KR100721844B1 - 전기 광학 장치와 그 제조 방법, 및 화상 형성 장치 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 발광에 기여하는 층으로 되는 막의 불필요한 부분을 배선 위로부터 일거에 충분히 제거하는 방법에 의해 제조 가능한 전기 광학 장치 및 이것을 사용한 화상 형성 장치를 제공하는 것을 과제로 한다.
주기판(11)과, 주기판(11) 위에 배열된 화소 영역(P)과, 화소 영역(P)을 덮는 양극층(13a)에 접하는 양극 단자(13)와, 화소 영역(P)을 덮는 음극에 접하는 음극 단자(14)를 구비한다. 양 단자는 주기판(11) 위에 발광 소자의 발광층(17)의 하층에 형성되어 있다. 양극 단자(13)는 주기판(11) 외의 외부 장치로부터의 단자가 접속되는 외부 접속부(13b)를 갖고, 음극 단자(14)는 상기 단자가 접속되는 외부 접속부(14b)와 음극 피복 도전층(19)에 접하는 음극 컨택트부(14a)를 갖는다. 음극층(18)은 음극 피복 도전층(19)에 접하여 발광층(17)에 밀착되고, 외부 접속부(13b), 외부 접속부(14b) 및 음극 컨택트부(14a)와 겹치지 않는다.
주기판, 화소 영역, 발광층, 양극 단자, 외부 접속부
Description
도 1은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 발광 장치(전기 광학 장치)(10)의 평면도.
도 2는 도 1의 A-A선에 따른 단면도.
도 3은 발광 장치(10)를 제조하는 순서의 최초 공정을 나타낸 도면.
도 4는 도 3의 다음 공정을 나타낸 도면.
도 5는 도 4의 다음 공정을 나타낸 도면.
도 6은 도 5의 다음 공정을 나타낸 도면.
도 7은 도 6의 다음 공정을 나타낸 도면.
도 8은 도 7의 다음 공정을 나타낸 도면.
도 9는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 발광 장치(전기 광학 장치)(30)에 관한 것으로서, 도 2와 동일한 단면도.
도 10은 발광 장치(10)를 제조하는 순서의 도중 공정을 나타낸 도면.
도 11은 도 10의 다음 공정을 나타낸 도면.
도 12는 도 11의 다음 공정을 나타낸 도면.
도 13은 도 12의 다음 공정을 나타낸 도면.
도 14는 발광 장치(10)의 변형예에 따른 발광 장치(전기 광학 장치)(40)에 관한 것으로서, 도 2와 동일한 단면도.
도 15는 본 발명의 실시예 및 변형예에 따른 각 발광 장치를 라인형 노광 헤드로서 사용한 화상 형성 장치의 일례를 나타낸 종단면도.
도 16은 본 발명의 실시예 및 변형예에 따른 각 발광 장치를 라인형 노광 헤드로서 사용한 다른 화상 형성 장치의 종단면도.
도 17은 본 발명의 실시예 및 변형예에 따른 각 발광 장치를 사용한 화상 표시 장치의 일례를 나타낸 사시도.
도 18은 본 발명의 실시예 및 변형예에 따른 각 발광 장치를 사용한 다른 화상 표시 장치를 나타낸 사시도.
도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명
10, 30, 40 : 발광 장치(전기 광학 장치) 11 : 주(主)기판
13 : 양극(陽極) 단자(배선) 13a, 42 : 양극층(제 1 전극층)
13b, 43b : 외부 접속부 14 : 음극(陰極) 단자(배선)
14a : 음극 컨택트부 14b : 외부 접속부
15, 45 : 보호막 15a : 제 1 관통 구멍
15b : 제 2 관통 구멍
16, 36 : 정공 주입층(발광 기능층의 일부)
17, 37 : 발광층(발광 기능층의 일부) 18 : 음극층(제 2 전극층)
19, 39 : 음극 피복(被覆) 도전층(도전체) 20 : 접착제
21 : 밀봉 기판 38 : 밀봉 수지
47 : TFT(박막트랜지스터)
본 발명은 전기 광학 장치와 그 제조 방법, 및 전기 광학 장치를 사용한 화상 형성 장치에 관한 것이다.
최근 발광(發光) 장치로서, EL(Electro Luminescent) 소자를 발광 소자로서 배열한 것이 주목받고 있다. EL 소자는, 광의 투과량을 변화시키는 액정 소자와는 달리, 그 자체가 발광하는 전류 구동형 발광 소자이며, 정공 주입층이나 발광층 등의 발광에 기여하는 층을 갖는다.
이러한 발광 장치의 제조 공정에 있어서, 발광에 기여하는 층의 형성 방법으로서는, 상기 층의 재료를 스핀 코팅법 등의 공지의 방법에 의해 주(主)기판 위의 광범위에 걸쳐 도포함으로써 성막(成膜)한 후에, 상기 막이 불필요한 영역(발광부 이외의 부분)에 레이저광을 조사하여 상기 막을 선택적으로 제거하는 방법을 들 수 있다. 이 종래 방법에 의하면, 발광에 기여하는 층으로 되는 막을 다수의 발광 소자에 걸쳐 일거에 형성할 수 있다. 따라서, 이 종래 방법은 발광 소자의 재료를 그 설치해야 할 위치에 선택적으로 부여하여 성막하는 방법에 비하여 생산성이 우수하다.
상기 종래 방법에서 막의 선택 제거를 행하는 레이저로서는, 엑시머 레이저 또는 자외선 YAG(Yttrium Aluminium Garnet) 레이저 등의 자외선 레이저를 사용한다. 엑시머 레이저로서는, 예를 들어 파장이 2백 수십 나노미터인 불화크립톤을 사용한 것이 이용된다. 또한, 적외선 레이저(예를 들어 CO2 레이저)를 사용하는 것도 불가능하지는 않지만, 제거하고자 하는 막 아래의 층까지 파괴될 우려가 있는 데다가 가공 잔사(殘渣)가 많기 때문에, 바람직하지 않다.
그런데, 주기판 위에는 EL 소자를 구동 또는 제어하기 위한 외부 장치로부터의 단자가 접속되는 각종 배선이 형성된다. 이들 배선의 형성은 발광에 기여하는 막의 형성에 앞서 실행되고, 이들 배선과 외부 장치로부터의 단자의 접속은 상기 막의 광범위에 걸친 형성 후에 실행된다. 따라서, 이들 배선에 있어서, 외부 장치로부터의 단자가 접속되는 부분은 상기 막의 선택 제거에 의해 노출되어야만 한다. 그러나, 자외선 레이저광에서는, 상기 막의 제거를 충분히 행할 수 없다는 문제가 있다. 이 때문에, 주기판 위의 배선과 외부 장치로부터의 단자의 접속을 충분한 강도 및 낮은 저항값으로 행할 수 없다는 문제가 있었다.
또한, 발광에 기여하는 층 위에 형성되는 전극(예를 들어 음극)과 주기판 위의 배선(예를 들어 음극 단자)을 접속할 필요가 있기 때문에, 그 접속 개소에서도 발광에 기여하는 막을 제거하여 배선을 노출시킬 필요가 있다. 그러나, 이 막의 제거가 불충분하면, 접속 개소에서의 저항값이 커져 원하는 발광 특성을 얻을 수 없다.
이러한 문제를 해소하기 위해, 상기 막의 선택 제거에 용액 약제를 사용하는 습식 에칭법을 채용하는 것을 생각할 수 있다. 그러나, 발광에 기여하는 층까지 수분이나 용제(溶劑)에 침지될 우려가 있기 때문에, 이 방법을 그대로 채용할 수는 없다. 또한, 다른 에칭법으로서는, 산소 플라스마 에칭법이나, 질소나 아르곤을 사용한 이온 에칭법 등을 들 수 있지만, 이들도 등방성 에칭법으로서, 막의 선택 제거는 곤란하기 때문에, 이들 방법을 그대로 채용할 수는 없다.
특허문헌 1에는 발광 장치(유기 EL 장치)의 다른 제조 방법이 개시되어 있다. 이 방법에서는, 우선, 주기판 위에 배선(양극 단자와 음극 단자)을 형성하고, 이어서 발광에 기여하는 층의 재료를 스핀 코팅법에 의해 주기판 위의 광범위에 걸쳐 도포함으로써 성막한다. 그 후, 상기 재료를 용해시키는 용제와 은을 함유하는 액체를 적하(滴下)함으로써 음극 단자까지의 관통 구멍의 형성 및 상기 관통 구멍으로의 은의 충전을 행하고, 이 관통 구멍을 덮도록 음극층을 형성함으로써, 음극층과 음극 단자를 접속한다.
[특허문헌 1] 일본국 공개특허2002-124376호 공보
그러나, 특허문헌 1에는 발광에 기여하는 층으로 되는 막을 선택 제거하는 것은 기재되어 있지 않다. 이 문헌의 개시에 의하면, 음극층과 음극 단자를 은에 의해 접속한 후에도, 주기판 위의 배선 위에 광범위에 걸쳐 발광층과 정공 주입층이 남겨져 있고, 주기판 위의 배선을 외부 장치로부터의 단자에 접속하는 공정은 개시되어 있지 않다. 종래 방법과 같이, 주기판 위의 배선 위의 막이 불필요한 영역에만 레이저광을 조사하여 불필요한 막을 선택 제거하도록 시도했다고 하여도, 상술한 바와 같이, 막의 제거가 불충분해져 접속 강도가 부족하고, 저항값이 높아진다.
본 발명은 상술한 문제를 감안하여 안출된 것으로서, 발광 소자를 구동 또는 제어하는 외부 장치로부터의 단자를 주기판 위의 배선에 접속할 필요가 있는 전기 광학 장치로서, 발광에 기여하는 층으로 되는 막의 불필요한 부분을 배선 위로부터 일거에 충분히 제거하는 방법에 의해 제조 가능한 전기 광학 장치와 그 제조 방법, 및 전기 광학 장치를 사용한 화상 형성 장치를 제공한다.
