TWI278663B - Cube and method of making same - Google Patents
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Description
1278663 (4) 有 α 1 = α 菱鏡200Α 400包含 率材料層 沉積在稜 介電層積 依立方體 2微米( 些實施例 LaF3), I 193 奈 爲氟化銨 在其他實 中,一接 詳細說明 其爲一種 的材料。 時確保極 α3 = 9 0。左右,而在另一實施例中,稜鏡200具 2 = 52°左右,α 3 = 76°左右。 如第四圖所示,棱鏡之一 200Α具有沉積在^ 之一主體402上的一介電層積4〇〇,該介電層積 複數層相互交替的高折射率材料層4 0 4和低折射 406。層404和406係於一多層塗膜程序604時 鏡200Α之主體402上,此將於下文詳細說明。 400可包含複數(例如20至50)層,每層厚度 使用的環境而定,可爲500公釐(mm)至 micron)。在使用波長157奈米(nm)之光的一 中’筒折射率材料爲·化|L ( G d F 3 )或氟化鑭( 而低折射率材料爲氟化鎂(M g F 3 )。在使用波i 米(nm )之光的其他實施例中,高折射率材料 (NdF3 ),而低折射率材料爲氟化鋁(A1F3 )。 施例中,可使用與上述相同性質的其他材料。 繼續參考第四圖,在一接觸層沉積程序606 觸層408沉積在介電層積400頂面,此將於下文 。接觸層4 0 8可爲一熔融氧化矽或二氧化矽層, 與未塗膜棱鏡2 0 0 B之氟化鈣材料具自然相容性 此可確保兩稜鏡2 0 0間的玻璃對玻璃之結合,同 少量甚至沒有界面反射。 參考第五圖,其顯示本發明實施例的一真空室500, 該真空室500包含在沉積操作中固持稜鏡200的一塗膜座 5 02。在不同的實施例中,使用一濺射裝置504 (例如濺 1278663 (5) 射槍)或一電子束裝置5〇6(例如電子束槍),或兩者皆 使用,以在塗膜稜鏡2〇〇A上沉積形成介電層積4⑽和接 觸層408的材料。應瞭解可使用其他的沉積裝置以成形立 方體102。
第六圖顯示成形本發明實施例之立方體1〇2的一種方 法600。在步驟602,從一製造裝置接收原料形式的稜鏡 200A和200B並加以處理。在步驟6〇4,執行多層塗膜程 序,以在塗膜棱鏡200A的主體402上建立介電層積。在 步驟6 0 6 ’執行接觸層塗膜程序,以在介電層積4 〇 〇上沉 積一接觸層408。在步驟608,執行光學接觸程序,以耦 合塗膜稜鏡200A於未塗膜棱鏡200B。此方法600在步驟 6 1 0結束。
第七圖顯示本發明實施例之方法6 0 0的詳細步驟。在 處理步驟6 0 2中,於步驟7 0 2接收原料形式的棱鏡2 0 0 A 和200B ;於步驟702拋光稜鏡200A和200B,直到其符 合終端使用者指定的參數(例如波長、尺寸等);於步驟 7〇4淸潔;於步驟706檢查,以確保稜鏡符合終端使用者 的規格。 在多層塗膜程序604中,於步驟708時,將變成塗膜 稜鏡的棱鏡20 0A被置入真空室5 00內;於步驟710執行 多層塗膜程序,在此程序時,交替沉積形成介電層積400 的高折射率材料層404和低折射率材料層406。該沉積程 序可由電子束蒸發、離子束濺射、阻抗源蒸發、或任何其 他已知沉積方法執行。於步驟712冷卻塗膜稜鏡200 A ; -8- 1278663 (7) 雖然本發明各種實施例已描述如上,但應瞭解他們只 是以例子的方式提出,並非限制。對熟習相關技藝人士, 顯然可就形式和細節做不同的變化’但仍未脫離本發明的 精神及範圍。因此’本發明的領域和範圍不應被上述例示 的任何實施例所限制,而只應依據下列申請專利範圍及其 均等者定義。 