1250740 玖、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明涉及立體接收機等所用之立體解調電路,特別是 其中所組裝之雜訊抑制用之各種電路中之控制技術之改 良。又,本發明亦涉及含有該立體解調電路之一般之信號 處理電路。 【先前技術】 立體解調電路通常是以所接收之RF信號爲基準以形成 L信號和R信號所用之電路。 在此種立體解調電路中,以頻率變換電路來對所接收之 RF信號進行頻率變換以得到中頻(IF)信號,該中頻(IF)信 號以極限(limit)放大器來放大,然後以FM檢波電路來檢 波,使合成信號再生。 再生之合成信號通常含有主成份L + R和副成份L-R,該 合成信號分支成二個路徑,即,該合成信號在一個路徑中 得到L + R成份且在另一路徑中藉由與38kHz之信號相混 合而得到L-R成份。這樣所得到之L + R成份和L-R成份 藉由加算/減算器來進行加算而得到L成份,或藉由加算/ 減算器來進行減算而得到R成份。 又,爲了使上述立體解調電路中所生成之雜訊減低且使 音質提高,則須具備雜訊控制部,其一方面使信號衰減且 另一方面使信號之高頻成份被去除。 例如,設有一種高截止控制(HCC,High Cut Control)電 路,其與RSSI(受信電場強度)顯示用之信號中之RSSI信 1250740 號相對應之比率使該L + R成份和由該l + R成份去除高頻 成份之後所得之信號相混合,以進行一種對應於該RSSI 信號之高截止控制。又,對該立體解調後之L成份,R成 份中所含有之高頻雜訊,在一種去強調(de-emphasis)電路 中亦進行一種高截止控制以去除各高頻雜訊。 又,RSSI較小時,由於所混入之雜訊之影響不能不重 視,則在軟性弱音電路(SMUTE)中該合成信號藉由軟性弱 音處理而被衰減,這亦已爲人所知。 又,爲了抑制串音(cross talk),亦須對主成份L + R和以 加算/減算器來混合而得之副成份L - R之比例進行調整。 即,在立體雜訊控制(SNC)電路中,該副成份L-R藉由立 體雜訊控制而被衰減。 進行上述HCC,SMUTE,SNC之各種處理時,該rSSI與 HCC, SMUTE,SNC之各雜訊控制用之電路中之控制量決定 用之控制信號之間之關係例如可如第1圖中所示’之方式$ 決定。 例如,在第1圖之HCC處理中,RSSI在Ip l3之範圍 中時,則依據該RSSI所對應之控制信號C2〜C3來進行控 制。又,若RSSI在上述範圍之下限値12以下時,則該控 制信號保持在C2,依據該已保持之控制信號c2來進行控 制。又,若RSSI在上述範圍之上限値I3以上時,則該控 制信號保持在C 3,依據該已保持之控制信號c 3來進行j空 制。 以和上述相同之方式,在SMUTE處理中,若1^31在ϊ 1250740 〜L之範圍中,則依據RSSI所對應之控制信號CQ〜Ci來 進行控制。在SNC處理中,若RSSI在14〜15之範圍中, 則依據此時RSSI所對應之控制信號C4〜C5來進行控制。 即使該RSSI在各範圍之外時,亦與HCC處理時一樣依據 所保持之控制信號來進行控制。 在上述之立體解調電路中,HCC,SMUTE,SNC之各種處 理由於是一種類比式控制,其控制動作總是不安定的,會 有不易達成高精度之雜訊控制之問題。 又,HCC, SMUTE,SNC等之各電路中雜訊控制量決定用 φ 之控制信號生成時成爲基準之基準電壓(偏壓電壓)由於周 圍溫度之變化或過程不均勻等所引起之變動,則經常維持 在所期望之偏壓電壓是困難的。在採用非零偏壓之先前電 路(差動放大電路)中,如第2圖所示者,基準電壓之輸入 點之點a施加非零之所定値之偏壓(非零偏壓)作爲基準電 壓。相當於該RSSI之輸入Vin之値超越該基準電壓(所定 値)時,增加其差異値而輸出成爲朝向各雜訊控制電路之 控制信號。 