상기 과제를 해결하기 위해, 본 발명에 따른 전기 광학 장치는, 제 1 전극층과, 제 2 전극층과, 상기 제 1 전극층 및 상기 제 2 전극층 사이의 전압에 따라 발광하는 발광 기능층을 구비하는 발광 소자가 복수 배열된 전기 광학 장치로서, 주기판과, 상기 주기판 위에 배치된 상기 제 1 전극층과, 상기 제 1 전극층 위에 배치된 상기 발광 기능층과, 상기 발광 기능층 위에 배치된 상기 제 2 전극층과, 상기 주기판 위에 상기 발광 기능층보다도 하층에 형성되고, 상기 발광 소자에 급전(給電)하거나, 또는 상기 발광 소자를 제어하는 복수의 배선과, 상기 배선 중 어느 것과 상기 제 2 전극층을 접속하는 도전체(導電體)와, 상기 발광 기능층보다도 하층, 또한 상기 제 1 전극층 및 상기 배선보다도 상층에 형성되고, 상기 배선을 부분적으로 덮는 절연성 보호막을 구비하며, 상기 배선은 상기 주기판 외의 외부 장치의 단자가 접속되는 외부 접속부를 상면(上面)에 갖고, 상기 보호막은 상기 외부 접속부와는 겹치지 않으며, 상기 제 1 전극층 위에서 상기 보호막에는 제 1 관통 구멍이 형성되고, 상기 제 1 관통 구멍을 통하여 상기 제 1 전극층이 상기 발광 기능층과 접합되며, 상기 제 2 전극층은 상기 발광 기능층 중 적어도 상기 제 1 관통 구멍과 겹치는 영역의 상면에 밀착 접합되어 이 영역을 덮고, 상기 도전체에 의해 상기 제 2 전극층에 접속되는 상기 배선 위에서 상기 보호막에는 상기 도전체가 충전되는 제 2 관통 구멍이 형성되며, 상기 제 2 전극층은 상기 제 2 관통 구멍 및 상기 외부 접속부 중 어느 것과도 겹치지 않도록 배치되어 있는 것을 특징으로 한다.
여기서, 「발광 소자」는 유기 EL 소자 및 무기 EL 소자를 포함한다. 「전기 광학 장치」는 각종 발광 장치, 조명 장치 및 화상 표시 장치를 포함한다. 「제 1 전극층」 및 「제 2 전극층」은 양극층 또는 음극층이며, 「제 1 전극」이 양극층이면 「제 2 전극층」은 음극층이고, 「제 1 전극」이 음극층이면 「제 2 전극층」은 양극층이다. 「발광 기능층」은 양극층과 음극층 사이에 개재되어 발광에 기여하는 층이며, 적어도 발광층을 갖는다. 「발광 기능층」은 단일 발광층만으로 구성되어 있을 수도 있고, 복수의 층으로 구성되어 있을 수도 있다. 예를 들어 「발광 기능층」은 발광층과 정공 주입층으로 구성되어 있을 수도 있고, 전자 주입층과 전자 수송층과 발광층과 정공 수송층과 정공 주입층으로 구성되어 있을 수도 있다.
이 전기 광학 장치에 의하면, 절연성 보호막에 형성된 제 1 관통 구멍의 상하에 제 1 전극층과 제 2 전극층이 있기 때문에, 제 1 관통 구멍의 영역이 발광 기능층이 효율적으로 발광하는 영역, 즉, 화소 영역으로 된다. 제 2 전극층은 발광 기능층 중 적어도 제 1 관통 구멍과 겹치는 영역, 즉, 화소 영역을 덮기 때문에, 상기 전기 광학 장치의 제조 공정에서, 발광 기능층의 재료를 주기판 위에 광범위하게 도포하고 나서, 화소 영역 이외의 발광 기능층을 에칭에 의해 제거할 때의 마스크로서 제 2 전극층을 사용할 수 있다. 또한, 제 2 전극층은 발광 기능층에 밀착되어 있기 때문에, 산소 플라스마 에칭 등의 등방성 에칭법을 채용하여도, 제 2 전극층과 발광 기능층 사이의 계면(界面)에 플라스마 등의 에칭 매체가 스며드는 것이 방지되어 발광 기능층이 손상될 우려는 없다.
또한, 이 전기 광학 장치에서는, 발광 기능층보다도 하층에 있는 주기판 위의 배선 및 보호막은, 발광 기능층의 재료를 주기판 위에 광범위하게 도포하여 막을 형성하면, 이 막에 의해 덮이게 된다. 그러나, 제 2 전극층은 보호막의 제 2 관통 구멍과 겹치지 않기 때문에, 보호막을 덮도록 발광 기능층을 성막한 후에 발광 기능층을 등방성 에칭하면, 제 2 관통 구멍으로부터 발광 기능층을 충분히 제거하여 제 2 관통 구멍을 통하여 배선을 노출시킬 수 있다. 따라서, 절연성 보호막에 형성된 제 2 관통 구멍에는 도전체를 충전할 수 있으며, 이 도전체에 의해 제 2 전극층이 배선에 확실하게 접속된다. 또한, 보호막은 배선 상면의 외부 접속부와는 겹치지 않고, 제 2 전극층도 외부 접속부와는 겹치지 않기 때문에, 등방성 에칭에 의해, 외부 접속부 위의 발광 기능층을 충분히 제거하여 배선의 외부 접속부를 노출시킬 수 있다. 이상으로부터, 이 전기 광학 장치에 의하면, 그 제조 공정에서, 발광 기능층의 재료를 주기판 위에 광범위하게 도포한 상태에서, 제 2 전극층을 마스크로서 사용하면서도, 배선 위의 불필요한 발광 기능층을 일거에 충분히 제 거할 수 있다. 이것은 전기 광학 장치의 생산성 및 품질 향상에 기여한다.
바람직한 형태로서, 상기 제 2 전극층에서의 적어도 상기 제 1 관통 구멍과 겹치는 영역의 상면에 상기 제 2 전극층의 산화(酸化)를 방지하는 밀봉 수지가 밀착 접합되어 있고, 상기 제 2 전극층에서의 상기 밀봉 수지가 접합되지 않은 영역의 상면에 상기 도전체가 밀착 접합되어 있을 수도 있다. 「밀착 접합」은 제 2 전극층과 밀봉 수지(또는 도전체) 사이에 접착제 등의 다른 물질이 개재되지 않고, 양자가 직접 접촉된 상태에서 빈틈없이 접합되어 있는 것을 의미한다. 이 형태에서는, 제 2 전극층의 산화를 방지하는 밀봉 수지가 제 2 전극층에서의 적어도 제 1 관통 구멍과 겹치는 영역(화소 영역)의 상면에 밀착 접합되어 있기 때문에, 화소 영역 이외의 발광 기능층을 산소 플라스마 에칭에 의해 제거하여도, 적어도 화소 영역에서는 제 2 전극층의 산화가 억제된다. 또한, 제 2 전극층과 밀봉 수지가 밀착 접합되어 있기 때문에, 제 2 전극층과 발광 기능층 사이의 계면에 산소가 스며드는 것이 억제된다. 화소 영역 이외의 발광 기능층을 제거하는 방법으로서 산소 플라스마 에칭 이외의 방법을 사용할 경우에도, 대기(大氣) 등의 산소 분위기 중에서는 제 2 전극층이 산화되어 저항값이 증가할 우려가 있지만, 그 우려가 저감된다. 또한, 제 2 전극층에서의 밀봉 수지가 접합되지 않은 영역의 상면에 도전체가 밀착 접합됨으로써, 밀봉 수지가 접합되지 않은 영역에 대해서도 도전체에 의해 어느 정도는 제 2 전극층의 산화가 억제되고, 제 2 전극층의 저항값 증가의 우려를 억제할 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 화상 형성 장치는, 상담지체(像擔持體)와, 상기 상담 지체를 대전(帶電)하는 대전기와, 복수의 상기 발광 소자가 배열되고, 상기 상담지체의 대전된 면에 복수의 상기 발광 소자에 의해 광을 조사하여 잠상(潛像)을 형성하는 상기 중 어느 하나의 전기 광학 장치와, 상기 잠상에 토너를 부착시킴으로써 상기 상담지체에 현상(顯像)을 형성하는 현상기와, 상기 상담지체로부터 상기 현상을 다른 물체에 전사하는 전사기를 구비한다.
이 화상 형성 장치에 의하면, 기입 수단으로서 상기 중 어느 하나의 전기 광학 장치를 사용하고 있기 때문에, 레이저 주사 광학계를 사용한 경우보다도 장치의 소형화를 도모할 수 있다. 또한, 상기 중 어느 하나의 전기 광학 장치를 사용함으로써, 화상 형성 장치의 생산성 및 품질 향상에 기여한다.
이하, 첨부도면을 참조하면서 본 발명에 따른 다양한 실시예를 설명한다. 또한, 도면에서는 각부의 치수 비율은 실제의 것과는 적절히 다르게 한다.
<1. 제 1 실시예>
도 1은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 발광 장치(전기 광학 장치)(10)의 평면 단면도이고, 도 2는 도 1의 A-A선에 따른 단면도이다. 도 1은 보다 구체적으로는 도 2의 B-B선에 따른 단면도로서, 후술하는 보호막(15) 및 그것보다 상층의 구성요소는 이해를 용이하게 하기 위해 도 1에서 가상선(假想線)에 의해 나타낸다.
