TWI250158B - Crystal modification of lipoic acid - Google Patents
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1250158 五、發明說明（2) ____ 本發明之目的為發展製诰站 ^ ^ 造之方法。此結晶狀的形態在此醫藥級硫辛酸用於醫藥製 繞射圖譜記錄使用CU κ鲈射r 9斤製造者具有X光譜[X光 曰）所侍之（+) — α -硫辛酸。 k中（由5衣己烷/醋醆乙、 我們發現此目的的達成是 溶劑中，其中具有介電常數^將广硫辛酸溶解於 的α -硫辛酸溶液冷卻至〇到〜2〇、’、 ，，5至2. 4。然後將有撫 鏡像異構的純α-硫辛酸，其| 而得到結晶形態，立 繞射圖譜中，且適於醫藥製造、。此新型的線強度分佈於χ 產品為高純度（含< 〇 · 1 %的不純物 ，根據本發明所得Υ 本發明可用醫藥工業和食品工業兩’且產率為75%或更:的 用為食品添加劑且亦用為飲食補充。之中，其中硫辛峻是 在根據本發明的晶狀產物之2㊀繞 強線在23〇。根據本發明的晶狀產^呈=中從15至30。之最 二2 3。比2 Θ = 1 8 · 2。至少為1。 ’、的強度比率2 θ 此外根據本發明所使用的溶劑含有 2· 4，其具有另外的好處超過文獻上& ㊉數為丨· 95至 yc, 尸々迷，A曰触、 付到向產率非常純的晶狀產物。如可能 Βθ^ " 上其
混合物的成份，如實例直鏈或支鏈、飽和:^浴劑或溶劑 不飽和脂肪族碳氫化合物例如環戊燒、产3單不飽和或多 烷，或單函化或多鹵化，較佳為氯化的t ^烷或曱基環己 為1至4個碳原子。使用溶劑混合物例如技 二鏠長 烧，其中己烷或庚烷為主要成份，戈是、的己燒或庚 及疋使用純的溶劑都是 第5頁 1250158 五 發明說明（3) 可以的。 兔^化合物的溶劑混合物。 ::環的芳香族亦可以作為溶 镁及甲苯、鄰、間和對二甲 基苯及1，3, 5-三曱基苯。 f溶劑混合物，必須含熔點低 特別較佳為低於—4 〇它。較佳 所得的硫辛酸是用於藥品或食 2 ;特別較佳為2· 〇至2.1的範 一5 °C ，特別較佳為—1()它。 :進仃，只要溶劑或溶劑混合 限制為—2 〇 °c。 或二曱苯含c：5—c?的脂肪族，體 為甲苯和技術級的己烷或甲苯 物中再結晶，使用硫辛酸對溶 5特別較佳為1 : 8至1 : 1 2。 辛酸較佳為首先溶於極性混合1 剩餘再結晶用的非極性溶劑成 力口入。 較佳的為脂肪族和芳香族 而且取代或為取代、單環 劑或溶劑的成份。實例可= 笨、乙基苯、丙基笨和異丙" 此外，根據本發明的溶劑 於〇 ，較佳為低於—2〇它， 亦為溶劑具有低毒性，因為 口口的添加劑。 較佳介電常數的上限為2. 圍。 車父佳晶狀物的溫度上限為 此方法亦可在較低的溫度 物不變成固體。較佳的較低 較佳的溶劑混合物為曱苯 積比為1 : 1至1 : 4 ;特別較佳 和技術級庚烷之混合物。 硫辛酸由溶劑或溶劑混合 劑的重量比較佳為1 : 5至1 : 1 如果為溶劑混合物時，硫 物或在極性溶劑成份中，而 伤’在冷卻到〇至-2 0 C前再 在水溶液中（1克的硫辛酸溶於2〇毫升的1N Na〇H)，根據 本發明所得的產物具有吸收<0· 3 0 0 ( 43 0毫微米，徑長^公
1250158 五、發明說明（4) 分）。 實例1 將10克的（R)- α_硫辛酸在50它下加入67毫升1:1曱苯/ 技術級己烷之溶劑混合物中。得到了溶液再過濾。將殘留 物以3 3毫升的己燒（技術級）沖洗。將結合的溶液於冰水中 維持在0至5 °C 1小時，接著以冰/氯化納的混合物冷卻於 約-15 °C下再攪拌1小時。此結晶接著以吸氣過濾，然後在 室溫減壓下乾燥：得到8 · 1克的（R ) - ( + ) α —硫辛酸。 實例2 將10克的粗製（R) - α -硫辛酸在50 °C下溶入35毫升甲苯馨 中。將3 5毫升技術庚烷加入其中，溶液在5 0 °C下以4克矽 ， 膠F 60過濾，再進一步以35毫升技術級庚烷加入過濾物 中。將溶液在0至5 °C下冷卻，養晶，接著於1小時後5 °C / 小時的速率冷卻至-1 5 °C。 所需的產物在玻璃料上以吸氣過濾單離出，將晶狀的產 物以1 5毫升的技術級庚烷清洗兩次，然後在氮氣流下乾 燥：得到8· 〇克的（R)— α-硫辛酸，熔點47· 9 —48. 9 °C : [a]24D = 113.7t：，c = l於甲苯中’根據氣相層析儀（GC)分
析純度= 99· 95% ;面積上所有的微*成份<0· 05%。 根據本發明製造的硫辛酸所倣的X光繞射分析是使用Cu Κ- α輻射。 圖1顯示先前技藝由環己烷得到之（R)—硫辛酸之粉未繞 射圖。 圖2顯示先前技藝由環己烷/醋酸乙醋得到之（R)—硫辛酸
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第8頁
Claims (1)
- 腳」公告本…q _881 M〇4 j 年 7 月 曰__ 六、申請專利範圍 1 . 一種鏡像異構的純晶狀R -硫辛酸，其2 Θ繞射圖譜從 15。 至3 0°的範圍中，最強的反射線在2㊀= 23°。 2. —種製備晶狀R -硫辛酸之方法，其中包括在0 °C至-20 °C下，由溶劑或溶劑混合物中將硫辛酸結晶，其具有介電 常數ε為1 . 9 5至2 . 4，其中該溶劑或溶劑混合物包含C5至 C8之直鏈或具支鏈之脂族烴類、環脂族烴類、具1至4個碳 原子之鹵化烴類、芳香烴類，如甲苯、鄰-、間-、對-二 曱苯、乙基苯、丙基苯、異丙基笨及1，3, 5 -三曱基苯。 3. 根據申請專利範圍第2項之方法，其中溶劑混合物使 用曱苯和己烷之混合物，或甲苯和庚烷之混合物。 4. 根據申請專利範圍第1項之硫辛酸，其係根據申請專 利範圍第2或3項之方法製得。 5. —種根據申請專利範圍第1或4項之硫辛酸之用途，其 用於製備醫藥調配物。 6 · —種根據申請專利範圍第1或4項之硫辛酸之用途，其 作為食品添加劑或作為飲食補充之成份。O:\59\59745-940922.ptc 第10頁
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