TWI267817B

TWI267817B - Control circuit for supplying a current to display devices

Info

Publication number: TWI267817B
Application number: TW092115812A
Authority: TW
Inventors: Nobuyuki Shimizu
Original assignee: Oki Electric Ind Co Ltd
Priority date: 2002-06-11
Filing date: 2003-06-11
Publication date: 2006-12-01
Also published as: US20030227261A1; JP4059712B2; US6897619B2; JP2004013053A; TW200307902A

Description

1267817

本發明宣告日本專利申請案號2〇〇2_169636之優先催，此衆由▲主# 併供达甲明日為西元2002年6月11日，此案内容在此一 1幵做為參考。發明所屬之技術領域制雷本發明是有關於一種驅動一電流驅動顯示裝置之一控發光路’該顯示裝置使用根據電流提供而發光之有機電激二“ electroluminescent，EL)裝置、發光二極體（LDE) 裝置等。先前技術第1圖顯示傳統控制電路之電路圖。該傳統驅動器包括：一驅動電路單元丨0，一控制電壓產生電路20及EL裝置D1〜D6。該驅勳電路單元10包括複數驅動電流輸出電路Dr卜Dr6。該驅動電流輸出電路Dr卜Dr6 輸出驅動電流至相關之乩裝置]。特別是，該驅動電流輸出電路Drl輸出驅動電流至該EL裝置D1。該控制電壓產生電路輸出一控制電壓Vci至該驅動電流輸出電路 Drl〜Dr6以控制該驅動電流輸出電路Dr^〜Dr6之輸出電流。該控制電壓產生電路2〇連接於接收一電源電壓之一電源節點Vdd及接收一接地電位之一接地節點Vss之間。EL裝置D1〜D6之各陽極係連接至各驅動電流輸出電路Drl〜Dr6，而EL裝置D1〜D6之所有陰極連接至該接地節點。各驅動電流輸出電路Drl〜Dr6具相同架構，且各包括兩個P通道金屬氧化半導體（PM0S)電晶體。比如，該驅動電流輸出電路Drl包括一PM0S電晶體Q1與一PM0S電晶體

ll559pif.ptd 第6頁 1267817 五、發明說明（2) Q2。該PMOS電晶體qi具有：連接至該電源節點Vdd之一源極’連接至該控制電壓產生電路2 〇之一閘極以及一汲極。該PMOS電晶體Q2包括··連接至該pM〇s電晶體之該汲極之一源極’連接該EL裝置D1之陽極之一汲極以及接收一開關 ^號si之一閘極。另’該驅動電流輸出電路Dr2〜Dr6之該 PMOS電晶體Q3，Q5，Q7，Q9與Q11係分別連接於該電源節點V d d與該控制電壓產生電路2 〇之間。當該開關信號S1輸入至該驅動電流輸出電路Dr 1之該 PMOS電晶體Q2時，該PMOS電晶體Q2導通。接著，該pm〇s電晶體Q2輸出一電流Idl至該EL裝置D1以驅動該EL裝置D1。另，PMOS電晶體Q4，Q6，Q8，Ql〇與Q12之閘極分別接收開關信號S2，S3，S4，S5與S6。回應於開關信號32〜36之輸入，該驅動電流輸出電路Dr2〜Dr6分別輸出電流id2〜Id6至該EL裝置D2〜D6。該電流Id2〜Id6驅動該EL裝置D2〜D6。该控制電壓產生電路20包括一 pm〇S電晶體Q21，一 PMOS電晶體Q22，一電阻R1與一操作放大器〇ρι。該操作放大器OP1具有：接收該參考電壓Vref之一反相端，一非反相端與一輸出端。該PMOS電晶體Q21包括：連接至電源節點Vdd之一源極，一汲極以及連接至該操作放大器〇ρι之該輸出端之一閘極。該PMOS電晶體Q22包括：連接至該㈣⑽ 電晶體Q21之該汲極之一源極，透過該電阻R1而連接至該接地節點Vss之一沒極以及連接至該操作放大器〇ρι之該^ 反相端之一閘極。該驅動電路Drl之該PMOS電晶體Q1之閘極連接至該操

