1250740 玖、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明涉及立體接收機等所用之立體解調電路，特別是 其中所組裝之雜訊抑制用之各種電路中之控制技術之改 良。又，本發明亦涉及含有該立體解調電路之一般之信號 處理電路。 【先前技術】 立體解調電路通常是以所接收之RF信號爲基準以形成 L信號和R信號所用之電路。 在此種立體解調電路中，以頻率變換電路來對所接收之 RF信號進行頻率變換以得到中頻（IF)信號，該中頻（IF)信 號以極限（limit)放大器來放大，然後以FM檢波電路來檢 波，使合成信號再生。 再生之合成信號通常含有主成份L + R和副成份L-R，該 合成信號分支成二個路徑，即，該合成信號在一個路徑中 得到L + R成份且在另一路徑中藉由與38kHz之信號相混 合而得到L-R成份。這樣所得到之L + R成份和L-R成份 藉由加算/減算器來進行加算而得到L成份，或藉由加算/ 減算器來進行減算而得到R成份。 又，爲了使上述立體解調電路中所生成之雜訊減低且使 音質提高，則須具備雜訊控制部，其一方面使信號衰減且 另一方面使信號之高頻成份被去除。 例如，設有一種高截止控制（HCC，High Cut Control)電 路，其與RSSI(受信電場強度）顯示用之信號中之RSSI信 1250740 號相對應之比率使該L + R成份和由該l + R成份去除高頻 成份之後所得之信號相混合，以進行一種對應於該RSSI 信號之高截止控制。又，對該立體解調後之L成份，R成 份中所含有之高頻雜訊，在一種去強調（de-emphasis)電路 中亦進行一種高截止控制以去除各高頻雜訊。 又，RSSI較小時，由於所混入之雜訊之影響不能不重 視，則在軟性弱音電路（SMUTE)中該合成信號藉由軟性弱 音處理而被衰減，這亦已爲人所知。 又，爲了抑制串音（cross talk)，亦須對主成份L + R和以 加算/減算器來混合而得之副成份L - R之比例進行調整。 即，在立體雜訊控制（SNC)電路中，該副成份L-R藉由立 體雜訊控制而被衰減。 進行上述HCC，SMUTE，SNC之各種處理時，該rSSI與 HCC, SMUTE，SNC之各雜訊控制用之電路中之控制量決定 用之控制信號之間之關係例如可如第1圖中所示’之方式$ 決定。 例如，在第1圖之HCC處理中，RSSI在Ip l3之範圍 中時，則依據該RSSI所對應之控制信號C2〜C3來進行控 制。又，若RSSI在上述範圍之下限値12以下時，則該控 制信號保持在C2，依據該已保持之控制信號c2來進行控 制。又，若RSSI在上述範圍之上限値I3以上時，則該控 制信號保持在C 3，依據該已保持之控制信號c 3來進行j空 制。 以和上述相同之方式，在SMUTE處理中，若1^31在ϊ 1250740 〜L之範圍中，則依據RSSI所對應之控制信號CQ〜Ci來 進行控制。在SNC處理中，若RSSI在14〜15之範圍中， 則依據此時RSSI所對應之控制信號C4〜C5來進行控制。 即使該RSSI在各範圍之外時，亦與HCC處理時一樣依據 所保持之控制信號來進行控制。 在上述之立體解調電路中，HCC，SMUTE，SNC之各種處 理由於是一種類比式控制，其控制動作總是不安定的，會 有不易達成高精度之雜訊控制之問題。 又，HCC, SMUTE，SNC等之各電路中雜訊控制量決定用 φ 之控制信號生成時成爲基準之基準電壓（偏壓電壓）由於周 圍溫度之變化或過程不均勻等所引起之變動，則經常維持 在所期望之偏壓電壓是困難的。在採用非零偏壓之先前電 路(差動放大電路）中，如第2圖所示者，基準電壓之輸入 點之點a施加非零之所定値之偏壓（非零偏壓）作爲基準電 壓。相當於該RSSI之輸入Vin之値超越該基準電壓（所定 値）時，增加其差異値而輸出成爲朝向各雜訊控制電路之 控制信號。 