KR100686668B1 - 화상 표시 장치, 화상 표시 장치의 제조 방법 및 제조 장치 - Google Patents

Abstract

화상 표시 장치의 외위기는 전면 기판(11)과, 이 전면 기판에 대향 배치된 배면

기판(12)을 가지며, 도전성 봉착재를 함유한 봉착층(21)에 의해 전면 기판과 배면 기판의 주연부가 서로 봉착된다. 외위기에는 봉착층으로 통전하기 위한 전극(30)이 장착되어 있다. 전극은 도전 부재로 형성되며, 봉착층에 전기적으로 접촉되는 동시에 외부에 노출된 도통부(38)를 갖는다.

기판, 봉착재, 전극 부재, 외위기, 접촉부

Description

화상 표시 장치, 화상 표시 장치의 제조 방법 및 제조 장치{IMAGE DISPLAY DEVICE, IMAGE DISPLAY DEVICE MANUFACTURING METHOD, AND MANUFACTURING DEVICE}

본 발명은 대향 배치된 기판을 갖는 평면형 화상 표시 장치, 화상 표시 장치의 제조 방법, 화상 표시 장치의 제조 장치에 관한 것이다.

근래, 음극선관(이하, CRT라고 칭한다)을 대체하는 차세대 경량, 박형 표시 장치인 여러 화상 표시 장치가 개발되고 있다. 이와 같은 화상 표시 장치에는 액정의 배향을 이용하여 광의 강약을 제어하는 액정 디스플레이(이하, LCD라고 칭한다), 플라즈마 방전의 자외선을 통해 형광체를 발광시키는 플라즈마 디스플레이 패널(이하, PDP라고 칭한다), 전계 방출형 전자 방출 소자의 전자 빔을 통해 형광체를 발광시키는 필드 에미션 디스플레이(이하, FED라고 칭한다), 표면 전도형 전자 방출 소자의 전자 빔을 통해 형광체를 발광시키는 표면 전도 전자 방출 디스플레이(이하, SED라고 칭한다) 등이 있다.

예를 들면, FED나 SED는 일반적으로 소정의 간격을 두고 대향 배치된 전면 기판과 배면 기판을 갖는데, 이들 기판은 직사각형 프레임 형상의 측벽을 통해 주변부가 서로 접합되어 진공의 외위기(external device)를 구성한다. 전면 기판의 내면에는 형광체 스크린이 형성되고, 배면 기판의 내면에는 형광체를 여기하여 발 광시키는 전자 방출원인 다수의 전자 방출 소자가 설치되어 있다.

배면 기판과 전면 기판에 가해지는 대기압 하중을 지지하기 위하여 이들 기판의 사이에는 복수의 지지 부재가 설치되어 있다. 배면 기판측의 전위는 거의 어스 전위이며, 형광면에는 애노드 전압(Va)이 인가된다. 그리고, 형광체 스크린을 구성하는 적, 녹, 청의 형광체에 이미터로부터 방출되는 전자 빔을 조사하여 형광체를 발광시킴으로써 화상을 표시한다.

이와 같은 FED나 SED는 표시 장치의 두께를 수 mm정도까지 얇게 구성할 수 있으므로, 현재의 텔레비전이나 컴퓨터 디스플레이로 사용되고 있는 CRT에 비해 경량화, 박형화를 달성할 수 있다.

상기와 같은 FED나 SED는 외위기의 내부를 고진공으로 유지할 필요가 있다. 또한, PDP에서도 외위기의 내부를 일단 진공한 후, 방전 가스를 충전할 필요가 있다. 진공 외위기를 구비하는 FED를 제조하는 방법, 예를 들면 특개2000-229825호 공보, 특개2001-210258호 공보에는 외위기를 구성하는 전면 기판과 배면 기판의 최종 조립을 진공조 내에서 수행하는 방법이 개시되어 있다.

이 방법에서는 먼저 진공조 내로 보내진 전면 기판과 배면 기판을 충분히 가열한다. 이는 외위기의 진공도를 열화시키는 주 요인인 외위기 내벽으로부터의 가스 방출을 경감시키기 위해서이다. 다음에는 전면 기판과 배면 기판이 냉각되어 진공조 내의 진공도가 충분히 향상되었을 때, 외위기의 진공도를 개선, 유지시키기 위한 게터막을 형광면 스크린상에 형상한다. 그 후, 봉착 재료가 용해되는 온도까지 전면 기판과 배면 기판을 다시 가열하고, 전면 기판과 배면 기판을 소정 위치에 서 조립한 상태로 봉착 재료가 고화될 때까지 냉각한다.

이와 같은 방법으로 제작되는 진공 외위기는 봉착 공정과 진공 봉지(封止) 공정을 겸하고 있으며, 배기에 많은 시간이 불필요하고, 또한 극히 양호한 진공도를 얻을 수 있다. 또한, 봉착 재료로는 봉착, 봉지 일괄 처리에 적합한 저융점 재료를 사용하는 것이 바람직하다.

그러나, 이와 같이 진공중에서 조립을 수행하는 경우, 봉착 공정에서 수행되는 처리가 가열, 위치 맞춤, 냉각과 같이 여러 방면에 걸쳐 있으며, 또한 봉착 재료가 용해되어 고화되는 긴 시간동안 전면 기판과 배면 기판을 소정 위치로 계속 유지하여야 한다. 또한, 봉착시의 가열 냉각에 따라 전면 기판과 배면 기판이 열팽창하여 위치 맞춤 정밀도가 열화되기 쉬운 등, 봉착에 따르는 생산성, 특성면에서 문제가 있다.

이를 해결하기 위한 방법으로, 인듐 등의 도전성 봉착 재료에 통전하고 그 쥬울열을 통해 도전성 봉착 재료 자체를 발열, 용해시켜 기판을 결합하는 방법(이하, 통전 가열이라 칭한다)이 검토되고 있다. 이 방법에 따르면, 기판의 냉각에 많은 시간을 소비할 필요없이 단시간이며 간단한 장치로 외위기를 진공 봉착할 수 있다. 즉, 도전성 봉착 재료를 이용하면 기판을 가열하지 않고 열 용량이 작은 봉착재만을 선택적으로 가열할 수 있으므로, 기판의 열팽창에 의한 위치 정밀도의 열화 등을 억제할 수 있다. 또한, 봉착재의 열 용량이 기판의 열 용량에 비해 매우 작기 때문에 기판 전면을 가열하는 방법에 비해 가열, 냉각에 소요되는 시간을 대폭 단축시킬 수 있으므로, 양산성을 대폭적으로 향상시킬 수 있다.

그러나, 통전 가열하는 경우, 도전성 봉착 재료로 안정된 전류를 흘려보낼 필요가 있다. 전류치가 안정되지 않는 경우에는 외위기 각각에 따라 도전성 봉착 재료의 용해에 걸리는 시간이 서로 달라 안정된 기판 결합을 수행할 수 없다. 도전성 봉착 재료를 지나치게 가열하면, 그 열에 의해 기판에 균열이 발생한다. 반대로, 충분히 용해되지 않은 경우에는 기판의 결합이 불충분하여 그 후의 배기 공정에서 외위기의 진공을 유지할 수 없는 등의 문제가 발생한다.

본 발명은 이상의 점에 비추어 이루어진 것으로, 그 목적은 봉착 작업을 신속 또한 안정되게 수행할 수 있는 화상 표시 장치, 화상 표시 장치의 제조 방법 및 제조 장치를 제공하는 것에 있다.

상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 양태에 따른 화상 표시 장치는, 전면 기판과, 이 전면 기판에 대향 배치된 배면 기판을 가지며, 도전성 봉착재를 함유한 봉착층을 통해 상기 전면 기판과 배면 기판의 주연부를 서로 봉착한 외위기와, 상기 봉착층에 전기적으로 접촉된 상태로 상기 외위기에 장착되며 상기 봉착층을 통전하기 위한 전극을 구비하고 있다.

본 발명의 다른 양태에 따른 화상 표시 장치의 제조 방법은, 대향 배치되는 동시에 주변부가 서로 접합된 전면 기판과 배면 기판을 갖는 외위기를 구비하는 화상 표시 장치의 제조 방법이며,

상기 전면 기판과 배면 기판 중 적어도 일측 주연부에 도전성을 갖는 봉착 재료를 배치하여 봉착층을 형성하고, 상기 봉착층이 형성된 상기 전면 기판과 배면 기판 중 상기 적어도 일측에 전극을 장착하고 상기 봉착층에 전기적으로 접속하며, 상기 전면 기판과 배면 기판을 대향 배치한 상태에서 상기 전극을 통해 상기 봉착층으로 통전하여 상기 봉착층을 가열 용융시켜 상기 전면 기판과 배면 기판의 주변부를 서로 접합한다.

상기와 같이 구성된 화상 표시 장치 및 그 제조 방법에 따르면, 미리 외위기에 장착되며 봉착층과 전기적으로 접속되는 전극을 구비하고, 이 전극을 통해 봉착층을 통전 가열하여 외위기를 구성하고 있다. 따라서, 도전성 봉착재로 형성된 봉착층으로 안정된 전류를 통전할 수 있으므로, 화상 표시 장치의 봉착 작업을 신속 또한 안정화시킬 수 있다.

도1은 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 FED 전체를 도시한 사시도.

도2는 상기 FED의 내부 구성을 도시한 사시도.

도3은 도1의 선 III-III에 따른 단면도.

도4는 상기 FED의 형광체 스크린의 일부를 확대하여 도시한 평면도.

도5는 상기 FED의 전극을 도시한 사시도.

도6a 및 도6b는 상기 FED의 제조에 이용되는 전면 기판 및 배면 기판을 각각 도시한 평면도.

도7은 상기 FED의 배면 기판에 전극을 장착한 상태를 도시한 사시도.

도8은 상기 봉착부에 인듐이 배치된 배면 기판과 전면 기판을 대향 배치한 상태를 도시한 단면도.

도9는 상기 FED의 제조에 이용되는 진공 처리 장치를 개략적으로 도시한 도면,

도10은 상기 FED의 제조 공정에 있어서, FED의 전극에 전원을 접속한 상태를 모식적으로 도시한 평면도.

도11은 본 발명의 제2 실시 형태에 따른 FED의 일부를 도시한 사시도.

도12a 및 도12b는 상기 제2 실시 형태에 따른 FED의 제조 공정을 도시한 단면도.

도13은 본 발명의 제3 실시 형태에 따른 FED의 제조 공정에 있어서, FED의 전극에 전원을 접속한 상태를 모식적으로 도시한 평면도.

도14a 및 도14b는 상기 제3 실시 형태에 따른 FED의 제조 공정을 도시한 단면도.

도15는 본 발명의 제4 실시 형태에 따른 FED의 전체를 도시한 사시도.

도16은 도15의 선 XVI-XVI에 따른 단면도.

도17은 상기 FED의 전극을 도시한 사시도.

도18a 및 도18b는 상기 FED의 제조에 이용되는 전면 기판 및 배면 기판을 각각 도시한 평면도.

도19는 인듐이 배치된 배면 기판과 전면 기판을 대향 배치한 상태를 도시한 단면도.

도20은 상기 제4 실시 형태에 있어서, 전극의 변형예를 도시한 단면도.

도21은 상기 제4 실시 형태에 있어서, 전극의 다른 변형예를 도시한 사시도.

도22는 상기 제4 실시 형태에 있어서, 상기 다른 변형예를 도시하는 단면도.

도23은 본 발명의 제5 실시 형태에 따른 FED의 전체를 도시한 사시도.

도24는 도23의 선 XXIV-XXIV에 따른 단면도.

도25는 제5 실시 형태에 따른 FED의 전극을 도시한 사시도.

도26은 상기 제5 실시 형태에 있어서, 변형예에 따른 전극을 도시한 단면도.

도27은 상기 제5 실시 형태에 있어서, 다른 변형예에 따른 전극을 도시한 사시도.

도28은 상기 제5 실시 형태에 있어서, 상기 다른 변형예에 따른 전극을 도시한 단면도.

도29는 상기 제5 실시 형태에 있어서, 또 다른 변형예에 따른 전극을 도시한 사시도.

도30은 본 발명의 제6 실시 형태에 따른 FED를 도시한 사시도.

도31a는 상기 FED의 제조에 이용되는 전면 기판을 도시한 평면도.

도31b는 상기 FED의 제조에 이용되는 배면 기판, 측벽, 스페이서를 도시한 평면도.

도32는 상기 제6 실시 형태에 따른 제조 방법에 있어서, 전면 기판과 측벽의 봉착 공정을 도시한 단면도.

도33은 상기 제6 실시 형태에 있어서, 전극의 변형예를 도시한 평면도.

도34a 및 도34b는 상기 제6 실시 형태에 있어서, 전극의 다른 변형예를 각각 도시한 평면도.

도35는 본 발명의 제7 실시 형태에 따른 FED의 제조 방법을 도시한 단면도.

도36은 상기 제7 실시 형태에 있어서, 실시예에 따른 전극을 이용한 봉착 공정을 도시한 단면도.

도37은 본 발명의 제8 실시 형태에 따른 FED의 제조 방법을 도시한 단면도.

도38은 상기 제8 실시 형태에 있어서, 기판간에 전극을 삽입한 상태를 도시한 단면도.

도39는 상기 제8 실시 형태에 있어서, 양 기판을 서로 근접시키는 방향으로 가압한 상태를 도시한 단면도.

도40은 본 발명의 제9 실시 형태에 따른 FED의 제조 방법을 도시한 단면도.

도41은 상기 제9 실시 형태에 있어서, 봉착층의 용착부에 전극을 접촉시킨 상태를 도시한 단면도.

도42는 본 발명의 제10 실시 형태에 따른 FED의 전체를 도시한 사시도.

도43은 도42의 선 XLIII-XLIII에 따른 단면도.

도44는 제10 실시 형태에 따른 FED의 전극을 도시한 사시도.

도45는 제10 실시 형태에 있어서, 배면 기판에 전극을 장착한 상태를 도시한 사시도.

도46은 제10 실시 형태에 있어서, 봉착층이 배치된 배면 기판과 전면 기판을 대향 배치한 상태를 도시한 단면도.

도47은 제10 실시 형태에 있어서, 배면 기판과 전면 기판을 서로 근접시키는 방향으로 가압하여 전극의 접촉부를 봉착층 사이에 협지한 상태를 도시한 단면도.

도48은 상기 제10 실시 형태에 있어서, 변형예에 따른 전극을 도시한 사시도.

도49는 상기 제10 실시 형태에 있어서, 다른 변형예에 따른 전극을 도시한 사시도.

도50은 상기 제10 실시 형태에 있어서, 또 다른 변형예에 따른 전극을 도시한 사시도.

도51은 상기 제10 실시 형태에 있어서, 상기 다른 변형예에 따른 전극을 도시한 단면도.

도52는 상기 제10 실시 형태의 변형예에 있어서, 인듐이 배치된 배면 기판과 전면 기판을 대향 배치한 상태를 도시한 단면도.

도53은 상기 제10 실시 형태의 다른 변형예에 있어서, 인듐이 배치된 배면 기판과 전면 기판을 대향 배치한 상태를 도시한 단면도.

도54는 상기 제10 실시 형태에 있어서, 변형예에 따른 전극을 도시한 사시도.

도55는 본 발명의 제11 실시 형태에 있어서, 전극을 제거하는 공정을 도시한 단면도.

도56은 상기 제11 실시 형태에 있어서, 전극을 제거하는 공정을 도시한 단면도.

도57은 상기 제11 실시 형태에 있어서, 전극이 제거된 FED를 도시한 사시도.

도58은 상기 제11 실시 형태에 있어서, 전극이 제거된 FED를 도시한 단면도.

도59는 상기 제11 실시 형태의 변형예에 있어서, 전극을 제거하는 공정을 도시한 단면도.

도60은 상기 제11 실시 형태의 다른 변형예에 있어서, 전극을 제거하는 공정을 도시한 단면도.

도61a 내지 도61e는 상기 제11 실시 형태에 있어서, FED의 봉착층에 형성된 오목부의 변형예를 각각 도시한 평면도.

도62는 본 발명의 제12 실시 형태에 있어서, 전극을 절단하는 공정을 도시한 단면도.

도63은 상기 제12 실시 형태에 있어서, 절단된 전극을 제거하는 공정을 도시한 단면도.

도64는 본 발명의 제13 실시 형태에 따른 FED를 도시한 단면도.

도65는 상기 제13 실시 형태에 있어서, 배면 기판에 전극을 장착한 상태를 도시한 사시도.

도66은 상기 제13 실시 형태에 관한 제조 장치를 도시한 단면도.

도67은 상기 제조 장치를 개략적으로 도시한 사시도.

도68은 상기 제13 실시 형태에 있어서, 변형예에 관한 제조 장치를 도시한 단면도.

이하 도면을 참조하여 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 FED 및 그 제조 방법에 대하여 상세히 설명한다.

도1 내지 도4에 도시된 바와 같이, FED는 각각 직사각형의 유리판으로 이루어진 전면 기판(11)과 배면 기판(12)을 구비하는데, 이들 기판은 1 내지 2mm의 간격을 두고 대향 배치되어 있다. 전면 기판(11) 및 배면 기판(12)은 직사각형 프레임 형상의 측벽(18)을 통해 주연부끼리 접합되며 내부가 진공으로 유지되는 편평한 직사각형의 진공 외위기(10)를 구성하고 있다.

진공 외위기(10)의 내부에는 전면 기판(11)과 배면 기판(12)에 가해지는 대기압 하중을 지지하기 위하여 복수의 판형 지지 부재(14)가 설치되어 있다. 이들 지지 부재(14)는 진공 외위기(10)의 1변과 평행인 방향으로 각각 연재되는 동시에 상기 1변과 직교하는 방향을 따라 소정의 간격을 두고 배치되어 있다. 지지 부재(14)는 판형으로 제한되지 않으며, 기둥형인 것을 이용하여도 된다.

전면 기판(11)의 내면에는 화상 표시면으로 기능하는 형광체 스크린(16)이 형성되어 있다. 이 형광체 스크린(16)은 적, 녹, 청의 형광체층(R, G, B) 및 이들 형광체 사이에 위치한 광 흡수층(20)을 나열하여 구성되어 있다. 형광체층(R, G, B)은 진공 외위기(10)의 상부 1변과 평행한 방향으로 연재되는 동시에 이 1변과 직교하는 방향을 따라 소정의 간격을 두고 배치되어 있다. 광 흡수층(20)은 형광체층(R, G, B)의 주위에 설치되어 있다. 형광체 스크린(16)상에는, 예를 들면 알루미늄으로 이루어진 메탈 백(17), 게터막(13)이 순차적으로 증착되어 있다.

도3에 도시된 바와 같이, 배면 기판(12)의 내면상에는 형광체 스크린(16)의 형광체층을 여기시키는 전자 방출원으로서 각각 전자 빔을 방출하는 다수의 전자 방출 소자(22)가 설치되어 있다. 이들 전자 방출 소자(22)는 화소에 대응되게 복 수 열 및 복수 행으로 배열되어 있다. 상세히 기술하면, 배면 기판(12)의 내면상에는 도전성 캐소드층(24)이 형성되고, 이 도전성 캐소드층상에는 다수의 캐비티(25)를 갖는 이산화실리콘막(26)이 형성되어 있다. 이산화실리콘막(26)상에는 몰리브덴이나 니오브 등으로 이루어진 게이트 전극(28)이 형성되어 있다. 배면 기판(12)의 내면상의 각 캐비티(25) 내에 몰리브덴 등으로 이루어진 콘형의 전자 방출 소자(22)가 형성되어 있다.

상기 구성의 FED에 있어서, 영상 신호는 단순 매트릭스 방식으로 형성된 전자 방출 소자(22)와 게이트 전극(28)으로 입력된다. 전자 방출 소자(22)를 기준으로 하는 경우, 가장 휘도가 높은 상태일 때 +100V의 게이트 전압이 인가된다. 또한, 형광체 스크린(16)에는 +10kV가 인가된다. 이에 따라, 전자 방출 소자(22)로부터 전자 빔이 방출된다. 전자 방출 소자(22)로부터 방출되는 전자 빔의 크기는 게이트 전극(28)의 전압에 따라 변조되고, 이 전자 빔이 형광체 스크린(16)의 형광체층을 여기하여 발광시킴으로써 화상을 표시한다.

형광체 스크린(16)에 고전압이 인가되기 때문에 전면 기판(11), 배면 기판(12), 측벽(18) 및 지지 부재(14)용 판유리로는 고왜점(高歪点) 유리가 사용되고 있다. 후술되는 바와 같이, 배면 기판(12)과 측벽(18)의 사이는 플랫 유리 등의 저융점 유리(19)에 의해 봉착되어 있다. 전면 기판(11)과 측벽(18)의 사이는 도전성을 갖는 저융점 봉착 재료인 인듐(In)을 포함한 봉착층(21)에 의해 봉착되어 있다.

FED는 복수, 예를 들면 한 쌍의 전극(30)을 구비하며, 이들 전극은 봉착층 (21)에 전기적으로 도통된 상태로 외위기(10)에 장착된다. 이들 전극(30)은 봉착층(21)으로 도통시킬 때의 전극 부재로서 이용된다.

