JP2002124376A - 有機ｅｌ装置の製造方法および有機ｅｌ装置、電子機器 - Google Patents
有機ｅｌ装置の製造方法および有機ｅｌ装置、電子機器Info
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 22
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 65
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 48
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 31
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims abstract description 30
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 26
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 20
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 20
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 16
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 abstract description 15
- 239000004332 silver Substances 0.000 abstract description 14
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 abstract description 5
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 11
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 6
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 6
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 4
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 4
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 3
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 3
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 2
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 2
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 2
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 2
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000285 Polydioctylfluorene Polymers 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000002490 anilino group Chemical class [H]N(*)C1=C([H])C([H])=C([H])C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 description 1
- TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N caesium atom Chemical compound [Cs] TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010406 cathode material Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 1
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- -1 polyparaphenylene vinylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 229910052701 rubidium Inorganic materials 0.000 description 1
- IGLNJRXAVVLDKE-UHFFFAOYSA-N rubidium atom Chemical compound [Rb] IGLNJRXAVVLDKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 1
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/60—Forming conductive regions or layers, e.g. electrodes
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】有機ＥＬ装置の製造方法において、陰極と陰極
端子との接続をとるための工程が簡単な方法を提供す
る。 【解決手段】先ず、基板１上に、陽極２ａ〜２ｇを形成
すると同時に陰極端子４を形成する。次に、正孔注入層
５、発光層６を基板全面にスピンコートで形成する。次
に、陰極用端子４の位置に、ディスペンサの容器７から
銀の粉体と溶剤を含有する液体を滴下する。この溶剤と
して、正孔注入層５および発光層６を溶解させる溶剤を
用いる。これにより、陰極用端子４の位置に貫通孔が開
き、この貫通孔に銀８が充填される。次に、この貫通孔
の位置を覆うように陰極層９を形成する。
端子との接続をとるための工程が簡単な方法を提供す
る。 【解決手段】先ず、基板１上に、陽極２ａ〜２ｇを形成
すると同時に陰極端子４を形成する。次に、正孔注入層
５、発光層６を基板全面にスピンコートで形成する。次
に、陰極用端子４の位置に、ディスペンサの容器７から
銀の粉体と溶剤を含有する液体を滴下する。この溶剤と
して、正孔注入層５および発光層６を溶解させる溶剤を
用いる。これにより、陰極用端子４の位置に貫通孔が開
き、この貫通孔に銀８が充填される。次に、この貫通孔
