TWI252491B - Voltage regulator with bypass for multi-voltage storage system - Google Patents

Voltage regulator with bypass for multi-voltage storage system Download PDF

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TWI252491B
TWI252491B TW093122964A TW93122964A TWI252491B TW I252491 B TWI252491 B TW I252491B TW 093122964 A TW093122964 A TW 093122964A TW 93122964 A TW93122964 A TW 93122964A TW I252491 B TWI252491 B TW I252491B
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Description

1252491 九、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於多電壓供應應用中之穩壓,特定言之,係 關於記憶體系統之類周邊裝置之穩壓。 【先前技術】 一應用中經常使用非揮發性半導體記憶體,該等應用 包括蜂巢式電話、數位照相機、個人數位助理、行動計算 袭置非仃動計算裝置、音頻與視頻播放器及其他應用。 電乳可抹除可程式化唯讀記憶體(eeprom)與快閃記憶體 係最常用之非揮發性半導體記憶體類型。 其典型應用包括’在-記憶卡㈣,例如—記憶卡中提 供一或多個儲存元件陣列,然後將該記憶卡系統插入一主 機裝置。EEPROM與快閃記憶體兩者都使用儲存元件陣 列,在每一儲存元件中儲存一位元或多位元資料。每一儲 存元件通常包括-浮動閘與一半導體基板,該浮動閘位於 -通道區域之上並與該通道區域絕緣。該浮動閑位於源極 與沒極區域之間。可能在一浮動閘之上提供一控制閘,該 控制閘絕緣於該浮動閘。藉由該浮動閘上保持之電荷量控 制每一記憶體電晶體之臨界電壓。亦即,開啟電晶體以允 許其源極之間導通前,藉由該浮動閘上之電荷位準控制必 須施加至該控制間之最小進入電壓量。許多EEPR〇M與快 閃§己憶體具有一浮動閘,該浮動閘用於儲存兩個電荷範 圍,因此記憶體單元可在兩種狀態間變化,藉此程式化/抹 除記憶體單元。該等記憶體單元儲存一位元組之資料。其 95128.doc 1252491 他EEPRQM與快閃記憶體單元儲存多個電荷範圍,因此可 ,式化該等記憶體單S,使其儲存多個狀態。該等記憶體 單元儲存多個位元組之資料^ 1理2術中的改進使電晶體裝置的尺寸更小。因此,在 相、’i之每β電晶體技術中,都需要更低電壓之電源供 應。例如,〇·25微米製程之裝置在大約2·5伏特之電壓下作 業0.18U #製程之裝置使用18 ν (正負1〇。句之電源供應, 0.15U米製私之裝置將使用15 ”正負㈣)之電源供應, U米技術之裝置使用丨.2 ν (正負丨〇%)之電源供應,等 等。 w遺f感的疋’並非所有主機裝置都供應該等技術所必需之 電源。例如’對於僅需i ·8伏特之記憶體系統,較早期之主 機:能供應3伏特電壓。因此,主機裝置可能供應用於早期 士。口之車乂冋電壓’使用新技術構建之記憶體裝置在用於此 等主機裝置時必須考慮此可能性。因&,使用電源位準偵 測與穩壓技術,以向記憶體裝置提供正確電壓。 另外’對於大多數穩壓器而言’從該裝置獲取較大電流 時’該都會產生顯著之電壓降。對於設計為降低至 早期電壓之穩壓器’如果向其輸人端供應低於期望電壓之 錢,則該穩壓器將產生電流降。壯,對於—傳統穩壓 °° 3伏特之主機具有充足之裕度(head r〇〇m)向—18伏 特:裝置供應m,但―1·8伏特之主機無法在低電壓降 之f月况下向- 1·8伏特之裝置供應大電流;輸出電壓會變得 95128.doc 1252491 【發明内容】 簡而β之,本發明係關於一種用於供應功率至一周邊裝 之系統與方法’其中藉由一主機裝置供應之電壓可能係 該周邊裝置之運作所需之電壓,或也可能係一更高電壓。 從方面來看,本發明係一種記憶體系統,其包括至一 供應電壓之主機裝置之控制路徑。該系統包括一穩麼器, =㈣器包括-輸人、—輸出及短接該輸人至該輸出的一 旁路。另外,提供一與該穩壓器通信之電壓偵測器。耦合 一旁路㈣《至該旁路元件’該旁路致動信號可回應於 一由該主機裝置產生以指示完成該主機之啟動的一信號而 操作。 另外丨㉙明包括用於操作—記憶體系統中的—穩壓器 在此方面’該方法包括以下步驟:提供-穩壓器, 具有-輸入及一輸出,並包括短接該輸入至輸出 路;啟動主機裝置前先關閉該旁路;回應-主機裝 置㈣的-啟動完成信號,決定該主機所供應之電源;如 ;該主機所供叙㈣低於―臨界運作電m致動該旁 路0 卜括本::二包括一主機系統的—周邊裝置,而該周邊 裝置包括一穩壓器雷跋。兮壯w 电路5亥裝置可能包括一穩壓器,该# 壓器具有一輸入、一鈐 4穩 ^ 及1合之旁路元件,該旁路元 件選擇性地短接該輸入至該輪 J出挺供一旁路控制俨f卢, 該信號耦合至該旁路元件, 和1口说 ,D. ^危 且5亥仏號係對主機系統啟動完 成^虎之回應。主機所提供之電麼低於—臨界位準時,該 95l28.doc 1252491 旁路控制信號致動該旁路元件。 