도5에 도시된 바와 같이 각 전극(30)은 도전 부재로서, 예를 들면 0.2mm 두께의 동판을 가공하여 클립형으로 형성되어 있다. 즉, 전극(30)은 단면이 거의 U자 형상이 되도록 절곡되는데, 평탄한 제1 판부(33a), 이 제1 판부와 간격을 두고 대향하는 제2 판부(33b), 및 제1 및 제2 판부에 대하여 거의 직각으로 연장되는 동시에 제1 및 제2 판부의 단연부를 연결하는 도통부(38)를 갖는다. 제1 판부(33a)는 각각 봉착층(21)과 도통되는 제1 및 제2 접촉부(36a, 36b)를 갖는다. 제1 및 제2 접촉부(36a, 36b)의 사이에는 슬릿(45)이 형성되어 있고, 제2 접촉부(36b)는 손톱형으로 이루어지며 용이하게 탄성 변형 가능하게 형성되어 있다.

도1 내지 도3에 도시된 바와 같이 각 전극(30)은, 예를 들면 배면 기판(12) 및 측벽(18)에 탄성적으로 결합되는 상태로 진공 외위기(10)에 장착된다. 즉, 전극(30)은 제1 판부(33a)와 제2 판부(33b)의 사이에 배면 기판(12)의 단연부 및 측벽(18)을 탄성적으로 협지한 상태로 진공 외위기(10)에 고정된다. 그리고, 제1 판부(33a)의 제1 및 제2 접촉부(36a, 36b)는 각각 봉착층(21)에 접촉하여 전기적으로 도통되어 있다. 또한, 전극(30)의 도통부(38)는 배면 기판(12)의 측면 및 측벽(18)에 대향하며 진공 외위기(10)의 외측으로 노출되어 있다. 이들 한 쌍의 전극(30)은 진공 외위기(10)의 대각 방향으로 이간된 2개의 모서리부에 각각 설치되어 있으며, 봉착층(21)에 대하여 대칭으로 배치되어 있다.

다음에는 상기 구성을 갖는 FED의 제조 방법에 대하여 상세히 설명한다.

먼저, 전면 기판(11)을 구성하는 판유리에 형광체 스크린(16)을 형성한다. 이 경우, 전면 기판(11)과 같은 크기의 판유리를 준비하고, 이 판유리에 플로터 머신으로 형광체 스트라이프 패턴을 형성하여 둔다. 이 형광체 스트라이프 패턴이 형성된 판유리와 전면 기판용 판유리를 위치 결정 지그에 얹어 노광대에 세트한다. 이 상태에서 형광체 스트라이프 패턴을 노광, 형상하면 전면 기판(11)을 구성하는 유리판상에 형광체 스크린이 생성된다. 그 후, 형광체 스크린(16)에 겹쳐 메탈 백(17)을 형성한다.

이어, 배면 기판(12)용 판유리상에 전자 방출 소자(22)를 생성한다. 이것은 매트릭스형 도전성 캐소드층(24)을 판유리상에 형성하고, 이 캐소드층상에 예를 들면 열 산화법이나 CVD법 혹은 스패터링법을 통해 2산화실리콘막의 절연막을 형성한다. 그 후, 이 절연막상에 예를 들면 스패터링법이나 전자 빔 증착법을 통해 몰리브덴이나 니오브 등의 게이트 전극 형성용 금속막을 형성한다. 다음에는 이 금속막상에 형성할 게이트 전극에 대응하는 형상의 레지스트 패턴을 리소그래피를 통해 형성한다. 레지스트 패턴을 마스크로 금속막을 웨트 에칭법 또는 드라이 에칭법을 통해 에칭하여 게이트 전극(28)을 형성한다.

그 후, 레지스트 패턴 및 게이트 전극(28)을 마스크로 절연막을 웨트 에칭 또는 다리이 에칭법을 통해 에칭하여 캐비티(25)를 형성한다. 그리고, 레지스트 패턴을 제거한 후 배면 기판(12)의 표면에 소정 각도 경사진 방향에서 전자 빔 증착을 수행하여 게이트 전극(28)상에, 예를 들면 알루미늄이나 니켈로 이루어진 박리층을 형성한다. 그 후, 배면 기판의 표면상에 수직 방향에서 캐소드 형성용 재 료, 예를 들면 몰리브덴을 전자 빔 증착법을 통해 증착한다. 이에 따라, 캐비티(25)이 내부에 전자 방출 소자(22)가 형성된다. 다음에는 박리층을 그 위에 형성된 금속막과 함께 리프트 오프법을 통해 제거한다. 그리고, 대기중에서 측벽(18) 및 지지 부재(14)를 배면 기판(12)의 내면상에 저융점 유리(19)르 통해 봉착한다.

그 후, 도6a, 6b에 도시된 바와 같이 측벽(18)의 봉착면의 전체 둘레에 걸쳐 인듐을 소정의 폭 및 두께로 도포하여 봉착층(21a)을 형성한다. 동일하게, 전면 기판(11)의 측벽과 대향하는 봉착면에 인듐을 소정의 폭 및 두께로 직사각형의 프레임 형상으로 도포하여 봉착층(21b)을 형성한다. 측벽(18) 및 전면 기판(11)의 봉착면에 대한 봉착층(21a, 21b)의 충전은 상술된 바와 같이 용융된 인듐을 봉착면에 도포하는 방법, 혹은 고체 상태의 인듐을 봉착면에 재치하는 방법 등을 통해 수행한다.

이어, 도7에 도시된 바와 같이 측벽(18)이 접합되어 있는 배면 기판(12)에 한 쌍의 전극(30)을 장착한다. 이 때, 측벽(18)상에서 각 전극(30)의 제1 접촉부(36a)를 봉착층(21a)에 접촉시키면 전극은 봉착층에 전기적으로 접속된다. 또한, 제1 접촉부(36a)와 봉착층의 도전성을 확실하게 확보하기 위하여, 미리 봉착층(21a)과 제1 접촉부(36a)의 사이를 납땜하는 것도 유효하다. 전극(30)은 기판상에서 +극과 -극의 한 쌍을 필요로 하는데, 각 전극으로부터 봉착층(21a, 21b)으로 통전하는 길이를 동등하게 하는 것이 바람직하다. 이에, 한 쌍의 전극(30)이 배면 기판(12)의 대각 방향으로 대향하는 2개의 모서리부에 장착되고, 전극간에 위치하는 봉착층(21a, 21b)의 길이는 각 전극의 양측에서 거의 동등하게 설정된다.

전극(30)을 장착한 후, 이들 배면 기판(12)과 전면 기판(11)을 소정 간격 이격하여 대향 배치하고, 이 상태에서 진공 처리 장치 내에 투입한다. 여기서, 예를 들면 도9에 도시된 진공 처리 장치(100)를 이용한다. 진공 처리 장치(100)는 나열 배치된 로드실(101), 베이킹, 전자선 세정실(102), 냉각실(103), 게터막 증착실(104), 조립실(105), 냉각실(106) 및 언로드실(107)을 구비하고 있다. 조립실(105)에는 통전용 직류 전원(120)과, 이 전원을 제어하는 컴퓨터(122)가 접속되어 있다. 진공 처리 장치(100)의 각 실은 진공 처리가 가능한 처리실로 구성되며, FED의 제조시에 전체 처리실은 진공 배기된다. 이들 각 처리실은 도시되지 않은 게이트 밸브 등에 의해 접속되어 있다.

소정 간격 이격 배치된 상술의 전면 기판(11)과 배면 기판(12)은 먼저 로드실(101)에 투입되며, 로드실(101) 내를 진공 분위기로 한 후, 베이킹, 전자선 세정실(102)로 보내진다.

베이킹, 전자선 세정실(102)에서는 각 부재를 300℃의 온도로 가열하여 각 기판 및 측벽의 표면 흡착 가스를 방출시킨다. 동시에 베이킹, 전자선 세정실(102)에 설치된 도시되지 않은 전자선 발생 장치로부터의 전자선을 전면 기판(11)의 형광체 스크린면 및 배면 기판(12)의 전자 방출 소자면에 조사한다. 이 때, 전자선 발생 장치 외부에 장착된 편향 장치를 통해 전자선을 편향 주사하여 형광체 스크린면 및 전자 방출 소자면의 전면을 각각 전자선 세정한다.

그리고, 이와 같이 가열, 전자선 세정을 수행한 전면 기판(11)과 배면 기판(12)은 냉각실(103)로 보내져 약 120℃의 온도까지 냉각된 후, 게터막 증착실(104) 로 보내진다. 증착실(104)에서는 형광체층의 외측에 게터막인 Ba막을 증착한다. Ba막은 표면이 산소나 탄소 등으로 오염되는 것이 방지되어 활성 상태를 유지할 수 있다.

이어, 전면 기판(11)과 배면 기판(12)은 조립실(105)로 보내진다. 이 조립실(105)에서는 도8에 도시된 바와 같이 전면 기판(11)과 배면 기판(12)을 약 120℃로 유지한 상태에서 서로 근접하는 방향으로 이동시켜 각 전극(20)의 제2 접촉부(36b)를 전면 기판(11)측의 봉착층(21b)에 접촉시킨다. 이에 따라, 각 전극(30)은 봉착층(21b)에 전기적으로 접속된다. 이 때, 제2 접촉부(36b)는 스프링압에 의해 봉착층(21b)에 탄성적으로 가압됨에 따라 안정된 도전성을 확보할 수 있다.

다음에는 도10에 도시된 바와 같이 한 쌍의 전극(30)에 전원(120)을 전기적으로 접속한 후, 측벽(18)측의 봉착층(21a) 및 전면 기판(11)측의 봉착층(21b)의 각각에 통전하고 봉착층을 가열하여 인듐을 용융시킨다. 이 때, 전원(120)에 접속된 접속 단자(40)를 전극(30)의 도통부(38)에 접촉시키면 전원과 전극, 및 전극과 봉착층(21a, 21b)을 확실하게 도통시킬 수 있다.

인듐이 용융된 후, 전면 기판(11)과 배면 기판(12)을 서로 근접하는 방향으로 가압한다. 이에 따라, 봉착층(21a, 21b)이 융합하여 봉착층(21)을 형성하고, 이 봉착층에 의해 전면 기판(11)의 주연부와 측벽(18)이 봉착된다. 상기 공정에 의해 형성된 진공 외위기(10)는 냉각실(106)에서 실온까지 냉각되며 언로드실(107)로부터 취출된다. 이와 같은 공정을 통해 FED의 진공 외위기가 완성된다.

또한 진공 외위기가 완성된 후, 필요에 따라 전극(30)을 절제하여도 된다.

이상과 같이 구성된 FED 및 그 제조 방법에 따르면, 봉착층(21)에 도통될 전극(30)이 미리 외위기에 봉착되며, 봉착층에 전기적으로 접속된 상태로 고정되어 있다. 따라서, 통전 가열시 전극(30)을 통해 봉착층(21)으로 안정된 전류를 흘려보낼 수 있다. 이에 따라, 봉착시 봉착층을 구성하는 도전성 저융점 재료를 예정된 통전 시간에서 안정되게 또한 확실하게 용융시킬 수 있으며, 그 결과 봉착층(21)에 균열 등이 발생되지 않으며 신속 또한 확실한 봉착을 수행할 수 있다.

진공 분위기 속에서 전면 기판과 배면 기판의 봉착, 접합을 수행한다는 점에서, 베이킹과 전자선 세정의 병용을 통해 표면 흡착 가스를 충분히 방출할 수 있으므로, 흡착 능력이 우수한 게터막을 얻을 수 있다. 또한, 인듐을 통전 가열하여 봉착, 접합함에 따라 전면 기판과 배면 기판 전체를 가열할 필요가 없으며, 게터막의 열화, 봉착 공정중에 기판이 깨지는 등의 문제를 제거할 수 있고, 동시에 봉착 시간의 단축을 도모할 수 있다.

따라서, 양산성이 뛰어난 동시에 안정 또한 양호한 화상을 얻을 수 있는 FED를 저가로 얻을 수 있다.

다음에는 본 발명의 제2 실시 형태에 따른 FED에 대하여 설명한다. 상술된실시 형태에 있어서 각 전극은 측벽측의 봉착층에 도통되는 제1 접촉부 및 전면 기판측의 봉착층에 도통되는 제2 접촉부를 구비하고 있으나, 제2 실시 형태에 따르면 도11, 도12a 및 도12b에 도시된 바와 같이 전극(30)은 단일 접촉부(36a)를 구비하고 있다. 한 쌍의 전극(30)이 배면 기판(12)의 대각 방향으로 대향하는 한 쌍의 모서리부에 각각 장착되고, 측벽(18) 및 배면 기판(12)을 탄성적으로 협지한 상태 로 외위기에 장착되어 있다. 이 때, 각 접촉부(36a)는 봉착층(21a)의 상면에 접촉되며 봉착층과 전기적으로 접속되어 있다.

봉착 공정에 있어서, 봉착층(21b)이 형성된 전면 기판(11)을 배면 기판(12)과 대향 배치하면 각 전극(30)의 접촉부(36a)가 봉착층(21a, 21b)의 양쪽에 접촉하여 전기적으로 접속된다. 그리고, 이들 전극(30)을 통해 봉착층(21a, 21b)에 동시에 도통시키면 인듐을 가열 용융할 수 있다.

제2 실시 형태에 있어서, 다른 구성은 전술된 제1 실시 형태와 동일하며 동일 부분에는 동일 부호를 붙이고 그 상세한 설명을 생략한다. 그리고, 제2 실시 형태도 제1 실시 형태와 동일한 작용 효과를 얻을 수 있다. 또한, 제1 및 제2 실시 형태에서 각 전극(30)을 전면 기판측에 장착 고정하는 구성으로 하여도 된다.

도13, 도14a 및 도14b에 도시된 제3 실시 형태에 따르면, FED는 측벽(18)상에 형성된 봉착층(21a)과 도통되는 한 쌍의 제1 전극(30a)과, 전면 기판(11)에 형성된 봉착층(21b)과 도통되는 한 쌍의 제2 전극(30b)을 구비하고 있다. 제1 및 제2 전극(30a, 30b)은 전술된 전극(30)과 동일하게 클립형으로 형성되어 있다. 단, 각 전극 모두 접촉부(36)는 하나로 구성되어 있다.

한 쌍의 제1 전극(30a)은 배면 기판(12)의 대각 방향으로 대향하는 한 쌍의 모서리부에 각각 장착되는데, 측벽(18) 및 배면 기판(12)을 탄성적으로 협지한 상태로 장착되어 있다. 이 때, 각각의 제1 전극(30a)은 그 접촉부(36)가 봉착부(21a)에 접촉하며 봉착층과 전기적으로 접속되어 있다. 한 쌍의 제2 전극(30b)은 전면 기판(11)의 대각 방향으로 대향하는 한 쌍의 모서리부에 각각 장착되는데, 전 면 기판을 탄성적으로 협지한 상태로 장착되어 있다. 이 때, 각각의 제2 전극(30b)은 그 접촉부(36)가 봉착층(21b)에 접촉하며 봉착층과 전기적으로 접속되어 있다. 제1 전극(30a) 및 제2 전극(30b)은 서로 겹치지 않고 4개의 모서리부에 나뉘어 배치하는 것이 바람직하다.

봉착 공정에서는 도13 및 도14a에 도시된 바와 같이 전원(120)에 접속된 한 쌍의 접속 단자(40a)를 제1 전극의 도통부(38)에 각각 접촉시켜 전원과 제1 전극 및 제1 전극과 봉착층(21a)을 도통시킨다. 또한, 전원(120)에 접속된 한 쌍의 접속 단자(40b)를 제2 전극(30b)의 도통부(38)에 각각 접속시켜 전원과 제2 전극 및 제2 전극과 봉착층(21b)을 도통시킨다. 이 상태에서 측벽(18)측의 봉착층(21a) 및 전면 기판(11)측의 봉착층(21b)의 각각에 도통시켜 봉착층을 가열하여 인듐을 용융시킨다.

인듐이 용융된 후, 도14b에 도시된 바와 같이 전면 기판(11)과 배면 기판(12)을 서로 근접하는 방향으로 가압한다. 이에 따라, 봉착층(21a, 21b)이 융합하여 봉착층(21)을 형성하고, 이 봉착층에 의해 전면 기판(11)의 주연부와 측벽(18)이 봉착된다.

제3 실시 형태에 있어서, 다른 구성은 전술의 제1 실시 형태와 동일하며 동일 부분에는 동일 부호를 붙이고 그 상세한 설명을 생략한다. 제3 실시 형태에서도 제1 실시 형태와 동일한 작용 효과를 얻을 수 있다. 또한, 제3 실시 형태에 따르면, 배면 기판(12)측의 봉착층(21a) 및 전면 기판(11)측의 봉착층(21b)에 통전되는 전류치를 개별적으로 제어할 수 있으므로, 한층 적절한 통전 가열을 수행할 수 있다.

다음에는 본 발명의 제4 실시 형태에 따른 FED에 대하여 설명한다.

도15 내지 도17에 도시된 바와 같이, FED는 진공 외위기(10) 및 진공 외위기에 장착되는 복수, 예를 들면 한 쌍의 전극(30)을 구비하고 있다. 진공 외위기(10)는 각각 직사각형의 유리판으로 이루어진 전면 기판(11)과 배면 기판(12)을 구비하며, 이들 기판(11, 12)은 직사각형 프레임 형상의 측벽(18)을 통해 주연부가 접합되어 있다. 전면 기판(11)의 내면에는 형광체 스크린(16), 메탈 백(17), 게터막(13)이 형성되어 있다. 배면 기판(12)의 내면상에는 형광체 스크린(16)의 형광체층을 여기시키는 다수의 전자 방출 소자(22)가 설치되어 있다. 또한, 배면 기판(12)의 내면에는 전자 방출 소자(22)로 전위를 공급하는 다수 개의 배선(23)이 매트릭스형으로 설치되어 있으며, 그 단부는 진공 외위기(10)의 주연부로 인출되어 있다.

한 쌍의 전극(30)은 봉착층(21)에 전기적으로 도통된 상태로 외위기(10)에 장착되어 있다. 이들 전극(30)은 봉착층(21)을 도통시킬 때에 전극으로서 이용된다. 각 전극(30)은 도통 부재, 예를 들면 0.2mm 두께의 동판을 절곡 가공하여 형성한다. 즉, 전극(30)은 단면이 거의 U자 형상이 되도록 절곡되어 있는데, 전면 기판(11) 혹은 배면 기판(12)의 주연부를 협지하여 장착되는 클립형의 장착부(32), 장착부에 나란히 위치한 쐐기형의 몸체부(34), 몸체부의 연장된 단에 위치한 접촉부(36), 및 장착부와 몸체부의 배면부에 의해 형성되는 평탄한 도통부(38)를 일체로 구비하고 있다. 접촉부(36)는 수평 방향의 연장 길이(L)가 2mm 이상으로 형성 되어 있다. 또한, 몸체부(34)는 띠형으로 형성되어 있는데, 접촉부(36)로부터 외측 또한 사선 상방으로 연장되어 있다. 따라서, 몸체부(34)는 연직 방향을 따라 접촉부(36)보다 높게 위치한 유출 규제부(37)를 형성한다.

각 전극(30)은 진공 외위기(10)의 예를 들면 배면 기판(12)에 탄성적으로 결합된 상태로 장착되어 있다. 즉, 전극(30)은 장착부(32)를 통해 배면 기판(12)의 주연부를 탄성적으로 협지한 상태로 진공 외위기(30)에 장착되어 있다. 각 전극(30)의 접촉부(36)는 각각 봉착부(21)에 접촉하여 전기적으로 도통되어 있다. 몸체부(34)는 접촉부(36)로부터 진공 외위기(10)의 외측으로 연장되는 동시에 유출 규제부(37)는 접촉부(36)보다 연직 방향을 따라 높게 위치하고 있다. 도통부(38)는 배면 기판(12)의 측면과 대향하여 진공 외위기(10)의 외면에 노출되어 있다. 이들 한 쌍의 전극(30)은 진공 외위기(10)의 대각 방향으로 이격된 2개의 모서리부에 각각 설치되며, 봉착층(21)에 대하여 대층으로 배치되어 있다.

상기 FED의 다른 구성은 전술된 제1 실시 형태와 동일하며, 동일 부분에는 동일 부호를 붙이고 그 상세한 설명을 생략한다.

다음에는 상기 FED의 제조 방법에 대하여 상세히 설명한다. 이 제조 방법은 제1 실시 형태에 따른 제조 방법과 거의 동일한데, 서로 다른 부분을 중심으로 설명한다.

먼저, 형광체 스크린 및 메탈 백(17)이 형성된 전면 기판(11)과 전자 방출 소자(22)가 형성된 배면 기판(12)을 준비한다. 이어, 대기중에서 저융점 유리(19)를 통해 측벽(18)과 지지 부재(14)를 배면 기판(12)의 내면상에 봉착한다. 그 후, 도18a, 도18b에 도시된 바와 같이 측벽(18)의 봉착면의 전체 둘레에 걸쳐 인듐을 소정의 폭 및 두께로 도포하여 봉착층(21a)을 형성한다. 전면 기판(11)의 측벽과 대향하는 봉착면에 인듐을 소정의 폭 및 두께로 직사각형 프레임 형상으로 도포하여 봉착층(21b)을 형성한다. 또한, 측벽(18)과 전면 기판(11)의 봉착면에 대한 봉착층(21a, 21b)의 충전은 상술된 바와 같이 용융된 인듐을 봉착면에 도포하는 방법 혹은 고체 상태의 인듐을 봉착면에 재치하는 방법 등에 의해 수행된다.

