JP2005302364A

JP2005302364A - 有機ｅｌ装置および電子機器

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Publication number: JP2005302364A
Application number: JP2004113130A
Authority: JP
Inventors: Kozo Shimokami; 耕造下神
Original assignee: Seiko Epson Corp
Current assignee: Seiko Epson Corp
Priority date: 2004-04-07
Filing date: 2004-04-07
Publication date: 2005-10-27

Abstract

【課題】封止基板を接合するための接着層からイオンが電極を介して機能層内部に浸入することを防止することが可能な有機ＥＬ装置および電子機器を提供することを目的とする。
【解決手段】基板上に、少なくとも、第１電極と、発光層を含む機能層と、および第２電極とが順次積層されてなる有機ＥＬ装置において、第２電極１０３の上部に形成した接着層１０８で封止基板１０９を接合し、接着層１０８は、イオンをトラップするイオントラップ材料を含有している。
【選択図】図１

Description

有機ＥＬ装置および電子機器に関し、詳細には、電極の上部に接着層と封止基板で封止処理が施されている有機ＥＬ装置および電子機器に関する。

有機ＥＬ素子は、薄型、全固体型、面状自発光及び高速応答であるといった特徴を有する発光素子であり、フラットディスプレイパネルやバックライトへの応用が期待されることから、近年各方面で盛んに研究が行われている。以前、有機ＥＬ素子は、無機物を用いた無機ＥＬ素子に比べて素子特性が著しく劣っていたが、１９８７年にコダック社のＴａｎｇらが有機物層を積層構成にする方法を発表してから［Ｃ．Ｗ．ＴａｎｇａｎｄＳ．Ａ．Ｖａｎｓｌｙｋｅ：Ａｐｐｌ．Ｌｅｔｔ．，５１（１９８７）９１３］素子特性が向上し、急速に発展している。また、近年、有機ＥＬ素子をディスプレイパネルに用いた、商品も発売されつつある。

有機ＥＬ装置は、通常、基板／第一電極／機能層／第二電極の構成を有する。機能層は、少なくとも有機化合物からなる発光層を含むが、素子特性向上のためにさらに複数の電荷輸送層を含むものが多い。また、水分や酸素分に弱い素子に対して信頼性を確保するために、第二電極の上部に接着層と封止基板で封止処理が施されているものもある。

ところで、有機ＥＬ装置では、機能層の材料中などにアルカリ金属やアルカリ土類金属等のイオンが入りこむと、機能層が劣化してその発光特性に影響を与え、有機ＥＬ素子の寿命が短くなるという問題がある。かかる問題を解決するために、例えば、特許文献１が提案されている。

特許文献１では、封止された容器内に、正孔注入用透明電極とアルカリ金属またはアルカリ土類金属を含む電子注入用金属薄膜電極からなる一対の電極間に、電子輸送性有機分子と正孔輸送性有機分子とを有し、電子輸送層と電子注入電極との間にイオン捕捉層を設けた構成を採用している。

特開平１１−１２１１７７号公報

しかしながら、上記特許文献１にあっては、封止基板を接合するための接着層から電極のピンホール等を介して浸入するイオンを完全にはブロックすることができないため、機能層に金属イオンが浸入してその劣化を生じさせるという問題がある。

本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、イオンが封止基板を接合するための接着層から電極を介して機能層内部に浸入することを防止することが可能な有機ＥＬ装置および電子機器を提供することを目的とする。

上記課題を解決して、上記目的を達成するために、本発明は、基板上に、少なくとも、第１電極と、発光層を含む機能層と、および第２電極とが順次積層されてなる有機ＥＬ装置において、前記第２電極の上部に形成した接着層で封止基板を接合し、前記接着層は、イオンをトラップするイオントラップ材料を含有していることを特徴とする。

これにより、接着層中のイオンを接着層中に含有させたイオントラップ材料でトラップすることができ、イオンが接着層から第２電極のピンホール等を介して機能層内部に浸入することを確実に防止することができる。この結果、イオンの浸入による機能層の劣化に伴う発光特性の低下を防止することが可能となる。