도 1에 나타낸 바와 같이, 발광 장치(10)는 주기판(11) 위에 복수의 화소 영역(P)을 4열, 또한 지그재그 형상으로 배열하여 구성되어 있다. 화소 영역(P)의 각각은 도 1의 지면(紙面) 수직 방향으로 광을 출사시킨다. 본 명세서에서는, 각 화소 영역(P)에서 발광에 기여하는 부분을 발광 소자(후술하는 양극층(13a), 정공 주입층(16), 발광층(17) 및 음극층(18)을 가짐)라고 부른다. 또한, 양극층과 음극층 사이에 개재되어 발광에 기여하는 층(정공 주입층(16)과 발광층(17)의 세트)을 발광 기능층이라고 부른다. 주기판(11)의 2개의 긴 변 근방에는 양극 단자(배선)(13) 및 음극 단자(배선)(14)가 번갈아 설치되어 있다. 또한, 주기판(11)의 2개의 짧은 변 근방에도 음극 단자(14)가 각각 설치되어 있다. 각 화소 영역(P)에 대응하는 발광 소자에는 양극 단자(13)에 의해 전원 전위가 공급된다. 각 양극 단자(13)는 그 양극 단자(13)가 대응하는 화소 영역(P)으로부터 주기판(11)의 긴 변까지 연장되어 있다.
이 발광 장치(10)에는 모든 발광 소자, 더 나아가서는 모든 화소 영역(P)에 공통되는 음극층(제 2 음극)(18)과, 음극층(18)에 접하는 음극 피복 도전층(도전체)(19)이 설치되어 있다. 모든 화소 영역(P)에 대응하는 발광 소자는 단일 음극층(18)을 공통으로 갖고 있으며, 음극층(18)에 접하는 음극 피복 도전층(19)에는 다수의 음극 단자(14)가 접속되어 있다. 이들 음극 단자(14)에 의해, 모든 발광 소자에 그라운드 전위가 공급된다. 각 음극 단자(14)는 음극 피복 도전층(19) 바로 아래의 영역으로부터 주기판(11)의 단부(端部)까지 연장되어 있다. 음극 단자(14) 각각의 일단(一端)의 상면에는 음극 피복 도전층(19)에 접촉되는 음극 컨택트부(14a)가 있다. 음극층(18)에는 단일 음극 단자만을 접속할 수도 있지만, 도 1에 나타낸 바와 같이, 다수의 음극 단자(14)를 다수의 화소 영역(P)에 각각 근접하도록 배치함으로써, 이들 음극 단자(14)로부터 화소 영역(P)까지의 저항값, 더 나아가서는 전압 강하의 편차를 최소한으로 하여, 모든 화소 영역(P)의 발광 휘도를 대 략 균일하게 하는 것이 가능하다.
도 2에 나타낸 바와 같이, 발광 장치(10)는 상기 발광 소자를 평판(平板) 형상의 주기판(11)과 평판 형상의 밀봉 기판(21)에 의해 사이에 끼운 구성을 갖고, 주기판(11) 위에 층을 적층함으로써 제조된다. 본 명세서에서는 「겹친다」는 표현 및 「덮는다」는 표현을 사용하지만, 이들 표현은 주기판(11)에 대한 수직 방향(도 1의 지면 수직 방향, 도 2의 상하 방향)으로부터 보았을 때의 층 배치를 나타낸다. 또한, 발광 소자의 화소 영역(P)으로부터의 광은 주기판(11)을 투과하여 진행된다. 즉, 발광 장치(10)는 보텀 이미션(bottom-emission) 타입이다. 본 명세서에서는, 주기판(11)에 대한 수직 방향에 있어서, 주기판(11) 측을 하방(下方)으로 하고, 밀봉 기판(21) 측을 상방(上方)으로 한다.
주기판(11)은 유리 또는 플라스틱 등의 적절한 투명 재료에 의해 형성되어 있고, 그 상면은 SiO2 등의 광투과성 절연 재료로 형성된 하지절연막(12)에 의해 덮여 있다. 하지절연막(12) 위에는 도전성 배선이 선택적으로 형성되어 있다. 이들 배선은 양극 단자(13) 및 음극 단자(14)로서 사용된다.
양극 단자(13)에는 양극층(제 1 전극층)(13a)이 접속되어 있다. 도시한 형태에서는, 양극 단자(13) 및 양극층(13a)은 ITO(Indium Tin Oxide) 등의 광을 투과시키는 도전 재료에 의해 서로 일체로 형성되어 있다. 화소 영역(P)과 정확히 겹치는 부분이 양극층(13a)으로 되고, 다른 부분이 양극 단자(13)로 된다. 양극층(13a)은 광투과성을 갖는 것이 필요하지만, 양극 단자(13)가 광을 투과시킬 필요는 없기 때문에, 광을 투과시키지 않는 도전 재료로 양극 단자(13)를 형성하는 것도 가능하다. 즉, 양극 단자(13)를 알루미늄이나 몰리브덴 등의 재료로 형성하는 것도 가능하고, 양극층(13a)과 공통인 ITO층과 얇은 금속층의 2층 구조로 하는 것도 가능하다. 이렇게 변형한 경우에는, 양극 단자(13)의 전기 저항값을 저하시킬 수 있다. 주기판(11)의 긴 변 측의 양극 단자(13) 일단의 상면은 플렉시블(flexible) 기판(도시 생략)의 단자가 접속되는 외부 접속부(13b)이다(도 1 참조). 이 플렉시블 기판은 발광 소자를 구동 또는 제어하는 주기판(11) 외의 외부 장치에 접속되어 있다.
음극 단자(14)는 ITO나 알루미늄, 몰리브덴 등의 재료로 형성되어 있다. 주기판(11)의 외측 가장자리 측의 음극 단자(14) 일단의 상면은 상기 플렉시블 기판(도시 생략)의 단자가 접속되는 외부 접속부(14b)이다. 음극 단자(14) 타단(他端)의 상면에는 상기 음극 컨택트부(14a)가 있다.
도 2에 나타낸 바와 같이, 하지절연막(12), 양극 단자(13) 및 음극 단자(14)의 상층에는 이들을 덮는 보호막(15)이 설치되어 있다. 보호막(15)은 SiO2이나 SiNx 등의 절연 재료로 형성되어 있다. 보호막(15)의 재료는 후술하는 발광 기능층으로의 에칭에 대한 내성(耐性)을 갖는다. 즉, 발광 기능층으로의 에칭이 실행되어도 거의 손상을 받지 않는다. 보호막(15)의 외측 가장자리는 도 1에 가상선으로 나타낸 직사각형이다. 따라서, 보호막(15)은 외부 접속부(13b, 14b)를 덮지 않는다. 환언하면, 양극 단자(13) 및 음극 단자(14) 중 보호막(15)과 겹치지 않는 주 기판(11) 위의 외측 가장자리 근방의 단부를 외부 접속부(13b, 14b)로 하여, 외부 장치와의 접속에 이용할 수 있다.
보호막(15)에는 제 1 관통 구멍(15a)과 제 2 관통 구멍(15b)이 형성되어 있다. 양극층(13a)은 제 1 관통 구멍(15a)을 통하여 후술하는 발광 기능층(이 실시예에서는 정공 주입층(16)과 발광층(17)의 세트)에 밀착 접합되어 있다. 절연성 보호막(15)에 형성된 제 1 관통 구멍(15a)의 상하에 양극층(13a)과 음극층(18)이 있기 때문에, 제 1 관통 구멍(15a)의 영역이 발광 기능층이 효율적으로 발광하는 영역, 즉, 화소 영역(P)으로 된다.
절연성 보호막(15)의 제 2 관통 구멍(15b)에는 음극층(18)에 접속되는 상술한 음극 피복 도전층(19)의 일부가 매설(埋設)되어, 음극 단자(14)에 면접촉된다. 즉, 제 2 관통 구멍(15b)의 영역이 음극 단자(14) 중 음극 피복 도전층(19)에 접속되는 음극 컨택트부(14a)로 된다.
보호막(15) 및 양극층(13a) 위에는 광투과성 정공 주입층(16)이, 또한 정공 주입층(16) 위에는 EL 재료로 형성되어 면발광하는 발광층(17)이, 발광층(17) 위에는 알루미늄이나 칼슘, 마그네슘 등의 금속 재료로 형성된 음극층(18)이 형성되어 있다. 발광층(17)은 상하의 정공 주입층(16) 및 음극층(18)에 밀착 접합되어 있다. 정공 주입층(16), 발광층(17) 및 음극층(18)의 외측 가장자리는 모두 도 1에 가상선으로 나타낸 하나의 직사각형이다. 즉, 발광 장치(10)는 단일 음극층(18)을 가질 뿐만 아니라, 단일 정공 주입층(16)과 단일 발광층(17)을 갖고 있으며, 도 1의 지면 수직 방향으로부터 보아, 정공 주입층(16), 발광층(17) 및 음극층(18)의 윤곽은 서로 일치된다.
따라서, 이 실시예에서는, 음극층(18)뿐만 아니라, 정공 주입층(16)과 발광층(17)도 모든 화소 영역(P)의 발광 소자에서 공통으로 이용된다. 화소 영역(P) 각각에 있어서, 양극층(13a), 정공 주입층(16), 발광층(17) 및 음극층(18)은 발광 소자를 구성한다.
음극층(18)은 음극 피복 도전층(19)에 의해 피복되어 있다. 음극 피복 도전층(19)의 외측 가장자리는 도 1에 가상선으로 나타낸 하나의 직사각형이다. 음극 피복 도전층(19)은 알루미늄 등의 금속 재료로 형성되어 있다. 음극 피복 도전층(19)은 음극층(18)의 상면 전체에 밀착 접합되어 있으며, 음극층(18)으로부터 비어져 나온 부분은 음극층(18), 정공 주입층(16) 및 발광층(17)의 측면을 덮는 동시에, 보호막(15)의 일부 상면에 밀착 접합되어 있다. 또한, 음극 피복 도전층(19)의 일부는 보호막(15)의 제 2 관통 구멍(15b)에 매립되어, 음극 단자(14)의 음극 컨택트부(14a)를 덮는다. 즉, 음극층(18)은 음극 피복 도전층(19)을 통하여 음극 단자(14)의 음극 컨택트부(14a)에 접속되어 있다.