Φ 在上述之構成方式中,該所定値之偏壓値會由於溫度變 化或製程不均勻等原因而變動。結果’不能進行正確之雜 訊控制。即,對來自本來之動作範圍之外之RSSI而言, 不能進行HCC,SNC,SMUTE等所造成之雜訊控制,這是 音質劣化之一個原因。 【發明內容】 本發明之第1目的是在立體解調電路中具備至少一個雜 1250740 訊控制部,其在受信電場強度在所定之範圍內時對應於該 所定範圍內之受信電場強度來進行雜訊控制’使該雜訊控 制部所造成之雜訊控制可安定化,而且,其構成較決定該 控制量所用之控制信號輸出用之控制信號輸出電路更簡 潔。 本發明之第2目的是使該雜訊控制部不受溫度變化或製 程不均勻等原因所影響而能正確地動作。 本發明以下述之構成方式來達成上述目的。 首先,在本發明之第一實施形式之立體解調電路中,其 具有至少一雜訊控制部,其在受信電場強度在所定之範圍 內時對應於該所定範圍內之受信電場強度來進行雜訊控 制,該立體解調電路之特徵爲具備:AD變換部’其對該 受信電場強度顯示用之信號中之受信電場強度信號進行 AD變換;偏移部,使該AD變換部所得到之數位信號中 只對應於該所定範圍之所定値之部份(例如’相當於所定 範圍之下限値之部份)以數位方式偏移’而且,只粗略地 對應於該雜控制部中之雜訊控制精度所設定之位元數使該 數位信號之下位位元被去除;控制信號輸出部’其以該偏 移部所得到之信號爲基準,使該雜訊控制部中之雜訊控制 之控制量決定用之控制信號被輸出。 若使用上述之構成,則雜訊控制部中之雜訊控制之控制 量決定用之控制信號由於藉由數位處理而生成’在與先前 以類比方式處理而生成該控制信號相比較時’可使雜訊控 制動作安定化。 1250740 又,在上述之偏移部中,藉由AD變換所得到之數位信 號不只以數位方式來進行偏移,而且只對應於該雜訊控制 部之雜訊控制之精度之粗略値之位元數使該數位信號之下 位位元被去除,以剩下之位元爲基準由控制信號輸出部來 生成該控制信號。因此,在控制信號輸出部中,在與只使 用由AD變換所得到之信號之位元數來生成該控制信號時 之情況相比較下,由於只須處理該對應於雜訊控制之精度 之粗略値之更少之位元數即可完成,則無效之信號處理即 不會發生。結果,構成該控制信號輸出部之電路可簡化成 一段。因此,就上述之偏移和下位位元之去除而言,何者 先實行都是可以的。 又,上述雜訊控制部之構成方式中亦可使對應於該控制 信號輸出部所輸出之控制信號之雜訊控制量以階段之方式 被切換。此種例子之一是:對應於該控制信號使多個開關 被切換,以使雜訊控制之控制量以階段之方式增減。 又,上述之AD變換部實際上可藉由一般之AD變換電 路來實現,其構成須具備一種閂住電路以暫時將該AD變 換電路所得到之信號保持著。 其次,本發明之第2實施形式中之立體解調電路具備至 少一個雜訊控制部,其在該受信電場強度在所定之範圍中 時對應於該受信電場強度來進行雜訊控制。該立體解調電 路之特徵爲具備:偏移部,其使該受信電場強度表示用之 信號中之受信電場強度信號中只有對應於該所定範圍之所 定値之部份(例如,相當於所定範圍之下限値之部份)被偏 -10- 1250740 移;差分輸出部,其使該由偏移部所得到之信號來與零偏 壓相比較且將其差分輸出;控制信號輸出部,其以差分輸 出部所得到之信號爲基準,將雜訊控制部中決定雜訊控制 量所用之控制信號輸出。 藉由上述之構成,則可預先藉由該偏移部使受信電場強 度信號受到偏移,之後在差分輸出部中與零偏壓相比較以 輸出該差分値。利用此種構成,由於在差分輸出部中比較 之基準値可作爲零偏壓,則可不受上述溫度變化和製程不 均勻等之影響,雜訊控制部中因此可正確地進行雜訊之控 制。 又,本發明中亦可具備多個雜訊控制部,此時該多個雜 訊控制部中之受信電場強度之上述範圍亦可互相各別地設 定。