이어, 측벽(18)이 접합된 배면 기판(12)에 한 쌍의 전극(30)을 장착한다. 이 때, 측벽(18)상에서 각 전극(30)의 접촉부(36)를 봉착층(21a)에 접촉시키면 전극이 봉착층에 전기적으로 접속된다. 한 쌍의 전극(30)은 배면 기판(12)의 대각 방향에 대향하는 2개의 모서리부에 장착되고, 전극 사이에 위치한 봉착층(21a, 21b)의 길이는 각 전극의 양측에서 거의 동등하게 설정된다.

전극(30)을 장착한 후, 배면 기판(12)과 전면 기판(11)을 소정 간격 이격시켜 대향 배치하고, 이 상태에서 도9에 도시된 진공 처리 장치(100) 내에 투입한다. 전면 기판(11)과 배면 기판(12)은 로드실(101)을 통해 베이킹, 전자선 세정실(102)로 보내진다. 베이킹, 전자선 세정실(102)에서는 각종 부재를 300℃의 온도로 가열하여 각 기판의 표면 흡착 가스를 방출시킨다. 동시에 전자선 발생 장치로부터의 전자선을 전면 기판(11)의 형광체 스크린면 및 배면 기판(12)의 전자 방출 소자면에 조사하여 형광체 스크린면과 전자 방출 소자면의 전면을 각각 전자선 세정한다.

베이킹 공정에서 봉착층(21a, 21b)은 가열되어 용융된다. 배면 기판(12)측 의 봉착층(21a)은 전극(30)을 통해 외부로 유출되려고 하는데, 각 전극(30)에는 접촉부(36)보다 높게 위치한 유출 규제부(37)가 설치되어 있기 때문에 이 유출 규제부에 의해 용융된 인듐이 배면 기판의 외측으로 유출되는 것을 억제할 수 있다.

이어, 전면 기판(11)과 배면 기판(12)은 냉각실(103)로 보내져 약 120℃의 온도까지 냉각된 후, 게터막 증착실(104)로 보내져 형광체층의 외측에 Ba막이 증착 형성된다. 이어, 전면 기판(11)과 배면 기판(12)은 조립실(105)로 보내져 도19에 도시된 바와 같이 대향 배치된 상태로 조립 안내 핫 플레이트(131, 132)에 각각 유지된다. 전면 기판(11)은 낙하되지 않도록 고정 지그(133)에 의해 상측의 핫 플레이트(131)에 고정된다.

그 후, 전면 기판(11)과 배면 기판(12)을 약 120℃로 유지한 상태에서 서로 근접하는 방향으로 이동시켜 소정의 압력으로 가압한다. 이에 따라, 각 전극(30)의 접촉부(36)가 전면 기판(11)측의 봉착층(21b)과 배면 기판(12)측의 봉착층(21a)의 사이에 협지되며 각 전극(30)은 봉착층(21a, 21b)에 전기적으로 접속된다. 이 때, 접촉부(36)가 2mm 이상의 수평 방향 길이로 형성되기 때문에 봉착층(21a, 21b)에 안정되게 접촉될 수 있다. 또한, 전극(30)의 접촉부(36)에 미리 인듐을 도포하여 두면 한층 안정되게 봉착재로 통전할 수 있다.

이 상태에서 한 쌍의 전극(30)에 전원(120)을 전기적으로 접속한 후, 측벽(18)측의 봉착층(21a) 및 전면 기판(11)측의 봉착층(21b)의 각각에 예를 들면 140A의 직류 전류를 정전류 모드로 인가한다. 이에 따라, 봉착층(21a, 21b)이 가열되어 인듐이 용융된다. 이 때, 전원(120)에 접속된 접속 단자를 전극(30)의 도통부 (38)에 접촉시키면 전원과 전극 및 전극과 봉착층(21a, 21b)을 확실하게 도통시킬 수 있다. 또한, 각 전극(30)이 봉착층(21a, 21b)에 등가로 접촉하고 있기 때문에 안정되게 통전할 수 있으므로, 각각의 봉착층에 거의 동량의 전류를 흘려보내 동등하게 용융시킬 수 있다.

상기와 같이 인듐을 용융시키면 봉착층(21a, 21b)이 융합하여 봉착층(21)을 형성하고, 이 봉착층에 의해 전면 기판(11)의 주연부와 측벽(18)이 봉착된다. 상기 공정에 의해 형성된 진공 외위기(10)는 냉각실(106)에서 상온까지 냉각되고 언로드실(107)로부터 취출된다. 이를 통해 진공 외위기(10)가 완성된다. 또한, 진공 외위기(10)가 완성된 이후에 필요에 따라 전극(30)을 절제하여도 된다.

이상과 같이 구성된 FED 및 그 제조 방법에 따르면, 전술된 제1 실시 형태와 동일한 작용 효과를 얻을 수 있다. 또한 제4 실시 형태에 따르면, 봉착재에 통전하기 위한 전극(30)이 접촉부보다 높게 위치한 유출 규제부를 갖는다는 점에서, 베이킹 공정 등에서 용융된 봉착재가 전극을 통해 외부로 유출되는 것이 규제된다. 이로 인해, 봉착층을 균일한 두께로 유지하고, 외위기를 전채 둘레에 걸쳐 확실하게 봉착할 수 있는 동시에 봉착재의 유출로 인한 배선의 쇼트 등을 방지할 수 있다. 따라서, 생산성이 우수한 동시에 안정 또한 양호한 화상을 얻을 수 있는 FED를 저가로 얻을 수 있다.

상술된 제4 실시 형태에 있어서, 각 전극(30)의 몸체부(34)는 거의 전체가 접촉부(36)로부터 사선 상방으로 연장되어 유출 규제부(37)를 형성하는 구성으로 하였으나, 예를 들면 도20에 도시된 바와 같이 몸체부(34)의 일부를 접촉부(36)보 다 연직 방향을 따라 높은 위치로 연장시켜 유출 규제부(37)를 구성하여도 된다. 또한, 각 전극(30)은 장착부를 일체로 구비하고 있으나, 도21 및 도22에 도시된 바와 같이 전극(30)이 접촉부(36), 몸체부(34), 유출 규제부(37) 및 기대(基臺)부(39)를 구비하고, 별체의 클립(46)을 이용하여 배면 기판(12)에 장착되는 구성이어도 된다.

또한, 도20 내지 도22에 도시된 변형예에 있어서, 다른 구성은 전술된 제4 실시 형태와 동일하며, 동일 부분에는 동일한 부호를 붙이고 그 상세한 설명을 생략한다. 그리고, 이들 변형예에 따른 전극을 이용하는 경우에도 전술된 실시 형태와 동일한 작용 효과를 얻을 수 있다.

다음에는 본 발명의 제5 실시 형태에 따른 FED에 대하여 설명한다.

도23 내지 도25에 도시된 바와 같이, FED는 진공 외위기(10) 및 진공 외위기에 장착되는 복수, 예를 들면 한 쌍의 전극(30)을 구비하고 있다. 한 쌍의 전극(30)은 봉착부(21)와 전기적으로 도통된 상태로 외위기(10)에 장착되어 있다. 각 전극(30)은 도통 부재, 예를 들면 0.2mm 두께의 동판을 절곡 가공하여 형성되어 있다. 즉, 전극(30)은 단면이 거의 U자 형상이 되도록 절곡되어 있는데, 전면 기판(11) 혹은 배면 기판(12)의 주연부를 협지하여 장착되는 클립형의 장착부(32), 장착부에 나란히 위치한 쐐기형의 몸체부(34), 몸체부의 연장된 단부에 위치한 접촉부(36), 접촉부로부터 몸체부측으로 연장되며 몸체부와 나란히 위치한 드레인부(35), 및 장착부와 몸체부의 배면부에 의해 형성되는 평탄한 도통부(38)를 일체로 구비하고 있다.

접촉부(36)는 수평 방향의 연장 길이(L)가 2mm 이상으로 형성되어 있다. 몸체부(34)는 띠형으로 형성되며, 접촉부(36)로부터 외측 또한 사선 상방으로 경사지게 연장되어 있다. 이로 인해, 몸체부(34)는 연직 방향을 따라 접촉부(36)보다 높게 위치한 유출 규제부(37)를 형성하고 있다. 몸체부(34)는 전류를 도통부(38)로부터 접촉부(36)로 흘려보내는 유로를 형성하고 있다.

드레인부(35)는 띠형으로 형성되며, 접촉부(36)로부터 외측 또한 사선 하방으로 경사지게 연장되어 있다. 이로 인해, 드레인부(35)는 연직 방향을 따라 접촉부(36)보다 낮은 위치에 형성되어 있다. 드레인부(35)의 폭은 몸체부(34)의 폭보다 좁은데, 예를 들면 1mm 정도로 형성되어 있다. 드레인부(35)는 후술과 같이 용융된 봉착재를 외부로 유출시키는 경로를 형성한다.

각 전극(30)은 진공 외위기(10)의 예를 들면 배면 기판(12)에 탄성적으로 결합된 상태로 장착되어 있다. 즉, 전극(30)은 장착부(32)를 통해 배면 기판(12)의 주연부를 탄성적으로 협지한 상태로 진공 외위기(10)에 장착되어 있다. 각 전극(30)의 접촉부(36)는 각각 봉착층(21)에 접촉되며 봉착층과 전기적으로 도통되어 있다. 몸체부(34)는 접촉부(36)로부터 진공 외위기(10)의 외측으로 연장되는 동시에 유출 규제부(37)는 접촉부(36)보다 연직 방향을 따라 높게 위치해 있다. 드레인부(35)는 접촉부(36)로부터 진공 외위기(10)의 외측으로 연장되어 있는데, 접촉부(36)보다 연직 방향을 따라 낮은 위치에 위치하고 있다. 도통부(38)는 배면 기판(12)의 측면과 대향하며 진공 외위기(10)의 외면으로 노출되어 있다. 이들 한 쌍의 전극(30)은 진공 외위기(10)의 대각 방향으로 이격된 2개의 모서리부에 각각 설치되며, 봉착층(21)에 대하여 대층으로 배치되어 있다.

상기 FED의 다른 구성은 전술된 제4 실시 형태와 동일하며, 동일 부분에는 동일한 부호를 붙이고 그 상세한 설명을 생략한다. 또한, 제5 실시 형태에 따른 FED는 제4 실시 형태에 따른 제조 방법과 동일한 제조 방법에 의해 제조된다.

제5 실시 형태에 따르면, 베이킹 공정에서 봉착층(21a, 21b)이 가열되어 용융된다. 그리고, 배면 기판(12)측의 봉착층(21a)은 전극(30)을 통해 외부로 유출되려고 하는데, 각 전극(30)에는 접촉부(36)보다 높게 위치한 유출 규제부(37)가 설치되어 있기 때문에 이 유출 규제부에 의해 용융된 인듐이 배면 기판의 외측으로 유출되는 것이 억제된다. 또한, 용융된 인듐의 일부가 전극(30)의 드레인부(35)로부터 배면 기판(12)의 외측으로 흘러 나오는데, 드레인부의 폭이 몸체부(34)의 폭보다 좁게 형성되어 있다는 점에서, 유출량은 매우 적다. 예를 들면, 유출 규제부(37) 및 드레인부를 갖지 않는 전극에 비해 용융 인듐의 유출량을 1/10 정도로 억제할 수 있다. 이 정도의 량이 유출되면, 봉착층의 두께가 상대적으로 얇아져 봉착부로부터 리크되기 쉬워지는 등의 문제 및 유출된 인듐이 기판상의 배선에 접촉하여 쇼트를 발생시키는 등의 문제를 방지할 수 있다.

또한, 봉착 공정에서 봉착층(21a, 21b)을 융합시켜 봉착층(21)을 형성하고, 이 봉착층을 통해 전면 기판(11)의 주연부와 측벽(18)을 봉착한다. 이 때, 전면 기판(11) 및 배면 기판(12)이 서로 근접하는 방향으로 가압되기 때문에 용융된 인듐이 눌려 잉여 인듐이 발생한다. 이 잉여 인듐은 기판측으로 유출되려고 한다. 여기서, 각 전극(30)에 접촉부(36)보다 낮게 위치한 드레인부(35)가 설치되어 있다 는 점에서, 용융된 잉여 인듐은 적극적으로 드레인부(35)로부터 기판의 외측으로 유출된다. 즉, 전극(30)의 드레인부(35)가 몸체부(34)보다 좁은 폭으로 형성되어 있고, 인듐이 가압되고 있기 때문에 잉여 인듐은 모두 전극의 드레인부(35)를 따라 기판 주연부로 밀려 흐른다. 각 전극(30)이 배면 기판(12)의 코너부에 장착되고, 드레인부(35)는 배선(23)으로부터 벗어난 위치로 연장되어 있다. 따라서, 드레인부(35)를 따라 유출된 인듐이 배선(23)에 접촉되지 않으므로, 유출 인듐으로 인한 배선의 쇼트 등을 방지할 수 있다. 또한, 전극(30)의 드레인부(35) 및 그 근방 영역에 미리 인듐을 도포하여 두면 한층 안정되게 봉착재를 유출시킬 수 있다.

이 그외에 제5 실시 형태에 따른 FED 및 그 제조 방법에 따르면, 전술된 제1 실시 형태와 동일한 작용 효과를 얻을 수 있다.

제5 실시 형태에 있어서, 각 전극(30)의 몸체부(34)는 거의 전체가 접촉부로부터 사선 상방으로 연장되어 유출 규제부(37)를 형성하고 있으나, 예를 들면 도26에 도시된 바와 같이 몸체부(34)의 일부를 접촉부(36)보다 연직 방향을 따라 높은 위치로 연장시켜 유출 규제부(37)를 구성하여도 된다.

또한 제5 실시 형태에 있어서, 각 전극(30)은 장착부를 일체로 구비하고 있으나, 도27 및 도28에 도시된 바와 같이 접촉부(36), 몸체부(34), 유출 규제부(37), 드레인부(35) 및 기대부(39)를 구비하고, 도통부(38)를 갖는 별체의 클립(46)을 이용하여 배면 기판(12)에 장착하는 구성이어도 된다.

전극(30)의 드레인부(35)는 몸체부(34)의 측방으로 나란히 설치된 구성으로 한정되지 않으며, 도27에 도시된 바와 같이 몸체부(34)의 중앙부에 설치되어도 된 다. 이 경우, 드레인부(35)는 몸체부(34)의 일부를 절기(切起)하여 형성되며, 몸체부에는 접촉부(36)로부터 드레인부(35)로의 봉착재의 유출을 허용하는 개공(開孔)(42)이 형성된다.

도29에 도시된 바와 같이, 전극(30)의 드레인부(35)는 하나로 한정되지 않으며, 몸체부(34)의 양측에 한 쌍이 설치되어도 된다. 이 경우, 각 드레인부(35)의 구성은 상술된 실시 형태와 동일하다.

또한 도26 내지 도29에 도시된 변형예에 있어서, 다른 구성은 전술된 제5 실시 형태와 동일하며, 동일 부분에는 동일한 부호를 붙이고 그 상세한 설명을 생략한다. 그리고, 이들 변형예에 따른 전극을 이용하는 경우에도 전술된 실시 형태와 동일한 작용 효과를 얻을 수 있다. 또한, 전술된 실시 형태 및 도26 내지 도29에 도시된 변형예를 서로 조합한 구성을 이용하는 것도 가능하다.

다음에는 본 발명의 제6 실시 형태에 따른 FED 및 그 제조 방법에 대하여 설명한다. 도30에 도시된 바와 같이, FED는 편평한 직사각형의 진공 외위기(30) 및 외위기에 장착된 복수, 예를 들면 한 쌍의 전극(30)을 구비하고 있다. 제6 실시 형태에 있어서, FED의 구성은 전극(30)을 제외하고 전술된 실시 형태와 동일하기 때문에 서로 다른 구성을 중심으로 설명한다. 동시에 FED의 구성이 제조 방법과 병행하여 설명된다.

도13A 및 도13B에 도시된 바와 같이, 형광체 스크린(16) 및 메탈 백(17)이 형성된 전면 기판(11)과 전자 방출 소자가 형성된 배면 기판(12)을 준비한다. 이어, 대기중에서 저융점 유리를 통해 측벽(18) 및 지지 부재(14)를 배면 기판(12)의 내면상에 봉착한다. 그 후, 측벽(18)의 봉착면의 전체 둘레에 인듐을 소정의 폭 및 두께로 도포하여 직사각형 프레임 형상의 봉착층(21a)을 형성한다. 전면 기판(11)의 측벽과 대향하는 봉착면에 인듐을 소정의 폭 및 두께로 직사각형 프레임 형상으로 도포하여 배면 기판(11)측의 봉착층(21a)에 대응하는 직사각형 프레임 형상의 봉착층(21b)을 형성한다. 또한, 측벽(18) 및 전면 기판(11)의 봉착면에 대한 봉착층(21a, 21b)의 충전은 전술된 것처럼 용융된 인듐을 봉착면에 도포하는 방법, 혹은 고체 상태의 인듐을 봉착면에 재치하는 방법 등을 통해 수행한다.

이어, 전면 기판(11)과 배면 기판(12)은 예를 들면 도9에 도시된 진공 처리 장치 내로 보내져 진공 분위기 속에서 봉착된다. 이 경우, 전면 기판(11)과 배면 기판(12)을 가열하여 충분히 탈 가스한다. 가열 온도는 200℃ 내지 500℃ 정도로 적정한 시간으로 설정된다. 탈 가스 처리를 통해 외위기 구성 부재의 내벽으로부터 방출되는 가스를 경감시켜 진공 외위기의 진공도 열화를 방지한다. 다음에는 전면 기판(111)의 형광체 스크린(16)상에 게터막을 형성한다. 이는 진공 외위기가 형성된 후, 잔류 가스를 게터막을 통해 흡착 배기하여 진공 외위기 내의 진공도를 양호한 레벨로 유지하기 위해서이다.

이어, 형광체 스크린(16)과 전자 방출 소자가 대향되도록 전면 기판(11)과 배면 기판(12)을 서로 소정의 위치에서 중합한다. 이 상태에서 봉착층(21a, 21b)으로 통전하여 이들 봉착재를 가열하여 용해시킨다. 그 후, 통전을 멈추고 봉착층(21a, 21b)의 열을 신속하게 전면 기판(11)과 측벽(18)으로 확산 전도시켜 봉착층(21a, 21b)을 고화시킨다. 그 결과, 전면 기판(11)과 측벽(18)이 봉착층(21a, 21b)에 의해 서로 봉착된다.

다음에는 상술된 봉착 공정에 대하여 보다 상세히 설명한다.

도31, 32에 도시된 바와 같이, 봉착 이전의 상태에서는 전면 기판(11)과 배면 기판(12)의 온도가 봉착층(21a, 21b)의 융점보다 낮도록 설정되어 봉착층(21a, 21b)은 고화되어 있다. 이 상태에서 전면 기판(11)과 배면 기판(12)을 소정의 위치에서 중합시켜 봉착층(21a, 21b)을 서로 중합시킨다. 또한, 가압 장치(23a, 23b)를 통해 전면 기판(11)과 배면 기판(12)에 대하여 서로 근접하는 방향으로 소정의 하중을 인가한다. 화상 표시 영역은 지지 부재(14)에 의해 소정의 간격으로 유지되어 있다.

이 때, 측벽(18)의 대각 방향으로 대향하는 2개의 모서리부의 봉착층(21a, 21b)간에 판형 전극(30)을 끼워 배치한다. 도31b에 도시된 바와 같이, 전극(30)은 각각 봉착층에 전기적으로 접촉되는 2개의 접촉부(36a, 36b)를 갖는 Y자 형상으로 형성되어 있다. 또한, 각 전극(30)의 접촉부(36a, 36b)는 봉착층(21a, 21b)의 모서리부의 양측에서 이들 봉착층에 접촉하고 있다. 2개의 접촉부(36a, 36b)간에는 용융된 봉착재를 유출시키기 위한 극간(30c)이 형성되어 있다. 전극(30)을 끼워넣는 방법으로는 전극과 동일 재질의 클립 등으로 고정하는 방법을 이용할 수 있다. 또한, 전극(30)은 적어도 Cu, Al, Fe, Ni, Co, Be, Cr 중 어느 하나를 포함하는 단원소 또는 합금으로 형성되어 있다.

이어, 전극(30)에 각각 급전 단자(24a, 24b)를 접촉시킨다. 이들 급전 단자(24a, 24b)는 전원(120)에 접속되어 있다. 이 상태에서 급전 단자(24a, 24b) 및 전극(30)을 통해 봉착층(21a, 21b)으로 소정의 전류를 통전시키면 봉착층(21a, 21b)만이 발열하여 용융된다. 이 때, 용융된 잉여 봉착재는 각 전극(30)의 2개의 접촉부(36a, 36b)와 봉착층으로 둘러싸인 극간(30c)을 통해 측벽(18)의 모서리부로부터 측벽의 외부로 유출된다.

