極3 0是經由導 電性材料層3 1接觸於密封層2 1 a、2 1 b。電極3 0是由至 少包含Cu、Al、Fe、Ni、Co、Be、Cr任一個的單元素或 合金所形成。 接下來，使供電端子24a、24b分別接觸於電極30。 這些供電端子24a、24b是連接於電源120。在此狀態下 ，如果經由供電端子24a、24b及電極30對於密封層21a 、2 1 b通電預定的電流時，只有密封材會發熱並融解。然 後，停止通電並拔掉供電端子2 4 a、2 4 b時，熱容量小的 密封層2 1 a、2 1 b的熱會因爲溫度梯度而散熱至前面基板 1 1及側壁1 8。因此，密封層2 1 a、2 1 b與熱容量大的前面 基板1 1及側壁1 8會達到熱平衡，並且快速冷卻固化。藉 此，即可獲得一種具有藉由密封層2 1 a、2 1 b使前面基板 1 1及側壁1 8相互密封，且內部維持在高真空狀態之真空 外圍器10的FED。此外，密封後，電極30是以與密封層 2 1 a、2 1 b —同密封的狀態固定在真空外圍器1 〇。 第7實施形態當中，其他構成與上述第6實施形態相 同，在同一部分是附上同一參照符號而省略其詳細說明。 如上述構成的第7實施形態也可獲得與第6實施形態同樣 -32- (29) !278886 的作用效果。而且’用來對於密封層2 1 a、2 1 b通電的電 極3 0之與密封層的接觸面是由導電性材料層3 1所覆蓋。 因此，進行密封層21a、21b的通電熔融時’可提升電極 3 0與密封材的濕潤度，且可防止密封材與電極之間的接 觸電阻增加。藉此即可防止接觸部的異常發熱’且可解決 密封層2 1 a、2 1 b斷線的疑慮。結果便可在短時間’並且 以高產率製造FED。 而且，藉由利用導電性材料層3 1覆蓋電極3 0的表面 ，可將密封時多餘的熔融狀態的密封材從電極積極排出至 外圍器的外部。 上述第7實施形態是將電極3 0夾入密封層2 1 a、2 1 b 間的構成，但亦可爲在電極僅接觸於一方密封材的狀態下 通電的構成。亦即，如第3 6圖所示，使前面基板1 1及背 面基板1 2重疊於預定位置，並且使密封層2 1 a、2 1 b相互 重疊而接觸。在前面基板11及背面基板12是藉由加壓裝 置23a、23b朝相互接近的方向施加預定的密封荷重。而 且，電極3 0是配置成分別接觸於密封材2 1 b的狀態。 電極的保持方法可以是爲了事先接觸於前面基板11 的密封層2 1 a、2 1 b，而利用與密封層爲相同材質的夾子 等固定電極的方法，或是利用夾子等將電極固定保持在供 電端子24a、24b，並且在前面基板11及背面基板12重 疊於預定位置時夾入電極的方法。 在此情況下，在各電極3 0是事先利用導電性材料層 3 1覆蓋與密封層2 1 b接觸的表面。導電性材料層3 1是藉 -33- 1278886 (30) 由施加了超音波的焊烙鐵將導電性材料塗布於電極表面而 形成。而且，會將密封時多餘的密封材從電極3 0積極擠 出，因此亦可在電極之未與密封材接觸的面形成導電性材 料層。 其他構成與第7實施形態相同，在同一部分是附上同 一參照符號而省略其詳細說明。而且，上述構成也可獲得 與上述第7實施形態同樣的作用效果。
對於密封材通電的電流形態不限於直流電流，亦可使 用以商用頻率變動的交流電流。在此情況下，可節省特地 將以交流送來的商用電流變成直流的手續，而可簡化裝置 。另外，亦可使用以kHz位準之高頻變動的交流電流。在 此情況下，由於焦耳熱會因爲表層效應以致相對於高頻的 實效電阻値增加的部分而增大，因此能以更小的電流値獲 得與上述同樣的加熱效果。
另外，關於通電的電力與時間，上述實施形態是設定 爲5至3 00秒左右。如果通電時間長（電力小），會產生 基板周邊之溫度上升所導致的冷卻速度下降或熱膨脹所導 致的弊害，如果通電時間短（電力大），則會因爲導電性 密封材料的塡充不均一而導致斷線或是因爲玻璃熱應力而 導致破裂。因此，通電的電力及時間（也包含時間性的電 力變化）最好是依各對象物進行最適當的條件設定。 再者，關於密封時的基板溫度與密封材之熔點的溫差 ’上述實施形態是設定爲2 0至1 5 0 °C左右。溫差大的情 況下’雖可縮短冷卻時間，但玻璃熱應力會變大，因此這 -34- (31) 1278886 也是最好依各對象物進行最適當的條件設定。 接下來，針對本發明第8實施形態的FED之 法加以說明。此外，第8實施形態當中，FED的構 造方法當中的密封步驟以外的構成皆與前述第6實 相同，以下僅以不同的部分爲中心加以說明。 如第3 7圖所示，在密封步驟當中，被送到真 裝置之組裝室的前面基板1 1及背面基板1 2是維持 置的狀態而保持成分別使外面密接於加熱板1 3 1、 狀態。亦即，背面基板1 2是載置於加熱板1 3 2上 基板1 1是藉由固定治具1 3 3固定在上側的加熱板 免落下。 接下來，如第38圖及第39圖所示，準備一對 所構成之厚度大約0.2mm的平板狀電極30，並且 電極3 0插入前面基板1 1與背面基板1 2之間。此 對電極3 0是設在相對的位置，並且使各電極的前 前面基板1 1側的密封層2 1 b與背面基板1 2側的 2 1 a之間而插入。例如，一對電極3 0是分別配置 當中對角方向之相對向的兩個角部、兩個短邊、或 長邊。 接下來，使上側的加熱板1 3 1及前面基板1 1 使設在前面基板1 1的密封層2 1 b的大致全體接觸 基板側之設於側壁1 8的密封層2 1 a。同時對於前 1 1及背面基板1 2之至少一方，在此是對於兩基板 望的壓力朝相互接近的方向加壓。該時，將各電極 製造方 成及製 施形態 空處理 對向配 132的 ，前面 13 1以 例如銅 將這些 時，一 端位於 密封層 在基板 是兩個 下降， 於背面 面基板 以所希 3 0夾 -35- (32) 1278886 入上下的密封層2 1 a、2 1 b間。藉此，各電極3 0便同時電 氣性接觸於上下的銦2 1。 在此狀態下’從電源通過一對電極3 〇以電電流模式 對於兩密封層2 1 a、2 1 b通電1 4 0 Α的直流電流。藉此’形 成密封層的銦會受到加熱而熔融，並且使前面基板1 1及 側壁1 8藉由密封層2 1 a、2 1 b接合成更爲氣密的狀態。 然後停止通電，藉此使熔融的銦凝固而形成外圍器 1 0。如上述形成的外圍器在冷卻室1 會冷卻至常溫，然 後從卸載室1 〇 7被取出。藉由以上的步驟即完成真空外圍 器。 根據第8實施形態，與前述實施形態同樣是在真空環 境中進行前面基板11及背面基板1 2的密封、接合’因此 藉由並用烘烤及電子射線洗淨，可充分放出表面吸附氣體 ，且可獲得吸附能力佳的吸氣膜。