の位置を覆うように陰極層９を形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、有機ＥＬ（エレク
トロルミネッセンス）装置の製造方法に関する。有機Ｅ
Ｌ装置は、テレビやコンピュータ等のディスプレイ、液
晶ディスプレイ用バックライト等の光源として使用され
る。
トロルミネッセンス）装置の製造方法に関する。有機Ｅ
Ｌ装置は、テレビやコンピュータ等のディスプレイ、液
晶ディスプレイ用バックライト等の光源として使用され
る。
【０００２】
【従来の技術】近年、情報端末の携帯化が加速度的に進
んでおり、携帯化するために必要な省電力ディスプレイ
の開発が盛んになっている。その中で特に、液晶表示装
置向けバックライトや表示装置として、有機ＥＬ装置
（陽極と陰極との間に有機物からなる発光層を設けた構
造の発光装置）が注目されている。
んでおり、携帯化するために必要な省電力ディスプレイ
の開発が盛んになっている。その中で特に、液晶表示装
置向けバックライトや表示装置として、有機ＥＬ装置
（陽極と陰極との間に有機物からなる発光層を設けた構
造の発光装置）が注目されている。
【０００３】低容量表示装置やバックライトなどの単色
有機ＥＬ装置においては、基板上に陽極層を形成した
後、多くの場合、発光層（および必要に応じて設ける正
孔注入層および／または正孔輸送層）をスピンコート法
により形成している。そして、発光層の上に陰極層を真
空蒸着法等で形成している。
有機ＥＬ装置においては、基板上に陽極層を形成した
後、多くの場合、発光層（および必要に応じて設ける正
孔注入層および／または正孔輸送層）をスピンコート法
により形成している。そして、発光層の上に陰極層を真
空蒸着法等で形成している。
【０００４】このような有機ＥＬ装置は、通常、別々に
作製された有機ＥＬパネルと駆動回路とを備え、有機Ｅ
Ｌパネルに陽極端子および陰極端子を設けて、これらの
端子と駆動回路からの配線の先端とを接続することによ
って、陽極と陰極との間に電圧を印加している。
作製された有機ＥＬパネルと駆動回路とを備え、有機Ｅ
Ｌパネルに陽極端子および陰極端子を設けて、これらの
端子と駆動回路からの配線の先端とを接続することによ
って、陽極と陰極との間に電圧を印加している。
【０００５】従来より、陰極端子の形成は次の方法によ
って行われている。陰極層の一部をそのまま陰極端子
とする方法（すなわち、駆動回路からの配線の先端を直
接陰極層に接触させて固定する）、陰極層の上に導電
性ペーストで陰極端子を形成する方法、基板上に陽極
と同時に陰極端子を形成する方法（この場合には、その
後、発光層等を基板の全面に形成し、次いで、この発光
層等を部分的に除去して陰極端子を露出させた後、この
陰極端子を覆うように陰極層を形成する）。
って行われている。陰極層の一部をそのまま陰極端子
とする方法（すなわち、駆動回路からの配線の先端を直
接陰極層に接触させて固定する）、陰極層の上に導電
性ペーストで陰極端子を形成する方法、基板上に陽極
と同時に陰極端子を形成する方法（この場合には、その
後、発光層等を基板の全面に形成し、次いで、この発光
層等を部分的に除去して陰極端子を露出させた後、この
陰極端子を覆うように陰極層を形成する）。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記
〜の方法には次のような問題点がある。
〜の方法には次のような問題点がある。
【０００７】の方法では、多くの場合、有機ＥＬ装置
の陰極層は不安定な材料を用いて形成されるため、陰極
端子が酸化する恐れがある。の方法では、導電性ペー
ストの溶剤によって陰極に腐食が生じる恐れがある。
の方法では、発光層等を部分的に除去して陰極用の端子
を露出する工程が煩雑であるとともに、部分的に除去さ
れた発光層等の端面位置で、陰極層に良好な導通が得ら
れなくなる恐れもある。
の陰極層は不安定な材料を用いて形成されるため、陰極
端子が酸化する恐れがある。の方法では、導電性ペー
ストの溶剤によって陰極に腐食が生じる恐れがある。
の方法では、発光層等を部分的に除去して陰極用の端子
を露出する工程が煩雑であるとともに、部分的に除去さ
れた発光層等の端面位置で、陰極層に良好な導通が得ら
れなくなる恐れもある。
【０００８】本発明は、このような従来技術の問題点に
着目してなされたものであり、基板上に、少なくとも第
１電極層、発光層、第２電極層を順次形成する工程を有
する有機ＥＬ装置の製造方法において、第２電極とこの
電極用の端子との接続が確実に長期間に渡って行われ、
しかもこの端子形成工程および前記接続をとるための工
程が簡単である方法を提供することを課題とする。
着目してなされたものであり、基板上に、少なくとも第
１電極層、発光層、第２電極層を順次形成する工程を有
する有機ＥＬ装置の製造方法において、第２電極とこの
電極用の端子との接続が確実に長期間に渡って行われ、
しかもこの端子形成工程および前記接続をとるための工
程が簡単である方法を提供することを課題とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明は、基板上に、少なくとも第１電極層、発光
層、第２電極層を順次形成する工程を有する有機ＥＬ装
置の製造方法において、基板上に、第１電極層と、前記
第１電極層に接続される第１端子と、第２電極層に接続
される第２端子と、を形成する工程と、少なくとも前記
第１電極層と前記第２端子とを覆うように発光層を形成
する工程と、導電性材料を、前記第２端子と電気的に接
続するように前記発光層を貫通して設ける工程と、前記
導電性材料と電気的に接続するように第２電極層を形成
する工程と、を有することを特徴とする有機ＥＬ装置の
製造方法を提供する。
に、本発明は、基板上に、少なくとも第１電極層、発光
層、第２電極層を順次形成する工程を有する有機ＥＬ装
置の製造方法において、基板上に、第１電極層と、前記
第１電極層に接続される第１端子と、第２電極層に接続
される第２端子と、を形成する工程と、少なくとも前記
第１電極層と前記第２端子とを覆うように発光層を形成
する工程と、導電性材料を、前記第２端子と電気的に接
続するように前記発光層を貫通して設ける工程と、前記
導電性材料と電気的に接続するように第２電極層を形成
する工程と、を有することを特徴とする有機ＥＬ装置の
製造方法を提供する。
【００１０】本発明はまた、基板上に、少なくとも第１
電極層、発光層、第２電極層を順次形成する工程を有す
る有機ＥＬ装置の製造方法において、基板上に、第１電
極層と、前記第１電極層用の第１端子および第２電極層
用の第２端子を形成する工程と、少なくとも前記第１電
極層および前記第２端子を覆うように発光層を形成する
工程と、前記発光層を溶解させる溶媒と導電性材料とを
含有する液体を、前記発光層上の前記第２端子と対応す
る位置に配置して、前記溶媒により前記発光層に前記第