また、本発明の好ましい態様によれば、前記接着層には、前記イオンラップ材料が分散されていることが望ましい。これにより、接着層中に均一にイオントラップ材料を配することができ、接着層の全領域に亘りイオンをトラップすることが可能となる。

また、本発明の好ましい態様によれば、前記接着層には、当該接着層のギャップを規制するギャップ材が配されており、前記ギャップ材の表面にイオントラップ材料を含むイオントラップ膜が形成されていることが望ましい。これにより、ギャップ材に、接着層の厚さを規制するだけでなく、接着層中のイオンをトラップさせる機能を付与することができ、ギャップ材を有効に利用することが可能となる。

また、本発明の好ましい態様によれば、前記イオントラップ膜は、前記ギャップ材の表面に金属膜を形成し、当該金属膜の表面に前記イオントラップ材料を修飾するアルカンチオール膜を形成して構成することが望ましい。これにより、簡単な製造方法で、イオンを効率的にトラップ可能なイオントラップ膜を形成することができる。

本発明は、上記課題を解決して、基板上に、少なくとも、第１電極と、発光層を含む機能層と、および第２電極とが順次積層されてなる有機ＥＬ装置において、前記第２電極の上方に形成された接着層で封止基板を接合し、前記第２電極と前記接着層の間にイオンをトラップするイオントラップ材料を含有するイオントラップ層を形成したことを特徴とする。

これにより、接着層と第２電極との間に形成したイオントラップ層により接着層から浸入するイオンをトラップすることができ、イオンが接着層から第２電極のピンホール等を介して機能層内部に浸入することを確実に防止することができる。この結果、イオンの浸入による機能層の劣化に伴う発光特性の低下を防止することが可能となる。

また、本発明の好ましい態様によれば、前記第２電極と前記イオントラップ層の間に絶縁層を形成することが望ましい。これにより、第２電極に悪影響を与えることなく、接着層から浸入するイオンをトラップすることができる。

また、本発明の好ましい態様によれば、前記イオントラップ層は、金属膜の表面に前記イオントラップ材料を修飾するアルカンチオール膜を形成して構成することが望ましい。これにより、簡単な製造方法で、イオンを効率的にトラップ可能なイオントラップ層を形成することができる。

また、本発明の好ましい態様によれば、前記イオントラップ材料はイオン包接機能を有するイオン包接材料であることが望ましい。これにより、イオンを効率的にトラップすることができる。

また、本発明の好ましい態様によれば、前記イオン包接材料は、クラウンエーテルであることが望ましい。これにより、クラウンエーテルはその環の大きさによってトラップする金属イオンの選択性があることから、予想されるイオンに対応した大きさの環を選択することにより、より良好にイオンをトラップすることが可能となる。

また、本発明の好ましい態様によれば、前記イオントラップ材料は、異なるイオンを包接する複数種のイオン包接材料からなることが望ましい。これにより、異なった種類のイオンをトラップすることができ、各種のイオンをトラップすることができる。

また、本発明の好ましい態様によれば、本発明の有機ＥＬ装置を電子機器に搭載することが望ましい。これにより、発光特性の低下が少ない有機ＥＬ装置を搭載した電子機器を提供することが可能となる。

以下に、この発明につき図面を参照しつつ詳細に説明する。なお、この実施例によりこの発明が限定されるものではない。また、下記実施例における構成要素には、当業者が容易に想定できるものまたは実質的に同一のものが含まれる。

図１は、本発明の実施例１に係る有機ＥＬ装置１００の構成を示す要部断面図である。
この有機ＥＬ装置１００は、基体１０１上に陽極（第１電極）１０２と、陰極（第２電極）１０３とを有し、これら陽極１０１と陰極１０３との間に、機能層を備えたものである。機能層は、正孔注入／輸送層１０４と、発光層１０５とが積層されて構成される。この有機ＥＬ装置１００は、発光層１０５で発光した光を基体側から出射するボトムエミッション方式となっている。

基体１０１は、ガラス基板等の透明基板（図示せず）上にＴＦＴ素子からなる駆動素子（図示せず）や各種配線等を形成して構成されたもので、これら駆動素子や各種配線の上に絶縁層や平坦化膜を介して陽極１０２を形成したものである。

