TWI257694B - Wire bonding device - Google Patents
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- 230000000295 complement effect Effects 0.000 claims abstract description 23
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 7
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 16
- 230000005484 gravity Effects 0.000 claims description 7
- 210000004209 hair Anatomy 0.000 claims description 5
- 238000004080 punching Methods 0.000 claims description 3
- 230000001595 contractor effect Effects 0.000 claims 1
- 238000010413 gardening Methods 0.000 claims 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 claims 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 34
- 238000007906 compression Methods 0.000 abstract description 3
- 230000006835 compression Effects 0.000 abstract description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 32
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 6
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 3
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 3
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 2
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 201000004384 Alopecia Diseases 0.000 description 1
- 241000237536 Mytilus edulis Species 0.000 description 1
- 235000010627 Phaseolus vulgaris Nutrition 0.000 description 1
- 244000046052 Phaseolus vulgaris Species 0.000 description 1
- 206010042496 Sunburn Diseases 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 231100000640 hair analysis Toxicity 0.000 description 1
- 208000024963 hair loss Diseases 0.000 description 1
- 230000003676 hair loss Effects 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 230000000116 mitigating effect Effects 0.000 description 1
- 235000020638 mussel Nutrition 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 210000000952 spleen Anatomy 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
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-
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
- H01L24/78—Apparatus for connecting with wire connectors
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- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K20/00—Non-electric welding by applying impact or other pressure, with or without the application of heat, e.g. cladding or plating
