TWI275642B - Cleaning composition, method of cleaning semiconductor substrate, and method of forming wiring on semiconductor substrate - Google Patents

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TWI275642B
TWI275642B TW093117540A TW93117540A TWI275642B TW I275642 B TWI275642 B TW I275642B TW 093117540 A TW093117540 A TW 093117540A TW 93117540 A TW93117540 A TW 93117540A TW I275642 B TWI275642 B TW I275642B
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Shigeru Yokoi
Kazumasa Wakiya
Takayuki Haraguchi
Makarem A Hussein
Lana I Jong
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Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd
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Description

1275642 (1) 玖、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種淸潔組成物，其可有效地從基板表 面淸潔光阻fe、埋入材料、及金屬殘餘物。本發明亦關於 一種使用此淸潔組成物淸潔半導體基板之方法，及使用此 淸潔組成物在半導體基板上形成線路之方法。 【先前技術】 半導體基板一般係經由在例如由矽製作的基板上沈積 介電層（絕緣層）而形成。在半導體基板的介電層中形成圖 案化的導電層（即線路層）以形成線路。 用以形成圖案的各層或膜，例如光阻膜，於各膜已進 行其角色之後將被移除。將此類層或膜移除以使其不會在 後續方法中變爲障礙。使用剝離溶液將層或膜移除。也可 使用剝離溶液移除在線路程序中形成的金屬或其類似者的 殘餘物。傳統上，剝離溶液之組成已依據將要淸除的目標 膜及將要淸潔的目標殘餘物而作最佳化。 然而，針對各項目而製備各種剝離溶液係相當複雜的 。此外。針對保存且使用溶液在相應的案例中需要貯存設 備及供應途徑，且因此已須要提供專用的設備及裝置。結 果，半導體的製造方法變得昂貴。因此，已需要具有高剝 離力與淸潔能力且適用所有目的的剝離溶液。 本案發明人致力於發展該剝離溶液。因此，本案發明 人發現內含四級銨化合物作爲主成分的剝離溶液可滿足需 -5- 1275642 (2) 要。 然而，由半導體基板之觀點，針對剝離溶液所需要的 性質，慣常的方法有如下問題。 一般而言，在半導體製造方法中，經由〇2電漿灰化 或採用胺爲主的剝離溶液將光阻膜移除，而在使用嵌入方 法形成多層內連接之程序中，於光阻膜移除之後使用氫氟 酸稀釋液移除埋入材料（其亦稱爲犧牲膜）。 介電層可防護提供於光阻膜及埋入材料之下線路層， 且將此線路層與另一線路層電氣絕緣。此介電層需要帶有 儘可能低的介電常數以預防影響線路層的電氣特性。在具 有低介電常數的介電層之中，具有介電常數k爲3.2或更 低的特別介電層已變爲主流。 然而’具有該低介電常數的材料（低k材料）對02電漿 灰化及氫氟酸稀釋液有低的抗性，且因此材料之表面易劣 化或介電常數會上升。因此，將嚴重地影響線路層之電氣 特性。 本案發明人評估了內含四級銨化合物作爲主成分的剝 離溶液。本案發明人發現，當使用剝離溶液時，需要許多 時間以完全地移除光阻膜及埋入材料。本案發明人推斷， 因爲進行長時間處理，低k材料與銅（c u)將會劣化。 本案發明人製備可變爲剝離溶液成分的生料，以及一 些相同材料的類型，且經由各型態的混合而製備的剝離溶 液試樣以評估試樣之剝離特性。本案發明人發現某些試樣 有卓越的剝離特性且在低k材料之表面上不會造成不良效 1275642 (3) 應。本案發明人然後分析此類試樣且發現此類試樣內含微 量的氫氧化鉀（KOH)。因此，本案發明人推斷若將微Κ0 η 的量加入溶液中，有可能迅速地淸潔此基板，而不會損及 低k材料與C u，且甚至有高的剝離力。 本案發明人硏究現有文獻而發現爲何存在KOH可給 予較佳結果之原因，Κ Ο Η的最佳用量，以及加入Κ Ο Η的 最佳方法。本案發明人硏究了例如日本專利申請早期公開 案（JP-A)No· 20 0 1-152190、U.S.專利 3980587、及 U.S·專 利5 1 3 9607。因此，本案發明人體認到已有提出採用K〇H 的剝離溶液。例如本案發明人體認到針對半導體的內含 KOH之淸潔溶液已在jp-A No. 200 1-244228中提出，且針 對積體電路的內含KOH之淸潔試藥已在日本專利（JP)No. 2 8 3 6 2 6 3中提出。 然而，在揭示於JP-A No. 200 1 - 1 52 1 90中的剝離溶液 ’ KOH僅舉例爲各成分之一項候選者，該成分係選自氟 化物爲主的還原劑及氫氧化物爲主的還原劑。