陽極１０２は、基体１０１上に形成される単一ドット領域毎にパターニングされて形成され、かつ、ＴＦＴ素子からなる前記駆動素子や前記各種配線等と接続されたもので、本実施例では、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）によって形成されている。

陽極１０２の周囲には、単一のドット領域を区画する無機バンク層１０６および有機バンク層１０７が形成されており、これら無機バンク層１０６および有機バンク層１０７に囲まれた凹部には、正孔注入／輸送層１０４と発光層１０５が設けられている。

正孔注入／輸送層１０４の形成材料としては、特に３，４−ポリエチレンジオキシチオフェン／ポリスチレンスルフォン酸（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）の分散液、すなわち、分散媒として、ポリスチレンスルフォン酸に３，４−ポリエチレンジオキシチオフェンを分散させ、さらに、これを水に分散させた分散液が好適に用いられる。

発光層１０５の形成材料としては、蛍光または燐光を発光することが可能な公知の発光材料が用いられる。特に、本実施例では、フルカラー表示を行うべく、発光波長帯域が光の三原色にそれぞれ対応したものが用いられている。発光波長帯域が赤色に対応した発光層、発光波長帯域が青色に対応した発光層、発光波長帯域が緑色に対応した発光層より、１つの画素が構成され、これらが階調して発光することにより、有機ＥＬ装置１００が全体としてフルカラー表示をなすようになっている。

この発光層１０５の材料として具体的には、（ポリ）フルオレン誘導体（ＰＦ）、（ポリ）パラパラフェニレンビニレン誘導体（ＰＰＶ）、ポリフェニレン誘導体（ＰＰ）、ポリパラフェニレン誘導体（ＰＰＰ）、ポリビニルカルバゾール（ＰＶＫ）、ポリチオフェン誘導体、プリメチルフェニルシラン（ＰＭＰＳ）などのポリシラン系などの高分子系材料が好適に用いられる。

また、これらの高分子系材料に、ペニレン系色素、クマリン系色素、ローダミン系色素などの低分子系材料や、ルブレン、ペリレン、９，１０−ジフェニルアントラセン、テトラフェニルブタジエン、ナイルレッド、クマリン６，キナクリドン等の高分子材料をドープして用いることもできる。

陰極１０３は、全ての画素領域を覆うようにして形成されたもので、発光層１０５側から順にＣａ層とＡｌ層とが積層されて形成されたものである。

陰極１０３の上には、封止基板１０９を基体１０１と接合するための接着層１０８が形成されている。接着層１０８は、熱硬化樹脂または紫外線硬化樹脂で形成されている。接着層１０８には、接着層１０８中のイオンをトラップするイオントラップ材料が分散されて含有されている。このイオントラップ材料で接着層１０８中のイオンをトラップすることにより、接着層１０８から陰極１０３内部にイオンが浸入することを確実に防止することができる。

イオントラップ材料としては、イオン包接機能を有するイオン包接材料を好適に使用することができる。封止基板１０９は、例えばガラス板等からなり、接着層１０８により貼設されている。

上記イオン包接材料としては、少なくとも２つの炭素原子に結合するルイス塩基性元素を複数有して構成されたものである。ここで、ルイス塩基性元素とは、ルイス塩基性を有する元素であり、ルイス酸塩基とは、Ｇ．Ｎ．Ｌｅｗｉｓによって定義された塩基をいう。すなわち、Ｇ．Ｎ．Ｌｅｗｉｓは、電子対供与体（ｅｌｅｃｔｒｏｎ−ｐａｉｒｄｏｎｏｒ）、いわゆる電子受容体（ｅｌｅｃｔｒｏｎａｃｃｅｐｔｅｒ）を酸と定義し、この酸、塩基の概念をあらゆる溶媒系での反応に適用しうることを示している。そして、この発明では、電子供与体となる元素をルイス塩基性元素と定義している。

このようなルイス塩基性を有する元素としては、例えば、酸素（Ｏ）、窒素（Ｎ）、硫黄（Ｓ）、リン（Ｐ）等が挙げられる。また、この金属トラップ材料としては、前記ルイス塩基性元素間に、少なくとも二つの炭素原子が介在されてなり、これら炭素原子間の炭素原子間の単結合を含んだものであるのが好ましい。