- B23K20/002—Non-electric welding by applying impact or other pressure, with or without the application of heat, e.g. cladding or plating specially adapted for particular articles or work
- B23K20/004—Wire welding
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K20/00—Non-electric welding by applying impact or other pressure, with or without the application of heat, e.g. cladding or plating
- B23K20/002—Non-electric welding by applying impact or other pressure, with or without the application of heat, e.g. cladding or plating specially adapted for particular articles or work
- B23K20/004—Wire welding
- B23K20/005—Capillary welding
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- B23K20/00—Non-electric welding by applying impact or other pressure, with or without the application of heat, e.g. cladding or plating
- B23K20/10—Non-electric welding by applying impact or other pressure, with or without the application of heat, e.g. cladding or plating making use of vibrations, e.g. ultrasonic welding
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- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/60—Attaching or detaching leads or other conductive members, to be used for carrying current to or from the device in operation
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- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K2101/00—Articles made by soldering, welding or cutting
- B23K2101/36—Electric or electronic devices
- B23K2101/40—Semiconductor devices
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
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- H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
- H01L2224/7825—Means for applying energy, e.g. heating means
- H01L2224/783—Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
- H01L2224/78301—Capillary
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- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
- H01L2224/786—Means for supplying the connector to be connected in the bonding apparatus
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- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
- H01L2224/851—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector the connector being supplied to the parts to be connected in the bonding apparatus