Φ 在上述之構成方式中，該所定値之偏壓値會由於溫度變 化或製程不均勻等原因而變動。結果’不能進行正確之雜 訊控制。即，對來自本來之動作範圍之外之RSSI而言， 不能進行HCC，SNC，SMUTE等所造成之雜訊控制，這是 音質劣化之一個原因。 【發明內容】 本發明之第1目的是在立體解調電路中具備至少一個雜 1250740 訊控制部，其在受信電場強度在所定之範圍內時對應於該 所定範圍內之受信電場強度來進行雜訊控制’使該雜訊控 制部所造成之雜訊控制可安定化，而且，其構成較決定該 控制量所用之控制信號輸出用之控制信號輸出電路更簡 潔。 本發明之第2目的是使該雜訊控制部不受溫度變化或製 程不均勻等原因所影響而能正確地動作。 本發明以下述之構成方式來達成上述目的。 首先，在本發明之第一實施形式之立體解調電路中，其 具有至少一雜訊控制部，其在受信電場強度在所定之範圍 內時對應於該所定範圍內之受信電場強度來進行雜訊控 制，該立體解調電路之特徵爲具備：AD變換部’其對該 受信電場強度顯示用之信號中之受信電場強度信號進行 AD變換；偏移部，使該AD變換部所得到之數位信號中 只對應於該所定範圍之所定値之部份（例如’相當於所定 範圍之下限値之部份）以數位方式偏移’而且，只粗略地 對應於該雜控制部中之雜訊控制精度所設定之位元數使該 數位信號之下位位元被去除；控制信號輸出部’其以該偏 移部所得到之信號爲基準，使該雜訊控制部中之雜訊控制 之控制量決定用之控制信號被輸出。 若使用上述之構成，則雜訊控制部中之雜訊控制之控制 量決定用之控制信號由於藉由數位處理而生成’在與先前 以類比方式處理而生成該控制信號相比較時’可使雜訊控 制動作安定化。 1250740 又，在上述之偏移部中，藉由AD變換所得到之數位信 號不只以數位方式來進行偏移，而且只對應於該雜訊控制 部之雜訊控制之精度之粗略値之位元數使該數位信號之下 位位元被去除，以剩下之位元爲基準由控制信號輸出部來 生成該控制信號。因此，在控制信號輸出部中，在與只使 用由AD變換所得到之信號之位元數來生成該控制信號時 之情況相比較下，由於只須處理該對應於雜訊控制之精度 之粗略値之更少之位元數即可完成，則無效之信號處理即 不會發生。結果，構成該控制信號輸出部之電路可簡化成 一段。因此，就上述之偏移和下位位元之去除而言，何者 先實行都是可以的。 又，上述雜訊控制部之構成方式中亦可使對應於該控制 信號輸出部所輸出之控制信號之雜訊控制量以階段之方式 被切換。此種例子之一是：對應於該控制信號使多個開關 被切換，以使雜訊控制之控制量以階段之方式增減。 又，上述之AD變換部實際上可藉由一般之AD變換電 路來實現，其構成須具備一種閂住電路以暫時將該AD變 換電路所得到之信號保持著。 其次，本發明之第2實施形式中之立體解調電路具備至 少一個雜訊控制部，其在該受信電場強度在所定之範圍中 時對應於該受信電場強度來進行雜訊控制。該立體解調電 路之特徵爲具備：偏移部，其使該受信電場強度表示用之 信號中之受信電場強度信號中只有對應於該所定範圍之所 定値之部份（例如，相當於所定範圍之下限値之部份）被偏 -10- 1250740 移；差分輸出部，其使該由偏移部所得到之信號來與零偏 壓相比較且將其差分輸出；控制信號輸出部，其以差分輸 出部所得到之信號爲基準，將雜訊控制部中決定雜訊控制 量所用之控制信號輸出。 藉由上述之構成，則可預先藉由該偏移部使受信電場強 度信號受到偏移，之後在差分輸出部中與零偏壓相比較以 輸出該差分値。利用此種構成，由於在差分輸出部中比較 之基準値可作爲零偏壓，則可不受上述溫度變化和製程不 均勻等之影響，雜訊控制部中因此可正確地進行雜訊之控 制。 又，本發明中亦可具備多個雜訊控制部，此時該多個雜 訊控制部中之受信電場強度之上述範圍亦可互相各別地設 定。