そして、このような条件を満たすものとして、クラウンエーテルが挙げられる。特に、［化１］に示す１５−クラウンー５を好適に用いることができる。このような１５−クラウン−５等のクラウンエーテルは、これ自体を金属イオントラップ材料としてもよく、また、金属イオントラップ材料における前記の環状部（骨格部）を構成する化合物としてクラウンエーテルを用いても良い。

このようなクラウンエーテルからなるイオン包接材料にあっては、特にルイス塩基性元素が酸素、さらには窒素であることから、酸素原子（窒素原子イオン）がマイナスの電気を帯びていることでプラスの電荷を持った金属イオン（Ｎａ⁺）、をトラップし、錯体を形成し易くなる。また、クラウンエーテルは、その環の大きさによって捕獲する金属イオンの選択性があることから、予想される不純物（金属イオン）に対応した大きさの環を選択することにより、より良好な捕獲性を発揮して錯体を形成するものとなる。本実施例では、特に、接着層１０８に存在するＮａ⁺を捕獲するものとして、上述した化合物（１）が好適である。

なお、イオン包接材料としては、［化１］で示す１５−クラウンー５以外のクラウンエーテルを使用することにしても良い。また、イオン包接材料としては、クラウンエーテル以外の材料を使用してもよい。本実施例では、イオン包接材料として、例えば、Ｌｉ⁺をトラップする［化２］に示す１２−クラウン−４、Ｌｉ⁺やＮａ⁺等をトラップする［化３］に示す１８−クラウン−６、Ｒｂ⁺をトラップする［化４］に示す２１−クラウン−７、Ｃｓ⁺等をトラップする［化５］に示す２４−クラウン−８、Ｃｌ^-をトラップする［化６］に示すビストレン、Ｋ⁺等をトラップする［化７］に示すクリプタッド、Ｋ⁺等をトラップする［化８］に示すペンタエチレングリコール等を使用することができる。

イオン包接材料については、例えば、トラップするイオンの選択性が異なる複数種の材料を混合して用い、これにより異なるイオンをそれぞれトラップできるように構成しても良い。例えば、Ｎａ⁺とＣｌ^-をトラップする場合には、１５−クラウン−５［化１］とビストレン［化６］を混合して使用することができる。ここで、Ｃｌ^-は、接着層１０８としてエポキシ樹脂を使用した場合に、その製造工程で含有されるものである。

上記構成の有機ＥＬ装置１００の製造方法を図２を参照して説明する。図２は、有機ＥＬ装置１００の製造工程を説明するための説明図である。まず、従来と同様にして透明基板上にＴＦＴ素子や各種配線等を形成し、さらに、層間絶縁層や平坦化膜を形成して基体１０１を得る。つぎに、この基板１０１上に蒸着法等によってＩＴＯを成膜し、さらにパターニングすることによって陽極１０２を形成する。

つづいて、陽極１０２の周囲を囲むようにして基体１０１上にＳｉＯ₂からなる無機バンク層１０６を形成し、さらに、この無機バンク層１０６上に樹脂からなる有機バンク層１０７を形成し、これにより、図２−１に示すように、陽極１０２上に凹部１２０を形成する。有機バンク層１０７に用いられる材料としては、ポリイミド、アクリル樹脂などが挙げられる。これらの材料に予めフッ素元素を含んだ構造のものを用いても良い。

図２−１に示したような、無機バンク層１０６および有機バンク層１０７で囲まれた凹部１２０を有する基体１０１を、酸素プラズマ−ＣＦ₄プラズマ連続処理することにより基体１０１上の塗れ性を制御し、ついで、この凹部１２０内にインクジェット法等の液滴吐出法によって、正孔注入／輸送層１０４を形成する。すなわち、図２−２に示すように液滴吐出ヘッド（インクジェットヘッド）１３０から正孔注入／輸送層１０４の形成材料１０４ａを凹部１２０内に選択的に吐出し、続いてこれを乾燥・ベイクすることにより、図２−３に示すように、陽極１０２上に正孔注入／輸送層１０４を形成する。