1267817 五、發明說明（3) 作放大器0P1之該輸出端。因為該PMOS電晶體Q1之閘極連接至該PMOS電晶體Q21之閘極，此兩電晶體Q1與Q21構成一電流鏡電路。因此，流經該PMOS電晶體Q1之電流係根據該 PMOS電晶體Q21之尺寸（有關於該PMOS電晶體Q21之閘極寬長比W/L)以及該PMOS電晶體Q1之尺寸（有關於該PMOS電晶體Ql 1之閘極寬長比W/L)之比率而決定。另，各PMOS電晶體Q2〜Q6與該PMOS電晶體Q21構成一電流鏡電路。該操作放大器0P1輸出一控制電壓vC 1。該控制電壓 Vcl饋入至該PMOS電晶體Q21之該閘極及該驅動電路 Drl〜Dr6。該操作放大器0P1控制該控制電壓以^，使得該參考電壓Vref相等於饋入至該PM〇s電晶體Q22之該汲極之電壓。因而該操作放大器0P1固定地輸出該參考電壓。因為該操作放大器0P1固定地輸出該參考電壓，該pM〇s電晶體⑽1保持電流Iref固定。該PM0S電晶體Q21與該pM〇s電晶體Ql，Q3，Q5，Q7，Q9與Q11構成電流鏡電路。亦即，心這些電晶體Qi，Q3，Q5，Q7之 ^ 流Id卜Id6與lref均相等。了相寺時電第2圖顯示在該半導體基底1〇〇上之該路2。與該驅動電路單元1〇之佈局圖。制電£產生電在該半導體基底1〇〇上，該控制電壓 =動電路單元10。該電源電壓_係 d = 產生電路20與該驅動電路單元1G。該控該控^電，輸出該控制電虔Vcl至該驅動電路單元j q。電^產生電路2〇位於該半導體美庙】加 5亥EL裝置D1〜D6 只卞守餸暴底1 〇〇外部。該驅動 , 化轫I ",L輸出電路Dr卜Dr6 1267817 五、發明說明（4) " ' - 沿著方向A而依序排列。在驅動器之設計中，該電流IcU〜Id6係約彼此相等。然而’當在該半導體基底100上形成串聯之數百個驅動電流輸出電路時，方向A上之該驅動電路單元1 〇之長度會變長。、該驅動電流輸出電路Dr卜Dr6内之各電晶體qi〜Q6係設計成具相同特徵值。然而，製造於半導體基底上之各電曰 f :::，徵值。因此，靠近該控制電壓產生電路之電曰曰曰#之特二值可能會不同於遠離該控制電壓產生電路之電 I雷泣於ί值。亦即，遠離該控制電壓產生電路2〇之該驅 Iref t ""出電路所輸出之電流可能不同於該參考電流 π制圖顯示饋人至各驅動電流輸出電路Drl〜之控.電塗c。第3(b)圖顯示根據該护制雷汽 t Φ t ^ ^ ± t ^20 ^ 電流I cU〜I d6。各別距離而有變動之各第3(b)圖顯示出，是f 驅動電流輸出電路Drl所/+近該控制電壓產生電路20之該制電壓產生電路2〇之該驅動電技，大於最运離該控電流Id6。亦即，從該驅机輪出電路Dr6所輸出之該著距離增加而減少/ L别出電路之輸出電流值隨因此，本發明目的是提供— 電路之輸出電流值變動之一控 ^減乂各驅動電流輸出發明内容 ~路° 根據本發明之一觀點， 1 供種控制電路，包括：複

11559pif.ptd 第9頁 1267817 五、發明說明（5) 數驅動電流輸出電路，— 輸出電路，-第二電流電壓產生電路，一第-電流壓產生電路。該分壓器^ 、路，一分壓器以及—補償電端點及複數節點，各節點ί f至該控制電壓產生電路之一路。該驅動電流輪出電路j至各別的驅動電流輪出電輸出該控制電壓一該驅動^牧一電源電壓與該控制電壓而該第-電流輸出電路所：：：忠：補償電壓產生電路根據電壓至該分壓器之電壓。為饋入該補償為讓本發明之上述和其他目的、特徵：顯易懂，下文特舉一較佳垂 > …此更明細說明如下： ^佳A例，亚配合所附圖式，作詳實施方式：第一較佳實施例第4圖顯示根據本發明第一實施例之一控制電路之路圖。私，下，描述第1圖中之該傳統控制電路與第4圖中之本發明第一實施例之該控制電路之主要差異。 (1)該驅動電路單元10内之該電流輸出電路具複數驅動電流輸出電路群11〜丨3。該驅動電流輸出電路群丨丨包括驅動電流輸出電路Drl與Dr2。該驅動電流輸出電路群包括驅動電流輪出電路Dr3與Dr4。該驅動電流輪出電路群1 3 包括驅動電流輸出電路D r 5與D r 6。亦即，驅動電流輸出電路Dr 1〜Dr6係分成三個小群。 Ββί 11559pif.ptd 第10頁 1267817 五發明說明（6) 點入一分壓電路3〇。該分壓電路30具一第一端 L : : I :端·點。該分壓電路30之該第-端點連接至該控 •二堅電路20。該分壓電路30具電阻R31〜R33，各電 :·聯：該第一端點與該第二端點之間。該分壓電路3〇具，出鈿Tpl〜Τρ3，各輸出端輸出被電阻R31〜R33所分壓之 ^壓°該輸出端Tpl最靠近該控制電壓產生電路2()，而該輸出端Tp3最遠離該控制電壓產生電路2〇。 ^ 3 )新加入一第一電流輸出電路5 0。該第一電流輸出電路50偵測該控制電壓產生電路2〇所輸出之該控制電壓 Vcl，並輸出有關於該控制電壓Vci之值之一電流κι。 (4)新加入一第二電流輸出電路4〇。該第二電流輸出電路40偵測饋入於該分壓電路3〇之一第二端點之一控制電壓Vc3 ’並輸出有關於該控制電壓Vc3之值之一電流Ic3。 ^ (5)新加入一第一電阻R62於該第一電流輸出電路50與，接地電位之間。為讓該電流丨C1流經該第一電阻^62，該第一電阻R62產生一第一電壓vhl。 ^ (6)新加入一第二電阻R61於該第二電流輸出電路40與該接地電位之間。為讓該電流Ic3流經該第二電阻^1，該第二電阻R61產生一第二電壓vh3。 (Ό新加入一操作放大器0P61。該操作放大器〇p61接收該第一電壓Vhl與該第二電壓Vh3，並輸出一補償電壓 Vcn。該補償電壓vcn之電壓值係根據該第一電壓與該第二電壓Vh3間之差值，並輸出至該輸出端Tp3。該第一電阻R62，該第二電阻R61與該操作放大器0ρ61