２端子に至る貫通孔を生じさせるとともに、前記液体を
前記貫通孔内に存在させる工程と、前記貫通孔に存在し
ている前記溶媒を除去し、前記貫通孔内に前記導電性材
料を充填する工程と、第２電極層を、前記導電性材料と
電気的に接続するように且つ前記貫通孔の位置を覆うよ
うに形成する工程と、を有することを特徴とする有機Ｅ
Ｌ装置の製造方法を提供する。
電極層、発光層、第２電極層を順次形成する工程を有す
る有機ＥＬ装置の製造方法において、基板上に、第１電
極層と、前記第１電極層用の第１端子および第２電極層
用の第２端子を形成する工程と、少なくとも前記第１電
極層および前記第２端子を覆うように発光層を形成する
工程と、前記発光層を溶解させる溶媒と導電性材料とを
含有する液体を、前記発光層上の前記第２端子と対応す
る位置に配置して、前記溶媒により前記発光層に前記第
２端子に至る貫通孔を生じさせるとともに、前記液体を
前記貫通孔内に存在させる工程と、前記貫通孔に存在し
ている前記溶媒を除去し、前記貫通孔内に前記導電性材
料を充填する工程と、第２電極層を、前記導電性材料と
電気的に接続するように且つ前記貫通孔の位置を覆うよ
うに形成する工程と、を有することを特徴とする有機Ｅ
Ｌ装置の製造方法を提供する。
【００１１】前記液体としては、銀、銅、クロム、ニッ
ケル、アルミニウム、鉄、金、白金、カーボンなどの導
電性材料からなる粉体が、トルエン、キシレン、クロロ
ホルム等の溶剤に分散されている液体を使用することが
できる。導電性を有するポリマーを前記溶剤に溶解させ
た溶液を用いることもできる。また、この液体にはバイ
ンダー等を含んでいても良い。
ケル、アルミニウム、鉄、金、白金、カーボンなどの導
電性材料からなる粉体が、トルエン、キシレン、クロロ
ホルム等の溶剤に分散されている液体を使用することが
できる。導電性を有するポリマーを前記溶剤に溶解させ
た溶液を用いることもできる。また、この液体にはバイ
ンダー等を含んでいても良い。
【００１２】本発明の方法において、液体配置工程は、
ディスペンサを用いた液体吐出法方法、インクジェット
法、または印刷法等により行うことができるが、ディス
ペンサを用いた液体吐出法により行うことが好ましい。
ディスペンサを用いた液体吐出法方法、インクジェット
法、または印刷法等により行うことができるが、ディス
ペンサを用いた液体吐出法により行うことが好ましい。
【００１３】本発明の方法では、液体配置の位置精度は
さほど要求されず、前記貫通孔に導電性材料を確実に存
在させて、この導電性材料により第２端子と第２電極と
を電気的に接続する必要があることから、高い位置精度
が得られるがコストの高いインクジェット法よりも、コ
ストの低いディスペンサを使用した方法を採用すること
が好ましい。
さほど要求されず、前記貫通孔に導電性材料を確実に存
在させて、この導電性材料により第２端子と第２電極と
を電気的に接続する必要があることから、高い位置精度
が得られるがコストの高いインクジェット法よりも、コ
ストの低いディスペンサを使用した方法を採用すること
が好ましい。
【００１４】本発明はまた、前記方法において、前記第
１電極層上には、さらに正孔注入層が形成されてなり、
前記溶媒は、前記正孔注入層を溶解させる溶媒であるこ
とを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法を提供する。
１電極層上には、さらに正孔注入層が形成されてなり、
前記溶媒は、前記正孔注入層を溶解させる溶媒であるこ
とを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法を提供する。
【００１５】本発明は、基板上に、少なくとも第１電極
層、発光層、第２電極層をこの順に有する有機ＥＬ装置
において、基板上の第１電極層と同一面に、前記第１電
極層に接続された第１端子と第２電極用の第２端子が形
成され、前記第２端子と前記第２電極層とが、両者間の
層を貫通して存在する導電性材料により電気的に接続さ
れている有機ＥＬ装置を提供する。
層、発光層、第２電極層をこの順に有する有機ＥＬ装置
において、基板上の第１電極層と同一面に、前記第１電
極層に接続された第１端子と第２電極用の第２端子が形
成され、前記第２端子と前記第２電極層とが、両者間の
層を貫通して存在する導電性材料により電気的に接続さ
れている有機ＥＬ装置を提供する。
【００１６】本発明はまた、基板上に、少なくとも第１
電極層、発光層、第２電極層を順次形成する工程を有す
る有機ＥＬ装置の製造方法において、基板上に、第１電
極層と、前記第１電極層用の第１端子および第２電極層
用の第２端子を形成する工程と、少なくとも前記第１電
極層および前記第２端子を覆うように発光層を形成する
工程と、前記発光層を溶解させる揮発性溶媒と導電性材
料とを含有する液体を、前記発光層上の前記第２端子と
対応する位置に配置して、前記揮発性溶媒により前記発
光層に前記第２端子に至る貫通孔を生じさせるととも
に、前記揮発性溶媒を除去し、前記貫通孔内に前記導電
性材料を充填する工程と、前記導電性材料と電気的に接
続するように前記貫通孔の位置に第２電極層を形成する
工程と、を有することを特徴とする有機ＥＬ装置の製造
方法を提供する。
電極層、発光層、第２電極層を順次形成する工程を有す
る有機ＥＬ装置の製造方法において、基板上に、第１電
極層と、前記第１電極層用の第１端子および第２電極層
用の第２端子を形成する工程と、少なくとも前記第１電
極層および前記第２端子を覆うように発光層を形成する
工程と、前記発光層を溶解させる揮発性溶媒と導電性材
料とを含有する液体を、前記発光層上の前記第２端子と
対応する位置に配置して、前記揮発性溶媒により前記発
光層に前記第２端子に至る貫通孔を生じさせるととも
に、前記揮発性溶媒を除去し、前記貫通孔内に前記導電
性材料を充填する工程と、前記導電性材料と電気的に接
続するように前記貫通孔の位置に第２電極層を形成する
工程と、を有することを特徴とする有機ＥＬ装置の製造
方法を提供する。
【００１７】本発明はまた、前記方法において、前記第
１電極層上には、さらに正孔注入層が形成されてなり、
前記揮発性溶媒は、前記正孔注入層を溶解させる溶媒で
あることを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法を提供す
る。
１電極層上には、さらに正孔注入層が形成されてなり、
前記揮発性溶媒は、前記正孔注入層を溶解させる溶媒で
あることを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法を提供す
る。
【００１８】本発明はまた、基板上に、少なくとも第１
電極層、発光層、第２電極層をこの順に有し、基板上の
第１電極層と同一面に、前記第１電極層に接続された第