而且，由於是對於銦通 電加熱而密封、接合，因此不需要加熱前面基板及背面基 板全體，而可解決吸氣膜之劣化、基板在密封步驟中破裂 等的不良情況。同時可謀求密封時間的縮短，而可作爲量 產性佳的製造方法。 而且是對於對向配置的前面基板1 1及背面基板1 2之 至少一方，朝向前面基板及背面基板相互接近的方向加壓 ，並且在密封層21a、21b之至少一部分夾在前面基板及 背面基板之周邊部間的狀態下，對於密封層通電而使其加 熱熔融。藉此，熔融後的密封層就會形成夾在前面基板 1 1與側壁1 8之間的狀態。因此，即使熔融的銦由於沿著 -36- (33) 1278886 基板周邊的密封層2 1 a、2 1 b之剖面積的不同或重力等而 產生局部性的凹凸，也可限制前面基板11及側壁1 8間的 空間，因此可將過度聚集的熔融銦推回較稀疏的部分。結 果便可抑制密封層當中之凹凸的產生。因此，熔融後之密 封層的剖面積在前面基板1 1及側壁1 8全周都是均一狀態 ，接合時可對於密封層全周均等加熱。由此，便可防止密 封層之局部性加熱所導致的斷線、以及基板破裂的發生等 ，且可進行穩定的接合。而且，可提供一種可廉價製造、 可靠性高且可獲得良好畫像的FED。 根據上述製造方法，可使各電極3 0同時電氣性接觸 於前面基板1 1側的密封層2 1 b及側壁側的密封層2 1 a雙 方，亦即，可在等效接觸於兩密封層的狀態下進行通電。 藉此即可在各個密封層流通大致等量的電流。結果便可使 設在前面基板1 1及背面基板1 2的密封層均等加熱而熔融 ，並且進行穩定的接合。 接下來，針對本發明第9實施形態的FED之製造方 法加以說明。 上述第8實施形態是將電極3 0夾入上下的密封層 2 1 a、2 1 b間，使其同時電氣性接觸於兩密封層的構成。 根據第9實施形態，是在使其與電極3 0接觸的部分，使 密封層2 1 a、2 1 b彼此先部分熔接，並且使電極3 0接觸於 此熔接部。 詳言之，被送到真空處理裝置之組裝室1 05的前面基 板1 1及背面基板12是如第40圖所示，由複數個支持銷 -37- (34) 1278886 1 2 8所保持，並且朝相互接近的方向受到加壓。藉此使設 在前面基板1的密封層21b以及設在側壁18的密封層 2 1 a相互接觸。此外，在電極3 0接觸的部分，例如設在 前面基板1 1的密封層2 1 b具有比其他部分更延伸至外側 的延伸部2 1 c。例如，延伸部2 1 c是分別設在前面基板1 1 之相對向的兩個角部附近。 接下來，在對應於延伸部2 1 c的位置，例如在背面基 板 1 2之角部的下方對向配置感應加熱線圈1 2 7。藉由此 感應加熱線圈127對於密封層21a、21b進行局部性高頻 加熱，使密封層彼此部分熔接。藉此在對角方向之相對向 的兩個角部分別形成熔接部2 1 d。 然後，將銅所構成之厚度大約〇.2mm的電極30插入 前面基板1 1與背面基板1 2之間，並且使其接觸於各熔接 部2 1 d的延伸部2 1 c。在此狀態下，從電源通過一對電極 3 0對於密封層2 1 a、2 1 b通電。藉此，銦會受到加熱而熔 融，並且使前面基板1 1及側壁1 8藉由密封層2 1 a、2 1 b 而接合成更爲氣密的狀態。 然後停止通電，藉此使熔融的銦凝固而形成外圍器 1 0。如上述形成的外圍器在冷卻室會冷卻至常溫，然後從 卸載室被取出。藉由以上的步驟即完成真空外圍器。 此外，其他構成與前述實施形態相同，在同一部分是 附上同一參照符號而省略其詳細說明。 根據如以上所構成的第9實施形態，在使其與電極 30接觸的位置，藉由使相對向的銦彼此在通電前先熔接 -38- 1278886 (35) ，可在前面基板1 1側的密封層2 1 b以及側壁1 8側的密封 層2 1 a分別流動大致等量的電流。藉此即可均等加熱熔融 兩密封層21a、21b。而且，由於是在對於前面基板11及 背面基板1 2朝相互接近的方向加壓的狀態下對於密封層 通電，因此與上述第8實施形態同樣可抑制熔融後之密封 層的剖面積變化，且可使整個密封層均等加熱而升溫。由 此便可獲得一種可穩定接合前面基板1 1及背面基板1 2， 且可靠性提升的FED。 在第8及第9實施形態當中，例如亦可將電極在事先 安裝於基板的狀態下投入真空處理裝置，電極的形狀及材 料也不限於上述實施形態。而且是在將密封材設置於前面 基板及側壁雙方的狀態下而密封的構成，但亦可在將密封 材設置於前面基板及側壁之至少一方的狀態下而密封。 接下來，針對本發明第10實施形態的FED及其製造 方法加以說明。 如第42圖及第43圖所示，FED具有真空外圍器10 以及安裝於真空外圍器的複數個，例如一對電極30。真 空外圍器1 〇具有分別由矩形玻璃板所構成的前面基板1 1 及背面基板1 2，這些基板1 1、1 2是經由矩形框狀的側壁 1 8使彼此的周緣部接合。在前面基板1 1的內面形成有螢 光屏幕1 6、金屬襯墊1 7及吸氣膜1 3。在背面基板1 2的 內面上設有多數個用來激發螢光屏幕16之螢光體層的電 子發射元件22。而且，在背面基板12的內面有用來將電 位供應至電子發射元件22的多數條配線23設置成矩陣狀 -39- 1278886 (36) ，其端部是拉出至真空外圍器1 〇的周緣部。 一對電極3 0是以電性導通於密封層2 1的狀態安裝在 外圍器10。這些電極30是用來作爲對於密封層21通電 時的電極。如第44圖所示，各電極30是對於例如〇.2mm 厚度的銅板進行彎曲加工而形成，以作爲導電構件。亦即 ，電極3 0是彎曲成剖面大致形成u字形狀，而且一體具 有：安裝部3 2 ;從安裝部延伸，並且形成電流相對於密 封層之通路的胴體部3 4 ;位於胴體部的延伸端，且可接 觸於密封層的接觸部3 6 ;以及由安裝部及胴體部的背面 部形成的平坦導通部3 8。 安裝部3 2 —體具有折彎成夾子狀的挾持部，可夾住 前面基板1 1或背面基板1 2的周緣部而安裝。接觸部3 6 是使水平向的延伸長度L形成2mm以上。而且，胴體部 3 4是形成帶狀，並且從安裝部朝斜上方傾斜而延伸。因 此，接觸部3 6是沿著鉛直方向位於比安裝部3 2及胴體部 3 4、接觸部3 6高的位置。 如第42圖及第43圖、第44圖所示，各電極30是以 藉由安裝部32彈性夾住真空外圍器1 0之例如背面基板 1 2之周緣部的狀態安裝在真空外圍器1 〇。各電極3 0的接 觸部3 6是分別接觸並電性導通於密封層2 1。胴體部3 4 是從接觸部3 6延伸至真空外圍器1 0的外側’而導通部 3 8是與背面基板1 2之側面相對向，並且露出在真空外圍 器1 0的外面。