此外，於 JP-A No· 200 1 - 1 5 2 1 90 中敘述的問題可由不含KOH分組 成物而解決。換言之，並未揭示或建議至少含有四級氫氧 化銨、溶液、水、抗腐蝕劑、及KOH之組合物的方法， 此方法可允許改良剝離特性，不會使低k材料降解之表面 。此外，甚至未建議針對實際上使用組成物而作爲內含 KOH最理想混合物的實質成分與各組成的用量所需要的 資訊。此外，文獻上對埋入材料的剝離力尙未澄淸。 如稍後說明，在U . S專利3 9 8 0 5 8 7及N 〇 . 5 ] 3 9 6 0 7所 1275642 (4) 揭示的組成物中，KOH用量高於彼在本發明中之上限。 然而，所採用KOH的量，其非常不可能移除光阻膜或其 類似者不會使低k材料降解。如此，u.S·專利3 98 05 8 7與 N 〇 · 5 1 3 9 6 0 7不能解決在本發明中所解決的問題。 此外，於 JP-A No· 2001-244228 及 JP No. 2836263 所 揭示的技藝，不可能有效地移除光阻膜或其類似者，因爲 在組成物中之各成分不同於那些本發明中的成分。此外， JP-A No· 200 卜 244228 及 JP No. 2836263不能解決在本發 明中所解決的問題。 【發明內容】 本發明之目的在提供一種淸潔組成物，其中至少含有 四級氫氧化銨及κ Ο Η作爲實質上組合物，且可單獨地且 有效地從半導體基板之表面移除光阻膜、埋入材料、及金 屬的殘餘物，不會降解低k材料。 基於實驗結果，本案發明人體認到，可單獨剝離且移 除光阻膜、埋入材料、及金屬殘餘物不會腐蝕基板形成層 如低k材料的一種淸潔組成物，其中至少含有四級氫氧化 銨、水溶性有機溶劑、水、抗腐蝕劑、及佔溶液總量1質 量百分比或更低的氫氧化鉀（KOH)。 結果，依據本發明一項特色的淸潔組成物（A)，至少 含有四級氫氧化銨、水溶性有機溶劑、水、抗腐蝕劑、及 佔溶液總量I質量百分比或更低的氫氧化鉀。 依據本發明另一項特色的半導體基板淸潔方法（B)， 1275642 (5) 包含在使用暫時層壓膜形成金屬線路的程序中，將此淸潔 組成物施用至半導體基板上，其中所使用暫時層壓膜是在 基板上暫時疊膜所得到。此方法也包含當在基板上暫時形 成層壓膜時移除至少一種光阻膜及埋入材料，與形成蝕刻 空間之後的金屬殘餘物。此淸潔組成物至少含有四級氫氧 化銨、水溶性有機溶劑、水、抗腐蝕劑、及佔溶液總量1 質量百分比或更低的氫氧化鉀。 此半導體基板可至少包含一種介電常數k爲3.2或更 低的低介電層。 依據而本發明另一項特色的形成線路之方法，包含使 用經由光刻技術方法暫時提供的層壓膜，在基板上的介電 層之中形成蝕刻空間，經由在蝕刻空間中埋入金屬而形成 金屬線路層，及當在基板上暫時地形成層壓膜中，使用淸 潔組成物移除至少一種光阻膜與埋入材料、與於形成金屬 線路層之後的金屬殘餘物。在形成金屬線路層程序中預先 決定的時間點，進行移除。此外，此淸潔組成物至少含有 四級氫氧化銨、水溶性有機溶劑、水、抗腐蝕劑、及佔溶 液總量1質量百分比或更低的氫氧化鉀。 此預先決定的時間點可爲蝕刻空間形成之後的時間。 且使用在第一介電層中形成的第一蝕刻空間及在第二 介電層中形成的第二鈾刻空間而形成鈾刻空間，而使第二 蝕刻空間與第一蝕刻空間連接。在形成第二齡刻空間之前 ，第一餘刻空間可暫時地用埋入材料作塡裝於形成第二倉虫 刻空間之後，可使用淸潔組成物自第一齡刻空間移除埋入 -9 - 1275642 (6) 材料。 第一鈾刻空間可爲溝渠且第二蝕刻空間可爲導孔。 第一蝕刻空間可爲導孔且第二蝕刻空間可爲溝渠。 此介電層可是介電常數k爲3.2或更低的低介電層。 詳細描述 本發明淸潔組成物（A)至少含有（a-l)四級氫氧化銨、 (a · 2 )水溶性有機溶劑、（a - 3 )水、（a - 4 )佔溶液總量1質量百 分比或更低的氫氧化鉀、及（a - 5 )抗腐蝕劑。如下將詳細說 明本發明，且除非另有說明，使用的材料可爲任何的商購 材料。 (A)淸潔組成物 (a-l)四級氫氧化銨 將四級氫氧化銨配料而改良對用於線路形成圖案的光 阻膜之剝離力，特別針對在基板蝕刻中形成蝕刻光阻。 作爲四級氫氧化銨，由以下通式代（〗）表的化合物較 佳。 [NR】R2R3R4] + 〇HT (1) 其中R!、R2、R3、及R4係各自爲烷基基團或帶有1至 4個碳原子的羥烷基基團。 特別地，就可獲得性而言，四級氫氧化銨特別宜爲至 少一種由下列各項選出的化合物：氫氧化四甲基銨、氫氧 化四乙基銨、氫氧化四丙基銨、氫氧化四丁基銨、氫氧化 -10- 1275642 (7) 甲基三丙基銨、及氫氧化甲基三丁基銨。此外，基於提高 對暫時形成的層壓膜之溶解度的觀點，氫氧化四甲基銨及 /或氫氧化四乙基銨爲較佳的，特別針對層壓膜之埋入材 料。 四級氫氧化銨配料的用量宜佔淸潔組成物總量之1至 20質量百分比，更佳爲2至15質量百分比。若其比例超出 此範圍，例如若此比例低於下限，即1質量百分比，傾向 有不充分的整體剝離能力。相反地；若此比例高於上限， 即2 0質量百分比，傾向會腐蝕基板形成層（低k材料）。 (a-2)水溶性有機溶劑 作爲水溶性有機溶劑，可使用任何慣常使用的化合物 。水溶性有機溶劑主要分爲烷醇胺爲主的水溶性有機溶劑 及其它的任何水溶性有機溶劑，且可合適地選擇使用。 作爲烷醇胺爲主的水溶性有機溶劑，可使用任何慣常 使用的化合物。