第11頁 1267817 五、發明說明（7) 定義一補傷電壓產生電路β 〇。在此實施例中，該第一電阻 R62與該第二電阻R61之電阻值相同。該第一電流輸出電路5〇具一pm〇s電晶體Q51與一PMOS 電晶體Q52。該PMOS電晶體Q51具連接至該電源節點Vdd之一源極，連接至該操作放大器0P6〗之該輸出端之一閘極，以及一沒極。該PMOS電晶體Q52具連接至該PMOS電晶體Q51 之該汲極之一源極，連接至該接地電位Vss之一閘極，以及輸出該電流I c 1之一汲極。該第二電流輸出電路4〇具一pM〇s電晶體與一pM〇s 電晶體Q42。該PMOS電晶體Q41具連接至該電源節點Vd(i之一源極’連接至該分壓電路3 〇之該第二端點之一閘極，以及一汲極。該PMOS電晶體Q42具連接至該PMOS電晶體Q41之該没極之一源極，連接至該接地電位Vss之一閘極，以及輸出$亥電流I c 3之'沒極。該PMOS電晶體Q41與Q42之尺寸分別相同於該驅動電流輸出電路Dr 1之該PMOS電晶體Q1與Q2。該PMOS電晶體Q51與 Q52之尺寸分別相同於該驅動電流輸出電路之該pmqs電晶體Q1與Q2。第5圖顯示本發明第一實施例中，在該半導體基底上之該EL裝置，該驅動電流單元與該控制電壓產生電路之佈局圖。該驅動電流輸出電路D r 1〜D r 6係沿著該方向a串列排列於該驅動電路單元1〇内。在該半導體基底上，該第一電流輪出電路5 〇位於該控

11559pif.ptd 第12頁 1267817 五、發明說明（8) ::壓產生電路20與該驅動雷跋-— 二電流輪出電路50相鄰於，路早兀1〇之間。亦即，該第該驅動電流輸出電路“I、 #近該控制電壓產生電路20之亦即，ΐ第：二：：40遠離該控制電壓產生電路20。生電路20之該驅;U40相鄰於最遠離該控制電壓產勒电/现輸出電路Dr 6。該分壓電路3〇本質上# ^ b & 於該第-電流輪出電· ，以位内。因為該補償ίΐ= 半導體基底之既定區域分壓電路^ 電路60輸出該補償電壓Vce至該

Drl，# 一電流輸出電路50靠近該驅動電流輸出電路徵值約1莖―妖電流輸出電路50内之該電晶體Q51與Q52之特之特忾枯；該驅動電流輸出電路針1之該電晶體Q1與(52 I dl盥、士-上因此，流經該驅動電流輸出電路Dr 1之該電流約/、2,L經該第一電流輸出電路5〇之該電流1Cl之電流值大雷sIiTr。因為該第二電流輸出電路40靠近該驅動電流輸出 ^ ~r6，該第二電流輸出電路40内之該電晶體Q41與Q42 之特徵值相等於該驅動電流輸出電路Dr6内之該電晶體Q11 ' 特徵值。因此’流經该驅動電流輸出電路j) j* 6之該電流1j6與流經該第二電流輸出電路40之該電流Ic3之電流值本質上相等。因為一接地電位Vss饋入該PM〇s電晶體Q42 與Q52之該^極，該pM〇s電晶體Q42與Q52永遠為導通態。路60靠近兮m “輸出端TP3 ’較好是，該補償電壓產生電罪迎該4二電流輸出電路4〇。