這一對電極3 0是分別設在真空外圍器1 〇 之對角方向之分開的兩個角部’並且相對於密封層2 1配 -40- (37) 1278886 置成對稱狀態。 上述FED的其他構成與前述第1實施形態相同，在 同一部分是附上同一參照符號而省略其詳細說明。 接下來，針對第1 0實施形態的FED之製造方法加以 詳細說明。在此是以與第1實施形態之製造方法不同的部 分爲中心加以說明。 首先，與第1實施形態同樣準備形成有螢光屏幕1 6 及金屬襯墊17的前面基板11、以及形成有電子發射元件 22的背面基板1 2。接下來，在大氣中利用低熔點玻璃i 9 將側壁1 8及支持構件1 4密封在背面基板1 2的內面上。 然後，在側壁1 8之密封面的全周以預定的寬度及厚度塗 布銦而形成密封層2 1 a。在前面基板1 1之相對向於側壁 的密封面以預定的寬度及厚度將銦塗布成矩形框狀而形成 密封層2 1 b。 接下來，如第4 5圖所示，將一對電極3 0安裝在接合 有側壁1 8的背面基板1 2。此時，各電極3 0的接觸部3 6 並不會接觸於密封層2 1 a，而是安裝成與密封層保持間隙 而相對向的狀態。電極3 0在基板上需要一對+極與-極， 而且在一對電極間並列通電的密封層2 1 a、2 1 b的各個通 電路徑最好是使其長度相等。因此，一對電極3 0是安裝 在背面基板1 2之對角方向之相對向的兩個角部，位於電 極間的密封層2 1 a、2 1 b的長度在各電極的兩側是設定成 大致相等。 安裝好電極3 0之後，使背面基板1 2、前面基板1 1 -41 - (38) 1278886 保持預定間隔而對向配置，並且在此狀態下投入第9圖所 示的真空處理裝置100內。前面基板11及背面基板12會 經由裝載室1 0 1被送至烘烤、電子射線洗淨室1 02。在烘 烤、電子射線洗淨室102是將各種構件加熱至3 00 °C的溫 度，使各基板的表面吸附氣體放出。同時，從電子射線產 生裝置將電子射線照射在前面基板1 1的螢光屏幕面、以 及背面基板1 2的電子發射元件面，並且分別對於螢光屏 幕面及電子發射元件面全面進行電子射線洗淨。 在烘烤步驟當中，密封層2 1 a、2 1 b會因爲加熱而暫 時熔融而具有流動性，但各電極3 0的接觸部3 6是不與密 封層2 1 a、2 1 b接觸，並且保持間隙而相對向。因此，可 抑制熔融的銦通過電極3 0流出至背面基板1 2的外側。 經過烘烤及電子射線洗淨的前面基板1 1及背面基板 12會被送到冷卻室1〇3，在冷卻至大約120°C的溫度之後 ，會被送到吸氣膜的蒸鍍室1 04。在此蒸鍍室1 04是在金 屬襯墊1 7的外側蒸鍍形成B a膜以作爲吸氣膜2 7。B a膜 可防止表面受到氧或碳等的污染，且可維持活性狀態。 接下來，前面基板1 1及背面基板1 2會被送到組裝室 i 05。如第46圖所示，在此組裝室105當中，前面基板 1 1及背面基板1 2是以對向配置的狀態分別保持在組裝室 內的加熱板1 3 1、1 3 2。前面基板1 1是藉由固定治具1 3 3 固定於上側的加熱板1 3 1以免落下。 然後，使前面基板1 1及背面基板12維持大約120 °C 的狀態，使其朝相互接近的方向移動，並且以預定的壓力 •42- (39) 1278886 加壓。基板的移動方法可以是使前面基板1 1及背面基板 12雙方移動而相互接近的方法、或是使前面基板及背面 基板之任一方移動而相互接近的方法任一種。 如第47圖所示，藉由以預定的壓力加壓，使前面基 板1 1側的密封層2 1 b與背面基板1 2側的密封層2 1 a相互 接觸，同時將各電極3 0的接觸部3 6夾在密封層2 1 a、 2 1 b之間，使各電極3 0電性連接於密封層2 1 a、2 1 b。此 時，由於接觸部3 6是形成2mm以上的水平方向長度，因 此可穩定接觸於密封層2 1 a、2 1 b。此外，藉由事先在電 極3 0的接觸部3 6塗布銦，相對於密封層可獲得更爲良好 的接觸及通電狀態。 在此狀態下，如第1 〇圖所示，將電源1 20電性連接 於一對電極3 0之後，分別在側壁1 8側的密封層2 1 a及前 面基板11側的密封層21b以定電流模式施加例如140A 的直流電流。藉此加熱密封層2 1 a、2 1 b，使銦熔融。此 時，藉由使連接於電源120的連接端子40接觸於電極30 的導通部38，可使電源與電極、以及電極與密封層21a、 21b確實導通。而且，各電極30是等效接觸於密封層21a 、2 1 b，因此可穩定通電，且可在各個密封層流通大致等 量的電流，並且使其均等加熱熔融。 藉由使銦熔融，使密封層2 1 a、2 1 b融合而形成密封 層2 1，並藉由此密封層密封前面基板1 1之周緣部及側壁 1 8。藉由上述步驟而密封的前面基板1 1、側壁1 8、以及 背面基板12在冷卻室106會冷卻至常溫’並且從卸載室 -43- (40) 1278886 107被取出。藉此即完成FED的真空外圍器1〇。 此外’完成真空外圍器1 〇之後，如果需要亦可切除 一對電極3 0。 根據如以上構成的FED及其製造方法，通電加熱時 可經由安裝在背面基板的電極3 0對於密封層2 1流通穩定 的電流。因此，密封時，能以預定的通電時間使構成密封 層的導電性低熔點密封材料穩定且確實熔融，結果便可進 行迅速且確實的密封而不會在密封層21發生龜裂等。 藉由並用烘烤及電子射線洗淨，可充分放出表面吸附 氣體，且可獲得吸附能力佳的吸氣膜。而且，藉由對於銦 通電加熱而進行密封、接合，便不需要加熱前面基板及背 面基板全體，而可使基板全體維持低溫，同時可在短時間 穩定進行密封作業。同時，可解決吸氣膜之劣化、基板在 密封步驟中破裂等的不良狀況。 在密封前的狀態下，電極的接觸部並不會接觸於密封 層，而是與密封層保持間隙而相對向。因此，在烘烤步驟 等，即使是密封材熔融的情況下，也可防止此熔融的密封 材通過電極而流出至外部。因此，可使密封層全周維持均 一的厚度，且可防止密封材流出所導致的配線短路等。由 此便可廉價獲得一種量產性佳，同時可獲得穩定且良好之 畫像的FED。 上述第1 〇實施形態當中，各電極3 0是使接觸部3 6 及胴體部34形成具有同一寬度的帶狀。如第48圖所示’ 胴體部34亦可形成比接觸部36之寬度狹窄的寬度。在此 -44- (41) 1278886 ’胴體部3 4是形成全長具有均一寬度的帶狀。另外，如 第49圖所示，胴體部34亦可使與接觸部36連接的部分 形成比接觸部的寬度狹窄的寬度，並且由此接觸部朝向安 裝部3 2使寬度逐漸變寬。 如上所述，藉由使用胴體部3 4之寬度，尤其至少與 接觸部3 6連接的部分當中的胴體部之寬度比接觸部之寬 度狹窄的電極3 0，通電加熱時，可將胴體部3 4的發熱經 由接觸部3 6快速傳達至密封層。