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- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
- H01L2224/8512—Aligning
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- H01L2224/85201—Compression bonding
- H01L2224/85205—Ultrasonic bonding
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- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01005—Boron [B]
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01006—Carbon [C]
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- H01L2924/01033—Arsenic [As]
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- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01082—Lead [Pb]
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1257694 玫、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本务明係關於打線裝置 之棱擊減輕的打線裝置。 【先前技術】 特別係關於能將對打線對象 打線技術 子等(接合墊) 端子(接腳)之 線技術所使用 ,例如’係將LSI等半導體晶片之輸入出端 ’與搭載半導體晶片之封裝體或電路基板之 間以細金屬引線連接的技術,打線裝置係 之裝置。 置,保Γ所謂毛細管之筒體,s打線裝 =的機構。例如具代表 ^端!ΓΛ適Λ於超音波能之傳達的形狀)超音波轉換器 而又有毛細官,該打線裝置又具備上下機才冓, 動超曰波轉換器而使毛細管向半導體晶片等上下。 忒上下機構之構成,例如將前端有毛細管之超立 換器以支持具保持,以線性馬達使該支持具移動。I:上 下機構之系統全體受伺服技術所控制,管理毛細管前端之 位移、速度、加速度等,來進行與接合墊之接觸。其次之 對毛細管施加既定之緊壓力,對引線與接合墊施加超^波 能而進行接合。 曰〆 因毛細管往接合墊等下降之速度,係決定打線作業時 間之重要的因子之一,故希望儘可能使該下降速度為高^ 。然而,若毛細管高速下降,直接碰撞接合墊,該撞擊將 1257694 使c a日片等文彳貝。該撞擊,係取決於使毛細管下降的 動機構全體之慣性大小,在具備超音波轉換器、支持具: 下機構等的目則之移動機構的情形,係慣性相當大 此’係將毛細管之下降速度作階段性改變,當毛細管前,山 近接接合墊某一程产德.. 而 下降速度緩慢。下降速度心 係考慮+導體晶片、電路基板等之厚度之 ’例如,毛細營下隊 、 是 奢至尽度偏差量上安全之位置起, 速度開始減速。 τ降 如上述’在習知技術,係考慮毛細管下 -速性與撞擊的減輕,來進行上下機構之控制。連度的 【發明内容】 l年來’酼著LSI晶片大規模化,打 打線之高速化,期待毛細管下降速度進—步高_夕。要永 又’除1C晶片受損之問題外,還有,在 型化之趨勢中,要求盡可能減輕在毛細管 =、 線對象之撞擊。以# e卜~日守轭加於打 路美Μη 對下部被載物台牢固地支擇之電 :基板進:打線’故不考慮電路基板等由於毛細管 鈀加之揎擊而彎曲之情形 '然而 :之超小型化而設計立體的電路組合體,對 在下部無法獲得固定支撐、亦即在突出成詹狀之=二 打線。在此情形,因毛細管 仃 撞擊使基板W ~ 板所施加之 打線困在接合塾上滑動,而可能造成 合吝 此,期待有一種毛細管下降時之撞擊幾乎不 έ產生的所謂無撞擊打線裝置。 1257694 然而,在習知技術,若將毛 样^介秘士 、、、田官之下降速度高速化, 撞擊亦增大,故為減輕撞擊,去 ^ ^ 田毛細管前端近接接人執s -程度後,要使下降速度緩慢。因此,若二某 擊,則毛細管之下降速度變得 ^ V減輕撞 ./习习m 更戍,阻礙高速化。如此 ,在智知技術,毛細管之下降時 此 TST曰Η所# ; 了的呵速化,與毛細管對 LSI a曰片所鈿加之撞擊的減輕,成為相反之要求。 又,在習知技術,使毛細管下 妒立油艟拖口。 牛之拽構,例如係將如 起曰波轉換…細管保持體以支持具等保持 上下驅動等的複雜構造。因此, 份、寺〆、 下降速度之迅速變更亦有困難 Γ貝性相田大, 減輕程度有其限度。 、φ D ;接合墊之撞擊的 本發明之目的在於,提供— 問題、更減輕毛細管下降時撞擊的打=上述習知技術之 於提供-種毛細管下降時==μ置。另—目的在 另—a6W ^更以化的打線裝置。再者, 、在於,提供一種毛細管下降時At含、 更減輕毛細管下降時撞擊的打線I置。门速化亚且能 為要達成上述目的’本發明之 右具備:保持打線對象之載物台;毛細管伴持|:二在於 有插穿打線用引線之毛細管;保持=,其-端 載物持具用致動器,將保持體支持具相對㈣ 戰物口上面移動驅動q吏毛細管 1方…哀 移動·芬士 月匕接離该載物台之方式 ,及保持體致動器,設置於保持 持體之間,脾主47 干符版支持具與毛細管保 ,且該俘枯:麟# 4 α 叉持具移動驅動 保持體致動15,係根據該支持具用致動器所產生之 1257694 毛細^載物台上面之間之近接,而將毛細管向上移動。 