TWI259024B - Manufacturing method of organic electroluminescent device, organic electroluminescent device, substrate for organic electroluminescent device and electronic apparatus - Google Patents

Description

1259024 -------------- -----------….…… …… 容部3 05之表面，施以電漿處理等之表面改性處理，形成 疏液化部及親液化部，於該液滴受容部3 0 5內，經由滴下 包含機能性材料之液滴，形成機能性元件（例如參照專利 文獻1 )。 〔專利文獻1〕日本專利第3 3 2 8 2 8 7號說明書 【發明內容】 〔發明之揭示〕 〔發明欲解決之課題〕 但是，於上述製造方法中，於形成畫素電極3 0 2時， 爲圖案化畫素電極302之光阻光罩，與畫素電極302之材 料接觸之故，該光阻光罩之殘留物會有污染畫素電極3 02 之表面的問題。然後，於如此污染之畫素電極3 02之表面 上’經由形成正孔植入層或發光層等之發光機能層，發光 機能層之可靠性會有下降的問題。 更且’經由使用丙烯酸或聚醯亞胺等之有機材料，於 塗佈形成層間絕緣膜3 0 1之時，會有以下所示幾個問題。 (1 )施以濕蝕刻或光阻劑剝離等之濕式步驟，進行 晝素電極3 02或第1間隔壁3 0 3之圖案化，會有層間絕緣 膜3 0 1之有機材料膨潤，於連繫於平面之畫素電極3 02或 第1間隔壁3 0 3，產生應力，尤其在於顯示特性會於重要 畫素範圍（畫素電極3 0 2 )產生損傷。又，會產生層間絕 緣膜3 0 1和第1間隔壁3 0 3的接合面之剝離。 (2 )於有機材料所成層間絕緣膜3 〇丨上，使用電漿 -5- ( 3- ).… -.—..— - …- …—— 1259024 C V D等，形成第1間隔壁3 0 3時，於有機材料表面給予損 : 害，成膜第1間隔壁3 0 3之故，第1間隔壁3 0 3和層間絕 ； 緣膜3 0 1之密著性會變低，第1間隔壁3 03和層間絕緣膜 3 0 1則易於剝離。在此，該膜被剝離時，粒子會飛散，污 染真空容器內。又，經由該粒子存在於真空容器或基板上 ，有機電激發光裝置之產率會有下降之虞。 (3 )第1間隔壁3 〇 3乃被覆無機材料所成畫素電極 φ 3 02和有機材料所成301之表面而形成之故，有機材料之 蝕刻速度較無機材料爲大之故，飩刻第1間隔壁3 03時之 蝕刻控制性則變得困難。 本發明乃有鑑於上述課題而創作者，達成給予畫素範 圍之損傷的抑制，和對於真空容器內之污染之防止，更且 可提供實現第1間隔壁之蝕刻控制性的提升之有機電激發 光裝置之製造方法、有機電激發光裝置、有機電激發光裝 * 置用基板、及電子機器爲目的。 〔爲解決課題之手段〕 爲達上述目的’本發明乃採用以下之構成。 - 本發明之有機電激發光裝置之製造方法，乃第1電極 \ 上’具備被第1間隔壁及第2間隔壁包圍之發光機能層的 有機電激發光裝置之製造方法，其特徵乃具備於層間絕緣 膜上，依第1電極材料和第丨間隔壁材料之順序成膜的工 程，和將則述第1電極材料及前述第丨間隔壁材料，以同 一形狀之光卓圖案化’形成前述第1電極和前述第1間隔 冬 1259024 壁的工程，和於前述層間絕緣膜上及前述第1間隔壁材料 / 上，形成前述第2間隔壁的工程。 - 如此之時，形成第1電極之工程中，圖案化第1電極 之光阻光罩和第1電極材料則保持於非接觸狀態，可防止 該光阻光罩之殘留物所成第1電極的污染。因此，於具有 淸淨之表面狀態的第1電極上，形成正孔植入層或發光層 等之發光機能層之故，可提升發光機能層之可靠性，提供 φ 良好有機EL裝置。 又，層間絕緣膜乃有機材料爲佳。經由使用該有機材 料，經由濕式成膜法，形成層間絕緣膜之故，較真空成膜 法而言，可藉由簡單之設備，以低製造成本進行成膜。又 ，於真空成膜法中，難以厚膜化，但濕式成膜法時可容易 達成厚膜化。 ' 又，經由第1間隔壁僅形成於第1電極上，與有機材 • 料接觸之第1電極及第1間隔壁之合計面積，較以往技術 • 爲少。因此’製造步驟中，或於完全體之狀態，於層間絕 緣膜（濕式工程之膨潤或機械式應力）產生應力時，可減 低應力之故，可抑制破損或剝離等之產生。 _ 又，層間絕緣膜和第1間隔壁保持於非接觸之故，不 會產生於以往技術成爲問題之層間絕緣膜和第1間隔壁之 接合面之剝離。 又’做爲第2間隔壁之材料，經由採用有機材料，將 層間絕緣膜和第2間隔壁一同經由有機材料加以構成之故 ，可實現該層間絕緣膜和第2間隔壁之密著性之提升。然 1259024 r 5 ) 後，於該構造中，接觸同程度之硬度之有機材料加以構成 * 之故，亦可實現有機E L裝置之強度提升。 ~ 又，將第1間隔壁材料，使用電漿CVD等之方法加 以形成時，進行該步驟時，未曝露層間絕緣膜之故，乃可 無該層間絕緣膜之有機材料經由電漿損傷而蝕刻，防止伴 隨有機材料之蝕刻的製造裝置之污染。 又，於以往技術中，第1間隔壁材料形成於層間絕緣 φ 膜及第1電極材料所成複數之層膜上之故，該第1間隔壁 材料之鈾刻控制性雖爲困難，本發明中，第1間隔壁乃僅 形成於第1電極材極上之故，得良好之蝕刻控制性，可抑 制面內之第1間隔壁之蝕刻率的不均勻化。 