TWI262598B - Apparatus for manufacturing flat panel display devices - Google Patents
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Description
1262598 九、發明說明· 【發明所屬之技術領域】 本發吶你關於一種平面顯示裝置的製造裝置宜 射无照射至形成於絕緣基板丄之半導體膜：，進行膜.；；將雷 善或結晶粒之擴大或模擬單結晶化、貝之改 成。 …吹〜考娱電晶體構 【先前技術】 現在’液晶顯示裝晋式古- 衣置或有機EL顯不裝置藉由以破 m 融石英等之基板上的非 或洛 / 旳非日日貝矽肤形成之薄臈電晶體 形成圖像。若可方《兮其4 μ 開關 動1 Ρ…主 時形成驅動像素電晶體之驅 動电路’則可期待飛躍性之製造成本之降 高。 』罪f生之提 而，目前狀況中形成電晶體之能動層之矽膜的結晶性 差，故而以移動度代表之薄膜電晶體性能低下，製作』求 高速、高功能之電路較為困難。為製作此等高速/高功能之 電路’需要高移動度薄膜電晶體，為實現該目的必須改善 矽薄膜之結晶性。 、口 作為該#晶性改善之方法ϋ使用#準分子雷射退 火。該方法係將準分子雷射照射至形成於玻璃等之絕緣基 板上的非晶質矽膜（移動度為i cm2/Vs以下），將非晶質矽膜 變化為多結晶矽膜，以此改善移動度者。藉由準分子雷射 之射獲得之多結晶膜的結晶粒徑為數丨〇() nm左右，移動 度亦為150 cm2/Vs左右，用以驅動像素之薄膜電晶體方面性 月巨充分’但於適用於構成驅動顯示面板之驅動電路等之需 96703.doc 1262598 ，二此必須構築可抑制由此等主要原因誘發之雷射光 八：之變動的充分對策。所謂照射至矽膜之雷射光之強度 =偏離期望之分佈，意味著形成之石夕膜之結晶性變得不 巧一〇 使用上述結晶臈製作TFT及平面顯示裝置之情形時，存 曰二下問冑.因結晶性之不均一性無法組成充分性能之電 厂制成為電路動作不良或晝面亮度斑點等之原因，結果 =致製造良率降低。為解決此種問題，業者提出有各種雷 射光變動控制機構。 例如’於專利文獻2中測定、推斷光束曲線，相應於自標 '、曲線之偏離，反饋控制放大器之透鏡之相對位置以此方 ，式加以控制。然而’該發明係僅變化雷射光之光束徑的技 術’故而無法解決上述之空間強度分佈之形狀變化的問題。 又，專利文獻3揭示有以下技術：為消除因更換準分子雷 2氣體時’或更換透過窗時產生之光軸偏離造成的照: 肊里強度之變化’驅動一片反射鏡’ u強度分佈成為最佳 之方式進行調整。然而，該技術於光軸調整中使用一片鏡 面進行，因此無法將入射雷射與均化器之相對角度、位= 等回至期望之位置，故而無法根本性解決光軸偏離。 本發明之目的在於提供一種改善上述之問題點，於長時 間運轉中將雷射光之空間強度分佈、光束徑、光軸保持^ 通常期望之狀態，形成穩定且均-之性能切結晶膜之平 面顯示裝置的製造裝置’提高平面顯示裝置之製造步驟中 之良率。 96703.doc I262598 造==述目的，依據本發明之用於平面顯示裝置之製 光整开= 其特徵在於具有：將照射至石夕薄膜之雷射 整形光:適方、形成均一之結晶性之空間強度分佈的雷射光 之空測定入射至雷射光整形光學元件之雷射光 構、、& w布光束徑的$ ^強度分佈及光束徑測定機 位置檢測機槿 山7°件之入射位置的雷射光入射 雷射# 、肖以比較測定之空間強度分佈、光束徑及 入射位、’ f舁‘準之空間強度分佈、光束徑及雷射光 =的信號處理機構、以及基於處理結果將雷射光之 才;度分佈、光束徑、入射位置修正為標準值的控制機 -由κ現此種方法之本發明之平面顯示裝置的製造 直，可將藉^ 口 4 、，疋具有期望之空間強度分佈之雷射光照射至 —、 可以阿良率形成具有均一之結晶性之矽薄膜。 稭由本發明之伞 Λ 又月之千面顯示裝置的製造裝置，時常監視可干 二杏固體雷射光’入射至雷射光整形光學元件之雷 佑藉由田射光整形光學兀件整形之雷射光之強度分 ’错此使用對於入射雷射光之強度分佈、光軸、光束徑 不規則變化非常敏感之固體雷射光整形光學元件進行矽 '之版質改善時，可保持照射之雷射光之均-|生’且減少 不良面板。 及Γ下描述及其中之相關圖式可更加明白本發明之此類 及其他特徵、目標及優勢。 、 【實施方式】 96703.doc 1262598 以下就本發明之實施形態，參照實施例之圖式加以詳細 說明。 [實施例1 ] 圖1係表示作為本發明之平面顯示裝置之製造裝置的實 施例1之雷射退火裝置之概略構成的立體圖。