그 후, 통전을 정지하고 급전 단자(24a, 24b)를 제거하면 열 용량이 작은 봉착층(21a, 21b)의 열이 온도 구배(溫度句配)에 의해 전면 기판(11)과 측벽(18)으로 방열된다. 봉착층(21a, 21b)은 열 용량이 큰 전면 기판(11) 및 측벽(18)과 열 평형에 도달하여 신속하게 냉각 고화된다. 이에 따라, 전면 기판(11)과 측벽(18)이 봉착층(21a, 21b)에 의해 서로 봉착되어 내부가 높은 진공을 유지하는 진공 외위기(10)를 갖는 FED가 얻어진다. 또한 봉착 후, 전극(30)은 봉착층(21a, 21b)과 함께 봉착된 상태로 진공 외위기(10)에 고정된다.

상기와 같이 구성된 제6 실시 형태에 따른 FED 및 그 제조 방법에 따르면, 극히 단시간이며 또한 간단한 제조 장치를 통해 진공 외위기를 진공 봉착할 수 있다. 즉, 도전성을 갖는 봉착재를 이용함에 따라 기판을 가열하지 않고 열 용량이 작은, 즉 체적이 작은 봉착재만을 선택적으로 가열할 수 있으므로, 기판의 열 팽창에 의한 위치 정밀도의 열화 등을 억제할 수 있다.

봉착층의 열 용량이 기판의 열 용량에 비해 매우 작기 때문에 기판 전체를 가열하는 종래의 방법에 비해 가열, 냉각에 소요되는 시간을 대폭적으로 단축할 수 있으므로, 양산성을 대폭적으로 향상시킬 수 있다. 또한, 봉착에 필요한 장치가 단순한 급전 단자와 이들을 접촉시키는 기구뿐이므로, 극히 간략 또한 초고진공에 적합한 깨끗한 장치를 실현할 수 있다.

봉착층(21a, 21b)으로 통전하기 위한 각 전극(30)은 복수의 접촉부(36a, 36b)를 가지며, 이들 접촉부의 사이에는 극간(30c)이 형성되어 있다. 이에 따라, 봉착시 용융 상태의 잉영 봉착재를 접촉부(36a, 36b)간에 규정된 극간(30c)으로부터 적극적으로 외부로 유출시킬 수 있다. 따라서, 전극(30)의 접촉부를 적절한 위치에 설치하면 봉착재가 기판의 배선상 등으로 삐져 나오는 것을 방지할 수 있으므로, 배선간의 쇼트 등의 발생을 방지하며 신속 또한 안정된 봉착이 가능해진다.

전극(30)은 접촉부간에 봉착재가 통과하는 극간을 가지면 되므로 상술된 Y자 형상에 한정되지 않으며, 예를 들면 도33에 도시된 바와 같이 U자 형상으로 하여도 된다. 전극(30)은 봉착재와 접하는 접촉부를 3개 이상 가져도 된다. 예를 들면, 도34a에 도시된 바와 같이 4개의 접촉부(36a, 36b, 32a, 32b)를 갖는 빗자루 형상으로 전극(30)을 형성하여도 된다. 이 경우, 이웃하는 접촉부간에 봉착재가 통과하는 극간(30c)이 형성되어 있다.

또한, 전극(30)의 접촉부는 진공 외위기의 모서리부를 사이에 둔 양측으로 한정되지 않으며, 도34b에 도시된 바와 같이 외위기의 모서리부의 일측에서 봉착부(21a, 21b)에 접촉하여도 된다. 전극(30)이 모서리부로부터 조금 어긋난 위치에 있기 때문에 봉착재가 외위기의 모서리부(30d)로부터 유출되는 경우도 있다. 또한, 도33, 도34a 및 도34b에 각각 도시된 변형예에 있어서, 다른 구성은 전술된 실시 형태와 동일하며, 동일 부분에는 동일한 부호를 붙이고 그 상세한 설명을 생략한다. 또한, 이들 변형예에서도 제6 실시 형태와 동일한 작용 효과를 얻을 수 있 다.

상술된 제6 실시 형태에서는 전극(30)이 직접 봉착층(21a, 21b)에 접촉하는 구성이지만, 도35에 도시된 제7 실시 형태의 제조 방법에 따르면 미리 전극(30)을 도전성 재료층(31)으로 피복하고, 이 도전성 재료층(31)을 통해 전극을 봉착층에 접촉시키는 구성이어도 된다.

즉, 봉착 공정에서 봉착층(21a)과 봉착층(21b)의 사이에 한 쌍의 판형 전극(30)을 각각 끼워 넣는다. 각 전극(30)의 봉착층(21a, 21b)과 접촉하는 면은 미리 도전성 재료층(31)으로 피복되어 있다. 여기서는 각 전극(30)의 양면이 예를 들면 봉착층(21a, 21b)과 동일한 도전성 재료인 In 혹은 In을 포함하는 합금으로 피복되어 있다. 도전성 재료층(31)은 예를 들면 초음파 인가하는 납땜 인두를 통해 도전성 재료를 전극 표면에 도포함으로써 형성된다. 각 전극(30)은 도전성 재료층(31)을 통해 봉착층(21a, 21b)에 접촉되어 있다. 전극(30)은 적어도 Cu, Al, Fe, Ni, Co, Be, Cr 중 어느 하나를 포함하는 단원소 또는 합금으로 형성되어 있다.

이어, 전극(30)에 각각 급전 단자(24a, 24b)를 접촉시킨다. 이들 급전 단자(24a, 24b)는 전원(120)에 접속되어 있다. 이 상태에서 급전 단자(24a, 24b) 및 전극(30)을 통해 봉착층(21a, 21b)에 소정의 전류를 통전시키면 봉착재만 발열하여 용해된다. 그 후, 통전을 정지하고 급전 단자(24a, 24b)를 분리시키면 열 용량이 작은 봉착층(21a, 21b)의 열은 온도 구배에 의해 전면 기판(11)과 측벽(18)으로 방열된다. 이에 따라, 봉착층(21a, 21b)은 열 용량이 큰 전면 기판(11) 및 측벽(18)과 열 평형에 도달하며 신속하게 냉각 고화된다. 따라서, 전면 기판(11)과 측벽 (18)이 봉착층(21a, 21b)에 의해 서로 봉착되며 내부가 높은 진공을 유지하는 진공 외위기(10)를 갖는 FED가 얻어진다. 또한 봉착 후, 전극(30)은 봉착층(21a, 21b)과 함께 봉착된 상태에서 진공 외위기(10)에 고정된다.

제7 실시 형태에 있어서, 다른 구성은 상술된 제6 실시 형태와 동일하며, 동일 부분에는 동일한 부호를 붙이고 그 상세한 설명을 생략한다. 상기와 같이 구성된 제7 실시 형태에서도 제6 실시 형태와 동일한 작용 효과를 얻을 수 있다. 또한, 봉착층(21a, 21b)을 통전하기 위한 전극(30)의 봉착층과의 접촉면이 도전성 재료층(31)으로 피복되어 있다. 이에 따라, 봉착층(21a, 21b)의 통전 용융시 전극(30)과 봉착재의 유성(濡性)이 향상되어 봉착재와 전극간의 접촉 저항의 증가를 방지할 수 있다. 따라서, 접촉부에서의 이상 발열을 방지하고, 봉착층(21a, 21b)이 단선되는 등의 우려를 제거할 수 있다. 그 결과, 단시간 또한 높은 수율로 FED를 제조할 수 있다.

또한, 전극(30)의 표면을 도전성 재료층(31)으로 피복하면 봉착시 용융 상태의 잉여 봉착재를 전극으로부터 외위기의 외부로 적극적으로 배출할 수 있다.

상술된 제7 실시 형태에서는 전극(30)을 봉착층(21a, 21b)의 사이에 끼워 넣는 구성으로 하였으나, 전극을 일측 봉착재에만 접촉시킨 상태에서 통전시키는 구성으로 하여도 된다. 즉, 도36에 도시된 바와 같이 전면 기판(11)과 배면 기판(12)을 소정의 위치에서 중합하고, 봉착층(21a, 21b)을 서로 중합하여 접촉시킨다. 가압 장치(23a, 23b)에 의해 전면 기판(11)과 배면 기판(12)에는 서로 근접하는 방향으로 소정의 봉착 하중이 인가된다. 그리고, 전극(30)은 각각 봉착재(21b)에 접 촉하는 상태로 배치된다.

전극의 유지 방법은 미리 전면 기판(11)의 봉착층(21a, 21b)에 접하도록 봉착층과 동일 재질의 클립 등으로 전극을 고정하는 방법, 또는 급전 단자(24a, 24b)에 클립 등으로 전극을 고정 유지하고 전면 기판(11)과 배면 기판(12)을 소정의 위치에서 중합시킬 때에 전극을 끼워 넣는 방법이어도 된다.

이 경우, 각 전극(30)의 봉착층(21b)과 접촉하는 표면을 미리 도전성 재료층(31)으로 피복하여 둔다. 도전성 재료층(31)은 예를 들면 초음파 인가하는 납땜 인두를 통해 도전성 재료를 전극 표면에 도포함으로써 형성된다. 또한, 봉착시 잉여 봉착재가 적극적으로 전극(30)으로부터 삐져 나오도록 하기 위하여 전극의 봉착재와 접하지 않는 면에도 도전성 재료층을 형성하여도 된다.

다른 구성은 제7 실시 형태와 동일하며, 동일 부분에는 동일한 부호를 붙이고 그 상세한 설명을 생략한다. 그리고, 상기 구성에서도 상술된 제7 실시 형태와 동일한 작용 효과를 얻을 수 있다.

봉착재로 통전되는 전류의 형태로는 직류 전류 뿐만 아니라 상용 주파수에서 변동하는 교류 전류를 이용하여도 된다. 이 경우, 교류로 송신되는 상용 전류를 직류로 변환하는 수고를 덜어 장치를 간략화할 수 있다. 또한, kHz 레벨의 고주파에서 변동하는 교류 전류를 이용하여도 된다. 이 경우, 표피 효과에 의해 고주파에 대한 실효 저항치가 증대되는 부분 만큼 주울열이 증대되기 때문에 보다 작은 전류치로 상기와 동일한 가열 효과가 얻어진다.

또한, 통전되는 전력과 시간에 대해서 상기 실시 형태에서는 5 내지 300초 정도로 하고 있다. 통전 시간이 길면(전력이 작으면) 기판 주변의 온도 상승에 의한 냉각 속도의 저하나 열 팽창에 의한 장해가 일어나고, 통전 시간이 짧으면(전력이 크면) 도전성 봉착 재료의 충전 불균일로 인한 단선이나 유리 열 응력에 의해 균열이 일어난다. 따라서, 통전되는 전력 및 시간(시간적인 전력 변화도 포함)은 대상물 마다 최적의 조건 설정을 수행하는 것이 바람직하다.

또한, 봉착시의 기판 온도와 봉착재의 융점의 온도차에 대해서 상기 실시 형태에서는 20℃ 내지 150℃ 정도로 하고 있다. 온도차가 큰 경우, 냉각 시간을 단축시킬 수 있는 유리 열 응력이 커지기 때문에 이것도 대상물 마다 최적의 조건 설정을 수행하는 것이 바람직하다.

다음에는 본 발명의 제8 실시 형태에 따른 FED의 제조 방법에 대하여 설명한다. 제8 실시 형태에 있어서, FED의 구성 및 제조 방법의 봉착 공정 이외의 구성은 전술된 제6 실시 형태와 동일하므로, 서로 다른 부분을 중심으로 설명한다.

도37에 도시된 바와 같이 봉착 공정에 있어서, 진공 처리 장치의 조립실로 보내진 전면 기판(11)과 배면 기판(12)은 대향 배치된 상태로 핫 플레이트(131, 132)에 각각 외면이 밀착된 상태로 유지된다. 즉, 배면 기판(12)은 핫 플레이트(132)상에 재치되고, 전면 기판(11)은 낙하되지 않도록 고정 지그(133)를 통해 상측의 핫 플레이트(131)에 고정된다.

이어, 도38 및 도39에 도시된 바와 같이, 예를 들면 동으로 이루어진 두께 약 0.2mm의 평판형 전극(30)을 한 쌍 준비하고, 이들 전극(30)을 전면 기판(11)과 배면 기판(12)의 사이에 삽입한다. 이 때, 한 쌍의 전극(30)은 상대되는 위치에 설치되며, 각 전극의 선단이 전면 기판(11)측의 봉착층(21b)과 배면 기판(12)측의 봉착층(21a)의 사이에 위치하도록 삽입된다. 예를 들면, 한 쌍의 전극(30)이 기판 내, 대각 방향으로 대향하는 2개의 모서리부, 2개의 단변, 혹은 2개의 장변에 각각 배치된다.

다음에는 상측의 핫 플레이트(131)와 전면 기판(11)을 하강시켜 전면 기판(11)에 설치된 봉착층(21b)의 거의 전체를 배면 기판측의 측벽(18)에 설치된 봉착층(21a)에 접촉시킨다. 동시에 전면 기판(11)과 배면 기판(12) 중 적어도 일측, 여기서는 양 기판을 서로 근접시키는 방향으로 소망하는 압력으로 가압한다. 이 때, 상하 봉착층(21a, 21b)의 사이에 각 전극(30)을 끼워 넣는다. 이에 따라, 각 전극(30)은 상하의 인듐(21)에 동시에 전기적으로 접촉된다.

이 상태에서 전원으로부터 한 쌍의 전극(30)을 통해 양 봉착층(21a, 21b)으로 140A의 직류 전류를 정전류 모드로 통전한다. 이에 따라, 봉착층을 형성하는 인듐이 가열되어 용융되며 전면 기판(11)과 측벽(18)이 봉착층(21a, 21b)에 의해 기밀하게 접합된다.

그 후, 통전을 정지하면 용융된 인듐이 굳어 외위기(10)가 형성된다. 이와 같이 형성된 외위기는 냉각실(106)에서 상온까지 냉각되며 언로드실(107)로부터 취출된다. 이상의 공정에 의해 진공 외위기가 완성된다.

제8 실시 형태에 따르면, 전술된 실시 형태와 동일한 진공 분위기 속에서 전면 기판(11)과 배면 기판(12)의 봉착, 접합을 수행한다는 점에서, 베이킹과 전자선 세정 작용을 통해 표면 흡착 가스를 충분히 방출시킬 수 있으므로, 흡착 능력이 우 수한 게터막을 얻을 수 있다. 또한, 인듐을 통전 가열하여 봉착, 접합함에 따라 전면 기판과 배면 기판 전체를 가열할 필요가 없으므로, 게터막의 열화, 봉착 공정중에 기판이 깨지는 등의 문제를 제거할 수 있다. 동시에 봉착 시간의 단축을 도모할 수 있으므로, 양산성이 우수한 제조 방법으로 할 수 있다.

또한, 대향 배치된 전면 기판(11)과 배면 기판(12)의 적어도 일측을 전면 기판과 배면 기판이 서로 근접하는 방향으로 가압하고, 봉착층(21a, 21b) 중 적어도 일부가 전면 기판과 배면 기판의 주변부간에 협지된 상태에서 봉착층으로 통전하여 가열 용융시키고 있다. 이에 따라, 용융 후의 봉착층은 전면 기판(11)과 측벽(18)의 사이에 끼어있는 상태가 된다. 따라서, 기판의 주변에 따른 봉착층(21a, 21b)의 단면적 분산이나 중력 등에 의해 용융 인듐에 국부적인 요철이 발생하여도 전면 기판(11)과 측벽(18)간의 공간이 제약되어 있으므로, 과잉 응집되는 용융 인듐이 요철 부분으로 밀려 되돌려진다. 그 결과, 봉착층에서의 요철의 발생을 억제할 수 있다. 따라서, 용융 후의 봉착층의 단면적이 전면 기판(11)과 측벽(18)의 전체 둘레에 걸쳐 균일하게 되므로, 접합시 봉착층을 전체 둘레에 걸쳐 균등하게 가열할 수 있다. 이러한 점에서 봉착층의 국부적인 가열로 인한 단선, 기판의 클랙 발생 등을 방지하여 안정된 접합을 수행할 수 있다. 그리고, 저가로 제조할 수 있으며, 신뢰성이 높고 또한 양호한 화상을 얻을 수 있는 FED를 제공할 수 있다.

상술된 제조 방법에 따르면, 각 전극(30)을 전면 기판(11)측의 봉착층(21b) 및 측벽측의 봉착층(21a)의 양쪽에 동시에 전기적으로 접촉시켜, 즉 양 봉착층에 등가로 접촉시킨 상태로 통전할 수 있다. 따라서, 각각의 봉착층으로 거의 동일량 의 전류를 흘려 보낼 수 있다. 그 결과, 전면 기판(11)과 배면 기판(12)에 설치된 봉착층을 균등하게 가열 용융시켜 안정된 접합을 수행할 수 있다.

다음에는 본 발명의 제9 실시 형태에 따른 FED의 제조 방법에 대하여 설명한다.

상술된 제8 실시 형태에서는 전극(30)을 상하 봉착층(21a, 21b)의 사이에 끼워 넣고 양 봉착층에 동시에 전기적으로 접촉되도록 구성하였다. 제9 실시 형태에 따르면, 전극(30)이 접촉되는 부분에 미리 봉착층(21a, 21b)끼리를 부분적으로 용착하고, 이 용착부에 전극(30)을 접촉시키고 있다.

상세하게 기술하면, 진공 처리 장치의 조립실(105)로 보내진 전면 기판(11)과 배면 기판(12)은 도40에 도시된 바와 같이 복수의 지지 핀(128)에 의해 유지되며, 서로 근접하는 방향으로 가압된다. 이에 따라, 전면 기판(11)에 설치된 봉착층(21b) 및 측벽(18)에 설치된 봉착층(21a)이 서로 접촉한다. 또한 전극(30)이 접촉하는 부분, 예를 들면 전면 기판(11)에 설치된 봉착층(21b)은 다른 부분보다 외측으로 연장된 연장부(21c)를 갖는다. 예를 들면, 연장부(21c)는 전면 기판(1)의 대향하는 2개의 모서리부 근방에 각각 설치되어 있다.

이어, 연장부(21c)에 대응하는 위치, 예를 들면 배면 기판(12)의 모서리부의 하방에 유도 가열 코일(127)을 대향 배치한다. 이 유도 가열 코일(127)을 통해 봉착층(21a, 21b)을 국부적으로 고주파 가열하여 봉착층끼리를 부분적으로 용착한다. 이에 따라, 대각 방향으로 대향하는 2개의 모서리부에 각각 용착부(21d)가 형성된다.

그 후, 동으로 이루어진 두께 약 0.2mm의 전극(30)을 전면 기판(11)과 배면 기판(12)의 사이에 삽입하고, 각 용착부(21d)의 연장부(21c)에 접촉시킨다. 이 상태에서 전원으로부터 한 쌍의 전극(30)을 통해 봉착층(21a, 21b)으로 통전한다. 이에 따라, 인듐이 가열되어 용융되며 전면 기판(11)과 측벽(18)이 봉착층(21a, 21b)에 의해 기밀하게 접합된다.

그 후, 통전을 정지하면 용융된 인듐이 굳어 외위기(10)가 형성된다. 이와 같이 형성된 외위기는 냉각실에서 상온까지 냉각되고 언로드실로부터 취출된다. 이상의 공정에 의해 진공 외위기가 완성된다.

다른 구성은 전술된 실시 형태와 동일하며, 동일 부분에는 동일한 부호를 붙이고 그 상세한 설명을 생략한다.

상기와 같이 구성된 제9 실시 형태에 따르면, 전극(30)이 접촉하는 위치에서 대향하는 인듐끼리를 통전 이전에 용착시켜 둠에 따라 전면 기판(11)측의 봉착층(21b) 및 측벽(18)측의 봉착층(21a)에 거의 동량의 전류를 분류하여 흘려 보낼 수 있다. 따라서, 양 봉착층(21a, 21b)을 균등하게 가열 용융시킬 수 있다. 또한, 전면 기판(11)과 배면 기판(12)을 서로 근접하는 방향으로 가압한 상태에서 봉착층으로 통전하기 때문에 상기 제8 실시 형태와 동일하게 용융 후의 봉착층의 단면적 변화를 억제하므로, 봉착층 전체를 균등하게 가열 승온시킬 수 있다. 이상의 점에서, 전면 기판(11)과 배면 기판(12)이 안정되게 접합되므로 신뢰성이 향상된 FED를 얻을 수 있다.

제8 및 제9 실시 형태에 있어서, 예를 들면 미리 전극을 기판에 장착한 상태 에서 진공 처리 장치로 투입하여도 되고, 전극의 형상이나 재료도 상기 실시 형태에 한정되는 것은 아니다. 또한, 전면 기판과 측벽 양쪽에 봉착재를 설치한 상태에서 봉착하도록 구성하였으나, 전면 기판과 측벽 중 적어도 일측에 봉착재를 설치한 상태에서 봉착하여도 된다.

다음에는 본 발명의 제10 실시 형태에 따른 FED 및 그 제조 방법에 대하여 설명한다.