又，於層間絕緣膜上，將第1電極材料和第1間隔壁 材料順序成膜，以同一形狀之光罩加以圖案化之故，無需 圖案化第1電極材料和第1間隔壁材料之各材料，達成工 程之簡易化。 % 然後，於如此製造方法中，於第1電極上，形成第1 間隔壁及第2間隔壁所成液滴收容部。然後，經由使用液 滴吐出法，液滴化發光機能層之液體材料，吐出至液滴收 ^ 容部，於液滴收容部內形成發光機能層。 又，於有機電激發光裝置之製造方法中，更具備除去 前述第1間隔壁之一部分，露出前述第1電極之工程爲特 徵。 在此，形成除去第1間隔壁之一部分之光罩後，對應 於該光罩，露出第1電極。 -8- 1259024 ' ................................... . _______________ ________________ 根據此時’經由第2間隔壁被覆之第1間隔壁之表面 • 則露出’該第1間隔壁之露出面積則會變大。因此，使用 - 後工程之液滴吐出法，於液滴收容部，塗佈形成發光機能 層之液體材料時’液體材料與第1間隔壁之接觸面積會變 大。即’於具有親液性之第1間隔壁，液體材料會適切濕 潤擴展’可確實施以液體材料和畫素電極之接觸 又’前述有機電激發光裝置之製造方法中，對應於形 • 成在前述第1間隔壁材料上之光罩，圖案化前述第1間隔 壁材料’形成第1間隔壁，將該第1間隔壁做爲光罩，圖 案化前述第1電極材料，形成第1電極爲特徵。 根據如此’可形成對應於光罩形狀之第1間隔壁，可 形成對應於第1間隔壁之平面形狀的第1電極。由此，可 將第1間隔壁和第1電極，以同一形狀之光罩加以形成。 又’前述有機電激發光裝置之製造方法中，對應於形 成在前述第1間隔壁材料上之光罩之形狀，一齊圖案化前 • 述第1電極材料及前述第1間隔壁材料，形成第1間隔壁 及前述第1電極爲特徵。 根據如此時，形成對應於同一光罩形狀之第1間隔壁 - 材料及第1電極。更且，經由整體圖案化，形成第1間隔 壁及第1電極之故，可達成工程數之簡化。又，於此方法 中’未光罩第1間隔壁之故，圖案化第1電極材料時之濕 蝕刻液或乾蝕刻氣體乃不與第1間隔壁上面接觸。因此， 可防止對於第1間隔壁上面之濕蝕刻液或乾蝕刻氣體之影 -10- 1259024 .—⑻.________________________________________ .……——…._ ' …… 又，前述有機電激發光裝置之製造方法中，使用乾蝕 ： 刻法，進行前述第1電極材料和前述第1間隔壁材料之圖 ： 案化’形成第1間隔壁及前述第1電極爲特徵。 如此，使用乾蝕刻法之故，不會有起因於濕式工程之 層間絕緣膜（有機材料）膨潤之故，可防止層間絕緣膜之 應力的產生。 然而，於以往技術中，以電漿c V D法形成第1間隔 # 壁材料時，第1間隔壁和層間絕緣膜則易於剝離，有會招 A真空谷器內之污染的問題，但本發明非成膜工程，於圖 案化工程進行乾蝕刻（電漿處理）之故，不會招致起因於 膜剝離之真空容器內之污染。 又’前述有機電激發光裝置之製造方法中，於前述層 間絕緣膜上，形成賦予前述層間絕緣膜和前述第1電極之 ' 密著性的密著性賦予膜。 D 如此，密著性賦予膜確實密著層間絕緣膜和第〗電極 # 之故，可實現有機EL裝置之強度提升。 又’本發明之有機電激發光裝置，於第1電極上，具 備被第1間隔壁及第2間隔壁包圍之發光機能層的有機電 . 激發光裝置，其特徵乃於前述發光機能層之側部，設置第 # 1間隔壁及第2間隔壁，前述第1間隔壁乃僅設於前述第 1電極上。 在此，第1電極和第1間隔壁乃於層間絕緣膜上，順 序成膜第1電極材料和第1間隔壁材料後，以同一形狀之 光罩，經由圖案化第〗電極材料及第1間隔壁材料加以形 -11 - 1259024 (.g) 一.……................—….______________________________________________________________________________________.._ 成。如此之時，可得與先前記載之製造方同樣之效果。 • 又，本發明之有機電激發光裝置用基板，N S 1於第1 : 電極上，形成前述第1間隔壁的有機電激發光裝置用基板 ，其特徵乃前述第1電極乃形成於層間絕緣膜上，僅於該 第1電極上設置第1間隔壁者。 在此，第1電極和第1間隔壁乃於層間絕緣膜上，順 序成膜第1電極材料和第1間隔壁材料後，以同一形狀之 • 光罩，經由圖案化同一形狀之第1電極材料及第1間隔壁 材料加以形成。 如此，可得與先前記載之製造方法同樣之效果。 又，更且，對於如此之有機EL裝置用基板2，形成 第2間隔壁，將包圍於第1間隔壁及第2間隔壁之發光機 能層，形成於第1電極上，可得與先前記載之製造裝置同 樣之效果。 又，本發明之電子機器乃具備先前記載之有機電激發 • 光裝置爲特徵。 做爲電子機器，例如可例示攜帶電話、行動資訊終端 、手錶、文字處理器、個人電腦等之資訊處理裝置等。又 • ，例示具有大型之顯示畫面之電視、或大型監視器等。如 此，於電子機器之顯示部，經由採用本發明之有機EL顯 示裝置，可提供顯示特性良好之電子機器。 【實施方式】 接著，參照圖1〜圖5，對於本發明之有機電激發光裝 -12- 1259024 ..........(1..1.)-- ——…—......….- -......................................... …… 汲極電極2 5 D、和上絕緣膜2 6所構成。 ^ 在此，基材絕緣膜2 1乃形成於基板1 0之表面之絕 > 膜，使基板1 0和半導體層22保持非接觸之層膜。 又，半導體層22乃由源極範圍22S、通道範圍22C 及汲極範圍22D所成，經由閘極電極24之電場作用， 行源極範圍22S和汲極範圍22D間之開關之層膜。 又，閘極絕緣膜23乃設於閘極電極24和半導體層 φ 間之層膜，爲得半導體層22和閘極電極24之電性絕緣 者。 又，閘極電極24乃藉由閘極絕緣膜23，對向於通 範圍22C配置之層膜。經由流於該閘極電極24之電流 ，薄膜電晶體20之開關特性可依期望獲得。 源極電極25S及汲極電極25D乃藉由形成於上絕緣 26之連接孔，各連接於源極範圍22S及汲極範圍22D 電極。 • 構成如此薄膜電晶體20之層膜及電極乃經由公知 製造方法所製造。例如，使用各種成膜法、微縮法、及 刻法等。又，形成半導體層22之源極範圍22S、通道 . 圍2 2 C及汲極範圍2 2 D時，則採用離子掺雜法等。 _ 層間絕緣膜3 0乃經由採用有機物或無機物之任一 料而形成。在此，做爲層間絕緣膜3 0，採用有機物之時 例如可適於採用丙烯酸樹脂或聚醯亞胺樹脂等。於如此 料中，採用非感光性樹脂或感光性樹脂。 又，成膜如此有機物之時，可適切採用濕式成膜法 緣 進 22 性 道 量 膜 的 之 鈾 範 材 材 -14- 1259024 (42_)—ι_———————i.一— —————.... 做爲濕式成膜法，可採用旋塗法、浸漬法、狹縫塗佈法等 _ 。於如此濕式成膜法中，旋塗法爲適切者，可以均勻膜厚 ，加以成膜。又，於成膜後，需施以熱處理等，進行樹脂之 硬化。 又，做爲層間絕緣膜3 0，採用無機物時，採用矽氧化 物、矽氮化物、矽氧氮化物等。 於成膜無機物時，可適切採用真空成膜法或濕式成膜 φ 法。做爲真空成膜法，採用CVD法、濺鍍法、蒸著法。 又，做爲濕式成膜法，採用上述同樣之旋塗法，做爲無機 材料採用全氫化聚矽胺烷爲佳。全氫化聚矽胺烷乃-( SiH2NH )-爲基本單元之化合物的物質名。又，該全氫化 聚矽胺烷乃可溶於有機溶劑的之無機聚合物之故，經由與 有機溶劑之混合，可做爲液體材料加以處理。又，全氫化 聚矽胺烷乃具有於非活性環境中，經由高溫燒成，伴隨脫 氫反應，產生熱硬化收縮，向矽氮化物之陶瓷轉化的性質 φ 。又，具有於大氣中或含水蒸氣之環境，經由燒成，與水 與氧反應，向矽氧化物轉化的性質。 如上述之濕式成膜法乃較真空成膜法而言，容易原膜 ^ 化之故，於形成層間絕緣膜3 0之時，採用濕式成膜法爲 更佳。又，經由施以厚膜化，薄膜電晶體2 0之凹凸形狀 則不轉印於層間絕緣膜3 0之表面，該層間絕緣膜3 〇之表 面會平坦化之故，尤其適切。 更且，於層間絕緣膜3 0形成連接孔3 1。 在此，連接孔3 1之形成方法乃層間絕緣膜3 〇呈非感 -15- 1259024 ................---.-------------------------------------------------------------------------------------------------................—…__________________________ 射層亦可。 又，做爲第1間隔壁材料42之材料，採用具有親液 • 性之材料，於本實施形態中，採用矽氧化物。然而，在此 所謂親液性乃意味對於之後塗佈之液體材料，較第2間隔 壁之材料（後述）相對性具有親液性者。 做爲成目吴如此畫素電極材料4 1及第1間隔壁材料4 2 之方法，可適切地採用真空成膜法。 Φ 接著，如圖1 ( c )所示，圖案化畫素電極材料4 1和 第1間隔壁材料4 2，形成畫素電極（第1電極）4 i a和第 1間隔壁4 2 a (令第1電極材料及第1間隔壁材料以同一 形狀之光罩加以圖案化，形成第1電極和第1間隔壁之工 程）。 在此’參照圖3，對於畫素電極材料4 1和第1間隔壁 材料42之圖案化加以詳述。圖3乃顯示圖1 ( c )之層間 絕緣fl吴3 0、畫素電極材料4 1、及第1間隔壁材料4 2之主 # 要部分圖，經由蝕刻，至形成畫素電極4 1 a及第1間隔壁 42a的工程圖。然而，於圖3中，連接孔3 1雖未圖示，連 接孔3 1乃形成於未圖示部分，藉由該連接孔3 1，連接畫 — 素電極材料4 1和汲極電極2 5 D。 如圖3 (a)所示，首先形成光罩（同一形狀之光罩） 4 pR °該光罩P R乃對於經由旋塗法塗佈形成之光阻膜，施 以熱處理、曝光處理及顯像處理加以形成。 接著，如圖3(b)所示，殘留光罩PR下，於畫素電 極材料4 1及第1間隔壁材料4 2，施以蝕刻處理，形成畫 - 17- 1259024 .十-- — --------------------------------------------------------------—.- ——.....—................................................ 素電極4 1 a及第1間隔壁4 2 a。 在此，做爲蝕刻處理，使用濕蝕刻法或乾蝕刻法 濕蝕刻法中，做爲除去第1間隔壁材料4 2之砂氧化 蝕刻液，採用氟酸（HF )爲主體者爲適切。