另外,本發明包括一記愔 ^ ί-體糸統。該糸統包括一控 一記憶體陣列及一穩壓器。 扣、 4 %壓态具有一回應一旁路批 制信號之短接元件,該短接㈣位於—輸人與—輸出之間工。 :應―主㈣㈣動完成信號,該控制器提供該旁路控制 ’υ ’、中„亥主機所提供之主機供應電壓低於—臨界位 準時,該旁路控制信號致動該旁路元件。 ▲藉由結合附圖說明本發明之較佳具體實施例,本發明之 該等及其他目的與優點將更明顯。 【實施方式】 本發明適於用於非揮發性記憶體系統。該料、統可用於 許多類型之主機裳置,例如蜂巢式電話、數位照相機、個 人數位助理、打動計算裝置、非行動計算裝置與其他裝置。 其:電腦系統係典型主機裝置。應瞭解,圖i中所示之系統 係次不丨生的,其他許多裝置(包括數位照相機、音樂播放 器、電腦等)可用作該記憶卡之主機。 圖1 一般性地說明一電腦系統,該電腦系統可能包括本發 明之各個方面。一典型電腦系統架構包括連接至一系統匯 流排170之微處理器110,連接至系統匯流排17〇的還有隨機 存取之主系統記憶體120及至少一或多個輸入-輸出裝置 130(例如鍵盤、監視器、數據機等)。通常,一或多個非揮 發性儲存系統也耦合至系統匯流排17〇。通常,此一記憶體 係一磁碟機,將儲存於其中之資料擷取進系統揮發性記憶 體120中用於目前處理,可方便地補充、變更或改變該等資 95128.doc 1252491 料。 如圖所示,也將一儲存記憶體系統2 Ο 0耦合至系統匯流排 17〇。系統200包括連接至電腦系統匯流排17〇的一記憶體控 制器Η0與可能包括EEPR〇M積體電路晶片的一記憶體陣 歹J 160。控制益14〇主要藉由資料線路傳達資料與指令至 。體陣列1 60。圖2顯示控制器丨4〇與陣列丨6〇之間的其他 控制與狀態電路。主要在一單一積體電路晶片上形成控制 器14〇較佳。記憶體陣列16〇可能包括許多EEpR〇M積體電 路晶片。 圖2係一示範性記憶體系統之更詳細之方塊圖。圖2所示 之架構類似於多媒體卡(MMC)系統所用之架構。然而,應 瞭解’本發明不限於使架構之記憶體㈣,而係可 用於許多應用巾’在該等應用中,周邊裝置之各it件所需 運作電壓係固定的,但主機裝置供應電壓可能係該所需運 作電壓,也可能係-更高電壓。該等應用包括多種記憶體 系、,先例如PC卡、小型快閃卡、安全數位卡及智慧媒體與 記憶棒裝置。 〜 在記憶體系統200中,圖1之記憶體系統匯流排之各種線 路都終止於卡的連接接針處,以透過連接器、連接該電腦系 、先之’、他邛刀。在圖2之方塊圖中,記憶卡2⑽藉由—匯产 排謂耗合至主機系統275。該匯流排可能包括許多直接搞 合至記憶卡200之信號。在多媒體卡(MMc)規範中使用七個 接針。在小型快閃(CF)規範中使用5()個接針。其他記情體 系統技術使用各種形式之連接器,但通常都向周邊記憶: 95128.doc 1252491 系統提供運作電壓。 在圖2中,僅顯示主機所提供之四個信號··主機275提供 指令回應信號(CMD)、時脈信號(CLK)及資料信號(da丁)至 介面驅動器220也顯示主機275所提供之供應電壓Vdd。介面 驅動器220與控制器140通信。控制器14〇耦合至一序列儲存 暫存器2 1 〇。 '該指令信號係雙向指令通道,其用於卡初始化與資料傳 送私7。s亥指令彳§號具有兩個操作模式:用於初始化之汲 極開路模式與用於快速指令傳送之推挽模式。可能將指令 從多媒體卡匯流排主控器傳送至卡,而將回應從卡傳送至 主機275。該資料信號係—雙向資料通道。該資料信號以推 挽方式運作。加上從主機275傳送至卡·之兩個額外 電壓接地信E與-保留之信號即構成MMc卡中的七個^ 針。應瞭解’本發明之系統中可能運用許多不同之儲存卡 一暫存器21()儲存控制器14()之資訊。在—mmc規範中,共 定義五個暫存器,#中包括—作業狀況暫存器(OCR)(其儲 存卡的vDD電壓輪廊)與—驅動器級暫存器(dsr)(其可用於 改善延伸作業狀況之最佳性能)。 、 控制器140藉由記憶體核心介面23〇與記憶體陣列⑽通 信’以從該陣列讀取資料與向該陣列寫入資料。依據本發 明^以運用許多不同類型之陣列、控制器介面與暫存器, 且β亥類型之§己憶體系統之操作記錄得报完備。 電壓们則器與穩壓器電路25〇也顯示於圖2中。本發明之 95128.doc -10- 1252491 電壓偵測器與穩壓器250確保不論該主機電壓係多少,都能 向記憶卡2 0 0供應正確的運作電壓。 圖3顯示一標準穩壓器300。穩壓器3〇〇包括一比較器 310、一 PMOS電晶體P1、電阻器R1&R2。一參考電壓確保 將供應電壓VDD(自電晶體P1之源極傳遞至電晶體ρι之汲 極)與5亥裝置之輸出(out))穩定至該輸出所需之供應電 壓。如在該技術中所熟知,穩壓器300使用精確參考電壓 Vref維持一精確電壓以設定該輸出電壓(〇υτ)。使用一自動 控制器(例如放大器310)調整該控制元件川之驅動。電阻器 R1與R2供應該穩壓器輸出之一部分至該比較器之負輸 入。該比較器(其調整對電晶體P1之驅動以使該電壓與該參 考電壓關聯)使用熟知之技術。 如果該輸入電壓Vdd比期望電壓低很多,圖3之穩壓器會 產亡生一問題。如果相對於U V目標穩定電壓,輸入電壓係 期!之較南電壓,例如3 v,則穩壓器會正確運作,但 士果。亥輸人電屢很低(例如係i ·8伏特),則穩壓器3⑼不能提 供充足之電流。 此h況在圖4中舉例說 ^ q _丨小叫」〜4思生兗力、别— 供應電壓(VDD等於3伏特與%等於18伏特)下之電壓輸出 载電流U之圖形。