11559pif.ptd 第13頁 1267817 五、發明說明（9) 在已完成製造之裝置中，該驅動電流輸出電路與該第一與第二電流輸出電路内之電晶體之特徵值是不同的。因為該第一電流輸出電路50靠近該驅動電流輸出電路Dr 1，該參考電流I c 1與該驅動電流I d 1約相等。另，因為該第二電流輸出電路40靠近該驅動電流輸出電路Dr6，該參考電流I c2與該驅動電流I d6約相等。該操作放大器OP61產生該補償電壓Vcn並輸出該補償電壓Vcn至該輸出端Tp3，該補償電壓Vcn係根據該電壓Vhl 與該電壓Vh3間之電壓差而產生。該電壓Vhl係饋入至該電阻R62，而該電壓Vh3係饋入至該電阻R61。為饋入該補償電壓Vcn至該輸出端Tp3，該控制電壓Vc3變為 Vcl + (R31+R32 +…+ R33)*IcO。因此，該參考電流ici相等於该參考電流I c 3。亦即，該驅動電流輸出電路d r 1〜j) r 6所輸出之各驅動電流I d 1〜I d 6間之差異可被消去。第6(a)圖顯示該驅動電流輸出電路Drl〜Dr6之輸出電流内之該控制電壓VC；1〜Vc3。第6(b)圖顯示該驅動電流輸出電路Dr卜Dr6内之該驅動電流idl〜Id6。一饋入至該驅動電流輸出電路群11之該控制電壓Vcl係高於饋入至該驅動電流輸出電路群12之該控制電壓Vc2。包括該驅動電流輸出電路1)1^與1^2之該驅動電流輸出電路 =係最靠近該控制電壓產生電路20。包括該驅動電流輸之該驅動電流輸出電路群12係位於該驅動二群;2旁邊。饋入至該驅動電流輸出電路群13 之3亥控制電壓Vc3是該控制電壓Vcl，Vc2與vc3中最低的。

11559pif.ptd 第14頁 1267817 五、發明說明（10) δ亥驅動電流輸出電路群13係最遠離該控制電壓產生電路 20 〇該操作放大器ΟΡ 61是一互導（t ran scon due tor)放大器’該操作放大器0P61根據輸入電壓之差值而輸出一電流。第7圖顯示該互導放大器所構成之該操作放大器 0P61 〇该操作放大器0P61包括PM0S電晶體Q203，Q204，Q205 與Q206 ;以及MM0S 電晶體Q201，Q2〇2，Q207 與Q208。該 P Μ 0 S電aa體Q 2 0 5具連接至該電源電壓v d d之一源極，一閘極與一汲極。該PM0S電晶體Q203具連接至該電源電壓vdd 之一源極，連接至該PM〇S電晶體Q2 05之該閘極之一閘極盥連接至該PM0S電晶體Q203之該閘極之一汲極。該pM〇s電晶體⑽04具連接至該電源電壓Vdd之一源極，一閘極與連接至名PM0S電晶體Q204之該閘極之一汲極。該pM〇s電晶體 Q206具連接至該電源電壓Vdd之一源極，連接至該電晶體Q204之該閘極之一閘極與連接至該輸出端Τρ3之一汲極。該NM0S電晶體Q207具有：連接至該接地電壓vss之一 Φ 一閘極；與連接至該PM〇S電晶體Q20 5之該閘極與該 ==，07之該間極之一没極。該麵 =也電壓Vss之一源極，連接至該麵電晶體一閘極與連接至該輸出端Tp3之-汲極。 =p Ba體Q201具有：透過一電流源而連接至該接地電壓Vss之-源極’接收該輸人電壓加之—閑極與連接至該

11559pif.ptd 第15頁 1267817 五、發明說明（11) PMOS電晶體Q203之該汲極之一汲極。該NMOS電晶體Q202具有：透過一電流源而連接至該接地電壓V s s之一源極，接收該輸入電壓Vh3之一閘極與連接至該PMOS電晶體Q204之該汲極之一汲極。為將該電壓Vhl饋入至該NMOS電晶體Q201，一電流流經該PMOS電晶體Q203。流經該PMOS電晶體Q2 0 3，該PMOS電晶體Q20 5與該NMOS電晶體Q207之電流有相同的電流值。接著’電流值相同於流經該NMOS電晶體Q207之一電流係流經该NMOS電晶體Q208。另’為將該電壓Vh3饋入至該NMOS電晶體Q 2 0 2，流經該p Μ 0 S電晶體Q 2 0 4，該p Μ 0 S電晶體Q 2 0 6與該Ν Μ 0 S電晶體Q 2 0 8之電流有相同的電流值。因此，該電壓 V h 1疋義流經該Ν Μ 0 S電晶體Q 2 0 8之該電流，而該電壓ν匕3定義流經該PMOS電晶體Q20 6之該電流。 g 4電流I c 1與該電流I c 3相等時，該補償電壓產生電路60輸出至該分壓電路30之該輸出電流與該分壓電路3〇輸出至該補償電壓產生電路60之該輸出電流為〇。當該電流 3小於忒電流I c 1時，電流從該分壓電路3 〇流至該補償電壓產生電路6 0。亦即，輸出電流從該分壓電路3 〇流至該接地節點Vss。當該電流Ic3大於該電流Icl時，電流從該補償電壓產生電路60流至該分壓電路3〇。亦即，輸出電流從該電源電壓V d d流至該分壓電路3 〇。田該電流I c 3小於該電流I c 1時，該電流丨c 〇從該分壓電路30透過該補償電壓產生電路6〇而流至該接地節點 Vss因此饋入至該輸出端Tpl之該控制電壓Vcl在該控