１端子と第２電極層用の第２端子が形成され、前記第２
端子と前記第２電極層とが、両者間の層を貫通して存在
する導電性材料により電気的に接続されてなる有機ＥＬ
装置を備えた電子機器を提供する。
電極層、発光層、第２電極層をこの順に有し、基板上の
第１電極層と同一面に、前記第１電極層に接続された第
１端子と第２電極層用の第２端子が形成され、前記第２
端子と前記第２電極層とが、両者間の層を貫通して存在
する導電性材料により電気的に接続されてなる有機ＥＬ
装置を備えた電子機器を提供する。
【００１９】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態について
説明する。
説明する。
【００２０】図１は、本発明の一実施形態に相当する有
機ＥＬ装置の製造方法を説明する工程図である。図２
は、この実施形態で作製する有機ＥＬ装置（有機ＥＬパ
ネル）を説明する図であって、図２（ａ）は、符号Ｂで
示す部分を除いて、図１（ａ）の状態の平面図に相当す
る。図１（ａ）は、図２（ａ）のＡ−Ａ線断面図に相当
する。図２（ｂ）は、この有機ＥＬパネルの断面図に相
当する。
機ＥＬ装置の製造方法を説明する工程図である。図２
は、この実施形態で作製する有機ＥＬ装置（有機ＥＬパ
ネル）を説明する図であって、図２（ａ）は、符号Ｂで
示す部分を除いて、図１（ａ）の状態の平面図に相当す
る。図１（ａ）は、図２（ａ）のＡ−Ａ線断面図に相当
する。図２（ｂ）は、この有機ＥＬパネルの断面図に相
当する。
【００２１】この実施形態の有機ＥＬパネルは、有機Ｅ
Ｌ素子からなる発光部として、デジタル数字を構成する
７個のエレメントを備えている。この有機ＥＬパネル
は、必要に応じていずれかのエレメントを発光させるこ
とにより、デジタル数字等を表示する表示体である。
Ｌ素子からなる発光部として、デジタル数字を構成する
７個のエレメントを備えている。この有機ＥＬパネル
は、必要に応じていずれかのエレメントを発光させるこ
とにより、デジタル数字等を表示する表示体である。
【００２２】このような有機ＥＬパネルを以下のように
して形成した。
して形成した。
【００２３】先ず、透明なガラス基板１上に、ＩＴＯ
（Ｉｎ２ Ｏ３−ＳｎＯ２ ）薄膜をスパッタリング法に
より厚さ１５０ｎｍで形成し、この薄膜に対してフォト
リソグラフィとエッチングを行うことにより、基板面内
に、前記７個のエレメントに対応する透明な陽極（第１
電極層）２ａ〜２ｇと、各陽極２ａ〜２ｇ用の配線３ａ
〜３ｇと、陰極用の端子（第２端子）４とを形成した。
図１（ａ）はこの状態を示す。基板としては、ガラス基
板の他にプラスチックフィルムなどを用いることもでき
る。
（Ｉｎ２ Ｏ３−ＳｎＯ２ ）薄膜をスパッタリング法に
より厚さ１５０ｎｍで形成し、この薄膜に対してフォト
リソグラフィとエッチングを行うことにより、基板面内
に、前記７個のエレメントに対応する透明な陽極（第１
電極層）２ａ〜２ｇと、各陽極２ａ〜２ｇ用の配線３ａ
〜３ｇと、陰極用の端子（第２端子）４とを形成した。
図１（ａ）はこの状態を示す。基板としては、ガラス基
板の他にプラスチックフィルムなどを用いることもでき
る。
【００２４】図２（ａ）に示すように、陰極用の端子４
は、基板面内の周縁部の一箇所に、所定幅の帯状に形成
されている。各配線３ａ〜３ｇの一端は各陽極２ａ〜２
ｇに接続され、全配線３ａ〜３ｇの他端は、基板の周縁
部の陰極用端子４と並ぶ位置にまとめて、一定間隔で平
行に配置されている。この配線３ａ〜３ｇの基板周縁部
（他端部）を、各陽極２ａ〜２ｇ用の端子としている。
図２（ａ）では、各陽極２ａ〜２ｇ用の端子（第１端
子）をまとめて符号３０で表示している。また、図１お
よび図２（ｂ）では配線３ａ〜３ｇの表示が省略されて
いる。これらの陽極を形成した後、ＵＶオゾン処理また
はＯ２プラズマ処理を行ってもよい。
は、基板面内の周縁部の一箇所に、所定幅の帯状に形成
されている。各配線３ａ〜３ｇの一端は各陽極２ａ〜２
ｇに接続され、全配線３ａ〜３ｇの他端は、基板の周縁
部の陰極用端子４と並ぶ位置にまとめて、一定間隔で平
行に配置されている。この配線３ａ〜３ｇの基板周縁部
（他端部）を、各陽極２ａ〜２ｇ用の端子としている。
図２（ａ）では、各陽極２ａ〜２ｇ用の端子（第１端
子）をまとめて符号３０で表示している。また、図１お
よび図２（ｂ）では配線３ａ〜３ｇの表示が省略されて
いる。これらの陽極を形成した後、ＵＶオゾン処理また
はＯ２プラズマ処理を行ってもよい。
【００２５】次に、このガラス基板１上の全面に、スピ
ンコート法によりバイエル社製の「バイトロン（登録商
標）」を塗布することにより、正孔注入層５を厚さ５０
ｎｍで形成した。これにより、陽極２ａ〜２ｇ、配線３
ａ〜３ｇ、陽極用の端子（陽極端子）３０、および陰極
用の端子（陰極端子）４を、全て正孔注入層５で覆っ
た。図１（ｂ）はこの状態を示す。正孔注入層として
は、この他ポリアニリン誘導体、ポリチオフェン誘導
体、フェニルアミン誘導体などを用いることができる。
また、製膜方法としては、スピンコート法の他、蒸着
法、ロールコート法なども用いることができる。
ンコート法によりバイエル社製の「バイトロン（登録商
標）」を塗布することにより、正孔注入層５を厚さ５０
ｎｍで形成した。これにより、陽極２ａ〜２ｇ、配線３
ａ〜３ｇ、陽極用の端子（陽極端子）３０、および陰極
用の端子（陰極端子）４を、全て正孔注入層５で覆っ
た。図１（ｂ）はこの状態を示す。正孔注入層として
は、この他ポリアニリン誘導体、ポリチオフェン誘導
体、フェニルアミン誘導体などを用いることができる。
また、製膜方法としては、スピンコート法の他、蒸着
法、ロールコート法なども用いることができる。
【００２６】次に、正孔注入層５の全面に、ポリジオク
チルフルオレンをトルエンに溶解させた１．５重量％溶
液を、スピンコート法により塗布した後、乾燥させるこ
とによって、発光層６を厚さ７０ｎｍで形成した。図１
（ｃ）はこの状態を示す。発光材料としてはこの他ポリ
パラフェニレンビニレン誘導体、Ａｌｑ３など通常有機
ＥＬに用いることができるものを使用する。さらにＬｉ
Ｆなどで電子注入層や正孔ブロック層を形成してもよ
い。
チルフルオレンをトルエンに溶解させた１．５重量％溶
液を、スピンコート法により塗布した後、乾燥させるこ
とによって、発光層６を厚さ７０ｎｍで形成した。図１
（ｃ）はこの状態を示す。発光材料としてはこの他ポリ
パラフェニレンビニレン誘導体、Ａｌｑ３など通常有機
ＥＬに用いることができるものを使用する。さらにＬｉ
Ｆなどで電子注入層や正孔ブロック層を形成してもよ
い。
【００２７】次に、円形の液体吐出口の直径が０．５ｍ
ｍであるディスペンサを用い、このディスペンサの容器
７内に、藤倉化成（株）製の銀ペースト（銀の粉体を含
有する導体ペースト）である「ドータイト（登録商
標）」とトルエンを体積比で１：１に混合した液体を入