因此，可更爲穩定地對 於密封層通電，而可使整個密封層升溫至大致均一的狀態 ，且可迅速且確實進行接合。 在此是縮小胴體部3 4的寬度，但亦可在胴體部形成 開孔或切口來控制，亦可削薄胴體部的厚度來控制。另外 ，亦可在胴體部及其以外的部分變更材質等，並藉由板材 的重疊來控制發熱。 上述第1〇實施形態當中，各電極30的安裝部是一體 具有夾子狀的挾持部的構成，但亦可如第5 0圖及第5 1圖 所示爲具有用來作爲挾持部的其他夾子4 6的構成。亦即 ，電極30具有接觸部36、胴體部34以及平坦的基座部 3 9，這些是將板材折彎而一體形成。而且，電極3 〇的安 裝部是由基座部39及其他的夾子46所構成。而且，電極 30是藉由夾子46夾住基座部39及基板的周緣部，在此 是夾住背面基板1 2的周緣部而安裝在背面基板1 2。 在第48圖至第51圖所示的變形例當中，其他構成與 前述實施形態相同，在同一部分是附上同一參照符號而省 -45- (42) 1278886 略其詳細說明。而且，這些實施形態也可獲得與前述實施 形態同樣的作用效果。 ’ 第1 0實施形態是將一對電極安裝在背面基板之相對 向的對角部分，並且在加壓兩個基板的狀態下對於密封層 通電的構成，但並不限於此，亦可以是在前面基板側也安 裝一對電極，並且對於背面基板側及密封層分別通電而加 熱熔融的構成。 在此情況下，如第52圖所示，被送到組裝室的前面 基板1 1及背面基板1 2在固定於加熱板1 3 1、1 3 2上，並 且對向配置之後，會朝向相互接近的方向移動。安裝在背 面基板1 2的電極3 0的接觸部會電氣性接觸於前面基板 1 1側的密封層2 1 b，安裝在前面基板1 1的電極3 0的接觸 部會電氣性接觸於背面基板1 2側的密封層2 1 a。此時， 前面基板1 1側的密封層2 1 b與背面基板1 2側的密封層 2 1 a是保持在互不接觸的狀態。 在此狀態下，通過電極3 0對於密封層2 1 a、2 1 b施加 電流，藉此密封層2 1 a及密封層2 1 b會分別各自熔融。熔 融後，停止通電，並且使兩基板1 1、1 2再朝向相互接近 的方向移動而加壓，藉此使密封層2 1 a、2 1 b融合而形成 密封層21，並藉由此密封層2 1密封前面基板1 1的周緣 部及側壁1 8。 亦可以是將兩對電極安裝在一方基板，並且利用一對 電極對於背面基板1 2側的密封層2 1 a通電，利用另一方 的一對電極對於前面基板1 1側的密封層2 1 b通電的構成 -46 - (43) 1278886 在此情況下，如第5 3圖所示，將兩對電極3 0安裝在 背面基板1 2。被送到組裝室的前面基板1 1及背面基板1 2 在固定於加熱板1 3 1、1 3 2，並且對向配置之後，會朝向 相互接近的方向移動。安裝在背面基板1 2的電極當中的 一對電極的接觸部3 6會電氣性接觸於前面基板1 1側的密 封層21b。另一對電極30則是如第54圖所示，在電極的 胴體部34形成有凸狀部分47。當前面基板1 1及背面基 板1 2朝相互接近的方向移動時，凸狀部分47會抵接於前 面基板1 1的周緣部，電極的接觸部3 6會朝背面基板1 2 側的密封層2 1 a方向移動，並且電氣性接觸於此密封層 2 1 a。此時，前面基板1 1側的密封層2 1 b與背面基板1 2 側的密封層2 1 a會保持在互不接觸的狀態。 在此狀態下，藉由從電極3 0將電流施加於密封層 2 1 a、2 1 b，密封層2 1 a、2 1 b會分別受到加熱而熔融。熔 融後，停止通電，並且使前面基板1 1及背面基板1 2再朝 向相互接近的方向移動而加壓。藉此使密封層2 1 a、‘2 1 b 融合而形成密封層2 1，並藉由此密封層密封前面基板1 1 的周緣部及側壁1 8。 此外，在第5 2圖、第5 3圖及第5 4圖所示的變形例 當中，其他構成與前述第1 0實施形態相同，在同一部分 是附上同一參照符號而省略其詳細說明。上述變形例也可 獲得與前述實施形態同樣的作用效果。
另一方面，上述各實施形態當中，亦可在結束FED -47- (44) 1278886 之真空外圍器的密封之後，從真空外圍器除去電極。根據 本發明第1 1實施形態的製造方法，是在密封後從真空外 圍器1 〇切除電極3 0的構成。例如，第10實施形態當中 ，密封後，外圍器1 0是從真空處理裝置的卸載室1 07被 取出。在此外圍器1 0仍有電極3 0穩固接合於密封層2 ! 。因此，藉由以下的步驟將這些電極3 0從外圍器1 〇去除 〇 首先，如第55圖所示，在電極30與密封層21的交 界插入超音波切割機60的刀刃，並且對於位在電極之接 觸部3 6周圍的密封層2 1進行超音波切斷而加以去除。使 用超音波切割機6 0的情況下，由於超音波振動，刀刃與 密封層2 1的摩擦力會變小，因此幾乎不需要加壓即可容 易切斷去除密封層。 如上述去除電極30之接觸部36周圍的密封層時，電 極與密封層的接合力會變弱。在此狀態下，如第5 6圖所 示，藉由未圖示的保持治具夾住電極30的安裝部32，並 且朝箭頭方向拉出。藉此即可從外圍器1 0機械性去除電 極3 0而不會損傷基板或密封層。 如上述構成的FED由於去除電極30，因此在密封層 2 1會殘留與配置有電極之接觸部3 6的痕跡對應的凹部4 1 。亦即，如第57圖及第58圖所示，在密封層21當中， 位於真空外圍器1 0之對角方向之相對向的兩個角部40a 、4 0b的兩個部位會形成例如寬度分別爲5mm、深度大約 1 mm的凹部4 1，並且分別朝向真空外圍器的外側開口。 -48 - (45) 1278886 因此，密封層21在真空外圍器的角部40a、40b是使 其寬度部分變得狹窄。 •第1 1實施形態當中，其他構成與前述第1 0實施形態 相同，在同一部分是附上同一參照符號而省略其詳細說明 〇 根據如以上構成的第11實施形態的製造方法及FED ，可獲得與前述實施形態同樣的作用效果。藉由去除在密 封後的FED變成不需要之零件的電極，可獲得外圍器之 處理變得簡單的優點。例如，將FED作爲螢幕組裝於機 殼時，可防止電極形成妨礙。且可解決電極從基板突出的 部分傷害其他裝置或作業員、或是負荷經由電極作用於外 圍器並破壞外圍器等的問題。再者，不需要爲了可對應於 電極而改造搬送裝置等，因而可降低製造成本。 藉由進行超音波切割機等的超音波振動切斷，可去除 電極周圍的密封材，且可容易拆除電極。 上述第11實施形態當中，從真空外圍器10去除電極 3 〇時是使用超音波切割機，但亦可藉由以下的方法加以 去除。