如上所述,—18伏特裝置之標 = 虹65伏特W垂直刻度上之虛線表 伙特之供應電壓vD D ’圖3之穩壓器之輸出電流足 :卞作π亥衣置所需之最小電流,而同時輸出電壓仍高 A 斤而之臨界值。如果將輸入電壓VDD變為i s 95128.doc 1252491 伏特,則該性能曲線急劇下降,而輸出電流顯著降低,例 如降低至ίο毫安。在此情況下,輸出電壓不足以維持該記 憶體系統之運作。 / 圖5顯示適用於本發明之穩壓器的一第一具體實施例。與 圖4中所述元件具有相同特徵之元件以相同方式編號〆、 如圖5中所示,增加一旁路電晶體p2至圖3之配置。圖$ 中所示穩壓器之元件除該旁路元件p2外都係示範性的,應 瞭解,對於本發明,用於穩定與該穩屋器之輸出相關之: 應電壓之特定電路並不關鍵。從下面之說明中應瞭解,可 運用任何穩壓器配置中短接輸入處之供應電壓至輸出^ 力實施本發明。 b 穩壓器500允許輸入電壓有變化,以適應能提供足以直接 驅動記憶體系統(或其他周邊裝置)之供應電壓之主機與提 供早期供應電M(高於記憶體系統所需電壓)之主機。圖'从 顯示-渡波電容器C1,如果用於U伏特範圍内之操作,其 可能具有大約i微法之電容值。應用旁路信號時,在控制器 160之控制下,旁路電晶體短接Vdd與輸出之間之輸入電 麼。因此’輸入電麼足以操作記憶體系統時,致動旁路, 直接提供該電壓至輸出。古女雷獻、取 'K 3電壓過尚時,穩壓器允許普通 操作’以減小供應至輸出之電壓。 圖5中也顯示偵測器電路550,其包括—低電壓偵測比較 器510與取樣邏輯520(其提供控制器14〇可讀取之輸出俨 號)。低電壓比較器510提供—輪出信號,對記憶卡之Vdd 輸入低於-給定臨界電壓Vth時該輸出信號係高位準。使用 95128.doc -12- 1252491 與穩壓器(圖5之500與圖6之600)結合使用之該邏輯控制本 發明之穩壓。該邏輯決定該供應電壓係用於較高電壓之早 期裝置之電壓還是該記憶體系統所需之供應電壓。 圖6顯示圖5中所示穩壓器的一替代具體實施例。在圖6 中娟不額外之電晶體P4、P5及P3。指示該等額外電晶體 以顯示出確保短接Vdd與輸出的一替代方法,該方法係藉由 耦口 VDD與輸出之間之短接路徑上之所有三個電晶體而實 現。另外,提供額外之電阻器R3,以便可以選擇返回至比 較器310之電壓反饋,使穩壓器在輸出端提供許多合適之供 應電壓中的任-供應電壓。冑由施加不同反饋電壓,圖6 之穩壓器可能適應多個可變電壓設定。例如,圖6之穩廢器 員不返回至比較器31〇之該部分電壓係18伏特或1.2伏特。 圖5與圖6之穩壓器之配置之明顯變化係為了允許逐步降低 各種輸入電壓,該等變化對於熟悉普通技術人士將係相當 、、圖7顯:用於操作依據本發明之圖5或6之穩㈣的一方 it二常’該方法假設供應電壓係高的,且依據該假設允 二,啟動,在此階段停用該旁路裝置。然後使用來自主 出制信號指示啟動完成,然後使用該取樣邏輯之輸 出’、疋疋否實施旁路信號。 例如,假設使用可在1 ·8伏特電壓運作 著至該系統時’該系統並不清楚該供庫電壓=體糸統。附 古 走系仏應電壓係1.8伏特還是 伏特。在步驟71G,控制器最初將電晶體Ρ2之旁路 ‘ T用’以確保不會由於在高於3伏特之電壓下運作而 95128.doc -13- 1252491 損壞記憶體陣列。主機裝置啟動時,主機功率之斜坡隨時 間可以在很大範圍内變化。該斜坡可能極陡,此指示一快 逮啟動,也可能經過較長時間。 接著在步驟720,此時旁路設定為關閉,控制器等待來 自主機裝置的-指示器信號,該信號指示啟動程序完成。 在一具體實施例中,言亥臨界電屢係24伏特,此與U伏特±1 至10%運作與3.0伏特±1至1〇%運作不同。在另一具體實施 例中(其中該裝置係- MMC卡),該信號可能係⑽加或 CMm,料兩信號係主機傳送至MMc卡的最初兩個指 令’該等兩指令通常用於重設所有卡至閒置狀態,並請求 及確認操作狀況。在其他技術中,可能使用指示完成主機 裝置啟動之任何最初指令(專門設計為用於此用途或其特 性指示啟動完成之指令)作為該指示器信號。 /'、 接著,在步驟730,從主機裝置接收到該啟動信號時,取 樣邏輯520將測試低電壓比較器510之輸出。如果比較器51〇 之輸出係高位準,則指示存在低於該臨界電壓να之電壓。 如果該輸出係低位準,則Vdd輸入將超過指示—較高電壓之 臨界電壓。 在步驟740,係低於該臨界值LV比較器電壓,則該比較哭 之輸出將係高位準,且將在步驟760開啟該旁路。如果該輸 出係低位準,則在步驟750將該旁路設定為關閉。 處於旁路模式中時,大多數記憶卡提供過電壓保護,無 論何時有隨後供應高電壓的情況,該過電壓保護停用任^ 主動旁路裝置。如果使用者改變供應電壓(例如從丨· 8伏特變 95128.doc •14- 1252491 為3.0伏特),但沒有使用MMC協定要求之正常斷電重設, 此過電壓保護將保護記憶體核心。 通常,在許多裝置中限制最大内部電壓,以便不引起與 記憶體核心相關之穩定性問題。使用充足電容之〇時,不 需限制供應斜率。 低電壓比較器5Π)之輸出係高位準時,可稍後藉由控制器 之早刃體關閉稳壓’以節省功率。 最後,在#驟77〇,旁路控制將轉變為過電壓保護,此處 所述之記憶體系統中一般都有該過電壓保護。 基於圖解及說明的目的,前面已提出本發明之詳細說 明、。無意包揽無遺、或將本發明限於所揭示的具體形式。 在以上原理的啟發下’可有許多 修改及變更。