雷射源使用 LD激勵連續振盪固體雷射1，包含用以調整振盪之連續波 雷射光3之輸出的ND濾波器2，用以調變時間之E0調製器 4，用以調整為通常穩定且同一之空間強度分佈、光束直徑 之雷射光的空間濾波器及光束放大器5，用以分出雷射光之 一部分的雷射光分支機構6，計測分出之雷射光之空間強度 分佈的光束測繪器7，處理以測繪器7測定之空間強度分佈 信號抽出光束直徑與空間強度分佈形狀，進行與標準值之 比較的信號處理部8，基於該信號處理結果驅動光束放大器 之驅動驅動器9，具有驅動機構丨丨、丨3之光軸調整用鏡丨〇及 12，用以光軸調整之可變光闌14，雷射光整形光學元件丨$， 用以部分分出雷射光之輸出的雷射光分支機構丨6，用以檢 測分出之雷射光之空間強度分佈的雷射光空間強度分佈檢 測機構17，對藉由該檢測機構17檢測之信號進行相應需要 之處理的信號處理部18，驅動驅動機構丨丨、13之驅動驅動 器19，搭載矽薄膜之玻璃基板2〇，搭載基板之平臺21，用 以k測平至2 1之位置的線性編碼器（亦稱為線性刻度 尺）22 ’發迗控制信號至用以計算線性編碼器22產生之脈衝 信號，以預先設定之脈衝數為單位驅動E〇調製器4之驅動 器24的控制裝置23 ’用以敎藉由整形光學元件15整形之 96703.doc -11 - 1262598 雷射光之空間強度分佈的光束測繪器25，比較以測繪器25 測定之空間強度分佈與標準強度分佈的信號處理裝置2 6， 驅動驅動機構13之驅動驅動器27等。 雷射振盪器1使用產生紫外或可見波長之連續振盪光 者，特別是自輸出之大小、輸出之穩定性等方面雷射二極 體激勵YV〇4雷射或雷射二極體激勵YAG雷射之第二高次 ❻波（波長· 532 nm)為敢佳。然而，並非限定於此，可使 用氬雷射、YV〇4或YAG雷射之第三或第四高次諧波、以光 纖結合之數個半導體雷射等。 除EO調製器4以外，可使用A〇(音響光學）調製器。但一 般地，A0調製器與⑽調製器相比，存有驅動頻率低、繞射 效率略低、為70%至8G%之缺點，但可使用。如此藉由❹ E〇調製器4或A〇調製器等之調變器，可於自雷射_丨 時常輸出雷射光之狀態下，於任意時刻(或位置)開始照射至 被照射部’經由任意輸出變化於任意時刻結束照射。即， 可加以任意之時間調變。 :係表示使用本發明之平面顯示裝置之製 照㈣狀雷射㈣成模擬單結晶之前及後 : 狀態的平面圖。此處就將 、之 膜時㈣之舉動、形成之二間…射光照射至硬 明。如圖2⑷所示，對之形狀咖 集光為線狀之雷射先28而進:：:r )’相對掃招 方：如射線狀之雷射氺9 _ 矽薄膜溶融、再凝固之過程
967〇3.dOC 1262598 中，如圖2(b)所示’結晶粒於雷射光掃描方向，即橫 長’於雷射光照射結束地點停止結晶成& 一° 成長結晶30形成電晶體時：㈣黃方向 ^目對於成長於雷射掃描方 =::ΓΓ成源極區域31/沒極區域32/通道區域33 曰0可^接^成結晶晶粒界面不橫斷通道33内之電 曰曰體：可獲仔接近於移動度、臨限值電壓不均一之 結晶形成之電晶體的性能， 61 故而以下將如先前所述之於雷 射掃描方向成長之橫方向成曰 、 .0 成長夕、、力日日30稱為模擬單結晶。 其-人况明使用上述之_ 扃置日守的顯示裝置之製造步驟 ^貝㈣°圖3係說明使用本發明之平面顯示裝置之製造 策置的貫施例1，藉由雷射昭射進;^ M 、 立體圖。於圖3⑷將自大^:其t 結晶化之步驟的 ? 1 土板製造之數個面板（構成平面 顯不裝置之面板（顯示面柘 ,,^ 反）通#形成數十至數百個面板） 中相鄰之兩片面板作兔#主 板作為代表表示。此處，作為面板之試料， 使用於玻璃基板之一 φ 主面介以絕緣體薄膜形成非晶質矽薄 膜的基板。於各面板上渺 、 /成頌不區域（像素區域）、掃描線驅 動電路區域、以及作缺緣 …— 及仏唬線驅動電路區域。本實施例中表示 於上述顯示區域中形忐丨V。 曰 夕、、、口日日碎膜構成閘電極之像素電 -於線驅動電路區域、掃描線驅動電路區域中形 成以模擬單結晶構成間電極之可高速驅動之電晶體之例。 再者，本實施例中表示僅多結晶化上述3個區域，形成電晶 立'1亦可除上述3區域以外形成用以設置所謂D/A轉換 器之電路的區域。 如圖3⑷所不’於平臺(未圖示)搭載形成有非晶質矽薄膜 96703.doc 1262598 150之大型基板l5i， 座 一 1S9 ^ ^ 月則頭所示方向掃描準分子雷射朵 152，於整面基板照射 +刀千田射先 λ丄 非日日貝矽溥膜1 50，士卜艟姑边々 結晶矽薄膜153。繼而，如猎此轉換為多 碑隹τ 圖3(b)所不，以ΕΟ調製哭時η， 變集光為線狀之固體雷 ”一日守間，周 浐扮廿 射先154,並於箭頭所示方向相對怕 知^田，僅於期望之區 ^ 1± 電路# & φ 一 k擇性地形成信號線驅動 =成中必要之性能的模擬單結晶。再者，掃： 私動基板之方式進行’亦可移動雷射光。 、“ 於整面基板結束信號線驅動雷路F B # ^ . λαο 勒电路&域之結晶化時，旋鏟 土板90 ’如圖3(c)所示，為 ^為形成知描線驅動電路照射經時 間凋變之線狀雷射光157 才 值於期望之區域158、159 地形成模擬單結晶。此時，亦可將基板自平臺暫 =後再次使基板回至平臺進行退火，亦可藉由旋二 、 轉田射先90。再者，說明了進行掃描時，以—定 週期或任意週期重複開/關雷射 〜疋仃…射之例，亦可以時 书ON之狀態掃描雷射光。 如此反覆掃描，將面板内之掃描線驅動電路區域⑸、 全部模擬單結晶化，結束照射。 