例如,可使用去強調電路,軟性弱音電路,立體雜訊 控制電路等作爲雜訊控制部。 上述本發明之基本構想是:不只可適用於立體解調電路 且亦可應用於進行任何信號處理所用之全部之信號處理電 路中。 ⑩ 即,本發明之第1實施形式之信號處理電路中,其具有 至少一電路部份,其在輸入信號位準在所定之範圍內時對 應於該輸入信號位準來進行所定之控制,該信號處理電路 之特徵爲具備:AD變換部,其對該輸入信號位準顯示用 之信號中之位準信號進行AD變換;偏移部,使該AD變 換部所得到之數位信號中只對應於該所定範圍之所定値之 部份以數位方式偏移,而且,只粗略地對應於該電路部份 -11· 1250740 中該所定控制之精度所設定之位元數使該數位信號之下位 位元被去除;控制信號輸出部,其以該偏移部所得到之信 號爲基準,使該電路部份中之所定控制之控制量決定用之 控制信號被輸出。 藉由上述構成之信號.處理電路,則與上述第1實施例中 之立體解調電路一樣可使控制動作安定化,控制信號輸出 部中不會有無效之信號處理。 又,本發明之第2實施形式中之信號處理電路具備至少 一個電路部份,其在該輸入信號位準在所定之範圍中時對 應於該輸入信號位準來進行所定之控制。該立體解調電路 之特徵爲具備:偏移部,其使該輸入信號位準表示用之信 號之位準信號中只有對應於該所定範圍之所定値之部份被 偏移;差分輸出部,其使該由偏移部所得到之信號來與零 偏壓相比較且將其差分輸出;控制信號輸出部,其以差分 輸出部所得到之信號爲基準,將該電路部份中決定該所定 控制之控制量所用之控制信號輸出。 藉由上述構成之信號處理電路,則與上述第1實施例之 立體解調電路一樣可不受上述溫度變化和製程不均勻等之 影響,可正確地進行上述電路部份之控制。 【實施方式】 第3圖是本發明之一實施形式之立體解調電路1〇之電 路圖。 該立體解調電路10主要包含以下公知之構成:一限制 放大器1 1,FM檢波電路12,高截止控制(HCC)電路Π, -12- 1250740 去強調電路14,軟性弱音(SMUTE)電路15,立體雜訊控制 (SNC)電路16等,同時本實施例中新增加之構成包含:AD 變換器17,閂住電路1 8和控制信號生成電路20。此處該 去強調電路14,軟性弱音(SMUTE)電路15,立體雜訊控制 (SNC)電路 16亦可爲雜訊控制部以進行一種對應於 RSSI(受信電場強度)之雜訊控制。該雜訊控制部中之控制 量決定用之各控制信號由信號生成電路20輸出。又,AD 變換器1 7對應於申請專利範圍所記載之AD變換部。 在上述之構成中,該輸入信號(中頻信號)Sigl經由該限 _ 制放大器11而輸入至FM檢波電路12中而生成立體合成 信號。又,由該限制放大器11所輸出之RSSI信號Sig2 輸入至作爲AD變換部用之AD變換器17中,則類比式RSSI 信號Sig2變換成數位信號Sig3。由此種AD變換所得到之 信號Sig3暫時保持在該閂住電路18中,該已被保持著的 信號Sig3輸入至控制信號生成電路20中。 在該控制信號生成電路20中,以所輸入之信號Sig3之 位準(其相當於RSSI)爲基準而生成一種控制信號,其分別 φ 對以下之各種處理進行控制:由SMUTE電路15所進行之 軟性弱音(SMUTE)處理,由SNC電路16所進行之立體雜 訊控制(SNC)處理,由去強調電路14所進行之高截止控制 (HCC)處理。 第4圖是該控制信號生成電路20之電路構成。 該控制信號生成電路20具備SMUTE,HCC,SNC之各處 理用之3個偏移電路21,22, 23和3個選擇器24, 25, 26。 -13- 1250740 此處各偏移電路2 1,2 2,2 3對應於申請專利範圍中所記 載之偏移部,各選擇器24,25,26對應於申請專利範圍 中所記載之控制信號輸出部。 RSSI在所定之範圍(第1圖中之IQ〜1〇內時,則SMUTE 電路15進行該RSSI所對應之SMUTE處理。