つづいて、インクジェット法等の液滴吐出法によって、凹部１２０内の正孔注入／輸送層１０４上に発光層１０５を形成する。すなわち、図２−４に示すように液滴吐出ヘッド（インクジェットヘッド）１３０から発光層１０５の形成材料１０５ａを凹部１２０内の正孔注入／輸送層１０４上に選択的に吐出し、続いてこれを乾燥・ベイクすることにより、図２−５に示すように、正孔注入／輸送層１０４上に発光層１０５を形成する。この発光層１０５の形成にあたっては、赤色の発光層、緑色の発光層、青色の発光層をそれぞれ作り分ける必要があるが、液滴吐出法によれば、各発光層の形成材料をそれぞれ所望位置に打ち分けるだけで、容易に掻く発光層を形成することができる。

さらに、従来と同様に、蒸着法等によって発光層１０５および有機バンク層１０７を覆った状態にＣａ（カルシウム）を成膜し、さらにこの上にＡｌ（アルミニウム）を成膜することにより、Ｃａ／Ａｌの積層構造からなる陰極１０３を形成する。その後、陰極１０３上に、イオン包接材料を分散させた、熱硬化樹脂または紫外線硬化樹脂を塗布して接着層１０８を形成した後、封止基板１０９を重ね、加熱または紫外線照射して、接着層１０８を硬化させて、封止基板１０９と基体１０１を接合する。このようにして、上記図１に示す有機ＥＬ装置１００が製造される。

実施例１によれば、接着層１０８中にイオンをトラップするイオントラップ材料を分散させているので、イオントラップ材料で接着層中のイオンをトラップすることができ、イオンが接着層から第２電極のピンホール等を介して機能層内部に浸入することを確実に防止することができる。この結果、イオンの浸入による機能層の劣化に伴う発光特性の低下を防止することが可能となる。

図３は、本発明の実施例２に係る有機ＥＬ装置２００の構成を示す要部断面図である。図３において、図１と同等機能を有する部位には同一符号を付しており、共通する部分のの説明は省略する。実施例１では、接着層１０８に、直接、イオントラップ材料（イオン包接材料）を分散させて含有させた構造であるが、実施例２は、接着層１０８のギャップを規制するギャップ材の表面にイオントラップ膜を形成したものである。

図３において、接着層１０８中には、接着層１０８のギャップを規制するギャップ材２０１が設けられている。図４は、ギャップ材２０１の模式的な断面構成を示す図である。
ギャップ材２０１は、図４に示すように、球状の樹脂またはガラスからコア部２１０の表面にイオントラップ膜２２０が被覆されている。このイオントラップ膜２２０は、コア部２１０の表面にＡｕ等の金属膜２２１を蒸着し、この金属膜２２１の表面にイオン包接材料を修飾するチオール膜２２２を形成して構成されている。イオン包接材料は、実施例１と同様な材料を使用することができる。

図５は、金属膜とチオール膜の結合状態を模式的に示す図である。図５において、アルカンチオオール修飾したクラウンエーテル（同図に示す例では、１５−クラウン−５）を合成し、金属膜２２１にアルカンチオオール修飾したクラウンエーテルをチオール結合（共有結合）させてイオントラップ膜２２０が形成されている。

上記構造の有機ＥＬ装置２００の接着層を形成する場合は、接着層材料である熱硬化樹脂または紫外線硬化樹脂にギャップ材２０１を分散した後、陰極１０３の表面に塗布して接着層１０８を形成する。この後、接着層１０８に封止基板１０９を重ね、加熱または紫外線照射して、接着層１０８を硬化させて、封止基板１０９と基体１０１を接合する。

実施例２によれば、接着層１０８のギャップを規制するギャップ材２０１の表面にイオントラップ材料を含むイオントラップ膜２２０を形成して接着層１０８中にイオントラップ材料を含有させているので、ギャップ材に、接着層の厚さを規制するだけでなく、接着層中のイオンをトラップさせる機能を付与することができ、ギャップ材を有効に利用することが可能となる。