又’於本實施例中’就將雷射光之能量密度設定為形成 拉擬早結晶之能量密度進行結晶化之例加以說明，亦可於 掃描線驅動電路區域中要求之結晶為多結晶之情形時，將 能量密度設定為適於形成多結晶粒之能量密度紝： /, ^ J、、、口 ag 刀。’猎由準分子雷射照射之多結晶化與藉由固體雷射 妝射之選擇性模擬單、結晶化步”驟關於I分子雷射與固體雷 射亦可分別於不同之退火室作為分別之步驟進行，亦^ 96703.doc -14- 1262598 來自準分子雷射光學系與固體雷射光學系之雷射光引至一 個退火室進行。 反覆以上之動作，掃描整面基板結束退火。藉此，基板 151内之各面板之像素部轉換為移動度15〇 左右之多 結晶石夕膜，掃描線驅動電路區域及信號線驅動電路區域（亦 包含其他周邊電路區域）轉換為移動度3〇〇至4〇〇 cm2/Vsi 多結晶石夕（模冑單結晶石夕）膜。以上係關於製造步驟之實_ 之說明。 服别王吵膜之雷射光3藉由雷射光整形光學元件15成形 為線狀(或者矩形)之光束。通常，自氣體雷射振蘯器或固體 雷射振盧器之輸出光束通常為圓形且具有高斯形之能量分 佈，故而無法直接用於本發明之雷射退火。若振盈器輸出 十分大，充分擴大光束徑，自中心部分之比較均一之部分 2出必要形狀，藉此可獲得大致均_之能量分佈的任意形 ，但造成捨棄光束之周邊部分，從而大部分能量浪費。 為解決該缺點，將高斯形之分佈轉換為均—之分佈、，使 用雷射光整形光學元件15。於 、先1形光學元件15有組 種：鏡與“形透鏡者，使用繞射形光學元件者等 若為可集光為線狀’且可實現於長方向均一、 5…火之能量分佈者，使用任何機構均可。寬(短)方白 之分佈均-，保持高斯分佈亦可。了响方向 形光學元件15整形之雷射光3之強戶八佑呆持以雷射光整 量密产，於+鼾本敕 又刀佈的狀態下提高能 鏡件15與破麵板之間插入物 鏡(未圖不)，縮小投影期望之強度分佈亦可。 96703.doc 1262598 此處，就入射至所謂繞射光學元件、鮑威爾透鏡之雷射 光整形光學元件之雷射光之入射位置偏離特定位置之情形 時，藉由整形雷射光強度分佈及雷射照射形 曰 ^ /、、、σ日日吵 薄膜所受之影響使用圖加以說明。 圖4係表示藉由雷射光至繞射光學元件之入射路徑變 化，整形之雷射光強度分佈產生變化之樣子的平面圖。= 4(a)係表不雷射光至繞射光學元件之入射位置較理想情形 之雷射光強度分佈的圖。繞射光學元件36以下述方式設 计·具有南斯函數型之強度分佈之雷射光入射至元件中心 4，於投光面上形成均一之分佈。入射雷射光37為高斯函 數型強度分佈38，且雷射光之中心位置、行進方向與光軸 3 9 — 致。 此時之光軸39意味著通過繞射光學元件36之中心位置， 於垂直於繞射光學元件表面之方向延伸之軸。即繞射光學 元件36之中心與雷射光37之中心一致。如此狀態下雷射光 37入射時，於投光面4〇之整形雷射光強度分佈“按照設計 成為均一之分佈。但如圖4(b)所示，對於通過繞射光學元件 42之中心之光軸45，入射雷射光43之行進方向偏離之情形 時，或者繞射光學元件42之入射面上之入射位置偏離之情 形時，投光面46上之整形雷射光強度分佈47崩裂為不均一 之分佈。 圖5係表示错由雷射光至鮑威爾透鏡之入射路徑變化，整 形之雷射光強度分佈產生變化之樣子的平面圖，表示有關 入射至鮑威爾透鏡之雷射光之入射位置偏離特定位置之情 96703.doc 16 !262598 :。圖5⑷係表示雷射光至鮑威爾透鏡之入射 強度分佈的圖。飽威爾細以下述方I:; ' ，、有回斯函數型之％ 八 数生之強度分佈之雷射光入射至元件中心 :型^光面上形成均—之分佈。人射雷射光外為高斯函 :=度分:5°:且雷射光之中心位置、行進方向與光轴 此呀之光軸51意味著通過鮑威爾透鏡料之中心位 :’於垂直於繞射光學元件表面之方向延伸之軸。即，袍 威爾透鏡48之中心、與雷射光49之中心一致。 如此狀態下雷射光49入射時，於投光面52之整形雷射光 強度分佈53按照設計成為均—之分佈。但如旧⑻所示，對 於通過鮑威爾透鏡54之中心之光軸57，人射雷射光55之行 進方向偏離之情形時，或鮑威爾透鏡54之人射面上之入射 :置偏離之情形時，投光面58上之整形雷射光強度分佈Μ 朋裂為不均一之分佈。 圖6係表不使用本發明之平面顯示裝置之製造裝置之實 施例1，照射整形為不均一之空間強度分佈之雷射光進行石夕 膜之結晶化時形成之結晶狀態的平面目，表示將具有上述 不均一整形雷射光強度分佈47、59之雷射光照射至矽膜上 進行、、° aa化日守形成之結晶的樣子。對於形成於基板上之矽 4膜1 30(此時，出發試料為非晶質薄膜、多結晶薄膜均可）， 相對〖生掃彳田集光為線狀並具有不均一強度分佈之雷射光 (未圖示）進行結晶化。 妝射線狀雷射光之矽膜之溶融時間與照射雷射光之強度 分佈之高低相關，若照射高強度雷射光，則隨著矽膜之溶 96703.doc 1262598 蛐日可間之延長，形成促進橫方向成長之結晶1 3 1。相反地， 右肤射低強度雷射光，則溶融時間較短，無法充分促進橫 向成長，形成小粒徑結晶1 3 2。