例如，可使用去強調電路，軟性弱音電路，立體雜訊 控制電路等作爲雜訊控制部。 上述本發明之基本構想是：不只可適用於立體解調電路 且亦可應用於進行任何信號處理所用之全部之信號處理電 路中。 ⑩ 即，本發明之第1實施形式之信號處理電路中，其具有 至少一電路部份，其在輸入信號位準在所定之範圍內時對 應於該輸入信號位準來進行所定之控制，該信號處理電路 之特徵爲具備：AD變換部，其對該輸入信號位準顯示用 之信號中之位準信號進行AD變換；偏移部，使該AD變 換部所得到之數位信號中只對應於該所定範圍之所定値之 部份以數位方式偏移，而且，只粗略地對應於該電路部份 -11· 1250740 中該所定控制之精度所設定之位元數使該數位信號之下位 位元被去除；控制信號輸出部，其以該偏移部所得到之信 號爲基準，使該電路部份中之所定控制之控制量決定用之 控制信號被輸出。 藉由上述構成之信號.處理電路，則與上述第1實施例中 之立體解調電路一樣可使控制動作安定化，控制信號輸出 部中不會有無效之信號處理。 又，本發明之第2實施形式中之信號處理電路具備至少 一個電路部份，其在該輸入信號位準在所定之範圍中時對 應於該輸入信號位準來進行所定之控制。該立體解調電路 之特徵爲具備：偏移部，其使該輸入信號位準表示用之信 號之位準信號中只有對應於該所定範圍之所定値之部份被 偏移；差分輸出部，其使該由偏移部所得到之信號來與零 偏壓相比較且將其差分輸出；控制信號輸出部，其以差分 輸出部所得到之信號爲基準，將該電路部份中決定該所定 控制之控制量所用之控制信號輸出。 藉由上述構成之信號處理電路，則與上述第1實施例之 立體解調電路一樣可不受上述溫度變化和製程不均勻等之 影響，可正確地進行上述電路部份之控制。 【實施方式】 第3圖是本發明之一實施形式之立體解調電路1〇之電 路圖。 該立體解調電路10主要包含以下公知之構成：一限制 放大器1 1，FM檢波電路12，高截止控制（HCC)電路Π， -12- 1250740 去強調電路14，軟性弱音（SMUTE)電路15，立體雜訊控制 (SNC)電路16等，同時本實施例中新增加之構成包含：AD 變換器17，閂住電路1 8和控制信號生成電路20。此處該 去強調電路14，軟性弱音（SMUTE)電路15，立體雜訊控制 (SNC)電路 16亦可爲雜訊控制部以進行一種對應於 RSSI(受信電場強度）之雜訊控制。該雜訊控制部中之控制 量決定用之各控制信號由信號生成電路20輸出。又，AD 變換器1 7對應於申請專利範圍所記載之AD變換部。 在上述之構成中，該輸入信號（中頻信號）Sigl經由該限 _ 制放大器11而輸入至FM檢波電路12中而生成立體合成 信號。又，由該限制放大器11所輸出之RSSI信號Sig2 輸入至作爲AD變換部用之AD變換器17中，則類比式RSSI 信號Sig2變換成數位信號Sig3。由此種AD變換所得到之 信號Sig3暫時保持在該閂住電路18中，該已被保持著的 信號Sig3輸入至控制信號生成電路20中。 在該控制信號生成電路20中，以所輸入之信號Sig3之 位準（其相當於RSSI)爲基準而生成一種控制信號，其分別 φ 對以下之各種處理進行控制：由SMUTE電路15所進行之 軟性弱音（SMUTE)處理，由SNC電路16所進行之立體雜 訊控制（SNC)處理，由去強調電路14所進行之高截止控制 (HCC)處理。 第4圖是該控制信號生成電路20之電路構成。 該控制信號生成電路20具備SMUTE，HCC，SNC之各處 理用之3個偏移電路21，22, 23和3個選擇器24, 25, 26。 -13- 1250740 此處各偏移電路2 1，2 2，2 3對應於申請專利範圍中所記 載之偏移部，各選擇器24，25，26對應於申請專利範圍 中所記載之控制信號輸出部。 RSSI在所定之範圍（第1圖中之IQ〜1〇內時，則SMUTE 電路15進行該RSSI所對應之SMUTE處理。