なお、実施例２では、ギャップ材の表面にイオン包接材料の膜を形成することとしたが、ギャップ材内にイオン包接材料を分散させる構造としても良い。また、接着層材料中に混入させるフィラーの表面にイオン包接材料の膜を形成するか、または、フィラー内部にイオン包接材料を分散させる構造としても良い。なお、実施例１および実施例２では、有機ＥＬ装置の封止基板を封止するための接着層（封止部）に、イオン包接材料を含有させることとしたが、本発明はこれに限られるものではなく、液晶表示装置等において、基板を接合するためのシール材中に、イオン包接材料を含有させることにしても良い。

図６は、本発明の実施例３に係る有機ＥＬ装置３００の構成を示す要部断面図である。図６において、図１と同等機能を有する部位には同一符号を付しており、共通する部分のの説明は省略する。実施例１および実施例２では、接着層１０８中にイオン包接材料を含有させる構成としたが、実施例３では、接着層１０８から流出するイオンをトラップするために、接着層１０８と陰極１０３間にイオントラップ層を形成して構造としたものである。

図６において、陰極１０３上には、ＳｉＯ₂等の絶縁材料からなる絶縁層３０１が形成されている。この絶縁層３０１の上には、接着層１０８から流入するイオンをトラップするためのイオントラップ層３０２が形成されている。このイオントラップ層３０２は、金属膜の表面にイオン包接材料を修飾するチオール膜を形成した構造となっている（上記図５参照）。イオン包接材料は、実施例１と同様な材料を使用することができる。

上記構造の有機ＥＬ装置３００の絶縁層３０１およびイオントラップ層３０２を形成する場合は、まず、陰極１０３上にＳｉＯ₂等からなる絶縁層３０１を蒸着法等により形成する。つぎに、絶縁層３０１上にＡｕ等の金属膜を蒸着し、さらに、この金属膜の上に、アルカンチオオール修飾したクラウンエーテル等を溶媒に溶解した液状体を塗布して、
チオール膜を形成した後、乾燥させることでイオントラップ層３０２を形成する。

このイオントラップ層３０２上に、熱硬化樹脂または紫外線硬化樹脂からなる接着剤を塗布して接着層１０８を形成した後、封止基板１０９を重ね、加熱または紫外線照射して、接着層１０８を硬化させて、封止基板１０９と基体１０１を接合する。

実施例３によれば、陰極１０３と接着層１０８の間にイオンをトラップするイオントラップ材料を含有するイオントラップ層３０２を形成しているので、接着層から浸入するイオンをトラップすることができ、イオンが接着層から第２電極のピンホール等を介して機能層内部に浸入することを確実に防止することができる。この結果、イオンの浸入による機能層の劣化に伴う発光特性の低下を防止することが可能となる。

なお、上記実施例１〜実施例３では、ボトムエミッション方式の有機ＥＬ装置について説明したが、トップエミッション方式にしても良い。また、本発明は上記実施例１〜実施例３に限定されるものではなく、これらの実施例を組み合わせて実施することも可能である。

（電子機器への適用例）
つぎに、本発明に係る有機ＥＬ装置を適用可能な電子機器の具体例について図７を参照して説明する。図７−１は、本発明に係る有機ＥＬ装置を可搬型のパーソナルコンピュータ（いわゆるノート型パソコン）４００の表示部に適用した例を示す斜視図である。同図に示すように、パーソナルコンピュータ４００は、キーボード４０１を備えた本体部４０２と、本発明に係る有機ＥＬ装置を適用した表示部４０３とを備えている。図７−２は、本発明に係る有機ＥＬ装置を携帯電話機５００の表示部に適用した例を示す斜視図である。同図に示すように、携帯電話機５００は、複数の操作ボタン５０１のほか、受話口５０２、送話口５０３とともに、本発明に係る有機ＥＬ装置を適用した表示部５０４を備えている。

本発明に係る有機ＥＬ装置は、上述した携帯電話機やノートパソコン以外にも、ＰＤＡ（Personal Digital Assistants）と呼ばれる携帯型情報機器、パーソナルコンピュータ、ワークステーション、デジタルスチルカメラ、車載用モニタ、デジタルビデオカメラ、テレビ、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話機、およびＰＯＳ端末機などの電子機器に広く適用することができる。