이 실시예에서는, 음극 피복 도전층(19)이 다른 부재와 협동하여 음극층(18) 전체를 완전히 포위하기 때문에, 후술하는 밀봉 기판(21)을 사용하여 밀봉을 행하기 전의 단계에서도 음극층(18)이 외부 환경으로부터 차단되어, 산화 등의 화학 변화가 억제된다. 이 효과는 화학반응하기 쉬운 칼슘, 마그네슘 등에 의해 음극층(18)을 형성할 경우에는 현저하며, 이들보다도 화학반응하기 어려운 알루미늄에 의해 음극층(18)을 형성할 경우에도 발광 장치(10)의 사용 수명을 연장시키는데 유리 하다. 다만, 음극 피복 도전층(19)을 반드시 사용할 필요는 없으며, 음극층(18)은 다른 도체(導體)를 통하여 음극 단자(14)에 접속될 수도 있다. 즉, 그 도체는 제 2 관통 구멍(15b)에 매립되어 음극 단자(14)의 음극 컨택트부(14a)에 접촉되는 동시에, 음극층(18)의 어딘가에 접촉되어 있으면 된다.
주기판(11)(또는 바람직하게는 보호막(15))에는 정공 주입층(16), 발광층(17), 음극층(18) 및 음극 피복 도전층(19)을 밀봉하도록 밀봉 기판(21)이 고정되어 있다. 밀봉 기판(21)은 주기판(11)과 협동하여 정공 주입층(16), 발광층(17), 음극층(18) 및 음극 피복 도전층(19)을 외기(外氣)로부터 보호하기 위한 것으로서, 유리 등의 재료로 형성되어 있다. 밀봉 기판(21)의 주기판(11)으로의 고정은 열경화형 또는 자외선 경화형 접착제(20)에 의해 실행된다. 밀봉 기판(21) 및 접착제(20)는 양극 단자(13) 및 음극 단자(14)의 외부 접속부(13b, 14b)와 겹치지 않도록 배치되어 있다.
밀봉 기판(21)에 의한 밀봉 방법으로서는 막 밀봉과 캡 밀봉이 있다. 발광 장치(10)는 막 밀봉에 의해 제조되어 있지만, 어느 쪽의 밀봉 방법을 채용하여도, 접착제(20)는 밀봉 기판(11)의 하면과 주기판(11)(또는 바람직하게는 보호막(15))의 상면에 접하게 된다.
다음으로, 발광 장치(10)를 제조하는 순서를 설명한다.
우선, 도 3에 나타낸 바와 같이, 주기판(11)의 상면에 균일한 두께로 하지절연막(12)을 형성한다. 다음으로, 하지절연막(12) 위에 도전성 배선(즉, 양극층(13a)과 일체인 양극 단자(13) 및 음극 단자(14))을 선택적으로 형성한다. 다음으 로, 하지절연막(12), 양극 단자(13), 양극층(13a) 및 음극 단자(14) 위에 제 1 관통 구멍(15a) 및 제 2 관통 구멍(15b)을 갖는 보호막(15)을 선택적으로 형성한다. 보호막(15)의 형성 공정에서는, 주기판(11)의 상면 전체에 보호막(15)을 균일한 두께로 퇴적시킨 후에, 가장자리부, 제 1 관통 구멍(15a) 및 제 2 관통 구멍(15b)을 에칭에 의해 제거할 수도 있다. 또는, 가장자리부, 제 1 관통 구멍(15a) 및 제 2 관통 구멍(15b)으로 되는 부분을 마스크 하여 보호막의 재료가 그곳에 퇴적되지 않게 한 후에, 보호막(15)을 균일한 두께로 퇴적시켜, 마스크를 제거할 수도 있다. 그 결과, 보호막(15)으로부터는 양극 단자(13)의 외부 접속부(13b)와, 양극층(13a)과, 음극 단자(14)의 음극 컨택트부(14a) 및 외부 접속부(14b)가 노출된다.
다음으로, 도 4에 나타낸 바와 같이, 정공 주입층(16)의 액체 재료를 스핀 코팅법에 의해 주기판(11) 위의 광범위에 걸쳐 도포하고, 건조시켜 고화(固化)시킨다. 이것에 의해, 보호막(15)과 보호막(15)으로부터 노출되어 있는 층 위에 정공 주입층(16)으로 되는 정공 주입막(16a)이 밀착하여 형성된다. 이 때, 보호막(15)에 형성된 제 1 관통 구멍(15a)에는 정공 주입막(16a)의 재료가 충전된다. 다음으로, 발광층(17)의 액체 재료를 스핀 코팅법에 의해 주기판(11) 위의 광범위에 걸쳐 도포하고, 건조시켜 고화시킨다. 이것에 의해, 정공 주입막(16a) 위에 발광층(17)으로 되는 발광막(17a)이 밀착하여 형성된다. 즉, 발광 기능층이 형성된다.
스핀 코팅법 이외의 발광 기능층의 광범위에 걸친 도포 방법으로서는, 스크린 인쇄나, 슬릿(slit) 코팅, 플렉소(flexographic) 인쇄 등의 인쇄법이나, 침지법(浸漬法), 스프레이법 등을 사용할 수도 있다. 다만, 이들 방법에서는, 막 두께의 제어가 곤란하기 때문에, 발광 장치(10)는 스핀 코팅법에 의해 제조하는 것이 바람직하다. 또한, 성막에 사용하는 재료가 고체일 경우에는, 증착법 등의 고체 재료의 성막 방법을 채용할 수 있다.
다음으로, 음극층(18)을 선택적으로 형성한다.
구체적으로는, 도 5에 나타낸 바와 같이, 우선, 발광막(17a) 위에 그 상면을 덮도록 음극층(18)이 형성되는 부분이 개구된 메탈 마스크(22)를 배치한다. 이 배치는 메탈 마스크(22)의 개구로부터 모든 화소 영역(P)이 노출되고, 또한 이 개구가 음극 컨택트부(14a), 외부 접속부(13b), 외부 접속부(14b)와 겹치지 않도록 실행된다. 다음으로, 메탈 마스크(22)의 개구로부터 노출되어 있는 발광막(17a) 및 메탈 마스크(22) 위에 증착법이나 스퍼터링법 등의 방법에 의해 음극층(18)을 형성한다. 이 때, 음극층(18)은 메탈 마스크(22)의 개구 내에서 발광막(17a)에 밀착 접합된다.
다음으로, 도 6에 나타낸 바와 같이 메탈 마스크(22)를 제거한다. 그 결과, 음극층(18) 중 발광막(17a)에 밀착 접합되어 있는 부분만이 남는다. 이렇게 하여, 화소 영역(P)을 덮고, 또한 음극 컨택트부(14a), 외부 접속부(13b), 외부 접속부(14b)와 겹치지 않는 음극층(18)이 얻어진다. 또한, 발광 소자가 무기 EL 소자일 경우에는, 음극층(18)의 재료를 주기판(11) 위의 전면(全面)에 배치하여 포토에칭에 의해 음극층(18)을 형성하는 방법을 채용할 수도 있다.
음극층(18)의 선택적인 형성에 이어서, 도 7에 나타낸 바와 같이, 음극층(18)을 마스크로 하여 등방성 에칭법에 의해 정공 주입막(16a) 및 발광막(17a)의 불필요한 부분을 일거에 충분히 제거하고, 정공 주입층(16) 및 발광층(17)을 형성한다. 그 결과, 주기판(11)에 대한 수직 방향에서 음극층(18), 정공 주입층(16) 및 발광층(17)의 윤곽이 일치되어, 이들 층이 서로 덮고 덮이는 관계로 된다.
여기서 채용 가능한 에칭법으로서는, 산소 플라스마 에칭법 이외에, 질소나 아르곤을 사용한 이온 에칭법이나 습식 에칭법을 들 수 있다. 일반적으로, 산소 플라스마 에칭법에서는, 마스크와 막 사이에 조금이라도 틈이 있으면, 이 틈으로부터 플라스마가 침입하여 마스크에 의해 덮여 있는 층이 손상되지만, 상술한 바와 같이 음극층(18)과 발광막(17a)이 밀착되어 있고, 양자 사이에 틈은 존재하지 않기 때문에, 이러한 손상의 우려는 없다. 또한, 발광층(17)과 정공 주입층(16) 사이나 정공 주입층(16)과 보호막(15) 사이에도 틈은 존재하지 않기 때문에, 발광층(17) 및 정공 주입층(16)은 손상되지 않는다.
다음으로, 도 8에 나타낸 바와 같이, 음극층(18), 음극 컨택트부(14a) 및 보호막(15) 위에 밀착시켜 음극 피복 도전층(19)을 선택적으로 형성한다. 구체적으로는, 음극 피복 도전층(19)의 형성 부분이 개구된 메탈 마스크를 음극층(18) 위에 배치하고, 이어서 증착법이나 스퍼터링법 등의 방법에 의해 음극 피복 도전층(19)을 형성하며, 이어서 상기 메탈 마스크를 제거한다. 이것에 의해, 음극층(18)에 접하고, 외부 접속부(13b) 및 외부 접속부(14b)와 겹치지 않는 음극 피복 도전층(19)이 얻어진다. 또한, 이 때, 보호막(15)에 형성된 제 2 관통 구멍(15b)에는 음극 피복 도전층(19)의 재료가 충전되고, 이것에 의해, 음극층(18)이 음극 피복 도전층(19)을 통하여 음극 단자(14)의 음극 컨택트부(14a)에 접속된다. 상술한 바와 같이, 음극 컨택트부(14a)로부터는 정공 주입막(16a) 및 발광막(17a)이 충분히 제거되어 있기 때문에, 음극 피복 도전층(19)과 음극 단자(14) 사이의 컨택트 저항은 충분히 낮아진다. 또한, 음극 피복 도전층(19)의 형성에서도, 음극 피복 도전층(19)의 재료를 주기판(11) 위의 전면에 배치하여 포토에칭에 의해 음극 피복 도전층(19)을 형성하는 방법을 채용할 수 있다.