【圖式簡單說明】 在此倂入而形成說明書之一部份的附圖說明了本發明 ,且連同說明書更做爲解釋本發明的原理,使得熟習相關 技藝人士可實施和使用本發明。 第一圖顯示使用本發明實施例之立方體的一例示環境 第二圖顯示本發明實施例以兩棱鏡形成一例示立方體 的透視圖; 第三圖顯示用於形成第二圖立方體之兩稜鏡的分解圖 第四圖顯示第二至三圖兩稜鏡其中之一的一部之剖視 圖; 第五圖顯示本發明實施例在形成立方體之部分程序時 ,所使用的例示真空室; 第六圖顯示本發明實施例用於形成立方體之程序’所 描述方法步驟的流程圖;及 第七圖顯示在第六圖的程序所使用之方法步驟的更詳 •10- (8) 1278663 細流程圖。 本發明現在將參考附圖描述。在圖式中’類似的梦考 編號指示相同或功能類似的元件。此外’參考編號的最左 位數表示參考編號第一次出現在圖式中。 主要元件對照表 100 系統 102 分光立方體 104 雷射 106 射束調節器 108 光罩 110 投射光學組 112 反射鏡 114 晶圓光學組 116 晶圓 200A 塗膜光學元件(棱鏡) 200B 未塗膜光學元件(稜鏡) 200 基材 3 00,3 02 表面 400 介電層積 402 主體 404 高折射率材料層 4〇6 低折射率材料層 4〇8 接觸層 -11 - 1278663
500 真 空 室 502 塗 膜 座 504 濺 射 裝 置 ( 槍 ) 506 電 子 束 裝 置 ( 槍) * 600 方 法 -12-
Claims (1)
1278663 (1)
拾、申請專利範圍 附件四A ··第92126382號修正後無劃線之 中文申請專利範圍替換本民國95年4月26日呈 1. 一種氟化鈣立方體,包含: 一未塗膜氟化耗稜鏡; 一塗膜氟化鈣稜鏡耦合於該未塗膜氟化鈣稜鏡,該塗 膜氟化鈣稜鏡包括: 具有一多層塗膜的一第一塗膜段;及 形成在該第一塗膜段之頂部的一第二塗膜段,該第二 塗膜段具有一接觸層塗膜; 其中該氟化鈣立方體傳輸深紫外線或真空紫外線波長 的光,而無實質的吸收。 2 ·如申請專利範圍第1項所述氟化鈣立方體,其中該 接觸層塗膜是一二氧化砂塗膜。 3 ·如申請專利範圍第1項所述氟化鈣立方體,其中該 接觸層塗膜是一熔融氧化矽塗膜。 4 ·如申請專利範圍第1項所述氟化鈣立方體,其中該 氟化鈣立方體是一偏光立方體。 5 ·如申請專利範圍第1項所述氟化鈣立方體,其中該 氟化鈣立方體是一分光器。 6·—種氟化鈣光學裝置,包含: 一未塗膜氟化鈣光學元件; 一塗膜氟化鈣光學元件耦合於該未塗膜氟化鈣光學元
1278663 (2) 件的一表面;該塗膜氟化鈣光學元件包括: 形成在該表面上的一多層塗膜;及 形成在該多層塗膜上的一接觸層塗膜; 其中該氟化鈣光學元件傳輸深紫外線或真空紫外線波 長的光,而無實質的吸收。 7 ·如申請專利範圍第6項所述氟化鈣光學裝置,其中 該接觸層塗膜是一二氧化矽塗膜。 8 ·如申請專利範圍第6項所述氟化鈣光學裝置,其中 該接觸層塗膜是一熔融氧化矽塗膜。 9 ·如申請專利範圍第6項所述氟化鈣光學裝置,其中 該未塗膜氟化鈣光學元件和該塗膜氟化鈣光學元件是稜鏡 〇 1 0 ·如申請專利範圍第6項所述氟化鈣光學裝置,其 中該未塗膜氟化鈣光學元件和該塗膜氟化鈣光學元件耦合 在一起,以形成一偏光立方體。 1 1 ·如申請專利範圍第6項所述氟化鈣光學裝置,其 中該未塗膜氟化鈣光學元件和該塗膜氟化鈣光學元件耦合 在一起,以形成一分光器。 1 2 ·如申請專利範圍第1項所述氟化鈣立方體,其中 該光的波長約爲157奈米,其傳輸經過該氟化鈣立方體而 無實質的吸收。 1 3 .如申請專利範圍第6項所述氟化鈣立方體,其中 該光的波長約爲1 57奈米,其傳輸經過該氟化鈣立方體而 無實質的吸收。 -2 - 1278663 附件五A 第921娜號日呈
第3圖
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