도42 및 도43에 도시된 바와 같이, FED는 진공 외위기(10) 및 진공 외위기에 장착되는 복수, 예를 들면 한 쌍의 전극(30)을 구비하고 있다. 진공 외위기(10)는 각각 직사각형의 유리판으로 이루어진 전면 기판(11)과 배면 기판(12)을 구비하는데, 이들 기판(11, 12)은 직사각형 프레임 형상의 측벽(18)을 통해 주연부끼리 접합되어 있다. 전면 기판(11)의 내면에는 형광체 스크린(16), 메탈 백(17), 게터막(13)이 형성되어 있다. 배면 기판(12)의 내면상에는 형광체 스크린(16)의 형광체층을 여기시키는 다수의 전자 방출 소자(22)가 설치되어 있다. 또한, 배면 기판(12)의 내면에는 전자 방출 소자(22)로 전위를 공급하는 다수의 배선(23)이 매트릭스형으로 설치되어 있으며, 그 단부는 진공 외위기(10)의 주연부로 인출되어 있다.

한 쌍의 전극(30)은 봉착층(21)에 전기적으로 도통된 상태로 외위기(10)에 장착되어 있다. 이들 전극(30)은 봉착층(21)으로 통전할 때에 전극으로 이용된다. 도44에 도시된 바와 같이 각 전극(30)은 도전 부재, 예를 들면 0.2mm 두께의 강판을 절곡 가공하여 형성되어 있다. 즉, 전극(30)은 단면이 거의 U자 형상이 되도록 절곡되어 있는데, 장착부(32), 장착부로부터 연장되며 봉착층에 대한 전류의 통로 가 되는 몸체부(34), 몸체부의 연장된 단부에 위치하며 봉착층에 접촉 가능한 접촉부(36), 및 장착부와 몸체부의 배면부에 의해 형성되는 평탄한 도통부(38)를 일체로 구비하고 있다.

장착부(32)는 클립형으로 절곡된 협지부를 일체로 구비하며, 전면 기판(11) 혹은 배면 기판(12)의 주연부를 협지하여 장착되도록 구성되어 있다. 접촉부(36)는 수평 방향의 연장 길이(L)가 2mm 이상으로 형성되어 있다. 또한, 몸체부(34)는 띠형으로 형성되며, 장차부(32)로부터 사선 상방으로 경사지게 연장되어 있다. 이로 인해, 접촉부(36)는 연직 방향을 따라 장착부(32) 및 몸체부(34) 보다 높게 위치한다.

도42 및 도43, 도44에 도시된 바와 같이, 각 전극(30)은 진공 외위기(10)의 예를 들면 장착부(32)를 통해, 예를 들면 배면 기판(12)의 주연부를 탄성적으로 협지한 상태로 진공 외위기(10)에 장착되어 있다. 각 전극(30)의 접촉부(36)는 각각 봉착층(21)과 접촉하며 전기적으로 도통되어 있다. 몸체부(34)는 접촉부(36)로부터 진공 외위기(10)의 외측으로 연장되는 동시에 도통부(38)는 배면 기판(12)의 측면과 대향하여 진공 외위기(10)의 외면에 노출되어 있다. 이들 한 쌍의 전극(30)은 진공 외위기(10)의 대각 방향으로 이격된 2개의 모서리부에 각각 설치되며, 봉착층(21)에 대하여 대칭으로 배치되어 있다.

상기 FED의 다른 구성은 전술된 제1 실시 형태와 동일하며, 동일 부분에는 동일한 부호를 붙이고 그 상세한 설명을 생략한다.

다음에는 제10 실시 형태에 따른 FED의 제조 방법에 대하여 상세히 설명한 다. 여기서는 제1 실시 형태에 따른 제조 방법과 서로 다른 부분을 중심으로 설명한다.

먼저, 제1 실시 형태와 동일하게 형광체 스크린(16) 및 메탈 백(17)이 형성된 전면 기판(11) 및 전자 방출 소자(22)가 형성된 배면 기판(12)을 준비한다. 이어, 대기중에서 저융점 유리(19)를 통해 측벽(18)과 지지 부재(14)를 배면 기판(12)의 내면상에 봉착한다. 그 후, 측벽(18)의 봉착면의 전체 둘레에 인듐을 소정의 폭 및 두께로 도포하여 봉착층(21a)을 형성한다. 전면 기판(11)의 측벽과 대향하는 봉착면에 인듐을 소정의 폭 및 두께로 직사각형 프레임 형상으로 도포하여 봉착층(21b)을 형성한다.

이어, 도45에 도시된 바와 같이 측벽(18)이 접합된 배면 기판(12)에 한 쌍의 전극(30)을 장착한다. 이 때, 각 전극(30)은 접촉부(36)가 봉착층(21a)에 접촉되지 않고, 봉착층과 극간을 두고 대향하는 상태로 장착한다. 전극(30)은 기판상에서 +극과 -극 한 쌍이 필요하며, 한 쌍의 전극간에서 병렬로 통전되는 봉착층(21a, 21b)의 각각의 통전 경로는 그 길이를 동등하게 하는 것이 바람직하다. 이에, 한 쌍의 전극(30)을 배면 기판(12)의 대각 방향으로 대향하는 2개의 모서리부에 장착하고, 전극간에 위치한 봉착층(21a, 21b)의 길이는 각 전극의 양측에서 거의 동등하게 설정하였다.

전극(30)을 장착한 후, 배면 기판(12)과 전면 기판(11)을 소정 간격 이격시켜 대향 배치하고, 이 상태에서 도9에 도시된 진공 처리 장치(100) 내에 투입한다. 전면 기판(11)과 배면 기판(12)은 로드실(101)을 통해 베이킹, 전자선 세정실(102) 로 보내진다. 베이킹, 전자선 세정실(102)에서는 각종 부재를 300℃의 온도로 가열하여 각 기판의 표면 흡착 가스를 방출시킨다. 동시에 전자선 발생 장치로부터의 전자선을 전면 기판(11)의 형광체 스크린면 및 배면 기판(12)의 전자 방출 소자면에 조사하여 형광체 스크린면과 전자 방출 소자면의 전면을 각각 전자선 세정한다.

베이킹 공정에서 가열에 의해 봉착층(21a, 21b)은 일단 용융되어 유동성을 갖지만, 각 전극(30)의 접촉부(36)는 봉착층(21a, 21b)에 접촉되지 않고 간격을 두고 대향하고 있다. 따라서, 용융된 인듐이 전극(30)을 통해 배면 기판(12)의 외측으로 흘러 나오는 것을 억제할 수 있다.

베이킹 및 전자선 세정된 전면 기판(11)과 배면 기판(12)은 냉각실(103)로 보내져 약 120℃의 온도까지 냉각된 후, 게터막 증착실(104)로 보내진다. 이 증착실(104)에서는 메탈 백(17)의 외측에 게터막(27)인 Ba막을 증착 형성한다. Ba막은 표면이 산소나 탄소 등으로 오염되는 것을 방지할 수 있으므로, 활성 상태를 유지할 수 있다.

이어, 전면 기판(11)과 배면 기판(12)은 조립실(105)로 보내진다. 도46에 도시된 바와 같이 이 조립실(105)에서 전면 기판(11)과 배면 기판(12)은 대향 배치된 상태로 조립실 내의 핫 플레이트(131, 132)에 각각 유지되다. 전면 기판(11)은 낙하되지 않도록 고정 지그(133)에 의해 상측의 핫 플레이트(131)에 고정된다.

그 후, 전면 기판(11)과 배면 기판(12)을 약 120℃로 유지한 상태에서 서로 근접하는 방향으로 이동시켜 소정의 압력으로 가압한다. 기판의 이동은 전면 기판 (11)과 배면 기판(12)의 양쪽을 이동시켜 서로 근접시키는 방법, 혹은 전면 기판과 배면 기판 중 어느 일측을 이동시켜 서로 근접시키는 방법 중 어느 것이어도 된다.

도47에 도시된 바와 같이, 소정의 압력으로 가압하면 전면 기판(11)측의 봉착층(21b)과 배면 기판(12)측의 봉착층(21a)이 서로 접촉되는 동시에 각 전극(30)의 접촉부(36)가 봉착층(21a, 21b)의 사이에 협지되고, 각 전극(30)은 봉착층(21a, 21b)에 전기적으로 접속된다. 이 때, 접촉부(36)가 2mm 이상의 수평 방향 길이로 형성되어 있기 때문에 봉착층(21a, 21b)에 안정되게 접촉될 수 있다. 또한, 전극(30)의 접촉부(36)에 미리 인듐을 도포하여 두면 봉착층에 대한 한층 양호한 접촉 및 통전 상태를 얻을 수 있다.

이 상태에서 도10에 도시된 바와 같이 한 쌍의 전류(30)에 전원(120)을 전기적으로 접속한 후, 측벽(18)측의 봉착층(21a) 및 전면 기판(11)측의 봉착층(21b)의 각각에 예를 들면 140A의 직류 전류를 정전류 모드로 인가한다. 이에 따라, 봉착층(21a, 21b)이 가열되어 인듐이 용융된다. 이 때, 전원(120)에 접속된 접속 단자(40)를 전극(30)의 도통부(38)에 접촉시키면 전원과 전극, 및 전극과 봉착층(21a, 21b)을 확실하게 도통시킬 수 있다. 또한, 각 전극(30)이 봉착층(21a, 21b)에 등가로 접촉되고 있기 때문에 안정되게 통전할 수 있으므로, 각각의 봉착층에 거의 동량의 전류를 흘려 보내어 균등하게 가열 용융시킬 수 있다.

인듐을 용융시킴으로써, 봉착층(21a, 21b)을 융합시켜 봉착층(21)을 형성하고, 이 봉착층을 통해 전면 기판(11)의 주연부와 측벽(18)을 봉착한다. 상기 공정에 의해 봉착된 전면 기판(11), 측벽(18) 및 배면 기판(12)은 냉각실(106)에서 상 온까지 냉각되며 언로드실(107)로부터 취출된다. 이를 통해, FED의 진공 외위기(10)가 완성된다.

또한, 진공 외위기(10)가 왼성된 후, 필요에 따라 한 쌍의 전극(30)을 절제하여도 된다.

이상과 같이 구성된 FED 및 그 제조 방법에 따르면, 통전 가열시 배면 기판에 장착된 전극(30)을 통해 봉착층(21)으로 안정된 전류를 흘려 보낼 수 있다. 따라서, 봉착시 봉착층을 구성하는 도전성 저융점 봉착 재료를 미리 정한 통전 시간에 안정되고 또한 확실하게 용융시킬 수 있으며, 그 결과 봉착층(21)에 균열 등이 발생되지 않고 신속 또한 확실한 봉착을 수행할 수 있다.

베이킹과 전자선 세정의 병용을 통해 표면 흡착 가스를 충분히 방출시킬 수 있으므로, 흡착 능력이 뛰어난 게터막을 얻을 수 있다. 또한, 인듐을 통전 가열하여 봉착, 접합함에 따라 전면 기판과 배면 기판 전체를 가열할 필요가 없으므로, 기판 전체를 저온으로 유지하면서 봉착 작업을 단시간이며 또한 안정되게 수행할 수 있다. 동시에 게터막의 열화, 봉착 공정중에 기판이 깨지는 등의 문제를 제거할 수 있다.

봉착 이전의 상태에서 전극의 접촉부는 봉착층과 접촉되지 않고 봉착층과 간격을 두고 대향하고 있다. 이에 따라, 베이킹 공정 등에서 봉착재가 용융되는 경우에도 이 용융된 봉착재가 전극을 통해 외부로 유출되는 것을 방지할 수 있다. 따라서, 봉착층을 전체 둘레에 걸쳐 균일한 두께로 유지할 수 있는 동시에 봉착재의 유출로 인한 배선의 쇼트 등을 방지할 수 있다. 이상의 점에서, 양산성이 뛰어 난 동시에 안정 또한 양호한 화상을 얻을 수 있는 FED를 저가로 얻을 수 있다.

상술된 제10 실시 형태에 있어서, 각 전극(30)의 접촉부(36) 및 몸체부(34)는 동일한 폭을 갖는 띠형으로 형성되어 있다. 도48에 도시된 바와 같이, 몸체부(34)는 접촉부(36)의 폭보다 좁은 폭으로 형성되어 있다. 여기서는 몸체부(34)가 전체 길에 걸쳐 균일한 폭을 갖는 띠형으로 형성되어 있다. 또한, 도49에 도시된 바와 같이, 몸체부(34)는 접촉부(36)와 연결되는 부분이 접촉부의 폭보다 좁은 폭으로 형성되고, 이 접촉부로부터 장착부(32)를 향해 서서히 폭이 넓어지도록 형성하여도 된다.

이와 같이 몸체부(34)의 폭, 특히 적어도 접촉부(36)에 연결되는 부분의 몸체부의 폭이 접촉부의 폭보다 좁게 형성된 전극(30)을 이용하면 통전 가열시 몸체부(34)에서의 발열을 접촉부(36)를 통해 신속하게 봉착층으로 전달할 수 있다. 따라서, 봉착층으로 한층 안정되게 통전할 수 있으며, 봉착층 전체가 거의 균일하게 승온하게 됨에 따라 신속 또한 확실하게 접합을 수행할 수 있다.

여기서는 몸체부(34)의 폭을 좁게 하였지만, 몸체부에 구멍이나 절삭을 넣어 제어하여도 되고, 몸체부의 두께를 얇게 하여 제어하여도 된다. 또한, 몸체부와 그 이외의 부분에 대한 재질을 변경하는 등, 판재의 중합으로 발열을 제어하여도 된다.

상술된 제10 실시 형태에 있어서, 각 전극(30)의 장착부는 클립형의 협지부를 일체로 구비하고 있으나, 도50 및 도51에 도시된 바와 같이 협지부로 기능하는 별체의 클립(46)을 구비하여도 된다. 즉, 전극(30)은 접촉부(36), 몸체부(34) 및 평탄한 기대부(39)를 가지며, 이는 판재를 절곡하여 일체로 형성되어 있다. 또한, 전극(30)의 장착부는 기대부(39) 및 별체의 클립(46)으로 구성되어 있다. 그리고, 전극(30)은 기대부(39) 및 기판의 주연부, 여기서는 배면 기판(12)의 주연부를 클립(46)으로 협지함으로써 배면 기판(12)에 장착된다.

도48 내지 도51에 도시된 변형예에 있어서, 다른 구성은 전술된 실시 형태와 동일하며, 동일 부분에는 동일한 부호를 붙이고 그 상세한 설명을 생략한다. 그리고, 이들 실시 형태에서도 전술된 실시 형태와 동일한 작용 효과를 얻을 수 있다.

제10 실시 형태에서는 배면 기판의 대향하는 대각 부분에 한 쌍의 전극을 장착하고, 기판을 서로 가압하는 상태에서 봉착층으로 통전시키는 구성이었으나, 이에 한정되지 않으며 전면 기판측에도 한 쌍의 전극을 장착하고, 배면 기판측과 별개로 봉착층으로 통전시켜 가열 용융하는 구성이어도 된다.

이 경우, 도52에 도시된 바와 같이, 조립실로 보내진 전면 기판(11)과 배면 기판(12)은 핫 플레이트(131, 132)상에 고정되어 대향 배치된 후, 서로 근접하는 방향으로 이동된다. 배면 기판(12)에 장착된 전극(30)의 접촉부는 전면 기판(11)측의 봉착층(21b)과 전기적으로 접촉되고, 전면 기판(11)에 장착된 전극(30)의 접촉부는 배면 기판(12)측의 봉착층(21a)과 전기적으로 접촉된다. 이 때, 전면 기판(11)측의 봉착층(21b)과 배면 기판(12)측의 봉착층(21a)은 서로 접촉되지 않는 상태로 유지된다.

이 상태에서 전극(30)을 통해 봉착층(21a, 21b)으로 전류를 인가하면 봉착층(21a) 및 봉착층(21b)이 각각 별개로 용융된다. 용융 후, 통전을 멈추고 양 기판 (11, 12)을 더욱 근접하는 방향으로 이동하여 가압하면 봉착층(21a, 21b)이 융합하여 봉착층(21)을 형성하고, 이 봉착층(21)에 의해 전면 기판(11)의 주연부와 측벽(18)이 봉착된다.

일측 기판에 2쌍의 전극을 장착하되, 한 쌍의 전극으로 배면 기판(12)측의 봉착층(21a)에 통전하고, 타측의 한 쌍의 전극으로 전면 기판(11)측의 봉착층(21b)에 통전하도록 구성하는 것도 가능하다.

이 경우, 도53에 도시된 바와 같이 배면 기판(12)에 2쌍의 전극(30)을 장착한다. 조립실로 보내진 전면 기판(11)과 배면 기판(12)은 핫 플레이트(131, 132)상에 고정되어 대향 배치된 후, 서로 근접하는 방향으로 이동된다. 배면 기판(12)에 장착된 전극 중 1쌍의 전극의 접촉부(36)는 전면 기판(11)측의 봉착층(21b)과 전기적으로 접촉된다. 다른 1쌍의 전극(30)은 도54에 도시된 바와 같이 전극의 몸체부(34)에 볼록형 부분(47)이 형성되어 있다. 전면 기판(11)과 배면 기판(12)이 서로 근접하는 방향으로 이동하면, 볼록형 부분(47)이 전면 기판(11)의 주연부에 당접되고, 전극의 접촉부(36)는 배면 기판(12)측의 봉착층(21a)으로 이동하여 이 봉착층(21a)과 전기적으로 접촉된다. 이 때, 전면 기판(11)측의 봉착층(21b)과 배면 기판(12)측의 봉착층(21a)은 서로 접촉하지 않는 상태로 유지된다.

이 상태에서 전극(30)으로부터 봉착층(21a, 21b)으로 전류를 인가하면, 봉착층(21a, 21b)은 각각 별개로 가열되어 용융된다. 용융 후, 통전을 멈추고 전면 기판(11)과 배면 기판(12)을 더욱 근접하는 방향으로 이동시켜 가압한다. 이에 따라, 봉착층(21a, 21b)이 융합하여 봉착층(21)을 형성하고, 이 봉착층에 의해 전면 기판(111)의 주연부와 측벽(18)이 봉착된다.

또한 도52, 도53 및 도54에 도시된 변형예에 있어서, 다른 구성은 전술된 제10 실시 형태와 동일하며, 동일 부분에는 동일한 부호를 붙이고 그 상세한 설명을 생략한다. 상기 변형예에서도 전술된 실시 형태와 동일한 작용 효과를 얻을 수 있다.

한편, 상술된 각 실시 형태에 있어서, FED의 진공 외위기의 봉착이 종료된 후, 전극을 진공 외위기로부터 제거하여도 된다. 본 발명의 제11 실시 형태에 따른 제조 방법에 따르면, 봉착후 진공 외위기(10)로부터 전극(30)을 절제하도록 구성되어 있다. 예를 들면, 제10 실시 형태에서 봉착후 외위기(10)는 진공 처리 장치의 언로드실(107)로부터 취출된다. 이 외위기(10)는 전극(30)이 봉착층(21)에 강고하게 접합된 상태로 남아있다. 이에, 이들 전극(30)을 이하의 공정을 통해 외위기(10)로부터 제거한다.

먼저, 도55에 도시된 바와 같이, 전극(30)과 봉착층(21)의 계면에 초음파 커터(60)의 날을 삽입하고 전극의 접촉부(36)의 주위에 위치하는 봉착층(21)을 초음파 절단하여 제거한다. 초음파 커터(60)를 이용하는 경우, 초음파 진동에 의해 날과 봉착층(21)의 마찰력이 작아져 거의 가압하지 않고 용이하게 봉착층을 절단 제거할 수 있다.

이와 같이 전극(30)의 접촉부(36) 주위의 봉착층이 제거되면, 전극과 봉착층의 접합력이 약해진다. 이 상태에서 도56에 도시된 바와 같이 전극(30)의 잡착부(32)를 도시되지 않은 유지 지그를 통해 척(chuck)하고 화살표 방향으로 인발한다. 이에 따라, 기판이나 봉착층을 손상시키지 않고 외위기(10)로부터 기계적으로 전극(30)을 제거할 수 있다.

상기와 같이 구성된 FED에서 전극(30)을 제거하면, 봉착층(21)에는 전극의 접촉부(36)가 배치되어 있던 흔적에 대응하는 오목부(41)가 남는다. 즉, 도57 및 도58에 도시된 바와 같이, 봉착층(21) 중 진공 외위기(10)의 대각 방향으로 대향하는 2개의 모서리부(40a, 40b)에 예를 들면 각각 폭 5mm, 홈 깊이 약 1mm의 오목부(41)가 형성되는데, 각각 진공 외위기의 외측을 향해 개구되어 있다. 이에 따라, 진공 외위기(10)의 모서리부(40a, 40b)에서 봉착층(21)은 그 폭이 부분적으로 좁아지도록 형성된다.

제11 실시 형태에 있어서, 다른 구성은 전술된 제10 실시 형태와 동일하며, 동일 부분에는 동일한 부호를 붙이고 그 상세한 설명을 생략한다.

이상과 같이 구성된 제11 실시 형태에 따른 제조 방법 및 FED에 따르면, 전술된 실시예와 동일한 작용 효과를 얻을 수 있다. 봉착 후의 FED에서 불필요한 부품이 되는 전극을 제거함에 따라 외위기의 취급이 간단해진다는 이점이 얻어진다. 예를 들면, FED를 모니터로서 캐비닛에 조립할 때, 전극이 장해가 되는 것을 방지할 수 있다. 전극의 기판으로부터 돌출된 부분이 다른 장치나 작업자에게 상처 입히거나 혹은 전극을 통해 외위기로 부하가 작용하여 외위기가 파손되는 등의 문제를 제거할 수 있다. 또한, 반송 장치 등을 전극에 대응하도록 개조할 필요가 없으므로 제조 코스트의 저감이 가능해진다.