다음으로, 도 2에 나타낸 바와 같이, 밀봉 기판(21)을 정공 주입층(16), 발광층(17), 음극층(18) 및 음극 피복 도전층(19)을 밀봉하도록 접착제(20)에 의해 주기판(11)에 고정시킨다. 이 밀봉은 특히 유기 EL 소자를 발광 소자에 사용할 경우에 필요하며, 발광 소자를 외부 환경으로부터 차단하여 산소 또는 수분에 의한 열화를 억제하기 위해 실행된다. 이 밀봉 시에, 밀봉 기판(21) 및 접착제(20)는 외부 접속부(13b) 및 외부 접속부(14b)와 겹치지 않도록 배치된다. 따라서, 외부 접속부(13b) 및 외부 접속부(14b)는 노출된 상태로 된다.
그런데, 발광 기능층의 재료는 접착제와의 친화성이 좋지 않다. 따라서, 접착제를 도포하는 부분에서는, 발광 기능층의 재료를 가능한 한 제거하는 것이 바람직하다. 발광 장치(10)에서는 보호막(15)의 상면에 접착제(20)가 도포되지만, 도포되는 부분으로부터는 불필요한 정공 주입막(16a) 및 발광막(17a)이 충분히 제거되어 있다. 따라서, 접착제(20)에 의한 접착 강도는 충분히 강해진다.
상술한 공정 후, 외부 접속부(13b, 14b)에는 상술한 외부 장치에 접속된 플렉시블 기판의 단자가 접속된다. 이 접속은 예를 들어 이방성 도전 재료를 사용한 접착에 의해 실행된다. 그러나, 발광 기능층의 재료는 이방성 도전 재료에 의한 접착에도 친화되기 어렵다. 따라서, 이방성 도전 재료에 접하는 부분에서는, 발광 기능층의 재료를 가능한 한 제거하는 것이 바람직하다. 발광 장치(10)에서는 외부 접속부(13b, 14b)에 이방성 도전 재료가 접하지만, 외부 접속부(13b, 14b)로부터는 불필요한 정공 주입막(16a) 및 발광막(17a)이 충분히 제거되어 있다. 따라서, 이방성 도전 재료에 의한 접착 강도는 충분히 강해진다. 따라서, 상기 플렉시블 기판의 단자의 접속 강도 및 품질은 충분히 높은 것으로 된다.
이상 설명한 바와 같이, 발광 장치(10)에서는, 제 2 전극층(15b)은 발광 기능층(정공 주입층(16) 및 발광층(17)의 세트) 중 적어도 제 1 관통 구멍(15a)과 겹치는 화소 영역(P)을 덮기 때문에, 상기 발광 장치(10)의 제조 공정에 있어서, 발광 기능층의 재료를 주기판(11) 위에 광범위하게 도포하고 나서, 화소 영역(P) 이외의 발광 기능층을 에칭에 의해 제거할 때의 마스크로서 음극층(18)을 사용할 수 있다. 또한, 음극층(18)은 발광 기능층에 밀착되어 있기 때문에, 산소 플라스마 에칭 등의 등방성 에칭법을 채용하여도, 음극층(18)과 발광 기능층 사이의 계면에 플라스마 등의 에칭 매체가 스며드는 것이 방지되어 발광 기능층이 손상될 우려는 없다.
또한, 발광 장치(10)에서는, 발광 기능층보다도 하층에 있는 주기판(11) 위의 배선(양극 단자(13) 및 음극 단자(14)) 및 보호막(15)은, 발광 기능층의 재료를 주기판(11) 위에 광범위하게 도포하여 막(정공 주입막(16a) 및 발광막(17a))을 형성하면, 이 막에 의해 덮이게 된다. 그러나, 음극층(18)은 보호막(15)의 제 2 관통 구멍(15b)과 겹치지 않기 때문에, 보호막(15)을 덮도록 상기 막을 생성한 후에 등방성 에칭함으로써, 제 2 관통 구멍(15b)으로부터 발광 기능층의 재료를 충분히 제거하여, 제 2 관통 구멍(15b)을 통하여 음극 단자(14)의 음극 컨택트부(14a)를 노출시킬 수 있다. 따라서, 보호막(15)에 형성된 제 2 관통 구멍(15b)에는 음극 피복 도전층(19)을 충전할 수 있고, 이 음극 피복 도전층(19)에 의해 음극층(18)이 음극 단자(14)의 음극 컨택트부(14a)에 확실하게 접속된다. 또한, 보호막(15)은 외부 접속부(13b) 및 외부 접속부(14b)와 겹치지 않고, 음극층(18)도 외부 접속부(13b) 및 외부 접속부(14b)와 겹치지 않기 때문에, 등방성 에칭에 의해, 외부 접속부(13b) 및 외부 접속부(14b) 위의 발광 기능층을 충분히 제거하여 외부 접속부(13b, 14b)를 노출시킬 수 있다. 이상으로부터, 발광 장치(10)에 의하면, 그 제조 공정에 있어서, 발광 기능층의 재료를 주기판(11) 위에 광범위하게 도포한 상태에서, 음극층(18)을 마스크로서 사용하면서도, 배선 위의 불필요한 발광 기능층을 일거에 충분히 제거할 수 있다. 이것은 발광 장치(10)의 생산성 및 품질 향상에 기여한다.
<2. 제 2 실시예>
본 발명의 제 2 실시예에 따른 발광 장치(전기 광학 장치)(30)에 대해서 설명한다. 발광 장치(30)가 발광 장치(10)와 크게 상이한 점은 음극의 구조이다. 이 점에 주목하여, 발광 장치(30)의 구조에 대해서 도면을 참조하여 설명한다.
도 9는 발광 장치(30)에 관한 것으로서, 도 2와 동일한 단면도이다. 도 9에 나타낸 바와 같이, 발광 장치(30)에서는, 보호막(15) 및 양극층(13a) 위에 광투과성 정공 주입층(36)이, 또한 정공 주입층(36) 위에는 EL 재료로 형성되어 면발광하 는 발광층(37)이, 발광층(37) 위에는 음극층(18)이 도 9 중의 우측 단부를 일치시켜 형성되어 있다. 음극층(18)의 상면에는 음극층(18)의 산화를 방지하기 위한 밀봉 수지(38)가 밀착 접합되어 있다. 음극층(18) 위의 밀봉 수지(38)가 밀착 접합되어 있는 영역은 제 1 관통 구멍(15a)을 덮고 있으며, 제 2 관통 구멍(15b), 외부 접속부(13b), 외부 접속부(14b)와 겹치지 않는다. 밀봉 수지(38)로서는, 에폭시계 열경화 수지 등의 재료를 사용할 수 있다.
음극층(18) 위의 밀봉 수지(38)가 밀착 접합되지 않은 영역에는 음극 피복 도전층(19)과 동일한 음극 피복 도전층(39)이 밀착 접합되어 있고, 음극층(18)의 측면에는 밀봉 수지(38) 및 음극 피복 도전층(39)이 밀착 접합되어 있다. 즉, 음극층(18)은 밀봉 수지(38), 음극 피복 도전층(39) 및 발광층(37)에 의해 둘러싸여 있다. 발광층(37)은 상술한 발광층(17)과 동일한 것으로서, 발광층(17)보다도 넓게 되어 있다. 또한, 밀봉 수지(38)는 발광층(37) 상면의 음극층(18)에 의해 덮이지 않은 영역에 밀착 접합되어 있다. 즉, 발광층(37)의 상면은 음극층(18) 및 밀봉 수지(38)에 의해 덮여 있다. 또한, 음극 피복 도전층(39)이 상술한 음극 피복 도전층(19)과 상이한 점은 정공 주입층(16), 발광층(17) 및 음극층(18) 대신에 정공 주입층(36), 발광층(37) 및 음극층(38)을 둘러싸고 있는 점과, 발광층(37)의 상방에서 밀봉 수지(38)에 밀착 접합되어 밀봉 수지(38)를 둘러싸고 있는 점뿐이다. 정공 주입층(36)은 상술한 정공 주입층(16)과 동일한 것으로서, 정공 주입층(16)보다도 넓게 되어 있다.
다음으로, 발광 장치(30)를 제조하는 순서를 설명한다.
우선, 발광 장치(10)의 제조와 동일한 순서에 의해, 음극층(18) 형성까지의 공정을 행한다(도 3 내지 도 6 참조). 다음으로, 도 10에 나타낸 바와 같이, 음극층(18) 위에 밀봉 수지(38)를 도포하고, 건조시켜 고화시킨다. 이 도포 방법으로서는, 디스펜스법이나 인쇄법 등의 공지의 방법을 채용할 수 있다. 이 도포에 의해, 밀봉 수지(38)가 음극층(18)의 상면 일부 및 측면 일부(음극층(18)의 상면 및 측면에서 음극 피복 도전층(39)에 밀착 접합되지 않는 영역)와 발광층(37) 상면의 노출되어 있는 영역에 밀착 접합된다. 그 결과, 발광층(37)은 밀봉 수지(38) 및 음극층(18)에 의해 덮인다.
다음으로, 도 11에 나타낸 바와 같이, 음극층(18) 및 밀봉 수지(38)를 마스크로 하여 등방성 에칭법에 의해 정공 주입막(16a) 및 발광막(17a)의 불필요한 부분을 일거에 충분히 제거하고, 정공 주입층(36) 및 발광층(37)을 형성한다. 여기서도, 발광 장치(10)의 제조 공정에서 채용 가능한 에칭 방법을 채용할 수 있다. 상술한 바와 같이 발광층(37)은 밀봉 수지(38) 및 음극층(18)에 밀착되어 있고, 양자 사이에 틈은 존재하지 않기 때문에, 이 공정에서 발광층(37)이 손상될 우려는 없다. 물론, 정공 주입층(36)도 손상되지 않는다.
이 공정의 결과, 제 1 관통 구멍(15a)은 정공 주입층(36) 및 발광층(37)에 의해 덮인 채로 되고, 외부 접속부(13b), 음극 컨택트부(14a) 및 외부 접속부(14b)로부터 불필요한 정공 주입막(16a) 및 발광막(17a)이 일거에 충분히 제거된다. 또한, 주기판(11)에 대한 수직 방향에 있어서, 음극층(18) 및 밀봉 수지(38) 세트의 윤곽과, 정공 주입층(36)의 윤곽과, 발광층(37)의 윤곽이 일치되어, 각각이 서로 덮고 덮이는 관계로 된다.