1267817

制電壓Vcl、Vc2與Vc3之間是最大的。饋入至該輸出端Tp3 Vc2與Vc3之間是最小之該控制電壓Vc3在該控制電壓vc 1、的。在本實施例令，係偵測從最靠近該控制電壓產生電路 2 土0之該驅動電流輸出電路D Γ1所輸出之該電流丨d!以及從最 2離該控制電壓產生電路20之該驅動電流輸出電路肝6所輪出之該電流Id6。該第一電流輸出電路5〇輸出相驅動電流Idl之該參考電流Icl。該第一電流輸出電出相同於該驅動電流I d 6之該參考電流I c 3。接著，上 IcO補償電流I cl與電流Ic3間之差異。因而，因為可该電丨流電流Icl與電流Ic3間之差異，可減少該El裝置耵〜^減^ 輸出電流Idl〜Id6間之差異之u 第二較佳實施例弟8圖顯不根據本發明苐^一實施例之控制電流> 士、，電路圖。現將描述第二實施例之該控制電流與第一實施例之兮控制電流間之差異。 ^ (8) 新加入一第一轉換器8 0。該第一轉換器8 〇回麻於一第一參考電流I el而輸出該控制電壓Vcl至該分壓電"路3〇之一端點。 (9) 新加入一第二轉換器7〇。該第二轉換器70回靡於一第二參考電流Ie2而輸出該控制電壓Vc3至該分壓電"路3〇之另一端點。 (1 0 )新加入一參考電流產生器9 0。該參考電流產生器

11559pif.ptd 第17頁 1267817 五、發明說明（13) 9 0產生該第一參考電流ϊ e 1與該第二參考電流〗e 2。 (11) 該參考電流產生器90包括一電阻R91，一第一電晶體Q92與一第二電晶體q9i。該電阻R91連接於該第一與第二電晶體及該接地節點Vss之間。該第一電晶體Q92連接於該電阻R91與該第一轉換器8〇之間。該第二電晶體Q91連接於該電阻R91與該第二轉換器70之間。 (12) 該參考電流產生器9〇包括一操作放大器〇P91。該操作放大器OP91具：接收該電壓Vh3之一反相端；接收該既定參考電壓Vref2之一非反相端；以及連接至該第一電晶體Q92之一閘極及該第二電晶體q91之一閘極之一輸出端。該非反相端更連接至該第一電晶體㈧？及該第二電晶體Q91之汲極。 (13) 在一半導體基底2〇〇上，該第一轉換器8〇相鄰於該驅動電流輸出電路Dr 1。在該半導體基底2〇〇上，該第二轉換器70相鄰於該驅動電流輸出電路Dr6。為讓該第一轉換器8 0相鄰於該驅動電流輸出電路 Drl，流經該驅動電流輸出電路Dri之該電流1(11與該控制電壓Vcl之電流-電壓特徵值本質上相等於該第一轉換器之電流-電壓特徵值。為讓該第二轉換器7〇相鄰於該驅動電流輸出電路Dr6，流經該驅動電流輸出電路Dr6之該電流 Id6與該控制電壓Vc3之電流-電壓特徵值本質上相等於該& 第二轉換器70之電流-電壓特徵值。該第一轉換器8〇之該 PMOS電晶體Q82與該第二轉換器70之該PM〇s電晶體Q72係接至該接地節點Vss。

1267817 五、發明說明（14) 因為該第一轉換器80相鄰於該驅動 Drl，流經該驅動電流輸出電路Drl之該$ =出電路第一參考電流I e 1。因為該第_轉拖〆瓜正比於該 q句a乐一轉換态7〇相鄰於流輸出電路Dr6，流經該驅動電流輪出電路肘6之二歹電 Id6正比於該第二參考電流162。及電〜該第一轉換器8〇之該PMOS電晶體Q8丨與該第二哭 70之該PMOS電晶體Q71所具有之特徵值本質上相各 P腿電晶卵，Q3，Q5，Q7，Q9_U。肖第一“ 之該PMOS電晶體Q82與該第二轉換器7〇之該pM〇s電晶