選取上述具 體貫轭例係為了最佳地說明本發 以藉此使熟知該技術之人士能约在及其貫際應用, “ T人士月b夠在各種具體實施例中最佳 地運用本發明,並對本發明作出使用 之特定使用。希望本發明之範 彡U、於預期 範圍定義。 之-圍糟由於此所附之申請專利 【圖式簡單說明】 本發明已苓考其特定具體實施 說明書與附圖,本發…他目广次明。猎由茶考本 而易見,其中: ’、的、特徵及益處將變得顯 圖1說明適於用作本發明 統之方塊圖。 月之仏卡之主⑽統之電腦系 圖2說明—記憶卡架構之方塊圖。 95128.doc 1252491 圖3係說明用於記憶卡的一傳統穩壓器之範例之示意圖。 圖4係說明針對施加至圖3之穩壓器之兩輸入電壓之輸出 電壓對電流負載之圖式。 圖5說明本發明的一穩壓器。 圖6說明本發明之另一穩壓器。 圖7係說明操作本發明之穩壓器的一方法之流程圖。 【主要元件符號說明】 110 微處理器 120 主系統記憶體 130 輸入-輸出裝置 140 記憶體控制器 150 資料線路 160 記憶體陣列 170 系統匯流排 200 儲存記憶體系統 210 儲存暫存器 220 介面驅動器 230 記憶體核心介面 240 匯流排 250 偵測器與穩壓器 275 主機系統 310 比較器 500 穩壓器 510 低電壓偵測比較器 95128.doc -16- 1252491 520 取樣邏輯 550 偵測器電路 710 步驟 720 步驟 730 步驟 740 步驟 750 步驟 760 步驟 770 步驟 Cl 濾波電容器 Iload 負載電流 OUT 裝置之輸出 PI PMOS電晶體 P2 旁路電晶體 P3 電晶體 P4 電晶體 P6 電晶體 R1 電阻器 R2 電阻器 R3 電阻器 vdd 供應電壓 Vref 精確參考電壓 Vo 文中未顯示 Vth 臨界電壓 95128.doc

Claims (1)

  1. I252f_2964號專利申請案 年/ /职日汾卞.,ΓΓ: 中文申請專利範圍替換本(94年11月、|二」 〜〜為设貝 十、申請專利範圍: 一種δ己憶體糸統,盆向拓空 4: Ui /、a括至一主機I置的一控制路徑, 該主機裝置供應-電壓,該記憶體系統其包括: 一穩壓器,該穩懕哭白扭 ^ λ .. n為包括一輸入、一輪出及短接該輪 入至该輸出的一旁路; 一電墨偵測器,其與該穩壓器通信;及 一旁路致動信號,該旁路致動信號可回應於一由該主 機:衣置產生以指示完成該主機之啟動的一信號而操作。 2 ·如明求項1之圮憶體系統,其進一步包括一電壓偵測器, 違私壓偵測器輸出一信號,該信號指示該主機供應電壓。 3·如明求項1之記憶體系統,其中該旁路係至少一個電晶 體。 4·如明求項3之記憶體系統,其中該旁路包括複數個電晶 體。 ^如明求項3之記憶體系統,其中一控制器向該電晶體的一 閘極提供該旁路致動信號。 6 · 如請求xi 1夕々& ^ & 5己體系統,其中藉由該主機裝置產生之該 “虎係對該記憶體系統的一指令信號。 7 ·如請求1夕# & 、 5己^體系統,其中該記憶體系統係一多媒體 卡。 8 ·如睛求項1 $ $卜土 、 δ己丨愚體系統,其中該記憶體系統係一多媒體 藉由该主機裴置產生之該信號係一指令信號。 9 · 如請求項8之# & 貝之δ己憶體系統,其中該指令信號係CMDO或 CMD1 〇 95128-941122.doc
    I 〇·如請求項1之記憶體系統,其中藉由該主機產生之該信號 係指示完成該主機裝置之啟動的一信號。 II ·如請求項1之記憶體系統,其中該記憶體系統係一 pc卡。 12.如請求項1之記憶體系統,其中該記憶體系統係一小蜇快 閃卡。 13·如請求項1之記憶體系統,其中該記憶體系統係一安全數 位卡。 14·如請求項1之記憶體系統,其中該記憶體系統係一智慧媒 體卡。 15·如請求項1之記憶體系統,其中該記憶體系統係一記憶 棒。 16· 一種用於操作一記憶體系統中的一穩壓器之方法,其包 括: 提供一穩壓器,該穩壓器具有一輸入與一輸出,並包 括短接該輸入至該輸出的一穩壓器旁路; 一主機裝置之啟動前,設定該旁路為關閉; 回應來自一主機裝置的一啟動完成信號,決定藉由該 主機所供應之電源;及 如果違電源係低於一臨界運作電壓,則致動該旁路。 如明求項16之方法,其中該旁路係一電晶體,而設定該 方路為關閉之該步驟包括提供一信號至該電晶體的一閘 極0 18.如請求項17之方法,其中該旁路包括複數個電晶體,而 致動該旁路之該步驟包括施加一致動信號至該等複數個 95128-941122.doc 5Λ4Θ t (更)正替換頁 t 曰,¾¾ 日日體之每一閘極。 19.如請求項17之方法,其中該啟動完成信號係來自該主機 的一指令信號。 20.如請求項19之方法’其中,對於一多媒體卡,指令信號 係 CMD〇 或 CMD1。 21·如明求項17之方法,其中該臨界電壓係低於2.7伏特。 22·如请求項17之方法,其中該臨界電壓係低於2力伏特。 23_如请求項17之方法,其中該臨界電壓係低於ι·μ伏特。 24·如請求項17之方法,其中該臨界電壓係低於1.3伏特。 種用於包括一穩壓器電路的一主機系統之周邊裝置, 其包括: 一穩壓器,該穩壓器具有一輸入、一輸出及一耦合之旁 路元件,該旁路元件選擇性地短接該輸人至該輸出;及 方路控制信號,其耦合至該旁路元件並回應一主機系 統啟動完成信號,其中當藉由該主機所提供之該電壓係低 於臨界位準時,該旁路控制信號致動該旁路元件。 