更明確地，此化合物包含單乙醇胺（MEA) 、二乙醇胺、三乙醇胺、2-(2·胺基乙氧基）乙醇、N，N-二 甲基乙醇胺、N，N-二乙基乙醇胺、N，N-二丁基乙醇胺、N-甲基乙醇胺、N·乙基乙醇胺、N-丁基乙醇胺、N·甲基二乙 醇胺、單異丙醇胺、二異丙醇胺、三異丙醇胺、及其類似 者。 在此類之中，單乙醇胺、2 - (2 -胺基乙氧基）乙醇、及 N -甲基乙醇胺爲較佳的選擇。任何烷醇胺爲主的水溶性有 機溶劑可單獨使用或以摻合物使用。 -11 - 1275642 (8) 除了烷醇胺爲主的水溶性有機溶劑之外的水溶性有機 溶劑包含亞碾類，如二甲基亞硕；硕類如二甲基硕、二乙 基硕、雙（2-羥乙基）硕、及四亞甲基砸；醯胺類如N，N-二 甲基甲醯胺、N-甲基甲醯胺、N，N-二甲基乙醯胺、甲基 乙醯胺、及N，N-二乙基乙醯胺；內醯胺類如N-甲基-2-吡 咯烷酮、N -乙基-2 -吡咯烷酮、N -羥甲基-2 -吡咯烷酮、及 N -羥乙基-2 -吡咯烷酮；內酯類如冷-丙內酯、r -丁內酯、 7-戊內酯、5-戊內酯、τ-己內酯、及ε -己內酯；咪唑 啉酮類如1,3-二甲基-2-咪唑啉酮、l，3-二乙基-2-咪唑啉酮 、及1,3-二異丙基-2-咪唑啉酮；及多羥醇類及其衍生物如 乙二醇、乙二醇單甲基醚、乙二醇單乙醚、乙二醇單丁基 醚、乙二醇單乙酸酯、乙二醇單甲基醚乙酸酯、乙二醇單 乙醚乙酸酯' 二甘醇、二甘醇單乙酸酯、二甘醇單甲基醚 、二甘醇單乙醚、二甘醇單丁基醚、丙二醇、丙二醇單甲 基醚、二丙二醇單甲基醚、甘油、丁二醇、丁二 醇、及2,3·丁二醇。各成分可單獨使用或與其它成分相互 混合使用。 导寸別地’最佳ί谷劑爲至少一種由下列各項中所選出者 :二甲基亞硕、二甲基咪唑啉酮、Ν -甲基-2 -吡咯院酮、 及二甘醇單丁基醚。 S亥水溶性有機溶劑的配料用量宜佔淸潔組成物總量之 1至82質量百分比，更佳爲2至78質量百分比。若其比例超 出此範圍’例如若此比例低於下限，傾向有不充分的整體 剝離目t：力。相反地，右此比例高於上限，傾向會腐触基板 -12- 1275642 (9) 形成層。 水溶性有機溶劑可爲烷醇胺爲主的水溶性有機溶劑及 其它的任何水溶性有機溶劑。然而，若單獨使用時，宜使 用除了烷醇胺爲主的有機溶劑之外的水溶性有機溶劑。在 此案例中，相較於單獨使用烷醇胺爲主的水溶性有機溶劑 ，可進一步的抑制對低k材料的腐蝕。 烷醇胺爲主的水溶性有機溶劑及任何其它水溶性有機 溶劑可用作配料溶劑。藉由使用配料溶劑，將更可能改良 對光阻膜及金屬殘餘物之剝離能力。 當使用配料溶劑時，烷醇胺爲主的水溶性有機溶劑夕 配料用量宜在1至50質量百分比，更佳爲2至40質量百分比 ，以淸潔組成物的總量計。此外，除了烷醇胺爲主的水溶 性有機溶劑之外的水溶性有機溶劑的用量，定爲水溶性有 機溶劑總配料量的剩餘部分。 (a - 3 )水 水的配料用量宜在1 0至8 0質量百分比，更佳爲1 5至7 5 質量百分比，以淸潔組成物的總量計。若其比例超出此範 圍，例如若此比例低於下限（1 〇質量百分比），傾向會降低 對殘餘物的移除性能。相反地，若此比例高於上限（8 0質 量百分比），殘留在基板上的各種金屬如c U傾向會腐蝕 (a-4)氫氧化鉀（KOH) -13-
1275642 (10) KOH的配料量宜在1質量百分比或更低，更佳爲 至〇·3質量百分比’以淸潔組成物的總量計。KOH ^ 佳配料用量在0 · 0 1至0 · 1質量百分比。經由加入微量 的量，有可能增加對使用於嵌入方法中的埋入材料倉! 速率，使有可能增加介於埋入材料與作爲基板形成本 低k材料之間的蝕刻選擇性。即加入K〇H將允許杉 移除埋入材料不會損及低k材料。另一方面，若力丨 Κ Ο Η過度地高於上限，將會傾向腐蝕基板形成層。 ΚΟΗ也具有效應以提局使用於嵌入方法的埋乂 之溶解度。 (a-5)抗腐鈾劑 作爲抗腐蝕劑，至少使用一種由下列各項中所違 ••苯并三唑爲主的化合物及內含氫硫基基團的化合物 并三唑爲主的化合物包含由以下通式（2 )所代表者。 ...(2) 其中R5及R6各自獨立爲氫原子、經取代或未】 帶有1至1 〇個碳原子的烴基團、羧基基團、胺基、导 團、氰基基團、甲醯基基團、磺醯基烷基基團、或！ 團；Q爲氫原子、羥基基團、經取代或未取代的帶 0.001 別較 KOH 刻之 料的 速地 入的 材料 出者 。苯 代的 基基 基基 rig -14- 1275642 (11) 1 0個碳原子的烴基團（此烴基團在結橇中可帶有醯胺鍵結 或酯鍵結）、芳基基團、或由以下通式（3)代表的基團 〜 …（3) 其中R7代表帶有1至6個碳原子的烷基基團；且以與 R9各自獨立代表氫原子、羥基基團、或羥烷基基團或帶有 1至6個碳原子的烷氧基烷基基團。 如於本發明通式（2)中敘述各基團（^、^^、及r6之定 義中，各烴基團可爲芳香族烴基團或脂肪族烴基團，可爲 飽和或不飽和的，且可爲直鏈的或枝鏈。經取代烴基團之 實施例包含羥烷基基團及烷氧基烷基基團。 在通式（2)中。Q特別較佳爲由式（3)代表的基團。在 式（3)中，作爲118及R9，宜獨立選擇羥烷基基團或帶有1 至6個碳原子的烷氧基烷基基團。 在通式（2)中，Q宜形成水溶性基團。更明確地，氫 原子、帶有 1至3個碳原子的烷基基團（即甲基基團、乙基 基團、丙基基團、或異丙基基團），帶有 1至3個碳原子的 羥烷基基團，且以羥基基團爲特別較佳的。 