RSSI較上述 之範圍小時,則進行該範圍之下限値(第1圖中之Μ所對 應之SMUTE處理。RSSI較上述之範圍大時,則進行該範 圍之上限値(第1圖中之Μ所對應之SMUTE處理。因此, 在此種SMUTE電路用之偏移電路21中,相當於以SMUTE 電路15來考慮之該RSSI之範圍之下限値(第1圖中之I。) 之數位値設定成偏移値Fi,使相當於RSSI之數位信號Sig3 只以數位方式偏移該偏移値Fi。又,由該偏移所得到之信 號中使只對應於該SMUTE電路15所要求之控制精度之粗 略値而設定之位元數之下位位元被去除。 例如,原來之信號Sig3由5個位元所構成,又,SMUTE 電路1 5中相對應之粗的控制精度成爲很足夠。此時,首 先只使信號Sig3之與SMUTE處理中所考慮之RSSI之範 圍之下限値之1〇所對應之偏移値Fi之部份被偏移,而且’ 由該偏移所得到之信號中例如去除下位2位元之部份’只 輸出其餘之3位元。這樣使下位2位元去除後所得到之上 位3位元之信號亦顯示出較實際之RSSI値更粗之値。 如第4圖所示之HCC用之偏移電路22和SNC用之偏移 電路23亦與SMUTE用之偏移電路21大致相同。即’如 下所說明者。 -14- 1250740 在H C C用之偏移電路2 2中,相當於去強調電路14中 之HCC處理所考慮之RSSI範圍之下限値(第i圖中之12) 之數位値設定成偏移値F2,只使相當於Rs SI之數位信號 Sig3以數位之方式偏移上述之偏移値f2。又,由該偏移 所得到之信號中只使下位位元之與去強調電路1 4之HCC 處理中所要求之控制精度之粗略値相對應之位元數被去 除。 例如,原來之信號Sig3由5個位元所構成,又,去強 調電路1 5中若干粗的控制精度成爲很足夠。此時,信號 Sig3中首先只使HCC處理中所考慮之RSSI之範圍之下限 値之I。所對應之偏移値F2之部份被偏移,而且,由該偏 移所得到之信號中例如去除下位1位元之部份,只輸出其 餘之4位元。這樣使下位1位元去除後所得到之上位4位 元之信號亦顯示出較實際之RSSI値粗若干之値。 在SNC用之偏移電路23中,SNC電路16所考慮之RSSI 範圍之下限値(第1圖中之14)所對應之數位値設定成偏移 値F3,只使相當於RSSI之數位信號Sig3以數位之方式偏 移上述之偏移値F3。又,由該偏移所得到之信號中只使下 位位元之與S N C電路1 6中所要求之控制精度之粗略値相 對應之位元數被去除(若控制精度未變粗,則下位位元不 必去除)。 例如,原來之信號Sig3由5個位元所構成,又,SNC 電路16中需要較細的控制精度。此時’信號SU3中首先 只使SNC處理中所考慮之RSSI之範圍之下限値之14所對 1250740 應之偏移値f3之部份被偏移,而且’由該偏移所得到之 信號中未去除下位位元,輸出原來之5位元。這樣使下位 位元未去除所得到之5位元之信號顯示出與實際之RSSI 値同程度之粗略之値。 因此,由該3個偏移電路21,22’ 23可輸出各分別與 SMUTE,SNC,HCC所要求之控制精度之粗略値相對應之位 元數之信號,該位元數成爲粗略値較少之値。這些偏移電 路21,22,23可具體地由加算電路來製成。即,各偏移. 値F2,F3之負資料所對應之値被保持著,該値加算至信 · 號Sig3,實質上由該信號Sig3來進行對各偏移値之減算 處理。又,藉由此種演算所得到之資料被輸出時,使下位 位元未被輸出,則可能使位元被去除。 可使用其它種種方法使位元被去除,應去除之位元數亦 可適當地設定。又,對該信號Sig3而言,亦可預先進行 位元之去除,然後進行上述之偏移。 其次,如第4圖所示,各偏移電路21,22,23之後段 中分別配置各選擇器24,25,26。