れた。このディスペンサの容器７を、液体吐出口の位置
が発光層６の上面からの高さが０．５ｍｍであって、基
板面内で図２（ａ）に符号Ｂで示す９箇所のいずれかの
位置（基板面内の発光層６で覆われた陰極用端子４の位
置）となるように配置した。
ｍであるディスペンサを用い、このディスペンサの容器
７内に、藤倉化成（株）製の銀ペースト（銀の粉体を含
有する導体ペースト）である「ドータイト（登録商
標）」とトルエンを体積比で１：１に混合した液体を入
れた。このディスペンサの容器７を、液体吐出口の位置
が発光層６の上面からの高さが０．５ｍｍであって、基
板面内で図２（ａ）に符号Ｂで示す９箇所のいずれかの
位置（基板面内の発光層６で覆われた陰極用端子４の位
置）となるように配置した。
【００２８】この状態で、加圧空気配管（圧力供給手
段）から加圧空気を容器７内に供給することにより、吐
出圧０．１ＭＰａで前記液体を５００ピコリットル吐出
した。また、この吐出を、容器７を他の液体吐出位置に
移動させながら繰り返した。ここで、発光層６および正
孔注入層５は、前記液体の溶媒であるトルエンによって
溶解されるため、容器７から吐出された前記液体は、発
光層６および正孔注入層５に陰極端子４に至る貫通孔を
生じさせながら、この貫通孔内に入る。この貫通孔内の
液体が乾燥することによって、この貫通孔は銀（導電性
材料）８で充填される。この乾燥工程は、加熱または室
温で所定時間放置することによって行う。図１（ｄ）は
この状態を示す。なお、ここでは銀ペーストを用いた
が、導電性を付与できる材料であればよく、例えば、銅
粉やクロム粉、ニッケル粉、アルミニウム粉、鉄粉、金
粉、白金粉、カーボンなどを発光層と相容性のある溶剤
で分散したものを用いることができる。あるいは、導電
性を有するポリマーの溶液などでもよい。また、バイン
ダーを含んでもよい。
段）から加圧空気を容器７内に供給することにより、吐
出圧０．１ＭＰａで前記液体を５００ピコリットル吐出
した。また、この吐出を、容器７を他の液体吐出位置に
移動させながら繰り返した。ここで、発光層６および正
孔注入層５は、前記液体の溶媒であるトルエンによって
溶解されるため、容器７から吐出された前記液体は、発
光層６および正孔注入層５に陰極端子４に至る貫通孔を
生じさせながら、この貫通孔内に入る。この貫通孔内の
液体が乾燥することによって、この貫通孔は銀（導電性
材料）８で充填される。この乾燥工程は、加熱または室
温で所定時間放置することによって行う。図１（ｄ）は
この状態を示す。なお、ここでは銀ペーストを用いた
が、導電性を付与できる材料であればよく、例えば、銅
粉やクロム粉、ニッケル粉、アルミニウム粉、鉄粉、金
粉、白金粉、カーボンなどを発光層と相容性のある溶剤
で分散したものを用いることができる。あるいは、導電
性を有するポリマーの溶液などでもよい。また、バイン
ダーを含んでもよい。
【００２９】次に、発光層６の上に、図２（ａ）に２点
鎖線Ｃで示す範囲（銀が充填された貫通孔を含む範囲）
内で、真空蒸着法により、カルシウム薄膜を厚さ１０ｎ
ｍで、続いてアルミニウム薄膜を厚さ４００ｎｍで形成
した。これにより、カルシウムとアルミニウムからなる
二層構造の陰極（第２電極層）９が形成され、発光層６
および正孔注入層５を貫通して存在する銀８により、陰
極端子４と陰極９とが電気的に接続された。図１（ｅ）
はこの状態を示す。陰極としては、用いる発光層、電子
注入層等に合わせて最適なものを選択すればよく、Ｃ
ａ、Ｌｉ、Ｍｇやこれらの合金を用いることもできる。
また、その上に、Ａｌ、Ａｇ、Ａｕなどの比較的安定な
金属を製膜して用いることができる。製膜方法として
は、蒸着法（加熱蒸着法・ＥＢ蒸着法）の他に、スパッ
タ法なども用いることができる。
鎖線Ｃで示す範囲（銀が充填された貫通孔を含む範囲）
内で、真空蒸着法により、カルシウム薄膜を厚さ１０ｎ
ｍで、続いてアルミニウム薄膜を厚さ４００ｎｍで形成
した。これにより、カルシウムとアルミニウムからなる
二層構造の陰極（第２電極層）９が形成され、発光層６
および正孔注入層５を貫通して存在する銀８により、陰
極端子４と陰極９とが電気的に接続された。図１（ｅ）
はこの状態を示す。陰極としては、用いる発光層、電子
注入層等に合わせて最適なものを選択すればよく、Ｃ
ａ、Ｌｉ、Ｍｇやこれらの合金を用いることもできる。
また、その上に、Ａｌ、Ａｇ、Ａｕなどの比較的安定な
金属を製膜して用いることができる。製膜方法として
は、蒸着法（加熱蒸着法・ＥＢ蒸着法）の他に、スパッ
タ法なども用いることができる。
【００３０】次に、この陰極９の上面および端面を封止
した。ここでは、陰極９上の全面および全端面を覆うよ
うにエポキシ樹脂からなる封止材１０を設け、その上に
封止用のガラス板１１を設けた。すなわち、図１（ｅ）
の状態で、封止材１０をなすエポキシ樹脂を塗布した
後、その上にガラス板１１を載せてエポキシ樹脂を硬化
させることによって、封止材１０の上にガラス板１１を
固定した。図１（ｆ）はこの状態を示す。また、封止の
方法としては、金属やガラスを用いた缶封止を行っても
よい。いずれの封止方法の場合も、必要に応じて、封止
領域内に除湿剤、脱酸素剤を封入してもよい。その他、
ガスバリア性の優れた薄膜、例えば窒化アルミニウム、
窒化珪素、酸化珪素などを蒸着またはスパッタする方法
もある。このようにして得られた有機ＥＬパネル（有機
ＥＬ装置）の陽極端子３０と陰極端子４との間に駆動回
路からの配線を接続し、陰極９と全陽極２ａ〜２ｇとの
間に電圧を印加したところ、デジタル数字の７個のエレ
メントが全て安定的に発光して、数字の「８」が表示さ
れた。
した。ここでは、陰極９上の全面および全端面を覆うよ
うにエポキシ樹脂からなる封止材１０を設け、その上に
封止用のガラス板１１を設けた。すなわち、図１（ｅ）
の状態で、封止材１０をなすエポキシ樹脂を塗布した
後、その上にガラス板１１を載せてエポキシ樹脂を硬化
させることによって、封止材１０の上にガラス板１１を
固定した。図１（ｆ）はこの状態を示す。また、封止の
方法としては、金属やガラスを用いた缶封止を行っても
よい。いずれの封止方法の場合も、必要に応じて、封止
領域内に除湿剤、脱酸素剤を封入してもよい。その他、
ガスバリア性の優れた薄膜、例えば窒化アルミニウム、
窒化珪素、酸化珪素などを蒸着またはスパッタする方法
もある。このようにして得られた有機ＥＬパネル（有機
ＥＬ装置）の陽極端子３０と陰極端子４との間に駆動回
路からの配線を接続し、陰極９と全陽極２ａ〜２ｇとの
間に電圧を印加したところ、デジタル数字の７個のエレ
メントが全て安定的に発光して、数字の「８」が表示さ
れた。
【００３１】また、この方法によれば、陰極端子４と陰
極９との接続が確実に長期間に渡って行われることが確
認された。また、この方法によれば、陰極端子の形成工