使用結晶1 3 1、1 3 2，以平 行於於雷射掃描方向成長之結晶粒形成通道133、134之方 弋形成甩日日體，因使用結晶丨3丨形成之電晶體之通道1 3 3内 不存在結晶晶粒界面，故而獲得高移動度，因使用結晶Η〕 形成之電晶體之通道134内數個晶粒界面橫切通道内電流 方向，故而產生所謂移動度、臨限值電壓之特性不均一之 不良現象。 又，就入射至所謂繞射光學元件、鮑威爾透鏡之雷射光 ^形光學兀件之雷射光之強度分佈、光束徑偏離特定值之 k4，對整形雷射光強度分佈之影響，使用圖7、圖8加 以况明。圖7係表示藉由入射至繞射光學元件之雷射光之空 間強度分佈變化，整形之雷射光強度分佈產生變化之樣子 的平面圖。又，圖8係表示藉由入射至繞射光學元件之雷射 光之光束徑變化，整形之雷射光強度分佈產生變化之樣子 的平面圖。 圖7(a)係表不雷射光至繞射光學元件之入射強度分佈與 設計繞射光學元件時假定之強度分佈一致之情形之整形雷 射光強度分佈的圖。繞射光學元件8 1以下述方式設計：具 有高斯函數型之強度分佈之雷射光入射至元件中心時，於 技光面上形成均一之分佈。入射雷射光82為高斯函數型強 度刀佈83，且雷射光之中心位置、行進方向與光軸84—致。 此時之光轴84意味著通過繞射光學元件81之中心位置，於 96703.doc -18- 1262598 垂直於繞射光學元件表面之方向延 元件81之中心與雷射光82之中心—致。P ’…射光學 ^狀態下雷射光82入射時，於投光 強度分佈86按照設計成為 i形田射先 射不锆私丄 $ 之刀佈。但如圖7(b)所示，入 射至繞射光學元件87之中心 04 - ^ ^ 4± ^ 田射光88之強度分佈藉由經 Γ 料之分佈，成為90所示之分佈之情形時，投 ::之整形雷射光強度分佈93崩裂為不均一之分佈。 再者’ 89表示光軸。 圖8⑷係表示入射至繞射光學元件之雷射光之光束徑鱼 设計繞射光學元件時假定之雷射光之光束徑一致之情形之 整形雷射光強度分佈的圖。繞射光學元件iu以下述方式設 計：具有高斯函數型之強度分佈之雷射光入射至元件中 時，於投光面上形成均-之分佈。人射雷射光ιΐ2為高斯函 數型強度分佈⑴，且雷射光之中心位置、行進方向與光軸 114一致。此時之光軸114意味著通過繞射光學元件丨丨丨之中 心位置，於垂直於繞射光學元件⑴之表面之方向延伸之 軸。即，繞射光學元件111之中心與雷射光112之中心一致。 如此狀態下雷射光112入射時，於投光面115之整形雷射 光強度分佈116按照設計成為均一之分佈。但如圖8(b)所 示，入射至繞射光學元件117之中心之雷射光118之光束徑 藉由某種理由保持高斯函數型丨19，光束徑偏離特定之數值 成為120之情形時，投光面122上之整形雷射光強度分佈丨23 崩裂為不均一之分佈。 如上所述，所謂繞射光學元件、鮑威爾透鏡之雷射光整 96703.doc -19- 1262598 形光學元件與使用數個透鏡分到Λ盤伽+ ^ 兄刀口」马數個雷射光，於某投光 面上重合分割之雷射光所謂多透鏡陣列方式之整形光學系 相比，其性質明顯不同。以單體進行雷射光整形之光學元 件之設計通常進行以下作業：嚴密假定強度分佈、雷射光 之元件入射位置，精密決定元件上之各單元之所謂繞射效 率或透鏡之曲率、厚度之參數，從而決定元件形狀。入射 之雷射光之相對強度分佈即使稍微偏差於設計所用之形 狀，入射之位置稍微偏離，各單元之繞射效率之變化、集 光程度之變化較大。 即’嘗試將雷射光整形為如同設計之形狀之情形時，僅 入射位置、強度分佈形狀、光束徑與設計值一致之雷射光 整形為期望之分佈。因此，準備使用該雷射光整形光學元 件進仃雷射光照射，獲得穩定性能之矽膜之情形時，產生 7須設置於裝置運轉中時常穩定且保持雷射光強度分佈之 機構的問題。於適宜於實施本發明之顯示裝置之製造方法 的田射退火裝置中，為解決以上問題具有以下所示之機 構以下’就其形態附以圖式加以詳細說明。 、：圖1中，使用具有空間濾波器之光束放大器5、具有用 以將入射至雷射光整形光學元件15之雷射光之入射位置保 持為固疋之驅動機構11的鏡面1〇以及具有驅動機構13之鏡 面=，時常將入射至雷射光整形光學元件15之雷射光之強 佈保持為固定。上述放大器5具有調整雷射光空間強度 刀佈之機構，上述鏡面1〇、12具有調整雷射光至雷射 形光與_ ^ 予凡件15之入射位置（即調整雷射光之光軸）的機構。 96703.doc -20- 1262598 空間滤波之形狀亦可為孔輕 雷射之空間模式與雷射輪出， 者0 固定者，亦可為可同時調整 孔徑為可變之如光圈般形狀 於圖1中，藉由配置於朵奎由 、車中之光束为離器或玻璃板等部 分分歧雷射光之機構6 ’將通過光束放大器5之雷射光部分