所具有之特徵值本質上相同於各PM〇s電晶體⑽Q Q8，Q10與Q12。該PMOS電晶體Q91與Q92所具有之特料信: 質上相同。付铖值本、該第一參考電流Iel與該第二參考電流Ie2之總電流過該電阻R 9 1而流至該接地節點v s s。該操作放大器0P91輸出一輸出電壓，以使饋入至其反相端之該電壓與饋入至其非反相端之該電壓相等。為使該 PM0S電晶體Q91與Q92具有相同特徵值且彼此相鄰，流經^ 電晶體Q 9 1之該第二參考電流I e 2與流經該電晶體q g 2之該第一參考電流I el係相等。人為控制流經該電晶體Q71之該電流等於該參考電流 Ie2 ’要定義該電晶體Q71之該閘極電壓Vc3。為控制流經該電晶體Q8 1之該電流等於該參考電流I e 1，要定義兮雷曰體Q81之該閘極電壓Vcl。 @^$3曰因為該PM0S電晶體Q91與Q92具有相同特徵值，參考電

1267817 五、發明說明（15) 流I e 2與參考電流I e 1本質上相等且各為流經該電阻R 91之該參考電流之一半。為讓該參考電流1 e 1與參考電流I e2本質上有相等電流值，該電晶體Q71之該汲極電流與該電晶體Q81之該汲極電流本質上相等。饋入至該電晶體Q7 1之該電壓控制了該參考電流Ie2，且該電晶體Q71係被該參考電流Ie2控制。饋入至該電晶體Q8 1之該電壓控制了該參考電流I e 1，且該電晶體Q81係被該參考電流Ie 1控制。當流經該電晶體Ql 1之該驅動電流Id6小於流經該電晶體Q1之該驅動電流Idl時，流經該電晶體Q71之該參考電流 Ie2小於流經該電晶體Q81之該參考電流iei。為讓該參考電流I el與該參考電流Ie2相等，必需讓流經該電晶體q71 之該電流等於流經該電晶體Q81之該電流。為讓流經該電晶體Q71之該電流等於流經該電晶體Q81之該電流，可增加該電晶體Q71之源極-汲極電壓。因此，可增加流經該驅動電流輸出電路Dr6之該輸出電流Id6。為使用該分壓電路30，介於該驅動電流輸出電路j)ri 與Dr6間之該驅動電流輸出電路Dr2〜Dr5可接收從該分壓電路3 0之相關節點所輸出之適當控制電壓。根據第二實施例，該控制電壓Vci與該控制電壓Vc3係根據各別驅動電流I d 1〜I d 6而獨立產生。因此，驅動電流 I (Π〜I d 6可彼此相等。甚至’因為第二實施例之該控制電路並無迴授迴圈，該控制電路不會發生振盪。

ll559pif.ptd 第20頁 1267817 五、發明說明（16) 第三較佳實施例第9圖顯示根據本發明第三實施例之控制電流之詳細電路圖。現將描述第三實施例之該控制電流與第二實施例之該控制電流間之差異。使用一第一轉換器110與一第二轉換〇〇。該第一轉換器110具有：一PMOS電晶體Q111，一 PMOS電晶體Q112，一 PMOS電晶體Q113與一電阻R102。該PMOS電晶體qiii具有··接收一電源電壓V d d之一源極；連接至接收一控制電壓V c 1之一第一節點之一閘極；以及一汲極。該ρ μ Q $電晶體Q112具有：連接至該PMOS電晶體Q111之該汲極之一源極，連接至該接地節點V s s之一閘極；以及輸出一第一參考電流I f 1之一汲極。該電阻〇2連接於該電源電壓wd與該第一節點之間。該PMOS電晶體Q1 13連接於該第一節點與該接地節點Vss之間，且該PMOS電晶體Q113之閘極連接至曰亥PMOS電晶體Q112之該汲極。該第二轉換器100具有··一 pM〇s電晶體Q1〇1，一 PM0S 電日日體Q102，一PMOS電晶體Ql〇3與一電阻Ri〇i。該pmqs電晶體Q1 01具有··接收一電源電壓Vdd之一源極；連接至接收一控制電壓Vc3之一第二節點之一閘極；以及一汲極。該PMOS電晶體Q102具有：連接至該PM〇s電晶體Q1〇1之該汲極之一源極；連接至該接地節點Vss之一閘極；以及輪^出一第二參考電流I f 〇之一汲極。該電阻1?丨〇〗連接於該電源電壓vdd與，第二節點之間。該PM0S電晶體Q1〇3連接於該