다음으로, 도 12에 나타낸 바와 같이, 음극층(18), 밀봉 수지(38), 음극 컨택트부(14a) 및 보호막(15) 위에 음극 피복 도전층(39)을 선택적으로 형성한다. 이 형성 방법은 음극 피복 도전층(19)의 형성 방법과 동일하다. 이 공정의 결과, 음극층(18)이 음극 피복 도전층(39)을 통하여 음극 단자(14)의 음극 컨택트부(14a)에 접속된다. 이 때, 음극 피복 도전층(39)은 외부 접속부(13b) 및 외부 접속부(14b)와 겹치지 않는다.
다음으로, 도 13에 나타낸 바와 같이, 밀봉 기판(21)을 정공 주입층(36), 발광층(37), 음극층(18), 밀봉 수지(38) 및 음극 피복 도전층(39)을 밀봉하도록 접착제(20)에 의해 주기판(11)에 고정시킨다. 이 고정의 상세에 대해서는, 발광 장치(10)에 대해서 설명한 바와 같다.
이상 설명한 것으로부터 명확히 알 수 있는 바와 같이, 발광 장치(30)에 의하면, 발광 장치(10)와 동일한 효과를 나타낸다.
또한, 발광 장치(30)에 의하면, 불필요한 정공 주입막(16a) 및 발광막(17a)을 산소 플라스마 에칭에 의해 제거하여도, 밀봉 수지(38)에 의해 덮여 있는 영역에서는 음극층(18)의 산화가 억제된다. 또한, 음극층(18)과 밀봉 수지(38)가 밀착 접합되어 있기 때문에, 양자 사이의 계면에 산소가 스며드는 것이 억제된다. 산소 플라스마 에칭 이외의 방법을 사용할 경우에도, 대기 등의 산소 분위기 중에서는 음극층(18)이 산화되어 저항값이 증가할 우려가 있지만, 발광 장치(30)에 의하면, 그 우려를 저감할 수 있다. 또한, 음극층(18)에서의 밀봉 수지(38)가 접합되지 않 은 영역의 상면에는 음극 피복 도전층(39)이 밀착 접합되기 때문에, 밀봉 수지(38)가 접합되지 않은 영역에 대해서도 음극 피복 도전층(39)에 의해 어느 정도는 음극층(18)의 산화가 억제되고, 음극층(18)의 저항값 증가의 우려를 억제할 수 있다. 이 효과는 발광 장치(10)에 의해 얻어지는 효과이기도 하다.
<3. 변형예>
(1) 상술한 각 실시예를 변형하여, 발광 소자를 구동 또는 제어하는 회로의 일부 또는 전부를 주기판(11) 위에 형성하는 구성으로 할 수도 있다. 이러한 변형예의 일례로서, 발광 장치(10)의 변형예에 따른 발광 장치(전기 광학 장치)(40)에 대해서 설명한다. 이 발광 장치(40)에서는, 발광 소자를 구동하는 회로의 일부가 주기판(11) 위에 형성되어 있다.
도 14는 발광 장치(40)에 관한 것으로서, 도 2와 동일한 단면도이다. 도 14에 나타낸 바와 같이, 주기판(11) 위의 하지절연막(12) 위에는 성막에 의해 회로 적층체(46)가 형성되어 있다. 회로 적층체(46) 내에는 발광 소자마다 TFT(박막트랜지스터)(47)가 배치되어 있다. TFT(47)는 양극 단자(13)로부터의 신호에 따라 대응하는 발광 소자를 구동하는 것으로서, 그 게이트(47G)에 게이트선(배선)(43)이 접속되고, 드레인(47D)에 고전위 전원선(도시 생략)으로부터 드레인선(배선)(도시 생략)을 통하여 전원 전위가 공급되며, 소스(47S)에 양극층(제 1 전극층)(42)이 접속되어 있다.
게이트선(43), 드레인선(도시 생략), 양극층(42) 및 음극 단자(14)로서 사용되는 배선은 TFT 회로 적층체(46) 위의 동일한 층에 선택적으로 형성되어 있다. 이들 배선의 재료는 발광 장치(10)에서의 배선 재료와 동일하다. 또한, 보호막(45)은 게이트선(43), 드레인선(도시 생략), 양극층(42) 및 음극 단자(14)가 서로 이간(離間)되도록 형성되어 있다. 즉, 게이트선(43)으로부터 TFT(47)의 게이트(47G)에 회로(도시 생략)로부터의 전환 신호가 공급되면, 드레인(47D)과 소스(47S) 사이를 전류가 흐르게 되어 있다.
또한, 발광 장치(10)를 변형하여 얻어지는 발광 장치(40)를 예시했지만, 이것과 동일한 변형을 발광 장치(30)에 실시하는 것도 가능하다.
(2) 상술한 실시예의 발광 장치(10, 30, 40) 각각은 모든 발광 소자와 공통되는 단일 음극층(제 2 전극층)(18)을 갖지만, 각 발광 소자가 다른 발광 소자의 음극층으로부터 독립된 1개의 음극층을 갖고, 각 음극층에 적어도 1개의 음극 단자를 접속할 수도 있다. 또는, 주기판(11)을 복수의 영역으로 구획하고, 이들 영역의 각각에 1개의 음극층을 설치하며, 이들 복수의 음극층 각각이 대응 영역 내의 복수의 발광 소자와 공통되도록 할 수도 있다. 이렇게 복수의 제 2 전극층을 서로 이간된 위치에 설치한 경우에는, 그것보다 하층에 있어 제조 공정에서 부분적으로 에칭되는 발광 기능층도 제 2 전극층에 의해 마스크된 복수의 영역에 잔류된다. 어찌됐든, 제 2 전극층은 보호막의 제 1 관통 구멍과 겹치는 영역에서 발광 기능층의 상면에 밀착 접합되어, 제 1 관통 구멍 아래의 제 1 전극층과 협동하여 발광 기능층에 전압을 인가한다.
(3) 상술한 실시예의 각각에서는, 발광 기능층(발광층과 정공 주입층의 세트) 아래에 광투과성 양극층(13a), 발광 기능층 위에 음극층(18)이 설치되어 있다. 그러나, 발광 기능층 아래에 광투과성 음극층, 발광 기능층 위에 양극층을 설치할 수도 있다. 이 경우에는, 발광 소자의 각각이 다른 발광 소자의 음극층으로부터 독립된 1개의 광투과성 음극층을 가질 수도 있고, 복수의 발광 소자가 다른 발광 소자와 공통인 광투과성 음극층에 의해 그라운드 전위가 공급될 수도 있다. 다만, 발광 소자의 각각은 다른 발광 소자의 양극층으로부터 독립된 1개의 양극층을 가져, 다른 발광 소자의 양극 단자로부터 독립된 1개의 양극 단자에 의해 전원 전압이 공급되어야 한다. 이들 양극층의 각각은, 예를 들어 상술한 음극 피복 도전층(19)과 유사한 피복 기능 및 접속 기능을 갖는 양극 피복 도전층과 같은 도전체에 의해, 대응하는 양극 단자에 접속된다.
<4. 응용예>
상술한 실시예 및 변형예에 따른 각 발광 장치는, 단색 광을 출사시키는 각종 노광 장치, 조명 장치 및 화상 표시 장치에 응용하는 것이 가능하다. 노광 장치로서는, 전자 사진 방식을 이용한 화상 형성 장치에서의 상담지체에 잠상을 기입하기 위한 라인형 광헤드를 들 수 있다. 화상 형성 장치의 예로서는, 프린터, 복사기의 인쇄 부분 및 팩시밀리의 인쇄 부분이 있다.
도 15는 상술한 실시예 및 변형예에 따른 각 발광 장치를 라인형 노광 헤드로서 사용한 화상 형성 장치의 일례를 나타낸 종단면도이다. 다만, 각 발광 장치에 있어서, 화소 영역(P)은 2열, 또한 지그재그 형상으로 배열되어 있는 것으로 한다. 이 화상 형성 장치는 벨트 중간 전사체 방식을 이용한 탠덤형 풀 컬러(full-color) 화상 형성 장치이다.
이 화상 형성 장치에서는, 동일한 구성의 4개의 노광 헤드(10K, 10C, 10M, 10Y)가 동일한 구성인 4개의 감광체 드럼(상담지체)(110K, 110C, 110M, 110Y)의 노광 위치에 각각 배치되어 있다.
도 15에 나타낸 바와 같이, 이 화상 형성 장치에는 구동 롤러(121)와 종동 롤러(122)가 설치되어 있고, 이들 롤러(121, 122)에는 무단(無端)의 중간 전사 벨트(120)가 감겨, 화살표로 나타낸 바와 같이 롤러(121, 122)의 주위를 회전한다. 도시하지 않지만, 중간 전사 벨트(120)에 장력(張力)을 부여하는 텐션 롤러 등의 장력 부여 수단을 설치할 수도 있다.
이 중간 전사 벨트(120) 주위에는 서로 소정 간격을 두어 4개의 외주면에 감광층을 갖는 감광체 드럼(110K, 110C, 110M, 110Y)이 배치된다. 첨자 K, C, M, Y는 각각 흑색, 청록색, 자홍색, 황색의 현상(顯像)을 형성하기 위해 사용되는 것을 의미한다. 다른 부재에 대해서도 마찬가지이다. 감광체 드럼(110K, 110C, 110M, 110Y)은 중간 전사 벨트(120)의 구동과 동기하여 회전 구동된다.