RSSI較上述 之範圍小時，則進行該範圍之下限値（第1圖中之Μ所對 應之SMUTE處理。RSSI較上述之範圍大時，則進行該範 圍之上限値（第1圖中之Μ所對應之SMUTE處理。因此， 在此種SMUTE電路用之偏移電路21中，相當於以SMUTE 電路15來考慮之該RSSI之範圍之下限値（第1圖中之I。) 之數位値設定成偏移値Fi，使相當於RSSI之數位信號Sig3 只以數位方式偏移該偏移値Fi。又，由該偏移所得到之信 號中使只對應於該SMUTE電路15所要求之控制精度之粗 略値而設定之位元數之下位位元被去除。 例如，原來之信號Sig3由5個位元所構成，又，SMUTE 電路1 5中相對應之粗的控制精度成爲很足夠。此時，首 先只使信號Sig3之與SMUTE處理中所考慮之RSSI之範 圍之下限値之1〇所對應之偏移値Fi之部份被偏移，而且’ 由該偏移所得到之信號中例如去除下位2位元之部份’只 輸出其餘之3位元。這樣使下位2位元去除後所得到之上 位3位元之信號亦顯示出較實際之RSSI値更粗之値。 如第4圖所示之HCC用之偏移電路22和SNC用之偏移 電路23亦與SMUTE用之偏移電路21大致相同。即’如 下所說明者。 -14- 1250740 在H C C用之偏移電路2 2中，相當於去強調電路14中 之HCC處理所考慮之RSSI範圍之下限値（第i圖中之12) 之數位値設定成偏移値F2，只使相當於Rs SI之數位信號 Sig3以數位之方式偏移上述之偏移値f2。又，由該偏移 所得到之信號中只使下位位元之與去強調電路1 4之HCC 處理中所要求之控制精度之粗略値相對應之位元數被去 除。 例如，原來之信號Sig3由5個位元所構成，又，去強 調電路1 5中若干粗的控制精度成爲很足夠。此時，信號 Sig3中首先只使HCC處理中所考慮之RSSI之範圍之下限 値之I。所對應之偏移値F2之部份被偏移，而且，由該偏 移所得到之信號中例如去除下位1位元之部份，只輸出其 餘之4位元。這樣使下位1位元去除後所得到之上位4位 元之信號亦顯示出較實際之RSSI値粗若干之値。 在SNC用之偏移電路23中，SNC電路16所考慮之RSSI 範圍之下限値（第1圖中之14)所對應之數位値設定成偏移 値F3，只使相當於RSSI之數位信號Sig3以數位之方式偏 移上述之偏移値F3。又，由該偏移所得到之信號中只使下 位位元之與S N C電路1 6中所要求之控制精度之粗略値相 對應之位元數被去除（若控制精度未變粗，則下位位元不 必去除）。 例如，原來之信號Sig3由5個位元所構成，又，SNC 電路16中需要較細的控制精度。此時’信號SU3中首先 只使SNC處理中所考慮之RSSI之範圍之下限値之14所對 1250740 應之偏移値f3之部份被偏移，而且’由該偏移所得到之 信號中未去除下位位元，輸出原來之5位元。這樣使下位 位元未去除所得到之5位元之信號顯示出與實際之RSSI 値同程度之粗略之値。 因此，由該3個偏移電路21，22’ 23可輸出各分別與 SMUTE，SNC，HCC所要求之控制精度之粗略値相對應之位 元數之信號，該位元數成爲粗略値較少之値。這些偏移電 路21，22，23可具體地由加算電路來製成。即，各偏移. 値F2,F3之負資料所對應之値被保持著，該値加算至信 · 號Sig3，實質上由該信號Sig3來進行對各偏移値之減算 處理。又，藉由此種演算所得到之資料被輸出時，使下位 位元未被輸出，則可能使位元被去除。 可使用其它種種方法使位元被去除，應去除之位元數亦 可適當地設定。又，對該信號Sig3而言，亦可預先進行 位元之去除，然後進行上述之偏移。 其次，如第4圖所示，各偏移電路21，22，23之後段 中分別配置各選擇器24，25，26。