JP2008071621A - 導電体膜接続構造及びその作製方法 - Google Patents
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Abstract
【手段】導電体膜接続構造の作製方法は、表示パネルに含まれる基板に形成された第1導電体膜と第2導電体膜との接続構造の作製方法であって、第1導電体膜を基板に形成する工程と、第1導電体膜上に中間導電体膜を形成する工程と、中間導電体膜上に第2導電体膜を形成して第1導電体膜及び第2導電体膜の重なり部分と重なり部分間に挟まれた中間導電体膜の接続部とを画定する工程とを含み、中間導電体膜は第1導電体膜及び第2導電体膜のいずれか高い方の電気抵抗値よりも高い電気抵抗値を有する第1材料からなり、中間導電体膜の接続部の電気抵抗値を前記第1材料の電気抵抗値よりも低くさせる低抵抗化処理工程とを含む。
【選択図】図2
Description
第1導電体膜を基板に形成する工程と、前記第1導電体膜上に中間導電体膜を形成する工程と、
前記中間導電体膜上に第2導電体膜を形成して前記第1導電体膜及び第2導電体膜の重なり部分と前記重なり部分間に挟まれた前記中間導電体膜の接続部とを画定する工程とを含み、
前記中間導電体膜は前記第1導電体膜及び第2導電体膜のいずれか高い方の電気抵抗値よりも高い電気抵抗値を有する第1材料からなり、
前記中間導電体膜の接続部の電気抵抗値を前記第1材料の電気抵抗値よりも低くさせる低抵抗化処理工程とを含むことを特徴とする。
前記第1導電体膜及び第2導電体膜の重なり部分と前記重なり部分間に挟まれた中間導電体膜の接続部とからなり、前記中間導電体膜は前記前記第1導電体膜及び第2導電体膜のいずれか高い方の電気抵抗値よりも高い電気抵抗値を有する第1材料からなり、前記中間導電体膜の接続部の前記第2導電体膜側に前記第1材料の比抵抗を低くさせる第2材料がドープされていることを特徴とする。
前記第1導電体膜及び第2導電体膜の重なり部分と前記重なり部分間に挟まれた中間導電体膜の接続部とからなり、前記中間導電体膜の接続部は前記前記第1導電体膜及び第2導電体膜のいずれか高い方の電気抵抗値よりも高い電気抵抗値を有する第1材料からなり、
前記中間導電体膜の接続部の第1導電体膜及び中間導電体膜又は第2導電体膜及び中間導電体膜の少なくとも一つの表面に粗面を有することを特徴とする。
前記第1導電体膜及び第2導電体膜の重なり部分と前記重なり部分間に挟まれた中間導電体膜の接続部とからなり、前記中間導電体膜の接続部は前記前記第1導電体膜及び第2導電体膜のいずれか高い方の電気抵抗値よりも高い電気抵抗値を有する第1材料からなり、
前記第1導電体膜及び第2導電体膜が前記中間導電体膜の接続部とともに溶接された溶接部分を含むことを特徴とする。
また、低抵抗構造は、接続部Cnに対応する配線電極19の部分を予めパターニングして表面に凹凸を設けることにより、実現できる。たとえば、図6に示す配線電極形成工程にて、配線電極19を凹凸表面を有するように形成すれば、ドーパントを塗布する工程を行わずとも、図13に示すように、接続部Cnの抵抗結合有機膜141は凹凸となり、その表面積が大きくなると同時に、凹凸の角部で抵抗結合有機膜141の膜厚が部分的に薄くなり、接続抵抗を低くできる。かかる一連の処理が低抵抗化処理工程である。なお、配線電極19の接続部Cn部分の凹凸は多層にしてもよい。凹凸の高低差は低抵抗化のために、抵抗結合有機膜141の膜厚の1/2以上が望ましく、さらに該膜厚以上であるとより好ましい。
実施例1として、パッシブ駆動型有機EL表示パネルを作製した。
接続部Cnの各々にレーザ照射を行わない以外は、実施例1と全く同様にしてパッシブ駆動型有機EL表示パネルを作製したところ、接続部Cnの抵抗は、100Ω程度であった。
13 第1電極
14 有機機能層
15 第2電極
16 封止膜
19 配線電極
141 抵抗結合有機膜
142 機能有機膜
Claims (12)