26·如请求項25之周邊裝置,其中該穩壓器包括一偵測器, 该偵測器回應該啟動完成信號。 27·:請求項26之周邊裝置,其中,藉由該主機所提供之該 電壓係高於一臨界值時,該偵測器輸出一第一信號,而 猎由該主機所提供之該電壓係低於一臨界值時,該偵測 裔輸出一第二信號。 、、 28·如請求項25之周邊裝置,其中該旁路元件包括至少一個 型電晶體。 P 95128-941122.doc 仪)五替換' 29·如請求項27之周邊裝置,其中施加該旁路控制信號至該 至少一個電晶體之該閘極。 30.如請求項27之周邊裝置,其中該主機裝置之啟動期間停 用該旁路元件。 31·如請求項25之周邊裝置,其中藉由一控制器提供該旁路 控制信號。 32· —種用於操作一多媒體卡記憶體裝置中的一穩壓器之方 法,其包括: 提供一穩壓器,該穩壓器具有一輸入與一輸出,並包 括短接該輸入至該輸出的一穩壓器旁路; 一主機裝置之啟動前,設定該旁路至關閉; 回應來自該主機裝置的一指令信號,決定藉由該主機 所供應之電源;及 如果該電源係低於一臨界運作電壓,則致動該旁路。 33, 如請求項19之方法,i ^ 八r 對於一多媒體卡,指令信號 係 CMD0 或 CMD1。 34。 一種記憶體系統,其包含: 一控制器; 一記憶體陣列;及 一系毫壓哭,#目士 -,有回應一旁路控制信號之位於一輪 與一輸出之間的一短垃一 4 ^ 紐接70件,該旁路控制信號係藉由 控制器回應於一本揸 上 、 钱糸統啟動完成信號而提供,其中 由。亥主機所提供的—主機供應電壓係低於—臨界位準 ,該旁路控制信號致動該旁路元件。 95128-941122.doc 過52細又 1' _ .一. ……- •一 ' ' 3 5.如請求項34之記憶體系統,其中,該主機供應電壓係高 於該臨界值時,該穩壓器輸出低於該主機供應電壓的一 電壓。 36.如請求項35之記憶體系統,其中,該主機供應電壓係高 於該臨界值時,該穩壓器輸出至少一第一或一第二輸出 電壓。 95128-941122.doc I252#l3122964號專利申請案 中文圖式替換頁(94年11月) 声./年/ /月22日修(更)三替換頁丨
    95128-941122.doc 1252始)13122964號專利申請案 中文圖式替換頁(94年11月) $年//月:Π日修(更)正替換頁
    廣7 95128-941122.doc
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Families Citing this family (36)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100884235B1 (ko) * 2003-12-31 2009-02-17 삼성전자주식회사 불휘발성 메모리 카드
US7391193B2 (en) * 2005-01-25 2008-06-24 Sandisk Corporation Voltage regulator with bypass mode
JP4607608B2 (ja) * 2005-02-04 2011-01-05 株式会社東芝 半導体集積回路
US7864615B2 (en) * 2005-02-25 2011-01-04 Kingston Technology Corporation Flash memory controller utilizing multiple voltages and a method of use
KR100695421B1 (ko) * 2005-03-31 2007-03-15 주식회사 하이닉스반도체 반도체 메모리 소자의 내부전압 발생기
US8461913B2 (en) * 2005-09-21 2013-06-11 Freescale Semiconductor, Inc. Integrated circuit and a method for selecting a voltage in an integrated circuit
DE102006017048B4 (de) * 2006-04-11 2014-01-23 Infineon Technologies Ag Verfahren und Vorrichtung zur Bereitstellung einer geregelten Spannung an einem Spannungsausgang
US7639531B2 (en) * 2006-05-15 2009-12-29 Apple Inc. Dynamic cell bit resolution
US7568135B2 (en) * 2006-05-15 2009-07-28 Apple Inc. Use of alternative value in cell detection
US8000134B2 (en) 2006-05-15 2011-08-16 Apple Inc. Off-die charge pump that supplies multiple flash devices
US7852690B2 (en) * 2006-05-15 2010-12-14 Apple Inc. Multi-chip package for a flash memory