苯幷三唑爲主的化合物之特定實施例包含苯并三唑、 556 -二甲基苯并三唑、1-羥基苯并三唑、甲基苯并三唑 、1-胺基苯并三唑、1-苯基苯并三唑、1-羥甲基苯并三唑 、1 -苯并三唑-甲基羧酸酯、5 -苯并三唑-羧酸、卜甲氧基 -15- 1275642 (12) 苯并三唑、1-(2,2-二羥乙基）苯并三唑、i-(2,3-二羥丙基） 苯并二卩坐，及產自 Ciba Speciality Chemicals的市售 ，’ I R G A Μ E T ’’系歹ij產物如2，2 1 - { [ (4 -甲基· 1 Η -苯并三唑基-1 - 基）甲基]亞胺基}雙乙醇、2,2’-{[(5 -甲基-1Η -苯并三唑基-卜基）甲基]亞胺基}雙乙醇、2,2，-{[(4-甲基-1H-苯并三唑 基-卜基）甲基]亞胺基}雙乙烷、及252M[(4 -甲基苯并 三唑基-1 -基）甲基]亞胺基}雙丙烷。在此類化合物之中， 特別宜使用1-(2,3 -二羥丙基）苯并三唑、2,2’-{[(4 -甲基-1H-苯并三唑基-1-基）甲基]亞胺基}雙乙醇、及2,2，-{[(5-甲基-1H-苯并三唑基-1-基）甲基]亞胺基}雙乙醇等等。此 苯并三唑類化合物可個別使用或合倂使用。 內含氫硫基基團的化合物，在鍵結至氫硫基基團碳原 子上的α -位置或/5 -位置上，宜存在羥基基團及/或羧基基 團的結構。特別地，該化合物較佳的實施例包含1 -硫甘油 、3-(2-胺基苯基硫）-2-羥丙基硫醇、3-(2-羥乙基硫）-2-羥 丙基硫醇、2-氫硫基丙酸、及3-氫硫基丙酸。在此類之中 ，可特別優先使用1-硫甘油。 抗腐蝕劑的配料用量宜在0. 1至1 0質量百分比，更佳 爲〇·2至8質量百分比，以淸潔組成物的總量計。若其比例 超出此範圍，例如若此比例低於下限，Α1及Cu將傾向會 發生腐蝕。相反地，甚至若加入的抗腐蝕劑高於上限，未 確認對應於添加量有任何特別的效應。 此外，可視需要加入表面活性劑作爲給予添加成分。 作爲該表面活性劑，宜使用通常用於淸潔組成物中的乙炔 -16- 1275642 (13) 醇爲主的表面活性劑。 此試藥的加入範圍宜在少於0.5質量百分比。 此淸潔組成物最佳的組成包含2至1 5質量百分比的四 級氫氧化銨、2至8 5質量百分比的水溶性有機溶劑、〗5至 70質量百分比的水、0.01至0.1質量百分比的KOH、及〇.2 至8質量百分比的抗腐蝕劑，以淸潔組成物之總量計。更 明確地，有一項組成物，內含5質量百分比的氫氧化四乙 基銨作爲四級氫氧化銨，N -甲基-2 -吡咯烷酮作爲水溶性 有機溶劑總量的剩餘部分，30質量百分比的2-(2-胺基乙 氧基）乙醇、30質量百分比的水、0.02質量百分比的KOH 、1 · 5質量百分比的1 -硫甘油作爲抗腐鈾劑，且1 . 〇質量百 分比的 IRGAMET42(Ciba Speciality Chemicals)也可作爲 抗腐蝕劑。供選擇地，有另一組成物，內含；1 〇質量百分比 的氫氧化四甲基銨作爲四級氫氧化銨、N-甲基-2-吡咯院 酮作爲水溶性有機溶劑總量的剩餘部分、4 0質量百分比的 水、0.02質量百分比的KOH、1.5質量百分比的1-硫甘油 作爲抗腐蝕劑，且1.0質量百分比的 IRGAMET 42(Ciba Speciality Chemicals)也可作爲抗腐蝕劑。 本發明針對光刻技術之淸潔組成物，當使用埋入材料 而形成穿孔圖案或形成溝渠圖案中，可用於移除光阻膜及 金屬殘餘物’特別地在使用嵌入方法形成線路的程序中。 (B)淸潔半導體基板之方法 依據本發明清潔半導體基板之方法，是在使用暫時層 壓膜形成金屬線路的程序中將此淸潔組成物施用至半導體 ►17- 1275642 (14) 基板上’該層壓膜係暫時地疊層在基板上，及當在基板上 暫時地形成層壓膜時移除至少一種光阻膜、埋入材料，與 移除於形成金屬線路之後的金屬殘餘物。此淸潔組成物至 少含有四級氫氧化銨、水溶性有機溶劑、水、抗腐蝕劑、 及佔溶液總量1質量百分比或更低的氫氧化鉀。 若基板至少包含一種有介電常數k小於3.2的低介電 層，或較佳在小於3 · 0，本發明淸潔方法的優點特別在於 使能夠淸潔光阻膜與金屬殘餘物不會損及基板。 用於低介電層且介電常數k在小於3 2的特定材料包 含碳攙添氧化物（SiOC)爲主的、含甲基的矽酸鹽類（MSq) 爲主的，及含羥基的矽酸鹽類（H S Q)爲主的材料。特別地 ，碳攙添氧化物爲主的低介電材料包含產自Applied MAterials 公司的 B 1 a c k D i a m ο n d (產品名稱）、產自 Novellns Systems公司的Coral(產品名稱）、及產自 ASM Japan Κ·Κ·的 Aurora(產品名稱）。 含甲基的砂酸鹽類爲主的低介電材料包含各種商購材 料，產品名稱爲 ”OCL T-3 1 ”、”〇CL T-37”、及，，〇CL T-39，， ’產自Tokyo Oh ka Kogyo公司。此外，含羥基的砂酸鹽 類爲主的低介電材料包含材料商購之產品，名稱爲，，〇CD T-12 及”〇CL T-32”，產自 Tokyo 〇hka Kogyo 公司。 當經由使用依據本發明淸潔半導體基板之方法而淸除 埋入材料，有可能淸除埋入之材料不會損及低k材料，因 爲於本發明中未使用氫氟酸稀釋液。 若光阻膜爲一般使用於半導體製造中者，使用於本發 -18- 1275642 (15) 明中的光阻膜不限於任何特別的品名。本專利本發明中白勺 ”光阻膜”包含用於形成圖案的光阻膜，以及當形成基板蝕 刻時蝕刻光阻的光阻膜。 若將金屬用於導電層，使用於本發明中的金屬不限於 任何特別的種類。更明確地，此金屬包含Cu、Cu合金、 八1及六1合金。（3-3)水及（&-5)抗腐蝕劑的配料用量，如敘 述於本發明中在適合的範圍之中製備的，且因此殘留在基 板上作爲導電層的金屬未腐蝕。 