移動:4,二t細管保持體能相對於保持體支持具 田毛細官由於支持具用致動器之驅動 面時’藉由保持體致動器使毛細管 載物台 細管下降時之撞擊。即,獨立於毛細管之;=,能減輕毛 错由保持體致動器使毛細管向上移 二度之外’ 管下降時之更高速化及撞擊之更減輕。又文:=求毛細 所產生之毛細管向上之移動驅動,係: 呆持體致動器 對象即可,故能迅速進行。在此 、'、田官保持體為 體之間尚在離開肤r的垃& 明近接,係包含2物 的接觸。 接近’及2物體之間在未離開狀態 發:月之打線裝置’其特徵在於,係具備··撞擊 管從該載物台上面所承受之==之近接來偵知毛細 制機構,㈣— U ’並輸出偵知訊號;及控 械構根據偵知訊號,控制保持體 & 二輪,能以撞擊偵知感測器檢測毛細;:力物:由 面(例如透過引線已接觸半導體晶片)近7物台上 。 日灼’便毛細官向上移動 又,本發明之打線裝置,豆 體,係沿著载物台上面延伸,二t:該毛細管保持 之毛細管;該保持體致動器’Ί物台上面垂下 ^ ,Λ 00 ^ 一對互補動作型仲端研^ 凡件,该元件安裝於毛 I·驅動 分開之1保持體側安装位Γ所故之沿其延伸方向 對應該保持體側安裝 ^保㈣支持具上所設之 衣置之支持具側安裝位置之間;該— 1257694 里刀几rr 對互補動作型伸縮驅 一元件即收縮動作。 藉由上述構造’可使安裝於毛細管保持體沿其延伸方 向分開之一對互補動作型伸縮驅動元件之一方 一 τ我,使另 一方之元件收縮,而使毛細管保持體前端之毛細管向 動。 ρ矛夕 又,該一對之互補動作型伸縮驅動元件,較佳者為· 配置成其第.1法線與第2法線之法線交點位於對:載物台 上面之位置’帛1法線,係從件之保持體側安粟位置 ,往正交於施加在保持體側安袭位置之伸' 方向延伸;第2法線,係從另—元件之保持體側安= ,往正交於施加在保持體側安震位置之伸縮驅動 方向延:;該保持體致動器’係以法線交點為擺動中二 使毛細官保持體圍繞擺動中^進行擺動驅動。 藉由上述構造’毛細管保持體能圍繞位於載物台之大 致上面上的擺動中心擺動,龄鈇 — ^ Τ擺動^使毛細管前心㈣ 物台上面大致成鉛垂方向,能 μ 、尺 此防止毛細官在半導體晶片上 面滑而移動。 日日Θ上 又,該擺動中心,較佳者為設置於毛細管保持體之重 心位置與毛細管所在位置之間。藉由上述構造,在使毛么 官保持體擺動而使毛細管向上移動時,毛細管保持體之 心位置的重力及慣性力所產生 " 4力矩此彺利於毛細管向 移動之方向作用。因此,的,、;, ^ 口此此以小驅動力迅速使毛細管向上 移動。 10 1257694 t ’該保持體致動器較佳者為壓電元件。又該壓電元 件車乂佳者為在未進行毛細管保持體相對於保持體支 之移動驅動時,偵知毛細管 、,、 輸出偵知訊號。萨由上辻禮生^ 7又之撞擊並 、 猎由上述構造,對於壓電元件能分別使用 作為致動器之功能及作為撞擊 少構成零件之數量。里擊谓知感心之功能’而能減 又’該毛細管保持體,較佳者為超音波轉換界。 【實施方式】 π在::二使用圖式詳細說明本發明之實施形態。圖1, 知在適用本發明之打線裝置,將包含使毛細管上下之機構 的打線頭部10從側面表 下之㈣ 物台之位置關係重要,故用二因打線頭部10與載 ,f 茺 用虛線表示载物台之上面1 2。跄 在此圖就使用超音波能來進 面12。雖 音波打線裝置來說明,_ θ I 、,、妾口墊寻之接合的超 a a木ρ兄奶,但是亦 式打線裝置等。 ‘,.、’、他衣置’例如熱壓接 打線頭部1〇,係具備:前端具有 轉換器Ιό、安妒;立# _ β ''' ? M之超音波 文衣於起曰波轉換器16之 過壓電致動器18保持超音波轉換 ::動益18、透 安裝於接合切具2G之㈣/1。。16之接合支持具2〇、 可/、ZU您叔搫偵知 接合支持具20之Z馬達22。 …时、及用以驅動 毛細官14,係插穿打線用 換器-係-種能量轉換器,用:二=。超音波轉 其形狀,係呈細長棒狀,且外形適毛細管。 口於將超音波振動之能 1257694 $之衰:加以抑制而效率良好地傳遞至前端之毛細 ’ 制部透過訊號線來供應。 拔 係設置於超音波轉換器與接八φ :V,°之間,使超音波轉換…對於接合; :移動之一種致㈣。壓電致動“,係具備—= …、’―對壓電元件,係在接合支持具20側以互 相面向之方式安裝成相對超音波轉換器 2 壓電元件之超音波轉換器16側的安裝位置Μ二各 ,係設…匕接合支持具2。側的安裝位置I :隔 ° M $ %件3G、32 ’係、伸縮駆動it件,用以從未 Si機構驅動控制部獲得驅動控制訊號,沿該元二= 控制,係當—壓電元件沿伸長方向 广動日,,另一壓電元件能沿壓縮方向受驅動,, 係以互補方式受驅動控制。 足二==安:“…4、36、38、4"— 之長邊 ^ Ρ在、,,田長棒狀超音波轉換器16 方向之間的位置,選擇使超音波振動衰減 /如在超音波振動之節點附近,當作安裝位置。又,、法 元Τ超音波轉換器16侧之安裝位置爿往正交於屢電 …二之::!咖電元件3°之轴方向)之方向延伸) 方向之太4(仗以位置36往正交於壓電元件32之伸縮 物二向延伸i之交點(法線交點),配置成位於大致在載 之重 之南度’且毛細管之位置與超音波轉換器16 ί心位置之間的位置。 12 上257694 * 一對壓電元件30、 波轉換器16作擺動運動 運動之擺動令心。 3 2以互補方# 铺万式伸縮驅動時,超立 ,該法線交點即是相當於該擺重: 接合支持具2〇,係用立 動器18保持成為 、、。曰;轉換器16與壓電致 為一體,能圍繞平行於載物a卜^ π 轉車由5"走轉之零件。旋轉轴$ =面η的旋 面12的高度’並在正交於超音波轉換;==物台上 方向。接合支持I ?η . 、6之長邊方向的