1267817 五、發明說明（17) 第二節點與該接地節點Vss之間，且該PMOS電晶體Q103之閘極連接至該PMOS電晶體Q102之該汲極。該電阻R102與該PMOS電晶體Q1 13構成了具有一源極隨李馬電路（source follower circuit)之一第一阻抗轉換器。該第一轉換器11 0内之該源極隨耦電路之輸出阻抗z 〇是l/gm(gm 是該電晶體Q113 之互導（transconductance) 值）。根據適當設定的該電晶體Q1 1 3之特徵值，該輸出阻抗z 0可設為低值。另，在該第二轉換器1 〇〇内，輸出阻抗也可設為低值。根據第三實施例，該第一轉換器11 〇與該第二轉換器 100内之阻抗可為低值。因而，可減少該分壓電路3Q内之該電阻R 3 1〜R 3 3之電阻值。因此，可減少發生於該控制電壓Vcl〜Vc3上之串音（cross talk)雜訊。甚至，沒有透過該分壓電路3 〇而流至該參考電流丨n 或該參考電流I f 2之電流路徑。因此，可減少該驅動電流 Idl〜Id6之差異。雖然第二貫施例之阻抗轉換器由利用pM〇s電晶體之源極隨耦電路構成，該阻抗電路並不受限於此。比如，可使用：利用/NP型雙極性電晶體之一射極隨輕電路或利用操作放大器之電壓隨|馬電路。雖然各貫施例中，久酿細φ、+ ^ ^ ^ ^ ^ J 谷驅動電流輸出電路群11〜13包括2 個驅動電6,L輸出電路，各雷政 ^ ^ ^ ^ ^ 合4路群可包括任意數量的驅動電流輸出電路。各電路群可句杯留 , ,, ^ 匕栝早一驅動電流輸出電路或可包括二個或以上的驅動電流輸出

第22 1267817 五、發明說明（18) 雖然本發明已以一較佳實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何熟習此技藝者，在不脫離本發明之精神和範圍内，當可作些許之更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

11559pif.ptd 第23頁 1267817

圖式簡單說明圖式簡單說明第1圖是傳統控制電路之電路圖。第2圖顯示在該半導體基底上之該傳統控制電路之別電路方塊之佈局圖。第3(a)圖顯示饋入至該傳統控制電路之電壓圖。政π ίί '員不攸戎傳統控制電路之該驅動電流輪出f 路所輸出之電流圖。 Ώ ^ 第4圖顯示根據本發明第_每 . 路圖。十私/1乐貝施例之一控制電路之電第5圖顯示根據本择明筮 ^ t 兮批^ π / 苐一貫施例之半導體基底上之孩控制電路之佈局圖。實施例之饋入至該驅動實施例之該驅動電流輸第6(a)圖顯示根據本發明第一電流輸出電路之電壓圖。第6 ( b )圖顯示根據本發明第一出電路所輸出之電流圖。路圖第7圖顯示該控制電路中第8圖顯示根據本發明第之一操作放大器之電路圖。二實施例之一控制電路之電路圖第9圖顯示根據本發明第三實施例之一控制電路之電圖式標示說明： 10 :驅動電路單元 11〜1 3 :驅動電流輸出電路群 20 :控制電壓產生電路

11559pif.ptd 1267817 圖式簡單說明 30 :分壓電路 4 0，5 0 :電流輸出電路 6 0 :補償電壓產生電路 70，80，100，110 :轉換器 9 0 :參考電流產生器 100，20 0 :半導體基底 D1〜D6 : EL裝置 Drl〜Dr6 :驅動電流輸出電路 OP1，OP61，OP91 :操作放大器 Q卜Q12 ，Q21 ，Q22 ，Q41 ，Q42 ，Q51 ，Q52 ，Q71 ，Q72 ， Q81，Q82，Q91，Q92，Q1(H 〜Q103，Q111〜Q113， Q203〜Q206 : PMOS 電晶體 Q201，Q202，Q207，Q208 ·· NMOS 電晶體 R1 ，R3卜R33 ，R61 ，R62 ，R91 ，R101 ，R102 :電阻

11559pif.ptd 第25頁

Claims

1267817 六、申請專利範圍 1 · 一種控制電路，包括·· 複數驅動電流輸出電電流輸出電路；电路群，各電路群包括至少一驅動 —控制電壓產生電路，具一輸件，元；制電塵輸出節點與複數電阻元其中該此栌制電壓於ϊ ?相關控制電壓輸出節點之間，二”輸出節點包括位於該分壓電路之二太f二末端即點以及位於該分壓電路之另一端點之一第、節點，該第一末端節點連 ·# 電路’根據該第一末端節點之該電壓電路，根據該第二末以及不鲕即點之該電壓電路，輸出一補償電壓該補償雷朦# +杂至5亥刀壓電路異補仏電Μ產生電路補償該第一電流圍：1項所述之控制電路，係串聯，其中該第— 、以二流輸出電路群之一端點動電矣輪出電該串聯驅動電流輸出電路群一驅輸出即，沾各控制電壓輪出節點提供一控制雷颅$ 士關之驅動電流輸出電路群；工電i至相流輸出電流；流輸出電流；壓產生，其中間之差專利範電路群驅動電路位於一第一電而輸出一第一第二電而輸出補償電一端點二電流如申請流輸出該串聯輸出電之該另與該第 2. 驅動電路位於動電流點。如申請專利範圍第1項所述之控制電路，其中各