程は従来のの方法と同じであるが、の方法のように
発光層等を部分的に除去する必要がないため、陰極端子
と陰極との接続をとるための工程がより簡単になる。な
お、前記実施形態では、液体配置工程をディスペンサを
用いた液体吐出法方法で行っているが、インクジェット
法やスクリーン印刷法で行ってもよい。ただし、ディス
ペンサを用いた液体吐出法方法はその他の方法よりも、
液体配置工程を低コストで簡単に行うことができるた
め、ディスペンサを用いた液体吐出法方法を採用するこ
とが好ましい。
極９との接続が確実に長期間に渡って行われることが確
認された。また、この方法によれば、陰極端子の形成工
程は従来のの方法と同じであるが、の方法のように
発光層等を部分的に除去する必要がないため、陰極端子
と陰極との接続をとるための工程がより簡単になる。な
お、前記実施形態では、液体配置工程をディスペンサを
用いた液体吐出法方法で行っているが、インクジェット
法やスクリーン印刷法で行ってもよい。ただし、ディス
ペンサを用いた液体吐出法方法はその他の方法よりも、
液体配置工程を低コストで簡単に行うことができるた
め、ディスペンサを用いた液体吐出法方法を採用するこ
とが好ましい。
【００３２】インクジェット法で液体配置を行う場合に
は、ディスペンサを用いる場合よりも液体の粘度を低く
することが好ましく、例えば前記銀ペーストを用いる場
合には、前記銀ペーストをキシレン等の溶剤によって１
０倍に希釈したものを吐出する。
は、ディスペンサを用いる場合よりも液体の粘度を低く
することが好ましく、例えば前記銀ペーストを用いる場
合には、前記銀ペーストをキシレン等の溶剤によって１
０倍に希釈したものを吐出する。
【００３３】スクリーン印刷法で液体配置を行う場合に
は、ディスペンサを用いる場合よりも液体の粘度が高く
てもよく、例えば前記銀ペーストをそのまま用いること
もできる。この場合、印刷時に付与される圧力により、
前記銀ペーストに含まれる溶剤を発光層６および正孔注
入層５に浸透させることで、貫通孔を形成することもで
きる。
は、ディスペンサを用いる場合よりも液体の粘度が高く
てもよく、例えば前記銀ペーストをそのまま用いること
もできる。この場合、印刷時に付与される圧力により、
前記銀ペーストに含まれる溶剤を発光層６および正孔注
入層５に浸透させることで、貫通孔を形成することもで
きる。
【００３４】また、前記各実施形態では、基板として透
明なガラス基板１を用い、基板側に透明な陽極２ａ〜２
ｇを設け、陰極９を不透明にしているため、発光層６で
生じた光は陰極９で反射されてガラス基板１側に出射さ
れるが、基板側の電極（第１電極）を不透明とし第２電
極を透明とすることで、発光層で生じた光を基板とは反
対側に出射させるようにしてもよい。陰極の材料として
は、ＩＴＯ、金、銀、銅や仕事関数の低いカルシウム、
マグネシウム、セシウム、ストロンチウム、ルビジウム
などの金属材料を透明性を有するように薄膜化したもの
を用いることができる。または、マグネシウムと銀や、
アルミニウムとリチウムの合金を薄膜化したのものを用
いることもできる。
明なガラス基板１を用い、基板側に透明な陽極２ａ〜２
ｇを設け、陰極９を不透明にしているため、発光層６で
生じた光は陰極９で反射されてガラス基板１側に出射さ
れるが、基板側の電極（第１電極）を不透明とし第２電
極を透明とすることで、発光層で生じた光を基板とは反
対側に出射させるようにしてもよい。陰極の材料として
は、ＩＴＯ、金、銀、銅や仕事関数の低いカルシウム、
マグネシウム、セシウム、ストロンチウム、ルビジウム
などの金属材料を透明性を有するように薄膜化したもの
を用いることができる。または、マグネシウムと銀や、
アルミニウムとリチウムの合金を薄膜化したのものを用
いることもできる。
【００３５】また、前記各実施形態では、基板側の電極
（第１電極）を陽極とし、基板とは反対側の電極（第２
電極）を陰極としているが、第１電極を陰極、第２電極
を陽極としてもよい。
（第１電極）を陽極とし、基板とは反対側の電極（第２
電極）を陰極としているが、第１電極を陰極、第２電極
を陽極としてもよい。
【００３６】さらに、本発明の有機ＥＬ装置は、例え
ば、モバイル型のパーソナルコンピュータ、携帯電話、
ディジタルスチルカメラ等の各種電子機器に適用するこ
とができる。
ば、モバイル型のパーソナルコンピュータ、携帯電話、
ディジタルスチルカメラ等の各種電子機器に適用するこ
とができる。
【００３７】図３は、モバイル型のパーソナルコンピュ
ータの構成を示す斜視図である。
ータの構成を示す斜視図である。
【００３８】図３において、パーソナルコンピュータ１
００は、キーボード１０２を備えた本体部１０４と、本
発明の有機ＥＬ装置からなる表示ユニット１０６とから
構成されている。
００は、キーボード１０２を備えた本体部１０４と、本
発明の有機ＥＬ装置からなる表示ユニット１０６とから
構成されている。
【００３９】図４は、携帯電話の斜視図である。図４に
おいて、携帯電話２００は、複数の操作ボタン２０２の
他、受話口２０４、送話口２０６と共に、本発明の有機
ＥＬ装置からなる表示パネル２０８を備えている。
おいて、携帯電話２００は、複数の操作ボタン２０２の
他、受話口２０４、送話口２０６と共に、本発明の有機
ＥＬ装置からなる表示パネル２０８を備えている。
【００４０】図５は、ディジタルスチルカメラ３００の
構成を示す斜視図である。なお、外部機器との接続につ
いても簡易的に示している。通常のカメラは、被写体の
光像によってフィルムを感光するのに対し、ディジタル
スチルカメラ３００は、被写体の光像をＣＣＤ（Charge
coupled device)等の撮像素子により光電変換して撮像
信号を生成するものである。
構成を示す斜視図である。なお、外部機器との接続につ
いても簡易的に示している。通常のカメラは、被写体の
光像によってフィルムを感光するのに対し、ディジタル
スチルカメラ３００は、被写体の光像をＣＣＤ（Charge
coupled device)等の撮像素子により光電変換して撮像
信号を生成するものである。
【００４１】ここで、ディジタルスチルカメラ３００に
おけるケース３０２の背面には、本発明の有機ＥＬ装置
からなる表示パネル３０４が設けられ、ＣＣＤによる撮
像信号に基づいて、表示を行う構成となっている。この
ため、表示パネル３０４は、被写体を表示するファイダ
として機能する。また、３０２の観察側（図においては
裏面側）には、光学レンズやＣＣＤ等を含んだ受光ユニ
ット３０６が設けられている。
おけるケース３０２の背面には、本発明の有機ＥＬ装置
からなる表示パネル３０４が設けられ、ＣＣＤによる撮
像信号に基づいて、表示を行う構成となっている。この
ため、表示パネル３０４は、被写体を表示するファイダ
として機能する。また、３０２の観察側（図においては