若進行一般方法，淸潔物質之方法不限於任何特別的 種類。更明確地，在此提供一種淸潔方法，淸潔i至40分 鐘’可使用浸泡方法、槳式方法、及沖淋方法。爲了增加 淸潔效果，可提供加熱。若如此，加熱宜在2 0至8 5 °C進行 3至30分鐘，更佳在40至80°C。 (C )形成線路之方法 依據本發明形成線路之方法，包含經由使用此淸潔組 成物移除至少一種當在基板上層暫時形成壓膜的光阻膜、 埋入材料、與於形成金屬線路層之後的金屬殘餘物。特別 地’在形成金屬線路層程序中預先決定的時間點進行移除 ’該時間點是在期間用以形成金屬線路層的方法中，該方 法係經由基於光刻技術使用層壓膜於基板上在介電層之中 形成的蝕刻空間之中埋入金屬。此淸潔組成物至少含有四 級氫氧化銨、水溶性有機溶劑、水、抗腐蝕劑、及佔溶液 總量]質量百分比或更低的氫氧化鉀。 -19- 1275642 (16) 形成金屬線路層方法的一項特定實施例爲嵌入方法。 若使用嵌入方法，將低介電層沈積在基板上，其中導電層 係經由阻隔層形而成，且使用通常的光刻技術方法將導孔 及/或溝渠形成在沈積層中。特別地，當同時形成導孔與 溝渠，此嵌入方法稱爲雙重嵌入方法。 在本發明中所稱’’飩刻空間形成在基板上的介電層中” ，係考量爲各種類型的空間，取決於形成線路之方法及形 成蝕刻空間的時間。然而，依據嵌入方法或雙重嵌入方法 的蝕刻空間一般意指導孔及/或溝渠。在蝕刻空間中埋入 金屬包含金屬如Cu。 導電層係採用金屬如Cu、C11合金、A1及A1合金所 形成。此導電層與任何一項金屬係經由電鍍方法而形成， 但此方法不限於任何特別的種類。 用於低介電層的特定材料包含碳攙添氧化物（Si 0C)爲 主的、含甲基的矽酸鹽類（MS Q)爲主的、及含羥基的矽酸 鹽類（HSQ)爲主的材料。較佳的低介電層係介電常數k爲 3 · 2或更低者，因爲該層可避免受到在線路層電氣特性上 發揮的影響。 此低介電層可形成在導電層上或在提供於導電層上的 阻隔層上。低介電層之燃燒溫度通常在3 5 0 °C或更較高。 此阻隔層可採用任何的SiC、SiN、SiCN、Ta、及 TaN形成。此阻隔層可形成在介於複數的介電層之間。 使用於光刻技術方法的光阻材料包含用於（KrF、ArF '及F 2 )準分子雷射或電子束的材料，且此材料可採用習 -20- 1275642 (17) 用的方法而使用。 埋入材料係暫時地埋入所形成的導孔及/或溝渠。特 別地’得自縮合反應的在玻璃材料上旋轉膜宜用作爲埋入 材料。 依據本發明宜使用於形成線路之方法中的在玻璃材料 上的旋轉膜，係將至少一種由下式（i)、（ii)、及（iii)代表 的化合物中選出的化合物，於水存在之下經由酸之作用水 解而得到。 (i) Si(〇R】）a(〇R2)b(〇R3)c(〇R4)d 其中R!、R2、. R3、及R4各自獨立爲烷基基團或帶有1 至4剰碳原子的苯基基團；a、b、c、及d係各自爲〇至4之 獎數’其限制條件爲a、b、c、及d之總和爲4。 (ii) R5Si(OR6)e(OR7)f(〇R8)g 其中 R5爲氫原子或帶有1至4個碳原子的烷基基團； R6、R7、及R8各自獨立爲烷基基團或帶有1至3個碳原子 的苯基基團；e、f、及g係各自爲〇至3之整數，其限制條 件爲e、f、及g之總和爲3。 (iii)R9R]〇Si(ORn)h(OR]2)i 1275642 (18) 其中：^9及R!0各自獨立爲氫原子或帶有1至4個碳原子 的烷基基團；Ru與R12各自獨立爲烷基基團或帶有1至3個 碳原子的苯基基團；h及i係各自爲0至2之整數，其限制 條件爲h與i之總和爲2。 由式（i)代表的化合物之實施例包含四烷氧基矽烷及其 寡聚物，如四甲氧基矽烷、四乙氧基矽烷、四丙氧基矽烷 、四丁氧基矽烷、四苯氧基矽烷、三甲氧基單乙氧基矽烷 ，二甲氧基二乙氧基矽烷、三乙氧基單甲氧基矽烷、三甲 氧基單丙氧基矽烷，單甲氧基三丁氧基矽烷、單甲氧基苯 氧基矽烷、二甲氧基二丙氧基矽烷、三丙氧基單甲氧基矽 烷、三甲氧基單丁氧基矽烷、二甲氧基二丁氧基矽烷、三 乙氧基單丙氧基矽烷、二乙氧基二丙氧基矽烷、三丁氧基 單西氧基矽烷、二甲氧基單乙氧基單丁氧基矽烷、二乙氧 基單甲氧基單丁氧基矽烷、二乙氧基單丙氧基單丁氧基矽 烷、二丙氧基單甲氧基單乙氧基矽烷、二丙氧基單甲氧基 單丁氧基矽烷、二丙氧基單乙氧基單丁氧基矽烷、二丁氧 基單甲氧基單乙氧基矽烷、二丁氧基單乙氧基單丙氧基矽 烷’及單甲氧基單乙氧基丙氧基單丁氧基矽烷。在此類化 合物之中，較佳爲四甲氧基矽烷、四乙氧基矽烷、或其寡 聚物。 由式（ii)代表的化合物之實施例包含三甲氧基矽烷、 一乙氧基砂丨兀、二丙氧基砂院，本氧基砂垸、一甲氧基早 乙氧基矽烷、二乙氧基單甲氧基矽烷、二丙氧基單甲氧基 矽烷、二丙氧基單乙氧基矽烷、二苯氧基單甲氧基矽烷、 -22- 1275642 (19) 二苯氧基單乙氧基矽烷、二苯氧基單丙氧基矽烷、甲 乙氧基丙氧基矽烷、單丙氧基二甲氧基矽烷、單丙氧 乙氧基矽烷、單丁氧基二甲氧基矽烷、單苯氧基二乙 矽烷、甲基三甲氧基矽烷、甲基三乙氧基矽烷、甲基 氧基矽院、乙基三甲氧基矽烷、乙基三丙氧基矽烷、 苯氧基矽烷、丙基三甲氧基矽烷、丙基三乙氧基矽烷 基苯氧基矽烷、丁基三甲氧基矽烷、丁基三乙氧基矽 丁基三丙氧基矽烷， 丁基苯氧基矽烷、甲基單甲氧基二乙氧基矽烷、 單甲氧基二乙氧基矽烷、丙基單甲氧基二乙氧基矽烷 基單甲氧基二乙氧基矽烷、甲基單甲氧基二丙氧基矽 甲基單甲氧基二苯氧基砂院、乙基單甲氧基二丙氧基 、乙基單甲氧基二苯氧基矽烷、丙基單甲氧基二丙氧 烷、丙基單甲氧基二苯氧基矽烷、丁基單甲氧基二丙 矽烷、丁基單甲氧基二苯氧基矽烷、甲基甲氧基乙氧 氧基矽烷、丙基甲氧基乙氧基丙氧基矽烷、丁基甲氧 氧基丙氧基矽烷、甲基單甲氧基單乙氧基單丁氧基矽 乙基單甲氧基單乙氧基單丁氧基矽烷、丙基單甲氧基 氧基單丁氧基矽烷、及丁基單甲氧基單乙氧基單丁氧 烷。