又，做爲 畫素電極材料41之ITO的蝕刻液，乃浸漬於HF之 液’圖案化第1間隔壁材料42之後，洗淨層間絕緣j 上及畫素電極材料4 1上，之後浸漬於王水，圖案化 電極4 1 a。 又，於乾蝕刻法中，於氟氣體之電漿，經由曝露 間隔壁材料42，除去第1間隔壁材料42。 又，於除去畫素電極材料4 1之IΤ Ο的乾蝕刻方 ，使用HBr、HI等之鹵化物之氣體。 如此乾蝕刻法中，於同一處理室內，改變蝕刻氣 進行處理之故，可一齊形成第1間隔壁42a及畫素 41a。又，如圖3 ( b )所示，第1間隔壁42a及畫素 # 4 1 a之側部形狀乃呈產生挖取E之形狀，於乾蝕刻法 經由使用向異性鈾刻法（RIE )，可將側部之形狀適 加以控制。 .然而，於圖3(b)中，殘留光罩PR是爲重要之 不使用會除去光罩PR之氣體，例如不使用氧氣之電 進行乾蝕刻法爲佳。 接著，如圖3 ( c )所示，經由除去光罩pr，圖 畫素電極41a及第1間隔壁42a則終止。 接著，回到圖1 ，對於有機EL裝置之製造方法 。於 物的 除去 蝕刻 莫30 畫素 第1 法中 體而 電極 電極 中， 切地 故， 漿， 案化 持續 -18- 1259024 〈. 1.·0 +). …—---------------------------—____________________________________ 加以說明。 • 如圖1 ( d )所示，除去第Ϊ間隔壁42a之一部分，露 _ 出畫素電極4 1 a，形成電極露出部4 1 b (除去第丨間隔壁 之一部分，露出第1電極之工程）。 在此’將未圖示之光罩，形成於第1間隔壁4 2 a上， 對應該光罩之圖案，蝕刻第1間隔壁42a，而形成電極露 出部4 1 b，做爲第1間隔壁4 2 a之蝕刻方法，可如上述適 φ 切採用濕蝕刻、乾蝕刻法。又，經由如此之蝕刻方法，於 第1間隔壁42a形成間隔壁側部42b。該間隔壁側部42b 乃較4 1 b之表面，以特定角度加以傾斜爲佳。 經由如此記載於圖1 ( a )〜（d )之製造方法，完成有 機EL裝置用基板2。接著，參照圖1 ( e )及圖2，順序 形成第2間隔壁或發光機能層，對於形成有機EL裝置之 方法加以說明。 如圖1 ( e )所示，於有機EL裝置用基板2中，被覆 φ 層間絕緣膜3 0及第1間隔壁42a上地，形成第2間隔壁 4 5 (於層間絕緣膜上及第1間隔壁材料上’形成第2間隔 壁之工程）。又，該第2間隔壁45乃以形成電極露出部 41 b之狀態加以形成（露出第1電極後’形成第2間隔壁 # 之工程）。 * 在此，第2間隔壁4 5之形成方法乃於全面形成第2 間隔壁4 5之材料之後，形成對應畫素電極4 1 a之開口部 4 5 a而進行。 做爲如此第2間隔壁4 5之材料’丙烯酸樹脂或聚醯 -19- --447)…—. .…——..................—— ——..................... ........................_—_—.…… 1259024 亞胺樹脂等之有機物爲適切者，又，可採用非感光性樹脂 ^ 或感光性樹脂。於成膜如此有機物時，可適當採用濕式成 ~ 膜法。做爲濕式成膜法，可採用旋塗法、浸漬法、狹縫塗 佈法等。於如此濕式成膜法中，旋塗法爲適切者，可以均 勻膜厚加以成膜。又，於成膜後，需施以熱處理等，進行 樹脂之硬化。 更且，使第2間隔壁45之材料和層間絕緣膜30之材 • 料爲同一者爲佳。或者以同樣有機材料加以形成爲佳。如 此之時，可提升材料間之密著力的同時，熱膨脹係數亦略 爲同一之故，對於熱應力或機械性之應力，可成安定構造 〇 又，開口部45a之形成方法乃在第2間隔壁45爲非 感光性樹脂所成時，和爲感光性樹脂所成時，處理上會有 不同。 首先，於非感光性樹脂時，經由使用光阻膜之蝕刻處 • 理，施以圖案化。具體而言，將光阻膜塗佈形成於層間絕 緣膜3 0上後，施以熱處理、曝光處理、顯像處理，形成 光罩開口部，然後施以蝕刻處理，經由除去對應於該光罩 . 開口部之非感光性樹脂，形成開口部4 5 a。 對此，第2間隔壁45乃由感光性樹脂所成時，無需 Μ 光阻膜，對於第2間隔壁4 5本身，順序施以熱處理、曝 光處理、顯像處理’而形成開口部4 5 a。 又’每當形成如此開口部4 5 a，曝露第1間隔壁4 2 a 之間隔壁側部42b、和第1間隔壁上部42c爲佳。經由如 -20- 1259024 (1-8-) 此，於後工程使用噴墨法（液滴吐出法）時，於第1 壁42a附近，可使液滴適切地加以濕潤擴散。 ~ 又，經由形成開口部4 5 a，於畫素電極4 1 a上， 經由第1間隔壁42a和第2間隔壁45所包圍之液滴 部46，更且，對於液滴收容部46，施以 02電漿處 CF4電漿處理等，親液化畫素電極41a，疏液化第2 壁4 5。由此，將經由噴墨法吐出之液體材料，停留於 φ 收容部46內的同時，液體材料可適切地加以濕潤擴 液滴收容部46內。 接著，如圖2所示，形成發光機能層47及陰極 將基板1 〇和封閉基板5 6，藉由封閉樹脂（未圖示） 貼合，完成有機EL裝置1。在此，於基板1 0及封閉 5 6間，於封閉基板5 6之內面，貼黏吸收水分或氧之 劑55。又，該空間部乃塡充氮氣氣體，成爲氮氣氣體 層54。於此構成之下，於有機EL裝置1內部，可抑 • 分或氧之浸透，由此，有機EL裝置1乃可達成長壽 。如此有機EL裝置1乃成爲令發光光線從基板1 〇側 之所謂底發射型之有機EL裝置。