裏面側）には、光学レンズやＣＣＤ等を含んだ受光ユニ
ット３０６が設けられている。
【００４２】ここで、撮影者が表示パネル３０４に表示
された被写体像を確認して、シャッタボタン３０８を押
下すると、その時点におけるＣＣＤの撮像信号が、回路
基板３１０のメモリに転送されて格納される。また、こ
のディジタルスチルカメラ３００にあっては、ケース３
０２の側面にビデオ信号出力端子３１２と、データ通信
用の入出力端子３１４とが設けられている。
された被写体像を確認して、シャッタボタン３０８を押
下すると、その時点におけるＣＣＤの撮像信号が、回路
基板３１０のメモリに転送されて格納される。また、こ
のディジタルスチルカメラ３００にあっては、ケース３
０２の側面にビデオ信号出力端子３１２と、データ通信
用の入出力端子３１４とが設けられている。
【００４３】そして、図示されているように、ビデオ信
号出力端子３１２にはテレビモニタ４３０が、データ通
信用の入出力端子３１４にはパーソナルコンピュータ４
４０が、それぞれ必要に応じて接続される。さらに、所
定の操作によって、回路基板３１０のメモリに格納され
た撮像信号が、テレビモニタ４３０やパーソナルコンピ
ュータ４４０に出力される構成となっている。
号出力端子３１２にはテレビモニタ４３０が、データ通
信用の入出力端子３１４にはパーソナルコンピュータ４
４０が、それぞれ必要に応じて接続される。さらに、所
定の操作によって、回路基板３１０のメモリに格納され
た撮像信号が、テレビモニタ４３０やパーソナルコンピ
ュータ４４０に出力される構成となっている。
【００４４】なお、本発明の有機ＥＬ装置を表示部等と
して適用できる電子機器としては、図３のパーソナルコ
ンピュータ、図４の携帯電話、および図５のディジタル
スチルカメラの他にも、テレビ、ビューファインダ型ま
たはモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲ
ーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロ
セッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端
末、およびタッチパネルを備えた機器等を挙げることが
できる。
して適用できる電子機器としては、図３のパーソナルコ
ンピュータ、図４の携帯電話、および図５のディジタル
スチルカメラの他にも、テレビ、ビューファインダ型ま
たはモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲ
ーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロ
セッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端
末、およびタッチパネルを備えた機器等を挙げることが
できる。
【００４５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の方法によ
れば、基板上に、少なくとも第１電極層、発光層、第２
電極層を順次形成する工程を有する有機ＥＬ装置の製造
方法において、第２電極とこの電極用の端子との接続が
確実に長期間に渡って行われ、しかもこの端子形成工程
および前記接続をとるための工程が簡単である方法が提
供される。
れば、基板上に、少なくとも第１電極層、発光層、第２
電極層を順次形成する工程を有する有機ＥＬ装置の製造
方法において、第２電極とこの電極用の端子との接続が
確実に長期間に渡って行われ、しかもこの端子形成工程
および前記接続をとるための工程が簡単である方法が提
供される。
【図１】本発明の一実施形態に相当する有機ＥＬ装置の
製造方法を説明する工程図である。
製造方法を説明する工程図である。
【図２】この実施形態で作製する有機ＥＬ装置（有機Ｅ
Ｌパネル）を説明する図であって、図２（ａ）は図１
（ａ）の状態の平面図に相当し、図２（ｂ）はこの有機
ＥＬパネルの断面図に相当する。
Ｌパネル）を説明する図であって、図２（ａ）は図１
（ａ）の状態の平面図に相当し、図２（ｂ）はこの有機
ＥＬパネルの断面図に相当する。
【図３】本発明の有機ＥＬ装置を適用した電子機器の一
例に相当するパーソナルコンピュータの構成を示す斜視
図である。
例に相当するパーソナルコンピュータの構成を示す斜視
図である。
【図４】本発明の有機ＥＬ装置を適用した電子機器の一
例に相当する携帯電話の構成を示す斜視図である。
例に相当する携帯電話の構成を示す斜視図である。
【図５】本発明の有機ＥＬ装置を適用した電子機器の一
例に相当するディジタルスチルカメラの背面側の構成を
示す斜視図である。
例に相当するディジタルスチルカメラの背面側の構成を
示す斜視図である。
１ ガラス基板 ２ａ〜２ｇ 陽極（第１電極層） ３ａ〜３ｇ 陽極用の配線 ３０ 陽極端子（第１端子） ４ 陰極端子（第２端子） ５ 正孔注入層 ６ 発光層 ７ ディスペンサの容器 ８ 銀（導電性材料） ９ 陰極（第２電極層） １０ エポキシ樹脂からなる封止材 １１ 封止用のガラス板 Ｂ 液体吐出位置 １００ パーソナルコンピュータ １０２ キーボード １０４ 本体部 １０６ 表示ユニット ２００ 携帯電話 ２０２ 操作ボタン ２０４ 受話口 ２０６ 送話口 ２０８ 表示パネル ３００ ディジタルスチルカメラ ３０２ ケース ３０４ 表示パネル ３０８ シャッタボタン ３１０ 回路基板 ３１２ ビデオ信号出力端子 ３１４ データ通信用の入出力端子 ４３０ テレビモニタ ４４０ パーソナルコンピュータ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０５Ｂ 33/14 Ｈ０５Ｂ 33/14 Ａ 33/22 33/22 Ｃ
Claims (7)
- 【請求項１】 基板上に、少なくとも第１電極層、発光
層、第２電極層を順次形成する工程を有する有機ＥＬ装
置の製造方法において、 基板上に、第１電極層と、前記第１電極層に接続される
第１端子と、第２電極層に接続される第２端子と、を形
成する工程と、 少なくとも前記第１電極層と前記第２端子とを覆うよう
に発光層を形成する工程と、 導電性材料を、前記第２端子と電気的に接続するように
前記発光層を貫通して設ける工程と、 前記導電性材料と電気的に接続するように第２電極層を
形成する工程と、を有することを特徴とする有機ＥＬ装
置の製造方法。 - 【請求項２】 基板上に、少なくとも第１電極層、発光
層、第２電極層を順次形成する工程を有する有機ＥＬ装
置の製造方法において、 基板上に、第１電極層と、前記第１電極層用の第１端子
および第２電極層用の第２端子を形成する工程と、 少なくとも前記第１電極層および前記第２端子を覆うよ
うに発光層を形成する工程と、 前記発光層を溶解させる溶媒と導電性材料とを含有する