초음파 커터 등으로 초음파 진동 절단을 수행하여 전극 주위의 봉착재를 제 거할 수 있으므로, 전극을 용이하게 분리할 수 있다.

상술된 제11 실시 형태에 있어서, 진공 외위기(10)로부터 전극(30)을 제거할 때 초음파 커터를 이용하였으나, 이하의 방법을 통해 제거할 수도 있다. 즉, 도59에 도시된 바와 같이 초음파 발생원(62)에 접속된 초음파 진동자(64)를 전극(30)에 접촉시켜 직접 전극(30)을 초음파 진동시킨다. 이 경우, 전극(30) 자체가 초음파 커터의 날로서 기능하여 전극의 접촉부(36)와 봉착층(21)의 계면을 초음파 진동 절단한다. 이를 통해, 전극(30) 주위의 봉착재를 제거할 수 있으므로, 전극을 용이하게 분리할 수 있다.

봉착층(21)에 있어서, 봉착된 전극(30)의 접촉부(36) 근방의 영역을 부분적으로 가열하여 연화시켜 전극과 봉착층(21)의 접합력을 약화시킨 상태에서 봉착층으로부터 전극을 인발하여도 된다. 이는 전극(30)의 접촉부(36) 근방의 봉착층(21)을 유도 가열하는 것으로 이루어진다. 즉, 도60에 도시된 바와 같이 봉착 후, 예를 들면 전극(30)의 근방에서 진공 외위기(10)의 전면 기판(11)과 인접 대향하게 유도 가열 코일(66)을 배치한다. 유도 가열 코일(66)에 고주파를 인가하면 전면 기판(11)을 통해 봉착층(21)이 고주파 가열되어 봉착층이 부분적으로 연화된다.

이 경우, 미리 전극(30)의 장착부(32)를 도시되지 않은 유지 지그를 통해 척하여 기판 외측 방향으로 인장력을 가해 놓는다. 이에 따라, 봉착층(21)이 연화된 시점에서 전극(30)과 봉착층(21)의 접합력이 약해지면 전극(30)을 인발할 수 있다. 전극(30)의 인발 후, 유도 가열 코일(66)로의 통전을 멈추고 진공 외위기(10)로부터 이격시키면 봉착층(21)의 가열된 부분이 신속하게 냉각되어 FED 진공 외위기 (10)가 완성된다.

도60에 도시된 실시 형태에 있어서, 전극(30)의 접촉부(36) 근방의 봉착층(21)을 유도 가열하여 용융시킨 후, 전극을 기계적으로 제거하여도 된다. 이 경우, 가열 시간이 길면 봉착층(21)의 넓은 영역이 용융되어 흘러 나옴에 따라 외위기의 기밀 봉착이 깨질 우려가 있다. 따라서, 3 내지 30초 정도의 단시간에 가열을 수행하는 것이 바람직하다. 단시간 가열하면 전극(30)의 접촉부(36) 근방의 봉착재만이 용융되므로, 외위기(10)의 진공 기밀성을 확보한 상태에서 전극(30)을 제거할 수 있다.

또한, 유도 가열이 아니라 국소 히터 등의 기타 방법을 통해 전극 주위를 가열하여도 된다.

도59 및 도60에 각각 도시된 실시 형태에 있어서, 다른 구성은 전술된 제11 실시 형태와 동일하며, 동일 부분에는 동일한 부호를 붙이고 그 상세한 설명을 생략한다.

그 이외에, FED의 봉착층(21)에는 전극이 배치되는 위치나 전극의 형상에 따라 도61a 내지 61e에 도시된 것과 같은 오목부(41)가 형성되어도 된다. 도61a에 도시된 변형예에 따르면, 측벽(18)과 봉착층(21)의 모서리부는 직각으로 형성되고, 오목부(41)는 봉착층의 모서리부에 형성되는데, 대각 방향으로 연장되는 직사각형을 이루고 있다. 도61b에 도시된 변형예에 따르면, 측벽(18)과 봉착층(21)의 모서리부는 직각으로 형성되고, 오목부(41)는 봉착층의 모서리부를 모따기한 형상으로 형성되며 대각 방향으로 연장되어 있다.

도61c에 도시된 변형예에 따르면, 측벽(18)과 봉착층(21)의 모서리부는 원호형으로 형성되고, 오목부(41)는 봉착층의 모서리부에 형성되는데, 대각 방향으로 연장된 직사각형을 이루고 있다. 도61d에 도시된 변형예에 따르면, 측벽(18)과 봉착층(21)의 모서리부는 원호형으로 형성되고, 오목부(41)의 바닥면 부분이 봉착층의 모서리부에 형성되는데, 대각 방향으로 원호형으로 돌출된 형상을 이루고 있다. 또한, 도61e에 도시된 변형예에 따르면, 측벽(18)과 봉착층(21)의 모서리부는 원호형으로 형성되고, 오목부(41)는 봉착층의 모서리부를 모따기한 형상으로 형성되며 대각 방향으로 연장되어 있다.

그 이외에, 오목부(41)는 사용되는 전극의 형상에 따라 상기 이외의 다른 형상으로 형성되어도 된다. 또한, 봉착층(21)의 각각의 통전 경로 길이가 동등하도록 전극(30)이 설정되어 있다면 외위기의 모서리부에 한정되지 않고, 예를 들면 장변 또는 단변의 중앙부에 배치하여도 된다. 이 경우, 오목부(41)는 전극(30)의 배치 위치에 대응하여 봉착층(21)의 장변 또는 단변의 중앙부에 형성된다. 오목부(41)의 위치나 형상은 임의로 설정할 수 있다.

전술된 조립실(105)에서 봉착을 수행할 때, 전면 기판(11)과 배면 기판(12)에 설치된 봉착층(21a, 21b)에 각각 별개로 통전하여 봉착재를 용융시킨 후, 양 기판을 서로 근접하는 방향으로 소망하는 압력으로 가압하여 봉착할 수도 있다. 이 경우, 2장의 기판용에 2쌍, 4개의 전극(40)이 필요하다. 이들 전극은 예를 들면 배면 기판(12)의 4개의 모서리부에 각각 장착되며, 1쌍의 전극은 배면 기판(12)에 설치된 봉착층(21a)으로의 통전, 또 다른 1쌍의 전극은 전면 기판(11)에 설치된 봉 착층(21b)으로의 통전에 이용된다. 따라서, 봉착후 전극을 제거하면 진공 외위기(10)의 봉착층(21)에는 4개의 오목부(41)가 형성된다.

또한, 이 오목부의 수는 상술된 2군데 또는 4군데로 한정되는 것이 아니라, 사용되는 전극의 수에 따라 임의의 수로 할 수 있다. 예를 들면, 접촉부가 2개로 나뉘어진 전극을 4개 이용하여 통전 봉착을 수행하는 경우, 오목부는 8군데 형성된다.

상술된 제11 실시 형태에서는 전극 전체를 진공 외위기로부터 분리하도록 구성하였으나, 전극의 일부를 남긴 상태로 제거하여도 된다. 본 발명의 제12 실시 형태에 관한 제조 방법에 따르면, 전극(30)을 몸체부의 도중에서 절단하여 접촉부(36)를 남기고 전극의 다른 부분을 외위기로부터 제거한다.

상세히 기술하면, 예를 들면 전술된 제10 실시 형태와 동일한 공정을 통해 봉착된 전면 기판(11), 측벽(18) 및 배면 기판(12)이 진공 처리 장치의 냉각실(106)로 보내져 상온까지 냉각된다. 이 상태에서 전극(30)의 접촉부(36)는 봉착층(21)에 강고하게 접합되어 있다. 도62에 도시된 바와 같이, 냉각실(106)에는 자동화 커터(70)가 배치되어 있다. 전극(30)의 몸체부(34)를 협지하듯이 자동화 커터(70)를 연장시키고, 이 자동화 커터를 통해 접촉부(36) 근방에서 몸체부(34)를 절단한다.

이어, 도63에 도시된 바와 같이 절단된 전극(30)의 장착부(32)를 도시되지 않은 유지 지그를 통해 척하고 화살표 방향으로 인발하여 배면 기판(12)으로부터 제거한다. 이에 따라, 전극(30)의 접촉부(36)와 몸체부(34)의 일부가 외위기(10) 측에 남고, 장착부(32)를 포함한 전극의 다른 부분이 외위기로부터 이탈된다. 전극(30)의 접촉부(36) 이외의 부분은 배면 기판(12)에 탄성적으로 협지되어 있기 때문에 기판이나 봉착층(21)을 손상시키지 않고 용이하게 분리할 수 있다. 전극(30)의 선단부가 절단된 후, 외위기(10)는 언로드실(107)로 보내지며 언로드실(107)로부터 취출된다. 이를 통해, FED의 진공 외위기(10)가 왼성된다.

상기와 같이 구성된 FED에서는 전극(30)의 대부분이 제거됨에 따라 진공 외위기(10)의 2개의 모서리부에는 전극(30)의 접촉부(36)와 몸체부(34)의 일부를 포함한 도전체편(71)만이 각각 남는다.

제12 실시 형태에 있어서, 다른 구성은 전술된 제10 실시 형태와 동일하며, 동일 부분에는 동일한 부호를 붙이고 그 상세한 설명을 생략한다.

이상과 같이 구성된 제11 실시 형태에 따른 제조 방법 및 FED에 따르면, 전술된 실시 형태와 동일한 작용 효과를 얻을 수 있다. 또한, 봉착후 FED에서 불필요한 부품이 되는 전극의 대부분을 제거함에 따라 외위기의 모서리부에는 전극 선단부만 잔존하지만, 그 영역이 극히 좁은 범위이기 때문에 외위기의 취급이 간단하다는 이점이 얻어진다. 예를 들면, FED를 모니터로서 캐비닛에 조립할 때, 전극이 장해가 되는 것을 방지할 수 있다. 전극의 기판으로부터 돌출된 부분이 다른 장치나 작업자에게 상처를 입히거나, 혹은 전극을 통해 외위기에 부하가 작용하여 외위기가 파손되는 등의 문제를 제거할 수 있다. 아울러, 반송 장치 등을 전극에 대응하도록 개조할 필요가 없으므로, 제조 코스트의 저감이 가능하다. 전극(30)을 절단하여 진공 외위기로부터 분리함에 따라 봉착층이나 기판을 파손시키지 않고 전극 을 용이하게 분리할 수 있다.

또한, 상기 제12 실시 형태에서는 진공 처리 장치의 냉각실 내에서 전극을 절단 및 제거하도록 구성하였으나, 냉각실 내에서 전극을 절단하고 외위기를 언로드실을 통해 외부로 취출한 후, 수동으로 배면 기판(12)에서 전극의 절단 부분을 제거하여도 된다.

또한, 전극을 진공 처리 장치의 냉각실에 장착된 자동화 커터로 절단하도록 구성하였으나, 이에 한정되지 않으며 진공 처리 장치와는 별도로 전극 절단 제거를 위한 장치를 준비하고, 그 장치로 절단을 수행하는 구성이어도 된다. 전극이 얇아 용이하게 절단할 수 있는 경우에는 커터 등을 통해 작업자가 수동으로 절단을 수행하여도 된다.

상술된 실시 형태에 있어서, 배면 기판측의 봉착층(21a)으로 통전하는 한 쌍의 전극과 전면 기판측의 봉착층(21b)으로 통전하는 한 쌍의 전극을 별개로 설치하고, 2쌍 4개의 전극을 이용하여 봉착층으로 통전하여도 된다. 이 경우, 완성된 FED에는 전극 선단부에 상당하는 도전체편(71)이 4개 잔존하게 된다. 전극의 위치나 형상, 갯수는 상기 실시 형태로 한정되는 것은 아니다.

다음에는 본 발명의 제13 실시 형태에 따른 FED의 제조 방법 및 제조 장치에 대하여 설명한다. 도64에 본 실시 형태에 따라 제조되는 FED를 도시하였다. FED의 다른 구성은 전술된 실시 형태에서 도시된 FED와 동일하며, 동일 부분에는 동일한 부호를 붙이고 그 상세한 설명을 생략한다.

제13 실시 형태에 따른 FED의 제조 방법에서는, 먼저 전술된 실시 형태와 동 일하게 형광체 스크린(16) 및 메탈 백(17)이 형성된 전면 기판(111)과 전자 방출 소자(22)가 형성된 배면 기판(12)을 준비한다.

대기중에서 저융점 유리를 통해 측벽(18) 및 지지 부재(14)를 배면 기판(12)의 내면상에 봉착한다. 그 후, 측벽(18)의 봉착면의 전체 둘레에 인듐을 소정의 폭 및 두께로 도포한 직사각형의 봉착층(21a)을 형성한다. 전면 기판(11)의 측벽과 대향하는 봉착면에 인듐을 소정의 폭 및 두께로 직사각형 프레임 형상으로 도포하여 배면 기판(11)측의 봉착층(21a)에 대응하는 직사각형 프레임 형상의 봉착층(21b)을 형성한다.

이어, 도65에 도시된 바와 같이 측벽(18)이 접합된 배면 기판(12)에 통전용인 한 쌍의 전극(30)을 장착한다. 각 전극(30)은 도전 부재, 예를 들면 0.2mm 두께의 동판을 절곡 가공하여 형성되어 있다. 각 전극(30)은 배면 기판(12)의 주연부를 협지하여 장착되는 장착부(32), 후술되는 유지 지그에 의해 유지되는 설편부(44), 봉착층(21a)에 접촉되는 접촉부(36)를 일체로 구비하고 있다. 각 전극(30)은 장착부(32)를 통해 배면 기판(12)의 주연부를 탄성적으로 협지한 상태로 배면 기판에 장착된다. 이 때, 각 전극(30)의 접촉부(36)를 측벽(18)에 형성된 봉착층(21a)에 접촉시켜 전극을 봉착층과 전기적으로 접속한다. 설편부(44)는 배면 기판(12)으로부터 외측으로 돌출되어 있다.

한 쌍의 전극(30)을 배면 기판(12)에 장착한 후, 배면 기판(12)과 전면 기판(11)을 소정 간격 이격시켜 대향 배치하고, 이 상태에서 진공 처리 장치 내에 투입한다. 여기서는 예를 들면 도9에 도시된 진공 처리 장치(100)를 이용한다.

소정 간격 이격 배치된 상술의 전면 기판(11)과 배면 기판(12)은 먼저 로드실(101)로 투입된다. 그리고, 로드실(101) 내의 분위기를 진공 분위기로 형성한 후, 베이킹, 전자선 세정실(102)로 보내진다.

베이킹, 전자선 세정실(102)에서는 각종 부재를 300℃의 온도로 가열하여 각 기판의 표면 흡착 가스를 방출시킨다. 동시에 베이킹, 전자선 세정실(102)에 장착된 도시되지 않은 전자선 발생 장치로부터의 전자선을 전면 기판(11)의 형광체 스크린면 및 배면 기판(12)의 전자 방출 소자면에 조사한다. 이 때, 전자선 발생 장치 외부에 장착된 편향 장치를 통해 전자선을 편향 주사하며 형광체 스크린면 및 전자 방출 소자면을 각각 전자선 세정한다.

전자선 세정을 수행한 전면 기판(11)과 배면 기판(12)은 냉각실(103)로 보내져 약 120℃의 온도까지 냉각된 후 게터막 증착실(104)로 보내진다. 이 증착실(104)에서는 형광체층의 외측에 게터막인 바륨막을 증착 형성한다. 바륨막은 표면이 산소나 탄소 등으로 오염되는 것을 방지할 수 있으므로 활성 상태를 유지할 수 있다.

이어, 전면 기판(11)과 배면 기판(12)은 조립실(105)로 보내진다. 조립실(105)의 내부에는 도66 및 도67에 도시된 바와 같이 양 기판을 유지 및 가열하기 위한 핫 플레이트(131, 132), 하측의 핫 플레이트(132)를 상하 방향으로 구동시키기 위한 구동 기구(150), 봉착층으로 통전하기 위한 배선(134), 한 쌍의 전극(30)과 각각 접촉되는 한 쌍의 콘택트 전극(135), 한 쌍의 전극(30)을 협지하여 유지하기 위한 유지 장치(136), 유지 장치(136)를 상하 및 면내 방향으로 구동시키기 위 한 구동 기구(137), 기판을 면내 방향, 즉 기판 표면과 평행한 방향으로 이동시키기 위한 복수의 가이드 롤러(138)가 설치되어 있다. 콘택트 전극(135)은 하측의 핫 플레이트(132)에 장착되어 있다. 배선(134)은 조립실(105)의 외부에 설치된 전원(120)에 접속되어 있다.

조립실(105)로 보내진 전면 기판(11)과 배면 기판(12)은 먼저 각각의 핫 플레이트(131, 132)에 대하여 가이드 롤러(138)에 의해 기계적으로 위치 결정된다. 이 때, 전면 기판(11)은 반송 지그상에서 위치 결정된 후 낙하되지 않도록 공지의 정전 흡착 기술에 의해 핫 플레이트(131)에 흡착 고정된다. 배면 기판(12)은 하측의 핫 플레이트(132)에 설치된 후 가이드 롤러(138)에 의해 위치 결정된다. 동시에 한 쌍의 전극(30)의 설편부(44)가 각각 대응하는 콘택트 전극(135)과 접촉하여 전기적으로 접속된다.

전면 기판(11)과 배면 기판(12)의 상호 위치가 정렬된 후, 핫 플레이트 구동 기구(150)가 배면 기판(12)을 전면 기판(11)의 방향으로 이동시켜 소정의 압력으로 가압한다. 이에 따라, 전면 기판(11)과 배면 기판(12)의 봉착층(21b, 21a)의 사이에 각 전극(30)의 접촉부(36)가 삽입되어 각 전극은 양 기판의 봉착층에 동시에 전기적으로 접촉된다.

이 상태에서 전원(120)으로부터 전극(30)을 통해 봉착층(21a, 21b)으로 140A의 직류 전류를 정전류 모드로 통전한다. 이로 인해, 인듐이 가열되어 용융되며 전면 기판(11)과 배면 기판(12)은 기밀하게 봉착된다. 통전을 정지한 후, 도67에 도시된 바와 같이 구동 기구(137)가 유지 장치(136)를 전극(30)의 설편부(44)까지 이동시키고, 유지 장치를 통해 설편부(44)를 협지한다. 그 후, 구동 기구(137)는 배면 기판(12)의 표면과 평행한 방향을 따라 유지 장치(136)를 전극(30)과 함께 기판 외측 방향으로 이동시켜 각각의 전극(30)을 용융 상태의 인듐 및 배면 기판(12)으로부터 이간시킨다. 통전 정지 직후에는 인듐이 용융된 상태에 있으므로, 전극(30)을 용이하게 봉착층으로부터 이탈시킬 수 있다. 전극(30)을 이간시킨 후, 봉착층(21)을 그대로의 상태로 유지하면 용융된 인듐이 굳어 외위기(10)가 형성된다. 봉착 후의 외위기(10)는 냉각실(106)로 보내져 상온까지 냉각되고 언로드실(107)로부터 취출된다. 이상의 공정에 의해 FED의 진공 외위기(10)가 완성된다.

이상과 같은 제13 실시 형태에 따른 FED의 제조 방법 및 제조 장치에 따르면, 진공 분위기 속에서 전면 기판(11)과 배면 기판(12)의 봉착, 접합을 수행한다는 점에서, 베이킹과 전자선 세정의 병용을 통해 표면 흡착 가스를 충분히 방출시킬 수 있으므로, 흡착 능력이 우수한 게터막을 얻을 수 있다. 인듐을 통전 가열하여 흡착, 접합시킴에 따라 전면 기판과 배면 기판 전체를 가열할 필요가 없으므로, 게터막의 열화, 봉착 공정중에 기판이 깨지는 등의 문제를 제거할 수 있다. 동시에 봉착 시간의 단축을 도모할 수 있으므로, 양산성이 우수한 제조 방법으로 할 수 있다. 통전 후에 조립실 내에서 전극을 인듐으로부터 이탈시키면 봉착 후의 FED에 전극이 잔존하지 않는다. 따라서, 예를 들면 FED를 모니터로서 캐비닛에 조립할 때에 장해가 되거나, 전극에 의해 외위기가 파괴되거나 하는 문제의 발생을 방지할 수 있다. 이에 따라, 봉착 후의 외위기의 취급이 용이해진다는 이점이 있다.

상기 제13 실시 형태에서는 배면 기판(12)에 한 쌍의 전극(30)을 장착한 후 진공 처리 장치 내로 투입하였으나, 이에 한정되지 않으며 진공 처리 장치 내에 통전용 전극을 설치하고, 기판에는 전극을 장착하지 않고 진공 처리 장치 내로 투입하는 제조 방법 및 제조 장치이어도 된다.