分歧’並以測緣器7測定公 A J疋刀歧成为。相應需要藉由檢測信號 處理部8對上述測定值進行A/D轉換、高斯配合等之處理， 抽出光束強度分佈之形狀、光束徑之資訊，，進行盥 預先登錄之特定形狀（高斯函數型）、數值（規格化強度之^2 之光束徑)的比較，計算自光束徑之特定值之差距。上述差 達到某臨限值以上時’以將差距接近零之 方式，自信號處理部8發送脈衝信號至搭載有凸透鏡之 透鏡保持/驅動機構，驅動步進馬達，變動放大器倍率調整 光束徑。 如此調整放大器倍率直至射出之雷射光丨1〇之光束徑回 至特定值，於回到之時刻結束調整。本實施例中，以入射 至光束放大器5之雷射光1〇7(圖9(a))之光束徑與具有特定 光束徑之高斯函數型強度分佈96相比較寬之情形為例表 不。當然，於光束徑較狹窄之情形同樣之調整方法亦適用。 又，上述實施例中，表示有構成光束放大器之兩片凸透鏡 中，使下流側之凸透鏡1〇3具有驅動機構之例，亦可使上流 側之凸透鏡97具有驅動機構進行光束徑調整。但驅動上流 側之凸透鏡97之情形時，因透鏡97與空間濾波器％之相對 距離產生變化，故而空間濾波器98搭載於驅動機構，保持 96703.doc -22- 1262598 與透鏡之相對距離亦有必要。 又，於信號處理部8處虛 处理中，附加有以下機盖· 配合處理作為數式抽出⑽I ΤΜι由 ,,.一 工3強度分佈之形狀時，若算出之 數式自高斯函數偏離特 f疋值以上，則發動通知其來由之盤 報，並依據情形中斷作業。 " 又，本實施例中，矣千古执，+ 矛不有方；光束放大器之後測定分歧之 每射光之強度分佈之例，私 才双測替射光之場所亦可為入射至 雷射光整形光學元件15二 件丨5之别。此時，可測定接近實際入射 雷射光之狀態的空間強:八 欠 、間強度分佈，故而可進行精度更好之調 整。^ ’進行上述光束徑調整之後，相應需要以配置於基 平至上之光束，則繪盗25測定整形雷射光之空間強度分
佈’將該結果反错5妨4* w C 至放大益5，稍微調整透鏡103之配置亦 可X上係關於本發明之實施例1中分歧雷射光，該雷射光 之強度分佈偏離特定形狀、光束徑時之檢測方法及調整方 法的說明。 [實施例2] 繼而，作為本發明之實施例2，就對於雷射光整形光學元 件檢測入射雷射光之入射位置之偏離，修正為特定之入射 位置之機構加以說明。首先，使用圖1〇就本實施例之概要、 構成加以說明，使用圖丨丨至圖丨5詳細說明使用本實施例之 入射位置修正機構的修正方法。 圖1 〇係說明本發明之平面顯示裝置之製造裝置之實施例 2中，進行至雷射光整形光學元件之入射位置之修正之步驟 之一例的立體圖，係表示圖1所示之平面顯示裝置之製造裝 96703.doi -23- 1262598 置中，相當於本實施例之雷射光照射位置調整機構及照射 光學系之概略構成的圖。本調整機構包含至少兩片光軸調 整用鏡面201、203，接收脈衝信號驅動鏡面2〇1、2〇3之驅 動機構202、204，孔徑光欄2〇5(iris，光圈）與光束分離器 209，光束測繪器2 10，處理以光束測繪器2丨〇檢測之信號的 信號處理部（未圖示），以及依據處理之信號發送脈衝信號至 鏡面驅動機構的鏡面驅動機構驅動器（未圖示），係對於雷射 光整形光學元件207、平臺211如圖1〇配置上述要素而構成 之機構。 雷射光軸對於規定之光軸200偏離之情形時，作為光束測 繪器210之受光面上之雷射光照射位置的偏離檢測光軸之 偏離，相應需要信號處理檢測結果，藉由該結果反饋控制 光軸調整鏡面201、203，修正至規定之光軸2〇〇。具有驅動 機構202之鏡面201與具有驅動機構2〇4之鏡面203至少對於 任意一軸（以下稱為X軸），與垂直於X軸之軸（以下稱為Y軸） 之兩軸，可調整光軸。依據規定光軸2〇〇行進之雷射光於鏡 面201、203之表面反射，通過孔徑光欄2〇5(iris，光圈）之孔 的中心20 6後’垂直於元件表面入射至雷射光整形光學元件 207之中心點208。 配置於光軸200中之孔徑光欄205之孔徑為可變，調整以 外之時間可相對於光束徑充分敞大孔。又，以整形雷射光 2 12正好於平臺210上形成適合退火之期望之空間強度分佈 之方式配置有雷射光整形光學元件207。又，雷射光整形光 學元件207藉由保持/驅動機構（未圖示）固定，具有調整時可 96703.doc -24- 1262598 以偏離光軸之方式移動，於調整結束後可正確地回至特定 位置的機構。 於雷射光整形光學元件207與平臺211之間’為部分分歧 雷射光’計測分歧之雷射光之強度分佈，以對於光軸45度 之角度配置光束分離器·。藉由可作為二維空間f訊檢測 雷射光強度分佈之光束測繪器210檢測分歧之雷射光2丨3。 此處，將通過孔徑光攔205之中心2〇6與雷射光整形光學元 件207之中心208之雷射光212之平臺211上的座標規定為標 準座標（xG，yg)，將以分離器209分歧之雷射光213之測繪 為210上的座標規定為標準座標（χ〇，，γ〇，）。 孔徑光攔205之中心206、雷射光整形光學元件2〇7之中心 208、 與平堂211上之標準座標（Xg，Yq)完全存在於同一之 光軸上，又孔徑光欄205之中心2〇6、雷射光整形光學元件 207之中心208、與測繪器21〇上之標準座標（χ〇,，γ心介以 光束分離器209亦完全存在於同一之光軸上。又，以上述座 標（XG ’ Υ0)與（XG’，Yq’）夾著分離器2〇9並等價之方式配置各 要素。 