11559pif.ptd 第26頁 3. 1267817 六、申請專利範圍動電流輸出電路群包括：一第一電晶體，具有接收一第一電源電壓之一第一端點，一第二端點及連接至該控制電壓輸出節點之一閘極；以及一第二電晶體，具有連接至該第一電晶體之該第二端點之一第一端點，接收一第二電源電壓之一第二端點及接收一開關信號之一閘極。 4. 如申請專利範圍第1項所述之控制電路，其中該些驅動電流輸出電路群係串聯，其中該控制電壓產生電路靠近該些驅動電流輸出電路群之該端點。 5. 如申請專利範圍第1項所述之控制電路，其中各驅動電流輸出電路群包括複數驅動電流輸出電路。 6. —種控制電路，包括：一第一驅動電流輸出電路，具一第一，一第二與一第三節點，其中一第一電源電壓係饋入至該第一節點且一第一驅動電流係該該第三節點輸出；一第二驅動電流輸出電路，具一第一，一第二與一第三節點，其中該第一電源電壓係饋入至該第一節點且一第二驅動電流係該該第三節點輸出；一控制電壓產生電路，靠近該第一驅動電流輸出電路，該控制電壓產生電路具有透過一電阻元件而輸出一第一控制電壓至該第一驅動電流輸出電路之該第二節點及輸出一第二控制電壓至該第二驅動電流輸出電路之該第二節點之一輸出節點；一第一電流輸出電路，根據該第一控制電壓而輸出一第一偵測電流；

11559pif.ptd 第27頁 1267817 六、申請專利範圍一第二電流輸出第二偵測電流；以及一補償電壓產生輸出電路以等化該第 7. —種控制電路複數驅動電流輪電流輸出電路；一分壓電輸出節點被一路，具電阻元該分壓路之另節點包括位於位於該分壓電端節點連接至該控制電壓輸出節點提供一群；一第一轉換器點之一控制電壓；電路，根據該第二控制電壓而輸出〜電路輸出一補償電壓至該第二電流一控制電壓與該第二控制電壓。 ’包括：出電路群，各電路群包括至少一驅動複數控制電壓輸出節點，各控制電壓件彼此隔開，其中該些控制電壓輸出電路之一端點之一第_末端節點以及 :端點之一第二末端節點，該第一束電壓產生電路之該輸出節點，各控制控制電壓至相關之驅動電流輸出電略根據一第一電流而輸出該第一末端節一第二轉換器，根據一第二電流而輸出該第二末端節點之一控制電壓；以及一參考電流產生器，包括一操作放大器，該參考電流產生器控制該第一電流與該第二電流約略相等。 8·如申請專利範圍第7項所述之控制電路，其中該些驅動電流輸出電路群係串聯，其中該第一轉換器位於該串聯驅動電流輸出電路群之一端黠；而該第二轉換器位於該串聯驅動電流輪出電路群之另/端點。

1267817

9·如申請專一轉換器包括：一源極，連接至及一第二電晶體源極，連接至一汲極；其至該電源利範圍第7項所述之控制電路，其十該第中該第電壓之以及一汲極；以體之該汲極之一該第二電流之一一電晶體，具有連接至—電源電壓之以第一末端節點之一閘極以及—汲極；以，具有連接至該第一電晶體之該汲極之— 接地電位之一閘極及輸出該第一電流之一二轉換器包括··-第三電晶體，具有連接一源極，連接至該第二末端節點之一閘極及一第四電晶體，具有連接至該第三電晶源極，連接至該接地電位之一閘極及輸出汲極。 1 〇·如申請專利範圍第7項所述之控制電路，其中該第轉換器包括一第一電晶體，一第二電晶體，一第三電晶，與一第一電阻；其中該第一電晶體具有連接至一電源電壓之一源極’連接至該第一末端節點之一閘極以及一汲極，其中該第二電晶體具有連接至該第一電晶體之該汲極之一源極，連接至一接地電位之一閘極及輸出該第一電流之一汲極；其中該第一電阻具有連接至該電源電壓之一第一端點以及連接至該第一電晶體之該閘極之一第二端點；其中該三電晶體具有連接至該第一電阻之該第二端點之一苐一端點’連接至該接地電位之一第二端點以及連接至該第二電晶體之該汲極之一閘極；其中該第二轉換器包括一第四電晶體，一第五電晶體，一第六電晶體與一第二電阻；其中該第四電晶體具有連接至該電源電壓之一源極，連接至該第二末端節點之一閘極以及一汲極；其中該第五 I

1267817 六、申請專利範圍電晶體具有連接至該第四電晶體之該汲極之一源極，連接至該接地電位之一閘極及輸出該第二電流之一汲極；其中該第二電阻具有連接至該電源電壓之一第一端點以及連接至該第二電晶體之該閘極之一第二端點；其中該六電晶體具有連接至該第二電阻之該第二端點之一第一端點，連接至該接地電位之一第二端點以及連接至該第五電晶體之該汲極之一閘極。

11559pif.ptd 第30頁