，更且，做爲封閉樹 材料，採用與第2間隔壁4 5之材料或層間絕緣膜3 0 之材料爲佳。或是同樣以有機材料加以形成爲佳。如 # 時，材料間之密著力可提升的同時，熱膨漲係數亦略 同之故，對於熱應力或機械應力而言，呈安定之構造 接著，對於發光機能層47之構成、及陰極53， 說明。 間隔 形成 收容 理或 間隔 液滴 散於 53， 加以 基板 吸氣 塡充 制水 命化 取出 脂之 同一 此之 爲相 加以 -21 - 1259024 …4^20 ) ------------------ ------------------ -- -. . _ . _ _ . .…一… I—_______________________ .——— MEHPPV (聚（3 -甲氧基- 6-(30乙基已基）亞苯基乙燒） ，做爲綠色之發光層5 1之形成材料，例如使用聚二辛基 •芴和F8BT (二辛基芴和苯并噻二唑之交互共聚物）之混 合溶液，做爲藍色之發光層51之形成材料，例如使用聚 二辛基芴。又，對於如此發光層5 1，尤其在厚度上無特別 限制，於各色調整喜好之膜厚。 電子植入層52乃形成於發光層51上者。該電子植入 φ 層5 2之材料乃對應於發光層5 1之各種材料適切加以選擇 。做爲具體之材料，可適切使用LiF (氟化鋰）、NaF ( 氟化鈉）、KF (氟化鉀）、RbF (氟化_ ) 、CsF (氟化 鉋）等或鹼金屬之氧化物，β卩Li20 (氧化鋰）、Na20 ( 氧化鈉）等。又，做此電子植入層 52之厚度，以 〇.5nm〜10nm等程度爲佳。

陰極5 3乃具備較電子植入層5 2之總面積爲廣之面積 ’被覆此而形成者。爲設於電子植入層52上之低工作函 • 數之金屬所成第1陰極，和設於該第1陰極上，保護該第 1陰極之第2陰極所成者。做爲形成第1陰極之低工作函 數之金屬，尤以工作函數3.0 eV以下之金屬爲佳，具體而 ^ 言可適用 Ca (工作函數：2.6 eV) 、Sr (工作函數：2.1 eV )、Ba (工作函數：2.5 eV)。第2陰極乃被覆第1陰極， 自氧或水分等加以保護的同時，爲提升陰極5 3整體之導 電性而設者。做爲此第2陰極之形成材料，只要是化學性 安定’工作函數低者，則無需特別加以限定，可爲任意者 ’例如可使用金屬或合金等，具體邢言可適用A1 (鋁）或 -23- (-2-^ ；) -------------------------- ------------ ----------------------------------------- ------- 1259024

Ag (銀）等。 • 然而，上述構成之有機EL裝置1雖具有底放射型之 構造，但非限定於此，該有機EL裝置1亦可適用於從層 間絕緣膜3 0側最出發光光線之所謂頂發射型。 於頂發射型之有機EL裝置時，爲從基板1 〇之對向側 之封易基板3 0側，取出發光光線構成之故，可使用透明 基板及不透明基板之任一者。做爲不透明基板，例如除了 φ 於氧化鋁等之陶瓷、不鏽鋼等之金屬薄片施以表面氧化等 之絕緣處理之外，可列舉熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂等 〇 如上所述，於本實施形態中，具備於層間絕緣膜30 上，順序成膜畫素電極材料4 1和第1間隔壁材料42之工 程，和將畫素電極材料4 1及第1間隔壁材料42以光罩 PR加以圖案化，形成畫素電極41a和第1間隔壁42a之 工程、和於層間絕緣膜3 0上及第1間隔壁42a上形成第2 φ 間隔壁45之工程之故，圖案化畫素電極41a之光阻光罩 和畫素電極材料4 1則保持於非接觸狀態。因此，可防止 該光阻光罩之殘留物所成畫素電極4 1 a的污染。因此，於 g 具有淸淨之表面狀態的畫素電極4 1 a上’形成正孔植入層 5〇或發光層51等之發光機能層47之故，可提升發光機能 層4 7之可靠性，提供有機E L裝置1。 又，層間絕緣膜3 0乃由有機材料所成爲佳，於此時 ，經由濕式成膜法，可形成層間絕緣膜3 0之故’較真空 成膜法而言，可藉由簡單之設備，以低製造成本進行成膜 -24- .02.)_ ” .............-…-—— —— 1259024 。又，於真空成膜法中，難以厚膜化’但濕式成膜法時可 容易達成厚膜化。 - 又，於成膜第1間隔壁材料42之前，於層間絕緣膜 3 0上形成畫素電極材料4 1之故’層間絕緣膜3 0則經由畫 素電極材料4 1被保護。因此，使用電漿CVD，成膜第1 間隔壁材料42時，層間絕緣膜3 G本身非曝露於電漿之故 ，可防止該層間絕緣膜3 0之電漿損傷，可安定形成第1 φ 間隔壁材料42。 又，第1間隔壁42a經由僅形成於畫素電極41a上， 與有機材料接觸之畫素電極41a及第1間隔壁42a之合計 面積則較以往技術變少。因此，於製造步驟中或完成體狀 態，於層間絕緣膜3 0產生應力之時，可減低應力，抑制 破損或剝離等之產生。 又，層間絕緣膜30和第1間隔壁42a焦持於非接觸 之故，不會產生以往技術成爲問題之層間絕緣膜3 0和第1 φ 間隔壁42a之接合面的剝離。 又，做爲第2間隔壁4 5經由採用有機材料，令層間 絕緣膜3 0和第2間隔壁45 —同經由有機才料加以構成之 故，可實現該層間絕緣膜3 0和第2間隔壁4 5之密著性的 提升。然後，於該構造中，接觸同程度之硬度有機材料加 以構成之故，可實現有機EL裝置1之強度提升。 