각 감광체 드럼(110(K, C, M, Y))의 주위에는 코로나 대전기(111(K, C, M, Y))와, 노광 헤드(10(K, C, M, Y))와, 현상기(114(K, C, M, Y))가 배치되어 있다. 코로나 대전기(111(K, C, M, Y))는 대응하는 감광체 드럼(110(K, C, M, Y))의 외주면을 균일하게 대전시킨다. 노광 헤드(10(K, C, M, Y))는 감광체 드럼의 대전된 외주면에 정전 잠상을 기입한다. 각 노광 헤드(10(K, C, M, Y))는 복수의 발광 소자의 배열 방향이 감광체 드럼(110(K, C, M, Y))의 모선(母線)(주주사 방향)을 따르도록 설치된다. 정전 잠상의 기입은 상기 복수의 발광 소자에 의해 광을 감광체 드럼에 조사함으로써 행한다. 현상기(114(K, C, M, Y))는 정전 잠상에 현상제로서의 토너를 부착시킴으로써 감광체 드럼에 현상, 즉, 가시상(可視像)을 형성한다.
이러한 4색의 단색 현상 형성 스테이션에 의해 형성된 흑색, 청록색, 자홍색, 황색의 각 현상은 중간 전사 벨트(120) 위에 차례로 1차 전사됨으로써, 중간 전사 벨트(120) 위에서 중첩되어, 그 결과, 풀 컬러 현상이 얻어진다. 중간 전사 벨트(120) 내측에는 4개의 1차 전사 코로트론(corotron)(전사기)(112(K, C, M, Y))이 배치되어 있다. 1차 전사 코로트론(112(K, C, M, Y))은 감광체 드럼(110(K, C, M, Y))의 근방에 각각 배치되어 있고, 감광체 드럼(110(K, C, M, Y))으로부터 현상을 정전적으로 흡인함으로써, 감광체 드럼과 1차 전사 코로트론 사이를 통과하는 중간 전사 벨트(120)에 현상을 전사한다.
최종적으로 화상을 형성하는 대상으로서의 시트(102)는, 픽업 롤러(103)에 의해, 급지 카세트(101)로부터 1매씩 급송(給送)되어 구동 롤러(121)에 접한 중간 전사 벨트(120)와 2차 전사 롤러(126) 사이의 닙(nip)에 보내진다. 중간 전사 벨트(120) 위의 풀 컬러 현상은 2차 전사 롤러(126)에 의해 시트(102)의 편면(片面)에 일괄적으로 2차 전사되고, 정착부인 정착 롤러쌍(127)을 통과함으로써 시트(102) 위에 정착된다. 그 후, 시트(102)는 배지 롤러쌍(128)에 의해 장치 상부에 형성된 배지 카세트 위로 배출된다.
상술한 화상 형성 장치는 기입 수단으로서 상술한 발광 장치를 사용하고 있기 때문에, 레이저 주사 광학계를 사용한 경우보다도 장치의 소형화를 도모할 수 있다. 또한, 상술한 발광 장치는 종래로부터도 생산성 및 품질이 우수하기 때문 에, 화상 형성 장치의 생산성 및 품질 향상에 기여한다.
다음으로, 본 발명에 따른 화상 형성 장치의 다른 실시예에 대해서 설명한다.
도 16은 상술한 발광 장치를 라인형 노광 헤드로서 사용한 다른 화상 형성 장치의 종단면도이다. 이 화상 형성 장치는 벨트 중간 전사체 방식을 이용한 로터리 현상식의 풀 컬러 화상 형성 장치이다. 도 18에 나타낸 화상 형성 장치에 있어서, 감광체 드럼(상담지체)(165)의 주위에는 코로나 대전기(168), 로터리식 현상 유닛(161), 노광 헤드(167), 중간 전사 벨트(169)가 설치되어 있다.
코로나 대전기(168)는 감광체 드럼(165)의 외주면을 균일하게 대전시킨다. 노광 헤드(167)는 감광체 드럼(165)의 대전된 외주면에 정전 잠상을 기입한다. 노광 헤드(167)는 복수의 발광 소자의 배열 방향이 감광체 드럼(165)의 모선(주주사 방향)을 따르도록 설치된다. 정전 잠상의 기입은 상기 복수의 발광 소자에 의해 광을 감광체 드럼에 조사함으로써 행한다.
현상 유닛(161)은 4개의 현상기(163Y, 163C, 163M, 163K)가 90°의 각간격을 두어 배치된 드럼이며, 축(161a)을 중심으로 하여 반시계 방향으로 회전 가능하다. 현상기(163Y, 163C, 163M, 163K)는 각각 황색, 청록색, 자홍색, 흑색의 토너를 감광체 드럼(165)에 공급하여 정전 잠상에 현상제로서의 토너를 부착시킴으로써 감광체 드럼(165)에 현상, 즉, 가시상을 형성한다.
무단의 중간 전사 벨트(169)는 구동 롤러(170a), 종동 롤러(170b), 1차 전사 롤러(166) 및 텐션 롤러에 감겨, 이들 롤러의 주위를 화살표로 나타낸 방향으로 회 전시킨다. 1차 전사 롤러(166)는 감광체 드럼(165)으로부터 현상을 정전적으로 흡인함으로써, 감광체 드럼과 1차 전사 롤러(166) 사이를 통과하는 중간 전사 벨트(169)에 현상을 전사한다.
구체적으로는, 감광체 드럼(165)의 최초 1회전에서, 노광 헤드(167)에 의해 황색(Y) 화상을 위한 정전 잠상이 기입되어 현상기(163Y)에 의해 동색(同色)의 현상이 형성되고, 또한 중간 전사 벨트(169)에 전사된다. 또한, 다음 1회전에서, 노광 헤드(167)에 의해 청록색(C) 화상을 위한 정전 잠상이 기입되어 현상기(163C)에 의해 동색의 현상이 형성되고, 황색의 현상과 중첩되도록 중간 전사 벨트(169)에 전사된다. 그리고, 이렇게 하여 감광체 드럼(9)이 4회전하는 동안에 황색, 청록색, 자홍색, 흑색 현상이 중간 전사 벨트(169)에 차례로 중첩되고, 그 결과, 풀 컬러 현상이 전사 벨트(169) 위에 형성된다. 최종적으로 화상을 형성하는 대상으로서의 시트 양면에 화상을 형성할 경우에는, 중간 전사 벨트(169)에 표면과 이면(裏面)의 동색의 현상을 전사하고, 이어서 중간 전사 벨트(169)에 표면과 이면의 다음 색의 현상을 전사하는 형식에 의해, 풀 컬러 현상을 중간 전사 벨트(169) 위에서 얻는다.
화상 형성 장치에는 시트가 통과되는 시트 반송로(174)가 설치되어 있다. 시트는 급지 카세트(178)로부터 픽업 롤러(179)에 의해 1매씩 취출(取出)되고, 반송 롤러에 의해 시트 반송로(174)를 진행시켜 구동 롤러(170a)에 접한 중간 전사 벨트(169)와 2차 전사 롤러(171) 사이의 닙을 통과한다. 2차 전사 롤러(171)는 중간 전사 벨트(169)로부터 풀 컬러 현상을 일괄적으로 정전 흡인함으로써, 시트의 편면에 현상을 전사한다. 2차 전사 롤러(171)는 클러치(도시 생략)에 의해 중간 전사 벨트(169)에 접근 및 이간되게 되어 있다. 그리고, 시트에 풀 컬러 현상을 전사할 때에 2차 전사 롤러(171)는 중간 전사 벨트(169)에 맞닿고, 중간 전사 벨트(169)에 현상을 겹치고 있는 동안은 2차 전사 롤러(171)로부터 이간된다.
상기와 같이 하여 화상이 전사된 시트는 정착기(172)에 반송되고, 정착기(172)의 가열 롤러(172a)와 가압 롤러(172b) 사이를 통과함으로써, 시트 위의 현상이 정착된다. 정착 처리 후의 시트는 배지 롤러쌍(176)에 인입되어 화살표 F 방향으로 진행된다. 양면 인쇄의 경우에는, 시트의 대부분이 배지 롤러쌍(176)을 통과한 후, 배지 롤러쌍(176)이 역방향으로 회전되어, 화살표 G로 나타낸 바와 같이 양면 인쇄용 반송로(175)에 도입된다. 그리고, 2차 전사 롤러(171)에 의해 현상이 시트의 다른 면에 전사되고, 다시 정착기(172)에 의해 정착 처리가 실행된 후, 배지 롤러쌍(176)에 의해 시트가 배출된다.
도 16의 화상 형성 장치는 기입 수단으로서 상술한 발광 장치를 사용하고 있기 때문에, 레이저 주사 광학계를 사용한 경우보다도 장치의 소형화를 도모할 수 있다. 또한, 상술한 발광 장치는 종래보다도 생산성 및 품질이 우수하기 때문에, 화상 형성 장치의 생산성 및 품질 향상에 기여한다.
이상 상술한 실시예 및 변형예에 따른 각 발광 장치를 응용할 수 있는 화상 형성 장치를 예시했지만, 다른 전자 사진 방식의 화상 형성 장치에도 각 발광 장치를 응용하는 것이 가능하며, 그러한 화상 형성 장치는 본 발명의 범위 내에 있다. 예를 들어 중간 전사 벨트를 사용하지 않고 감광체 드럼으로부터 직접 시트에 현상 을 전사하는 타입의 화상 형성 장치나, 단색 화상을 형성하는 화상 형성 장치에도 상기 발광 장치를 응용하는 것이 가능하다.
다음으로, 상술한 실시예 및 변형예에 따른 각 발광 장치를 적용한 각종 화상 표시 장치에 대해서 설명한다.
도 17에 상기 각 발광 장치를 표시부(91)로서 사용한 퍼스널 컴퓨터(화상 표시 장치)의 구성을 나타낸다. 퍼스널 컴퓨터(2000)는 표시 유닛으로서의 표시부(91)와 본체부(2010)를 구비한다. 본체부(2010)에는 전원 스위치(2001) 및 키보드(2002)가 설치되어 있다. 발광 소자로서 EL 소자를 사용한 발광 장치를 표시부(91)로서 사용하고 있기 때문에, 퍼스널 컴퓨터(2000)는 시야각(視野角)이 넓어 보기 쉬운 화면을 표시할 수 있다. 또한, 표시부(91)는 종래보다도 생산성 및 품질이 우수하기 때문에, 퍼스널 컴퓨터(2000)의 생산성 및 품질 향상에 기여한다.