亦即，如第5 9圖所示，使連接於超音波產生源6 2 的超音波振動子64接觸於電極30，直接使電極30超音 波振動。在此情況下，電極3 0本身可發揮超音波切割機 之刀刃的作用，並對於電極的接觸部3 6與密封層2 1的界 面進行超音波振動切斷。藉此即可去除電極3 0周圍的密 封材，且可容易拆除電極。 亦可在密封層21當中，使密封的電極3 0之接觸部 -49- (46) 1278886 3 6附近的區域局部加熱而軟化，並且使電極與密封層2 1 的接合力變弱的狀態下，從密封層拉出電極。這是藉由感 應加熱電極3 0之接觸部3 6附近的密封層2 1來進行。亦 即，如第60圖所示，密封後，例如在電極3 0的附近與真 空外圍器1 0的前面基板1 1鄰接相對向而配置感應加熱線 圈6 6。藉由將高頻施加於感應加熱線圈6 6，經由前面基 板1 1對於密封層21進行高頻加熱，使密封層部分軟化。 在此情況下，事先藉由未圖示的保持治具夾住電極 3 〇的安裝部3 2，然後朝基板外側方向施加較弱的拉力。 如此一來，當密封層21軟化時，電極3 0與密封層2 1的 接合力就會變弱，而可拉出電極30。拉出電極30之後， 停止感應加熱線圈6 6的通電而從真空外圍器1 〇離開，藉 此使密封層2 1之受到加熱的部分快速冷卻，並完成FED 的真空外圍器1 0。 第6 0圖所示的實施形態當中，亦可對於電極3 0之接 觸部3 6附近的密封層2 1進行感應加熱而使其熔融之後， 機械性去除電極。在此情況下，如果加熱時間長，密封層 2 1的廣大區域會熔融而流出，而有可能破壞外圍器的氣 密密封。因此，最好在3至3 0秒左右的時間進行加熱。 如果時間短，則只有電極3 0之接觸部3 6附近的密封材會 熔融’而可在確保外圍器1 0之真空氣密性的狀態下去除 電極3 0。 再者’亦可藉由局部加熱器或其他方法而非感應加熱 來加熱電極周圍。 -50- (47) 1278886 在第59圖及第60圖所示的實施形態當 與前述第1 1實施形態相同，在同一部分是 符號而省略其詳細說明。 其他，亦可在FED當中，於密封層21 的位置或電極的形狀形成有第6 1 A圖至第 凹部4 1。根據第6 1A圖所示的變形例，側| 2 1的角部是形成直角，凹部4 1是形成在密 並且形成朝對角方向延伸的矩形狀。根據第 變形例，側壁1 8及密封層21的角部是形 4 1是形成將密封層之角部截角的形狀，並 延伸。 根據第6 1 C圖所示的變形例，側壁1 8】 角部是形成圓弧狀，凹部4 1是形成在密封 且形成朝對角方向延伸的矩形狀。根據第 變形例，側壁1 8及密封層21的角部是形成 4 1的底面部分是形成在密封層的角部，並 方向突出成圓弧狀的形狀。再者，根據第6 : 形例，側壁1 8及密封層2 1的角部是形成 4 1是形成將密封層之角部截角的形狀，並 延伸。 另外，凹部4 1亦可依所使用的電極之 述以外的其他形狀。而且，電極3 0只要設） 之各個通電路徑長度相等，則不限於外圍器 亦可配置在長邊或短邊的中央部。在此情抒 中，其他構成 附上同一參照 因應配置電極 6 1 E圖所示的 I 1 8及密封層 封層的角部， 6 1 B圖所示的 成直角，凹部 且朝對角方向 泛密封層2 1的 層的角部，並 6 1 D圖所示的 圓弧狀，凹部 且形成朝對角 I E圖所示的變 圓弧狀，凹部 且朝對角方向 形狀，形成上 定成密封層2 1 的角部，例如 己下，凹部 4 1 -51 - (48) 1278886 是對應於電極3 0的配置位置而形成在密封層21的長邊或 短邊的中央部。凹部41的位置或形狀可任意設定。 在前述組裝室1 05進行密封時，亦可對於設在前面基 板1 1及背面基板1 2的密封層2 1 a、2 1 b分別通電，並且 在密封材熔融之後，使兩基板朝相互接近的方向以所希望 的壓力加壓而密封。在此情況下，兩片基板需要兩對、四 個電極3 0。這些電極是分別安裝在例如背面基板1 2的四 個角部，一對電極是用來對於設在背面基板1 2的密封層 2 1 a通電，另一對電極是用來對於設在前面基板1 1的密 封層2 1 a通電。因此，密封後，在去除電極之後，於真空 外圍器1 0的密封層2 1形成有四個凹部4 1。 此外，此凹部的數量並不限於上述兩個部位或四個部 位，而可因應所使用的電極數而設定爲任意數量。例如， 利用四個接觸部分成兩股的電極進行通電密封的情況下， 凹部會形成八個部位。 上述第1 1實施形態是從真空外圍器去除所有電極的 構成，但亦可在殘留一部分的狀態去除電極。根據本發明 第1 2實施形態的製造方法，是在胴體部的中途切斷電極 3 〇 ’並且留下接觸部3 6而從外圍器去除電極的其他部分 〇 詳言之，例如藉由與前述第1 0實施形態同樣的步驟 而密封的前面基板1 1、側壁1 8及背面基板1 2會被送到 真空處理裝置的冷卻室1 06，並且冷卻至常溫。在此狀態 下，電極3 0的接觸部3 6是穩固接合於密封層2 1。如第 -52- (49) 1278886 62圖所示，在冷卻室106配設有自動化切割機70。使自 動化切割機70夾住電極3 0的胴體部3 4而延伸，並藉由 此自動化切割機在接觸部3 6附近切斷胴體部3 4。 接下來，如第6 3圖所示，利用未圖示的保持治具夾 住被切斷的電極3 0的安裝部3 2，並且朝箭頭方向拉出而 從背面基板1 2拆除。藉此在外圍器1 0側留下電極3 0的 接觸部3 6及胴體部3 4的一部分，並且使包含安裝部3 2 的電極的其他部分從外圍器脫離。電極3 0當中接觸部3 6 以外的部分由於僅是彈性夾在背面基板1 2的構成，因此 可容易拆除而不會損傷基板或密封層2 1。切斷電極3 0的 前端部之後，外圍器1 0會被送到卸載室1 07，並且從卸 載室107被取出。藉此即完成FED的真空外圍器10。 如上述構成的FED是去除電極30的大部分，藉此在 真空外圍器10的兩個角部分別只留下包含電極30之接觸 部36及胴體部34之一部分的導電體片71。 第1 2實施形態當中，其他構成與前述第丨〇實施形態 相同，在同一部分是附上同一參照符號而省略其詳細說明 〇 根據以上所構成的第U實施形態的製造方法及fed ’可獲得與則述實施形態同樣的作用效果。而且，藉由去 除在密封後的FED變成不需要零件之電極的大部分，在 外圍器的角部會殘留電極前端部，但該區域是極爲狹窄的 範圍’因此可獲得外圔器之處理變得簡單的優點。例如， 將FED作爲螢幕而組裝於機殻時，可防止電極形成妨礙 -53- (50) 1278886 。且可解決電極從基板突出的部分傷害其他裝置或作業員 、或是負荷經由電極作用於外圍器並破壞外圍器等的問題 。