、/、 ,係沿著超音波轉換哭1 6夕旦、真+ 向延伸之形狀,在對岸 、長邊方 在㈣… 官之位置設有引線夾52, 反側設有跨過超音波轉換器16之後部且 ==…的一對聊部54。-對…,有旋 衣成旎旋轉自如,腳部又連接於ζ馬彡Μ。又 “致動益18之安裝位置38、4〇,係設定在引線夾η 之位置與腳部54之間,且滿足上述條件。
撞擊横知感測器21,係摘知毛細管Μ前端當接觸半 導體晶片等打線對象時所承受之撞擊’並當作谓知訊號輸 出的-種感測器’例如能使用市售之震動感測器(―仏 sensm)等。摘知訊號則輸人未圖示之上下機構驅動控制部 才里辜偵知感測為21,係設置於引線夾52與壓電致動器 1 8之安裝位置3 8之間。 Z馬達22,係將接合支持具20圍繞旋轉軸5〇旋轉驅 動的馬達,由具備轉換機構之線型馬達所構成。z馬達之 驅動’係從未圖示之上下機構驅動控制部接收驅動控制訊 號來進彳亍。 13 1257694 :達22之驅動控制大致分為2個功能。丨個功能, t、IS移動词服控制,其將接合支持具20、壓電致動器 皮轉換器' 16當作一個整體來驅動,使超音波轉 前端之毛細管14的位移、速度、加速度考跟隨目 '、Ί。目標值係選擇比半導體晶片上面為低之高度 服以ΪΓ、目標值之前均用指定速度移動之方式進行跟隨飼 曰S速度加速度之變化,偵知毛細管前端與半導體
二 =接觸,而停止2馬達22…個功能,係毛細 官刖知接觸半導體曰 即緊壓力。 對毛細管施加既定之打線荷重, 在圖1所不之實施形態之打線裝置,毛細管下降時動 作之控制,係藓由I m g 守動 將該情形使用不之上下機構驅動控制部來進行。 體晶片=圖3來說明。此等圖,係在⑷將半導 片攸毛細管承受之荷重的時間變化,在(b)將4 έ > 端位移的時間變化…: 在⑻將毛細官前 艾化均以共同的時間軸原點來表示。 广叫評估毛細管下降時撞擊之大小,能以(b)評:
二下,之速度。x ’打線對象除半導體晶片外雖: 基板寻’但以下以半導體晶片代表打線對象來說明。路 由=壓電致動器18而將毛細管14藉 馱動朝載物台上面12下降時之情形 相當於習知技術之情形。圖中’時…前毛二的圖’ μ下降1後從時刻„減緩速度下降。時刻 j 管1 4接觸丰導駟曰μ ^ 货、毛細 、且日日片之日守刻。時刻t2之前,半導 所承受之荷重雖“,但是在時刻t2,因毛 7曰曰片 s丄4石並揸 14 1257694 半導體晶片,故承受撞擊力。撞擊力到達峰值後 等之彈性、塑性變形等缓和而漸減。該過程中在時刻 加打線荷重,此後轉移至定常狀態。如 知 ^ < 右僅以z馬 達2之驅動使毛細管14下降,則在時刻口至時刻u ’、、、 間半導體晶片將承受大撞擊力,其峰值例如: 500^ 50g 1〇〇〇mN^ 100g t)〇x,iT;^t 之大小,例如使用約2〇〇mN(約20g重)。 另-方面’從時刻tl至時刻t2之間,毛細管
下降。此間之下降距離,雖係考慮半導體晶片等之厚^ 偏差所设定之寬裕距離,例如約 m 、 #用1 ς / Μ旁返度’例如 用1〜5酿/Sec。因此,從時刻u至時刻q 則需要14〜7〇msec。 、、、日才間 a上係况明毛細官14猎由Z馬達22之驅動朝载物 下降近接後,驅動壓電致動器18之情形 尤毛細管14接觸半導體晶片之前後放大表 貞知感測器21輸㈣知訊號之時刻,在該時刻Γ
:::…4以高速下降。在“當撞擊谓知感測器21輸出 偵知訊號時,首先停止z馬達 輸出 雷开I 2之驅動。然後,藉由壓 、32(—對互補動作型伸縮驅 換器16圍繞擺動中心46擺動,#…凡件)使起曰波轉 動。 ^動使毛細管Μ向上開始移 更詳言之,從時刻t4雖z馬達22 之下降消失,但是由於接合支持具2〇 ί 14,對半導體晶片施加向下之撞擊力 所產生之毛細 等之慣性力, ,毛細管14 管14 毛細 之前 15 1257694 端與半導體晶片上面保持著接觸狀態,進—步稍向下位移 。從時刻Η藉由壓電元件3〇、32( 一對互補動作型伸縮驅 動兀件)之擺動驅動,毛細管14向上開始移動,故該慣性 力所產生之下方移動則漸漸變慢,在與擺動驅動所產生之 上方移動平衡的時刻,毛細f 14之前端位於最下方之位 置。從該最下方位置之時刻,毛細管14 <前端開始上升 ’在時刻t5,回到半導體晶片之原上面位置的高度,即不 承受撞擊力時之半導體晶片之上面位置的高度。
P在岭刻t5以後,毛細管14之前端則離開半導體 晶片之上面。因此,半導體晶片所承受之荷重,僅為從時 刻t4至時刻”之極短期間之撞擊力,時刻 之荷重就回到零。