即，以光束分離器209與平臺211間距離與分離器2〇9與測 繪器210之受光面間距離相等之方式配置分離器2〇9、測繪 器210，藉此成為藉由測繪器21〇可觀察平臺上之標準座標 (X〇，Y〇)處雷射光之空間強度分佈的構成。固定分離器 209、 測繪器210，於雷射光軸2〇〇偏離特定方向之情形時， 作為自分離器210上雷射照射位置之標準座標（Xq，，YQ，）之 偏離檢測自標準座標（X〇，Yq)之偏離，故而以將測繪器 96703.doc -25- 1262598 上之照射位置回至標準座標的方 可使光軸回至蚊之狀態。m鏡面之傾斜，藉此 以：二:::於將產生偏離之光轴修正為最初狀態之步驟加 二二。圖u係說明本發明之平面顯示裝置之製造裝 =…列2中，進行至雷射光整形光學元件之入射位置之 偏H日士 > '、田射光軸自理想光軸 ::之、雷射光轴調整之-步驟的圖。X，圖12係本發 里=面顯示裝置之製造裝置之實施例2中，將以測緣器數 測之雷射光積分強度作為各檢測位置之函數曲線化並 :圖表表示之圖，圖13係表示本發明之平面顯示裝置之製 造裝置之實施例2中，藉由雷射光人射至雷射光整形光學元 件之位置偏離，t射光整形強度分佈變得不均—之樣子之 =的立體圖。且圖14係說明本發明之平面顯示裝置之製 造裝置之實施例2中，進行至雷射光整形光學元件之入射位 置，修正之步驟之—例的立體圖，圖15係本發明之平面顯 丁：置之製造裝置之實施例2中，將以測繪器數點檢測之雷 射光積分強度作為各檢測位置之函數曲線化並以圖表表示 之圖。 圖〇所示之光軸200如圖11所示變化為光軸200,。結果 圖13所示’於基板平臺上之雷射照射位置成為自標 準座私（X〇’ YQ)偏離至d，Υι)之狀態。於標準座標（知，γ〇) 中七成有適合退火之空間強度分佈21 8，但於照射位置偏 離至（Xi ’ ¥1)之情形時，不僅單照射位置座標偏離，且形 成強度不均一、不適合退火之空間強度分佈219。若回至光 96703.doc -26- 1262598 轴調整步驟之說明，則對X軸、㈣獨立進行光軸調整。 本實施例中，詳細說明X軸之調整步‘驟，關於Y軸之調整 :驟省略說明，但基本上對於任意軸，適用以下說明之調 正方法。首先，自光軸上移動雷射光整形光學元件207。繼 而相對於光束徑以充分小之方式設定孔徑光襴205之孔。繼 而自驅動驅動器發送信號至鏡面201之驅動機構202,以雷 射光於平臺21〇上於X軸方向掃描之方式旋轉鏡面，變化光 一再者，此時鏡面203設為贱固定者。此時雷射光200,於 一轴方向移動於孔徑光欄205上（雷射光200,橫切光搁2〇5之 ^)。藉由光欄205部分切出之雷射光2〇〇,，藉由分離器2〇9 分歧藉由測繪器210檢測。光攔上之雷射光之動作與測繪器 21〇受光面上之雷射光之動作相關，對應於鏡面21〇^動 作，光軸變化為光軸2丨4、215、216時，於測繪器21〇上雷 射光亦得以於一軸方向掃描。 广此時，雷射光之強度分佈為高斯函數形狀，故而藉由孔 徑光攔2G5切出之雷射光之積分強度於孔徑光攔2()5之中心 2〇6與雷射光之中心一致時，即雷射光軸與光軸216—致時 成為最高，若左右掃描則積分強度高斯函數式地減少。利 用該現象算出自標準座標之照射位置偏離。以各掃描為單 位藉由測繪器210計測以孔徑光攔2〇5切出之雷射光之積分 強度，作為測繪器210受光面上之檢測位置之函數曲線化， 則可獲得如圖12之描繪平整峰值之曲線2丨7。 相應必要通過配合等處理抽出該曲線之中心位置Χ2,之 96703.doc -27- 1262598 座标，异出與標準座標x〇’之差距，若該差距為規定值以 上’則如圖14所示，加以反饋至驅動鏡面2〇3之驅動機構 2〇4，於減少差距之方向旋轉鏡面2〇3。其後再次旋轉鏡面 2〇2,於孔徑光攔2〇5上掃描雷射光，以測繪器21〇進行雷射 光之檢測，與上述同樣地，算出將雷射光積分強度作為照 射位置座標之函數曲線化後曲線之中心座標與標準座標之 差距。 反覆該步驟直至差距收斂於規定值以下，如圖15所示進 行光軸調整直至曲線22〇之極大值與標準座標，收斂於特 定值内，於收斂於特定值内之時刻結束χ軸方向之光軸調 整。繼而，對Y軸亦進行與上述同樣之光軸調整直至回至特 疋之私準座標YG’。最後，相對於光束徑以充分放大孔徑光 攔205之孔徑之方式敞開孔，使雷射光整形光學元件回 至特定之位置，雷射光軸2〇〇,於鏡面2〇3以後通過孔徑光攔 205之中心206，垂直入射於雷射光整形光學元件2〇7表面， 且通過中心208之整形雷射光回至照射於平臺21〇之標準座 標（XG，Y〇)之狀態。 再者，進行上述光軸調整後，相應需要驅動配置於平臺 上之測繪咨25至標準座標，測定整形雷射光之空間強度分 佈，於信號處理部處理該結果，加以反饋至鏡面2〇3進行光 軸之微調整亦可。再者，本實施例中將以測繪器檢測之雷 射光之積分強度作為信號使用，另外亦可將測繪器上之峰 值強度作為信號使用，若為可將以孔徑光欄切出之雷射光 之相對強度、或者相對能量作為測繪器受光面上之位置之 96703.doc -28- 1262598 函數曲線化的方法，則使用任何方法