液体を、前記発光層上の前記第２端子と対応する位置に
配置して、前記溶媒により前記発光層に前記第２端子に
至る貫通孔を生じさせるとともに、前記液体を前記貫通
孔内に存在させる工程と、 前記貫通孔に存在している前記溶媒を除去し、前記貫通
孔内に前記導電性材料を充填する工程と、 第２電極層を、前記導電性材料と電気的に接続するよう
に且つ前記貫通孔の位置を覆うように形成する工程と、
を有することを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。 - 【請求項３】 基板上に、少なくとも第１電極層、発光
層、第２電極層を順次形成する工程を有する有機ＥＬ装
置の製造方法において、 基板上に、第１電極層と、前記第１電極層用の第１端子
および第２電極層用の第２端子を形成する工程と、 少なくとも前記第１電極層および前記第２端子を覆うよ
うに発光層を形成する工程と、 前記発光層を溶解させる揮発性溶媒と導電性材料とを含
有する液体を、前記発光層上の前記第２端子と対応する
位置に配置して、前記揮発性溶媒により前記発光層に前
記第２端子に至る貫通孔を生じさせるとともに、前記揮
発性溶媒を除去し、前記貫通孔内に前記導電性材料を充
填する工程と、 前記導電性材料と電気的に接続するように前記貫通孔の
位置に第２電極層を形成する工程と、を有することを特
徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。 - 【請求項４】 前記第１電極層上には、さらに正孔注入
層が形成されてなり、 前記溶媒は、前記正孔注入層を
溶解させる溶媒であることを特徴とする請求項２に記載
の有機ＥＬ装置の製造方法。 - 【請求項５】 前記第１電極層上には、さらに正孔注入
層が形成されてなり、 前記揮発性溶媒は、前記正孔注入層を溶解させる溶媒で
あることを特徴とする請求項３に記載の有機ＥＬ装置の
製造方法。 - 【請求項６】 基板上に、少なくとも第１電極層、発光
層、第２電極層をこの順に有する有機ＥＬ装置におい
て、 基板上の第１電極層と同一面に、前記第１電極層に接続
された第１端子と第２電極層用の第２端子が形成され、 前記第２端子と前記第２電極層とが、両者間の層を貫通
して存在する導電性材料により電気的に接続されている
ことを特徴とする有機ＥＬ装置。 - 【請求項７】 基板上に、少なくとも第１電極層、発光
層、第２電極層をこの順に有し、 基板上の第１電極層と同一面に、前記第１電極層に接続
された第１端子と第２電極層用の第２端子が形成され、 前記第２端子と前記第２電極層とが、両者間の層を貫通
して存在する導電性材料により電気的に接続されてなる
有機ＥＬ装置を備えた電子機器。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001244852A JP3893916B2 (ja) | 2000-08-11 | 2001-08-10 | 有機ｅｌ装置の製造方法および有機ｅｌ装置、電子機器 |
| US09/925,324 US6768258B2 (en) | 2000-08-11 | 2001-08-10 | Method for manufacturing organic EL device, organic EL device, and electronic apparatus |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000-244589 | 2000-08-11 | ||
| JP2000244589 | 2000-08-11 | ||
| JP2001244852A JP3893916B2 (ja) | 2000-08-11 | 2001-08-10 | 有機ｅｌ装置の製造方法および有機ｅｌ装置、電子機器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002124376A true JP2002124376A (ja) | 2002-04-26 |
| JP3893916B2 JP3893916B2 (ja) | 2007-03-14 |
Family
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Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001244852A Expired - Fee Related JP3893916B2 (ja) | 2000-08-11 | 2001-08-10 | 有機ｅｌ装置の製造方法および有機ｅｌ装置、電子機器 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6768258B2 (ja) |
| JP (1) | JP3893916B2 (ja) |
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| KR100721844B1 (ko) | 2005-06-09 | 2007-05-28 | 세이코 엡슨 가부시키가이샤 | 전기 광학 장치와 그 제조 방법, 및 화상 형성 장치 |
| JP2008071621A (ja) * | 2006-09-14 | 2008-03-27 | Pioneer Electronic Corp | 導電体膜接続構造及びその作製方法 |
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Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3560150B2 (ja) * | 2000-09-14 | 2004-09-02 | 日本精機株式会社 | 有機ｅｌ素子 |
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-
2001
- 2001-08-10 JP JP2001244852A patent/JP3893916B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2001-08-10 US US09/925,324 patent/US6768258B2/en not_active Expired - Lifetime
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20020057052A1 (en) | 2002-05-16 |
| JP3893916B2 (ja) | 2007-03-14 |
| US6768258B2 (en) | 2004-07-27 |
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