US7701797B2 (en) * 2006-05-15 2010-04-20 Apple Inc. Two levels of voltage regulation supplied for logic and data programming voltage of a memory device
US7639542B2 (en) * 2006-05-15 2009-12-29 Apple Inc. Maintenance operations for multi-level data storage cells
US7911834B2 (en) * 2006-05-15 2011-03-22 Apple Inc. Analog interface for a flash memory die
US7613043B2 (en) * 2006-05-15 2009-11-03 Apple Inc. Shifting reference values to account for voltage sag
US7511646B2 (en) * 2006-05-15 2009-03-31 Apple Inc. Use of 8-bit or higher A/D for NAND cell value
US7551486B2 (en) * 2006-05-15 2009-06-23 Apple Inc. Iterative memory cell charging based on reference cell value
KR100886630B1 (ko) * 2006-11-02 2009-03-09 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자의 지연 회로
US20080273391A1 (en) * 2007-05-04 2008-11-06 Microchip Technology Incorporated Regulator Bypass Start-Up in an Integrated Circuit Device
US7701184B2 (en) * 2007-08-10 2010-04-20 Micron Technology, Inc. Voltage protection circuit for thin oxide transistors, and memory device and processor-based system using same
CN101770275B (zh) * 2008-12-27 2013-11-06 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 内存电源效能提升的方法
US8289798B2 (en) * 2010-03-17 2012-10-16 International Business Machines Corporation Voltage regulator bypass in memory device
US9710031B2 (en) * 2010-12-30 2017-07-18 Silicon Laboratories Inc. Analog interface for a microprocessor-based device
US8629713B2 (en) 2012-05-29 2014-01-14 Freescale Semiconductor, Inc. System and method for controlling bypass of a voltage regulator
US9098101B2 (en) * 2012-10-16 2015-08-04 Sandisk Technologies Inc. Supply noise current control circuit in bypass mode
US9438036B2 (en) * 2013-03-14 2016-09-06 Cooper Technologies Company Systems and methods for bypassing a voltage regulator
US9323272B2 (en) * 2014-06-30 2016-04-26 Freescale Semiconductor, Inc. Integrated circuit with internal and external voltage regulators
US10310580B2 (en) * 2015-10-09 2019-06-04 Sandisk Technologies Llc Voltage level detection and analog circuit arrangements for memory systems
FR3080229A1 (fr) * 2018-04-17 2019-10-18 Stmicroelectronics S.R.L. Systeme d'alimentation
US10482979B1 (en) * 2018-08-31 2019-11-19 Micron Technology, Inc. Capacitive voltage modifier for power management
US11340292B2 (en) 2019-07-09 2022-05-24 Stmicroelectronics International N.V. System and method for parallel testing of electronic device