例中表示有作為用以檢測光再者’本實施 *…n a 九軸偏離之檢測機構，使用CCD 犬員型之光束測繪器之例，若可 介H 了將雷射光照射*置作為二維 二間貝Λ檢測，另外亦可使用於 柚、目，丨^ , 土 刀手表上知描刀刀或矩形 才曰測疋光束形狀之類型的光束 ^ 、、日扣寻任何檢測機構進 订。 繼而，料與上述不同之實施例，關於以不同於上述方 式之方法檢測人射之雷射光對於雷射光 之一例的立體圖，係表示本發明 置中，相當於本實施例之雷射光 射位置偏離，並修正㈣定之人射位置之機構加以說明。 圖16係說明本發明之平面顯示裂置之製造裝置之實施例3 中’進行至雷射光整形光學元件之人射位置之修正之步驟 之平面顯示裝置之製造裝 照射位置調整機構及照射 光學系之概略構成的圖。 本實施例之雷射光照射位置調整機構包含至少兩片之光 轴調整用鏡面251、253，接收脈衝信號驅動鏡面251、253 之驅動機構252、254，至少兩片之孔徑光欄255、256(iris， 光圈），光束刀離裔259，所謂光束測繪器或光二級體之雷射 光強度松測機構260，處理以該檢測機構26〇檢測之信號的 信號處理部（未圖示），以及依據處理之信號發送脈衝信號至 鏡面驅動機構的鏡面驅動機構驅動器（未圖示），係對於雷射 光整形光學tl件257、平臺261如圖16配置上述要素而構成 之機構。 雷射光轴對於規定之光軸偏離為光軸25〇之情形時，作為 96703.doc -29- 1262598 通過孔徑光攔255、256照射於光強度檢測機構26〇之受光面 上之雷射光之積分強度之振幅之變化檢測光軸之偏離，相 應需要信號處理檢測結果，藉由該結果反饋控制光軸調整 鏡面251、253，修正為規定之光軸。首先，以自光軸偏離 之方式驅動藉由保持/驅動機構（未圖示）固定之雷射光整形 光學兀件257。繼而，相對於光束徑以充分小之方式設定孔 徑光欄255、256,以光束測緣器等光強度檢測機構檢測 通過之雷射光強度信號。 其後，於檢測信號處理部（未圖示）實行A/D轉換取得之光 強度信號等之處理，算出信號之位準。將該計算值與預先 登錄之信號位準（以通過孔徑光欄255、256之光量成為最大 之方式’預先調整絲、孔彳i光攔之配置），若低於特定值 則進行光軸之調整。以下表示順序並說明光軸調整。與上 述實施例同樣地’對至少任意一軸（以下稱為⑽）與垂直於 X軸之軸（以下稱為γ轴）之兩軸進行獨立調整，回至規定之 光轴。如圖i 6所示，進行兩片鏡面2 5卜2 5 3之傾斜之調整。 自驅動驅動11(未®示）發送信號至鏡面251之驅動機構 ⑸，變化雷射光軸。再者，此時鏡面253設為預先固定者。 此時，雷射光250於-軸方向移動於孔徑光搁⑸上（雷射光 250橫切光欄255之孔藉由光欄255得以部分切出之雷射 光250進而藉由孔徑光攔256切出，藉由分離器⑼僅部分分 歧通過兩片孔徑光欄255、256之雷射光，並藉由強度檢測 機構260檢出。光欄上之雷射光之動作與強度㈣機構· 受光面上之雷射光之動作相關’若對應於鏡面251之動作於 96703.doc -30- 1262598 x轴方向掃描雷射a，則於強度檢測機構26〇上亦於一轴方 向掃描雷射光。 此時，雷射光之強度分佈為高斯函數形狀， 裡光助5切出之雷射光之積分強度於掃描中之某 有峰值’自該一點左右掃描雷射光，則積分強度高斯函數 式地減少。利用該現象，以積分強度成為峰值之方式調整 、兄面之傾斜。然後旋轉鏡面25 3，於χ軸方向掃描雷射光， 以雷射光積分強度成為最大之方式反饋控制鏡面Μ]之傾 斜。 、 反覆上述步驟，反覆直至於χ軸方向積分強度成為最大， 結束X軸方向之光軸調整。然後關於γ軸方向，亦反饋控制 =面251、253之傾斜直至積分強度成為最大，於成為最大 k結束Υ轴方向之光軸調整。最後，相對於光束徑以充分大 之方式敞開孔徑光欄255、256之孔徑，使雷射光整形光學 凡件257回至特定之位置，結束本實施例之光軸調整。再 者進行上述光軸凋整後，相應需要驅動配置於平臺上之 測繪器25至標準座標，測定整形雷射光之空間強度分佈， 方、仏號處理部處理其結果，加以反饋至鏡面25 3進行光軸之 微调整亦可。 如上，依據本發明之平面顯示裝置之製造裝置，設有以 下機構·時常測定雷射光強度分佈、雷射光之光束徑、及 自光軸之偏離，於檢測此等值之經時變動時，以自動地回 至特定之狀態的方式加以反饋，藉此可提高製造良率，減 少製造成本。 96703.doc 1262598 以上描述有數個本發明之實施例，可知揭示之實施例易 受發明範圍内之變化及修正的影響。“，並非限定於此 處揭示之實施例，而是包含申請專利範圍內之此類變化及 修正。 【圖式簡單說明】 圖1係表示作為本發明之平面顯示裝置之製造裝置的實 施例1之雷射退火裝置之概略構成的立體圖。 圖2⑷、2(b)係表示使用本發明之平面顯示裝置之製造裝 置的貝軛例1 ’照射線狀雷射光形成模擬單結晶之前後之矽 腰之狀恶的平面圖。 