又，令第1間隔壁材料42使用電漿CVD等之方法 形成時’於進行該步驟時’未露出層間絕緣膜3 0之故， 該層間絕緣膜3 0之有機材料不會經由電漿損傷而蝕刻， -25- (23) — 1259024 可防止伴隨有機材料之蝕刻製造裝置之污染。 又’於以往技術中，第丨間隔壁材料4 2形成於層間 — 絕緣fe 3 0及畫素電極材料4 1所成複數之層膜上之故，該 第1間隔壁材料4 2之蝕刻控制性原本會有困難，但本實 施形態中’第1間隔壁材料42乃僅形成於畫素電極材料 4 1上之故，可得良好之蝕刻控制性，可抑制面內之第1間 隔壁4 2 a之蝕刻率的不均勻化。 • 又，於層間絕緣膜3 0上，順序成膜畫素電極材料4! 和第1間隔壁材料42，以光罩PR加以圖案化之故，無需 圖案化畫素電極材料4 1及第1間隔壁材料42之各材料， 達成工程之簡單化。 然後，於如此製造方法中，於畫素電極4 1 a上，形成 第1間隔壁42a及第2間隔壁45所成之液滴收容部46。 然後’經由使用噴墨法，液滴化發光機能層47之液體材 料’吐出至液滴收容部46。於液滴收容部46內形成發光 _ 機能層47。 又’具有除去第1間隔壁42a之一部分，曝露畫素電 極41a之工程之故，使用液滴吐出法，將發光機能層47 , 之液體材料朝向畫素電極4 1 a吐出，於電極露出部4 1 b彈 著液體材料，形成發光機能層4 7。 又’形成第2間隔壁45之工程乃於基板1 0上全面形 成第2間隔壁4 5之後，於對應於畫素電極4 1 a之部分， 形成開口部4 5 a之故，於對應於畫素電極4 1 a之部分，可 形成液滴收容部4 6。 -26- 1259024 —124J...........—..........................______________________________________________________________________________________ __________________________________________一― 又，於形成電極露出部41 b之後，形成第2間隔壁4 5 ^ 之故，於電極露出部4 1 b上，施以第2間隔壁4 5之材料 〃的全面塗佈、及開口部4 5 a之形成。由此，於形成開口部 45a之後，可確實曝露電極露出部41b。 又，對應於形成於第1間隔壁材料42上之光罩PR， 整體圖案化畫素電極材料4 1及第1間隔壁材料4 2，形成 第1間隔壁4 2 a及畫素電極材料41之故，可形成對應於 φ 光罩PR之形狀之第1間隔壁42a及畫素電極41a。更且 ，經由整體圖案化，形成第1間隔壁42a、畫素電極41a 之故，可達成工程之簡化。又，於此方法中，未光罩第1 間隔壁42a之故，圖案化畫素電極材料41時之濕蝕刻液 或乾蝕刻氣體乃不與第1間隔壁42a上面接觸。因此，可 防止對於第1間隔壁42a上面之濕蝕刻液或乾鈾刻氣體之 影響。 又，於有機EL裝置1之製造方法中，使用乾触刻法 # ，進行畫素電極材料4 1和第1間隔壁材料42之圖案化， 形成第1間隔壁42a及畫素電極41a爲特徵。 經由使用如此乾蝕刻法之故，不會有起因於濕式工程 . 之層間絕緣膜3 0膨潤之故，可防止層間絕緣膜3 0之應力 的產生。 然而，於以往技術中，以電漿CVD法形成第1間隔 壁材料42時，第1間隔壁42a和層間絕緣膜3 0則易於剝 離，有會招致真空容器內之污染的問題，但本實施形態非 成膜工程，於圖案化工程進行乾蝕刻（電漿處理）之故， - 27- !259〇24 _________________________________--…—._________________________________________________ 不會招致起因於上述膜剝離之真空容器內之污染。 # 又，可經由上述製造方法，製造有機EL裝置1。又 可製造有機EL裝置用基板2。此等可得與上述製造方法 同樣之效果。 (有機EL裝置之製造方法之第2實施形態） 參照圖4及圖5，對於有機EL裝置之製造方法之第2 # 實施形態加以說明。 在此，圖4(a)〜（d)乃爲說明有機EL裝置之製造 方法的工程圖、圖5乃爲詳細說明圖4 ( a )之圖。 然而，於本實施形態中，對於與先前記載之第1實施 形態不同之部分加以說明。因此，於同一構成附上同一符 號，簡略說明。 首先，如圖1 ( a )所示，於基板1 0上形成薄膜電晶 體2 0、和層間絕緣膜3 0、和連接孔3 1後，連接成膜畫素 φ 電極材料4 1及第1間隔壁材料42。更且，經由圖案化畫 素電極材料41及第1間隔壁42a，形成畫素電極41a和第 1間隔壁42a。 參照圖5，對於圖案化畫素電極材料4 1和第1間隔壁 材料4 2加以詳述。圖5乃顯示圖4 ( a )之層間絕緣膜3 0 省 、畫素電極材料4 1、及第1間隔壁材料42之主要部分圖 ，經由蝕刻至形成畫素電極4 1 a及第1間隔壁42a之工程 圖。然而，於圖5中，連接孔3 1雖未圖示，連接孔3 1乃 形成於未圖示部分，藉由該連接孔3 1，連接畫素電極材料 -28- 1259024 -—______________________________________ _—.. . .… ______________________________________ 4 1和汲極電極2 5 D。 首先，如圖5 ( a )所示，於第1間隔壁材料4 2上， < 形成光罩PR。 