• _方面,一對壓電元件30、32(互補動作型輪 力凡件)’係進行互補驅動(使毛細管14保持繼續向上移· )後,接著在適當時期進行反方向之互補驅動,將超音波, 換朝反方向擺動’使毛細管14之前端再下降。又 :日才刻t6,毛細管14之前端再接觸半導體晶片上面。4 :刻半導體晶片所承受之荷重能減低至可忽視程度。^ 施加打線荷重,供應㈣超音波能,在引線與半導葡 曰曰片之接合墊之間進行接合。 龍電το件30、32(互補動作型伸縮驅動元件)之顯 :對象’係、與z馬達22及接合支持具2〇才目比慣性小之寿 曰波轉換n 16。因此’能迅速進行時刻t4日寺之向上移鸯 ,又,在日寺亥t6時之再接觸亦能軟著陸(s〇fManding)。箱 16 1257694 此月匕大巾田減輕半導體晶片所承受 ,lf , ^ ^ ,又之何重。在本實施形態 例此使+導體晶片所承受之撞擊力 之大小在50mN(約5g P,與習知技術之撞擊力 1/5至"1〇。 /力之大小相比’能減低為 須如習知技術分為2階段 以高速下降。因此,能取 間,能大幅提高毛細管下 又,毛細管下降之速度,不 改變速度,而是從最初至最後能 消習知技術所必要之緩慢速度期 降時之高速性。
在上迷說明,雖採取使毛細管14之前端離開半導體晶 片上面後仍繼續向上移動而後下降的驅動控制順序,但是 亦能採取其他驅動控制,例如,時刻t5以後停止廢電元件 30 32(對互補動作型伸縮驅動元件)之驅動的控制。此 情形’因半導體晶片所承受之撞擊力已回到零,毛細管“ :前端大致位於半導體晶片之上面位置之高度,故在此狀 m下施加打線荷重。
在貫施形態,擺動中心 ^度。藉此,毛細管前端接 前端之高度即使將半導體晶 與擺動中心之高度大致相同 晶片上面向上移動,再軟著 動作大致與半導體晶片上面 半導體晶片上面滑而移動。 之高度,大致係載物台上面之 觸半導體晶片上面時,毛細管 片等之厚度列入考慮,亦成為 。在此狀態,毛細管從半導體 陸。因此,能使毛細管前端之 成鉛垂方向,能防止毛細管在 又,在實施形態, 之位置與超音波轉換器 k動中心之位置,係配置於毛細管 之重心位置之間的位置。藉由此構 17 Ϊ257694 造,毛細管前端位置盥护立 電致動哭…” 波轉換器之重心位置將夾住塵 电氣之女衣位置而位於互相相反側。因 ,音波轉換器之擺動方向,係、= “ 下方拉的方向’故重力及慣性力所 產生之力矩,將往有利 力所 j於乇細官向上移動之方向作用。因 此’能以小驅動力迅速進行毛細管向上移動。 在實施形態,已說明毛細管與半導體晶片之接觸係以 里·#偵知感測器檢測。除此以
測毛細管與對象物之間隔距離的方:了:二, 監、本 4疋糟由設置於7 馬達、用於作位置檢測之飨 ]之、扁碼益(encode〇等的方法,亦 核測毛細官與對象物之近接。 =實施形態,雖將撞擊偵知感測器獨立設置, 亦-將塵電元件(互補動作型伸 - 感測器來使用。例如,未將壓電元件牛)田乍^偵知 驅動元㈣用夕㈣ “件田作互補動作型伸縮 ,件使用之期間1尚未使超音波轉換器相對接合支 义:移動驅動時’能以相同之遷電元件當作谓知毛細管從 =載物台上面所承受之撞擊而輸出偵 感測器來使用。 裡羊彳貝知 依據本發明之打線裝置 減輕。依據本發明之打線裝 化。 ,能將毛細管下降時之撞擊更 置,能使毛細管下降時更高速 【圖式簡單說明】 (一)圖式部分 圖 係本發明實施形態之打線裝置之打線頭部白 18 1257694 視圖。 圖2,係言 度之情形的圖。 圖3,係謂 下降時之撞擊力 晶片前後放大表 (二)元件代表符$ 10 12 14 16 18 20 21 22 30、32 34 、 36 、 38 、 42、44 46 48 50 52 之打線裝f,毛細管 將毛細管接觸半導體 ‘明在本發明實施形態 與速度之情形的圖, 不的圖。 打線頭部 載物台上面 € 毛細管 t曰波轉換态(毛細管保持體) 壓電致動器(保持體致動器) 接合支持具(保持體支持具) 才里擊傾知感測器 Z馬達(保持體致動器) 1 i元件(互補動作型伸縮驅動元件) 40安裝位置、 鲁 法線 擺動中心 重心位置 旋轉軸 引線夾 腳部 19 54
Claims (1)
1257694 拾、申請專利範園 種打線裝置,其特徵在於,具備: 保持打線對象之载物台; 毛細官保持體,其前端有插穿 保持體支持且,用以…線Μ線之毛細管; /、用以保持毛細管保持體; 待具用致動器,將保持,# 面移動驅動m - 具相對於該载物台上 動使毛細管以能接離該载物台之方 保持體致動器,設置於保持體工夕, 之間,將毛& $ & # μ 克持具與毛細管保持體 #將毛細官保持體㈣於保持體支持具㈣ 硪保持體致動器,係根據該支持具-毛細管盥葡%/、 太動态所產生之 广、载物台上面之間之近接,而將毛細管向上移動。 2,申請專利範圍第丨項之打線農置,係具備移動 “Ϊ擊:知感測器’藉由毛細管對載物台上面之接觸來 、α毛細官從該載物台上 號;及 又之&擊’亚輸出偵知訊 。控制機構,根據摘知訊號,控制保持體致動器之驅動 鲁 技3.如申請專利_】項之打線裝置,其中 么 ::持體’係沿著载物台上面延伸’前端具二 面垂下之毛細管; 〇上 ▲該保持體致動器包含一對互補動作型伸縮驅動 心件安裝於毛細管保持體上所設之沿其延伸方 -對保持體側安裝位置、與保持體支持具上所設之對二 保持體側安裝位置之支持具側安裝位置之間; …6亥 20 1257694 吕亥一 作時,另 對互補動作切彳由 1伸鈿驅動元件,係當一元件伸長動 一元件即收縮動作。 又 2項之打線裝置,其中,該毛細 上面延伸,前端具有向載物台上 4 ·如申凊專利範圍第 管保持體,係沿著载物台 面垂下之毛細管; :保持體致動器包含一對互補動作型伸縮驅動元件, '"兀件安裝於毛細管保持體上所役之、、八直驻袖古a、 一斟仅杜μ 上所叹之/口其延伸方向分開之 對保持體側安裝位置,盥 保持體側安裝位置之… 所设之對應該 置之支持具側安裝位置之間; 4 一對互補動作型伸 1甲、、、借驅動疋件,係當一元件伸長動 作日守,另一元件即收縮動作。 