本発明の有機ＥＬ装置は、有機ＥＬ表示装置、エレクトロミック調光ガラス、電子ペーパー、照明装置、およびプリンタヘッド等に広く利用可能である。また、本発明に係る電子機器は、携帯電話機、ＰＤＡ（Personal Digital Assistants）と呼ばれる携帯型情報機器、携帯型パーソナルコンピュータ、パーソナルコンピュータ、ワークステーション、デジタルスチルカメラ、車載用モニタ、デジタルビデオカメラ、テレビ、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、テレビ電話機、およびＰＯＳ端末機などの電子機器に広く利用することができる。

実施例１に係る有機ＥＬ装置の構成を示す要部断面図。実施例１に係る有機ＥＬ装置の製造工程を説明するための説明図。実施例１に係る有機ＥＬ装置の製造工程を説明するための説明図。実施例１に係る有機ＥＬ装置の製造工程を説明するための説明図。実施例１に係る有機ＥＬ装置の製造工程を説明するための説明図。実施例１に係る有機ＥＬ装置の製造工程を説明するための説明図。実施例２に係る有機ＥＬ装置の構成を示す要部断面図。ギャップ材の模式的な断面構成を示す図。金属膜とチオール膜の結合状態を模式的に示す図。実施例３に係る有機ＥＬ装置の構成を示す要部断面図。実施例に係る有機ＥＬ装置を備えたパソコンの斜視図。実施例に係る有機ＥＬ装置を備えた携帯電話機の斜視図。

符号の説明

１００有機ＥＬ装置、１０１基体、１０２陽極（第１電極）、１０３陰極（第２電極）、１０４正孔注入／輸送層、１０５は発光層、１０６無機バンク層、１０７有機バンク層、１０８接着層、１０９封止基板、２００有機ＥＬ装置、２０１ギャップ材、３００有機ＥＬ装置、３０１絶縁層、３０２イオントラップ層、４００コンピュータ、４０１キーボード、４０２本体部、４０３表示部、５００携帯電話機、５０１操作ボタン、５０２受話口、５０３送話口、５０４表示部

Claims

基板上に、少なくとも、第１電極と、発光層を含む機能層と、および第２電極とが順次積層されてなる有機ＥＬ装置において、
前記第２電極の上部に形成した接着層で封止基板を接合し、
前記接着層は、イオンをトラップするイオントラップ材料を含有していることを特徴とする有機ＥＬ装置。
前記接着層には、前記イオンラップ材料が分散されていることを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ装置。
前記接着層には、当該接着層のギャップを規制するギャップ材が配されており、
前記ギャップ材の表面にイオントラップ材料を含むイオントラップ膜が形成されていることを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ装置。
前記イオントラップ膜は、前記ギャップ材の表面に金属膜を形成し、当該金属膜の表面に前記イオントラップ材料を修飾するアルカンチオール膜を形成してなることを特徴とする請求項３に記載の有機ＥＬ装置。
基板上に、少なくとも、第１電極と、発光層を含む機能層と、および第２電極とが順次積層されてなる有機ＥＬ装置において、
前記第２電極の上部に形成した接着層で封止基板を接合し、
前記第２電極と前記接着層の間にイオンをトラップするイオントラップ材料を含有するイオントラップ層を形成したことを特徴とする有機ＥＬ装置。
前記第２電極と前記イオントラップ層の間に絶縁層を形成したことを特徴とする請求項５に記載の有機ＥＬ装置。
前記イオントラップ層は、金属膜の表面に前記イオントラップ材料を修飾するアルカンチオール膜を形成してなることを特徴とする請求項６に記載の有機ＥＬ装置。
前記イオントラップ材料はイオン包接機能を有するイオン包接材料であることを特徴とする請求項１〜請求項７のいずれか１つに記載の有機ＥＬ装置。
前記イオン包接材料は、クラウンエーテルであることを特徴とする請求項８に記載の有機ＥＬ装置。
前記イオントラップ材料は、異なるイオンを包接する複数種のイオン包接材料からなることを特徴とする請求項８または請求項９に記載の有機ＥＬ装置。
請求項１〜請求項１０のいずれか１つに記載の有機ＥＬ装置を搭載したことを特徴とする電子機器。