도68에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제14 실시 형태에 따른 FED 제조 장치는 양 기판을 고정하여 가열 유지하기 위한 핫 플레이트(131, 132), 하측의 핫 플레이트(132)를 상하 방향으로 구동시키기 위한 구동 기구(150), 봉착층으로 통전하기 위한 배선(134) 및 전극(145), 전극(145)을 기판의 표면과 평행한 방향 및 기판의 표면과 수직인 방향으로 구동시키기 위한 구동 기구(137), 기판을 그 표면과 평행한 방향으로 이동시켜 위치 결정하는 복수의 가이드 롤러(138)를 구비하고 있다. 통전 배선(134)은 조립실 외부의 전원(120)에 접속되어 있다. 제조 장치의 다른 구성은 전술된 제13 실시 형태와 동일하며, 동일 부분에는 동일한 부호를 붙이고 그 상세한 설명을 생략한다.

제14 실시 형태에 있어서, 조립실(105)로 보내진 전면 기판(11)과 배면 기판(12)은 먼저 각각 대응하는 핫 플레이트(131, 132)에 대하여 가이드 롤러(138)에 의해 기계적으로 위치 결정된다. 이 때, 전면 기판(11)은 반송 지그상에 위치 결정된 후 낙하되지 않도록 공지의 정전 흡착 기술에 의해 핫 플레이트(131)에 흡착된다.

이어, 전극 구동 기구(137) 및 핫 플레이트 구동 기구(150)가 전극(145)과 배면 기판(12)을 전면 기판(11)의 방향으로 이동시켜 소망하는 압력으로 가압한다. 이에 따라, 양 기판의 봉착층(21a, 21b)의 사이에 각 전극(145)이 삽입되고, 각 전 극은 양 기판의 봉착층과 동시에 전기적으로 접촉된다.

이 상태에서 전원(120)으로부터 전극(145)을 통해 봉착층(21a, 21b)으로 140A의 직류 전류가 정전류 모드로 통전된다. 이에 따라, 인듐이 가열되어 용융되면 전면 기판(11)과 배면 기판(12)은 기밀하게 봉착된다. 통전을 정지한 후, 전극 구동 기구(137)가 전극(145)을 기판 외측 방향으로 이동시켜 용융 상태의 인듐으로부터 이간시킨다. 통전 정지 직후에는 인듐이 용융된 상태이기 때문에 전극(145)을 용이하게 인듐으로부터 이탈시킬 수 있다. 전극을 이간시킨 후, 몇 분간 그대로의 상태를 유지하면 용융된 인듐이 굳어 외위기(10)가 형성된다. 봉착 후의 외위기(10)는 냉각실(106)로 보내져 상온까지 냉각되고 언로드실(107)로부터 취출된다.

제14 실시 형태에 있어서, 다른 구성은 제13 실시 형태와 동일하며, 동일 부분의 설명은 생략한다.

상기 구성에 따르면, 통전을 위한 전극(145)이 조립실(105) 내에 설치되며, 통전 후에 봉착층으로부터 이탈된다. 따라서, 제13 실시 형태와 동일하게 봉착 후의 FED에 전극이 잔존하지 않는다. FED를 모니터로서 캐비닛에 조립할 때, 전극이 장해가 되거나, 전극으로 인하여 외위기가 파괴되거나 하는 문제를 방지할 수 있다.

제14 실시 형태에 있어서, 전극을 2쌍, 4개로 하고, 전면 기판측의 봉착층과 배면 기판측의 봉착층에 각각 1쌍씩을 접촉시켜 통전하고, 전극을 이탈시킨 후에 기판끼리를 가압하는 프로세스이어도 된다. 전극의 위치나 형상, 갯수는 상기 실 시예에 한정되지 않는다.

본 발명은 상술된 여러 실시 형태에 한정되는 것이 아니라, 본 발명의 범위 내에서 여러 가지로 변형 가능하다. 상술된 복수의 실시 형태는 전면 기판과 배면 기판의 사이에 측벽이 협지되는 구성의 진공 외위기를 이용하였으나, 측벽을 전면 기판 혹은 배면 기판과 일체로 구성하여도 되고, 또한 측벽이 전면 기판과 배면 기판을 측면으로부터 감싸듯이 접합된 구성이어도 된다. 또한, 봉착재의 통전 가열에 의해 봉착되는 봉착면이 전면 기판과 측벽의 사이, 및 배면 기판과 측벽의 사이의 2면이어도 된다.

상술된 실시 형태에서는 전면 기판측의 봉착재와 배면 기판측의 봉착재를 접촉시켜 통전 가열하였으나, 이들 봉착재를 비접촉인 상태로 통전 가열한 후 고화되는 동안에 접합시켜도 된다. 형광체 스크린의 구성이나 전자 방출 소자의 구성은 본 발명의 실시 형태에 한정되는 것이 아니라 다른 구성으로 하여도 된다.

또한, 봉착재는 인듐으로 한정되는 것이 아니라, 도전성을 갖는 다른 재료이어도 된다. 일반적으로 금속이면 상 변화시에 급격한 저항치 변화가 발생하기 때문에 봉착 재료로서 사용할 수 있다. 예를 들면, 봉착재로 적어도 In, Sn, Pb, Ga, Bi 중 어느 하나를 포함하는 금속, 합금을 이용할 수 있다.

상술된 FED는 전극을 한쌍 혹은 2쌍을 구비하고 있으나, 미리 외위기에 장착된 적어도 하나의 전극을 구비하고, 봉착 공정에서 다른 필요 전극을 외위기에 장착하여 통전 가열하는 구성이어도 된다. 또한, 복수의 전극은 전극간에 위치하는 봉착층의 통전 경로가 서로 동등한 길이가 되도록 배치되어 있거나, 혹은 봉착층에 대하여 대칭인 위치에 배치되어 있으면 되고, 외위기의 모서리부에 한정되지 않으며 다른 위치에 설치하여도 된다.

상술된 실시 형태에서는 배면 기판측 및 전면 기판측의 양쪽에 각각 인듐으로 이루어진 봉착층을 설치하고 있으나, 어느 일측에만 봉착층을 설치한 상태에서 전면 기판과 배면 기판을 봉착하는 구성이어도 된다.

진공 외위기의 외측 형상이나 지지 부재의 구성은 상기 실시 형태에 한정되지 않는다. 매트릭스형의 광 흡수층과 형광체층을 형성하고, 단면이 십자형인 기둥형 지지 부재를 광 흡수층에 대하여 위치 결정하여 봉착하는 구성이어도 된다. 전자 방출 소자는 pn형인 냉음극 소자 혹은 표면 전도형인 전자 방출 소자 등을 이용하여도 된다. 상기 실시 형태에서는 진공 분위기 속에서 기판을 접합하는 공정에 대하여 기술하였으나, 기타 분위기 환경에서 실시하는 것도 가능하다.

본 발명은 FED에 한정되지 않으며, SED나 PDP 등의 다른 화상 표시 장치 혹은 외위기 내부가 높은 진공을 유지하는 화상 표시 장치에도 적용할 수 있다.

이상 설명된 바와 같이, 본 발명에 따르면 봉착 작업을 안정 또한 신속하게 수행할 수 있고, 신뢰성이 높으며 양호한 화상 표시가 가능한 화상 표시 장치, 화상 표시 장치의 제조 방법 및 제조 장치를 제공할 수 있다.

Claims (77)

1. 전면 기판과, 이 전면 기판에 대향 배치된 배면 기판을 가지며, 도전성의 봉착재를 함유한 봉착층에 의해 상기 전면 기판과 배면 기판의 주연부가 서로 봉착된 외위기와,

   상기 봉착층에 전기적으로 접촉된 상태에서 상기 외위기에 장착되며, 상기 봉착층으로 통전하기 위한 전극 부재를 구비하는 화상 표시 장치.
2. 제1항에 있어서, 상기 전극 부재는 금속판을 절곡하여 형성되며, 간격을 두고 대향하는 제1 판부 및 제2 판부와, 이들 제1 및 제2 판부를 연결하는 도통부를 구비하고, 상기 제1 및 제2 판부의 사이에 상기 전면 기판 혹은 배면 기판의 주연부를 협지하여 외위기에 장착되는 화상 표시 장치.
3. 제2항에 있어서, 상기 제1 판부는 상기 봉착층에 전기적으로 접촉되는 접촉부를 구비하는 화상 표시 장치.
4. 제2항에 있어서, 상기 외위기는 상기 배면 기판과 배면 기판의 주연부 사이에 접합된 프레임 형상의 측벽을 구비하고, 상기 배면 기판과 전면 기판 중 적어도 일측이 상기 봉착층을 통해 상기 측벽에 봉착되며, 상기 전극 부재는 상기 제1 및 제2 판부의 사이에 상기 배면 기판과 전면 기판의 상기 적어도 일측 주연부와 상기 측벽을 협지하여 외위기에 장착되는 화상 표시 장치.
5. 제1항에 있어서, 상기 전극 부재는 상기 봉착층에 전기적으로 접촉되는 접촉부와, 상기 접촉부로부터 상기 외위기의 외측을 향해 연장된 몸체부와, 상기 외위기의 외부로 노출된 도통부를 가지며, 상기 몸체부는 연직 방향을 따라 상기 접촉부보다 높게 위치하는 유출 규제부를 갖는 화상 표시 장치.
6. 제1항에 있어서, 상기 전극 부재는 상기 봉착층에 전기적으로 접촉되는 접촉부와, 상기 접촉부로부터 상기 외위기의 외측을 향해 연장된 몸체부 및 드레인부를 가지며, 상기 몸체부는 연직 방향을 따라 상기 접촉부보다 높게 위치하는 유출 규제부를 갖고, 상기 드레인부는 연직 방향을 따라 상기 접촉부보다 낮게 위치하는 화상 표시 장치.
7. 제5항 또는 제6항에 있어서, 상기 전극 부재는 상기 외위기의 외부로 노출 혹은 돌출된 도통부를 갖는 화상 표시 장치.
8. 제5항 또는 제6항에 있어서, 상기 전극 부재는 상기 전면 기판 혹은 배면 기판의 주연부를 협지하는 장착부를 가지며, 상기 외위기에 장착되는 화상 표시 장치.
9. 제5항 또는 제6항에 있어서, 상기 전극 부재는 금속판을 절곡하여 형성되는 화상 표시 장치.
10. 제5항 또는 제6항에 있어서, 상기 전극 부재의 접촉부는 수평 방향의 연장 길이가 2mm 이상인 수평 부분을 갖는 화상 표시 장치.
11. 제6항에 있어서, 상기 전극 부재의 상기 드레인부는 상기 몸체부의 폭보다 좁은 폭을 갖는 것을 특징으로 하는 화상 표시 장치.
12. 제5항 또는 제6항에 있어서, 상기 전극 부재의 접촉부 및 그 근방 영역에 도전성 재료가 충전되어 있는 것을 특징으로 하는 화상 표시 장치.
13. 제6항에 있어서, 상기 전극 부재의 접촉부와 그 근방 영역, 및 드레인부와 그 근방 영역에 도전성 재료가 충전되어 있는 것을 특징으로 하는 화상 표시 장치.
14. 제1항에 있어서, 상기 전극 부재는 상기 봉착층에 전기적으로 접촉되는 접촉부와, 상기 접촉부로부터 상기 외위기의 외측을 향해 연장된 몸체부를 가지며, 상기 몸체부의 적어도 일부는 상기 접촉부의 단면적보다 작은 면적을 갖는 화상 표시 장치.
15. 제14항에 있어서, 상기 전극 부재의 접촉부는 연직 방향을 따라 상기 몸체부보다 높게 위치하는 화상 표시 장치.
16. 제1항에 있어서, 상기 전극 부재는 각각 상기 봉착층에 전기적으로 접촉되는 동시에 상기 봉착재가 유출 가능한 간격을 두고 나열된 복수의 접촉부를 갖는 화상 표시 장치.
17. 제16항에 있어서, 상기 전극 부재는 상기 외위기의 하나의 모서리부의 양측에서 상기 봉착층으로 각각 접촉되는 복수의 접촉부를 갖는 화상 표시 장치.
18. 제16항에 있어서, 상기 전극 부재는 상기 외위기의 하나의 모서리부의 일측에서 상기 봉착재로 각각 접촉되는 복수의 접촉부를 갖는 화상 표시 장치.
19. 제16항에 있어서, 상기 전극 부재는 2개의 접촉부를 갖는 Y자 형상으로 형성된 화상 표시 장치.
20. 제1항에 있어서, 상기 봉착층은 거의 직사각형 프레임 형상으로 형성되고, 상기 전극 부재는 상기 봉착층에 대칭으로 복수개 설치되며, 각각 상기 봉착층에 전기적으로 접속되는 화상 표시 장치.
21. 제1항에 있어서, 상기 봉착층은 거의 직사각형 프레임 형상으로 형성되고, 상기 전극 부재는 상기 배면 기판에 장착되며 상기 봉착층에 전기적으로 접속되는 제1 전극과, 상기 전면 기판에 장착되며 상기 봉착층에 전기적으로 접속되는 제2 전극을 포함하는 화상 표시 장치.
22. 제1항에 있어서, 상기 봉착재는 적어도 In, Sn, Pb, Ga, Bi 중 어느 하나를 포함하는 화상 표시 장치.
23. 제1항에 있어서, 상기 전극 부재는 적어도 Cu, Al, Fe, Ni, Co, Be, Cr 중 어느 하나를 포함하는 단원소 또는 합금으로 형성된 화상 표시 장치.
24. 제1항에 있어서, 상기 전면 기판의 내면상에 설치되는 형광체층과, 상기 배면 기판상에 설치되며 각각 상기 형광체층을 여기시키는 복수의 전자 방출 소자를 구비하는 화상 표시 장치.
25. 제1항에 있어서, 상기 외위기는 상기 전면 기판과 배면 기판의 주연부간에 접합된 프레임 형상의 측벽을 가지며, 상기 봉착층은 상기 전면 기판과 상기 배면 기판 중 적어도 일측과 상기 측벽의 사이에 설치되는 화상 표시 장치.
26. 대향 배치되는 동시에 도전성을 갖는 봉착재에 의해 주연부가 접합된 전면 기판과 배면 기판을 구비하는 외위기와,

    각각 적어도 일부가 도전성 재료층에 의해 피복되고, 각각 도전성 재료층을 통해 상기 봉착재에 전기적으로 접촉되도록 설치된 복수의 전극 부재를 구비하는 화상 표시 장치.
27. 제26항에 있어서, 상기 외위기는 전면 기판과 배면 기판의 주연부간에 접합된 프레임 형상의 측벽을 가지며, 상기 봉착재는 상기 전면 기판과 배면 기판 중 적어도 일측과 상기 측벽의 사이에 설치되는 화상 표시 장치.
28. 제26항에 있어서, 상기 봉착재는 상기 외위기의 주연부를 따라 프레임 형상으로 설치되는 동시에 상기 복수의 전극 부재는 상기 외위기의 적어도 2개의 모서리부에 설치되는 화상 표시 장치.
29. 제26항에 있어서, 상기 각 전극 부재는 적어도 Cu, Al, Fe, Ni, Co, Be, Cr 중 어느 하나를 포함하는 단원소 또는 합금으로 형성된 화상 표시 장치.
30. 제26항에 있어서, 상기 봉착재는 In, Sn, Pb, Ga, Bi 중 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 화상 표시 장치.
31. 제26항에 있어서, 상기 도전성 재료층은 In, Sn, Pb, Ga, Bi 중 어느 하나를 포함하는 화상 표시 장치.
32. 대향 배치된 전면 기판 및 배면 기판과, 상기 전면 기판 및 배면 기판 중 적어도 일측의 내면 주연부를 따라 배치된 도전성을 갖는 봉착재를 함유하는 봉착층을 가지며 상기 봉착층에 의해 전면 기판과 배면 기판의 주변부가 서로 접합된 외위기와, 이 외위기 내에 설치되는 복수의 화소를 구비하고, 상기 봉착층은 각각 외위기의 외측을 향해 개구된 복수의 오목부를 갖는 것을 특징으로 하는 화상 표시 장치.
33. 제32항에 있어서, 상기 복수의 오목부는 상기 외위기의 2개 혹은 4개의 모서리부에 위치하는 화상 표시 장치.
34. 대향 배치된 전면 기판 및 배면 기판과, 상기 전면 기판 및 배면 기판 중 적어도 일측의 내면 주연부를 따라 배치된 도전성을 갖는 봉착재를 함유하는 봉착층을 가지며 상기 봉착층에 의해 전면 기판과 배면 기판의 주변부가 서로 접합된 외위기와, 이 외위기 내에 설치되는 복수의 화소를 구비하고,

    상기 외위기는 각각 상기 봉착층에 접합된 접촉부를 포함하며 상기 외위기의 주연부에 위치하는 복수의 도전체편(주:전극과의 차별화가 어렵다)을 갖는 화상 표시 장치.
35. 제34항에 있어서, 상기 도전체편은 상기 외위기의 모서리부에 배치되는 화상 표시 장치.
36. 대향 배치되는 동시에 주변부가 서로 접합된 전면 기판과 배면 기판을 갖는 외위기를 구비하는 화상 표시 장치의 제조 방법이며,

    상기 전면 기판과 배면 기판 중 적어도 일측 주연부에 도전성을 갖는 봉착재를 배치하여 봉착층을 형성하고,

    상기 봉착층이 형성된 상기 전면 기판과 배면 기판의 상기 적어도 일측에 전극 부재를 장착하며 상기 봉착층에 전기적으로 접속하고,

    상기 전면 기판과 배면 기판을 대향 배치한 상태에서 상기 전극 부재를 통해 상기 봉착층으로 통전하고, 상기 봉착층을 가열 용융시켜 상기 전면 기판과 배면 기판의 주변부를 서로 접합하는 화상 표시 장치의 제조 방법.
37. 대향 배치되는 동시에 주변부가 서로 접합된 전면 기판과 배면 기판을 갖는 외위기를 구비하는 화상 표시 장치의 제조 방법이며,

    상기 전면 기판과 배면 기판의 주연부에 도전성을 갖는 봉착재를 배치하여 봉착층을 각각 형성하고,

    상기 전면 기판과 배면 기판의 상기 적어도 일측에 전극 부재를 장착하며 상기 적어도 일측에 형성된 상기 봉착층에 전기적으로 접속하고,

    상기 전면 기판과 배면 기판을 대향 배치하고, 상기 전극 부재를 상기 전면 기판과 배면 기판의 타측에 형성된 봉착층에 전기적으로 접촉한 후, 상기 전극 부재를 통해 봉착층으로 통전하여 상기 봉착층을 가열 용융시켜 상기 전면 기판과 배면 기판의 주변부를 서로 접합하는 화상 표시 장치의 제조 방법.
38. 대향 배치되는 동시에 주변부가 서로 접합된 전면 기판과 배면 기판을 갖는 외위기를 구비하는 화상 표시 장치의 제조 방법이며,

    상기 전면 기판과 배면 기판 중 적어도 일측 주연부에 도전성을 갖는 봉착재를 배치하여 봉착층을 형성하고,

    접촉부와, 상기 접촉부로부터 연장되는 동시에 연직 방향을 따라 상기 접촉부보다 높게 위치하는 유출 규제부를 갖는 몸체부와, 도통부를 구비하는 전극 부재를 준비하고,

    상기 전극 부재를 상기 몸체부가 상기 봉착층으로부터 외측으로 연장되고 상기 도통부가 외부로 노출 혹은 돌출되는 상태로 상기 봉착층이 형성된 상기 전면 기판과 배면 기판의 상기 적어도 일측에 장착하며, 상기 접촉부를 상기 봉착층에 전기적으로 접촉시키고,

    상기 전면 기판과 배면 기판을 대향 배치한 상태에서 상기 전극 부재를 통해 상기 봉착층으로 통전하여 상기 봉착층을 가열 용융시켜 상기 전면 기판과 배면 기판의 주변부를 서로 접합하는 화상 표시 장치의 제조 방법.
39. 대향 배치되는 동시에 주변부가 서로 접합된 전면 기판과 배면 기판을 갖는 외위기를 구비하는 화상 표시 장치의 제조 방법이며,

    상기 전면 기판과 배면 기판 중 적어도 일측의 주연부에 도전성을 갖는 봉착재를 배치하여 봉착층을 형성하고,

    접촉부와, 상기 접촉부로부터 연장되는 동시에 연직 방향을 따라 상기 접촉부보다 높게 위치하는 유출 규제부를 갖는 몸체부와, 상기 접촉부로부터 연장되는 동시에 연직 방향을 따라 상기 접촉부보다 낮게 위치하는 드레인부를 구비하는 전극 부재를 준비하고,

    상기 전극 부재를 상기 몸체부와 드레인부가 상기 봉착층으로부터 외측으로 연장되고 상기 도통부가 외부로 노출 혹은 돌출되는 상태로 상기 봉착층이 형성된 상기 전면 기판 혹은 배면 기판의 상기 적어도 일측에 장착하며, 상기 접촉부를 상기 봉착층에 전기적으로 접촉시키고,

    상기 전면 기판과 배면 기판을 대향 배치한 상태에서 상기 전극 부재를 통해 상기 봉착층으로 통전하여 상기 봉착층을 가열 용융시키고, 상기 전면 기판과 배면 기판을 서로 근접하는 방향으로 가압하며 상기 전면 기판과 배면 기판의 주변부를 상기 용융된 봉착재를 통해 접합시키는 동시에 용융된 잉여 봉착재를 상기 전극 부재의 드레인부로부터 외부로 유출시키는 화상 표시 장치의 제조 방법.
40. 대향 배치되는 동시에 주변부가 서로 접합된 전면 기판과 배면 기판을 갖는 외위기를 구비하는 화상 표시 장치의 제조 방법이며,