這些選擇器24,25,26 # 以對應於各偏移電路21,22,23所輸出之信號Si g4(即, 使Sig3信號偏移且使下位位元去除後所得之信號)之方式 使階段地控制如第3圖中所示之SMUTE電路15,去強調 電路14,SNC電路16中各雜訊之處理所用之控制信號被 輸出。 例如,第3圖之SNC電路16爲了進行一種對應於RSSI 之SNC處理,則須具備多個開關IV IV U2,U3,使電阻 -16- 1250740 値可對應於RS SI而階段地被切換。例如,若要使L-R 份衰減之比率變小時,則須選取開關U 〇,若要使L - R 份衰減之比率變大時,則須依次選取開關U i, U 2,U 3。 此,SNC用之選擇器26依據該由偏移電路23所輸出之 號Sig4使指出應選取上述4個開關UQ,U:,U2, U3中之 一個所用之信號作爲控制信號而輸出至SNC電路16。又 若較RSSI所定之範圍(第1圖中之14〜15之範圍)還小時 則信號Sig4顯示出負値。此時使與該下限値14相對應 開關U。被選取時所用之控制信號被輸出。另一方面, 較RSSI所定之範圍(第1圖中之14〜15之範圍)還大時, 此時使與該上限値15相對應之開關113被選取時所用之 制信號被輸出。 又,以上雖以SNC用之選擇器26來說明,但同樣亦 用於HCC用之選擇器25和SMUTE用之選擇器24,以 成HCC處理和SMUTE處理用之控制信號。 例如,在去強調電路14(第3圖)中進行HCC處理時 依據該偏移電路22所輸出之信號Sig4,在L成份和R 份之衰減率控制成較小時選取該開關S。,或在L成份和 成份之衰減率控制成較大時依次分別選取各開關S i,S2 S3,使該控制信號由選擇器25輸出。又,若RSSI超過 定之範圍(第1圖中之12〜13),則與該SNC用之選擇器 之情況.一樣,使選取該下限値12或上限値13所對應之 關用之控制信號被輸出。 又,以SMUTE電路15(第3圖)來進行SMUTE處理時 成 成 因 信 哪 之 若 則 控 適 生 成 R 所 26 開 1250740 依據該偏移電路21所輸出之信號Slg4,使該控制信號由 選擇器24輸出,以便在該合成信號之衰減率控制成較大 時可選取該開關VQ,或在該合成信號之衰減率控制成較 小可選取該開關Vi。又,RSSI超出所定之範圍(第1圖中 之IQ〜Μ時,與SNC用之選擇器26 —樣,使對應於該下 限値1〇或上限値I i之開關被選取時所用之控制信號被輸 出。 第5圖是第3圖所示之去強調電路14之開關部份之具 體電路之構成。 在第5圖中,選取該開關Si時,SQ = off,S^on,S2 = off, S3 = 〇ff時的信號輸出成控制信號生成電路20之輸出信號。 選取其它開關時之情況亦一樣,只有輸入至所選取之開關 中之信號才會導通(on),輸入至其它開關中之信號設定成 關閉(off)。又,第5圖雖然與第3圖之去強調電路14之 開關部份相關,但SMUTE電路14之開關部份’ SNC電路 1 6之開關部份亦可同樣地構成。 以上述之實施形式而言,在各偏移電路21 ’ 22,23中 只有與雜訊控制之精度之粗略値相對應之位元數之下位位 元才被去除,在選擇器24,25,26中以其餘之上位位元 爲基準來生成該控制信號’使選擇器24 ’ 25 ’ 26只須處 理較少之位元數即可完成,因此可實現有效之信號處理。 結果,各選擇器24,25,26以一段所形成之簡單構造即 可實現。 又,在上述之實施形式中,如第4圖所示’雖然控制信 -18- 1250740 號生成電路20以偏移電路和選擇器所構成之硬體來實 現,但亦可由軟體所形成之演算處理來達成該電路20之 功能。例如,以軟體來實現HCC用之偏移電路22和選擇 器25之上述例子時,首先,對應於HCC控制精度之粗略 値,以便由5位元之信號S i g 3中去除下位1位元之部份 而生成上位4位元之信號,由該4位元之信號中減去該偏 移値F2(例如,3位元之値)。