這些選擇器24，25，26 # 以對應於各偏移電路21，22，23所輸出之信號Si g4(即， 使Sig3信號偏移且使下位位元去除後所得之信號）之方式 使階段地控制如第3圖中所示之SMUTE電路15，去強調 電路14，SNC電路16中各雜訊之處理所用之控制信號被 輸出。 例如，第3圖之SNC電路16爲了進行一種對應於RSSI 之SNC處理，則須具備多個開關IV IV U2，U3，使電阻 -16- 1250740 値可對應於RS SI而階段地被切換。例如，若要使L-R 份衰減之比率變小時，則須選取開關U 〇，若要使L - R 份衰減之比率變大時，則須依次選取開關U i, U 2，U 3。 此，SNC用之選擇器26依據該由偏移電路23所輸出之 號Sig4使指出應選取上述4個開關UQ，U:，U2, U3中之 一個所用之信號作爲控制信號而輸出至SNC電路16。又 若較RSSI所定之範圍（第1圖中之14〜15之範圍）還小時 則信號Sig4顯示出負値。此時使與該下限値14相對應 開關U。被選取時所用之控制信號被輸出。另一方面， 較RSSI所定之範圍（第1圖中之14〜15之範圍）還大時， 此時使與該上限値15相對應之開關113被選取時所用之 制信號被輸出。 又，以上雖以SNC用之選擇器26來說明，但同樣亦 用於HCC用之選擇器25和SMUTE用之選擇器24，以 成HCC處理和SMUTE處理用之控制信號。 例如，在去強調電路14(第3圖）中進行HCC處理時 依據該偏移電路22所輸出之信號Sig4，在L成份和R 份之衰減率控制成較小時選取該開關S。，或在L成份和 成份之衰減率控制成較大時依次分別選取各開關S i，S2 S3，使該控制信號由選擇器25輸出。又，若RSSI超過 定之範圍（第1圖中之12〜13)，則與該SNC用之選擇器 之情況.一樣，使選取該下限値12或上限値13所對應之 關用之控制信號被輸出。 又，以SMUTE電路15(第3圖）來進行SMUTE處理時 成 成 因 信 哪 之 若 則 控 適 生 成 R 所 26 開 1250740 依據該偏移電路21所輸出之信號Slg4，使該控制信號由 選擇器24輸出，以便在該合成信號之衰減率控制成較大 時可選取該開關VQ，或在該合成信號之衰減率控制成較 小可選取該開關Vi。又，RSSI超出所定之範圍（第1圖中 之IQ〜Μ時，與SNC用之選擇器26 —樣，使對應於該下 限値1〇或上限値I i之開關被選取時所用之控制信號被輸 出。 第5圖是第3圖所示之去強調電路14之開關部份之具 體電路之構成。 在第5圖中，選取該開關Si時，SQ = off，S^on，S2 = off， S3 = 〇ff時的信號輸出成控制信號生成電路20之輸出信號。 選取其它開關時之情況亦一樣，只有輸入至所選取之開關 中之信號才會導通（on)，輸入至其它開關中之信號設定成 關閉（off)。又，第5圖雖然與第3圖之去強調電路14之 開關部份相關，但SMUTE電路14之開關部份’ SNC電路 1 6之開關部份亦可同樣地構成。 以上述之實施形式而言，在各偏移電路21 ’ 22，23中 只有與雜訊控制之精度之粗略値相對應之位元數之下位位 元才被去除，在選擇器24，25，26中以其餘之上位位元 爲基準來生成該控制信號’使選擇器24 ’ 25 ’ 26只須處 理較少之位元數即可完成，因此可實現有效之信號處理。 結果，各選擇器24，25，26以一段所形成之簡單構造即 可實現。 又，在上述之實施形式中，如第4圖所示’雖然控制信 -18- 1250740 號生成電路20以偏移電路和選擇器所構成之硬體來實 現，但亦可由軟體所形成之演算處理來達成該電路20之 功能。例如，以軟體來實現HCC用之偏移電路22和選擇 器25之上述例子時，首先，對應於HCC控制精度之粗略 値，以便由5位元之信號S i g 3中去除下位1位元之部份 而生成上位4位元之信號，由該4位元之信號中減去該偏 移値F2(例如，3位元之値）。