再者，不需要爲了可對應於電極而改造搬送裝置等，因 而可降低製造成本。切斷電極30之後從真空外圍器加以 拆除，藉此可容易拆除電極而不會損傷密封層或基板。 此外，上述第1 2實施形態是在真空處理裝置的冷卻 室內切斷及去除電極的構成，但亦可在冷卻室內切斷電極 ，並且通過卸載室將外圍器取出至外部之後，藉由手動操 作從背面基板1 2拆除電極的切斷部分。 而且，雖是利用安裝在真空處理裝置之冷卻室的自動 化切割機來切斷電極的構成，但不限於此，亦可爲準備與 真空處理裝置分開之用來切斷去除電極的裝置，並藉由該 裝置進行切斷的構成。電極薄而可容易切斷的情況下，亦 可藉由切割機等由操作員以手動操作進行切斷。 上述實施形態當中，亦可分別設置對於背面基板側的 密封層2 1 a通電的一對電極、以及對於前面基板側的密封 層2 1 b通電的一對電極，並且利用兩對四個電極對於密封 層通電。在此情況下，就會形成在完成後的FED會留下 四個相當於電極前端部的導電體片7 1的構成。關於電極 的位置或形狀、個數當然也不限於上述實施形態。 接下來，針對本發明第1 3實施形態的FED之製造方 法及製造裝置加以說明。第64圖顯示藉由本實施形態所 製造的FED。FED的其他構成與前述實施形態所示的FED 相同，在同一部分是附上同一參照符號而省略其詳細說明 -54- (51) 1278886 第13實施形態的FED之製造方法是首先，與前述實 施形態同樣準備形成有螢光屏幕1 6及金屬襯墊！ 7的前面 基板1 1、以及形成有電子發射元件22的背面基板1 2。 在大氣中利用低熔點玻璃將側壁1 8及支持構件1 4密 封在背面基板1 2的內面上。然後，在側壁1 8之密封面的 全周以預定的寬度及厚度塗布銦而形成矩形框狀的密封層 2 1 a。在前面基板1 1之相對向於側壁的密封面以預定的寬 度及厚度將銦塗布成矩形框狀而形成與背面基板1 1側之 密封層2 1 a對應的矩形框狀密封層2 1 b。 接下來，如第6 5圖所示，在接合有側壁1 8的背面基 板1 2安裝通電用的一對電極3 0。各電極3 0是對於例如 0.2mm厚度的銅板進行彎曲加工而形成，以作爲導電構件 。各電極30 —體具有：可夾住背面基板12之周緣部而安 裝的安裝部3 2 ;由後述保持治具所保持的舌片部44 ;以 及可接觸於密封層2 1 a的接觸部3 6。各電極3 0是以藉由 安裝部3 2彈性夾住背面基板1 2之周緣部的狀態安裝在背 面基板。此時，使各電極3 0的接觸部3 6接觸於形成在側 壁1 8的密封層2 1 a，並且使電極電性連接於密封層。舌 片部44是從背面基板1 2朝外側突出。 將一對電極3 0安裝在背面基板1 2之後，使背面基板 1 2、前面基板1 1保持預定間隔而對向配置，並且在此狀 態下投入真空處理裝置內。在此是使用例如第9圖所示的 真空處理裝置100。 -55- 1278886 (52) 保持預定間隔而配置的上述前面基板11及背 12是先被投入裝載室101。然後，在裝載室101內 形成真空環境之後，會被送到烘烤、電子射線洗淨 〇 在烘烤、電子射線洗淨室1 02是將各種構件 3 00 °C的溫度，使各基板的表面吸附氣體放出。同 裝在烘烤、電子射線洗淨室1 02的未圖示電子射線 置，將電子射線照射在前面基板11的螢光屏幕面 背面基板1 2的電子發射元件面。該時，利用安裝 射線產生裝置外部的偏向裝置對於電子射線進行偏 ，藉此對於螢光屏幕面及電子發射元件面全面分別 子射線洗淨。 進行過電子射線洗淨的前面基板11及背面基板 被送到冷卻室103，並且在冷卻至大約12(TC的溫 ，會被送到吸氣膜的蒸鍍室104。在此蒸鍍室104 光體層的外側蒸鍍形成鋇膜以作爲吸氣膜。鋇膜可 面受到氧或碳等的污染，且可維持活性狀態。 接下來，前面基板1 1及背面基板1 2會被送到 105。在組裝室105內部是如第66圖及第67圖所 有：用來保持及加熱兩基板的加熱板1 3 1、1 3 2 ; 方向驅動下側之加熱板1 3 2的驅動機構1 5 0 ;用來 封層通電的配線134 ;分別與一對電極30接觸的 觸電極1 3 5 ;夾住一對電極3 0而加以保持的保持裝 ;朝上下及面內方向驅動保持裝置1 3 6的驅動機構 面基板 的環境 室1〇2 加熱至 時從安 產生裝 、以及 在電子 向掃描 進行電 [1 2會 度之後 是在螢 防止表 組裝室 示設置 朝上下 對於密 一對接 置136 137 ； -56- (53) 1278886 以及朝面內方向，也就是與基板表面平行的方向移動基板 的複數個傳動輪1 3 8。接觸電極1 3 5是安裝於下側的加熱 板132。配線134是連接於設在組裝室105外部的電源 120 ° 被送到組裝室1 05的前面基板1 1及背面基板1 2是先 由傳動輪1 3 8機械性定位在各個加熱板1 3 1、1 3 2。此時 ，前面基板1 1在搬送治具上定位之後是藉由眾所週知的 靜電吸附技術吸附固定在加熱板1 3 1以免落下。背面基板 1 2是設置在下側的加熱板1 3 2之後，由傳動輪1 3 8定位 。同時，一對電極3 0的舌片部44是接觸並電性連接於各 自對應的接觸電極1 3 5。 完成前面基板1 1與背面基板1 2的相互位置對準之後 ，加熱板驅動機構1 5 0會使背面基板1 2朝前面基板1 1方 向移動，並且以預定的壓力加壓。藉此，將各電極30的 接觸部3 6夾入前面基板1 1及背面基板1 2的密封層2 1 b 、2 1 a間，各電極會同時電氣性接觸於兩基板的密封層。 在此狀態下，從電源1 2 0通過電極3 0以定電流模式 對於密封層2 1 a、2 1 b通電1 40A的直流電流。藉此，銦會 受到加熱而熔融，使前面基板1 1及背面基板1 2密封成氣 密狀態。停止通電之後，如第67圖所示，驅動機構137 會使保持裝置1 3 6移動至電極3 0的舌片部44，並藉由保 持裝置夾住舌片部44。然後，驅動機構1 3 7會使保持裝 置1 3 6沿著與背面基板1 2之表面平行的方向與電極3 0 — 同朝基板外方向移動，並且使各個電極3 0從熔融狀態的 -57- 1278886 (54) 銦及背面基板1 2離開。停止通電之後就是處於銦熔融的 狀態，而可使電極3 0容易從密封層脫離。電極3 0分開後 ，使密封層21保持在該狀態時，熔融的銦會凝固，並且 形成外圍器1 〇。密封後的外圍器1 0會被送到冷卻室1 〇 6 ，並且冷卻至常溫，然後從卸載室1 0 7被取出。藉由以上 的步驟即完成FED的真空外圍器1〇。 