도 18에 상기 각 발광 장치를 표시부(92)로서 사용한 휴대 전화기(화상 표시 장치)의 구성을 나타낸다. 휴대 전화기(3000)는 복수의 조작 버튼(3001) 및 스크롤 버튼(3002), 및 표시 유닛으로서의 표시부(92)를 구비한다. 스크롤 버튼(3002)을 조작함으로써, 전기 광학 장치(1)에 표시되는 화면이 스크롤된다. 휴대 전화기(3000)는 시야각이 넓어 보기 쉬운 화면을 표시할 수 있다. 또한, 표시부(92)는 종래보다도 생산성 및 품질이 우수하기 때문에, 휴대 전화기(3000)의 생산성 및 품질 향상에 기여한다.
상술한 바와 같이 본 발명에 의하면, 발광 소자를 구동 또는 제어하는 외부 장치로부터의 단자를 주기판 위의 배선에 접속할 필요가 있는 전기 광학 장치로서, 발광에 기여하는 층으로 되는 막의 불필요한 부분을 배선 위로부터 일거에 충분히 제거하는 방법에 의해 제조 가능한 전기 광학 장치와 그 제조 방법, 및 전기 광학 장치를 사용한 화상 형성 장치를 제공할 수 있다.
Claims (5)
- 제 1 전극층과, 제 2 전극층과, 상기 제 1 전극층 및 상기 제 2 전극층 사이의 전압에 따라 발광(發光)하는 발광 기능층을 구비하는 발광 소자가 복수 배열된 전기 광학 장치로서,주(主)기판과,상기 주기판 위에 배치된 상기 제 1 전극층과,상기 제 1 전극층 위에 배치된 상기 발광 기능층과,상기 발광 기능층 위에 배치된 상기 제 2 전극층과,상기 주기판 위에 상기 발광 기능층보다도 하층에 형성되고, 상기 발광 소자에 급전(給電)하거나, 또는 상기 발광 소자를 제어하는 복수의 배선과,상기 배선 중 어느 것과 상기 제 2 전극층을 접속하는 도전체(導電體)와,상기 발광 기능층보다도 하층, 또한 상기 제 1 전극층 및 상기 배선보다도 상층에 형성되고, 상기 배선을 부분적으로 덮는 절연성 보호막을 구비하며,상기 배선은 상기 주기판 외의 외부 장치의 단자가 접속되는 외부 접속부를 상면(上面)에 갖고,상기 보호막은 상기 외부 접속부와는 겹치지 않으며,상기 제 1 전극층 위에서 상기 보호막에는 제 1 관통 구멍이 형성되고,상기 제 1 관통 구멍을 통하여 상기 제 1 전극층이 상기 발광 기능층과 접합되며,상기 제 2 전극층은 상기 발광 기능층 중 적어도 상기 제 1 관통 구멍과 겹치는 영역의 상면에 밀착 접합되어 이 영역을 덮고,상기 도전체에 의해 상기 제 2 전극층에 접속되는 상기 배선 위에서 상기 보호막에는 상기 도전체가 충전되는 제 2 관통 구멍이 형성되며,상기 제 2 전극층은 상기 제 2 관통 구멍 및 상기 외부 접속부 중 어느 것과도 겹치지 않도록 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 제 2 전극층에서의 적어도 상기 제 1 관통 구멍과 겹치는 영역의 상면에 상기 제 2 전극층의 산화(酸化)를 방지하는 밀봉 수지가 밀착 접합되어 있고, 상기 제 2 전극층에서의 상기 밀봉 수지가 접합되지 않은 영역의 상면에 상기 도전체가 밀착 접합되어 있는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
- 상담지체(像擔持體)와,상기 상담지체를 대전(帶電)하는 대전기와,복수의 상기 발광 소자가 배열되고, 상기 상담지체의 대전된 면에 복수의 상기 발광 소자에 의해 광을 조사하여 잠상(潛像)을 형성하는 제 1 항 또는 제 2 항에 기재된 전기 광학 장치와,상기 잠상에 토너를 부착시킴으로써 상기 상담지체에 현상(顯像)을 형성하는 현상기와,상기 상담지체로부터 상기 현상을 다른 물체에 전사하는 전사기를 구비하는 화상 형성 장치.
- 제 1 전극층과, 제 2 전극층과, 상기 제 1 전극층 및 상기 제 2 전극층 사이의 전압에 따라 발광하는 발광 기능층을 구비하는 발광 소자가 복수 배열된 전기 광학 장치의 제조 방법으로서,기판 위에 형성된 절연막 위에 상기 발광 소자에 급전하거나, 또는 상기 발광 소자를 제어하는 복수의 배선을 선택적으로 형성하고, 그 일부를 상기 제 1 전극층으로 하는 공정과,상기 제 1 전극층 위에 상기 배선을 부분적으로 덮는 절연성 보호막을 형성하는 공정과,상기 보호막에 제 1 관통 구멍 및 제 2 관통 구멍을 형성하는 공정과,상기 제 1 전극층 및 상기 보호막 위에 상기 발광 기능층을 형성하고, 상기 제 1 관통 구멍을 통하여 상기 제 1 전극층과 상기 발광 기능층을 접속하는 공정과,상기 발광 기능층 위에 상기 제 2 전극층을 선택적으로 형성하는 공정과,상기 제 2 전극층을 마스크로 하여 상기 발광 기능층의 불필요한 부분을 제거하는 공정과,상기 제 2 전극층 및 상기 제 2 관통 구멍을 덮도록 도전체로 이루어지는 도전층을 형성하고, 상기 도전체를 상기 제 2 관통 구멍에 충전함으로써, 상기 제 2 전극층과 상기 복수의 배선 중 어느 것을 접속하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치의 제조 방법.
- 제 4 항에 있어서,상기 제 2 전극층 및 상기 도전층을 밀봉하도록 밀봉 기판을 상기 기판에 고정시키는 공정을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치의 제조 방법.
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| JP6014906B2 (ja) | 2013-05-10 | 2016-10-26 | ヤマハ株式会社 | 歪みセンサ |
| KR102108361B1 (ko) | 2013-06-24 | 2020-05-11 | 삼성디스플레이 주식회사 | 증착률 모니터링 장치, 이를 구비하는 유기층 증착 장치, 증착률 모니터링 방법, 및 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법 |
| JP6596390B2 (ja) * | 2016-06-29 | 2019-10-23 | 株式会社沖データ | 現像剤収容器、現像装置、画像形成装置、及び基板支持構造 |
| JP6750651B2 (ja) | 2018-08-24 | 2020-09-02 | セイコーエプソン株式会社 | 発光装置、および電子機器 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR920000017A (ko) * | 1990-02-21 | 1992-01-10 | 고바야시 준 | 전자사진 프린트장치 |
| KR20010023412A (ko) * | 1998-06-30 | 2001-03-26 | 나가이 아츠오 | 전계발광 디스플레이 |
| JP2001267062A (ja) | 2000-03-22 | 2001-09-28 | Nippon Seiki Co Ltd | 電界発光表示素子 |
| JP2001307874A (ja) | 2000-04-19 | 2001-11-02 | Nippon Seiki Co Ltd | 電界発光素子 |
| JP2002124376A (ja) | 2000-08-11 | 2002-04-26 | Seiko Epson Corp | 有機ｅｌ装置の製造方法および有機ｅｌ装置、電子機器 |
| JP2003178880A (ja) | 2001-12-13 | 2003-06-27 | Nippon Seiki Co Ltd | 有機電界発光素子 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3552435B2 (ja) | 1996-12-04 | 2004-08-11 | 株式会社日立製作所 | 有機発光素子及びその作成方法 |
| JP2000036385A (ja) | 1998-07-21 | 2000-02-02 | Sony Corp | 有機ｅｌディスプレイの製造方法 |
| US6605826B2 (en) * | 2000-08-18 | 2003-08-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device and display device |
| ATE381441T1 (de) | 2002-03-11 | 2008-01-15 | Seiko Epson Corp | Optischer schreibkopf wie organische elektrolumineszente belichtungskopf-matrizen, verfahren zu dessen herstellung und bilderzeugungsvorrichtung, die diesen nutzt |
| JP4545385B2 (ja) * | 2002-03-26 | 2010-09-15 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置の作製方法 |
| TWI238449B (en) * | 2003-06-06 | 2005-08-21 | Pioneer Corp | Organic semiconductor device and method of manufacture of same |
| JP3992001B2 (ja) * | 2004-03-01 | 2007-10-17 | セイコーエプソン株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス装置及び電子機器 |
| JP2005317229A (ja) * | 2004-04-27 | 2005-11-10 | Seiko Epson Corp | 有機ｅｌ装置の製造方法及び電子機器 |
-
2005
- 2005-06-09 JP JP2005169172A patent/JP4591222B2/ja active Active
-
2006
- 2006-06-02 US US11/421,969 patent/US7560743B2/en active Active
- 2006-06-05 KR KR1020060050354A patent/KR100721844B1/ko active IP Right Grant
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- 2006-06-08 CN CNB2006100912421A patent/CN100470822C/zh active Active
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR920000017A (ko) * | 1990-02-21 | 1992-01-10 | 고바야시 준 | 전자사진 프린트장치 |
| KR20010023412A (ko) * | 1998-06-30 | 2001-03-26 | 나가이 아츠오 | 전계발광 디스플레이 |
| JP2001267062A (ja) | 2000-03-22 | 2001-09-28 | Nippon Seiki Co Ltd | 電界発光表示素子 |
| JP2001307874A (ja) | 2000-04-19 | 2001-11-02 | Nippon Seiki Co Ltd | 電界発光素子 |
| JP2002124376A (ja) | 2000-08-11 | 2002-04-26 | Seiko Epson Corp | 有機ｅｌ装置の製造方法および有機ｅｌ装置、電子機器 |
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