然後，該減算後之結果相當 於第1圖之HCC之範圍12〜13中之値（例如，十進制0至 7之範圍之値）時，使對應於該値之開關（第3圖所示之開 φ 關SQ〜S3中之任一個）導通所用之控制信號被輸出。又， 上述演算結果是負時，則與演算結果是0時相同之控制信 號被輸出。又，若該演算結果是8以上時，則與演算結果 是7時相同之控制信號被輸出。此處之一種例子是：SMUTE 或SNC用之控制信號亦可與HCC相對應之大略相同之演 算處理來生成。 其次，以下說明該與本發明之其它實施形式相關之立體 解調電路。 Φ 本實施形式以一種具備至少一個雜訊控制部（第3圖中 所示之去強調電路14，SMUTE電路15，SNC電路16等） 之立體解調電路爲前提，該雜訊控制部在RSSI所定之範 圍中時進行一與RSSI相對應之控制。採用新的控制信號 生成電路以取代第3圖所示之立體解調電路1 0中之控制 信號生成電路20。又，此處該雜訊控制部中之雜訊控制 之控制量是以類比之控制信號所決定之値作爲對象。因 -19· 1250740 此，雜訊控制部未具備如第3圖所示之開關S，U，V。 如第3圖所示，該獨立之控制信號生成電路由下述之各 元件所構成：偏移電路（未圖示），只以上述所定値之部份 使以AD變換器1 7來進行AD變換而保持在該閂住電路1 8 中之信號Sig3受到數位式之偏移；DA變換器（未圖示）， 使已偏移之信號受到D A變換；差動放大電路3 0 (第6圖）， 使DA變換後所得到之信號與零偏壓値相比較，使其差放 大成控制信號而輸出。 可採用一與第4圖所示之各偏移電路21，22，23相同 之構成作爲該偏移電路，即使不具備下位位元去除之功能 亦可。上述之DA變換器可採用已知之物件，此處不再說 明。 由第6圖明顯可知，該差動放大電路30中採用零偏壓 作爲比較用之基準電壓。該Vm端子中輸入該DA變換器 進行DA變換後所得到之類比信號（相當於RSSI之信號， 其已受到偏移），該類比信號與b點之基準電壓（ = 0)相比 較，其差放大後輸出。即，由於b點接地而成爲零偏壓， 則朝向該預先偏移之Vin端子之輸入信號和b點之零偏壓 之差被放大而成爲輸出至雜訊控制部之控制信號。此時， 該控制信號是類比信號，對應於該類比信號使該雜訊控制 部之雜訊控制量連續地切換。 因此，使用零偏壓作爲基準電壓之此種構成方式，則該 基準電壓不會由於溫度變化或過程不均勻等而發生變動。 於是可非常正確地進行該雜訊控制部之雜訊控制。 -20- 1250740 又，本發明不限於上述實施形式中之構成，各申請專利 範圍內種種之構成都可作變更。 產業上之可利用个牛 本發明之技術思想必定可應用於立體解調電路，但適用 範圍不只於此，該輸入信號位準位於所定之範圍時，對於 具備至少一電路部份以進行一種對應於該位準之所定之控 制之各種信號處理電路而言，本發明同樣可適用。 【圖式簡單說明】 φ 第1圖 進行HCC，SMUTE，SNC之各處理所用之RSSI之 範圍之圖解。 第2圖 採用非零偏壓之先前之電路（差動放大電路）之一 例之電路圖。 第3圖 本發明之一實施例之立體解調電路10之電路 圖。 第4圖 係第3圖中所示之控制信號生成電路20之電路 圖。 鲁 第5圖 係第3圖之去解調電路14之開關部份之具體之 電路構成之~例之圖解。 第6圖 本發明另一實施例之立體解調電路中所採用之作 動放大電路3 0之電路圖。 主要元件之符號說明： 10 立體解調電路 11 限制放大器 12 FM檢波電路 -21- 1250740 13 HCC電路 14 去強調電路 15 軟性弱音電路 16 雜訊控制電路 17 AD變換器 18 閂住電路 20 控制信號生成電路 21， 22，23 偏移電路 24， 25，26 選擇器 S〇〜 S 3 開關 U〇〜 u3 開關 V〇， Vi 開關 -22-