在此類化合物之中，較佳爲三甲氧基矽烷及三乙 ΐ夕院。 此外，由式（i Π )代表的化合物之實施例包含二甲 矽烷、二乙氧基矽烷、二丙氧基矽烷、二苯氧基矽烷 氧基乙氧基矽烷、甲氧基丙氧基矽烷、甲氧基苯氧基 氧基 基二 氧基 三丙 乙基 '丙 烷、 乙基 、丁 烷、 矽烷 基矽 氧基 基丙 基乙 烷、 單乙 基石夕 氧基 氧基 、甲 矽烷 •23- 1275642 (20) 、乙氧基丙氧基矽烷、乙氧基苯氧基矽烷、甲基二甲氧基 矽烷、甲基甲氧基乙氧基矽烷、甲基二乙氧基矽烷、甲基 甲氧基丙氧基矽烷、甲基甲氧基苯氧基矽烷、乙基二丙氧 基矽烷、乙基甲氧基丙氧基矽烷、乙基二苯氧基矽烷、丙 基二甲氧基矽烷、丙基甲氧基乙氧基矽烷、丙基乙氧基丙 氧基砂院、丙基一乙氧基砂院、丙基二苯氧基砂院、丁基 二甲氧基矽烷、丁基甲氧基乙氧基矽烷、丁基二乙氧基矽 烷、丁基乙氧基丙氧基矽烷、丁基二丙氧基矽烷、丁基甲 基苯氧基矽烷、二甲基二甲氧基矽烷、二甲基甲氧基乙氧 基矽烷、二甲基二乙氧基矽烷、二甲基二苯氧基矽烷、二 甲基乙氧基丙氧基矽烷、二甲基二丙氧基矽烷、二乙基二 甲氧基矽烷、二乙基甲氧基丙氧基矽烷、二乙基二乙氧基 丙氧基矽烷、二丙基二甲氧基矽烷、二丙基二乙氧基矽烷 、二丙基二苯氧基矽烷、二丁基二甲氧基矽烷、二丁基二 乙氧基矽烷、二丁基二丙氧基矽烷、二丁基甲氧基苯氧基 矽烷、甲基乙基二甲氧基矽烷、甲基乙基二乙氧基矽烷、 甲基乙基二丙氧基矽烷、甲基乙基二苯氧基矽烷、甲基丙 基二甲氧基矽烷、甲基丙基二乙氧基矽烷、甲基丁基二甲 氧基矽烷、甲基丁基二乙氧基矽烷、甲基丁基二丙氧基矽 烷、甲基乙基乙氧基丙氧基矽烷、乙基丙基二甲氧基矽烷 、乙基丙基甲氧基乙氧基矽烷、二丙基二甲氧基矽烷、二 丙基甲氧基乙氧基矽烷、丙基丁基二甲氧基矽烷、丙基丁 基二乙氧基矽烷、二丁基甲氧基丙氧基矽烷、及丁基乙氧 基丙氧基矽烷。在此類化合物之中較佳爲二甲氧基矽烷、 -24- 1275642 (21) 二乙氧基矽烷、及甲基二甲氧基矽烷。 如需要時’可選擇地使用式⑴至（iii)之化合物。 此外’若須要，可將任何高度吸收物質作配料。此吸 收物質在其結構中具有經取代基團係可在玻璃材料上的旋 轉膜作冷凝。因此，此物質不限於任何特別的種類，若此 物質對光波長區域具有高吸收功率，該波長區域在光阻材 料之中具有光敏性成分的光敏特性，且可預防由從基板的 反射光與經由在基板之表面上高低差導致的不規則反射所 產生的駐波。此物質的特定實施例包含硕爲主的化合物、 苯甲酮爲主的化合物、蒽爲主的化合物、及經以羥基基團 及/或羧基基團取代之以萘爲主的化合物。特別較佳爲雙 苯基硕爲主的化合物與至少帶有二個羥基基團之苯甲 主的化合物、至少帶有一種經基基團及/或經院基基屢]之 蒽爲主的化合物、帶有羧基基團及/或羥基基團之蒽、爲& 的化合物、及至少經以一個羧基基團及/或經基基團取代 的之萘爲主的化合物。 雙苯基硕爲主的化合物之實施例包含雙（經基苯基）5風 、及雙（聚羥基苯基）硕。此類化合物的特定實施例包含雙 (I羥基苯基）硬、雙（3,5-二甲基-4-羥基苯基）硕、雙（2丄 二羥基苯基）硕、雙（2,4·二羥基苯基）碾、雙（2 +二經基_ 6-甲基苯基）硕、雙（5-氯-2,4-二羥基苯基）5風、雙（2,5_二 趨基苯基）砸、雙（3,4-二經基苯基）硕、雙（3;5·二經基苯其 )碾、雙（2,35‘三羥基苯基）硕、雙（2;3,4-H羥基甲基苯 基）砸、雙（5 -氯-2，3.4 -三羥基苯基）硕。雙（2 · 4,6 -三經基笨 -25- 1275642 (22) 基）碾、及雙（5-氯-2,3_二羥基苯基）硕。苯甲酮爲主的化 合物之特定實施例包含2,4-二羥基苯甲酮、2,3,4-三羥基 苯甲酮、2,2’，4,4’-四羥基苯甲酮、2,2’，5,6^四羥基苯甲酮 、252’-二羥基-4-甲氧基苯甲酮、2,6-二羥基-4-甲氧基苯 甲酮、2,2’-二羥基-4,4^二甲氧基苯甲酮、4-二甲胺基-2二羥基苯甲酮、及4-二甲胺基-3、4’-二羥基苯甲酮。 此外，至少帶有一種羥基基團或羥烷基基團之蒽爲主 的化合物包含如下說明的由式（4)代表的化合物。該化合 物的特定實施例包含卜羥基蒽、9-羥基蒽、蒽-9-羧酸、 U2-二羥基蒽、1，2-二羥基-9-羧基蒽、1，5-二羥基蒽、 1，5-二羥基-9-羧基蒽、9，10-二羥基蒽、1,2-二羥基-9-羧 基蒽、1，2,3-三羥基蒽、1，2,3,4-四羥基蒽、1 5 2 5 3 5 4,5,6 -六 羥基蒽、1，2,3 5 4 5 5 ;6,7,8-八羥基蒽、卜羥甲基蒽、9-羥甲 基蒽、9-羥乙基蒽、9-羥基己基蒽、9-羥辛基蒽、及9, 10-二羥甲基蒽。