接著，如圖5 ( b )所示，對應於光罩PR之形狀，蝕 刻第1間隔壁材料42，形成第！間隔壁42a。 接著，如圖5 ( c )所示，經由除去光罩p R，於畫素 電極材料4 1上，呈僅殘留第i間隔壁42a之狀態。 # 接著，如圖5 ( d )所示，令第1間隔壁42a做爲光罩 (同一形狀之光罩），對應於第1間隔壁4 2 a之形狀，鈾 刻畫素電極材料4 1，形成畫素電極4 1 a。 如此’與第丨實施形態同樣，可形成畫素電極4〗a及 第1間隔壁42a。 接者’回到圖4，對於有機EL裝置之製造方法，接 續加以說明。 如圖4 ( b )所示，被覆層間絕緣膜3 0及第1間隔壁 ^ 材料42上地’形成第2間隔壁45 (於層間絕緣膜及第1 間隔I壁材料上’形成第2間隔壁之工程）。然後，該第2 間隔壁45乃畫紊電極4丨a以非露出狀態加以形成。 一 接者’如_ 4 ( c )所示，除去第1間隔壁4 2 a之一部 w 分’露出畫素電極41a，形成電極露出部41b(除去第1 間隔壁之一部分，露出第1電極之工程）。 在此’第2間隔壁4 5之開口部4 5 a做爲光罩加以工 作’對應該光罩之圖案，蝕刻第1間隔壁材料4 2，形成電 極露出部4 1 b。（於形成第2間隔壁後，露出第1電極之 -29- 1259024 ---------------------------------------------------------------------———… _......... 工程）。 經由如此工程，不但是形成電極露出部4 1 b，且露出 /間隔壁側部42b。因此，形成液滴收容部46。 又，如圖4 ( d )所示，使第2間隔壁45後退，擴展 開口部4 5 a之開口面積4 5 b (於露出第1電極後，擴展第 2間隔壁之開口面積之工程）。 在此，使第2間隔壁4 5後退乃進行公知之鈾刻處理 φ 。例如鈾刻液之浸漬，或氧電漿處理等爲適宜。 如此，使第2間隔壁4 5後退時，會露出第1間隔壁 上部4 2 c之故，可適切濕潤擴展吐出至液滴收容部4 6內 之液滴。 如上所述，於本實施形態中，令第2間隔壁45做爲 光罩，於相當於開口部45a之位置，圖案化第1間隔壁 42a之故，露出畫素電極41a。由此，無需爲露出畫素電 極4 1 a之光罩，例如無需光阻光罩，可減少光罩。因此， • 可達成製造工程之減少。 又，於形成電極露出部4 1 b之後，擴展第2間隔壁之 開口面積45b之故，經由第2間隔壁45被覆之第1間隔 _ 壁上部42c則露出，該第1間隔壁42a之露出面積則會變 大。因此，使用液滴吐出法，於液滴收容部4 6，塗佈形成 液體材料時，液體材料與第1間隔壁42a之接觸面積會變 大。即，於具有親液性之第1間隔壁42a，液體材料會適 切濕潤擴展，可確實施以液體材料和畫素電極4 1 a之接觸 。又，圖案化第1間隔壁42a和第2間隔壁45之時，各 -30- 1259024 ........_________________________________________________________ 別需要爲曝光光阻光罩之曝光光罩。在以往，需經由 爲形成第1間隔壁4 2 a之曝光圖案和爲形成第2間隔 > 之曝光圖案，控制第1間隔壁上部42c。但本發明中 使用光阻光罩之故，可自我整合地控制第1間隔壁 4 2 c。因此’可於具有親液性之第1間隔壁4 2 a及畫 極4 1 a，使液體材料適切濕潤擴展，確實施行液體材 畫素電極41a之接觸。 • 又，對應於形成於第1間隔壁材料42上之光罩 圖案化第1間隔壁材料42，形成第1間隔壁42a，令 1間隔壁4 2 a做爲光罩，圖案化畫素電極材料4 1，开多 素電極4 1 a之故，可形成對應於光罩p R之形狀的第 隔壁4 2 a，可形成對應於第1間隔壁4 2 a之形狀的畫 極4 1 a。由此，可令第1間隔壁4 2 a和畫素電極4 1 a 一形狀之光罩加以形成。 然而，於上述第1實施形態及第2實施形態中， φ 層間絕緣膜3 0上，形成畫素電極4 1 a，於該層間絕 3 0上，形成提升層間絕緣膜3 0及畫素電極4〗a之密 的亦可。做爲該密著性賦予膜可適宜採用T i或Μ 〇等 屬膜。如此之時，密著性賦予膜可確實緊密於層間絕 30和畫素電極41a之故，可實現有機EL裝置1或有; 裝置用基板2之強度的提升。 (電子機器） 接著，對於具備上述實施形態之有機EL裝置之

結合 壁45 ，不 上部 素電 料和 PR， 該第 成畫 1間 素電 以同 雖於 緣膜 著性 之金 緣膜 幾EL 電子 -31 - (.2^)… .......................-- ... 1259024 機器加以說明。 圖6 ( a )乃顯示攜帶電話之一例的斜視圖。圖6 ( a /)中，5 〇 〇乃顯示攜帶電話本體，符號5 0 1乃顯示具備有 機EL裝置之顯示部。 圖6 ( b )乃顯示文字處理器、個人電腦等攜帶型資訊 處理裝置之一例的斜視圖。圖6 ( b )中，6 0 0乃顯示資訊 處理裝置，符號601乃鍵盤等之輸入部，符號603乃資訊 φ 處理本體，符號602乃顯示具備有機EL裝置之EL顯示 部。 圖6 ( c )乃顯示手錶型電子機器之一例的斜視圖。圖 6(c)中’ 700乃顯示手錶本體，符號701乃顯示具備有 機EL裝置之EL顯示部。 