如以上所述，根據第1 3實施形態的FED之製造方法 及製造裝置，由於是在真空環境中進行前面基板11及背 面基板1 2的密封、接合，因此可藉由並用烘烤及電子射 線洗淨充分放出表面吸附氣體，且可獲得吸附能力佳的吸 氣膜。由於是藉由對於銦通電加熱而進行密封、接合，因 此不需要加熱前面基板及背面基板全體，而可解決吸氣膜 之劣化、基板在密封步驟中破裂等的不良情況。同時，可 謀求密封時間的縮短，而成爲量產性佳的製造方法。通電 後藉由在組裝室內使電極從銦脫離，電極就不會殘留在密 封後的FED。因此，可防止例如將FED作爲螢幕組裝於 機殼時形成妨礙、或是外圍器因爲電極而破壞的不良情況 的發生。因此具有密封後之外圍器的處理變得簡單的優點 〇 上述第1 3實施形態是將一對電極3 〇安裝在背面基板 1 2之後，投入真空處理裝置內，但並不限於此，亦可以 是將通電用的電極設置於真空處理裝置內，且在基板不安 裝電極而投入真空處理裝置內的製造方法及製造裝置。 如第6 8圖所示，本發明第1 4實施形態的F E D之製 -58- (55) 1278886 造裝置具有：用來固定而加熱保持兩基板的加熱板1 3 1、 132 ;朝上下方向驅動下側之加熱板132的驅動機構150 ;用來對於密封層通電的配線134及電極145 ;朝向與基 板表面平行的方向及垂直於基板表面的方向驅動電極1 45 的驅動機構1 3 7 ;以及使基板朝向與其表面平行的方向移 動並且加以定位的複數個傳動輪1 3 8。通電配線1 3 4是連 接於組裝室外部的電源1 20。製造裝置的其他構成與前述 第1 3實施形態相同，在同一部分是附上同一參照符號而 省略其詳細說明。 第14實施形態當中，被送到組裝室105的前面基板 1 1及背面基板1 2是先由傳動輪1 3 8機械性定位在各自對 應的加熱板1 3 1、1 3 2。此時，前面基板1 1在搬送治具上 定位之後是藉由眾所週知的靜電吸附技術吸附在加熱板 1 3 1以免落下。 接下來，電極驅動機構1 3 7及加熱板驅動機構1 5 0會 使電極1 45及背面基板1 2朝前面基板1 1方向移動，並且 以所希望的壓力加壓。藉此將各電極1 45夾入兩基板的密 封層2 1 a、2 1 b間，且各電極會同時電氣性接觸於兩基板 的密封層。 在此狀態下，從電源120通過電極145對於密封層 2 1a、2 1b以定電流模式通電140A的直流電流。藉此，銦 會受到加熱而熔融，使前面基板1 1及背面基板1 2密封成 氣密狀態。停止通電之後，電極驅動機構1 3 7會使電極 1 4 5朝基板外方向移動，並且使其從熔融狀態的銦分開。 -59- 1278886 (56) 停止通電之後就是處於銦熔融的狀態，因而可使電極1 4 5 容易從銦脫離。電極分開後，使該狀態保持數分鐘時，熔 融的銦會凝固，並且形成外圍器1 0。密封後的外圍器i 〇 會被送到冷卻室1 0 6，並且冷卻至常溫，然後從卸載室 1 〇 7被取出。 第1 4實施形態當中，其他構成與第1 3實施形態相同 ，同一部分的說明則予以省略。 根據上述構成，用來通電的電極145是設置在組裝室 105內，且在通電後會從密封層脫離。因此與第13實施 形態同樣，電極不會殘留在密封後的FED。且可防止將 FED作爲螢幕組裝於機殻時使電極形成妨礙、或是外圍器 因爲電極而破壞的問題。 第1 4實施形態當中，亦可以是將電極設定爲兩對四 個，並且使各一對接觸於前面基板側啲密封層-及背面基喷-的密封層而通電，並且在電極脫離後對於兩片基板加壓的 步驟。電極的位置及形狀、個數當然不限於上述實施例。 本發明並不限定於上述各種實施形態，而可在本發明 的範圍內進行各種變形。上述複數個實施形態是使用將側 壁夾入前面基板與背面基板之構成的真空外圍器’但亦可 以是使側壁與前面基板或背面基板一體化的構成、或是使 側壁從側面覆蓋前面基板及背面基板而接合的_成°再1者1 ，藉由密封材之通電加熱而密封的密封面亦可爲前面基板 與側壁之間、以及背面基板與側壁之間兩面。 上述實施形態是使前面基板側的密封材與背面基板側 -60- (57) 1278886 的密封材接觸而進行通電加熱，但亦可在非接觸狀態下對 於這些密封材進行通電加熱之後，使其在固化以前的期間 接合。螢光屏幕的構成、以及電子發射元件的構成並不限 於本發明之實施形態’亦可爲其他構成。 而且，密封材並不限於銦，只要具有導電性則亦可爲 其他材料。只要是一般的金屬，由於在相變化時會產生激 烈的電阻値變化，因此可用來作爲密封材料。例如可使用 至少包含 In、Sn、Pb、Ga、Bi之任一個的金屬、合金來 作爲密封材。 上述FED是具有一對或兩對電極的構成，但亦可爲 具有事先安裝於外圍器之至少一個電極的構成、或是在密 封步驟中將其他所需的電極安裝在外圍器，並且通電加熱 的構成。另外，複數個電極只要是以位於電極間的密封層 之通電路徑形成相等長度的方式而配置.，或是相對於密封 層配設在對稱的位置即可，並不限於外圍器的角部，亦可 設在其他位置。 上述實施形態是在背面基板側及前面基板側雙方分別 設置由銦所構成的密封層的構成，但亦可爲僅於任一方設 置密封層的狀態下密封前面基板與背面基板的構成。 真空外圍器的外形及支持構件的構成並不限於上述實 施形態。亦可爲形成矩陣狀的光吸收層及螢光體層，並且 使剖面爲十字形的柱狀支持構件定位於光吸收層而加以密 封的構成。電子發射元件亦可使用pn型的冷陰極元件或 表面傳導型的電子發射元件等。上述實施形態是針對在真 -61 - 1278886 (58) 空環境中接合基板的步驟加以說明，但亦可在其他環境實 施。 ， 本發明並不限於FED’亦可適用在SED或PDP等其 他畫像顯示裝置、或是外圍器內部不是高真空狀態的畫像 顯示裝置。 (產業上的利用可能性） 根據以上所說明的本案發明，可提供一種可穩定且迅 速進行密封作業’可靠性高，且可實現良好畫像顯示的畫 像顯示裝置，畫像顯示裝置之製造方法及製造裝置。 【圖式簡單說明】 第1圖是本發明第1實施形態之FED全體的斜視圖 第2圖是上述FED的內部構成斜視圖。 第3圖是第1圖的III-III線剖視圖。 第4圖是上述FED的螢光屏幕之一部分的放大俯視 圖。 第5圖是上述FED的電極的斜視圖。 第6A圖及第6B圖是製造上述FED所使用的前面基 板及背面基板的俯視圖。 第7圖是將電極安裝於上述FED之背面基板時的斜 視圖。 第8圖是使在上述密封部配置有銦的背面基板及前面 -62- (59) 1278886 基板對向配置時的剖視圖。 第9圖是製造上述f E D所使用的真空處理裝置的槪 略圖。 第10圖是在上述FED的製造步驟當中，將電源連接 於F E D之電極時的模式俯視圖。 第1 1圖是本發明第2實施形態之FED的一部分斜視 圖。 