對互申請專利範圍…之打線裝置,其中,將該一 :力作型伸縮驅動元件配置成其"法線與第 之法線父點位於對應載物台上面之位置; 弟1法、線,係從一元件之保持體側安褒位置’往正六 W加在保持體側安裝位置之伸縮驅動力方向的方向延伸 弟2法,線,係從另一元件之保持體側安褒位置,往正 交於施加在保持體側安裝位置之伸縮驅動力方向的方向延 伸; —該保持體致動器,係以法線交點為擺動中心,使毛細 官保持體圍繞擺動中心進行擺動驅動。 6.如申請專利範圍第4項之打線裝置,其令,將該一 對互補動作型伸縮驅動元件配置成其帛i法線與第2 :線 21 1257694 之法線父點位於對應載物台上面之位置; 第1法線,係從_元件之保持體側安裝位置^ 於施加在保持體側安裝位置之伸?主正交 • 乃向的方向延伸 位置,往正 向的方向延 ^第2法線,係從另一元件之保持體側安裝 交於施加在保持體側安裝位置之伸縮驅動力 伸; §亥保持體致動器,係以法線交點為擺動中
管保持體圍繞擺動中心進行擺動驅動 7.如申請專利範圍第5項之打線裝置,苴中 :二係設置於毛細管保持體之重心位置與毛細管:: 中申=範圍第6項之打、㈣置,其^,該擺: 。,U於毛細f保持體之重 置之間。 罝/、毛細官所在/ 9. 如”專㈣㈣丨項至第8射任—項之
置,其中’該保持體致動器係壓電元件。 、^ 10. 如申請專利範圍第9項之打線裝置,其中,物 動未進灯毛細管保持體相對於保持體支持具之禾 力驅動時,偵知毛細管從 - 侦知訊號。 m物口上面所承文之撞擊並輸d 二如申料利範圍第丨項至第8項中任—項 置,其中,該毛細管保持體係超音波轉換器。 12.如申請專利範圍第9項之打線裝置,其中,該毛細 22 1257694 管保持體係超音波轉換器。 13.如申請專利範圍第10項之打線裝置,其中,該毛 細管保持體係超音波轉換器。 拾壹、圖式: 如次頁
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Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002202115A JP3727616B2 (ja) | 2002-07-11 | 2002-07-11 | ワイヤボンディング装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW200403824A TW200403824A (en) | 2004-03-01 |
TWI257694B true TWI257694B (en) | 2006-07-01 |
Family
ID=30112603
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW92113801A TWI257694B (en) | 2002-07-11 | 2003-05-22 | Wire bonding device |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6871772B2 (zh) |
JP (1) | JP3727616B2 (zh) |
KR (1) | KR100558145B1 (zh) |
TW (1) | TWI257694B (zh) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7044356B2 (en) * | 2003-12-11 | 2006-05-16 | Texas Instruments Incorporated | Roller wire brake for wire bonding machine |
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-
2002
- 2002-07-11 JP JP2002202115A patent/JP3727616B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2003
- 2003-05-22 TW TW92113801A patent/TWI257694B/zh not_active IP Right Cessation
- 2003-06-26 KR KR20030041878A patent/KR100558145B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2003-07-10 US US10/616,774 patent/US6871772B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR100558145B1 (ko) | 2006-03-10 |
US6871772B2 (en) | 2005-03-29 |
JP3727616B2 (ja) | 2005-12-14 |
KR20040007260A (ko) | 2004-01-24 |
US20040007609A1 (en) | 2004-01-15 |
JP2004047665A (ja) | 2004-02-12 |
TW200403824A (en) | 2004-03-01 |
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