US10996266B2 (en) 2019-08-09 2021-05-04 Stmicroelectronics International N.V. System and method for testing voltage monitors
US10877541B1 (en) * 2019-12-30 2020-12-29 Micron Technology, Inc. Power delivery timing for memory
CN114489202B (zh) * 2021-01-06 2024-03-29 台湾积体电路制造股份有限公司 电源供应产生器及其操作方法
DE102021106815B4 (de) 2021-01-06 2023-06-01 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Stromversorgungsgenerator und betriebsverfahren dafür
US11385666B1 (en) * 2021-06-04 2022-07-12 Cirrus Logic, Inc. Circuitry comprising a capacitor

Family Cites Families (40)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4373117A (en) * 1980-11-03 1983-02-08 Universal Data Systems, Inc. DC to DC converter for line powered modem
JP2721151B2 (ja) * 1986-04-01 1998-03-04 株式会社東芝 半導体集積回路装置
US4730122A (en) * 1986-09-18 1988-03-08 International Business Machines Corporation Power supply adapter systems
US5297097A (en) * 1988-06-17 1994-03-22 Hitachi Ltd. Large scale integrated circuit for low voltage operation
US7447069B1 (en) * 1989-04-13 2008-11-04 Sandisk Corporation Flash EEprom system
US5184031A (en) * 1990-02-08 1993-02-02 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor integrated circuit
JP2778199B2 (ja) * 1990-04-27 1998-07-23 日本電気株式会社 内部降圧回路
JP2945508B2 (ja) * 1991-06-20 1999-09-06 三菱電機株式会社 半導体装置
JP2800502B2 (ja) * 1991-10-15 1998-09-21 日本電気株式会社 半導体メモリ装置
JPH05217370A (ja) * 1992-01-30 1993-08-27 Nec Corp 内部降圧電源回路
JP3477781B2 (ja) * 1993-03-23 2003-12-10 セイコーエプソン株式会社 Icカード
US5329491A (en) * 1993-06-30 1994-07-12 Intel Corporation Nonvolatile memory card with automatic power supply configuration
US5632039A (en) * 1995-01-24 1997-05-20 Compaq Computer Corporation Circuit that automatically switches between supplying a microprocessor with a first voltage and a second voltage
JP2785732B2 (ja) * 1995-02-08 1998-08-13 日本電気株式会社 電源降圧回路
US5602462A (en) * 1995-02-21 1997-02-11 Best Power Technology, Incorporated Uninterruptible power system
US5615328A (en) * 1995-08-30 1997-03-25 International Business Machines Corporation PCMCIA SRAM card function using DRAM technology
US5566121A (en) * 1995-08-30 1996-10-15 International Business Machines Corporation Method for PCMCIA card function using DRAM technology