⑷ 其中P代表〇至8之整數，q代表]至10之整數，r代表 〇至6之整數，s代表0或1之整數，其限制條件爲p、q、及 r不同時爲〇。 -26- 1275642 (23) 萘爲主的化合物的特定實施例包含1 -萘酚、2 -萘酚、 1-萘乙醇、2-萘乙醇、1.3-萘二醇、萘-卜羧酸、萘羧酸 、萘-1，4-二羧酸、萘-2,3-二羧酸、萘-2,6-二羧酸、萘-2,7 -二羧酸、及萘-1·乙酸。 局吸收物質配料的用量範圍在10至50重量百分比，更 佳爲15至40重量百分比，此重量百分比是在玻璃材料上的 旋轉膜中固體份之濃度，且以Si02爲計算基礎。 依據本發明，應使用淸潔組成物的”預先決定的時間 點”未特別地限制，若其爲在使用嵌入方法形成線路的程 序中從基板上移除光阻膜及金屬殘餘物所需要的時間。然 而’此時間較佳設定爲於蝕刻空間形成之後的時間。此時 間定義爲”，於形成溝渠之後”，”於形成穿孔之後’，，及”於 移除阻隔層之後"。 ”於形成溝渠之後”可更淸楚地定義爲一個步驟，一般 爲形成內介電層層的方法步驟，該內介電至少包括於成形 在半導體基板上低線路層上的低介電層，然後將光阻層形 成在介電層內層上，將光阻層作圖案曝光及顯影以形成光 阻圖案，使用光阻圖案作爲光罩在基板上進行鈾刻，且然 後將光阻層移除。 於形成芽孔之後”可更淸楚地定義爲一個步驟，其中 低介電層、阻隔層、及防反射膜相繼地疊層在較低的線路 層上，將光阻層形成在防反射膜上，將此光阻層作圖案曝 光及顯影以形成光阻圖案，使用光阻圖案作爲光罩在各層 上進行蝕刻，形成導孔與較低線路層的通路，且然後移除 - 27- 1275642 (24) 光阻層。 如眾所熟知的，在相繼地形成溝渠及導孔的雙重嵌入 方法中，有二種案例，即一種案例爲其中導孔形成在溝渠 形成之後，與另一案例其中溝渠的形成於導孔形成之後。 溝渠與導孔何者先形成並無影響。 一般而言，於導孔及/或溝渠圖案蝕刻之後，將光阻 膜作灰化處理。基於維持低k材料特性之觀點，其係令人 滿意的不取決於灰化處理，因爲灰化方法會損傷低k材料 ，且因此該題目正在硏究中。然而，使用淸潔本發明組成 物將允許省略灰化程序。 無論在溝渠及導孔形成中，所形成的一項之內部將用 埋入材料作塡裝，且另一溝渠或導孔將使用通常的光刻技 術方法形成。於形成之後，矽氧化膜（埋入材料）將會殘留 在溝渠較低面或導孔內部，使用本發明用於光刻技術的淸 潔組成物，淸潔在光阻圖案較低層的殘留物。 經由淸潔作移除將於2 0至8 5 °C進行1至4 0分鐘，可採 用通常的浸泡方法、槳式方法、及沖淋方法，但不限於此 類方法。 【實施方式】 製備淸潔組成物： 依據展示於表】的組成與配料量製備淸潔組成物。抗 腐蝕劑係得自將硫甘油與IRGAMET 42(產品名稱，由 C i b a S p e c i a 1 i t y C h e m i c a ] s製作）配料而作爲苯并三唑爲主 -28- 1275642 (25) 的抗腐蝕劑，其比例爲3 : 2。將所得到抗腐蝕劑加入全部 的實驗實施例與比較例中，其用量佔溶液總量的2.5質量 百分比。 除非另有說明，於各試樣中使用商購之試樣。値得注 意者TEAR代表氫氧化四乙基銨，τρ ah代表氫氧化四丙 基銨’ MTBAH代表氫氧化甲基三丁基銨，tbAH代表氫 氧化四丁基銨，且 TMAH代表氫氧化四甲基銨。此外， MEA代表單乙醇胺，DGA代表2-(2-胺基乙氧基）乙醇，且 MMA代表N-甲基乙醇胺。此外，DMSO代表二甲基亞硕 ’ NMP代表N-甲基-八吡咯烷酮，且DMI代表二甲基咪唑 啉酮。 -29- 1275642
水溶性有機溶劑 (剩餘部分） DMSO NMP DMI DMSO DMSO NMP DMSO NMP NMP DMI DMSO NMP 氫氧化鉀 (質量百分比） 0.05 0.02 〇 〇 r—Η Ο 0.05 0.03 0.03 0.02 <N 0.05 1 o 水 (質量百分比） gj Ο 〇 1 烷醇胺 (質量百分比） MEA 20 DGA 30 DGA 15 MEA 20 MMA 45 MMA 15 1 I DGA 20 MEA 40 MMA 30 DGA 30 四級銨氫氧化物 (質量百分比） TEAH 2 TEAI-I 5 TPAH 10 MTBAH 5 TBAH 15 TMAH 10 TEAH 2 TMAH 10 TEAH 8 TBAH 10 TMAH 5 1 實施例1 實施例2 實施例3 實施例4 實施例5 實施例6 實施例7 實施例8 比較例1 比較例2 比較例3 比較例4 -30- 1275642 (27) 實施例1至8 在其中形成C ii層的基板上，形成作爲第一層的阻隔 層及作爲第二層的低介電層（介電層係作C V D沈積，其介 電値範圍在2.9 - 3.2 ·)。由光刻技術方法在第二層上形成光 阻圖案，且使用光阻圖案作爲光罩經由低介電層將基板蝕 刻，而製作與阻隔層連接的導孔。 其後，將玻璃材料上埋入的旋轉膜（由Honeywell製 作）埋入內部導孔，經由光刻技術方法而新形成的光阻圖 案，且使用圖案作爲光罩在基板上進行触刻以形成溝渠。 於此製程期間，由於經由蝕刻氣體所導致的蝕刻損害，在 光阻層之表面上形成蝕刻光阻，且難以經由淸潔組成物移 除。當經由鈾刻移除低k材料，所產生Si爲主的金屬殘 餘物將沈積在溝渠圖案的側壁，且埋入材料保持在導孔內 部。 於6 0 °C，將此基板浸入展示於表1的淸潔組成物中5分 鐘，且用DI水輕洗。於此時間，經由使用掃描式電子顯 微鏡（SEM)觀察，進行對蝕刻光阻的剝離力評估，對Si爲 主的金屬殘餘物之剝離力，及對埋入材料的剝離力，且進 一步評估此溶液如何腐蝕低k材料。觀察之結果展示於表 2 0 此外，蝕刻此基板以從基板上移除阻隔層。然後，採 用如上說明的相同方法，於60 °C將基板浸入展示於表1的 淸潔組成物中5分鐘，且用超純水輕洗。於此時間，經由 使用SEM的觀察，評估溶液對Cu的腐蝕如何進行。觀察 -31 - 1275642 (28) 之結果展示於表2 ° 所得到觀察之結果如展示於表2。在袠中，參考標誌 S顯示淸除目標已完全移除或基板與Cu未完全腐触。在 表中，參考標誌A係用於代表與S相同的評估’但觀察 顯示微小量的表面粗糙，雖然無可能性引起實際上的裝置 失效。此外’參考標誌B顯示光阻保持在基板上或基板及 Cii有發生腐蝕。 -32- 1275642 ΓΝΙ谳