    상기 전면 기판과 배면 기판의 주연부이 사이에 도전성을 갖는 봉착재를 배 치하여 봉착층을 형성하고,

    봉착재가 유출 가능한 간격을 두고 나열된 복수의 접촉부를 갖는 전극 부재를 준비하고,

    상기 전극 부재의 복수의 접촉부를 각각 상기 봉착층에 전기적으로 접촉시키고,

    상기 전면 기판과 배면 기판을 근접하는 방향으로 서로 가압한 상태에서 상기 전극 부재를 통해 상기 봉착층으로 통전하여 봉착재를 가열 용융시켜 상기 전면 기판과 배면 기판의 주변부를 상기 용융된 봉착재를 통해 접합시키는 동시에 용융된 잉여 봉착재를 상기 전극 부재의 접촉부 사이의 간격으로부터 외부로 유출시키는 화상 표시 장치의 제조 방법.
41. 대향 배치되는 동시에 주변부가 서로 접합된 전면 기판과 배면 기판을 갖는 외위기를 구비하는 화상 표시 장치의 제조 방법이며,

    상기 전면 기판과 배면 기판의 주연부의 사이에 도전성을 갖는 봉착재를 배치하여 봉착층을 형성하고,

    각각 적어도 일부가 도전성 재료층에 의해 피복된 복수의 전극 부재를 준비하고,

    상기 전극 부재를 상기 도전성 재료층을 통해 상기 봉착층에 전기적으로 접촉시키고,

    상기 전극 부재를 통해 상기 봉착층으로 통전하여 봉착재를 융해시켜 전면 기판과 배면 기판의 주변부를 서로 접합하는 화상 표시 장치의 제조 방법.
42. 제41항에 있어서, 초음파를 인가하면서 도전성 재료를 상기 전극 부재에 공급하여 상기 도전성 재료층을 형성하는 화상 표시 장치의 제조 방법.
43. 제36항 내지 제41항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 전면 기판과 배면 기판의 주연부의 사이에 프레임 형상의 측벽을 배치하고, 상기 전면 기판과 배면 기판 중 적어도 일측과 상기 측벽의 사이에 상기 봉착층을 설치하며, 이 봉착층에 상기 전극 부재를 통해 통전하여 봉착재를 융해시키는 화상 표시 장치의 제조 방법.
44. 제36항 내지 제41항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 봉착재로 적어도 In, Sn, Pb, Ga, Bi 중 어느 하나를 포함하는 금속을 이용하는 화상 표시 장치의 제조 방법.
45. 제36항 내지 제41항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 봉착재로 통전하기 직전의 상기 전면 기판과 배면 기판의 온도를 상기 봉착재의 융점보다 낮게 설정하는 화상 표시 장치의 제조 방법.
46. 제36항 내지 제41항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 외위기를 진공 분위기에 유지한 상태에서 상기 봉착층으로 통전하는 화상 표시 장치의 제조 방법.
47. 제36항 내지 제41항 중 어느 한 항에 있어서, 진공 분위기에서 상기 전면 기판과 배면 기판을 가열하여 탈 가스시킨 후, 진공 분위기를 유지한 상태에서 상기 봉착재의 융점보다 낮은 온도까지 냉각시키고,

    상기 봉착층으로 통전하여 상기 봉착재만을 가열 용융시키고,

    상기 봉착층으로의 통전을 정지하고, 상기 봉착층의 열을 상기 전면 기판과 배면 기판으로 전도시켜 봉착층을 냉각 고화시키는 화상 표시 장치의 제조 방법.
48. 대향 배치되는 동시에 주변부가 서로 접합된 전면 기판과 배면 기판을 갖는 외위기와, 상기 외위기 내에 설치된 복수의 화소를 구비하는 화상 표시 장치의 제조 방법이며,

    상기 전면 기판과 배면 기판 중 적어도 일측 주변부에 도전성을 갖는 봉착재를 배치하여 봉착층을 형성하고,

    상기 봉착재를 사이에 두고 상기 전면 기판과 배면 기판을 대향되게 배치하고,

    상기 대향 배치된 전면 기판과 배면 기판 중 적어도 일측을 상기 전면 기판과 배면 기판이 서로 근접하는 방향으로 가압하며, 상기 봉착재의 적어도 일부를 상기 전면 기판과 배면 기판의 주변부의 사이에 접촉된 상태로 협지하고,

    상기 가압된 상태에서 전극 부재를 통해 상기 봉착층으로 통전하여 봉착재를 가열 용융시키는 화상 표시 장치의 제조 방법.
49. 제48항에 있어서, 상기 전면 기판의 주변부 및 배면 기판의 주변부에 도전성을 갖는 봉착재를 각각 배치하여 봉착층을 형성하고, 상기 봉착층의 적어도 일부가 서로 접촉된 상태에서 이들 봉착층으로 통전하는 화상 표시 장치의 제조 방법.
50. 대향 배치되는 동시에 주변부가 서로 접합된 전면 기판과 배면 기판을 갖는 외위기와, 상기 외위기 내에 설치된 복수의 화소를 구비하는 화상 표시 장치의 제조 방법이며,

    상기 전면 기판과 배면 기판 중 적어도 일측 기판의 주변부와 상기 측벽 중 적어도 일측에 도전성을 갖는 봉착재를 배치하고,

    상기 봉착재 및 측벽을 사이에 두고 상기 전면 기판과 배면 기판을 대향되게 배치하고,

    상기 대향 배치된 전면 기판과 배면 기판 중 적어도 일측을 상기 전면 기판과 배면 기판이 서로 근접하는 방향으로 가압하며, 상기 봉착재 중 적어도 일부를 상기 전면 기판과 배면 기판 중 적어도 일측 주변부와 상기 측벽의 사이에 접촉된 상태로 협지하고,

    상기 가압된 상태에서 전극 부재를 통해 상기 봉착재로 통전하여 봉착재를 가열 용융시키는 화상 표시 장치의 제조 방법.
51. 제50항에 있어서, 상기 전면 기판과 배면 기판 중 적어도 일측 기판의 주변 부와 상기 측벽에 도전성을 갖는 봉착재를 각각 배치하여 봉착층을 형성하고, 상기 봉착층의 적어도 일부가 서로 접촉된 상태에서 이들 봉착재로 통전하는 화상 표시 장치의 제조 방법.
52. 제48항 또는 제51항에 있어서, 상기 봉착층의 사이에 상기 전극 부재를 삽입하고, 이 전극 부재를 통해 봉착재로 통전하는 화상 표시 장치의 제조 방법.
53. 대향 배치되는 동시에 주변부가 서로 접합된 전면 기판과 배면 기판을 갖는 외위기와, 상기 외위기 내에 설치된 복수의 화소를 구비하는 화상 표시 장치의 제조 방법이며,

    상기 전면 기판과 배면 기판의 주변부에 도전성을 갖는 봉착재를 각각 배치하여 봉착층을 형성하고,

    상기 봉착층을 사이에 두고 상기 전면 기판과 배면 기판을 대향되게 배치하고,

    상기 대향 배치된 전면 기판과 배면 기판에 설치된 봉착층 중 적어도 일부를 서로 용착시키고,

    상기 용착부에 전극 부재를 접촉시키고, 이 전극 부재를 통해 상기 양측의 봉착층으로 통전하여 상기 봉착재를 가열 용융시키는 화상 표시 장치의 제조 방법.
54. 대향 배치되는 동시에 주변부가 서로 접합된 전면 기판과 배면 기판을 갖는 외위기를 구비하는 화상 표시 장치의 제조 방법이며,

    상기 전면 기판과 배면 기판 중 적어도 일측 주연부에 도전성을 갖는 봉착재를 배치하여 봉착층을 형성하고,

    상기 전면 기판과 배면 기판 중 적어도 일측에 장착 가능한 장착부와, 상기 봉착층에 접촉 가능한 접촉부를 구비하는 전극 부재를 준비하고,

    상기 접촉부가 상기 봉착층으로부터 이격된 상태로 상기 전극을 상기 전면 기판과 배면 기판의 상기 적어도 일측에 장착하고,

    상기 접촉부와 상기 봉착층의 간격을 유지한 상태로 상기 전면 기판과 배면 기판을 대향 배치하고,

    상기 대향 배치된 전면 기판과 배면 기판을 서로 근접하는 방향으로 가압하며, 상기 접촉층을 통해 상기 전면 기판과 배면 기판을 접촉시키는 동시에 상기 전극 부재의 접촉부를 상기 봉착층에 전기적으로 접촉시키고,

    상기 가압된 상태에서 상기 전극 부재를 통해 상기 봉착층으로 통전하여 상기 봉착층을 가열 용융시켜 상기 전면 기판과 배면 기판의 주변부를 서로 접합시키는 화상 표시 장치의 제조 방법.
55. 대향 배치되는 동시에 주변부가 서로 접합된 전면 기판과 배면 기판을 갖는 외위기를 구비하는 화상 표시 장치의 제조 방법이며,

    상기 전면 기판과 배면 기판 중 적어도 일측 주연부에 도전성을 갖는 봉착재를 배치하여 봉착층을 형성하고,

    상기 전면 기판과 배면 기판 중 적어도 일측에 장착 가능한 장착부와, 상기 봉착층에 접촉 가능한 접촉부를 구비하는 전극 부재를 준비하고,

    상기 접촉부가 상기 봉착층으로부터 이격된 상태로 상기 전극 부재를 상기 전면 기판과 배면 기판에 장착하고,

    상기 접촉부와 상기 봉착층의 간격을 유지한 상태로 상기 전면 기판과 배면 기판을 대향 배치하고,

    상기 대향 배치된 전면 기판과 배면 기판을 서로 근접하는 방향으로 이동시키며, 상기 전면 기판에 장착된 전극 부재의 접촉부를 상기 배면 기판의 봉착층에 전기적으로 접촉시키고, 또한 상기 배면 기판에 장착된 전극 부재의 접촉부를 상기 전면 기판의 봉착층에 전기적으로 접촉시키며,

    상기 전극 부재를 상기 봉착층에 전기적으로 접촉시킨 상태에서 상기 전극 부재를 통해 상기 봉착층으로 통전하여 상기 봉착층을 가열 용융시키고, 상기 대향 배치된 전면 기판과 배면 기판을 서로 근접하는 방향으로 가압하며 상기 전면 기판과 배면 기판의 주변부를 서로 접합시키는 화상 표시 장치의 제조 방법.
56. 대향 배치되는 동시에 주변부가 서로 접합된 전면 기판과 배면 기판을 갖는 외위기를 구비하는 화상 표시 장치의 제조 방법이며,

    상기 전면 기판과 배면 기판 중 적어도 일측 주연부에 도전성을 갖는 봉착재를 배치하여 봉착층을 형성하고,

    상기 전면 기판과 배면 기판 중 적어도 일측에 장착 가능한 장착부와, 상기 봉착층에 접촉 가능한 접촉부를 구비하는 전극 부재를 준비하고,

    상기 접촉부가 상기 봉착층으로부터 이격된 상태로 상기 전극 부재를 상기 전면 기판 또는 배면 기판의 일측에 장착하고,

    상기 접촉부와 상기 봉착층의 간격을 유지한 상태로 상기 전면 기판과 배면 기판을 대향 배치하고,

    상기 대향 배치된 전면 기판과 배면 기판을 서로 근접하는 방향으로 이동시키고,

    상기 전극 부재의 접촉부를 상기 봉착층에 전기적으로 접촉시키고,

    상기 전극 부재를 상기 봉착층에 전기적으로 접촉시킨 상태에서 상기 전극 부재를 통해 상기 봉착층으로 통전하여 상기 봉착층을 가열 용융시키고, 상기 대향 배치된 전면 기판과 배면 기판을 서로 근접하는 방향으로 가압하며 상기 전면 기판과 배면 기판의 주변부를 서로 접합시키는 화상 표시 장치의 제조 방법.
57. 제54항에 있어서, 상기 전면 기판과 배면 기판을 가열하여 전면 기판과 배면 기판으로부터 흡착 가스를 방출시킨 후, 상기 대향 배치된 전면 기판과 배면 기판을 서로 근접하는 방향으로 가압하는 화상 표시 장치의 제조 방법.
58. 제54항에 있어서, 상기 전면 기판과 배면 기판 중 적어도 일측에 전자선을 조사하여 전자선 세정한 후, 상기 대향 배치된 전면 기판과 배면 기판을 서로 근접하는 방향으로 가압하는 것을 특징으로 하는 화상 표시 장치의 제조 방법.
59. 제57항에 있어서, 상기 흡착 가스를 방출시키고, 상기 전면 기판의 내면에 게터막을 형성한 후, 상기 대향 배치된 전면 기판과 배면 기판을 서로 근접하는 방향으로 가압하는 화상 표시 장치의 제조 방법.
60. 제54항에 있어서, 상기 전극 부재의 접촉부에 미리 In 혹은 In을 포함하는 합금을 도포하는 화상 표시 장치의 제조 방법.
61. 제54항에 있어서, 상기 전극 부재의 장착부는 상기 전면 기판과 배면 기판 중 적어도 일측 기판의 주연부를 협지 가능한 클립형 협지부를 갖는 화상 표시 장치의 제조 방법.
62. 제54항에 있어서, 상기 전극 부재는 상기 장착부로부터 연장된 몸체와 도통부를 가지며, 상기 접촉부는 상기 몸체로부터 연장되는 화상 표시 장치의 제조 방법.
63. 제48항 내지 제51항 또는 제53항 내지 제62항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 봉착재는 In, Sn, Pb, Ga, Bi 중 어느 하나를 포함하는 금속인 화상 표시 장치의 제조 방법.
64. 제48항 내지 제51항 또는 제53항 내지 제62항 중 어느 한 항에 있어서, 진공 분위기에서 상기 봉착층을 통전 가열하는 화상 표시 장치의 제조 방법.
65. 대향 배치되는 동시에 봉착층을 통해 주변부가 서로 접합된 전면 기판과 배면 기판을 갖는 외위기와, 상기 외위기 내에 설치된 복수의 화소를 구비하는 화상 표시 장치의 제조 방법이며,

    상기 전면 기판과 배면 기판 중 적어도 일측 내면 주연부를 따라 도전성을 갖는 봉착재를 배치하여 봉착층을 형성하고,

    상기 전면 기판과 배면 기판을 대향 배치한 상태에서 상기 봉착층에 전기적으로 접촉된 전극 부재를 통해 상기 봉착층으로 통전하여 상기 봉착층을 가열 용융시켜 상기 전면 기판과 배면 기판의 주변부를 서로 상기 용융된 봉착재로 접합하고,

    접합 후에 상기 전극 부재를 제거하는 화상 표시 장치의 제조 방법.
66. 제65항에 있어서, 초음파 절단을 통해 상기 전극 부재와 봉착층의 계면을 절단하여 상기 전극 부재를 제거하는 화상 표시 장치의 제조 방법.
67. 제66항에 있어서, 상기 전극 부재에 초음파를 인가하여 상기 전극 부재와 봉착층의 계면을 초음파 절단하여 상기 전극 부재를 제거하는 화상 표시 장치의 제조 방법.
68. 제65항에 있어서, 상기 전면 기판과 배면 기판을 접합한 후, 상기 전극 부재의 주변부에서 상기 봉착층을 가열하여 연화 또는 용융시킨 상태에서 상기 전극 부재를 제거하는 화상 표시 장치의 제조 방법.
69. 대향 배치되는 동시에 봉착층을 통해 주변부가 서로 접합된 전면 기판과 배면 기판을 갖는 외위기와, 상기 외위기 내에 설치된 복수의 화소를 구비하는 화상 표시 장치의 제조 방법이며,

    상기 전면 기판과 배면 기판 중 적어도 일측 내면 주연부를 따라 도전성을 갖는 봉착재를 배치하여 봉착층을 형성하고,

    전극 부재의 접촉부를 상기 봉착층에 전기적으로 접촉시키고,

    상기 전면 기판과 배면 기판을 대향 배치한 상태에서 상기 전극 부재를 통해 상기 봉착층으로 통전하여 상기 봉착층을 가열 용유시켜 상기 전면 기판과 배면 기판의 주변부를 상기 용융된 봉착재로 접합하고,

    상기 접합 후, 상기 전극 부재의 상기 봉착층에 접촉된 접촉부 근방을 절단하여 상기 전극 부재의 접촉부 근방 이외의 부분을 제거하는 화상 표시 장치의 제조 방법.
70. 제69항에 있어서, 상기 전극 부재는 상기 전면 기판과 배면 기판 중 적어도 일측에 장착되는 장착부와, 상기 장착부로부터 상기 접촉부까지 연장된 몸체부를 구비하고,

    상기 접합 후, 상기 접촉부 근방에서 상기 몸체부를 절단하며, 이 몸체부와 장착부를 상기 외위기로부터 제거하는 화상 표시 장치의 제조 방법.
71. 대향 배치되는 동시에 봉착층을 통해 주변부가 서로 접합된 전면 기판과 배면 기판을 갖는 외위기와, 상기 외위기 내에 설치된 복수의 화소를 구비하는 화상 표시 장치의 제조 방법이며,

    상기 전면 기판과 배면 기판 중 적어도 일측 내면 주연부를 따라 도전성을 갖는 봉착재를 배치하고,

    상기 전면 기판과 배면 기판을 대향 배치한 상태에서 상기 봉착재에 전기적으로 접촉된 전극 부재를 통해 상기 봉착재로 통전하여 상기 봉착재를 가열 용융시키고,

    상기 통전 종료 후, 상기 봉착재가 용융된 상태에서 상기 전극 부재를 봉착재로부터 제거 이간시키고,

    상기 전면 기판과 배면 기판의 주변부를 상기 용융된 봉착재로 접합시키는 화상 표시 장치의 제조 방법.
72. 제71항에 있어서, 상기 전극 부재를 상기 통전 직전에 상기 봉착재에 접촉시키고, 상기 통전 종료후 상기 봉착재로부터 제거 이간시키는 화상 표시 장치의 제조 방법.
73. 대향 배치되는 동시에 봉착층을 통해 주변부가 서로 접합된 전면 기판과 배면 기판을 갖는 외위기와, 상기 외위기 내에 설치된 복수의 화소를 구비하는 화상 표시 장치의 제조 방법이며,

    상기 전면 기판과 배면 기판 중 적어도 일측 내면 주연부를 따라 도전성을 갖는 프레임형 부재와 가열에 의해 용융되는 봉착재를 배치하고,

    상기 전면 기판과 배면 기판을 대향 배치한 상태에서 상기 프레임형 부재에 전기적으로 접촉된 전극 부재를 통해 상기 프레임형 부재로 통전하여 상기 프레임형 부재의 발열을 통해 상기 봉착재를 용융시키고,

    상기 통전 종료 후, 상기 봉착재가 용융된 상태에서 상기 전극 부재를 상기 프레임형 부재로부터 제거 이간시키고,

    상기 전면 기판과 배면 기판의 주변부를 상기 용융된 봉착재로 접합시키는 화상 표시 장치의 제조 방법.
74. 제73항에 있어서, 상기 전극 부재를 상기 통전 직전에 상기 프레임형 부재에 접촉시키고, 상기 통전 종료후 상기 프레임형 부재로부터 제거 이간시키는 화상 표시 장치의 제조 방법.
75. 제71항 또는 제73항에 있어서, 상기 봉착재는 적어도 In, Sn, Pb, Ga, Bi 중 어느 하나를 포함하는 금속인 화상 표시 장치의 제조 방법.
76. 대향 배치되는 동시에 주변부가 서로 접합된 전면 기판과 배면 기판을 갖는 외위기와, 상기 전면 기판과 배면 기판 중 적어도 일측의 내면 주연부를 따라 배치된 도전성을 갖는 재료를 포함하는 봉착층과, 상기 외위기 내에 설치된 복수의 화소를 구비하는 화상 표시 장치의 제조 장치이며,

    상기 봉착층에 전기적으로 접촉 가능한 전극 부재와,

    상기 전극 부재를 통해 전류를 공급하는 전원과,

    상기 전극 부재를 유지 고정하는 유지 장치와,

    상기 유지 장치를 상기 전면 기판 또는 배면 기판의 내면 방향으로 이동시키는 구동 기구를 구비하는 화상 표시 장치의 제조 장치.
77. 대향 배치되는 동시에 주변부가 서로 접합된 전면 기판과 배면 기판을 갖는 외위기와, 상기 전면 기판과 배면 기판 중 적어도 일측의 내면 주연부를 따라 배치된 도전성을 갖는 재료를 포함하는 봉착층과, 상기 외위기 내에 설치된 복수의 화소를 구비하는 화상 표시 장치의 제조 장치이며,

    상기 봉착재에 전기적으로 접촉 가능하게 설치된 복수의 전극 부재와,

    상기 전극 부재를 통해 상기 봉착층으로 전류를 공급하는 전원과,

    상기 전극 부재를 상기 전면 기판과 배면 기판 중 적어도 일측 내면 방향으로 구동시키는 구동 기구를 구비하는 화상 표시 장치의 제조 장치.

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