然後,該減算後之結果相當 於第1圖之HCC之範圍12〜13中之値(例如,十進制0至 7之範圍之値)時,使對應於該値之開關(第3圖所示之開 φ 關SQ〜S3中之任一個)導通所用之控制信號被輸出。又, 上述演算結果是負時,則與演算結果是0時相同之控制信 號被輸出。又,若該演算結果是8以上時,則與演算結果 是7時相同之控制信號被輸出。此處之一種例子是:SMUTE 或SNC用之控制信號亦可與HCC相對應之大略相同之演 算處理來生成。 其次,以下說明該與本發明之其它實施形式相關之立體 解調電路。 Φ 本實施形式以一種具備至少一個雜訊控制部(第3圖中 所示之去強調電路14,SMUTE電路15,SNC電路16等) 之立體解調電路爲前提,該雜訊控制部在RSSI所定之範 圍中時進行一與RSSI相對應之控制。採用新的控制信號 生成電路以取代第3圖所示之立體解調電路1 0中之控制 信號生成電路20。又,此處該雜訊控制部中之雜訊控制 之控制量是以類比之控制信號所決定之値作爲對象。因 -19· 1250740 此,雜訊控制部未具備如第3圖所示之開關S,U,V。 如第3圖所示,該獨立之控制信號生成電路由下述之各 元件所構成:偏移電路(未圖示),只以上述所定値之部份 使以AD變換器1 7來進行AD變換而保持在該閂住電路1 8 中之信號Sig3受到數位式之偏移;DA變換器(未圖示), 使已偏移之信號受到D A變換;差動放大電路3 0 (第6圖), 使DA變換後所得到之信號與零偏壓値相比較,使其差放 大成控制信號而輸出。 可採用一與第4圖所示之各偏移電路21,22,23相同 之構成作爲該偏移電路,即使不具備下位位元去除之功能 亦可。上述之DA變換器可採用已知之物件,此處不再說 明。 由第6圖明顯可知,該差動放大電路30中採用零偏壓 作爲比較用之基準電壓。該Vm端子中輸入該DA變換器 進行DA變換後所得到之類比信號(相當於RSSI之信號, 其已受到偏移),該類比信號與b點之基準電壓( = 0)相比 較,其差放大後輸出。即,由於b點接地而成爲零偏壓, 則朝向該預先偏移之Vin端子之輸入信號和b點之零偏壓 之差被放大而成爲輸出至雜訊控制部之控制信號。此時, 該控制信號是類比信號,對應於該類比信號使該雜訊控制 部之雜訊控制量連續地切換。 因此,使用零偏壓作爲基準電壓之此種構成方式,則該 基準電壓不會由於溫度變化或過程不均勻等而發生變動。 於是可非常正確地進行該雜訊控制部之雜訊控制。 -20- 1250740 又,本發明不限於上述實施形式中之構成,各申請專利 範圍內種種之構成都可作變更。 產業上之可利用个牛 本發明之技術思想必定可應用於立體解調電路,但適用 範圍不只於此,該輸入信號位準位於所定之範圍時,對於 具備至少一電路部份以進行一種對應於該位準之所定之控 制之各種信號處理電路而言,本發明同樣可適用。 【圖式簡單說明】 φ 第1圖 進行HCC,SMUTE,SNC之各處理所用之RSSI之 範圍之圖解。 第2圖 採用非零偏壓之先前之電路(差動放大電路)之一 例之電路圖。 第3圖 本發明之一實施例之立體解調電路10之電路 圖。 第4圖 係第3圖中所示之控制信號生成電路20之電路 圖。 鲁 第5圖 係第3圖之去解調電路14之開關部份之具體之 電路構成之~例之圖解。 第6圖 本發明另一實施例之立體解調電路中所採用之作 動放大電路3 0之電路圖。 主要元件之符號說明: 10 立體解調電路 11 限制放大器 12 FM檢波電路 -21- 1250740 13 HCC電路 14 去強調電路 15 軟性弱音電路 16 雜訊控制電路 17 AD變換器 18 閂住電路 20 控制信號生成電路 21, 22,23 偏移電路 24, 25,26 選擇器 S〇〜 S 3 開關 U〇〜 u3 開關 V〇, Vi 開關 -22-