第12A圖及第12B圖是上述第2實施形態的FED之 製造步驟的剖視圖。 第13圖是本發明第3實施形態的FED之製造步驟當 中，將電源連接於FED之電極時的模式俯視圖。 第14A圖及第14B圖是上述第3實施形態的FED之 製造步驟的剖視圖。 第1 5圖是本發明第4實施形態之FED全體的斜視圖 〇 第16圖是第15圖的XVI-XVI線剖視圖。 第17圖是上述FED的電極的斜視圖。 第18A圖及第18B圖是製造上述FED所使用的前面 基板及背面基板的俯視圖。 第1 9圖是使配置有銦的背面基板及前面基板對向配 置時的剖視圖。 第20圖是上述第4實施形態當中，電極之變形例的 剖視圖。 第2 1圖是上述第4實施形態當中，電極之其他變形 -63- 1278886 (60) 例的斜視圖。 · 第22圖是上述第4實施形態當中，上述其他變形例 的剖視圖。 第2 3圖是本發明第5實施形態之fed全體的斜視圖 〇 第24圖是第1 5圖的XXIV-XXIV線剖視圖。 第2 5圖是桌5實施形態的F e D的電極的斜視圖。 第2 6圖是上述第5實施形態當中，變形例之電極的 剖視圖。 第2 7圖是上述第5實施形態當中，其他變形例之電 極的斜視圖。 第2 8圖是上述第5實施形態當中，上述其他變形例 之電極的斜視圖。 第2 9圖是上述第5實施形態當中，又其他變形例之 電極的斜視圖。 第3 0圖是本發明第6實施形態之F E d的斜視圖。 第3 1 A圖是製造上述f E D所使用的前面基板的俯視 圖。 第3 1 B圖是製造上述f E D所使用的背面基板、側壁 、間隔件的俯視圖。 第32圖是上述第6實施形態之製造方法當中，前面 基板與側壁之密封步驟的剖視圖。 第3 3圖是上述第6實施形態當中，電極之變形例的 俯視圖。 -64 - (61) 1278886 第34A圖及第34B圖是上述第6實施形態當中，電 極之其他變形例的俯視圖。 第35圖是本發明第7實施形態的FED之製造方法的 剖視圖。 第3 6圖是上述第7實施形態當中，使用變形例之電 極的密封步驟的剖視圖。 第37圖是本發明第8實施形態的FED之製造方法的 剖視圖。 第3 8圖是上述第8實施形態當中，將電極插入基板 間時的剖視圖。 第3 9圖是上述第8實施形態當中，朝向相互接近的 方向加壓兩基板時的剖視圖。 第40圖是本發明第9實施形態的FED之製造方法的 剖視圖。 第4 1圖是上述第9實施形態當中，使電極接觸於密 封層之熔接部時的剖視圖。 第42圖是本發明第10實施形態之FED全體的斜視 圖。 第43圖是第42圖的XLIII-XLIII線剖視圖。 第44圖是第10實施形態的FED之電極的斜視圖。 第45圖是第1 0實施形態當中，將電極安裝於背面基 板時的斜視圖。 第46圖是第1 0實施形態當中，使配置有密封層的背 面基板與前面基板對向配置時的剖視圖。 -65- (62) 1278886 第4 7圖是第1 0實施形態當中’朝向相互接近的方向 加壓背面基板及前面基板’並且將電極的接觸部夾在密封 層間時的剖視圖。 第4 8圖是上述第1 〇實施形態當中，變形例之電極的 斜視圖。 第4 9圖是上述第1 0實施形態當中，其他變形例之電 極的斜視圖。 第5 0圖是上述第1 0實施形態當中，又其他變形例之 電極的斜視圖。 第5 1圖是上述第1 0實施形態當中，上述其他變形例 之電極的剖視圖。 第5 2圖是上述第1 0實施形態的變形例當中，使配置 有銦的背面基板與前面基板對向配置時的剖視圖。 第5 3圖是上述第1 0實施形態的其他變形例當中，使 配置有銦的背面基板與前面基板對向配置時的剖視圖。 第54圖是上述第1 0實施形態當中，變形例之電極的 斜視圖。 第5 5圖是本發明第丨丨實施形態當中，去除電極之步 驟的剖視圖。 第5 6圖是上述第丨1實施形態當中，去除電極之步驟 的剖視圖。 第5 7圖是上述第i i實施形態當中，去除電極後的 FED的斜視圖。 第5 8圖是上述第1 1實施形態當中，去除電極後的 -66 - 1278886 (63) F E D的剖視圖。 第59圖是上述第1 1實施形態的變形例當中，去除電 極之步驟的剖視圖。 第60圖是上述第1 1實施形態的其他變形例當中，去 除電極之步驟的剖視圖。 第6 1 A圖至第6 1 E圖是上述第1 1實施形態當中，形 成在FED之密封層的凹部之變形例的俯視圖。 第62圖是本發明第1 2實施形態當中，切斷電極之步 驟的剖視圖。 第63圖是上述第1 2實施形態當中，去除所切斷之電 極之步驟的剖視圖。 第64圖是本發明第1 3實施形態的FED的剖視圖。 第65圖是上述第1 3實施形態當中，將電極安裝於背 面基板時的斜視圖。 第66圖是上述第1 3實施形態的製造裝置的剖視圖。 第6 7圖是上述製造裝置的槪略斜視圖。 第68圖是上述第1 3實施形態當中，變形例之製造裝 置的剖視圖。 【主要元件對照表】 10 真空外圍器 13 吸氣膜 14 支持構件 16 螢光屏幕 67- (64) (64)1278886 17 金屬襯墊 1 9 低熔點玻璃 2 0 光吸收層 2 1、2 1 a、2 1 b 密封層 2 1 c延伸部 2 1 d熔接部 22 電子發射元件 2 3 配線 23a、23b 加壓裝置 24 導電性陰極層 24a、24b 供電端子 25 模槽 26 二氧化矽膜 27 吸氣膜 2 8 聞極 3 0 電極 3 0 a第1電極 30b第2電極 3 0c間隙 3〇d角部 3 1 導電性材料層 32 安裝部 3 3 a第1板部 3 3 b第2板部 (65) (65)1278886 34 胴體部 35 排出部 36 接觸部 3 6a第1接觸部 36b第2接觸部 36c > 36d 接觸部 37 流出限制部 38 導通部 39 基座部 40、40a、40b 連接端子 40a、40b 角部 4 1 凹部 42 開孔 44 舌片部 45 開縫 4 6 夾子 47 凸狀部分 60 超音波切割機 62 超音波產生源 6 4 超音波振動子 66 感應加熱線圈 70 自動化切割機 71 導電體片 100真空處理裝置 -69 - (66) (66)1278886 1 Ο 1裝載室 102烘烤、電子射線洗淨室 1 0 3冷卻室 104蒸鍍室 1 0 5組裝室 1 0 6冷卻室 1 0 7卸載室 1 2 0電源 122電腦 1 2 7感應加熱線圈 1 3 1、1 3 2 加熱板 1 3 3固定治具 1 3 4通電配線 1 3 5接觸電極 136保持裝置 1 3 7驅動機構 1 3 8傳動輪 1 4 5電極 1 5 0驅動機構 -70-