圖3⑷至3⑷係說明使用本發明之平面顯示裝置之製造 裝置的實施例卜藉由雷射照射進行⑦膜之結晶化之步驟的 立體圖。 至繞射光學元件之入射路 生變化之樣子的平面圖。 圖4(a)、4(b)係表示藉由雷射光 徑變化，整形之雷射光強度分佈產 么圖5⑷、5(b)係表示藉由雷射光至鮑威爾透鏡之入射路徑 變化’整形之雷射光強度分佈產生變化之樣子的平面圖。 圖6係表不使用本發明之平面顯示裝置之製造裝置的實 施例1’照射整形為不均—之空間強度分佈之雷射光進行石夕 膜之結晶化時形成之結晶狀態的平面圖。 圖7⑷，7(b)係表示入射至繞射光學元件之雷射光之 空間強度分佈產生變化’整形之雷射光強度分佈產生變化 之樣子的平面圖。 圖8(a)，8(b)係表 示It由入射至繞射光學元件之雷射光之 96703.doc -32- 1262598 光束輕變化，整來夕φ έ止 1形之每射先強度分佈產生變化之樣子的平 面圖。 承圖9⑷’ 9(b)係說明本發明之平面顯示裝置之製造裝置的 只細例1中，進行人射至雷射光整形光學元件之雷射之空間 強度分佈與光束徑修正之步驟之_例的立體圖。 圖10係說明本發明之单& m 月之千面顯不岌置之製造裝置的實施例 2中，進行至雷射光整形光學元件之入射位置之修正之步驟 之一例的立體圖。 圖U係說明本發明之平面顯示裝置之製造裝置的實施例 2中’進仃至雷射光整形光學元件之入射位置之修正之步驟 之一例的立體圖。 圖12係本發明之平面顯示裝置之製造裝置的實施例2 中’將以測緣器數點檢測之雷射光積分強度作為各檢測位 置之函數曲線化並以圖表表示之圖。 圖13係表示本發明之平面顯示裝置之製造裝置的實施例 2中’因雷射光入射至雷射光整形光學元件之位置偏離造成 雷射光整形強度分佈變得不均一之樣子之一例的立體圖。 圖14係說明本發明之平面顯示裝置之製造裝置的實施例 2中進仃至雷射光整形光學元件之入射位置之修正之步驟 之一例的立體圖。 λ 圖15係本發明之平面顯示裝置之製造裝置的實施例2 中’將以測繪器數點檢測之雷射光積分強度作為各檢測位 置之函數曲線化並以圖表表示之圖。 圖1 6係說明本發明之平面顯示裝置之製造裝置的實施例 96703.doc -33 * 1262598 101 基本模式成分 110 射出雷射光 120 光束徑 132 小粒徑結晶 133， 134 通道 150 非晶質矽薄膜 151 大型基板 152 準分子雷射光 153 多結晶矽薄膜 154 固體雷射光 155， 156， 158， 159 期望區域 157 線狀雷射光 201， 203， 251， 253 光軸調整用鏡 面 202， 204， 252， 254 驅動機構 205， 255， 256 孔徑光攔 209， 259 光束分離器 206 孔徑光欄之孔 中 心 208 雷射光整形光 學 元件之中心 212 整形雷射光 218， 219 空間強度分佈 217 曲線 260 雷射光強度檢 出 機構 96703.doc -36-
Claims (1)
1262598 十、申請專利範圍： 置，其特徵在於：該平面顯 成於絕緣基板上之梦膜，進 電晶體構成者，其製造裝置 構’其將照射至上述矽膜之 一種平面顯示裝置之製造裝 示裝置係以照射雷射光至形 行膜質之改善而形成之薄膜 包含雷射光強度分佈整形機 上述雷射光之強度分佈調整為期望之強度分佈；強度分 佈保持機構，其用以將入射至上述雷射光強度分佈整形 機構之雷射光之強度分佈保持為規定之強度分佈；雷射 光空間強度分佈檢測機構’其檢測人射至上述雷射光強 度分佈整形機構之雷射光之空間強度分佈，·處理機構， 其處理取得之空間強度分佈信號並抽出光束直徑狀與光 束直徑之資訊，·光束直徑控制機構，其用以藉由以上述 處理機構獲得之資訊控制上述光束直徑為規定之數值； 光軸偏離檢測機構，其用以檢測入射至上述雷射光強度 分佈整形機構之雷射光之光軸之偏離；及光軸控制機 〃用以將入射至上述雷射光強度分佈整形機構之雷 射光之光軸控制為特定之光軸。 2. 3· 、、頁1之平面顯示裝置之製造裝置，其中上述雷射光 強度刀佈保持機構具有兩片凸透鏡，以及配置於以上述 2 =鏡集束之上述雷射光之焦點的一片空間濾波器，使 Μ射光通過上述空間濾波器，藉此除去空間雜 如請求項1之承：& 艾干面顯示裝置之製造裝置，其中上述光束直 徑控制機檨&人# 、 3於上述雷射光強度分佈整形機構中使用 96703.doc 1262598 之兩片凸透 機構。 、竟，以及於光軸方向驅動上述凸透鏡之驅動 4β 5· 如請求項1之 別拖、平面顯示裝置之製造裝置，其中上述光軸押 制機構具有勺· 4 平田？工 、 匕含至少兩片之驅動機構的鏡及至少一片 孔從為可變的 文的可變光闌。 如明求項1之平面顯示裝置之製造裝置，其中作為上述雷 射光使用連續振盪固體雷射光或經時間調變之連續振 盈 jl] Φ A 1 I田对光’或者脈衝振盪固體雷射光之任何一種。 96703.doc
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