- 表示パネルに含まれる基板に形成された第1導電体膜と第2導電体膜との接続構造の作製方法であって、
第1導電体膜を前記基板に形成する工程と、前記第1導電体膜上に中間導電体膜を形成する工程と、
前記中間導電体膜上に第2導電体膜を形成して前記第1導電体膜及び第2導電体膜の重なり部分と前記重なり部分間に挟まれた前記中間導電体膜の接続部とを画定する工程とを含み、
前記中間導電体膜は前記第1導電体膜及び第2導電体膜のいずれか高い方の電気抵抗値よりも高い電気抵抗値を有する第1材料からなり、
前記中間導電体膜の接続部の電気抵抗値を前記第1材料の電気抵抗値よりも低くさせる低抵抗化処理工程とを含むことを特徴とする導電体膜接続構造の作製方法。 - 前記低抵抗化処理工程は、前記中間導電体膜の接続部の第2導電体膜側に前記第1材料の比抵抗を低くさせる第2材料をドープする工程を含むことを特徴とする請求項1記載の導電体膜接続構造の作製方法。
- 前記第2材料をドープする工程は、中間導電体膜を形成後インクジェットノズルを用いて中間導電体膜にドーパントの溶液を塗布し乾燥する工程を含むことを特徴とする請求項2記載の導電体膜接続構造の作製方法。
- 前記低抵抗化処理工程は、第1導電体膜及び中間導電体膜又は第2導電体膜及び中間導電体膜の少なくとも一つを形成する工程において、その表面に凹凸を形成する工程を含むことを特徴とする請求項1記載の導電体膜接続構造の作製方法。
- 前記低抵抗化処理工程は、中間導電体膜を形成後、接続部にレーザ光を照射し、中間導電体膜の表面に凹凸を形成する工程を含むことを特徴とする請求項1記載の導電体膜接続構造の作製方法。
- 前記低抵抗化処理工程は、第2導電体膜を形成後、接続部にレーザ光を照射し、第1導電体膜、第2導電体膜及び中間導電体膜を溶接する工程を含むことを特徴とする請求項1記載の導電体膜接続構造の作製方法。
- 前記第2導電体膜をマスクにして、前記中間導電体膜を前記第2導電体膜と略同一のパターンでエッチングする工程を含むことを特徴とする請求項1〜6のいずれかに記載の導電体膜接続構造の作製方法。
- 前記中間導電体膜が無機物であることを特徴とする請求項1〜7のいずれかに記載の導電体膜接続構造の作製方法。
- 前記中間導電体膜が有機物であることを特徴とする請求項1〜7のいずれかに記載の導電体膜接続構造の作製方法。
- 表示パネルに含まれる基板に形成された第1導電体膜と第2導電体膜との接続構造であって、
前記第1導電体膜及び第2導電体膜の重なり部分と前記重なり部分間に挟まれた中間導電体膜の接続部とからなり、前記中間導電体膜は前記前記第1導電体膜及び第2導電体膜のいずれか高い方の電気抵抗値よりも高い電気抵抗値を有する第1材料からなり、前記中間導電体膜の接続部の前記第2導電体膜側に前記第1材料の比抵抗を低くさせる第2材料がドープされていることを特徴とする導電体膜接続構造。 - 表示パネルに含まれる基板に形成された第1導電体膜と第2導電体膜との接続構造であって、
前記第1導電体膜及び第2導電体膜の重なり部分と前記重なり部分間に挟まれた中間導電体膜の接続部とからなり、前記中間導電体膜の接続部は前記前記第1導電体膜及び第2導電体膜のいずれか高い方の電気抵抗値よりも高い電気抵抗値を有する第1材料からなり、
前記中間導電体膜の接続部の第1導電体膜及び中間導電体膜又は第2導電体膜及び中間導電体膜の少なくとも一つの表面に粗面を有することを特徴とする導電体膜接続構造。 - 表示パネルに含まれる基板に形成された第1導電体膜と第2導電体膜との接続構造であって、
前記第1導電体膜及び第2導電体膜の重なり部分と前記重なり部分間に挟まれた中間導電体膜の接続部とからなり、前記中間導電体膜の接続部は前記前記第1導電体膜及び第2導電体膜のいずれか高い方の電気抵抗値よりも高い電気抵抗値を有する第1材料からなり、
前記第1導電体膜及び第2導電体膜が前記中間導電体膜の接続部とともに溶接された溶接部分を含むことを特徴とする導電体膜接続構造。
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