圖6 ( a )〜（c )所示電子機器乃具備先前實施形態所 示之有機EL裝置之故，可成爲良好顯示之電子機器。 然而，做爲電子機器，不限於上述電子機器，可適用 Φ 種種之電子機器。例如，適用於桌上型電腦、液晶投影機 、對應多媒體之個人電腦（P C )及工程工作站（E W S )、 呼叫器、文字處理器、電視、觀景型或監視直視型之攝錄 放影機、電子筆記本、電子桌上計算機、汽車導航裝置、 POS終端、具備觸控面板之裝置等之電子機器。 【圖式簡單說明】 〔圖1〕爲說明示於本發明之第1實施形態之有機E L 裝置之製造方法之圖。 -32- 1259024 -------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------- 〔圖2〕爲說明示於本發明之第1實施形態之有機EL 裝置之製造方法之圖。 〔圖3〕爲說明示於本發明之第1實施形態之有機EL 裝置之製造方法之圖。 〔圖4〕爲說明示於本發明之第2實施形態之有機EL 裝置之製造方法之圖。 〔圖5〕爲說明示於本發明之第2實施形態之有機E L 0 裝置之製造方法之圖。 〔圖6〕顯不具備本發明之有機裝置之電子機器 〇 〔圖7〕爲說明以往之有機EL裝置之製造方法圖。 【主要元件符號說明】 1 :有機EL裝置 2 :有機EL裝置用基板 _ 1 0 :基板 3 〇 :層間絕緣膜 4 1 :畫素電極材料（第1電極材料） — 41a:畫素電極（第丨電極） 42 :第1間隔壁材料 4 2a :第i間隔壁（同一形狀之光罩） 4 5 :第2間隔壁 4 5a :開口部 4 5 b :開口面積 -33- 1259024 -on---------------------------------------------------------------------------------------------- 47 :發光機能層 5 0 :正孔植入層（發光機能層） 5 1 :發光層（發光機能層） 5 2 :電子植入層（發光機能層） PR :光罩（同一形狀之光罩）

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Claims (1)

1259024 十、申請專利範圍 1 · 一種有機電激發光裝置之製造方法 於第1電極

有機電激發光裝置之製造方法，其特徵乃具備

之順序成膜的工程， 和將前述第1電極材料及前述第！間隔壁材料，以同 • 开/狀之光罩圖案化’形成則述弟1電極和前述第1間隔 壁的工程， 和於前述層間絕緣膜上及前述第1間隔壁材料上，形 成前述第2間隔壁的工程。 2·如申請專利範圍第1項之有機電激發光裝置之製 造方法，其中，層間絕緣膜乃有機材料。 3·如申請專利範圍第1項之有機電激發光裝置之製 造方法’其中，更具備除去前述第i間隔壁之一部分，露 φ 出前述第1電極之工程。 4 ·如申請專利範圍第1項之有機電激發光裝置之製 造方法，其中，形成前述第2間隔壁之工程乃於基板上將 第2間隔壁材料形成於整面後，於對應在前述第1電極之 部分’形成開口部而進行者。 5·如申請專利範圍第1項至第4項之任一項之有機 電激發光裝置之製造方法，其中，於露出前述第1電極後 ，形成前述第2間隔壁。 6 ·如申請專利範圍第1項至第4項之任一項之有機 -35- 1259024 電激發光裝置之製造方法，其中，於形成前述第2間隔壁 後’露出前述第1間隔壁。 7 ·如申請專利範圍第6項之有機電激發光裝置之製 μ方法’其中，於露出前述第1電極後，擴展第2間隔壁 之開口面積。 8 ·如申請專利範圍第1項之有機電激發光裝置之製 造方法’其中，對應於形成在前述第1間隔壁材料上之光 罩’圖案化前述第1間隔壁材料，形成第1間隔壁，將該 第1間隔壁做爲光罩，圖案化前述第1電極材料，形成第 1電極。 9 ·如申請專利範圍第1項之有機電激發光裝置之製 迫方法’其中，對應於形成在前述第1間隔壁材料上之光 卓之形狀，一齊圖案化前述第1電極材料及前述第1間隔 壁材料，形成第1間隔壁及前述第1電極。 1 0 ·如申請專利範圍第8項或第9項之有機電激發光 0 裝置之製造方法，其中，使用乾蝕刻法，進行前述第丨電 極材料和前述第1間隔壁材料之圖案化，形成第i間隔壁 及前述第1電極。 11.如申請專利範圍第1、2、3、4、8、9項之任一 項之有機電激發光裝置之製造方法，其中，於前述層間，絕 ψ 緣膜上，形成賦予前述層間絕緣膜和前述第1電極之密著 性的密著性賦予膜。 12· —種有機電激發光裝置，於第1電極上，具備被 弟1間隔壁及弟2間隔壁包圍之發;7fc機能層的有機電激發 -36- 1259024 --------------------—___________________________________________________________——_ 光裝置，其特徵乃於前述發光機能層之側部，設置第1間 隔壁及第2間隔壁， 前述第1間隔壁乃僅設於前述第1電極上。 1 3 . —種有機電激發光裝置用基板，於第1電極上， 形成前述第1間隔壁的有機電激發光裝置用基板，其特徵 乃前述第1電極乃形成於層間絕緣膜上，僅於該第1電極 上設置第1間隔壁者。 14. 一種電子機器，其特徵乃具備如申請專利範圍第 1 2項記載之有機電激發光裝置。

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