Cu對腐蝕的保 護效應 C/D 00 00 00 00 00 GO < C/D C/D 00 低 k材料對 腐蝕的保護 效應 00 C/D ϋ〇 < 00 C/D 00 00 00 對埋入材料 的剝離力 C/D 00 in m CO < CO IT} m PQ m 對Si爲主的 金屬殘餘物 之剝離力 m GO < in oo GO < 00 PQ < < 蝕刻光阻 的剝離力 ΙΟ in LT) GO O) 00 < C/D OQ 00 實施例1 實施例2 實施例3 實施例4 實施例5 1 實施例6 實施例7 實施例8 -LJ 比較例2 比較例3 比較例4 -33- 1275642 (30) 在貫施例1、2、5、6、及8中，針對所有項目均得到 充分的結果。在貫施例3、4、及7中，其結果比其它實施 例稍微較差，但確認未造成特別的問題。 比較例1至4 採用如各實施例相同方法，得到下列各項結果：蝕刻 光阻的剝離力，對S i爲主的金屬殘餘物之剝離力，對埋 入材料的剝離力，低k材料對腐蝕的保護效應，及抗 腐蝕的保護效應。 在比較例1中，KOH的用量超過上限，且因此低k材 料發生腐蝕。另一方面，比較例3之中未含KOH，且因此 發現對埋入材料的剝離力不充分，且對S i爲主的金屬殘 餘物之剝離力稍微低於充分的水準。 在比較例2中，內含少量的水，且因此發現對蝕刻光 阻的剝離力及對S i爲主的金屬殘餘物的剝離力不充分。 在比較例4中，未含四級氫氧化銨，且因此發現對倉虫 刻光阻的剝離力及對埋入材料的剝離力不充分。此外，對 S i爲主的金屬殘餘物之剝離力稍微地低於充分的水準。 雖然本發明已針對特定的具體之實施例作完全且淸晰 的揭示記述，附加的申請專利範圍並不因此而受限’而解 釋爲可能發生在一位熟悉此技藝的專業人士的所有改良及 供選擇的建構應落於在此敘述的基本教示之中。 -34-

Claims (1)

  1. (1) 1275642 拾、申請專利範圍 第93 1 1 7540號專利申請案 中文申請專利範圍修正本 民國95年12月1日修正 1 · 一種清潔組成物，其包含： 讀 四級氫氧化銨； 水溶性有機溶劑； * ： · 抗腐蝕劑；及 佔溶液總量0.001質量百分比或以上至1質量百分比或 以下的氫氧化鉀。 2 ·如申請專利範圍第1項之清潔組成物，其中四級氫 氧化銨爲由以下通式（1)代表的化合物： [NRiR2R3R4] + OH' ...(1) 其中Ri、R2、尺3.及r4係各自爲帶有1至4個碳原子的 烷基基團與羥烷基基團。 3 .如申請專利範圍第1項之清潔組成物，其中四級氫 氧化銨至少爲一種由下列各項中所選出的化合物：氫氧化 四甲基銨、氫氧化四乙基銨、氫氧化四丙基銨、氫氧化四 一 丁基銨、氫氧化甲基三丙基銨、及氫氧化甲基三丁基銨。 4· 一種清潔半導體基板之方法，其包含： 在使用暫時層壓膜形成金屬線路的程序中將清潔組成 (2) 1275642 物施用至半導體基板上，其中所使用暫時 上暫時疊膜所得到；及 移除至少一種光阻膜及在基板上作爲 料，與形成金屬線路之後的金屬殘餘物， 其中該清潔組成物包含 四級氫氧化銨； 水溶性有機溶劑； 水； 抗腐蝕劑；及 佔溶液總量0.001質量百分比或以上三 以下的氫氧化鉀。 5 .如申請專利範圍第4項之方法，其 一種介電常數k爲3.2或更低的低介電層。 6 . —種在半導體基板上形成線路之j 使用經由光刻技術方法暫時提供的層 的介電層之中形成鈾刻空間； 經由在鈾刻空間中埋入金屬而形成金 使用此清潔組成物移除至少一種光阻 爲層壓膜的埋入材料，與於形成金屬線路 餘物， 其中在形成金屬線路層程序中預先決 行此項移除工作， 其中該清潔組成物包含 四級氫氧化銨； 層壓膜是在基板 層壓膜的埋入材 § 1質量百分比或 中基板至少包含 ί法，其包含： 壓膜而在基板上 屬線路層；及 膜及在基板上作 層之後的金屬殘 定的時間點，進 1 -2- (3) 1275642 水溶性有機溶劑； 水； 抗腐蝕劑；及 佔溶液總量0.0 01質量百分比或以上至1質量百分比或 以下的氫氧化鉀。 7·如申請專利範圍第6項之方法，其中預先決定的時 間點爲蝕刻空間形成之後的時間。 8 ·如申請專利範圍第6項之方法，其中介電層由第一 介電層與第二介電層所組成， 蝕刻空間係由在第一介電層中形成的第一蝕刻空間與 在第二介電層中形成的第二蝕刻空間所形成，而使第二蝕 刻空間與第一鈾刻空間連接，及 在形成第二蝕刻空間之前，用埋入材料將第一鈾刻空 間暫時地塡入。 9 ·如申請專利範圍第8項之方法，其中於形成第二蝕 刻空間之後，將埋入材料自第一蝕刻空間移除。 1 0如申請專利範圍第8項之方法，其中第一飩刻空 間爲溝渠且第二蝕刻空間爲導孔。 1 1 ·如申請專利範圍第8項之方法，其中第一鈾刻空 間爲導孔且第二鈾刻空間爲溝渠。 1 2 ·如申請專利範圍第6項之方法，其中介電層爲介 電常數k爲3·2或更低的低介電層。
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