US5625280A (en) * 1995-10-30 1997-04-29 International Business Machines Corp. Voltage regulator bypass circuit
CN1202255A (zh) * 1995-11-13 1998-12-16 勒克萨微型系统股份有限公司 复合电压应用中的自动电压检测
JPH09139085A (ja) * 1995-11-16 1997-05-27 Mitsubishi Electric Corp 半導体電位供給装置およびこれを用いた半導体記憶装置
JPH09231339A (ja) * 1996-02-27 1997-09-05 Mitsubishi Electric Corp メモリカード
US5781490A (en) * 1996-07-03 1998-07-14 Micron Technology, Inc. Multiple staged power up of integrated circuit
US5814980A (en) * 1996-09-03 1998-09-29 International Business Machines Corporation Wide range voltage regulator
US5909586A (en) * 1996-11-06 1999-06-01 The Foxboro Company Methods and systems for interfacing with an interface powered I/O device
KR19980034730A (ko) * 1996-11-08 1998-08-05 김영환 외부 인터페이스 전압 자동검출 반도체 장치
JP3705880B2 (ja) * 1996-11-28 2005-10-12 富士通株式会社 レベルコンバータ及び半導体装置
JP3272982B2 (ja) * 1997-07-08 2002-04-08 富士通株式会社 半導体装置
JPH11231954A (ja) * 1998-02-16 1999-08-27 Mitsubishi Electric Corp 内部電源電圧発生回路
US6420924B1 (en) * 1998-09-09 2002-07-16 Ip-First L.L.C. Slew-controlled split-voltage output driver
JP4043142B2 (ja) * 1999-05-18 2008-02-06 富士通株式会社 メモリデバイス
US6140805A (en) 1999-05-18 2000-10-31 Kabushiki Kaisha Toshiba Source follower NMOS voltage regulator with PMOS switching element
US6181118B1 (en) * 1999-06-24 2001-01-30 Analog Devices, Inc. Control circuit for controlling a semi-conductor switch for selectively outputting an output voltage at two voltage levels
JP2002007987A (ja) * 2000-06-20 2002-01-11 Seiko Epson Corp PC(PersonalComputer)カード
JP4053718B2 (ja) * 2000-09-07 2008-02-27 富士通株式会社 半導体記憶装置の内部電源供給回路及び半導体記憶装置の内部電源供給方法
GB2371376B (en) 2001-01-17 2004-07-28 Nec Technologies Battery operated equipment
KR100399773B1 (ko) * 2001-02-08 2003-09-26 삼성전자주식회사 메모리슬롯별 서로 다른 기준전압을 갖는 반도체 메모리장치
US6542427B2 (en) * 2001-03-08 2003-04-01 Micron Technology, Inc. Power validation for memory devices on power up
JP2002323941A (ja) * 2001-04-24 2002-11-08 Teac Corp 周辺装置
JP3933467B2 (ja) * 2001-12-27 2007-06-20 株式会社東芝 電圧検出回路制御装置、同装置を有するメモリー制御装置及び同装置を有するメモリーカード
US6795366B2 (en) * 2002-10-15 2004-09-21 Samsung Electronics Co., Ltd. Internal voltage converter scheme for controlling the power-up slope of internal supply voltage

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Publication number Publication date
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